TWI601986B - 光學元件、光學元件之製造方法及光學裝置 - Google Patents

光學元件、光學元件之製造方法及光學裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI601986B
TWI601986B TW102121365A TW102121365A TWI601986B TW I601986 B TWI601986 B TW I601986B TW 102121365 A TW102121365 A TW 102121365A TW 102121365 A TW102121365 A TW 102121365A TW I601986 B TWI601986 B TW I601986B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
convex portion
range
optical element
substrate
convex
Prior art date
Application number
TW102121365A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201413298A (zh
Inventor
平田浩二
峯邑浩行
安齋由美子
西田哲也
山本治朗
小藤直行
池田英博
木村展之
Original Assignee
日立麥克賽爾股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日立麥克賽爾股份有限公司 filed Critical 日立麥克賽爾股份有限公司
Publication of TW201413298A publication Critical patent/TW201413298A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI601986B publication Critical patent/TWI601986B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133528—Polarisers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/30—Polarising elements
    • G02B5/3025—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state
    • G02B5/3058—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state comprising electrically conductive elements, e.g. wire grids, conductive particles
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/30—Polarising elements
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B21/00—Projectors or projection-type viewers; Accessories therefor
    • G03B21/14—Details
    • G03B21/20—Lamp housings
    • G03B21/2073—Polarisers in the lamp house
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B33/00—Colour photography, other than mere exposure or projection of a colour film
    • G03B33/10—Simultaneous recording or projection
    • G03B33/12—Simultaneous recording or projection using beam-splitting or beam-combining systems, e.g. dichroic mirrors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N9/00—Details of colour television systems
    • H04N9/12—Picture reproducers
    • H04N9/31—Projection devices for colour picture display, e.g. using electronic spatial light modulators [ESLM]
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N9/00—Details of colour television systems
    • H04N9/12—Picture reproducers
    • H04N9/31—Projection devices for colour picture display, e.g. using electronic spatial light modulators [ESLM]
    • H04N9/3102—Projection devices for colour picture display, e.g. using electronic spatial light modulators [ESLM] using two-dimensional electronic spatial light modulators
    • H04N9/3105—Projection devices for colour picture display, e.g. using electronic spatial light modulators [ESLM] using two-dimensional electronic spatial light modulators for displaying all colours simultaneously, e.g. by using two or more electronic spatial light modulators
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N9/00—Details of colour television systems
    • H04N9/12—Picture reproducers
    • H04N9/31—Projection devices for colour picture display, e.g. using electronic spatial light modulators [ESLM]
    • H04N9/3141—Constructional details thereof
    • H04N9/315—Modulator illumination systems
    • H04N9/3167—Modulator illumination systems for polarizing the light beam
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133388—Constructional arrangements; Manufacturing methods with constructional differences between the display region and the peripheral region
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133528—Polarisers
    • G02F1/133548—Wire-grid polarisers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Polarising Elements (AREA)

Description

光學元件、光學元件之製造方法及光學裝置
本發明係有關光學元件，光學元件之製造方法及光學裝置。
光學裝置係為廣泛且一般性普及，例如，對於液晶投影機，顯示器，光學讀取器，光感應器等，係多採用控制光的光學元件。並且，伴隨著此等裝置之高機能化，在光學元件中，亦要求高機能化，高附加價值化，低成本化。
在此，對於專利文獻1及非專利文獻1係記載有關於於透明基板上具有金屬導線構造之線柵元件之技術。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
[專利文獻1]日本特表2003-508813號公報(US6,243,199)
〔非專利文獻〕
[非專利文獻1]H. Tamada, et al., “Al wire-grid polarizer using the s-polarization resonance”, Opt. Lett. 22, 6, pp.419-421 (1997)
本發明者係從事具有作為入射電磁波之周期構造之凹凸形狀部的光學元件，例如，線柵偏光板(偏向濾光片)之研究開發。
對於上述線柵偏光板，經本發明者檢討結果，可看到金屬導線之端部的變形或缺損等之形狀異常或從金屬導線的端部延伸存在的變質部分(變色部分)。
因而，本發明之目的係為提升具有周期性的凹凸形狀部的光學元件之特性者。
其他課題與新穎的特徵係從本說明書之記載及附加圖面明確了解到。
在一實施形態之光學元件係具備具有第1範圍與位置於第1範圍外周之第2範圍的基板。並且，對於基板的第1範圍，係設置有放置第1間隔而複數設置延伸存在於由第1材料所成之第1方向之線狀的第1凸部於與第1方向交叉之第2方向的第1凸部群，而對於第2範圍，係設置有複數配置由第1材料所成之第2凸部的第2凸部群。
如根據一實施形態，可提昇光學元件之性能者。
1A‧‧‧線柵範圍
1S‧‧‧基板
2A‧‧‧周邊範圍
CH‧‧‧晶片範圍
D1‧‧‧寬度
D2‧‧‧寬度
D3‧‧‧寬度
DM‧‧‧分光鏡
LCP‧‧‧液晶面板
LEN‧‧‧投影透鏡
LGS‧‧‧導波光學系統
LS‧‧‧光源
M‧‧‧光罩
M10‧‧‧凸部
M20‧‧‧凸部
M21‧‧‧凸部
ML‧‧‧金屬層
MR‧‧‧反射鏡
P10‧‧‧導線
P20‧‧‧突起部
P21‧‧‧突起部
PD1‧‧‧寬度
PD2‧‧‧空間
RR‧‧‧光阻劑樹脂
RR10‧‧‧凸部
RR20‧‧‧凸部
Rs‧‧‧UV硬化樹脂
S‧‧‧間隔(空間)
S10‧‧‧溝
S20‧‧‧溝
S21‧‧‧溝
ST‧‧‧打印板
Ss‧‧‧支持基板
W‧‧‧晶圓基板
WG1‧‧‧偏光濾光片
WG2‧‧‧偏光濾光片
a‧‧‧線
b‧‧‧線
c‧‧‧線
圖1係模式性地顯示實施形態1之光學元件的構成之平面圖。
圖2係顯示圖1之一部分的斜視圖。
圖3係顯示TM偏光光透過線柵構造之機構的圖。
圖4係顯示TE偏光光則以線柵構造加以反射之機構的圖。
圖5係顯示實施形態1之光學元件的一部分之平面圖。
圖6係顯示實施形態1之光學元件的一部分之剖面圖。
圖7係顯示實施形態1之光學元件則形成為略圓形之晶圓狀的基板之狀態的平面圖。
圖8係顯示實施形態1之光學元件的製造工程之要部剖面圖。
圖9係顯示實施形態1之光學元件的製造工程之平面圖。
圖10係顯示實施形態1之光學元件的製造工程之要部剖面圖，顯示持續於圖8之要部剖面圖的圖。
圖11係顯示實施形態1之光學元件的製造工程之要部剖面圖，顯示持續於圖10之要部剖面圖的圖。
圖12係顯示實施形態1之光學元件的製造工程之要部剖面圖，顯示持續於圖11之要部剖面圖的圖。
圖13係顯示實施形態1之光學元件的製造工程之要部剖面圖，顯示持續於圖12之要部剖面圖的圖。
圖14係顯示實施形態1之光學元件的製造工程之平面圖。
圖15係顯示實施形態1之光學元件的製造工程之要部剖面圖。
圖16係顯示實施形態1之光學元件的製造工程之要部剖面圖，顯示持續於圖15之要部剖面圖的圖。
圖17係顯示實施形態1之光學元件的製造工程之要部剖面圖，顯示持續於圖16之要部剖面圖的圖。
圖18係顯示實施形態1之光學元件的製造工程之要部剖面圖，顯示持續於圖17之要部剖面圖的圖。
圖19係顯示實施形態1之光學元件的製造工程之要部剖面圖，顯示持續於圖18之要部剖面圖的圖。
圖20係顯示實施形態1之光學元件的製造工程之要部剖面圖，顯示持續於圖19之要部剖面圖的圖。
圖21係顯示實施形態1之光學元件的製造工程之要部剖面圖，顯示持續於圖20之要部剖面圖的圖。
圖22係顯示實施形態1之光學元件的製造工程之要部剖面圖，顯示持續於圖21之要部剖面圖的圖。
圖23係顯示實施形態1之比較例的光學元件的平面圖。
圖24(A)及(B)係顯示實施形態1之比較例的光學元件的斜視圖。
圖25係本發明者們試作之比較例的光學元件之SEM照片。
圖26(A)~(C)係顯示本發明者試作之比較例的光學元件的圖(照片)。
圖27係經由本發明者們試作之實施形態1的光學元件之SEM照片。
圖28係顯示實施形態2之光學元件的製造工程之剖面圖。
圖29(A)~(C)係顯示實施形態2之光學元件之周邊範圍的突起部形狀的平面圖。
圖30係為了說明線柵範圍1A與周邊範圍2A之邊界之平面圖。
圖31(A)及(B)係顯示實施形態3之光學元件之周邊範圍的第1例及第2例的平面圖。
圖32(A)及(B)係顯示實施形態3之光學元件之周邊範圍的第3例及第4例的平面圖。
圖33(A)及(B)係顯示實施形態3之光學元件之周邊範圍的第5例及第6例的平面圖。
圖34係顯示實施形態3之光學元件的周邊範圍之第7例之平面圖。
圖35係顯示實施形態4之光學元件的製造工程之要部剖面圖。
圖36係顯示實施形態4之光學元件的製造工程之要部剖面圖，顯示持續於圖35之要部剖面圖的圖。
圖37係顯示實施形態4之光學元件的製造工程之要部剖面圖，顯示持續於圖36之要部剖面圖的圖。
圖38係顯示實施形態5之光學元件的製造工程之要部剖面圖。
圖39係顯示實施形態5之光學元件的製造工程之要部剖面圖，顯示持續於圖38之要部剖面圖的圖。
圖40係顯示實施形態5之光學元件的製造工程之要部剖面圖，顯示持續於圖39之要部剖面圖的圖。
圖41係顯示實施形態5之光學元件的製造工程之要部剖面圖，顯示持續於圖40之要部剖面圖的圖。
圖42係顯示在實施形態6之液晶投影機的光學系統的模式圖。
圖43(A)~(C)係顯示導線之周期構造例的平面圖。
在以下的實施形態中，方便上有必要時，分割成複數的部分或實施形態加以說明，但除了特別明示的情況之外，此等係並非相互無關的構成，而一方係另一方或全部的變形例，應用例，詳細說明，補足說明等之關係。
另外，在以下實施形態中，提及到要素的數據等(包含個數，數值，量，範圍等)之情況，除了特別明示之情況及原理上明確限定特定的數之情況等之外，並非加以限定其特定的數者，亦可為特定數以上或以下。
更且，在以下的實施形態中，其構成要素(亦包含要素步驟等)係除了特別明示之情況及原理上認為明確必須之情況等之外，未必為必須之構成。
同樣地，在以下之實施形態中，提及構成要素等之形狀，位置關係等時，除了特別明示之情況及原理上認為並非明確之情況等之外，包含實質上作為近似或類似於其形狀等之構成等。此情況係對於上述數據等(包含個數，數值，量，範圍等)之情況亦為同樣。
另外，在實施形態所使用之圖面中，對於同一的構件係原則上附上同一符號，其反覆的說明係省略之。然而，為了容易了解圖面，即使為平面圖亦有附上影線之情況。
(實施形態1)
以下，參照圖面之同時，對於本實施形態之光學元件的構造與製造方法加以詳細說明。
[構造說明]
圖1係模式性地顯示本實施形態之光學元件的構成之平面圖，圖2係顯示圖1之一部分(以虛線圍住的範圍)之斜視圖。對於本實施形態之光學元件之特徵的構成，於以下加以說明。
如圖1及圖2所示，本實施形態之光學元件(透過型光學元件，偏光濾光片)係具有基板1S，和配置於其上部之複數的導線(金屬細線，凸部)P10。複數的導線 P10係配置於線柵範圍1A，對於此線柵範圍1A的外周係配置有周邊範圍2A。
導線P10係例如由Al(鋁)等金屬所成，延伸存在於y方向的線狀，x方向的寬度係D1，z方向之高度係H1。如此之導線P10則放置特定的間隔(空間)S而反覆(周期性地)配置於x方向。間隔S之x方向的寬度係D2。周期性地配置如此之導線P10之構造係稱作線柵構造(配線格子構造，凸部群)。
周邊範圍2A係例如，從基板(晶片範圍)1S的端部至寬度D3的範圍。對於此周邊範圍2A係如後述，配置有複數的突起部(凸部，凸狀之圖案，虛擬圖形，周邊圖案，浸水防止部)P20所成之圖案(反覆模樣，凸群部)。突起部P20係與導線P10相同材料，在此係Al(鋁)等之金屬所成。然而，此圖案係具有後述之偏光機能之非必要的部分。
當於具有如此之線柵構造之光學元件，從紙面上部(z軸正方向)，使含有多數偏光光的光(電磁波)入射時，可僅使從基板1S之下部偏光於特定方向之偏光光透過。也就是，作成線柵構造之透過型光學元件係作為偏光濾光片(偏光元件，偏光板)而發揮機能。於以下，對於機構(動作原理)簡單地加以說明。圖3係顯示TM偏光光透過線柵構造之機構的圖，圖4係顯示TE偏光光則以線柵構造加以反射之機構的圖。
如圖3所示，入射電場的振動方向為x軸方向之TM (Transverse Magnetic)偏光光之情況，因應電場的振動方向，構成線柵之導線(金屬細線)P10內的自由電子則聚集於導線P10的單側，於各個導線P10產生有分極。如此，入射TM偏光光的情況，因僅於導線P10內產生有分極之故，TM偏光光係通過線柵構造而到達至基板1S。此時，基板1S亦為透明之故，TM偏光光係亦通過基板1S。其結果，TM偏光光係成為透過線柵構造及基板1S者。
另一方面，如圖4所示，入射電場的振動方向為y軸方向之TE(Transverse Electric)偏光光之情況，因應電場的振動方向，導線(金屬細線)P10內之自由電子係未受到經由導線P10之側壁的限制而可進行振動者。此情況係TE偏光光加以入射至線柵構造之情況，亦意味引起有與入射光於連續之金屬膜情況同樣的現象者。隨之，將TE偏光光入射至線柵構造之情況，與入射光於連續之金屬膜情況同樣地，TE偏光光係成為被反射者。此時，金屬細線之z方向的厚度較光可侵入於金屬內之厚度(Skin Depth)為厚之情況，線柵構造係成為具有透過TM偏光光，反射TE偏光光之分離性能(消光比)高之偏光分離機能者。
從以上情況，作成線柵構造之透過型光學元件係例如，當入射含有各種偏光光的光時，成為具有僅使偏光於特定方向之偏光光透過的機能者。此係意味作成線柵構造之光學元件則作為偏光濾光片而發揮機能者。如此作為由 無機材料所成之線柵構造之偏光濾光片係與由有機高分子等所成之薄膜偏光板做比較，在對於耐熱性或光耐性優越的點而有用。
另外，在本實施形態中，由從基板(晶片範圍)1S的端部離間配置複數之導線P10的端部者，可防止導線P10之變形或缺損。另外，由設置複數之突起部(P20)於導線P10之端部與基板1S之端部之間(周邊範圍2A)者，可防止水分進入(浸入)於線柵範圍1A情況。
突起部P20之高度(厚度)係為1~10μm程度而為充分，但可因應導線P10之高度(厚度)或後述之金屬層ML之膜厚而作適宜調整。
另外，周邊範圍2A的寬度(從基板1S之端部至線柵範圍1A之距離)係1μm~3μm程度而為充分。如追加詳細說明，基板1S係將略圓形之晶圓狀的基板(以下，稱作晶圓基板W)經由沿著切割線(劃片槽)DL切斷(切割，劃片)，作為個片化(晶片化)而切割(參照圖7等)。因而，對於晶圓基板W的晶片範圍CH間，係確保切割線(劃片槽)DL用之範圍。另外，如後述，對於組裝於液晶投影機等之光學裝置(參照圖42)時，在從基板1S之端部至少100μm以上的寬度中，設定夾或設置邊際。因而，由利用如此之範圍而設置周邊範圍2A者，可維持光學元件之特性，另外無需加大基板1S(晶片範圍CH)而設置突起部(P20等)。
圖5係顯示本實施形態之光學元件的一部分之平面 圖，圖6係顯示本實施形態之光學元件的一部分之剖面圖。圖5係例如，對應於圖1所示之光學元件的左上部。另外，圖6係例如，對應於圖5A-A剖面部。
如圖5及圖6所示，在本實施形態中，於周邊範圍2A配置有突起部(P20，P21)。
在此，周邊範圍2A之中，於內周(線柵範圍1A側)，呈包圍線柵範圍1A地設置有突起部(保護環)P21。另外，周邊範圍2A之中，於外周(端部側，突起部P21之外周)，設置有複數之突起部P20。
此突起部P20係略正四角柱狀，如圖5所示，在自上面的平面視中成為略正方形狀。此突起部P20係複數設置於周邊範圍2A，各突起部係在自上面的平面視中呈成為方格花紋(方格圖案，格子圖案，交互配置，千鳥配置)地加以配置。換言之，在突起部P20所成之凸部，突起部P20間之凹部之關係中，於x方向及y方向凸部彼此及凹部彼此呈未排列地，相互加以配置(交互配置，千鳥配置，方格花紋配置)。
如此，在本實施形態中，係因於周邊範圍2A設置方格花紋狀之複數的突起部P20之故，可防止水分進入至線柵範圍1A者。另外，於周邊範圍2A內側，因呈圍繞線柵範圍1A地設置突起部P21之故，可防止水分進入至線柵範圍1A者。
然而，圖1等所示之本實施形態的光學元件係例如，形成於圖7所示之晶圓基板W的複數之晶片範圍CH。並 且，將此晶圓基板W，經由沿著切割線(劃片槽)DL切斷(切割，劃片)，作為個片化(晶片化)而加以形成。圖7係顯示本實施形態之光學元件則形成為略圓形之晶圓狀的基板之狀態的平面圖。
[製法說明]
接著，參照圖8~圖22之同時，說明本實施形態之光學元件之製造方法同時更明確作為該光學元件之構成圖8~圖22係顯示本實施形態之光學元件之製造工程之要部剖面圖或要部平面圖。要部剖面圖係例如，對應於圖5A-A剖面部。
在本實施形態中，使用奈米壓印法而於基板1S上形成導線P10，突起部P20，及突起部P21。此奈米壓印法係將打印板(模具構件)按壓於基板而進行細微加工之技術。因而，在此方法中，係使用奈米壓印用之模具之打印板而加以進行之故，在說明打印板形成工程之後，說明光學元件形成工程。
<打印板形成工程>
首先，如圖8所示，形成成為打印板的模具之主板(原版)M。經由加工由矽(Si)基板等所成之主板基板之時，形成對應於導線P10，突起部P20及突起部P21之形狀的凸部(圖8)。此凸部之中，將對應於導線P10之凸部表示為M10，而對應於突起部P20之凸部表示為 M20，對應於突起部P21之凸部表示為M21。
例如，經由於矽基板上形成光阻劑膜(未圖示)，進行曝光‧顯像(光微影)之時，僅於上述凸部形成範圍殘存光阻劑膜。接著，將上述光阻劑膜，於光罩，經由將矽基板的表面蝕刻至特定深度之時，形成凸部(M10，M20，M21)。接著，經由灰化處理等而除去殘存於凸部(M10，M20，M21)上之光阻劑膜。
然而，在上述工程中係使用曝光‧顯像(光微影)技術，但亦可使用電子束微影術。例如，於矽基板上形成電子束微影術用之光阻劑膜(未圖示)，經由描繪電子束之時，將光阻劑膜進行加工亦可。
另外，主板M係如圖9所示，例如，對應於晶圓基板W地加以形成。即，複數之晶片範圍CH的凸部(M10，M20，M21)則加以形成於主板基板之主表面。
接著，如圖10所示，於主板M上，塗布由UV(紫外線)照射而硬化之UV硬化樹脂Rs。接著，於UV硬化樹脂Rs上搭載打印板用之支持基板(支持基材)Ss。此支持基板Ss係例如為透明之樹脂基板。接著，如圖11所示，藉由支持基板Ss而於UV硬化樹脂Rs照射UV光(UV1)。由此，塗布之樹脂則硬化。
接著，如圖12所示，從主板M剝離UV硬化樹脂Rs及支持基板Ss(脫模處理)。由此，如圖13所示，形成支持基板Ss與UV硬化樹脂Rs所成之打印板(樹脂打印板，軟打印板)ST。對於打印板ST之UV硬化樹脂Rs的 層係轉印有主板M之凸部(M10，M20，M21)，形成有對應於此凸部的溝(凹部)。此溝之中，將對應於凸部M10的溝表示為S10，對應於凸部M20的溝表示為S20，對應於凸部M21的溝表示為S21。
另外，此打印板ST如圖14所示，例如，對應於晶圓基板W地加以形成。即，對應於複數之晶片範圍CH的凸部(M10，M20，M21)的溝(S10，S20，S21)則加以形成於打印板ST之UV硬化樹脂Rs的層。
<光學元件形成工程>
接著，經由使用上述打印板ST之奈米壓印法而形成光學元件(偏光濾光片)。
首先，如圖15所示，作為具有光透過性的基板1S，例如準備玻璃基板。此基板1S係例如為略圓形的晶圓狀。接著，於基板1S上作為金屬層(加工對象膜)ML，例如經由濺鍍法等而形成Al(鋁)層。接著，於金屬層ML上塗佈光阻劑樹脂RR。作為光阻劑樹脂係可使用UV硬化樹脂。
接著，如圖16所示，於基板1S上部配置打印板ST，於基板1S上面上壓上打印板ST。經由此，於打印板ST的溝(S10，S20，S21)之內部充填有光阻劑樹脂RR。此時，光阻劑樹脂RR則呈精度佳地充填於溝(S10，S20，S21)之內部地調整光阻劑樹脂RR的塗佈量與對於打印板ST之基板1S(光阻劑樹脂RR)的推 壓。
接著，如圖17所示，經由隔著打印板ST而照射UV光(UV2)於光阻劑樹脂RR之時，使光阻劑樹脂RR硬化。在此，例如，UV光(UV2)係作為較前述UV光(UV1)為長波長側的UV光。如此，作為UV光(UV2)，經由避開前述UV光(UV1)之波長，即打印板ST之硬化波長(固化波長)之時，可防止打印板ST之變質者。
接著，如圖18所示，從打印板ST剝離光阻劑樹脂RR(脫模處理)。經由此，於光阻劑樹脂RR轉印有打印板ST的溝(S10，S20，S21)之形狀。即，具有對應於溝(S10，S20，S21)之凸部(光阻劑圖案)的光阻劑樹脂RR則加以形成於金屬層ML上。此凸部(光阻劑圖案)的溝之中，將對應於溝S10之凸部表示為RR10，對應於溝S20之凸部表示為RR20，對應於溝S21之凸部表示為RR21(圖19)。
接著，如圖20所示，將所加工之光阻劑樹脂RR作為光罩，乾蝕刻金屬層(金屬膜)ML。作為蝕刻氣體係例如，可使用Cl2氣體(氯氣)，BCl3氣體等，或此等之混合氣體者。將此蝕刻氣體作為離子化而使用亦可。經由如此之乾蝕刻，對應於光阻劑樹脂RR之凸部(RR10，RR20，RR21)，形成有金屬層ML之圖案的導線P10，突起部P20，及突起部P21(圖21)。然而，經由此蝕刻工程，削去光阻劑樹脂(凸部RR10，RR20，RR21)RR 之上部亦可。
接著，將殘存於由金屬層ML所成之導線P10，突起部P20，及突起部P21之上部的光阻劑樹脂(凸部RR10，RR20，RR21)RR，經由灰化等而除去(圖22)。例如，作為灰化氣體，使用將O2(氧)氣體作為主成分之氣體。將此灰化氣體作為離子化而使用亦可。
經由以上的工程，於晶圓基板W的複數之晶片範圍CH，可各形成導線P10，突起部P20，及突起部P21(參照圖7)。
之後，將此晶圓基板W，經由沿著切割線(劃片槽)DL切割(切斷，劃片)，作為個片化(晶片化)(參照圖7)。經由此，可形成光學元件者。
如此，由使用奈米壓印法者，可以高生產量，效率佳形成本實施形態之光學元件者。
另外，在本實施形態之光學元件中，如前述，由從基板(晶片範圍)1S的端部離間配置複數之導線P10的端部者，可防止導線P10之變形或缺損。特別是在上述切割工程中，在經由金剛石截切器等之切割機的應力加上於晶圓基板W之情況，複數之導線P10則未有經由切割機而產生變形以及缺損者。
另外，在本實施形態之光學元件中，係由設置突起部(P20，P21)於導線P10之端部與基板1S之端部之間(周邊範圍2A)者，可防止水分進入(浸入)於線柵範圍1A情況。
圖23係顯示本實施形態之比較例的光學元件的平面圖。另外，圖24(A)及(B)係顯示本實施形態之比較例的光學元件的斜視圖。
在圖23所示之比較例的光學元件中，使用二光束干擾曝光法而於晶圓基板W之略全面設置有複數之導線P10。二光束干擾曝光法係指經由呈構成某角度地使二光束(雷射光)交叉而於交叉部分形成干擾條紋，經由此干擾條紋之光強度分布而將晶圓基板W上的光阻劑膜進行曝光的技術。經由利用如此之干擾條紋而可將細微之周期圖案形成於比較大的晶圓基板W全面者。
但如此，將形成有超過晶片範圍CH而延伸存在之導線P10的晶圓基板W進行切割，個片化之情況，如圖24(A)所示，在基板(晶片範圍)1S的端部中，成為露出有導線P10之側面(剖面)者。另外，根據情況係如圖24(B)所示，經由切割時之應力，導線P10產生缺陷，在基板(晶片範圍)1S的端部中產生有導線P10之缺損部。
圖25係本發明者們之試作之比較例的光學元件的SEM(掃描型電子顯微鏡；Scanning Electron Microscope)相片。如圖25所示，切割超過晶片範圍CH而延伸存在之導線P10之情況，確認到在導線P10之切斷部導線P10之變形或缺損。
更且，適用經由本發明者們之試作的比較例之光學元件於光學裝置時，確認到光學元件(偏光濾光片)的變質 部。圖26係顯示本發明者們試作之比較例的光學元件的圖(照片)。圖26(A)係光學元件之表面照片。圖26(B)係模式性地顯示變質狀態的平面圖。圖26(C)係組裝有比較例的光學元件之光學裝置(液晶投影機)之畫面。
如圖26(A)所示，在比較例的光學元件中，於導線的延伸存在方向(照片中的箭頭方向)可確認到變色部。對於此變色的原因進行檢討的結果，可研究到圖26(B)所示之劣化機構。即，在比較例的光學元件的構成中，如圖24(A)等所示地，放置特定的間隔而複數配置有導線P10於基板1S的端部之故，經由結露等而附著於光學元件的端部之水分則根據毛細管現象而呈擴散於導線P10的長度方向地擴散。認為經由如此之水分而構成導線P10之金屬(例如，Al)則產生腐蝕者。
例如，於組裝於液晶投影機等之光學裝置內部之光學元件(偏光濾色片)，產生有如上述之導線P10的腐蝕(變質)時，畫像的顯示特性則產生劣化。例如，如圖26(C)所示，在導線P10之變質部中，可確認到消光機能下降，而變為無法將光充分進行消光者。
更且，在導線P10之缺損部中，成為露出有玻璃基板(石英玻璃，光學玻璃)等之基材者(參照圖24(B))。玻璃係一般而言具有親水性，容易自金屬(通常撥水性)附著有水分。因而，如此之導線P10之缺損部係容易成為經由上述毛細管現象之水分吸收之起點部。如 此，自導線P10之缺損部係浸入水分之可能性變高。然而，作為導線P10之構成金屬而使用Al之情況，對於Al的表面，係可以5nm以下的膜厚而形成自然氧化膜之Al2O3(氧化鋁)。此Al2O3係具有親水性之故，對於作為導線P10之構成金屬而使用Al之情況，浸入水分之可能性變高。
對此，在本實施形態中，如前述，從基板(晶片範圍)1S的端部離間配置複數之導線P10的端部，即，由作為超過晶片範圍CH而未使導線P10延伸存在之構成者，可防止導線P10之變形或缺損。特別是在上述切割工程中，在經由切割機的應力加上於晶圓基板W之情況，複數之導線P10則亦未有經由切割機而產生變形以及缺損者。
更且，在本實施形態之光學元件中，係由設置突起部(P20，P21)於導線P10之端部與基板1S之端部之間(周邊範圍2A)者，可防止水分進入(浸入)於線柵範圍1A情況。即，由自基板(晶片範圍)1S的端部離間配置導線P10的端部者，親水性之基板1S的露出範圍即使變大，經由於該範圍，設置突起部(P20，P21)之時，亦可防止水分進入(浸入)於線柵範圍1A情況。
加上本實施形態之光學元件係由使用奈米壓印法者，可高生產量，精度佳地形成導線P10，突起部P20，及突起部P21者。
圖27係經由本發明者們試作之本實施形態的光學元 件之SEM照片。導線P10之高度(厚度)係作為150nm，導線P10之寬度D1係作為55nm，導線P10間的間隔(空間S的寬度D2)係作為150nm(參照圖2)。如圖27所示，可確認到使用奈米壓印法而可良好地形成高精確度之圖案(導線P10，突起部P20，及突起部P21)者。然而，在圖27之SEM照片中，在此基板1S傾斜約15°之狀態觀察，進行照片攝影。因而，於SEM照片的上部與下部可看到未對焦的部分，但此係並非導線P10等之形成不良。
然而，在本實施形態中，呈圍繞線柵範圍1A地，設置突起部(保護環)P21，但亦可省略此突起部P21(例如，參照圖30)。
然而，在上述工程中，係使用奈米壓印法，但使用步進器而將光阻劑樹脂(光阻劑)進行曝光‧顯像之光微影法亦可。此情況，例如，將繪製對應於導線P10，突起部P20，P21的圖案之標示線，曝光轉印於金屬層ML上之光阻劑。之後，經由進行顯像處理而形成光阻劑光罩，將此作為光罩而進行金屬層ML之蝕刻。
然而，與此光微影法(非接觸轉印)作比較，在使用奈米轉印法(接觸轉印)之製造工程中，在可比較廉價地形成光學元件的點為有用。
(實施形態2)
在本實施形態中，對於周邊範圍2A之突起部 (P20，P21)之形成面積(形成範圍)加以說明。
圖28係顯示本實施形態之光學元件之製造工程之剖面圖。在實施形態1中如參照圖16及圖17等同時進行說明地，於光阻劑樹脂RR上配置打印板ST，再將光阻劑樹脂RR充填於打印板ST的溝(S10，S20，S21)之內部。
此時，如圖28所示，對於打印板ST的溝(S10，S20，S21)之內部係充填有位置於其附近之光阻劑樹脂RR。即，光阻劑樹脂RR則產生有沿著基板1S表面而移動之光阻劑流動現象，而充填於溝(S10，S20，S21)之內部。光阻劑樹脂RR之移動距離係為數μm~數十μm之故，在線柵範圍1A及周邊範圍2A中，溝(光阻劑樹脂RR產生移動而作為厚膜化之範圍)與除此之外的範圍(光阻劑樹脂RR產生移動而作為薄膜化之範圍)之面積比率為接近者為佳。
換言之，在線柵範圍1A及周邊範圍2A中，各溝(S10，S20，S21)的面積比例接近者，則可將光阻劑樹脂RR平衡佳地充填於溝(S10，S20，S21)之內部者。
如在實施形態1中詳細說明地，各溝(S10，S20，S21)係與導線P10，突起部P20，及突起部P21各自對應。
因而，在線柵範圍1A之導線P10的形成面積比例，和在周邊範圍2A之突起部P20及突起部P21的形成面積比例則接近者為佳。
線柵範圍1A中之導線P10的形成面積之比例 (AR1=AP10/A1A)則與周邊範圍2A中之突起部(P20，P21)的形成面積之比例(AR2=AP2X/A2A)接近者為佳。
具體而言，在線柵範圍1A中之導線P10的形成面積之比例(AR1=AP10/A1A)與周邊範圍2A中之突起部(P20，P21)的形成面積之比例(AR2=AP2X/A2A)中，將AR2作為0.8×AR1以上1.2×AR1以下(0.8AR1≦AR2≦1.2AR1)為佳。另外，將線柵範圍1A中之導線P10的形成面積之比例(AR1=AP10/A1A)與周邊範圍2A中之突起部(P20，P21)的形成面積之比例(AR2=AP2X/A2A)作為略相等者(AR1≒AR2)為更佳。
例如，在實施形態1之圖5中，由調整突起部P20之形狀的一邊及突起部P21之寬度者，可將AR2作為45%~55%程度者。另外，AR1係25~40%程度。然而，在本實施形態中，“形狀”係指顯示在自上面之平面視的形狀者。
在此實施形態1之圖5中，經由將突起部P20作為如方格花紋模樣的二次元模樣之時，可將光阻劑樹脂RR之移動距離相同程度地調整於基板1S之左右方向或上下方向者，可使對於光阻劑樹脂之圖案(二次元的模樣)之轉印精確度提升。
在此，將AR2更縮小，更為了更接近AR1而將突起部P20的形狀作為圖29所示之形狀亦可。圖29(A)~(C)係顯示本實施形態之光學元件之周邊範圍的突起部形狀的平面圖。
例如，如圖29(A)所示地，將突起部P20的形狀(在自上面之平面視的形狀)作為H字狀亦可。如此，由將圖5所示之突起部P20的形狀(略正四角狀)之一部分作為缺口形狀者，可縮小周邊範圍2A中之突起部(P20，P21)的形成面積之比例(AR2=AP2X/A2A)者。另外，如圖29(B)所示，將突起部P20的形狀，作為設置沿著圖5所示之突起部P20的形狀(略正四角狀)之一邊的缺口部(圖中之白色部)之形狀(U字狀)亦可。另外，如圖29(C)所示，將突起部P20的形狀，作為於沿著圖5所示之突起部P20的形狀(略正四角狀)之中央部設置缺口部(圖中之白色部)之形狀(框形狀)亦可。
在此，對於線柵範圍1A與周邊範圍2A之邊界加以說明。圖30係為了說明線柵範圍1A與周邊範圍2A之邊界的平面圖，對應於省略圖5所示之突起部(保護環)P21的圖。
對於此邊界無需明確地限定，例如，將圖30中的線a作為邊界。即，將連接導線P10之y方向的端部之X線，和於最外側之導線P10加上導線P10之間隔(空間)之位置(Y線)作為上述邊界亦可。
另外，將圖30中的線b作為邊界亦可。即，突起部P20之中，將連接位置於最內側之突起部P20的端部之X線與Y線作為上述邊界亦可。
另外，將圖30中的線c作為邊界亦可。即，將上述線a與線b之中心線作為上述邊界亦可。
如此，例如，如將上述線a~c之任一作為邊界，將其內側作為線柵範圍1A，將其外側(至基板1S或晶片範圍CH端部為止)作為周邊範圍2A，調整AR1及AR2即可。
如此，如根據本實施形態，由調整在線柵範圍1A之導線P10的形成面積比例，與在周邊範圍2A之突起部P20等的形成面積比例者，可精確度佳地形成導線P10或突起部P20等。即，可於打印板ST的溝(S10，S20等)之內部，平衡佳地充填光阻劑樹脂RR。由此，該光阻劑樹脂RR之圖案精確度則提升，更且，金屬層ML的蝕刻精確度則提升。其結果，可精確度佳地形成導線P10或突起部P20等。
(實施形態3)
在本實施形態中，對於周邊範圍2A之突起部(P20)之形狀(在自上面的平面視之形狀)及佈局(配置)的例加以說明。
圖31(A)及(B)係顯示本實施形態之光學元件之周邊範圍的第1例及第2例的平面圖。然而，圖中的虛線係線柵範圍1A與周邊範圍2A之邊界線。
如圖31(A)所示，在本實施形態之第1例中，將突起部(P20)之形狀(在自上面的平面視之形狀)作為略正方形。在此，與圖5所示之實施形態1同樣地，突起部P20作為相互不同地加以配置(交互配置，千鳥配置，方 格花紋配置)。但圖5所示之情況係接近之突起部P20的端部則呈重疊地加以配置，但在圖31(A)中，於接近之突起部P20之端部間存在有間隙。
如此經由將突起部P20作為如方格花紋之二次元的模樣之時，可將光阻劑樹脂RR之移動距離同程度地調整於基板1S之左右方向或上下方向者。其結果，可使對於光阻劑樹脂之圖案(二次元的模樣)之轉印精確度提升者。另外，由將突起部(P20)作為略正方形狀者，可比較容易地形成打印板。
在圖31(B)所示之本實施形態之第2例中，將突起部(P20)之形狀(在自上面的平面視之形狀)作為略長方形狀(略矩形狀)。此情況，突起部(P20)之形狀的長邊則佈局於對於導線P10之延伸存在方向而言垂直交叉的方向。在此第2例中，突起部P20亦作為相互不同地加以配置(交互配置，千鳥配置，方格花紋配置)。另外，於接近的突起部P20之端部間設置有間隙。
如此，由將突起部(P20)之形狀作為長方形狀，將其長邊佈局於對於導線P10之延伸存在方向而言垂直交叉的方向者，可有效果地降低水分進入(浸入)於導線P10間。另外，由將突起部(P20)的形狀作為略長方形狀者，可比較容易地形成打印板。
圖32(A)及(B)係顯示本實施形態之光學元件之周邊範圍的第3例及第4例的平面圖。然而，圖中的虛線係線柵範圍1A與周邊範圍2A之邊界線。
如圖32(A)所示，在本實施形態之第3例中，將突起部(P20)之形狀(在自上面的平面視之形狀)作為略圓形狀。在此第3例中，突起部P20亦作為相互不同地加以配置(交互配置，千鳥配置，方格花紋配置)。另外，於接近的突起部P20之端部間存在有間隙。然而，將突起部(P20)之形狀作為橢圓形狀亦可。
如此將突起部(P20)之形狀作為圓形或橢圓形狀之情況，未進入於溝內部而流動於基板1S上之成為剩餘的光阻劑樹脂之流動阻抗則變小。因此，殘存於溝以外的範圍(光阻劑樹脂RR產生移動而作為薄膜化之範圍)的光阻劑樹脂之膜厚均一性則提高，作為結果，可將光阻劑樹脂RR之高低差作為均一者。
在圖32(B)所示之本實施形態之第4例中，將突起部(P20)之形狀(在自上面的平面視之形狀)作為略正三角形狀。此情況，突起部(P20)之形狀的一邊則佈局於對於導線P10之延伸存在方向而言垂直交叉的方向。在此第4例中，突起部P20亦作為相互不同地加以配置(交互配置，千鳥配置，方格花紋配置)。另外，於接近的突起部P20之端部間設置有間隙。
如此，由將突起部(P20)之形狀作為三角形狀，將其一邊佈局於對於導線P10之延伸存在方向而言垂直交叉的方向者，可有效果地降低水分進入(浸入)於導線P10間。另外，由將突起部(P20)之形狀作為三角形狀者，從線柵範圍1A朝向基板1S之端部的光阻劑樹脂的流動 性則提高。其結果，可將光阻劑樹脂RR之高低差作為均一者。
如以上第1例~第4例所示，突起部(P20)之形狀(在自上面的平面視之形狀)係可作各種變形。另外，對於突起部(P20)之端部間係如上述亦可有間隙。另外，突起部(P20)之端部則呈接觸或連接地加以佈局亦可(參照圖5)。
突起部(P20)之端部則呈接觸或連接地加以配置者則對於水分的進入之防禦性係提高。另一方面，如根據於突起部(P20)之端部間有著間隙之佈局(配置)，由調整間隙的大小者，可容易調整周邊範圍2A中之突起部(P20等)的形成面積之比例(AR2=AP2X/A2A)者。
圖33(A)及(B)係顯示本實施形態之光學元件之周邊範圍的第5例及第6例的平面圖。然而，圖中的虛線係線柵範圍1A與周邊範圍2A之邊界線。
如圖33(A)所示，在本實施形態之第5例中，將突起部(P20)之形狀(在自上面的平面視之形狀)作為略正方形狀。在此第5例中，呈圍著線柵範圍1A地三重地配置有突起部(P20)的列。此三重的列之中，從構成最外周的列之突起部(P20A)加上至構成最內周的列之突起部(P20C)，突起部(P20)之大小(略正方形狀之一邊)則呈依序變小地加以佈局。此情況，從線柵範圍1A朝向於基板1S之端部之光阻劑樹脂之流動性則提高，可將光阻劑樹脂RR之高低差作為均一者。
在圖33(B)所示之第6例中，與第5例同樣地，將突起部(P20)之形狀(在自上面的平面視之形狀)作為略正方形狀，呈圍著線柵範圍1A地三重地配置有突起部(P20)的列。在此第6例中，與第5例相反地，此三重的列之中，從構成最外周的列之突起部(P20a)加上至構成最內周的列之突起部(P20c)，突起部(P20)之大小(略正方形狀之一邊)則呈依序變大地加以佈局。此情況，可使防水機能提升。
圖34係顯示本實施形態之光學元件的周邊範圍之第7例之平面圖。然而，圖中的虛線係線柵範圍1A與周邊範圍2A之邊界線。
如圖34所示，在本實施形態之第7例中，呈圍著線柵範圍1A地配置有三重之突起部(保護環)20G。此三重之突起部(保護環)20G之各寬度係PD1，突起部(保護環)20G間的空間係PD2。
如此，設置圍繞線柵範圍1A之突起部(保護環)20G亦可。經由此突起部(保護環)20G，可防止水分進入(浸入)至線柵範圍1A者。另外，由將突起部(保護環)20G作為多重化者而可使水分之進入的防止機能提升。
另外，此情況，由調整突起部(保護環)20G之寬度PD1及突起部(保護環)20G間的空間PD2者，可容易調整周邊範圍2A中之突起部(20G)之形成面積的比例(AR2)。
然而，上述第1例~第7例係不過是一例，當然可將其形狀或佈局作各種變更。另外，對於第1例~第6例的構成，可組合第7例或實施形態1(圖6)之突起部(保護環)P21。
如此，由組合一次元之圖案的突起部(保護環)P21者，更可使防水效果提升。
(實施形態4)
在實施形態2中，係調整線柵範圍1A中之導線P10的形成面積之比例(AR1=AP10/A1A)及周邊範圍2A中之突起部(P20，P21)的形成面積之比例(AR2=AP2X/A2A)。對此，在本實施形態中，經由調整溝(S10，S20等)之深度之時，將光阻劑樹脂RR充填於溝(S10，S20等)之內部。
圖35~圖37係顯示本實施形態之光學元件之製造工程之要部剖面圖。在要部剖面圖中係為了容易了解說明，而模式性地顯示線柵範圍1A及其兩側之周邊範圍2A。
如圖35所示，在於光阻劑樹脂RR上配置打印板ST，再將光阻劑樹脂RR充填於打印板ST之溝(S10，S20)之內部之後，經由隔著打印板ST而照射UV光於光阻劑樹脂RR之時，使光阻劑樹脂RR硬化。
此時，如實施形態2所說明地，對於打印板ST的溝(S10，S20)之內部係充填有位置於其附近之光阻劑樹脂RR。因此，在本實施形態中，較打印板ST的溝S10之深 度DS10，淺設定溝S20之深度DS20(DS10>DS20)。
如此，在本實施形態中，由淺設定溝S20之深度DS20，將溝S20之總體積作為更小者，可將光阻劑樹脂RR充填於溝(S10，S20)之內部。
例如，在實施形態2之圖30中，對於例如，AR2則成為50%程度，AR1則例如為35%程度之情況進行檢討。在如此之情況中，例如，呈成為打印板ST的溝S10之深度DS10之80%程度地設定溝S20之深度DS20(0.8×DS10=DS20)。由此，可更接近對於線柵範圍1A之面積(A1A)而言之溝S10之總體積VP10的比例(VA1=VP10/A1A)，和對於周邊範圍2A之面積(A2A)而言之溝S20之總體積VP20的比例(VA2=VP20/A2A)者。換言之，可更接近對於線柵範圍1A之光阻劑樹脂RR的塗佈量(V1A)而言之溝S10之總體積VP10的比例(V1=VP10/V1A)，和對於周邊範圍2A之光阻劑樹脂RR的塗佈量(V2A)而言之溝S20之總體積VP20的比例(V2=VP20/V2A)者。由此，可於打印板ST的溝(S10，S20)之內部，平衡佳地充填光阻劑樹脂RR。其結果，該光阻劑樹脂RR之圖案精確度則提升，更且，金屬層ML的蝕刻精確度則提升。因而，可精確度佳地形成導線P10或突起部P20。
然而，如實施形態1(圖5)所示地，對於加上於突起部P20而形成突起部P21之情況，係如使用加上周邊範圍2A之溝S20的總體積與溝S21之體積之構成(VP2X) 的比例即可。
接著，如圖36所示，從打印板ST剝離光阻劑樹脂RR(脫模處理)。此時，對應於打印板ST的溝S10之凸部(光阻劑圖案)RR10之高度(膜厚)HRR20則成為較對應於溝S20之凸部RR20的高度HRR10為低。
接著，將加工之光阻劑樹脂RR作為光罩，將金屬層ML進行乾蝕刻(圖37)，更且，與實施形態1同樣地，經由灰化等而除去殘存的光阻劑樹脂RR。之後，將此晶圓基板W，經由沿著切割線(劃片槽)DL切割(切斷，劃片)，作為個片化(晶片化)(參照圖7)。經由此，可形成光學元件者。
在此，上述蝕刻時，對應於金屬層ML上之光阻劑樹脂RR的殘存膜厚，突起部P20之高度HP20成為較導線P10之高度(膜厚)HP10為低亦可(參照圖37)。換言之，突起部P20的表面則較導線P10之表面為低亦可(圖37)。
如此，經由對於線柵範圍1A之導線P10之高度，和周邊範圍2A之突起部P20之高度產生差之時，容易辨識線柵範圍1A。例如，在晶圓基板W之切割工程的位置調整時，線柵範圍1A與周邊範圍2A之對比成為鮮明，例如，將線柵範圍1A間的中心線容易作為切割線(劃片槽)DL而辨識。
在如此之切割工程以外的工程中，利用線柵範圍1A與周邊範圍2A之對比差，可依據此等邊界部而容易進行 晶圓基板W之位置調整者。
(實施形態5)
在實施形態4中，對於突起部P20之高度HP20成為較導線P10之高度(膜厚)HP10為低之情況(參照圖30)已做過說明，但在本實施形態中，對於突起部P20之高度HP20成為較導線P10之高度(膜厚)HP10為高之情況加以說明。
圖38~圖41係顯示本實施形態之光學元件之製造工程之要部剖面圖。在要部剖面圖中係為了容易了解說明，而模式性地顯示線柵範圍1A及其兩側之周邊範圍2A。
如圖38所示，在於光阻劑樹脂RR上配置打印板ST，再將光阻劑樹脂RR充填於打印板ST之溝(S10，S20等)之內部之後，經由隔著打印板ST而照射UV光於光阻劑樹脂RR之時，使光阻劑樹脂RR硬化。
在此，與實施形態1(圖16等)同樣地，打印板ST的溝S10之深度DS10係與溝S20的深度DS20相同程度(DS10=DS20)。
接著，如圖39所示，從打印板ST剝離光阻劑樹脂RR(脫模處理)。此時，與實施形態1(圖18等)同樣地，對應於打印板ST的溝S10之凸部(光阻劑圖案)RR10之高度(膜厚)HRR10則成為與對應於溝S20之凸部RR20的高度HRR20同程度。
接著，將加工之光阻劑樹脂RR作為光罩，將金屬層 ML進行乾蝕刻(圖40)，更且，進行過蝕刻。在此之過蝕刻係經由蝕刻而除去金屬層ML(導線P10及突起部P20)上之光阻劑樹脂RR(凸部RR10，RR20)之後亦持續進行之蝕刻。對於在此過蝕刻時，為了除去成為光罩之光阻劑樹脂RR(凸部RR10，RR20)，而蝕刻導線P10及突起部P20之上部。此時，導線P10之寬度(D1)則較突起部P20之寬度(一邊)為小之故，容易被蝕刻。因此，在導線P10中，其上部之後退量則變大，突起部P20之高度HP20則變為較導線P10之高度(厚度)HP10為高。
如此，突起部P20之高度HP20則變為較導線P10之高度(厚度)HP10為高亦可(圖41)。換言之，導線P10的表面則較突起部P20之表面為低亦可(圖41)。
此情況，亦成為於線柵範圍1A之導線P10的高度，和周邊範圍2A之突起部P20之高度產生有差的情況。因而，與實施形態6之情況同樣地，利用線柵範圍1A與周邊範圍2A之對比差，可依據此等邊界部而容易進行晶圓基板W之位置調整者。
(實施形態6)
對於在上述實施形態1~5中說明過的光學元件(偏光濾光片)之適用例無限制，而可適用各種光學裝置。其中，在本實施形態中，作為使用光學元件的光學裝置，將畫像投影裝置之1個的液晶投影機舉例加以說明。
圖42係顯示在本實施形態之液晶投影機的光學系統的模式圖。如圖42所示，本實施形態之液晶投影機係具有光源LS、導波光學系LGS、分光鏡DM(B)、DM(G)、反射鏡MR(R)、MR(B)、液晶面板LCP(B)、LCP(G)、LCP(R)、偏光濾光片WG1(G)、WG1(B)、WG1(R)、WG2(G)、WG2(B)、WG2(R)及投影透鏡LEN。
光源LS係由鹵素燈等加以構成，成為呈射出含有藍色光與綠色光與紅色光的白色光。並且，導波光學系統LGS係呈實施從光源LS所射出之光分布的一樣化或準直等地加以構成。
分光鏡DM(B)係反射對應於藍色光之波長的光，呈透過其他的綠色光或紅色光地加以構成。同樣地，分光鏡DM(G)係反射對應於綠色光之波長的光，呈透過其他的紅色光加以構成。另外，反射鏡MR(R)係呈反射紅色光地加以構成，而反射鏡MR(B)係呈反射藍色光地加以構成。
液晶面板LCP(B)、LCP(G)及LCP(R)係對應於各畫像資訊而進行偏光光的強度調制地加以構成。液晶面板LCP(B)，LCP(G)，LCP(R)係與控制液晶面板的控制電路(未圖示)加以電性連接，成為呈依據從此控制電路之控制信號，控制施加於液晶面板之電壓。
偏光濾光片WG1(G)、WG2(G)係綠色用的偏光濾光片，呈僅選擇透過含於綠色光之特定的偏光光地加以構成。同樣地偏光濾光片WG1(B)、WG2(B)係藍色用的偏光濾光片，呈僅選擇透過含於藍色光之特定的偏光光地加以 構成，偏光濾光片WG1(R)、WG2(R)係紅色用的偏光濾光片，呈僅選擇透過含於紅色光之特定的偏光光地加以構成。然而，投影透鏡LEN係為了投影畫像的透鏡。
接著，對於本實施形態之液晶投影機的動作例加以說明。如圖42所示，從鹵素燈等加以構成之光源LS射出有含有藍色光與綠色光與紅色光之白色光。並且，從光源LS所射出之白色光係經由入射至導波光學系統LGS之時，對於白色光而言實施光分布的一樣化或準直等。之後，射出導波光學系統LGS之白色光係最初入射至分光鏡DM(B)。在分光鏡DM(B)中，僅反射含於白色光之藍色光，而綠色光與紅色光係透過分光鏡DM(B)。
透過分光鏡DM(B)之綠色光與紅色光係入射至透過分光鏡DM(G)。在分光鏡DM(G)中，僅反射綠色光，紅色光係透過分光鏡DM(G)。由如此作為，可從白色光分離成藍色光與綠色光與紅色光者。
接著，所分離之藍色光係經由反射鏡MR(B)加以反射之後，入射至偏光濾光片WG1(B)，選擇透過含於藍色光之特定的偏光光。並且，所選擇透過之偏光光係入射至液晶面板LCP(B)。在液晶面板LCP(B)中，依據控制信號，進行入射之偏光光的強度調制。之後，加以強度調制之偏光光係從液晶面板LCP(B)加以射出，再入射至偏光濾光片WG2(B)之後，從偏光濾光片WG2(B)加以射出。
同樣地，所分離之綠色光係入射至偏光濾光片WG1(G)，選擇透過含於綠色光之特定的偏光光。並且， 所選擇透過之偏光光係入射至液晶面板LCP(G)。在液晶面板LCP(G)中，依據控制信號，進行入射之偏光光的強度調制。之後，加以強度調制之偏光光係從液晶面板LCP(G)加以射出，再入射至偏光濾光片WG2(G)之後，從偏光濾光片WG2(G)加以射出。
另外，同樣地，所分離之紅色光係經由反射鏡MR(R)加以反射之後，入射至偏光濾光片WG1(R)，選擇透過含於紅色之特定的偏光光。並且，所選擇透過之偏光光係入射至液晶面板LCP(R)。在液晶面板LCP(R)中，依據控制信號，進行入射之偏光光的強度調制。之後，加以強度調制之偏光光係從液晶面板LCP(R)加以射出，再入射至偏光濾光片WG2(R)之後，從偏光濾光片WG2(R)加以射出。
之後，將從偏光濾光片WG2(B)所射出的偏光光(藍色)，和從偏光濾光片WG2(G)所射出的偏光光(綠色)，和從偏光濾光片WG2(R)所射出的偏光光(紅色)加以合波，藉由投影透鏡LEN而投影至屏幕(未圖示)。由如此作為，可投影畫像者。
作為上述偏光濾光片WG1(G)、WG1(B)、WG1(R)、WG2(G)、WG2(B)、WG2(R)，例如，經由使用在實施形態1~5所說明過之光學元件(偏光濾光片)之時，可使液晶投影機的性能提升。具體而言，可降低對於偏光濾光片而言經由水分的進入之導線(P10)的變質，可使液晶投影機的顯示畫像提升。例如，參照圖26(C)的同時可抑 制說明之消光機能下降者。
以上，將經由本發明者所成之發明，依據實施形態已具體做過說明，但本發明並不限定於前述實施形態，在不脫離其內容之範圍當然可做各種變更。
例如，在上述實施形態1等中，線狀的導線P10則放置特定的間隔(空間)加以反覆配置，所謂“線柵(金屬格子)”以例說明過，但導線P10之形狀並不限定於此。圖43(A)~(C)係顯示導線之周期構造例的平面圖。圖43(A)係顯示上述線柵構造的平面圖。圖43(B)及(C)係顯示變度導線(wobble wire)構造之平面圖。如圖43(B)及(C)所示，導線P10不止直線狀而波線狀(變度狀)亦可。另外，導線P10間的間隔係如圖43(A)及(B)所示，亦可為略一定狀，另外，如圖43(C)所示，導線P10間的間隔產生變化亦可。
另外，在上述實施形態6中，液晶投影機等之顯示裝置以例說明過，但其他，對於光學頭或光通信用之收送信機等之光學裝置，亦可適用在上述實施形態1~5所說明之光學元件(偏光濾光片)。
另外，在前述實施形態中，對於從可視光對應於近紅外線光之光學元件或光學裝置為前提已做過說明，但不止如此之一般的光，如為依照馬克士威方程式之電磁波，亦可同樣地適用本申請發明之技術思想。具體而言，在77GHz之無線裝置中，電磁波(光)的波長係約4mm，對於處理如此之電磁波之裝置而言，亦可做為光學構件而 適用上述實施形態之光學元件(反射型偏光板)者。此情況，以較上述波長為小之間距配置導線(線柵)，如上述實施形態，於周邊範圍設置突起部(P20等)。如此之反射型偏光板之凹凸(導線或突起部等)係例如，可使用沖壓加工或研削加工等而形成。
1A‧‧‧線柵範圍
1S‧‧‧基板
2A‧‧‧周邊範圍
P10‧‧‧導線

Claims (10)

  1. 一種光學元件，其特徵為具備：具有第1範圍與位置於前述第1範圍之外周的第2範圍之基板，前述基板的前述第1範圍，係設有第1凸部群，該第1凸部群係由金屬所形成之在第1方向延伸之線狀第1凸部，在與前述第1方向交叉的第2方向以第1間隔複數配置而成；前述基板之前述第2範圍，係設有第2凸部群，該第2凸部群係由金屬所形成之第2凸部複數配置而成；在前述第1凸部群中，將從前述基板的一面側入射之電磁波進行偏光；前述第2凸部群係在平面視中為方格花紋，具有：第1周的第2凸部列、配置於前述第1周的第2凸部列之鄰周的第2周的第2凸部列；前述第1周的第2凸部列的複數前述第2凸部，係與前述第2周的第2凸部列的複數前述第2凸部以接觸或連接的方式重複配置而圍住前述第1範圍。
  2. 如申請專利範圍第1項記載之光學元件，其中，前述第2凸部係在平面視中為四角形狀。
  3. 如申請專利範圍第1項記載之光學元件，其中，前述第2凸部係在平面視中為三角形狀。
  4. 如申請專利範圍第1項記載之光學元件，其中，前述第2凸部係在平面視中為圓或橢圓形狀。
  5. 如申請專利範圍第1項記載之光學元件，其中， 在前述第1範圍之前述第1凸部之形成範圍的比例係25%以上40%以下者。
  6. 如申請專利範圍第1項記載之光學元件，其中，將在前述第1範圍之前述第1凸部之形成範圍的比例作為A%之情況，在前述第2範圍之前述第2凸部之形成範圍的比例係A×0.8%以上A×1.2%以下者。
  7. 如申請專利範圍第1項記載之光學元件，其中，前述第2凸部的表面係較前述第1凸部的表面為低者。
  8. 如申請專利範圍第1項記載之光學元件，其中，前述第1凸部的表面係較前述第2凸部的表面為低者。
  9. 一種光學元件之製造方法，其特徵為具有：(a)於具有第1範圍與位置於前述第1範圍之外周的第2範圍之玻璃基板上之加工對象膜上塗佈光阻劑樹脂的工程，和(b)前述(a)工程之後，按壓膜具構件於前述光阻劑樹脂的工程，於對應於前述第1範圍之位置，放置第1間隔而複數配置延伸存在於第1方向之線狀的第1凹部於與前述第1方向交叉之第2方向，於對應於前述第2範圍之位置，按壓複數配置第2凹部之模具構件的工程，和(c)前述(b)工程之後，使前述光阻劑樹脂硬化之工程，(d)前述(c)工程之後，經由剝離前述模具構件之時，形成對應於前述第1凹部及前述第2凹部之光阻劑樹脂的工程， (e)前述(d)工程之後，將前述光阻劑樹脂作為光罩而蝕刻前述加工對象膜之工程；經由前述(e)工程，前述玻璃基板之前述第1範圍，係設有第1凸部群，該第1凸部群係由金屬所形成之在第1方向延伸之線狀第1凸部，在與前述第1方向交叉的第2方向以第1間隔複數配置而成；前述基板之前述第2範圍，係設有第2凸部群，該第2凸部群係由金屬所形成之第2凸部複數配置而成；在前述第1凸部群中，將從前述基板的一面側入射之電磁波進行偏光；前述第2凸部群係在平面視中為方格花紋，具有：第1周的第2凸部列、配置於前述第1周的第2凸部列之鄰周的第2周的第2凸部列；前述第1周的第2凸部列的複數前述第2凸部，係與前述第2周的第2凸部列的複數前述第2凸部以接觸或連接的方式重複配置而圍住前述第1範圍。
  10. 一種光學裝置，其特徵為具備(a)光源，和(b)從自前述光源所射出的光，選擇透過特定偏光光的光學元件，和(c)入射自前述光學元件所射出的前述偏光光，對應於畫像資訊而進行前述偏光光的強度調制之液晶面板，前述光學元件係具備：具有第1範圍與位置於前述第1範圍之外周的第2範 圍之玻璃基板；前述基板之前述第1範圍，係設有第1凸部群，該第1凸部群係由金屬所形成之在第1方向延伸之線狀第1凸部，在與前述第1方向交叉的第2方向以第1間隔複數配置而成；前述基板之前述第2範圍，係設有第2凸部群，該第2凸部群係由金屬所形成之第2凸部複數配置而成；在前述第1凸部群中，將從前述基板的一面側入射之電磁波進行偏光；前述第2凸部群係在平面視中為方格花紋，具有：第1周的第2凸部列、配置於前述第1周的第2凸部列之鄰周的第2周的第2凸部列；前述第1周的第2凸部列的複數前述第2凸部，係與前述第2周的第2凸部列的複數前述第2凸部以接觸或連接的方式重複配置而圍住前述第1範圍。
TW102121365A 2012-06-21 2013-06-17 光學元件、光學元件之製造方法及光學裝置 TWI601986B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2012/065882 WO2013190681A1 (ja) 2012-06-21 2012-06-21 光学素子、光学素子の製造方法および光学装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201413298A TW201413298A (zh) 2014-04-01
TWI601986B true TWI601986B (zh) 2017-10-11

Family

ID=49768310

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102121365A TWI601986B (zh) 2012-06-21 2013-06-17 光學元件、光學元件之製造方法及光學裝置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10310321B2 (zh)
JP (1) JP6248296B2 (zh)
CN (1) CN104395785B (zh)
TW (1) TWI601986B (zh)
WO (1) WO2013190681A1 (zh)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9008470B2 (en) * 2012-01-30 2015-04-14 Huawei Technologies Co., Ltd. Method and apparatus for wavelength selective switch
JP2015046459A (ja) * 2013-08-28 2015-03-12 ソニー株式会社 エッチング方法、電子デバイスの製造方法および偏光板の製造方法
CN105874365B (zh) * 2014-01-15 2019-08-09 大日本印刷株式会社 偏振元件、偏振元件的制造方法、光取向装置及偏振元件的组装方法
KR20180035985A (ko) * 2016-09-29 2018-04-09 삼성디스플레이 주식회사 와이어 그리드 편광자 제조용 마스터 몰드, 와이어 그리드 편광자 및 이를 제조하는 방법 및 와이어 그리드 편광자를 포함하는 표시 장치
US20180164580A1 (en) * 2016-12-12 2018-06-14 Intel Corporation Optical micro mirror arrays
JP7035671B2 (ja) * 2017-03-23 2022-03-15 大日本印刷株式会社 回折光学素子
JP6401837B1 (ja) 2017-08-10 2018-10-10 デクセリアルズ株式会社 偏光板及び光学機器
JP6575583B2 (ja) * 2017-10-30 2019-09-18 セイコーエプソン株式会社 ワイヤーグリッド偏光装置および投射型表示装置
JP2019109375A (ja) * 2017-12-19 2019-07-04 セイコーエプソン株式会社 偏光素子、偏光素子の製造方法
US10859744B2 (en) 2017-12-25 2020-12-08 Seiko Epson Corporation Method of manufacturing wire grid polarization element
JP6610702B2 (ja) * 2017-12-25 2019-11-27 セイコーエプソン株式会社 ワイヤーグリッド偏光素子の製造方法
KR102580856B1 (ko) * 2018-01-30 2023-09-20 삼성디스플레이 주식회사 와이어 그리드 편광자용 몰드 및 이를 제조하는 방법
KR102385105B1 (ko) * 2018-02-27 2022-04-08 삼성전자주식회사 크랙 검출용 칩 및 이를 이용한 크랙 검출 방법
TWI687743B (zh) * 2018-12-11 2020-03-11 友達光電股份有限公司 顯示裝置及偏光結構的製造方法
US11460616B2 (en) * 2019-07-19 2022-10-04 Magic Leap, Inc. Method of fabricating diffraction gratings
US11726240B2 (en) 2020-02-14 2023-08-15 Google Llc Variable mesh low mass MEMS mirrors

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005010572A1 (ja) * 2003-07-24 2005-02-03 Zeon Corporation 反射防止成形品及びその製造方法
JP2005339630A (ja) * 2004-05-25 2005-12-08 Ricoh Co Ltd 偏光回折素子及びその作製方法、及び光ピックアップ装置
JP2006317807A (ja) * 2005-05-13 2006-11-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 反射防止構造体を備える部材およびその部材の製造方法
JP2007069604A (ja) * 2005-08-10 2007-03-22 Toray Ind Inc パターン形成方法、パターン形成用シート、およびそれを用いて形成される光学機能性シート
JP2010092005A (ja) * 2008-10-07 2010-04-22 Samsung Electronics Co Ltd 表示装置と表示装置の製造方法
JP2011123347A (ja) * 2009-12-11 2011-06-23 Toppan Printing Co Ltd 偽造防止媒体および偽造防止ラベル並びに物品
JP2011164180A (ja) * 2010-02-05 2011-08-25 Toppan Printing Co Ltd 表示体及び表示体付き物品及び原版の製造方法及びスタンパの製造方法及び表示体の製造方法
JP2012103728A (ja) * 2007-02-06 2012-05-31 Sony Corp 偏光素子、及び透過型液晶プロジェクター
JP2012113280A (ja) * 2010-11-05 2012-06-14 Asahi Kasei E-Materials Corp ワイヤグリッド偏光子および光センサー

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6243199B1 (en) 1999-09-07 2001-06-05 Moxtek Broad band wire grid polarizing beam splitter for use in the visible wavelength region
SE530571C2 (sv) * 2006-11-16 2008-07-08 Atlas Copco Rock Drills Ab Bergborrningsförfarande och bergborrningsmaskin
US7957062B2 (en) 2007-02-06 2011-06-07 Sony Corporation Polarizing element and liquid crystal projector
TWI426296B (zh) * 2009-06-19 2014-02-11 Ind Tech Res Inst 利用光學偏極特性之三維顯微共焦量測系統與方法
JP2011081154A (ja) * 2009-10-07 2011-04-21 Hitachi Ltd 光学素子および光学装置
EP2508922B2 (en) 2009-12-01 2023-08-16 Toppan Printing Co., Ltd. Display body and labeled article
US8922890B2 (en) * 2012-03-21 2014-12-30 Moxtek, Inc. Polarizer edge rib modification

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005010572A1 (ja) * 2003-07-24 2005-02-03 Zeon Corporation 反射防止成形品及びその製造方法
JP2005339630A (ja) * 2004-05-25 2005-12-08 Ricoh Co Ltd 偏光回折素子及びその作製方法、及び光ピックアップ装置
JP2006317807A (ja) * 2005-05-13 2006-11-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 反射防止構造体を備える部材およびその部材の製造方法
JP2007069604A (ja) * 2005-08-10 2007-03-22 Toray Ind Inc パターン形成方法、パターン形成用シート、およびそれを用いて形成される光学機能性シート
JP2012103728A (ja) * 2007-02-06 2012-05-31 Sony Corp 偏光素子、及び透過型液晶プロジェクター
JP2010092005A (ja) * 2008-10-07 2010-04-22 Samsung Electronics Co Ltd 表示装置と表示装置の製造方法
JP2011123347A (ja) * 2009-12-11 2011-06-23 Toppan Printing Co Ltd 偽造防止媒体および偽造防止ラベル並びに物品
JP2011164180A (ja) * 2010-02-05 2011-08-25 Toppan Printing Co Ltd 表示体及び表示体付き物品及び原版の製造方法及びスタンパの製造方法及び表示体の製造方法
JP2012113280A (ja) * 2010-11-05 2012-06-14 Asahi Kasei E-Materials Corp ワイヤグリッド偏光子および光センサー

Also Published As

Publication number Publication date
US10310321B2 (en) 2019-06-04
WO2013190681A1 (ja) 2013-12-27
CN104395785A (zh) 2015-03-04
JPWO2013190681A1 (ja) 2016-02-08
TW201413298A (zh) 2014-04-01
CN104395785B (zh) 2017-04-12
JP6248296B2 (ja) 2017-12-20
US20150234230A1 (en) 2015-08-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI601986B (zh) 光學元件、光學元件之製造方法及光學裝置
US20090027773A1 (en) Wire grid type polarization element, manufacturing method thereof, liquid crystal device, and projection type display apparatus
TWI280460B (en) Apparatus for providing a pattern of polarization
US7722194B2 (en) Optical element having a reflected light diffusing function and a polarization separation function and a projection display device
JP4340254B2 (ja) モザイクタイル波長板のための層構造
CN108885289B (zh) 线栅偏振器制造方法
JP2005202104A (ja) 偏光化素子の製造方法、偏光化素子、および画像投影装置の製造方法、並びに画像投影装置
KR20100030399A (ko) 광 발생 장치 및 그 제어 방법
JP6953109B2 (ja) 基板上構造体の製造方法
KR100990074B1 (ko) 경사 노광 리소그래피 시스템
JP2004004745A (ja) 微細構造形成方法
JP5359128B2 (ja) 偏光素子及びその製造方法
TW200817843A (en) Exposure apparatus and device manufacturing method
TW200813660A (en) Apparatus and method for alignment using multiple wavelengths of light
JP2007052316A (ja) 液晶装置用基板、液晶装置用基板の製造方法、液晶装置、投射型表示装置
US11592740B2 (en) Wire grid polarizer manufacturing methods using frequency doubling interference lithography
JP2019113723A (ja) ワイヤーグリッド偏光素子、ワイヤーグリッド偏光素子の製造方法、および電子機器
US10859744B2 (en) Method of manufacturing wire grid polarization element
TWI657315B (zh) 空間光調變元件模組、光描繪裝置、曝光裝置、空間光調變元件模組製造方法及元件製造方法
JP6610702B2 (ja) ワイヤーグリッド偏光素子の製造方法
JP2010060621A (ja) 偏光素子及びその製造方法
JP2006030461A (ja) 波長板、立体画像表示装置、及び波長板の製造方法
JP2005070666A (ja) マイクロレンズ基板の製造方法
US11360348B2 (en) System and method for liquid crystal display system incorporating wire grid polarizers for large scale and large volume stereolithography
KR100896875B1 (ko) 노광장치 및 노광방법