TWI618220B - 靜電放電保護電路 - Google Patents

Abstract

一種靜電放電保護電路，包括一偵測器、一反相器、一控制元件以及一電流釋放元件。偵測器耦接於一第一輸入輸出墊與一第二輸入輸出墊之間，並偵測第一及第二輸入輸出墊的電壓位準，用以產生一偵測信號。反相器根據偵測信號產生一控制信號。控制元件耦接於第一輸入輸出墊與一第一節點之間。電流釋放元件耦接於第一節點與第二輸入輸出墊之間。當偵測信號等於一特定位準時，控制元件與電流釋放元件提供一放電路徑，用以將一靜電放電電流從第一輸入輸出墊釋放至第二輸入輸出墊。當偵測信號不等於特定位準時，控制元件與電流釋放元件不提供放電路徑。

Description

靜電放電保護電路

本發明係有關於一種靜電放電(ElectroStatic Discharge；ESD)保護電路，特別是有關於一種具有低漏流的靜電放電保護電路。

積體電路的ESD事件，指的是具有高電壓的靜電電荷，透過積體電路晶片的釋放過程。雖然如此的靜電電荷量通常不多，但是，因為高電壓的原因，其釋放的瞬間能量也相當的可觀，如果沒有善加處理，往往會造成積體電路的燒毀。

本發明提供一種靜電放電保護電路，包括一偵測器、一反相器、一控制元件以及一電流釋放元件。偵測器耦接於一第一輸入輸出墊與一第二輸入輸出墊之間，並偵測第一及第二輸入輸出墊的電壓位準，用以產生一偵測信號。反相器根據偵測信號產生一控制信號。控制元件耦接於第一輸入輸出墊與一第一節點之間。電流釋放元件耦接於第一節點與第二輸入輸出墊之間。當偵測信號等於一特定位準時，控制元件與電流釋放元件提供一放電路徑，用以將一靜電放電電流從第一輸入輸出墊釋放至第二輸入輸出墊。當偵測信號不等於特定位準時，控制元件與電流釋放元件不提供放電路徑。

本發明提供另一種靜電放電保護電路，包括一偵 測器、一控制元件以及一電流釋放元件。偵測器耦接於一第一輸入輸出墊與一第二輸入輸出墊之間，並偵測第一及第二輸入輸出墊的電壓位準，用以產生一偵測信號。控制元件耦接於第一輸入輸出墊與一第一節點之間。電流釋放元件耦接於第一節點與第二輸入輸出墊之間。當偵測信號等於一特定位準時，控制元件與電流釋放元件提供一放電路徑，用以將一靜電放電電流從第一輸入輸出墊釋放至第二輸入輸出墊。當偵測信號不等於特定位準時，控制元件與電流釋放元件不提供放電路徑。

為讓本發明之特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉出較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：

100、200A~200M‧‧‧靜電放電保護電路

110、120、210A~210M、220A~220M‧‧‧輸入輸出墊

130、230A~230M‧‧‧偵測器

140、240A~240F、240H~240M‧‧‧反相器

150、250A~250M‧‧‧控制元件

160、260A~260M‧‧‧電流釋放元件

270C、270D、270H、270I、270K~270M‧‧‧電壓調節器

280D、280I、280L、280M‧‧‧阻抗元件

D1E、D1J、D1M‧‧‧二極體

ND₁、ND₂‧‧‧節點

S_D‧‧‧偵測信號

S_C‧‧‧控制信號

S_ON1、S_ON2‧‧‧導通信號

RA、RB、RC、R1D、R2D、RE、RF、RG、RH、R1I、R2I、RJ、RK、RL、RM‧‧‧電阻

CA、CB、CC、CD、CE、CF、CG、CF、CH、CI、CJ、 CK、CL、CM‧‧‧電容

P1A、P2A、P2B、P1C、P2C、P1D、P2D、P1E、P2E、P1F、P2F、P1H、P2H、P1I、P2I、P1J、P2J、P1K、P1L、P1M‧‧‧P型電晶體

N1A、N2A、N1B~N3B、N1C~N3C、N1D~N3D、N1E、N2E、N1F、N2F、N1G、N2G、N1H~N3H、N1I~N3I、N1J、N2J、N1K~N3K、N1L~N3L、N1M~N3M‧‧‧N型電晶體

第1圖為本發明之靜電放電保護電路的方塊示意圖。

第2A~2E圖為本發明之靜電放電保護電路的可能實施例。

第3A~3D圖為本發明之靜電放電保護電路的可能實施例。

第4A~4E圖為本發明之靜電放電保護電路的可能實施例。

第1圖為本發明之靜電放電保護電路的方塊示意圖。如圖所示，靜電放電保護電路100包括輸入輸出墊110、120、一偵測器130、一反相器140、一控制元件150以及一電流釋放元件160。偵測器130耦接於輸入輸出墊110與120之間，並偵測輸入輸出墊110與120的電壓位準，用以產生一偵測信號S_D。本發明並不限定偵測器130的內部電路架構。在本實施例中，偵 測器130根據輸入輸出墊110與120的電壓位準，判斷一靜電放電事件是否發生在輸入輸出墊110或120。當靜電放電事件發生在輸入輸出墊110，並且輸入輸出墊120耦接至地時，偵測器130令偵測信號S_D等於一特定位準(一高位準或一低位準)。當靜電放電事件未發生時，偵測信號S_D不等於該特定位準。

反相器140根據偵測信號S_D產生一控制信號S_C。在本實施例中，偵測信號S_D的位準相對於控制信號S_C的位準。舉例而言，當偵測信號S_D為高位準時，控制信號S_C為低位準。當偵測信號S_D為低位準時，控制信號S_C為高位準。如圖所示，反相器140耦接輸入輸出墊110與120，用以根據輸入輸出墊110與120所接收到的電壓而動作。

控制元件150耦接於輸入輸出墊110與節點ND₁之間。本發明並不限定控制元件150的電路架構。在本實施例中，控制元件150係為一開關，由導通信號S_ON1所控制。當靜電放電事件發生時，控制元件150導通。當靜電放電事件未發生時，控制元件150不導通。在一可能實施例中，偵測信號S_D或是控制信號S_C可作為導通信號S_ON1。

電流釋放元件160耦接於節點ND₁與輸入輸出墊120之間。在本實施例中，電流釋放元件160係為一開關，由導通信號S_ON2所控制。當靜電放電事件發生時，電流釋放元件160導通。當靜電放電事件未發生時，電流釋放元件160不導通。在一可能實施例中，偵測信號S_D或是控制信號S_C可作為導通信號S_ON2。在其它實施例中，導通信號S_ON2可能相同或不同於導通信號S_ON1。

在本實施例中，當靜電放電事件發生時，偵測信號S_D等於一特定位準。此時，控制元件150與電流釋放元件160導通，用以提供一放電路徑。靜電放電電流從輸入輸出墊110開始，經過控制元件150與電流釋放元件160，流入輸入輸出墊120。然而，當靜電放電事件未發生時，偵測信號S_D不等於特定位準。因此，控制元件150與電流釋放元件160不導通，用以停止提供放電路徑。在此例中，由於控制元件150串聯電流釋放元件160，故可降低節點ND₁的電壓位準，因而減少流經電流釋放元件160的漏電流。

第2A圖為本發明之靜電放電保護電路的一可能實施例。在本實施例中，靜電放電保護電路200A的偵測器230A包括一電阻RA以及一電容CA。電阻RA耦接於輸入輸出墊210A與節點ND₂之間。電容CA耦接於節點ND₂與輸入輸出墊220A之間。節點ND₂的位準作為偵測信號S_D。當靜電放電事件發生在輸入輸出墊210A並且輸入輸出墊220A耦接至地時，偵測信號S_D為一第一位準，如低位準。相反地，當靜電放電事件未發生在輸入輸出墊210A及220A時，偵測信號S_D為一第二位準，如高位準。

如圖所示，反相器240A包括一P型電晶體P1A以及一N型電晶體N1A。P型電晶體P1A的閘極耦接節點ND₂，用以接收偵測信號S_D。P型電晶體P1A的輸入端(如源極)耦接輸入輸出墊210A。P型電晶體P1A的輸出端(如汲極)耦接N型電晶體N1A的輸入端(如汲極)，並提供控制信號S_C。P型電晶體P1A的基極(bulk)耦接輸入輸出墊210A。N型電晶體N1A的閘極耦接節 點ND₂，用以接收偵測信號S_D。N型電晶體N1A的輸出端(如源極)耦接輸入輸出墊220A。N型電晶體N1A基極耦接輸入輸出墊220A。

在本實施例中，控制元件250A係為一P型電晶體P2A。P型電晶體P2A之閘極接收偵測信號S_D，其輸入端(如源極)與基極耦接輸入輸出墊210A，其輸出端(如汲極)耦接節點ND₁。當靜電放電事件發生在輸入輸出墊210A並且輸入輸出墊220A耦接至地時，偵測信號S_D為低位準。因此，P型電晶體P2A導通。相反地，當靜電放電事件未發生在輸入輸出墊210A及220A時，偵測信號S_D為高位準。因此，P型電晶體P2A不導通。

電流釋放元件260A係為一N型電晶體N2A，並由控制信號S_C所控制。N型電晶體N2A之閘極接收控制信號S_C，其輸入端(如汲極)耦接節點ND₁，其輸出端(如源極)與基極耦接輸入輸出墊220A。當靜電放電事件發生在輸入輸出墊210A並且輸入輸出墊220A耦接至地時，偵測信號S_D為低位準。此時，控制信號S_C為高位準。因此，N型電晶體N2A被導通。由於P型電晶體P2A與N型電晶體N2A均被導通，靜電放電電流便可由輸入輸出墊210A、經過P型電晶體P2A與N型電晶體N2A流入輸入輸出墊220A，並釋放至地。

然而，當靜電放電事件未發生在輸入輸出墊210A及220A時，偵測信號S_D為高位準，控制信號S_C為低位準。因此P型電晶體P2A與N型電晶體N2A均不導通，故停止提供放電路徑。此時，靜電放電保護電路200A操作在一正常模式(即無靜電放電事件)。在正常模式下，輸入輸出墊210A可能接收一第 一操作電壓，如3.3V，並且輸入輸出墊220A接收一第二操作電壓，如0V。由於P型電晶體P2A的關閉電流(off current)較低，並且藉由P型電晶體P2A串聯N型電晶體N2A，使得節點ND₁的電壓較低(小於輸入輸出墊210A所接收到的第一操作電壓)。因此，N型電晶體N2A的汲極與源極之間的跨壓較小，因而，降低流經N型電晶體N2A的漏電流(leakage current)。

第2B圖為本發明之靜電放電保護電路的另一實施例。第2B圖的靜電放電保護電路200B相似第2A圖的靜電放電保護電路200A，不同之處在於，第2B圖的控制元件250B係為一N型電晶體N3B。由於第2B圖的偵測器230B、反相器240B以及電流釋放元件260B的動作原理與第2A圖的偵測器230A、反相器240A以及電流釋放元件260A的動作原理相似，故不再贅述。

在本實施例中，N型電晶體N3B係由控制信號S_C所控制。因此，N型電晶體N3B與N2B一起被導通或一起不被導通。如圖所示，N型電晶體N3B之閘極接收控制信號S_C，其輸入端(如汲極)耦接輸入輸出墊210B，其輸出端(如源極)耦接節點ND₁，其基極耦接輸入輸出墊220B。當靜電放電事件發生在輸入輸出墊210B並且輸入輸出墊220B耦接至地時，偵測信號S_D為低位準，控制信號S_C為高位準。因此，導通N型電晶體N3B以及N2B。此時，靜電放電電流從輸入輸出墊210B開始，經過N型電晶體N3B以及N2B流入輸入輸出墊220B，並釋放至地。相反地，當靜電放電事件未發生時，靜電放電保護電路200B操作於正常模式。由於控制信號S_C為低位準，因此，N型電晶 體N3B以及N2B不導通。由於N型電晶體N3B串聯N型電晶體N2B，故可降低N型電晶體N2B的汲-源極之間的壓差。因此，在正常模式下，減少流經N型電晶體N2B的漏電流。

第2C圖為本發明之靜電放電保護電路的另一實施例。第2C圖的靜電放電保護電路200C相似第2A圖的靜電放電保護電路200A，不同之處在於，第2C圖的靜電放電保護電路200C多了一電壓調節器270C。由於第2C圖的偵測器230C、反相器240C、控制元件250C以及電流釋放元件260C的動作原理與第2A圖的偵測器230A、反相器240A、控制元件250A以及電流釋放元件260A的動作原理相似，故不再贅述。

在本實施例中，電壓調節器270C耦接節點ND₁，並根據偵測信號S_D控制節點ND₁的電壓。本發明並不限定電壓調節器270C的電路架構。只要能夠控制節點ND₁的電壓位準的電路，均可作為電壓調節點270C。在一可能實施例中，電壓調節器270C係為一開關。當偵測信號S_D等於特定位準時，表示發生靜電放電事件。因此，電壓調節器270C不導通，以避免靜電放電電流燒毀電壓調節器270C。當偵測信號S_D不等於特定位準時，表示未發生靜電放電事件。因此，電壓調節器270C導通，用以控制節點ND₁的電壓位準。

在本實施例中，電壓調節器270C係為一N型電晶體N3C。N型電晶體N3C的閘極接收偵測信號S_D，其輸入端(如汲極)耦接節點ND₁，其輸出端(如源極)與基極耦接輸入輸出墊220C。在其它實施例中，電壓調節器270C亦可應用在第2B圖的靜電放電保護電路200B中。在此例中，電壓調節器270C可能 並聯電流釋放元件260B。當控制元件250B與電流釋放元件260B提供一放電路徑時，電壓調節器270C不調整節點ND₁的位準。當控制元件250B與電流釋放元件260B停止提供放電路徑時，電壓調節器270C調整節點ND₁的位準。

第2D圖為本發明之靜電放電保護電路的另一實施例。第2D圖的靜電放電保護電路200D相似第2C圖的靜電放電保護電路200C，不同之處在於，靜電放電保護電路200D多了一阻抗單元280D。由於第2D圖的偵測器230D、反相器240D、控制元件250D、電流釋放元件260D以及電壓調節器270D的動作原理與第2C圖的偵測器230C、反相器240C、控制元件250D、電流釋放元件260C以及電壓調節器270C的動作原理相似，故不再贅述。

在本實施例中，阻抗元件280D耦接於控制元件250D與電壓調節器270D之間，用以保護電壓調節器270D，避免過大的電流通過電壓調節器270D。本發明並不限定阻抗元件280D的電路架構。任何能夠限制電流大小的電路均可作為電壓調節器270D。在本實施例中，阻抗元件280D係為一電阻R2D。

在其它實施例中，電壓調節器270D與阻抗元件280D可應用在第2B圖所示的靜電放電保護電路200B中。舉例而言，阻抗元件280D與電壓調節器270D串聯於節點ND₁與輸入輸出墊220B之間。

第2E圖為本發明之靜電放電保護電路的另一可能實施例。第2E圖的靜電放電保護電路200E相似第2A圖的靜電放電保護電路200A，不同之處在於第2E圖的靜電放電保護電路 200E更包括一二極體D1E。由於第2E圖的偵測器230E、反相器240E、控制元件250E以及電流釋放元件260E的動作原理與第2A圖的偵測器230A、反相器240A、控制元件250A以及電流釋放元件260A的動作原理相似，故不再贅述。

在本實施例中，二極體D1E的陰極(cathode)耦接輸入輸出墊210E，其陽極(anode)耦接輸入輸出墊220E。當一靜電放電事件發生在輸入輸出墊210E並且輸入輸出墊220E耦接至地時，二極體D1E導通，用以提供另一放電路徑，將輸入輸出墊210E的一靜電放電電流釋放至輸入輸出墊220E。在其它實施例中，二極體D1E也可應用至第2B~2D圖所示的靜電放電保護電路200A~200D中。

第3A圖為本發明之靜電放電保護電路的另一可能實施例。第3A圖的靜電放電保護電路300A相似第2A圖的靜電放電保護電路200A，不同之處在於第3A圖的偵測器330A不同於第2A圖的偵測器230A。由於第3A圖的反相器340A的電路架構與第2A圖的反相器240A的電路架構相似，故不再贅述。

在本實施例中，偵測器330A包括一電容C2A以及一電阻R3A。電容C2A耦接於輸入輸出墊310A與節點ND₂之間。電阻R3A耦接於節點ND₂與輸入輸出墊320A之間。當一靜電放電事件發生在輸入輸出墊310A並且輸入輸出墊320A耦接至地時，偵測信號S_D為一高位準。當靜電放電事件未發生在輸入輸出墊310A及320A時，偵測信號S_D為一低位準。

控制元件350A係為一P型電晶體P4A，並受控於控制信號S_C。因此，當靜電放電事件發生在輸入輸出墊310A並且 輸入輸出墊320A耦接至地時，P型電晶體P4A被導通。此時，由於偵測信號S_D為高位準，因此，N型電晶體N5A導通。靜電放電電流從輸入輸出墊310A開始，經過P型電晶體P4A與N型電晶體N5A，流入輸入輸出墊320A。

然而，當靜電放電事件未發生時，P型電晶體P4A與N型電晶體N5A不導通。此時，靜電放電保護電路300A操作於正常模式。在正常模式下，由於P型電晶體P4A與N型電晶體N5A，故可降低節點ND₁的電壓位準並減少流經N型電晶體N5A的漏電流。

第3B圖為本發明之靜電放電保護電路的另一可能實施例。第3B圖的靜電放電保護電路300B相似第3A圖的靜電放電保護電路300A，不同之處在於靜電放電保護電路300B多了一電壓調節器370B。電壓調節器370B耦接於節點ND₁與輸入輸出墊320B之間。在本實施例中，電壓調節器370B係受控於控制信號S_C。由於電壓調節器370B的動作原理與第2C圖的電壓調節器270C相似，故不再贅述。另外，第3B圖的偵測器330B、反相器340B、控制元件350B以及電流釋放元件360B的動作原理與第2C圖的偵測器230C、反相器240C、控制元件250C以及電流釋放元件260C的動作原理相似，故不再贅述。

第3C圖為本發明之靜電放電保護電路的另一可能實施例。第3C圖的靜電放電保護電路300C相似第3B圖的靜電放電保護電路300B，不同之處在於靜電放電保護電路300C多了一阻抗元件380C。阻抗元件380C耦接於控制元件350C與電壓調節器370C之間。由於阻抗元件380C的動作原理相似於第2D 圖的阻抗元件280D，故不再贅述。另外，第3C圖的偵測器330C、反相器340C、控制元件350C、電流釋放元件360C以及電壓調節器370C的動作原理與第3B圖的偵測器330B、反相器340B、控制元件350B、電流釋放元件360B以及電壓調節器370B的動作原理相似，故不再贅述。

第3D圖為本發明之靜電放電保護電路的另一可能實施例。第3D圖的靜電放電保護電路300D相似第3A圖的靜電放電保護電路300A，不同之處在於靜電放電保護電路300D多了二極體D2D。二極體D2D的陰極耦接輸入輸出墊310D，其陽極耦接輸入輸出墊320D。由於二極體D2D的動作原理與第2E圖的二極體D1E相似，故不再贅述。在其它實施例中，二極體D2D亦可應用在第3B與3C圖中。另外，第3D圖的偵測器330D、反相器340D、控制元件350D以及電流釋放元件360D的動作原理與第3A圖的偵測器330A、反相器340A、控制元件350A以及電流釋放元件360A的動作原理相似，故不再贅述。

第4A圖為本發明之靜電放電保護電路的另一可能實施例。第4A圖相似第3A圖，不同之處在於，第4A圖的控制元件450A係為一N型電晶體N8A，並且第4A圖的靜電放電保護電路400A多了一電壓調節器470A。由於第4A圖的偵測器430A、反相器440A以及電流釋放元件460A的特性與第3A圖的偵測器330A、反相器340A以及電流釋放元件360A的特性相似，故不再贅述。

N型電晶體N8A的閘極接收偵測信號S_D，其輸入端(如汲極)耦接輸入輸出墊410A、其輸出端(如源極)耦接節點 ND₁，其基極耦接輸入輸出墊420A。當靜電放電事件發生時，N型電晶體N8A與N9A提供一放電路徑。當靜電放電未發生時，N型電晶體N8A不導通。此時，電壓調節器470A控制節點ND₁的電壓位準。在本實施例中，電壓調節器470A係為一N型電晶體N10A。

N型電晶體N10A的閘極接收控制信號S_C，其輸入端(如汲極)耦接節點ND₁，其輸出端(如源極)與基極耦接輸入輸出墊420A。當靜電放電事件發生時，偵測信號S_D為高位準。此時，控制信號S_C為低位準。因此，N型電晶體N10A不導通。然而，當靜電放電事件未發生時，偵測信號S_D為低位準。此時，控制信號S_C為高位準。因此，N型電晶體N10A導通，用以調整節點ND₁的位準。

第4B圖為本發明之靜電放電保護電路的另一可能實施例。第4B圖相似第4A圖，不同之處在於靜電放電保護電路400B多了一阻抗元件480B。阻抗元件480B用以保護電壓調節器470B，避免過大的電流進入電壓調節器470B。在本實施例中，阻抗元件480B係為一電阻R6B。電阻R6B耦接於控制元件450B與電流釋放元件470B之間。

由於第4B圖中的偵測器430B、反相器440B、控制元件450B、電流釋放元件460B以及電壓調節器470B的特性與第4A圖中的偵測器430A、反相器440A、控制元件450A、電流釋放元件460A以及電壓調節器470A的特性相似，故不再贅述。

第4C圖為本發明之靜電放電保護電路的另一可能實施例。第4C圖的靜電放電保護電路400C相似第4B圖的靜電 放電保護電路400B，不同之處在於靜電放電保護電路400C多了一二極體D3C。二極體D3C的陰極耦接輸入輸出墊410C，其陽極耦接輸入輸出墊420C。二極體D3C用以提供另一放電路徑，用以釋放靜電放電電流。當靜電放電事件發生時，除了控制元件450C與電流釋放元件460C提供一放電路徑外，二極體D3C亦提供另一放電路徑，以加快釋放靜電放電電流的速度。由於二極體D3C的特性與第2E圖中的二極體D1E相似，故不再贅述。

第4D圖為本發明之靜電放電保護電路的另一實施例。如圖所示，靜電放電保護電路400D包括一偵測器430D、一控制元件450D以及一電流釋放元件460D。由於偵測器430的架構與第3A圖相同，故不再贅述。在本實施例中，控制元件450D與電流釋放元件460D受控於偵測信號S_D。當偵測信號S_D等於一特定位準時，表示發生靜電放電事件。因此，控制元件450D與電流釋放元件460D提供一放電路徑，用以釋放靜電放電電流。

在本實施例中，控制元件450D係為一N型電晶體N8D。N型電晶體N8D的閘極接收偵測信號S_D，其輸入端(如汲極)耦接輸入輸出墊410D、其輸出端耦接節點ND₁，其基極耦接輸入輸出墊420D。另外，電流釋放元件460D係為一N型電晶體N9D。N型電晶體N9D的閘極接收偵測信號S_D，其輸入端(如汲極)耦接節點ND₁，其輸出端(如源極)與基極耦接輸入輸出墊420D。當偵測信號S_D為一高位準時，N型電晶體N8D與N9D導通。當偵測信號S_D為低位準時，N型電晶體N8D與N9D不導通。然而，由於N型電晶體N8D串聯N型電晶體N9D，故可降低節點 ND₁的電壓。因此，在正常模式(未發生靜電放電事件)下，減少流經N型電晶體N9D的漏電流。

第4E圖為本發明之靜電放電保護電路的另一實施例。第4E圖相似第4D圖，不同之處在於第4D圖多了一二極體D3E。二極體D3E用以提供另一放電路徑，用以快速地釋放靜電放電電流。二極體D3E的陰極耦接輸入輸出墊410E，其陽極耦接輸入輸出墊420E。由於第4E圖中的偵測器430E、控制元件450E與電流釋放元件460E的特性與第4D圖中的偵測器430D、控制元件450D與電流釋放元件460D的特性相同，故不再贅述。

當一靜電放電事件發生時，靜電放電保護電路進入一保護模式。在保護模式下，控制元件與電流釋放元件提供一放電路徑，用以釋放靜電放電電流。在一可能實施例中，藉由設置一二極體在兩輸入輸出墊(如第2E圖所示)，便可加快釋放電流的速度。

當一靜電放電事件未發生時，靜電放電保護電路進入一正常模式。在正常模式下，由於控制元件串聯電流釋放元件，故可降低電流釋放元件的跨壓，因而減少流經電流釋放元件的漏電流。在其它實施例中，可藉由一電壓調節器(如第2C圖所示)控制電流釋放元件的跨壓。在一些實施例中，電壓調節器與電流釋放元件之間具有一保護元件(如阻抗元件280D)，用以避免過大的電流流入電壓調節器。

除非另作定義，在此所有詞彙(包含技術與科學詞彙)均屬本發明所屬技術領域中具有通常知識者之一般理解。此外，除非明白表示，詞彙於一般字典中之定義應解釋為與其 相關技術領域之文章中意義一致，而不應解釋為理想狀態或過分正式之語態。

雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

Claims (17)

1. 一種靜電放電保護電路，包括：一偵測器，耦接於一第一輸入輸出墊與一第二輸入輸出墊之間，並偵測該第一及第二輸入輸出墊的電壓位準，用以產生一偵測信號；一反相器，根據該偵測信號產生一控制信號；一控制元件，耦接於該第一輸入輸出墊與一第一節點之間；一電流釋放元件，耦接於該第一節點與該第二輸入輸出墊之間；以及一電壓調節器，耦接該第一節點，並根據該偵測信號控制該第一節點的電壓；其中當該偵測信號等於一特定位準時，該控制元件與該電流釋放元件提供一放電路徑，用以將一靜電放電電流從該第一輸入輸出墊釋放至該第二輸入輸出墊；其中當該偵測信號不等於該特定位準時，該控制元件與該電流釋放元件不提供該放電路徑。
2. 如申請專利範圍第1項所述之靜電放電保護電路，其中該偵測器包括：一電阻，耦接於該第一輸入輸出墊與一第二節點之間；以及一電容，耦接於該第二節點與該第二輸入輸出墊之間。
3. 如申請專利範圍第2項所述之靜電放電保護電路，其中該控制元件係為一P型電晶體，該P型電晶體之閘極接收該偵測 信號，該P型電晶體之輸入端耦接該第一輸入輸出墊，該P型電晶體之輸出端耦接該第一節點，其中該電流釋放元件係為一N型電晶體，該N型電晶體之閘極接收該控制信號，該N型電晶體之輸入端耦接該第一節點，該N型電晶體之輸出端耦接該第二輸入輸出墊。
4. 如申請專利範圍第2項所述之靜電放電保護電路，其中該控制元件係為一第一N型電晶體，該第一N型電晶體之閘極接收該控制信號，該第一N型電晶體之輸入端耦接該第一輸入輸出墊，該第一N型電晶體之輸出端耦接該第一節點，其中該電流釋放元件係為一第二N型電晶體，該第二N型電晶體之閘極接收該控制信號，該第二N型電晶體之輸入端耦接該第一節點，該第二N型電晶體之輸出端耦接該第二輸入輸出墊。
5. 如申請專利範圍第1項所述之靜電放電保護電路，其中該偵測器包括：一電容，耦接於該第一輸入輸出墊與一第二節點之間；以及一電阻，耦接於該第二節點與該第二輸入輸出墊之間。
6. 如申請專利範圍第5項所述之靜電放電保護電路，其中該控制元件係為一P型電晶體，該P型電晶體之閘極接收該控制信號，該P型電晶體之輸入端耦接該第一輸入輸出墊，該P型電晶體之輸出端耦接該第一節點，其中該電流釋放元件係為一N型電晶體，該N型電晶體之閘極接收該偵測信號，該N型電晶體之輸入端耦接該第一節點，該N型電晶體之輸 出端耦接該第二輸入輸出墊。
7. 如申請專利範圍第5項所述之靜電放電保護電路，其中該控制元件係為一第一N型電晶體，該第一N型電晶體之閘極接收該偵測信號，該第一N型電晶體之輸入端耦接該第一輸入輸出墊，該第一N型電晶體之輸出端耦接該第一節點，其中該電流釋放元件係為一第二N型電晶體，該第二N型電晶體之閘極接收該偵測信號，該第二N型電晶體之輸入端耦接該第一節點，該第二N型電晶體之輸出端耦接該第二輸入輸出墊。
8. 如申請專利範圍第1項所述之靜電放電保護電路，其中該電壓調節器係為一開關，當該偵測信號等於該特定位準時，該開關不導通，當該偵測信號不等於該特定位準時，該開關導通。
9. 如申請專利範圍第8項所述之靜電放電保護電路，其中該開關係為一N型電晶體，該N型電晶體的閘極接收該偵測信號，該N型電晶體的輸入端耦接該第一節點，該N型電晶體的輸出端耦接該第二輸入輸出墊。
10. 如申請專利範圍第1項所述之靜電放電保護電路，更包括：一阻抗元件，耦接於該控制元件與該電壓調節器之間。
11. 如申請專利範圍第1項所述之靜電放電保護電路，更包括：一二極體，其陰極耦接該第一輸入輸出墊，其陽極耦接該第二輸入輸出墊，當一靜電放電事件發生在該第一輸入輸出墊並且該第二輸入輸出墊耦接至地時，該二極體導通， 用以將該第一輸入輸出墊的一靜電放電電流釋放至該第二輸入輸出墊。
12. 如申請專利範圍第1項所述之靜電放電保護電路，更包括：一二極體，其陰極耦接該第一輸入輸出墊，其陽極耦接該第二輸入輸出墊，當一靜電放電事件發生在該第一輸入輸出墊並且該第二輸入輸出墊耦接至地時，該二極體導通，用以將該第一輸入輸出墊的一靜電放電電流釋放至該第二輸入輸出墊。
13. 如申請專利範圍第13項所述之靜電放電保護電路，更包括：一阻抗元件，耦接於該控制元件與該電壓調節器之間。
14. 一種靜電放電保護電路，包括：一偵測器，耦接於一第一輸入輸出墊與一第二輸入輸出墊之間，並偵測該第一及第二輸入輸出墊的電壓位準，用以產生一偵測信號；一控制元件，直接地接收該偵測信號，並耦接於該第一輸入輸出墊與一第一節點之間；以及一電流釋放元件，直接地接收該偵測信號，並耦接於該第一節點與該第二輸入輸出墊之間；其中當該偵測信號等於一特定位準時，該控制元件與該電流釋放元件提供一放電路徑，用以將一靜電放電電流從該第一輸入輸出墊釋放至該第二輸入輸出墊；其中當該偵測信號不等於該特定位準時，該控制元件與該電流釋放元件不提供該放電路徑。
15. 如申請專利範圍第14項所述之靜電放電保護電路，其中該偵測器包括：一電容，耦接於該第一輸入輸出墊與一第二節點之間；以及一電阻，耦接於該第二節點與該第二輸入輸出墊之間。
16. 如申請專利範圍第15項所述之靜電放電保護電路，其中該控制元件係為一第一N型電晶體，該第一N型電晶體之閘極接收該偵測信號，該第一N型電晶體之輸入端耦接該第一輸入輸出墊，該第一N型電晶體之輸出端耦接該第一節點，其中該電流釋放元件係為一第二N型電晶體，該第二N型電晶體之閘極接收該偵測信號，該第二N型電晶體之輸入端耦接該第一節點，該第二N型電晶體之輸出端耦接該第二輸入輸出墊。
17. 如申請專利範圍第14項所述之靜電放電保護電路，更包括：一二極體，其陰極耦接該第一輸入輸出墊，其陽極耦接該第二輸入輸出墊，當一靜電放電事件發生在該第一輸入輸出墊並且該第二輸入輸出墊耦接至地時，該二極體導通，用以將該第一輸入輸出墊的一靜電放電電流釋放至該第二輸入輸出墊。