TWI615992B - 太陽能電池之製造方法 - Google Patents

太陽能電池之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI615992B
TWI615992B TW104141443A TW104141443A TWI615992B TW I615992 B TWI615992 B TW I615992B TW 104141443 A TW104141443 A TW 104141443A TW 104141443 A TW104141443 A TW 104141443A TW I615992 B TWI615992 B TW I615992B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
electrode
germanium substrate
copper
passivation layer
Prior art date
Application number
TW104141443A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201721900A (zh
Inventor
賴光傑
莊佳智
王建竣
Original Assignee
茂迪股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 茂迪股份有限公司 filed Critical 茂迪股份有限公司
Priority to TW104141443A priority Critical patent/TWI615992B/zh
Publication of TW201721900A publication Critical patent/TW201721900A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI615992B publication Critical patent/TWI615992B/zh

Links

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

一種太陽能電池的製造方法，包含：提供一矽基板，該矽基板具有一第一表面以及相對於該第一表面的一第二表面；於該矽基板的第一表面上形成一射極，其中該射極與該矽基板的摻雜類型不同，以藉此形成p-n接面；於該矽基板的第一表面上形成一第一鈍化層；於該矽基板的第二表面上形成一第二鈍化層；形成該第一鈍化層與該第二鈍化層之後，對該矽基板實施熱退火處理；實施該熱退火處理之後，於該第一鈍化層上開口並電鍍形成一第一電極；以及實施該熱退火處理之後，於該第二鈍化層上開口並電鍍形成一第二電極。

Description

太陽能電池之製造方法
本發明是有關於一種半導體元件的製造方法，更特別是有關於一種太陽能電池的製造方法。
在石化能源短缺以及能源需求量與日俱增的情況下，再生能源(Renewable energy)的開發成為近年來非常重要的課題之一。再生能源泛指永續且無污染的天然能源，例如太陽能、風能、水利能、潮汐能或是生質能等，其中太陽能的開發更是近幾年來在能源開發的研究上相當重要且受歡迎的一環，而太陽能電池則是一種能夠將太陽能轉換為電能之裝置。
已知的矽晶太陽能電池主要包含有：一用於將光能轉換成電能的基板，以及用於傳導電流的一正面電極與一背面電極。前述正面電極與背面電極在製造上可透過網版印刷方式將電極漿料塗佈於基板的受光面與背面上，並經過燒結製程使電極漿料固化成型於基板上。
一般來說，電極漿料係由多種物質所組成，包括有金屬粉末、玻璃粉末以及溶劑等。然而，玻璃為不導電的材料，多少會影響電極的電性。另外，燒結製程需要較高的溫度來實行，容易造成一些金屬離子擴散至電池元件的內部，因此影響了太陽能電池的性能。
有鑑於此，便有需要提出一種方案，以解決上述問題。
本發明提供一種太陽能電池的製造方法，包含：提供一矽基板，該矽基板具有一第一表面以及相對於該第一表面的一第二表面；於該矽基板的第一表面上形成一射極，其中該射極與該矽基板的摻雜類型不同，以藉此形成p-n接面；於該矽基板的第一表面上形成一第一鈍化層；於該矽基板的第二表面上形成一第二鈍化層；形成該第一鈍化層與該第二鈍化層之後，對該矽基板實施熱退火處理；實施該熱退火處理之後，於該第一鈍化層上開口並電鍍形成一第一電極；以及實施該熱退火處理之後，於該第二鈍化層上開口並電鍍形成一第二電極。
根據本發明之太陽能電池的製造方法，其中電極的形成係由傳統銀鋁漿製程改為金屬電鍍的方式，如此可使用較低溫製程，形成良好的金屬接觸；同時亦不會因製程溫度過高，造成金屬離子擴散至電池元件內部，導致開路電壓下降。
根據本發明之太陽能電池的製造方法，其中熱退火製程中的高溫可以讓鈍化層中的缺陷得以修補，提升了鈍化品質及效果，因此可有效改善開路電壓值。再者，熱退火製程中的高溫可讓矽基板中的缺陷修補，來改善整個電池元件的性能。此外，熱退火製程中的高溫也可讓鈍化層中的氫離子得以擴散至矽基板，藉此來修補矽基板中的缺陷，提升電池元件的性能。
為了讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯，下文將配合所附圖示，詳細說明如下。此外，於本發明之說明中，相同之構件係以相同之符號表示，於此先述明。
請參照圖1a至圖1f，其顯示本發明第一實施例之太陽能電池的製造方法。首先，提供一個單晶或多晶的矽基板110，該矽基板110的摻雜類型可為N型或P型，該矽基板110具有一經粗糙化的受光面111以及相對於該受光面111的一背面112（請參見圖1a）。
請參見圖1b，之後在矽基板110的受光面111上形成一與矽基板110不同摻雜類型的P+或N+之射極120，以形成p-n接面(p-n junction)，並且在矽基板110的背面112上形成一與矽基板110相同摻雜類型的N+或P+之背面電場(Back Surface Field; BSF)180。
請參見圖1c，接著在射極120上形成一鈍化層130，並於背面電場180上形成一鈍化層140。此外，請參照圖2a，於一實施方式中，若矽基板110為N型矽基板，則射極120將為P+射極，此時鈍化層130係具有三層結構，包含有一氧化矽(SiO2)層131、一氧化鋁(Al2O3)層132以及一氮化矽(SiNx)層133，其中氧化矽層131係先形成於射極120上，接著氧化鋁層132形成於氧化矽層131上，之後氮化矽層133形成於氧化鋁層132上，亦即氧化矽層131、氧化鋁層132及氮化矽層133係依序形成於射極120上。此外，請參照圖2b，若矽基板110為N型矽基板，則背面電場180將為N+背面電場，此時鈍化層140係具有二層結構，包含有一氧化矽(SiO2)層141以及一氮化矽(SiNx)層142，且氧化矽層141與氮化矽層142之間未形成有氧化鋁(Al2O3)層，其中氧化矽層141係先形成於背面電場180上，之後氮化矽層142形成於氧化矽層141上，亦即氧化矽層141及氮化矽層142係依序形成於背面電場180上。
請參照圖3a，於另一實施方式中，若矽基板110為P型矽基板，則射極120將為N+射極，此時鈍化層130係具有二層結構，包含有一氧化矽(SiO2)層134以及一氮化矽(SiNx)層135，且氧化矽層134與氮化矽層135之間未形成有氧化鋁(Al2O3)層，其中氧化矽層134係先形成於射極120上，之後氮化矽層135形成於氧化矽層134上，亦即氧化矽層134及氮化矽層135係依序形成於射極120上。此外，請參照圖3b，若矽基板110為P型矽基板，則背面電場180將為P+背面電場，此時鈍化層140係具有三層結構，包含有一氧化矽(SiO2)層144、一氧化鋁(Al2O3)層145以及一氮化矽(SiNx)層146，其中氧化矽層144係先形成於背面電場180上，接著氧化鋁層145形成於氧化矽層144上，之後氮化矽層146形成於氧化鋁層145上，亦即氧化矽層144、氧化鋁層145及氮化矽層146係依序形成於背面電場180上。
請參見圖1d，在鈍化層130及鈍化層140形成之後，接著對整個矽基板110連同其上的結構進行熱退火(thermal annealing)處理。進行熱退火處理的方法，係可將矽基板110放置在設有加熱源的爐子內，加熱使矽基板110所處的環境溫度逐漸上升，例如使溫度由580℃上升至910℃，時間持續1至2分鐘。較佳的熱退火處理方式是，讓矽基板110依序通過溫度為580℃、620℃、737℃、695℃、813℃以及910℃的爐子，以得到較佳的處理效果。
請參見圖1e，在熱退火處理之後，係於鈍化層130與鈍化層140上形成開口138、148，以分別裸露出部分的射極120與部分的背面電場180。之後，利用無電電鍍或物理氣相沈積法(Physical Vapor Deposition; PVD)等方式，在鈍化層140上形成一種子層150，該種子層150包含鎳或鈦，其中種子層150係填滿開口148並連接到背面電場180，使種子層150能夠與背面電場180電性連接。在種子層150形成之後，接著利用電鍍方式於種子層150上形成一電極160。於一實施方式中，種子層150係具有二層結構（圖中未標示），包含有一鎳層及一銅層，或者包含一鈦層及一銅層，其中鎳層或鈦層係先形成於鈍化層140上，而後銅層才形成在鎳層或鈦層上，亦即種子層150係為鎳/銅或鈦/銅結構。同樣地，以電鍍方式形成的電極160亦具有二層結構（圖中未標示），包含有一銅層及一錫層，或者包含一銅層及一銀層，其中銅層係先形成並電性連接於種子層150，而後錫層或銀層才形成在銅層上，亦即電極160係為銅/錫或銅/銀結構。
請參見圖1f，在電極160形成之後，係於開口138處以電鍍方式形成一電極170，該電極170係通過開口138與射極120電性連接。於一實施方式中，電極170具有二層結構（圖中未標示），包含有一鎳層及一銅層，或者包含一鈦層及一銅層，其中鎳層或鈦層係先形成於射極120上，而後銅層才形成在鎳層或鈦層上，亦即電極170係為鎳/銅或鈦/銅結構。於一實施方式中，可基於前述電極170的鎳/銅或鈦/銅結構，再形成一錫層或銀層於該銅層上，以免銅層產生氧化，進而導致電極170的導電性下降。圖1f亦繪示出利用本發明第一實施例之太陽能電池的製造方法所製造出的太陽能電池。
根據本發明第一實施例之太陽能電池的製造方法，係於鈍化層130和鈍化層140形成之後，對矽基板110連同鈍化層130和鈍化層140進行熱退火處理。在熱退火處理之後，則利用電鍍方式形成電性連接於射極120和背面電場180之電極170與電極160。
請參照圖4a至圖4f，其顯示本發明第二實施例之太陽能電池的製造方法。首先，提供一個單晶或多晶的矽基板210，該矽基板210的摻雜類型可為N型或P型，該矽基板210具有一經粗糙化的受光面211以及相對於該受光面211的一背面212（請參見圖4a）。
請參見圖4b，之後在矽基板210的背面212上形成一與矽基板210不同摻雜類型的P+或N+之射極220，以形成p-n接面(p-n junction)，並且在矽基板210的正面211上形成一與矽基板210相同摻雜類型的N+或P+之正面電場(Front Surface Field; FSF)280。
請參見圖4c，接著在正面電場280上形成一鈍化層230，並於射極220上形成一鈍化層240。此外，請參照圖5b，於一實施方式中，若矽基板210為N型矽基板，則射極220將為P+射極，此時鈍化層240係具有三層結構，包含有一氧化矽(SiO2)層244、一氧化鋁(Al2O3)層245以及一氮化矽(SiNx)層246，其中氧化矽層244係先形成於射極220上，接著氧化鋁層245形成於氧化矽層244上，之後氮化矽層246形成於氧化鋁層245上，亦即氧化矽層244、氧化鋁層245及氮化矽層246係依序形成於射極220上。此外，請參照圖5a，若矽基板210為N型矽基板，則正面電場280將為N+正面電場，此時鈍化層230係具有二層結構，包含有一氧化矽(SiO2)層234以及一氮化矽(SiNx)層235，且氧化矽層234與氮化矽層235之間未形成有氧化鋁(Al2O3)層，其中氧化矽層234係先形成於正面電場280上，之後氮化矽層235形成於氧化矽層234上，亦即氧化矽層234及氮化矽層235係依序形成於正面電場280上。
請參照圖6b，於另一實施方式中，若矽基板210為P型矽基板，則射極220將為N+射極，此時鈍化層240係具有二層結構，包含有一氧化矽(SiO2)層241以及一氮化矽(SiNx)層242，且氧化矽層241與氮化矽層242之間未形成有氧化鋁(Al2O3)層，其中氧化矽層241係先形成於射極220上，之後氮化矽層242形成於氧化矽層241上，亦即氧化矽層241及氮化矽層242係依序形成於射極220上。此外，請參照圖6a，若矽基板210為P型矽基板，則正面電場280將為P+正面電場，此時鈍化層230係具有三層結構，包含有一氧化矽(SiO2)層231、一氧化鋁(Al2O3)層232以及一氮化矽(SiNx)層233，其中氧化矽層231係先形成於正面電場280上，接著氧化鋁層232形成於氧化矽層231上，之後氮化矽層233形成於氧化鋁層232上，亦即氧化矽層231、氧化鋁層232及氮化矽層233係依序形成於正面電場280上。
請參見圖4d，在鈍化層230及鈍化層240形成之後，接著對整個矽基板210連同其上的結構進行熱退火處理。進行熱退火處理的方法，係可將矽基板210放置在設有加熱源的爐子內，加熱使溫度逐漸上升，例如使溫度由580℃上升至910℃，時間持續1至2分鐘。較佳的熱退火處理方式是，讓矽基板210依序通過溫度為580℃、620℃、737℃、695℃、813℃以及910℃的爐子，以得到較佳的處理效果。
請參見圖4e，在熱退火處理之後，係於鈍化層230與鈍化層240上形成開口238、248，以分別裸露出部分的正面電場280與部分的射極220。之後，利用無電電鍍或物理氣相沈積法等方式，在鈍化層240上形成一種子層250，該種子層250包含鎳或鈦，其中種子層250係填滿開口248並連接到射極220，使種子層250能夠與射極220電性連接。在種子層250形成之後，接著利用電鍍方式於種子層250上形成一電極260。於一實施方式中，種子層250係具有二層結構（圖中未標示），包含有一鎳層及一銅層，或者包含一鈦層及一銅層，其中鎳層或鈦層係先形成於鈍化層240上，而後銅層才形成在鎳層或鈦層上，亦即種子層250係為鎳/銅或鈦/銅結構。同樣地，以電鍍方式形成的電極260亦具有二層結構（圖中未標示），包含有一銅層及一錫層，或者包含一銅層及一銀層，其中銅層係先形成並電性連接於種子層250，而後錫層或銀層才形成在銅層上，亦即電極260係為銅/錫或銅/銀結構。
請參見圖4f，在電極260形成之後，係於開口238處以電鍍方式形成一電極270，該電極270通過開口238與正面電場280電性連接。於一實施方式中，電極270具有二層結構（圖中未標示），包含有一鎳層及一銅層，或者包含一鈦層及一銅層，其中鎳層或鈦層係先形成於正面電場280上，而後銅層才形成在鎳層或鈦層上，亦即電極270係為鎳/銅或鈦/銅結構。於一實施方式中，可基於前述電極270的鎳/銅或鈦/銅結構，再形成一錫層或銀層於該銅層上，以免銅層產生氧化，進而導致電極270的導電性下降。圖4f亦繪示出利用本發明第二實施例之太陽能電池的製造方法所製造出的太陽能電池。
根據本發明第二實施例之太陽能電池的製造方法，係於鈍化層230和鈍化層240形成之後，對矽基板210連同鈍化層230和鈍化層240進行熱退火處理。在熱退火處理之後，則利用電鍍方式形成電性連接於射極220和正面電場280之電極260與電極270。
根據本發明之太陽能電池的製造方法，其中射極能夠形成在矽基板的受光面或背面上。若射極形成在矽基板的受光面，則矽基板的背面將形成有背面電場；若射極形成在矽基板的背面，則矽基板的受光面將形成有正面電場。當矽基板為N型時且射極為P+射極時，則覆蓋在射極上的鈍化層係具有三層結構，亦即包含有氧化矽層、氧化鋁層及氮化矽層，且覆蓋在正面電場或背面電場的另一鈍化層則具有二層結構，亦即包含有氧化矽層及氮化矽層，且氧化矽層與氮化矽層之間未形成有氧化鋁層。若矽基板為P型時且射極為N+射極時，則覆蓋在射極上的鈍化層係具有二層結構，亦即包含有氧化矽層及氮化矽層，且氧化矽層與氮化矽層之間未形成有氧化鋁層，而覆蓋在正面電場或背面電場的另一鈍化層則具有三層結構，亦即包含有氧化矽層、氧化鋁層及氮化矽層。
根據本發明之太陽能電池的製造方法，其中電極的形成係由傳統銀鋁漿製程改為金屬電鍍的方式，如此可使用較低溫製程，形成良好的金屬接觸；同時亦不會因製程溫度過高，造成金屬離子擴散至電池元件內部，導致開路電壓Voc下降。
根據本發明之太陽能電池的製造方法，其中熱退火製程係需要在金屬電極形成之前實施，以避免製程中的高溫影響了金屬電極，產生不利的結果。熱退火製程中的高溫可以讓鈍化層中的缺陷得以修補，提升了鈍化品質及效果，因此可有效改善開路電壓值。再者，熱退火製程中的高溫可讓矽基板中的缺陷修補，以改善整個電池元件的性能。此外，熱退火製程中的高溫也可讓鈍化層中的氫離子得以擴散至矽基板，藉此來修補矽基板中的缺陷，提升電池元件的性能。
雖然本發明已以前述實例揭示，然其並非用以限定本發明，任何本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與修改。因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
110‧‧‧矽基板
111‧‧‧受光面
112‧‧‧背面
120‧‧‧射極
130‧‧‧鈍化層
131‧‧‧氧化矽層
132‧‧‧氧化鋁層
133‧‧‧氮化矽層
134‧‧‧氧化矽層
135‧‧‧氮化矽層
138‧‧‧開口
140‧‧‧鈍化層
141‧‧‧氧化矽層
142‧‧‧氮化矽層
144‧‧‧氧化矽層
145‧‧‧氧化鋁層
146‧‧‧氮化矽層
148‧‧‧開口
150‧‧‧種子層
160‧‧‧電極
170‧‧‧電極
180‧‧‧背面電場
210‧‧‧矽基板
211‧‧‧受光面
212‧‧‧背面
220‧‧‧射極
230‧‧‧鈍化層
231‧‧‧氧化矽層
232‧‧‧氧化鋁層
233‧‧‧氮化矽層
234‧‧‧氧化矽層
235‧‧‧氮化矽層
238‧‧‧開口
240‧‧‧鈍化層
241‧‧‧氧化矽層
242‧‧‧氮化矽層
244‧‧‧氧化矽層
245‧‧‧氧化鋁層
246‧‧‧氮化矽層
248‧‧‧開口
250‧‧‧種子層
260‧‧‧電極
270‧‧‧電極
280‧‧‧正面電場
圖1a至圖1f是繪示本發明第一實施例之太陽能電池的製造方法。 圖2a為圖1c之A部分的局部放大圖。 圖2b為圖1c之B部分的局部放大圖。 圖3a為圖1c之A部分的局部放大圖。 圖3b為圖1c之B部分的局部放大圖。 圖4a至圖4f是繪示本發明第二實施例之太陽能電池的製造方法。 圖5a為圖4c之C部分的局部放大圖。 圖5b為圖4c之D部分的局部放大圖。 圖6a為圖4c之C部分的局部放大圖。 圖6b為圖4c之D部分的局部放大圖。

Claims (10)

  1. 一種太陽能電池的製造方法，包含：提供一矽基板，該矽基板具有一第一表面以及相對於該第一表面的一第二表面；於該矽基板的第一表面上形成一射極，其中該射極與該矽基板的摻雜類型不同，以藉此形成p-n接面(p-n junction)；於該矽基板的第一表面上形成一第一鈍化層；於該矽基板的第二表面上形成一第二鈍化層；形成該第一鈍化層與該第二鈍化層之後，對該矽基板實施熱退火處理；實施該熱退火處理之後，於該第一鈍化層上開口並電鍍形成一第一電極；以及實施該熱退火處理之後，於該第二鈍化層上開口並電鍍形成一第二電極。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池的製造方法，其中實施熱退火處理之步驟包含：將該矽基板所處的環境溫度由580℃上升至910℃，時間持續1至2分鐘。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之太陽能電池的製造方法，其中將該矽基板所處的環境溫度由580℃上升至910℃之步驟包含：將該矽基板所處的環境溫度依照580℃、620℃、737℃、695℃、813℃及910℃的順序改變。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池的製造方法，其中該矽基板為N型矽基板，該第一鈍化層包含有一第一氧化矽層、一第一氧化鋁層及一第一氮化矽層，依序形成在該矽基板的第一表面上，該第二鈍化層包含有一第二氧化矽層及一第二氮化矽層，依序形成在該矽基板的第二表面上，且該第二鈍化層未形成有一氧化鋁層。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池的製造方法，其中該矽基板為P型矽基板，該第一鈍化層包含有一第一氧化矽層及一第一氮化矽層，依序形成在該矽基板的第一表面上，且該第一鈍化層未形成有一氧化鋁層，該第二鈍化層包含有一第二氧化矽層、一第二氧化鋁層及一第二氮化矽層，依序形成在該矽基板的第二表面上。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池的製造方法，其中該第一表面為該矽基板的受光面，該第一電極的形成晚於該第二電極的形成，以及該第二鈍化層開口後先形成一種子層於該矽基板的第二表面上，再形成該第二電極於該種子層上。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之太陽能電池的製造方法，其中該第一電極具有鎳/銅/錫、鎳/銅/銀、鈦/銅/錫或鈦/銅/銀其中之一的結構；以及該第二電極具有銅/錫或銅/銀其中之一的結構。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池的製造方法，其中該第二表面為該矽基板的受光面，該第二電極的形成晚於該第一電極的形成，以及該第一鈍化層開口後先形成一種子層於該矽基板的第一表面上，再形成該第一電極於該種子層上。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之太陽能電池的製造方法，其中該第二電極具有鎳/銅/錫、鎳/銅/銀、鈦/銅/錫或鈦/銅/銀其中之一的結構；以及該第一電極具有銅/錫或銅/銀其中之一的結構。
  10. 如申請專利範圍第6或8項所述之太陽能電池的製造方法，其中該種子層包含鎳或鈦。
TW104141443A 2015-12-10 2015-12-10 太陽能電池之製造方法 TWI615992B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW104141443A TWI615992B (zh) 2015-12-10 2015-12-10 太陽能電池之製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW104141443A TWI615992B (zh) 2015-12-10 2015-12-10 太陽能電池之製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201721900A TW201721900A (zh) 2017-06-16
TWI615992B true TWI615992B (zh) 2018-02-21

Family

ID=59687365

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104141443A TWI615992B (zh) 2015-12-10 2015-12-10 太陽能電池之製造方法

Country Status (1)

Country Link
TW (1) TWI615992B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI658603B (zh) * 2017-07-04 2019-05-01 茂迪股份有限公司 單面受光式太陽能電池及其製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104167460A (zh) * 2013-05-17 2014-11-26 李岱殷 太阳能电池制造方法
CN104781936A (zh) * 2012-10-04 2015-07-15 喜瑞能源公司 具有电镀的金属格栅的光伏器件

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104781936A (zh) * 2012-10-04 2015-07-15 喜瑞能源公司 具有电镀的金属格栅的光伏器件
CN104167460A (zh) * 2013-05-17 2014-11-26 李岱殷 太阳能电池制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201721900A (zh) 2017-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4727607B2 (ja) 太陽電池
US20130089943A1 (en) Method of manufacturing a solar cell
TW201424011A (zh) 太陽能電池及背接觸式太陽能電池
JP2008078662A (ja) 光電池をアニールするための方法
JP2010262979A (ja) 太陽電池およびその製造方法
CN106981539A (zh) 一种纳米叠层导电薄膜的制备方法及应用
WO2010001473A1 (ja) 光起電力装置およびその製造方法
JP6681878B2 (ja) 光電変換素子および光電変換素子の製造方法
JP2015144149A (ja) 光電変換装置および光電変換装置の製造方法
CN111640826A (zh) 一种利用选择性接触导电的电池制备方法
TWI615992B (zh) 太陽能電池之製造方法
JP5964751B2 (ja) 高温印刷部分と低温印刷部分の２つの部分を有する光起電力電池導体
KR101371865B1 (ko) 태양전지의 전면전극 구조 및 그 제조방법
KR101161095B1 (ko) 태양전지의 전면전극 형성방법
KR101223021B1 (ko) 태양전지의 제조방법 및 태양전지
JP2010080576A (ja) 光電変換素子およびその製造方法
KR20140049624A (ko) 태양전지 및 그의 제조방법
KR20130011696A (ko) 태양전지 전극 및 그 제조방법
KR101151413B1 (ko) 이중 반사 방지막을 갖는 태양 전지 및 그 제조 방법
TW201133884A (en) Silicon solar cell
TWI381539B (zh) 具有背面介電層之太陽能電池的製造方法
KR101820600B1 (ko) 전극 구조물의 형성 방법 및 이를 이용한 태양 전지의 제조 방법
TWI446566B (zh) 以濕式化學方法製作具有表面鈍化結構之結晶矽太陽能電池之方法
TW201813115A (zh) 矽基光伏元件及其製造方法
TWI434426B (zh) 太陽能電池之製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees