TWI585542B - 微影裝置、感測器及方法 - Google Patents

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TWI585542B TW102108305A TW102108305A TWI585542B TW I585542 B TWI585542 B TW I585542B TW 102108305 A TW102108305 A TW 102108305A TW 102108305 A TW102108305 A TW 102108305A TW I585542 B TWI585542 B TW I585542B
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法布里奇奧 伊凡格麗斯塔
德克 珍 威弗瑞德 克朗德
布恩 寇尼里斯 寇尼亞 迪
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Ａｓｍｌ荷蘭公司
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Description

微影裝置、感測器及方法
本發明係關於一種微影裝置、一種感測器及一種微影方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)製造中。在彼情況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。
微影被廣泛地認為是在IC以及其他器件及/或結構之製造中之關鍵步驟中的一者。然而，隨著使用微影所製造之特徵之尺寸變得愈來愈小，微影正變為用於使能夠製造小型IC或其他器件及/或結構之更具決定性之因素。
圖案印刷極限之理論估計可藉由瑞立(Rayleigh)解析度準則給出，如方程式(1)所示：
其中λ為所使用輻射之波長，NA為用以印刷圖案之投影系統之數值孔徑，k1為程序相依調整因數(亦被稱為瑞立常數)，且CD為經印刷特徵之特徵大小(或臨界尺寸)。自方程式(1)可見，可以三種方式來獲得特徵之最小可印刷大小之縮減：藉由縮短曝光波長λ、藉由增加數值孔徑NA，或藉由減低k1之值。
為了縮短曝光波長且因此縮減最小可印刷大小，已提議使用極紫外線(EUV)輻射源。EUV輻射為具有在5奈米至20奈米之範圍內(例如，在13奈米至14奈米之範圍內)之波長的電磁輻射。已進一步提議可使用具有小於10奈米(例如，在5奈米至10奈米之範圍內，諸如，6.7奈米或6.8奈米)之波長之EUV輻射。此輻射被稱為極紫外輻射或軟x射線輻射。舉例而言，可能之源包括雷射產生電漿源、放電電漿源，或基於由電子儲存環提供之同步加速器輻射之源。
可使用電漿來產生EUV輻射。用於產生EUV輻射之輻射系統可包括用於激發燃料以提供電漿之雷射，及用於含有電漿之源收集器裝置。可(例如)藉由將雷射光束引導於燃料(諸如，合適材料(例如，錫)之粒子，或合適氣體或蒸汽(諸如，Xe氣體或Li蒸汽)之串流)處來創製電漿。所得電漿發射輸出輻射，例如，EUV輻射，該輻射係使用輻射收集器予以收集。輻射收集器可為正入射或掠入射輻射收集器，其接收輻射且將輻射聚焦成光束。源收集器裝置可包括經配置以提供真空環境來支援電漿之圍封結構或腔室。典型EUV輻射源為放電產生(DPP)源或雷射產生電漿(LPP)源。
需要使用EUV輻射來量測在裝置之操作期間之各種參數。此等參數可包括用以將圖案投影至基板上之輻射之強度，以及晶圓及光罩之對準。另外，需要監視紅外線輻射之存在，此係因為紅外線輻射可造成對EUV裝置之鏡面之損害。
可需要提供一種能夠量測一EUV輻射之屬性之感測器，該感測器具有一改良型準確度。根據本發明之一第一態樣，提供一種用於量測一頻帶內輻射之一屬性之感測器，該感測器包含：一光電二極體，其提供於一半導體基板之一面上；一第一輻射阻擋材料，其圍繞該光電二極體而提供於該半導體基板之該面上；一第二輻射阻擋材料，其提供於該半導體基板之一側上，其中該第二輻射阻擋材料提供一頻帶外輻射之顯著抑制。
該感測器包含：一光電二極體，其提供於一半導體基板之一面上；一第一輻射阻擋材料，其圍繞該光電二極體而提供於該半導體基板之該面上；一第二輻射阻擋材料，其提供於該半導體基板之一側上，其中該第二輻射阻擋材料可提供可見光輻射及DUV輻射之顯著抑制。
該半導體基板之該側可實質上垂直於該半導體基板之該面。
該第二輻射阻擋材料亦可提供於該光電二極體上方。
該第二輻射阻擋材料可提供可見光輻射及DUV輻射之顯著抑制，但允許EUV輻射之顯著透射。
該第二輻射阻擋材料可包含鋯或氮化鈦。
該第二輻射阻擋材料可不提供於該光電二極體上方。
該第二輻射阻擋材料可提供可見光輻射及DUV輻射之顯著抑制。
該第二輻射阻擋材料可提供EUV輻射之顯著抑制。
該第二輻射阻擋材料可包含鋁。
該光電二極體可為提供於該半導體基板之該面上之複數個光電二極體中的一者。
該感測器可提供於諸如經建構以支撐一圖案化器件之一支撐件的一支撐件上。
根據本發明之一第二態樣，提供一種裝置，該裝置包含：一光學系統，其經組態以調節一輻射光束；及一感測器，其經配置以接收一輻射光束之部分，藉此允許在該輻射由該光學系統調節之前或在該輻射由該光學系統調節之後量測該輻射光束之一屬性；該感測器包含提供於一半導體基板之一面上之一光電二極體，該輻射光束在該裝置之操作期間被引導朝向該半導體基板之該面，其中一第一輻射阻擋材料圍繞該光電二極體而提供於該半導體基板之該面上，且其中一第二輻射阻擋材料提供於該半導體基板之一側上，該輻射光束在該微影裝置之操作期間入射於該半導體基板之該側上。
舉例而言，該裝置可為一微影裝置、可為單獨或與該微影裝置整合之一輻射源裝置、用於量測一表面之屬性(例如，用以量測一經圖案化基板之屬性)之一度量衡裝置或一檢測裝置。
一光學系統可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。該輻射光束之調節意謂改變該等輻射光束屬性中至少一者，諸如，提供一經圖案化輻射。在一微影裝置中，該光學系統可包含(例如)以下元件中之一或多者：一照明系統，其經組態以調節一輻射光束；一圖案化器件；或一投影系統，其經組態以將該(在存在一圖案化器件時，經圖案化)輻射光束投影至該基板之一目標部分上。
舉例而言，根據本發明之一裝置為一種微影裝置，其包含：一照明系統，其經組態以調節一輻射光束；一支撐件，其經建構以支撐一圖案化器件，該圖案化器件能夠在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束；一基板台，其經建構以 固持一基板；及一投影系統，其經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部分上。一感測器提供於該微影裝置中，該感測器包含：一光電二極體，其提供於一半導體基板之一面上，該輻射光束在該微影裝置之操作期間被引導朝向該半導體基板之該面；一第一輻射阻擋材料，其圍繞該光電二極體而提供於該半導體基板之該面上，且其中一第二輻射阻擋材料提供於該半導體基板之一側上，該輻射光束在該微影裝置之操作期間入射於該半導體基板之該側上。
根據本發明之一第三態樣，提供一種微影方法，該微影方法包含：使用一微影裝置之一照明系統來調節一輻射光束；及使用一感測器來量測該輻射光束，該感測器包含：一光電二極體，其提供於一半導體基板之一面上，該輻射光束在該微影裝置之操作期間被引導朝向該半導體基板之該面；一第一輻射阻擋材料，其圍繞該光電二極體而提供於該半導體基板之該面上，且一第二輻射阻擋材料提供於該半導體基板之一側上，該輻射光束在該微影裝置之操作期間入射於該半導體基板之該側上。
下文參看隨附圖式詳細地描述本發明之另外特徵及優點，以及本發明之各種實施例之結構及操作。應注意，本發明不限於本文所描述之特定實施例。本文僅出於說明性目的而呈現此等實施例。基於本文所含有之教示，額外實施例對於熟習相關技術者將顯而易見。
2‧‧‧光電二極體
4‧‧‧半導體基板
6‧‧‧支撐件
8‧‧‧半導體基板之面
10‧‧‧第一輻射阻擋材料/第一輻射阻擋材料之向下對向表面
12‧‧‧第二輻射阻擋材料
14‧‧‧半導體基板之側
16‧‧‧第二輻射阻擋材料
21‧‧‧輻射光束
22‧‧‧琢面化場鏡面器件
24‧‧‧琢面化光瞳鏡面器件
26‧‧‧經圖案化光束
28‧‧‧反射元件
30‧‧‧反射元件
100‧‧‧微影裝置
210‧‧‧極紫外線(EUV)輻射發射電漿/極熱電漿/高度離子化電漿
211‧‧‧源腔室
212‧‧‧收集器腔室
220‧‧‧圍封結構
221‧‧‧開口
230‧‧‧氣體障壁/污染物截留器/污染截留器/污染物障壁
240‧‧‧光柵光譜濾光器
251‧‧‧上游輻射收集器側
252‧‧‧下游輻射收集器側
253‧‧‧掠入射反射器
254‧‧‧掠入射反射器
255‧‧‧掠入射反射器
B‧‧‧輻射光束
C‧‧‧目標部分
CO‧‧‧輻射收集器/近正入射收集器光學件
IF‧‧‧虛擬源點/中間焦點
IL‧‧‧照明系統/照明器/照明光學件單元
LA‧‧‧雷射
M1‧‧‧光罩對準標記
M2‧‧‧光罩對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
MT‧‧‧支撐結構/支撐件
O‧‧‧光軸
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一***
PS‧‧‧投影系統
PS1‧‧‧位置感測器
PS2‧‧‧位置感測器
PW‧‧‧第二***
S‧‧‧感測器
SO‧‧‧源收集器模組/源收集器裝置
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台
併入本文中且形成本說明書之部分的隨附圖式說明本發明，且連同【實施方式】進一步用以解釋本發明之原理，且使熟習相關技術者能夠進行及使用本發明。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。
圖2為微影裝置之更詳細視圖。
圖3為圖1及圖2之裝置之源收集器裝置的更詳細視圖。
圖4示意性地描繪根據本發明之一實施例的感測器。
圖5示意性地描繪根據本發明之一替代實施例的感測器。
本發明之特徵及優點將自下文在結合圖式時所闡述之【實施方式】變得更顯而易見，在該等圖式中，類似元件符號始終識別對應元件。在該等圖式中，類似元件符號通常指示等同、功能上相似及/或結構上相似之元件。一元件第一次出現時之圖式係藉由對應元件符號中之最左側數位指示。
本說明書揭示併入本發明之特徵之一或多項實施例。所揭示實施例僅僅例示本發明。本發明之範疇不限於所揭示實施例。本發明係藉由附加於此處之申請專利範圍界定。
所描述實施例及在本說明書中對「一實施例」、「一實例實施例」等等之參考指示所描述實施例可包括一特定特徵、結構或特性，但每一實施例可未必包括該特定特徵、結構或特性。此外，此等片語未必指代同一實施例。另外，當結合一實施例來描述一特定特徵、結構或特性時，應理解，無論是否予以明確地描述，結合其他實施例來實現此特徵、結構或特性皆係在熟習此項技術者之認識範圍內。
本發明之實施例可以硬體、韌體、軟體或其任何組合予以實施。本發明之實施例亦可被實施為儲存於機器可讀媒體上之指令，該等指令可由一或多個處理器讀取及執行。機器可讀媒體可包括用於儲存或傳輸呈可由機器(例如，計算器件)讀取之形式之資訊的任何機構。舉例而言，機器可讀媒體可包括：唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁碟儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體器件；電學、光學、聲學或其他形式之傳播信號(例如，載波、紅外線信號、數位信號，等等)；及其他者。另外，韌體、軟體、常式、指令可在本文被描述為執行某些動作。然而，應瞭解，此等描述僅僅係出於方 便起見，且此等動作事實上係由計算器件、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式、指令等等之其他器件引起。
然而，在更詳細地描述此等實施例之前，有指導性的是呈現可供實施本發明之實施例的實例環境。
圖1示意性地展示根據本發明之一實施例的包括源收集器模組SO之微影裝置LAP。該裝置包含：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，EUV輻射)；支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩或比例光罩)MA，且連接至經組態以準確地定位該圖案化器件之第一***PM；基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以準確地定位該基板之第二***PW；及投影系統(例如，反射投影系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐件MT以取決於圖案化器件MA之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，該圖案化器件是否被固持於真空環境中)的方式來固持該圖案化器件。支撐件可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件。支撐件可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動。支撐件可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。
術語「圖案化器件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中創製圖案的任何器件。被賦予至輻射光束之圖案可對應於目標部分中所創製之器件(諸如，積體電路)中之特定功能層。
圖案化器件可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。
類似於照明系統，投影系統可包括適於所使用之曝光輻射或適於諸如真空之使用之其他因素的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。可需要將真空用於EUV輻射，此係因為其他氣體可吸收過多輻射。因此，可憑藉真空壁及真空泵而將真空環境提供至整個光束路徑。
如此處所描繪，裝置屬於反射類型(例如，使用反射光罩)。
微影裝置可屬於具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
參看圖1，照明器IL自源收集器裝置SO接收極紫外輻射光束。用以產生EUV輻射之方法包括(但未必限於)用在EUV範圍內之一或多種發射譜線將具有至少一元素(例如，氙、鋰或錫)之材料轉換成電漿狀態。在一種此類方法(常常被稱為雷射產生電漿「LPP」)中，可藉由用雷射光束來輻照燃料(諸如，具有所需譜線發射元素之材料小滴、串流或叢集)而產生所需電漿。源收集器裝置SO可為包括雷射(圖1中未繪示)之EUV輻射系統之部件，該雷射用於提供激發燃料之雷射光束。所得電漿發射輸出輻射，例如，EUV輻射，該輻射係使用安置於源收集器裝置中之輻射收集器予以收集。舉例而言，當使用CO2雷射以提供用於燃料激發之雷射光束時，雷射及源收集器裝置可為分離實 體。
在此等狀況下，不認為雷射形成微影裝置之部件，且雷射光束係憑藉包含(例如)合適引導鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統而自雷射傳遞至源收集器裝置。
在常常被稱為放電產生電漿(「DPP」)之替代方法中，藉由使用放電以使燃料汽化來產生EUV發射電漿。該燃料可為具有在EUV範圍內之一或多種發射譜線之元素，諸如，氙、鋰或錫。該放電可由電力供應器產生，該電力供應器可形成源收集器裝置之部件，或可為經由電連接而連接至源收集器裝置之分離實體。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如，琢面化場鏡面器件及琢面化光瞳鏡面器件。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於支撐件(例如，光罩台)MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上，且係藉由該圖案化器件而圖案化。在自圖案化器件(例如，光罩)MA反射之後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二***PW及位置感測器PS2(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WT，例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一***PM及另一位置感測器PS1可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件(例如，光罩)MA。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如，光罩)MA及基板W。
所描繪裝置可用於以下模式中至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐件(例如，光罩台)MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐件(例如，光罩台)MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐件(例如，光罩台)MT之速度及方向。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐件(例如，光罩台)MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在一掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。
圖2更詳細地展示微影裝置100，其包括源收集器裝置SO、照明系統IL及投影系統PS。源收集器裝置SO經建構及配置成使得可使真空環境維持於源收集器裝置SO之圍封結構220中。可藉由放電產生電漿源形成EUV輻射發射電漿210。可藉由氣體或蒸汽(例如，Xe氣體、Li蒸汽或Sn蒸汽)產生EUV輻射，其中創製極熱電漿210以發射在電磁光譜之EUV範圍內之輻射。舉例而言，藉由造成至少部分離子化電漿之放電來創製極熱電漿210。為了輻射之有效率產生，可需要為(例如)10帕斯卡之分壓之Xe、Li、Sn蒸汽或任何其他合適氣體或蒸汽。在一實施例中，提供受激發錫(Sn)電漿以產生EUV輻射。
由熱電漿210發射之輻射係經由定位於源腔室211中之開口中或後方的選用氣體障壁或污染物截留器230(在一些狀況下，亦被稱作污染物障壁或箔片截留器)而自源腔室211傳遞至收集器腔室212中。污染物截留器230可包括通道結構。污染截留器230亦可包括氣體障壁，或氣體障壁與通道結構之組合。本文進一步所指示之污染物截留器或污染物障壁230至少包括通道結構。
收集器腔室212可包括可為所謂掠入射收集器之輻射收集器CO。輻射收集器CO具有上游輻射收集器側251及下游輻射收集器側252。橫穿收集器CO之輻射可自光柵光譜濾光器240反射以聚焦於虛擬源點IF中。虛擬源點IF通常被稱作中間焦點，且源收集器裝置經配置成使得中間焦點IF位於圍封結構220中之開口221處或附近。虛擬源點IF為輻射發射電漿210之影像。
隨後，輻射橫穿照明系統IL，照明系統IL可包括琢面化場鏡面器件22及琢面化光瞳鏡面器件24，琢面化場鏡面器件22及琢面化光瞳鏡面器件24經配置以提供在圖案化器件MA處輻射光束21之所要角分佈，以及在圖案化器件MA處輻射強度之所要均一性。在由支撐件MT固持之圖案化器件MA處輻射光束21之反射後，隨即形成經圖案化光束26，且由投影系統PS將經圖案化光束26經由反射元件28、30而成像至由晶圓載物台或基板台WT固持之基板W上。
比所示元件多之元件通常可存在於照明光學件單元IL及投影系統PS中。取決於微影裝置之類型，可視情況存在光柵光譜濾光器240。另外，可存在比諸圖所示之鏡面多的鏡面，例如，在投影系統PS中可存在比圖2所示之反射元件多1至6個的額外反射元件。
如圖2所說明，收集器光學件CO被描繪為具有掠入射反射器253、254及255之巢套式收集器，僅僅作為收集器(或收集器鏡面)之實例。掠入射反射器253、254及255經安置成圍繞光軸O軸向地對 稱，且此類型之收集器光學件CO係較佳地結合放電產生電漿源(常常被稱為DPP源)予以使用。
源收集器裝置SO可具有任何合適形式。舉例而言，可用如圖3所示之源收集器裝置來替換圖2所示之源收集器裝置SO。圖3所示之源收集器裝置SO為LPP輻射系統之部件。雷射LA經配置以將雷射能量沈積至諸如氙(Xe)、錫(Sn)或鋰(Li)之燃料中，從而創製具有數十電子伏特之電子溫度之高度離子化電漿210。在此等離子之去激發及再結合期間產生之高能輻射係自電漿發射、由近正入射收集器光學件CO收集，且聚焦至圍封結構220中之開口221上。
再次參看圖2，感測器S提供於固持圖案化器件MA之支撐件MT上。感測器經配置以接收輻射光束21之部分，藉此允許量測該輻射之屬性，諸如，該輻射光束之強度。感測器S可經定位成使得其接收超出圖案化器件MA之周邊的輻射光束21之部分。在微影裝置為掃描微影裝置的實施例中，感測器S可經定位成使得其自藉由輻射光束21形成之曝光隙縫之相對末端接收輻射(該曝光隙縫為藉由該輻射光束形成之輻射區域，其用以在掃描曝光期間照明圖案化器件MA)。感測器S可提供於微影裝置中之任何部位處，在該等部位處，該等感測器可用以量測輻射光束21之屬性，諸如，該輻射光束之強度。
由電漿產生之輻射光束21可具有比所要波長範圍更廣泛的波長範圍。舉例而言，輻射光束21可藉由在本文中被稱為「頻帶內」輻射之所要輻射之部分及在本文中被稱為「頻帶外」輻射之不當輻射之部分形成。舉例而言，頻帶內輻射可為具有大約為精選平均值(諸如，13.5奈米之平均值，或6.8奈米之平均值)之窄波長範圍之EUV輻射。「頻帶外」輻射為不屬於所要波長範圍之輻射，諸如，在不同波長下之EUV輻射、可見光、(近)紅外線輻射、UV輻射及深UV輻射。除了固有地由電漿產生以外，頻帶外輻射亦可由諸如激發電漿之雷射輻射 之其他輻射源創製。需要使感測器S以良好準確度量測與頻帶內輻射有關之參數，使得來自頻帶外輻射且干擾量測信號之任何雜訊保持於最小值。因此，需要抑制頻帶外輻射免於到達感測器S之量測區域。
圖4以橫截面示意性地展示圖2所示之感測器S中之一者(圍繞z軸旋轉達90°)。該感測器包含提供於半導體基板4(例如，Si基板)上之光電二極體2。光電二極體2提供於半導體基板4之面8上，輻射光束21(參見圖2)在微影裝置之操作期間將被引導朝向半導體基板4之面8。自上文進一步之描述應理解，輻射光束21之僅一部分入射於感測器S上(例如，曝光隙縫之一個末端)。因此，對輻射光束21被引導朝向半導體基板4之面8之參考可被解釋為意謂該輻射光束通常被引導朝向該半導體基板之該面，使得若該輻射光束之部分未受到感測器S之其他部件(例如，阻擋材料10)阻擋，則該輻射光束之該部分將入射於該半導體基板之該面上。
光電二極體2經配置以量測頻帶內EUV輻射之屬性。該光電二極體可包含p-n接面。US 7586108 B2、US 8138485 B2及US 2012268722 A1中描述此等光電二極體之實例，該所有三者之全文係以引用方式併入本文中。光電二極體2提供指示入射於該光電二極體上之輻射之強度的輸出。光電二極體可用以量測入射輻射之每一脈衝之能量以用於偵測順次輻射脈衝之間的波動。光電二極體亦可具備閃爍層(scintillation layer)，該閃爍層經組態以將EUV輻射光子轉換成可更適於供光電二極體偵測之較低能量光子。
衰減層(attenuation layer)可提供於光電二極體之頂部上，以便縮減到達光電二極體之EUV輻射之量。此情形可理想，以便避免光電二極體因每脈衝輻射之高能量而變得飽和。舉例而言，200奈米厚之鋁層或更厚之TiN層可用作衰減層。
半導體基板係由支撐件6固持。支撐件6可形成圖2所示之支撐件 MT之部件。該支撐件可由諸如第一輻射阻擋材料之任何材料製成。本發明之感測器亦可被解釋為沒有支撐件6。然而，支撐件6具有如下優點：其可消除高達99%之輻射光束，其中若該輻射光束未受到基板4阻擋，則該輻射光束將入射於半導體基板之與面8相對的面上。
光電二極體2可被提供成接近於半導體基板4之邊緣，使得感測器可引入至EUV輻射光束中而不會阻擋EUV輻射光束之實質比例。
第一輻射阻擋材料10之層係圍繞光電二極體2被提供，藉此阻止輻射入射於不形成光電二極體之部件的半導體基板之作用中部件上。第一輻射阻擋材料10防止輻射傳遞通過半導體基板4之面8及傳遞至該半導體基板中。輻射傳遞通過半導體基板4之面8及傳遞至該半導體基板中的情形將不理想，此係因為該輻射將會將雜訊引入至使用光電二極體2而獲得之輻射量測中或該輻射將會提供光電二極體2之飽和。
第一輻射阻擋材料10可為任何合適材料，例如，包含適於阻擋在預定波長範圍內之第一輻射之金屬的材料。在一實施例中，第一輻射阻擋材料10可為鋁。鋁將吸收EUV輻射，藉此防止EUV輻射到達半導體基板4之面8(或縮減到達該半導體基板之該面之EUV輻射的量)。鋁亦將阻擋在其他波長下之輻射(例如，DUV輻射及可見光輻射)，從而防止此輻射到達半導體基板4之面8(或縮減到達該半導體基板之該面之此輻射的量)。
第一輻射阻擋材料10可用該阻擋材料之外部表面上之保護層進行保護以預防由環境誘發之氧化。該外部表面可(例如)用氧化物層予以保護(此氧化物層不同於下文所描述之層12)。第一輻射阻擋材料10之外部表面可為氧化物。該氧化物將提供輻射阻擋材料(例如，鋁或其他合適金屬)與氛圍之隔離。
在一實施例中，包含第一輻射阻擋材料10之層及不同材料10'之層的多層堆疊(例如，兩個或兩個以上層)亦可圍繞光電二極體2被提 供。不同材料10'可為不阻擋第一輻射之材料，其用以(例如)保護第一輻射阻擋材料免於氧化或降解(例如，以與氛圍隔離)。不同材料10'亦可為另一第一輻射阻擋材料，以便增強第一輻射之阻擋；或以便阻擋不同波長範圍之輻射。舉例而言，該堆疊可包含用於吸收IR輻射之Si3N4層、用於吸收可見光輻射及/或DUV輻射之鋁層，及在半導體基板4之頂部上之氧化矽層。該堆疊中之層之次序並非必需的，只要其適於阻擋不當輻射即可。
第一輻射阻擋材料10之層的厚度可經精選為具有足以在所要程度上提供第一輻射之阻擋的值，且可針對使用第一輻射阻擋材料之單一層時以及使用多層堆疊時的情形使用標準技術而實驗上判定該值。第一輻射阻擋材料10之足夠厚的層可經精選成阻擋入射於其上之輻射光束21。對於緻密感測器設計，有利的是使第一輻射阻擋材料之層厚度(若為單一層)或包含第一輻射阻擋材料之層之多層堆疊的總厚度小於1毫米，諸如，小於1微米，理想地小於500奈米且甚至更理想地小於100奈米。
第二輻射阻擋材料12之層提供於光電二極體2上方及第一輻射阻擋材料10之至少部分上方。第二輻射阻擋材料12可提供於第一輻射阻擋材料10之全部上方，或可提供於在光電二極體2附近的該第一輻射阻擋材料之部分上方(例如，如圖4所示)。
第二輻射阻擋材料12亦提供於半導體基板4之側14上。微影裝置之輻射光束21之部分將在微影裝置之操作期間入射於半導體基板4之彼側14上。
第二輻射阻擋材料12阻擋或衰減諸如可見光輻射、近紅外線輻射及DUV輻射之頻帶外輻射，藉此防止此輻射自半導體基板之側14進入至該半導體基板中(或縮減自該半導體基板之該側進入之此輻射的量)。自側14進入半導體基板4之可見光輻射、近IR輻射及DUV輻射不 理想，此係因為其將會將雜訊引入至使用光電二極體2而執行之EUV輻射量測中。由第二輻射阻擋材料12對此輻射之抑制因此提供如下優點：其提供由感測器S達成之信雜比之改良。第二輻射阻擋材料之實例為鋯，及氮化鈦。若鋯曝光至氛圍，則其將氧化。此情形不理想，此係因為：若鋯氧化，則其將停止充當濾光器。因此，鋯可受到充當對氧之障壁的ZrN或TiN層保護(在氧化之前)。
通常，使感測器S在(例如)自晶圓切掉之半導體基板4之頂部上。出於上文所論述之原因，已知感測器使用圍繞光電二極體之第一輻射阻擋材料。然而，在分割晶圓之後，半導體基板4之邊緣通常「裸露」。
先前尚未瞭解，輻射將進入通過感測器之半導體基板之側，且此輻射及/或由該輻射在半導體中激發之電子將行進至EUV感測器之光電二極體且將顯著雜訊添加至由光電二極體偵測之信號。識別出為此狀況且接著將阻擋材料12提供於感測器之側14上相比於已知先前技術已提供感測器S之顯著且有價值的改良。
第二輻射阻擋材料12允許EUV輻射之顯著透射。此情形允許光電二極體2量測EUV輻射。
亦可用額外頂部層來保護第二輻射阻擋材料12。第二輻射阻擋材料12亦可以與上文針對第一輻射材料10所描述之方式相同的方式而作為多層堆疊中之至少一層提供於半導體基板4之側14上。
在一實施例中，第二輻射阻擋材料12包含三個層：內部氮化鋯層、中間鋯層，及外部氮化鋯層。氮化鋯在本文中用以保護鋯層免於氧化。或者，可代替ZrN而將TiN或其他金屬氮化物用於夾層組態中或用作單一層。其他材料亦可用於第二輻射阻擋材料12之夾層組態中。又，可交替地使用3個以上層作為雙重夾層或其他組態，其中可週期性地重複一層群組。一實例為包含TiN/Zr/TiN/Al/TiN之至少一多 層堆疊。經設計成阻擋第二輻射之多層堆疊可有利地用以解釋頻帶外輻射濾光器。舉例而言，內部氮化鋯層及外部氮化鋯層可具有25奈米或更小之厚度。舉例而言，中間鋯層可具有300奈米或更小之厚度。鋯提供諸如可見光輻射及DUV輻射之頻帶外輻射之顯著抑制，但允許EUV輻射之顯著透射。氮化鋯內部層及外部層可防止鋯層之氧化。可使用其他材料以保護鋯層免於氧化。
300奈米之鋯厚度經選擇為如下厚度：其提供諸如可見光輻射及DUV輻射之頻帶外輻射之顯著抑制，但允許EUV輻射之顯著透射。然而，300奈米之鋯厚度僅僅為一實例，且可使用任何其他合適厚度。該厚度可經選擇成提供指示值，且可使用其他厚度。厚度可經選擇成提供諸如可見光輻射及DUV輻射之頻帶外輻射之顯著抑制，但允許EUV輻射之顯著透射。舉例而言，鋯之厚度可小於300奈米，較佳地小於200奈米。
鋯僅僅為可用以形成第二輻射阻擋材料12之材料之實例。鋯濾出DUV輻射及可見光輻射，但透射EUV輻射。在替代實施例中，氮化鈦可用以形成第二輻射阻擋材料12。其他合適材料可用以形成第二輻射阻擋材料12。
第二輻射阻擋材料12可提供諸如可見光輻射及DUV輻射之頻帶外輻射之顯著抑制，但允許EUV輻射之顯著透射。術語「諸如可見光輻射及DUV輻射之頻帶外輻射之顯著抑制」可被解釋為意謂該抑制足以提供由進入通過半導體基板之側14之輻射造成的感測器雜訊之可辨別縮減。術語「EUV輻射之顯著透射」可被解釋為意謂EUV輻射透射足夠高以允許由光電二極體2量測已傳遞通過第二輻射阻擋材料12之EUV輻射。
儘管上文將第二輻射阻擋材料12稱作提供可見光輻射及DUV輻射之顯著抑制，但該第二輻射阻擋材料亦可提供不為EUV輻射波長之 其他波長之輻射的顯著抑制。諸如遠紅外線波長(例如，大約10微米之波長)之一些波長可不能由光電二極體偵測。第二輻射阻擋材料12是否提供在此等波長下之輻射之抑制並不重要。
圖5中以橫截面示意性地展示本發明之一替代實施例。在此實施例中，光電二極體2、半導體基板4、支撐件6及第一輻射阻擋材料10對應於圖4所示之光電二極體2、半導體基板4、支撐件6及第一輻射阻擋材料10。然而，第二輻射阻擋材料16不延伸於光電二極體2上方，而是僅提供於半導體基板4之側14上(且可提供於第一輻射阻擋材料10之部分上)。第二輻射阻擋材料16防止或抑制可見光輻射及DUV輻射經由側14而進入至半導體基板4中。因為第二輻射阻擋材料16不延伸於光電二極體2上方，所以沒有必要使該第二輻射阻擋材料允許EUV輻射之顯著透射。因此，第二輻射阻擋材料16可由除了阻擋可見光輻射及DUV輻射以外亦阻擋EUV輻射之材料形成。
舉例而言，第二輻射阻擋材料16可為鋁或某其他合適金屬。舉例而言，鋁可被提供為具有500奈米或更大之厚度(或某其他合適厚度)之層。使用鋁以形成第二輻射阻擋材料16之優點為：鋁可被相對容易地處置，且使用鋁之製作技術被良好地建立。
不同金屬或任何其他合適材料可用以形成第二輻射阻擋材料16。該材料應阻擋(或衰減)可見光輻射及DUV輻射，且亦可阻擋(或衰減)EUV輻射。
頻帶外輻射之抑制在本文中被定義為如下兩者之間的比率：光電流i1，其係在不存在至少提供於感測器S之側處以對第二頻帶外輻射進行濾光之第二輻射阻擋材料12的情況下由該感測器產生；及光電流i2，其係由根據本發明而修改之該(同一)感測器產生(亦即，第二輻射阻擋材料12至少提供於該感測器之側處)。在一理想情形中，i2應為(接近)零。
舉例而言，由第一實施例之第二輻射阻擋材料12對可見光輻射之抑制可為大約50倍。舉例而言，由第二實施例之第二輻射阻擋材料16對可見光輻射之抑制可為大約500倍。由第二實施例之第二輻射阻擋材料16提供之抑制可大於由第一實施例之第二輻射阻擋材料12提供之抑制，此係因為無需使該阻擋材料允許EUV輻射之透射。理想地，該抑制為至少10倍、更理想地為至少50倍、甚至更理想地為至少100倍且最理想地為至少1000倍。
可使用諸如蒸鍍技術之已知技術將第二輻射阻擋材料12、16提供於感測器S上。可將一容許度(例如，+/-10%)施加至上文進一步所給出之厚度值之實例，以考量藉由用以將第二輻射阻擋材料12、16提供於感測器上之技術提供之材料厚度的不準確度。可在半導體基板4之側14上的第二輻射阻擋材料12之厚度與第一輻射阻擋材料之向下對向表面10上的第二輻射阻擋材料12之厚度之間看到較大差(例如，+/-40%)(該差係在一指向技術用以提供該第二輻射阻擋材料時出現)。
取決於用以提供第二輻射阻擋材料12、16之技術，該第二輻射阻擋材料可具有不均勻厚度(例如，在圖4所示之實施例中的半導體基板4之側上較薄)。可將一實質容許度(例如，+/-20%)施加至上文進一步所給出之厚度值之實例。
儘管諸圖所說明之感測器S包含單一光電二極體2，但該感測器可包含複數個光電二極體。舉例而言，該複數個光電二極體可包含經配置以量測輻射光束強度之個別光電二極體，及經配置以偵測影像之光電二極體陣列(或不同形式之光電二極體之任何其他組合)。複數個光電二極體可提供於單一半導體基板上。另外，一或多個感測器S可與其他感測器耦接以同時地提供不同資訊。舉例而言，根據本發明之感測器可與根據諸圖置放於面8處之溫度感測器耦接。該溫度感測器可經組態以理想地以小於50毫秒之回應時間偵測紅外線輻射。當溫度 感測器偵測到相比於臨限溫度之溫度增加時，可提供展示出感測器S未根據設定參數而工作之回饋信號。
儘管所說明實施例展示微影裝置中之感測器S，但該感測器可提供於其他裝置中。舉例而言，感測器可提供於輻射源裝置、度量衡裝置或檢測裝置(例如，用以量測經圖案化基板之屬性之裝置)中。度量衡或檢測裝置可包含經配置以照明待檢測基板之輻射源、經配置以偵測自經照明基板反射之輻射之感測器，及經配置以分析經偵測輻射之處理器。舉例而言，該感測器可呈經配置以偵測影像之光電二極體陣列之形式，或可具有某其他形式。
光電二極體2之外部表面可具備經配置以濾出非EUV輻射之一或多個濾光器。該一或多個濾光器亦可經配置以縮減EUV輻射之振幅，以便避免光電二極體2之飽和。
第一輻射阻擋材料10可包括氮化矽(或吸收紅外線輻射之某其他材料)層。氮化矽將吸收紅外線輻射，且可(例如)用作溫度感測器之部件，該溫度感測器經配置以經由氮化矽之溫度改變而監視紅外線輻射之存在。所監視之紅外線輻射可為由雷射LA(參見圖3)產生之遠紅外線輻射，且可(例如)具有10.6微米之波長。
半導體基板4之側14垂直於(或實質上垂直於)所說明實施例中之半導體基板之面8。然而，側14可相對於半導體基板之面8處於某其他角度。
根據本發明之一實施例之感測器S可提供於微影裝置中之任何部位處，在該部位處，該感測器可用以量測輻射光束之強度(或輻射光束之某其他屬性)。若光電二極體足夠接近於光電二極體承載基板之側而使得雜訊將由傳遞至該基板之側中之輻射產生，則可將輻射阻擋材料提供於該基板之該側上。
在諸圖中展示且在以上描述中使用笛卡爾(Cartesian)座標。笛卡 爾座標意欲促進對本發明之理解，且不意欲意謂微影裝置之感測器或其他部件必須具有特定定向。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，例如，以便創製多層IC，使得本文所使用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例的使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許時不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化器件中之構形(topography)界定創製於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
術語「透鏡」在內容背景允許時可指代各種類型之光學組件中任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如上文所揭示之方法的機器可讀指令之一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光 碟)，其具有儲存於其中之此電腦程式。以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
應瞭解，【實施方式】章節而非【發明內容】及【中文發明摘要】章節意欲用以解釋申請專利範圍。【發明內容】及【中文發明摘要】章節可闡述如由本發明之發明人所預料的本發明之一或多個而非所有例示性實施例，且因此，不意欲以任何方式來限制本發明及附加申請專利範圍。
上文已憑藉說明特定功能及該等功能之關係之實施之功能建置區塊來描述本發明。為了便於描述，本文已任意地界定此等功能建置區塊之邊界。只要適當地執行指定功能及其關係，便可界定替代邊界。
特定實施例之前述描述將充分地揭露本發明之一般性質，使得在不脫離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用熟習此項技術者之認識針對各種應用而易於修改及/或調適此等特定實施例，而無不當實驗。因此，基於本文所呈現之教示及指導，此等調適及修改意欲係在所揭示實施例之等效者的涵義及範圍內。應理解，本文之措辭或術語係出於描述而非限制之目的，使得本說明書之術語或措辭待由熟習此項技術者按照該等教示及該指導進行解釋。
本發明之廣度及範疇不應受到上述例示性實施例中任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效者(亦包括以下條項)進行界定：
1.一種微影裝置，其包含：一照明系統，其經組態以調節一輻射光束；一支撐件，其經組態以支撐一圖案化器件，該圖案化器件能夠在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化 輻射光束；一基板台，其經組態以固持一基板；一投影系統，其經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部分上；及一感測器，其包含：一光電二極體，其提供於一半導體基板之一面上，該輻射光束在該微影裝置之操作期間被引導朝向該半導體基板之該面，一第一輻射阻擋材料，其圍繞該光電二極體而提供於該半導體基板之該面上，且一第二輻射阻擋材料提供於該半導體基板之一側上，該輻射光束在該微影裝置之操作期間入射於該半導體基板之該側上。
2.如條項1之微影裝置，其中該半導體基板之該側實質上垂直於該半導體基板之該面。
3.如條項1之微影裝置，其中該第二輻射阻擋材料亦提供於該光電二極體上方。
4.如條項3之微影裝置，其中該第二輻射阻擋材料提供可見光輻射及DUV輻射之顯著抑制，同時允許EUV輻射之顯著透射。
5.如條項3之微影裝置，其中該第二輻射阻擋材料包含鋯或氮化鈦。
6.如條項1之微影裝置，其中該第二輻射阻擋材料未提供於該光電二極體上方。
7.如條項6之微影裝置，其中該第二輻射阻擋材料提供可見光輻射及DUV輻射之顯著抑制。
8.如條項7之微影裝置，其中該第二輻射阻擋材料提供EUV輻射之顯著抑制。
9.如條項6之微影裝置，其中該第二輻射阻擋材料包含鋁。
10.如條項1之微影裝置，其中該光電二極體為提供於該半導體基板之該面上之複數個光電二極體中的一者。
11.如條項1之微影裝置，其中該感測器提供於該支撐件上。
12.一種感測器，其包含：一光電二極體，其提供於一半導體基板之一面上；一第一輻射阻擋材料，其圍繞該光電二極體而提供於該半導體基板之該面上；且一第二輻射阻擋材料提供於該半導體基板之一側上。
13.一種度量衡或檢測裝置，其包含如條項12之感測器。
14.一種微影方法，其包含：使用一微影裝置之一照明系統來調節一輻射光束；及使用一感測器來量測該輻射光束，該感測器包含：一光電二極體，其提供於一半導體基板之一面上，該輻射光束在該微影裝置之操作期間被引導朝向該半導體基板之該面；一第一輻射阻擋材料，其圍繞該光電二極體而提供於該半導體基板之該面上，且一第二輻射阻擋材料提供於該半導體基板之一側上，該輻射光束在該微影裝置之操作期間入射於該半導體基板之該側上。
2‧‧‧光電二極體
4‧‧‧半導體基板
6‧‧‧支撐件
8‧‧‧半導體基板之面
10‧‧‧第一輻射阻擋材料/第一輻射阻擋材料之向下對向表面
12‧‧‧第二輻射阻擋材料
14‧‧‧半導體基板之側
S‧‧‧感測器

Claims (18)

  1. 一種用於量測一頻帶內(in-band)輻射之一屬性之感測器，其包含：一光電二極體，其提供於一半導體基板之一面(face)表面上；一第一輻射阻擋材料，其圍繞該光電二極體而被提供於該半導體基板之該面表面上；及一第二輻射阻擋材料，其被提供於該半導體基板之一側(side)表面上，該半導體基板之該側表面異於該半導體基板之該面表面，其中該第二輻射阻擋材料提供一頻帶外(out-of-band)輻射之顯著抑制(significant suppression)。
  2. 如請求項1之感測器，其中該頻帶內輻射為一極紫外線(EUV)輻射。
  3. 如請求項1之感測器，其中該頻帶外輻射包含可見光輻射、(近)IR輻射及深紫外線(DUV)輻射中之一或多者。
  4. 如請求項1之感測器，其中該第一輻射阻擋材料包含一金屬。
  5. 如請求項1之感測器，其中該第二輻射阻擋材料係提供於該光電二極體上方(over)。
  6. 如請求項5之感測器，其中該第二輻射阻擋材料允許該EUV輻射之顯著透射。
  7. 如請求項1之感測器，其中該第二輻射阻擋材料並未被提供於該光電二極體上方。
  8. 如請求項7之感測器，其中該第二輻射阻擋材料提供可見光輻射、EUV輻射及DUV輻射之顯著抑制。
  9. 如請求項1之感測器，其中該第二輻射阻擋材料包含鋯，或氮化 鈦。
  10. 如請求項1之感測器，其中該光電二極體為提供於該半導體基板之該面表面上之複數個光電二極體中的一者。
  11. 如請求項1之感測器，其中該感測器係提供於一支撐件上。
  12. 如請求項1之感測器，其中該第一輻射阻擋材料或該第二輻射阻擋材料中至少一者形成一多層堆疊中之一層。
  13. 如請求項1之感測器，其中該第二輻射阻擋材料包含一多層堆疊。
  14. 如請求項13之感測器，其中該第二輻射阻擋材料包含三層。
  15. 如請求項1之感測器，其中：該第二輻射阻擋材料被提供於該第一輻射阻擋材料之一側表面上，且該第一輻射阻擋材料之該側表面異於該半導體基板之該面表面。
  16. 一種裝置，其包含：一光學系統，其經組態以調節一輻射光束；及一感測器，其包含提供於一半導體基板之一面表面上之一光電二極體，該輻射光束在該裝置之操作期間被引導朝向該半導體基板之該面表面，其中一第一輻射阻擋材料圍繞該光電二極體而提供於該半導體基板之該面表面上，且其中一第二輻射阻擋材料被提供於異於該半導體基板之該面表面之該半導體基板之一側表面上，該輻射光束在該微影裝置之操作期間入射於該半導體基板之該側表面上。
  17. 如請求項16之裝置，其中該裝置為以下各者中之一者：一微影裝置、一輻射源裝置、一度量衡裝置或用於檢測一表面之一屬性之一檢測裝置。
  18. 一種微影方法，其包含：使用一微影裝置之一照明系統來調節一輻射光束；及 使用一感測器來量測該輻射光束，該感測器包含：一光電二極體，其係提供於一半導體基板之一面表面上，該輻射光束在該微影裝置之操作期間被引導朝向該半導體基板之該面表面；一第一輻射阻擋材料，其圍繞該光電二極體而被提供於該半導體基板之該面表面上，且一第二輻射阻擋材料被提供於該半導體基板之一側表面上，該半導體基板之該側表面異於該半導體基板之該面表面，該輻射光束在該微影裝置之操作期間入射於該半導體基板之該側表面上。
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