TWI603431B - 焊料和銅互連結構的形成與相關聯技術及組態 - Google Patents

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Description

焊料和銅互連結構的形成與相關聯技術及組態 發明領域
本發明之揭露內容的實施例大體來說是有關於用於積體電路(IC)總成之材料的領域，更特別地，則是有關於焊料和銅互連結構的形成與相關聯技術及組態。
發明背景
用於在例如一晶粒、晶圓或封裝基板之一積體電路(IC)基板上形成焊料凸塊之現有的技術可包括例如鍍敷、錫膏印刷、及/或植球(ball placement)技術。這類的焊料凸塊的技術昂貴且複雜，特別是在針對同一個IC基板上具有不同的幾何形狀的焊料凸塊之情況時。
用以形成電路及/或裝置的導電跡線(例如銅跡線)之現有技術可使用多重製程及利用消去製程的工具，其可能會浪費材料，造成較高的成本，尤其是對小量生產的情況。網板印刷製程已經被用於簡化導電跡線之形成，然而，相對於較高的可靠度之濺鍍晶種及鍍敷跡線，網板印刷可能會遭遇到良率及/或傳導率的問題，其對生產而言代 價更高。
依據本發明之一實施例，提出一種方法，其包含：提供一積體電路(IC)基板；及利用一墨料沈積製程、一黏合劑印刷系統或一粉末雷射燒結系統將一可焊材料沈積在該IC基板上。另一個實施例中的一種方法則包含：提供一積體電路(IC)基板；及利用一用以形成一銅互連結構之加成法製程將銅粉末沈積在該IC基板上。
100‧‧‧積體電路(IC)封裝總成
102‧‧‧晶粒
102a‧‧‧半導體基板
102b‧‧‧裝置層
102c‧‧‧互連層
106‧‧‧晶粒級互連結構
108‧‧‧填充材料
110‧‧‧墊體
112‧‧‧焊球
114‧‧‧跡線
121‧‧‧封裝基板
122‧‧‧電路板
S1‧‧‧主動側面
S2‧‧‧被動側面
200A‧‧‧氣溶膠噴射印刷系統
200B‧‧‧噴墨印刷系統
202‧‧‧工件
203‧‧‧接點
204‧‧‧可焊墨料
206‧‧‧腔室
208‧‧‧進入口
210‧‧‧印刷頭
210a‧‧‧導管
210b‧‧‧開口
250‧‧‧墨料貯存器
252‧‧‧泵浦
254‧‧‧墨料噴嘴
256‧‧‧充電通道
260‧‧‧排水槽
304、512、816、904‧‧‧焊料凸塊
402、404、406、408、410、602、604、606、608、902a、902b、904b、906b、908、1002、1004、1006、1102、1104、1106、1202、1204、1206、1302、1304、1306‧‧‧步驟
500‧‧‧黏合劑印刷系統
502、802‧‧‧床
504、514、804、814‧‧‧活塞
506‧‧‧黏合劑供給
508、704‧‧‧噴嘴
510‧‧‧支架結構
555‧‧‧焊料粉末
700‧‧‧粉末噴射雷射燒結系統
702‧‧‧聚焦雷射光束
706‧‧‧基台
708‧‧‧聚焦透鏡
800‧‧‧粉末床雷射燒結系統
801‧‧‧雷射光源
802a‧‧‧雷射光束
803‧‧‧掃描器
812‧‧‧滾輪
902‧‧‧雷射
1000、1100、1200、1300‧‧‧方法
1400‧‧‧運算裝置
1402‧‧‧主機板
1404‧‧‧處理器
1406‧‧‧通訊晶片
1408‧‧‧外殼
藉由下述之詳細說明並配合附加圖式，可容易地瞭解實施例。為了便於進行此說明，是以類似的標號指示類似的結構元件。在該等附圖的圖形中的實施例是用於舉例說明，而不是作為限制。
圖1是概要地說明依據某些實施例的一範例之積體電路(IC)總成的剖面側視圖。
圖2A是概要地說明依據某些實施例的一用於在一工件上沈積一可焊墨料的氣溶膠噴射製程。
圖2B是概要地描繪根據各種不同實施例的一用於在一工件上沈積一可焊墨料的一噴墨製程。
圖3A是概要地說明依據某些實施例之以一墨料沈積製程將一可焊墨料印刷在一工件上之情形。
圖3B是概要地說明依據某些實施例之於回焊製程後使用該已沈積之可焊墨料形成的焊料凸塊。
圖4是概要地說明依據某些實施例之一黏合劑印 刷製程。
圖5是概要地說明依據某些實施例之可被使用以實行黏合劑印刷的一黏合劑印刷系統。
圖6是概要地說明依據某些實施例之一黏合劑印刷製程。
圖7是概要地說明依據某些實施例之一粉末噴射雷射燒結系統。
圖8是概要地說明依據某些實施例之一粉末床雷射燒結系統。
圖9是概要地說明依據某些實施例之粉末雷射燒結技術。
圖10是概要地說明依據某些實施例之使用一墨料沈積製程將一個或多個焊料凸塊形成在一積體電路(IC)基板上之方法的一流程圖。
圖11是概要地說明依據某些實施例之使用一黏合劑印刷系統將一個或多個焊料凸塊形成在一積體電路(IC)基板上之方法的一流程圖。
圖12是概要地說明依據某些實施例之使用一粉末雷射燒結系統將一個或多個焊料凸塊形成在一積體電路(IC)基板上之方法的一流程圖。
圖13是概要地說明依據某些實施例之使用一加成法製程將一銅互連結構形成在一積體電路(IC)基板上之方法的一流程圖。
圖14是概要地說明依據某些實施例之一包括如 於此文中所述之一IC封裝總成的運算裝置。
較佳實施例之詳細說明
本說明書之揭露內容的實施例是用以說明焊料和銅互連結構的形成與相關聯技術及組態。在下述的說明中，將使用一般熟悉該領域之技術人員所常用的術語來說明該等例示說明的實施方式的各種方面，而向其他熟悉該領域之技述人員傳達其創作之本質。然而，對於熟悉該領域之技術人員而言顯而易知的是，本揭露內容的實施例可以僅藉由該等所述的方面中的某些來實現。為了提供對該等例示說明的實施方式的深入理解，列舉特定的數值、材料及組態是作為示範說明用。然而，對於熟悉該領域之技術人員而言顯而易知的是，本揭露內容之實施例可被實現而無需具體的細節。在其他實例中，為了不要混淆例示說明的實施方式，眾所周知的特徵將被省略或簡化。
在下述之詳細說明中，參考了構成本說明的一部分的附圖，其中在整個說明中是以類似的標號來指示類似之部件，並且將本揭露內容之該標的主體可在其中被實現的實施例作為圖示顯示於其中。要理解的是，在不脫離本揭露內容的範圍內，其他的實施例可被運用並且結構上的或合乎邏輯的改變可被進行。因此，下述之詳細說明不應以限制之意義來理解，並且實施例之範圍藉由所附之申請專利範圍及其等效事物而被界定。
為了本揭露內容的目的，用語「A及/或B」意指 (A)、(B)、或(A及B)。為了本揭露內容的目的，用語「A、B、及/或C」意指(A)、(B)、(C)、(A及B)、(A及C)、(B及C)、或(A、B、及C)。
本說明可使用以透視觀點為基礎的描述，像是頂/底、內/外、在上方/在下方之類的描述。像這樣的描述僅是為了有助於論述，並非意欲將本說明描述之實施例的應用限制在任何特定的方位。
本說明可使用「在一實施例中」或「在諸實施例中」之用語，其可各自涉及一個或多個相同或相異之實施例。此外，關於本揭露內容之實施例所使用之「包括」、「包含」、「具有」和類似的術語，皆為同義。
在本說明中可能會使用「與…耦接」之術語及其衍生用語。「耦接」可意指下述之一個或多個意思。「耦接」可意指二個或多個元件處於直接實體上的或電氣上的接觸。然而，「耦接」也可意指二個或多個元件間接地相互接觸，而尚未相配合或互相作用，也可意指在將一個或多個其他的元件耦接或連接在所提及之用以互相耦接的該等元件之間。「直接耦接」之術語可意指二個或多個元件直接接觸。
在各種的實施例中，「一第一特徵被形成、沈積或以其他方式配置在一第二特徵上」之詞句可意指：該第一特徵被形成、沈積或配置在該第二特徵之上，且至少一部分的該第一特徵與至少一部分的該第二特徵直接接觸(例如，直接實體上及/或電氣上的接觸)或間接接觸(例如， 在該第一特徵及該第二特徵之間具有一個或多個其他特徵)。
本說明中所使用的術語「模組」可表示以下構件的一部分、或包括以下構件：特定應用積體電路(ASIC)、電子電路、系統單晶片(SoC)、執行一個或多個軟體或韌體程式的處理器(共享的、專用的、或群組)、及/或記憶體(共享的、專用的、或群組)，組合邏輯電路、及/或其他提供所述功能的合適的構件。
圖1是概要地說明依據某些實施例的一範例之積體電路(IC)封裝總成100的剖面側視圖。在某些實施例中，該IC總成100可包括在電氣上及/或實體上與一封裝基板121耦接的一個或多個晶粒(下文中為「晶粒102」)。在某些實施例中，如所示地，該封裝基板121可被電氣地與一電路板122耦接。
該晶粒102可代表使用像是薄膜沈積、微影、蝕刻之類的與形成互補金屬氧化物半導體(CMOS)裝置有關的半導體製造技術而從一半導體材料(例如矽)所製成的一分立產品。在某些實施例中，該晶粒102可為下列構件、包括下列構件、或為下列構件的一部分：處理器、記憶體、SoC、或ASIC。
在某些實施例中，一填充材料108(有時被稱為「密封劑」)可被配置在該晶粒102與該封裝基板121之間，以促進該晶粒102及封裝基板121的黏著及/或保護特性。該填充材料108可由電氣絕緣性材料所構成，且如所示地，可 將該晶粒102的至少一部分及/或晶粒級的互連結構106密封。在某些實施例中，該填充材料108是與該晶粒級的互連結構106直接接觸。
該晶粒102可根據包括例如所描繪之直接以倒裝晶片組態與該封裝基板121耦接之多種適當的組態而被附著到該封裝基板121。在倒裝晶片組態中，是利用例如凸塊、柱體的晶粒級互連結構106、或是其他也能使該晶粒102與該封裝基板121電耦接之適合的結構，將包括主動電路的該晶粒102的一主動側面S1附著到該封裝基板121的一表面上。該晶粒102的主動側面S1可包括電晶體裝置，且如所示地，一非主動側面S2可相對於該主動側面S1被配置。
該晶粒102通常可包括一半導體基板102a、一個或多個裝置層(下文中為「裝置層102b」)及一個或多個互連層(下文中為「互連層102c」)。在某些實施例中，該半導體基板102a實質上是由像是例如矽的一塊體半導體材料所構成。該裝置層102b可代表例如電晶體裝置的主動裝置被形成於該半導體基板102a上所在的一區域。該裝置層102b可包括例如像是電晶體裝置之通道主體及/或源極區/汲極區的結構。該互連層102c可包括互連結構，其經組配以安排電氣訊號路由至該裝置層102b中的該等主動裝置，或安排來自該等主動裝置的電氣訊號路由。舉例來說，該互連層102c可包括溝槽及/或通孔以提供電氣路由及/或接觸。
在某些實施例中，該等晶粒級互連結構106可經組配以在該晶粒102與其他電氣裝置之間安排電氣訊號路 由。該等電氣訊號可包括例如被使用與晶粒102之操作有關的輸入/輸出(I/O)訊號及/或功率/接地訊號。在某些實施例中，該晶粒級互連結構106可包括根據於此文中所述之技術而形成的焊料凸塊。
在某些實施例中，可在該晶粒102上形成一個或多個跡線114用以路由該晶粒102的電氣訊號。該一個或多個跡線114可包括根據於此文中所述之技術而形成的銅跡線。在某些實施例中，該一個或多個跡線114可為一形成在該晶粒102之第一側面S1及/或第二側面S2上的一再分配層之一部分。
在某些實施例中，該封裝基板121為具有一核心及/或增建層的環氧類層壓基板，像是例如味之素積層膜(Ajinomoto Build-up Film，ABF)基板。在其他的實施例中，該封裝基板121可為一電路板，像是例如，利用任何適當的PCB技術所形成的印刷電路板(PCB)。該封裝基板121在其他實施例中可包括其他適合類型的基板，包括例如由玻璃、陶瓷或半導體材料所形成之基板。
該封裝基板121可包括經組配以安排電氣訊號路由至該晶粒102、或安排來自該晶粒102之電氣訊號路由的電氣路由特徵。該等電氣路由特徵可包括例如配置在該封裝基板121之一個或多個表面上之墊體110或跡線114、及/或像是例如溝槽、通孔、或其他用以安排電氣訊號路由穿過該封裝基板121的跡線114之互連結構的內部路由特徵。例如，在某些實施例中，該封裝基板121可包括例如經組配 以接收該晶粒102之個別的晶粒級互連結構106的墊體(圖未示)的電氣路由特徵。
該電路板122可為一由像是環氧樹脂積層板的電氣絕緣材料所構成的印刷電路板(PCB)。例如，該電路板122可包括由下列材料所構成的電氣絕緣層：例如，聚四氟乙烯、像是阻燃劑4(FR-4)、FR-1之類的酚醛棉紙材料、棉紙、及像是CEM-1或CEM-3的環氧樹脂材料、或是使用環氧樹脂預浸體材料層壓在一起的織狀玻璃材料。諸如跡線、溝槽或通孔的互連結構(圖未示)可被形成穿過該等電氣絕緣層用以安排該晶粒102的該等電氣訊號路由穿過該電路板122。該電路板122在其他實施例中可由其他適合的材料構成。在某些實施例中，該電路板122為主機板(例如，圖14的主機板1402)。
像是例如焊球112或凸塊的封裝級互連可被耦接至位於該封裝基板121及/或位於該電路板122上之一個或多個墊體(下文中為「墊體110」)用以形成經組配以進一步在該封裝基板121與該電路板122之間安排路由該等電氣訊號的焊料接合點。該等焊料接合點可根據於此文中所述之技術而被形成。該等墊體110可由像是金屬的任何適合的導電材料所構成，其包括例如鎳(Ni)、鈀(Pd)、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、及其等的組合。在其他實施例中，其他用以在實體上及/或電氣上耦接該封裝基板121與該電路板122之適合的技術可以被使用。
在某些實施例中，該電路板122可包括一個或多 個跡線114用以安排在該電路板122之一個或多個表面上及/或穿過該電路板122之電氣訊號路由。根據各種實施例，該一個或多個跡線114可包括根據於此文中所述之技術形成的銅跡線。
在其他實施例中，該IC封裝總成100可包括多種其他適合的組態，包括例如，倒裝晶片及/或打線接合組態的適當組合、中介件(interposer)、包括系統化封裝(SiP)及/或疊層封裝(PoP)組態的多晶片封裝組態。在某些實施例中，其他用以在該晶粒102及該IC封裝總成100之其他構件之間安排電氣訊號路由的合適的技術可以被使用。
本揭露內容是描述一種使用一助焊劑黏合劑的焊料凸塊形成技術。舉例來說，在某些實施例中，例如無殘留助焊劑(NRF)的助焊劑鍚膏可使用一氣溶膠噴射而被沈積。在某些實施例中，像是氣溶膠噴射的印刷方法可被使用以將在一穩定懸浮液中的鍚膏墨料印刷到一所欲之工件上(例如，晶圓、晶粒或基板)。於此文中該工件可被稱為一「IC基板」。一由焊料粉末及助焊劑黏合劑所構成的墨料可被使用以形成一個或多個焊料互連結構(例如凸塊)。用於該墨料的一基材(穩定化的黏合劑)可為一像是例如NRF的助焊劑材料。NRF材料可包括例如，一聚亞芳基碳酸酯(polyarylene carbonate，PAC)材料之基底聚合物及一甲酸助焊劑。PAC可以是相對於現有黏合劑材料的一替代黏合劑材料，且相對於可能會留下殘留物的現有黏合劑材料可提供徹底的分解。其他合適的NRF材料可被使用於其他實施 例中。在某些實施例中，如於此文中所使用的術語「墨料(ink)」可不包括染料或顏料，但可以表示藉由一像是一氣溶膠噴射印刷製程的類似於一噴墨印刷製程之製程而被沈積的一材料。可利用任何合適的墨料沈積系統或製程，包括例如噴墨印刷或氣溶膠噴射印刷，將墨料沈積到該工件上。在整個該揭露內容中，可在敘述氣溶膠噴射印刷的地方使用噴墨印刷作為氣溶膠噴射印刷的一個替代方案。一習用的回焊製程可以被使用來軟化及形成使用經沈積的可焊材料之焊料接合點。
氣溶膠噴射印刷可使用一焊料粉末裸露墨料。在一實施例中，可將一焊料粉末與一助焊劑混合。圖2A是概要地描繪根據各種實施例，用於將一可焊墨料204沈積於一工件202上的一氣溶膠噴射製程。可在一氣溶膠噴射系統200A中放置並對準該工件202(例如IC基板)，且可將該可焊墨料204沈積在所欲之位置上。根據各種實施例，該印刷系統200A可為包括用以形成一氣溶膠之一腔室206的一氣溶膠噴射印刷機，該氣溶膠包括該可焊墨料204。該腔室206可具有供一氣體用之進入口208，該氣體經組配以氣溶膠形式將該可焊墨料204運送到一印刷頭210。該印刷頭210可包括例如，供鞘流氣體(sheath gas)用的一個或多個導管210a用以有助於從該印刷頭210之一開口形成該可焊墨料204的一集中束流。在某些實施例中，該可焊墨料204的集中束流可具有小於或等於10微米的寬度。該印刷頭210中的開口210b可被放在距離將該可焊墨料204沈積於其上之工件202 的一表面大約3毫米(mm)至5mm的位置。在其他實施例中，其他合適的氣溶膠噴射印刷系統可被使用來沈積該可焊墨料204。
可焊材料的氣溶膠噴射印刷能提供許多好處。舉例來說，相較於使用更多的步驟且在大多數的情況下可能要進一步使用濕式化學處理的真空沈積、鍍敷、錫膏印刷或植球技術，可焊材料的氣溶膠噴射印刷可為一較簡單、較乾燥的製程。另外，相對於被使用在習用技術中的現有材料選項，該氣溶膠噴射印刷製程可允許使用較廣泛多樣的供凸塊形成用之金屬粉末組成。而且，相對於習用技術，該氣溶膠噴射印刷製程可使用較少的工具。舉例來說，該氣溶膠噴射印刷製程可使用一電腦輔助設計(CAD)檔案來驅動一最終產品的生產。作為一加成法的製程，氣溶膠噴射印刷相對於習用技術可減少材料使用，並且在同一個工件上於製造不同凸塊尺寸時可提供較大的彈性。使用一氣溶膠噴射來印刷可焊材料可進一步減少與沈積相關聯的殘留且可允許較高凸塊的形成(例如比依慣例所形成的焊料凸塊具有更高的縱橫比)。
圖2B是概要地描繪根據各種實施例，用於將一可焊墨料204沈積於一工件202上的一噴墨製程。可在一噴墨印刷系統200B中放置並對準該工件202(例如IC基板)，且可將該可焊墨料204沈積在所欲之位置上(例如根據在一CAD檔案中的一圖案)。根據各種實施例，該噴墨印刷系統200B可為包括一用以保持該可焊墨料204的墨料貯存器250 的一噴墨印表機。可藉由泵浦252將該可焊墨料204在沿著該等箭頭的一方向朝一墨料噴嘴254抽吸，在某些實施例中其可包括一壓電晶體。該墨料噴嘴254可將該可焊墨料204的微滴輸出至一充電通道256，其可經組配以形成該可焊墨料204的一所欲圖案(例如根據一CAD檔案)。該充電通道256可用微滴形式使該可焊墨料204通過偏轉板258輸出至該工件202上。一排水槽260或其他合適的機構可收集未使用的可焊墨料204並將其送回至該墨料貯存器250。
在某些實施例中，該噴墨印刷系統200B可經組配以驅使可焊墨料204的微滴直接送至該工件202上。該噴墨印刷系統200B可根據包括例如連續墨水式或可控液滴式的技術之多種技術來操作。
圖3A是概要地描繪藉由一墨料沈積製程(例如圖2A或圖2B各自的氣溶膠噴射製程或噴墨製程)將可焊墨料204印刷在一工件202上。該工件202可包括經組配用以接收可焊墨料204的沈積之像是例如墊體或跡線的電氣接點203。
圖3B是概要地描繪於回焊製程後使用該已沈積的可焊墨料204所形成的焊料凸塊304。在該可焊墨料204的沈積之後，可使該工件202受到一回焊製程以從該已沈積的可焊墨料204形成焊料凸塊304。在某些實施例中，可使用一習用的氮氣回焊爐來對該已沈積的可焊墨料204進行回焊。
本揭露內容是描述一種使用一無助焊劑回焊的 焊料凸塊形成技術。舉例來說，在某些實施例中，可使用在由焊料粉末及一會在回焊期間分解的穩定化的黏合劑所構成的墨料來形成焊料凸塊。該穩定化的黏合劑在室溫是穩定的，並且經組配以在高於該室溫的一升高的溫度下分解。在某些實施例中，供該墨料用的一基底(例如穩定化的黏合劑)可為一犧牲型黏著劑，例如溶劑中的PAC。可使用像是例如圖2A的氣溶膠噴射印刷系統200A或是圖2B的噴墨印刷系統200B的任何合適的墨料沈積系統來將該可焊墨料沈積，並且可提供如關於圖2A-B所述之類似的好處。
在一實施例中，可將一焊料粉末與一犧牲型黏著劑混合以提供一用於沈積(例如藉由氣溶膠噴射印刷系統200A或噴墨印刷系統200B)的可焊材料(例如可被稱為「可焊墨料204」)。根據圖3A-B的描繪內容，該可焊墨料204可被沈積至一工件202(例如IC基板)上並且進行回焊，其中在回焊期間，該犧牲型黏著劑(例如PAC)可分解。在某些實施例中，可在該回焊製程期間使用一像是例如甲酸回焊系統的還原氣體環境之回焊系統，以還原該焊料上的氧化物。
本揭露內容是描述使用一黏合劑印刷技術的助焊劑焊料凸塊形成技術。舉例來說，在某些實施例中，黏合劑印刷可藉包括助焊劑黏合劑的可焊材料而被執行，並且一習用的回焊製程可被使用來從該可焊材料形成一個或多個焊料凸塊。可在一粉末加成法製造過程中使用一黏合劑印制以在一工件上形成焊料凸塊。在某些實施例中，可藉由一黏合劑材料將一焊料粉末床保持定位。未結合的粉 末會被移除並且可對所得到之在該工件上之結合焊料進行回焊。在某些實施例中，該黏合劑材料可為一例如NRF或非NRF材料的助焊劑材料。
圖4是描繪根據某些實施例的一黏合劑印刷製程。可將一工件置放於一建構箱中且予以對齊。在步驟402中，可將焊料粉末散布於該建構箱中的該工件上。可根據一所欲之圖案，利用例如墨料沈積技術(例如圖2A的氣溶膠噴射印刷系統200A或圖2B的噴墨印刷系統200B)選擇性地分配一黏合劑材料。例如，可基於一CAD檔案將該黏合劑材料圖案化到該粉末中。在某些實施例中，該黏合劑材料可為像是例如水溶性(WS)、免清洗(NC)或NRF材料的助焊劑材料。在某些實施例中，該黏合劑材料可具有在與該黏合劑印刷製程相關聯的一段時間會維持形狀的黏著性。
在步驟404，將該建構箱的一建構平台下降一定的量，以允許在步驟406散布另一層的焊料粉末。在步驟408，可按順序重複進行步驟402、404、406的動作，直到用於回焊的一可焊結構被形成。在步驟410，可將鬆散的焊料粉末(例如未結合的焊料粉末)移除，以在另一黏合劑印刷製程中再使用，並且可執行像是例如一在氮氣或空氣中的強制氣流回焊爐的回焊製程。
可焊材料的黏合劑印刷能提供許多好處。舉例來說，相對於像是真空沈積、鍍敷、錫膏印刷或植球技術之類的可能使用濕式學處理的替代方案，一黏合劑印刷技術相對地較簡單且乾燥。另外，相對於被使用在習用技術中 的現有材料選項，該黏合劑印刷製程可允許使用較廣泛多樣的供凸塊形成用之金屬粉末組成。而且，相對於習用技術，該黏合劑印刷製程可使用較少的工具。舉例來說，該黏合劑印刷製程可使用一電腦輔助設計(CAD)檔案來驅動一最終產品的生產。作為一加成法的製程，黏合劑印刷相對於習用技術可減少材料使用，並且在同一個工件上於製造不同凸塊尺寸時可提供較大的彈性。使用黏合劑印刷可進一步減少與沈積相關聯的殘留且可允許較高凸塊的形成(例如比依慣例所形成的焊料凸塊具有更高的縱橫比)。相對於習用技術，黏合劑印刷在形成具有不同尺寸的凸塊上會得到較高的生產量，而可在有可能為較低成本的情形下得到較高品質的焊料凸塊。
本揭露內容是描述用於焊料凸塊的形成，以包括一犧牲型黏著性黏合劑的可焊材料進行黏合劑印刷。舉例來說，在某些實施例中，黏合劑印刷可使用PAC及無助焊劑回焊而被執行。在某些實施例中，可藉由一黏合劑材料將一焊料粉末床保持定位。未結合的粉末會被移除並且可對所得到之在該工件上之結合焊料進行回焊。在某些實施例中，該黏合劑材料可為一犧牲型黏著材料。若該黏著材料並非用於助焊，則可使用一甲酸(FA)回焊系統來回焊該結合的材料，以允許用該FA環境來還原形成在該焊料粉末上的任何氧化物。
該黏合劑材料可為PAC材料，其可具有高黏著性，以及經控制之藉由該等分解產物為二氧化碳及水而形 成無用的自由部分的燒畢性。PAC材料勝於其他焊料助焊劑材料的一個優點為，該PAC材料可於室溫下以穩定的狀態長時間儲存，並且相對於其他焊料助焊劑材料可形成較少的殘留。使用像是甲酸回焊之類的一還原氣體環境可使助焊劑從黏著劑分離，而可在回焊期間允許有效率進行焊料粉末之助焊處理。
根據各種實施例，可利用關於圖4所述之黏合劑印刷製程以黏合劑材料及一無助焊劑回焊來形成焊料凸塊，該黏合劑材料是使用一例如PAC之類的犧牲型黏著性黏合劑。圖5是概要地描繪依據某些實施例之可用於實行黏合劑印刷的一黏合劑印刷系統500。舉例來說，在某些實施例中，如以ExOneTM及/或VoxelJetTM所製造的一黏合劑印刷系統可被使用。在其他實施例中，其他合適的黏合劑印刷系統可被使用。圖6是描繪依據某些實施例的一黏合劑印刷製程。
參照圖5及6，在步驟602，一黏合劑印刷製程可包括將焊料粉末555放置於一床502上(其可被稱為「建構箱(build box)」)。在某些實施例中，該粉末可具有一微米等級的直徑，但在其他實施例中可包括其他合適的尺度。舉例來說，一活塞504可被致動以將一容器中的焊料粉末555向上遞送，而使一滾輪522或其他合適的位移機構可將該焊料粉末555移動至該床502上。一工件202可被對準並放置在該床502上以接收該焊料粉末555。
在步驟604，黏合劑印刷可在粉末床502被執行以 界定凸塊(例如在該工件202上的接點203)。舉例來說，可將一黏合劑供給506與一噴嘴508結合，以將一黏合劑沈積在一所欲之印刷圖案上來界定焊料凸塊。在某些實施例中，可將該噴嘴508組配成用以印刷/沈積助焊劑及/或犧牲型黏著劑。該被印刷的黏合劑可形成一個或多個藉由該黏合劑保持在一起的該焊料粉末555的支架結構510，以在步驟608之回焊上將其轉換成一個或多個相對應之焊料凸塊512。在某些實施例中，該噴嘴508可為一氣溶膠噴射印刷系統(圖2A的氣溶膠噴射印刷系統200A)的一印刷頭(例如圖2A的印刷頭210)、或一噴墨印刷系統(例如圖2B的噴墨印刷系統200B)之噴嘴。
在步驟606，未結合的焊料粉末(例如未以黏合劑被印刷)可從該工件202上被移除而留下該一個或多個支架結構510。在步驟602、604、606的動作可被重複進行直至該一個或多個支架結構510達到一所欲之高度或其他尺度。舉例來說，一活塞514可經配置以將該床502往下移動，以供在該工件202上堆疊更多層的焊料粉末555及黏合劑。
在步驟608，可使用該一個或多個支架結構510執行回焊製程以形成焊料凸塊512。在某些實施例中，可在一還原氣體環境下執行該回焊製程以形成該焊料凸塊。
本揭露內容是說明用以形成焊料凸塊的加成法製造技術。舉例來說，在某些實施例中，可利用焊料粉末之雷射燒結(「粉末雷射燒結」)來形成焊料凸塊。在某些實施例中，可執行一燒結後還原製程。在某些實施例中，可 將一焊料粉末床在適當地方進行雷射燒結(於此被稱為「粉末床雷射燒結製程」)，或是可使用一在一粉末集中區域進行燒結的粉末噴射(於此被稱為「粉末噴射雷射燒結製程」)。可使用一經控制的環境以將在燒結期間於凸塊上形成的氧化物還原，及/或在已最後加工、已燒結的凸塊之回焊期間使用一還原氣體環境以移除氧化物。
圖7是描繪依據某些實施例之一粉末噴射雷射燒結系統700。在某些實施例中，該粉末噴射雷射燒結系統700可包括一聚焦的雷射光束702、一經組配以在該聚焦的雷射光束702之會聚處遞送焊料粉末的噴嘴704、及一設置在一基台706上像是積體電路基板(例如工件202)之基板的一沈積表面，該基台706是組配成可精確地移動以在該工件202的該沈積表面上提供焊料粉末之所欲的燒結圖案。該粉末噴射雷射燒結系統700可包括一聚焦透鏡708用以提供該聚焦的雷射光束702。
在某些實施例中，該粉末噴射雷射燒結系統700可為一指向性能量沈積(DED)系統。根據各種實施例，可使用其他合適的雷射燒結系統來形成焊料凸塊。舉例來說，直接金屬沈積(DMD)技術可包括測量一熔化的焊料粉末的高度的相機，並在燒結期間調整雷射功率以維持均一的高度。
圖8是描繪依據某些實施例之一粉末床雷射燒結系統800。該粉末床雷射燒結系統800可包括一床802(被稱為「建構箱」)經組配以接收並保持焊料粉末555。在某些 實施例中，該焊料粉末555可具有微米等級的直徑，但在其他實施例中可包括其他適合的尺度。一活塞804可經組配以將一容器內的焊料粉末555向上遞送，而使得一滾輪812或其他合適的位移機構可將該焊料粉末555移動進入至該床802。一工件202可被對準並放置在該床802中用以接收該焊料粉末555。另一個活塞814可經組配以用如下的一種方式驅動該床802：可使一雷射源801及/或掃描器803形成一雷射光束802a以燒結在該床802中的焊料粉末555而形成一個或多個焊料凸塊816。在某些實施例中，該粉末床雷射燒結系統800可為粉末床熔融(PBF)系統。在其他實施例中，可使用其他合適的粉末床雷射燒結系統。
圖9是描繪依據某些實施例之粉末雷射燒結技術。在步驟902a的動作是描繪一粉末噴射技術(例如使用圖7的粉末噴射雷射燒結系統700)，並且在步驟902b、904b及906b的動作是描繪一粉末床技術(例如使用圖8之粉末床雷射燒結系統800)。粉末噴射技術及粉末床技術各自均可被使用於形成在步驟908的一個或多個焊料凸塊904。根據各種實施例，該焊料粉末555可具有保護性的塗層用以避免較大的粒子之凝聚及/或形成。
首先，說明該粉末噴射技術。在步驟902a，可在一粉末噴射雷射燒結系統(例如圖7的粉末噴射雷射燒結系統700)之基台(例如圖7的基台706)上放置及/或對準具有一個或多個接點203之工件202。可將焊料粉末555選擇性地沈積(例如噴灑)至位於一雷射902(例如圖7的聚焦雷射光束 702)的該路徑上的燒結區域，以在該一個或多個接點203上形成焊料凸塊904。在某些實施例中，可將該雷射聚焦至一具有次微米尺度的尺寸。沈積該粉末及燒結以形成該等焊料凸塊904可被同時執行。
接下來，說明粉末床技術。在步驟902b，是在已充填有焊料粉末555的一建構箱(例如圖8的床802)中放置及/或對準一具有一個或多個接點203之工件202。在步驟904b，是以一雷射(例如圖8的雷射光束802a)燒結該焊料粉末555，以在該一個或多個接點203上形成焊料凸塊904。在步驟906b，可將過剩的焊料粉末555從該工件202移除。
在步驟908，後處理可在利用該粉末噴射技術或粉末床技術形成該等焊料凸塊904之後被執行。舉例來說，一種用以從該焊料粉末555將凝聚以及形成較大的粒子予以還原(例如一個或多個焊料凸塊904被氧化)的處理方法，可以是在一像是例如甲酸回焊的還原氣體環境中對該等焊料凸塊904進行回焊，以將在燒結的焊料凸塊904中的氧化物予以還原。
在某些實施例中，該粉末雷射燒結製程可包括一粉末噴射技術，其中該焊料粉末之燒結是發生在一燒結區域，其為一雷射(例如圖9的雷射902)和以在其粉末流中夾帶有一還原劑的焊料粉末(例如圖9的焊料粉末555)交會的區域。使用一還原劑可造成可能會在該焊料凸塊904及/或接點203上被形成之氧化物的還原。舉例來說，在此種方式下，在步驟902a及908的動作可被結合成一單一的程序。
在某些實施例中，該還原劑可包括例如夾帶在一氣體流(例如氮氣流)中的甲酸，該氣體流為可被使用作為一用於將該焊料粉末555傳送至該燒結區域的輸入氣體(例如在噴嘴704中)，而使得在步驟902a的該粉末之雷射燒結在藉由有該還原氣體存在的該雷射燒結所創造出的一還原氣體環境中被執行。這樣的技術可允許為了流動性及球形完整度而在粉末噴射雷射燒結系統中使用已氧化的焊料粉末，並在燒結過程期間進行該等氧化物的移除。在其他實施例中，該氣體流及該還原劑可包括其他合適的材料。
在某些實施例中，在粉末流中的還原劑可結合如關於圖2A-B所述之氣溶膠噴射印刷或噴墨印刷而被使用，以有助於從焊料凸塊中移除氧化物。舉例來說，在某些實施例中，該還原劑可透過於該印刷頭(例如圖2A的印刷頭210)中的一鞘流氣體用的一個或多個導管(例如圖2A的導管210a)而被添加至鞘流氣體，及/或被添加至一經組配而以氣溶膠形式將可焊墨料運送至該印刷頭的氣體(例如在圖2A的一進入口208)中。
在某些實施例中，相對於習用之從錫膏或用於隨後會被回焊(例如通常是以助焊劑進行)之鍍敷凸塊的一鍍敷製程之構件所形成的焊料凸塊，藉由粉末雷射燒結(例如燒結的焊料凸塊)在還原氣體環境中從粉末所形成的焊料凸塊可具有較少或沒有來自助焊劑的殘留。用以形成焊料凸塊904的粉末雷射燒結(例如使用粉末噴射技術或粉末床技術)能提供許多好處。舉例來說，相對於像是真空沈積、 鍍敷、錫膏印刷或植球技術的可能包括較多的步驟及使用濕式化學處理的替代方案，粉末雷射燒結相對地較簡單且乾燥。另外，相對於被使用在習用技術中的現有材料選項，粉末雷射燒結可允許使用較廣泛多樣的供凸塊形成用之金屬粉末組成。而且，相對於習用技術，粉末雷射燒結可使用較少的工具。舉例來說，粉末雷射燒結可使用一電腦輔助設計(CAD)檔案來驅動一最終產品的生產。作為一加成法的製程，粉末雷射燒結相對於習用技術可減少材料使用，並且在同一個工件上於製造不同凸塊尺寸時可提供較大的彈性。使用粉末雷射燒結，可進一步減少與沈積相關聯的殘留且可允許較高凸塊的形成(例如比依慣例所形成的焊料凸塊具有更高的縱橫比)。相對於習用技術，粉末雷射燒結在形成具有不同尺寸的凸塊上會得到較高的生產量，及/或可在有可能為較低成本的情形下得到較高品質的焊料凸塊。
本揭露內容是描述使用加成法製程形成像是銅跡線(例如圖1的跡線114)的銅互連結構。舉例來說，導電墨料技術或使用像是燒結的粉末加成法製造技術的直接銅沈積可被使用。在一實施例中，銅跡線可使用接著藉由還原氣體環境處理進行的一導電墨料技術而被形成。在另一個實施例中，銅跡線可使用像是例如具有NRF之銅墨料的具有自我還原(self-reducing)墨料配方的一導電墨料技術而被形成以利用一回焊(例如熱處理)後製程來還原銅。在另一個實施例中，銅跡線可使用粉末燒結之粉末流中的還原劑而 被形成。
根據各種實施例，一以銅基底之墨料的墨料印刷製程可被使用以形成銅跡線。可將銅基底之墨料在一還原氣體環境中固化(cure)或是以其他方式處理以將銅的氧化予以還原。銅的氧化可能會減低銅跡線的導電性。還原氣體環境固化或其他還原氣體環境的使用可還原經氧化的銅，並允許使用氧化銅奈米粒子來代替銅奈米粒子。該氧化銅奈米粒子成本較低。
可根據任何合適的墨料印刷製程來沈積一銅基底之墨料。在某些實施例中，墨料中的銅粒子具有保護性的聚合物塗層。舉例來說，可使用噴墨或氣溶膠噴射製程且不需要鍍敷或相關聯的工具修整。在某些實施例中，可使用關於圖2A-B及3A-B所述之該等技術，其中該可焊墨料204是被以包括銅粒子之銅基底的墨料所取代。該已沈積的銅基底之墨料可在一像是例如甲酸回焊(其可用於像是聚醯亞胺系基板的可撓性基板)或大氣電漿系統的還原氣體環境中被固化。舉例來說，大氣壓氫電漿可在低溫下從銅及其他金屬移除氧化物，而不會對一工件的其他構件造成損害。
在某些實施例中，可使用在任何合適的載體流體中的銅奈米粒子來配製一銅基底之墨料。該銅基底之墨料可包括或不包括在該墨料中的銅粒子上的聚合物保護性塗層。在某些實施例中，該銅基底之墨料可包括氧化銅粒子。該銅基底之墨料可依照一所欲之圖案，使用包括例如噴墨 或氣溶膠噴射印刷技術之任何合適的墨料沈積技術而被沈積在一工件上。在該工件上的沈積之後，該銅基底之墨料可藉由包括例如雷射、紫外線(UV)或熱固化技術之任何合適的技術而被固化。在一實施例中，固化可在一像是甲酸的還原氣體環境或其他合適的還原氣體環境中被執行。於固化不使用在還原氣體環境中的情況下，氧化銅的還原可在該固化後使用例如甲酸回焊或像是1%氫(H2)混合物的大氣電漿接著被進行。該還原氣體環境可還原氧化物，允許銅奈米粒子之較佳的導電接觸，其可將在該等銅奈米粒子之間的電阻減低用於改善的電流。在某些實施例中，在該等銅奈米粒子之間的一介面之形態與氧化物，可能會相對於未依照於此文中所述之技術處理之銅奈米粒子，在銅粒子之間的區域具有較少的氧化物。相對於習用技術，尤其是針對少量及/或客製化產品的情況，使用一銅基底之墨料沈積以形成銅跡線可能為一較低成本的方法。
在某些實施例中，可結合一自我還原墨料配方來使用銅基底之墨料沈積。舉例來說，一銅基底之墨料配方可包括銅奈米粒子及一載體，其經組配以在該銅基底之墨料沈積之後的處理步驟中移除氧化物用以改善所得到之像是銅跡線的銅互連結構的電氣性能及/或熱性能。在某些實施例中，一銅基底之墨料配方可包括銅奈米粒子，其可選擇性地具有一保護性之聚合物塗層，及/或可包括氧化銅奈米粒子、一包括例如聚碳酸丙烯酯(PPC)之NRF載體材料、像是例如γ-丁內酯(GBL)或丙酮的溶劑、及/或一像是例如 甲酸的銅還原劑。
NRF材料可在一已沈積的銅基底之墨料的回焊期間將氧化銅予以還原。NRF材料可以以懸浮在具有一還原劑的一溶劑中的一熱塑性塑料為基底。舉例來說，PPC可包括具黏著性且會分解成二氧化碳及水的一熱塑性塑料。在一實施例中，甲酸被使用作為在NRF中的一助焊劑。甲酸可能為高反應性的有機酸，且可從銅移除氧化物而產生二氧化碳反應產物。
根據某些實施例，該銅基底墨料可依照一所欲之圖案(例如從一CAD檔案)使用噴墨或氣溶膠噴射印刷技術而被沈積在一工件上。在進行沈積後，一用以還原氧化銅以及在該等銅奈米粒子之間提供較佳接觸的後處理製程可被執行。在某些實施例中，該後處理溫度可為大於200℃，以允許使用甲酸來進行氧化物的還原。在某些實施例中，一較低溫度(例如小於250℃)的固化可被使用以將一些PPC留下來附著到該基板並且保護已形成使其彼此更接近的導電接觸之該等銅奈米粒子。在某些實施例中，可在一最終產物(例如準備出貨給客戶的工件)的銅跡線中發現殘留的保護性PPC。
在某些實施例中，本揭露內容是描述直接銅沈積，其使用伴隨著還原劑在用於粉末燒結的該粉末流中之粉末加成法製造程序。在某些實施例中，一銅粉末噴射可在一粉末集中區域被燒結。舉例來說，一燒結製程可在一還原劑被夾帶在該粉末流中而在一燒結區域被執行，其結 果為可允許以一用於在一工件上形成導電銅結構(例如銅跡線)之單一步驟製程來進行該銅粉末上之氧化物的還原。額外的氣體可被加入用以促進對表面更佳的附著，像是例如高溫聚合物(例如聚醯亞胺)以使得在氣體中的雷射煙塵(laser plume)造成在該工件的一表面之表面修飾，而得到該銅對該表面之更佳的附著。
根據各種實施例，可使用包括例如一氣溶膠噴射印刷系統(例如圖2A的氣溶膠噴射印刷系統200A)、粉末噴射雷射燒結系統(圖7的粉末噴射雷射燒結系統700)、或一DMD雷射燒結系統之任何合適的粉末遞送系統，將銅粉末沈積以形成銅跡線結構。根據某些實施例，該銅粉末可使用關於圖9所述之技術(例如圖9的步驟902a)被沈積與燒結。舉例來說，一粉末遞送系統可被裝填一金屬粉末(例如銅)。一輸入氣體可使用夾帶有FA的惰性氣體(例如氮氣)流，以允許將金屬氧化物及可將該銅沈積在其上的任何接點(例如墊體)的一表面予以還原。額外的成分(例如氮)可被添加到該惰性氣體中以促進銅對該工件表面的附著。該粉末流可被撞擊於供金屬沈積的區域上，且一雷射可被施加以在藉由有該還原氣體存在的該雷射燒結所創造出的該還原氣體環境中將該粉末在適當地方燒結。相對於包括銅之粉末，較高的雷射功率可被使用以達成對於包括氧化銅粒子之粉末的銅燒結。
使用伴隨著還原劑在用於粉末燒結的該粉末流中之粉末加成法製造程序進行之銅沈積可提供許多好處。 舉例來說，相較於利用更多的步驟且在大多數的情況下可能要進一步利用濕式化學處理的真空沈積、鍍敷、錫膏印刷或植球技術，此種製程可為一較簡單、較乾燥的製程。而且，相對於習用技術，此種製程可利用較少的工具。舉例來說，此種製程可利用一電腦輔助設計(CAD)檔案來驅動一最終產品的生產。作為一加成法的製程，此種製程相對於習用技術可減少材料使用，並且在同一個工件上於製造不同銅結構尺寸時可提供較大的彈性。將一還原氣體提供到一粉末進料流，可得到一單一的程序，其將不需要進行後續的燒結來獲得電及熱的傳導性。將還原氣體添加至該粉末進料中，相對於純銅粉末的使用，會有助於像是氧化銅的較低成本之粉末的使用。使用一氣溶膠噴射來印刷可焊材料，可進一步減少與沈積相關聯的殘留且可允許較高凸塊的形成(例如比依慣例所形成的焊料凸塊具有更高的縱橫比)。
圖10是概要地說明依據某些實施例之使用一墨料沈積製程(例如各自於圖2A或2B的氣溶膠噴射製程或噴墨製程)將一個或多個焊料凸塊(例如圖3B的焊料凸塊304)形成在一積體電路(IC)基板(例如圖3A-B的工件202)上之一方法1000的流程圖。該方法1000可與關於圖2-3B或於此文中別處所述之實施例相稱，反之亦然。
在步驟1002，該方法1000可包括提供一積體電路(IC)基板。該IC基板可包括例如一晶粒、晶圓、封裝基板、電路板、或任何其他合適的IC基板。
在步驟1004，該方法1000可包括利用一氣溶膠噴射印刷系統將一可焊材料沈積在該IC基板上。舉例來說，該可焊材料可包括與一助焊劑材料及/或黏合劑混合的焊料粉末。該可焊材料可根據關於圖2A-B與圖3A或於此文中別處所述之技術而被沈積。在某些實施例中，可將該焊料粉末與一穩定化的黏合劑混合，其在室溫下是穩定的，並且經組配以在一回焊製程期間分解。在某些實施例中，該可焊材料可根據一CAD檔案而被沈積。
在步驟1006，方法1000可包括對該沈積的可焊材料進行回焊，以在該IC基板上形成一個或多個焊料凸塊。該回焊製程可與關於圖2A-B與圖3B或於此文中別處所述之實施例相稱。
圖11是概要地說明依據某些實施例之使用一黏合劑印刷系統(例如圖5的黏合劑印刷系統500)將一個或多個焊料凸塊(例如圖6的焊料凸塊512)形成在一積體電路(IC)基板(例如圖6的工件202)上之一方法1100的流程圖。該方法1100可與關於圖4-6或於此文中別處所述之實施例相稱，反之亦然。
在步驟1102，該方法1100可包括提供一積體電路(IC)基板。該IC基板可包括例如一晶粒、晶圓、封裝基板、電路板、或任何其他合適的IC基板。
在步驟1104，該方法1100可包括利用一黏合劑印刷系統將一可焊材料沈積在該IC基板上。舉例來說，在某些實施例中，焊料粉末可被散布於該IC基板上，且一黏合 劑材料可被選擇性地沈積(例如，分配)在該焊料粉末上，以形成一個或多個藉由該黏合劑材料而保持在一起的該焊料粉末的支架結構在該IC基板上於一個或多個焊料凸塊要被形成的位置。未藉由該黏合劑材料保持在一起的焊料粉末可被移除。將焊料粉末散布在IC基板上、沈積該黏合劑材料、和移除該過剩的焊料粉末之動作可被重複執行直到完成一所欲之尺度(例如高度)的一個或多個的支架結構。在某些實施例中，該黏合劑材料可包括一犧牲型黏著性黏合劑，其在室溫下是穩定的，並且經組配以在一回焊製程期間分解。關於圖4-6或於此文中別處所述之其他動作可被執行。
在步驟1106，該方法100可包括對該沈積的可焊材料進行回焊，以在該IC基板上形成一個或多個焊料凸塊。該回焊製程可與關於圖6或於此文中別處所述之實施例相稱。
圖12是概要地說明依據某些實施例之使用一粉末雷射燒結系統(例如各自於圖7或8的系統700或800)將一個或多個焊料凸塊(例如圖9的焊料凸塊904)形成在一積體電路(IC)基板(例如圖9的工件202)上之一方法1200的流程圖。該方法1200可與關於圖7-9或於此文中別處所述之實施到相稱，反之亦然。
在步驟1202，該方法1200可包括提供積體電路(IC)基板。該IC基板可包括例如一晶粒、晶圓、封裝基板、電路板、或任何其他合適的IC基板。
在步驟1204，該方法1200可包括利用一粉末雷射燒結系統將一可焊材料沈積在該IC基板上。在某些實施例中，該可焊材料可使用一粉末噴射雷射燒結系統(例如圖7的粉末噴射雷射燒結系統700)而被沈積。焊料粉末可被選擇性地沈積至一個或多個焊料凸塊要被形成的位置上之在一雷射之一路徑中的一燒結區域。在某些實施例中，該可焊材料可使用一粉末床雷射燒結系統(例如圖8的粉末床雷射燒結系統800)而被沈積。焊料粉末可被散布於該IC基板上，其可被放置在一床上。
在步驟1206，該方法1200可包括對該沈積的可焊材料進行燒結(例如藉由雷射)，以在該IC基板上形成一個或多個焊料凸塊。在該可焊材料可藉由該粉末噴射雷射燒結系統而被沈積的實施例中，該可焊材料可被選擇性地沈積在燒結區域，並於將其施加同時進行該焊料粉末之燒結。在某些實施例中，燒結可在一用於將該焊料粉末遞送至該燒結區域的還原氣體存在的情況下被執行。在該燒結之後，過剩的焊料粉末可從該IC基板被移除。
圖13是概要地說明依據某些實施例之使用一加成法製程將一銅互連結構形成在一積體電路(IC)基板上之方法的一流程圖。該方法1300可與於此文中所述之實施例相稱，反之亦然。
在步驟1302，該方法1300可包括提供一積體電路(IC)基板。該IC基板可包括例如一晶粒、晶圓、封裝基板、電路板、或任何其他合適的IC基板。
在步驟1304，該方法1300可包括利用一用以形成一銅互連結構之加成法製程來將一銅粉末沈積在該IC基板上。在某些實施例中，該銅粉末可藉由一墨料印刷製程(例如噴墨或氣溶膠噴射)而被沈積在一載體流體中。在某些實施例中，沈積該銅粉末是利用一用以沈積該銅粉末的粉末噴射雷射燒結系統而被執行。在其他實施例中，其他用以沈積該銅粉末之合適的技術可以被使用。
在步驟1306，該方法1300可包括將該沈積的銅粉末熱處理以形成該銅互連結構。在某些實施例中，該沈積的銅粉末可被固化以形成該銅互連結構。舉例來說，固化可在藉由一墨料印刷製程來沈積該銅的實施例中被使用。在某些實施例中，該固化可在一還原氣體環境(例如甲酸)中被執行。在某些實施例中，該沈積的銅可被燒結以形成該銅互連結構。舉例來說，燒結可在藉由一粉末噴射雷射燒結系統來沈積該銅的實施例中被使用。在某些實施例中，該燒結可在該銅粉末的沈積期間，於該銅粉末之一氣體流中夾帶有一還原劑存在之情況下被執行。在某些實施例中，該燒結可在一用於促進該燒結之銅互連結構附著至該IC基板的附著促進劑存在的情形下被執行。在圖10-13的該等方法中的各種不同操作是以最有助於理解所請求保護之標的主體的方式，依次被描述為多個分立的操作。然而，描述之順序不應當被理解為暗示該等操作必定依存於順序。
本揭露內容的實施例可經實施成為一系統(例如 圖14的運算裝置1400)，其可使用任何合適的硬體及/或軟體以如所期望地進行組態。圖14是概要地說明依據某些實施例之一包括如於此文中所述之一IC封裝總成的運算裝置1400。該運算裝置1400可容納一像是主機板1402(例如在外殼1408中)的板體。該主機板1402可包括許多構件，包括但不限於一處理器1404與至少一個通訊晶片1406。該處理器1404可在實體上及電氣上被耦接至該主機板1402。在某些實施例中，該至少一個通訊晶片1406也可在實體上及電氣上被耦接至該主機板1402。在更進一步的實施方式中，該通訊晶片1406可為該處理器1404的一部分。
根據其應用，運算裝置1400可包括其他構件，其在實體上及電氣上被耦接或未被耦接至該主機板1402。這些其他構件可包括但不限於：揮發性記憶體(例如動態隨機存取記憶體(DRAM))、非揮發性記憶體(例如唯讀記憶體(ROM))、快閃記憶體、一圖形處理器、一數位訊號處理器、一加密處理器、一晶片組、一天線、一顯示器、一觸控螢幕顯示器、一觸控螢幕控制器、一電池、一音訊編碼解碼器、一視訊編碼解碼器、一功率放大器、一全球定位系統(GPS)裝置、一羅盤、一蓋革計數器、一加速計、一迴轉儀、一喇叭、一相機、及一大容量儲存裝置(例如硬式磁碟機、光碟(CD)、數位多功能光碟(DVD)等等)。
該通訊晶片1406能夠進行往來該運算裝置1400之該資料傳輸用的無線通訊。該術語「無線」及其衍生語可被用於描述電路、裝置、系統、方法、技術、通訊頻道 等，其可藉由透過一非固態介質(non-solid medium)之經調變的電磁輻射的使用來進行資料通訊。該術語並非暗指該等相關聯的裝置未包含任何導線，雖然在某些實施例中其可能會不包含。該通訊晶片1406可實施許多無線標準或協定之任一者，包括但並不限於：包括Wi-Fi(IEEE 802.11家族)、IEEE 802.16標準(例如IEEE 802.16-2005修正)之電機電子工程師學會(IEEE)標準、隨著長期演進(LTE)計畫一起的任何修正、更新，及/或修訂(例如升級的LTE計畫、超行動寬頻(UMB)計畫(也被稱為「3GPP2」)。與IEEE 802.16相容的寬頻無線接取(BWA)網路一般會被稱為WiMAX網路，代表用於微波存取之全球互通(Worldwide Interoperability for Microwave Access)之首字母縮寫字，其為一種通過了用於IEEE 802.16標準之符合性及互通性測試的產品之認證標記。該通訊晶片1406可依據全球行動通訊系統(GSM)、通用封包無線服務(GPRS)、通用移動電信系統(UMTS)、高速封包存取(HSPA)、演進式HSPA(E-HSPA)、或LTE網路而運作。該通訊晶片1406可依據GSM增強型數據演進(EDGE)、GSM EDGE無線接取網路(GERAN)、通用地面無線接取網路(UTRAN)、或演進式UTRAN(E-UTRAN)而運作。該通訊晶片1406可依據分碼多重存取(CDMA)、分時多重存取(TDMA)、數位增強無線電信(DECT)、演進數據優化(EV-DO)、及其等的衍生物，還有被指定為3G、4G、5G及其之後的任何其他的無線協定而運作。該通訊晶片1406可依據在其他實施例中的其他無線協定而運作。
該運算裝置1400可包括複數個通訊晶片1406。舉例來說，一第一通訊晶片1406可被專用於較短距之無線通訊，像是Wi-Fi及藍牙，且一第二通訊晶片1406可被專用於較長距之無線通訊，像是GPS、EDGE、GPRS、CDMA、WiMAX、LTE、EV-DO及其他。
該運算裝置1400的該處理器1404可被封裝在一IC封裝總成(例如圖1的IC封裝總成100)中，其包括依據於此文中所述之技術而形成的焊料或銅互連結構。舉例來說，圖1的該電路板122可為一主機板1402，且該處理器1404可為使用依據於此文中所述之技術而形成的焊料凸塊被安裝在圖1之一封裝基板121上的一晶粒102。該封裝基板121與該主機板1402可利用像是依據於此文中所述之技術而形成的焊料結構的封裝級互連被耦接在一起。該處理器、主機板或封裝基板可包括依據於此文中所述之技術而形成的銅跡線或其他銅結構。其他合適組態可根據於此文中所述之實施例而被實施。該術語「處理器」可表示任何裝置或一裝置之部分，其可處理來自暫存器及/或記憶體的電子資料以將該電子資料轉換成可儲存在暫存器及/或記憶體中的其他電子資料。
該通訊晶片1406也可包括被封裝在一包括依據於此文中所述之技術而形成的焊料或銅互連結構之IC封裝總成(例如圖1的IC封裝總成100)中的一晶粒。在更進一步的實施例中，被容納於該運算裝置1400的另一個構件(例如記憶體裝置或其他積體電路裝置)可包括被封裝在一包括依 據於此文中所述之技術而形成的焊料或銅互連結構之IC封裝總成(例如圖1的IC封裝總成100)中的一晶粒。
在各種實施方式中，該運算裝置1400可為一膝上型電腦、一隨身型易網機(netbook)、一筆記型電腦、一超筆電(ultrabook)、一智慧型手機、一數位平板、一個人數位助理(PDA)、一超級移動PC、一行動電話、一桌上型電腦、一伺服器、一印表機、一掃描器、一監視器、一機上盒、一娛樂控制單元、一數位相機、一可攜式音樂播放器、或一數位視訊記錄器。在某些實施例中，該運算裝置1400可為一行動運算裝置。在進一步的實施例中，該運算裝置1400可為用以處理資料的任何其他的電子裝置。
實例
根據各種實施例，本揭露內容會描述數種方法。例1之一方法可包括提供一積體電路(IC)基板、及利用一墨料沈積製程將一可焊材料沈積在該IC基板上。例2可包括該例1的方法，其中該可焊墨料包括與一助焊劑材料混合的一焊料粉末。例3可包括該例2的方法，進一步包含對該沈積的可焊墨料進行回焊，以在該IC基板上形成一個或多個焊料凸塊。例4可包括該等例1-3之任一者的方法，其中，該可焊墨料包括與一穩定化的黏合劑混合的焊料粉末，其在室溫下為穩定的，並且經組配以在高於該室溫的一升高的溫度下分解。例5可包括該等例1-3之任一者的方法，其中，該IC基板包括一接點，其中提供該IC基板包括提供一晶粒、晶圓、或封裝基板，且其中沈積該可焊材料包括依照 一電腦輔助設計(CAD)檔案利用一噴墨印刷機或氣溶膠噴射印刷系統將該可焊材料沈積在該接點上。例6之一方法可包括提供一積體電路(IC)基板、及利用一黏合劑印刷系統將一可焊材料沈積在該IC基板上。例7可包括該例6的方法，其中，沈積該可焊材料包含將焊料粉末散布在該IC基板上，並選擇性地將一黏合劑材料沈積在該焊料粉末上以形成一個或多個該焊料粉末的支架結構，該焊料粉末藉由該黏合劑材料而在該IC基板上於用於形成一個或多個焊料凸塊之位置保持在一起。例8可包括該例7的方法，進一步包含移除未被該黏合劑材料保持在一起的焊料粉末，並重複執行以下動作：散布該焊料粉末、選擇性地沈積該黏合劑材料、和移除該焊料粉末，直到完成一所欲之尺度的該一個或多個支架結構。例9可包括該例7的方法，其中，該黏合劑材料包含一犧牲型黏著性黏合劑，其在室溫下是穩定的，並且經組配置以在高於該室溫的一升高的溫度下分解。例10可包括該等例6-9之任一者的方法，進一步包含對該沈積的可焊材料進行回焊，以在該IC基板上形成一個或多個焊料凸塊。例11之一方法可包括提供一積體電路(IC)基板、及利用一粉末雷射燒結系統將一可焊材料沈積在該IC基板上。例12可包括該例11之方法，其中，在該IC基板上沈積該可焊材料是使用一粉末噴射雷射燒結系統，藉由將焊料粉末選擇性地沈積至在用以形成一個或多個焊料凸塊的位置上之在一雷射的一路徑中的一燒結區域而被執行。例13可包括該例12之方法，進一步包含使用該雷射來 燒結該沈積之可焊材料以在該IC基板上形成一個或多個焊料凸塊。例14可包括該例13之方法，其中，該燒結是在用於將該焊料粉末遞送至該燒結區域的一氣體中有還原劑存在的情況下被執行。例15可包括該例11之方法，其中，將該可焊材料沈積在IC基板上是使用一粉末床雷射燒結系統，並藉由在將該IC基板放置在一床上的情形下將焊料粉末散布於該IC基板上而被執行。例16可包括該例15之方法，進一步包含藉由雷射將該沈積的可焊材料燒結在該IC基板上的位置上，以在該等位置形成一個或多個焊料凸塊。例17可包括該例16之方法，進一步包含在該燒結後，將過剩的焊料粉末從該IC基板移除。例18之一方法可包括提供一積體電路(IC)基板、及利用一用於形成一銅互連結構之加成法製程將銅粉末沈積在該IC基板上。例19可包括該例18之方法，其中，沈積該銅粉末包含利用一墨料印刷製程以將在一載體流體中的該銅粉末沈積在該IC基板上。例20可包括該例19之方法，進一步包含將該沈積的銅粉末固化以形成該銅互連結構。例21可包括該例20之方法，其中，該固化是在一包含甲酸的一還原氣體環境中被執行。例22可包括該例18之方法，其中沈積該銅粉末包含利用一粉末噴射雷射燒結系統來沈積該銅粉末。例23可包括該例18之方法，進一步包含以一雷射將該銅粉末燒結以形成該銅互連結構。例24可包括該例23之方法，其中在該銅粉末的沈積期間，該燒結是在該銅粉末之一氣體流中夾帶有一還原劑存在之情況下被執行。例25可包括該例23之方法，其中， 該燒結是在用於促進該燒結之銅互連結構對該IC基板的附著的一附著促進劑存在的情形下被執行。例26可包括一依據前述實例之任一者的方法所製作出的產品。其他實例可包括設備及/或像是晶粒的系統、或像是封裝基板或電路板的IC基板，其等包括依據於此文中之技術或包括於此文中所述之特徵而形成之焊料凸塊或銅跡線。
各種實施例可包括以上所述之實施例之任何合適的組合，其包括以上以合取形式(及)(例如該「及」可為「及/或」)描述的實施例之替代性(或)實施例。此外，某些實施例可包括一個或多個製造物品(例如非暫態之電腦可讀取媒體)，該一個或多個製造物品具有儲存於其上的指令，於該等指令被執行時會產生任一以上所述之實施例之動作。再者，某些實施例可包括設備或系統，該等設備或系統具有用於實現該等以上所述之實施例的各種操作之任何合適的手段。
所例示說明之實施方式之以上描述，包括摘要中所述的內容，並非意欲要徹底地，或將本揭露內容之實施例限制於所揭露的該明確形式。雖然在本說明描述特定的實施方式及實例是用於例示說明之目的，但如熟悉該相關領域之技述人員應認知到的，在本揭露內容的範圍內所作的各種等效的修改是可能的。
可根據以上之詳細說明，對本揭露內容之實施例作出這些修改。在以下的申請專利範圍中所使用的術語不應被解釋為是將本揭露內容的各種實施例限制於說明書及 該等申請專利範圍所揭露之特定實施方式。更確切地說，該範圍應完全由以下的申請專利範圍來決定，該等申請專利範圍是按照解釋申請專利範圍的既定原則來加以解釋。
200A‧‧‧氣溶膠噴射印刷系統
202‧‧‧工件
204‧‧‧可焊墨料
206‧‧‧腔室
208‧‧‧進入口
210‧‧‧印刷頭
210a‧‧‧導管
210b‧‧‧開口

Claims (19)

  1. 一種方法，包含：提供一積體電路(IC)基板；及利用一墨料沈積製程將一可焊墨料沈積在該IC基板上，其中該可焊墨料包括與一無殘留助焊劑(NRF)材料混合的焊料粉末，該NRF材料包括一聚亞芳基碳酸酯(PAC)材料之基底聚合物及一甲酸助焊劑；以及對該沈積的可焊墨料進行回焊，以在該IC基板上形成一個或多個焊料凸塊，其中該等一或多個焊料凸塊之一第一焊料凸塊具有一尺寸係不同於該等一或多個焊料凸塊之一第二焊料凸塊的一尺寸。
  2. 如請求項1之方法，其中，該可焊墨料包括與一穩定化的黏合劑混合的焊料粉末，其在室溫下為穩定的，並且經組配以在高於該室溫的一升高的溫度下分解。
  3. 如請求項1之方法，其中：該IC基板包括一接點；提供該IC基板包含提供一晶粒、晶圓、或封裝基板；及沈積該可焊墨料包含依照一電腦輔助設計(CAD)檔案，利用一噴墨印刷機或氣溶膠噴射印刷系統將一可焊材料沈積在該接點上。
  4. 一種方法，包含：提供一積體電路(IC)基板；及 利用一黏合劑印刷系統將一可焊材料沈積在該IC基板上，其中沈積該可焊材料包含：將焊料粉末散布在該IC基板上；及選擇性地將一黏合劑材料沈積在該焊料粉末上，以形成一個或多個焊料粉末的支架結構，該焊料粉末藉由該黏合劑材料而在該IC基板上於用於形成一個或多個焊料凸塊的位置保持在一起。
  5. 如請求項4之方法，其更包含：將未被該黏合劑材料保持在一起的焊料粉末移除；及重複執行以下動作：散布該焊料粉末、選擇性地沈積該黏合劑材料、和移除該焊料粉末，直到完成一所欲之尺度的該一個或多個支架結構。
  6. 如請求項4之方法，其中，該黏合劑材料包含一犧牲型黏著性黏合劑，其在室溫下是穩定的，並且經組配以在高於該室溫的一升高的溫度下分解。
  7. 如請求項4之方法，其更包含：對該沈積之可焊材料進行回焊，以在該IC基板上形成一個或多個焊料凸塊。
  8. 一種方法，包含：提供一積體電路(IC)基板；及利用一粉末雷射燒結系統將一可焊材料沈積在該IC基板上，其中，在該IC基板上沈積該可焊材料是使用一粉末噴射雷射燒結系統，藉由將焊料粉末選擇性地沈 積至用以形成一個或多個焊料凸塊的位置上之在一雷射的一路徑中的一燒結區域而被執行。
  9. 如請求項8之方法，其更包含：使用該雷射來燒結該沈積之可焊材料以在該IC基板上形成該一個或多個焊料凸塊。
  10. 如請求項9之方法，其中，該燒結是在用於將該焊料粉末遞送至該燒結區域的一氣體中有一還原劑存在的情況下被執行。
  11. 一種方法，包含：提供一積體電路(IC)基板；及利用一粉末雷射燒結系統將一可焊材料沈積在該IC基板上，其中，將該可焊材料沈積在該IC基板上是使用一粉末床雷射燒結系統，並藉由在將該IC基板放置在一床上的情形下將該焊料粉末散布於該IC基板上而被執行。
  12. 如請求項11之方法，其更包含：藉由雷射將該沈積的可焊材料燒結在該IC基板上的位置上，以在該等位置形成一個或多個焊料凸塊。
  13. 如請求項12之方法，其更包含：在該燒結後，將過剩的焊料粉末從該IC基板移除。
  14. 一種方法，包含：提供一積體電路(IC)基板；及利用一用以形成一銅互連結構之加成法製程來將一銅粉末沈積在該IC基板上；及 以一雷射將該銅粉末燒結以形成該銅互連結構，其中，在該銅粉末的沈積期間，該燒結是在該銅粉末之一氣體流中夾帶有一還原劑存在之情況下被執行。
  15. 一種方法，包含：提供一積體電路(IC)基板；利用一用以形成一銅互連結構之加成法製程來將一銅粉末沈積在該IC基板上；及以一雷射將該銅粉末燒結以形成該銅互連結構，其中，該燒結是在用於促進該燒結之銅互連結構對該IC基板的附著的一附著促進劑存在的情形下被執行。
  16. 如請求項14或15之方法，其中，沈積該銅粉末包含利用一墨料印刷製程以將在一載體流體中的該銅粉末沈積在該IC基板上。
  17. 如請求項14或15之方法，其更包含：將該沈積的銅粉末固化以形成該銅互連結構。
  18. 如請求項14或15之方法，其中，該固化是在一包含甲酸的一還原氣體環境中被執行。
  19. 如請求項14或15之方法，其中，沈積該銅粉末包含利用一粉末噴射雷射燒結系統來沈積該銅粉末。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020258493A1 (zh) * 2019-06-26 2020-12-30 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种芯片封装方法

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5275498B1 (ja) * 2012-07-03 2013-08-28 石原薬品株式会社 導電膜形成方法及び焼結進行剤
US10593562B2 (en) 2015-04-02 2020-03-17 Samtec, Inc. Method for creating through-connected vias and conductors on a substrate
WO2017131760A1 (en) * 2016-01-29 2017-08-03 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Metal-connected particle articles
US10631409B2 (en) * 2016-08-08 2020-04-21 Baker Hughes, A Ge Company, Llc Electrical assemblies for downhole use
KR102045186B1 (ko) * 2016-11-22 2019-11-14 센주긴조쿠고교 가부시키가이샤 납땜 방법
DE102017211330A1 (de) * 2017-07-04 2019-01-10 Siemens Aktiengesellschaft Toleranzausgleichselement für Schaltbilder
US10588220B2 (en) 2017-07-20 2020-03-10 Molex, Llc Dry method of metallizing polymer thick film surfaces
US10777496B2 (en) 2017-10-06 2020-09-15 International Business Machines Corporation Chip packages with sintered interconnects formed out of pads
US11304313B2 (en) 2017-12-15 2022-04-12 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Three-dimensional printing
KR20190096731A (ko) * 2018-02-09 2019-08-20 현대자동차주식회사 반도체 장치용 소결 접합 방법
US11167375B2 (en) 2018-08-10 2021-11-09 The Research Foundation For The State University Of New York Additive manufacturing processes and additively manufactured products
US11217538B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Integrated circuit package and method
TWI719670B (zh) * 2018-11-30 2021-02-21 台灣積體電路製造股份有限公司 積體電路封裝體及其製造方法
TW202046839A (zh) * 2019-01-31 2020-12-16 美商山姆科技公司 導電導通孔及其生產方法
US11011389B2 (en) * 2019-04-22 2021-05-18 The Boeing Company Additively manufactured flexible interposer
US11504879B2 (en) 2020-04-17 2022-11-22 Beehive Industries, LLC Powder spreading apparatus and system
US11939905B2 (en) 2020-05-20 2024-03-26 Board Of Trustees Of Michigan State University Internal combustion engine including multiple fuel injections external to a pre-chamber
WO2021245467A1 (en) * 2020-06-04 2021-12-09 Orbotech Ltd. High-resolution soldering
US11627667B2 (en) 2021-01-29 2023-04-11 Orbotech Ltd. High-resolution soldering
DE102021209486A1 (de) * 2021-08-30 2023-03-02 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Elektronikanordnung und Verfahren zu deren Herstellung

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060163744A1 (en) * 2005-01-14 2006-07-27 Cabot Corporation Printable electrical conductors
US20070062723A1 (en) * 2005-09-02 2007-03-22 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Method of forming circuit pattern on printed circuit board
TW201228010A (en) * 2010-09-16 2012-07-01 Special Materials Res And Technology Inc Method, process and fabrication technology for high-efficiency low-cost crystalline silicon solar cells
US20120309866A1 (en) * 2010-02-17 2012-12-06 Duk San Tekopia Co., Ltd. Solder ink and electronic device package using same

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0730362B2 (ja) * 1987-03-20 1995-04-05 株式会社日立製作所 電子部品及びその製造方法
US6345104B1 (en) * 1994-03-17 2002-02-05 Digimarc Corporation Digital watermarks and methods for security documents
DE10140670A1 (de) * 2001-08-18 2003-03-13 Fne Gmbh Lotpaste zum Weichlöten und Verfahren zu ihrer Herstellung
US8274161B2 (en) * 2002-07-01 2012-09-25 Semigear Inc Flux-free chip to substrate joint serial linear thermal processor arrangement
US7564130B1 (en) * 2007-07-06 2009-07-21 National Semiconductor Corporation Power micro surface-mount device package
EP2649141A2 (en) * 2010-12-07 2013-10-16 Sun Chemical Corporation Aerosol jet printable metal conductive inks, glass coated metal conductive inks and uv-curable dielectric inks and methods of preparing and printing the same
US9053972B1 (en) * 2013-11-21 2015-06-09 Freescale Semiconductor, Inc. Pillar bump formed using spot-laser

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060163744A1 (en) * 2005-01-14 2006-07-27 Cabot Corporation Printable electrical conductors
US20070062723A1 (en) * 2005-09-02 2007-03-22 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Method of forming circuit pattern on printed circuit board
US20120309866A1 (en) * 2010-02-17 2012-12-06 Duk San Tekopia Co., Ltd. Solder ink and electronic device package using same
TW201228010A (en) * 2010-09-16 2012-07-01 Special Materials Res And Technology Inc Method, process and fabrication technology for high-efficiency low-cost crystalline silicon solar cells

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020258493A1 (zh) * 2019-06-26 2020-12-30 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种芯片封装方法

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