TWI616721B - 針對極紫外光光罩之臨界尺寸均勻性監測 - Google Patents

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Abstract

本發明揭示用於使用一光學檢驗工具促進一樣本之一檢驗之方法及設備。使用一光學檢驗工具以自一EUV光罩獲得指定跨越該EUV光罩之一強度變化之一光學影像或信號，且將此強度變化轉換至一CD變化，該CD變化移除一光斑校正CD變化以便產生不具有該光斑校正CD變化之一臨界尺寸均勻性(CDU)圖譜。此經移除之光斑校正CD變化源自用於製作該EUV光罩之設計資料，且此光斑校正CD變化通常經設計以在一光微影處理程序期間補償跨越一光微影工具之一視域(FOV)存在之光斑差異。將該CDU圖譜儲存於一或多個記憶體裝置中及/或顯示於舉例而言該檢驗工具或一光微影系統之一顯示裝置上。

Description

針對極紫外光光罩之臨界尺寸均勻性監測 相關申請案之交叉參考
本申請案主張2012年4月18日由Rui-Fang Shi等人提出申請、標題為CRITICAL DIMENSION UNIFORMITY MONITORING FOR EUV RETICLES之美國臨時專利申請案第61/635,141號之優先權，該申請案出於所有目的而以其全文引用之方式併入本文中。
本發明一般而言係關於光罩檢驗與計量領域。更特定而言，本發明係關於用於監測臨界尺寸(CD)均勻性之極紫外光(EUV)光罩之檢驗及量測。
通常，半導體製造行業涉及用於使用分層且圖案化至諸如矽之一基板上之半導體材料來製作積體電路之高度複雜技術。一積體電路通常係由複數個光罩製作而成。最初，電路設計者將闡述一特定積體電路(IC)設計之電路圖案資料提供至一光罩生產系統，該光罩生產系統將該圖案資料變換成複數個光罩。一種新興類型之光罩係由複數個主要反射層及一經圖案化吸收體層構成之一極紫外光(EUV)光罩。
由於大規模的電路整合及越來越小的半導體裝置，因此光罩及所製作裝置已變得對臨界尺寸(CD)均勻性變化越來越敏感。此等變化(若未經校正)可致使最終裝置由於電計時誤差而不能滿足所期望效 能。甚至更糟地，其可致使最終裝置失靈且不利地影響良率。
提供適於檢驗及量測用以監測CD均勻性之EUV光罩之技術將係有益的。
下文呈現對所揭示內容之一簡要總結以便提供對本發明之某些實施例之一基本理解。本發明內容並非係對所揭示內容之一廣泛概述且其並不識別本發明之關鍵/重要元素或描述本發明之範疇。本發明唯一目的係以一簡要形式呈現本文中所揭示之某些概念作為稍後呈現之更詳細說明之一前奏。
在一項實施例中，揭示一種使用一光學檢驗工具促進一樣本之一檢驗之方法。使用諸如一深紫外光(DUV)工具之一光學檢驗工具以自一EUV光罩獲得指定跨越該EUV光罩之一強度變化之一光學測試影像或信號，且將此強度變化轉換至一CD變化，該CD變化移除一校正CD變化(例如，用於微影工具中之光斑或方位角補償)以便產生不具有該校正CD變化之一臨界尺寸均勻性(CDU)圖譜。此經移除之光斑校正CD變化源自用於製作該EUV光罩之設計資料，且此光斑校正CD變化通常經設計以在一光微影處理程序期間補償跨越一光微影工具之一視域(FOV)存在之差異(例如，光斑)。該CDU圖譜儲存於一或多個記憶體裝置中及/或顯示於舉例而言該檢驗工具或一光微影系統之一顯示裝置上。在一特定實施例中，該CDU圖譜係在將光斑校正或方位角CD變化引入至用於此EUV測試光罩之設計資料以便補償跨越該FOV之光斑或方位角差異之前相對於設計者之意圖而產生。在又一實例中，該CDU圖譜經產生以便考量垂直或水平特徵偏差。
在一特定實施方案中，該CDU圖譜係藉由以下各項而產生：(i)基於用於該EUV測試光罩之該設計資料來判定用於在強度變化與CD變化之間轉換之一轉換因子；(ii)將該測試影像之該強度變化轉換成 用於此測試影像之一CD變化；(iii)基於該設計資料來判定該校正CD變化；及(iv)自用於該測試影像之該CD變化減去該校正CD變化以產生該CDU圖譜。在又一態樣中，藉由以下操作來判定該轉換因子：藉由對該設計資料應用一模型以便模型化自此設計資料對一光罩模型之建構且模型化此光罩模型之光學檢驗以產生實質上匹配該測試影像之一參考影像來執行嚴密電磁模擬。在又一態樣中，對該設計資料執行嚴密電磁模擬包括選擇該模型之不同組之可調諧參數值且應用此模型以產生該參考影像直至該參考影像實質上匹配該測試影像，其中該等可調諧參數值包括以下各項中之一或多者：圖案CD、光罩製作變數、光罩材料性質及檢驗工具參數。在一項態樣中，該轉換因子採取相關聯之強度及CD變化值之一表格之形式。在另一態樣中，藉由判定預校正設計資料與後校正設計資料之間的一CD差異來判定該校正CD變化。
在另一實施例中，該CDU圖譜係藉由以下各項而產生：(i)基於用於一樣本光罩之該設計資料及自此樣本光罩獲得之一樣本影像來預計算用於在強度變化與CD變化之間轉換之一轉換因子；(ii)使用該經預計算之轉換因子來將該EUV測試光罩之該測試影像之該強度變化轉換成用於此測試影像之一CD變化以便產生一第一CDU圖譜；(iii)使該第一CDU圖譜與一光斑校正CD變化圖譜擬合；及(iv)自用於該測試影像之該第一CDU圖譜減去該光斑校正CD變化圖譜以產生一第二CDU圖譜。
在又一態樣中，該CDU圖譜係在不具有EUV測試光罩之設計資料之情況下產生。在另一態樣中，在不計算用於複數個後續EUV測試光罩之另一轉換因子之情況下，基於經預計算之轉換因子而針對此等後續EUV測試光罩重複用於轉換、擬合及減去之操作。在一項態樣中，藉由最小化等於Σx,y[△CD(x,y)/CD(x,y)-f(coeff,F(x,y))]2之一總 和來執行擬合操作，其中該總和係在第一CDU圖譜之若干點上取得，該第一CDU圖譜由△CD(x,y)/CD(x,y)表示且f(coeff,F(x,y))係F之一多項式，且其中F(x,y)係藉由計算一圖案密度圖譜且迴旋運算此圖案密度圖譜與一點擴散函數而估計之光斑強度之一圖譜，且其中f(coeff,F(x,y))係針對光斑強度之一CD補償之估計。
在另一實施例中，該CDU圖譜係藉由以下各項而產生：(i)基於用於該EUV測試光罩之該設計資料來識別用於CD量測之選定特徵；(ii)藉由量測該測試影像中之該等選定特徵之同焦點臨限強度點之間的一距離或藉由在使表徵CD偏差之一單個參數浮動之同時最小化自該設計資料產生之一經模擬參考影像與該測試影像之間的一差異來量測該等選定特徵之CD；(iii)基於該所量測CD來判定CD變化；(iv)基於該設計資料來判定該校正CD變化；及(v)自用於該測試影像之該CD變化減去該校正CD變化以產生該CDU圖譜。
在其他實施例中，本發明係關於一種用於檢驗一EUV光罩之檢驗系統。該系統包含：一光源，其用於產生一入射光束；一照明光學器件模組，其用於將該入射光束引導至一EUV光罩上；一收集光學器件模組，其用於引導回應於該入射光束而自該EUV光罩反射之一輸出光束；一感測器，其用於偵測該輸出光束且產生針對該輸出光束之一影像或信號；及一控制器，其經組態以執行以上方法中之一或多者。
下文參考各圖式來進一步闡述本發明之此等及其他態樣。
100‧‧‧極紫外光光罩
102‧‧‧基板
104‧‧‧材料層/多層堆疊/層
106a‧‧‧圖案/吸收體圖案層
106b‧‧‧圖案
202‧‧‧抗蝕劑層
204‧‧‧晶圓基板
206‧‧‧輻射
208a‧‧‧光酸(H+)
208b‧‧‧經增幅之光酸
502‧‧‧臨界尺寸變化(△臨界尺寸/臨界尺寸)曲線
504‧‧‧經推斷臨界尺寸光斑曲線
506‧‧‧差異
602‧‧‧線特徵/光罩線特徵
603‧‧‧臨界尺寸
606a‧‧‧強度曲線
606b‧‧‧強度曲線
608a‧‧‧強度值點
608b‧‧‧強度值點
610‧‧‧線
612‧‧‧位置距離
800‧‧‧實例性檢驗系統
802‧‧‧輸入/散佈所接收輸入/輸入資料/強度或影像資料
804a‧‧‧資料散佈系統
804b‧‧‧資料散佈系統
806a‧‧‧截圖處理器與記憶體/處理器/第一截圖處理器
806b‧‧‧截圖處理器與記憶體/處理器/截圖處理器
808‧‧‧交換式網路/網路
810‧‧‧檢驗控制及/或再檢測站
812‧‧‧臨界尺寸均勻性圖譜產生器處理器與記憶體
816‧‧‧選用大容量儲存裝置
900‧‧‧系統
902‧‧‧光源
904‧‧‧聚光透鏡
906‧‧‧分束器
908‧‧‧成像透鏡
910‧‧‧樣本/載台
912‧‧‧所檢驗表面/樣本表面
913‧‧‧偵測器透鏡
914‧‧‧偵測器
916‧‧‧處理器系統
圖1係一實例性EUV光罩之一側視圖之一圖解性表示。
圖2圖解說明一EUV光微影處理程序中之一EUV光罩及晶圓之一側視透視圖。
圖3係圖解說明根據本發明之一第一實施方案之用於檢驗一EUV光罩之一程序之一流程圖。
圖4係圖解說明根據本發明之一第二實施方案之用於檢驗一EUV光罩之一程序之一流程圖。
圖5係根據本發明之一項實施例之針對一測試光罩判定之一CDU曲線與一經推斷CD光斑曲線之間的一最佳擬合之一圖解性表示。
圖6圖解說明使用一經預計算之同焦點臨限值獲得自一強度影像獲得之一CD量測。
圖7係圖解說明根據本發明之一第三實施方案之用於檢驗一EUV光罩之一程序之一流程圖。
圖8係其中可實施本發明之技術之一實例性檢驗系統之一圖解性表示。
圖9係其中可實施本發明之技術之一光學檢驗工具之某些元件之一圖解性表示。
在下文說明中，成熟眾多特定細節以提供對本發明之一透徹理解。可在不具有此等特定細節中之某些或全部細節之情況下實踐本發明。在其他例項中，尚未詳細闡述眾所周知之組件或處理程序操作以免不必要地使本發明模糊不清。雖然將結合特定實施例來闡述本發明，但應理解，並非意欲將本發明限定於該等實施例。
一極紫外光(EUV)微影處理程序通常使用一EUV型光罩，其經設計以促進在EUV波長(諸如，13.5nm)下圖案化於一晶圓上。圖1係一實例性EUV光罩之一部分之一側視圖之一圖解性表示。如所展示，EUV光罩100可包含一基板102，諸如一低熱膨脹(LTE)或超低膨脹(ULE)玻璃板。
該基板覆蓋有多個材料層104以在EUV波長下提供適度反射比(例如，60%至70%或更大)以用於在EUV波長下執行微影曝光。多層堆疊104充當一布拉格(Bragg)反射體，其最大化EUV輻射之反射同時係 EUV輻射之一不良吸收體。反射通常發生在不同折射率之材料之間的界面處，其中較高差異造成較達反射率。儘管曝光至極低波長之材料之折射率係約等於1，但可透過使用具有不同折射率之交替層之多個層達成顯著反射。該多層堆疊亦可由低吸收特性構成以使得以極少損失反射照射之輻射。在某些實施例中，多個層104包含以約7奈米間距配置之約30至40(或40至50)個交替之鉬(Mo)與矽(Si)層對。其他適合層可包含Mo2C與Si、Mo與鈹(Be)、鉬釕(MoRu)與Be之交替層。
多個層104可包含一頂蓋層(諸如，Ru)以防止氧化。在其他實施例中，一EUV光罩可包含一石英、抗反射塗層(ARC)及其他特徵。一圖案(例如，106a及106b)形成於安置於多個層104上方之一吸收體層中。舉例而言，由一薄抗反射氧化物加頂之一個氮化鉭硼膜充當一EUV吸收體。用於光罩圖案之材料可經選擇以具有接近零之蝕刻偏差以便達成超精細解析度特徵。
一般而言，任何適合EUV光微影處理程序可經實施以經由一EUV光罩將一光阻劑層曝露於一晶圓上。圖2圖解說明一EUV光微影處理程序中之一光罩及一晶圓樣本之一側視透視圖。一光微影系統之光源可產生適於與EUV光罩一起使用之任何適合輻射。例如，可利用介於約11nm至14nm之間的EUV波長或較低軟x射線波長。在一特定實施方案中，產生約13.5nm之一波長。
在光微影期間，在形成於一晶圓基板204上之一抗蝕劑層202中吸收自一EUV光罩之多個層104反射之輻射206。所吸收之輻射產生光酸(H+)及經增幅之光酸(例如，208a及208b)，該兩者當顯影光阻劑時在晶圓基板204之抗蝕劑層202中形成對應於EUV光罩之吸收體圖案層(例如，106a)之一曝光圖案。出於清楚起見，在圖2省略EUV光罩與晶圓之間的反射成像光學器件。
在使用EUV微影之前，光學光罩圖案經設計以具有在一晶圓上產 生相同晶粒之相同晶粒圖案。相比而言，EUV光罩經設計以具有不同晶粒圖案以在一晶圓上產生相同晶粒。達成此之原因中之一者係微影投影機之場具有一弧形。沿垂直於弧之一方向使晶圓及光罩同步掃描通過該場。遮罩上之主射線之方位角沿著弧形場而變化。不同類型之特徵(諸如相對於光束掃描之水平與垂直特徵)造成一不同陰影效應。此差異沿著弧而變化。因此，沿掃描方向對準之晶粒比不同場位置上之晶粒更類似。在光罩上具有不同圖案之晶粒之一第二原因係亦位於曝光場之邊緣處之一晶粒之邊緣可不同於在曝光場內部之一晶粒之邊緣。微影投影機步進經過晶圓且在晶圓之一未經曝光部分中重複掃描。相鄰曝光場之邊緣重疊。重疊邊緣被曝光兩次且拐角可被曝光四次。無電路圖案被成倍曝光，且可採取措施以減少曝光場之邊緣處之光罩之反射。然而，雙重曝光可造成曝光場之邊緣處之光斑曝光中之一細微差異。光罩上之晶粒圖案之間的差異之一第三可能原因係相對於微影工具之視域(FOV)之光之不同部分將展現不同掃描性質。例如，來自不同光學路徑(例如，不同角度及不同表面平滑度特性)之光將跨越FOV以不同方式散射。光罩圖案需要經設計以補償此不同散射效應，通常稱為一光斑效應。光罩之不同FOV位置可經不同設計以補償不同光斑位準及主射線之不同方位角。
由於光罩將往往含有用於光斑校正之不同FOV位置之不同晶粒圖案，因此可難以跨越光罩表徵臨界尺寸均勻性(CDU)或量測實際臨界尺寸(CD)。即，可由於CD差異而偏離一光罩之CD特性，該等CD差異經設計成光罩圖案以補償主射線之光斑及方位角相依性。
本發明之某些實施例提供用於基於自一光學檢驗工具獲得之強度結果來判定CD特性同時自此等經判定CD特性過濾補償CD特性(例如，光斑或其他類型之CD校正變化)之技術。一般而言，獲得跨越EUV光罩之CD變化或量測，且在針對場位置相依效應(諸如，光斑及 主射線方位角變化)之設計之補償之前相對於設計者之意圖獲得此等結果。換言之，補償CD特性被視為一雜訊源且經移除以使得補償CD特性不遮蔽光罩之CD特性，若不存在光斑或主射線方位角變化及其補償，則將存在此情況。在特定實施方案中，以一方式判定檢驗結果或CD特性以便考量垂直/水平特徵偏差。
在一第一檢驗及量測方法中，使用一設計資料庫以考量光斑補償及垂直/水平偏差。圖3係圖解說明根據本發明之一第一實施方案之用於檢驗一EUV光罩之一程序300之一流程圖。可在製作此光罩之後且在將此光罩用於一光微影處理程序中之前且再次在已將光罩用於一或多個光微影處理程序之後的任何時間處對光罩執行檢驗程序300。另外，可相對於一光罩之任何一或多個部分應用以下操作。例如，光罩影像可定義為由複數個處理器處理之複數個截圖影像(patch image)。光罩截圖可散佈至對測試截圖資料並行操作之處理器。儘管不需要，但可針對一光罩影像之多個截圖並行執行圖3之操作。
最初，可在操作301中獲得一EUV光罩之一測試影像。在一項實施例中，可掃描光罩之截圖部分以自整個光罩獲得強度資料。每一截圖可含有一單個晶粒或多個晶粒。一截圖可取決於特定系統及應用要求而具有任何大小及形狀。一般而言，可藉由以任何適合方式掃描該光罩來獲得每一截圖部分之多個強度值。以實例方式，可藉由光柵掃描光罩來獲得每一截圖之多個強度值。另一選擇係，可藉由以諸如一圓形或螺旋形圖案之任何適合圖案來掃描光罩從而獲得影像。當然，感測器(一或多個)可能必須以不同方式(例如，以一圓形圖案)配置/或該光罩可在掃描期間以不同方式移動(例如，旋轉)以便自光罩掃描一圓形或螺旋形。
在一項實例中，當光罩移動經過一檢驗/計量工具之感測器時，自光罩之一矩形區域(本文中稱為一「刈幅」)偵測光且將此所偵測光 轉換成該刈幅之每一截圖中之多個點處之多個強度值。在此實施例中，檢驗/計量工具之感測器配置成一矩形圖案以接收自光罩反射之光並自其產生對應於光罩之截圖之一刈幅之強度資料。在一特定實例中，每一刈幅可係約1百萬個像素寬及約1000至2000個像素高，而每一截圖可係約1000個像素寬及1000至2000個像素高。在一項實例中，每一像素具有72nm之一大小。
每一組強度資料可對應於光罩之一「刈幅」。可藉由以一蛇形或光柵圖案順序地掃描來自光罩之若干刈幅來獲得每一組強度資料。舉例而言，藉由一光學檢驗系統之一光束自左至右掃描光罩600之一第一刈幅以獲得一第一組強度資料。接著，自右至左掃描一第二刈幅以獲得一第二組強度資料。每一組刈幅資料亦可劃分成若干截圖。在針對每一刈幅之每一截圖中之多個點收集強度資料期間或之後，亦可針對(舉例而言，每一測試影像之)一或多個截圖中之每一截圖或每一組之任何部分判定一平均強度值。
可使用以任何適合方式設置之一光學檢驗工具來獲得每一截圖之強度值。對於一EUV光罩，一光學檢驗工具通常係以用於獲得經反射強度值之一組操作參數或一「配方」來設置。配方設定可包含以下設定中之一或多者：用於以一特定圖案、像素大小來掃描光罩之一設定；用於分組來自單一信號之毗鄰信號之一設定；一焦點設定；一照明或偵測孔徑設定；一入射光束角度與波長設定、其他偵測器設定；用於經反射光之量之一設定等。
可在操作302中提供一設計資料庫。該設計資料庫可用以判定用於在一光學影像中之強度變化與CD變化之間轉換之一轉換因子k。可藉由對設計資料執行嚴密電磁模擬以便模型化自此設計資料對一光罩模型之建構且模型化此光罩模型之光學檢驗以產生一參考影像來判定該轉換因子。例如，該模型藉由模擬用於以與此等設計圖案經更改以 形成實際測試光罩(例如，設計多邊形之拐角係修圓的等)相同之一方式更改設計資料圖案之一處理程序來模擬一光罩圖案。該模型亦藉由模型化特定檢驗工具以自實際測試光罩產生一測試影像來模擬自此經模擬光罩圖案產生之一參考影像。更特定而言，該模型模擬光係如何自經模擬光罩反射且由檢驗工具之光學器件偵測，並基於此所偵測光模擬一參考影像。用於光罩製作模擬及檢驗工具模擬之實例性模型化軟體係可自美國加州Milpitas之KLA-Tencor購得之PROLITHTM。
可首先在操作304中選擇用於基於設計資料模擬一參考影像之一第一組可調諧模型參數。亦在操作304中將此模型應用至設計資料以產生一經模擬參考光罩影像。由於缺陷通常表示一光罩影像中之像素之一小百分比，因此當已最佳化可調諧模型參數時大部分經模型化參考光罩影像之像素(唯缺陷除外)將匹配測試影像。即，當該模型最緊密地模擬如何製成實際測試光罩及如何藉由經挑選檢驗工具自此測試光罩獲得一測試影像時，經模擬參考影像亦將往往緊密地匹配該測試影像。因此，一旦用以製成測試光罩之特定光罩處理程序及用以產生測試影像之檢驗工具被瞭解且正確地模型化，即可模擬最緊密地匹配測試影像(及其係如何形成)之一準確參考影像。
模型之可調諧參數可採取用於產生一對應光罩影像之任何適合形式。可調諧參數可係關於用於自設計資料建構一參考光罩之寫入特性(諸如，拐角修圓量、光罩材料性質(例如，組合物及尺寸)、圖案密度相依偏差等)及用於模型化正用以自測試光罩產生測試影像之相同光學檢驗工具之檢驗工具特性(諸如，照明與偵測孔徑設定、偏光、焦點、像差特性、波長、像素大小、入射角等)。將檢驗工具模型應用至經模型化參考光罩圖案以基於設計資料建構一參考影像。經模型化參考影像對應於如何將在不具有任何缺陷之情況下用設計資料建構之一光罩成像至檢驗工具之感測器。
在使用每一組選定可調諧參數將模型應用至設計資料之後，接著可判定是否已在操作306中達到所產生之參考影像與對應測試影像之間的一最佳匹配。例如，比較每一特定測試截圖影像與自設計資料庫部分產生之其對應參考截圖影像。每一測試影像及對應參考影像可包括具有不同強度值之複數個像素。另一選擇係，測試及參考光罩部分可由針對光罩部分中之複數個xy位置之複數個強度值表示。
可調諧參數將在透過選擇調諧參數值之不同組合來執行特定數目個反覆之後導致一最佳匹配。例如，一最佳匹配可對應於導致測試影像與經模型化參考影像之間的一最小差異之一組參數。一最佳匹配可定義為當不可藉由改變匹配之可調整參數而實質上減少兩個影像之差異之一範數時之條件。一適合範數係兩個影像之逐像素差異之平方之總和之平方根或該等差異之平方之總和。
在所圖解說明之實施例中，若尚未找到特定參考影像與測試影像之間的最佳匹配，則在操作304中針對應用至設計資料以產生一新參考影像之模型而選擇下一組可調諧參數。在操作304中重複選擇下一組參數值直至已找到參考影像與測試影像之間的一最佳匹配。
一旦找到一最佳匹配，測試影像與參考影像之間的強度差異即亦可被加旗標且儲存為缺陷。此等缺陷亦可經分析以判定此等缺陷是否在規格內。舉例而言，該等缺陷可經分析以判定此等缺陷表示真實、故障缺陷還是雜訊。
接著，可在操作308中使用導致最佳匹配之最終模型來判定用於在強度變化與臨界尺寸均勻性(CDU)之間轉換之一轉換因子k。接著，可操作310中使用轉換因子k來判定用於測試影像之不同視域(FOV)位置之CD變化以產生一CDU圖譜。例如，將k應用至測試影像強度值以判定跨越光罩之場內CD變化。在一特定實施方案中，CDU對應於相對於一全域平均或主導CD值之一特定光罩位置之一主導或 平均CD值。可相對於整個光罩或光罩之一部分找到全域平均或主導CD值。
在一特定實施方案中，△I/I與△CD/CD之間的關係藉由公式△CD/CD=k(間距，CD)*△I/I來指示，其中I指示所量測之平均強度(例如，在約一100um長度標度內)且△I指示來自全域平均強度之變化。變數k係與最終模型相關之轉換因子。即，轉換因子k取決於最終模型之最終參數。在針對轉換因子(k)之以上方程式中，其對間距(p)及CD之相依性意在圖解說明一維圖案情形。對於二維情形，p及CD可由呈多邊形或梯形之圖案之一實際說明替換。
轉換因子可以任何適合方式來判定。舉例而言，可將模型應用至具有一特定間距及標稱CD(諸如100nm)之一第一組線特徵。該模型輸出此等100nm特徵之一第一平均強度值。接著，(依據標稱CD)更改此第一組線特徵之CD且該模型輸出此第一組特徵之所得強度改變。即，可更改經模擬光罩圖案之CD且將最終模型應用至此等經調整CD改變以便輸出經模型化光罩影像中之經模型化強度改變。可藉由透過光罩模型中之複數個CD改變進行反覆來判定CD改變與強度改變之間的關係(k)。此處理程序可應用於任何數目及類型之特徵。對於任意二維圖案，可應用沿所有定向之特徵大小之一各向同性擴張或縮減以獲得並非二維之特徵之一轉換因子。
在一特定實施方案中，轉換因子採取使不同CD變化值與不同強度變化值相關之一表格之形式。在另一技術中，k因子採取可應用至一強度變化值以獲得一CD變化值之一方程式之形式。不管怎樣，來自測試影像之所量測強度變化值可有效地轉換至每一FOV所量測位置之CD變化值。舉例而言，可在操作310中使用此轉換因子k來判定測試影像之不同視域(FOV)位置之CD變化以產生一CDU圖譜。
基於設計資料，可在操作312中判定由於光斑補償所致之不同 FOV位置之CD改變以產生一光斑圖譜。例如，可跨越光罩判定類似類型之圖案特徵(例如，線特徵)之間的CD差異。在另一方法中，通常在一EDA(電子設計自動化)操作中將CD差異添加至設計資料，且可提供預校正及後校正(諸如，後光斑校正)設計資料兩者以便判定CD補償值。在一特定實施例中，比較預校正設計資料之CD與後校正設計資料之CD，且將此CD差異定義為一校正(例如，光斑)圖譜。接著，在操作314中自針對測試影像判定之CDU圖譜減去此校正CD圖譜以便接著判定在測試中之EUV光罩之實際CDU圖譜(不具有光斑補償)。
圖案定向亦可計入至用於判定一CDU圖譜之處理程序中以便單獨考量此等圖案差異。舉例而言，可使用一設計範本來指定特定光罩部分之特定間距及定向值。另一選擇係，設計資料圖案可經分析以定位特定圖案，諸如一維水平或垂直線或空間。舉例而言，可針對具有不同間距及定向之不同光罩區產生不同轉換因子。在一特定實施方案中，垂直特徵係與水平特徵單獨地分析，此乃因特徵相對於一有角入射光束之定向將以不同方式影響經反射強度，稱為對EUV掃描器之「陰影效應」。因此，儘管某些圖案不管其定向如何皆意欲在最終晶圓上相同，但EUV光罩上之彼等圖案將取決於其定向而具有實質上不同大小。因此，其轉換因子(k)可足夠不同，以使得在透過強度量測建構CDU圖譜時可單獨考量水平及垂直特徵。即，用於水平特徵之校正CD圖譜可係與用於垂直特徵之校正CD圖譜單獨地獲得。接著，可自依據各別測試影像特徵獲得之CDU圖譜減去此等單獨校正圖譜。接著，最終、經分離CDU圖譜可經組合或保持單獨以用於光微影處理程序之校正。
在提供一CDU圖譜之後，可在操作316中基於此圖譜來判定光罩是否通過檢驗。例如，一使用者可分析CD變化之量以判定此CD變異數是否在一預定義規格內。另一選擇係，一自動化處理程序可判定任 何CD變化是否高於(或低於)一預定義臨限值。若CD變化高於(或低於)該預定義臨限值，則接著可更仔細地再檢測對應光罩部分以判定該光罩是否有缺陷且無法再被使用。例如，可使用一SEM來再檢測該有缺陷區以判定臨界尺寸(CD)是否在規格範圍以外。
若光罩通過檢驗/量測，則可在操作320中使用此光罩來製作一晶圓。亦可利用一準確判定之CDU圖譜以在使用此光罩製作一晶圓期間有效地管理跨越該光罩之劑量位準。例如，將用於該光罩之特定位置之CDU圖譜映射至針對該光罩之此等特定位置之光微影光之劑量校正。
若該光罩未通過檢驗/量測，則可在操作318中摒棄或(若可能)修復該光罩。例如，可自該光罩清除或移除某些缺陷。在修復之後，可在任何時間處對該光罩執行一檢驗且重複程序300。一個此修復工具係Zeiss之CDC工具。
此設計資料庫方法可使得能夠使用最佳適合於基於強度之CD表徵之特徵。另外，由於可使用一「良好」設計來模擬特定光罩製作處理程序及用於在測試中之光罩之檢驗工具以使得消除處理程序及工具效應，因此此方法對系統像差或雜訊(例如，焦點誤差)具有低敏感度。此方法將可能在線、間隔及接觸特徵之情況下良好地工作。
對於一設計資料庫無法利用或處理時間及資源不受限制之檢驗/計量系統而言，可利用用於判定CD均勻性之另一方法。在一個方法中，基於具有已知CD變化之一樣本光罩來計算一轉換因子(例如，轉換表格)。亦可利用用於此樣本光罩之設計資料庫。然而，預計算可經執行一單次且接著在不針對此測試光罩使用一設計資料庫之情況下用於具有不同於樣本光罩之圖案之其他測試光罩。
圖4係圖解說明根據本發明之一第二實施方案之用於檢驗一EUV光罩之一程序之一流程圖。最初，在操作402中自具有已知CD變化之 一樣本EUV光罩獲得一樣本影像。此樣本光罩可具有具有不同CD變化之任何數目及類型之圖案，該等不同CD變化可或可不包含光斑補償之CD變化。可使用此樣本影像以在操作404中基於樣本光罩之已知CD及所量測強度來預計算一轉換因子(例如，呈轉換表格之形式)。
接著，可儲存轉換因子以供稍後與其他光罩設計一起使用。然而，較佳地針對每一特定遮罩製作處理程序、若干遮罩材料及檢驗工具而預計算一組新轉換因子以便達成用於測試光罩之特定處理程序之一組最佳轉換因子。此等測試光罩可係與一工具健康校準處理程序相關聯，在此處理程序期間可使用來自此等測試光罩之光學影像(連同其資料庫)來判定轉換因子。
對於在檢驗/量測中之每一新光罩，舉例而言，可在操作406中獲得一測試影像。在操作410中可使用預計算之轉換因子k來判定測試影像之不同FOV位置之CD改變以產生一CDU圖譜，如上文所闡述。
接著，可在操作412中使CDU圖譜與跨越光罩之一所產生光斑圖譜擬合。一般而言，可使用任何類型之曲線匹配技術。由於光斑補償之CD往往以一拋物線形狀(圖形或凹形)跨越光罩變化，因此可使經判定CDU曲線與基於一最小平方(或最小平方距離)方法而調整之一多項式光斑補償曲線擬合。其他曲線擬合方法可包含使用一傅立葉(Fourier)級數或任何數目及類型之函數之一總和作為所產生光斑曲線、實施代數或幾何擬合等。
在一項實例中，可最小化經判定CDU圖譜與針對光斑之CD補償之一可調整圖譜之間的一差異。經最小化之數量可表達為Σx,y[△CD(x,y)/CD(x,y)-f(coeff,F(x,y))]2，其中總和係在CDU圖譜之若干點上取得且f(coeff,F)係F之一多項式。F(x,y)係光斑強度之一圖譜。在一項實施例中，F係藉由首先計算圖案密度之一圖譜且接著迴旋運算該圖案密度圖譜與一點擴散函數而估計。函數f(coeff,F(x,y)) 係針對光斑之CD補償之估計。藉由最小化差異，可推斷多項式係數「coeff」之集合。在一特定實例中，F係光斑圖譜且c*F-d*F2係用以補償此光斑之相對CD改變，其中c及d係推斷的。
圖5係根據本發明之一項實施例之針對一測試光罩判定之一CD變化(△CD/CD)曲線502與一經推斷CD光斑曲線504之間的一最佳擬合之一圖解性表示。每一曲線係依據光罩位置而變之CD變化(經判定或經推斷之光斑補償)之標繪圖。所圖解說明之曲線自光罩之一個邊緣延伸至另一邊緣。
一旦找到CD變化資料與經推斷光斑曲線之間的一經最小化差異，該等差異即表示不包含光斑補償之CD變化。可使用CD變化來建構CDU圖譜。如所展示，差異506表示並非由一既定光斑補償CD變化所導致之一CD變化。
返回參考圖4，接著在操作414中自經判定CDU圖譜減去此經計算光斑圖譜以獲得不具有光斑補償之CDU圖譜。例如，藉由以上方程式(△CD/CD-f(coeff,F))來判定不具有光斑補償之一CDU圖譜，其中F係最接近之光斑圖譜。
接著，可在操作416中判定光罩是否通過檢驗。若光罩通過檢驗，則可在操作420中使用該光罩同時基於CDU圖譜來校正劑量。否則，即在操作418中修復或摒棄該光罩。
在又一方法中，基於一設計資料庫來使用一基於個別特徵之CD表徵。圖7係圖解說明根據本發明之一第三實施方案之用於檢驗一EUV光罩之一程序之一流程圖。最初，在操作702中搜尋設計資料庫以定位用於CD量測之選定特徵。例如，使用一圖案辨識演算法或指定適當特徵之一預定義範本來定位一維線或空間特徵。
接著，可在操作706中獲得在檢驗/量測中之EUV光罩之一測試影像。可使用任何適合技術來獲得測試光罩之選定特徵之CD量測。在 一第一實例性方法中，在操作707中基於經預計算之同焦點臨限值自測試影像之每一選定特徵量測CD。圖6圖解說明使用一經預計算同焦點臨限值獲得來自一強度影像之一CD量測。此圖6展示使用一經預計算同焦點臨限值來量測一測試光罩區之一線特徵602之一CD 603。同焦點臨限值最小化CD量測對焦點之敏感度，且可依據不同焦點處之相同圖案之一組影像來預計算此臨限值。
如由用於光罩線特徵602之強度曲線606a及606b所展示，可針對檢驗工具上之不同焦點設定之線特徵602獲得不同組之強度值，舉例而言。儘管可相對於焦點設定向上或向下移位此線特徵602之強度值，存在其中不同強度曲線在可用以量測CD之兩個地方交叉之一同焦點臨限強度值。換言之，若沿著垂直於線特徵602之一線610在複數個位置處量測強度且同焦點臨限值係已知的，則可量測CD作為等於此同焦點臨限值之強度值點608a與608b之強度之間的位置距離612。因此，可自跨越測試光罩影像之線特徵(或其他類型之特徵)之強度值獲得跨越光罩之CD量測。
在如圖7之操作708中所展示之一第二方法中，可藉由以下操作來判定針對選定特徵之一CD量測：藉由調整表徵CD偏差之一單個模型參數而最小化基於設計資料之一經模型化參考影像與測試影像之間的差異。可將一可調整CD偏差應用至設計資料，且基於CD偏差之電流值使用最終模型來計算參考影像。參考影像係經預期以在實際CD偏差等於可調整CD偏差之假定值時用檢驗工具/顯微鏡觀察之影像。最小化參考影像與測試影像之間的差異之一範數之CD偏差之值可定義為CD偏差之最佳估計，例如，量測。在一項實施例中，可藉由將測試影像與參考影像之逐像素差異之平方求和來獲得影像之間的差異之範數。可使用李文柏格-馬誇特(Levenberg-Marquardt)演算法或高斯-牛頓(Gauss-Newton)演算法來計算最小化該範數之CD偏差。
不管如何自測試影像獲得CD量測，接著可在操作710中自CD量測產生一CDU圖譜。例如，針對跨越光罩之複數個選定特徵位置判定△CD/CD。亦可在操作712中基於預校正及後校正(光斑校正)設計資料(或基於其他技術)來產生一光斑CD圖譜。接著，可在操作714中自依據測試影像判定之CDU圖譜減去此校正CD圖譜以便判定不具有針對測試光罩之光斑補償之一CDU圖譜。
接著，可在操作716中判定光罩是否通過檢驗。若光罩通過檢驗，則可在操作720中使用該光罩同時基於CDU圖譜來校正劑量。否則，即在操作718中修復或摒棄該光罩。
在此最後方法中，不必獲取大區之重複圖案。因此，可使用邏輯(非重複)圖案來產生一CDU圖譜。另外，用於判定一CDU圖譜之此CD量測方法可係極準確的，此乃因針對執行CD量測或表徵起最佳作用之適合特徵選自設計資料庫。
本發明之技術可以硬體及/或軟體之任何適合組合來實施。圖8係其中可實施本發明之技術之一實例性檢驗系統800之一圖解性表示。檢驗系統800可自一檢驗工具或檢驗器(未展示)接收輸入802。該檢驗系統亦可包含用於散佈所接收輸入802之一資料散佈系統(例如，804a及804b)、用於處理所接收輸入802之特定部分/截圖之一強度信號(或截圖)處理系統(例如，截圖處理器與記憶體806a及806b)、用於產生一CDU圖譜之一CDU圖譜產生器系統(例如，CDU圖譜產生器處理器與記憶體812)、用於允許檢驗系統組件之間的通信之一網路(例如，交換式網路808)、一選用大容量儲存裝置816以及用於再檢測強度資料、CD量測及/或CDU圖譜之一或多個檢驗控制及/或再檢測站(例如，810)。檢驗系統800之每一處理器通常可包含一或多個微處理器積體電路且亦可含有介面及/或記憶體積體電路且另外可耦合至一或多個共用及/或全域記憶體裝置。
用於產生輸入資料802之檢驗資料獲取系統(未展示)可採取用於獲得一光罩之強度信號或影像之任何適合儀器(例如，如本文進一步闡述)之形式。舉例而言，該檢驗器可基於自光罩反射至一或多個光感測器之所偵測光之一部分來建構一光學影像或產生該光罩之一部分之強度值。接著，該檢驗器可輸出該等強度值或者可自該檢驗器輸出影像。
該檢驗器或檢驗工具可係可操作以在一入射光束跨越一光罩之每一截圖掃描時偵測及收集經反射光。如上所述，該入射光束可跨越各自包括複數個截圖之光罩刈幅掃描。回應於此入射光束而自每一截圖之複數個點或子區收集光。
該檢驗工具通常可係可操作以將此所偵測光轉換成對應於強度值之所偵測信號。所偵測信號可採取具有對應於光罩之不同位置處之不同強度值之振幅值之一電磁波形之形式。所偵測信號亦可採取強度值及相關聯光罩點座標之一簡單列表之形式。所偵測信號亦可採取具有對應於光罩上之不同位置或掃描點之不同強度值之一影像之形式。一光罩影像可係在掃描光罩之所有位置並將其轉換成所偵測信號之後產生，或一強度影像之部分可係在掃描整個光罩之後隨著最終強度影像完成而掃描每一光罩部分時產生。
在其他檢驗應用中，入射光或所偵測光可以任何適合入射角通過任何適合空間孔徑以產生任何入射或所偵測光剖面。以實例方式，可利用可程式化照明或偵測孔徑來產生一特定光束剖面，諸如雙極子、四極子、類星體、環形物等。在一特定實例中，可實施像素化照明技術。可程式化照明及專用孔徑可起到增強光罩上之某些圖案之特徵對比度之目的。
強度或影像資料802可由資料散佈系統經由網路808接收。該資料散佈系統可與用於保存所接收資料802之至少一部分之一或多個記 憶體裝置(諸如，RAM緩衝器)相關聯。較佳地，整個記憶體足夠大以保存一整個樣片之資料。舉例而言，1吉位元組之記憶體極適用於係1百萬×1000個像素或點之一樣片。
資料散佈系統(例如，804a及804b)亦可控制所接收輸入資料802之部分至處理器(例如，806a及806b)之散佈。舉例而言，資料散佈系統可將一第一截圖之資料路由至一第一截圖處理器806a，且可將一第二截圖之資料路由至截圖處理器806b。亦可將多個截圖之多組資料路由至每一截圖處理器。
該等截圖處理器可接收強度值或對應於該光罩之至少一部分之一影像(以及參考影像)。該等截圖處理器亦可各自耦合至諸如提供本端記憶體功能(諸如，保存所接收資料部分)之DRAM裝置之一或多個記憶體裝置(未展示)或與其整合在一起。較佳地，該記憶體足夠大以保存對應於該光罩之一截圖之資料。另一選擇係，該等截圖處理器可共用記憶體。一實例係英特爾(Intel)之多個CPU，其中每一核心充當一截圖處理器且諸多核心共用記憶體。
每一組輸入資料802可對應於該光罩之一刈幅。一或多組資料可儲存於該資料散佈系統之記憶體中。此記憶體可由該資料散佈系統內之一或多個處理器控制，且該記憶體可劃分成複數個分割區。舉例而言，該資料散佈系統可將對應於一刈幅之一部分之資料接收至一第一記憶體分割區(未展示)中，且該資料散佈系統可將對應於另一刈幅之另一資料接收至一第二記憶體分割區(未展示)中。較佳地，該資料散佈系統之該等記憶體分割區中之每一者僅保存欲路由至與此記憶體分割區相關聯之一處理器之資料之部分。舉例而言，該資料散佈系統之第一記憶體分割區可保存第一資料並將其路由至截圖處理器806a，且第二記憶體分割區可保存第二資料並將其路由至截圖處理器806b。
該資料散佈系統可基於資料之任何適合參數來定義並散佈資料 中之每一組資料。舉例而言，可基於該光罩上之截圖之對應位置來定義並散佈該資料。在一項實施例中，每一刈幅與一定範圍之對應於該刈幅內之像素之水平位置之行位置相關聯。舉例而言，該刈幅之行0至256可對應於一第一截圖，且此等行內之像素將包括路由至一或多個截圖處理器之第一影像或第一組強度值。同樣地，該刈幅之行257至512可對應於一第二截圖，且此等行中之像素將包括路由至不同截圖處理器之第二影像或第二組強度值。
檢驗設備可視域檢驗半導體裝置或晶圓及光學光罩以及EUV光罩或遮罩。一種適合之檢驗工具係可自美國加州Milpitas之KLA-Tencor購得之TeronTM光罩檢驗工具。可使用本發明之檢驗設備檢驗或成像之一個類型之樣本包含諸如一平板顯示器之任何表面。
一檢驗工具可包含：至少一個光源，其用於產生一入射光束；照明光學器件，其用於將該入射光束引導至一樣本上；收集光學器件，其用於引導回應於該入射光束而自該樣本發射之一輸出光束；一感測器，其用於偵測該輸出光束且產生針對該輸出光束之一影像或信號；及一控制器，其用於控制該檢驗工具之組件且促進如本文中進一步闡述之CDU圖譜產生技術。
在以下例示性檢驗系統中，該入射光束可係呈同調光之任何適合形式。另外，可使用任何適合透鏡配置來將該入射光束引導朝向該樣本且將自該樣本散發之輸出光束引導朝向一偵測器。該輸出光束可係自該樣本反射或散射或者投射穿過該樣本。對於EUV光罩檢驗，該輸出光束係自該樣本反射。同樣地，可使用任何適合偵測器類型或任何數目個偵測元件來接收輸出光束且基於所接收輸出光束之特性(例如，強度)來提供一影像或一信號。
圖9係其中可實施本發明之技術之一光學檢驗工具之某些元件之一圖解性表示。一系統900包含適於一EUV光罩之檢驗之一光源902。 一光源之一個實例係一準連續波雷射。在某些實施例中，一光源通常可提供高脈衝重複率、低雜訊、高功率、穩定性、可靠性及可延續性。注意，當一EUV掃描器在13.5nm波長下操作時，用於一EUV光罩之一檢驗工具不必在相同波長下操作。在193nm下操作之來自KLA-Tencor之一TeronTM系統已被證實能夠檢驗EUV光罩。
一光源可包含：一光束轉向裝置，其用於進行精確光束定位；及一光束調節裝置，其可用以提供光級控制、斑駁雜訊減少及高光束均勻性。光束轉向及/或光束調節裝置可係來自(舉例而言)一雷射之單獨實體裝置。
一檢驗系統包含用於將一照明光束聚焦至所檢驗表面912上之一光學元件集合。為簡便起見，圖9僅圖解說明一聚光透鏡904、一成像透鏡908、一偵測器透鏡913及一分束器906。然而，熟習此項技術者將理解，一檢驗系統可包含達成特定檢驗功能所需要之其他光學元件。成像透鏡908可係相對大以滿足特定低像差要求。成像透鏡可調整至不同像素大小，例如，針對每一像素小於約100nm，或更特定而言，小於約75nm或甚至小於60nm。
樣本910亦可放置於檢驗系統900之一載台(未標示)上，且檢驗系統900亦可包含用於使載台(及樣本)相對於入射光束移動之一定位機構。以實例方式，一或多個馬達機構可各自由一螺桿驅動器與步進機馬達、具有回饋位置之線性驅動器或帶式致動器與步進機馬達形成。
在入射光束照在樣本910上之後，該光接著可以「輸出光」或「輸出光束」之形式自樣本910反射及散射。該檢驗系統亦包含用於將輸出光引導朝向一或多個偵測器之任何適合透鏡配置。如所展示，可由一偵測器914接收一所反射光束。在某些實施例中，該偵測器係一時間延遲積分(TDI)偵測器。一典型TDI偵測器累積所檢驗表面之相同區之多次曝光，從而有效地增加可用以收集入射光之積分時間。使 物件運動與曝光同步以確保一起波紋影像。一般而言，一偵測器可包含變換器、收集器、電荷耦合裝置(CCD)或其他類型之輻射感測器。
圖9展示其中相對於所檢驗表面以一實質上法線角將一照明光束引導朝向樣本表面912之一實例。在其他實施例中，可以一斜角引導一照明光束，此允許照明光束與所反射光束之分離。在此等實施例中，可將一衰減器定位於所反射光束路徑上以便使所反射光束之一零級分量在到達一偵測器之前衰減。此外，可將一成像孔徑定位於所反射光束路徑上以使所反射光束之零級分量之相位移位。
一偵測器通常與一處理器系統916耦合或更通常耦合至一信號處理裝置，該信號處理裝置可包含經組態以將來自偵測器914之類比信號轉換至數位信號以供處理之一類比轉數位轉換器。處理器系統916可經組態以分析一或多個所反射光束之強度、相位及/或其他特性。處理器系統916可經組態(例如，藉助程式化指令)以提供用於顯示一所得測試影像及其他檢驗特性之一使用者介面(例如，在一電腦螢幕)。處理器系統916亦可包含用於提供輸入之一或多個輸入裝置(例如，一鍵盤、滑鼠、操縱桿)。處理器系統916亦可與載台910耦合以用於控制(舉例而言)一樣本位置(例如，聚焦及掃描)及檢驗系統元件之其他檢驗參數及組態。在某些實施例中，處理器系統916經組態以實施上文詳述之檢驗技術。處理器系統910通常具有經由適當匯流排或其他通信機構耦合至輸入/輸出埠及一或多個記憶體之一或多個處理器。
由於此等資訊及程式指令可在一經特別組態之電腦系統上實施，因而此一系統包含可儲存於一電腦可讀媒體上之用於執行本文中所闡述之各種操作之程式指令/電腦程式碼。機器可讀媒體之實例包含(但不限於)磁性媒體，諸如硬磁碟、軟磁碟及磁帶；光學媒體，諸如CD-ROM磁碟；磁光媒體，諸如光碟；及經特別組態以儲存並執行 程式指令之硬體裝置，諸如唯讀記憶體裝置(ROM)及隨機存取記憶體(RAM)。程式指令之實例包含諸如由一編譯器產生之機構程式碼及含有可由電腦使用一解譯器來執行之更高階程式碼之檔案兩者。
應注意，以上說明及圖式不應被視為對該系統之特定組件之一限制且該系統可以諸多其他形式體現。舉例而言，本發明預計，檢驗或量測工具可具有來自經配置而用於偵測缺陷及/或解析一光罩或晶圓之特徵之臨界態樣之任何數目個已知成像或計量工具之任何適合特徵。以實例方式，一檢驗或量測工具可經調適用於亮場成像顯微術、暗場成像顯微術、全天空成像顯微術、相位對比顯微術、偏光對比顯微術及同調探針顯微術。本發明亦預計，可使用單影像或多影像方法來擷取目標之影像。此等方法包含(舉例而言)單取、雙取、單取同調探針顯微術(CPM)及雙取CPM方法。諸如散射測量等非成像光學方法亦可視為檢驗或計量設備之形成部分。
儘管出於清楚理解之目的已相當詳細地闡述了上述發明，但應瞭解，可在隨附申請專利範圍之範疇內實踐某些改變及修改。應注意，存在實施本發明之處理程序、系統及設備之諸多替代方式。舉例而言，可自一透射、反射光束或一組合輸出光束獲得缺陷偵測特性資料。因此，本發明實施例應被視為說明性的而非限制性的，且本發明並不限於本文中給出之細節。

Claims (26)

  1. 一種使用一檢驗工具檢驗一極紫外光(EUV)光罩之方法，該方法包括：藉助該檢驗工具自一EUV測試光罩獲得一測試影像或信號，其中該測試影像或信號指定跨越該EUV測試光罩之一強度變化；將該測試影像或信號之該強度變化轉換至跨越該EUV測試光罩之一臨界尺寸(CD)變化以便產生一臨界尺寸均勻性(CDU)圖譜，其中該CDU圖譜係藉由移除源自用於製作此EUV測試光罩之設計資料之一校正CD變化而產生且此校正CD變化經設計以在一光微影處理程序期間補償跨越一光微影工具之一視域(FOV)存在之差異；及將該CDU圖譜儲存於一或多個記憶體裝置中或將該CDU圖譜顯示於一顯示裝置上。
  2. 如請求項1之方法，其中在將光斑校正或方位角CD變化引入至用於此EUV測試光罩之該設計資料以便補償跨越該FOV之光斑或方位角差異之前相對於設計者之意圖而產生該CDU圖譜。
  3. 如請求項1之方法，其中產生該CDU圖譜以便考量垂直或水平特徵偏差。
  4. 如請求項1之方法，其中藉助該檢驗工具在一深紫外光(DUV)波長下獲得該測試影像。
  5. 如請求項1之方法，其中藉由以下各項來產生該CDU圖譜：基於用於該EUV測試光罩之該設計資料來判定用於在強度變化與CD變化之間轉換之一轉換因子；將該測試影像之該強度變化轉換成用於此測試影像之一CD變化；基於該設計資料來判定該校正CD變化；及自用於該測試影像之該CD變化減去該校正CD變化以產生該CDU圖譜。
  6. 如請求項5之方法，其中藉由以下操作來判定該轉換因子：藉由對該設計資料應用一模型以便模型化自此設計資料對一光罩模型之建構且模型化此光罩模型之檢驗以產生實質上匹配該測試影像之一參考影像來執行嚴密電磁模擬。
  7. 如請求項6之方法，其中該測試影像之該CD變化相對於此EUV光罩之一全域平均或主導CD值指定該EUV光罩之複數個位置中之每一者之一主導或平均CD值。
  8. 如請求項7之方法，其中該轉換因子採取相關聯之強度及CD變化值之一表格之形式。
  9. 如請求項1之方法，其中藉由判定預校正設計資料與後校正設計資料之間的一CD差異來判定該校正CD變化。
  10. 如請求項1之方法，其中藉由以下各項來產生該CDU圖譜：基於用於一樣本光罩之該設計資料及自此樣本光罩獲得之一樣本影像來預計算用於在強度變化與CD變化之間轉換之一轉換因子；使用該經預計算之轉換因子來將該EUV測試光罩之該測試影像之該強度變化轉換成用於此測試影像之一CD變化以便產生一第一CDU圖譜；使該第一CDU圖譜與一光斑校正CD變化圖譜擬合；及自用於該測試影像之該第一CDU圖譜減去該光斑校正CD變化圖譜以產生一第二CDU圖譜。
  11. 如請求項10之方法，其進一步包括在不計算用於複數個後續EUV測試光罩之另一轉換因子之情況下，基於該經預計算之轉換因子而針對此等後續EUV測試光罩重複用於轉換、擬合及減去之該等操作。
  12. 如請求項10之方法，其中藉由最小化等於Σx,y[△CD(x,y)/CD(x,y)-f(coeff,F(x,y))]2之一總和來執行該擬合操作，其中該總和係在該第一CDU圖譜之若干點上取得，該第一CDU圖譜由△CD(x,y)/CD(x,y)表示且f(coeff,F(x,y))係F之一多項式，且其中F(x,y)係藉由計算一圖案密度圖譜且迴旋運算此圖案密度圖譜與一點擴散函數而估計之光斑強度之一圖譜，且其中f(coeff,F(x,y))係針對該光斑強度之一CD補償之估計。
  13. 如請求項1之方法，其中藉由以下各項來產生該CDU圖譜：基於用於該EUV測試光罩之該設計資料來識別用於CD量測之選定特徵；藉由量測該測試影像中之該等選定特徵之同焦點臨限強度點之間的一距離或藉由在使表徵CD偏差之一單個參數浮動之同時最小化自該設計資料產生之一經模擬參考影像與該測試影像之間的一差異來量測該等選定特徵之CD；基於該所量測CD來判定CD變化；基於該設計資料來判定該校正CD變化；及自用於該測試影像之該CD變化減去該校正CD變化以產生該CDU圖譜。
  14. 一種用於檢驗一EUV光罩之檢驗系統，其包括：一光源，其用於產生一入射光束；一照明光學器件模組，其用於將該入射光束引導至一EUV光罩上；一收集光學器件模組，其用於引導回應於該入射光束而自該EUV光罩反射之一輸出光束；一感測器，其用於偵測該輸出光束且產生針對該輸出光束之一影像或信號；及一控制器，其經組態以執行以下操作：回應於該入射光束而自一EUV測試光罩獲得一測試影像或信號，其中該測試影像或信號指定跨越該EUV測試光罩之一強度變化；將該測試影像或信號之該強度變化轉換至跨越該EUV測試光罩之一臨界尺寸(CD)變化以便產生一臨界尺寸均勻性(CDU)圖譜，其中該CDU圖譜係藉由移除源自用於製作此EUV測試光罩之設計資料之一校正CD變化而產生且此校正CD變化經設計以在一光微影處理程序期間補償跨越一光微影工具之一視域(FOV)存在之差異；及將該CDU圖譜儲存於一或多個記憶體裝置中或將該CDU圖譜顯示於一顯示裝置上。
  15. 如請求項14之系統，其中在將光斑校正或方位角CD變化引入至用於此EUV測試光罩之該設計資料以便補償跨越該FOV之光斑或方位角差異之前相對於設計者之意圖而產生該CDU圖譜。
  16. 如請求項14之系統，其中該CDU圖譜經產生以便考量垂直或水平特徵偏差。
  17. 如請求項14之系統，其中藉助該檢驗系統在一深紫外光(DUV)波長下獲得該測試影像。
  18. 如請求項14之系統，其中藉由以下各項來產生該CDU圖譜：基於用於該EUV測試光罩之該設計資料來判定用於在強度變化與CD變化之間轉換之一轉換因子；將該測試影像之該強度變化轉換成用於此測試影像之一CD變化；基於該設計資料來判定該校正CD變化；及自用於該測試影像之該CD變化減去該校正CD變化以產生該CDU圖譜。
  19. 如請求項18之系統，其中藉由以下操作來判定該轉換因子：藉由對該設計資料應用一模型以便模型化自此設計資料對一光罩模型之建構且模型化此光罩模型之檢驗以產生實質上匹配該測試影像之一參考影像來執行嚴密電磁模擬。
  20. 如請求項19之系統，其中該測試影像之該CD變化相對於此EUV光罩之一全域平均或主導CD值指定該EUV光罩之複數個位置中之每一者之一主導或平均CD值。
  21. 如請求項20之系統，其中該轉換因子採取相關聯之強度及CD變化值之一表格之形式。
  22. 如請求項18之系統，其中藉由判定預校正設計資料與後校正設計資料之間的一CD差異來判定該校正CD變化。
  23. 如請求項14之系統，其中藉由以下各項來產生該CDU圖譜：基於用於一樣本光罩之該設計資料及自此樣本光罩獲得之一樣本影像來預計算用於在強度變化與CD變化之間轉換之一轉換因子；使用該經預計算之轉換因子來將該EUV測試光罩之該測試影像之該強度變化轉換成用於此測試影像之一CD變化以便產生一第一CDU圖譜；使該第一CDU圖譜與一光斑校正CD變化圖譜擬合；及自用於該測試影像之該第一CDU圖譜減去該光斑校正CD變化圖譜以產生一第二CDU圖譜。
  24. 如請求項23之系統，其進一步包括在不計算用於複數個後續FUV測試光罩之另一轉換因子之情況下，基於該經預計算之轉換因子而針對此等後續EUV測試光罩重複用於轉換、擬合及減去之該等操作。
  25. 如請求項23之系統，其中藉由最小化等於Σx,y[△CD(x,y)/CD(x,y)-f(coeff,F(x,y))]2之一總和來執行該擬合操作，其中該總和係在該第一CDU圖譜之若干點上取得，該第一CDU圖譜由△CD(x,y)/CD(x,y)表示且f(coeff,F(x,y))係F之一多項式，且其中F(x,y)係藉由計算一圖案密度圖譜且迴旋運算此圖案密度圖譜與一點擴散函數而估計之光斑強度之一圖譜，且其中f(coeff,F(x,y))係針對該光斑強度之一CD補償之估計。
  26. 如請求項14之系統，其中藉由以下各項來產生該CDU圖譜：基於用於該EUV測試光罩之該設計資料來識別用於CD量測之選定特徵；藉由量測該測試影像中之該等選定特徵之同焦點臨限強度點之間的一距離或藉由在使表徵CD偏差之一單個參數浮動之同時最小化自該設計資料產生之一經模擬參考影像與該測試影像之間的一差異來量測該等選定特徵之CD；基於該所量測CD來判定CD變化；基於該設計資料來判定該校正CD變化；及自用於該測試影像之該CD變化減去該校正CD變化以產生該CDU圖譜。
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