TWI625571B - 層壓本體、成像元件封裝、成像裝置及電子裝置 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種層壓本體，其包含：一基板；及一結構層，其設置於該基板上且具有一抗反射功能，其中該結構層包含複數個結構本體及設置於該複數個結構本體與該基板之間之一中間層，且其中該中間層滿足以下關係式(1)。(2π/λ)．n(λ)．|d-d₀|<π(1)(其中λ表示為了反射減少之一目的之光之一波長，n(λ)表示該波長係λ時之該中間層之一折射率，d₀表示該中間層在一中心點處之一厚度，且d表示該中間層在任何點處之一厚度)。

Description

層壓本體、成像元件封裝、成像裝置及電子裝置 [相關申請案之交叉參考]

本申請案主張2013年9月26日申請之日本優先專利申請案JP 2013-200327之權利，該案之全文以引用的方式併入本文中。

本發明係關於一種具有抗反射功能之層壓本體、一種成像元件封裝、一種成像裝置及一種電子裝置。

對於用於一顯示器、一相機鏡頭及類似物中之一玻璃或一膜，使用各種抗反射技術來抑制表面反射。一般使用在一表面上形成具有低於一基板之折射率之一折射率之一薄膜之一技術及交替地層壓一高折射率材料及一低折射率材料之一技術來作為抗反射技術。

然而，抗反射技術藉由使用一真空程序(諸如一濺鍍、一真空沈積方法或類似方法)來形成一薄膜，使得膜形成時間增加且生產效率降低。此外，在抗反射技術中，因為使用光之一干涉現象，所以反射比取決於光波長或入射角，且難以獲得一所要抗反射效應。

最近，為解決此等問題，藉由在基板表面上形成其大小等於或小於光之一波長之細微不均勻性來達成抗反射效能之一技術已被開發，且一般稱作一蛾眼(moth-eye)。蛾眼具有獲得比使用光之一干涉現象且具有較少波長相依性之上文所提及之抗反射技術寬之一波長頻寬之抗反射效應之一優點。

一般使用一奈米壓印方法(例如，參考日本未審查專利申請公開案第2010-156844號)來製造蛾眼。作為奈米壓印方法，存在藉由製備具有與一所要不均勻形狀相對之一圖案之一模件且將該模件熱壓於基板上來使基板塑性變形之一熱壓印方法、將一熱可固化樹脂(壓印樹脂)施加至基板以將一模件壓製於基板上以使其熱固化之一熱可固化壓印方法、及在將一模件壓製於一基板上時將一紫外線可固化樹脂(壓印樹脂)施加至該基板且用UV線輻照該基板以使其固化之一UV可固化壓印方法。當在一無機基板(諸如一玻璃及類似物)上形成蛾眼時，主要使用熱可固化壓印方法及UV可固化壓印方法。

然而，在壓印方法中，干涉條紋可發生於經壓印模製之一表面上，藉此降低可見性。

可期望提供其中干涉條紋之發生受抑制之一種層壓本體、一種成像元件封裝、一種成像裝置及一種電子裝置。

根據本發明之一實施例之一層壓本體包含：一基板；及一結構層，其設置於該基板上且具有一抗反射功能，其中該結構層包含複數個結構本體及設置於該複數個結構本體與該基板之間之一中間層，且其中該中間層滿足以下關係式(1)。

(2π/λ)．n(λ)．|d-d₀|<π (1)

(其中λ表示為了反射減少之一目的之光之一波長，n(λ)表示該波長係λ時之該中間層之一折射率，d₀表示該中間層在一中心點處之一厚度，且d表示該中間層在任何點處之一厚度)

根據本發明之另一實施例之一電子裝置包含：一基板；及一結構層，其設置於該基板上且具有一抗反射功能，其中該結構層包含複數個結構本體及設置於該複數個結構本體與該基板之間之一中間層，且其中該中間層在任何區段中滿足以下關係式(2)。

(2π/λ)．n(λ)．|D-D₀|<π (2)

(其中λ表示為了反射減少之一目的之光之一波長，n(λ)表示該波長係λ時之該中間層之一折射率，D₀表示該中間層在區段之一中心點處之一厚度，且D表示該中間層在區段之任何點處之一厚度)

根據本發明之又一實施例之一成像元件封裝包含：一成像元件；及一封裝，其包含一光透射單元且容納該成像元件，其中該光透射單元包含一基板及設置於該基板上且具有一抗反射功能之一結構層，其中該結構層包含複數個結構本體及設置於該複數個結構本體與該基板之間之一中間層，且其中該中間層滿足以下關係式(1)。

(2π/λ)．n(λ)．|d-d₀|<π (1)

(其中λ表示為了反射減少之一目的之光之一波長，n(λ)表示該波長係λ時之該中間層之一折射率，d₀表示該中間層在一中心點處之一厚度，且d表示該中間層在任何點處之一厚度(該中間層在以該中心點為中心之一預定範圍內之任何點處之一厚度))

該層壓本體或該層壓本體中之該結構層適合地應用於一光學元件、一光學系統、一成像裝置、一成像元件封裝、一成像模組、一光學裝置、一電子裝置及類似物。例如，一鏡頭、一濾波器、一半透射鏡、一光控制元件、稜鏡、一偏光元件、一顯示前板及類似物係該光學元件之例示；然而，該光學元件並不限於此。例如，一數位相機、一數位視訊相機及類似物係該成像裝置之例示；然而，該成像裝置並不限於此。例如，一望遠鏡、一顯微鏡、一曝光裝置、一量測裝置、一檢測裝置、一分析裝置及類似物係該光學裝置之例示；然而，該光學裝置並不限於此。一個人電腦、一行動電話、一平板電腦、一顯示裝置及類似物係該電子裝置之例示；然而，該電子裝置並不限於此。

如上文所描述，可抑制根據本發明之一透明層壓本體中之干涉條紋之發生。

11‧‧‧透明層壓本體

11a‧‧‧透明層壓本體/光透射單元

11R‧‧‧區段

11s‧‧‧表面

12‧‧‧基板

12a‧‧‧防護玻璃罩/蓋罩本體

12s₁‧‧‧前表面/第一表面

12s₂‧‧‧後表面/第二表面

13‧‧‧結構層

13a‧‧‧結構層

14‧‧‧結構本體

15‧‧‧中間層/光學層

16‧‧‧光學元件

17‧‧‧光學元件

18‧‧‧黏著層

21‧‧‧主盤

22‧‧‧結構本體

23‧‧‧光阻層

23a‧‧‧曝光部分/曝光圖案

23b‧‧‧開口

24‧‧‧轉印材料

25‧‧‧能量射線源

100‧‧‧成像裝置

101‧‧‧外殼

102‧‧‧鏡頭鏡筒

103‧‧‧成像光學系統

111‧‧‧鏡頭

112‧‧‧光量調整器件

113‧‧‧半透射鏡

114‧‧‧成像元件封裝

114a‧‧‧元件封裝

115‧‧‧自動對焦感測器

116‧‧‧濾波器

121‧‧‧封裝

122‧‧‧成像元件

123‧‧‧光學低通濾波器

124‧‧‧紅外光(IR)截止濾波器

131‧‧‧相機模組/成像模組

132‧‧‧鏡頭

133‧‧‧紅外光(IR)截止鏡頭

134‧‧‧成像元件

135‧‧‧外殼

136‧‧‧電路基板

201‧‧‧成像裝置

202‧‧‧元件封裝

203‧‧‧低通濾波器

204‧‧‧濾波器

204a‧‧‧紅外光(IR)截止濾波器

204b‧‧‧紅外光(IR)截止塗覆層

205‧‧‧馬達

206‧‧‧光闌葉片

207‧‧‧電光控制元件

301‧‧‧膝上型電腦

302‧‧‧電腦主體

303‧‧‧顯示器

311‧‧‧外殼

312‧‧‧鍵盤

313‧‧‧觸摸墊

321‧‧‧外殼

322‧‧‧顯示元件

331‧‧‧行動電話

332‧‧‧外殼

333‧‧‧觸摸面板

341‧‧‧平板電腦

342‧‧‧外殼

343‧‧‧觸摸面板

d‧‧‧厚度

d₀‧‧‧厚度

D_bottom‧‧‧底部直徑

D_top‧‧‧頂部直徑

H‧‧‧高度

L‧‧‧光

L1‧‧‧第一鏡頭群組

L2‧‧‧第二鏡頭群組

L3‧‧‧第三鏡頭群組

L4‧‧‧第四鏡頭群組

P‧‧‧間距

p‧‧‧任何點

p₀‧‧‧中心點

圖1A係繪示根據本發明之一第一實施例之一透明層壓本體之一組態之一實例的一平面圖；圖1B係繪示圖1A中所展示之透明層壓本體之一表面之一部分的一放大平面圖；圖1C係沿著圖1B之線IC-IC獲取之一橫截面圖；圖2A係繪示在一基板之一表面方向上厚度改變之一中間層之一實例的一橫截面圖；圖2B繪示反射比相對於中間層之一厚度之一變化；圖3A至圖3D係用於描述製造根據本發明之第一實施例之一透明層壓本體之一方法之一實例的程序圖；圖4A至圖4C係用於描述製造根據本發明之第一實施例之一透明層壓本體之方法之一實例的程序圖；圖5A係繪示根據本發明之第一實施例之修改實例1之一透明層壓本體之一組態之一實例的一橫截面圖；圖5B係繪示根據本發明之第一實施例之修改實例2之一透明層壓本體之組態之一實例的一橫截面圖；圖6係繪示根據本發明之第一實施例之修改實例3之一透明層壓本體之組態之一實例的一橫截面圖；圖7A係繪示根據本發明之第一實施例之修改實例4之一透明層壓本體之一外觀之一實例的一橫截面圖；圖7B係繪示根據本發明之第一實施例之修改實例4之透明層壓本體之一組態之一實例的一橫截面圖；圖8A係繪示根據本發明之一第二實施例之一成像元件封裝之一組態之一實例的一橫截面圖；圖8B係繪示根據本發明之第二實施例之一修改實例之一成像元 件封裝之一組態之一實例的一橫截面圖；圖9係繪示根據本發明之一第三實施例之一相機模組之一組態之一實例的一橫截面圖；圖10係繪示根據本發明之一第四實施例之一成像裝置之一組態之一實例的一示意圖；圖11係繪示根據本發明之一第五實施例之一成像裝置之一組態之一實例的一示意圖；圖12係繪示根據本發明之一第六實施例之一第一電子裝置之一外觀之一實例的一透視圖；圖13A係繪示根據本發明之第六實施例之一第二電子裝置之一前表面側處之一外觀之一實例的一透視圖；圖13B係繪示根據本發明之第六實施例之第二電子裝置之一後表面側處之一外觀之一實例的一透視圖；圖14A係繪示根據本發明之一第七實施例之一第三電子裝置之一前表面側處之一外觀之一實例的一透視圖；圖14B係繪示根據本發明之第七實施例之第三電子裝置之一後表面側處之一外觀之一實例的一透視圖；圖15A繪示根據參考實例1之一透明層壓本體之一反射頻譜；及圖15B繪示根據參考實例2之一透明層壓本體之一反射頻譜。

本發明之發明者已執行一敏銳檢查以便闡明發生上文所提及之干涉條紋之一原因。因此，本發明之發明者已闡明發生干涉條紋之一原因。即，在將一樹脂施加至一基板(諸如一玻璃、一膜或類似物)且執行壓印之一方法中，由一壓印樹脂製成之一中間層形成於複數個結構本體與該基板之間。再者，在上文所提及之壓印方法中，該基板及該壓印樹脂之材料一般彼此不同，藉此引起兩個材料之折射率之間之 一差值。因此，菲涅耳(Fresnel)反射發生於該基板與該中間層之間之一界面處。當此一菲涅耳反射發生且該中間層之一厚度變動時，干涉條紋可發生於一模製表面上。

因此，本發明之發明者已對抑制干涉條紋之發生之一技術重複地執行一敏銳檢查。因此，本發明之發明者已找到一種製造滿足以下關係式(1)之中間層之方法。

(2π/λ)．n(λ)．|d-d₀|<π (1)

(其中λ表示為了反射減少之目的之光之一波長，n(λ)表示波長係λ時之中間層之一折射率，d₀表示中間層在一中心點處之一厚度，且d表示中間層在任何點處之一厚度)

將依以下順序描述本發明之實施例。

1.第一實施例(包含複數個凸狀結構本體之一透明層壓本體之一實例)

1.1 A一透明層壓本體之一組態

1.2 A製造一透明層壓本體之一方法

1.3 效應

1.4 修改實例

2.第二實施例(其中將透明層壓本體應用於一成像元件封裝之一實例)

3.第三實施例(其中將透明層壓本體或一結構層應用於一相機模組之一實例)

4.第四實施例(其中將透明層壓本體或結構層應用於一數位相機之一實例)

5.第五實施例(其中將透明層壓本體或結構層應用於一數位視訊相機之一實例)

6.第六實施例(其中將透明層壓本體或結構層應用於一電子裝置 之一實例)

1.第一實施例

1.1 一透明層壓本體之組態

在下文中，將參考圖1A至圖1C來描述一透明層壓本體11之一組態之一實例。透明層壓本體11包含具有一抗反射功能之一表面11s。一細微不均勻性設置於表面11s上。透明層壓本體11包含：一基板12，其具有一表面；及一結構層13，其設置於基板12之一表面上。基板12及結構層13由不同材料組態，且經組態以具有不同折射率。因此，菲涅耳反射發生於基板12與結構層13之間之一界面處。此處，在基板12之一表面中彼此正交之兩個方向分別稱作一X軸方向(第一方向)及一Y軸方向(第二方向)，且垂直於該表面(XY平面)之一方向稱作一Z方向(第三方向)。

透明層壓本體11之一大小實質上相同於一施加物件之一表面(施加表面)之大小。例如，窗材料(諸如一影像感測器防護玻璃罩及類似物)、濾波器(諸如一相機ND濾波器及類似物)、鏡頭(諸如一相機鏡頭及類似物)、光學元件(諸如一半透射鏡、一光控制元件、一稜鏡、一偏光元件、一顯示前板及類似物)係該施加物件之例示；然而，該施加物件並不限於此。

在下文中，將循序地描述包含於透明層壓本體11中之基板12及結構層13。

基板

基板12具有透明性。基板12之一材料可為具有透明性之一材料，且可為一有機材料及一無機材料之任何一者。例如，石英、藍寶石、玻璃及類似物係一無機基板之一材料之例示。可使用(例如)一常見高聚合物材料來作為一有機材料。明確言之，例如，三醋酸纖維素(TAC)、聚酯(TPEE)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯 (PEN)、聚醯亞胺(PI)、聚醯胺(PA)、芳族聚醯胺、聚乙烯(PE)、聚丙烯酸酯、聚醚碸、聚碸、聚丙烯(PP)、二乙醯纖維素、聚氯乙烯、丙烯酸樹脂(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、環氧樹脂、尿素樹脂、聚氨酯樹脂、三聚氰胺樹脂、環烯聚合物(COP)、環烯烴共聚物及類似物係一常見高聚合物材料之例示。

當使用有機材料來作為基板12之一材料時，可提供一底塗層來用於表面處理以便改良基板12之一表面之一表面能量、塗覆性質、滑動特性、平坦性及類似性質。例如，烷氧金屬化合物、聚酯、丙烯酸改性聚酯、聚胺基甲酸酯及類似物係該底塗層之一材料之例示。此外，為獲得相同於提供該底塗層之效應，可對基板12之該表面執行表面處理，諸如電暈放電、UV輻照處理及類似處理。

例如，一膜形狀、一板形狀及一塊形狀可為基板12之一形狀之例示；然而，基板12之形狀並不限於此等形狀。此處，膜形狀經定義以包含一薄片形狀。基板12之一厚度係(例如)約25μm至約500μm。當基板12係一塑膠膜時，可藉由拉伸上文所提及之樹脂之一方法，在用一溶劑稀釋樹脂之後將樹脂沈積成一膜形狀且使樹脂乾燥之一方法，及類似方法來獲得基板12。基板12可為一部件、一裝置及類似物之一組態元件，其係透明層壓本體11之一施加物件。

基板12之表面並不限於具有一平坦表面，而是可具有一不均勻表面、一多邊形表面、一曲面或此等形狀之一組合。例如，一部分球形表面、一部分橢圓體表面、一部分抛物面表面、一自由曲面及類似物係一曲面之例示。此處，部分球形表面、部分橢圓體表面及部分抛物面表面分別意指一球形表面、一橢圓體表面及一抛物面表面之一部分。

圖1A繪示其中從一Z軸方向觀看之基板12之表面之一形狀係一矩形形狀之一實例；然而，基板12之表面形狀並不限於一矩形形狀，而 是可根據透明層壓本體11施加至其之一部件、一裝置或類似物之一表面形狀來進行選擇。

結構層

結構層13係具有一抗反射功能之一抗反射層。結構層13包含：複數個結構本體14；及一中間層(光學層)15，其設置於複數個結構本體14之一下部分與基板12之表面之間。

結構本體

結構本體14係一所謂之次波長結構本體。結構本體14具有相對於基板12之一表面之一凸狀形狀。複數個結構本體14安置於為了反射減少之一目的之光之一波長頻寬或更小之一間距P處。此處，為了反射減少之一目的之光之波長頻寬係(例如)紫外光之一波長頻寬、可見光之一波長頻寬或紅外光之一波長頻寬。紫外光之波長頻寬係指10nm或更大且小於350nm之一波長頻寬，可見光之波長頻寬係指350nm至850nm之一波長頻寬，且紅外光之波長頻寬係指大於850nm至1mm之一波長頻寬。

例如，複數個結構本體14經配置以便在基板12之一表面上形成複數個列。該等列可呈一直線形狀或呈一曲線形狀。基板12之一表面上之一些區域中之複數個列可呈一直線形狀，且其他區域中之複數個列可呈一曲線形狀。週期性或非週期性蜿蜒之一曲線係一曲線之例示。諸如正弦波、三角波及類似物之波形可為此一曲線之例示；然而，曲線並不限於此。

基板12之一表面上之複數個結構本體14之一安置可為一規則安置及一不規則安置之任何一者。作為規則安置，諸如一四方晶格、一準四方晶格、一六方晶格、一準六方晶格及類似物之一晶格狀安置係較佳的。圖1B繪示其中複數個結構本體14安置成一六方晶格形狀之一實例。此處，一正方晶格係指一規則正方形狀之一晶格。不同於一 規則正方形狀之晶格，一準正方晶格係指一變形規則正方形狀之一晶格。六方晶格係指一規則六方形狀之一晶格。不同於一規則六方形狀之晶格，一準六方晶格係指一變形規則六方形狀之一晶格。

例如，一圓錐形形狀、一柱形狀、一針形狀、一半球形形狀、一半橢圓形形狀、一多邊形形狀及類似物係結構本體14之一特定形狀之例示。然而，結構本體之特定形狀並不限於此等形狀，而是可採用其他形狀。例如，其頂部為一點之一圓錐形形狀、其頂部平坦之一圓錐形形狀及其頂部處具有一凸狀曲面或一凹狀曲面之一圓錐形形狀係一圓錐形形狀之例示；然而，圓錐形形狀並不限於此等形狀。二次曲面形狀(諸如一抛物面形狀)及類似物係一頂部處具有一凸狀曲面之一圓錐形形狀之例示。此外，圓錐形形狀之一圓錐形表面可彎曲成一凹狀形狀或一凸狀形狀。

設置於基板12之表面上之複數個結構本體14可全部具有相同大小、形狀及高度，且複數個結構本體14可包含具有不同大小、形狀或高度之結構本體。此外，複數個結構本體14可包含使下部分彼此連接之重疊結構本體。

中間層

一中間層15係在一結構本體14之一下部分側處與結構本體14一體地模製且由相同於結構本體14之材料組態之一層。如圖2A中所展示，中間層15之一厚度可在基板12之表面之一表面方向上改變。藉由容許此一變化，無需在一轉印程序中使中間層15之一厚度完全均勻，使得結構層13之模製變容易。如圖2B中所展示，透明層壓本體11之一表面11s之一反射比隨著中間層15之一厚度d增加而週期性變動。明確言之，透明層壓本體11之一表面11s之反射比相對於中間層15之一厚度之一變化由一正弦波表示。此處，從基板12之表面至相鄰結構本體14之間之一谷部分之一最深位置之一距離定義為中間層15之一厚度。

中間層15滿足以下關係式(1)，且藉此可防止干涉條紋發生於透明層壓本體11之表面11s上。即，可防止光及陰影在基板12之表面之表面方向上重複改變。

(2π/λ)．n(λ)．|d-d₀|<π (1)

(其中λ表示為了反射減少之一目的之光之一波長，n(λ)表示波長係λ時之中間層15之一折射率，d₀表示中間層15在一中心點p₀處之一厚度，且d表示中間層15在任何點p處之一厚度)

較佳地，中間層15滿足以下關係式(2)。此係因為可進一步抑制基板12之表面中之光及陰影之發生。

(2π/λ)．n(λ)．|d-d₀|<π/2 (2)

中間層15之一厚度較佳地在10nm至50μm，更佳地30nm至25μm，更佳地50nm至10μm之一範圍內。若該厚度超過50μm，則在藉由使一樹脂固化來形成中間層15時，存在因該樹脂之一固化收縮而在中間層15與基板12之間之一界面處發生不佳黏著之一可能性。再者，亦存在透射比減小之一擔憂。另一方面，若該厚度小於10nm，則當將應力施加至結構本體14時，應力無法逸出至結構本體14下方之中間層15，且歸因於一破損結構本體14及類似物，存在透明層壓本體11之機械性質減弱之一擔憂。

光學性質

較佳地，結構層13自身相對於為了反射減少之一目的之光之一最大反射比係0.21%或更小。據此，可抑制一頻譜反射頻譜之漣波且實現具有一極佳抗反射效應之透明層壓本體11。較佳地，透明層壓本體11相對於為了反射減少之一目的之光之一最大反射比係1.00%或更小。此處，結構層13自身及透明層壓本體11之任何一者之一最大反射比亦意指具有一抗反射功能之表面11s側處之一最大反射比。

基板12之一折射率n₀與結構層13之一折射率n₁之間之一折射率差 值Δn(=|n₁-n₀|)較佳地在0.3或更小，更佳地0.2或更小，更佳地0.1或更小之一範圍內。當折射率差值Δn係0.3或更小時，獲得一良好抗反射性質。

1.2 A製造一透明層壓本體之一方法

接下來，將參考圖3A至圖4C來描述製造根據本發明之一第一實施例之透明層壓本體11之一方法之一實例。在下文中，將藉由光微影來製造一主圓盤之一案例描述為一實例。然而，製造一主盤(模件)之方法並不限於此，而是可為陽極氧化、其中融合一光碟之一主製程及一蝕刻程序(例如，參考日本未審查專利申請公開案第2010-156844號)之一方法、及類似方法。再者，一複製主盤可藉由執行電形成法來由主圓盤製成。

光阻劑沈積程序

首先，如圖3A中所展示，製備一圓盤形狀之一主盤21及類似物。接下來，如圖3B中所展示，一光阻層23形成於主盤21之一表面上。例如，有機光阻劑及無機光阻劑之任何一者可用作為光阻層23之一材料。可使用(例如)酚醛基光阻劑或化學放大光阻劑來作為有機光阻劑。此外，可使用(例如)一種或多種類型之一金屬化合物來作為無機光阻劑。

曝光程序

接下來，如圖3C中所展示，複數個曝光部分(曝光圖案)23a形成於主盤21之表面上所形成之光阻層23上。複數個曝光部分23a形成於為了透明層壓本體11中之反射減少之一目的之光之一波長頻寬或更小之間隔處。經組態以具有複數個曝光部分23a之曝光圖案可為一規則圖案及一不規則圖案之任何一者。作為規則圖案，諸如一正方晶格、一準正方晶格、一六方晶格、一準六方晶格及類似物之一晶格形狀之圖案係較佳的。

顯影程序

接下來，藉由(例如)將一顯影溶液滴於光阻層23上且使主盤21旋轉來使光阻層23顯影。因此，如圖3D中所展示，複數個開口23b形成於光阻層23上。當由一正性光阻劑形成光阻層23時，曝光部分具有比一非曝光部分大之一顯影溶液之一溶解速率，使得如圖3D中所展示，對應於曝光部分(潛影)23a之一開口23b之一圖案形成於光阻層23上。

蝕刻程序

接下來，使用形成於主盤21上作為一遮罩之光阻層23之一圖案(光阻圖案)來蝕刻主盤21之一表面。據此，如圖4A中所展示，複數個凹狀結構本體22形成於主盤21之表面上。蝕刻可為乾式蝕刻及濕式蝕刻之任何一者。在本程序中，可交替地執行一蝕刻程序及一灰化程序。據此，可將各結構本體22之一形狀製造成一圓錐形形狀。

因此，獲得所要主盤21。

可使用由(例如)一玻璃、矽、鎳或類似物組態之一模件(硬模件)來作為主盤21。藉由熱壓印、UV壓印或類似物，使用此一硬模件，藉由將一形狀轉印至一類型之一樹脂材料、一膜或類似物來製造一複製品，且該複製品可用作為一模件(軟模件)。此等模件之平坦性、厚度準確性及類似性質較佳地經調整使得可形成滿足上文所提及之關係式(1)之中間層15。

轉印程序

接下來，藉由一奈米壓印方法來執行至一樹脂材料之形狀轉印。例如，使用包含作為一下板之一金屬板且包含作為一上板之一金屬板(在熱固化壓印方法之案例中)或一石英玻璃板之一壓製器件來作為用於壓印之一壓製器件。在具有此一組態之該壓製器件中，一板之平面內準確性、平行度及平面內壓力分佈較佳地經調整使得中間層15 滿足上文所提及之關係式(1)。

明確言之，如圖4B中所展示，在使施加至基板12上之主盤21及一轉印材料24彼此緊密接觸之後，藉由用來自一能量射線源25之能量射線(諸如紫外線)輻照轉印材料24來使轉印材料24固化，且剝離與固化轉印材料24整合之基板12。替代地，在使施加至基板12上之主盤21及轉印材料24彼此緊密接觸之後，藉由使用一熱源(諸如一加熱器及類似物)加熱轉印材料24來使轉印材料24固化，且剝離與固化轉印材料24整合之基板12。據此，如圖4C中所展示，結構層13形成於基板12之一表面上。接下來，透明層壓本體11可根據需要切割成一所要大小。

能量射線源25可為能夠發射能量射線(諸如電子射線、紫外線、紅外線、雷射線、可見光線、離子化輻射(X射線、α射線、β射線、γ射線及類似物)、一微波、高頻射線或類似物)之一源；然而，能量射線源並不特別限於此。

作為轉印材料24，可較佳地使用一能量射線可固化樹脂組合物或一熱固性樹脂，且可使用此等之組合。作為一能量射線可固化樹脂組合物，可較佳地使用一紫外線可固化樹脂組合物，且例如，可使用丙烯酸樹脂材料、環氧基樹脂材料及類似物。作為熱固性樹脂，可使用無機材料，諸如玻璃及類似物。轉印材料24可根鬚需要包含一填充劑、一功能添加劑或類似物。

一紫外線可固化樹脂組合物包含(例如)丙烯酸酯及起始劑。該紫外線可固化樹脂組合物包含一單功能單體、一雙功能單體、一多功能單體及類似物。明確言之，該紫外線可固化樹脂組合物由下文所展示之僅一單一材料或兩個或兩個以上材料之一混合物製成。

例如，羧酸(丙烯酸)、羥基酸(丙烯酸2-羥乙酯、丙烯酸-2-羥丙酯、丙烯酸-4-羥丁酯)、烷基、脂環酸(丙烯酸異丁酯、丙烯酸第三丁 酯、丙烯酸異辛酯、丙烯酸月桂酯、丙烯酸硬脂醯酯、丙烯酸異冰片酯、丙烯酸環己酯)、其他功能單體(丙烯酸2-甲氧乙酯、丙烯酸甲氧乙二醇酯、丙烯酸2-乙氧乙酯、丙烯酸四氫糠酯、丙烯酸芐酯、二乙二醇單***丙烯酸酯、苯氧基乙基丙烯酸酯、丙烯酸N,N二甲胺基乙基酯、丙烯酸N,N-二甲基胺丙醯胺、N,N-二甲基丙烯醯胺、丙烯醯嗎啉、N-異丙基丙烯醯胺、N,N-二乙基丙烯醯胺、N-乙烯基吡咯酮、2-(全氟辛基)丙烯酸乙酯、3-全氟己基-2-丙烯酸羥丙酯、3-全氟辛基-2-丙烯酸羥丙酯、2-(全氟癸基)丙烯酸乙酯、2-(全氟-3-甲基丁基)丙烯酸乙酯)、2,4,6-三溴苯酚丙烯酸酯、2,4,6-三溴苯酚甲基丙烯酸脂、2-(2,4,6-三溴-苯氧基)丙烯酸乙酯)、丙烯酸2-乙基己酯及類似物可為單功能單體之例示。

例如，三(丙二醇)二丙烯酸酯、三羥甲丙烷二烯丙醚、丙烯酸胺基甲酸酯及類似物可為雙功能單體之例示。

例如，三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、二季戊四醇五及六丙烯酸酯、二聚三羥甲基丙烷四丙烯酸酯及類似物可為多功能單體之例示。

例如，2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮、1-羥基環己基酯-苯基甲酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮及類似物可為起始劑之例示。

例如，可使用無機微粒及有機微粒之任何一者來作為填充劑。例如，金屬氧化物微粒(諸如SiO₂、TiO₂、ZrO₂、SnO₂、Al₂O₃及類似物)可為無機微粒之例示。

例如，一均染劑、一表面調節劑、反式及類似物可為功能添加劑之例示。模製基板12之一方法並無特別限制，且基板12可為注射模製本體、一擠壓模製本體及一澆鑄模製本體。可根據需要對基板表面執行諸如電暈處理及類似處理之表面處理。

如上文所描述，可獲得所關注之透明層壓本體11。

1.3 效應

在根據一第一實施例之透明層壓本體11中，中間層15滿足上文所提及之關係式(1)，使得可抑制干涉條紋之發生。因此，當將透明層壓本體11施加至一顯示器件或一相機時，可實現具有極佳可見性之一顯示器或不具有由雜散光引起之非預期反射之一相機。

當結構層13自身相對於為了反射減少之一目的之光之一最大反射比係0.2%或更小時，抑制一頻譜反射頻譜中之漣波。因此，抑制干涉條紋之發生，且可實現具有一極佳抗反射效應之透明層壓本體11。

1.4 修改實例

修改實例1

如圖5A中所展示，結構本體14可具有一實質上平面頂部。該頂部之一平面實質上平行於(例如)基板12之表面。較佳地，結構本體14之一底部處之一直徑D_bottom及結構本體14之一間距P滿足1.2>D_bottom/P>1之一關係，且結構本體14之一頂部之一直徑D_top及結構本體14之該底部之直徑D_bottom滿足0<D_top/D_bottom 1/10之一關係，且藉此可獲得極佳抗反射性質。例如，結構層13自身相對於為了反射減少之一目的之光之一最大反射比可設定為0.2%或更小。此處，1.2>D_bottom/P>1意味著：相鄰結構本體14之下部分彼此重疊。然而，當滿足1.2>D_bottom/P且一重疊變大時，結構本體之一高度在外觀上趨向於降低且抗反射性質趨向於降級。

當結構本體14具有一尖頂部或一平面頂部時，結構本體14之一底部之一直徑D_bottom及結構本體14之一間距P較佳地滿足1.2>D_bottom/P>1之一關係，且結構本體14之一頂部之一直徑D_top及結構本體14之該底部之直徑D_bottom較佳地滿足0D_top/D_bottom 1/10之一關係。例如，一凸狀曲面、一針形狀及類似物係一尖頂形狀之例示；然而，尖頂形狀並不限於此。

修改實例2

如圖5B中所展示，可藉由在光學元件17之一表面上提供透明層壓本體11來組態具有一抗反射功能之一光學元件16。在此案例中，透明層壓本體11及光學元件17藉由一黏著層18來彼此接合。可使用選自由(例如)丙烯酸黏著劑、聚矽氧基黏著劑、胺基甲酸酯黏著劑及類似物組成之一群組之一種或多種類型來作為組態黏著層18之一黏著劑。在本發明中，壓敏黏著定義為一類型之黏著。根據此定義，一壓敏黏著層被視作一類型之黏著層。

修改實例3

在第一實施例中，將其中結構本體14具有相對於基板12之表面之一凸狀形狀之一案例描述為一實例(參考圖2A及圖2B)，但結構本體14可具有相對於基板12之表面之一凹狀形狀，如圖6中所展示。在此案例中，從基板12之表面至其中凹狀結構本體14具有一最深深度之一位置之一距離定義為中間層15之一厚度。

修改實例4

在第一實施例中，將其中透明層壓本體11之一大小實質上相同於施加物件之一表面(施加表面)之一大小之一案例描述為一實例；然而，透明層壓本體11可大於施加物件之表面。例如，透明層壓本體11可為一原始膜。在此案例中，將透明層壓本體11切割成待使用之一施加物件(諸如一影像感測器防護玻璃罩、一ND濾波器或類似物)之一表面大小。

圖7A中展示其中從待使用之一條帶形狀之透明層壓本體11切割具有實質上相同於施加物件之表面之一大小之任何區段11R的一實例。透明層壓本體11之中間層15之一厚度可在基板12之表面之一表面方向上改變，如圖7B中所展示。

如上文所描述，當切割待使用之區段11R之一部分時，中間層15 滿足以下關係式(2)。藉由滿足關係式(2)，當將一切割區段11R施加至施加物件之表面時，可防止干涉條紋發生於施加物件之一施加表面上。

(2π/λ)．n(λ)．|D-D₀|<π (2)

(其中λ表示為了反射減少之一目的之光之一波長，n(λ)表示波長係λ時之中間層15之一折射率，D₀表示中間層15在區段11R之一中心點P₀處之一厚度，且D表示中間層15在區段11R之任何點P處之一厚度)

2.第二實施例

如圖8A中所展示，根據本發明之一第二實施例之一成像元件封裝(下文中稱作「元件封裝」)114包含：一封裝121；一成像元件122，其容納於封裝121中；一透明層壓本體(光透射單元)11a，其經固定以覆蓋封裝121之一開窗。

一透明層壓本體11a包含：一防護玻璃罩(蓋罩本體)12a，其係一基板；及一結構層13a，其設置於防護玻璃罩12a之一表面上。結構層13a相同於第一實施例或第一實施例之修改實例中之結構層13。防護玻璃罩12a具有來自一主體之光入射於其上之一前表面(第一表面)12s₁及從前表面入射之光從其發射之一後表面(第二表面)12s₂。結構層13a設置於前表面12s₁及後表面12s₂之一側處，且較佳地在前表面12s₁及後表面12s₂之兩側上提供結構層以改良一抗反射性質及一透射性質。在圖8A中，一實例繪示：結構層13a僅設置於前表面12s₁處。

例如，一電荷耦合器件(CCD)影像感測器元件、一互補金屬氧化物半導體(COMS)影像感測器元件或類似物用作為成像元件122。

在根據第二實施例之元件封裝114中，結構層13a設置於防護玻璃罩12a之表面上，使得可在不會引起干涉條紋發生之情況下將一抗反射性質給予防護玻璃罩12a之表面。

修改實例

如圖8B中所展示，透明層壓本體11a可進一步包含防護玻璃罩12a與結構層13a之間之一光學低通濾波器123及一紅外光截止濾波器(下文中稱作「IR截止濾波器」)124。圖8B中展示其中光學低通濾波器123設置於防護玻璃罩12a之表面上且IR截止濾波器124設置於光學低通濾波器123之表面上的一實例；然而，層壓之一順序並不限於該實例。

3.第三實施例

如圖9中所展示，根據本發明之一第三實施例之一相機模組(成像模組)131包含一鏡頭132、一IR截止鏡頭133、一成像元件134、一外殼135及一電路基板136。相機模組131適合應用於諸如一個人電腦、一平板電腦、一行動電話及類似物之電子裝置。

成像元件134安裝於電路基板136之一表面上之一預定位置處。一外殼135固定至電路基板136之一表面以容納成像元件134。鏡頭132及IR截止鏡頭133容納於外殼135中。鏡頭132及IR截止鏡頭133依從一主體朝向成像元件134之順序設置於預定間隔處。來自該主體之光由鏡頭132聚集，且透過IR截止鏡頭133來於成像元件134之一成像表面上形成影像。根據第一實施例或第一實施例之修改實例之透明層壓本體11或結構層13包含於鏡頭132及IR截止鏡頭133之一表面上。此處，一表面意指來自一主體之光入射於其上之前表面及從前表面入射之光從其發射之後表面之至少一者。

4.第四實施例

在一第四實施例中，將描述其中將根據上文所提及之第一實施例之透明層壓本體11或該透明層壓本體之結構層13施加至一成像裝置之一實例。

圖10係繪示根據本發明之一第四實施例之一成像裝置之一組態之一實例的一示意圖。如圖10中所展示，根據第四實施例之一成像裝 置100係一所謂之數位相機(數位靜態相機)，且包含：一外殼101；一鏡頭鏡筒102；及一成像光學系統103，其設置於外殼101及鏡頭鏡筒102中。外殼101及鏡頭鏡筒102可經組態以可彼此拆卸。

成像光學系統103包含一鏡頭111、一光量調整器件112、一半透射鏡113、一元件封裝114a、一自動對焦感測器115。依從鏡頭鏡筒102之一末端朝向元件封裝114a之順序提供鏡頭111、光量調整器件112及半透射鏡113。將一抗反射功能給予選自由鏡頭111、光量調整器件112、半透射鏡113及元件封裝114a組成之一群組之至少一類型。自動對焦感測器115設置於其中可接收由半透射鏡113反射之光L之一位置處。成像裝置100可根據需要進一步包含一濾波器116。當成像裝置100包含濾波器116時，可將抗反射功能給予濾波器116。在下文中，將循序地描述各組態元件及抗反射功能。

鏡頭

鏡頭111使來自一主體之光L朝向元件封裝114a聚集。

光量調整器件

光量調整器件112係一光圈器件，其圍繞成像光學系統103之一光軸來調整一光圈之一開口之一大小。光量調整器件112包含(例如)一對光圈葉片及用於減少透射光量之一ND濾波器。可使用(例如)藉由一個致動器來驅動該對光圈葉片及該ND濾波器之一方法及藉由各自獨立兩個致動器來驅動該對光圈葉片及該ND濾波器之一方法來作為光量調整器件112之一驅動方法；然而，驅動方法並不特別限於此等方法。可使用具有一單一透射比或集中度之一濾波器或其中透射比或集中度呈一梯度形狀改變之一濾波器來作為該ND濾波器。再者，該ND濾波器之數目並不限於一個，且可使用經層壓之複數個ND濾波器。

半透射鏡

半透射鏡113係容許入射光之一部分透射穿過且反射其餘部分之 一鏡。明確言之，當使由鏡頭111聚集之光L之一部分朝向自動對焦感測器115反射時，半透射鏡113容許光L之其餘部分朝向元件封裝114a透射穿過。例如，一薄片形狀及一板形狀可為半透射鏡113之一形狀之例示；然而，半透射鏡113之形狀並不特別限於此等形狀。此處，一膜經定義以包含於一薄片中。

元件封裝

一元件封裝114a接收透射穿過半透射鏡113之光，將所接收之光轉換為一電信號，且將該信號輸出至一信號處理電路(圖中未繪示)。

自動對焦感測器

自動對焦感測器115接收由半透射鏡113反射之光，將所接收之光轉換為一電信號，且將該信號輸出至一控制電路(圖中未繪示)。

濾波器

濾波器116設置於鏡頭鏡筒102之末端處或提供成像光學系統103中。圖10中展示其中濾波器116包含於鏡頭鏡筒102之末端中之一實例。當採用此組態時，濾波器116可經組態以可從鏡頭鏡筒102之末端拆卸。

一般設置於鏡頭鏡筒102之末端處或設置於成像光學系統103中之一濾波器用作為濾波器116；然而，濾波器並不特別限於此。例如，一偏光(PL)濾波器、一銳截止(SC)濾波器、用於色彩強調及效應之一濾波器、一調光(ND)濾波器、一色溫轉換(LB)濾波器、一色彩校正(CC)濾波器、一白平衡獲取濾波器、一鏡頭保護濾波器及類似物係例示。

抗反射功能

在成像裝置100中，來自一主體之光從鏡頭鏡筒102之末端透射穿過複數個光學元件(即，鏡頭111、光量調整器件112、半透射鏡113及元件封裝114a之一防護玻璃罩)，直至到達元件封裝114a中之一成 像元件。在下文中，來自一主體之光L透射穿過其直至到達一成像元件之光學元件(其包含於一成像裝置100中)稱作「透射型光學元件」。當成像裝置100進一步包含濾波器116時，濾波器116亦被視作透射型光學元件之一類型。

根據上文所提及之第一實施例之透明層壓本體11或該透明層壓本體之結構層13設置於複數個此等透射型光學元件中之至少一透射型光學元件之一表面上。替代地，可提供根據上文所提及之第一實施例之修改實例之透明層壓本體11或該透明層壓本體之結構層13。此處，透射型光學元件之表面意指來自一主體之光L入射於其上之一入射表面或來自該入射表面之入射光從其發射之一發射表面。明確言之，例如，可使用根據上文所提及之第二實施例或第二實施例之修改實例之元件封裝114來作為元件封裝114a。

5.第五實施例

在上文所提及之第四實施例中，將本發明應用於作為一成像裝置之一數位相機(數位靜態相機)之一案例描述為一實例；然而，本發明之應用實例並不限於此。在本發明之一第五實施例中，將描述其中將本發明應用於一數位視訊相機之一實例。

圖11係繪示根據本發明之一第五實施例之一成像裝置之一組態之一實例的一示意圖。如圖11中所展示，根據第五實施例之一成像裝置201係一所謂之數位視訊相機，且包含一第一鏡頭群組L1、一第二鏡頭群組L2、一第三鏡頭群組L3、一第四鏡頭群組L4、一元件封裝202、一低通濾波器203、一濾波器204、一馬達205、一光闌葉片206及一電光控制元件207。在成像裝置201中，一成像光學系統經組態以具有第一鏡頭群組L1、第二鏡頭群組L2、第三鏡頭群組L3、第四鏡頭群組L4、元件封裝202、低通濾波器203、濾波器204、光闌葉片206及電光控制元件207。一光學調整器件由光闌葉片206及電光控制元件207 組態。在下文中，將循序地描述各組態元件及抗反射功能。

鏡頭群組

第一鏡頭群組L1及第三鏡頭群組L3用於一定焦鏡頭。第二鏡頭群組L2用於一變焦鏡頭。第四鏡頭群組用於一聚焦鏡頭。

元件封裝

元件封裝202將入射光轉換為一電信號，且將該信號供應至一信號處理單元(圖中未繪示)。

低通濾波器

低通濾波器203設置於(例如)元件封裝202之一前表面(即，防護玻璃罩之一光入射表面)上。低通濾波器203意欲抑制發生於對接近於一像素間距之一條狀影像及類似物攝影時之一假信號(波紋)，且由一人造晶體組態。

例如，濾波器204意欲截止入射至元件封裝202上之光之一紅外線範圍且抑制一近紅外線範圍(630nm至700nm)內之一頻譜浮動且使一可見範圍頻帶(400nm至700nm)內之一光強度均勻。濾波器204經組態以具有(例如)紅外光截止濾波器(下文中稱作IR截止濾波器)204a及藉由將IR截止塗層層壓於IR截止濾波器204a上來形成之一IR截止塗覆層204b。此處，例如，IR截止塗覆層204b形成於IR截止濾波器204a之一主體側之一表面及IR截止濾波器204a之元件封裝202側之一表面之至少一者上。在圖11中，作為一實例，IR截止塗覆層204b形成於IR截止濾波器204a之一主體側之表面上。

馬達205基於從一控制單元(圖中未繪示)供應之一控制信號來移動第四鏡頭群組L4。光闌葉片206意欲調整入射至元件封裝202上之光量，且由一馬達(圖中未繪示)驅動。

電光控制元件207意欲調整入射至元件封裝202上之光量。電光控制元件207係由至少包含基於染料之顏料之一液晶製成之一電光控 制元件及由二向色GH液晶製成之一電光控制元件。

抗反射功能

在成像裝置201中，來自一主體之光透射穿過複數個光學元件(第一鏡頭群組L1、第二鏡頭群組L2、電光控制元件207、第三鏡頭群組L3、第四鏡頭群組L4、濾波器204及具有低通濾波器203之防護玻璃罩)，直至到達元件封裝202中之一成像元件。在下文中，來自一主體之光透射穿過其直至到達一成像元件之一光學元件稱作「透射型光學元件」。根據上文所提及之第一實施例之透明層壓本體11或該透明層壓本體之結構層13設置於複數個此等透射型光學元件中之至少一透射型光學元件之一表面上。替代地，可提供根據上文所提及之第一實施例之修改實例之透明層壓本體11或該透明層壓本體之結構層13。明確言之，例如，可使用根據上文所提及之第二實施例或第二實施例之修改實例之元件封裝114來作為元件封裝202。

6.第六實施例

根據一第六實施例之一電子裝置包含根據第三實施例之一相機模組131。在下文中，將描述根據本發明之一第七實施例之一電子裝置之一實例。

參考圖12，將描述其中電子裝置係一膝上型電腦301之一實例。膝上型電腦301包含一電腦主體302及一顯示器303。電腦主體302包含一外殼311及容納於外殼311中之一鍵盤312及一觸摸墊313。

顯示器303包含一外殼321及容納於外殼321中之一顯示元件322及一相機模組131。根據第一實施例之透明層壓本體11或該透明層壓本體之結構層13可包含於顯示元件322之一顯示表面中。替代地，可包含根據上文所提及之第一實施例之修改實例之透明層壓本體11或該透明層壓本體之結構層13。

當一前表面板設置於顯示器303之一前表面上時，根據第一實施 例之透明層壓本體11或該透明層壓本體之結構層13可設置於該前表面板之一表面上。替代地，可包含根據第一實施例之修改實例之透明層壓本體11或該透明層壓本體之結構層13。此處，表面意指外部光入射於其上之一前表面及從該前表面入射之外部光從其發射之一後表面之至少一者。

參考圖13A及圖13B，將描述其中電子裝置係一行動電話331之一實例。行動電話331係一所謂之智慧型電話，且包含一外殼332及容納於外殼332中之具有一觸摸面板333之一顯示元件及相機模組131。具有一觸摸面板333之該顯示元件設置於行動電話331之一前表面側上，且相機模組131設置於行動電話331之一後表面側上。此處，根據第一實施例之透明層壓本體11或該透明層壓本體之結構層13可包含於具有一觸摸面板333之該顯示元件之一輸入操作表面上。替代地，可包含根據第一實施例之修改實例之透明層壓本體11或該透明層壓本體之結構層13。

參考圖14A及圖14B，將描述其中電子裝置係一平板電腦之一實例。平板電腦341包含一外殼342、容納於外殼342中之具有一觸摸面板343之一顯示元件及相機模組131。具有一觸摸面板343之該顯示元件設置於平板電腦341之一前表面側上，且相機模組131設置於平板電腦341之一後表面側上。此處，根據第一實施例之透明層壓本體11或該透明層壓本體之結構層13可包含於具有一觸摸面板343之該顯示元件之一輸入操作表面上。替代地，可包含根據第一實施例之修改實例之透明層壓本體11或該透明層壓本體之結構層13。

實例

在下文中，將藉由實例來詳細描述本發明；然而，本發明並不僅限於此等實例。

一底部之直徑D_bottom、一頂部之直徑D_top、高度H及間距P

在本實例中，一結構本體之一底部之一直徑D_bottom、一頂部之一直徑D_top、高度H及間距P量測如下。首先，一透明層壓本體經切割以便包含一結構本體之一頂部，且使用一透射型電子顯微鏡(TEM)來對透明層壓本體之一橫截面攝影。接下來，從一所攝影之TEM圖片判定一結構本體之一底部之一直徑D_bottom、一頂部之一直徑D_top、高度H及間距P。

一中間層在一中心點處之一厚度d₀

在本實例中，依以下方式量測一中間層在透明層壓本體之一表面上之一中心點處之一厚度d₀。首先，一透明層壓本體經切割以便包含表面上之一中心點及結構本體之一頂部，且使用TEM來對橫截面攝影。接下來，從所攝影之TEM圖片判定一中間層在透明層壓本體之表面上之一實質上中心點處之一厚度d₀。此處，從一玻璃基板之表面至相鄰結構本體之間之一谷部分之一最深位置之一距離定義為中間層之一厚度。

一中間層之最大位移厚度d_Δmax

在本實例中，基於一中間層在透明層壓本體之表面上之一中心點處之厚度d₀來判定一中間層在其中厚度d之變化量變為最大之一位置處之一厚度d(即，一中間層之一最大位移厚度d_Δmax)。首先，透明層壓本體經切割以便包含表面上之一中心點及結構本體之一頂部，且使用TEM來對透明層壓本體之一橫截面攝影。接下來，從所攝影之TEM圖片判定一中間層之一厚度d。此處，從一玻璃基板之表面至相鄰結構本體之間之一谷部分之一最深位置之一距離定義為中間層之一厚度。接下來，透明層壓本體經切割以便在正交於切割方向之一方向上包含表面上之一中心點及結構本體之一頂部，且依相同於上文所描述之方式判定中間層之一厚度d。接下來，從如上文所描述般判定之兩個方向上之中間層之厚度d，基於一中心點處之一厚度d₀來判定一 中間層在其中厚度d之變化量變為最大之一位置處之一厚度d，且厚度d變為中間層之一最大位移厚度d_Δmax。

折射率n₀

在實例中，使用一阿貝(Abbe)折射率計來量測一玻璃基板之一折射率n₀。一量測波長係589nm。

折射率n₁

一UV固化樹脂之一折射率(即，一中間層之一折射率)n₁量測如下。首先，用Hg燈之2000mJ/cm²之UV光來輻照用於一UV奈米壓印轉印中之一UV固化樹脂以使其固化，且藉此製造用於量測之一樣本。接下來，藉由使用阿貝折射率計來量測所製造之樣本之一折射率，該折射率設定為該UV固化樹脂之一折射率n₁。一量測波長係589nm。

實例1

首先，一8英寸矽晶圓旋轉塗覆有光阻劑。接下來，在一步進器(縮小投影型曝光裝置)中形成一六方晶格形狀之一曝光圖案。接下來，在使一光阻層顯影且在一矽晶圓上形成複數個光阻圖案之後，藉由在一遮罩中使用光阻圖案執行一蝕刻程序來形成複數個抗反射結構本體。其後，光阻圖案經移除以在一表面上製造具有複數個抗反射結構本體(次波長結構本體)之一模件。曝光條件及蝕刻條件經調整使得具有一底部之一直徑D_bottom：255nm、一頂部之一直徑D_top：10nm、一高度H：300nm及一間距P：250nm之複數個結構本體在待下文中描述之一UV奈米壓印轉印中被模製。

接下來，在對依上文所提及之方式獲得之模件之一表面執行氟處理之後，藉由使用模件之UV奈米壓印轉印來依以下方式製造一透明層壓本體。首先，在製備具有一折射率n₀：1.64之一玻璃基板且使該玻璃基板旋轉塗覆有具有一折射率n₁：1.48之丙烯酸UV固化樹脂之 後，使一模件之一模製表面緊貼一塗覆UV固化樹脂。接著，在用Hg燈之2000mJ/cm²之UV光輻照該樹脂以使其固化之後，從該玻璃基板剝離該模件。據此，獲得具有配置成一六方晶格形狀之複數個結構本體與該玻璃基板之間之一中間層(折射率：1.48)之一透明層壓本體。藉由一模件之一壓製條件調整來將該中間層在一中心點處之一厚度d₀設定為520nm且將一最大位移厚度d_Δmax設定為553nm。

實例2

藉由曝光條件及蝕刻條件之一調整來將藉由UV奈米壓印轉印來獲得之複數個結構本體之底部之直徑D_bottom設定為200nm。再者，藉由一模件之一壓製條件調整，中間層在一中心點處之一厚度d₀係510nm，一最大位移厚度d_Δmax係490nm。除此之外，依相同於實例1之方式獲得一透明層壓本體。

實例3

藉由曝光條件及蝕刻條件之一調整，藉由UV奈米壓印轉印來獲得之複數個結構本體之頂部之直徑D_top係25nm。此外，藉由一模件之壓製條件調整，中間層在一中心點處之一厚度d₀係505nm，且最大位移厚度d_Δmax係490nm。除此之外，依相同於實例1之方式獲得一透明層壓本體。

實例4

藉由曝光條件及蝕刻條件之一調整，藉由UV奈米壓印轉印來獲得之複數個結構本體之頂部之直徑D_top係30nm。此外，藉由一模件之一壓製條件調整，一中間層在一中心點處之一厚度d₀係500nm，且一最大位移厚度d_Δmax係528nm。除此之外，依相同於實例1之方式獲得一透明層壓本體。

實例5

使用具有折射率n₀：1.76之一玻璃基板來代替具有折射率n₀： 1.64之一玻璃基板。此外，藉由一模件之一壓製條件調整，中間層在一中心點處之一厚度d₀係530nm，且一最大位移厚度d_Δmax係506nm。除此之外，依相同於實例1之方式獲得一透明層壓本體。

實例6

使用具有折射率n₀：1.80之一玻璃基板來代替具有折射率n₀：1.64之玻璃基板。此外，藉由一模件之一壓製條件調整，中間層在一中心點處之厚度d₀係540nm，且最大位移厚度d_Δmax係520nm。除此之外，依相同於實例1之方式獲得一透明層壓本體。

實例7

使用具有折射率n₀：1.60之丙烯酸UV固化樹脂來代替具有折射率n₀：1.48之丙烯酸UV固化樹脂。此外，藉由一模件之一壓製條件調整，中間層在一中心點處之厚度d₀係550nm，且最大位移厚度d_Δmax係520nm。除此之外，依相同於實例5之方式獲得一透明層壓本體。

比較實例1

藉由一模件之一壓製條件調整，一中間層在一中心點處之厚度d₀係490nm，且最大位移厚度d_Δmax係120nm。除此之外，依相同於實例1之方式獲得一透明層壓本體。

比較實例2

藉由一模件之一壓製條件調整，一中間層在一中心點處之厚度d₀係510nm，且最大位移厚度d_Δmax係1200nm。除此之外，依相同於實例1之方式獲得一透明層壓本體。

評估

對如上文所描述般獲得之透明層壓本體進行以下評估。

透明層壓本體之最大反射比Ra

首先，黑膠帶接合於透明層壓本體之一後表面上。接下來，從一表面(其係與黑膠帶接合至其之一側相對之一側)入射光，且藉由使 用Nippon Bunko公司之一評估器件(V-550)來量測一光學膜之反射頻譜(波長頻寬：350nm至850nm)。接下來，從此反射頻譜判定具有350nm至850nm之一波長頻寬之一最大反射比。

一結構層自身之最大反射比Rb

如下文所描述，藉由製造一結構層自身之一樣本，依一偽方式評估透明層壓本體之結構層自身之一最大反射比。首先，製備用於各實例及比較實例中之具有折射率n：1.48及1.73之丙烯酸UV固化樹脂。接下來，在將此等樹脂滴於用於各實例及比較實例中之一模件之一模製表面上，壓製此等樹脂且使此等樹脂固化之後，從固化樹脂剝離一模件。因此，獲得結構層自身之一樣本。接下來，依相同於上文所提及之「透明層壓本體之最大反射比」之評估之方式，量測反射比頻譜且從反射比頻譜獲得具有350nm至850nm之一波長頻寬之最大反射比。

關係式

藉由替換以下關係式中之各實例及比較實例中之中間層之一厚度d₀及一最大位移厚度d_Δmax來獲得一數值。一波長λ之一值設定為波長頻寬350nm至850nm中之一最小波長350nm。此外，一折射率n設定為一波長589nm處之中間層之一折射率或一折射率n₁。

(2π/λ)．n．|d_Δmax-d₀|

干涉條紋

首先，一黑色壓克力板接合至透明層壓本體之一後表面。接下來，在一暗室中使用3波長螢光燈，容許光依與一表面(其係與該黑色壓克力板接合至其之側相對之一側)成30度之一入射角入射，且藉此視覺上觀察到規則反射干涉條紋且藉由以下參考來對其進行評估。

O：觀察到干涉條紋。

X：未觀察到干涉條紋。

漣波

首先，依相同於上文所提及之「透明層壓本體之最大反射比」之評估之方式量測反射比頻譜。接下來，藉由以下參考來從反射比頻譜量測漣波。

O：最大反射比1%

X：最大反射比>1%

表1及表2展示實例1至實例7及比較實例1及比較實例2之透明層壓本體之一組態及評估結果。

可從表1及表2瞭解以下內容。

在實例1至實例7中，中間層滿足(2π/λ)．n．|d_Δmax-d₀|<π之一關係，且藉此抑制干涉條紋之發生。另一方面，在比較實例1及2中，中間層並不滿足(2π/λ)．n．|d_Δmax-d₀|<π之一關係，且藉此發生干涉條紋。

在實例1、實例3、實例5及實例7中，一形狀單層之一最大反射比Rb係0.21%或更小，玻璃基板之一折射率n₀與結構層之一折射率n₁之間之一折射率差值Δn係0.3或更小，使得漣波受抑制且透明層壓本體之一最大反射比Ra可為1.0%或更小。另一方面，在實例2及實例4中，折射率差值Δn係0.3或更小。然而，因為結構層自身之最大反射比Rb超過0.2%，所以漣波較大且透明層壓本體之最大反射比Ra超過1.0。再者，在實例6中，透明層壓本體之最大反射比Rb係0.2%或更小。然而，因為折射率差值Δn超過0.3，所以漣波較大且透明層壓本體之最大反射比Ra超過1.0。

在實例1、實例3、實例5及實例7中，因為結構本體之一底部之一直徑D_bottom及結構本體之一間距P滿足D_bottom/P>1之一關係(即，相鄰結構本體彼此重疊)且結構本體之一頂部之一直徑D_top及結構本體之一底部之一直徑D_bottom滿足D_top/D_bottom 1/10之一關係，所以結構層自身之一最大反射比Rb可為0.2%或更小。另一方面，在實例2中，因為結構本體之一間距P及結構本體之一底部之一直徑D_bottom未能滿足1.2>D_bottom/P>1之一關係，所以結構層自身之一最大反射比Rb超過0.2%。此外，在實例4中，因為結構本體之一頂部之一直徑D_top未能滿足結構本體之一底部之直徑D_bottom之1/10或更小之一關係，所以結構層自身之最大反射比Rb超過0.2%。

據此，中間層滿足以下關係式(1)，且藉此可抑制干涉條紋之發生。

(2π/λ)．n(λ)．|d-d₀|<π (1)

(其中λ表示為了反射減少之一目的之光之一波長，n(λ)表示波長係λ時之中間層之一折射率，d₀表示中間層在一中心點處之一厚度，d表示中間層在任何點處之一厚度)

此外，為抑制漣波，形狀單層之一最大反射比Rb較佳地為0.21%或更小，且玻璃基板之一折射率n₀與結構層之一折射率n₁之間之折射率差值Δn較佳地為0.3或更小。

此外，為將形狀單層之一最大反射比Rb設定為0.21%或更小，結構本體之一底部之一直徑D_bottom及結構本體之一間距P較佳地滿足1.2>D_bottom/P>1之一關係，且結構本體之一頂部之一直徑D_top及結構本體之一底部之直徑D_bottom滿足D_top/D_bottom 1/10之一關係。

參考實例1

藉由模擬來判定以下組態之透明層壓本體之一頻譜。圖15A中展示結果。

基板之折射率n₀：1.64

結構層之折射率n₁：1.49

結構層自身之反射比：0.5%

結構層與基板之間之菲涅耳反射比：0.23%

參考實例2

藉由模擬來判定以下組態之透明層壓本體之一頻譜。圖15B中展示結果。

基板之折射率n₀：1.64

結構層之折射率n₁：1.49

結構層自身之反射比：0.1%

結構層與基板之間之菲涅耳反射比：0.23%

可從圖15A及圖15B瞭解以下內容。

在參考實例1中，因為結構層自身之一反射比超過0.2%，所以漣 波較大且透明層壓本體之一最大反射比超過1.0。

另一方面，在參考實例2中，因為結構層自身之一反射比係0.2%或更小，所以抑制漣波且透明層壓本體之一最大反射比係1.0或更小。

如上文所描述，已詳細描述本發明之實施例。然而，本發明並不限於上文所提及之實施例且可進行基於本發明之技術概念之各種修改。

例如，上文所提及之實施例中所例示之一組態、一方法、一程序、一形狀、一材料及一數目及類似物僅為例證，且可根據需要使用一不同組態、方法、程序、形狀、材料、數目及類似物。

再者，可在不脫離本發明之精神之情況下使上文所提及之實施例之一組態、一方法、一程序、一形狀、一材料、一數目及類似物彼此組合。

此外，本發明可採用以下組態。

(1)一種層壓本體，其包含：一基板；及一結構層，其設置於該基板上且具有一抗反射功能，其中該結構層包含複數個結構本體及設置於該複數個結構本體與該基板之間之一中間層，且其中該中間層滿足以下關係式(1)。

(2π/λ)．n(λ)．|d-d₀|<π (1)

(其中λ表示為了反射減少之一目的之光之一波長，n(λ)表示該波長係λ時之上文所描述之該中間層之一折射率，d₀表示該中間層在一中心點處之一厚度，且d表示該中間層在任何點處之一厚度)

(2)如(1)之層壓本體，其中該結構層自身相對於為了反射減少之一目的之光之反射比之一最大值係0.21%或更小，該基板及該結構層之該層壓本體相對於為了反射減少之一目的之該光之反射比之一最大值係1.00%或更小。

(3)如(1)或(2)之層壓本體，其中該結構本體之一底面之一直徑D_bottom及該結構本體之一間距P滿足1.2>D_bottom/P>1之一關係，且該結構本體之一頂部部分之一直徑D_top及該結構本體之一底面之該直徑D_bottom滿足D_top/D_bottom 1/10之一關係。

(4)如(1)至(3)中任一項之層壓本體，其中該光之一波長範圍係350nm至850nm。

(5)如(1)至(4)中任一項之層壓本體，其中該中間層之一厚度在基板表面之一表面方向上改變。

(6)如(1)至(5)中任一項之層壓本體，其中該基板之一折射率n₀與該結構層之一折射率n₁之間之一折射率差值Δn(=|n₁-n₀|)係0.3或更小。

(7)如(1)至(6)中任一項之層壓本體，其中該複數個結構本體及該中間層由相同材料組態。

(8)如(1)至(7)中任一項之層壓本體，其中該結構本體具有相對於該中間層之一表面之一凹狀或凸狀形狀。

(9)一種成像裝置，其包含如(1)至(8)中任一項之層壓本體。

(10)一種電子裝置，其包含如(1)至(8)中任一項之層壓本體。

(11)一種層壓本體，其包含：一基板；及一結構層，其設置於該基板上且具有一抗反射功能，其中該結構層包含複數個結構本體及設置於該複數個結構本體與該基板之間之一中間層，且其中該中間層在任何區段中滿足以下關係式(2)。

(2π/λ)．n(λ)．|D-D₀|<π (2)

(其中λ表示為了反射減少之一目的之光之一波長，n(λ)表示該波長係λ時之該中間層之一折射率，D₀表示該中間層在該區段之一中心點處之一厚度，且D表示該中間層在該區段之任何點處之一厚度)

(12)一種成像元件封裝，其包含：一成像元件；及一封裝，其 包含一光透射單元且容納該成像元件，其中該光透射單元包含一基板及設置於該基板上且具有一抗反射功能之一結構層，其中該結構層包含複數個結構本體及設置於該複數個結構本體與該基板之間之一中間層，且其中該中間層滿足以下關係式(1)。

(2π/λ)．n(λ)．|d-d₀|<π (1)

(其中λ表示為了反射減少之一目的之光之一波長，n(λ)表示該波長係λ時之該中間層之一折射率，d₀表示該中間層在一中心點處之一厚度，且d表示該中間層在任何點處之一厚度(該中間層在以該中心點為中心之一預定範圍內之任何點處之一厚度))

熟習此項技術者應瞭解，可根據設計要求及其他因數來進行各種修改、組合、子組合及改動，只要其等落於隨附技術方案或其等效物之範疇內。

Claims (9)

1. 一種層壓本體，其包括：一基板；及一結構層，其設置於該基板上且具有一抗反射功能，其中該結構層包含複數個結構本體，及一中間層，其設置於該複數個結構本體與該基板之間，及其中該中間層滿足以下關係式(1)(2π/λ)．n(λ)．|d-d₀|<π (1)其中λ表示為了反射減少之一目的之光之一波長，n(λ)表示該波長係λ時之該中間層之一折射率，d₀表示該中間層在一中心點處之一厚度，且d表示該中間層在任何點處之一厚度，其中該中間層定義為於該基板之一表面與該複數個結構本體之相鄰者之間之一谷部分之一最深位置之間，且其中於該基板之該表面與該谷部分之該最深位置之間之該中間層之厚度在該基板之一表面方向上改變。
2. 如請求項1之層壓本體，其中該結構層自身相對於為了反射減少之一目的之光之反射比之一最大值係0.21%或更小，及該基板及該結構層之該層壓本體相對於為了反射減少之一目的之該光之反射比之一最大值係1.00%或更小。
3. 如請求項1之層壓本體，其中該結構本體之一底面之一直徑D_bottom及該結構本體之一間距P滿足1.2>D_bottom/P>1之一關係，及該結構本體之一頂部部分之一直徑D_top及該結構本體之一底面之該直徑D_bottom滿足D_top/D_bottom 1/10之一關係。
4. 如請求項1之層壓本體，其中該光之一波長範圍係350nm至850 nm。
5. 如請求項1之層壓本體，其中該基板之一折射率n₀與該結構層之一折射率n₁之間之一折射率差值Δn(=|n₁-n₀|)係0.3或更小。
6. 如請求項1之層壓本體，其中該複數個結構本體及該中間層由相同材料組態。
7. 如請求項1之層壓本體，其中該結構本體具有相對於該中間層之一表面之一凹狀或凸狀形狀。
8. 一種層壓本體，其包括：一基板；及一結構層，其設置於該基板上且具有一抗反射功能，其中該結構層包含複數個結構本體，及一中間層，其設置於該複數個結構本體與該基板之間，及其中該中間層在任何區段中滿足以下關係式(2)(2π/λ)．n(λ)．|D-D₀|<π (2)其中λ表示為了反射減少之一目的之光之一波長，n(λ)表示該波長係λ時之該中間層之一折射率，D₀表示該中間層在該區段之一中心點處之一厚度，且D表示該中間層在該區段之任何點處之一厚度，其中該中間層定義為於該基板之一表面與該複數個結構本體之相鄰者之間之一谷部分之一最深位置之間，且其中於該基板之該表面與該谷部分之該最深位置之間之該中間層之厚度在該基板之一表面方向上改變。
9. 一種成像元件封裝，其包括：一成像元件；及一封裝，其包含一光透射單元且容納該成像元件，其中該光透射單元包含 一基板，及一結構層，其設置於該基板上且具有一抗反射功能，其中該結構層包含複數個結構本體，及一中間層，其設置於該複數個結構本體與該基板之間，及其中該中間層滿足以下關係式(1)(2π/λ)．n(λ)．|d-d₀|<π (1)其中λ表示為了反射減少之一目的之光之一波長，n(λ)表示該波長係λ時之該中間層之一折射率，d₀表示該中間層在一中心點處之一厚度，且d表示該中間層在以該中心點為中心之一預定範圍內之任何點處之一厚度，其中該中間層定義為於該基板之一表面與該複數個結構本體之相鄰者之間之一谷部分之一最深位置之間，且其中於該基板之該表面與該谷部分之該最深位置之間之該中間層之厚度在該基板之一表面方向上改變。