TWI609605B - 嚴峻環境光學元件保護技術 - Google Patents

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布魯諾 拉馮泰納
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Ａｓｍｌ荷蘭公司
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Description

嚴峻環境光學元件保護技術 發明領域
本揭露內容係有關一種被設計成在嚴峻環境中運作之光學元件。為達此目的，該光學元件被設有一個或多個保護層以屏蔽光學元件使之免於因未經保護地曝露於一嚴峻環境而造成的損害。如此的配置在下述情況可被有利地使用：當該嚴峻環境是位在一用以產生極紫外光(“EUV”)輻射之裝置的一真空室中，而該極紫外光(“EUV”)輻射是自一利用一來源材料的放電或雷射剝蝕而生成的電漿所產生者。在此應用中，該光學元件例如被用來聚集及導引輻射以供在該真空室外的使用，例如用於半導體光微影技術。
發明背景
極紫外光，例如具有波長約50nm或更少(有時也稱作軟X射線)的電磁輻射，且包含波長約在13.5nm之光，可被用於光微影技術中以在諸如矽晶圓的基板上產生極小的特徵。
用以產生極紫外光的方法包含轉化一標的材料從一液態至一電漿態。該標的材料最好包含至少一具有一個或多個在EUV範圍之發射譜線的元素，例如氙、鋰或錫。在通常被稱為雷射引發電漿("LPP")此一方法中，其所需的電漿可藉由使用一雷射光束照射一具有所需的譜線發射元素的標的材料而產生。
一LPP技術包含產生一連串的標的材料小滴；及用雷射光脈衝照射至少一些該小滴。在理論上，LPP光源產生EUV輻射是藉由儲存雷射能至一具有至少一個例如氙(Xe)、錫(Sn)、或鋰(Li)之EUV發射元素的標的材料中，產生一具有電子溫度為數十eV的高度離子化電漿。
在這些離子之去激發與再結合的期間所產生的該高能幅射是從電漿朝各個方向射出。在一般的配置中，放置一近正入射鏡(通常稱作為“聚光鏡”或簡稱為“聚光器”)以聚集、導引(及在一些配置中聚焦)光至一中間的位置。然後被聚集的光會從該中間的位置被轉送至一組掃描鏡片且最終至一晶圓。
在光譜的EUV部分中，對聚光器而言，使用反射鏡片通常被認為是必要的。在參與的波長下，該聚光器是以多層膜反射鏡(“MLM”)而被有利地實行。顧名思義，此MLM通常在基座或基板上由材料的交替層組成。
該光學元件必須被放置在具有電漿之真空室中以收集及重新引導該極紫外光的方向。在該室中的環境對該光學元件是有害的且因此限制了其有效可使用之壽命， 例如，因降低其反射率。其為一高溫環境。在該環境中的一光學元件可能曝露於來源材料之高能離子或的粒子。這些來源材料的粒子不只可造成物理傷害，還可造成該MLM表面的局部性加熱。該來源材料可能是對一用來組成該MLM至少一層(例如鉬及矽)的材料特別地有活性，以致必須採取步驟來降低反應性的潛在影響，尤其是在較高溫度下；或保持該等材料處於分離。即使是較低活性的來源材料，例如錫、銦、或氙，也可能需要解決溫度穩定性、離子植入及擴散的問題。
因此，一聚光器是個使用一光學元件之一例子，其必須可以長時間地忍受嚴峻狀況而不顯現其光學性質會有可察覺到的降低。可使用一些技術來增加光學元件的可使用之壽命，儘管是嚴峻的情況。例如，可使用保護層或中間擴散阻障層將該MLM層從該環境隔離。可加熱該聚光器至一較高的溫度，例如高於500℃，以從其表面蒸發碎片。可使用一蝕刻劑，例如一鹵素蝕刻劑，以從該聚光器表面蝕刻碎片，且在反射器表面附近產生一屏蔽電漿。
雖有這些技術，延長聚光器之可使用之夀命的需求仍然存在。有鑑於此，申請人揭露一種用於保護一在一嚴峻環境中運作之光學元件的配置，其被設計成延長該光學元件的可使用之夀命。
發明概要
為了提供對該實施例的一基本了解，以下提出一 或多個實施例的一簡化概要。此概要並非所有想到之實施例作一廣泛綜述，且並不意圖定出所有想到實施例之主要的或關鍵的元件，亦不闡明任何或所有實施例的範圍。其唯一目的是以簡化的形式呈現一或多個實施例的一些觀念，作為在之後會呈現之較詳細說明的前言。
根據一個態樣，本發明包含一用於反射極紫外輻射的光學元件，該光學元件包含至少兩個介電材料的交替疊的層疊，一保護層置於該層疊的最外層，其中該保護層包含氮化鋯(ZrN)。該保護層或者也可能包含氧化釔(Y2O3)。具有或沒有一具有一天然存在的SiO2塗層之矽層的該保護層也可能包含氧化鋁(Al2O3)。具有或沒有二氧化矽(SiO2)層的該保護層也可能包含MoSi2。該保護層也可能包含一SiN層及一Mo層。
該保護層也可能包含一Mo層及第二層係一具有一SiO2外塗層的Si層。
該光學元件也可能包含一基板，一置於至少兩個介電材料之交替層的重複單元的基板上的層疊，該重複單元的至少一子集包括一包含Si3N4的內保護層。該內保護層也可能包含MoSi2。該子集也可能包含較靠近該層疊的外表面而不是該基板的重複單元。該光學元件也可能包括一包含ZrN的外保護層。該保護層也可能包含Y2O3。
在另一個態樣，本發明包含一裝置，其具有一用以產生一液態的標的材料之來源、一用以照射該標的以改變該材料的狀態從該液態至一電漿態以致在一照射區域產 生EUV光之雷射器、以及一用以傳送該EUV光從該照射區域至一工作件之光學系統，其中該光學系統包含一用於反射極紫外輻射之光學元件，該光學元件包含至少兩個介電材料的交替層及配置在該光學元件交替材料之最外層的一保護層，其中該保護塗層包含ZrN。該包護層也可能包含Y2O3。
又另一個態樣，本發明包含一使用一裝置而製造的產物，該裝置包括一用以產生一液態的標的材料之來源、一用以照射該標的以改變該材料的狀態從該液態至一電漿態以致在一照射區域產生EUV光之雷射器、以及一光學系統用以傳送該EUV光從該照射區域至一工作件，其中該光學系統包含一用於反射極紫外輻射之光學元件，該光學元件包含至少兩個介電材料的交替層及配置在該光學元件交替材料之最外層的一保護層，其中該保護塗層包含ZrN。該包護層也可能包含Y2O3。
20‧‧‧雷射生成電漿之EUV光源
22‧‧‧脈衝式或連續式雷射源
24‧‧‧標的傳送系統
26‧‧‧室
28‧‧‧照射區域
30‧‧‧聚光器
40‧‧‧中間點(或中間聚焦點)
50‧‧‧積體電路微影工具
52‧‧‧矽晶圓工作件
100‧‧‧真空區
110‧‧‧重複層疊
120‧‧‧基板
130‧‧‧保護層
140‧‧‧複合保護層
150‧‧‧Mo次層
160‧‧‧SiN次層
170‧‧‧Si次層
180‧‧‧Mo次層
190‧‧‧SiO2塗層
200‧‧‧重複單元
210‧‧‧Mo或Si層
220‧‧‧由其它的Mo或Si所構成之層
230‧‧‧***的內部保護層
第1圖根據本發明的一個態樣的一雷射引發電漿EUV光源系統的未按比例示意圖。
第2圖係一MLM的未按比例截面圖，其構成第1圖中聚光器30之一可行實施例。
第3圖係一MLM的未按比例截面圖，其構成第1圖中聚光器30之另一可行實施例。
第4圖係一MLM的未按比例截面圖，其構成第1圖中聚光器30之另一可行實施例。
第5圖係一MLM的部分層疊之一重複單元的未按比例截面圖，其組成第1圖中該聚光器之另一可行實施例。
第6圖係一MLM的未按比例截面圖，其包含第5圖的重複單元。
較佳實施例之詳細說明
現將參考該圖式說明各種實施例，其中在全文中類似的參考數字是用來表示類似的元件。在以解釋為目的之以下說明中，闡述許多特定的細節以為了增進對一或多個實施例之完全的理解。但明顯的是，在一些或全部的實例中，以下描述之任何實施例是可不採用以下描述之該特定設計細節來實行。在其它實例中，為了有助於一或多個實施例之說明，熟知的結構及裝置是顯示在方塊圖中。
請先參見第1圖，其是根據本發明之一實施例的一個態樣的例示性EUV光源示意圖，，例如，一雷射生成電漿之EUV光源20。如所示，該EUV光源20可能包含一脈衝式或連續式雷射源22，其可能是一例如產生在10.6μm之輻射的脈衝氣體放電CO2雷射源。該脈衝氣體放電CO2雷射源可能具有在高功率及高脈波重現率下運作之DC或RF激勵作用。
該EUV光源20也包括一用以呈液體小滴形式或一連續液流形式來傳送標的材料標的傳送系統24。該標的材料可能由錫或一錫化合物構成，即便其它材料亦可使用。 該標的傳送系統24遞送該標的材料至一室26內部中的一照射區域28，該標的材料可在該處被照射以產生一電漿。在某些情況下，一電荷被置於該標的材料上以容許該標的材料被引導朝向或遠離該照射區域28。值得指出的是本文所用的一照射區域為一標的材料照射可能發生之區域，且為一有時實際上並無照射發生的照射區域。
持續參第1圖，該光源20亦可包括一或多個如一聚光器30之光學元件。該聚光器30可能為一例如使用做為一MLM之正入射反射器，即一塗有一Mo/Si多層膜之SiC基板，且於其各個介面上沈積有額外的薄屏障層，以有效地阻止熱引發的中間層擴散。該聚光器30可能為一長橢圓體的形狀，具有一允許該雷射光通過且到達該照射區域28之孔。該聚光器30可能例如為一橢圓的形狀，其在該照射區域28具有一第一聚焦點及在所謂的中間點40有一第二聚焦點(也稱作為中間聚焦點40)，在該第二聚焦點該EUV光可能從該EUV光源20被輸出且被輸入至例如一使用該光的積體電路微影工具50，例如，用一已知的方法使用該光處理一矽晶圓工作件52。然後該矽晶圓工作件52被以一已知的方法額外地處理使得到一積體電路元件。
如上所揭示，一如該聚光器30之光學元件的設計的技術挑戰之一為延長其夀命。一已被試過用來延長聚光鏡壽命的方法為使用一由SiN所組成的保護層。但此方式尚未顯示出有充分地延長聚光鏡之夀命而證明其是有用的。
聚光鏡壽命之一限制係在氫的攻擊下因氣泡形 成及層分離而造成的該多層膜鏡之該塗層的降解。因此該保護層之一目的是將從入射來源材料粒子(例如錫)局部性地轉移的熱予以分散，以使得該層疊不會局部性地過度加熱且形成小泡。當該熱波已穿透至位在下面之該多層膜塗層的頂層們時，該保護層必須要夠厚以使得由該源材料粒子碰撞而在其表面接收到的該熱負載降低至一充分低之數值。因此，該保護層的厚度應在約10nm至約100nm的範圍為較佳，且更佳的是在約10nm至約50nm的範圍，此範圍之下限是以其為夠厚而可以降低在其表面接收到的該熱負載作為目標而決定出，該上限則是以保持其對13.5nm輻射可通透為目的而決定者。
該保護層材料及結構之選擇是要使得其與激發離子性、原子及分子性氫以及例如錫的來源材料能相容者。其應能有效地分散熱而不降解，有效地傳輸13.5nm級EUV光且在所呈現的構形中沒有不可接受地氧化作用。具有該保護層，在來源材料碰撞之後的大量局部性熱會在該保護層內被充分地分散，以使得在下面的該層疊至少被部份地保護免於受該高溫熱波，且因此不形成小泡。
考慮到這些目的，可使用ZrN作為用於該保護層之該材料。對此實施例來說，該配置可具有以下結構：
真空區
ZrN(保護層)
Si/Mo(層疊)
基板
此配置被揭示於第2圖中，其為構成該聚光器30之一MLM的一未按比例截面圖。該聚光器30曝露於一位在該室26中之一真空區100。當在此被稱做為一真空區，在該技術領域中具有通常知識者會理解該真空區100為一嚴峻環境，即，其含有在高溫度下來源材料之反應性材料、離子、自由基及粒子。
該聚光器30之主體係一由最好是Si及Mo的介電材料交替層的一重複層疊110構成的EUV-反射多層膜塗層，且是用一已知的方法被製造且被構形並配置在基板120上。例如，該層疊110由六十層的Si/Mo層疊所構成，或一在Mo及Si層之間具有例如Si3N4之薄擴散屏障層的Si/Mo層疊，該薄擴散屏障層用於保護對抗熱轉移及氫擴散。就此實施例及所有實施例而言，其也可能為一在該基板120及該層疊100之間的平滑層或界面層(未顯示)。
被***於該真空100及該層疊110之間為一保護層130，其被曝露於該真空100且是位在該真空100及該層疊100之間。如所述，該保護層130必須夠厚以阻止氫離子及自由基擴散進入該MLM結構。同時，該保護層130必須夠薄以至於對EUV輻射可充分地通透。典型地，該保護層130之一總體厚度在約10nm至約50nm的範圍滿足此兩個標準。
在第2圖之該實施例中，一用於該保護層130之較佳的材料為ZrN。已經發現在該來源環境中ZrN比SiN還要穩定地多。較佳的是，一由ZrN製成之保護層130具有在約 10nm至約30nm的範圍之一厚度，更佳的是在約10nm至約20nm的範圍。這些尺寸僅是為了例示說明而不是限制本發明之範圍。
在第2圖之該實施例中，另一個用於該保護層130之較佳的材料為Y2O3。氧化釔也具有使其在該來源環境中穩定之性質。就此實施例而言，該配置可能具有以下結構：
真空區
Y2O3(保護層)
Si/Mo(層疊)
基板
較佳的是，一由Y2O3製成之保護層130具有在約10nm至約30nm的範圍之一厚度，更佳的是在約10nm至約20nm的範圍。這些尺寸僅是為了例示說明而不是限制本發明之範圍。
也可使用Al2O3做為用於該保護層130之該材料。就此實施例而言，該配置可具有以下結構：
真空區
Al2O3(保護層)
Si/Mo(層疊)
基板
較佳的是，一由Al2O3製成之保護層130具有在約10nm至約30nm的範圍之一厚度，更佳的是在約10nm至約20nm的範圍內。這些尺寸僅是為了例示說明而不是限制本發明之範圍。
此一保護層可能額外地包括一Si次層，其具有一經由氧化而自然產生的SiO2塗層。這會形成以下結構：
真空區
SiO2(塗層)
Si(次層)
Al2O3(次層)
Si/Mo(層疊)
基板
較佳的是，該Si次層具有在約10nm至約20nm的範圍之一厚度。該Si次層會發展出一天然的氧化物塗層，其具有在約1nm至約2nm的範圍之一厚度。這些尺寸僅是為了例示說明而不是限制本發明之範圍。。
當進一步考慮材料時，Mo對氫脆化具有一已知的抗性。此使得Mo除了下述特性為一適宜的保護層材料，該特性為在該來源環境中的Mo是不穩定的，因為其易受到氧化的影響，例如其將會形成氧化鉬。這產生了一個問題，氧化鉬比Mo具有高很多的EUV吸收，而使得氧化鉬將會吸收一無法接受且理應要被反射之該生成輻射量。這限制了Mo做為用於該保護層之一材料的可使用用性。但是使用一由一Mo次層及一另一種材料之次層而構成之複合的保護層能夠發揮Mo對氫脆化的抗性，同時也能最小化Mo氧化的負面影響。
因此，在此實施例，一SiN保護層外被覆有一額外的Mo薄層。這形成以下結構：
真空區
Mo(次層)
SiN(次層)
Si/Mo(層疊)
基板
此配置被揭示於第3圖中，其為構成該聚光器30之一MLM之一未按比例截面圖。介於該真空區100及該層疊110之間為一複合的保護層140，其由一曝露於該真空區100的Mo次層150以及一在該Mo次層150及該層疊110中間的SiN次層組成。該Mo次層150在此配置中會保護SiN次層160免於降解，同時SiN次層160也會保護層疊110免於氫的攻擊以及氣泡的形成。
如所述，典型地，該保護層140之該總體厚度在約10nm至約50nm的範圍以阻止氫離子及自由基擴散進入該MLM結構，同時對EUV輻射保持通透性。較佳的是，該Mo次層150具有一夠小之厚度，而足以使得經由氧化而造成該Mo的反射率損耗係可接受的。在一較佳的實施例中，該Mo層150具有在約3nm至約10nm的範圍之一厚度，且甚至更佳的是約3nm。該SiN次層160最好具有在約10nm至約20nm的範圍之一厚度。這些範圍僅是為了闡示而不是限制本發明之範圍。
根據本發明之另一個態樣，一MLM設置有一複合性保護層，其包括一在一Mo層之上的Si薄層。該Si薄層產生一保護該Mo層免於氧化之天然氧化物。根據本發明之 此實施例，所得到之配置可能因此具有以下結構：
真空區
SiO2(塗層)
Si(次層)
Mo(次層)
Si/Mo(層疊)
基板
此配置被揭示於第4圖中，其為組成該聚光器30之一MLM之一未按比例截面圖。如第3圖所示，該聚光器30之該主體係一放置在基板120上之重複層疊110，其較佳是Si及Mo之介電材料交替層所構成，且係用一已知之方法被製造且配置。介於該真空區100及該層疊110之間係一複合性保護層140。在第4圖的該配置中，該複合性保護層140是由一曝露於該真空區100之Si次層170以及一在該Si次層170及該層疊110之間的Mo次層180所構成。該Si次層170產生一保護該Mo層免於氧化之SiO2塗層190。
如所述，典型地，該保護層140之該總體厚度在約10nm至約50nm的範圍以阻止氫離子及自由基擴散進入該MLM結構，同時對EUV輻射保持通透性。較佳的是，該Si次層170具有一約2nm至約4nm之厚度。該Mo層180最好具有在約10nm至約20nm的範圍之一厚度。該SiO2塗層190將具有在約1nm至約2nm的範圍之一厚度。這些範圍僅是為了闡示而不是限制本發明之範圍。
該保護層140也可能由一包括Mo的化合物構成。 一適合做為保護層140之材料為二矽化鉬(MoSi2)。MoSi2係一具有一高熔點(一2030℃)的堅硬且抗氧化之材料，其在高溫下具有顯著的穩定性(因為Mo及Si處於平衡，根據該相圖)。其對於化學攻擊且可能也對於氫擴散是一種好的屏障。其具有一高的導熱率。其對13.5nm EUV輻射之通透性非常的高。例如，以MoSi2/Si層疊為基礎之高溫多層膜塗層已顯現極佳的高溫及長期穩定性性質。
，MoSi2層可以極度分散且幾乎是非晶形層生長的方式而被沈積。與厚Mo層的該微晶質生長比較，這是一個重要的優勢。
根據本發明之此實施例，所得到之配置可能因此具有以下結構：
MoSi2(保護層)
Si/Mo(層疊)
基板
該MoSi2保護層最好具有在約20nm至約30nm的範圍之一厚度。這些範圍僅是為了闡示而不是限制本發明之範圍。
該MoSi2保護層也可設有一SiO2保護塗層。根據本發明之此實施例，所得到之配置可能因此具有以下結構：
SiO2(塗層)
MoSi2(保護層)
Si/Mo(層疊)
基板
該SiO2保護塗層最好具有在約1nm至約3nm的範圍之一厚度。該MoSi2保護層最好具有在約20nm至約30nm的範圍之一厚度。這些範圍僅是為了闡示而不是限制本發明之範圍。
相似的塗層亦可用Mo2C、NbC或NbSi2來代替MoSi2作成。另一個適合的化合物為Mo2C。其它適合的化合物會是對應的鈮化合物、NbSi2及NbC。其它例如SiC、ZrC、ZrB2、B4C在13.5nm具高通透性之碳化物或硼化物也可被認為可為一材料。
該層疊110也可包括一內部保護層，其係作為構成該層疊110之一些或全部該重複單元(Si/Mo或Si/b/MO/b)的一部分。這些內部保護層，亦可使用以取代在該層疊之外部的該保護層。因此該層疊110，並不具有用於一Si/Mo重複單元之Si與Mo的交替單元或相當的一Mo/Si配置，而會具有一用於一重複單元的Mo/p/Si/p配置，其中“p”代表一內部保護層。這顯示於第5圖中，其顯示重複單元200是由一Mo或Si之層210、一由其它的Mo或Si構成之層220以及一***的內部保護層230所構成。該內部保護層230可為各個重複單元200的一部分或是在該層疊110的數個最外層的重複單元200內。該內部保護層230也可阻止氫擴散及降低錫離子的穿透及散熱。由於該內部保護層230至少在該層疊110的外層重複單位中，其可像其它次層一樣被犧牲。
用於該內部保護層230之適合的材料會是具有約0.8nm厚度的Si3N4及具有約1nm厚度的MoSi2。Si3N4層及 MoSi2層因為其高穩定性故是目前是較佳的。保護層材料也可以是SiC、SiB6、B4C、NbSi2、Mo2C及BN。這些層對在13.5nm的EUV輻射全都是相當地具通透性且做為對氫擴散、離子穿透及熱傳遞的屏障。在大多數的情況下，該層生長為非晶形的或近乎非晶形的。
對於一高度地反射13.5nm的多層膜塗而言，因為整個重複單元200的較佳厚度為約7nm，因此該保護層厚度最好在約0.4nm至約1.2nm的範圍。該內部保護層230最好在各個重複單元200中，尤其是在最外之重複單元200中，至少出現一次且更好的是出現兩次。
這些類型的多層膜塗層能與塗層沖蝕相容。該聚光器的壽命會因下述情事而被延長，該情事為當犧牲層因沖蝕而損耗，該層疊的基本性質不會改變，即使是此沖蝕不是均勻發生，亦是如此。
如果使用此方法，最好是使用具有重複單元200的數量在約80至約2000的範圍之層疊，而不是沈積在一塗層未遭受沖蝕的情況下足夠之60個重複單元200做為該層疊。此被顯示於第6圖中，其顯示由重複單元200構成之該層疊110，並以該實心圓點表示重複單元之無固定數量的重複。
一實例會是一具有約500個圓點之層疊，其各個圓點(或至少最外層的圓點)具有該結構：
Mo(層)
Si3N4(保護層)
Si(層)
Si3N4(保護層)
在此一配置中，該最外層之Mo層較佳具有一3nm之厚度，該Si層較佳具有一3.5nm之厚度，且該Si3N4保護層具有一約0.8nm之厚度。這些尺寸僅是為了闡示而不是限制本發明之範圍。
另一個實例會是一具有約500個圓點之疊層，其各個圓點(或至少最外層的圓點)具有該結構：
Mo(層)
MoSi2(保護層)
Si(層)
MoSi2(保護層)
在此一配置中，該最外層之Mo層較佳具有一3nm之厚度，該Si層較佳具有一3.5nm之厚度，且該MoSi2保護層具有一約1nm之厚度。這些範圍僅是為了闡示而不是限制本發明之範圍。
對在該技術領域中具有通常知識者而言，上述該各種保護層是可使用如磁控濺射之許多已知方法中之一者來施用，此是顯而易見的。對在該技術領域中具有通常知識者而言，一或多個黏合層以一已知方法被包括在該揭示的配置中也是顯而易見，例如位在該基板及該層疊之間或在該保護層及該層疊之間。這些黏合層可由如非晶矽之許多已知材料中任一者製成。
以上說明包括一或多個實施例之實例。理所當然 地，本說明書亦不可能為了描述前述的實施例而揭示之每一個可以想到的組件或方法之組合，但在該技術領域中具有通常知識者會認知到各種實施例之進一步組合排列是可能的。因此，該所述之實施例是意欲包含所有落在該附加申請專利範圍的精神及範圍內的該等改變、修正及變化。再者，在該詳細說明或該請求項中使用之術語“包括”當其在申請專利範圍中被運用做為轉折詞時，其被解釋成為此類的術語是意欲以與術語“包含”相類似的方式而被含納於其中。再者，雖然在本發明之態樣及/或實施例之元件皆以單數形式描述或請求，但除非單數的限制有被明確地載述，複數形式亦是被預期的。額外地，除非有另外規定，本發明態樣及/或實施例之所有或一部分是可被應用在本發明其它方面方面及/或實施例
20‧‧‧雷射生成電漿之EUV光源
22‧‧‧脈衝式或連續式雷射源
24‧‧‧標的傳送系統
26‧‧‧室
28‧‧‧照射區域
30‧‧‧聚光器
40‧‧‧中間點(或中間聚焦點)
50‧‧‧積體電路微影工具
52‧‧‧矽晶圓工作件

Claims (7)

  1. 一種用於反射極紫外光輻射(extreme ultraviolet radiation)之光學元件，該光學元件包含：一基板；一層疊(stack)，其位於至少兩個介電材料(dielectric material)之交替層之重複單元(repeated units)的該基板上，該等重複單元之至少一子集包括一包含MoSi2的內保護層(internal protective layer)；及一置於該層疊上的外(outer)保護層，該外保護層包含ZrN。
  2. 一種用於反射極紫外光輻射之光學元件，該光學元件包含：一基板；一層疊，其位於至少兩個介電材料之交替層之重複單元的該基板上，該等重複單元之至少一子集包括一包含MoSi2的內保護層；及一置於該層疊上的外保護層，該外保護層包含Y2O3。
  3. 一種用於反射極紫外光輻射之光學元件，該光學元件包含一至少兩個介電材料之交替層的層疊；及一置於該層疊之最外層的保護層，其中該保護層包含Al2O3。
  4. 如請求項3之光學元件，其中該保護層包含一主要是 Al2O3之第一層及一主要是Si之第二層，其中該矽層具有一SiO2塗層。
  5. 一種用於反射極紫外光輻射之光學元件，該光學元件包含一至少兩個介電材料之交替層的層疊；及一置於該層疊之一最外層的保護層，其中該保護層包含MoSi2，該保護層包含一主要是MoSi2之第一層及一主要是SiO2之第二層。
  6. 一種用於反射極紫外光輻射之光學元件，該光學元件包含一至少兩個介電材料之交替層的層疊；及一置於該層疊之一最外層的保護層，其中該保護層包含一主要是SiN之第一層及一主要是Mo之第二層。
  7. 一種用於反射極紫外光輻射之光學元件，該光學元件包含一至少兩個介電材料之交替層的層疊；及一置於該層疊之一最外層的保護層，其中該保護層包含一主要是Mo之第一層及一主要是Si之第二層，其中該Si層具有一SiO2外塗層(outer coating)。
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