TWI602290B - 有機發光二極體顯示器 - Google Patents

Description

有機發光二極體顯示器

所描述的技術一般係相關於一種有機發光二極體顯示器。

一種有機發光二極體顯示器包含二個電極以及插設於二個電極之間的有機發光層。從其中之一電極之陰極注入之電子，以及從另一電極之陽極注入之電洞，兩者相結合於有機發光層以形成激子。激子釋出能量因此導致放射出光。

以上揭露於此相關技術部分之資訊僅供描述技術背景之認識提升，且因此可包含對於所屬領域具有通常知識者不構成在本國已知先前技術的資訊。

本描述技術已致力於提供一種有機發光二極體顯示器，其能在閘極共用電壓接觸部分與資料共用電壓接觸部分之間產生盡可能越大越好的接觸面，且防止共用電極之短路。

一種例示性實施例提供一種有機發光二極體顯示器，包含：形成於基板上且包含用於顯示畫面之有機發光二極體的像素區域、以及環繞於像素 區域的週邊區域；週邊區域包含形成於基板上且從外部來源傳輸共用電壓的閘極共用電壓線路；覆蓋閘極共用電壓線路且具有曝露閘極共用電壓線路部分之共用電壓接觸孔的層間絕緣薄膜；形成於層間絕緣薄膜上且透過共用電壓接觸孔與閘極共用電壓線路接觸的資料共用電壓線路；覆蓋資料共用電壓線路且具有曝露資料共用電壓線路之共用電壓開口的屏障凸條；以及形成於屏障凸條上且透過共用電壓開口與資料共用電壓線路接觸的週邊共用電極，其中屏障凸條係形成於與共用電壓接觸孔之邊界對應之位置。

共用電壓開口包括：被形成於共用電壓接觸孔內部的第一共用電壓開口；以及被形成於共用電壓接觸孔外部的第二共用電壓開口。

為閘極共用電壓線路之部分的閘極共用電壓接觸部分、以及為資料共用電壓線路之部分的資料共用電壓接觸部分係透過共用電壓接觸孔以彼此連接。

為週邊共用電極之部分之第一共用電極接觸部分及第二共用電極接觸部分係透過第一共用電壓開口及第二共用電壓開口而連接於資料共用電壓接觸部分。

屏障凸條包括：交疊於資料共用電壓接觸部分之末端部分的第一屏障凸條；以及交疊於閘極共用電壓接觸部分的第二屏障凸條，且第一共用電壓開口可形成於第一屏障凸條及第二屏障凸條之間，且第二共用電壓開口可形成於第二屏障凸條以及像素區域之間。

資料共用電壓接觸部分之末端部分以及閘極共用電壓接觸部分之末端部分係形成於共用電壓接觸孔邊界對應之位置。

共用電壓開口可位於週邊區域之角部分中。

共用電壓開口可位於週邊區域之邊緣部分中。

像素區域包括：可形成於基板上且傳輸掃描訊號的閘極線路；與閘極線路絕緣且交叉，且分別傳輸資料訊號及驅動電壓的資料線路以及驅動電壓線路；連接於閘極線路及資料線路的切換薄膜電晶體；連接於切換薄膜電晶體以及驅動電壓線路的驅動薄膜電晶體；連接於驅動薄膜電晶體的像素電極；形成於像素電極上的有機發光二極體；以及形成於有機發光二極體上之共用電極，其中閘極共用電壓線路可形成於與閘極線路相同層上，以及資料共用電壓線路可形成於與資料電壓線路相同層上。

共用電極與週邊共用電極係彼此連接。

共用電壓接觸孔的寬度可大於第一共用電壓開口的寬度。

根據示例性實施例之有機發光二極體顯示器藉由形成於共用電壓接觸孔內部的第一共用電壓開口以及形成於共用電壓接觸孔外部的第二共用電壓開口，以將資料共用電壓接觸部分與週邊共用電極連接在一起，而使在資料共用電壓接觸部分以及週邊共用電極之間的接觸面積盡可能越大。

據此，資料共用電壓接觸部分以及週邊共用電極之間的接觸電阻盡可能越小因而減少熱產生。減少電壓下降IR DROP，因此提升畫質。

此外，由於屏障凸條係形成在共用電壓接觸孔邊界之對應位置上，因而藉由共用電壓接觸孔邊界的陡變熔位(abrupt taper)而避免週邊共用電極之短路。

50‧‧‧像素

110‧‧‧基板

111‧‧‧緩衝薄膜

121‧‧‧閘極線路

125‧‧‧閘極電極

130‧‧‧半導體層

140‧‧‧閘極絕緣薄膜

160‧‧‧層間絕緣薄膜

161‧‧‧共用電壓接觸孔

171‧‧‧資料線路

172‧‧‧驅動電壓線路

176‧‧‧源極電極

177‧‧‧汲極電極

180‧‧‧防護薄膜

191‧‧‧像素電極

200‧‧‧封裝構件

270‧‧‧共用電極

280‧‧‧週邊共用電極

281‧‧‧第一共用電極接觸部分

282‧‧‧第二共用電極接觸部分

300‧‧‧屏障凸條

321‧‧‧第一共用電壓開口

322‧‧‧第二共用電壓開口

350‧‧‧第一屏障凸條

360‧‧‧第二屏障凸條

370‧‧‧有機發光層

400‧‧‧共用電壓線路

410a‧‧‧共用電壓墊

410‧‧‧閘極共用電壓線路

411‧‧‧閘極共用電壓接觸部分

420‧‧‧資料共用電壓線路

421‧‧‧資料共用電壓接觸部分

A‧‧‧邊緣部分

B‧‧‧角部分

C‧‧‧邊緣部分A的部分

Cst‧‧‧儲存電容

D‧‧‧角部分B的部分

d1‧‧‧共用電壓接觸孔之寬度

d2‧‧‧第一共用電壓開口之寬度

ELVDD‧‧‧驅動電壓

ELVSS‧‧‧共用電壓

Id‧‧‧輸出電流

OLED‧‧‧有機發光二極體

P‧‧‧像素區域

PX‧‧‧像素

Qd‧‧‧驅動薄膜電晶體

Qs‧‧‧切換薄膜電晶體

S‧‧‧週邊區域

發明之更充分的理解及許多伴隨之優點，當結合附圖並藉參照以下詳細之描述而變得更好理解且顯而易見，其中相似之參考符號表示相同或相似之元件，其中：第1圖係為根據示例性實施例之有機發光二極體顯示器的等效電路圖。

第2圖係為根據示例性實施例之有機發光二極體顯示器的俯視平面圖。

第3圖係為第2圖之像素區域的截面圖。

第4圖係為第2圖之週邊區域之邊緣部分A的放大俯視平面圖。

第5圖係為第4圖之邊緣部分A之部分C的放大俯視平面圖。

第6圖係為第5圖之週邊區域之擷取VI-VI沿線的截面圖。

第7圖係為第2圖之週邊區域之角部分B的放大俯視平面圖。

第8圖係為第7圖之角部分B之部分D的放大俯視平面圖。

第9圖係為第8圖之週邊區域之擷取IX-IX沿線的截面圖。

本發明藉顯現於本發明例示性實施例之附圖，而更加詳細描述於下文中。為所屬領域具有通常知識者理解的是，描述之實施例可在不脫離本發明之精神或範疇下以不同方式修改。

為了使清楚揭露實施例的描述，元件本質以外之敘述係省略。再者，在整篇申請案中，相同參考符號意指相同元件。

此外，為了更佳的理解及敘述之簡略，不需要按比例縮放於圖式中元件的尺寸與厚度。本發明並不限於此。

於圖式中，層、薄膜、平板、區域等的厚度可為了清晰而誇大。 於圖式中，層與區域的厚度為了解釋之便利而誇大。其將會理解到，當元件如層、薄膜、區域或基板被指稱於位於另外的元件「之上(on)」時，其可直接在其他元件上或可存在中間元件

此外，除非明確描述反例，用語「包含(comprises)」及/或「包含(comprising)」將會被理解必然包含所述元件之內容物但不排除任何其他元件。 另外整篇說明書中，「在...之上(on)」係指在目標位置之上或之下，或位於基於重力方向之上側。

有機發光二極體顯示器之每一像素包含切換薄膜電晶體、驅動薄膜電晶體、電容、以及有機發光二極體。驅動電壓ELVDD係從驅動電壓線路供應至驅動薄膜電晶體與電容，且驅動薄膜電壓電晶體係用以控制經由驅動電壓線路流動至有機發光二極體之電流。共用電壓線路供應共用電壓ELVSS至陰極且在作為陽極之像素電極以及共用電極之間形成電位差，因而造成像素電極與共用電極之間的電流。

共用電壓ELVSS藉由連續接觸包含形成於週邊區域的閘極線路之閘極共用電壓接觸部分、包含資料線路的資料共用電壓接觸部分、以及共用電極之間，而被傳輸至形成於屏障凸條上之共用電極。

為了使共用電壓之接觸電阻盡可能越小，用於連接閘極共用電壓接觸部分及資料共用電壓接觸部分之共用電壓接觸孔可被形成為大尺寸，且用於連接資料共用電壓接觸部分及共用電壓之共用電壓開口具有盡可能越大的尺 寸，因而使在閘極共用電壓接觸部分及資料共用電壓接觸部分之間的接觸面積以及在資料共用電壓接觸部分以及共用電壓之間的接觸面積盡可能越大。

然而，若共用電壓接觸孔係小於共用電壓開口，共用電極由於在資料共用電壓接觸部分及閘極共用電壓接觸部分之間非交疊區域和共用電壓接觸孔一起的邊界之陡變熔位(abrupt taper)而可被短路。

為了避免如此，共用電壓開口係被構成小於共用電壓接觸孔使共用電壓接觸孔之熔位具有平緩的斜率。在此例中，無論如何，在資料共用電壓接觸部分與共用區之間的接觸面積降低且電流密度增加，因而導致熱產生。

第1圖係為根據一示例性實施例之發光二極體顯示器的等效電路圖。

參照第1圖，根據一示例性實施例之有機發光二極體顯示器包含複數個訊號線路121、171及172以及連接於此些訊號線路且實質上安排為陣列之複數個像素PX。

訊號線路包含用於傳輸掃描訊號(或閘極訊號)之複數個閘極線路121、用於傳輸資料訊號之複數個資料訊號171、以及用於傳輸驅動電壓ELVDD之複數個驅動電壓線路172。閘極線路121實質上延伸於列方向上且實質上彼此平行，而資料線路171與驅動電壓線路170實質上延伸於行方向上且實質上彼此平行。

每一像素PX包含切換薄膜電晶體Qs、驅動薄膜電晶體Qd、儲存電容Cst以及有機發光二極體OLED。

切換薄膜電晶體Qs具有耦合至閘極線路121之其中之一的控制端、耦合至資料線路171之其中之一的輸入端、以及耦合至驅動薄膜電晶體Qd 之輸出端。切換薄膜電晶體Qs響應施加至閘極線路121之掃描訊號以傳輸施加於資料線路171之資料訊號至驅動薄膜電晶體Qd。

驅動薄膜電晶體Qd具有耦合至切換薄膜電晶體Qs之控制端、耦合至驅動線壓線路172之輸入端、以及耦合至有機發光二極體OLED之輸出端。驅動薄膜電晶體Qd驅動具有根據施加於控制端與輸出端之間的電壓而變化之輸出電流Id。

電容Cst可被耦合於驅動薄膜電晶體Qd之控制端與輸出端之間。 電容Cst儲存施加於驅動薄膜電晶體Qd之控制端的資料訊號且在關閉切換薄膜電晶體Qs後而維持之。

有機發光二極體OLED包含連接至驅動薄膜電晶體Qd之輸出端的陽極以及連接於共用電壓ELVSS之陰極。有機發光二極體根據驅動薄膜電晶體Qd之輸出電流Id透過發射不同強度之光來顯示影像。

切換薄膜電晶體Qs與驅動薄膜電晶體Qd皆為n通道場效電晶體FETs。然而，切換薄膜電晶體Qs或驅動薄膜電晶體Qd之至少其中之一可為p通道場效電晶體。此外，電晶體Qs及Qd、儲存電容Cst以及發光二極體之間的連接可因而改變。

顯示於第1圖之有機發光二極體顯示器的詳細結構將參照第2圖至第6圖來描述。

第2圖係為根據一種=示例性實施例之發光二極體顯示器的俯視平面圖。第3圖係為第2圖之像素區域的截面圖。

於第2圖所示，根據示例性實施例之有機發光二極體顯示器包含形成於基板110上且具有包含有機發光二極體OLED之複數個像素50之像素區域P、以及環繞於像素區域P的週邊區域S

於第3圖所示，像素區域P包含行成於基板110上的緩衝薄膜111、形成於緩衝薄膜111上的半導體層130、以及覆蓋半導體層130之閘極絕緣薄膜140。為用於傳送閘極訊號(或掃描訊號)之閘極線路121一部分的閘極電極125可形成於閘極絕緣薄膜140上，且層間絕緣薄膜160可形成以覆蓋閘極線路121與閘極電極125。用於傳送資料訊號之資料線路171、可為資料線路171之一部分的源極電極176、以及與源極電極176分隔之汲極電極177皆被形成於層間絕緣薄膜160上。半導體層130、閘極電極125、源極電極176以及汲極電極177構成驅動薄膜電晶體Qd，且切換薄膜電晶體Qs之結構與驅動薄膜電晶體Qd之結構相似。防護薄膜180可被形成於可為資料線路171之一部分的源極電極176、以及與源極電極176分隔之汲極電極177上，像素電極191可形成於防護薄膜180上並連接於驅動薄膜電晶體Qd。像素電極191可由透光性導體材料，如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)所製成。由有機薄膜等製成之屏障凸條300形成於像素電極191上。屏障凸條300具有像素開口310，其環繞於像素電極191之邊緣(或週邊)且曝露像素電極191。有機發光層370可被形成於經由像素開口310及屏障凸條300所曝露之像素電極191上。有機發光層370可除了包含發光層還有用於改善發光層之發光效率的額外層(未顯示)。此額外層可包含選自由電子傳輸層(ETL)、電洞傳輸層(HTL)、電子注入層(EIL)及電洞注入層(HIL)所組成之群組中之一或多個。共用電極270可形成於有機光層370上。共用電極270可由具有高反射性之金屬組成。共用電極270可形成已與基板的整體表面重疊，且可與像素電極191成對以利電 流流至有機發光層370。像素電極191、有機發光層370以及共用電極370構成有機發光二極體OLED。像素電極191為陽極且共用電極270為陰極，或相反地像素電極191為陰極且共用電極270為陽極。在共用電極270上可構成封裝構件200，且封裝有機發光二極體OLED。

根據示例性實施例有機發光二極體顯示器之週邊部分將被詳述於下。

第4圖係為第2圖之週邊區域之邊緣部分A的擴大俯視平面圖。第5圖係為第4圖之邊緣部分A之部分C的擴大俯視平面圖。第6圖係為第5圖之週邊區域之擷取VI-VI沿線的截面圖。

於第2圖及第4圖所示，共用電壓線路400可被形成於週邊區域S之邊緣部分A中以從外部源傳送共用電壓至共用電極270。共用電壓線路400包含形成於與閘極線路121同層且透過共用電壓墊410a接收來自可撓式印刷電路(FPC)之共用電壓的閘極共用線路410、以及形成於與資料線路171同層且透過與閘極共用電壓線路410接觸以接收共用電壓的資料共用電壓線路420。可作為閘極共用電壓線路410部分之閘極共用電壓接觸部分411、以及可為資料共用電壓線路420部分之資料共用電壓接觸部分421皆透過共用電壓接觸孔以彼此連接。

根據示例性實施例，有機發光二極體之週邊區域的層結構將參照附圖第5圖至第6圖詳述於下。

於第5圖及第6圖所示，緩衝薄膜111可被形成於週邊區域S內之基板110上，且閘極絕緣薄膜140可被形成於緩衝薄膜111上。閘極共用電壓線路410可形成於閘極絕緣薄膜410上，且具有曝露閘極共用電壓線路410之共用電壓接 觸部分411之共用電壓接觸孔161的層間絕緣薄膜160可被形成於閘極絕緣薄膜140與閘極共用電壓線路410上以覆蓋閘極共用電壓線路410。

資料共用電壓線路420可形成於層間絕緣薄膜160上，且交疊於閘極共用電壓接觸部分411之資料共用電壓線路420的資料共用電壓接觸部分421透過共用電壓接觸孔161與閘極共用電壓接觸部分411來接觸。

屏障凸條300係形成於層間絕緣薄膜160與資料共用電壓線路420上。屏障凸條300具有曝露資料共用電壓接觸部分421之共用電壓開口320。共用電壓開口320包含行成於共用電壓接觸孔161內部之第一共用電壓開口321、以及形成於共用電壓接觸孔161外部之第二共用電壓開口322。據此，共用電壓接觸孔161之寬度d1係大於第一共用電壓開口321之寬度d2。

屏障凸條300包含交疊於資料共用電壓接觸部分421之末端部分的第一屏障凸條350、以及交疊於閘極共用電壓接觸部分411之末端部分的第二屏障凸條360。資料共用電壓接觸部分421之末端部分以及閘極共用電壓接觸部分411之末端部分皆形成在與共用電壓接觸孔161對應於邊界之位置。據此，第一屏障凸條350及第二屏障凸條360皆形成於與共用電壓接觸孔161對應於邊界之位置。第一共用電壓開口321可被形成於第一屏障凸條350及第二屏障凸條360之間，以及第二共用電壓開口322可被形成於第二屏障凸條360及像素區域P之間。

週邊共用電極280可被形成於屏障凸條300及資料共用電壓接觸部分421上。週邊共用電極280可以與像素區域P之共用電極270同樣材料形成於相同層上，且連接於共用電極270。週邊共用電極280透過共用電壓開口320與資料共用電壓接觸部分421來接觸。週邊共用電極280包含透過第一共用電壓開口 321及第二共用電壓開口322連接於資料共用電壓接觸部分421之第一共用電極接觸部分281與第二共用電壓接觸部分282。

如此一來，憑藉使用形成於共用電壓接觸孔161內部之第一共用電壓開口321與形成於共用電壓接觸孔161外部之第二共用電壓開口322以連接資料電壓接觸部分421以及週邊共用電極280在一起，因此使於資料共用電壓接觸部分421以及週邊共用電極280之間的接觸面積盡可能越大。

據此，資料共用電壓接觸部分421以及週邊共用電極280之間的接觸電阻盡可能越小因而縮小熱產生。以上所述縮小電壓下降(IR DROP)，因此提升畫質。

此外，屏障凸條300係形成於與共用電壓接觸孔161之邊界線對應之位置上，使週邊共用電極280可以平緩斜率而形成於屏障凸條300上，因而防止週邊共用電極280之短路。

第4圖與第6圖說明形成於週邊區域的邊緣部分A內之第一共用電壓開口321以及第二共用電壓開口322，第一共用電壓開口321以及第二共用電壓開口322也可形成於週邊區域的邊緣部分B內。

第7圖係為第2圖之週邊區域之角部分B的擴大俯視平面圖。第8圖係為第7圖之角部分B之部分D的擴大俯視平面圖。第9圖係為第8圖之週邊區域之擷取IX-IX沿線的截面圖。

於第7圖與第9圖所示，共用電壓線路400可形成於週邊區域S之角部分B內以從可撓式印刷電路板傳送共用電壓至共用電極270。共用電壓線路400包含被形成於與閘極線路121同層上且透過共用電壓墊410a從可撓式印刷電路接收共用電壓之閘極共用電壓線路410、以及形成於與資料線路171相同層上且 藉由與閘極共用電壓線路410接觸以接收共用電壓之資料共用電壓線路420。可為閘極共用電壓線路410部分之閘極共用電壓接觸部分411，以及可為資料共用電壓線路420部分之資料共用電壓接觸部分421，皆透過共用電壓接觸動彼此連結。

緩衝薄膜111可被形成於週邊區域S之角部分B中的基板110上，且閘極絕緣薄膜140可被形成於緩衝薄膜111上。閘極共用電壓線路410可形成於閘極絕緣薄膜140上，且具有曝露閘極共用電壓線路410之閘極共用電壓接觸部分411之共用電壓接觸孔161的層間絕緣薄膜160可被形成於閘極絕緣薄膜140與閘極共用電壓線路410上以覆蓋閘極共用電壓線路410。資料共用電壓線路420可被形成於層間絕緣薄膜160上，且交疊於閘極共用電壓接觸部分411之資料共用電壓線路420的資料共用電壓接觸部分421透過共用電壓接觸孔161與閘極共用電壓接觸部分411來接觸。屏障凸條300形成於層間絕緣薄膜160與資料共用電壓線路420上。屏障凸條300具有曝露資料共用電壓接觸部分421之共用電壓開口320。共用電壓開口320包含形成於共用電壓接觸孔161內部之第一共用電壓開口321、以及形成於共用電壓接觸孔161外部之第二共用電壓開口322。據此，屏障凸條300係形成在對應於於共用電壓接觸孔161之邊界線的位置。週邊共用電極280可被形成於屏障凸條300及資料共用電壓接觸部分421上。週邊共用電極280透過共用電壓開口320與資料共用電壓接觸部分421來接觸。週邊共用電極280包含透過第一共用電壓開口321及第二共欲電壓開口322連接於資料共用電壓接觸部分421之第一共用電極接觸部分281與第二共用電壓接觸部分282。

如此一來，憑藉形成包含第一共用電壓開口321及第二共用電壓開口321之共用電壓開口320於週邊區域S的角部分B內，共用電壓接觸部分421 及週邊共用電極280係連接在一起，因此使於資料共用電壓接觸部分421以及週邊共用電極280之間的接觸面積盡可能越大。

此外，形成於週邊區域S的角部分B內之屏障凸條300係形成於與共用電壓接觸孔161之邊界對應之位置上，使週邊共用電極280可以平緩斜率形成於屏障凸條300上，因而防止週邊共用電極280之短路。

儘管本揭露已連結目前被認定具體的例示性實施例兒描述，將應被理解到本發明不受限於被揭露的實施例，然而，相反地，意圖涵蓋包含於後附申請專利範圍及其等效物之精神與範疇內之各種修改以及等效配置。

110‧‧‧基板

111‧‧‧緩衝薄膜

140‧‧‧閘極絕緣薄膜

160‧‧‧層間絕緣薄膜

161‧‧‧共用電壓接觸孔

280‧‧‧週邊共用電極

281‧‧‧第一共用電極接觸部分

282‧‧‧第二共用電極接觸部分

300‧‧‧屏障凸條

320‧‧‧共用電壓開口

321‧‧‧第一共用電壓開口

322‧‧‧第二共用電壓開口

350‧‧‧第一屏障凸條

360‧‧‧第二屏障凸條

411‧‧‧閘極共用電壓接觸部分

421‧‧‧資料共用電壓接觸部分

d1‧‧‧共用電壓接觸孔之寬度

d2‧‧‧第一共用電壓開口之寬度

Claims (11)

1. 一種有機發光二極體顯示器，其包含：一像素區域，其形成於一基板上且包含用於顯示一影像之一有機發光二極體；以及一週邊區域，其環繞於該像素區域；該週邊區域包含：一閘極共用電壓線路，其形成於該基板上且從一外部來源傳輸一共用電壓；一層間絕緣薄膜，其覆蓋該閘極共用電壓線路且具有曝露該閘極共用電壓線路一部分之一共用電壓接觸孔；一資料共用電壓線路，其係形成於該層間絕緣薄膜上且透過該共用電壓接觸孔與該閘極共用電壓線路接觸；一屏障凸條，其覆蓋該資料共用電壓線路且具有曝露該資料共用電壓線路一部分之一共用電壓開口；以及一週邊共用電極，其係形成於該屏障凸條上且透過該共用電壓開口與該資料共用電壓線路接觸；其中該屏障凸條係形成於與該共用電壓接觸孔之邊界對應之位置。
2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該共用電壓開口包括：一第一共用電壓開口，其係形成於該共用電壓接觸孔內部，以及 一第二共用電壓開口，其係形成於該共用電壓接觸孔外部。
3. 如申請專利範圍第2項所述之有機發光二極體顯示器，其中其該閘極共用電壓線路之一部分的一閘極共用電壓接觸部分、以及該資料共用電壓線路之一部分的一資料共用電壓接觸部分係透過該共用電壓接觸孔以彼此連接。
4. 如申請專利範圍第3項所述之有機發光二極體顯示器，其中為該週邊共用電極部分之一第一共用電極接觸部分及一第二共用電極接觸部分，係透過該第一共用電壓開口及該第二共用電壓開口而被連接於該資料共用電壓接觸部分。
5. 如申請專利範圍第3項所述之有機發光二極體顯示器，其中該屏障凸條包括：一第一屏障凸條，其交疊該資料共用電壓接觸部分之一末端部分；以及一第二屏障凸條，其交疊該閘極共用電壓接觸部分之一末端部分；且該第一共用電壓開口係被形成於該第一屏障凸條及該第二屏障凸條之間，而該第二共用電壓開口係被形成於該第二屏障凸條以及該像素區域之間。
6. 如申請專利範圍第5項所述之有機發光二極體顯示器，其中該資料共用電壓接觸部分之該末端部分以及該閘極共用電壓接觸部分之該末端部分係形成於與該共用電壓接觸孔之該邊界對應之位置。
7. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該共用電壓開口係被放置於該週邊區域之一角部分中。
8. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該共用電壓開口係被放置於該週邊區域之一邊緣部分中。
9. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該像素區域包括：一閘極線路，其係被形成於該基板上且傳輸掃描訊號；一資料線路以及一驅動電壓線路，其與該閘極線路絕緣且交叉，且分別地傳輸資料訊號及驅動電壓；一切換薄膜電晶體，其係連接於該閘極線路及該資料線路；一驅動薄膜電晶體，其連接於該切換薄膜電晶體以及該驅動電壓線路；一像素電極，其連接於該驅動薄膜電晶體；該有機發光二極體，其係形成於該像素電極上；以及一共用電極，其係形成於該有機發光二極體上，其中該閘極共用電壓線路係與該閘極線路形成於相同層上，該資料共用電壓線路係與該資料線路形成於相同層上。
10. 如申請專利範圍第9項所述之有機發光二極體顯示器，其中該共用電極與該週邊共用電極係彼此連接。
11. 如申請專利範圍第2項所述之有機發光二極體顯示器，其中該共用電壓接觸孔之寬度係大於該第一共用電壓開口之寬度。