TWI557753B - 含有太陽能控制層之透明複合物及形成該透明複合物之方法 - Google Patents
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Description
本申請案主張依據35 U.S.C.§119(e)之2014年2月17日申請、名稱為「A Transparent Composite Including a Solar Control Layer and a Method of Forming the Same」、名為Fabien Lienhart之發明人之美國臨時專利申請案第61/940,728號之優先權，其全文係以引用方式併入本文中。
本發明係涉及含有一太陽能控制層之透明複合物以及形成該透明複合物之方法。
有更多的政府強制規定以及消費者需要窗戶能降低來自於太陽進入建築物或車輛內部的熱傳遞。大部分的熱能係以波長範圍在800nm至2500nm間的近紅外線輻射形
式而傳遞。太陽能控制層已被使用多年，並能有效降低近紅外線輻射的透射，同時容許可接受的波長範圍為400nm至700nm間的可見光透射。
蜂巢式電話、智慧型電話、平板電腦等通常係以無線方式在一般為0.8GHz至2.5GHz(甚至更高頻率)間的頻率範圍內與蜂巢式訊號塔或其他基礎設施設備通訊。此類電話、電腦及其他蜂巢式設備的使用者須能夠讓其裝置通過建築物及車輛的窗戶而以無線方式通訊。無線傳輸係可在沒有顯著的訊號損耗下通過一片玻璃或塑料進行。儘管太陽能控制層在不顯著降低可見光的情況下顯著降低了近紅外線的透射，此類太陽能控制層可顯著使無線通訊用的電磁輻射的透射衰減。許多用以解決此問題的嘗試係讓太多的近紅外線輻射傳遞或具有複雜的製造方案。
200、600、720、800、1200‧‧‧紋理化基板
220、620、722、724、1220、1320、1420‧‧‧溝槽
222、622、1222‧‧‧側壁
242、244、246、262、264、442、444、446、452、454、456、458、462、464、802、824‧‧‧太陽能控制層部分
R242、R244、R246、R262、R264、R442、R444、R446、R452、R454、R456、R458、R462、R464‧‧‧電阻
400‧‧‧太陽能控制層
602、604、1202、1204‧‧‧主要表面
610‧‧‧支撐基板
624‧‧‧底部表面
700‧‧‧間距
812‧‧‧臺面結構
822‧‧‧凹陷
1002‧‧‧溝槽填料
1102‧‧‧清晰耐候層
1104‧‧‧黏著層
1106‧‧‧剝離層
1110‧‧‧硬塗層
1300、1400‧‧‧主體層
1310、1410‧‧‧覆蓋層
1340‧‧‧遮罩層
實施例係通過舉例來說明且並不限定於該等附圖之中。
圖1係包含訊號在1.8GHz下之隨著薄片電阻的變化而改變之透射率曲線圖。
圖2係包含根據一實施例之紋理化基板及太陽能控制層之部分剖面圖之圖示。
圖3係包含圖2之太陽能控制層之電路模式。
圖4係包含根據一實施例之紋理化基板及太陽能控制層之部分剖面圖之圖示。
圖5係包含圖4之太陽能控制層之電路模式。
圖6及圖7係分別包含根據一實施例之含有支撐基板及紋理化基板的工件之部分剖面圖及外觀示意圖之圖示。
圖8係包含根據一替代實施例之含有支撐基板及紋理化基板的工件之部分外觀示意圖之圖示。
圖9係包含根據另一替代實施例之含有紋理化基板的工件之部分上視圖之圖示。
圖10及圖11係分別包含根據一實施例之圖6及圖7的工件在形成一太陽能控制層後之剖面圖及外觀示意圖之圖示。
圖12係包含根據一實施例之圖10及圖11的工件在以溝槽填料填充溝槽的其餘部分後之剖面圖之圖示。
圖13係包含根據一實施例之已大致完成的透明複合物之剖面圖。
圖14係包含根據一替代實施例之含有支撐基板及紋理化基板的工件之部分剖面圖之圖示。
圖15係包含根據一替代實施例之含有支撐基板、主體層、覆蓋層及遮罩層的工件於蝕刻部分的主體層與覆蓋層後之部分剖面圖之圖示。
圖16係包含根據一替代實施例之圖15的工件在選擇性地擴寬該主體層內的溝槽後之剖面圖之圖示。
圖17及圖18係包含一紋理化基板及沉積在該紋理化基板上的金屬層之掃描式電子顯微鏡影像。
圖19係包含用以測試射頻訊號穿過樣本(被檢測裝置)
的透射衰減之系統建置圖示。
圖20係包含一說明透射衰減(訊號損耗)隨著薄片電阻的變化而改變之曲線圖。
具有技藝者應瞭解的是，圖式中元件之繪示係以簡單且清楚說明為目的，然其不一定按比例繪製。例如，為增加對於本發明實施例的理解，可能將圖式中的某些元件相對於其他元件於尺寸加以誇示。
提供了下面結合附圖的描述以有助於理解本文所揭之該等教示。下面的討論將著重於該等教示的具體實施及實施例。提供了此著重點以有助於描述該等教示，且該著重點並不應該被解釋成限制了該等教示的範疇或適用性。
術語「有效薄片電阻」係旨在表示一材料或結構層於為了圖案化而調整時之薄片電阻。例如，一結構層於一平坦表面上形成時可具有200歐姆/平方的薄片電阻。於圖案化後，該結構層的寬度(於一與其厚度正交的方向上所量測)可能只有該結構層寬度最初形成時的10%。該有效薄片電阻係為該薄片電阻(200歐姆/平方)乘以圖案化後之剩餘結構層寬度之分率(0.1)，於此實例中為2000歐姆/平方。
如本文中所用，可見光穿透率(VLT)係旨在表示透射通過一窗隔熱膜/玻璃系統的總可見光與傳至該窗隔熱膜/玻璃系統的總可見光之比率。
可見光反射率(VLR)係旨在表示被一窗隔熱膜/
玻璃系統所反射的總可見光與傳至該窗隔熱膜/玻璃系統的總可見光之比率。
總太陽能排拒(TSER)係旨在表示被一窗隔熱膜/玻璃系統所反射的總太陽能(熱能)。
太陽能熱獲得係數(SHGC)係旨在表示於使用下式所測定之總太陽能(例如，透射通過一窗隔熱膜/玻璃系統的熱能)：SHGC=1-TSER。
選擇性係數或光線對太陽能熱獲得係數係旨在表示於使用下式所測定之VLT除以SHGC之比率：s=LTSHGC=VLT/SHGC。
上述VLT、VLR、TSER、SHGC及LTSHGC係根據ASTM標準(參見例如，NFRC-100、NFRC-200及NFRC-300)量測。
本說明書中所提供的表現數值係意在當應用一透明複合物薄膜於一3毫米(1/8英吋)的透明玻璃片上或由該3毫米(1/8英吋)的透明玻璃片製造一透明複合物時對應所量測到的數值。
如本文中所用，衰減係為電磁輻射強度因為該電磁輻射穿過一介質(諸如一窗隔熱膜/玻璃系統)的耗損。對於相同量的衰減，衰減可以被表示為其實際值(例如，-5dB)或為一絕對值(例如，5dB)。
於本文中之術語「包括」、「包括有」、「包含」、「包含有」、「具」、「具有」或任何其他的同義者，其涵義係涵蓋非排他性之內含。例如，當一種製程、方法、物件或設
備包括一系列的特徵時，其並非僅限於這些特徵，而可包括其他未明白列出或為該製程、方法、物件或設備所固有之特徵。再者，除非另有明確指出相反之涵義外，其本文中之「或」係意指具包含性之「或」，而非指具排他性之「或」。例如，下列解釋中任一者皆可滿足條件A或B之定義：A為真(或存在)且B為假(或不存在)，A為假(或不存在)且B為真(或存在)，以及A與B皆為真(或存在)。
「一」係用來描述本文中的元件以及組成部份，但其於使用上僅為了方便，以便給予本發明範圍之普遍意義。此敘述應解釋為包括一者或至少一者，或反之亦然；而於單數表述上，除另有解釋，亦應包括複數的含意。
除非另有定義，本文中所用的所有技術與科學術語具有與本發明所屬領域普通技術人員通常理解的相同含義。材料、方法和實施例僅是示例性的，並非旨在進行限制。對於本文未描述的內容，有關具體材料和處理操作的許多細節是常規的，並且可見於太陽能控制及窗戶領域的教科書和其它資源中。
一種包含有一紋理化基板及一太陽能控制層之透明複合物。該太陽能控制層的多個部分可形成在不同的高度上並藉由一側壁而彼此分隔。於一實施例中，於該紋理化基板形成時，該紋理化基板內係可存在多個溝槽，或該等溝槽可形成於一結構層中，或該等溝槽可通過沉積一材料於一結構層上而形成。於該溝槽底部與該溝槽外部的表面之間的高度差可讓該太陽能控制層於該溝槽內及該溝槽外具有多個
分離且間隔開的部分。於一實施例中，該太陽能控制層係可非共形地沉積於該紋理化基板上。該太陽能控制層並不需要壓碎或斷裂，或以雷射切除或其他方式去除部分結構層而形成該等分離且間隔開的部分。在一與該透明複合物主要表面正交的方向上，該太陽能控制層並不具有任何的側向間隙，因此，當與習用在形成太陽能控制層後係含有破碎成片的太陽能控制層之窗隔熱膜相比時，該近紅外線輻射的透射係顯著降低。習用具有奈米粒子的太陽能控制層係可：(1)具有足夠的奈米粒子以提供良好的近紅外線(IR)效能但具有不良的可見光穿透性，或(2)具有良好的可見光穿透性但讓太多的近紅外線輻射穿透。再者，該透明複合物係可只形成有一太陽能控制層。因此，不需要沉積或圖案化多個太陽能控制層。該透明複合物可製成讓霧度較低。霧度係使用來自BYK Gardner之Haze-GardTM牌霧度度量儀器而予以量測。於一特定實施例中，霧度可根據測試方法ASTM D 1003予以量測。
於述及特定的實施例之前，係先論述關於通過太陽能控制層之高頻訊號衰減問題。一些使用在太陽能控制層的材料係具高度傳電性，諸如銀、金、銅、鋁或一般的透明導電氧化物(TCO)(諸如銦錫氧化物(ITO)、經摻雜鋁或鎵的氧化鋅(ZnO))。圖1係包含電磁輻射在1.8GHz頻率下穿過一結構層之隨著該結構層薄片電阻的變化而改變之透射率曲線圖。如該曲線圖中可見，訊號衰減於薄片電阻減少時係顯著的。特別是，透射率在1歐姆/平方時為-46dB(在圖中係註記為Ω□)，在10歐姆/平方時為-27dB，在100歐姆/平方時
為-10dB。因此，薄片電阻過低並不會讓無線通訊用的電磁輻射充分透射。然而，透射率在10000歐姆/平方或更高時係介於0dB及-1dB之間。
以下係描述本發明之示例性實施例，其係闡述但不限制所附申請專利範圍之範疇。圖2係包含一紋理化基板200的部分剖面圖及一太陽能控制層的部分剖面圖之圖示。該太陽能控制層係顯著降低近紅外線輻射的透射且仍讓可見光充分透射。於圖2之實施例中，該紋理化基板200具有多個具大致上垂直的側壁222之溝槽220。該太陽能控制層的部分242、244及246係設置在該紋理化基板200於溝槽220外部的上表面上。該太陽能控制層的部分262、264係設置於該等溝槽220的底部表面上。該等部分242、244及246係藉由該等溝槽之側壁222而與該等部分262及264分隔。
於圖2之實施例經電性建模時，該等部分中之每一者可具有對應的電阻R242、R244、R246、R262及R264，如圖3中所示。由於該太陽能控制層之該等部分242、244、246、262及264係間隔開，這類的部分係表示為未彼此電連接的電阻，因此，其為一開放電路。若跨越該等部分242、246之間的太陽能控制層施加一電壓差，不會有電流流動。參閱圖1，這種情況導致了非常高的薄片電阻(顯著大於100,000歐姆/平方)且對於無線通訊用的訊號沒有顯著的衰減。
於另一實施例中，該紋理化基板係可為多個臺面結構與該等臺面結構間的互連溝槽形式。於此實施例中，電阻R262及R264係經連接。該等溝槽的寬度係經調整以使該等
溝槽內的太陽能控制層的部分達到一期望的有效薄片電阻。例如，需要或期望有較高的有效薄片電阻時，該溝槽係可更為狹窄。對應該等臺面結構上的太陽能控制電阻的部分之電阻R242、R244及R246係保持彼此電性斷開及與該互連溝槽內的太陽能控制層的部分電性斷開。
圖4係包含一替代實施例之圖示，其中一太陽能控制層400係為一形成在該紋理化基板200上之連續層。於圖4之實施例中，該太陽能控制層之該等部分442、444及446係設置在該紋理化基板200於溝槽220外部的上表面上。該太陽能控制層之該等部分462、464係設置在該等溝槽220之底部表面上。於此實施例中，該等部分452、454、456及458係沿著該等溝槽220的側壁222設置，且設於位在沿著該等溝槽底部表面位置處之太陽能控制層200該等部分與位於該等溝槽220的外部之其他部分之間。該等部分452、454、456及458中之每一者的厚度大致上係比該等部分442、444、446、462及464中之每一者的厚度較薄。
於圖4之實施例經電性建模時，該等部分中之每一者可具有對應的電阻R442、R444、R446、R452、R454、R456、R458、R462、R464，如圖5中所示。該等電阻係串聯連接，因為該太陽能控制層400係沿著該紋理化基板200延續。由於該等部分452、454、456及458大致上係比該等部分442、444、446、462及464較薄，R452、R454、R456及R458中之每一者係顯著大於R442、R444、R,446、R462及R464中之每一者，該電路內的等效電阻係受制於與該等側壁部分452、454、456及
458相對應的R452、R454、R456及R458。因此，若跨越過該等部分442、446之間的太陽能控制層施加一電壓差，電流會流動，但這樣的電流會非常低。
現將焦點導向可用於形成一具有太陽能控制層的透明複合物之製造方法之例示性及非限制性實施例。雖然大部分的討論係針對一為應用於窗戶的薄膜形式之透明複合物，係可對該方法進行變化讓該太陽能控制層形成於一窗戶內或形成於該窗戶上。
形成透明複合物的方法可開始於提供一紋理化基板。參閱圖6，一紋理化基板600係具有多個大致上彼此平行的主要表面602及604。該紋理化基板600具有一即為圖6所示實施例中該等主要表面602及604之間在垂直方向上的距離之厚度。於一實施例中，該紋理化基板600之厚度係至少為110nm、至少為200nm、至少為500nm或至少為1.1 microns，並且於另一實施例中，該紋理化基板的厚度係不大於20 microns，或不大於9 microns，或不大於7 microns。該紋理化基板600可具有上述任一最大值與任一最小值之間的範圍內之厚度，諸如，自110nm至20 microns、自500nm至9 microns或自1.1 microns至7 microns。
該紋理化基板600可包含有機或無機材料。於一實施例中，該紋理化基板600可包含一透明聚合物。該透明聚合物可包含聚丙烯酸酯、聚酯、聚碳酸酯、聚矽氧烷、聚醚、聚乙烯化合物、另一種合適類別的透明聚合物或其混合物。
於一特定實施例中，該透明聚合物係包含聚丙烯酸酯。該聚丙烯酸酯係可為聚(甲基丙烯酸酯)、聚(乙基丙烯酸酯)、聚(丙基丙烯酸酯)、聚(乙烯基丙烯酸酯)、聚(甲基丙烯酸甲酯)、聚(乙基丙烯酸甲酯)、聚(丙基丙烯酸甲酯)、聚(乙烯基丙烯酸甲酯)或其混合物。於另一實施例中，該聚丙烯酸酯係可為一具有二個、三個或更多的丙烯酸前驅物之共聚物。該等丙烯酸前驅物可包含丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸乙烯酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸乙烯酯。例如一共聚合聚丙烯酸酯可包含聚(甲基丙烯酸甲酯-乙烯基丙烯酸甲酯)。於一特定實施例中，該透明聚合物係包括聚(甲基丙烯酸甲酯)。於一其他特定實施例中，該透明聚合物主要係由聚(甲基丙烯酸甲酯)組成。於一進一步的實施例中，該透明聚合物係包括聚(乙烯基丙烯酸甲酯)。於一其他特定實施例中，該透明聚合物主要係由聚(乙烯基丙烯酸甲酯)組成。
於一實施例中，該透明聚合物包含聚酯。該聚酯可包含聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯、聚丁烯對苯二甲酸酯、聚異萘二甲酸乙二酯或其任意組合。在一特定實施例中，該透明聚合物係包括PET。在另一特定實施例中，該透明聚合物主要係由PET組成。
於一實施例中，該透明聚合物係包含聚醚。該聚醚係可為聚乙烯醚、聚丙烯基醚、聚丁烯醚或其任意組合。於另一實施例中，該聚醚係可為一具有二個、三個或更多的聚醇之共聚物。例如，該聚醚係可為1,2-乙二醇、1,2-丙二醇、
1,3-丙二醇、1,2-丁二醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇的共聚物。
於一實施例中，該透明聚合物係可為聚乙烯化合物。該聚乙烯化合物係可為聚乙烯醇、聚乙烯酯、聚乙烯縮醛或其任意組合。於一實施例中，該聚乙烯縮醛可包含聚乙烯丁醛。於一特定實施例中，該透明聚合物主要係由聚乙烯丁醛組成。於另一實施例中，該聚乙烯化合物係可為乙烯醇衍生物及烯烴的共聚物。該乙烯醇衍生物係可為乙酸乙烯酯。於一實施例中，該聚乙烯化合物係可為聚(乙烯-乙酸乙烯酯)。
又於一進一步的實施例中，該透明聚合物可具有一離一相鄰層等於0.03單位或於0.03單位內的折射率。例如，若相鄰層為具有折射率介於1.47及1.55之間的玻璃，該透明聚合物係可由一折射率在玻璃折射率的0.03單位之內的材料所製成。於一實施例中，一相鄰層可具有1.49的折射率，且該透明聚合物係為一具有約1.49的折射率之材料。例如，該透明聚合物係為具有1.49的折射率之聚(甲基丙烯酸甲酯)。於另一實施例中，一相鄰層可具有1.55的折射率，且該透明聚合物係為一具有約1.57的折射率之材料。例如，該透明聚合物係為具有1.57的折射率之聚(對苯二甲酸乙二酯)。於一特定實施例中，該紋理化基板600係包含聚甲基丙烯酸烷基酯，其中該烷基具有1至3個碳原子。
於一有關於霧度之特定實施例中，該紋理化基板600係不包含聚烯烴，諸如聚乙烯，至少部分是因為其晶相及非晶相有顯著不同的折射率而造成高度的霧度。於一實施例中，該紋理化基板600可包含奈米粒子，諸如二氧化矽、二
氧化鈦、氧化銦錫(ITO)、摻雜有銻的二氧化錫。該等奈米粒子旨在增加(就ITO、摻雜有銻的二氧化錫、二氧化鈦而言)或減少(就二氧化矽而言)該紋理化基板600的折射率。於另一實施例中，該紋理化基板600可包含玻璃、藍寶石、尖晶石或氮氧化鋁(“AlON”)。
於另一實施例中，該紋理化基板600可具有大於1mm的厚度且可自我支撐，而不需要支撐基板(諸如支撐基板610)。於多個實施例中，該紋理化基板600將顯著地比1mm薄，且可使用一支撐基板610。該支撐基板610的厚度及組成係可基於其應用而決定。當所產生的透明複合物為一應用在窗戶上的薄膜時，該支撐基板610為可彎曲的。於一實施例中，該支撐基板610可具有至少11 microns、至少17 microns或至少25 microns的厚度，且在另一實施例中，該支撐基板610的厚度係不大於900 microns、不大於600 microns或不大於300 microns。該支撐基板610可具有在前述任一最大值與任一最小值之間的範圍內之厚度，諸如，自11 microns至900 microns、自17 microns至600 microns或自25 microns至300 microns。該支撐基板610可包含前述與該紋理化基板600有關之任意材料。於一實施例中，該支撐基板610係與該紋理化基板600有不同的組成。例如，該支撐基板610包含PET。
該紋理化基板600係界定多個具有底部表面的溝槽620以及多個位於該主要表面602及該等底部表面624之間的側壁。於圖6所示之實施例中，該等底部表面624大致上係與該主要表面602平行，且該等側壁622具有一在圖6
中由符號阿爾法(α)註記之側壁角度。該側壁角度理想為90°；然而，該側壁角度不必為90°。該側壁角度係可為至少50°、至少80°、至少85°、至少88°或至少89°。該側壁角度係可在前述任一最大值與任一最小值之間的範圍內，諸如，自50°至90°、自80°至90°、自85°至90°、自88°至90°或自89°至90°。於該太陽能控制層未形成在該側壁上或如果沉積較薄的應用之中，該側壁角度係可為至少85°，且該側壁角度係於85°至90°的範圍內。於一待降低霧度的特定實施例中，該側壁角度係可接近90°，諸如於自88°至90°的範圍內。儘管圖中未示，該等溝槽620靠近該主要表面602或該等底部表面624的轉角係經磨圓。
該等溝槽620具有自一對應該主要表面602的高度至該等底部表面620的高度所量測之深度。該等溝槽620的深度係可顯著大於一隨後形成的太陽能控制層之深度，讓該太陽能控制層之該等分離且間隔開的部分覆蓋在該主要表面602及該等底部表面624上，或該太陽能控制層沿著該等側壁622的厚度大致上係比該太陽能控制層覆蓋在該主要表面602或該等底部表面624上的部分較薄。該等溝槽620係可完全延伸穿過或僅穿過該紋理化基板600厚度的一部分。於另一實施例中，該等溝槽620大致上可延伸穿過全部的紋理化基板620。於一實施例中，該等溝槽620係具有至少50nm、至少300nm或至少1000nm之深度，且另一實施例中，該深度係不大於10 microns、不大於4 microns或不大於1 micron。該等溝槽的深度係可在前述任一最大值與任一最小值
之間的範圍內，諸如，自50nm至10 microns、自300nm至4 microns。
該等溝槽620之寬度係可使用於控制一隨後形成的太陽能控制層的有效薄片電阻。該太陽能控制層沿著沿著一平坦表面且具有大面積的薄片電阻係可為20歐姆/平方。若該太陽能控制層的寬度降低90%，其有效薄片電阻係變為620歐姆/平方。因此，由一俯視圖可顯示，該溝槽620內的區域對於該太陽能控制層形成於上的總表面面積之比率係可用以調整該有效薄片電阻至一所需或預期數值，以用於該太陽能控制層的特定組成物。於一實施例中，由一俯視圖可顯示，沿著該等溝槽620底部表面624的區域對於該紋理化基板的表面區域之比率係不大於50%、不大於1%或不大於0.01%，且於另一實施例中，該比率係至少為1x10-5%、至少為1x10-4%或至少為1x10-3%。該沿著該等溝槽620底部表面624的區域對於該紋理化基板的表面區域之比率係可在前述任一最大值與任一最小值之間的範圍內，諸如，自1x10-5%至50%、自1x10-4%至1%、自1x10-3%至0.01%。
於另一實施例中，該太陽能控制層的不同部分並未接觸一框架的導電部分或另一支撐窗戶的結構構件。於此實施例中，該太陽能控制層之薄片電阻可能不是一個顯著的問題。
於一實施例中，該等溝槽的寬度係在一沿著該等溝槽之中間點量測，且不大於90 microns、不大於70 microns、不大於50 microns或不大於30 microns、不大於9 microns及
不大於5 microns，且於另一實施例中，該等寬度係至少0.11 micron、至少1.1 microns、至少2 microns、至少3 microns、至少4 microns、至少5 microns或至少11 microns。該等寬度係可在前述任一最大值與任一最小值之間的範圍內，諸如，自0.11 micron至90 microns、自1.1 microns至70 microns、自5 microns至50 microns或自2 microns至30 microns或自3 microns至9 microns。
圖7係包含此點在處理中之外觀示意圖。應注意圖6及圖7中的繪圖僅用於說明示例性實施例且並未按比例繪製。參閱圖7，該等溝槽620的底部表面624係對應該紋理化基板600的下方曝露表面。因此，於一特定實施例中，僅界定單一個溝槽，且在該紋理化基板600的下方曝露表面上之紋理化基板部分係為具有在圖6中對應該主要表面602的上部表面之臺面結構。圖7中所說明例示之實施例係具有一間距700，該間距係為一構造特徵(臺面結構的寬度)及一空間的總和(溝槽的寬度)。於一實施例中，該間距700係至少0.11 micron、至少0.5 micron、或至少1.1 microns、或至少5 microns、至少1.1mm、至少2mm，且於另一實施例中，該間距700係不大於9cm、不大於9mm、不大於5mm、不大於4mm或不大於900 microns。該間距700係可在前述任一最大值與任一最小值之間的範圍內，諸如，自0.11 micron至9cm、自0.5 microns至9mm、自1.1 microns至5mm或自2mm至4mm。
該紋理化基板係可以多種不同方法形成，其可部
分地取決於該紋理化基板的材料及該紋理化基板的圖案。於一實施例中，該紋理化基板可包含一聚合物，並使用一模子或模具而形成。於一特定實施例中，該紋理化基板600係可藉塗覆一聚合物層於該支撐基板610上並於固化該聚合物層時以一模具壓印其表面而形成。其固化係可以輻射來進行，諸如紫外線輻射，或以加熱進行(即，熱固化)。於另一實施例中，該模具係可置於該支撐基板610上，且該紋理化基板可射出成型於該支撐基板610上。於一進一步的實施例中，該聚合物的其中一層係經形成並於覆蓋在該支撐基板610上或與該支撐基板610隔開時轉移模製至該紋理化基板600內。該紋理化基板600係具有多個臺面結構及一設於該等臺面結構之間的互連溝槽。
於另一如圖8所示之實施例中，該紋理化基板720係受其本身擠壓或與該支撐基板610共擠壓以形成該部分完成的工件。於此實施例中，模具可具有與該紋理化基板720對應之形狀，且該等間隔開(未相互連接)的溝槽722及724係可在該紋理化基板720被擠壓的一方向上延伸。於一進一步的實施例中，係形成一如圖9中所示之棋盤圖案，其包含一部分完成的工件的部分俯視圖，其中係包含具有一含臺面結構812及凹陷822的棋盤圖案之紋理化基板800。該紋理化基板800的圖案係可使用任何用以形成該紋理化基板600之技術而形成。
其他的技術係可用以形成含有一聚合物或另一種材料(諸如無機材料)之紋理化基板。於一實施例中，一
原始基板係具有一大致上平坦之表面，且該原始基板的一部分係經去除以形成該紋理化基板。其去除係可使用雷射或離子束而進行，或使用一遮罩及蝕刻技術而進行。於另一實施例中，該紋理化基板係可使用添加處理(亦即，添加材料)而不用消去處理(亦即，將材料移除)來形成。於一實施例中，該原始基板可具有一選擇性地形成在該原始基板上的透明材料，以形成該紋理化基板。參閱圖7，這樣的處理會在該原始基板上形成臺面結構，以形成該紋理化基板610。於一特定實施例中，可放置一模板遮罩於該原始基板的表面上，且該透明材料可沉積穿過該模板遮罩中的開口，使該透明材料的形狀於形成該臺面結構時對應該等開口的形狀。其他形成技術係可在不偏離所附申請專利範圍之範疇下來使用。
隨後的處理順序係基於圖6及圖7中所示之該紋理化基板600及支撐基板610。對於其他紋理化基板的處理，諸如圖8及圖9中之紋理化基板，大致上可與圖6及圖7所述的相同來進行。
一太陽能控制層係可形成在如圖10中所示的紋理化基板600上。該太陽能控制層係包含位在沿著該主要表面602位置處之多個部分802，以及位在沿著該等溝槽620底部表面624之多個部分824。如圖10及圖11中所示，該太陽能控制層大致上並不位於沿著全部側壁622的位置處，且因此，於圖11所示之實施例中，該等側壁622的部分係曝露於該太陽能控制層之該等部分802及824之間。儘管該太陽能控制層可包含一或更多層的導電材料，該等部分802係與彼
此及該部分824間隔開。因此，該等部分802及824並不彼此電性相連接。由一在垂直於該主要表面602的方向上之俯視圖，該等部分802並未覆蓋該部分824。於另一實施例中，僅一小部分(諸如小於5%)的該等部分802係覆蓋該部分824。
該太陽能控制層可使用一與垂直表面(諸如該等溝槽620之側壁622)相比係更容易沿著該等水平表面(諸如該等溝槽620的主要表面602及底部表面624)形成該太陽能控制層之技術而形成。該太陽能控制層可非共形地沉積於該紋理化基板620上。於一實施例中，該非共形的沉積係使用物理氣相沉積或化學氣相沉積技術而在真空下進行。於一特定實施例中，該非共形沉積係使用濺鍍、離子束沉積、電鍍或電漿增強型化學氣相沉積而進行。於一特定實施例中，該太陽能控制層係可通過使用由金屬或陶瓷金屬氧化物製成的轉動式或平面式靶材之直流磁控、脈衝直流、雙脈衝直流或雙脈衝交流濺鍍而形成。若有需要或期望，於濺鍍時係可使用一準直器或其他類似裝置以幫助防止或降低太陽能控制層沿著該等側壁622的沉積。
該太陽能控制層可沉積至一讓該等部分802不接觸該部分824之厚度。該厚度係可用術語「溝槽深度」來表示，其中該厚度係在該與該等側壁622間隔開的主要表面602上所量測(以降低近鄰效應)。於一實施例中，該太陽能控制層係具有該主要表面602與底部表面624間的高度差的不大於80%、不大於50%、不大於40%、不大於30%或不大於9%之厚度。於另一實施例中，該太陽能控制層係具有該主
要表面602與底部表面624間的高度差的至少0.02%、至少0.05%、至少0.2%、至少0.5%、至少2%、至少11%或至少20%之厚度。該主要表面602與該底部表面624間的高度差比例係可在前述任一最大值與任一最小值之間的範圍內，諸如有該主要表面602與底部表面624間的高度差的自0.02%至80%、自0.05%至30%、自0.2%至9%。或者，該太陽能控制層之厚度係可用一量度單位而非以一相對基準來表示。於一實施例中，該太陽能控制層係具有一不大於1500nm、不大於400nm、不大於160nm或不大於100nm之厚度，且於另一實施例中，該太陽能控制層係具有至少10nm、至少20nm、至少40nm或至少200nm之厚度。其厚度係可在前述任一最大值與任一最小值之間的範圍內，諸如，自10nm至1500nm、自20nm至400nm、自40nm至160nm或自50nm至100nm。
於該太陽能控制層內之結構層的數量、組成物及該等結構層之厚度係經選定，以於減弱顯著量的近紅外線輻射的同時讓可見光實質透射。該太陽能控制層內之該等結構層可包含多個銀基結構層、金屬基結構層(除銀基結構層之外)、金屬氧化物結構層、金屬氮化物結構層，且可更包含有多個阻隔層。前述該一或多個銀基結構層中之任一者可含有銀，且於一特定實施例中可主要由銀組成。如本文中所用，「主要由銀組成」之用語係指一含有95原子百分比的銀之銀基結構層。於其他實施例中，該一或多個銀基結構層中之任一者係可含有不大於30原子百分比、不大於20原子百分比或甚至不大於10原子百分比的其他金屬，諸如，金、鉑、鈀、銅、
鋁、銦、鋅或其任意組合。本文所述之一或多個金屬基結構層中之任一者係可主要由一金屬組成。如本文中所用，「主要由一金屬組成」之用語係指該金屬的至少95原子百分比。
該一或多個銀基結構層中之任一者可具有至少0.1nm、至少0.5nm或甚至至少1nm。再者，該一或多個銀基結構層中之任一者可具有不大於約100nm、不大於50nm、不大於25nm或甚至不大於20nm之厚度。並且，該一或多個銀基結構層中之任一者可具有一在前述任一最大值與任一最小值之間的範圍內之厚度，諸如自0.5nm至25nm，或甚至自1nm至20nm。
於一實施例中，本文所述之一或多個金屬基結構層中之任一者可含有一本質上為純的金屬，或於其他實施例中其可含有金屬合金。於其他實施例中，該一或多個金屬基結構層中之任一者可含有金屬合金，諸如(例如)基於該金屬基結構層總重量而含有一濃度為至少70原子百分比之主要金屬，以及一濃度為小於30原子百分比的次要金屬。本文所述之一或多個金屬基結構層中之任一者可含有一含有金、鈦、鋁、鉑、鈀、銅、銦、鋅或其任意組合之金屬。於一特定實施例中，本文所述之一或多個金屬基結構層可含有金。於其他特定實施例中，該(等)金屬基結構層可基本上不含有金。如本文中所用，「基本上不含有金」之用語係指一含有小於5原子百分比的金之金屬基結構層。
前述一或多個金屬基結構層中之任一者可具有一讓該金屬基結構層大致上透明且對該銀基結構層提供足夠
保護之厚度。於一特定實施例中，前述一或多個金屬基結構層中之任一者可具有至少0.1nm、至少0.5nm或甚至至少1nm之厚度。再者，前述一或多個金屬基結構層中之任一者可具有不大於100nm、不大於55nm、不大於5nm或甚至不大於約2nm之厚度。
前述一或多個金屬基結構層中之任一者可具有相同的厚度或可具有不同的厚度。於一特定實施例中，前述一或多個金屬基結構層中之每一者具有大致相同的厚度。如本文中所用，「大致相同的厚度」係指彼此的厚度差別在10%以內。一金屬氧化物基結構層係可與一和該銀基結構層相對的金屬基結構層相鄰設置，或甚至直接接觸。
前述該(等)金屬氧化物基結構層中之任一者可含有一金屬氧化物，諸如鈦氧化物(例如，二氧化鈦)、氧化鋁，二氧化鉍、氧化鉛、氧化鈮、氧化錫鋅、二氧化錫、二氧化矽、氧化鋅或其任意組合。於一特定實施例中，金屬氧化物結構層可含有鈦氧化物或鋁氧化物，且甚至大致上由其所組成。該(等)金屬氧化物結構層可具有至少約0.5nm、至少1nm或至少2nm之厚度，且於另一實施例中，其可具有不大於100nm、不大於50nm、不大於20nm或甚至不大於10nm之厚度。再者，前述該(等)金屬氧化物基結構層中之任一者可具有一在前述任一最大值與任一最小值之間的範圍內之厚度，諸如，自0.5nm至100nm，或自2nm至50nm。
圖12係包含於一溝槽填料1002填充該等溝槽620的剩餘部分後之圖示。於如圖12中所述之實施例，該溝
槽填料1002亦覆蓋在該太陽能控制層的該等部分802上。覆蓋該等部分802之溝槽填料1002厚度係可為至少0.2 micron、至少0.5 micron、至少0.8 micron或至少1.1 microns，且於另一實施例中，其厚度係不大於7 microns、不大於5 microns、不大於4 microns或甚至不大於3 microns。該厚度係可在前述任一最大值與任一最小值之間的範圍內，諸如，自0.2 micron至7 microns、自0.5 micron至5 microns、自0.8 micron至4 microns或自1.1 microns至3 microns。於另一實施例中，大致上係未有溝槽填料1002覆蓋在該等部分802上。於這樣的實施例中，該溝槽填料1002的上表面係可位在該主要表面602與該等部分802接近溝槽620的上表面之間的一高度上。於一有關於霧度之實施例中，該溝槽填料1002可填充該等溝槽620並覆蓋該等部分802，以降低該等溝槽620內及緊接於該等溝槽620上之材料介面數量，諸如圖12中所示。
於一特定實施例中，係可於該紋理化基板600與該溝槽填料1002的折射率相同時進一步降低霧度。若該溝槽填料1002的厚度小於300nm，該紋理化基板600與隨後形成的清晰耐候層之折射率係可相同。若該溝槽624(圖6)底部與該支撐基板610之間的距離小於300nm，該紋理化基板600與該溝槽填料1002的折射率係可相同。
該溝槽填料1002可包含如前述與該紋理化基板600相關的材料中之任一者。於一實施例中，該溝槽填料1002包含一黏著劑，諸如層壓黏著劑或壓敏性黏著劑。於一實施例中，該溝槽填料1002可包含聚酯、丙烯酸酯、聚醋酸乙烯
酯(“PVAc”)、聚乙烯丁醛、聚乙烯醇(“PVA”)、矽橡膠、另一種合適的黏著劑或其任意混合物。於另一實施例中，該溝槽填料1002不具黏著性。於這樣的實施例中，該溝槽填料1002可包含奈米粒子，諸如二氧化矽、二氧化鈦、氧化銦錫、摻雜有銻的二氧化錫。該等奈米粒子旨在增加(就氧化銦錫、摻雜有銻的二氧化錫、二氧化鈦而言)或減少(就二氧化矽而言)該溝槽填料1002的折射率至該紋理化基板600材料的折射率，進而降低霧度。於這樣的實施例中，該溝槽填料1002係可經塗覆及固化。此特定實施例可能需要一單獨的黏著層，讓該溝槽填料1002黏附於隨後附著之結構層，諸如耐候層。
該紋理化基板600及溝槽填料1002材料的選擇係經執行以達到特定的性質。例如，於有關霧度的情況中，為降低霧度，用於該紋理化基板600及溝槽填料1002之材料折射率彼此的差別在0.03以內、彼此的差別在0.02以內或甚至彼此的差別在0.01以內。折射率是在20℃下以一發出589nm(黃光)的光線之輻射源而測定。於該等折射率不同時，該紋理化基板600的材料折射率係可高於該溝槽材料1002的折射率，反之亦然。於一特定實施例中，該紋理化基板600可包含折射率約1.49的丙烯酸酯，且該溝槽填料1002可包含折射率約1.47的PVAc。於另一特定實施例中，該紋理化基板600可包含折射率約1.54的玻璃(SiO2)，且該溝槽填料1002可包含折射率約1.53的PVA。因此，於閱讀本說明書後，本領域技術人員將能夠判定匹配成對的材料以用於該紋理化基板600及溝槽填料1002而達到相對低的霧度。
圖13係包含一已大致完成的透明複合物1100之圖示，該透明複合物1100係可為一經沉積以應用於窗戶上(圖中未示)之透明薄膜。一硬塗層1110係位於一與該紋理化基板600相對的表面上之沿著該支撐基板610處。該硬塗層1110可在耐磨性上提供改善，使得該支撐層610不易被刮傷。該硬塗層1110可包含交聯的丙烯酸酯、含有奈米粒子(諸如SiO2或Al2O3)的丙烯酸酯，或其任意組合。該硬塗層1110可具有範圍在1 micron至5 microns之間的厚度。
該透明複合物1100可更包含一覆蓋於該溝槽填料1002上的清晰耐候層1102。該清晰耐候層1102有助於保護該太陽能控制層。該清晰耐候層1102具有高透射可見層，且其於長期暴露在陽光下係相對地抗黃變或抗龜裂。該清晰耐候層1102可包含前述關於該支撐基板610的材料中之任一者。該清晰耐候層1102可具有10 microns至50 microns的範圍內之厚度。於該溝槽填料1002為層壓黏著劑或壓敏性黏著劑時，該清晰耐候層1102係可塗覆於該溝槽填料1002上。於該溝槽填料1002不具有黏著性時，可使用一黏著劑(諸如壓敏性黏著劑)以將該清晰耐候層1102黏附於該溝槽填料1002上。
一黏著層1104係設置於該清晰耐候層1102及一剝離層1106之間。該黏著層1104可包含如前述當溝槽填料1002為一黏著劑時關於該溝槽填料1002之黏著性材料及厚度中之任一者。於另一實施例中，該黏著層1104可包含任何呈透明且具有至少85%的可見光透光率之黏著劑，以用於特定
厚度的黏著層1104。於一實施例中，該黏著層1104係為該透明複合物內受陽光穿透的第一層。於這樣的情況下，可使用一抗UV層做為該黏著層1104，諸如丙烯酸酯。可加入一添加物(諸如UV吸收劑)以增加整體透明複合物1100的耐久性。該釋離襯墊1106係於運送及處理該透明複合物1100期間保護該黏著層1104。該釋離襯墊1106將於應用該透明複合物1100至窗戶上之前去除。因此，該釋離襯墊1106的透射性質並不重要；該釋離襯墊1106對於可見光係可為不透明或可為半透明。因此，該釋離襯墊1106的組成及厚度並不重要。於一透明複合物1100以捲狀物形式儲存之特定實施例中，該釋離襯墊1106的厚度係經選定以讓該透明複合物1100可彎曲。於另一實施例中，係不使用該釋離襯墊1106。例如，該透明複合物1100係可於該透明複合物1100製造後立即裝配至一窗戶上。於塗覆該黏著層1104後，該透明複合物1100係裝配至一窗戶上。
於一不同實施例中，透明複合物可製造在窗戶上或使用窗戶。於一特定實施例中，該支撐基板610及硬塗層610係可被該窗戶所取代。該窗戶可包含玻璃、藍寶石、尖晶石、氮氧化鋁或前述之任意組合，諸如透明鎧裝。該紋理化基板600係可形成在該窗戶的表面上或應用於其上。該太陽能控制層係可如前述方式形成。該溝槽填料1002及清晰耐候層1102係可如前述方式使用。於此實施例中，該清晰耐候層1102可具有高達1000 microns之厚度。一硬塗層將接著形成在該清晰耐候層1102上，其中該硬塗層具有如前述關於該硬
塗層1110之組成及厚度。
於另一不同實施例中，該窗戶亦可取代紋理化基板600。於此實施例中，該窗戶的一表面係可被一遮罩層覆蓋，且該窗戶的多個部分係可經蝕刻或以其他方式去除，以形成一具有多個前述關於紋理化基板600之臺面結構及溝槽之表面。於去除該遮罩後，該太陽能控制層、清晰耐候層及硬塗層之製造大致上係與先前的實施例中所述者相同。於一進一步的實施例中，該窗戶係可通過使用模板遮罩並選擇性沉積透明材料於該窗戶上而紋理化，以取得一紋理化基板。於一進一步的實施例中，該紋理化基板600可包含玻璃。於形成該太陽能控制層後，該等溝槽的其餘部分係可裝填一溝槽填料，該溝槽填料包含摻雜有奈米粒子的聚乙烯丁醛，以增加該溝槽填料的折射率而更接近玻璃或與其相同。
參閱圖4，當在特定實施例中形成該太陽能控制層時，可能會出現一些沿著側壁的沉積。這類側壁沉積在該太陽能控制層的該等側壁部分的電阻相當高的情況下是不成問題的。如本文中所用，階梯覆蓋率係為在垂直於一側壁進行量測時，結構層沿著其側壁的最小厚度除以該結構層沿著一與任何形態改變間隔開的水平表面的厚度之比率。於一實施例中，諸如圖4中所示之實施例，該階梯覆蓋率係不大於50%。於另一實施例中，該階梯覆蓋率係小於20%、小於9%、小於5或甚至小於0.9%。當階梯覆蓋率為0%時，該結構層係沿著著該側壁呈不連續狀。因此，圖2圖示說明一階梯覆蓋率為0%之實施例。
儘管一呈90°的側壁角度應不具有任何的側壁沉積，部分的太陽能控制層可能變成沉積在側壁上，即使當側壁角度為90°。若需要或期望有太陽能控制層的不連續性，該等溝槽的形狀可被改變而使得該等溝槽在頂部的溝槽寬度小於與該等溝槽頂部間隔開的位置處之溝槽寬度。參閱圖14，一紋理化基板1200具有多個主要表面1202、1204及多個具鳩尾狀的溝槽1220。該等溝槽1220具備多個具有阿爾法(α)鈍角側壁角度之側壁1222。該側壁角度係可在90°至120°的範圍內。該紋理化基板600係可通過具備一帶有與該等鳩尾狀溝槽1220對應的圖案的模具之擠壓成形法而形成。
於另一實施例中，係可形成一具有底切部分之溝槽。參閱圖15，一主體層1300及一覆蓋層1310係形成於該支撐基板610上。於一特定實施例中，該支撐基板610可為一窗戶，該主體層1300可包含經摻雜的玻璃，且該覆蓋層1310可包含一未經摻雜的玻璃層。一遮罩層1340可形成於該覆蓋層1310上並經圖案化以形成對應該等溝槽1320將形成位置處之開口。該覆蓋層1310及該主體層1300係可經非等向性散射蝕刻以形成大致上具垂直側壁的溝槽1320。該工件係可暴露於一等向性蝕刻劑之下，該等向性蝕刻劑蝕刻圖16中所示之主體層1400比蝕刻該覆蓋層1410更快。於一特定實施例中，該主體層1300可為一經摻雜磷的玻璃，且該蝕刻劑可為氫氟酸溶液，因為當暴露於氫氟酸溶液下時經摻雜磷的玻璃的蝕刻速度較快於未經摻雜的玻璃。因此，該等溝槽1420於該主體層1400內的寬度1440係比該等溝槽1420於該覆蓋
層1410內的寬度1410更寬。該遮罩層1340係可在暴露於該氫氟酸溶液之前或之後而去除。
圖17及圖18係包含一使用壓印技術形成之紋理化基板以及一非共形地沉積在該紋理化基板上的金屬層之掃描式電子顯微鏡影像。該等溝槽具有2.2 microns至2.4 microns的寬度以及小於5 microns的深度。該等溝槽的深度係可在3.5至4.5 microns的範圍內。於其他實施例中，該等寬度及深度之值可以不同。
對於圖14及圖16至圖18中所描述說明的實施例中之每一者，該太陽能控制層及該溝槽填料1002係如前述方式形成。該太陽能控制層將因為該等溝槽的形狀而具有不連續的部分。特別是該溝槽在一與上表面間隔開的目標點之寬度與其在該紋理化基板上表面上之寬度相比係為較寬。於圖14中，該溝槽在底部的寬度係與在該溝槽頂部及底部間的高度中間處的寬度相同。於圖16中，該溝槽在溝槽底部的寬度係比該溝槽頂部及底部間的高度中間處的寬度更寬。於圖18中，該等溝槽係由該溝槽內垂直延伸的中心線(與該紋理化基板的上表面垂直)向外彎曲，讓該等寬度在該溝槽頂部及底部之間的高度處為最寬。圖14、圖16及圖18中該等溝槽輪廓中之任一者係有用於形成該太陽能控制層，讓該太陽能控制層將沿著該等溝槽的側壁呈不連續狀。
於圖14至圖18中所描述說明的實施例中係可附接另一片玻璃。可應用一PVB層至該玻璃層上，且該玻璃層及紋理化基與該太陽能控制層係壓接一起。該PVB層可包含
奈米粒子，讓該PVB的折射率更符合玻璃層。
本文所述該等實施例具有超越其他結構及製程之優點。當由一與該表面正交的方向查看時，該太陽能控制層的覆蓋範圍內沒有側向間隙。一習用窗戶薄膜(諸如JP 2005-104793中所討論)可沉積一太陽能控制層，隨後壓碎或以其他方式切斷或斷裂該結構層，以將該太陽能結構層斷成分開的部件，使太陽能控制層的該等部分彼此電性斷開。其他習用窗戶薄膜可包含帶有奈米粒子的薄膜。更有其他習用窗戶薄膜可通過雷射切除或其他去除技術而去除其太陽能控制層的多個部分。該太陽能控制層的多個部分之間的側向間隙(分開的部件、奈米粒子或經雷射切除的太陽能控制層)可讓近紅外線輻射顯著穿過習用的窗戶薄膜。
於另一實施例中，該等溝槽於該紋理化基板內的寬度及深寬比(深度對寬度的比例)係使得沒有任何的太陽能控制層或更小厚度的太陽能控制層沿著該等溝槽的底部表面形成。於一特定實施例中，該紋理化基板係可以一速度相對該目標移動，讓少量或沒有太陽能控制層沿著該等溝槽的底部表面形成。於一進一步的實施例中，該工件係可相對該目標傾斜，讓濺鍍材料以一未與該紋理化基板的主要表面正交之角度進行沉積。於另一特定實施例中，該溝槽的寬度係可小於5 microns、小於4 microns、小於3 microns、小於1.5 microns、小於1 micron或小於0.5 micron，且於一進一步的特定實施例中，該深寬比係至少1：1、至少1.5：1、至少2：1、至少4：1或至少8：1。於該溝槽的中心內量測時，沿著該溝槽
底部至一相鄰臺面結構的厚度係不大於該太陽能控制層厚度的70%、50%、30%或9%。
如上所述，該新穎的透明複合物包含一有太陽能控制層形成於上之紋理化基板。於形成時，該太陽能控制層包含多個間隔開且彼此電性斷開的部分，或該等部分具有相當高的有效薄片電阻讓高頻訊號的衰減係可接受地較低。因此，根據本文所述之實施例之透明複合物於該太陽能控制層的多個部分之間將不會有側向間隙，且因此，其很適合於降低近紅外線輻射的透射。因此，本文所述之該等實施例係能夠達到至少1.05、至少1.3、至少1.4、至少1.5或至少1.6的LTSHGC，且對於在1.8GHz、4GHz、6GHz或其之間的任一頻率(諸如4.5GHz)下的電磁輻射能達到不大於10dB、不大於8dB、或不大於7dB、不大於5dB、不大於3dB或不大於1dB的衰減。因此，可達到良好的可見光及高頻率的透射，同時維持近紅外線輻射的低度透射。於一實施例中，VLT係高於70%，SHGC係低於47%，且在1.8GHz頻率下的電磁輻射衰減係不大於10dB、不大於7dB、不大於5dB、不大於3dB或不大於1dB。於一實施例中，VLT係高於73%，SHGC係低於69%，且在1.8GHz頻率下的電磁輻射衰減係不大於10dB、不大於7dB、不大於5dB、不大於3dB或不大於1dB。如本文所述之形成該透明複合物的製程並不涉及形成多層的圖案化太陽能控制層，且因此需要較少的處理操作。再者，由一俯視圖可顯示，該臺面結構的尺寸以及該等溝槽的寬度係可經選定讓該透明複合物以人眼看時(未放大情況下)具
有一致的外觀。因此，該透明複合物未形成成列、成行或稍亮或更暗的部分。
該透明複合物可藉由使所有的水平介面彼此平行、使垂直介面接近90°(於相對該等水平界面量測時)且在這樣的垂直介面下匹配該等垂直介面相對側上的材料折射率而保持低度的霧度。因此，圖12中所述實施例係很適合達到低度的霧度。若可接受稍高的霧度，該等介面不需要是垂直的(諸如圖14中所示之實施例)，該等材料沿著垂直介面的折射率不需要如此接近相配合(對於沿著垂直介面的材料的折射率之間的差異大於0.03)，或其任意組合。因此，該等介面的定向以及材料的選擇係可受到該透明複合物所將使用的特定應用方式的影響。
許多不同方面及實施例都是可能的。那些方面及實施例中的一些將在下文進行描述。在閱讀了本說明書之後，本領域技術人員應當領會到，那些方面及實施例只是說明性的，而並不限定本發明的範圍。實施例可以是依據下面所列出的任意一個或多個項目。
項目1. 一種透明複合物，包括：一紋理化基板，其具有一第一表面及一第二表面，並界定一具有一位於該第一表面與第二表面之間的側壁之溝槽；一太陽能控制層，其具有一第一部分及一第二部分，該第一部分係覆蓋該第一表面，且該第二部分係覆蓋該溝槽之第二表面，其中該第二部分係藉該溝槽之側壁而與該第一部分分開；以及
一溝槽填料，其係覆蓋及延伸至該溝槽內，並覆蓋該太陽能控制層之第二部分，其中該透明複合物具有一不大於5%之霧度。
項目2. 一種透明複合物，包括：一紋理化基板，其具有一第一表面及一第二表面，並界定一具有一位於該第一表面與第二表面之間的側壁之溝槽，其中該紋理化基板具有一第一折射率；一太陽能控制層，其具有一第一部分及一第二部分，其中該第一部分係覆蓋該第一表面，且該第二部分係覆蓋該第二表面；以及一溝槽填料，其係於該溝槽內並覆蓋該太陽能控制層之第二部分，其中該溝槽填料具有一第二折射率。
項目3. 一種透明複合物，包括：一紋理化基板，其具有一第一表面、一第二表面及一側壁，其中：該側壁係自該第一表面朝向該第二表面延伸，且該溝槽在一與該第一表面間隔開的目標點之寬度與其在該第一表面上之寬度相比係為較寬；且該第一表面係位於一與該第二表面相比不同之高度，且至少藉由該紋理化基板的側壁而與該第二表面間隔開；以及一太陽能控制層，其具有一第一部分及一藉由該紋理化基板的側壁而與該第一部分間隔開之第二部分。
項目4. 一種透明複合物，包括：一紋理化基板，其具有一第一表面、一第二表面及一側
壁，其中：該側壁係自該第一表面朝向該第二表面延伸，且具有一至少為50°之對應側壁角；且該第一表面係位於一與該第二表面相比不同之高度，且至少藉由該紋理化基板的側壁而與該第二表面間隔開；以及一太陽能控制層，其具有一第一部分及一藉由該紋理化基板的側壁而與該第一部分間隔開之第二部分。
項目5. 一種透明複合物，包括：一紋理化基板，其具有一第一表面及一第二表面，並界定一具有一位於該第一表面與第二表面之間的側壁之溝槽；以及一太陽能控制層，其具有一在該第一表面上具一第一厚度之第一部分以及一在該第二表面上具一第二厚度之第二部分，其中當在該溝槽的一中心測量時，該第二厚度係不大於該第一厚度的70%。
項目6. 一種透明複合物，包括：一紋理化基板，其具有一第一表面及一第二表面，並界定一具有一位於該第一表面與第二表面之間的側壁之溝槽，其中該溝槽具有一不大於4微米之寬度及一深度：寬度大於1：1之深寬比；以及一太陽能控制層，其具有一在該第一表面上具一第一厚度之第一部分，且該太陽能控制層於該溝槽內大致上係不在沿該第二表面之位置處；其中該第一折射率係在該第二折射率的0.03範圍內。
項目7. 一種透明複合物，包括：一紋理化基板，其具有一第一表面及複數第二表面，其中該等第二表面係彼此間隔開並位於一與該第一表面相比不同之高度；以及一太陽能控制層，其包含一覆蓋該第一表面之連續層，其中該太陽能控制層的多個部分係覆蓋該等第二表面，其中該連續層係具有一至少100歐姆/平方之有效薄片電阻。
項目8. 一種透明複合物，包括：一紋理化基板，其具有一第一表面並界定一自該第一表面朝向該紋理化基板的一第二表面延伸之溝槽，該第二表面係位在沿該溝槽底部之位置處，其中該溝槽具有一在一高度上較接近該第一表面之第一寬度以及一在一高度上較遠離該第一表面之第二寬度，且該第二寬度係大於該第一寬度；以及一太陽能控制層，其具有一第一部分及一第二部分，其中由一俯視圖可顯示該第一部分係覆蓋該第一表面，且該第二部分係覆蓋該第二表面。
項目9. 一種透明複合物，包括：一紋理化基板，其具有一第一表面、一側壁及一位於與該第一表面相比不同之高度之第二表面，其中該側壁係自該第一表面朝向該第二表面延伸；以及一太陽能控制層，其具有一第一部分及一第二部分，其中該第一部分係覆蓋該第一表面，該第二部分係覆蓋該第二表面，
其中該透明複合物：具有一大於1.05之光線對太陽能熱獲得係數(LTSHGC)；且使在1.8GHz頻率下的電磁輻射衰減不大於7dB，或使在4.5GHz頻率下的電磁輻射衰減不大於15dB。
項目10. 一種透明複合物，包括：一紋理化基板，其具有一第一表面、一側壁及一位於與該第一表面相比不同之高度之第二表面，其中該側壁係自該第一表面朝向該第二表面延伸；以及一太陽能控制層，其具有一第一部分及一第二部分，其中該第一部分係覆蓋該第一表面，該第二部分係覆蓋該第二表面，其中該透明複合物：具有一包括一金屬薄膜之太陽能控制層；且使在1.8GHz頻率下的電磁輻射衰減不大於7dB，或使在4.5GHz頻率下的電磁輻射衰減不大於15dB。
項目11. 一種形成透明複合物之方法，包括：提供一紋理化基板，該紋理化基板具有一第一表面、一側壁及一位於與該第一表面相比不同之高度之第二表面，其中該側壁係自該第一表面朝向該第二表面延伸；以及非共形地沉積一太陽能控制層於該紋理化基板上，其中於沿該側壁上的一目標點之階梯覆蓋率係不大於50%。
項目12. 如項目11所述之方法，其中該太陽能控制層具有一覆蓋於該第一表面之第一部分，以及一覆蓋於
該第二表面之第二部分。
項目13. 如項目11或12所述之方法，其中該非共形沉積係使用物理氣相沉積或化學氣相沉積技術而在真空下進行。
項目14. 如項目11至13中任一項目所述之方法，其中該非共形沉積係使用濺鍍、離子束沉積、電鍍或電漿增強型化學氣相沉積而進行。
項目15. 如項目11至14中任一項目所述之方法，其更包括去除該太陽能控制層位在沿著該側壁處之部分，其中於去除該太陽能控制層之該部分後，該太陽能控制層的第一及第二部分係彼此不連接。
項目16. 如項目11至15中任一項目所述之方法，其中該紋理化基板的提供係包括使用一對應該紋理化基板的模子或模具。
項目17. 如項目16所述之方法，其中該紋理化基板的提供係包括使用該模具而擠壓一聚合物。
項目18. 如項目16所述之方法，其中該紋理化基板的提供係包括使用該模子進行一聚合物的射出成型。
項目19. 如項目16所述之方法，其中該紋理化基板的提供係包括使用該模子轉移模製一聚合物。
項目20. 如項目16所述之方法，其中該紋理化基板的提供係包括：塗覆一底層基板；以一模具壓印該太陽能控制層；以及
於壓印期間固化該太陽能控制層。
項目21. 如項目11至15中之任一項目所述之方法，其中該紋理化基板的提供係包括：提供一具有一大致上平坦的第一表面之原始基板；以及去除該原始基板的一部分以形成該紋理化基板。
項目22. 如項目11至15中之任一項目所述之方法，其中該紋理化基板的提供係包括：提供一具有一大致上平坦的第一表面之原始基板；以及在該原始基板的第一表面上選擇性地形成一透明材料以形成該紋理化基板。
項目23. 如項目22所述之方法，其中該選擇性的沉積係包括：放置一模板遮罩於該原始基板的第一表面上；以及穿過該模板遮罩中的一開口而沉積該透明材料，使該原始基板的第一表面上之透明材料的形狀對應該開口的形狀。
項目24. 如項目11至15中之任一項目所述之方法，其中該紋理化基板的形成係包括：於一支撐基板上形成一第一結構層；於該第一結構層上形成一第二結構層；於該第二結構層上形成一圖案化遮罩層；以及使用一比蝕刻該第二結構層更快的蝕刻速度蝕刻該第一結構層之蝕刻劑來蝕刻該第一結構層。
項目25. 如項目11至24中之任一項目所述之方法，其更包括相對該目標物移動該紋理化基板，使得沒有
太陽能控制層沿著該第二表面形成，或該太陽能控制層沿著該第二表面之厚度係不大於該太陽能控制層沿該第一表面之厚度的70%。
項目26. 如項目11至25中之任一項目所述之方法，其更包括相對該目標物傾斜該紋理化基板，使得沒有太陽能控制層沿著該第二表面形成，或該太陽能控制層沿著該第二表面之厚度係不大於該太陽能控制層沿著該第一表面之厚度的70%。
項目27. 如前述該等項目中之任一項目所述之透明複合物或方法，其中該側壁具有一至少50°、至少80°、至少85°、至少88°或至少89°之對應側壁角度。
項目28. 如前述該等項目中之任一項目所述之透明複合物或方法，其中該側壁具有一在50°至90°的範圍內、80°至90°的範圍內、85°至90°的範圍內、88°至90°的範圍內或89°至90°的範圍內之對應側壁角度。
項目29. 如項目1至26中之任一項目所述之透明複合物或方法，其中該側壁具有一大於90°之對應側壁角度。
項目30. 如項目29所述之透明複合物或方法，其中該側壁具有一在90.5°至120°的範圍內之對應側壁角度。
項目31. 如項目11至15中之任一項目所述之透明複合物或方法，其中該溝槽於一與該第一表面間隔開之目標點的寬度係較該溝槽於該第一表面上之寬度為寬。
項目32. 如項目3或31所述之透明複合物或方法，其中由一剖視圖可顯示該溝槽係由該溝槽內的一中心線向外彎曲。
項目33. 如項目3或31所述之透明複合物或方法，其中由一剖視圖可顯示該溝槽在該溝槽底部之寬度與該溝槽頂部之寬度相比係為較寬。
項目34. 如前述該等項目中之任一項目所述之透明複合物或方法，其中：該紋理化基板係界定一自該第一表面延伸之溝槽；且該太陽能控制層具有一在該第一表面上具一第一厚度之第一部分以及一在該第二表面上具一第二厚度之第二部分，其中當在該溝槽的一中心測量時，該第二厚度係不大於該第一厚度的70%、不大於50%、不大於30%或不大於9%。
項目35. 如前述該等項目中之任一項目所述之透明複合物或方法，其中：該紋理化基板係界定一自該第一表面延伸之溝槽；且該太陽能控制層具有一在該第一表面上具一第一厚度之第一部分以及一在該第二表面上具一第二厚度之第二部分，其中當在該溝槽的一中心測量時，該第二厚度係為該第一厚度的至少1%。
項目36. 如前述該等項目中之任一項目所述之透明複合物或方法，其中一紋理化基板係具有一第一表面及一第二表面，並界定一具有一位於該第一表面與第二表面之間的側壁之溝槽，其中該溝槽具有一不大於5 microns、不大
於4 microns、不大於3 microns、不大於2.5 microns、不大於1.5 microns、不大於0.9 micron或不大於0.5 micron之寬度。
項目37. 如前述該等項目中之任一項目所述之透明複合物或方法，其中一紋理化基板係具有一第一表面及一第二表面，並界定一具有一位於該第一表面與第二表面之間的側壁之溝槽，其中該溝槽具有一至少0.3 micron或至少0.5 micron之寬度。
項目38. 如前述該等項目中之任一項目所述之透明複合物或方法，其中一紋理化基板係具有一第一表面及一第二表面，並界定一具有一位於該第一表面與第二表面之間的側壁之溝槽，其中該溝槽具有一深度：寬度大於1：1、至少1.5：1、至少2：1、至少4：1或至少8：1之深寬比。
項目39. 如前述該等項目中之任一項目所述之透明複合物或方法，其中一紋理化基板係具有一第一表面及一第二表面，並界定一具有一位於該第一表面與第二表面之間的側壁之溝槽，其中該溝槽具有一深度：寬度不大於1000：1之深寬比。
項目40. 如前述該等項目中之任一項目所述之透明複合物或方法，其中該透明複合物具有一不大於5%、不大於4%、不大於3%、不大於2%或不大於1%之霧度。
項目41. 如前述該等項目中之任一項目所述之透明複合物或方法，其中該透明複合物具有至少0.01%的霧度。
項目42. 如前述該等項目中之任一項目所述之
透明複合物或方法，其更包括一具有一第二折射率之溝槽填料，其中該紋理化基板界定一自該第一表面延伸之溝槽且具有一第一折射率，該溝槽填料係於該溝槽內；且：該第一折射率係在該第二折射率的0.03範圍內；該第一折射率係在該第二折射率的0.02範圍內；或該第一折射率係在該第二折射率的0.01範圍內。
項目43. 如前述該等項目中之任一項目所述之透明複合物或方法，其中該太陽能控制層包含一覆蓋該第一表面之連續層，該連續層係具有一至少100 ohms/square、至少200 ohms/square、至少400 ohms/square、至少700 ohms/square、至少1000 ohms/square或至少2000 ohms/square之有效薄片電阻。
項目44. 如前述該等項目中之任一項目所述之透明複合物或方法，其中該太陽能控制層包含一覆蓋該第一表面之連續層，該連續層係具有一不大於1 Mohms/square之有效薄片電阻。
項目45. 如前述該等項目中之任一項目所述之透明複合物或方法，其中該透明複合物具有一大於1.05、大於1.3、大於1.4、大於1.5或大於1.6之光線對太陽能熱獲得係數(LTSHGC)。
項目46. 如前述該等項目中之任一項目所述之透明複合物或方法，其中該透明複合物具有一不大於2.3之光線對太陽能熱獲得係數(LTSHGC)。
項目47. 如前述該等項目中之任一項目所述之
透明複合物或方法，其中該透明複合物係使在1.8GHz頻率下的電磁輻射衰減不大於7dB、不大於5dB、不大於3dB或不大於1dB，或使在4.5GHz頻率下的電磁輻射衰減不大於10dB、不大於9dB、不大於8dB或不大於7dB。
項目48. 如前述該等項目中之任一項目所述之透明複合物或方法，其中該透明複合物係使在1.8GHz頻率下的電磁輻射衰減至少0.01dB。
項目49. 如前述該等項目中之任一項目所述之透明複合物或方法，其中該紋理化基板的第一表面與該紋理化基板的第二表面之間的高度差係至少50nm、至少300nm或至少1000nm。
項目50. 如前述該等項目中之任一項目所述之透明複合物或方法，其中該紋理化基板的第一表面與該紋理化基板的第二表面之間的高度差係不大於10 microns、不大於4 microns或不大於1 micron。
項目51. 如前述該等項目中之任一項目所述之透明複合物或方法，其中該紋理化基板的第一表面與該紋理化基板的第二表面之間的高度差係在50nm至10 microns或300nm至4 micron之間的範圍內。
項目52. 如前述該等項目中之任一項目所述之透明複合物或方法，其中該紋理化基板具有一不大於9cm、不大於9mm、不大於5mm、不大於4mm或不大於900 microns之間距。
項目53. 如前述該等項目中之任一項目所述之
透明複合物或方法，其中該紋理化基板具有一至少0.11 micron、至少0.5 micron、至少1.1 microns或至少2 microns之間距。
項目54. 如前述該等項目中之任一項目所述之透明複合物或方法，其中該紋理化基板具有一在0.11 micron至9cm、0.5 micron至9mm、1.1 microns至5 microns或至少2 microns至4 microns的範圍內之間距。
項目55. 如前述該等項目中之任一項目所述之透明複合物或方法，其中該紋理化基板係界定一不大於10 microns、不大於6 microns或不大於5 microns之深度。
項目56. 如前述該等項目中之任一項目所述之透明複合物或方法，其中該紋理化基板係界定一至少0.05 micron、至少0.3 micron、至少1 micron、或至少2 microns之深度。
項目57. 如前述該等項目中之任一項目所述之透明複合物或方法，其中該紋理化基板係界定一在0.3 micron至10 microns、1 micron至6 microns或2 microns至5 microns的範圍內之深度。
項目58. 如前述該等項目中之任一項目所述之透明複合物或方法，其中該紋理化基板係界定一具有一寬度及一深度之溝槽，其中該寬度係在一沿著該深度之中間點量測，其中該寬度係不大於90 microns、不大於70 microns、不大於50 microns、不大於30 microns、不大於9 microns或不大於5 microns。
項目59. 如前述該等項目中之任一項目所述之透明複合物或方法，其中該紋理化基板係界定一具有一寬度及一深度之溝槽，其中該寬度係在一沿著該深度之中間點量測，其中該寬度係至少0.11 micron、至少1.1 microns、至少2 microns、至少3 microns、至少4 microns、至少5 microns或至少11 microns。
項目60. 如前述該等項目中之任一項目所述之透明複合物或方法，其中該紋理化基板係界定一具有一寬度及一深度之溝槽，其中該寬度係在一沿著該深度之中間點量測，其中該寬度在0.11 micron至90 microns、1.1 microns至70 microns、5 microns至50 microns、或2 microns至30 microns、或3 microns至9 microns之間的範圍內。
項目61. 如前述該等項目中之任一項目所述之透明複合物或方法，其中該紋理化基板係界定一具有一底部表面之溝槽，其中由一俯視圖可顯示一沿著該溝槽底部表面的區域除以該紋理化基板的表面區域之比率係不大於50%、不大於0.1%或不大於0.01%。
項目62. 如前述該等項目中之任一項目所述之透明複合物或方法，其中該紋理化基板係界定一溝槽，其中該第二表面係為該溝槽的底部表面，其中由一俯視圖可顯示一沿著該溝槽底部表面的區域除以該紋理化基板的表面區域之比率係至少1x10-5%、至少1x10-4%或至少1x10-3%。
項目63. 如前述該等項目中之任一項目所述之透明複合物或方法，其中該紋理化基板係界定一溝槽，其中
該第二表面係為該溝槽的底部表面，其中由一俯視圖可顯示一沿著該溝槽底部表面的區域除以該紋理化基板的表面區域之比率係至少在1x10-5%至50%、1x10-4%至1%或1x10-3%至0.01%之間的範圍內。
項目64. 如前述該等項目中之任一項目所述之透明複合物或方法，其中該太陽能控制層於該紋理化基板的第一表面與該紋理化基板的第二表面之間係具有一不大於80%、不大於50%、不大於40%、不大於30%、不大於90%或不大於9%的高度差之厚度。
項目65. 如前述該等項目中之任一項目所述之透明複合物或方法，其中該太陽能控制層於該紋理化基板的第一表面與該紋理化基板的第二表面之間係具有一至少0.02%、至少0.05%、至少0.2%、至少0.5%、至少2%、至少11%或至少20%的高度差之厚度。
項目66. 如前述該等項目中之任一項目所述之透明複合物或方法，其中該太陽能控制層於該紋理化基板的第一表面與該紋理化基板的第二表面之間係具有一至少0.02%、至少0.05%、至少0.2%、至少0.5%、至少2%、至少11%或至少20%的高度差之厚度。
項目67. 如前述該等項目中之任一項目所述之透明複合物或方法，其中該太陽能控制層在該第一表面上具有一不大於1500nm、不大於400nm、不大於160nm或不大於100nm的厚度。
項目68. 如前述該等項目中之任一項目所述之
透明複合物或方法，其中該太陽能控制層在該第一表面上具有一至少10nm、至少20nm、至少40nm或至少200nm的厚度。
項目69. 如前述該等項目中之任一項目所述之透明複合物或方法，其中該太陽能控制層在該第一表面上具有一在10nm至1500nm、20nm至400nm、40nm至160nm或50nm至200nm之間的範圍內之厚度。
項目70. 如前述該等項目中之任一項目所述之透明複合物或方法，其中：該第一表面係為該紋理化基板的一第一主要表面；該紋理化基板具有一與該第一主要表面相對之第二主要表面；且該紋理化基板的厚度係對應於該第一及第二主要表面之間的距離。
項目71. 如項目70所述之透明複合物或方法，其中該紋理化基板的厚度係至少110nm、至少200nm、至少500nm或至少1.1 microns。
項目72. 如項目70或71所述之透明複合物或方法，其中該紋理化基板的厚度係不大於20 microns、不大於9 microns或不大於7 microns。
項目73. 如前述項目69至72中之任一項目所述之透明複合物或方法，其中該紋理化基板的厚度係在110nm至20 microns、500nm至9 microns或1.1 microns至7 microns之間的範圍內。
項目74. 如前述該等項目中之任一項目所述之透明複合物或方法，其更包括一支撐基板，其中該紋理化基板係設置於該支撐基板與該太陽能控制層之間。
項目75. 如項目74所述之透明複合物或方法，其中該支撐基板的厚度係至少11 microns、至少17 microns或至少25 microns。
項目76. 如項目74或75所述之透明複合物或方法，其中該支撐基板的厚度係不大於900 microns、不大於600 microns或不大於300 microns。
項目77. 如項目74至76中之任一項目所述之透明複合物或方法，其中該紋理化基板的厚度係在11 microns至900 microns、17 microns至600 microns或25 microns至300 microns之間的範圍內。
項目78. 如前述該等項目中之任一項目所述之透明複合物或方法，其更包括一溝槽填料，其中：該紋理化基板界定一具有一位於該第一表面與第二表面之間的側壁之溝槽；且該溝槽填料係於該溝槽內並覆蓋該太陽能控制層的第二部分。
項目79. 如項目78所述之透明複合物或方法，其中該溝槽填料係覆蓋該第一表面，且該溝槽填料在該第一表面上的厚度係至少0.2 micron、至少0.5 micron、至少0.8 micron或至少1.1 microns。
項目80. 如項目78或79所述之透明複合物或
方法，其中該溝槽填料係覆蓋該第一表面，且該溝槽填料在該第一表面上的厚度係不大於7 microns、不大於5 microns、不大於4 microns或不大於3 microns。
項目81. 如項目78至80中之任一項目所述之透明複合物或方法，其中該溝槽填料係覆蓋該第一表面，且該溝槽填料在該第一表面上的厚度係在0.2 micron至7 microns、0.5 micron至5 microns、0.8 micron至4 microns或1.1 microns至3 microns之間的範圍內。
項目82. 如項目78至81中之任一項目所述之透明複合物或方法，其中該紋理化基板係包括一與該溝槽填料不同之第一材料。
項目83. 如項目82所述之透明複合物或方法，其中該紋理化基板係包括丙烯酸酯，且該溝槽填料係包括乙酸酯。
項目84. 如項目82所述之透明複合物或方法，其中該紋理化基板係包括玻璃，且該溝槽填料係包括聚乙烯醇。
項目85. 如項目82所述之透明複合物或方法，其中該紋理化基板係包括玻璃，且該溝槽填料係包括聚乙烯丁醛，該聚乙烯丁醛具有奈米粒子，與不具有奈米粒子的聚乙烯丁醛相比，該等奈米粒子係有助於更接近地匹配玻璃的折射率。
項目86. 如項目1至16、21至83、及85中之任一項目所述之透明複合物或方法，其中該紋理化基板係包
括無機材料
項目87. 如項目86所述之透明複合物或方法，其中該紋理化基板係包括玻璃、藍寶石、尖晶石或氮氧化鋁。
項目88. 如前述該等項目中之任一項目所述之透明複合物或方法，其中該溝槽填料係包括層壓黏著劑或壓敏性黏著劑。
項目89. 如前述該等項目中之任一項目所述之透明複合物或方法，其中該溝槽填料係包括聚酯、丙烯酸酯、聚醋酸乙烯酯、聚乙烯丁醛、聚乙烯醇、矽橡膠或其任意混合物。
項目90. 如前述該等項目中之任一項目所述之透明複合物或方法，其中該溝槽填料係包括奈米粒子。
項目91. 如前述該等項目中之任一項目所述之透明複合物或方法，其中該溝槽填料係包括二氧化矽、二氧化鈦、氧化銦錫或摻雜有銻的二氧化錫。
項目92. 如前述該等項目中之任一項目所述之透明複合物或方法，其中該紋理化基板係為一透明聚合物。
項目93. 如前述該等項目中之任一項目所述之透明複合物或方法，其中該紋理化基板係包括聚丙烯酸酯、聚酯、聚碳酸酯、聚矽氧烷、聚醚或聚乙烯化合物。
項目94. 如前述該等項目中之任一項目所述之透明複合物或方法，其中該太陽能控制層係包括金屬、金屬合金或金屬氧化物。
項目95. 如前述該等項目中之任一項目所述之透明複合物或方法，其中該太陽能控制層係包括一或複數個銀金屬層，以及：(1)一或複數個金、鉑、鈀、銅、鋁、銦、鋅或其任意組合之結構層；(2)一或複數個鈦氧化物(例如，二氧化鈦)、氧化鋁，二氧化鉍、氧化鉛、氧化鈮、氧化錫鋅、二氧化錫、二氧化矽、氧化鋅或其任意組合之結構層；或該第(1)及第(2)種結構層二者。
項目96. 如前述該等項目中之任一項目所述之透明複合物或方法，其更包括一位於該紋理化基板下之支撐基板。
項目97. 如前述該等項目中之任一項目所述之透明複合物或方法，其更包括一硬塗層，其中該紋理化基板係設置於該太陽能控制層與該硬塗層之間。
項目98. 如前述該等項目中之任一項目所述之透明複合物或方法，其更包括一剝離層，其中該太陽能控制層係設置於該紋理化基板與該剝離層之間。
項目99. 如前述該等項目中之任一項目所述之透明複合物或方法，其中該紋理化基板係包括多個臺面結構以及位於該等臺面結構之間的互連溝槽。
項目100. 如前述該等項目中之任一項目所述之透明複合物或方法，其中該紋理化基板係包括多個間隔開的溝槽。
項目101. 如前述該等項目中之任一項目所述之透明複合物或方法，其中該紋理化基板具有一含臺面結構及凹陷的棋盤圖案。
需注意，並非以上在一般性的描述或實例中所描述的全部活動都是必需的，一部分具體活動可以不是必需的，並且除了所描述的那些活動之外還可以執行一個或多個另外的活動。而且，活動被列示的順序並不一定是它們被執行的順序。
以下實例係僅藉由說明方式而提供，且其並不侷限本發明於所附申請專利範圍中所界定之範疇。該等實例係顯示一含有太陽能控制層之透明複合物，該透明複合物係可形成為具有良好太陽能性能且不會過度減弱高頻訊號的訊號傳輸。
實例1係使用50 microns(2 mils)的透明聚對苯二甲酸乙二酯(PET)基板之基板而執行。一可用紫外線輻射固化的丙烯酸酯樹脂(UV-acrylate resin)係塗覆在該PET基板的一側面，並於UV固化期間係通過一圖案化壓印器的使用而壓印該樹脂。該圖案化壓印器係包含一具有由一光抗蝕劑微影蝕刻法所製成的圖案之矽晶片。該經壓印在該PET基板上的圖案化UV-丙烯酸酯樹脂係具備一具有下列尺寸的格柵圖案：3mm的間距、2.2 microns的溝槽寬度以及4 microns的溝槽深度。
接著，使用一試驗批料濺鍍工具來濺鍍一太陽能控制層於該經壓印結構的頂部。該PET基板係於進入該真空沉積室之前黏貼至一片平坦的玻璃上。該太陽能控制層包含多個具有下列組成物且以下列順序而形成之薄膜：30nm的二氧化鈦/<1nm的金/10nm的銀/<1nm的金/<30nm的二氧化鈦。其厚度係以事先通過使用一機械式輪廓曲線儀量測沉積在玻璃上的單一結構層的厚度之沉積狀態校準為依據。
實例2僅在溝槽寬度上與實例1不同，其為4 microns而非2.2 microns。
實例3僅在UV-丙烯酸酯樹脂上與實例1不同，其UV-丙烯酸酯樹脂並未經壓印。因此，實例3不具有圖案。
實例4僅在該太陽能控制層的組成物順序上與實例2不同。於實例4中，該太陽能控制層係包含多個具有下列組成物且以下列順序而形成之薄膜：<1nm的金/10nm的銀/<1nm的金。
實例5僅在該太陽能控制層的組成物順序上與實例3不同。於實例5中，該太陽能控制層係包含多個具有下列組成物且以下列順序而形成之薄膜：<1nm的金/10nm的銀/<1nm的金。
該薄片電阻係使用一使用非接觸式薄片電阻的儀器(諸如Nagy系統)來量測。
射頻訊號傳輸的量測係在一特別設計的傳輸設定中進行，如圖19中所示。二個號角天線係在垂直極化配置
中彼此相對裝設。一網路分析儀係作為訊號源及接收器使用。該網路分析儀係連接一在4.5GHz頻率下運作的傳送及接收天線。一電磁場係藉由該傳送天線而產生，該電磁場係被假設為在被檢測裝置(DUT)位置上的一個平面波。這樣的量測設定係藉由一穿過沒有樣本於其內的開口(即穿過空氣傳輸)之訊號來進行校準。就一訊號穿過空氣傳送下，下列該等量測因此皆對應一訊號相對於透過空氣(於該量測設定的開口界限內)傳送之穿過該等樣本的傳輸數值。下面的表1係包含所收集到的數據。
實例1、2及4係根據本文所述該等概念而建構，而實例3及5係為對比實施例。圖20係包含一透射衰減隨著薄片電阻的變化而改變之曲線圖。可清楚觀察到，根據上述尺寸之圖案格柵係使射頻傳輸可以有顯著的改善(>-15dB的衰減)，且因此相對於一形成在未經圖案化的結構層上之太陽能控制層，在窗戶具有形成在圖案化結構層上之太陽能控制層時，高頻無線通訊用訊號的強度損耗係顯著降低。
以上已針對具體的實施例描述了益處、其他優點以及問題的解決方案。但是，益處、優點、問題的解決方案，以及可以致使任何益處、優點、解決方案出現或變得更加顯著的任何特徵都不應該被理解成任意或全部申請專利範圍的關鍵、必需的或本質的特徵。
本文描述的實施例的說明書及圖式旨在提供對各種實施例的結構的一般性理解。本說明書及圖式並非旨在用作對使用本文所描述的結構或方法的裝置及系統的所有元件及特徵的窮盡性及全面性描述。在本文中為了簡明在個別實施例的上下文中所描述的某些特徵也可以組合而在單個實施例中來提供。反之，為了簡明起見而在單個實施例的上下文中所描述的各種特徵同樣可以單獨地或者以任何子組合來提供。此外對在範圍中所規定的值的引用包括在該範圍中的每個值。許多其他實施例對於閱讀了本說明書之後的本領域技術人員應當是顯而易見的。其他實施例可以被使用並且從本公開內容中得出，使得可以在不脫離本公開內容的範圍的情況下進行結構替換、邏輯替換或另外的改變。因此，本公
開內容應當被視為是說明性的，而非限制性的。
200‧‧‧紋理化基板
220‧‧‧溝槽
222‧‧‧側壁
242、244、246、262、264‧‧‧太陽能控制層部分
Claims (15)
- 一種透明複合物，包括：紋理化基板，其具有第一表面及第二表面，並界定具有位於該第一表面與第二表面之間的側壁之溝槽；太陽能控制層，其具有第一部分及第二部分，該第一部分係覆蓋該第一表面，且該第二部分係覆蓋該溝槽之第二表面，其中該第二部分係藉該溝槽之側壁而與該第一部分分開；以及溝槽填料，其係覆蓋及延伸至該溝槽內，並覆蓋該太陽能控制層之第二部分，其中該透明複合物具有不大於5%之霧度。
- 如申請專利範圍第1項所述之透明複合物，其進一步包括具有第二折射率之溝槽填料，其中該紋理化基板界定自該第一表面延伸之溝槽且具有第一折射率，該溝槽填料係於該溝槽內；且：該第一折射率係在該第二折射率的0.03範圍內。
- 如申請專利範圍第1或2項所述之透明複合物，其中該溝槽於與該第一表面間隔開之目標點的寬度係較該溝槽於該第一表面之寬度為寬。
- 一種透明複合物，包括：紋理化基板，其具有第一表面及第二表面，並界定具有位於該第一表面與第二表面之間的側壁之溝槽，其中 該紋理化基板具有第一折射率；太陽能控制層，其具有第一部分及第二部分，其中該第一部分係覆蓋該第一表面，且該第二部分係覆蓋該第二表面；以及溝槽填料，其係於該溝槽內並覆蓋該太陽能控制層之第二部分，其中該溝槽填料具有第二折射率。
- 如申請專利範圍第4項所述之透明複合物，其中該透明複合物具有不大於5%之霧度。
- 一種透明複合物，包括：紋理化基板，其具有第一表面、第二表面及側壁，其中：該側壁自該第一表面朝向該第二表面延伸，且該溝槽在與該第一表面間隔開的目標點之寬度與該溝槽在該第一表面之寬度相比係為較寬；且該第一表面係位於與該第二表面相比不同之高度，且至少藉由該紋理化基板的側壁而與該第二表面間隔開；以及太陽能控制層，其具有第一部分及藉由該紋理化基板的側壁而與該第一部分間隔開之第二部分。
- 一種透明複合物，包括：紋理化基板，其具有第一表面、第二表面及側壁，其中：該側壁係自該第一表面朝向該第二表面延伸，且具有至少為50°之對應側壁角；且 該第一表面係位於與該第二表面相比不同之高度，且至少藉由該紋理化基板的側壁而與該第二表面間隔開；以及太陽能控制層，其具有第一部分及藉由該紋理化基板的側壁而與該第一部分間隔開之第二部分。
- 一種透明複合物，包括：紋理化基板，其具有第一表面及第二表面，並界定具有位於該第一表面與第二表面之間的側壁之溝槽；以及太陽能控制層，其具有在該第一表面上具第一厚度之第一部分以及在該第二表面上具第二厚度之第二部分，其中當在該溝槽的中心測量時，該第二厚度係不大於該第一厚度的70%。
- 一種透明複合物，包括：紋理化基板，其具有第一表面及第二表面，並界定具有位於該第一表面與第二表面之間的側壁之溝槽，其中該溝槽具有不大於4微米之寬度及深度：寬度大於1：1之深寬比；以及太陽能控制層，其具有在該第一表面上具第一厚度之第一部分，且實質上無太陽能控制層於該溝槽內沿著該第二表面。
- 一種透明複合物，包括：紋理化基板，其具有第一表面及複數第二表面，其中該等第二表面係彼此間隔開並位於與該第一表面相比不同之高度；以及 太陽能控制層，其包含覆蓋該第一表面之連續層，其中該太陽能控制層的多個部分係覆蓋該等第二表面，其中該連續層係具有至少100歐姆/平方之有效薄片電阻。
- 一種透明複合物，包括：紋理化基板，其具有第一表面並界定自該第一表面朝向該紋理化基板的第二表面延伸之溝槽，該第二表面沿著該溝槽底部，其中該溝槽具有在高度上較接近該第一表面之第一寬度以及在高度上較遠離該第一表面之第二寬度，且該第二寬度係大於該第一寬度；以及太陽能控制層，其具有第一部分及第二部分，其中於俯視時，該第一部分係覆蓋該第一表面，且該第二部分係覆蓋該第二表面。
- 一種透明複合物，包括：紋理化基板，其具有第一表面、側壁及位於與該第一表面相比不同之高度之第二表面，其中該側壁係自該第一表面朝向該第二表面延伸；以及太陽能控制層，其具有第一部分及第二部分，其中該第一部分係覆蓋該第一表面，該第二部分係覆蓋該第二表面，其中該透明複合物：具有大於1.05之光線對太陽能熱獲得係數(LTSHGC)；且使在1.8GHz頻率下的電磁輻射衰減不大於7dB，或使在4.5GHz頻率下的電磁輻射衰減不大於15dB。
- 一種透明複合物，包括：紋理化基板，其具有第一表面、側壁及位於與該第一表面相比不同之高度之第二表面，其中該側壁係自該第一表面朝向該第二表面延伸；以及太陽能控制層，其具有第一部分及第二部分，其中該第一部分係覆蓋該第一表面，該第二部分係覆蓋該第二表面，其中該透明複合物：具有包括金屬薄膜之太陽能控制層；且使在1.8GHz頻率下的電磁輻射衰減不大於7dB，或使在4.5GHz頻率下的電磁輻射衰減不大於15dB。
- 一種形成透明複合物之方法，包括：提供紋理化基板，該紋理化基板具有第一表面、側壁及位於與該第一表面相比不同之高度之第二表面，其中該側壁係自該第一表面朝向該第二表面延伸；以及非共形地沉積太陽能控制層於該紋理化基板上，其中於沿該側壁上的目標點之階梯覆蓋率係不大於50%。
- 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中提供該紋理化基板包括：塗覆底層基板以於該基板上形成一層；以模具壓印該層；以及於壓印期間固化該層。
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