TWI615683B - 曝光裝置及照明單元 - Google Patents
曝光裝置及照明單元 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI615683B TWI615683B TW103122497A TW103122497A TWI615683B TW I615683 B TWI615683 B TW I615683B TW 103122497 A TW103122497 A TW 103122497A TW 103122497 A TW103122497 A TW 103122497A TW I615683 B TWI615683 B TW I615683B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- light
- exposure
- emitting element
- array
- element array
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/7015—Details of optical elements
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
- G03F7/201—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by an oblique exposure; characterised by the use of plural sources; characterised by the rotation of the optical device; characterised by a relative movement of the optical device, the light source, the sensitive system or the mask
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
Abstract
本發明,是有關藉由將遮罩上的圖型由微透鏡陣列在基板上成像將基板曝光的曝光裝置等,將射出曝光光的照明單元小型化。
微透鏡陣列(30),是具有包含朝與移動方向A交叉方向的配列且被2次元配置的複數微透鏡(31),照明單元,是具有:複數雷射二極管被配列的LD陣列條;及照明光學系,是將從構成該LD陣列條的複數雷射二極管射出的複數發光光,轉換成:對於在移動方向A交叉方向橫跨在其方向並列的微透鏡(31)的複數個地擴大,並且對於移動方向A是不及於與其移動方向相鄰接的列並列的微透鏡(31)的廣度地被限制的狹縫形狀的曝光光束,由該曝光光束所產生的曝光光(170)在呈一列地並列的複數微透鏡(31)上照明。
Description
本發明,是有關於藉由將遮罩上的曝光圖型由微透鏡陣列在基板上成像將基板曝光的曝光裝置、及在該曝光時,將曝光光射出將遮罩照明的照明單元。
將微透鏡2次元配列的微透鏡陣列是作為成像光學系使用,將遮罩上的曝光圖型複製到基板上的曝光裝置已被提案(專利文獻1),由液晶面板製造過程等被實用化。在此方式的曝光裝置中,在形成有曝光圖型的遮罩上,配置將曝光光射出將遮罩照明的照明單元,在遮罩、及被塗抹感光性保護層(光阻)的基板之間,配置微透鏡陣列。且,將照明單元及微透鏡陣列,一邊對於遮罩及基板相對地移動,一邊藉由由微透鏡陣列將遮罩上的曝光圖型在基板上成像將基板曝光(專利文獻2參照)。藉此,可以讓超過微透鏡陣列的靜止時的曝光領域的大面積的基板曝光。
且在專利文獻3中揭示了適合此方式的曝光裝置之由光源及光學系所構成的照明單元的構成。在此專利文獻3
的照明單元中,多數的高壓水銀燈泡是2次元地被配列,成為讓來自那些多數的高壓水銀燈泡的發光光通過由透鏡和幾枚的反射鏡子所構成的光學系將照明遮罩的構造。
[專利文獻1]日本特開2007-3829號公報
[專利文獻2]日本特開2012-220592號公報
[專利文獻3]日本特開2013-97310號公報
上述型式的曝光裝置的情況,藉由採用微透鏡陣列,可以將遮罩上的曝光圖型由較高的解像度在基板上成像,且將遮罩及基板接近例如10mm程度等,藉由在那些之間配置微透鏡陣列而實現薄型化。
但是對於照明單元,習知是需要將多數的高壓水銀燈泡並列,且需要尺寸大的光學系,其照明單元本身的高度就有例如2m程度等,會大大地妨害曝光裝置的小型化、薄型化。
本發明,是鑑於上述狀況,其目的是提供一種,藉由採用被小型化、薄型化的照明單元及其照明單元,而被小型化、薄型化的曝光裝置。
達成上述目的之本發明的曝光裝置,是具備:將曝光光射出的照明單元、及形成有曝光圖型且被來自前述照明單元的曝光光的照射的遮罩、及將前述遮罩作成被攝體的微透鏡陣列、及將前述照明單元及前述微透鏡陣列,對於:前述遮罩、及藉由該微透鏡陣列使該遮罩上的曝光圖型被成像的基板的雙方,朝預定的移動方向相對移動的移動機構,藉由由前述移動機構所產生的朝前述移動方向的相對移動,橫跨前述基板上之具有超過前述微透鏡陣列的靜止時的曝光領域的廣度的領域,使該基板,被曝光對應前述遮罩上的曝光圖型的圖型,其特徵為:前述微透鏡陣列,是具有包含朝與前述移動方向交叉的交叉方向的配列被2次元配置的複數微透鏡,前述照明單元,是具有:複數發光元件被配列的發光元件陣列;及照明光學系,是將從構成前述發光元件陣列的複數發光元件射出的複數發光光,轉換成:對於前述交叉方向橫跨在該交叉方向並列的微透鏡複數個地擴大,並且對於前述移動方向是不及於與該移動方向相鄰接的列並列的微透鏡的廣度地被限制的曝光光束,將該曝光光束導引至在該交叉方向並列的複數微透鏡上。
在此,上述的發光元件,典型是採用雷射二極管,發光元件陣列可以採用雷射二極管陣列。
本發明的照明單元,是採用發光元件陣列,將從那射出的複數發光光轉換成狹縫狀的曝光光束朝在上述交叉方
向並列的複數個的微透鏡導引。由此,與採用了被2次元配置的多數的水銀燈泡的習知的照明單元相比,可實現大幅度地薄型化。
且因為將由該狹縫狀的曝光光束所產生的曝光光決定照準照射於在上述交叉方向並列的微透鏡,所以使曝光光束的寬度被照射的微透鏡的有效的開口可以被限制在包含校正誤差等的寬度。如此採用被限制的寬度的曝光光束的話,作為發光光之中的有效的曝光光被利用的比率被提高,高效率、節能也被實現。
在此,在本發明的曝光裝置中,前述照明單元,是具備複數條前述發光元件陣列,前述照明光學系,是在每一條前述發光元件陣列,將從該一條的發光元件陣列射出的複數發光光轉換成一條前述曝光光束,將對應該發光元件陣列複數條的複數條的曝光光束,各別導引至皆是由在前述交叉方向並列的複數微透鏡所構成的列且對於前述移動方向彼此不同的複數列的光學系較佳。
藉由作成由複數曝光光束對於移動方向將各列的微透鏡照射的構成,就可以將對於基板的曝光光量提高,由短的曝光時間完成曝光。
且在本發明的曝光裝置中,前述照明光學系,是具有:讓從構成前述發光元件陣列的複數發光元件射出的複數發光光入射並轉換成具有狹縫形狀的狹縫光束而射出,對應該發光元件陣列被配置的光束轉換光學系;及讓從前述光束轉換光學系射出的前述狹縫光束入射將該狹縫光束
轉換成前述曝光光束的投光光學系較佳。
在此,上述光束轉換光學系,可以採用典型是被加工成上述的狹縫光束的形狀的柱狀透鏡。
採用具有如上述的光束轉換光學系及投光光學系的照明光學系的話,可以獲得光束內中的光量被均一化的曝光光束,可實現曝光不均勻少的曝光。
在本發明的曝光裝置中,前述照明單元是進一步具備固定有前述發光元件陣列之由讓從該發光元件陣列射出的發光光透過的材質所構成的支撐基板,前述照明光學系,是具有反射光學系,其是對應前述發光元件陣列地具備且被固定於前述支撐基板上沿著該發光元件陣列延伸,將從構成該發光元件陣列的複數發光元件射出的複數發光光反射將該支撐基板透過較佳。
在此,上述反射光學系,是可以採用反射鏡子和反射稜鏡等。
採用此構造的話,可以將複數發光元件陣列高精度地配列,且,藉由固定前的反射光學系的位置的微調整,可以將發光光的光軸高精度且容易地調整。
且在本發明的曝光裝置中,前述照明單元是進一步具備固定有前述發光元件陣列之由讓從該發光元件陣列射出的發光光透過的材質所構成的支撐基板,前述發光元件陣列,是由從構成該發光元件陣列的複數發光元件朝向該支撐基盤複數發光光被射出的姿勢,被固定在前述支撐基板上為較佳形態。
藉由採用此構造,也可以將複數發光元件陣列高精度地配列。
且達成上述目的之本發明的照明單元,是將形成有曝光圖型的遮罩上的該曝光圖型由微透鏡陣列在基板上成像,將該微透鏡陣列對於該遮罩及該基板朝預定的移動方向相對移動時,將曝光光射出與該微透鏡陣列一起一邊朝該移動方向相對移動一邊將該遮罩照明,其特徵為:前述微透鏡陣列,是具有包含朝與前述移動方向交叉的交叉方向的配列且被2次元配置的複數微透鏡,該照明單元,是具有:複數發光元件被配列的發光元件陣列;及照明光學系,是將從構成前述發光元件陣列的複數發光元件射出的複數發光光,轉換成:對於前述交叉方向是橫跨在該交叉方向並列的微透鏡複數個地擴大,並且對於前述移動方向是被限制成不及於與該移動方向相鄰接的列並列的微透鏡的廣度的曝光光束,且將該曝光光束導引至在該交叉方向並列的複數微透鏡上。
依據以上的本發明的話,可實現照明單元的大幅度地薄型化。
1‧‧‧曝光裝置
10、90‧‧‧照明單元
20‧‧‧遮罩
30‧‧‧微透鏡陣列
31‧‧‧微透鏡
32‧‧‧視野光圏
40‧‧‧驅動裝置
50‧‧‧基板
91‧‧‧光源
92、100‧‧‧照明光學系
93‧‧‧曝光領域
111‧‧‧LD
112‧‧‧可撓性基板
113‧‧‧LD陣列驅動器
114‧‧‧電路基板
115a、115b‧‧‧倒裝晶片
116‧‧‧驅動器IC
117、171‧‧‧反射稜鏡
118、118’‧‧‧副支架
119‧‧‧Au塗抹
120‧‧‧玻璃基板
121‧‧‧反射稜鏡
122‧‧‧柱狀透鏡
123‧‧‧投光光學系
170‧‧‧曝光光
171、172‧‧‧光束
173‧‧‧曝光光束
174‧‧‧多光束線
301‧‧‧單位微透鏡陣列
911‧‧‧水銀燈泡
921‧‧‧第1鏡子
922‧‧‧透鏡
923‧‧‧第2鏡子
924‧‧‧第3鏡子
[第1圖]顯示採用了微透鏡陣列的曝光裝置的一例的概念圖。
[第2圖]顯示在微透鏡陣列上多數並列的微透鏡的一部分的俯視圖。
[第3圖]顯示使用水銀燈泡的照明單元的一例的意示立體圖。
[第4圖]顯示由如第3圖所示的照明單元所產生之微透鏡陣列上的照明領域的圖。
[第5圖]顯示本實施例的照明單元的概要的圖。
[第6圖]顯示由如第5圖所示的照明單元所產生之微透鏡陣列上的照明領域的圖。
[第7圖]顯示照明光學系一條分的構成的概要圖。
[第8圖]第7圖所示的圓圈R的部分的放大圖。
[第9圖]顯示一條的LD陣列條及來自該LD陣列條的發光光的圖。
[第10圖]顯示被配列在玻璃基板上的LD陣列條的圖。
[第11圖]玻璃基板上之一條的LD陣列條搭載部分的剖面意示圖。
[第12圖]顯示玻璃基板上的LD陣列條之另一的配列形式的圖。
[第13圖]顯示照明光學系一條分的照明領域的照明圖型的圖。
以下,說明本發明的實施例。
第1圖,是顯示採用了微透鏡陣列的曝光裝置的一例的概念圖。採用了微透鏡陣列的曝光裝置本身是已被廣泛悉知的技術,在此只說明其概要。
此曝光裝置1,是具備:照明單元10、及遮罩20、及微透鏡陣列30、及驅動裝置40。在此曝光裝置1中,感光性保護層(光阻)被塗抹的基板50是被裝載在將微透鏡陣列30挾持並與遮罩20相面對的位置。
照明單元10,是將曝光光束射出由該曝光光束所產生的曝光光將遮罩20照明。在遮罩20中,形成有曝光圖型(圖示省略)。微透鏡陣列30,是複數微透鏡31被2次元配列者,將遮罩20作為被攝體將該遮罩20上的曝光圖型在基板50上成像。
在此,由照明單元10所產生的靜止時的曝光域及微透鏡陣列30,是比遮罩20及基板50小面積,因此驅動裝置40,是將照明單元10及微透鏡陣列30,在將那些之間的相對位置固定的狀態下朝箭頭A方向移動。由此,基板50,是橫跨其寬度方向全域被曝光。
基板50,是對於與此第1圖的紙面垂直的方向具有超過1次的曝光域的長度的基板時,是如上述橫跨基板50的寬度方向全域進行曝光之後,驅動裝置40是將基板50朝與此第1圖的紙面垂直的方向只有移動1次的曝光寬度分,其後,將照明單元10及微透鏡陣列30再度移動使進行曝光。如此,對於大面積的基板也可使其應曝光領域全面被曝光。
基板50的全面的曝光終了的話,基板50,是從此曝光裝置1被卸載,下一個新的基板50被裝載並反覆上述的曝光動作。
且上述的曝光用的動作是相對動作較佳,在將照明單元10和微透鏡陣列30固定中,將遮罩20和基板50移動的構成也可以。
第2圖,是在微透鏡陣列上顯示多數並列的微透鏡的一部分的俯視圖。
在如第1圖示意的微透鏡陣列30中多數的微透鏡31是被配列。
在此第2圖中,其中的極少部分的微透鏡被擴大顯示。
此第2圖所示的箭頭A,是與第1圖所示的箭頭A同樣,顯示照明單元10及微透鏡陣列30之曝光時的移動方向。
此微透鏡陣列30上的微透鏡31,是包含朝與其移動方向A垂直的箭頭a-a方向的配列且被2次元配置。在本實施例中箭頭a-a方向是相當於本發明的交叉方向的一例。
在1個1個微透鏡31中,被配置有六角形的視野光圏32,由此使微透鏡31的有效的開口被限制。這是為了防止由使用微透鏡31的周邊領域所產生的像的變形和周邊光量的下降。
接著,說明本實施例的特徵也就是照明單元10。在
此首先說明,比較例,是使用水銀燈泡習知的照明單元的一例,接著說明本實施例的照明單元。
第3圖,是顯示使用水銀燈泡的照明單元的一例的意示立體圖。此第3圖所示的照明單元,是相當於本發明的比較例。
此照明單元90,是具有光源91及照明光學系92。在光源91中,多數的水銀燈泡911是被2次元配列。照明光學系92,是成為將從構成光源91的多數的水銀燈泡911射出的光,透過第1鏡子921、透鏡922、第2鏡子923、及第3鏡子924,將遮罩20(配合第1圖參照),導引至與微透鏡陣列30相面對的領域的構成。
此第3圖所示的照明單元90的情況,其中一例,成為寬度2.4m、厚度4.4m、高度1.9m的大小。
第4圖,是顯示由如第3圖所示的照明單元所產生之微透鏡陣列上的照明領域的圖。在此,為了容易了解而省略遮罩,被顯示成如微透鏡陣列30被直接地照明。
微透鏡陣列30,是成為複數單位微透鏡陣列301被複數枚配列的構成,在各單位微透鏡陣列301,非常多數的微透鏡(第4圖中圖示省略)被配列。
由如第3圖所示的照明單元90所產生的微透鏡陣列30上的曝光領域93,是不考慮與各微透鏡31的位置關係一樣地擴大。
參照第2圖如其說明,本實施例的微透鏡31,是對於移動方向A離散地被配列,且,在1個1個的微透鏡
31中,朝基板50的曝光所使用的曝光光的有效領域是被限定於視野光圏32內。因此,如第4圖所示將微透鏡陣列30上一樣地照明的話,在實際的曝光有效被利用的曝光光只成為其照明的極少部分,利用效率低。
基於以上的比較例,以下,說明本實施例的照明單元。
第5圖,是顯示本實施例的照明單元10的概要的圖。
在此中,顯示呈鋸齒狀呈2列並列的複數照明光學系100。詳細如後述,是每1條照明光學系,具備複數條(本實施例的一例為12條)的雷射二極管陣列條(以下稱為「LD陣列條」),此照明光學系100,是依據一條的照明光學系,生成對應12條的LD陣列條的12條的狹縫狀的曝光光束,通過遮罩將微透鏡陣列30照明。
第6圖,是顯示由如第5圖所示的照明單元所產生之微透鏡陣列上的照明領域的圖。在第6圖(A)中,顯示由第5圖所示的照明單元整體所產生的照明領域,在第6圖(B)中擴大顯示照明光學系一條分的照明領域。
在此照明單元10中,如上述,每一條的照明光學系100具備12條的LD陣列條。對應那些12條的LD陣列條,每一條照明光學系100生成12條的狹縫狀的曝光光束使12條的狹縫狀的曝光光170被照射。此曝光光束,是每一條,對於在第2圖所示的箭頭a-a方向並列的微透鏡31橫跨多數的微透鏡31擴大,並且對於移動方向A,
是被限制在未能達到與其方向相鄰接的列並列的微透鏡31的廣度的曝光光束。由藉由一條的照明光學系100被生成的12條的曝光光束所產生的12條的曝光光170,皆是由在箭頭a-a方向並列的多數的微透鏡所構成的列,對於移動方向A各別將順序不同的12條的列照明。
由此,在一條的曝光光170及與該一條相鄰接的曝光光170之間,形成有曝光光未被照射的領域。因此本實施例的照明單元10的情況,藉由迴避未作為曝光光被利用的一部分領域的照射,使作為曝光光的利用效率提高。且,本實施例的照明單元10的情況,藉由採用LD(雷射二極管),與採用水銀燈泡的情況相比,可成為小型、薄型的照明單元。
以下,對於本實施例的照明單元進一步詳細說明。
第7圖,是顯示照明光學系一條分的構成的概要圖。
且第8圖,是第7圖所示的圓圈R的部分的放大圖。
進一步第9圖,是顯示一條的LD陣列條及從該LD陣列條的發光光的圖。
第9圖所示的LD陣列條110,是具有長度11mm程度的尺寸,在此LD陣列條110中,LD111是由一次元,例如200μm間距被配列48個。
此LD陣列條110,是相當於本發明的發光元件陣列的一例,被配列於該LD陣列條110的LD111,是相當於本發明的發光元件的一例。
來自構成LD陣列條110的各LD111的發光光,是藉
由鏡子或稜鏡等的反射光學系(在本實施例中為稜鏡121)朝下方被曲折。朝下方被折曲的發光光,是在此狀態中成為各LD111的光束171。
在第8圖中,顯示複數(本實施例為12條)的LD陣列條110被配列的狀態。在各LD陣列條110中,將LD陣列驅動器113(第7圖參照)連繋的可撓性基板112是被連接,各LD陣列條110,是藉由LD陣列驅動器113,透過各可撓性基板112被驅動。
且如第8圖所示,在各LD陣列條110的下方,對應各LD陣列條110的柱狀透鏡122是被配列。這些的柱狀透鏡122,是相當於本發明的光束轉換光學系的一例。這些的柱狀透鏡122,是被加工成平板狀者,從各LD陣列條110射出的光,是從對應的柱狀透鏡122的上端面入射至柱狀透鏡122內。入射至此柱狀透鏡122的來自48個的LD111的48條的光束171,是藉由由柱狀透鏡122內的曲折率分布所產生的曲折和柱狀透鏡122的外壁面中的反射而混合,成為具有均一的光量分布的1條的光束並從柱狀透鏡122的下端面射出。
從被配列的複數(在此為12個)的柱狀透鏡122的各下端面射出的12條的光束172,該12條皆入射至第7圖所示的1條的投光光學系123,藉由該投光光學系123使形成形狀,成為由進行第6圖(B)所示的狹縫狀的照明的複數條(12條)的曝光光束173所構成的多光束線174從投光光學系123射出。此多光束線174,是如前
述,由構成其多光束線174的12條的曝光光束173所產生的12條的曝光光170(第6圖參照),是將微透鏡31每次一列分地照明。
第10圖,是顯示被配列在玻璃基板上的LD陣列條的圖。
在此第10圖中,顯示照明光學系1條分的LD陣列條之中的一部分也就是4條的LD陣列條。
這些的LD陣列條110,是被配列在玻璃基板120上,被固定於玻璃基板120上。此第10圖所示的箭頭A方向,是與第1圖所示的移動方向A相同的方向。
如此第10圖所示,一條的LD陣列條110,其中一例為長度11mm程度者,在其中的10mm的領域,LD是由200μm間距被配列48個。且,在相面對於各LD陣列條110的射出面的位置中被配置有反射稜鏡121。此反射稜鏡121也被固定於玻璃基板120上。
第11圖,是玻璃基板上之一條的LD陣列條搭載部分的剖面意示圖。
在玻璃基板120上,固定有副支架118。在此副支架118的上面,被施加Au塗抹119。此Au塗抹119,是與LD陣列條110的下面的接地端子(無圖示)連接。LD陣列條110,是與副支架118的上的Au塗抹119連接,透過副支架118被固定於玻璃基板120。
LD陣列條110的上面的端子,是透過倒裝晶片115a與電路基板114連接。且,副支架118上的Au塗抹
119,也透過倒裝晶片115b與電路基板114上的接地連接。在此電路基板114中,搭載有將此LD陣列條110驅動用的驅動器IC116。此電路基板114,是透過可撓性基板112(配合第8圖參照)與第7圖所示的LD陣列驅動器113連接。
在LD陣列條110的射出端面側配置有反射稜鏡121。此反射稜鏡121,是將來自LD陣列條110的射出光反射並透過玻璃基板120,入射至第8圖所示的平板狀的柱狀透鏡122。
第12圖,是顯示玻璃基板上的LD陣列條之另一的配列形式的圖。
如第10圖、第11圖所示的配列形式的情況,LD陣列條110,是由從構成其LD陣列條110的複數LD朝與玻璃基板120的表面平行的方向使光被射出的姿勢,被固定於玻璃基板120,藉由由反射稜鏡121反射而透過玻璃基板120。
對於此,在此第12圖中,LD陣列條110,是透過副支架118’,由從構成該LD陣列條110的複數LD朝向玻璃基板120使光射出的姿勢被固定在玻璃基板120。
在此,簡略化地圖示在副支架118’只有固定有LD陣列條110,但是在副支架118’中,除了反射稜鏡121以外被組裝了與第11圖同樣的零件,具備將LD陣列條110的射出面向下的方式將副支架118’立起並固定於玻璃基板120的構造。LD陣列條110,是如第12圖所示被配列在
玻璃基板120上也可以。
依據以上的本實施例的照明單元10的話,其中一例,由寬度0.9m、深度0.3m、高度0.6m程度的尺寸即可,與參照第3圖說明的採用了水銀燈泡的習知的照明單元相比,可實現大幅度地尺寸下降。
第13圖,是顯示照明光學系一條分的照明領域的照明圖型的圖。
在第1圖所示的移動方向A,是在此第13圖也由箭頭A所示。
如第13圖所示,微透鏡陣列30上的微透鏡31,是由長條的狹縫狀的曝光光170照明在各列。但是,曝光光170雖是直接將微透鏡陣列30上的遮罩20(第1圖參照)照明,但是遮罩20被圖示省略。
在第13圖(A)中,顯示由12條的曝光光束173所構成的多光束線174(第7圖參照)照射於微透鏡陣列30上的狀態。
且第13圖(B),是將被配列的LD陣列條隔1條地驅動,停止從其他的隔1條的LD陣列條的發光光的射出的狀態的圖。
第13圖(C),是與第13圖(B)相比進一步只有一半的條數的LD陣列條被驅動的狀態的圖。
第13圖(D),是顯示比較例,由第3圖所示的照明單元90所產生的與本實施例中的一條的照明光學系所負責的照明領域相同的照明領域179。
依據本實施例的照明單元10的話,將基板50(第1圖參照)上曝光的曝光光量,是為了實現與比較例(第13圖(D))相同的曝光光量的話,第13圖(C)的程度就足夠,消耗電力也只要4分之1程度即可。有需要將朝基板50的曝光光量增加時,如第13圖(B)或是第13圖(A)藉由進一步將多數的LD陣列條驅動就可以將曝光光量提高。
以上如,依據本實施例,照明單元是被大幅地小型化,因此曝光裝置被大幅地小型化,進一步消耗電力減少。
110‧‧‧LD陣列條
118’‧‧‧副支架
120‧‧‧玻璃基板
Claims (6)
- 一種曝光裝置,具備:將曝光光射出的照明單元、及形成有曝光圖型且被來自前述照明單元的曝光光的照射的遮罩、及將前述遮罩作成被攝體的微透鏡陣列、及將前述照明單元及前述微透鏡陣列,對於:前述遮罩、及藉由該微透鏡陣列使該遮罩上的曝光圖型被成像的基板的雙方,朝預定的移動方向相對移動的移動機構,藉由由前述移動機構所產生的朝前述移動方向的相對移動,橫跨前述基板上之具有超過前述微透鏡陣列的靜止時的曝光領域的廣度的領域,使該基板,被曝光對應前述遮罩上的曝光圖型的圖型,其特徵為:前述微透鏡陣列,是具有包含朝與前述移動方向交叉的交叉方向的配列且被2次元配置的複數微透鏡,前述照明單元,是具有:複數發光元件被配列的發光元件陣列;及照明光學系,是將從構成前述發光元件陣列的複數發光元件射出的複數發光光,轉換成:對於前述交叉方向橫跨在該交叉方向並列的微透鏡複數個地擴大,並且對於前述移動方向是不及於與該移動方向相鄰接的列並列的微透鏡的廣度地被限制的曝光光束,將該曝光光束導引至在該交叉方向並列的複數微透鏡上。
- 如申請專利範圍第1項的曝光裝置,其中, 前述照明單元,是具備複數條前述發光元件陣列,前述照明光學系,是在每一條前述發光元件陣列,將從該一條的發光元件陣列射出的複數發光光轉換成一條前述曝光光束,將對應該發光元件陣列複數條的複數條的曝光光束,各別導引至皆是由在前述交叉方向並列的複數微透鏡所構成的列且對於前述移動方向彼此不同的複數列的光學系。
- 如申請專利範圍第1或2項的曝光裝置,其中,前述照明光學系,是具有:讓從構成前述發光元件陣列的複數發光元件射出的複數發光光入射並轉換成具有狹縫形狀的狹縫光束而射出,對應該發光元件陣列被配置的光束轉換光學系;及讓從前述光束轉換光學系射出的前述狹縫光束入射將該狹縫光束轉換成前述曝光光束的投光光學系。
- 如申請專利範圍第1或2項的曝光裝置,其中,前述照明單元是進一步具備固定有前述發光元件陣列之由讓從該發光元件陣列射出的發光光透過的材質所構成的支撐基板,前述照明光學系,是具有反射光學系,其是對應前述發光元件陣列地具備且被固定於前述支撐基板上沿著該發光元件陣列延伸,將從構成該發光元件陣列的複數發光元件射出的複數發光光反射將該支撐基板透過。
- 如申請專利範圍第1或2項的曝光裝置,其中,前述照明單元是進一步具備固定有前述發光元件陣列 之由讓從該發光元件陣列射出的發光光透過的材質所構成的支撐基板,前述發光元件陣列,是由從構成該發光元件陣列的複數發光元件朝向該支撐基盤複數發光光被射出的姿勢,被固定在前述支撐基板上。
- 一種照明單元,是將形成有曝光圖型的遮罩上的該曝光圖型由微透鏡陣列在基板上成像,將該微透鏡陣列對於該遮罩及該基板朝預定的移動方向相對移動時,將曝光光射出與該微透鏡陣列一起一邊朝該移動方向相對移動一邊將該遮罩照明,其特徵為:前述微透鏡陣列,是具有包含朝與前述移動方向交叉的交叉方向的配列且被2次元配置的複數微透鏡,該照明單元,是具有:複數發光元件被配列的發光元件陣列;及照明光學系,是將從構成前述發光元件陣列的複數發光元件射出的複數發光光,轉換成:對於前述交叉方向是橫跨在該交叉方向並列的微透鏡複數個地擴大,並且對於前述移動方向是不及於與該移動方向相鄰接的列並列的微透鏡的廣度地被限制的曝光光束,且將該曝光光束導引至在該交叉方向並列的複數微透鏡上。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013-138100 | 2013-07-01 | ||
JP2013138100A JP6283798B2 (ja) | 2013-07-01 | 2013-07-01 | 露光装置および照明ユニット |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201502718A TW201502718A (zh) | 2015-01-16 |
TWI615683B true TWI615683B (zh) | 2018-02-21 |
Family
ID=52143339
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW103122497A TWI615683B (zh) | 2013-07-01 | 2014-06-30 | 曝光裝置及照明單元 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9921482B2 (zh) |
JP (1) | JP6283798B2 (zh) |
KR (1) | KR20160026830A (zh) |
CN (1) | CN105209976B (zh) |
TW (1) | TWI615683B (zh) |
WO (1) | WO2015001736A1 (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6447148B2 (ja) * | 2015-01-09 | 2019-01-09 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 投影露光装置 |
KR101728857B1 (ko) * | 2016-03-02 | 2017-04-20 | 포항공과대학교 산학협력단 | 리소그래피 장치용 헤더 및 그 제조방법 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050219493A1 (en) * | 2002-07-03 | 2005-10-06 | Yoshitada Oshida | Illuminating method, exposing method, and device for therefor |
US20100195078A1 (en) * | 2007-01-22 | 2010-08-05 | Toshiyuki Horiuchi | Projection exposure apparatus and projection exposure method |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002373448A (ja) * | 2001-06-15 | 2002-12-26 | Ricoh Co Ltd | 光ディスク装置及びその光学素子の作製方法 |
US20030091277A1 (en) * | 2001-11-15 | 2003-05-15 | Wenhui Mei | Flattened laser scanning system |
DE10324210A1 (de) * | 2002-06-24 | 2004-01-15 | Heidelberger Druckmaschinen Ag | Bebilderungseinrichtung für Druckformen |
US7187399B2 (en) * | 2003-07-31 | 2007-03-06 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Exposure head with spatial light modulator |
US7253882B2 (en) * | 2003-12-26 | 2007-08-07 | Fujifilm Corporation | Exposure method and exposure system |
JP2007003829A (ja) | 2005-06-23 | 2007-01-11 | Fujifilm Holdings Corp | 画像露光装置 |
US8139218B2 (en) * | 2005-07-06 | 2012-03-20 | Asml Netherlands B.V. | Substrate distortion measurement |
JP2008152039A (ja) * | 2006-12-18 | 2008-07-03 | Seiko Epson Corp | マイクロレンズアレイの製造方法、マイクロレンズアレイ、それを用いた有機elラインヘッド及び画像形成装置 |
JP2009229721A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Fujifilm Corp | 光デバイスおよび画像露光装置 |
JP5224341B2 (ja) * | 2008-05-15 | 2013-07-03 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 露光装置及びフォトマスク |
WO2011052060A1 (ja) * | 2009-10-29 | 2011-05-05 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 露光装置及びフォトマスク |
TWI548947B (zh) * | 2009-11-10 | 2016-09-11 | V科技股份有限公司 | 曝光裝置及光罩 |
JP5515119B2 (ja) * | 2010-10-05 | 2014-06-11 | 株式会社ブイ・テクノロジー | マイクロレンズアレイを使用したスキャン露光装置 |
KR20120060018A (ko) * | 2010-12-01 | 2012-06-11 | 삼성전자주식회사 | 마스크리스 노광 장치 |
JP5704535B2 (ja) | 2011-04-05 | 2015-04-22 | 株式会社ブイ・テクノロジー | マイクロレンズアレイを使用した露光装置 |
US20140307242A1 (en) * | 2011-06-01 | 2014-10-16 | Eulitha A.G. | Method and apparatus for printing periodic patterns using multiple lasers |
KR101941323B1 (ko) | 2011-08-10 | 2019-01-22 | 브이 테크놀로지 씨오. 엘티디 | 노광 장치용 얼라인먼트 장치 및 얼라인먼트 마크 |
JP5895275B2 (ja) * | 2011-11-02 | 2016-03-30 | 株式会社ブイ・テクノロジー | アライメントマーク及び露光装置 |
JP5935294B2 (ja) | 2011-11-04 | 2016-06-15 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 近接露光装置及び近接露光方法 |
-
2013
- 2013-07-01 JP JP2013138100A patent/JP6283798B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-06-16 US US14/902,044 patent/US9921482B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2014-06-16 CN CN201480027536.0A patent/CN105209976B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2014-06-16 KR KR1020157027501A patent/KR20160026830A/ko not_active Application Discontinuation
- 2014-06-16 WO PCT/JP2014/003213 patent/WO2015001736A1/ja active Application Filing
- 2014-06-30 TW TW103122497A patent/TWI615683B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050219493A1 (en) * | 2002-07-03 | 2005-10-06 | Yoshitada Oshida | Illuminating method, exposing method, and device for therefor |
US20100195078A1 (en) * | 2007-01-22 | 2010-08-05 | Toshiyuki Horiuchi | Projection exposure apparatus and projection exposure method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2015001736A1 (ja) | 2015-01-08 |
TW201502718A (zh) | 2015-01-16 |
KR20160026830A (ko) | 2016-03-09 |
JP2015011270A (ja) | 2015-01-19 |
US9921482B2 (en) | 2018-03-20 |
CN105209976A (zh) | 2015-12-30 |
US20160223913A1 (en) | 2016-08-04 |
JP6283798B2 (ja) | 2018-02-28 |
CN105209976B (zh) | 2018-06-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101313514B1 (ko) | 노광 장치 및 광원 장치 | |
KR101926321B1 (ko) | 통합 구조화된 광 프로젝터 | |
TWI596418B (zh) | 使用反射器陣列的照明裝置及包含其之光學裝置 | |
US20220244627A1 (en) | Lighting arrangement, light guide arrangement and method | |
JP2021520604A (ja) | 少なくとも1つのピクセル化光源を有する車両用の照明装置 | |
JP2006343684A (ja) | パターン描画装置 | |
WO2021235162A1 (ja) | 発光装置および測距装置 | |
KR20180085691A (ko) | 픽셀화된 광선을 투사하기 위한 장치, 및 이러한 장치를 구비한 전조등 | |
US20220123530A1 (en) | Vertical cavity surface emitting laser (vcsel) based pattern projector | |
TWI615683B (zh) | 曝光裝置及照明單元 | |
JP2006186302A (ja) | 走査型露光用光源ユニット | |
JP7092874B2 (ja) | フラッシュデバイスに使用するレンズ | |
JP2018124305A (ja) | 光源装置および投射型表示装置 | |
JP2518236B2 (ja) | 光源装置 | |
CN115524711A (zh) | 用于三维测距***的线阵投影器 | |
TWI649632B (zh) | Exposure device and exposure method | |
EP1631855B1 (en) | Compact led module and projection display adopting the same | |
CN117631426A (zh) | 一种投影显示装置 | |
JP3798573B2 (ja) | 画像記録装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |