TWI615957B - 影像感測器及其製作方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 34
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 29
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 95
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 87
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 58
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 46
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 10
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 7
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 244
- ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N nobelium Chemical compound [No] ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 2
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14623—Optical shielding
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14645—Colour imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14689—MOS based technologies
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
本發明提供了一種影像感測器，其包括一感光元件、至少一圖案化導電層、至少一下介電層、至少一光學屏障層以及至少一上介電層。感光元件設置於一基底表面，圖案化導電層設置於基底上，且圖案化導電層包括至少一內連線，設置於感光元件的一側。下介電層設置於基底上並覆蓋內連線，光學屏障層覆蓋下介電層，上介電層覆蓋光學屏障層，其中光學屏障層之折射係數大於上介電層與下介電層之折射係數。
Description
本發明係有關於一種影像感測器及其製作方法，尤指一種能改善跨越干擾（cross talk）的影像感測器及其製作方法。
隨著數位相機、電子掃瞄機等產品不斷地開發與成長，市場上對影像感測元件的需求持續增加。目前常用的影像感測元件包含有電荷耦合感測元件(charge coupled device，CCD)以及互補式金氧半導體（complementary metal-oxide-semiconductor，CMOS）影像感測元件（又稱CMOS image sensor，CIS）兩大類，其中CMOS影像感測元件因具有低操作電壓、低功率消耗與高操作效率、可根據需要而進行隨機存取等優點，同時具有可整合於目前的半導體技術以大量製造之優勢，因此應用範圍非常廣泛。
CMOS影像感測器的感光原理係將入射光線區分為數種不同波長光線的組合，例如紅、藍、綠三色，再分別由半導體基底上的複數個光學感測元件，如感光二極體(photodiode)予以接收，並將之轉換為不同強弱的數位訊號。然而，隨著像素尺寸的微縮，感光二極體的尺寸也跟著微小化，使得像素之間的跨越干擾增加以及感光靈敏度降低。因此，如何提供具有低跨越干擾的影像感測器，仍為業界需要持續解決的問題。
本發明提供了一種影像感測器及其製作方法，其利用在影像感測器中設置光學屏障層，以改善影像感測器的跨越干擾。
根據本發明之一實施例，本發明提供了一種影像感測器，其包括一感光元件、至少一圖案化導電層、至少一下介電層、至少一光學屏障層以及至少一上介電層。感光元件設置於一基底表面。圖案化導電層設置於基底上，且圖案化導電層包括至少一內連線，設置於感光元件的一側。下介電層設置於基底上並覆蓋內連線，光學屏障層覆蓋下介電層，而上介電層覆蓋光學屏障層，其中光學屏障層之折射係數大於上介電層與下介電層之折射係數。
根據本發明之一實施例，本發明提供了一種影像感測器的製作方法，其包括下列步驟。首先提供一基底，並於基底表面形成一感光元件，然後於基底上形成一圖案化導電層，且圖案化導電層包括至少一內連線，設置於感光元件的一側。接著，於圖案化導電層上形成一下介電層，其階梯覆蓋圖案化導電層。之後，於基底上形成一光學屏障層並階梯覆蓋下介電層，然後於基底上形成一上介電層，並覆蓋光學屏障層，其中光學屏障層之折射係數大於上介電層與下介電層之折射係數。
為使熟習本發明所屬技術領域之一般技藝者能更進一步瞭解本發明，下文特列舉本發明之較佳實施例，並配合所附圖示，詳細說明本發明的影像感測器及其製作方法及所欲達成的功效。
請參考第1圖至第8圖，第1圖至第7圖繪示了本發明影像感測器製作方法之第一實施例的製程示意圖，而第8圖為本發明影像感測器製作方法之第一實施例的製程步驟流程圖。根據本實施例，如第1圖所示，首先提供一基底100，其中基底100可為半導體基底，例如為矽基底、磊晶矽基底、矽鍺基底、碳化矽基底或絕緣層覆矽(silicon-on-insulator，SOI)基底，但並不以此為限。然後，於基底100表面形成多個感光元件102。感光元件102包括各種能將光能轉換成電能的元件。例如感光元件102可包括PN型感光二極體、PNP型感光二極體、NPN型感光二極體等。舉例而言，本實施例的感光元件102可為PNP型感光二極體，其形成方式例如由一離子佈植製程(ion implantation process)將P型摻質與N型摻質分別植入基底100中的特定區域，使得一P型摻雜區形成於一N型摻雜區上，其中N型摻雜區形成於一P型基底上，但不以此為限。
接著，於基底100上選擇性地形成多個閘極(未繪示)。閘極可例如分別對應一感光元件102而形成，設置在對應之感光元件102一側。閘極的材料可包括多晶矽(polysilicon)或金屬材料，但不以此為限。舉例而言，本實施例之閘極可例如為影像感測器1A之轉移閘極(transfer gate，Tx)。此外，可於閘極與基底100之間形成一閘極絕緣層(未繪示)，也可選擇性地在形成閘極與閘極絕緣層之前先於基底100形成多個隔離結構144，其中隔離結構144可為淺溝隔離(shallow trench isolation，STI)或局部矽氧化絕緣層(local oxidation of silicon isolation layer，LOCOS)，用以避免感光元件102與其他元件相接觸而發生短路。需注意的是，本發明不特別限定感光元件102、閘極及閘極絕緣層與隔離結構144的製作順序與相對設置位置。
接著，於基底100上形成絕緣層106以覆蓋閘極。本實施例之絕緣層106的材料為二氧化矽，但不以此為限。絕緣層106的材料可為具低介電常數之介電材料(low-K dielectric material)，例如氧化矽、硼磷矽酸鹽玻璃(borophosphosilicate glass，BPSG)、磷矽酸鹽玻璃(phosphosilicate glass，PSG)、氟化矽酸鹽玻璃(fluorinated silicate glass，FSG)、摻雜碳之氧化矽(carbon-doped silicon oxide)或類似物。絕緣層106的形成方法例如為化學氣相沉積(chemical vapor deposition，CVD)技術，但不以此為限。之後，可利用一化學機械研磨(CMP)製程使絕緣層106具有平坦的表面。然後，於絕緣層106上形成一圖案化導電層，該圖案化導電層包括多個內連線112。舉例而言，內連線112的材料可為鋁(aluminum)、銅(copper)、摻雜的多晶矽(doped polysilicon)或類似物。此外，本實施例的內連線112的剖面圖案為梯形，但不以此為限。
如第2圖所示，接著於該圖案化導電層上形成層間介電層114，其覆蓋位於其下之內連線112與感光元件102。本實施例的層間介電層114可為金屬層間介電層(inter-metal dielectric layer)，其材料舉例為二氧化矽，但不以此為限，層間介電層114的材料也可為其他具低介電常數之介電材料(low-K dielectric material)，例如前段提及之絕緣層106的材料。層間介電層114的形成方法例如以CVD製程搭配CMP製程，但不以此為限。在本實施例中，可重複上述步驟以接續形成多層之層間介電層114與圖案化導電層，且各層圖案化導電層之內連線112可透過各層層間介電層114中的接觸洞116串接形成多層內連線(multilayer interconnect，MLI)結構。
接著請參考第3圖，於最上層之圖案化導電層上形成一下介電層118，其中下介電層118階梯覆蓋該圖案化導電層，亦即下介電層118會隨著其所覆蓋的內連線112而高低起伏。然後，於下介電層118上形成一光學屏障層120，且光學屏障層120階梯覆蓋下介電層118，隨著所覆蓋的下介電層118而高低起伏。光學屏障層120與下介電層118可依其所包括的材料而選擇與其對應的製程方法，例如化學氣相沉積或物理氣相沉積等。光學屏障層120與下介電層118之間具有一介面，隨著下介電層118和光學屏障層120所覆蓋之圖案化導電層而高低起伏，因此介面包括複數個側面部分124與複數個平坦部分126。此外，由於本實施例之內連線112的剖面圖案為梯形，因此介面之側面部分124為傾斜面，其延伸線與基底100的表面或最上層層間介電層114的頂表面具有小於90度之夾角α。此外，光學屏障層120之折射係數大於下介電層118之折射係數。舉例而言，本實施例之下介電層118的材料為二氧化矽，其折射係數為1.45，而光學屏障層120之材料為氮化矽(SiN)，其折射係數為1.99，但不以此為限。下介電層118的材料也可選自於上述絕緣層106所包括的材料。在下介電層118的材料為二氧化矽的情況下，光學屏障層120之材料也可為碳化矽(折射係數為2.6)、鋁(折射係數為2.7)、矽(折射係數為3.44)、鎢(折射係數為3.53)或其他折射係數大於二氧化矽的材料。當選擇氮化矽或碳化矽作為光學屏障層120的材料時，其優點是這些材料可以與CMOS元件的其他半導體製程相整合，可以節省製程成本。
接著如第4圖所示，於光學屏障層120上形成一上介電層128，其中上介電層128的折射係數小於光學屏障層120的折射係數。根據本實施例，上介電層128較佳填平甚至超過光學屏障層120的凹陷部分，例如先以CVD製程形成一層較厚的上介電層128完整覆蓋光學屏障層120，再藉由化學機械研磨製程以平坦化上介電層128表面。本實施例的上介電層128的材料為二氧化矽，但不以此為限。上介電層128的材料也可選自於上述絕緣層106所包括的材料。
如第5圖所示，接著於上介電層128的表面上形成一圖案化遮罩層130。本實施例之圖案化遮罩層130具有多個開口以定義出多個光導管開口的位置，其中圖案化遮罩層130的開口較佳對應感光元件102設置。本實施例之圖案化遮罩層130舉例為光阻材料，但不以此為限。接著，利用圖案化遮罩層130當作蝕刻遮罩而進行一蝕刻製程132，以移除部分的上介電層128、光學屏障層120、下介電層118及其下之層間介電層114，以於各感光元件102上形成一光導管開口134。然後，於形成光導管開口134之後移除圖案化遮罩層130。
如第6圖所示，接著可選擇性地於光導管開口134的底面及側壁表面形成一阻障層136。本實施例之阻障層136的材料為氮化矽，但不以此為限。在其他實施例中，阻障層136的材料可包括氮氧化矽或其他適合的介電材料。然後，於光導管開口134中填入高折射率材料，以於各感光元件102上分別形成一光導管138。本實施例之光導管138的剖面圖案為上寬下窄，但不以此為限。光導管138之材料的折射係數較佳低於阻障層136之材料的折射係數，本實施例之光導管138的材料為光阻材料或類光阻材料，但不以此為限。於形成光導管138時，可先將高折射率材料填平並超過光導管開口134，再藉由化學機械研磨製程移除光導管開口134外的高折射率材料，但不以此為限。
如第7圖所示，接著於上介電層128上形成多個不同顏色的彩色濾光層140，分別覆蓋對應的感光元件102與光導管138。彩色濾光層140可例如包括有顏色的光阻圖案，並可利用微影製程製作，但不以此為限。彩色濾光層140的顏色可包括紅色、藍色或綠色，以使感光元件102可感測特定顏色的光線。然後，於各彩色濾光層140上形成一微聚光鏡142，並覆蓋其下之感光元件102與光導管138。
綜上所述，本發明之製作影像感測器1A的方法主要包括第8圖所示之步驟：
步驟S10：提供一基底，並於基底上形成感光元件；
步驟S12：於基底上形成一圖案化導電層，其中圖案化導電層包括至少一內連線，電性連接於感光元件；
步驟S14：於圖案化導電層上形成一下介電層，階梯覆蓋圖案化導電層；
步驟S16：於基底上形成一光學屏障層，階梯覆蓋下介電層；以及
步驟S18：於基底上形成一上介電層，覆蓋光學屏障層，其中光學屏障層之折射係數大於上介電層與下介電層之折射係數。
請繼續參考第7圖，本實施例之影像感測器1A包括基底100、多個感光元件102、至少一圖案化導電層、至少一下介電層118、一光學屏障層120以及至少一上介電層128。其中，感光元件102設置於基底100表面，圖案化導電層設置於基底100上，且圖案化導電層包括至少一內連線112，設置於感光元件102的一側。本實施例之內連線112具有梯形之剖面圖案。需注意的是，本實施例的影像感測器1A包括多層圖案化導電層與多層層間介電層114，其中每一層圖案化導電層上覆蓋有一層層間介電層114。各層圖案化導電層之內連線112可透過各層層間介電層114中的接觸洞116串接形成多層內連線結構。在本實施例的影像感測器1A中，最上層的層間介電層114包括上介電層128與下介電層118，且光學屏障層120與下介電層118階梯覆蓋內連線112，亦即光學屏障層120與下介電層118隨著所覆蓋之內連線112而高低起伏，亦即光學屏障層120與下介電層118之間的介面會隨著所覆蓋之內連線112而高低起伏並包括複數個側面部分124與複數個平坦部分126。另由於本實施例之內連線112具有梯形之剖面圖案，因此側面部分124分別為傾斜面，且側面部分124與基底100表面具有小於90度之夾角α。此外，光學屏障層120之折射係數大於上介電層128與下介電層118之折射係數。此外，影像感測器1A可另包括重置電晶體(reset transistor)、源隨電晶體(source follower transistor)、或讀取選擇電晶體(read select transistor)，且可包括三電晶體(3T)與四電晶體(4T)的像素電路。為了突顯本實施例影像感測器1A的特徵，上述元件未於圖式中繪出。本發明影像感測器1A之第一實施例的其他元件與材料可參考前述製程之說明，不再贅述。
請參考第9圖與第10圖，其中第9圖為本發明影像感測器之第一實施例的光線路徑示意圖，而10圖為第9圖中區域X的局部放大示意圖。以下將以光線L1、L2、L3來說明本實施例之光學屏障層120如何達到減少跨越干擾的功效。光線L1的詳細行徑路徑請參考第10圖，首先，光線L1經由右側的彩色濾光層140從上介電層128入射至光學屏障層120，並於光學屏障層120與上介電層128之間的介面144發生折射。由於上介電層128之折射係數小於光學屏障層120之折射係數，因此，根據斯涅耳定律(Snell's law)，光線L1會以較大的折射角度繼續在光學屏障層120中行進至與下介電層118之間的介面側面部分124而具有一入射角θ。由於本實施例之下介電層118的材料為二氧化矽(折射係數為1.45)，而光學屏障層120的材料為氮化矽(折射係數為1.99)，因此當光線L1在光學屏障層120中並於側面部分124之入射角θ大於46度時會發生全反射(total reflection)，藉此使得光線L1往右側反射而朝著下方與其對應的感光元件102前進，以避免光線L1沿著原入射方向朝著左側相鄰之感光元件102前進。
請繼續參考第9圖，第9圖中之光線L2的入射角較大，在經過彩色濾光層140後朝著左側相鄰之感光元件102入射至光學屏障層120與下介電層118介面之平坦部分126，然而只要光線L2的入射角大於全反射的臨界角，光線L2即可經全反射往相反於感光元件102的方向前進，藉此以避免光線L2朝著左側相鄰之感光元件102前進。另一方面，光線L3在經過彩色濾光層140後射入光導管138中，雖然朝著左側相鄰的感光元件102前進，但在入射至阻障層136與層間介電層114之間的介面時，由於阻障層136的材料為氮化矽，而層間介電層114的材料為二氧化矽，因此光線L3的入射角很容易大於全反射的臨界角，並經全反射往對應之感光元件102的方向前進，藉此以避免光線L3朝著左側相鄰之感光元件102前進。
由上述可知，由於本發明影像感測器1A最頂層的內連線112上依序設置了下介電層118、光學屏障層120及上介電層128，並且經過材料的選擇使得光學屏障層120的折射係數大於下介電層118及上介電層128的折射係數，因此光線在行進至光學屏障層120與下介電層118之間的介面時很容易產生全反射。另外，光學屏障層120及下介電層118階梯覆蓋內連線112，使得光學屏障層120及下介電層118之間的介面具有側面部分124及平坦部分126，進一步使得更多不同入射方向的光線能夠發生全反射。因此，在本發明設計下，能有效避免原本未朝著對應的感光元件102前進的光線跨越內連線112區域而入射至相鄰的感光元件102而被吸收，進而能有效改善影像感測器1A的跨越干擾問題。
本發明之影像感測器及其製作方法並不以上述實施例為限。下文將繼續揭示本發明之其它實施例及變化實施例，然為了簡化說明並突顯各實施例之間的差異，下文中使用相同標號標注相同元件，並不再對重覆部分作贅述。
請參考第11圖，其為本發明影像感測器之第一實施例的變化實施例之剖面示意圖。如第11圖所示，本變化實施例與第一實施例的不同處在於內連線112的剖面圖案為矩形，其中內連線112的側壁大體上垂直於基底100的表面。由於光學屏障層120與下介電層118之間的介面係隨著下方之內連線112而高低起伏，因此影像感測器1B之介面的側面部分124大體上垂直於基底100的表面。
請參考第12圖與第13圖，其為本發明影像感測器之第二實施例的製作方法之製程示意圖，且第13圖繪示本發明第二實施例之影像感測器的剖面示意圖，其中在第二實施例中，第12圖係接續第1圖的製程。如第12圖所示，本實施例與第一實施例不同的地方在於，在絕緣層106上製作完第一層內連線112後，即先於內連線112上形成下介電層118，階梯覆蓋內連線112。接著於下介電層118上形成光學屏障層120，同樣階梯覆蓋下介電層118，然後再於光學屏障層120上形成具有平坦表面的上介電層128，覆蓋光學屏障層120與下介電層118，其中光學屏障層120之折射係數大於上介電層128與下介電層118之折射係數。
如第13圖所示，接著於上介電層128、下介電層118與光學屏障層120中形成多個接觸洞116，然後於上介電層128上形成另一層內連線112，並藉由各接觸洞116以電性連接於下層之內連線112。接著可重複進行上述形成上介電層128、光學屏障層120及下介電層118的製程以及形成接觸洞116與內連線112的製程。此外，各層圖案化導電層之內連線112可透過各上介電層128、下介電層118與光學屏障層120中的接觸洞116串接形成多層內連線結構。再者，上、下層內連線112之間的上介電層128與下介電層118可共同視為第一實施例中的層間介電層114，換言之，本實施例的影像感測器2A包括多個層間介電層114，其中各層間介電層114中具有一光學屏障層120。在製作完最上層之上介電層128後，可再製作光導管134、彩色濾光層140與微聚光鏡142，影像感測器2A中其餘元件的位置、材料及製作方式可參考第一實施例，因此不再贅述。
請參考第14圖，其為本發明影像感測器之第二實施例之變化實施例的剖面示意圖。如第14圖所示，本變化實施例與第二實施例不同的地方在於內連線112的剖面圖案為矩形，其中內連線112的側壁大體上垂直於基底100的表面。由於光學屏障層120與下介電層118之間的介面係隨著下方之內連線112而高低起伏，因此影像感測器2B之介面的側面部分124大體上垂直於基底100的表面。
綜上所述，本發明於影像感測器之感光元件上設置至少一光學屏障層，其中光學屏障層設置於層間介電層的上介電層與下介電層之間，並且經過材料的選擇使得光學屏障層的折射係數大於下介電層及上介電層的折射係數，以提供入射光線較易產生全反射的條件。另外，光學屏障層及下介電層階梯覆蓋內連線，使得光學屏障層及下介電層之間的介面具有側面部分及平坦部分，進一步使得更多不同入射方向的光線能夠發生全反射，藉此避免原本未朝著對應的感光元件前進的光線被相鄰的感光元件所吸收，甚至將偏折的光線反射回所對應的感光元件中，進而改善影像感測器的跨越干擾問題，並同時提高感光效率。 以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。
1A、1B、2A、2B‧‧‧影像感測器
100‧‧‧基底
102‧‧‧感光元件
106‧‧‧絕緣層
112‧‧‧內連線
114‧‧‧層間介電層
116‧‧‧接觸洞
118‧‧‧下介電層
120‧‧‧光學屏障層
144‧‧‧介面
124‧‧‧側面部分
126‧‧‧平坦部分
128‧‧‧上介電層
130‧‧‧圖案化遮罩層
132‧‧‧蝕刻製程
134‧‧‧光導管開口
136‧‧‧阻障層
138‧‧‧光導管
140‧‧‧彩色濾光層
142‧‧‧微聚光鏡
144‧‧‧隔離結構
1、L2、L3‧‧‧光線
α‧‧‧夾角
θ‧‧‧入射角
第1圖至第7圖繪示了本發明影像感測器製作方法之第一實施例的製程示意圖。 第8圖為本發明影像感測器製作方法之第一實施例的製程步驟流程圖。 第9圖為本發明影像感測器之第一實施例的光線路徑示意圖。 第10圖為第9圖中區域X的局部放大示意圖。 第11圖為本發明影像感測器之第一實施例的第一變化實施例之剖面示意圖。 第12圖至第13圖繪示了本發明影像感測器之第二實施例的製作方法之製程示意圖。 第14圖為本發明影像感測器之第二實施例之變化實施例的剖面示意圖。
1A‧‧‧影像感測器
100‧‧‧基底
102‧‧‧感光元件
106‧‧‧絕緣層
112‧‧‧內連線
114‧‧‧層間介電層
116‧‧‧接觸洞
118‧‧‧下介電層
120‧‧‧光學屏障層
124‧‧‧側面部分
126‧‧‧平坦部分
128‧‧‧上介電層
134‧‧‧光導管開口
136‧‧‧阻障層
138‧‧‧光導管
140‧‧‧彩色濾光層
142‧‧‧微聚光鏡
144‧‧‧隔離結構
Claims (19)
- 一種影像感測器，包括：一感光元件，設置於一基底表面；至少一圖案化導電層，設置於該基底上，該圖案化導電層包括至少一內連線(interconnect)，設置於該感光元件的一側；至少一下介電層，設置於該基底上並覆蓋該內連線；至少一光學屏障層，覆蓋該下介電層，且該光學屏障層與該下介電層完整地階梯覆蓋該內連線；以及至少一上介電層，覆蓋該光學屏障層，其中該光學屏障層之折射係數大於該上介電層與該下介電層之折射係數。
- 如請求項1所述之影像感測器，其中該光學屏障層與該下介電層階梯覆蓋該內連線，且該光學屏障層與該下介電層之間具有一介面，該介面隨著該下介電層和該光學屏障層所覆蓋之該內連線而高低起伏並包括複數個側面部分與複數個平坦部分。
- 如請求項2所述之影像感測器，其中該等側面部分大體上垂直於該基底之表面。
- 如請求項2所述之影像感測器，其中該等側面部分分別為一傾斜面，且與該基底表面具有小於90度之一夾角。
- 如請求項1所述之影像感測器，其包括複數層圖案化導電層依序設置於該基底上，各該層圖案化導電層分別包括至少一內連線，且該光學屏障層覆 蓋最上層之該內連線。
- 如請求項1所述之影像感測器，其包括複數層圖案化導電層依序設置於該基底上，且各該層圖案化導電層之表面由下而上依序設置有該下介電層、該光學屏障層及該上介電層，使各該光學屏障層分別覆蓋各該層圖案化導電層之該內連線。
- 如請求項1所述之影像感測器，另包括：一彩色濾光層，設置於該上介電層上，並覆蓋該感光元件；以及一微聚光鏡，設置於該彩色濾光層上，並覆蓋該感光元件。
- 如請求項1所述之影像感測器，另包括一光導管(light pipe)，設置於該感光元件上並位於該下介電層、該光學屏障層與該上介電層中。
- 如請求項1所述之影像感測器，其中該上介電層與該下介電層之材料分別包括二氧化矽。
- 如請求項1所述之影像感測器，其中該光學屏障層之材料包括氮化矽、碳化矽、鋁、矽或鎢。
- 一種影像感測器的製作方法，包括：提供一基底，並於該基底表面形成一感光元件；於該基底上形成一圖案化導電層，該圖案化導電層包括至少一內連線，設置於該感光元件之一側； 於該圖案化導電層上形成一下介電層，完整地階梯覆蓋該圖案化導電層；於該基底上形成一光學屏障層，完整地階梯覆蓋該下介電層以及該圖案化導電層；以及於該基底上形成一上介電層，覆蓋該光學屏障層，其中該光學屏障層之折射係數大於該上介電層與該下介電層之折射係數。
- 如請求項11所述之影像感測器的製作方法，其中該方法包括於該基底上形成複數層圖案化導電層，且該光學屏障層階梯覆蓋最上層之該圖案化導電層。
- 如請求項11所述之影像感測器的製作方法，其中該方法包括於該基底上形成複數層圖案化導電層，且在各該層圖案化導電層之表面分別依序形成一下介電層、一光學屏障層以及一上介電層，各該光學屏障層分別階梯覆蓋各該層圖案化導電層。
- 如請求項11所述之影像感測器的製作方法，其中該光學屏障層與該下介電層之間具有一介面，該介面隨著該下介電層和該光學屏障層所覆蓋之該圖案化導電層而高低起伏並包括複數個側面部分與複數個平坦部分。
- 如請求項11所述之影像感測器的製作方法，另包括：移除部分該上介電層、該下介電層與該光學屏障層，以於該感光元件上形成一光導管開口；以及於該光導管開口中填入高折射率材料，以於該感光元件上形成一光導管。
- 如請求項15所述之影像感測器的製作方法，另包括於填入高折射率材料之前先於該光導管開口中形成一阻障層。
- 如請求項11所述之影像感測器的製作方法，另包括：於該上介電層上形成一彩色濾光層，並覆蓋該感光元件；以及於該彩色濾光層上形成一微聚光鏡，並覆蓋該感光元件。
- 如請求項11所述之影像感測器的製作方法，其中該上介電層與該下介電層之材料分別包括二氧化矽。
- 如請求項11所述之影像感測器的製作方法，其中該光學屏障層之材料包括氮化矽、碳化矽、鋁、矽或鎢。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW105127650A TWI615957B (zh) | 2016-08-29 | 2016-08-29 | 影像感測器及其製作方法 |
| CN201610819519.1A CN107785383B (zh) | 2016-08-29 | 2016-09-13 | 影像感测器及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW105127650A TWI615957B (zh) | 2016-08-29 | 2016-08-29 | 影像感測器及其製作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWI615957B true TWI615957B (zh) | 2018-02-21 |
| TW201807813A TW201807813A (zh) | 2018-03-01 |
Family
ID=61438172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW105127650A TWI615957B (zh) | 2016-08-29 | 2016-08-29 | 影像感測器及其製作方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107785383B (zh) |
| TW (1) | TWI615957B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI599028B (zh) * | 2016-10-14 | 2017-09-11 | 力晶科技股份有限公司 | 影像感測器及其製作方法 |
| US11121162B2 (en) * | 2019-05-07 | 2021-09-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Light pipe structure with high quantum efficiency |
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| TW200910583A (en) * | 2007-06-28 | 2009-03-01 | Sony Corp | Solid-state imaging device and camera module |
| US20120202307A1 (en) * | 2011-02-09 | 2012-08-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device manufacturing method |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010283145A (ja) * | 2009-06-04 | 2010-12-16 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法、電子機器 |
-
2016
- 2016-08-29 TW TW105127650A patent/TWI615957B/zh active
- 2016-09-13 CN CN201610819519.1A patent/CN107785383B/zh active Active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107785383A (zh) | 2018-03-09 |
| CN107785383B (zh) | 2020-04-21 |
| TW201807813A (zh) | 2018-03-01 |
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