TWI564234B - 片狀接合體之製造方法及片狀接合體之製造裝置 - Google Patents

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TWI564234B
TWI564234B TW100125819A TW100125819A TWI564234B TW I564234 B TWI564234 B TW I564234B TW 100125819 A TW100125819 A TW 100125819A TW 100125819 A TW100125819 A TW 100125819A TW I564234 B TWI564234 B TW I564234B
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松尾直之
山口康雄
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日東電工股份有限公司
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Description

片狀接合體之製造方法及片狀接合體之製造裝置 發明領域
本發明係有關於藉照射雷射光，接合2片以上之樹脂片構件，以製作片狀接合體之製造方法及片狀接合體之製造裝置。
 發明背景
習知，在液晶顯示裝置等圖像顯示裝置中，利用包含偏光薄膜等之光學薄膜。
此種偏光薄膜之製造方法採用下述方法，前述方法係作為胚材之帶狀聚乙烯醇系樹脂(PVA)薄膜等樹脂片構件從捲繞成卷狀而成之胚材卷送出胚材薄膜(樹脂片構件)，限制該胚材薄膜之移動路徑，通向具有引導胚材薄膜之複數根輥及各種藥液浴之裝置，以使其延伸者，舉例言之，可採用下述方法，前述方法係使胚材薄膜於其長向移動，連續浸漬於膨漲浴或染色浴後，在前後2處，以前述輥夾持胚材薄膜，且在其之間施加張力，以施行前述延伸者。
而在此種偏光薄膜之製造方法中，因每次更換胚材輥時，重新將新的胚材薄膜捲掛於輥等，然後放置於裝置是非常繁雜且浪費時間，故於先行之胚材薄膜之末端部接合從下個胚材輥放出之胚材薄膜之前端部，使該等連結，製作片狀接合體，然後，將2個胚材薄膜依序連續加工成偏光薄膜。
此種片狀接合體之製造方法習知採用黏著帶或接著劑等接著接合手段、以鉚釘或線等所作之縫合接合手段或者以熱封機等所作之加熱熔融接合手段等。
然而，在上述方法中，分別具有下述之問題點。
‧黏著帶或接著劑等所作之接著接合之問題點
在使胚材薄膜浸漬於膨脹浴、染色浴等之步驟中，因接著劑之成份等溶出於藥液，而污染藥液，可能形成為異物附著在製品之主要原因，此外，因接著劑溶解於藥液或因藥液之成份而膨脹，接合強度降低，而有在延伸步驟，未達到所期之延伸倍率前，於連結部產生斷裂之虞。
‧鉚釘或線所作之縫合接合之問題點
在此方法中，因於胚材薄膜穿設用以使鉚釘或線通過之孔，故於連結部施加張力時，有產生以前述孔為起點之斷裂之虞。
為防止此情況，而減少孔數，以確保孔之間隔較寬時，有於施加張力之際，易產生皺褶，而產生延伸不均之虞。
‧熱封機等所作之加熱熔融接合之問題點
可謀求上述接著接合或縫合接合之問題點之解決的接合手段已知有如下述專利文獻1及2等所示之以熱封機接合之手段。
此方法相較於接著接合，污染藥液之虞較低，且不需如同縫合接合般，設孔。
然而，在熱封機中，熔接區域及其周邊因熔接時所受之熱而變體，相較於普通之部份，有形成硬化之狀態之傾向。
因此，當於延伸時，隔著此熔接區域，施加張力時，易集中於此硬化之處與普通狀態之處，而產生應力，有全體到達所期之延伸倍率前，該區域便極端延伸之虞。
因而，要實施高延伸倍率之延伸時，有在連結部產生胚材薄膜之斷裂之虞。
先行技術文獻 專利文獻
專利文獻1　日本專利公開公報2007-171897號
專利文獻2　日本專利公開公報2010-8509號
為賦與偏光薄膜高偏光功能，一般要求施加5.25倍以上之延伸，以如上述所示之習知片狀接合體之製造方法作成由聚乙烯醇系樹脂構成之胚材薄膜時，連結部無法承受5.25倍以上之延伸負荷，而有引發斷裂之虞，故進行了如下述之對策，前述對策係藉將連結部通過之期間之延伸倍率變更為不到5.25倍，避免斷裂者。
然而，選擇如上述之避免對策時，因改變設定，作業繁雜。又，因連結部前後之延伸倍率未形成所期之倍率(5.25倍以上)，而無法作為製品來使用，有產生材料損失之虞。
即，在習知之片狀接合體之製造方法中，製造偏光薄膜時，有不易以良好效率製造具有高偏光功能之偏光薄膜之問題。
另一方面，如上述，當於先行之胚材薄膜之末端部接合下個胚材卷之前端部時，可避免每次更換胚材卷時，重新將新的胚材薄膜捲掛於輥等，然後放置於裝置之繁雜。然而，為接合此種末端部與前端部，將胚材薄膜之放出暫時停止，當在此停止之期間，停止胚材薄膜之搬送時，由於在此期間停止延伸，故在習知片狀接合體之製造方法，也有製造效率降低之問題。
本發明鑑於上述問題點，其目的係提供可抑制接合部在藥液之浸滲或延伸等之後段之處理區域斷裂，並且於接合之際，在不停止將樹脂片構件往該處理區域搬送下，可接合樹脂片構件之片狀接合體之製造方法及片狀接合體之製造裝置。
用以解決上述課題之本發明片狀接合體之製造方法係將2個以上之帶狀樹脂片構件中，先行往處理區域搬送之第1樹脂片構件與接續之第2樹脂片構件接合，以製作片狀接合體者，其特徵在於包含第1步驟、第2步驟、第3步驟、第4步驟、第5步驟、第6步驟及第7步驟，該第1步驟係保持前述第2樹脂片構件之前端部者；該第2步驟係將光吸收劑塗佈於以該第1步驟所保持之前述前端部者；該第3步驟，係藉由下述片儲存部，將前述第1樹脂片構件往前述處理區域搬送，而可一面在前述片儲存部之下游側，繼續前述第1片構件之搬送，一面在上游側，停止前述第1片構件之搬送，同時，保持前述第1樹脂片構件者，而前述片儲存部係構造成儲存從上游側搬入之前述第1樹脂片構件，且將所儲存之前述第1樹脂片構件搬出至下游側，藉此，使前述第1樹脂片構件之搬入速度與搬出速度不同者；該第4步驟係將在該第3步驟所保持之前述第1樹脂片構件切斷成所保持之部份構成末端部者；該第5步驟係將前述前端部與前述末端部隔著前述光吸收劑疊合者；該第6步驟係將在該第5步驟已疊合之前述前端部及末端部一面加壓，一面雷射熔接，藉此，將該等接合者；該第7步驟係解除對前述前端部及末端部之加壓與前述前端部及末端部之保持，然後，將前述第2樹脂片構件接在前述第1樹脂片後往前述處理區域搬送者。
藉此，因以雷射熔接接合2個以上之帶狀樹脂片中先行之第1樹脂片構件的末端部與接續之第2樹脂片構件之前端部，而在將已與該第1樹脂片構件接合之第2樹脂片構件接在第1樹脂片構件之後處理之際，例如浸漬於藥液時，相較於以接著劑等之使用，接著接合時，可抑制藥液受污染或接合強度因該藥液而降低之虞。
又，藉進行雷射熔接，於進行延伸處理時，在將第1及第2樹脂片構件連續進行延伸處理之際，在接合部與非接合部之交界，可避免斷裂之產生，而在將接合部進行延伸處理時，亦可在不變更延伸條件下，連續地施加延伸。
此外，因藉由片儲存部，搬送第1樹脂片構件，故在接合上述末端部與上述前端部之期間，即使保持第1樹脂片構件，亦可繼續將該第1樹脂片構件往處理區域搬送。
因而，可抑制接合部在藥液之浸滲或延伸等之後段之處理區域斷裂，並且於接合之際，可在不停止將樹脂片構件往該處理區域搬送下，接合樹脂片構件。
又，在本發明之片狀接合體之製造方法中，宜包含第8步驟，該第8步驟係藉由捲取在前述第1樹脂片構件中以在前述第4步驟之切斷而生成之無用部，而回收該無用部者。
藉此，易去除上述無用部。
又，在本發明之片狀接合體之製造方法中，前述樹脂片構件宜為熱塑性樹脂薄膜之單層。
藉此，易製作片狀接合體。
又，在本發明之片狀接合體之製造方法中，前述樹脂片構件宜為用以製作偏光薄膜之聚乙烯醇系樹脂薄膜。
藉此，在後段進行延伸處理之際，由於可不斷裂而延伸，故可賦與偏光薄膜高偏光功能。又，由於可在不變更延伸倍率下，連續地進行延伸處理，故可避免材料損失之產生。因而，可以良好效率製造具有高偏光功能之偏光薄膜。
又，本發明之片狀接合體之製造裝置係將2個以上之帶狀樹脂片構件中先行往處理區域搬送之第1樹脂片構件與接續之第2樹脂片構件接合，以製作片狀接合體者，其特徵在於包含有片儲存部、第1保持部、切斷部、第2保持部、塗佈部、配置調整部、加壓部及雷射光照射部，該片儲存部係構造成儲存從上游側搬入之前述第1樹脂片構件，且將所儲存之前述第1樹脂片構件搬出至下游側，藉此，使前述第1樹脂片構件之搬入速度與搬出速度不同，而可一面在下游側，繼續前述第1樹脂片之往前述處理區域之搬送，一面在上游側，停止前述第1樹脂片之搬送者；該第1保持部係配置於比前述片儲存部還要上游側，配合前述第1樹脂片構件之搬送停止，來保持前述第1樹脂片構件者；該切斷部係將前述第1樹脂片構件切斷成保持於前述第1保持部之部份構成末端部者；該第2保持部係保持前述第2樹脂片構件之前端部者；該塗佈部係將光吸收劑塗佈於保持在前述第2保持部之前端部者；該配置調整部係將前述前端部及前述末端部之配置調整成該前端部及末端部隔著前述光吸收劑疊合者；該加壓部係將前述前端部及末端部之疊合部份加壓者；該雷射光照射部係將雷射光照射於業經以前述加壓部加壓之前述疊合部份，以藉由雷射熔接，將前述前端部與前述末端部接合者；又，該片狀接合體之製造裝置構造成藉由解除前述加壓部所對前述前端部及末端部之加壓、與前述前端部及末端部之保持，可將前述第2樹脂片構件接在前述第1樹脂片構件後往前述處理區域搬送。
藉此，因以雷射熔接接合2個以上之帶狀樹脂片中先行之第1樹脂片構件的末端部與接續之第2樹脂片構件之前端部，而在將與該第1樹脂片構件接合之第2樹脂片構件接在第1樹脂片構件之後處理之際，例如浸漬於藥液時，相較於以接著劑等之使用，接著接合時，可抑制藥液受污染或接合強度因該藥液而降低之虞。
又，藉進行雷射熔接，進行延伸處理時，在將第1及第2樹脂片構件連續進行延伸處理之際，在接合部與非接合部之交界，可避免斷裂之產生，而在將接合部進行延伸處理時，亦可在不變更延伸條件下，連續地施加延伸。
此外，因藉由片儲存部，搬送第1樹脂片構件，故在接合上述末端部與上述前端部之期間，即使保持第1樹脂片構件，亦可繼續將該第1樹脂片構件往處理區域搬送。
因而，可抑制接合部在藥液之浸滲或延伸等之後段之處理區域斷裂，並且於接合之際，可在不停止將樹脂片構件往該處理區域搬送下，接合樹脂片構件。
又，在本發明之片狀接合體之製造裝置中，前述第1樹脂片構件宜裝設於可捲取該第1樹脂片構件之送出部，該送出部構造成藉由捲取在前述第1樹脂片構件中以前述切斷部所作之切斷而生成之無用部，可回收該無用部。
藉此，易去除上述無用部。
又，在本發明之片狀接合體之製造裝置中，前述樹脂片構件宜為熱塑性樹脂薄膜之單層。
藉此，易製作片狀接合體。
又，在本發明之片狀接合體之製造裝置中，前述樹脂片構件宜為用以製作偏光薄膜之聚乙烯醇系樹脂薄膜。
藉此，在後段進行延伸處理之際，由於可不斷裂而延伸，故可賦與偏光薄膜高偏光功能。又，由於可在不變更延伸倍率下，連續地進行延伸處理，故可避免材料損失之產生。因而，可以良好效率製造具有高偏光功能之偏光薄膜。
如以上，根據本發明，可抑制接合部在藥液之浸滲或延伸等之後段之處理區域斷裂，並且於接合之際，可在不停止將樹脂片構件往該處理區域搬送下，接合樹脂片構件。
圖式簡單說明
第1圖係顯示一實施形態之接合裝置之概略側視圖。
第2圖係積儲器之概略側視圖。
第3圖係示意顯示保持新胚材薄膜之前端部之狀態的概略側視圖。
第4圖係示意顯示於新胚材薄膜之前端部塗佈光吸收劑之狀態的概略側視圖。
第5圖係示意顯示在積儲器之上游側，停止舊胚材薄膜之搬送之狀態的概略側視圖。
第6圖係示意顯示將舊胚材薄膜保持且切斷之狀態的概略側視圖。
第7圖係示意顯示使新胚材薄膜移動，與舊胚材薄膜疊合之狀態之概略側視圖。
第8圖係示意顯示加壓疊合部份之狀態之概略側視圖。
第9圖係示意顯示將雷射光照射於疊合部份之狀態之概略側視圖。
第10圖係示意顯示解除對疊合部份之加壓、新舊胚材薄膜之保持之狀態的概略側視圖。
第11圖係示意顯示再開始新舊胚材薄膜之搬送之狀態的概略側視圖。
第12(a)圖~第12(g)圖係顯示新舊胚材薄膜之疊合方法之另一例的概略側視圖。
第13圖係顯示搬送新舊胚材薄膜之延伸裝置之一例的概略立體圖。
 用以實施發明之形態
以下，就本發明之實施形態作說明。
首先，就本實施形態之片狀接合體之製造方法及片狀接合體之製造裝置，一面參照圖式，一面說明。
第1圖係示意顯示本實施形態之接合裝置(製造裝置)100之一例的概略側視圖。
接合裝置100係將2個以上之帶狀樹脂片構件(胚材薄膜)1中先行送出，且搬送至處理步驟(處理區域)之第1樹脂片構件(舊胚材薄膜)1a之末端部與接續之第2樹脂片構件(新胚材薄膜)1b之前端部接合，將新胚材薄膜1b接在舊胚材薄膜1a之後往處理步驟連續搬送，以進行處理。
以接合裝置100接合之2個以上之胚材薄膜1若於相互接合之表面具有熱塑性樹脂層時，可由熱塑性樹脂之單層形成，亦可將熱塑性樹脂層與其他樹脂層積層而形成，非特別限定者，以由熱塑性樹脂之單層形成者為佳。藉此，易製作片狀接合體。又，此種樹脂片構件一般為由相互同種之熱塑性樹脂構成者，而本發明不限為同種者，只要為可相互熱熔融之材質，亦可為不同種類。
此種熱塑性樹脂可舉聚碳酸酯、聚乙烯醇、聚乙烯、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚氯乙烯、熱塑性聚醯亞胺、三醋酸纖維素、聚甲基丙烯酸甲酯、環烯烴聚合物、降莰烯樹脂、聚甲醛、聚醚醚酮、聚醚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚丁二烯、聚胺甲酸酯、聚苯乙烯、聚甲基戊烯、聚醯胺、聚縮醛、聚丁烯對苯二甲酸酯、乙烯醋酸乙烯酯等為例。
又，考慮以捲對捲搬送此樹脂片，其厚度宜為1μm以上，2mm以下，以10μm以上，200μm以下為佳。
又，樹脂片構件宜使用用以製作偏光薄膜之聚乙烯醇系樹脂薄膜，即由聚乙烯醇系高分子樹脂材料構成之薄膜，藉此，由於在後段進行延伸處理之際，可不斷裂而延伸，故可賦與偏光薄膜高偏光功能。
此聚乙烯醇系樹脂薄膜具體言之可使用聚乙烯醇薄膜、部份皂化聚乙烯醇薄膜、或聚乙烯醇之脫水處理薄膜等。
為前述聚乙烯醇系樹脂薄膜之形成材料之聚合物的聚合度一般為500~10,000，以1,000~6,000之範圍為佳，以在1,400~4,000之範圍為更佳。
再者，為部份皂化聚乙烯醇薄膜時，其皂化度從在水之溶解性之點而言，宜為75莫耳%以上，較佳為98莫耳%以上，以98.3%~99.8%之範圍為更佳。
接合裝置100包含有第1送出部(送出部)21、第1保持部22、切斷部23、第2送出部24、第2保持部25、台26、雷射光照射部27、加壓部28、塗佈部29、配置調整部31、積儲器(片儲存部)32。
第1送出部21可使捲繞成卷狀之舊胚材薄膜1a於將其送出之正方向及捲取之反方向旋轉，藉使其於正方向旋轉，可送出舊胚材薄膜1a。此第1送出部21可由裝設被捲繞之舊胚材薄膜1a之中空部之輥構件形成。
第1保持部22具有平坦之上面部，此上面部配置於從第1送出部21所送出之舊胚材薄膜1a之下方。又，於此上面部形成有複數個孔，以圖中未示之第1吸引構件，對該上面部吸引舊胚材薄膜1a並予以保持。然後，如後述，當停止舊胚材薄膜1a之送出(積儲器32之上游側之搬送)時，配合此停止，上述第1吸引構件作動，而可將舊胚材薄膜1a保持於第1保持部22。
切斷部23係用以切斷舊胚材薄膜1a者，由刃具23a及其承接部23b等形成。此切斷部23在舊胚材薄膜1a之保持在第1保持部22之部份的上游側(第1圖之右側)，保留與後述新胚材薄膜1b之前端部1ba疊合之部份後將之切斷。如此，藉以切斷部23予以切斷，舊胚材薄膜1a可形成搬送至處理步驟以進行處理之舊胚材薄膜1a之末端部1aa及不進行處理之無用部(參照第6圖)。
第2送出部24可使捲繞成卷狀之新胚材薄膜1b於將其送出之正方向及捲取之反方向旋轉，藉使其於正方向旋轉，可送出新胚材薄膜1b。此第2送出部24可由裝設被捲繞之新胚材薄膜1b之中空部之輥構件形成。
第2保持部25具有平坦之上面部，此上面部配置於從第2送出部24所送出之新胚材薄膜1b之下方。又，於此上面部形成有複數個孔，以圖中未示之第2吸引構件，對該上面部吸引新胚材薄膜1b並予以保持。然後，當新胚材薄膜1b之前端部1ba重疊於第2保持部及後述之台26之上面時，便停止新胚材薄膜1b之送出，且配合此停止，上述第2吸引構件作動，而可將前端部1ba保持於第2保持部25。
又，第1送出部21、第2送出部24設於可旋轉成相互替換該等位置之配置可變部41。又，如後述，於接合新舊胚材薄膜1a、1b後，藉配置可變部41旋轉，新胚材薄膜1b配置於舊胚材薄膜1a之位置(第1圖之上方)，在此位置，將新胚材薄膜1b依序放出。此時，可將配置於下方之舊胚材薄膜1a從配置可變部41卸除，新裝設新胚材薄膜1a之下個胚材薄膜。
台26具有平坦之上面部，與第2保持部25之下游側(第1圖之右側)相鄰而配置。此台26之材料可使用金屬、陶瓷、樹脂、橡膠等。該等中，以使用橡膠作為台26之材質為佳，藉此，如後述，於加壓部28隔著舊胚材薄膜1a之末端部1aa與新胚材薄膜1b之前端部1ba之重疊之部份，加壓台26之際，可均一地加壓大面積。因而，可藉後述之雷射光之照射，在上述重疊之部份，獲得良好之接合狀態。再者，在末端部1aa與前端部1ba接合後，為提高與末端部1aa之剝離性或提高耐熱性，可將上述橡膠表面進行表面處理或於上述橡膠表面積層樹脂構件。
雷射光照射部27具有雷射光源，並配置於台26之上方。又，加壓部28係在台26之上方，且為雷射光照射部27之下方，配置成可於上下方向移動。又，構造成藉使先行之舊胚材薄膜1a之末端部1aa與接合於此之新胚材薄膜1b之前端部1ba在台26上上下疊合，將此疊合之部份一面以加壓部28加壓，一面從雷射光照射部27照射雷射光R，藉此，可使末端部1aa與前端部1ba之界面部加熱熔融而熔接，而將兩者接合。又，加壓部28以雷射光R之透過性優異之透明構件構成。
上述雷射光源之種類非特別限定者，使用之雷射光係擔負下述功用者，前述功用係在疊合新舊胚材薄膜1a、1b之部份中之新舊胚材薄膜之界面，以塗佈配置於新胚材薄膜1b之上面之光吸收劑吸收，而使其發熱者，且宜具有使用之光吸收劑之吸收靈敏度高之波長。
具體言之，雷射光之種類可舉具有可見光區或紅外線區之波長之半導體雷射、光纖雷射、飛秒雷射、微微秒雷射、YAG雷射等固體雷射、CO2雷射等氣體雷射。
當中，以易取得低價且面內均一之雷射光束之半導體雷射或光纖雷射為佳。
為避免胚材薄膜之分解，且促進熔融，連續波之CW雷射較可投入瞬間高能量之脈衝雷射佳。
雷射光之輸出(功率)、光束尺寸及形狀、照射次數、還有掃瞄速度等只要可對作為對象之胚材薄膜及光吸收劑之光吸收率之所謂光學特性或構成胚材薄膜之聚合物之熔點、玻璃轉移溫度(Tg)之所謂熱特性等的差異適宜最適當化即可，為在照射雷射光之部份，使聚乙烯醇系樹脂有效率地流動，以獲得穩固之接合，照射之雷射光之功率密度以200W/cm2~10,000W/cm2之範圍內為佳，以300W/cm2~5,000W/cm2之範圍內為更佳，以1,000W/cm2~3,000W/cm2之範圍內為特佳。
又，上述雷射光源以在新舊胚材薄膜1a、1b之界面，可以預定大小之點徑(照射寬度)照射雷射光者為佳。
此照射點徑(照射寬度)在滿足上述照射雷射功率密度之功率下，以新舊胚材薄膜1a、1b之疊合寬度之一半值以上、3倍以下為佳。
若不到疊合寬度之一半值時，疊合1部之未接合部大，而有於接合後，搬送之際拍動，而阻礙良好之搬送性之虞。
又，當以3倍以上之寬度照射雷射光時，雖然不對接合及延伸特性造成影響，但從能源利用效率之觀點而言，並不佳。
較佳為與疊合寬度相同之值以上，2倍以下。
此外，新舊胚材薄膜1a、1b之疊合寬度以0.1mm以上，不到10.0mm為佳，以0.5mm以上，不到5mm為更佳。
此是因下述原因之故，前述原因係若疊合寬度不到0.1mm時，不易反覆以良好精確度疊合配置寬度大之胚材薄膜1，而當達10.0mm以上時，為防止未接合部之形成，需以10.0mm寬度以上照射雷射光，故必要之能源增高，從省能源之觀點而言，並不佳。
此外，雷射光之累計照射量以5J/cm2~400J/cm2之範圍內為佳，以10J/cm2~300J/cm2之範圍內為更佳，以30J/cm2~150J/cm2之範圍內為特佳。
因而，宜於接合裝置100採用具有可滿足該等條件之雷射光源之雷射光照射部27。
又，上述加壓部28具有對使用之雷射光顯現高透明性之玻璃製加壓構件。
照射雷射光之際之加壓強度以0.5~100kgf/cm2之範圍內為佳，以10~70kgf/cm2之範圍內為更佳。
因而，加壓構件只要為可以此種強度加壓之構件，該玻璃製構件之形狀未特別限定，可使用平板、圓筒、球狀者。
玻璃製構件之厚度未特別限定，但由於當過薄時，因形變，而無法進行良好之加壓，當過厚時，雷射光之利用效率降低，故在雷射光可透過之方向之厚度以3mm以上，不到30mm為佳，以5mm以上，不到20mm為更佳。
加壓構件之材質可舉石英玻璃、無鹼玻璃、TEMPAX玻璃、派瑞克斯玻璃、維柯玻璃、D263、OA10、AF45等為例。
為提高雷射光之利用效率，利用作為加壓構件之玻璃製構件宜對使用之雷射光波長具有高透明性，以具有50%以上之透光率為佳，以具有70%以上之透光率為更佳。
此外，使用如上述之玻璃製構件，構成加壓構件時，為更均一地加壓更大之面積，以可在全區獲得良好之接合，亦可於與胚材薄膜接觸之部份形成緩衝性較上述玻璃製構件優異之緩衝層。
即，亦可採用具有透光性良好之橡膠片或具緩衝性之透明樹脂片等之加壓構件，舉例言之，可採用背面側以玻璃製構件構成，與胚材薄膜接觸之前面側以透明橡膠片構成之加壓部28。
可於上述緩衝層之形成使用矽氧橡膠、胺酯橡膠等橡膠系材料或聚乙烯等樹脂材料。
此緩衝層之厚度以50μm以上，不到5mm為佳，以1mm以上，不到3mm為更佳。
當不到50μm時，缺乏緩衝性，當為5mm以上時，因該緩衝層，產生雷射光之吸收或散射，而有使到達末端部1aa與前端部1ba之接觸界面部之雷射光的能量降低之虞。
此緩衝層以對使用之雷射光波長具有30%以上之透光率為佳，以50%以上為更佳。
又，亦可將與此緩衝層同樣之緩衝層配設於台26之上面。
在本實施形態之雷射光照射部27，宜構造成沿著疊合1之新舊胚材薄膜1a、1b之疊合部份施行雷射熔接，而可使其形成作為線狀熔接部之接合部，舉例言之，宜具有用以使以聚光透鏡聚光成所期之光束尺寸之點束，沿著疊合部份掃瞄之設備、藉稱為柱面透鏡或繞射光學元件之光學構件之使用，將線狀雷射光束整形，然後照射於胚材薄膜之疊合部份之設備、進一步，將複數雷射光源沿著疊合部份配置，藉不掃瞄而同時照射，以一併熔融加熱接合之設備等。
又，上述塗佈部29可將光吸收劑塗佈於在保持於第2保持部25之新胚材薄膜1b之前端部1ba中，載置在台26之部份之上面。藉此光吸收劑之塗佈，可提高在末端部1aa與前端部1ba之界面部之雷射光之光吸收性，而可以更良好之效率施行熔融。
在此使用之光吸收劑只要為吸收雷射光，使熱產生者，未特別限定，可使用碳黑、顏料、染料等。
舉例言之，可使用酞花青系吸收劑、萘酞菁系吸收劑聚次甲基系吸收劑、二苯甲烷系吸收劑、三苯甲烷系吸收劑、醌系吸收劑、偶氮系吸收劑、雙亞胺鹽(diimmonium salt)等。
又，使用發射800nm~1200nm之波長之雷射光的雷射光源時，可使用來自美國Gentex公司製，商品名為「Clearweld」之市面販售之光吸收劑。
該等吸收劑可以有機溶媒等稀釋，以塗佈部29塗佈，該塗佈部29可採用分注器、噴墨列印機、網版印刷機、2流體式、1流體式或超音波式噴霧器、沖壓機、塗佈器等一般之塗佈裝置。
配置調整部31係用以將新舊胚材薄膜1a、1b之配置調整成保持在第1保持部22之舊胚材薄膜1a之末端部1aa與保持在第2保持部25，塗佈了光吸收劑之新胚材薄膜1b之前端部1ba在台26上隔著光吸收劑疊合者，在此，其構造成使第2保持部25及台26朝第2保持部25隔著台26與第1保持部22相鄰之位置移動。又，其構造成以第1圖之虛線顯示之部份與第2保持部一同移動。此外，在本發明中，只要構造成可將上述末端部1aa及前端部1ba疊合，亦可構造成僅第1保持部22移動，亦可構造成第1保持部22與第2保持部25及台26兩者皆移動。
積儲器32構造成儲存從上游側搬入之舊胚材薄膜1a，且將所儲存之舊胚材薄膜1a搬出至下游側，藉此，可使舊胚材薄膜1a之搬入速度與搬出速度不同，而在上游側，即使停止舊胚材薄膜1a之搬送，亦可繼續將舊胚材薄膜1a往後段處理步驟(處理裝置)搬送，而可儲存舊胚材薄膜1a。如第1圖所示，此積儲器32配置於第1保持部22之下游側(第1圖之左側)，且如第2圖所示，具有可架起舊胚材薄膜1a之第1輥33、第2輥34、第3輥35、第4輥36及第5輥37。
該等輥中，第1輥33、第2輥34及第3輥35係固定配置。又，第4輥36在第1輥33及第2輥34間之下方，配置成可於上下方向移動，第5輥37在第2輥34及第3輥35間之下方，配置成可於上下方向移動。
此第4及第5輥36、37配置於最下方之起始位置，藉此，可將舊胚材薄膜1a儲存於積儲器32。然後，如第2圖所示，在積儲器32之上游側，停止舊胚材薄膜1a之搬送時，配合此停止，第4及第5輥36、37往上方移動，而可繼續將舊胚材薄膜1a往後段處理步驟搬送。又，如後述，當將舊胚材薄膜1a與新胚材薄膜1b接合，將新胚材薄膜1b接在舊胚材薄膜1a後搬送時，第4及第5輥36、37朝下方往起始位置移動，而可將新胚材薄膜1b接在舊胚材薄膜1a後，儲存於積儲器32。
又，第4及第5輥36、37往上方之移動速度及移動距離係在從停止上述舊胚材薄膜1a之搬送，接合新舊胚材薄膜1a、1b後，至開始新舊胚材薄膜1a、1b之搬送為止之期間，按如可將舊胚材薄膜1a搬送至後段處理步驟之速度及距離來設定。又，第4及第5輥36、37往下方之移動速度設定成不妨礙將新舊胚材薄膜1a、1b往後段處理步驟搬送之速度。
此外，設於積儲器32之輥之數量或配置等只要可繼續舊胚材薄膜1a之往後段處理步驟之上述搬送，非特別限定者。又，在此，於第1輥33之上游側(第2圖之右側)配置有引導舊胚材薄膜1a之搬送之輥對38，亦可為不設此輥對38之結構，亦可為依需要，設複數輥對之結構。
接著，就上述接合裝置100所作之片狀接合體之製造方法作說明。
將舊胚材薄膜1a從第1送出部21送出，一面通過積儲器32，一面往後段處理步驟搬送，在此狀態下，接合舊胚材薄膜1a及新胚材薄膜1b。首先，從第2送出部24將新胚材薄膜1b朝第2保持部25送出。一將所送出之新胚材薄膜1b之前端部1ba配置於第2保持部25及台26之上方時，便停止新胚材薄膜1b之送出，配合此停止，上述第2吸引構件作動，如第3圖所示，可將前端部1ba保持於第2保持部25(第1步驟)。又，如第4圖所示，以塗佈部29(參照第1圖)，將光吸收劑塗佈於台26上之前端部1ba之上面(第2步驟)。
接著，如第5圖所示，在積儲器32之上游側，停止舊胚材薄膜1a之送出，配合此停止，一面如前述第2圖所示，第4及第5輥36、37往上方移動，繼續舊胚材薄膜1a往後段處理步驟之搬送，一面如第6圖所示，上述第1吸引構件作動，而可將舊胚材薄膜1a保持於第1保持部22(第3步驟)。
又，如第6圖所示，將保持在第1保持部22之舊胚材薄膜1a以切斷部23保留在第1舊胚材薄膜1a之保持在第1保持部22之部份的上游側(第6圖之右側)，與新胚材薄膜1b之前端部1ba疊合之部份而切斷，藉此切斷，將舊胚材薄膜1a形成要搬送至處理步驟處理之舊胚材薄膜1a之末端部1aa與不要處理之無用部(第4步驟)。
於此切斷後，第1送出部21於反方向旋轉，而可捲取舊胚材薄膜1a之上述無用部來回收(第8步驟)。
於上述切斷後，如第7圖所示，藉配置調整部31(參照第1圖)，保持有新胚材薄膜1b之前端部1ba之第2保持部25及台26移動，該等配置於第2保持部25隔著台26與第1保持部22相鄰之位置，在台26上，末端部1aa與前端部1ba隔著光吸收劑疊合(第5步驟)。
接著，如第8圖所示，將在台26上疊合之末端部1aa與前端部1ba以加壓部28從上方對台26加壓，然後，如第9圖所示，以雷射光照射部27(參照第1圖)，將雷射光R對末端部1aa與前端部1ba之疊合部份，從加壓部28之上方照射，而以雷射熔接將末端部1aa與前端部1ba接合(第6步驟)。
然後，於此雷射熔接後，如第10圖所示，加壓部28上升，解除該加壓部28所作之末端部1aa及前端部1ba之加壓，並停止上述第1及第2吸引構件之作動，而解除第1及第2保持部22、25所作之末端部1aa及前端部1ba之保持，而如第11圖所示，可將新胚材薄膜1b接在舊胚材薄膜1a後搬送(第7步驟)。此時，藉配置可變部41(參照第1圖)，替換舊胚材薄膜1a與新胚材薄膜1b之配置。又，配合新舊胚材薄膜1a、1b之搬送開始，第4及第5輥36、37(參照第1圖)朝下方移動，而可將新胚材薄膜1b接在舊胚材薄膜1a後儲存於積儲器32。
如上述，藉接合舊胚材薄膜1a之末端部1aa與新胚材薄膜1b之前端部1ba，製作片狀接合體，可避免於接合兩薄膜之際，停止舊胚材薄膜1a往後段處理步驟之搬送。然後，接在舊胚材薄膜1a之後，連續搬送新胚材薄膜1b，以將其進行處理。又，藉如此反覆進行新舊胚材薄膜1a、1b之接合，可依序連續接合2個以上胚材薄膜，將其搬送至後段處理步驟。
此外，藉配置可變部41(參照第1圖)，卸除已移動至下方之舊胚材薄膜1a，裝設新胚材薄膜1b之下個胚材薄膜，藉此，可依序連續接合胚材薄膜。
此外，雖未在此詳述，但可於上述接合裝置100採用一般之雷射熔接裝置以及在其周邊機器利用之各種設備。又，在上述實施形態中，切斷舊胚材薄膜1a後，接合舊胚材薄膜1a與新胚材薄膜1b，尚可如第12圖所示，將舊胚材薄膜1a與新胚材薄膜1b之前端部之一部份疊合切斷後，將藉此切斷而形成之舊胚材薄膜1a之後端部1aa與新胚材薄膜1ba之前端部接合。
具體言之，於舊胚材薄膜1a之搬送中，送出新胚材薄膜1b，以第2保持部25保持其前端部在長向之一部份，並將光吸收劑塗佈於前端部之上面(第12(a)圖)。又，停止舊胚材薄膜1a之送出，同時，使積儲器32作動(參照第2圖)，將舊胚材薄膜1a以從新胚材薄膜1b之上方疊合之狀態以第1保持部22保持(第12(b)圖)。接著，使切斷部23之承接部23b上升，以切斷部23切斷新舊胚材薄膜1a、1b(第12(c)圖)，藉此，形成舊胚材薄膜1a之末端部1aa與新胚材薄膜1b之前端部1ba。
又，回收因切斷而產生之兩薄膜之無用部，同時，使承接部23b下降(第12(d)圖)。然後，以配置調整部31(在第12圖中未顯示)使第2保持部25靠近第1保持部22(第12(e)圖)，藉此，將舊胚材薄膜1a之末端部1aa疊合1於在新胚材薄膜1b之前端部1ba中塗佈有光吸收劑之上面後，使台26上升，同時，使加壓部28下降(第12(f)圖)，以加壓部28一面將末端部1aa與前端部1ba之疊合部份按壓至台26，一面將雷射光R照射於該疊合部份，以將末端部1aa與前端部1ba接合。之後，如前述第10圖及第11圖所示，藉解除末端部1aa及前端部之加壓及保持，可使新胚材薄膜1b接在舊胚材薄膜1a後搬送。
又，搬送以上述接合裝置100所製作之片狀接合體(舊胚材薄膜1a及新胚材薄膜1b)之後段處理步驟可舉藥液處理及延伸處理等為例。又，若使用用以製作偏光薄膜之聚乙烯醇系樹脂薄膜作為胚材薄膜1時，可舉使用第13圖所示之延伸裝置(處理裝置)50之延伸處理步驟為例。此外，在第13圖中，以塗黑部30顯示以雷射熔接接合之部份(熔接部)。
如第13圖所示，於用以製造偏光薄膜之延伸裝置50裝備有用以將從接合裝置100搬送之舊胚材薄膜1a及新胚材薄膜1b(胚材薄膜1)浸漬於預定藥液之複數浸漬浴4、限制胚材薄膜1之移動路徑，以使胚材薄膜1通往該浸漬浴4內之複數輥9、在該移動路徑中，將胚材薄膜1延伸之延伸機構、將業經浸漬於複數浸漬浴4且業經延伸之薄膜捲取成卷狀作為偏光薄膜之偏光薄膜捲取部10。
又，於浸漬浴4之下游側，且為捲取部10之上游側，裝備有使附著於薄膜之洗淨液乾燥之乾燥裝置11，具體為乾燥烘箱。再者，捲繞成卷狀之表面保護薄膜(例如三醋酸纖維素或環烯聚合物薄膜)等積層用薄膜12分別配設於業經以前述乾燥裝置11乾燥之薄膜之兩面側，於乾燥後之薄膜之兩面裝備有用以使積層用薄膜12積層之積層裝置。
以此延伸裝置50於其長度方向延伸成胚材薄膜1之累積之總延伸倍率為2~8倍，較佳為於其長度方向延伸成5.25~8倍，藉此，可賦與所得之偏光薄膜優異之偏光功能。
本實施形態之片狀接合體之製造方法及片狀接合體之製造裝置如以上，本發明不限於本實施形態，可在本發明之要謀求之範圍內，適宜變更設計。
實施例
接著，舉實施例為例，更詳細地說明本發明，本發明非限於該等者。
第1實施例
使用下述之樹脂片構件、條件。
‧胚材薄膜：三醋酸纖維素樹脂(TAC)薄膜((股份有限公司)富士軟片公司製，厚度80μm，寬度1,330mm)
‧疊合寬度：1.5mm寬度
‧加熱熔融接合機構：雷射
‧雷射：半導體雷射(波長940nm、功率80W、點徑2mmΦ、功率密度2,547W/cm2、掃瞄速度70mm/sec、累計照射量102J/cm2、圓形平頂光束)
‧光吸收劑：商品名「Clearweld LD120C」(美國Gentex公司製、波長940nm之光之吸收率30%、溶媒丙酮)，於配設在下側之新胚材薄膜之上面以5.0mm寬度塗佈10nLmm2
‧加壓構件：熔融石英玻璃之平板(15mm厚)
‧加壓條件：以加重50kgf/cm2往胚材薄膜疊合部壓
以搬送速度30m/分、張力300N搬送上述舊TAC薄膜，將其搬送至延伸裝置之皂化浴漕。在此舊TAC薄膜之搬送中，使用上述各條件，如前述第3圖~第11圖所示，接合舊TAC薄膜與新TAC薄膜，使新TAC薄膜接在舊TAC薄膜之後，搬送至皂化浴槽，使其通過此皂化浴槽。
結果，在積儲器32之上游側，停止舊TCA薄膜之搬送，接合新舊TAC薄膜之期間，舊TA薄膜往皂化浴槽之搬送良好，於接合後，即使開始新舊TCA薄膜之搬送後，新舊TCA薄膜之往皂化浴槽之搬送仍良好。又，通過皂化浴槽後，於舊TAC薄膜與新TAC薄膜間未看出斷裂，其接合性良好。
第2實施例
使用聚乙烯醇樹脂(PVA)薄膜((股份有限公司)Kuraray公司製，厚度75μm，寬度3,000mm)，在第13圖所示之延伸裝置，延伸倍率延伸成在膨脹浴為2.6倍，在染色浴為3.4倍，在交聯浴為3.6倍，在延伸浴為6.0倍後，除了通過洗淨浴外，其餘與第1實施例同樣地進行，將舊PVA薄膜與新PVA薄膜接合，使新PVA薄膜接在舊PAV薄膜後延伸。
結果，在接合新舊PVA薄膜之期間，舊PVA薄膜往延伸裝置之搬送良好，於接合後，即使開始新舊PVA薄膜之搬送後，新舊PVA薄膜之往延伸裝置之搬送仍良好。又，在延伸裝置，通過各藥浴槽而被延伸後，於舊PVA薄膜與新PVA薄膜間未看出斷裂，其接合性良好。再者，在延伸倍率6.0倍之延伸，也未看出斷裂，延伸性也良好。
第1比較例
使用壓感型接著劑(丙烯酸系黏著劑：日東電工製，No.5000NS 160μm厚)作為接合機構，除了將該丙烯酸系黏著劑貼附於新PVA薄膜之前端部之上面，將此前端部與舊PVA薄膜之末端部接合外，其餘與第2實施例同樣地進行，使新舊PVA薄膜延伸。
結果，在接合新舊PVA薄膜之期間，舊PVA薄膜往延伸裝置之搬送良好，於接合後，即使開始新舊PVA薄膜之搬送後，新舊PVA薄膜之往延伸裝置之搬送仍良好。然而，在延伸浴槽，於舊PVA薄膜與新PVA薄膜間看出斷裂。
第2比較例
除了將新PVA薄膜之前端部與舊PVA薄膜之末端部以熱封機(鎳鉻合金線3mm寬、溫度200℃、10秒)接合以外，其餘與第2實施例同樣地進行，使新舊PVA薄膜延伸。
結果，在接合新舊PVA薄膜之期間，舊PVA薄膜往延伸裝置之搬送良好，於接合後，即使開始新舊PVA薄膜之搬送後，新舊PVA薄膜之往延伸裝置之搬送仍良好。然而，由於進行延伸倍率4倍之延伸時，產生斷裂，故不僅無法獲得偏光薄膜，且無法延伸至為目標之延伸倍率5.25倍。
1．．．樹脂片構件(胚材薄膜)
1a．．．第1樹脂片構件(舊胚材薄膜)
1aa．．．末端部
1b．．．第2樹脂片構件(新胚材薄膜)
1ba．．．前端部
21．．．第1送出部(送出部)
22．．．第1保持部
23．．．切斷部
23a．．．刃具
23b．．．承接部
24．．．第2送出部
25．．．第2保持部
26．．．台
27．．．雷射光照射部
28．．．加壓部
29．．．塗佈部
31．．．配置調整部
32．．．積儲器(片儲存部)
33．．．第1輥
34．．．第2輥
35．．．第3輥
36．．．第4輥
37．．．第5輥
38．．．輥對
41．．．配置可變部
100．．．接合裝置(製造裝置)
R．．．雷射光
第1圖係顯示一實施形態之接合裝置之概略側視圖。
第2圖係積儲器之概略側視圖。
第3圖係示意顯示保持新胚材薄膜之前端部之狀態的概略側視圖。
第4圖係示意顯示於新胚材薄膜之前端部塗佈光吸收劑之狀態的概略側視圖。
第5圖係示意顯示在積儲器之上游側，停止舊胚材薄膜之搬送之狀態的概略側視圖。
第6圖係示意顯示將舊胚材薄膜保持且切斷之狀態的概略側視圖。
第7圖係示意顯示使新胚材薄膜移動，與舊胚材薄膜疊合之狀態之概略側視圖。
第8圖係示意顯示加壓疊合部份之狀態之概略側視圖。
第9圖係示意顯示將雷射光照射於疊合部份之狀態之概略側視圖。
第10圖係示意顯示解除對疊合部份之加壓、新舊胚材薄膜之保持之狀態的概略側視圖。
第11圖係示意顯示再開始新舊胚材薄膜之搬送之狀態的概略側視圖。
第12(a)圖~第12(g)圖係顯示新舊胚材薄膜之疊合方法之另一例的概略側視圖。
第13圖係顯示搬送新舊胚材薄膜之延伸裝置之一例的概略立體圖。
1a．．．第1樹脂片構件(舊胚材薄膜)
1b．．．第2樹脂片構件(新胚材薄膜)
21．．．第1送出部(送出部)
22．．．第1保持部
23．．．切斷部
23a．．．刃具
23b．．．承接部
24．．．第2送出部
25．．．第2保持部
26．．．台
27．．．雷射光照射部
28．．．加壓部
29．．．塗佈部
31．．．配置調整部
32．．．積儲器(片儲存部)
33．．．第1輥
34．．．第2輥
35．．．第3輥
36．．．第4輥
37．．．第5輥
38．．．輥對
41．．．配置可變部
100．．．接合裝置(製造裝置)

Claims (6)

  1. 一種片狀接合體之製造方法，係將2個以上之帶狀樹脂片構件中，先行往處理區域搬送之第1樹脂片構件與接續之第2樹脂片構件接合，以製作片狀接合體，其特徵在於包含：第1步驟，係保持前述第2樹脂片構件之前端部；第2步驟，係將光吸收劑塗佈於以該第1步驟所保持之前述前端部；第3步驟，係藉由下述片儲存部，將前述第1樹脂片構件往前述處理區域搬送，而可一面在前述片儲存部之下游側，繼續前述第1樹脂片構件之搬送，一面在上游側，停止前述第1樹脂片構件之搬送，並保持前述第1樹脂片構件，而前述片儲存部係構造成儲存從上游側搬入之前述第1樹脂片構件，且將所儲存之前述第1樹脂片構件搬出至下游側，藉此，使前述第1樹脂片構件之搬入速度與搬出速度不同；第4步驟，係將在該第3步驟所保持之前述第1樹脂片構件切斷成所保持之部份構成末端部；第5步驟，係將前述前端部與前述末端部隔著前述光吸收劑疊合；第6步驟，係將在該第5步驟已疊合之前述前端部及末端部在從下方保持的狀態下，藉由一面加壓一面雷射熔接而接合；及第7步驟，係解除對前述前端部及末端部之加壓與 前述前端部及末端部之保持，然後，將前述第2樹脂片構件接在前述第1樹脂片構件後往前述處理區域搬送，前述樹脂片構件係用以製作偏光薄膜之聚乙烯醇系樹脂薄膜，在前述處理區域中，使前述第1及第2樹脂片構件在浸漬浴中於長度方向延伸成累積之總延伸倍率為5.25~8倍。
  2. 如申請專利範圍第1項之片狀接合體之製造方法，其包含：第8步驟，係藉由捲取在前述第1樹脂片構件中以在前述第4步驟之切斷而生成之無用部，而回收該無用部。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之片狀接合體之製造方法，其中前述樹脂片構件係熱塑性樹脂薄膜之單層。
  4. 一種片狀接合體之製造裝置，係將2個以上之帶狀樹脂片構件中先行往處理區域搬送之第1樹脂片構件與接續之第2樹脂片構件接合，以製作片狀接合體，其特徵在於包含有：片儲存部，係構造成儲存從上游側搬入之前述第1樹脂片構件，且將所儲存之前述第1樹脂片構件搬出至下游側，藉此，使前述第1樹脂片構件之搬入速度與搬出速度不同，而可一面在下游側，繼續前述第1樹脂片往前述處理區域之搬送，一面在上游側，停止前述第1樹脂片之搬送；第1保持部，係配置於比前述片儲存部還要上游 側，配合前述第1樹脂片構件之搬送停止，來保持前述第1樹脂片構件；切斷部，係將前述第1樹脂片構件切斷成保持於前述第1保持部之部份構成末端部；第2保持部，係保持前述第2樹脂片構件之前端部；塗佈部，係將光吸收劑塗佈於保持在前述第2保持部之前端部；配置調整部，係將前述前端部及前述末端部之配置調整成該前端部及末端部隔著前述光吸收劑疊合；加壓部，係將前述前端部及末端部之疊合部份加壓；及雷射光照射部，係將雷射光照射於業經以前述加壓部加壓之前述疊合部份，以藉由雷射熔接，將前述前端部與前述末端部在從下方吸引保持的狀態下接合；又，該片狀接合體之製造裝置構造成藉由解除前述加壓部所對前述前端部及末端部之加壓、與前述前端部及末端部之保持，可將前述第2樹脂片構件接在前述第1樹脂片構件後往前述處理區域搬送，前述樹脂片構件係用以製作偏光薄膜之聚乙烯醇系樹脂薄膜，又，該片狀接合體之製造裝置構造成在前述處理區域中，使前述第1及第2樹脂片構件在浸漬浴中於長度方向延伸成累積之總延伸倍率為5.25~8倍。
  5. 如申請專利範圍第4項之片狀接合體之製造裝置，其中 前述第1樹脂片構件裝設於可捲取該第1樹脂片構件之送出部，該送出部構造成藉由捲取在前述第1樹脂片構件中以前述切斷部所作之切斷而生成之無用部，可回收該無用部。
  6. 如申請專利範圍第4或5項之片狀接合體之製造裝置，其中前述樹脂片構件係熱塑性樹脂薄膜之單層。
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