TWI592467B - 螢光體與發光裝置 - Google Patents

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Description

螢光體與發光裝置
本發明是有關於一種螢光體，且是有關於一種具有矽/鋇元素的螢光體與使用其之發光裝置。
近年，使用半導體發光的發光裝置被廣泛地使用，特別是發光二極體已被成功開發，此發光裝置較習知的冷陰極燈管、白熾燈等發光設備，具有高發光效率、體積小、低耗電力與低成本等優點，因此可做為各種光源來使用。而半導體發光裝置包含半導體發光元件與螢光體，螢光體可吸收並轉換半導體發光元件所發出的光，藉由半導體發光元件所發出的光與螢光體轉換發出的光兩者混合使用。此種發光裝置可作為螢光燈、車輛照明、顯示器、液晶背光顯示等各種領域使用。
現行的白光二極體發光裝置，主要藉由補色原理進行開發。由半導體發光元件發出藍光，往螢光體入射後，螢光體吸收並轉換為黃光發出，藍光與黃光混合同時進入人眼時，人則感受為白光。例如若使用InGaN為發藍光的半導體，黃色螢光體為(Y,Gd)3(Al,Ga)5O12：Ce，則可達到上述效果。
又，亦可利用發出紫外線之發光元件與可發出 RGB(紅色、綠色、藍色)光之螢光體組合，放出白色光。再者，亦有使用放出紫外線之發光元件，使發出藍色光之螢光體發光，藉由該藍色光使發出黃色光之螢光體激發，發出螢光，而混合發出白色等光。
然而，由於目前使用之發光裝置領域越來越廣泛，且市上販售之黃色螢光體(Y,Gd)3(Al,Ga)5O12：Ce系列，其發光輝度明顯不足，無法滿足業界之需求，且在提升發光強度的同時，易造成發光色度發生偏移之現象。因此如何能滿足應用於各種發光裝置並同時達到輝度提升之螢光體，已成現行螢光體技術開發之重點之一。
本發明係有關於一種螢光體及提供使用所述的螢光體材料搭配半導體發光元件而構成一高輝度的發光裝置，且該螢光體具有優異的發光特性。
提供一種螢光體，其包括通式為A3-xCexQ5O12的組成物。A及Q係獨立地包括鋁(Al)、鎵(Ga)、銦(In)、鈧(Sc)、釔(Y)、鑭(La)、釓(Gd)、鋱(Tb)、鎦(Lu)元素或上述之組合。Ce為鈰元素。O為氧元素。0<x3。螢光體具有100ppm~2000ppm的鋇(Ba)元素。較佳地，該螢光體具有200ppm~1800ppm的鋇(Ba)元素。更佳地，該螢光體具有300ppm~1700ppm的鋇(Ba)元素根據實施例，提供一種發光裝置。發光裝置包括半導體發光元件與上述螢光體。螢光體受半導體發光元件所發出之 光激發，並轉換發出波長相異於半導體發光元件所發出的光。
為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：
11‧‧‧箱體
12‧‧‧樣品槽
13‧‧‧光源
14‧‧‧光導引管
15‧‧‧反射鏡
16‧‧‧輝度計
21‧‧‧發光單元
22‧‧‧螢光層
23‧‧‧封裝層
211‧‧‧基座
212‧‧‧凹形承載面
213‧‧‧發光元件
214‧‧‧連接線
215‧‧‧導線
221‧‧‧螢光體
第1圖係為一實施例中發光裝置的剖面圖。
第2圖繪示螢光體光特性的量測裝置。
實施例之螢光體包括通式為A3-xCexQ5O12的組成物。Ce為鈰元素。O係為氧元素。實施例中，螢光體具有100ppm~2000ppm的鋇(Ba)元素，較佳地，該螢光體具有200ppm~1800ppm的鋇(Ba)元素。更佳地，該螢光體具有300ppm~1700ppm的鋇(Ba)元素。一實施例中，螢光體具有200ppm~800ppm的矽(Si)元素。較佳地，該螢光體具有300ppm~700ppm的矽(Si)元素。更佳地，該螢光體具有400ppm~600ppm的矽(Si)元素。螢光體可具有鋇元素與矽元素至少其中之一，或同時具有鋇元素與矽元素。符合上述條件之螢光體其發光輝度可明顯提升。在色度相同的情況下，實施例之螢光體，相較於之不符合上述條件之螢光體(比較例)具有較高之輝度值。所謂色度相同意味著色度座標x、y差異分別在±0.002之內。
螢光體之A3-xCexQ5O12組成物中的A可包括鋁(Al)、鎵(Ga)、銦(In)、鈧(Sc)、釔(Y)、鑭(La)、釓(Gd)、鋱(Tb)、 鎦(Lu)元素或上述之組合。較佳地，A包括釔、釓、鋱、鎦元素至少一種。一實施例中，A係為釔元素。
0<x3。例如0.025x1。
螢光體A3-xCexQ5O12組成物中的Q可包括鋁、鎵、銦、鈧、釔、鑭、釓、鎦元素或上述之組合。較佳地，Q包括鋁、鎵、銦、鈧元素至少一種。一實施例中，Q係以式子AlyGa1-y表示，其中1y>0，或1y0.4。
螢光體使用455nm光源照射時，螢光體受激發而發光的發光主波長為520~580nm，其發光色調之CIE色度座標(x,y)為，0.360≦x≦0.460，0.530≦y≦0.580。發光主波長係指發光強度最大的波長。
實施例之螢光體的製造方法包括以下步驟。對一螢光混合物進行一燒結步驟以得到一螢光燒結物，並且，在混合螢光燒結物與一鹼金屬矽酸鹽水溶液之後，進行一處理步驟以得到螢光體。
製造方法中的螢光混合物包括一螢光體原料與一助熔劑。
螢光體原料可包括螢光體之A3-xCexQ5O12組成物中各元素的來源材料，亦即包含鈰元素；氧元素；以及鋁(Al)、鎵(Ga)、銦(In)、鈧(Sc)、釔(Y)、鑭(La)、釓(Gd)、鋱(Tb)、鎦(Lu)元素或上述之組合的來源材料，可包括含氧化合物、含氮化合物或其他任何形式的化合物，或元素態物質，或上述之組合。所謂 「含氧化合物」可包含氧化物、碳酸鹽、草酸鹽等化合物，其可在燒結過程中分解。比例上可基於預期螢光體之A3-xCexQ5O12組成物中各元素的莫耳比作調配。一實施例中，舉例來說，A的來源材料包括Y2O3，Ce的來源材料包括CeO2，Q的來源材料包括Al2O3及/或Ga2O3，O的來源材料可包括A、Ce、Q等來源材料中的氧元素或燒結步驟中產生的氧元素，然不限於此。
助熔劑可佔螢光混合物的1.0wt.%~3.0wt.%。助熔劑可為金屬鹵化物，例如包括NaF、KF、BaF2、SrF2、MgF2、AlF3、YF3、NaCl、BaCl2、或上述之組合。一實施例中，助熔劑包括BaF2。
原料雖可為市售原料，但純度越高越好，以儘量減少可能影響螢光體之發光輝度的雜質，例如2N(99%)以上，尤以3N(99.9%)以上的原料為佳。各原料粒子的粒徑從促進反應的觀點而言，最好為微粒子。
螢光體原料與助熔劑的混合方式，可為乾式法、濕式法。例如乾式球磨法或加入液體的濕式球磨法等多種實施方式，並不侷限於單一方式。可在非活性或經充分去除水分的環境下的手套箱內進行秤取、混合等操作。此外，若為濕式混合法，可適材料特性選擇適當的溶劑，例如純水或有機溶劑等。混合裝置可使用球磨機或研缽等通常所使用的裝置。
製造方法中的燒結步驟可以常壓燒結法或氣壓(以氣體加壓)燒結法等外部未施加機械性加壓之方法進行。由於燒結溫度高，因此進行燒結之高溫爐較佳使用金屬電阻加熱方式或石 墨電阻加熱方式之高溫爐。
在燒結步驟中，放置螢光混合物的坩鍋較佳為不純物含量極低之高純度材質，如Al2O3坩鍋、Si3N4坩鍋、AlN坩鍋、賽隆坩鍋、BN(氮化硼)坩鍋等可在非活性環境中使用的坩鍋，其中以使用BN坩鍋為最佳，因其對於避免源自坩鍋的不純物混入的效果最佳。坩堝可為氧化鋁、氮化硼或石墨等材質，種類並無限制。坩堝內壁上之保護層，可使用各種原料於高溫下燒結形成。例如，可使用欲燒結之螢光體原料成份之一或其混合物做為保護層原料燒結而得。保護層的燒結條件可為850℃~1500℃、0.5~10hr，溫度太低或時間太短時不易形成有效之保護層，時間太長或溫度太高則不符合經濟效益。此一保護層可避免坩堝中之矽、鈣等雜質，於高溫下析出進入螢光燒結物，因而影響螢光體性質。燒結氣氛可為非氧化性氣體，例如，可為氮、氫、氨、氬等或前述氣體之任意組合。
燒結溫度為1000℃~1500℃，更佳為1200℃~1500℃，升溫速度為5~15℃/min。較低溫下燒結可得較細微的螢光燒結物，較高溫下燒結可得粒徑較大螢光燒結物。燒結時間根據原料種類不同而有所差異，一般反應時間為1小時~12小時或0.5小時~5小時較佳。燒結時在非活性環境下之壓力，例如是在0.5MPa以下(尤以0.1MPa以下為佳)進行燒結。
燒結氣氛中，多次燒結能使螢光混合物的原料進入晶格中，將不純物析出，因而達到有效控制螢光燒結物中雜質含 量，提高螢光體的發光性質與安定性。
燒結完成後，冷卻至室溫，可使用球磨、或工業用粉碎機械等方式粉碎螢光燒結物。
螢光燒結物可再加入鹼金屬矽酸鹽水溶液之後，以球磨或其他合適的研磨方式混合在一起。鹼金屬矽酸鹽水溶液之添加重量係螢光燒結物之重量的0.8%~1.5%。鹼金屬矽酸鹽水溶液可包括水玻璃水溶液。水玻璃係由鹼金屬氧化物和二氧化矽結合而成的材料，可根據鹼金屬的種類分為鈉水玻璃和鉀水玻璃，其分子式分別為Na2O‧nSiO2和K2O‧nSiO2，式中的係數n稱為水玻璃模數，是水玻璃中的氧化矽和鹼金屬氧化物的分子比(或摩爾比)，n介於1.5~4.0，較佳為介於2.0~3.5。
上述用以得到螢光體的處理步驟包括對螢光燒結物與鹼金屬矽酸鹽水溶液之混合物進行水洗、過濾及/或乾燥步驟，或其他步驟例如分級步驟，次數不限於一次，而可重複進行多次。實施例中，藉由包括水洗的處理步驟，可降低(或去除)對螢光體發光輝度有負面影響的雜質，以提高螢光體的發光性質。
上述各步驟應儘量避免可能影響螢光體之發光輝度的雜質，例如控制硼、氯、碳等元素的含量分別小於1000ppm。
施行本實施形態螢光體的組成分析結果，發現從組成分析結果所計算出A3-xCexQ5O12組成物(或AlyGa1-y)中各元素莫耳數關係(3-x、x、5、12、y、1-y)，相較於從所使用原料調配比例計算出的莫耳數關係有稍微偏差。此現象可認為在燒結中有少 量的原料分解或蒸發，或者因分析誤差所造成。特別係氧元素量的偏差，可認為諸如：從開始起就含於原料中的氧，或表面所附著的氧，或者在原料秤量時、混合時及燒結時，因原料表面氧化而混入的氧，以及在燒結後吸附於螢光燒結物(或螢光體)表面的水分或氧等所造成。此外，當在含有氮氣及/或氨氣的環境中進行燒結時，在燒結時原料中的氧亦可能脫離而被氮所取代，判斷螢光體中氧元素的量將發生若干偏差。
當螢光體以粉體的形式使用時，其平均粒徑最好在30μm以下。理由是因為螢光體的發光主要係發生於粒子表面上，若平均粒徑(本發明中所謂的「平均粒徑」係指體積中數粒徑(D50))在30μm以下，將可確保粉體每單位重量的表面積，避免輝度降低。此外，將粉體塗佈於發光元件之上的情況，可提高粉體的密度，就此觀點而言，亦可避免輝度降低。另外，從螢光體粉末的發光效率觀點而言，平均粒徑以大於1μm為較佳。依上述，本發明螢光體粉體的平均粒徑最好在1μm以上且30μm以下，尤以3.0μm以上且20μm以下的粒徑為佳。此處所謂的「平均粒徑(D50)」，係利用Beckman Coulter公司製MultiSizer-3，以庫爾特法(體積中數粒徑D50)進行測定所得的值。
本發明之螢光體適用於螢光顯示管(VFD)、場發射顯示器(FED)、電漿顯示器(PDP)、陰極射線管(CRT)、發光二極體(LED)等。尤其是，本發明的螢光體當使用455nm光源照射時，發光主波長為520~580nm，發光色調之CIE 1931色度座標(x,y) 為，0.360≦x≦0.460，0.530≦y≦0.580，且發光輝度高，因此特別適用於發光二極體。
於一實施例中，發光裝置包括發光元件與一如上所述之螢光體，其中螢光體在受到發光元件所發出之激發光的激發後，係發出異於激發光之波長的光。
發光元件可為半導體發光元件，例如包括硫化鋅或氮化鎵等各種半導體，而以發光效率而言，使用氮化鎵半導體較佳。發光元件藉由有機金屬化學氣相沉積法(MOCVD)或氫化物氣相磊晶法(HVPE)等方法於基板上形成氮化物半導體，InαAlβGa1-α-βN(0≦α、0≦β、α+β<1)所形成的發光元件最佳，半導體構造可為MIS接合、PIN接合、PN接合等均質構造、異質接面構造或雙異質接面構造。可藉由半導體層之材料或其混晶度來選擇各種的發光波長。較佳地，該發光裝置中之發光元件可發出300nm~550nm波長的光。更佳地，發出330nm~500nm波長的光。實施例之螢光體可與透光性材質混合形成波長轉換材料。透光性材質可為環氧樹脂、矽利康樹脂(silicone resin)、玻璃、熱塑性塑膠等各種可透光材質。波長轉換材料可為至少含有一種螢光體所形成的單層波長轉換材料或以積層方式配置的複數層波長轉換材料。波長轉換材料係設置於發光半導體元件之發光路徑上，例如：將波長轉換材料直接塗佈於發光元件表面上、將波長轉換材料模製成型覆蓋發光元件做為封止材料、將波長轉換材料形成於封止材料表面、將波長轉換材料形成於光學板或光學膜上 並配置於LED燈之投光側前方。
第1圖繪示一實施例中發光裝置的剖面圖。發光裝置包含一發光單元21、一螢光層22及一封裝層23。
其中，該發光單元21包括一可導電且具有一凹型承載面212的基座211、一設置於該凹型承載面212且與該基座211電連接的發光元件213、一與該發光元件213電連接的連接線214、一與連接線214電連接的導線215；其中，該基座211與該導線215可配合自外界提供電能至該發光元件213，該發光元件213可將電能轉換成光能向外發出。本實施例是將一市售發光波長455nm，InGaN的發光元件213(製造商：奇力光電)以導電銀膠(型號：BQ6886，製造商：UNINWELL)黏合在該基座211的凹型承載面212上，接著自該發光元件213頂面延伸出與該發光元件213電連接的該連接線214及該導線215。
該螢光層22包覆該發光元件213。該螢光層22中所含的螢光體221在受到該發光元件213所發出之光的激發後，會轉換發出異於激發光波長的光，於本實施例中，該螢光層22是將含有螢光體221的聚矽烷氧樹脂塗佈在該發光元件213外表面，並經乾燥硬化後而形成。
該封裝層23包覆該發光單元21部分的基座211、連接線214、部分的導線215及該螢光層22。
本發明之發光裝置中，除了可將本發明之螢光體單獨使用外，亦可與具有其他發光特性之螢光體搭配一起使用，以 構成可發出所需之顏色的發光裝置。
例如，將420nm~500nm之藍色發光元件、發出600nm~650nm之紅色的螢光體(如CaAlSiN3：Eu)以及本發明之發黃光之螢光體組合製備一發光裝置。當發光元件所發出之藍光照射於該等螢光體時，會分別發出紅光及黃光，將該等光與發光元件之藍光混合而成為白色之發光裝置(如照明器具、發光二極體等)。
[實驗例]
以下就實驗例加以說明。
測量方法：
(1)螢光體D50粒徑分析：以Beckman Coulter Multisizer-3進行量測。D50表示該次試驗中，粒徑小於該值(D50)的顆粒總體積佔全部顆粒總體積的50%。
(2)螢光體發光光譜：螢光體光特性的量測裝置係如第2圖所示。量測方式係取樣品1.8克置入直徑2公分的樣品槽12中，並經壓平使樣品均勻分佈於樣品槽12，樣品槽12置於黑色箱體11之內部，使用光源波長為455nm的發光源13(以碳化矽作為基板之InGaN藍色發光二極體元件)，距離樣品5公分高度，垂直照射樣品，並經過一反射鏡15使螢光水準式導引進入輝度計16(TOPCON製，機型為SR-3A)。反射鏡15置於直徑2公分的光導引管14中並導引螢光體所發出的螢光。光導引管與光源成45°角，反射鏡15距樣品槽 12為8公分，而輝度計16距離反射鏡15為40公分。輝度計16使用field 1°偵測模式，輝度值量測差異為±0.3%以內。螢光體發光主波長係以Jobin YVON的Fluoro Max-3進行量測。
(3)螢光體組成元素之分析：
(3-1a)儀器：以Jobin YVON的ULTIMA-2型感應耦合電漿原子放射光譜儀(ICP)進行元素含量之量測。
(3-1b)樣品前處理：準確秤取0.1g的樣品，於白金坩鍋內，加入Na2CO3 1g混合均勻後，以1200℃高溫爐熔融(溫度條件：由室溫升溫2小時到達1200℃，於1200℃恆溫5小時)，待熔融物冷卻後加入酸溶液，例如25ml HCl(36%)，並加熱溶解至澄清，冷卻後置入100ml PFA定量瓶中，以純水定量至標線。
(3-2a)儀器：Horiba的氮氧分析儀。型號EMGA-620W。
(3-2b)測量：將螢光體20mg置入錫膠囊內，放置於坩堝中，進行量測。
[實施例與比較例]
實施例與比較例的螢光體製造方式類似，差異如表1所示在於：通式為A3-xCexQ5O12之組成物的元素比例；助熔劑的使用量；水玻璃水溶液的使用量；球磨(或水洗)次數。以下以實施例5為例說明螢光體的製造方法。
在實施例5中，係準備原料Y2O3(Sigma-Aldrich，純度4N)、Al2O3(Sasol North America Pural BT，純度4N)、Ga2O3(Sigma-Aldrich，純度4N)、CeO2(上海躍龍新材料股份有限公司， 純度4N)、BaF2(Sigma-Aldrich，純度4N)。取莫耳關係為Y2O3：Al2O3：Ga2O3：CeO2：BaF2=0.297：0.365：0.135：0.003：0.013的原料均勻混合得螢光混合物，總重為200克。將螢光混合物置入坩堝中，並置入高溫爐中，爐內氣氛為氮氣體積：氫氣體積=95%：5%的環境，由室溫緩緩升溫，於1500℃下恆溫約4小時，進行燒結，之後緩緩降至室溫冷卻。燒結得到的螢光燒結物，經粉碎後置入球磨瓶中，並按照100克螢光體加入100毫升水玻璃水溶液的比例添加濃度2wt%水玻璃水溶液(SiO2/Na2O的莫耳比例為3.4~4，其餘為溶劑水；原料為從和光化學購買的濃度28wt%水玻璃的水溶液，加水調整成濃度2wt%)後開始球磨，球磨結束並經由水洗二次、過濾、乾燥等步驟後，即得到螢光體。
實施例5之氮氧分析儀及ICP分析結果為螢光體具有組成式(Y2.965,Ce0.035)(Al3.65,Ga1.35)O12，亦即，A3-xCexQ5O12式中，A為釔，x=0.035，且Q為AlyGa1-y式中，y=3.65/5=0.73。螢光體之矽含量為422.5ppm，鋇含量為1352.5ppm。發光主波長為540nm。
表1中助熔劑BaF2的使用量係基於螢光混合物(包括Y2O3、Al2O3、Ga2O3、CeO2、及BaF2)的總重量算出。水玻璃水溶液使用量係以燒結所得之螢光燒結物的重量為基準算出。球磨次數表示螢光燒結物在加入水玻璃水溶液之後，經歷球磨、水洗二次、過濾及乾燥之處理步驟的次數，其中舉例來說，0次表示螢光燒結物在加入水玻璃水溶液之後，並沒有經歷球磨及水洗的步驟，便進行乾燥步驟；而2次表示螢光燒結物在加入水玻璃水溶液之後，經歷一次球磨、水洗二次、過濾及乾燥之處理步驟， 然後又再一次經歷球磨、水洗二次、過濾及乾燥之處理步驟；以此類推。因此，表1中的球磨次數愈多，也表示水洗的次數愈多。
表1的組成欄位也顯示出，比較例1至實施例10的螢光體組成為(Y2.965,Ce0.035)(Al3.65,Ga1.35)O12；實施例11至13的螢光體組成為(Y2.945,Ce0.055)(Al4.35,Ga0.65)O12；實施例14的螢光體組成為(Y2.945,Ce0.065)(Al5.00)O12；實施例15的螢光體組成為(Y2.945,Ce0.055)(Al3.00,Ga2.00)O12；實施例16的螢光體組成為(Y2.975,Ce0.025)(Al2.00,Ga3.00)O12；實施例17的螢光體組成為(Y2.900,Ce0.100)(Al2.65,Ga2.35)O12。
表2列示螢光體的Si元素、Ba元素、Li元素含量及發光輝度。其中發光輝度係以實施例為基準視為100%。
從表1及表2可得知至少以下結果。
未添加水玻璃水溶液(表1中水玻璃水溶液欄位以符號〝-〞表示，例如比較例9)的螢光體，雖然製程中未刻意添加，但仍具有微量的Si元素成分與Li元素成分，推測可能是製造過程中產生的雜質。
從比較例1~2、9~10的結果發現，在沒有使用水玻璃水溶液的情況下，螢光體粉體的Ba元素並無法單純藉由水洗(以球磨次數表示)去除。因此該比較例之發光輝度遠比實施例4~7為低。
由於在有使用水玻璃水溶液的情況下，進行包括球磨、水洗、過濾及乾燥之處理步驟可幫助清除螢光體表面的Ba元素雜質。其中當該螢光體Ba元素降低至100ppm~2000ppm時，則具有較佳的發光輝度。另外，雖然使用水玻璃水溶液會提高Si 元素含量，但當該螢光體Si元素至200ppm~800ppm時，則具有較佳的發光輝度。此外，由表2數據可得知，使用水玻璃水溶液對於清除的雜質具有選擇性，例如對於Ba元素的清除效果遠大於Li元素，或者也可說是對於Li元素並無清除效果。
實施例之螢光體具有100ppm~2000ppm的Ba元素，及/或200ppm~800ppm的Si元素，能表現出優異的發光輝度，過多或過少的元素含量都會降低螢光體的發光性質。
綜上所述，雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
21‧‧‧發光單元
22‧‧‧螢光層
23‧‧‧封裝層
211‧‧‧基座
212‧‧‧凹形承載面
213‧‧‧發光元件
214‧‧‧連接線
215‧‧‧導線
221‧‧‧螢光體

Claims (10)

  1. 一種螢光體，包括通式為A3-xCexQ5O12的組成物，元素A及元素Q係獨立地包括鋁、鎵、釔或上述之組合，Ce為鈰元素，O為氧元素，0<x3，該螢光體具有100ppm~2000ppm的鋇(Ba)元素。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之螢光體，其中該螢光體具有200ppm~800ppm的矽(Si)元素。
  3. 如申請專利範圍第1至2項其中之一所述之螢光體，其中該螢光體具有200ppm~1800ppm的鋇(Ba)元素。
  4. 如申請專利範圍第1至2項其中之一所述之螢光體，其中該螢光體具有300ppm~700ppm的矽(Si)元素。
  5. 如申請專利範圍第1至2項其中之一所述之螢光體，其中A包括釔元素至少一種。
  6. 如申請專利範圍第1至2項其中之一所述之螢光體，其中Q包括鋁、鎵元素至少一種。
  7. 如申請專利範圍第1至2項其中之一所述之螢光體，其中1x0.025。
  8. 如申請專利範圍第1至2項其中之一所述之螢光體，其中Q係為AlyGa1-y，1y>0。
  9. 如申請專利範圍第1至2項其中之一所述之螢光體，其中Q係為AlyGa1-y，1y0.4。
  10. 一種發光裝置，包括： 一半導體發光元件；以及一螢光體，包括如申請專利範圍第1項至第2項中任一項所述之螢光體，其中該螢光體受該半導體發光元件所發出之光激發，並轉換發出波長相異於該半導體發光元件所發出的光。
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