TWI595974B - A jet processing apparatus for processing a peripheral portion of a substrate, and a jet processing method using the apparatus - Google Patents

A jet processing apparatus for processing a peripheral portion of a substrate, and a jet processing method using the apparatus Download PDF

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TWI595974B
TWI595974B TW102130092A TW102130092A TWI595974B TW I595974 B TWI595974 B TW I595974B TW 102130092 A TW102130092 A TW 102130092A TW 102130092 A TW102130092 A TW 102130092A TW I595974 B TWI595974 B TW I595974B
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Kazuyoshi Maeda
Norihito Shibuya
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Sintokogio Ltd
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Description

加工基板周緣部之噴射加工裝置、及使用此裝置之噴射加工方法
本發明係關於一種用於去除於基材之表面形成有薄膜層之基板中之該基板周緣部之薄膜層的加工裝置即噴射加工裝置、及使用此噴射加工裝置之基板之加工方法。
於基材之表面形成薄膜層時，有基板周緣部之薄膜層之厚度較中間部厚之情況、或薄膜層到達背面之情況。
以薄膜太陽電池板為例進行說明。薄膜太陽電池板中，透明電極層、半導體層、金屬層等積層而成之薄膜層形成於玻璃等透光性基板之表面。積層步驟例如藉由氣相反應而進行，但此時有上述薄膜層經由周緣部而到達背面之情況。太陽電池模組追求正面與背面之間之絕緣性。因此，由本案發明者等人提出有用以藉由利用噴射加工技術去除薄膜太陽電池板之周緣部之薄膜層而提高上述絕緣性之裝置。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]WO2011/152073號說明書
專利文獻1中記載之裝置可去除太陽電池板之周緣部之薄膜層。然而，於急需設置太陽電池作為環境負荷較小之發電裝置之現狀下， 追求可進一步提高生產性之加工裝置。
本發明係一種噴射加工裝置，其特徵在於：其係用以於表面形成有薄膜層之基板中去除基板周緣部之薄膜層者，且包括：基板周緣部加工機構，其包含形成有將上述基板周緣部鬆弛***之基板鬆弛***部之基板周緣部加工室、配置為前端***於上述基板周緣部加工室之內部並對鬆弛***於上述基板鬆弛***部之上述基板周緣部噴射噴射材之噴嘴、與上述噴嘴連通並配置於該噴嘴之上方之噴射材供給機構、及與上述基板周緣部加工室連通之集塵機構；基板移動旋轉機構，其包含載置上述基板並使該基板相對於上述噴嘴相對地進行水平移動且使上述基板旋轉之機構；基板搬送機構，其將上述基板搬送至上述基板移動旋轉機構之初始停止位置之上方；及升降機構，其用於使上述基板搬送機構下降而將上述基板轉置於基板移動旋轉機構。
本發明之噴射加工裝置中，使基板相對於噴嘴相對地進行水平移動之基板移動旋轉機構配置於較先前之加工裝置(於以下之說明中，只要無特別說明，則「先前之加工裝置」係指專利文獻1之加工裝置)低之位置。即，與先前之加工裝置相比，基板移動旋轉機構之重心變低，因此即便於為提高生產性而使基板之水平移動之速度上升之情形時，亦可無振動且穩定地進行移動。如上所述，根據本發明，即便於加快加工速度之情形時亦可穩定地進行噴射加工，從而可去除基板周緣部之薄膜層。
又，本發明之噴射加工裝置之特徵在於，上述噴嘴為藉由於該噴嘴內部產生之抽吸力而抽吸噴射材之構造者。
本發明之噴射加工裝置與先前之加工裝置相比，噴嘴配置於較低之位置，因此噴嘴與噴射材供給機構之間之距離變長，故而抽吸噴射材之抽吸力變小。即，自噴射噴嘴噴射氣固兩相流之噴射力相對地 變大，因此加工能力提高。
又，本發明之噴射加工裝置之特徵亦可在於，上述噴嘴為如下構造者：包含噴射壓縮空氣之空氣噴嘴、設有供給噴射材之噴射材供給路徑且於內部設有與上述供給路徑連通之混合室之噴嘴座、及與上述混合室連通並且設於上述空氣噴嘴之延長方向之噴射噴嘴；且藉由於上述混合室內產生之抽吸力而抽吸噴射材。
本發明之構造之噴嘴為如下構造：藉由自空氣噴嘴噴射之壓縮空氣而於噴嘴座內之混合室內產生負壓，藉由該負壓而將噴射材抽吸至混合室，於該混合室形成氣固兩相流，並自噴射噴嘴噴射該氣固兩相流。該噴嘴可連續噴射噴射材，因此生產性較好。
又，於本發明記載之噴射加工裝置中，上述噴射材供給機構亦可進而包含用於將預先設定之量之噴射材連續供給至上述噴嘴之定量供給機構。由此可進行穩定之噴射加工，因此不會由於加工不足而產生不良品。
又，於本發明記載之噴射加工裝置中，亦可進而包括鄰接於上述基板周緣部加工機構之清潔機構。
由此，即便藉由基板周緣部加工機構未抽吸幹凈而於基板表面附著有噴射材，亦可藉由上述清潔機構予以去除。
又，於本發明記載之噴射加工裝置中之上述清潔機構亦可包含：與上述基板之表面不接觸地對向配置、且下端開口之殼體；前端***於上述殼體之內部而配置，並向上述基板噴射壓縮空氣之清潔噴嘴；及設於上述殼體、並與集塵機構連通之抽吸構件。藉由自上述清潔噴嘴噴射之壓縮空氣而使附著於基板表面之含有噴射材之微粉末剝離。剝離之微粉末漂浮於殼體內之空間。抽吸構件與抽吸機構連結，藉由該抽吸機構對殼體內之空間進行抽吸。藉此，可去除附著(殘留)於基板表面之噴射材。
又，於本發明記載之噴射加工裝置中，亦可進而包括自外側包圍上述基板周緣部加工機構、上述基板移動旋轉機構、及上述基板搬送機構之框體。上述基板搬送機構亦可進而具備：將上述基板搬入上述框體內之功能、及將去除上述基板周緣部之薄膜層後之基板搬出至上述框體之外部之功能。由此，與先前之加工裝置相比基板搬送機構變少，因此可廉價地製造裝置。
又，於本發明記載之噴射加工裝置中，亦可進而包括用於使被搬送至上述基板移動旋轉機構之上方之基板於特定之位置停止之定位機構。藉由此種定位機構而可精度良好地加工上述基板。
又，於本發明記載之噴射加工裝置中，亦可包括一對上述基板周緣部加工機構，該基板周緣部加工機構係使各自之上述基板鬆弛***部彼此相向且隔開特定之間隔而配置。由於可同時加工上述基板之彼此平行地對向之兩邊之基板周緣部，故而可縮短加工時間。
又，於本發明記載之噴射加工裝置中，亦可配置有基板中間部加工機構，該基板中間部加工機構包含：與上述基板之表面對向地配置且下端開口之飛散防止罩、配置為前端***於上述飛散防止罩之內部並對除上述基板周緣部以外之部分噴射噴射材之噴嘴、及設於上述飛散防止罩並與上述集塵機構連結之抽吸構件。飛散防止罩與集塵機構藉由抽吸構件而連通。藉由自噴嘴噴射出之噴射材而去除除基板周緣部以外之部位(基板中間部)之薄膜層。噴射材或微粒子(由於與被去除之薄膜層或基板碰撞而成為無法再使用之大小之噴射材)等粉塵於飛散防止罩內由集塵機構抽吸。如此，可藉由該基板中間部加工機構而去除基板之內側之薄膜層。藉由自經該基板中間部加工機構去除之部分之中心切斷該基板，而可獲得複數片經去除周緣部之基板。
又，於本發明記載之噴射加工裝置中，藉由上述噴射加工裝置進行加工之基板亦可為於透光性基材(玻璃或樹脂(例如聚對苯二甲酸 乙二酯樹脂)等)之平面上積層有用於形成薄膜太陽電池板之薄膜層(透明電極層、光半導體層、金屬層等)的薄膜太陽電池板。藉由本發明之噴射加工裝置，可獲得正面與背面之絕緣特性優異之太陽電池板。
又，本發明係一種噴射加工方法，其特徵在於：其係用於藉由噴射加工裝置而去除基板周緣部之薄膜層者，且包括：藉由上述基板搬送機構將上述基板搬送至上述基板移動旋轉機構之上方之步驟；用於使被搬送至上述基板移動旋轉機構之上方之基板於特定之位置停止之定位步驟；將上述基板搬送機構下降而將上述基板轉置於上述基板移動旋轉機構，並且將該基板固定於基板移動旋轉機構之步驟；將上述基板移動旋轉機構水平移動而將上述基板周緣部之至少一邊鬆弛***於上述基板周緣部加工機構之基板鬆弛***部之步驟；及一邊使上述基板移動旋轉機構進一步水平移動一邊自上述噴嘴噴射噴射材，而去除鬆弛***於上述基板鬆弛***部之上述基板周緣部之薄膜層，並且藉由上述集塵機構抽吸該噴射材之步驟。
又，於本發明記載之噴射加工方法中，亦可進而包括：於去除上述基板周緣部之至少一邊之薄膜層後，藉由上述基板移動旋轉機構使該基板旋轉90度之步驟；將上述基板移動旋轉機構移動而將上述基板之與經去除薄膜層之周緣部之邊鄰接之至少一邊分別鬆弛***於上述基板鬆弛***部之步驟；及一邊將上述基板移動旋轉機構進一步水平移動一邊自上述噴嘴噴射噴射材，而去除鬆弛***於該基板鬆弛***部之周緣部之薄膜層，並且藉由上述集塵機構抽吸該噴射材之步驟。
根據本發明之噴射加工方法，使基板相對於噴嘴相對地進行水平移動之基板移動旋轉機構配置於較先前之加工裝置低之位置。即，基板移動旋轉機構之重心變低，因此即便於為提高生產性而使基板之水平移動之速度上升之情形時，亦可無振動且穩定地進行移動。如上所述，根據本發明，即便於加快加工速度之情形時亦可穩定地進行噴 射加工，從而可去除基板周緣部之薄膜層。
又，本發明係一種噴射加工方法，其特徵在於：其係用於藉由噴射加工裝置而去除基板周緣部之薄膜層者，且包括：將上述基板搬送至上述基板移動旋轉機構之上方之步驟；用於使經上述基板搬送機構搬送至基板移動旋轉機構之上方之基板於特定之位置停止之定位步驟；將上述基板搬送機構下降而將上述基板轉置於上述基板移動旋轉機構，並且將該基板固定於基板移動旋轉機構之步驟；將上述基板移動旋轉機構水平移動而將上述基板之作為相對向之周緣部之第一加工邊分別鬆弛***於上述基板鬆弛***部之步驟；一邊將上述基板移動旋轉機構進一步水平移動一邊自上述噴嘴噴射噴射材，而去除上述第一加工邊之薄膜層，並且藉由上述集塵機構抽吸於上述基板周緣部加工機構之內部產生之粉塵之步驟。
又，亦可進而包括：藉由上述基板移動旋轉機構使經去除上述第一加工邊之薄膜層之基板旋轉90度之步驟；將上述基板移動旋轉機構水平移動而將與第一加工邊鄰接之第二加工邊分別鬆弛***於上述基板周緣部加工機構之基板鬆弛***部之步驟；一邊將上述基板移動旋轉機構進一步水平移動一邊自上述噴嘴噴射噴射材，而去除上述第二加工邊之薄膜層，並且藉由上述集塵機構抽吸於上述基板周緣部加工機構之內部產生之粉塵之步驟。由於可同時去除相對向且平行之兩邊之周緣部之不需要的薄膜層，故而可短時間內去除基板周緣部之薄膜層。
根據本發明，可獲得與先前之加工裝置相比加工時間較短且生產性提高之噴射加工裝置及噴射加工方法。
10‧‧‧噴射加工裝置
11‧‧‧框體
11a‧‧‧基板搬入口
11b‧‧‧基板搬出口
12‧‧‧基板周緣部加工機構
12a‧‧‧上部殼體
12b‧‧‧下部殼體
12c‧‧‧抽吸構件
12d‧‧‧間隔件
12e‧‧‧基板鬆弛***部
12f‧‧‧噴嘴固定構件
13‧‧‧清潔機構
13a‧‧‧殼體
13b‧‧‧清潔噴嘴
13c‧‧‧抽吸構件
14‧‧‧基板搬送機構
14a‧‧‧搬送輥
14b‧‧‧架台
14c‧‧‧輥構件
14d‧‧‧軸
14e‧‧‧軸承
15‧‧‧升降機構
16‧‧‧定位機構
16a‧‧‧第一固定構件
16b‧‧‧第二固定構件
16c‧‧‧調整構件
16d‧‧‧調整機構
17‧‧‧基板移動旋轉機構
17a‧‧‧載置台
17b‧‧‧移行機構
17c‧‧‧轉動機構
18‧‧‧噴射材供給機構
18a‧‧‧料斗
18b‧‧‧定量供給機構
19‧‧‧基板中間部加工機構
19a‧‧‧飛散防止罩
19b‧‧‧噴嘴
19c‧‧‧抽吸構件
F1、F2‧‧‧凸緣部
H‧‧‧軟管
M‧‧‧加工區域
N‧‧‧噴嘴
Na‧‧‧空氣噴嘴
Nb‧‧‧噴射噴嘴
Nc‧‧‧噴嘴座
Nd‧‧‧噴射材供給路徑
Ne‧‧‧混合室
S‧‧‧基板
S'‧‧‧(切斷後之)基板
U‧‧‧基板周緣部加工單元
U'‧‧‧基板中間部加工單元
圖1係對本發明之第一實施形態進行說明之說明圖。圖1(A)為俯 視剖面圖，圖1(B)為前視剖面圖。
圖2係表示本發明之第一實施形態中之基板周緣部加工機構之說明圖。圖2(A)為側視圖，圖2(B)為俯視圖，圖2(C)為用於對基板周緣部加工機構之構成進行說明之模式圖，圖2(D)為圖2(B)之縱剖面圖。
圖3係表示本發明之第一實施形態中之噴嘴之說明圖。圖3(A)為前視圖，圖3(B)為圖3(A)中之A-A剖面圖。
圖4係對本發明之第一實施形態中之清潔機構進行說明之前視剖面圖。
圖5係用於對本發明之第一實施形態中之加工基板之步驟進行說明之說明圖。圖5(A)係表示步驟1之自前視方向觀察之剖面圖，圖5(B)係表示步驟2之自前視方向觀察之剖面圖。
圖6係用於對本發明之第一實施形態中之加工基板之步驟進行說明之說明圖。圖6(A)係表示步驟3之自前視方向觀察之剖面圖，圖6(B)係表示步驟4之自前視方向觀察之剖面圖。
圖7係用於對本發明之第一實施形態中之加工基板之步驟進行說明之說明圖。圖7(A)係表示步驟5之自前視方向觀察之剖面圖，圖7(B)係表示步驟6之自前視方向觀察之剖面圖。
圖8係表示本發明之第二實施形態中之基板中間部加工機構之說明圖。圖8(A)係對基板中間部加工機構進行說明之前視剖面圖，圖8(B)係對配置有基板中間部加工機構之噴射加工裝置進行說明之俯視剖面圖。
圖9(A)~(D)係對藉由本發明之第二實施形態之噴射加工裝置加工之基板之狀態進行說明之說明圖。
參照圖對本發明之噴射加工裝置之一例進行說明。又，只要無特別說明，實施形態之說明中之「上下左右方向」係指圖中之方向。
如圖1(A)及圖1(B)所示，第一實施形態之噴射加工裝置10具備：一對基板周緣部加工單元U、基板搬送機構14、升降機構15、定位機構16、基板移動旋轉機構17、噴射材供給機構18、自外側將其等包圍之框體11、及控制該等機構等之動作之控制器件(未圖示)。基板周緣部加工單元U包括基板周緣部加工機構12、及與該基板周緣部加工機構12之左右(基板S之行進方向)鄰接之清潔機構13。又，於框體11上，於該圖之上部及下部之壁面，分別形成有用於將基板S搬入噴射加工裝置10內之開口部即基板搬入口11a、及用於將噴射加工結束之基板S自噴射加工裝置10搬出之開口部即基板搬出口11b。
如圖2所示，基板周緣部加工機構12具備基板周緣部加工室、及向基板S噴射噴射材之噴嘴N，上述基板周緣部加工室具備底面開放之箱體即上部殼體12a、上表面開放且橫截面之截面積自上端部朝向下方而縮小之中空之下部殼體12b、與上述下部殼體12b之底部連結之中空之抽吸構件12c、及用於將上述上部殼體12a與上述下部殼體12b隔開間隔地連結之間隔件12d。上部殼體12a之下端面與下部殼體12b之上端面形狀相同，並隔開配置。
於上部殼體12a之下端及下部殼體12b之上端，分別設有字狀且形狀大致相同之凸緣部F1、F2。又，上述間隔件12d之上端面及下端面與上述凸緣F1、F2形狀大致相同。藉由經由上述間隔件12d將上述凸緣F1、F2連結，而將上部殼體12a與下部殼體12b連結，並且形成供基板S之周緣部鬆弛***之基板鬆弛***部12e。上述基板鬆弛***部12e之間隔(圖2(A)之上下方向之長度)必須以於鬆弛***基板S時，在基板S與開口端之間至少形成上下方向之適度之間隙的方式進行選擇。即，使基板S不與基板鬆弛***部接觸。若間隙過小，則有基板S與開口端接觸，而基板S受損之虞。若間隙過大，則抽吸外部空氣之風速變小，因此無法充分抽吸粉塵(自噴嘴N噴射之噴射材及由於噴射 材碰撞基板S而產生之基板S之切削粉等微粒子)。其結果，該粉塵向基板周緣部加工機構12外漏出。上述基板鬆弛***部12e之間隔由間隔件12d之厚度決定，因此可根據基板S之厚度適當地選擇該間隔件12d之厚度。於本實施形態中，以基板S之正面及背面、與上述基板鬆弛***部12e之端面之間隔為1.0~5.0mm之方式選擇間隔件。
噴嘴N係使下端即噴射口***於上述上部殼體12a之內部而固定。又，於抽吸構件12c連結有用於抽吸並回收於基板周緣部加工機構12之內部產生之粉塵之集塵機構(未圖示)。粉塵係經由抽吸構件12c藉由上述集塵機構抽吸並回收。藉由上述集塵機構之抽吸力而自上述基板鬆弛***部12e抽吸外部空氣，因此於該基板鬆弛***部12e附近產生自外部向內部流動之氣流。藉此，粉塵不會自該基板鬆弛***部12e向基板周緣部加工機構12之外部漏出。
噴嘴N之噴射口之形狀並無特別限定，藉由形成為矩形並以長邊與基板S之加工邊正交之方式配置，可擴大加工區域M之寬度。於基板周緣部加工機構12之內部，產生向抽吸構件12c之方向流動之氣流，因此，藉由使噴射材自噴嘴N之噴射方向以朝向基板周緣部側之方式傾斜，而可利用抽吸構件12c效率良好地抽吸粉塵。關於該角度，使噴嘴N之中心線相對於基板S而為30~70度即可。於將噴嘴N傾斜配置之情形時，設置可將噴嘴N傾斜固定之構件即可。例如圖2所示，亦可使用具有特定角度之斜面之三角柱形狀之噴嘴固定構件12f、或五邊形等多邊形固定構件等。
噴嘴N之構造並無特別限定，設為利用於噴嘴N之內部產生之負壓抽吸噴射材並且於內部與壓縮空氣混合而作為氣固兩相流自噴射口噴射之構造即可。作為具體例，如圖3所示，噴嘴N具備：用於向噴嘴N導入壓縮空氣之空氣噴嘴Na、用於噴射作為氣固兩相流之噴射材之噴射噴嘴Nb、及將上述空氣噴嘴Na自上端***並嵌合且於下端連 結上述噴射噴嘴Nb之噴嘴座Nc。空氣噴嘴Na為兩端開口之中空形狀，且內徑朝向壓縮空氣流動之方向(圖3下方)而變小。噴射噴嘴Nb設有自上端朝向下端為相同形狀之流路截面。噴嘴座Nc之內部亦可為設有混合室Ne及與該混合室Ne連通之噴射材供給路徑(供給孔)Nd之構成。
噴射材供給路徑Nd經由軟管H而與配置於噴嘴N之上方之噴射材供給機構18連結。噴射材供給機構18具備：貯存噴射材之料斗18a、及用於自該料斗連續取出(切出)特定量之定量供給機構18b。若可僅藉由料斗18a穩定地取出特定量之噴射材，則亦可不設置定量供給機構18b。定量供給機構18b可選自台式給料器(table feeder)或螺旋給料器(screw feeder)等公知之方法。於本實施形態中，使用螺旋給料器。
於上述空氣噴嘴Na之上端，經由軟管(未圖示)而連結有壓縮空氣供給機構(未圖示)。若使該壓縮空氣供給機構作動而向噴嘴N之內部之空間即混合室Ne噴射壓縮空氣，則於混合室Ne產生負壓。自配置於噴嘴N之上方之上述噴射材供給機構18取出之噴射材藉由上述負壓而通過噴射材供給路徑Nd被抽吸至混合室Ne。所抽吸之噴射材於該混合室Ne與壓縮空氣混合，並作為氣固兩相流自噴射噴嘴Nb噴射。
噴射噴嘴Nb之下端即噴射口之形狀可為圓形亦可為矩形。於本實施形態中，使噴射口之形狀為長方形，並以長邊位於與加工邊正交之方向之方式而配置。藉此，可加工較寬之寬度。
關於將噴射材貯存於加壓罐並藉由對該加壓罐加壓而將噴射材供給至噴嘴之機構之噴射加工裝置(所謂之加壓式)，可連續進行噴射加工之時間受加壓罐之容量限制。與此相對，使用本實施形態之噴嘴N之噴射加工裝置不需要上述加壓罐，而可於大氣壓下貯存噴射材並供給至噴嘴N。噴射出之噴射材可如後所述般藉由分離機構分離而再次使用(噴射)。即，可循環噴射噴射材，因此可連續進行噴射加工。 又，可藉由上述噴射材供給機構18穩定且連續地供給特定量之噴射材，因此可進行穩定之噴射加工。又，於本實施形態中，可將噴嘴N配置於較先前之噴射加工裝置低之位置，因此與先前之噴射加工裝置相比加工能力較高。自空氣噴嘴Na被供給至噴嘴N之內部之壓縮空氣之壓力被分解為自噴射噴嘴Nb之噴射力與噴射材之抽吸力之產生力。若將噴射材供給機構18配置於噴嘴N之上方，且延長該噴射材供給機構18與噴嘴N之距離，則噴射材之抽吸力變小。其結果，自噴射噴嘴Nb之噴射力增大，因此加工能力提高。
以可良好地去除不需要之薄膜層且不損傷除此以外之部分之薄膜層之方式選擇噴射材及噴射壓力。噴射材只要為通常用於噴射加工者，則並無特別限定。例如，可選自陶瓷系之磨粒或砂粒(氧化鋁系、碳化矽系、氧化鋯系等)、金屬系之丸粒、切丸或砂粒(鐵系、不鏽鋼系、非鐵系等)、玻璃系之珠粒或粉末、樹脂系之丸粒(尼龍樹脂、三聚氰胺樹脂、脲樹脂等)、及植物系之丸粒(核桃、桃、杏等)。又，關於噴射材之粒徑，只要可無脈動等且穩定地自噴嘴N噴射即可，例如可選自0.01~0.6mm、較理想為0.02~0.06mm之範圍。噴射壓力可選自0.2~0.8MPa、較理想為0.3~0.6MPa之範圍。
以供基板S之相對向之兩邊(圖1(A)中之上下之邊)鬆弛***之方式配置有兩台該基板周緣部加工機構12。具體而言，基板周緣部加工機構12之基板鬆弛***部12e以彼此相對之方式配置。於基板周緣部加工機構12，連結有用於配合基板S之尺寸而調整基板周緣部加工機構12彼此之間隔之間隔調整機構(未圖示)，可藉由該間隔調整機構使基板周緣部加工機構12沿圖1(A)之上下方向移動。
使用圖4進一步對與基板周緣部加工機構12連結之清潔機構13進行說明。於圖4中，基板S之行進方向為左右方向。清潔機構13具備：下端開口之箱體即殼體13a、配置於頂面之中央部之清潔噴嘴13b、及 兩端開口之圓筒形狀之抽吸構件13c。清潔噴嘴13b與上述壓縮空氣供給機構連結，下端(前端)即噴射口***於上述殼體13a之內部而固定。上述抽吸構件13c以其一端位於上述清潔噴嘴13b之左右(即，基板S之行進方向)之方式與上述殼體13a之頂面連結，另一端經由軟管而與集塵機構連結。藉此，上述殼體13a之內側空間與集塵機構連通。
清潔機構13係以於基板S於下方通過時在殼體13a之下端與該基板S之間形成適度之間隙之方式而配置。於附著有粉塵之基板S於清潔機構13之下方通過時，自清潔噴嘴13b向該基板S吹送壓縮空氣而使粉塵自基板S之表面脫離並升起，並且藉由利用抽吸構件13c抽吸該粉塵，而去除基板S表面之粉塵。於殼體13a之下端部附近，自設於殼體13a與基板S之間之間隙抽吸外部空氣，故而產生自該殼體13a之外側向內側流動之氣流。因此，粉塵不會向清潔機構13之外部漏出。但，若殼體13a之下端與基板S之間隙過小，則有基板S與殼體13a之下端接觸，而基板S受損之虞。若間隔過大，則抽吸外部空氣之風速變小，因此無法充分抽吸飛散於清潔機構13之內部之粉塵。其結果，該粉塵向上述清潔機構13之外部漏出。因此，上述間隙必須設定於基板S不與殼體13a接觸且無損抽吸力之範圍。於本實施形態中，以基板S之表面與上述殼體13a之下端之間隔(間隙)成為0.5~4.5mm之方式進行設定。
為效率良好地去除附著於基板S之表面之粉塵，亦可與壓縮空氣一併地自清潔噴嘴13b噴射減弱附著力之物質(少許水分、靜電去除劑、離子或自由基等)。或者，亦可自清潔噴嘴13b吹送高速脈衝空氣(超音波鼓風)。於本實施形態中使用超音波鼓風。
清潔噴嘴13b之噴射口之形狀並無特別限定，可適當地選擇圓形或矩形等。
基板搬送機構14具備：彼此等間隔且平行地排列配置之複數個搬送輥14a、及支持該搬送輥14a之架台14b。搬送輥14a具備：用於搬送基板S之輥構件14c、及成為該輥構件14c之旋轉軸之軸14d。輥構件14c除配置於最外部者以外，沿軸14d之長度方向以特定之間隔而設置。又，輥構件14c除配置於最外部者以外，以鄰接之搬送輥14a之輥構件14c相對於搬送方向(於圖1(A)中為下方向)成為鋸齒狀之方式而配置。藉由將輥構件14c配置為鋸齒狀，搬送基板S時之直行性提高。
各搬送輥14a之軸14d經由軸承14e而可旋轉地支持於架台14b。又，上述軸14d與馬達等旋轉機構(未圖示)連結。藉由使上述旋轉機構旋轉而可旋轉驅動搬送輥14a(於圖1(A)中為上表面向下方向旋轉)，因此可藉由輥構件14c將搬送力傳遞至基板S而進行搬送。
輥構件14c中之與基板S抵接並向該基板S傳遞搬送力之抵接構件較佳為使用獨立氣泡構造之胺基甲酸酯樹脂，進而較佳為將該胺基甲酸酯樹脂之硬度設為JIS-A中50~60(於JIS K6253中之規定)左右之硬度。例如於基板S為玻璃或樹脂等易損傷之材質之情形時，若粉塵進入基板S與搬送輥14c之間，則於搬送基板S時會由於上述粉塵而損傷基板S。如上所述，若使抵接構件為獨立氣泡構造之胺基甲酸酯樹脂，則即便粉塵進入基板S與搬送輥14c之間，亦可防止將粉塵過度按壓於基板S之情況，因此可防止基板S受損。
於架台14b連結有升降機構15，可藉由該升降機構15而使搬送輥14a升降(於圖1(A)中為相對於紙面為鉛垂方向，於圖1(B)中為上下方向)。升降機構可選自以油壓、氣壓或電氣進行驅動之缸體、具備滾珠螺桿或皮帶等之電動滑塊、齒條小齒輪等公知之方法。於本實施形態中，使用藉由氣壓進行驅動之缸體(氣缸)。
定位機構16具備：相對於搬送之基板S而配置於搬送方向側(於圖1(A)中為下方)之第一固定構件16a、配置於與搬送方向側之邊鄰接之 一側之邊側(於圖1(A)中為左方)之第二固定構件16b、及配置於另一邊(於圖1(A)中為右方向)之調整構件16c。第一固定構件16a固定於設定基板S之下邊之位置的位置，第二固定構件16b固定於設定基板S之左邊之位置的位置。調整構件16c與前進機構16d連結，可藉由該前進機構16d而向該圖之左方向前進。自基板搬入口11a鬆弛***並與搬送輥14a之上表面接觸之基板S藉由基板搬送機構14而向圖1(A)中之下方搬送。若被搬送至特定之位置，則基板S之下邊會碰撞第一固定構件16a，藉此不會進一步前進。繼而，調整構件16c向左方前進並與基板S之右邊接觸。藉由使該調整構件16c前進且進行推壓，而使基板S向左方移動，從而基板S之左邊與第二固定構件16b接觸。藉由以上之步驟，將基板S定位於停止在初始停止位置之後述之載置台17a之上方，且以該基板S之中心點位於該載置台17a之進行轉動之軸之鉛垂方向延長線上的方式進行定位。第一固定構件16a、第二固定構件16b、調整構件16c由於要與基板S接觸，故而較佳為軟質材料，但若硬度過低則定位精度變差，因此必須設為不損傷基板S之程度之硬度。於本實施形態中，使用聚對苯二甲酸乙二酯(PET)樹脂。又，前進機構16d亦可選自以油壓、氣壓或電氣進行驅動之缸體、具備滾珠螺桿或皮帶等之電動滑塊、齒條小齒輪等公知之方法。於本實施形態中使用氣缸。
基板移動旋轉機構17具備：載置並且固定基板S之載置台17a、使該載置台17a沿左右方向移動之移行機構17b、及使該載置台17a轉動之轉動機構17c。載置台17a只要可載置基板S，且於利用移行機構17b進行移動時基板S於載置台17a上不會移動即可，因此可選自配置機械式固定之構造或摩擦係數較高之片材等公知之方法。於本實施形態中，設為如下構造：於平板上配置複數個與真空泵等抽吸機構(未圖示)連接之吸附墊，於該吸附墊上載置基板S後藉由啟動該抽吸機構，而利用抽吸力使基板S密接於該吸附墊上。又，載置台17a於藉由 基板搬送機構14搬送基板S時配置於搬送輥14a之下方。如後所述，為使載置台17a載置基板S，而使搬送輥14a下降。因此，載置台17a以於搬送輥14a下降時不與其接觸的方式構成。
移行機構17b可使載置有基板S之載置台17a沿左右方向移動以加工基板S。於基板S移動時，必須使基板S以不與基板周緣部加工機構12之基板鬆弛***部12e之端部及清潔機構13之下端接觸之方式移動。又，若不使基板S以固定速度移動，則會產生加工不均。移行機構17b只要可使基板S不於圖1(B)之上下方向振動且可使基板S於通過基板周緣部加工機構12時以固定之速度沿左右方向移動，則其構造並無特別限定。例如，可選自具備滾珠螺桿或皮帶等之電動滑塊、齒條小齒輪、可自行式台車等公知之方法。於本實施形態中，使用具備皮帶之電動滑塊。又，於自初始停止位置開始移動時及停止時會對基板S施加不必要之衝擊之情形時，較佳為使用變換器等可調整移動速度者，控制開始時及停止時之速度。
轉動機構17c係以圖1(A)中之載置台17a之上表面之中心為軸使載置台17a轉動90度。又，因於載置台17a上載置有基板S，故若於使載置台17a轉動時對基板S施加較強之振動或離心力，則有基板S之位置自載置台17a偏移之虞。如此，轉動機構17c只要可不對基板S施加較強之振動或衝擊力地進行轉動即可，其構造未特別限定。例如，可選自馬達或缸體等公知之方法。又，於轉動開始時及停止時會對基板S施加不必要之衝擊之情形時，較佳為使用可調整旋轉速度者，控制開始時及停止時之速度。於該情形時，例如可選自直接驅動馬達、伺服馬達、可調整伸縮速度之缸體(例如伺服缸體)等公知之方法。於本實施形態中，使用直接驅動馬達。
繼而，使用圖5~圖7進一步對藉由本實施形態之噴射加工裝置去除基板S之周緣部之薄膜層的步驟進行說明。圖4~圖6分別表示自 前視方向觀察之剖面圖。此處，以加工長方形之薄膜太陽電池板用基板之情況為例進行說明。
(準備步驟)
對上述控制器件輸入用於良好地加工基板S之條件(基板S之尺寸、基板S之移動速度、噴射壓力、掃描次數、加工寬度等)。於輸入後，藉由將加工開始按鈕接通(ON)，而以輸入之條件開始加工，且自動完成加工。此處，控制器件只要可輸入並控制噴射加工裝置10之動作即可，例如可使用可程式邏輯控制器(PLC，Programmable Logic Controller)或數位信號處理器(DSP，Digital Signal Processor)等運動控制器、高功能移動終端、高功能行動電話等。
(步驟1：搬入步驟)
於基板搬送機構14作動後，自基板搬入口11a將基板S鬆弛***。此處，以自長邊方向鬆弛***之情況為例進行說明。自基板搬入口11a鬆弛***之基板S藉由基板搬送機構14而前進。繼而，碰撞第一固定構件16a，從而搬送方向端之定位完成。之後，調整構件16c前進，使基板S向左方移動。之後，基板S之左邊碰撞第二固定構件16b，從而左右方向之定位完成。若基板S之定位結束，則上述基板搬送機構14停止。再者，第一固定構件16a以該第一固定構件16a彼此之間隔成為該基板之短邊之長度以上的方式而配置，以使其於加工結束後不與基板S碰撞。(參照圖5(A))
(步驟2：載置步驟)
升降機構15作動，從而基板搬送機構14下降。基板移動旋轉機構17之載置台17a係停止於基板S之下方(初始停止位置)。若基板搬送機構14較載置台17a而位於下方，則基板S自基板搬送機構14轉置於載置台17a。若基板S轉置於載置台17a，則抽吸機構作動，從而基板S被固定於該載置台17a上。如此，基板S以彼此對向之長邊即第一加工邊 位於上下方向且基板S之平面中心與載置台17a轉動時之軸心一致之方式載置並固定於載置台17a上。(參照圖5(B))
(步驟3：第一加工邊之加工步驟)
上述間隔調整機構作動，從而一對基板周緣部加工單元U(基板周緣部加工機構12及與該基板周緣部加工機構12之左右鄰接之清潔機構13)配合第一加工邊彼此之間隔而於圖1(A)之上下方向移動。藉此，調整基板周緣部加工單元U彼此之間隔。繼而，集塵機構作動，對基板周緣部加工機構12內及清潔機構13內進行抽吸。進而，壓縮空氣供給機構及噴射材供給機構18作動，自噴嘴N噴射噴射材，並自清潔噴嘴13b噴射壓縮空氣。之後，移行機構17b作動，從而載置台17a向右方向移動。繼而，基板S之第一加工邊鬆弛***並通過基板周緣部加工機構12之基板鬆弛***部12e。藉由鬆弛***於基板鬆弛***部12e之第一加工邊通過噴嘴N之下方，而去除上述第一加工邊之薄膜層。於通過基板周緣部加工機構12後之基板S之表面，有粉塵未被抽吸幹凈而殘留之情況。該粉塵藉由通過與基板周緣部加工機構12之右方鄰接之清潔機構13之下方而被去除。又，由於如上所述般與先前之噴射加工裝置相比可降低基板S之重心進行移動，故而上下方向之振動變小，可穩定地進行移動。(參照圖6(A))
(步驟4：轉動步驟)
若第一加工邊之全長通過上述基板周緣部加工單元U，並且基板S前進至右方之特定之位置(去路停止位置)，則移行機構17b之作動停止。於停止後，轉動機構17c以使與第一加工邊鄰接之第二加工邊(彼此對向之短邊)位於上下方向之方式進行作動，使基板S轉動90度。又，上述間隔調整機構作動，從而上述一基板周緣部加工單元U沿圖1(A)之上下方向移動。藉此，調整基板周緣部加工單元U彼此之間隔。(參照圖6(B))
(步驟5：第二加工邊之加工步驟)
移行機構17b作動，從而基板S及載置台17a向左方向移動。繼而，上述第二加工邊鬆弛***並通過基板周緣部加工機構12之基板鬆弛***部12e。藉由鬆弛***於基板鬆弛***部12e之第二加工邊通過噴嘴N之下方，而去除上述第二加工邊之薄膜層。於通過基板周緣部加工機構12後之基板S之表面，有粉塵未被抽吸幹凈而殘留之情況。該粉塵藉由通過與基板周緣部加工機構12之左方鄰接之清潔機構13之下方而被去除。繼而，若第二加工邊之全長通過上述基板周緣部加工單元U，並且載置台17a前進至左方之特定之位置(初始停止位置)，則移行機構17b之作動停止。(參照圖7(A))
(步驟6：搬出步驟)
於移行機構17b之作動停止後，上述噴射材供給機構18及上述壓縮空氣供給機構之作動停止，而停止噴射材及壓縮空氣之噴射。之後，上述集塵機構之作動停止。又，上述抽吸機構之作動停止，從而基板S之固定被解除。繼而，升降機構15作動，基板搬送機構14上升，而將基板S轉置於搬送輥14a上。若基板搬送機構14上升至特定之位置，則上述升降機構15之作動停止。之後，藉由上述旋轉機構之作動而使基板搬送機構14作動，從而基板S前進。並且，自基板搬出口11b搬出。如此，可利用同一基板搬送機構14進行基板S之搬入及搬出，因此與先前之噴射加工裝置相比，可廉價地製造噴射加工裝置。
(參照圖7(B))
藉由重複進行步驟1~步驟5，而可連續加工複數片基板S。於連續加工複數片基板S之情形時，於步驟5中亦可不使噴射材供給機構18、壓縮空氣供給機構、集塵機構之作動停止。
於基板S之薄膜層較硬之情形等，藉由一次加工無法完全去除不需要之薄膜層之情形時，亦可藉由重複進行步驟3~步驟5而增加掃描 次數。於增加掃描次數之情形時，亦可於再次進行步驟3之前使轉動機構17c作動而使基板S轉動90度。
由集塵器件抽吸並回收之噴射材被送至旋風分離器(cyclone)等分離機構(未圖示)，且被分離為可再利用之噴射材及除此以外之粉末，可再利用之噴射材被送至噴射材供給機構18，並再次自噴嘴N噴射。
本實施形態之噴射加工裝置10具備一對基板周緣部加工機構12，但亦可根據所期望之加工時間而增減基板周緣部加工機構12之台數。例如，於配置有一台基板周緣部加工機構12(例如僅配置於圖1(A)之上方)之情形時，可藉由使掃描次數(步驟3~步驟5之實施次數)為兩次以上而完成加工。於該構成中，雖基板之加工時間變長，但可使噴射加工裝置之製造費用為廉價。又，若對於一邊增加基板周緣部加工機構12之台數，則加工能力提高，因此可加快基板S之移動速度。其結果，可縮短基板S之加工時間，因此生產性提高。
於本實施形態中，於1台基板周緣部加工機構12配置有1台噴嘴N，但亦可配置複數台噴嘴。藉由增加噴嘴之個數而使加工能力提高，因此可縮短加工時間。
[實施例]
將使用第一實施形態之噴射加工裝置去除基板S之周緣部之不需要之薄膜層的結果作為實施例進行說明。於實施例中，對於1100mm×1400mm×厚度3mm之薄膜太陽電池板，使用第一實施形態之噴射加工裝置以表1之條件去除周緣部之不需要之薄膜層。實施例中使用之薄膜太陽電池板係於透光性基材(於本實施例中為玻璃基材)之平面上積層有形成薄膜太陽電池板(以下記為面板)所需之薄膜層(透明電極層、或光半導體層、或金屬層等)者。又，以使用專利文獻1記載之噴射加工裝置(先前之噴射加工裝置)進行同樣之加工之例為比較例1，以將面板之移動速度設為200mm/sec且其他之條件與比較例1相同 地加工面板之例為比較例2而進行說明。再者，將目標加工寬度(去除薄膜層之自周緣端起算之寬度)設為16mm。
藉由掃描式電子顯微鏡(SEM)觀察加工後之面板並對其進行評估。於實施例中，於加工區域M未殘留有薄膜層，又，於除加工區域M以外之薄膜層未發現有損傷。於比較例1中，於加工區域M殘留有薄膜層。又，於比較例2中，於加工區域未殘留有薄膜層，並且於除加工區域以外之薄膜層未發現有損傷。其結果顯示，先前之噴射加工裝置於與本實施形態之噴射加工裝置相同之條件下無法充分去除面板上之不需要之薄膜層，即，本實施形態之噴射加工裝置與先前之噴射加工裝置相比加工能力較強，並可以其1.25倍之加工速度進行加工。
繼而，將於一對基板周緣部加工機構12之間，配置有具備基板中間部加工機構19及與該基板中間部加工機構19鄰接之清潔機構13之基板中間部加工單元U'的情況作為第二實施形態進行說明。此處，以於一對基板周緣部加工單元U之中央設有一台基板中間部加工單元U'，並藉由基板周緣部加工U及基板中間部加工單元U'同時加工基板S的情況為例進行說明。根據該構成，噴射加工後之基板S係於第一加工邊、第二加工邊、及以與第一加工邊以及第二加工邊對向之方式形 成於該等邊彼此之間的邊，形成有加工區域M。而且，藉由切斷利用上述基板中間部加工機構19而形成之加工區域M之中央，可獲得經去除周緣部之不需要之薄膜層之四片基板S'。再者，第二實施形態之噴射加工裝置僅於配置有基板中間部加工單元之方面有所不同，故而此處僅對與第一實施形態之不同點進行說明。
如圖8(A)所示，基板中間部加工機構19具備：下端開口之箱體即飛散防止罩19a、配置於頂面之中央部之噴嘴19b、及兩端開口之圓筒形狀之抽吸構件19c。噴嘴19b以下端即噴射口位於上述飛散防止罩19a之內部之方式而固定，又，與噴射材供給機構18及壓縮空氣供給機構連結。上述抽吸構件19c以位於噴嘴19b之左右(即，基板S之行進方向)之方式與上述飛散防止罩19a之頂面連結，且另一端經由軟管而與集塵機構連結。藉此，上述飛散防止罩19a內側之空間與集塵機構連通。再者，上述飛散防止罩19a之橫截面形狀並無特別限定，可為四邊形等多邊形亦可為圓形。
噴嘴19b較佳為設為與上述噴嘴N同樣之構造。但，噴嘴19b之噴射口之寬度較佳為寬於上述噴嘴N之噴射口之寬度。如上所述，對於加工後之基板S，要切斷藉由基板中間部加工機構19加工之加工區域M之中央，因此基板中間部加工機構19之加工區域之寬度較佳為寬於第一加工邊及第二加工邊之加工寬度。例如以基板中間部加工機構19之加工區域M之寬度成為第一加工邊及第二加工邊之兩倍左右之方式選擇噴嘴19b之噴射口之寬度。噴嘴19b係不與基板S之表面接觸地與該表面對向配置。
基板中間部加工機構19係以於基板S於下方通過時在飛散防止罩19a之下端與該基板S之間形成適度之間隙的方式而配置。即，以飛散防止罩19a之下端不與基板S接觸之方式而配置。於飛散防止罩19a之下端部附近，自設於飛散防止罩19a與基板S之間之間隙抽吸外部空 氣，因此產生自該飛散防止罩19a之外側向內側流動之氣流。因此，粉塵不會向基板中間部加工機構19之外部漏出。然而，若飛散防止罩19a之下端與基板S之間隔過小，則有基板S與飛散防止罩19a之下端接觸而受損之虞。若間隔過大，則抽吸外部空氣之風速變小，因此無法充分抽吸飛散於基板中間部加工機構19之內部之粉塵。其結果，該粉塵向上述基板中間部加工機構19之外部漏出。若上述間隙過窄，則有基板S與飛散防止罩19a之下端接觸而受損之虞。因此，上述間隙必須設定於基板S不與飛散防止罩19a接觸且無損抽吸力之範圍。於第二實施形態中，以基板S之表面與上述飛散防止罩19a之下端之間隔(間隙)成為1.0~5.0mm之方式進行設定。
於基板中間部加工機構19之左右，與基板周緣部加工機構12同樣地鄰接有上述清潔機構13。於通過基板中間部加工機構19後之基板S之表面附著有粉塵之情形時，可藉由該清潔機構13去除該粉塵。
如圖8(B)所示，將具備基板中間部加工機構19及與該中央加工室19鄰接之清潔機構13之基板中間部加工單元U'以位於一對基板周緣部加工單元U彼此之中央之方式而配置。而且，於按照上述第一實施形態記載之步驟1~步驟6加工基板時，藉由上述集塵機構對基板中間部加工單元U'之飛散防止罩19a與清潔機構13之內部進行抽吸，並且自上述噴嘴19b噴射噴射材，自上述清潔噴嘴13b噴射壓縮空氣而加工基板S。藉由該加工，而完成去除4邊之周緣部及位於該等邊之中央並與4邊對向之兩直線之不需要之薄膜層的加工(參照圖9(A))。於加工結束後，切斷藉由基板中間部加工機構19加工之加工區域之中央，藉此可獲得經去除周緣部之不需要之薄膜層之四片基板S'(參照圖9(B))。
亦可配置複數台基板中間部加工機構19。例如於一對基板周緣部加工單元U之間配置兩台基板中間部加工機構19，並進行同樣之加工，藉此可獲得如圖9(C)所示之基板S。又，與基板中間部加工機構 19之台數無關，亦可僅於步驟3或步驟5之任一者之情形時藉由基板中間部加工機構19進行加工，藉此可獲得如圖9(D)所示之基板S(於圖9(D)中，僅於步驟5時自基板中間部加工機構19之噴嘴19b噴射噴射材而進行加工)。
[產業上之可利用性]
於實施例中，對加工薄膜太陽電池板進行了說明，但只要為去除基板周緣部之不需要之薄膜層之用途，便可較佳地使用本發明之噴射加工裝置而不限於薄膜太陽電池板。
10‧‧‧噴射加工裝置
11‧‧‧框體
11a‧‧‧基板搬入口
11b‧‧‧基板搬出口
12‧‧‧基板周緣部加工機構
13‧‧‧清潔機構
14‧‧‧基板搬送機構
14a‧‧‧搬送輥
14b‧‧‧架台
14c‧‧‧輥構件
14d‧‧‧軸
14e‧‧‧軸承
15‧‧‧升降機構
16‧‧‧定位機構
16a‧‧‧第一固定構件
16b‧‧‧第二固定構件
16c‧‧‧調整構件
16d‧‧‧調整機構
17‧‧‧基板移動旋轉機構
17a‧‧‧載置台
17b‧‧‧移行機構
17c‧‧‧轉動機構
18‧‧‧噴射材供給機構
18a‧‧‧料斗
18b‧‧‧定量供給機構
H‧‧‧軟管
S‧‧‧基板
U‧‧‧基板周緣部加工單元

Claims (15)

  1. 一種噴射加工裝置，其特徵在於：其係用以於表面形成有薄膜層之基板中去除基板周緣部之薄膜層者，且包括：基板周緣部加工機構，其包含形成有供上述基板周緣部鬆弛***之基板鬆弛***部之基板周緣部加工室、配置為前端***於上述基板周緣部加工室之內部並對鬆弛***於上述基板鬆弛***部之上述基板周緣部噴射噴射材之噴嘴、與上述噴嘴連通並配置於該噴嘴之上方之噴射材供給機構、及與上述基板周緣部加工室連通之集塵機構；基板移動旋轉機構，其包含載置上述基板並使該基板相對於上述噴嘴相對地進行水平移動且使上述基板旋轉之機構；基板搬送機構，其將上述基板搬送至上述基板移動旋轉機構之初始停止位置之上方；及升降機構，其與上述基板搬送機構連結，用於使上述基板搬送機構下降而將上述基板轉置於基板移動旋轉機構。
  2. 如請求項1之噴射加工裝置，其中上述噴嘴為藉由於該噴嘴內部產生之抽吸力而抽吸噴射材之構造者。
  3. 如請求項1或2之噴射加工裝置，其中上述噴嘴為如下構造者：包含噴射壓縮空氣之空氣噴嘴、設有供給噴射材之噴射材供給路徑且於內部設有與上述供給路徑連通之混合室之噴嘴座、及與上述混合室連通並且設於上述空氣噴嘴之延長方向之噴射噴嘴；且藉由於上述混合室內產生之抽吸力而抽吸噴射材。
  4. 如請求項1或2之噴射加工裝置，其中上述噴射材供給機構進而包含用於將預先設定之量之噴射材連續供給至上述噴嘴之定量供給機構。
  5. 如請求項1或2之噴射加工裝置，其進而包括鄰接於上述基板周緣部加工機構之清潔機構。
  6. 如請求項5之噴射加工裝置，其中上述清潔機構包含：以與上述基板之表面對向之方式而配置、且下端開口之殼體；前端***於上述殼體之內部而配置，並向上述基板噴射壓縮空氣之清潔噴嘴；及設於上述殼體、並與集塵機構連通之抽吸構件。
  7. 如請求項1或2之噴射加工裝置，其進而包括自外側包圍上述基板周緣部加工機構、上述基板移動旋轉機構、及上述基板搬送機構之框體，上述基板搬送機構進而具備：將上述基板搬入上述框體內之功能、及將去除上述基板周緣部之薄膜層後之基板搬出至上述框體之外部之功能。
  8. 如請求項1或2之噴射加工裝置，其包括用於使被搬送至上述基板移動旋轉機構之上方之基板於特定之位置停止之定位機構。
  9. 如請求項1或2之噴射加工裝置，其包括一對上述基板周緣部加工機構，該基板周緣部加工機構係使各自之上述基板鬆弛***部彼此相向且隔開特定之間隔而配置。
  10. 如請求項1或2之噴射加工裝置，其中進而配置有基板中間部加工機構，該基板中間部加工機構包含：以與上述基板之表面對向之方式而配置且下端開口之飛散防止罩、配置為前端***於上述飛散防止罩之內部並對除上述基板周緣部以外之部分噴射噴射材之噴嘴、及設於上述飛散防止罩並與上述集塵機構連結之抽吸構件。
  11. 如請求項1或2之噴射加工裝置，其中藉由上述噴射加工裝置進行加工之基板為於透光性基材之平面上積層有用於形成薄膜太陽電池板之薄膜層的薄膜太陽電池板。
  12. 一種噴射加工方法，其特徵在於：其係用於藉由如請求項1至11中任一項之噴射加工裝置而去除上述基板周緣部之薄膜層者，且包括：藉由上述基板搬送機構將上述基板搬送至上述基板移動旋轉機構之上方之步驟；用於使被搬送至上述基板移動旋轉機構之上方之基板於特定之位置停止之定位步驟；將上述基板搬送機構下降而將上述基板轉置於上述基板移動旋轉機構，並且將該基板固定於基板移動旋轉機構之步驟；將上述基板移動旋轉機構水平移動而將上述基板周緣部之至少一邊鬆弛***於上述基板周緣部加工機構之基板鬆弛***部之步驟；及一邊使上述基板移動旋轉機構進一步水平移動、一邊自上述噴嘴噴射噴射材，而去除鬆弛***於上述基板鬆弛***部之上述基板周緣部之薄膜層，並且藉由上述集塵機構抽吸該噴射材之步驟。
  13. 如請求項12之噴射加工方法，其進而包括：於去除上述基板周緣部之至少一邊之薄膜層後，藉由上述基板移動旋轉機構使該基板旋轉90度之步驟；將上述基板移動旋轉機構移動而將上述基板之與經去除薄膜層之周緣部之邊鄰接之至少一邊鬆弛***於上述基板鬆弛***部之步驟；及一邊將上述基板移動旋轉機構進一步水平移動一邊自上述噴嘴噴射噴射材，而去除鬆弛***於該基板鬆弛***部之周緣部之薄膜層，並且藉由上述集塵機構抽吸該噴射材之步驟。
  14. 一種噴射加工方法，其特徵在於：其係用於藉由如請求項10之 噴射加工裝置而去除上述基板周緣部之薄膜層者，且包括：將上述基板搬送至上述基板移動旋轉機構之上方之步驟；用於使經上述基板搬送機構搬送至基板移動旋轉機構之上方之基板於特定之位置停止之定位步驟；將上述基板搬送機構下降而將上述基板轉置於上述基板移動旋轉機構，並且將該基板固定於基板移動旋轉機構之步驟；將上述基板移動旋轉機構水平移動而將上述基板之作為相對向之周緣部之第一加工邊分別鬆弛***於上述基板鬆弛***部之步驟；及一邊將上述基板移動旋轉機構進一步水平移動一邊自上述噴嘴噴射噴射材，而去除上述第一加工邊之薄膜層，並且藉由上述集塵機構抽吸於上述基板周緣部加工機構之內部產生之粉塵之步驟。
  15. 如請求項14之噴射加工方法，其進而包括：藉由上述基板移動旋轉機構使經去除上述第一加工邊之薄膜層之基板旋轉90度之步驟；將上述基板移動旋轉機構水平移動而將與第一加工邊鄰接之第二加工邊分別鬆弛***於上述基板周緣部加工機構之基板鬆弛***部之步驟；及一邊將上述基板移動旋轉機構進一步水平移動一邊自上述噴嘴噴射噴射材，而去除上述第二加工邊之薄膜層，並且藉由上述集塵機構抽吸於上述基板周緣部加工機構之內部產生之粉塵之步驟。
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