TWI599156B - 驅動變壓器隔離自適應驅動電路 - Google Patents

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Description

驅動變壓器隔離自適應驅動電路
本發明關於電子產品技術領域，特別是關於一種驅動變壓器隔離自適應驅動電路。
隨著世界能源危機的激化，降低能耗，保護環境已成共識。為了提高AC/DC和DC/DC電源變換器的效率，半橋和全橋及其LLC諧振變換器已廣泛應用。但由於諧振變換器的工作頻率隨著負載變化，驅動變壓器的漏電感、金氧半導體場效電晶體的Qg、驅動電阻和金氧半導體場效電晶體的體二極體(Body Diode)均會改變驅動波形及其死帶(Dead Band)；而習知技術中，由於採用固定的死帶時間控制時，若死帶時間太長，則不能實現零電壓開關；若死帶時間太短，則可能導致同一橋臂的上下金氧半導體場效電晶體出現直通現象，進而導致諧振變換器失效。
本發明的主要目的在於提供一種驅動變壓器隔離自適應驅動電路，旨在減小驅動訊號的失真和延遲，實現零電壓開關，降低開關 損耗，提高效率，同時避免出現「直通現象」。
為了實現上述目的，本發明提供一種驅動變壓器隔離自適應驅動電路，該驅動變壓器隔離自適應驅動電路包括：電源、第一金氧半導體場效電晶體金氧半導體(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)和第二金氧半導體場效電晶體，第一金氧半導體場效電晶體的汲極與電源的正極連接，源極與第二金氧半導體場效電晶體的汲極連接；第二金氧半導體場效電晶體的源極與電源的負極連接；驅動變壓器，其設有第一繞組和第二繞組；第一單向正電壓快速驅動電路，其一端與第一繞組連接，另一端與第一金氧半導體場效電晶體的閘極連接；第二單向正電壓快速驅動電路，其一端與第二繞組連接，另一端與第二金氧半導體場效電晶體的閘極連接；第一自適應死帶控制子電路，其用於根據第一金氧半導體場效電晶體的汲極與源極之間的電壓輸出相應位準(Electrical Level)至第一金氧半導體場效電晶體的閘極；第二自適應死帶控制子電路，其用於根據第二金氧半導體場效電晶體的汲極與源極之間的電壓輸出相應位準至第二金氧半導體場效電晶體的閘極。
較佳地，第一單向正電壓快速驅動電路包括第一電阻、第二電阻、第一二極體和第一三極體Q11，其中第一三極體Q11為PNP三極體，其基極與藉由第一電阻分別與第一繞組和第二電阻的一端連接，集極(collector)與第一繞組的另一端連接，發射極與第一二極體 的陰極連接，且該第一二極體的陽極與第二電阻的另一端連接。
較佳地，第二單向正電壓快速驅動電路包括第三電阻、第四電阻、第二二極體和第二三極體Q12，其中第二三極體Q12為PNP三極體，其基極與藉由第三電阻分別與第二繞組和第四電阻的一端連接，集極與第二繞組的另一端連接，發射極與第二二極體的陰極連接，且該第二二極體的陽極與第四電阻的另一端連接；第一繞組與第一電阻連接的一端和第二繞組與第二三極體Q12集極連接的一端為同名端。
較佳地，第一自適應死帶控制子電路包括第三金氧半導體場效電晶體、第三二極體、第五電阻和第六電阻，其中第三金氧半導體場效電晶體的汲極與第一金氧半導體場效電晶體的閘極連接，源極與第一金氧半導體場效電晶體的源極連接，閘極分別藉由第五電阻與第一金氧半導體場效電晶體的源極連接，藉由第六電阻與第三二極體的陰極連接，該第三二極體的陽極與第一金氧半導體場效電晶體的汲極連接。
較佳地，第三金氧半導體場效電晶體的閘極與第五電阻之間更連接有第一二極體組，該第一二極體組包括輸入端和輸出端，該輸入端與第五電阻和第六電阻連接的一端連接，輸出端與第三金氧半導體場效電晶體的閘極連接；第一二極體組由一二極體或至少兩個二極體依次串聯形成。
較佳地，第一自適應死帶控制子電路更包括第三三極體Q13，該第三三極體Q13為PNP三極體，其發射極與第三金氧半導體場效電晶體的閘極連接，集極與第三金氧半導體場效電晶體的源極連接，基極與第五電阻和第六電阻連接的一端連接。
較佳地，第二自適應死帶控制子電路包括第四金氧半導體場效電晶體、第四二極體、第七電阻和第八電阻，其中第四金氧半導體 場效電晶體的汲極與第二金氧半導體場效電晶體的閘極連接，源極與第二金氧半導體場效電晶體的源極連接，閘極分別藉由第七電阻與第二金氧半導體場效電晶體的源極連接，藉由第八電阻與第四二極體的陰極連接，該第四二極體的陽極與第二金氧半導體場效電晶體的汲極連接。
較佳地，第四金氧半導體場效電晶體的閘極與第七電阻之間更連接有第二二極體組，該第二二極體組包括輸入端和輸出端，該輸入端與第七電阻和第八電阻連接的一端連接，輸出端與第四金氧半導體場效電晶體的閘極連接；第二二極體組由一二極體或至少兩個二極體依次串聯形成。
較佳地，第二自適應死帶控制子電路更包括第四三極體Q14，該第四三極體Q14為PNP三極體，其發射極與第四金氧半導體場效電晶體的閘極連接，集極與第四金氧半導體場效電晶體的源極連接，基極與第七電阻和第八電阻連接的一端連接。
本發明藉由設置第一單向正電壓快速驅動電路和第二單向正電壓快速驅動電路，當驅動變壓器輸出正電壓驅動訊號至相應的驅動電路時，相應的驅動電路輸出正電壓驅動訊號；當驅動變壓器輸出負電壓驅動訊號時，相應的驅動電路輸出為零，並將對應的驅動變壓器繞組的電流限制在幾個毫安(milliampere)以下，以降低功耗和驅動延遲。 第一自適應死帶控制子電路實時檢測第一金氧半導體場效電晶體的Vds，並當第一金氧半導體場效電晶體的Vds低於其工作電壓時，該第一自適應死帶控制子電路不工作；當Vds等於工作電壓時，第一自適應死帶控制子電路檢測第一金氧半導體場效電晶體的體二極體的開通和反向恢復狀態，並調整相應驅動訊號的脈寬；同時設置第二自適應死帶控制子電路實時檢測第二金氧半導體場效電晶體的Vds，並當第二金氧半 導體場效電晶體的Vds低於其工作電壓時，該第二自適應死帶控制子電路不工作；當Vds等於工作電壓時，第二自適應死帶控制子電路檢測第二金氧半導體場效電晶體的體二極體的開通和反向恢復狀態，並調整相應驅動訊號的脈寬，從而實現自適應死帶(Bead Zone)調整。因此本發明提供的驅動變壓器隔離自適應驅動電路可減小驅動訊號的失真和延遲，根據變換器諧振腔內工作電流的大小和第一金氧半導體場效電晶體、第二場效應的體二極體的反向恢復特性，自適應地實時調整同一橋臂的上下金氧半導體場效電晶體的死帶時間，實現零電壓開關，降低開關損耗，提高效率，同時避免出現「直通現象」。
10‧‧‧第一單向正電壓快速驅動電路
20‧‧‧第二單向正電壓快速驅動電路
30‧‧‧第一自適應死帶控制子電路
40‧‧‧第二自適應死帶控制子電路
D1‧‧‧第一二極體
D2‧‧‧第二二極體
D3‧‧‧第三二極體
D4‧‧‧第四二極體
D11‧‧‧第一二極體組
D12‧‧‧第二二極體組
Q1‧‧‧第一金氧半導體場效電晶體
Q2‧‧‧第二金氧半導體場效電晶體
Q3‧‧‧第三金氧半導體場效電晶體
Q4‧‧‧第四金氧半導體場效電晶體
Q11‧‧‧第一三極體
Q12‧‧‧第二三極體
Q13‧‧‧第三三極體
Q14‧‧‧第四三極體
R1‧‧‧第一電阻
R2‧‧‧第二電阻
R3‧‧‧第三電阻
R4‧‧‧第四電阻
R5‧‧‧第五電阻
R6‧‧‧第六電阻
R7‧‧‧第七電阻
R8‧‧‧第八電阻
S1‧‧‧第一繞組
S2‧‧‧第二繞組
T1‧‧‧驅動變壓器
V1‧‧‧電源
第1圖為本發明之驅動變壓器隔離自適應驅動電路之第一實施例之電路圖；第2圖為本發明之驅動變壓器隔離自適應驅動電路之第二實施例之電路圖。
本發明目的的實現、功能特點及優點將結合實施例，參照附圖做進一步說明。
應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明，並不用於限定本發明。
參照第1圖，第1圖為本發明之驅動變壓器隔離自適應驅動電路之第一實施例之電路圖。
本實施例提供的一種驅動變壓器隔離自適應驅動電路包括：電源V1、第一金氧半導體場效電晶體Q1和第二金氧半導體場效電晶體Q2，第一金氧半導體場效電晶體Q1的汲極與電源V1的正極連接，源極與第二金氧半導體場效電晶體Q2的汲極連接；第二金氧半導體場效電晶體Q2的源極與電源V1的負極連接；驅動變壓器T1，其設有第一繞組S1和第二繞組S2；第一單向正電壓快速驅動電路10，其一端與第一繞組S1連接，另一端與第一金氧半導體場效電晶體Q1的閘極連接；第二單向正電壓快速驅動電路20，其一端與第二繞組S2連接，另一端與第二金氧半導體場效電晶體Q2的閘極連接；第一自適應死帶控制子電路30，其用於根據第一金氧半導體場效電晶體的汲極與源極之間的電壓輸出相應位準至第一金氧半導體場效電晶體Q1的閘極；第二自適應死帶控制子電路40，其用於根據第二金氧半導體場效電晶體Q2的汲極與源極之間的電壓輸出相應位準至第二金氧半導體場效電晶體Q2的閘極。
具體地說，上述第一單向正電壓快速驅動電路10包括第一電阻R1、第二電阻R2、第一二極體D1和第一三極體Q11，其中第一三極體Q11為PNP三極體，其基極與藉由第一電阻R1分別與第一繞組S1和第二電阻R2的一端連接，集極與第一繞組S1的另一端連接，發射極與第一二極體D1的陰極連接，且該第一二極體D1的陽極與第二電阻R2的另一端連接。
上述第二單向正電壓快速驅動電路20包括第三電阻R3、 第四電阻R4、第二二極體D2和第二三極體Q12，其中第二三極體Q12為PNP三極體，其基極與藉由第三電阻R3分別與第二繞組S2和第四電阻R4的一端連接，集極與第二繞組S2的另一端連接，發射極與第二二極體D2的陰極連接，且該第二二極體D2的陽極與第四電阻R4的另一端連接；第一繞組S1與第一電阻R1連接的一端和第二繞組S2與第二三極體Q12集極連接的一端為同名端。
上述第一自適應死帶控制子電路30包括第三金氧半導體場效電晶體Q3、第三二極體D3、第五電阻R5和第六電阻R6，其中第三金氧半導體場效電晶體Q3的汲極與第一金氧半導體場效電晶體Q1的閘極連接，源極與第一金氧半導體場效電晶體Q1的源極連接，閘極分別藉由第五電阻R5與第一金氧半導體場效電晶體Q1的源極連接，藉由第六電阻R6與第三二極體D3的陰極連接，該第三二極體D3的陽極與第一金氧半導體場效電晶體Q1的汲極連接。
上述第二自適應死帶控制子電路40包括第四金氧半導體場效電晶體Q4、第四二極體D4、第七電阻R7和第八電阻R8，其中第四金氧半導體場效電晶體Q4的汲極與第二金氧半導體場效電晶體Q2的閘極連接，源極與第二金氧半導體場效電晶體Q2的源極連接，閘極分別藉由第七電阻R7與第二金氧半導體場效電晶體Q2的源極連接，藉由第八電阻R8與第四二極體D4的陰極連接，該第四二極體D4的陽極與第二金氧半導體場效電晶體Q2的汲極連接。
本實施例中，金氧半導體場效電晶體內部設有體二極體，在金氧半導體場效電晶體導通前，首先導通其體二極體，且金氧半導體場效電晶體關斷時刻取決於體二極體的反向恢復特性及導通電流。上述第一金氧半導體場效電晶體Q1和第二金氧半導體場效電晶體Q2為位於 同一橋臂的上下管。
電路處於諧振工作狀態中，當第一金氧半導體場效電晶體Q1及其體二極體關斷，且第二金氧半導體場效電晶體Q2體二極體導通時，第二金氧半導體場效電晶體Q2的汲極與源極之間的電壓Vds為0V，從而使得第四金氧半導體場效電晶體Q4的閘極電壓為0V，該第四金氧半導體場效電晶體Q4截止，第二金氧半導體場效電晶體Q2可被第二繞組S2的高位準驅動訊號經第四電阻R4和第二二極體D2驅動該第二金氧半導體場效電晶體Q2導通。當第一金氧半導體場效電晶體Q1體二極體導通，且第二金氧半導體場效電晶體Q2及其體二極體關斷時，第二金氧半導體場效電晶體Q2的汲極與源極之間的電壓Vds為400V，從而使得第四金氧半導體場效電晶體Q4的閘極電壓等於第七電阻R7兩端的電壓，即第四金氧半導體場效電晶體Q4的閘極為高位準，進而使得第四金氧半導體場效電晶體Q4導通，因此第二金氧半導體場效電晶體Q2的閘極被第四金氧半導體場效電晶體Q4經第四電阻R4和第二二極體D2嵌位至零，從而而使得第二繞組S2的高位準訊號嵌位，而不能驅動第二金氧半導體場效電晶體Q2。即第二金氧半導體場效電晶體Q2餐盒組件的死帶時間被延長，驅動訊號脈寬被收窄。
當第二金氧半導體場效電晶體Q2及其體二極體關斷，且第一金氧半導體場效電晶體Q1體二極體導通時，第一金氧半導體場效電晶體Q1的汲極與源極之間的電壓Vds為0V，從而使得第三金氧半導體場效電晶體Q3的閘極電壓為0V，該第三金氧半導體場效電晶體Q3截止，第一金氧半導體場效電晶體Q1可被第一繞組S1的高位準驅動訊號經第二電阻R2和第一二極體D1驅動該第一金氧半導體場效電晶體Q1導通。當第二金氧半導體場效電晶體Q2體二極體導通，且第一金氧半導體場效電晶體Q1及其體二極體關斷時，第一金氧半導體場效電晶體Q1 的汲極與源極之間的電壓Vds為400V，從而使得第三金氧半導體場效電晶體Q3的閘極電壓等於第五電阻R5兩端的電壓，即第三金氧半導體場效電晶體Q3的閘極為高位準，進而使得第三金氧半導體場效電晶體Q3導通，因此第一金氧半導體場效電晶體Q1的閘極被第三金氧半導體場效電晶體Q3經第二電阻R2和第一二極體D1嵌位至零，從而使得第一繞組S1的高位準訊號嵌位，而不能驅動第一金氧半導體場效電晶體Q1。即第一金氧半導體場效電晶體Q1的死帶時間被延長，驅動訊號脈寬被收窄。
當第一繞組S1的高位準15V驅動訊號到達時，且第三金氧半導體場效電晶體Q3處於關斷狀態，驅動訊號經第二電阻R2和第一二極體D1驅動第一金氧半導體場效電晶體Q1導通。當第一繞組S1由高位準15V降低至低位準-15V時，第一三極體Q11將導通，並藉由第一電阻R1快速關斷第一金氧半導體場效電晶體Q1。應當說明的是，本實施例中可藉由調節第二電阻R2的阻值大小，從而調整第一金氧半導體場效電晶體Q1導通的速度；藉由調節第一電阻R1的阻值大小，從而調整第一金氧半導體場效電晶體Q1的關斷速度。
當第二繞組S2的高位準15V驅動訊號到達時，且第四金氧半導體場效電晶體Q4處於關斷狀態，驅動訊號經第四電阻R4和第二二極體D2驅動第二金氧半導體場效電晶體Q2導通。當第二繞組S2由高位準15V降低至低位準-15V時，第二三極體Q12將導通，並藉由第三電阻R3快速關斷第二金氧半導體場效電晶體Q2。應當說明的是，本實施例中可藉由調節第四電阻R4的阻值大小，從而調整第二金氧半導體場效電晶體Q2導通的速度；藉由調節第三電阻R3的阻值大小，從而調整第二金氧半導體場效電晶體Q2的關斷速度。
綜上所述，本發明藉由設置第一單向正電壓快速驅動電路和第二單向正電壓快速驅動電路，當驅動變壓器輸出正電壓驅動訊號至相應的驅動電路時，相應的驅動電路輸出正電壓驅動訊號；當驅動變壓器輸出負電壓驅動訊號時，相應的驅動電路輸出為零，並將對應的驅動變壓器繞組的電流限制在幾個毫安以下，以降低功耗和驅動延遲。第一自適應死帶控制子電路實時檢測第一金氧半導體場效電晶體的Vds，並當第一金氧半導體場效電晶體的Vds低於其工作電壓時，該第一自適應死帶控制子電路不工作；當Vds等於工作電壓時，第一自適應死帶控制子電路檢測第一金氧半導體場效電晶體的體二極體的開通和反向恢復狀態，並調整相應驅動訊號的脈寬；同時設置第二自適應死帶控制子電路實時檢測第二金氧半導體場效電晶體的Vds，並當第二金氧半導體場效電晶體的Vds低於其工作電壓時，該第二自適應死帶控制子電路不工作；當Vds等於工作電壓時，第二自適應死帶控制子電路檢測第二金氧半導體場效電晶體的體二極體的開通和反向恢復狀態，並調整相應驅動訊號的脈寬，從而實現自適應死帶調整。因此本發明提供的驅動變壓器隔離自適應驅動電路可減小驅動訊號的失真和延遲，根據變換器諧振腔內工作電流的大小和第一金氧半導體場效電晶體、第二場效應的體二極體的反向恢復特性，自適應地實時調整同一橋臂的上下金氧半導體場效電晶體的死帶時間，實現零電壓開關，降低開關損耗，餐盒組件提高效率，同時避免出現「直通現象」。
應當說明的是，上述電源V1為280-430V的直流電源。
進一步地，參照第2圖，第2圖為本發明之驅動變壓器隔離自適應驅動電路之第二實施例之電路圖。基於上述實施例，本實施例中，上述第三金氧半導體場效電晶體Q3的閘極與第五電阻R5之間更連接有第一二極體組D11，該組第一二極體組D11包括輸入端和輸出端， 該輸入端與第五電阻R5和第六電阻R6連接的一端連接，輸出端與第三金氧半導體場效電晶體Q3的閘極連接；第一二極體組D11由一二極體或至少兩個二極體依次串聯形成。上述第一自適應死帶控制子電路30更包括第三三極體Q13，該第三三極體Q13為PNP三極體，其發射極與第三金氧半導體場效電晶體Q3的閘極連接，集極與第三金氧半導體場效電晶體Q3的源極連接，基極與第五電阻R5和第六電阻R6連接的一端連接。
上述第四金氧半導體場效電晶體Q4的閘極與第七電阻R7之間更連接有第二二極體組D12，該第二二極體組D12包括輸入端和輸出端，該輸入端與第七電阻R7和第八電阻R8連接的一端連接，輸出端與第四金氧半導體場效電晶體Q4的閘極連接；第二二極體組D12由一二極體或至少兩個二極體依次串聯形成。上述第二自適應死帶控制子電路40更包括第四三極體Q14，該第四三極體Q14為PNP三極體，其發射極與第四金氧半導體場效電晶體Q4的閘極連接，集極與第四金氧半導體場效電晶體Q4的源極連接，基極與第七電阻R7和第八電阻R8連接的一端連接。
本實施例中，以兩個二極體組成第一二極體組D11為例作出詳細說明。例如第一二極體組包括前級二極體和後級二極體，前級二極體的陰極為上述輸出端，後級二極體的陽極為上述輸出端，且前級二極體的陽極與後級二極體的陰極連接。由於在第三金氧半導體場效電晶體Q3的閘極增加了第一二極體組D11，可適當提高第三金氧半導體場效電晶體Q3的閘極驅動的門檻電壓。例如第三金氧半導體場效電晶體Q3採用2V驅動的金氧半導體場效電晶體，此時則需要第五電阻R5兩端達到的3.4V以上的電壓才能驅動第三金氧半導體場效電晶體Q3導通。因此本發明可適當調整第一二極體組D11中二極體的數量，選擇不 同驅動電壓合適的金氧半導體場效電晶體，同時，可保證在開機和關機的過程中，相應金氧半導體場效電晶體不工作，從而提高了電路的實用性。可以理解的是，上述第二二極體組D12的原理與第一二極體組D11的原理一致在此不再贅述。
以上僅為本發明的較佳實施例，並非因此限制本發明的專 利範圍，凡是利用本發明之說明書及圖式內容所作的等效結構或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關的技術領域，均同理包括在本發明的專利保護範圍內。
10‧‧‧第一單向正電壓快速驅動電路
20‧‧‧第二單向正電壓快速驅動電路
30‧‧‧第一自適應死帶控制子電路
40‧‧‧第二自適應死帶控制子電路
D1‧‧‧第一二極體
D2‧‧‧第二二極體
D3‧‧‧第三二極體
D4‧‧‧第四二極體
Q1‧‧‧第一金氧半導體場效電晶體
Q2‧‧‧第二金氧半導體場效電晶體
Q3‧‧‧第三金氧半導體場效電晶體
Q4‧‧‧第四金氧半導體場效電晶體
Q11‧‧‧第一三極體
Q12‧‧‧第二三極體
R1‧‧‧第一電阻
R2‧‧‧第二電阻
R3‧‧‧第三電阻
R4‧‧‧第四電阻
R5‧‧‧第五電阻
R6‧‧‧第六電阻
R7‧‧‧第七電阻
R8‧‧‧第八電阻
S1‧‧‧第一繞組
S2‧‧‧第二繞組
T1‧‧‧驅動變壓器
V1‧‧‧電源

Claims (9)

  1. 一種驅動變壓器隔離自適應驅動電路，其包括：電源、第一金氧半導體場效電晶體和第二金氧半導體場效電晶體，第一金氧半導體場效電晶體的汲極與該電源的正極連接，源極與該第二金氧半導體場效電晶體的汲極連接；該第二金氧半導體場效電晶體的源極與該電源的負極連接；驅動變壓器，其設有第一繞組和第二繞組；第一單向正電壓快速驅動電路，其一端與該第一繞組連接，另一端與該第一金氧半導體場效電晶體的閘極連接；第二單向正電壓快速驅動電路，其一端與該第二繞組連接，另一端與該第二金氧半導體場效電晶體的閘極連接；第一自適應死帶控制子電路，其用於根據該第一金氧半導體場效電晶體的汲極與源極之間的電壓輸出相應位準至該第一金氧半導體場效電晶體的閘極；第二自適應死帶控制子電路，其用於根據該第二金氧半導體場效電晶體的汲極與源極之間的電壓輸出相應位準至該第二金氧半導體場效電晶體的閘極。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之驅動變壓器隔離自適應驅動電路，其中該第一單向正電壓快速驅動電路包括第一電阻、第二電阻、第一二極體和第一三極體(Q11)，其中第一三極體(Q11)為PNP三極體，其基極與藉由第一電阻分別與該第一繞組和第二電阻的一端連接，集極與該第一繞組的另一端連接，發射極與該第一二極體的陰極連接，且該第一二極體的陽極與該第二電阻的另一端連接。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之驅動變壓器隔離自適應驅動電路，其中該第二單向正電壓快速驅動電路包括第三電阻、第四電阻、第二二極體和第二三極體(Q12)，其中第二三極體(Q12)為PNP三極體，其基極與藉由第三電阻分別與該第二繞組和第四電阻的一端連接，集極與該第二繞組的另一端連接，發射極與該第二二極體的陰極連接，且該第二二極體的陽極與該第四電阻的另一端連接；該第一繞組與該第一電阻連接的一端和該第二繞組與該第二三極體(Q12)集極連接的一端為同名端。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之驅動變壓器隔離自適應驅動電路，其中該第一自適應死帶控制子電路包括第三金氧半導體場效電晶體、第三二極體、第五電阻和第六電阻，其中第三金氧半導體場效電晶體的汲極與該第一金氧半導體場效電晶體的閘極連接，源極與該第一金氧半導體場效電晶體的源極連接，閘極分別藉由第五電阻與該第一金氧半導體場效電晶體的源極連接，藉由第六電阻與該第三二極體的陰極連接，該第三二極體的陽極與該第一金氧半導體場效電晶體的汲極連接。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之驅動變壓器隔離自適應驅動電路，其中該第三金氧半導體場效電晶體的閘極與該第五電阻之間更連接有第一二極體組，該第一二極體組包括輸入端和輸出端，該輸入端與該第五電阻和第六電阻連接的一端連接，輸出端與該第三金氧半導體場效電晶體的閘極連接；該第一二極體組由一二極體或至少兩個二極體依次串聯形成。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之驅動變壓器隔離自適應驅動電路，其中該第一自適應死帶控制子電路更包括第三三極體(Q13)，該第三三極體(Q13)為PNP三極體，其發射極與該第三金氧半導體場效電晶體的閘極連接，集極與該第三金氧半導體場效電晶體的源極連接，基極與該第五電阻和第六電阻連接的一端連接。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之驅動變壓器隔離自適應驅動電路，其中該第二自適應死帶控制子電路包括第四金氧半導體場效電晶體、第四二極體、第七電阻和第八電阻，其中第四金氧半導體場效電晶體的汲極與該第二金氧半導體場效電晶體的閘極連接，源極與該第二金氧半導體場效電晶體的源極連接，閘極分別藉由第七電阻與該第二金氧半導體場效電晶體的源極連接，藉由第八電阻與該第四二極體的陰極連接，該第四二極體的陽極與該第二金氧半導體場效電晶體的汲極連接。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之驅動變壓器隔離自適應驅動電路，其中該第四金氧半導體場效電晶體的閘極與該第七電阻之間更連接有第二二極體組，該第二二極體組包括輸入端和輸出端，該輸入端與該第七電阻和第八電阻連接的一端連接，輸出端與該第四金氧半導體場效電晶體的閘極連接；該第二二極體組由一二極體或至少兩個二極體依序串聯形成。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之驅動變壓器隔離自適應驅動電路，其中該第二自適應死帶控制子電路更包括第四三極體(Q14)，該第四三極體(Q14)為PNP三極體，其發 射極與該第四金氧半導體場效電晶體的閘極連接，集極與該第四金氧半導體場效電晶體的源極連接，基極與該第七電阻和第八電阻連接的一端連接。
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