TWI590300B - Wafer tray for MOCVD reaction system - Google Patents

Description

用於MOCVD反應系統的晶圓載盤

本發明涉及半導體加工設備領域，尤其一種用於MOCVD反應系統的晶圓載盤。

對於生長的薄層晶體材料，其重要的指標是厚度的均勻性和組分比例的均勻性。為了保證生長的晶體材料達到這些指標，在MOCVD技術中，必須使晶體材料在整個晶圓表面上具有均勻的生長速率。

由於晶體材料在晶圓表面上的生長速率與晶圓上方的反應氣體的濃度呈正比。為了保證晶體材料在整個晶圓表面上具有均勻的生長速率，就需要整個晶圓表面上方的反應氣體的濃度在各個晶圓表面位置處保持一致。

需要說明的是，在採用MOCVD技術對晶圓表面上生長晶體材料時，要將晶圓放置在晶圓載盤上的用於放置晶圓的凹槽內。由於晶圓載盤的材料與晶圓的材料不同，使得晶圓載盤表面消耗反應氣體的反應常數小於晶圓表面消耗反應氣體的反應常數，由於晶圓載盤和晶圓表面上方的氣體濃度是相同的，所以導致晶圓載盤表面與氣體的反應速率小於晶圓表面與氣體的反應速率，從而導致晶圓載盤表面消耗的氣體量小於晶圓表面消耗的氣體量，進而使得反應後的晶圓載盤表面上方的反應氣體濃度大於晶圓表面上方的反應氣體濃度。

而在實際MOCVD技術過程中，晶圓載盤是轉動的，這就相當於晶圓載盤上方的氣體流是旋轉氣體流。因而流向晶圓表面的氣體流可以等效為兩個方向的氣體流，一個是來自頂部的竪直流向的氣體流，該氣體流由氣體噴淋頭噴出；另外一個是從晶圓載盤流向晶圓邊緣的水平方向的氣體流。由於晶圓載盤表面上方的氣體濃度大於晶圓表面上方的氣體濃度，所以，靠近氣體旋轉方向前端的晶圓邊緣的氣體濃度大於晶圓其它區域的氣體濃度，又因為，生長速率與氣體濃度成正比關係，所以，靠近氣體旋轉方向前端的晶圓邊緣的生長速率大於晶圓其它區域的生長速率。第1圖為形成生長速率不均勻的原因的簡易圖。

為了解決上述技術問題，本發明採用了如下技術方案：

一種用於MOCVD反應系統的晶圓載盤，所述晶圓載盤的上表面包括第一子表面和第二子表面，在所述第一子表面上設置有用於放置晶圓的第一結構，在所述第二子表面上設置有第二結構，所述第二結構能夠增大所述第二子表面的面積，使反應氣體與晶圓載盤的第二子表面的反應速率常數等於反應氣體與晶圓表面的反應速率常數。

較佳地，所述設置有所述第二結構的第二子表面的面積與所述未設置有所述第二結構的第二子表面的面積的比值範圍在1.05~1.15之間。

較佳地，所述第二結構為凹陷結構和/或突起結構。

較佳地，所述第二結構為複數個，當所述第二結構為凹陷結構時，每一個所述凹陷結構為凹陷腔體，所述凹陷腔體的形狀為半球；當所述第二結構為突起結構時，每一個所述突起結構的形狀為半球。

較佳地，所述半球的半徑與深度相同，或者所述半球的半徑大於深度。

較佳地，當所述第二結構為凹陷結構時，所述凹陷結構為凹溝，當所述第二結構為突起結構時，所述突起結構為突出條。

較佳地，所述凹陷結構為多條環狀凹溝，每條環狀凹溝與所述晶圓載盤的中心相同。

較佳地，所述突起結構為多條環狀突出條，每條環狀突出條與所述晶圓載盤的中心相同。

較佳地，所述凹陷結構為多條凹溝，所述突起結構為多條突出條，每條所述突出條或每條所述凹溝從所述晶圓載盤的中心沿徑向方向延伸。

較佳地，沿徑向方向延伸的所述突出條或所述凹溝向同一方向傾斜。

較佳地，所述第一結構為複數個，在部分所述第一結構的內部設置有所述第二結構。

一種用於MOCVD反應系統的晶圓載盤，所述晶圓載盤的上表面包括多個向下凹陷的安裝區，所述安裝區用於安裝待處理晶圓，所述安裝區之間包括隔離區，以使所述安裝區之間互相隔離，所述隔離區的上表面包括至少一個凹陷結構或突起結構，所述凹陷結構或突起結構使得所述隔離區上表面的面積與所述隔離區向下投影的平面面積的比值在1.05-1.15之間。

相較於現有技術，本發明具有以下有益效果：

本發明提供的用於MOCVD反應系統的晶圓載盤，在未設置用於放置晶圓的第一結構的第二子表面上設置有第二結構，該第二結構能夠增大第二子表面的面積。相較於未設置第二結構的第二子表面的面積，本發明提供的晶圓載盤的第二子表面的面積較大，該增大的表面積能夠增大晶圓載盤表面與反應氣體的反應速率常數。藉由調整第二子表面的面積能夠使晶圓載盤表面與反應氣體的反應速率常數等於晶圓表面與反應氣體的反應速率常數，從而能夠使晶圓載盤表面與氣體的反應速率等於晶圓表面與氣體的反應速率，從而使得晶圓載盤表面消耗的氣體量等於晶圓表面消耗的氣體量，進一步使得反應後的晶圓載盤表面上方的反應氣體濃度等於晶圓表面上方的反應氣體濃度。因而也就不會出現濃度較大的晶圓載盤表面上方的氣體向晶圓表面上方擴散的現象，從而不會導致靠近氣體旋轉方向前端的晶圓邊緣上方的氣體濃度大於晶圓其它區域上方的氣體濃度。因而，藉由本發明提供的晶圓載盤，能夠保證靠近氣體旋轉方向前端的晶圓邊緣上方的氣體濃度與其它區域上方的氣體濃度相等，從而能夠保證晶圓整個表面上的反應速率均相等，進一步保證生長在晶圓整個表面上的晶體材料的厚度相同。

正如背景技術部分所述，MOCVD是以III族、II族元素的有機化合物和V、VI族元素的氫化物等作為晶體生成源材料，以熱分解反應方式在晶圓上進行氣相外延、生長各種III-V族、II-VI族化合物半導體以及它們的多元固熔體的薄層晶體材料。

下面以氮化鎵GaN晶體材料的生長為例結合第2圖至第3圖說明晶體材料GaN在晶圓上的生長機制。第2圖為在氣相中氣體流動和化學反應機構示意圖；第3圖是GaN在晶圓表面上生長的反應機構示意圖。需要說明的是，MOCVD技術可以實現在晶圓表面上生長多種晶體材料，不限於本發明實施例所述的氮化鎵晶體。

如第2圖所示，氣體源三甲基鎵TMG與氣體載體H2或N2從噴淋頭噴出，在溫度達到大約100℃時，TMG開始熱分解生成單甲基鎵MMG。當溫度升到大約500℃時，TMG在化學界面層CBL（chemical boundary layer）開始分解生成單甲基鎵MMG。在溫度高於500℃時，MMG與NH₃ 反應生成氣體GaN。氣體GaN擴散進入靠近晶圓表面的區域，其擴散係數為。

如第3圖所示，氣體GaN擴散到表面反應界面，在該表面反應界面處，部分氣體GaN分子發生固化沉積到晶圓表面上。

當達到穩定狀態時，從噴流頭噴出的氣體GaN的流量與在晶圓表面消耗的GaN的流量相等。用公式表示如下：；；； 其中，為氣體擴散係數；為在化學界面層上方的氣相分子濃度；為在晶圓表面上方的氣體濃度；為晶圓表面上的異質反應速率常數； GaN（g）：氣相GaN； GaN（s）：固相GaN。

需要說明的是，晶體材料的生長速率與氣相分子濃度、以及成正比。

用於MOCVD反應系統包括晶圓載盤，其上表面上設置有用於放置晶圓的凹槽。當採用MOCVD反應系統在晶圓上生長晶體材料時，需要將晶圓放置在晶圓載盤的用於放置晶圓的凹槽內。由於凹槽僅占晶圓載盤的部分區域，所以，MOCVD技術過程中，未設置凹槽的那部分區域的晶圓載盤的上表面也被反應氣體所籠罩。為了描述方便，將設置有用於放置晶圓的凹槽的表面定義為第一子表面，將除所述第一子表面的上表面的其它表面定義為第二子表面。當MOCVD技術進行時，反應氣體籠罩在整個晶圓載盤的上表面上方。這樣在晶體生長在晶圓表面上的同時，晶體也會在晶圓載盤的第二子表面上生長。其反生長機制示意圖如第4圖所示。設定：、分別為從反應氣體氣相區域流向晶圓載盤和晶圓的氣體流量；、分別為在晶圓載盤表面和晶圓表面上發生反應所消耗的氣體流量；為氣體擴散係數；為在化學界面層上方的氣相分子濃度；、分別為在晶圓載盤和晶圓表面上方的氣體濃度；、分別為晶圓載盤和晶圓表面上的異質反應速率常數。 在晶圓載盤的第二子表面上方：（1）（2） 在晶圓表面上方：（3）（4） 一般情况下，＞＞或，那麽，（5）（6）； 又因為在穩定狀態下，流入的氣體流量等於消耗的氣體流量，所以，（7） 一般情况下，＜，所以，＞（8）。

在實際MOCVD技術過程中，晶圓載盤是轉動的，這就相當於晶圓載盤上方的氣體流是旋轉氣體流。因而流向晶圓表面的氣體流可以等效為兩個方向的氣體流，一個是來自頂部的竪直流向的氣體流，該氣體流由氣體噴淋頭噴出；另外一個是從晶圓載盤流向晶圓邊緣的水平方向的氣體流。由於晶圓載盤表面上方的氣體濃度大於晶圓表面上方的氣體濃度，所以，靠近氣體旋轉方向前端的晶圓邊緣的氣體濃度大於晶圓其它區域的氣體濃度，又因為，生長速率與氣體濃度成正比關係，所以，靠近氣體旋轉方向前端的晶圓邊緣的生長速率大於晶圓其它區域的生長速率，這種現象可以稱為“leading edge”。

為了防止靠近氣體旋轉方向前端的晶圓邊緣的生長速率大於晶圓其它區域的生長速率，需要抑制晶圓載盤上方的氣體較大的濃度。這就需要使晶圓載盤消耗與晶圓相同量的氣體量。也就是說，需要使反應氣體與晶圓載盤的反應速率等於反應氣體與晶圓的反應速率。由於在反應前，晶圓載盤表面上方的氣體濃度與晶圓表面上方的氣體濃度相等，所以要使兩者的反應速率相等，需要使反應氣體與晶圓載盤表面反應的速率常數等於反應氣體與晶圓表面反應的速率常數。

為了實現上述目的，本發明提供了一種用於MOCVD反應系統的晶圓載盤。如第5圖所示，晶圓載盤500的上表面包括第一子表面和第二子表面，在第一子表面上設置有用於放置晶圓的第一結構501，在第二子表面上設置有第二結構502，該第二結構502能夠增大第二子表面的面積，從而使本發明實施例設置有第二結構502的第二子表面的面積大於未設置第二結構502的第二子表面的面積。相較於常規結構的第二子表面與反應氣體的反應速率常數，設置有第二結構的第二子表面與反應氣體的反應速率常數增大，並且能夠使該反應速率常數等於晶圓表面與反應氣體的反應速率常數。需要說明的是，常規結構的第二子表面為平整表面。

需要說明的是，本發明實施例所述的晶圓載盤的上表面是指在MOCVD技術時朝向反應氣體的表面。在本發明實施例中，晶圓載盤的材質可以為石墨。

由於晶圓載盤的第二子表面的面積增大，從而增大了晶圓載盤表面與反應氣體的反應速率常數。藉由調整第二子表面的面積能夠使晶圓載盤表面與反應氣體的反應速率常數等於晶圓表面與反應氣體的反應速率常數，從而能夠使晶圓載盤表面與氣體的反應速率等於晶圓表面與氣體的反應速率，從而使得晶圓載盤表面消耗的氣體量等於晶圓表面消耗的氣體量，進一步使得反應後的晶圓載盤表面上方的反應氣體濃度等於晶圓表面上方的反應氣體濃度。因而也就不會出現濃度較大的晶圓載盤表面上方的氣體向晶圓表面上方擴散的現象，從而不會導致靠近氣體旋轉方向前端的晶圓邊緣上方的氣體濃度大於晶圓其它區域上方的氣體濃度。因而，藉由本發明提供的晶圓載盤，能夠保證靠近氣體旋轉方向前端的晶圓邊緣上方的氣體濃度與其它區域上方的氣體濃度相等，從而能夠保證晶圓整個表面上的反應速率均相等，進一步能夠保證生長在晶圓整個表面上的晶體材料的厚度相同。

更進一步地說，第二子表面的面積也不是越大越好，如果第二子表面的面積太大，有可能會出現，晶圓載盤表面與反應氣體的反應速率常數大於晶圓表面與反應氣體的反應速率常數，從而也會出現反應速率不均勻的現象。所以，作為本發明的一個優選實施例，將設置有第二結構的第二子表面的面積與未設置有第二結構的第二子表面的面積的比值限定在一定範圍內。經過試驗驗證，該面積比值的範圍優選在1.05~1.15之間。在該範圍內，晶圓載盤表面與反應氣體的反應速率常數與晶圓表面與反應氣體的反應速率常數大致相同，進而能夠保證晶圓載盤消耗的氣體量與晶圓表面消耗的氣體量大致相同，能夠取得較好的效果。

另外，一般情况下，晶圓載盤的面積明顯大於一個晶圓的面積，所以，如第5圖所示，在晶圓載盤500上可以設置有多個第一結構501，用於放置多個晶圓。該第一結構501通常為凹槽結構。為了增大第二子表面的面積，可以在第二子表面上設置多個第二結構502。

作為本發明的更為具體的實施例，能夠增大晶圓載盤第二子表面面積502的第二結構可以為凹陷結構，也可以為突起結構，或者兩者的結合因而藉由凹陷結構和/或突起結構能夠增大第二子表面的面積。

也可以這麽理解上述晶圓載盤的結構：在晶圓載盤500的上表面包括多個向下凹陷的安裝區501（相當於第一結構），該安裝區501用於安裝待處理的晶圓，在多個安裝區501之間包括隔離區，隔離區使得不同安裝區501之間相互隔離。所述隔離區的上表面包括至少一個凹陷結構或突起結構502（相當於第二結構），該凹陷結構或突起結構502使得隔離區上表面的面積與所述隔離區向下投影的平面面積的比值在1.05~1.15之間。

在本發明實施例中，第二結構502可以藉由多種具體結構和形狀來實現，具體參見以下實施例。

第6A圖是本發明實施例一提供的晶圓載盤的結構示意圖，第6B圖是本發明實施例一的晶圓載盤上的第二結構的結構示意圖。

如第6A圖所示，實施例一提供的晶圓載盤的上表面包括第一子表面和第二子表面，其中，在第一子表面上設置有12個用於放置晶圓的凹槽601，在第二子表面上設置有多個凹陷腔體602。其中，凹陷腔體602的形狀為半球，單個凹陷腔體602的放大示意圖如第6B圖所示。需要說明的是，在本發明實施例中，第一子表面和第二子表面的劃分是根據其上設置的結構來劃分的。在本發明實施例中，晶圓載盤的直徑可以為500毫米。凹槽601可以設置為用於放置4英寸的晶圓的凹槽。

如第6B圖所示的半球形狀的凹陷腔體602，其半徑與深度可以相等，或者，半徑略大於深度。作為本發明的更具體實施例，半球形狀的凹陷腔體602的半徑可以為1毫米。假設該半球的半徑為r，深度為d，則該半球的表面積P可以藉由以下方式計算得到：。

採用本發明實施例所述的晶圓載盤，晶圓載盤表面與反應氣體的反應速率常數等於晶圓表面與反應氣體的反應速率常數。從而使得反應後在晶圓載盤表面上方的氣體濃度與晶圓表面上方的氣體濃度相等，從而抑制了“leading edge”的發生，保證了晶圓整個表面上的氣體濃度相等，進而保證了在整個晶圓表面上的晶體生長具有相同的生長速率，從而能夠在晶圓表面生長的晶體具有均勻的厚度。

在本發明實施例中，多個凹陷腔體在第二子表面上的分布呈三次對稱軸分布，將形成三次對稱軸分布的三個凹陷腔體稱為一個第二結構單元，一個第二結構單元在第二子表面上的配置如第6C圖所示。其中，凹陷腔體分別位於等邊三角形的頂點上，假設三角形的等效邊長為a，凹陷腔體的半徑為r，深度為d，則一個第二結構單元的面積的計算公式如下：（9）。

需要說明的是，三角形的等效邊長a決定了各個凹陷腔體在晶圓載盤表面上之間的距離。

本發明實施例對第二結構單元的各個參數（三角形的等效邊長a、半球的半徑r和深度d）進行了調整，從而得到多個面積比值(ratio)，具體如表1所示。表1所示的面積比值ratio是設置有第二結構的第二子表面與未設置第二結構的第二子表面的面積比，也就是第二子表面與第二子表面向下投影得到的平面的面積比值。表1

另外，氣體在凹陷腔體602內的雷諾指數有可能達到200，因而在該凹陷腔體內可能會産生湍流，從而進一步增大氣體的消耗量，使得晶圓載盤的表面與反應氣體的反應速率常數增大。上述實施例一所述的凹陷腔體為半球，實際上，本發明實施例所述的凹陷腔體也可以是其它形狀，如圓柱形的、倒圓錐形、溝槽或者其它不規則凹陷形狀，只要凹陷腔體的形狀能夠改變氣流在載盤表面的路徑均屬本發明內容。

上述實施例一提供的晶圓載體中的第二結構為半球狀的凹陷腔體，實際上，所述第二結構也可以為形狀為半球的突起結構。該半球狀的突起結構的結構示意圖如第6D圖。該半球狀的突起結構的半徑r和深度d與半球狀的凹陷腔體的半徑r和深度d相同。為了簡要起見，在此不再詳細描述。

實施例一所述的第二結構為半球狀的凹陷腔體或半球狀的突起結構。實際上，作為本發明的另一實施例，第二結構還可以為凹溝或突出條。具體參見實施例二。當第二結構為凹溝或突出條時，該凹溝或突出條的數量、深度、寬度確定第二子表面的面積。 實施例二

如第7A圖所示，在晶圓載盤700的上表面的第一子表面上設置有12個用於放置晶圓的第一結構701，該第一結構701可以為凹槽。在第二子表面上設置有多條環形凹溝或突出條702。在本發明實施例中，每條環形凹溝或突出條702與晶圓載盤700的中心重合。也就是說，晶圓載盤700與環境凹溝或突出條702構成同心圓。

實施例二所述的凹溝或突出條702為環形的，實際上，上述所述的凹溝或突出條702還可以為從晶圓載盤的中心沿徑向方向向晶圓載盤的四周延伸，如第7B圖所示。

為了使得晶圓載盤在轉動的過程中，有利於氣體的流動，上述所述的凹溝或突出條702還可以向同一個方向傾斜，如同風車的葉輪。

實施例一和實施例二所述的晶圓載盤僅在第二子表面上設置有第二結構。將該種結構的晶圓載盤應用於MOCVD系統時，如果用於放置晶圓的第一結構上均放置了晶圓，能夠保證晶圓載盤表面與氣體的反應速率常數等於晶圓表面與氣體的反應速率常數，進而能夠保證生長在晶圓表面上的晶體材料的厚度均勻性。但是，如果僅在部分第一結構上放置了晶圓，留有部分第一結構閒置，這時，閒置的第一結構相當於晶圓載盤的表面，而這些閒置的第一結構表面與氣體的反應速率常數小於晶圓表面與氣體的反應速率常數，此時，有可能就會出現晶圓表面上的晶體材料的厚度不均勻的情况。為了避免該種情况的出現，本發明還提供了實施例三。 實施例三

如第8圖所示，在晶圓載盤800的上表面的第一子表面上設置有多個用於放置晶圓的第一結構801，在第二子表面上設置有多個第二結構802，並且在部分第一結構801的內部也設置有第二結構802’。這樣，當在部分第一結構801上放置晶圓時，將晶圓放置在未設置第二結構的第一結構801上，將設置有第二結構802’的第一結構801閒置，由於這些閒置的第一結構的表面上也設置了第二結構，所以，這些閒置的第一結構的表面與氣體的反應速率常數等於晶圓表面與氣體的反應速率常數，從而能夠保證第一結構部分放置有晶圓時，也能保證生長在晶圓表面上的晶體材料的厚度的均勻性。

需要說明的是，在本發明實施例中，所述的第二結構802可以為實施例一或實施例二所述的任一結構，本實施例對第二結構的形式不做限定。

以上所述僅是本發明的優選實施方式，應當指出，對於所屬領域具有通常知識者來說，在不脫離本發明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本發明的保護範圍。

500、600、700、800‧‧‧晶圓載盤
501、701、801‧‧‧第一結構
502、802、802'‧‧‧第二結構
601‧‧‧凹槽
602‧‧‧凹陷腔體
702‧‧‧凹溝或突出條

第1圖是在晶圓表面上的晶體材料的生長速率不均勻的原因解釋示意圖。

第2圖至第3圖是為晶體材料GaN反應機構示意圖。

第4圖是晶體材料GaN在晶圓上的的生長機制示意圖。

第5圖是本發明實施例的晶圓載盤的結構示意圖。

第6A圖是本發明實施例一提供的晶圓載盤的結構示意圖。

第6B圖是本發明實施例一提供的一種第二結構的結構示意圖。

第6C圖是本發明實施例一提供的第二結構在晶圓載盤上的配置的結構示意圖。

第6D圖是本發明實施例一提供的另外一種第二結構的結構示意圖。

第7A圖是本發明實施例二提供的一種晶圓載盤的結構示意圖。

第7B圖是本發明實施例二提供的另外一種晶圓載盤的結構示意圖。

第8圖是本發明實施例三提供的晶圓載盤的結構示意圖。

500‧‧‧晶圓載盤

501‧‧‧第一結構

502‧‧‧第二結構

Claims (12)

1. 一種用於MOCVD反應系統的晶圓載盤，其包括：該晶圓載盤的上表面包括一第一子表面和一第二子表面，在該第一子表面上設置用於放置晶圓的一第一結構，在該第二子表面上設置有一第二結構，該第二結構能夠增大該第二子表面的面積，使反應氣體與晶圓載盤的第二子表面的反應速率常數等於反應氣體與晶圓表面的反應速率常數。
2. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓載盤，其中設置有該第二結構的第二子表面的面積與未設置有該第二結構的第二子表面的面積的比值範圍在1.05~1.15之間。
3. 如申請專利範圍第1或2項所述之晶圓載盤，其中該第二結構為凹陷結構、突起結構、或其組合。
4. 如申請專利範圍第3項所述之晶圓載盤，其中該第二結構為複數個，當該第二結構為凹陷結構時，每個該凹陷結構為凹陷腔體，該凹陷腔體的形狀為半球；當該第二結構為突起結構時，每個該突起結構的形狀為半球。
5. 如申請專利範圍第4項所述之晶圓載盤，其中該半球的半徑與深度相同，或者該半球的半徑大於深度。
6. 如申請專利範圍第3項所述之晶圓載盤，其中當該第二結構為凹陷結構時，該凹陷結構為凹溝，當該第二結構為突起結構時，該突起結構為突出條。
7. 如申請專利範圍第6項所述之晶圓載盤，其中該凹陷結構為複數個環狀凹溝，每個該環狀凹溝與該晶圓載盤的中心相同。
8. 如申請專利範圍第6項所述之晶圓載盤，其中該突起結構為複數個環狀突出條，每個該環狀突出條與該晶圓載盤的中心相同。
9. 如申請專利範圍第6項所述之晶圓載盤，其中該凹陷結構為複數個該凹溝，該突起結構為複數個該突出條，每個該突出條或每個該凹溝從該晶圓載盤的中心沿徑向方向延伸。
10. 如申請專利範圍第9項所述之晶圓載盤，其中沿徑向方向延伸的該突出條或該凹溝向同一方向傾斜。
11. 如申請專利範圍第1或2項所述之晶圓載盤，其中該第一結構為複數個，在部分該第一結構的內部設置有該第二結構。
12. 一種用於MOCVD反應系統的晶圓載盤，其中，該晶圓載盤的上表面包括複數個向下凹陷的安裝區，該複數個安裝區用於安裝待處理晶圓，該複數個安裝區之間包括隔離區，以使該複數個安裝區之間互相隔離，該隔離區的上表面包括至少一個凹陷結構或突起結構，該凹陷結構或突起結構使得該隔離區上表面的面積與該隔離區向下投影的平面面積的比值在1.05-1.15之間。