TWI582498B - 光學構件及包含其之顯示裝置 - Google Patents
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Description
本發明係主張關於2011年04月13日申請之韓國專利案號No. 10-2011-0034472之優先權。藉以引用的方式併入本文用作參考。
本發明係關於一種光學構件及包含其之顯示裝置。
近年來,平面顯示裝置(flat display devices),如一液晶顯示器(liquid crystal display,LCD)、一電漿顯示面板(plasma display panel,PDP)、或一有機發光二極體(organic light emitting diode,OLED),取代了傳統陰極射線管(cathode ray tubes,CRTs),而蓬勃發展。
其中,該液晶顯示器係包括:一液晶顯示面板,具有一薄膜電晶體基板(thin film transistor substrate);一彩色濾光基板(color filter substrate)、及注入該薄膜電晶體基板與該彩色濾光基板之間的一液晶。因該液晶顯示面板係為一非發射型裝置(non-emissive device),故提供一背光單元(backlight unit)於該薄膜電晶體基板之下方,以提供光。自該背光單元所發出之光的穿透率(transmittance)係依據該液晶之配向態(alignment state)而做調整。
該背光單元係依據其一光源之位置而被分為一側光式背光單元(edge-illumination type backlight unit)以及一直下式背光單元(direct-illumination type backlight unit)。側光式背光單元之光源係位於一導光板之一側。
直下式背光單元係隨著LCD之尺寸漸大而被發展出來。在直下式背光單元中,至少一光源係被裝於液晶顯示面板之下方,以提供光給該液晶顯示面板之整體區域。
當與側光式背光單元比較時,直下式背光單元可應用大數量的光源,以達到高亮度。相反地,直下式背光單元便需要比側光式背光單元更大的厚度,來確保其亮度均勻性。
為求解決上述問題,具有複數個量子點並可在接收藍光時將藍光轉換成紅光或綠光之一量子點帶(quantum dot bar)係被設置於發出藍光之一藍色LED之前方。據此,當藍光被照射至量子點帶時,藍光、紅光、及綠光係被散佈在該量子點帶中之量子點所混合,且該混合光係入射於導光板(light guide plate),進而產生白光。
若該白光係使用該量子點帶而被提供給導光板,則可實現高色彩重現(color reproduction)。
該背光單元係可包括:一軟性電路板(flexible printed circuit board,FPCB),提供於該藍色LED之一側,以提供信號及電力給該些LED;以及形成於該FPCB之底面下方的一接合件(bonding member)。
在藍光自藍色LED發出時,使用經該量子點帶提供給導光板之白光來顯示各種影像之顯示裝置係被廣泛地使用。
本發明實施例係提供一種製造簡易且可防止損壞造成影像品質降低的光學構件,及包含其之顯示裝置。
根據本發明實施例,一種光學構件係包括:一波長轉換層(wavelength conversion layer),以轉換一入射光之一波長;以及一衝擊吸收層(impact absorbing layer),於該波長轉換層之上。
根據本發明實施例,一種顯示裝置係包括:一光源;複數個第一光學片,該光源所發出之一光係入射於其上;一第二光學片,於該第一光學片之上;以及一顯示面板,提供於該第二光學片之上。該第二光學片係包括:一波長轉換層,以轉換自該光源所發出之光之一波長;以及一第一衝擊吸收層,於該波長轉換層之上。
根據本發明實施例,一種顯示裝置係包括:一光源;一波長轉換構件,以轉換自該光源所發出之光之一波長;以及一顯示面板,提供於該波長轉換構件之上。該波長轉換構件係包括:一波長轉換層,包含有複數個波長轉換粒子;以及一衝擊吸收層,於該波長轉換層之上。
如上所述,根據本發明實施例之光學構件係包括一衝擊吸收層。據此,可有效地保護根據本發明實施例之光學構件不受如刮損等的外界影響。
特別是,若該衝擊吸收層係包括壓克力樹脂或胺基甲酸酯樹脂(urethane resin),則該衝擊吸收層會表現出高抗刮性(scratch resistance),且可在被刮損後具有一自我復原(self-recovery)功能。
另外,根據本發明實施例之光學構件係包括波長轉換層,且入射光之波長可被改變。
因此,根據本發明實施例之光學構件係在保護其他光學片的同時改變自該光源所發出之光的波長。據此,可輕易地以較低的成本來製造根據本發明實施例之顯示裝置,並可實現一輕薄結構。
另外,根據本發明實施例之光學構件可介於其他光學片之間,或可為與其他光學片相鄰。因為根據本發明實施例之光學構件係包括衝擊吸收層,故該光學構件不會因相鄰的光學片而受到破壞。又,該光學構件亦不會破壞相鄰的光學片。
因此,可避免在根據本發明實施例之顯示裝置中,因破壞所造成的影像劣化(image degradation)情況。
在實施例的描述中,應予理解,當提及一層(或膜)、一區域、一圖案、或一結構是在另一層(或膜)、另一區域、另一墊、或一圖案「之上/下」或「之上方/下方」,則其可以是直接在另一層(或膜)、另一區域、另一墊、或一圖案「之上/下」或「之上方/下方」,或者存在一或多個介入層(intervening layers),間接地在另一層(或膜)、另一區域、另一墊、或一圖案「之上/下」或「之上方/下方」。參照附圖說明每一層「之上/下」或「之上方/下方」的位置。在圖示中,為清楚與方便說明,各層厚度及尺寸可能被加以誇大、省略、或為概略性地描繪。另,組成元件的尺寸亦不完全反映實際元件之大小。
圖1係根據本發明一第一實施例,繪示有一LCD之一立體分解圖;圖2係繪示有一波長轉換片之一立體圖;圖3係繪示有沿圖2中A-A’線之一剖面圖;圖4、5係繪示有該波長轉換片之各種變化之剖面圖;圖6係繪示有一第二稜鏡片與一波長轉換片之一剖面圖;圖7係繪示有使用該波長轉換片來轉換入射光之波長之一流程圖。
參閱圖1至7,根據本發明實施例之LCD係包括:一背光單元10;以及一液晶面板20。
該背光單元10係提供光給該液晶面板20。該背光單元10係用作為一表面光源,以使光能夠被均勻地提供於該液晶面板20之一底面。
該背光單元10係被設置於該液晶面板20之下方。該背光單元10係包括:一底蓋100(bottom cover);一導光板200;一反射片300(reflective sheet);複數個發光二極體400(light emitting diodes);一印刷電路板401(printed circuit board);以及複數個光學片500。
該底蓋100之上部分係為開放。該底蓋100係容納該導光板200、該發光二極體400、該印刷電路板401、該反射片300、以及該光學片500於其中。
該導光板200係被設置於該底蓋100中,並被排列於該反射片300之上。該導光板200係藉由全反射、折射(refracting)、並散射(scattering)自該發光二極體400所發出之光,來將光導引向上。
該反射片300係被設置於該導光板200之下方。更詳細來說,該反射片300係被設置於該導光板200與該底蓋100之該底面之間。該反射片300係將自該導光板200之該底面向下輸出之光向上反射。
該發光二極體400係用作為一光源,以產生光。該發光二極體400係被設置於該導光板200之一側。自該發光二極體400發出之光係經該導光板200之該一側入射於該導光板200。
該發光二極體400係可包括產生藍光之一藍色發光二極體或產生紫外光之一紫外光發光二極體。更詳細來說,該發光二極體400可發出具有落在約430nm至470nm範圍內之波長之藍光,或具有落在約300nm至400nm範圍內之波長之紫外光。
該發光二極體400係被裝設於印刷電路板401之上。該發光二極體400可被設置於該印刷電路板401之下方。該發光二極體400係藉由該印刷電路板401來接收一驅動信號,來驅動之。
該印刷電路板401係與該發光二極體400電性連接。該發光二極體400可被裝設於該印刷電路板401之上。該印刷電路板401係被設置於該底蓋100內。
該光學片500係被設置於該導光板200之上。該光學片500係藉由改變或增強自該導光板200之頂面輸出之光的光學性質,來提供光給該液晶面板20。
該光學片500係包括:一擴散片501(diffusion sheet);一第一稜鏡片(prism sheet) 502;一第二稜鏡片503;以及一波長轉換片504。
該擴散片501係被提供於該導光板200之下方。該擴散片501係改善通過之光的均勻度。該擴散片501係包含有複數個珠粒(beads)。
該第一稜鏡片502係被提供於該擴散片501之上。該第二稜鏡片503係被提供於該第一稜鏡片502之上。該第一稜鏡片502與該第二稜鏡片503係可增強通過該第一稜鏡片502與該第二稜鏡片503之光的直線性(linearity)。
該波長轉換片504係被提供於該第二稜鏡片503之上。更詳細來說,該波長轉換片504可介入於該液晶面板20與該第二稜鏡片503之間。該波長轉換片504係轉換入射光之波長,以向上輸出入射光。
舉例而言,若該發光二極體400係為藍色發光二極體,則該波長轉換片504係將自該導光板200向上輸出之藍光轉換為綠光及紅光。更詳細來說,該波長轉換片504係將一部分的藍光轉換成具有落在約520nm至約560nm範圍內之波長之綠光,並將一部分的藍光轉換成具有落在約630nm至約660nm範圍內之波長之紅光。
另外,若該發光二極體400係為紫外光發光二極體,則該波長轉換片504係將自該導光板200頂面輸出之紫外光轉換為藍光、綠光、及紅光。更詳細來說,該波長轉換片504係將一部分的紫外光轉換成具有落在約430nm至470nm範圍內之波長之藍光;將一部分的紫外光轉換成具有落在約520nm至約560nm範圍內之波長之綠光;並將一部分的紫外光轉換成具有落在約630nm至約660nm範圍內之波長之紅光。
因此,可藉由通過該波長轉換片504而未被轉換之光以及被該波長轉換片504所轉換之光來生成白光。更詳細來說,白光可由藍光、綠光、及紅光的組合來入射於該液晶面板20。亦即,該波長轉換片504係為一光學部件,可轉換或改善入射光之光學特性。
參閱圖2、3,該波長轉換片504係包括:一下部基板510;一上部基板520;一波長轉換層530;一下部衝擊吸收層540;以及一上部衝擊吸收層550。
該下部基板510係被設置於該波長轉換層530之下方。該下部基板510可為透明及軟性的。該下部基板510可黏著於該波長轉換層530之底面。
該下部基板510可包括一透明聚合物如聚对苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterephthalate,PET)。
該上部基板520係被設置於該波長轉換層530之上方。該上部基板520可為透明及軟性的。該上部基板520可黏著於該波長轉換層530之頂面。
該上部基板520可包括一透明聚合物如聚对苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterephthalate,PET)。
該波長轉換層530係被夾在該上部基板520及該下部基板510之間。該上部基板520及該下部基板510係支撐波長轉換層530。該上部基板520及該下部基板510係保護該波長轉換層530,不受外界物理衝擊之影響。
另外,該上部基板520及該下部基板510係具有低氧氣穿透率(low oxygen transmission rate)與低濕氣穿透度(oxygen and moisture permeability)。據此,該上部基板520及該下部基板510可保護該波長轉換層530,不受如氧氣及/或濕氣等外界化學滲透(chemical penetration)之影響。
該波長轉換層530係介入於該上部基板520及該下部基板510之間。該波長轉換層530可與該下部基板510之頂面相黏合,並與該上部基板520之底面相黏合。
該波長轉換層530係包括複數個波長轉換粒子531以及一主層(host layer) 532。
該些波長轉換粒子531係被設置於該上部基板520及該下部基板510之間。更詳細來說,該些波長轉換粒子531係均勻地被分配於該主層532之中,而該主層532係介入於下部基板510與上部基板520之間。
該些波長轉換粒子531係轉換自該發光二極體400所發出之光的波長。更詳細來說,該些波長轉換粒子531係接收係自該發光二極體400發出之光,以轉換該入射光之波長。舉例而言,該些波長轉換粒子531可將自該發光二極體400所發出之藍光轉換為綠光及紅光。也就是說,一部分的該些波長轉換粒子531係將藍光轉換成具有落在約520nm至約560nm範圍內之波長之綠光;而一部分的該些波長轉換粒子531係將藍光轉換成具有落在約630nm至約660nm範圍內之波長之紅光。
另外,該些波長轉換粒子531可將自該發光二極體400所發出之紫外光轉換為藍光、綠光、及紅光。也就是說,一部分的該些波長轉換粒子531係將紫外光轉換成具有落在約430nm至470nm範圍內之波長之藍光;而一部分的該些波長轉換粒子531係將紫外光轉換成具有落在約520nm至約560nm範圍內之波長之綠光。另外,一部分的該些波長轉換粒子531係將紫外光轉換成具有落在約630nm至約660nm範圍內之波長之紅光。
換句話說,若該發光二極體400係為發出藍光之藍色發光二極體,則可使用能將藍光轉換為綠光及紅光之該些波長轉換粒子531。另外,若該發光二極體400係為發出紫外光之UV發光二極體,則可使用能將紫外光轉換為藍光、綠光、及紅光之該些波長轉換粒子531。
該些波長轉換粒子531可包括複數個量子點。該些量子點可包括:一核心奈米晶體(core nano-crystals)與一圍繞核心奈米晶體之外殼奈米晶體(shell nano-crystals)。另外,該些量子點可包括:一有機配位體(organic ligands),與該外殼奈米晶體接合。又,該些量子點可包括:一有機塗覆層(organic coating layer),圍繞該外殼奈米晶體。
該外殼奈米晶體可被準備為至少兩層。該外殼奈米晶體係形成於該核心奈米晶體之表面上。該量子點係使用該外殼奈米晶體形成一外殼層來拉長入射於該核心奈米晶體之光的波長,進而改善光效率。
該些量子點可包括至少一II族化合物半導體、至少一III族化合物半導體、至少一V族化合物半導體、及至少一VI族化合物半導體。更詳細來說,該核心奈米晶體可包括硒化鎘(CdSe)、磷化銦鎵(InGaP)、碲化鎘(CdTe)、硫化鎘(CdS)、硒化鋅(ZnSe)、碲化鋅(ZnTe)、硫化鋅(ZnS)、碲化汞(HgTe)、或硫化汞(HgS)。另外,該外殼奈米晶體可包括硫化銅鋅(CuZnS)、硒化鎘(CdSe)、碲化鎘(CdTe)、硫化鎘(CdS)、硒化鋅(ZnSe)、碲化鋅(ZnTe)、硫化鋅(ZnS)、碲化汞(HgTe)、或硫化汞(HgS)。該些量子點可具有一粒徑為約1nm至約10nm。
自該量子點所發出之光的波長可依據該量子點之大小或合成程序(synthesis process)中分子簇化合物(molecular cluster compound)與奈米粒子前驅物(nano-particle precursor)間的莫耳比率(molar ratio)來調整。該有機配位體可包含有啶(pyridine)、巰基醇(mercapto alcohol)、硫基醇(thiol)、膦(phosphine)、以及膦氧化物(phosphine oxide)。該有機配位體可穩定在合成程序後不安定之量子點。一懸鍵(dangling bonds)可形成於價能帶(valence band),而量子點因該懸鍵的關係而可為不穩定的。然而,因該有機配位體之一端係為非鍵結狀態(non-bonding state),故該有機配位體之另一端係與該懸鍵相鍵結,藉此以穩定該量子點。
特別是,若該量子點之尺寸係小於一激發性電子(exciton)(包括一電子與一電洞,由光與電來激發)之波耳半徑(Bohr radius),則可能發生量子侷限效應(quantum confinement effect),而因此該量子點可具有個別能階(discrete energy level)。據此,係改變一能隙(energy gap)之大小。另外,一電荷係被限制在該量子點中,藉此可改善發光效率。
與一般的螢光色素(fluorescent pigments)不同的是,該量子點之螢光波長可依據粒子之大小而變動。更詳細來說,當粒子尺寸變小時,光具有較短之波長,故可藉由調整粒子尺寸,來產生具有可見光波長帶之螢光。另外,該量子點表現出的消光係數(extinction coefficient)係高於一般螢光色素100至1000倍,且係具有絕佳的量子產率(quantum yield),故可產生強螢光。
該量子點可由化學濕式法(chemical wet scheme)來合成。該化學濕式法係由將前驅物浸漬於有機溶劑中來長成粒子。根據該化學濕式法,該量子點可被合成。
一主層532係圍繞該些波長轉換粒子531。也就是說,該主層532係包含有該些波長轉換粒子531均勻地分布於其中。該主層532可包括聚合物。該主層532係為透明的。亦即,該主層532係可包括透明聚合物。
該主層532係介入於該上部基板520及該下部基板510之間。該主層532可黏著於該下部基板510之頂面以及該上部基板520之底面。
該下部衝擊吸收層540係被提供於該波長轉換層530之下方。更詳細來說,該下部衝擊吸收層540可被設置於該下部基板510之下方。更詳細來說,該下部衝擊吸收層540可被塗覆於該下部基板510之底面上。
該下部衝擊吸收層540可具有彈性。該下部衝擊吸收層540可具有一彈性係數(elasticity coefficient)為約5.8N/c㎡至約6.6N/c㎡。另外,該下部衝擊吸收層540可具有一厚度為約100 μm至約500 μm。
當該下部衝擊吸收層540具有一彈性係數為約5.8N/c㎡至約6.6N/c㎡時,該下部衝擊吸收層540可有效地吸收該波長轉換片504之負載(load)所造成之衝擊影響。亦即,當該下部衝擊吸收層540具有上述之彈性係數時,該下部衝擊吸收層540係吸收該波長轉換片504之負載,以使該下部衝擊吸收層540可完全地變形。
該下部衝擊吸收層540可執行一自我復原功能。就算一部分的該下部衝擊吸收層540因外界物理衝擊而被擠壓,該下部衝擊吸收層540之外觀仍可回復為其原始狀態。
因此,該下部衝擊吸收層540可表現出高度的抗刮性。又,該下部衝擊吸收層540可包括壓克力樹脂(acryl resin)或胺基甲酸酯樹脂(urethane resin)。
另外,該下部衝擊吸收層540可具有一折射率低於下部基板510之一折射率。也就是說,該下部衝擊吸收層540進行一光學緩衝功能於空氣層與該下部基板510之間,減少反射,並改善光進入該下部基板510之入射率。
為形成該下部衝擊吸收層540,壓克力樹脂組成物及/或胺基甲酸酯樹脂組成物係被塗覆於該下部基板510之底面上。在此情況下,為塗覆該樹脂組成物,可應用一噴霧塗覆法(spray coating scheme)、一浸漬塗覆法(dip coating scheme)、一旋轉塗覆法(spin coating scheme)、擠壓塗覆法(slot coating scheme)、一狹縫塗覆法(slit coating scheme)、一條塗覆法(bar coating scheme)、一滾印塗覆法(roll-to-roll coating scheme)。然後,以紫外光及/或熱來硬化該塗覆樹脂組成物,藉此以形成該下部衝擊吸收層540。
該上部衝擊吸收層550係被提供於波長轉換層530之上。更詳細來說,上部衝擊吸收層550可被提供於上部基板520之上。更詳細來說,上部衝擊吸收層550可被塗覆於上部基板520之頂面上。
該上部衝擊吸收層550可具有彈性。該上部衝擊吸收層550可具有一彈性係數為約5.8N/c㎡至約6.6N/c㎡。另外,該上部衝擊吸收層550可具有一厚度為約100 μm至約500 μm。
當該上部衝擊吸收層550具有一彈性係數為約5.8N/c㎡至約6.6N/c㎡時,該上部衝擊吸收層550可有效地吸收該液晶面板20之負載所造成之衝擊影響。亦即,當該上部衝擊吸收層550具有上述之彈性係數時,該上部衝擊吸收層550係吸收該液晶面板20之負載,以使該上部衝擊吸收層550可完全地變形。
該上部衝擊吸收層550可執行一自我復原功能。就算一部分的該上部衝擊吸收層550因外界物理衝擊而被擠壓,該上部衝擊吸收層550之外觀仍可回復為其原始狀態。
因此,該上部衝擊吸收層550可表現出高度的抗刮性。又,該上部衝擊吸收層550可包括壓克力樹脂或胺基甲酸酯樹脂。
為形成該上部衝擊吸收層550,壓克力樹脂組成物及/或胺基甲酸酯樹脂組成物係被塗覆於上部基板520之底面上。然後,以紫外光及/或熱來硬化該塗覆樹脂組成物,藉此以形成該上部衝擊吸收層550。
該下部衝擊吸收層540係被塗覆於該下部基板510之底面上。另外,該上部衝擊吸收層550係被塗覆於該上部基板520之頂面上。因此,該下部衝擊吸收層540可改善該下部基板510之密封特性。另外,該上部衝擊吸收層550可改善該上部基板520之密封特性。
因此,該下部衝擊吸收層540與該上部衝擊吸收層550可輕易地避免包含於該波長轉換層530中的該些波長轉換粒子531因外界濕氣及/或氧氣之影響而受到破壞。
又,該下部衝擊吸收層540可具有一折射率低於該下部基板510之一折射率。另外,該上部衝擊吸收層550可具有一折射率低於該上部基板520之一折射率。
因此,該下部衝擊吸收層540及該上部衝擊吸收層550係改善外界光之入射,並可作為一抗反射層之用,以避免光被反射至外界。
如圖4所示,該下部衝擊吸收層540可被直接地提供於該波長轉換層530之底面上。也就是說,該下部衝擊吸收層540可被直接地塗覆於該波長轉換層530之底面上。
該上部衝擊吸收層550可被直接地提供於該波長轉換層530之頂面上。也就是說,該上部衝擊吸收層550可被直接地塗覆於該波長轉換層530之頂面上。
另外,如圖5所示,一下部抗反射層560可形成於該下部基板510之底面上。另外,該下部衝擊吸收層540可被直接地塗覆於該下部抗反射層560之底面上。
一上部抗反射層570可形成於該上部基板520之頂面上。該上部衝擊吸收層550可被直接地塗覆於該上部抗反射層570之頂面上。
該下部抗反射層560及該上部抗反射層570可用作為一抗反射功能。該下部抗反射層560可具有一折射率低於該下部基板510之折射率;而該上部抗反射層570可具有一折射率低於該上部基板520之折射率。
該下部衝擊吸收層540之折射率可低於該下部抗反射層560之折射率。該上部衝擊吸收層550之折射率可低於該上部抗反射層570之折射率。
因此,光可經該下部衝擊吸收層540及該上部衝擊吸收層550或可經該下部抗反射層560及該上部抗反射層570,而有效地入射於該波長轉換層530。
該液晶面板20係被設置於該光學片500之上。另,該液晶面板20係被設置於一面板導引框23(panel guide)之上。該液晶面板20係由該面板導引框23來導引之。
該液晶面板20係藉由調整通過該液晶面板20之光的強度來顯示影像。詳細而言,該液晶面板20係為使用自該背光單元10所發出之光以顯示影像之一顯示面板。該液晶面板20係包括一薄膜電晶體(TFT)基板21、一彩色濾光基板22、及注入上述兩基板間的一液晶層。另外,該液晶面板20係包括偏光濾光器(polarizing filters)。
雖然圖式中並未詳細繪示,但在下文中,將詳細說明該薄膜電晶體基板21與該彩色濾光基板22。該薄膜電晶體基板21係包括複數個閘線(gate lines)與複數個資料線(data lines)交錯,以形成畫素;且該薄膜電晶體係被提供於各交會處,以使該薄膜電晶體能夠與該畫素之一畫素電極以一對一之相對應關係來連接。該彩色濾光基板22係包括:具有紅(R)、綠(G)、及藍(B)色,對應於該畫素之彩色濾光器;一黑色矩陣(black matrix),將該閘線、該資料線、與該薄膜電晶體包覆於該彩色濾光器之界限內;以及一共用電極(common electrode),覆蓋上述元件。
一驅動印刷電路板(PCB)25係被提供於該液晶面板20之一外週緣部分,以提供驅動信號給該閘線與該資料線。
該驅動印刷電路板25係經由一薄膜覆晶封裝(chip on film,COF)24,而與該液晶面板20電性連接。一捲帶式封裝(tape carrier package,TCP)可被使用以取代該薄膜覆晶封裝24。
該波長轉換片504可被提供於該光學片500之最頂部部分。也就是說,該波長轉換片504可覆蓋其他光學片500。因此,該波長轉換片504可保護其他光學片500。
詳細而言,該底蓋100係容納該導光板200、該反射片300、該發光二極體400、該印刷電路板401、以及該光學片500於其中,而不包括該波長轉換片504。然後,該波長轉換片504係被堆疊於該光學片500之上,以完成該背光單元10之組裝。
接著,當該液晶面板20組裝後,該背光單元10可被移轉。在此情況下,因該波長轉換片504包括該上部衝擊吸收層550,故該波長轉換片504可保護其他光學片501、502、及503,並同時使該波長轉換片504所受到的破壞降到最低。
另外,如圖6所示,複數個具有一金字塔形狀之突起圖案580(protrusion patterns)係被提供於該第二稜鏡片503之頂面上。該些突起圖案580可直接地與該波長轉換片504之底面相接觸。
然後,因該波長轉換片504包括該下部衝擊吸收層540,故該波長轉換片504可將該些突起圖案580所造成的破壞降到最低。因此,根據本發明實施例之該液晶面板20可將因外界及內部的物理衝擊影響而所造成之損壞降到最低。因此,根據本發明實施例之液晶顯示器可將因刮損而對所造成之影像品質劣化情況降到最低。
另外,該波長轉換片504係包括抗反射層於其上部分及下部分。因此,如圖7所示,通過該波長轉換層530而未被改變之光可被該液晶面板20向下反射。在此情況下,被向下反射之光可經該上部衝擊吸收層550及/或該上部抗反射層570而有效地入射於該波長轉換層530上。
如上所述,因為入射於該波長轉換層530上之光的量變大,故可進一步地改善該波長轉換層530的轉換效率。
因此,該波長轉換片504有效地轉換自該發光二極體400所輸出之光的波長,而根據本發明之液晶顯示器可表現出改良之色彩重現與亮度。
在本說明書中所提到的“一實施例”、“實施例”、“範例實施例”等任何的引用,代表本發明之至少一實施例中包括關於該實施例的一特定特徵、結構或特性。此類用語出現在文中多處但不盡然要參考相同的實施例。此外,在特定特徵、結構或特性的描述關係到任何實施例中,皆認為在熟習此技藝者之智識範圍內其利用如此的其他特徵、結構或特徵來實現其它實施例。
雖然參考實施例之許多說明性實施例來描述實施例,但應理解,熟習此項技藝者可想出將落入本發明之原理的精神及範疇內的眾多其他修改及實施例。更特定言之,在本發明、圖式及所附申請專利範圍之範疇內,所主張組合配置之零部件及/或配置的各種變化及修改為可能的。對於熟悉此項技術者而言,除了零部件及/或配置之變化及修改外,替代用途亦將顯而易見。
10...背光單元
20...液晶面板
21...薄膜電晶體基板
22...彩色濾光基板
23...面板導引框
24...薄膜覆晶封裝
25...驅動印刷電路板
100...底蓋
200...導光板
300...反射片
400...發光二極體
401...印刷電路板
500...光學片
501...擴散片
502...第一稜鏡片
503...第二稜鏡片
504...波長轉換片
510...下部基板
520...上部基板
530...波長轉換層
531...波長轉換粒子
532...主層
540...下部衝擊吸收層
550...上部衝擊吸收層
560...下部抗反射層
570...上部抗反射層
580...突起圖案
圖1係根據本發明實施例,繪示有一LCD之一立體分解圖;
圖2係繪示有一波長轉換片之一立體圖;
圖3係繪示有沿圖2中A-A’線之一剖面圖;
圖4、5係繪示有該波長轉換片之各種修正例之剖面圖;
圖6係繪示有該波長轉換片與一第二稜鏡片之一圖;以及
圖7係繪示有以該波長轉換片來轉換入射光之波長之一流程圖。
10...背光單元
20...液晶面板
21...薄膜電晶體基板
22...彩色濾光基板
23...面板導引框
24...薄膜覆晶封裝
25...驅動印刷電路板
100...底蓋
200...導光板
300...反射片
400...發光二極體
401...印刷電路板
500...光學片
501...擴散片
502...第一稜鏡片
503...第二稜鏡片
504...波長轉換片
Claims (8)
- 一種光學構件,包括:一波長轉換層,以轉換一入射光之一波長;一下部基板及一上部基板位於該波長轉換層上;一衝擊吸收層,於每一該下部基板及該上部基板上,一抗反射層位於該下部基板及該上部基板上,其中該衝擊吸收層塗覆於該抗反射層上,其中該些波長轉換粒子包括複數個量子點。
- 如申請專利範圍第1項所述之光學構件,其中該衝擊吸收層之一彈性係數為約5.8N/cm2至約6.6N/cm2。
- 如申請專利範圍第1項所述之光學構件,其中該衝擊吸收層係包括選自由壓克力樹脂與胺基甲酸酯樹脂所組成之群組之一材料。
- 一種顯示裝置,包括:一光源;一波長轉換構件,以轉換自該光源所發出之光之一波長;以及一顯示面板,於該波長轉換構件之上;其中,該波長轉換構件係包括:一波長轉換層,包含有複數個波長轉換粒子; 一下部基板及一上部基板位於該波長轉換層上;一衝擊吸收層,於每一該下部基板及該上部基板上,一抗反射層位於該下部基板及該上部基板上,其中該衝擊吸收層塗覆於該抗反射層上,其中該些波長轉換粒子包括複數個量子點。
- 如申請專利範圍第4項所述之顯示裝置,其中該衝擊吸收層直接提供於該下部基板及該上部基板上。
- 如申請專利範圍第4項所述之顯示裝置,其中該衝擊吸收層係被直接提供於該抗反射層之上。
- 如申請專利範圍第6項所述之顯示裝置,其中該抗反射層之一折射率係低於該下部基板之一折射率,且該衝擊吸收層之一折射率係低於該抗反射層之一折射率。
- 如申請專利範圍第7項所述之顯示裝置,其中該衝擊吸收層係包括選自由壓克力樹脂與胺基甲酸酯樹脂所組成之群組之一材料。
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KR102260013B1 (ko) * | 2014-12-10 | 2021-06-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
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WO2016148053A1 (ja) * | 2015-03-18 | 2016-09-22 | シャープ株式会社 | 照明装置、表示装置、及びテレビ受信装置 |
WO2016158371A1 (ja) * | 2015-04-01 | 2016-10-06 | シャープ株式会社 | 照明装置、表示装置及びテレビ受信装置 |
CN104950518A (zh) * | 2015-07-21 | 2015-09-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 量子点膜、量子点膜的制备方法及背光模组 |
DE102017205943B4 (de) | 2016-04-08 | 2022-08-04 | GM Global Technology Operations LLC | Konforme lichtemittierende Anzeigeanordnung |
KR102186854B1 (ko) * | 2016-10-27 | 2020-12-04 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 장치 및 이를 위한 디스플레이 패널 |
JP6919269B2 (ja) * | 2017-03-29 | 2021-08-18 | セイコーエプソン株式会社 | 光源装置及びプロジェクター |
JP2018197782A (ja) * | 2017-05-23 | 2018-12-13 | Dic株式会社 | 光変換フィルムおよびそれを用いた液晶表示素子 |
KR102459728B1 (ko) * | 2017-10-20 | 2022-10-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 패널 및 이를 포함하는 액정 표시 장치 |
CN111367103B (zh) * | 2018-12-25 | 2023-03-14 | 群创光电股份有限公司 | 显示装置及其制造方法 |
TWI737269B (zh) * | 2020-04-20 | 2021-08-21 | 光耀科技股份有限公司 | 背光模組 |
TWI807323B (zh) * | 2021-05-17 | 2023-07-01 | 勝智會科技顧問股份有限公司 | 具雷射光波長轉換層之顯示器結構 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006010748A (ja) * | 2004-06-22 | 2006-01-12 | Seiko Epson Corp | 光学シート、電気光学装置、電子機器、光学シートの製造方法 |
US20060114371A1 (en) * | 2004-11-29 | 2006-06-01 | Peterson Charles M | Color display device and method |
KR20080063986A (ko) * | 2007-01-03 | 2008-07-08 | 삼성전기주식회사 | 파장변환용 확산시트 및 이를 이용한 백라이트 유닛 |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA2162451A1 (en) * | 1994-12-22 | 1996-06-23 | John P. Murphy | Anti-reflective clarifier film for eyeglasses |
CN100394298C (zh) * | 1995-06-02 | 2008-06-11 | 松下电器产业株式会社 | 制作光学波长转换元件的方法 |
DE69938086T2 (de) * | 1998-06-05 | 2009-01-29 | Fujifilm Corporation | Antireflektionsschicht und Anzeigegerät mit dieser Schicht |
JP4854892B2 (ja) * | 1999-06-17 | 2012-01-18 | 富士フイルム株式会社 | 光学フィルターを備えた画像表示装置 |
JP2002182003A (ja) * | 2000-12-14 | 2002-06-26 | Canon Inc | 反射防止機能素子、光学素子、光学系および光学機器 |
JP3733418B2 (ja) | 2001-04-16 | 2006-01-11 | シャープ株式会社 | 粘接着シート、積層シート及び液晶表示装置 |
US7800121B2 (en) * | 2002-08-30 | 2010-09-21 | Lumination Llc | Light emitting diode component |
JP2005234476A (ja) * | 2004-02-23 | 2005-09-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | 反射防止膜、反射防止フィルムおよび画像表示装置 |
WO2005101063A1 (en) * | 2004-04-14 | 2005-10-27 | Lg Chem, Ltd. | Anti-reflective coating composition and coating film with excellent stain resistance |
KR20060000544A (ko) * | 2004-06-29 | 2006-01-06 | 삼성전자주식회사 | 표시 장치용 백라이트, 표시 장치용 광원, 광원용 발광다이오드 |
EP1693904B1 (en) * | 2005-02-18 | 2020-03-25 | Nichia Corporation | Light emitting device provided with lens for controlling light distribution characteristic |
US20070153384A1 (en) | 2005-12-30 | 2007-07-05 | Ouderkirk Andrew J | Reinforced reflective polarizer films |
TWI345105B (en) * | 2006-01-26 | 2011-07-11 | Chimei Innolux Corp | Backlight module and application thereof |
KR100891008B1 (ko) * | 2006-12-20 | 2009-03-31 | (주)케이디티 | 평판형 조명 장치 |
KR20080057856A (ko) | 2006-12-21 | 2008-06-25 | 삼성전자주식회사 | 잉크젯 분사 장치 및 방법 |
US7963677B2 (en) * | 2006-12-28 | 2011-06-21 | Seiko Epson Corporation | Light source device, having wavelength conversion and separation means, and projector |
JP2008191649A (ja) * | 2007-01-12 | 2008-08-21 | Seiko Epson Corp | レーザ光源装置、照明装置、画像表示装置、及びモニタ装置 |
US8179034B2 (en) * | 2007-07-13 | 2012-05-15 | 3M Innovative Properties Company | Light extraction film for organic light emitting diode display and lighting devices |
JP4613947B2 (ja) * | 2007-12-07 | 2011-01-19 | ソニー株式会社 | 照明装置、色変換素子及び表示装置 |
JP5193586B2 (ja) * | 2007-12-25 | 2013-05-08 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
CN101946119B (zh) * | 2008-03-07 | 2012-07-25 | 夏普株式会社 | 发光模块、背光单元和液晶显示装置 |
US7957621B2 (en) * | 2008-12-17 | 2011-06-07 | 3M Innovative Properties Company | Light extraction film with nanoparticle coatings |
US20110044359A1 (en) * | 2009-08-18 | 2011-02-24 | Douglas Llewellyn Butler | Intracavity Conversion Utilizing Narrow Band Reflective SOA |
US7977637B1 (en) * | 2009-08-20 | 2011-07-12 | Hrl Laboratories, Llc | Honeycomb infrared detector |
JP5366765B2 (ja) * | 2009-11-10 | 2013-12-11 | 日東電工株式会社 | 偏光板および画像表示装置 |
TW201145597A (en) * | 2010-01-28 | 2011-12-16 | Lg Innotek Co Ltd | Light emitting device package |
US20130063964A1 (en) * | 2010-05-12 | 2013-03-14 | Oree, Inc. | Illumination Apparatus with High Conversion Efficiency and Methods of Forming the Same |
KR101184434B1 (ko) * | 2010-12-15 | 2012-09-20 | 한국과학기술연구원 | 색변환 발광시트 및 이의 제조 방법 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006010748A (ja) * | 2004-06-22 | 2006-01-12 | Seiko Epson Corp | 光学シート、電気光学装置、電子機器、光学シートの製造方法 |
US20060114371A1 (en) * | 2004-11-29 | 2006-06-01 | Peterson Charles M | Color display device and method |
KR20080063986A (ko) * | 2007-01-03 | 2008-07-08 | 삼성전기주식회사 | 파장변환용 확산시트 및 이를 이용한 백라이트 유닛 |
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