TWI615057B - 發光裝置及其發光方法 - Google Patents

發光裝置及其發光方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI615057B
TWI615057B TW105121322A TW105121322A TWI615057B TW I615057 B TWI615057 B TW I615057B TW 105121322 A TW105121322 A TW 105121322A TW 105121322 A TW105121322 A TW 105121322A TW I615057 B TWI615057 B TW I615057B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
voltage
emitting diodes
emitting
electrode layers
Prior art date
Application number
TW105121322A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201803407A (zh
Inventor
陳家泰
易聲宏
廖本逸
Original Assignee
綠點高新科技股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 綠點高新科技股份有限公司 filed Critical 綠點高新科技股份有限公司
Priority to TW105121322A priority Critical patent/TWI615057B/zh
Priority to US15/639,313 priority patent/US20180014372A1/en
Publication of TW201803407A publication Critical patent/TW201803407A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI615057B publication Critical patent/TWI615057B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/30Driver circuits
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/02Details
    • H05B33/06Electrode terminals
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/30Driver circuits
    • H05B45/37Converter circuits
    • H05B45/3725Switched mode power supply [SMPS]
    • H05B45/39Circuits containing inverter bridges

Landscapes

  • Led Devices (AREA)

Abstract

一種發光裝置,包含至少二個電極層,及多個發光二極體,該等電極層用以接收一交流電壓,以在該等電極層間形成一正比於交流電壓的電極跨壓,發光二極體佈設在該等電極層間,並包括多個第一發光二極體與多個第二發光二極體,每一發光二極體具有一陽極及一陰極,第一發光二極體的陽極及陰極間的一跨壓等於電極跨壓的正相值,第二發光二極體的陽極及陰極間的一跨壓等於電極跨壓的反相值,當交流電壓處於正半週時,第一發光二極體導通,當交流電壓處於負半週時,第二發光二極體導通;藉此,可增加發光二極體的導通數量,並提升發光效率。

Description

發光裝置及其發光方法
本發明是有關於一種發光裝置及方法,特別是指一種具有多個微型發光二極體晶粒的發光裝置及其發光方法。
隨著發光二極體照明技術的成熟,微發光二極體(micro-LED,簡稱μLED)的顯示技術也正在發展中,μLED綜合TFT-LCD和LED兩大技術特點,在材料、製程、設備的發展規格遠高於目前的TFT-LCD或OLED,且μLED主動發光、幾乎無光損耗且高亮度的特性,有望解決穿戴型裝置、手機、平板等設備之顯示器高能耗及電池續航力低的問題,吸引為數眾多的公司與研究機構投入技術開發。
μLED的製程技術可包括封裝製程以及印刷製程兩種,其中印刷製程技術是將LED晶圓進行切割成微型LED晶粒,並將其混入電子油墨,接著由印刷設備將此半導體油墨透過網板、噴墨印刷的方式在基板上進行佈局,可擺脫傳統的封裝製程需要使用 大工廠的昂貴設備的缺點,而易於達成可撓性顯示器、達成觸控面板與可撓式顯示器所需之電子電路。然而,由於LED晶粒在基板上的排列位置是混亂沒有規律的,故實務上難以導通所有微型LED晶粒,導致其發光效率難以提升。
因此,本發明之目的,即在提供一種可提升發光效率的發光方法。
於是,本發明發光方法,包含一步驟(A)、一步驟(B)、一步驟(C),及一步驟(D)。
該步驟(A)是提供一發光裝置,該發光裝置包括至少二個電極層,及多個發光二極體,該等發光二極體佈設在該至少二個電極層間,且該等發光二極體包括多個第一發光二極體與多個第二發光二極體,且每一發光二極體具有一陽極及一陰極。
該步驟(B)該至少二個電極層接收一交流電壓,以在該至少二個電極層間形成一正比於該交流電壓的電極跨壓,該多個第一發光二極體的該陽極及該陰極間的一跨壓等於該電極跨壓的正相值,該多個第二發光二極體的該陽極及該陰極間的一跨壓等於該電極跨壓的反相值。
該步驟(C)是切換該交流電壓處於正半週,使該多個第一發光二極體導通。
該步驟(D)是切換該交流電壓處於負半週,使該多個第二發光二極體導通。
此外,本發明之另一目的,在於提供一種可提升發光效率的發光裝置。
於是,本發明發光裝置,包含至少二個電極層,及多個發光二極體。
該至少二個電極層用以接收一交流電壓,以在該至少二個電極層間形成一正比於該交流電壓的電極跨壓。
該多個發光二極體佈設在該至少二個電極層間,且該等發光二極體包括多個第一發光二極體與多個第二發光二極體,且每一發光二極體具有一陽極及一陰極,該多個第一發光二極體的該陽極及該陰極間的一跨壓等於該電極跨壓的正相值,該多個第二發光二極體的該陽極及該陰極間的一跨壓等於該電極跨壓的反相值。
當該交流電壓處於正半週時,該多個第一發光二極體導通,當該交流電壓處於負半週時,該多個第二發光二極體導通。
再者,本發明之又一目的,在於提供一種發光方法。
於是,本發明發光方法,適用於由該發光裝置執行,該發光裝置還包括一交流電壓產生器,且該發光方法包括一步驟(A1),及一步驟(A2)。
該步驟(A1)是利用該交流電壓產生器產生該交流電壓,以改變該電極跨壓的值。
該步驟(A2)是利用該交流電壓產生器根據一預設頻率切換該交流電壓於正半週與負半週間。
此外,本發明之再一目的,在於提供一種發光方法。
於是,本發明發光方法,包含一步驟(A)、一步驟(B),及一步驟(C)。
該步驟(A)是將多個第一微型發光二極體與多個第二微型發光二極體設置於至少兩電極層之間。
該步驟(B)是提供一處於正半週的交流電壓至該兩電極層,以驅動該等第一微型發光二極體發光。
該步驟(C)是提供一處於負半週的交流電壓至該兩電極層,以驅動該等第二微型發光二極體發光。
此外,本發明之再一目的,在於提供一種發光方法。
於是,本發明發光方法,包含一步驟(A)、一步驟(B),及一步驟(C)。
該步驟(A)是將多個第一發光二極體與多個第二發光二極體設置於至少兩電極層之間,各該第一發光二極體與第二發光二極體具有分別位於兩相反端的陰極及陽極。
該步驟(B)是提供一處於正半週的交流電壓至該兩電極層,以導通該等第一發光二極體。
該步驟(C)是提供一處於負半週的交流電壓至該兩電極層,以導通該等第二發光二極體。
此外,本發明之再一目的,在於提供一種發光方法。
於是,本發明發光方法,包含一步驟(A)、一步驟(B),及一步驟(C)。
該步驟(A)是隨機佈設多個第一微型發光二極體與多個第二微型發光二極體,使該等第一微型發光二極體與該等微型第二發光二極體的陽極與陰極方位不一致。
該步驟(B)是提供一處於正半週的交流電壓,以導通該等第一微型發光二極體。
該步驟(C)是提供一處於負半週的交流電壓,以導通該等第二微型發光二極體。
本發明之功效在於:當該交流電壓處於正半週時,該等發光二極體中的多個第一發光二極體導通,當該交流電壓處於負 半週時,該等發光二極體中的多個第二發光二極體導通,藉此增加發光二極體的導通數量,進而提升發光效率。
1‧‧‧發光裝置
13‧‧‧交流電壓產生器
11‧‧‧電極層
131~132‧‧‧開關
11’‧‧‧電極層
133~134‧‧‧分壓電容
12a‧‧‧第一發光二極體
135~138‧‧‧開關
12b‧‧‧第二發光二極體
Vdc‧‧‧交流電壓
12a’~12a’’’‧‧‧第一發光二極體
Vac‧‧‧交流電壓
12b’~12b’’’‧‧‧第二發光二極體
S1~S4‧‧‧控制信號
A‧‧‧提供發光裝置的步驟
A1‧‧‧產生交流電壓的步驟
A2‧‧‧切換交流電壓的步驟
B‧‧‧形成電極跨壓的步驟
C‧‧‧第一發光二極體導通的步驟
D‧‧‧第二發光二極體導通的步驟
本發明之其他的特徵及功效,將於參照圖式的實施方式中清楚地呈現,其中:圖1是一示意圖,說明本發明發光裝置的一第一實施例;圖2是一流程圖,說明本發明發光方法的一實施例的步驟流程;圖3是一示意圖,輔助圖1說明該第一實施例的一發光二極體;圖4是一電路圖,輔助圖1說明該實施例的一種交流電壓產生器;圖5是一電路圖,輔助圖1說明該實施例的另一種交流電壓產生器;及圖6是一示意圖,說明本發明發光裝置的一第二實施例。
在本發明被詳細描述之前,應當注意在以下的說明內容中,類似的元件是以相同的編號來表示。
參閱圖1,本發明發光裝置1的一第一實施例包含二個電極層11、多個發光二極體12a~12b,及一交流電壓產生器13。
電極層11用以接收一交流電壓Vac,以在二個電極層11間形成一正比於交流電壓Vac的電極跨壓(圖未示)。
配合參閱圖2,發光二極體12a~12b佈設在電極層11間,且發光二極體12a~12b包括多個第一發光二極體12a與多個第二發光二極體12b。每一發光二極體12a~12b為尺寸10μm以下的微型發光二極體(micro-LED)晶粒,且其具體結構如圖2所示,每一發光二極體12a~12b為垂直導通(vertical)型發光二極體,除了具有最上層的一陰極(-)及最下層的一陽極(+)外,還具有一n型氮化鎵層(n-GaN)、一量子井層(MQW)、一p型氮化鎵層(p-GaN)、一反射層(reflector),及一金屬基板(metal substrate)。該金屬基板可為硬質印刷電路板,亦可為可撓性印刷電路板。
需要說明的是,發光二極體12a~12b是利用印刷電子製程,而隨機佈設在電極層11間,因此可能出現像是第一發光二極體12a與第二發光二極體12b的陽極與陰極位置上下顛倒、第一發光二極體與12a與第二發光二極體12b的陽極與陰極方位不一致的情形,該等發光二極體的另一部分還包括橫向設置的發光二極體(圖未示),其陽極與陰極的至少一者沒有與任一電極層11電連接。
交流電壓產生器13用以產生交流電壓Vac,並電連接在二個電極層11間。在本實施例中,交流電壓產生器13為反相器(inverter),並例如為一半橋電路及一全橋電路其中的一者。
參閱圖3及圖4,以下分別舉例該半橋電路及該全橋電路可行的實施態樣。圖3為該半橋電路的具體態樣,該半橋電路接收一直流電壓Vdc,並利用上下兩個串聯連接的開關131~132,及上下兩個串聯連接的分壓電容133~134來實現,開關131~132分別接收控制信號S1~S2的控制而交替導通,以將該直流電壓Vdc轉換成該交流電壓Vac。圖4為該全橋電路的具體態樣,接收一直流電壓Vdc,並利用兩組成對的開關135~138分別接收控制信號S1~S4交替導通,而將該直流電壓Vdc轉換成該交流電壓Vac
參閱圖5,本發明發光方法的一實施例包含以下步驟。
步驟A:提供該發光裝置1。發光裝置1的結構說明同前,於此不再贅述。
步驟A1:交流電壓產生器13產生交流電壓Vac
步驟B:二個電極層11接收交流電壓Vac,以在該二個電極層11間形成該正比於交流電壓Vac的電極跨壓(圖未示),多個第一發光二極體12a的陽極及陰極間的一跨壓等於該電極跨壓的正相值,多個第二發光二極體12b的陽極及陰極間的一跨壓等於該電極跨壓的反相值。
步驟A2:交流電壓產生器13根據一預設頻率切換交流電壓Vac於正半週與負半週間。在本實施例中,交流電壓Vac的該預設頻率介於400赫茲至1千赫茲之間。
步驟C:交流電壓產生器13切換交流電壓Vac處於正半週,使多個第一發光二極體12a導通。
步驟D:交流電壓產生器13切換交流電壓Vac處於負半週,使多個第二發光二極體12b導通。
如此一來,交流電壓產生器13所產生的交流電壓Vac,即用來改變第一發光二極體12a及第二發光二極體12b的電極跨壓,並使交流電壓Vac以該預設頻率在正半週與負半週間快速地切換,當交流電壓Vac處於正半週時,第一發光二極體12a即接收該電極跨壓的正相值而導通發亮,當交流電壓Vac處於負半週時,第二發光二極體12b即接收該電極跨壓的反相值而導通發亮,故可增加發光二極體的導通數目,並提升發光效率。同時,因為該預設頻率超過人眼可辨識出的閃爍頻率,因此使用者並不會察覺該等發光二極體12a~12b為交替發光,更可提供整體亮度提高的視覺感受。
參閱圖6,本發明發光裝置1的一第二實施例,與該第一實施例的差別在於:發光裝置1的電極層11’的數目為複數(圖6繪示出四個電極層11’),且任二個相鄰的電極層11’之間均佈設發光二極體12a’~12b’’’。電極層11’的其中二者接收交流電壓Vac,就該第二實施例而言,例如由電極層11’中的最上層與最下層接收交流電壓Vac,且當交流電壓Vac處於正半週時,第一發光二極體12a’、12a”、12a’’’所形成的串聯路徑導通發亮,當交流電壓Vac 處於負半週時,第二發光二極體12b’、12b”、12b’’’所形成的串聯路徑導通發亮,因而同樣可達到增加發光二極體的導通數目,及提升發光效率的效果。
綜上所述,本發明發光裝置及其發光方法,藉由交流電壓產生器13產生交流電壓Vac,使得微型發光二極體晶粒中的第一發光二極體12a與第二發光二極體12b交替導通,交流電壓Vac根據預設頻率在正半週與負半週間切換,其超過人眼所能辨識的閃爍頻率,因此使用者並不會察覺微型發光二極體晶粒中的第一發光二極體12a與第二發光二極體12b為交替發光,故可達到增加微型發光二極體晶粒的導通數目,及提升發光效率的效果,因此,確實可達到本發明之目的。
惟以上所述者,僅為本發明之較佳實施例而已,當不能以此限定本發明實施之範圍,凡是依本發明申請專利範圍及專利說明書內容所作之簡單的等效變化與修飾,皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。
1‧‧‧發光裝置
11‧‧‧電極層
12a‧‧‧第一發光二極體
12b‧‧‧第二發光二極體
13‧‧‧交流電壓產生器
Vac‧‧‧交流電壓

Claims (12)

  1. 一種用於發光裝置的發光方法,包含:(A)提供一發光裝置,該發光裝置包括至少二個電極層,及多個發光二極體,該等發光二極體根據一印刷電子製程而隨機佈設在該至少二個電極層間,且該等發光二極體包括多個第一發光二極體與多個第二發光二極體,且每一發光二極體具有一陽極及一陰極;(B)該至少二個電極層接收一交流電壓,以在該至少二個電極層間形成一正比於該交流電壓的電極跨壓,該多個第一發光二極體的該陽極及該陰極間的一跨壓等於該電極跨壓的正相值,該多個第二發光二極體的該陽極及該陰極間的一跨壓等於該電極跨壓的反相值;(C)切換該交流電壓處於正半週,使該多個第一發光二極體導通;及(D)切換該交流電壓處於負半週,使該多個第二發光二極體導通。
  2. 如請求項第1項所述的用於發光裝置的發光方法,其中,每一發光二極體為垂直導通型發光二極體。
  3. 如請求項第1項所述的用於發光裝置的發光方法,其中,每一發光二極體為尺寸10μm以下的微型發光二極體(micro-LED)。
  4. 如請求項第1項所述的用於發光裝置的發光方法,其中,該交流電壓具有一預設頻率,且該預設頻率介於400赫茲至1千赫茲之間。
  5. 如請求項第1項所述的用於發光裝置的發光方法,其中,在該步驟(A)中,該發光裝置的電極層的數目為複數,且任二個相鄰的電極層之間均佈設該等發光二極體,且在該步驟(B)中,該等電極層的其中二者接收該交流電壓。
  6. 一種發光裝置,包含:至少二個電極層,用以接收一交流電壓,以在該至少二個電極層間形成一正比於該交流電壓的電極跨壓;及多個發光二極體,根據一印刷電子製程而隨機佈設在該至少二個電極層間,且該等發光二極體包括多個第一發光二極體與多個第二發光二極體,且每一發光二極體具有一陽極及一陰極,該多個第一發光二極體的該陽極及該陰極間的一跨壓等於該電極跨壓的正相值,該多個第二發光二極體的該陽極及該陰極間的一跨壓等於該電極跨壓的反相值;當該交流電壓處於正半週時,該多個第一發光二極體導通,當該交流電壓處於負半週時,該多個第二發光二極體導通。
  7. 如請求項第6項所述的發光裝置,其中,每一發光二極體為一垂直導通型發光二極體。
  8. 如請求項第6項所述的發光裝置,其中,每一發光二極體為尺寸10μm以下的微型發光二極體(micro-LED)。
  9. 如請求項第6項所述的發光裝置,其中,該交流電壓具有一預定頻率,且該預定頻率介於400赫茲至1千赫茲之間。
  10. 一種用於多個微型發光二極體的發光方法,包含: (A)將多個第一微型發光二極體與多個第二微型發光二極體根據一印刷電子製程而隨機設置於至少兩電極層之間;(B)提供一處於正半週的交流電壓至該兩電極層,以驅動該等第一微型發光二極體發光;及(C)提供一處於負半週的交流電壓至該兩電極層,以驅動該等第二微型發光二極體發光。
  11. 一種用於多個發光二極體的發光方法,包含:(A)將多個第一發光二極體與多個第二發光二極體根據一印刷電子製程而隨機設置於至少兩電極層之間,各該第一發光二極體與第二發光二極體具有分別位於兩相反端的陰極及陽極;(B)提供一處於正半週的交流電壓至該兩電極層,以導通該等第一發光二極體;及(C)提供一處於負半週的交流電壓至該兩電極層,以導通該等第二發光二極體。
  12. 一種用於多個微型發光二極體的發光方法,包含:(A)根據一印刷電子製程隨機佈設多個第一微型發光二極體與多個第二微型發光二極體,使該等第一微型發光二極體與該等微型第二發光二極體的陽極與陰極方位不一致;(B)提供一處於正半週的交流電壓,以導通該等第一微型發光二極體;及 (C)提供一處於負半週的交流電壓,以導通該等第二微型發光二極體。
TW105121322A 2016-07-06 2016-07-06 發光裝置及其發光方法 TWI615057B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW105121322A TWI615057B (zh) 2016-07-06 2016-07-06 發光裝置及其發光方法
US15/639,313 US20180014372A1 (en) 2016-07-06 2017-06-30 Light emitting device and method for driving light emission

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW105121322A TWI615057B (zh) 2016-07-06 2016-07-06 發光裝置及其發光方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201803407A TW201803407A (zh) 2018-01-16
TWI615057B true TWI615057B (zh) 2018-02-11

Family

ID=60892771

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105121322A TWI615057B (zh) 2016-07-06 2016-07-06 發光裝置及其發光方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20180014372A1 (zh)
TW (1) TWI615057B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3803976B1 (en) 2018-05-24 2024-05-22 Lumiode, Inc. Led display structures and fabrication of same
US11380252B2 (en) 2018-12-21 2022-07-05 Lumiode, Inc. Addressing for emissive displays

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101188884A (zh) * 2006-11-20 2008-05-28 琳得科株式会社 具有透视特性的发光片、发光装饰材料及其制造方法
TW200923245A (en) * 2007-06-04 2009-06-01 Koninkl Philips Electronics Nv Light output device
TW201119496A (en) * 2009-09-07 2011-06-01 Koninkl Philips Electronics Nv Wireless electroluminescent device
TW201247020A (en) * 2011-03-07 2012-11-16 Koninkl Philips Electronics Nv Electroluminescent device
CN104115561A (zh) * 2012-01-03 2014-10-22 安德鲁·任科 电致发光装置及其制造

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7576496B2 (en) * 1999-12-22 2009-08-18 General Electric Company AC powered OLED device
CN102067724B (zh) * 2008-06-17 2013-11-06 皇家飞利浦电子股份有限公司 适合于交流驱动的发光器件
JP2013042099A (ja) * 2011-07-15 2013-02-28 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体発光装置を搭載するための回路基板、発光モジュール、照明器具、及び照明システム
US9443833B2 (en) * 2013-01-31 2016-09-13 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Transparent overlapping LED die layers
US9961745B2 (en) * 2013-11-21 2018-05-01 Ford Global Technologies, Llc Printed LED rylene dye welcome/farewell lighting

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101188884A (zh) * 2006-11-20 2008-05-28 琳得科株式会社 具有透视特性的发光片、发光装饰材料及其制造方法
TW200923245A (en) * 2007-06-04 2009-06-01 Koninkl Philips Electronics Nv Light output device
TW201119496A (en) * 2009-09-07 2011-06-01 Koninkl Philips Electronics Nv Wireless electroluminescent device
TW201247020A (en) * 2011-03-07 2012-11-16 Koninkl Philips Electronics Nv Electroluminescent device
CN104115561A (zh) * 2012-01-03 2014-10-22 安德鲁·任科 电致发光装置及其制造

Also Published As

Publication number Publication date
TW201803407A (zh) 2018-01-16
US20180014372A1 (en) 2018-01-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108337776B (zh) 照明装置
JP5635699B2 (ja) 有機発光装置
JPH1116683A (ja) 発光表示装置
CN101982013B (zh) 发光装置
JP2011159495A (ja) 照明装置
TWI615057B (zh) 發光裝置及其發光方法
RU2015118136A (ru) Led-модуль с емкостными соединениями
JP2004014899A (ja) 発光ダイオードチップの直列構造
JP2012015478A (ja) 交流用発光ダイオード発光装置
KR20120018646A (ko) 교류구동 발광장치
CN104319355B (zh) 一种发光器件及其驱动控制方法、灯具
TW201436286A (zh) 發光二極體陣列的製作方法以及發光二極體顯示裝置的製作方法
JP3143194U (ja) 発光ダイオードユニット
CN211822100U (zh) 单闪led灯串及单闪led灯串***
CN210167356U (zh) 一种oled模组及失效减少的oled模组灯具
CN211297042U (zh) 一种多功能指示灯控制电路
CN203068208U (zh) 一种led光源
CN208058504U (zh) 一种led灯条
JP2007257855A (ja) 有機el素子ユニット及びそれを用いた照明装置
TWI264136B (en) AC-driven multiple light emitting diode (LED) structure with surge protection substrate
CN216563125U (zh) 一种基于三层透明导电膜的led基本发光结构
JP2007173525A (ja) 有機el照明パネル及び有機el照明装置
CN100544064C (zh) 用于有机电致发光显示器的母板玻璃及其老化线制作方法
TWI667819B (zh) 有機電激發光裝置及其有機電激發光元件
CN217902273U (zh) 一种两线集成控制电路

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees