TWI553919B - 發光二極體之色變換基板及其製造方法 - Google Patents

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Description

發光二極體之色變換基板及其製造方法
本發明係關於一種發光二極體(LED)的色變換基板及其製造方法。更具體地說，本發明係關於一種能夠形成氣密封(hermetic seal)、自外部環境完全保護容納於LED中的量子點(QD)，並提高LED的發光效率之LED的色變換基板及其製造方法。
發光二極體(LED)係為一種由化合物，如砷化鎵(gallium arsenide，GaAs)形成的半導體裝置，而在電流施加至其的時候發光。LED使用注入少數載子，如電子或電洞至其中的半導體p-n接面，使得光係由少數載子的再結合而產生。
LED的特性包含低功率消耗、相對長的壽命、安裝於狹窄空間中的能力及耐振動。此外，LED係用於顯示裝置及顯示裝置的背光單元中。近來，已進行對LED應用至一般照明裝置的研究。除了單色LED，如紅色LED、藍色LED、或綠色LED之外，白色LED已進入市面上。特別是，因為白色LED可應用於交通載具及照明設備，預期對白色LED的需求會急劇增加。
在LED技術領域中，白光通常使用兩種主要方法而產生。第一種產生白光的方法包含彼此相鄰地設置單色LED，如紅色LED、綠色LED及藍色LED，使得由具有各種顏色之單色LED發出的光得以混合。然而，因為個別的單色LED具有不同的熱特性或時間特性，色調可能基於其中使用這種裝置的環境而改變。特別是，可能發生色斑(color stain)，使得難以均勻地混合不同顏色的光。第二種產生白光的方法包含施加螢光材料至LED，並混合一部分由LED發出的初始光(initial light)及由螢光材料波長轉換的二次光(secondary light)。例如，產生黃綠光或黃光的螢光材料可用作藍色LED上的光激發源，由此白光可藉由混合由藍色LED發出的藍光及由螢光材料激發的黃綠光或黃光而產生。目前，一般採用使用藍色LED及螢光材料實現白光之方法。
目前，產生具有比典型螢光材料更窄波長的強光之量子點(QD)被用作色變換材料。一般來說，QD-LED背光藉由照射由藍色LED發出的藍光至黃色QD上而產生白光，並將白光作為背光而供應至液晶顯示器(LCD)。使用這種QD-LED背光的LCD具有作為新顯示器的高潛力，因為這些LCD的特性包含了不同於採用僅使用LED的傳統背光之較優越的色彩再現性(color reproduction)、實現可媲美於LED的全彩之能力以及比LED TV更低的製造成本及更高的生產率。
在先前技術中，製造這種QD-LED的方法包含：藉由混合QD與聚合物而形成QD片(sheet)；並隨後以複數個障壁層(barrier layer)塗佈QD片，以保護片表面免於外部濕氣或類似物而維持壽命。然而，這種先 前技術的方法係為有問題的，因為障壁層必須應用多次，故使得製造成本昂貴，且最重要的是，這種方法無法自外部環境完全保護QD。
此外，在先前技術中使用的另一種方法包含：蝕刻玻璃表面至一定深度；輸入QD至玻璃表面的蝕刻部分；以蓋玻璃(cover glass)覆蓋所得的結構；在周邊上施加低熔點玻璃；燒結(sinter)所施加的低熔點玻璃；以及使用雷射光束密封所得到的結構。然而，蝕刻製程導致製造成本昂貴。特別是，難以使用薄玻璃板。
在發明背景部分中揭露的資訊僅提供用於較佳理解本發明的背景，且不應被視為承認或任何形式的暗示此資訊構成對所屬技術領域中具有通常知識者而言所習知的先前技術。
先前技術文件
專利文件1：韓國專利申請案No.10-2012-0009315(2012年2月1日)
本發明的各種態樣提供了一種能夠形成氣密封、自外部環境完全保護容納於LED中的量子點(QD)，並提高LED的發光效率之發光二極體(LED)的色變換基板及其製造方法。
在本發明的態樣中，提供了一種LED的色變換基板，其包含：設置在LED上的第一玻璃基板；面對第一玻璃基板的第二玻璃基板；設置在第一玻璃基板與第二玻璃基板之間的結構體，結構體具有開口，並由其熱膨脹係數(CTE)介於30*10-7/℃至80*10-7/℃的材料形成；容納於結 構體開口中的量子點；以及設置在第一玻璃基板與結構體底面之間及第二玻璃基板與結構體頂面之間的密封料。
根據本發明的實施例，結構體可為白色。
結構體可由選自由堇青石、氧化鋁及矽鋅礦組成的群組中的一個形成。
結構體可由含有白色顏料的玻璃材料形成。
密封料可由玻璃料形成，玻璃料的軟化點係低於第一玻璃基板及第二玻璃基板的軟化點。
此外，密封料可含有黑色顏料。
在本發明的態樣中，提供了一種製造LED的色變換基板之方法。該方法包含：形成具有開口的結構體，結構體的CTE介於30*10-7/℃至80*10-7/℃；在結構體的頂面及底面上形成密封料；將具有密封料的結構體設置在第一玻璃基板上，並隨後輸入量子點至結構體的開口；以及藉由將第二玻璃基板設置在其中容納有量子點的結構體上，使得第二玻璃基板面對第一玻璃基板，並隨後將雷射光束照射在密封料上，而將第一玻璃基板與結構體彼此雷射密封，並將第二玻璃基板與結構體彼此雷射密封。
在本發明的態樣中，提供了一種製造LED的色變換基板之方法。該方法包含：形成具有開-口的結構體，結構體的CTE介於30*10-7/℃至80*10-7/℃；在第一玻璃基板的頂面及第二玻璃基板的底面上形成密封料，密封料具有對應於結構體的接觸面形狀之形狀；在其中形成有密封料的玻璃基板之頂面上設置結構體，使得結構體與密封料鄰接，並隨後輸入量子點至結構體的開口；以及藉由在其中容納有量子點的結構體上設置第 二玻璃基板，使得第二玻璃基板面對第一玻璃基板，使得在第二玻璃基板底面上的密封料與結構體鄰接，並隨後將雷射光束照射在密封料上而將第一玻璃基板與結構體彼此雷射密封，並將第二玻璃基板與結構體彼此雷射密封。
根據本發明的實施例，形成結構體的操作可包含將由陶瓷材料或玻璃材料形成的粉末材料成形並燒結。
形成結構體的操作可包含將由選自由堇青石、氧化鋁及矽鋅礦組成的群組中的一個形成的粉末材料成形並燒結。
形成結構體的操作可包含將含有白色顏料的玻璃粉末材料成形並燒結。
在形成密封料的操作中，玻璃料可被用作密封料，玻璃料的軟化點係低於第一玻璃基板及第二玻璃基板的軟化點。
形成密封料的操作可包含添加黑色顏料至密封料。
此外，形成結構體的操作可包含形成複數個結構體。方法可進一步包含，在藉由執行形成密封料之步驟、輸入量子點之步驟及雷射密封之步驟，而將複數個結構體設置在彼此面對的第一玻璃基板與第二玻璃基板之間之後，對於複數個結構體的每一個，將第一玻璃基板及第二玻璃基板切成單元，其中每個單元係由複數個結構體中對應的一個所定義。
根據如上所述的本發明，由低熔點玻璃料形成的密封料係施加在具有其中容納有QD的開口之結構體的頂面及底面上，並隨後在將密封料雷射密封至設置於結構體頂面及底面上的基板之前係暫時燒結。此可 因而提供了具有氣密封的LED的色變換基板，從而自外部環境完全保護容納於結構體中的QD。
此外，根據本發明，由陶瓷材料形成的白色結構體之製造及使用，能夠由QD側向(sideways)發出光，使得反射光被向前反射，從而提高了LED的發光效率。
此外，根據本發明，省略了先前技術的製程，如旨在保護QD的多層塗膜(multilayer coating)或蝕刻。因此相較於先前技術，能夠降低製造成本，且解除了基板厚度上的限制。特別是，由於結構體係由粉末壓實(powder compaction)而製造，結構體可以較低成本大量生產。
本發明的方法及設備具有從一起用於解釋本發明的特定原理之併入本文的附圖及下列本發明的實施方式中將顯而易見或更詳細地闡述的其他特徵及優點。
100、200‧‧‧色變換基板
110‧‧‧第一玻璃基板
120‧‧‧第二玻璃基板
130‧‧‧結構體
140‧‧‧量子點
150‧‧‧密封料
S1、S2、S3、S4‧‧‧步驟
第1圖係為繪示根據本發明的例示性實施例之LED的色變換基板之俯視平面圖；第2圖係為沿著第1圖中的線A-A截取的剖視圖；第3圖係為繪示根據本發明的另一個例示性實施例之LED的色變換基板之俯視平面圖；第4圖係為沿著第3圖中的線B-B截取的剖視圖；第5圖係為繪示根據本發明的另一個例示性實施例之LED的色變換基板之製程流程圖；以及 第6圖至第10圖係為依序地繪示根據本發明的例示性實施例之製造LED的色變換基板的方法操作之步驟圖。
現將詳細地參照根據本發明的發光二極體(LED)的色變換基板及其製造方法，其實施例繪示於附圖中並在下面描述，使得本發明所屬技術領域中具有通常知識者可輕易地將本發明付諸實踐。
整份文件中應參照圖式，其中在不同圖式中使用相同參考符號及標記表示相同或相似的組件。在本發明的下列說明中，在本發明的專利標的呈現不清楚的情況下，將省略併入本文中的習知功能及組件之詳細描述。
如第1圖及第2圖中所繪示，根據例示性實施例的LED的色變換基板(在下文被稱為「LED色變換基板」或「色變換基板」)100係為設置在LED上的基板，其將LED封裝，並轉換一部分由LED發出的光的顏色。因此，LED封裝包含了色變換基板100，且LED發射出其中，例如，混合了由藍色LED發出的藍光及來自色變換基板100的顏色轉換的光之白光。雖然並未繪示於圖式中，LED包含殼體(body)及LED晶片。LED的殼體係為具有預定形狀的開口之結構，提供了其中安裝LED晶片的結構空間。殼體具有導線及引線框架(lead frame)，藉以使LED晶片電性連接至外部電源。此外，LED晶片係安裝在殼體上，經由導線及引線框架而連接至外部電源，並作用為使用外電路電流(external current)發出光之光源。LED晶片係實現為提供電子的n型半導體層及提供電洞的p型半導體層的順向接面(forward junction)。
如上述設置在LED上的根據此實施例的色變換基板100包含第一玻璃基板110、第二玻璃基板120、結構體130、量子點(QD)140及密封料150。
第一玻璃基板110係為設置相鄰於LED的部分色變換基板100。第二玻璃基板120係設置為面對第一玻璃基板110，並且係為設置離LED最遠之部分色變換基板100。亦即，第一玻璃基板110及第二玻璃基板120藉由夾在其間的結構體130、QD140及密封料150之裝置而彼此間隔，使得第一玻璃基板110及第二玻璃基板120彼此面對。第一玻璃基板110及第二玻璃基板120在自外部環境保護QD140的同時，充當向外發射由LED發出的光通過的路徑。對於這一點，第一玻璃基板110及第二玻璃基板120可由透明玻璃基板形成。較佳的是，第一玻璃基板110及第二玻璃基板120的熱膨脹係數(CTE)係相同或相似於密封料150之組成物之熱膨脹係數(CTE)。此特徵使得能夠藉由雷射密封而在第一玻璃基板110及第二玻璃基板120與密封料150之間形成氣密封。較佳的是，第一玻璃基板110及第二玻璃基板120的軟化點係高於密封料150的軟化點。此特徵旨在於進行燒結以形成密封料150時，防止第一玻璃基板110及第二玻璃基板120變形。根據本發明的此實施例，第一玻璃基板110及第二玻璃基板120可由硼矽玻璃(borosilicate glass)或鈉鈣玻璃(soda lime glass)形成。此需要由一種材料所形成的密封料150，此材料的CTE係相同或相似於第一玻璃基板110及第二玻璃基板120的CTE，且此材料的軟化點係低於第一玻璃基板110及第二玻璃基板120的軟化點。密封料150的這些特性將在後面詳細描述。
結構體130係設置在第一玻璃基板110及第二玻璃基板120之間。結構體130具有其中容納有QD140的開口，開口被定義在結構體130的中央部分中。如第1圖及第2圖中所繪示，結構體130基本上係為長方形框架的形狀。根據本發明的此實施例，結構體130由一種材料形成，此材料的CTE介於30*10-7/℃至80*10-7/℃，使得結構體130可藉由以密封料150雷射密封而提供氣密封。此外，結構體130可為白色，以反射由容納於開口中的QD140所側向發出的光，使得反射的光向前直射，從而提高LED的發光效率。根據本發明的此實施例，結構體130可由其CTE介於30*10-7/℃至80*10-7/℃的白色陶瓷材料形成，例如，堇青石(cordierite)、氧化鋁(alumina)或矽鋅礦(willemite)。此外，結構體130可由含有白色顏料(white pigment)的玻璃形成。玻璃的CTE介於30*10-7/℃至80*10-7/℃。結構體130可藉由將在後面更詳細地描述的粉末壓實而製造。
QD140係容納於結構體130的開口內。QD140係由雷射密封的第一玻璃基板110、第二玻璃基板120、結構體130及密封料150氣密封裝。以這種方式，可自外部環境完全保護QD140。QD140係為其中直徑大約介於1nm至10nm並具有量子侷限效應(quantum confinement effect)的半導體之奈米晶體材料。QD140將由LED發出的光的波長轉換，從而產生波長轉換的光或螢光(fluorescent light)。根據本發明的此實施例，LED被實現為藍色LED，且QD140係由能夠將由藍色LED所發出的一部分光波長轉換成黃光之QD材料所形成，以藉由混合黃光與藍光而產生白光。
密封料150係形成在第一玻璃基板110與結構體130底面之間及第二玻璃基板120與結構體130頂面之間。以這種構造，由於照射雷射 光束至密封料150上的密封製程，QD140可藉由第一玻璃基板110與結構體130及藉由第二玻璃基板120與結構體130而提供氣密封，從而自外部環境被完全保護。根據本發明的此實施例，密封料150可由低熔點玻璃料形成。密封料150可由玻璃料形成，玻璃料的CTE係相同或相似於第一玻璃基板110、第二玻璃基板120或結構體130的CTE，使得能夠雷射密封。此外，較佳的是，密封料150係由玻璃料形成，玻璃料的軟化點係低於第一玻璃基板110及第二玻璃基板120的軟化點，以在進行燒結而在第一玻璃基板110及第二玻璃基板120上形成密封料150時，防止第一玻璃基板110及第二玻璃基板120變形。例如，密封料150可由V2O5-P2O5類玻璃料或由Bi2O3-B2O3-ZnO類玻璃料形成，其具有較優越的能力吸收具有介於800nm至900nm波長之雷射光。為了進一步提高雷射光吸收，密封料150的組成可包含黑色顏料。包含於密封料150中的黑色顏料可被實現為MnO2-Fe2O3類材料，且黑色顏料的含量可介於2%密封料150的重量至10%密封料150的重量。當黑色顏料的含量超過10%重量時，改變了密封料150的物理特性。當黑色顏料的含量低於2%重量時，降低了在上述波長範圍內的雷射光吸收，即紅外線(IR)範圍。在這種情況下，變得難以氣密封。
將在下面參照第3圖及第4圖而呈現根據本發明的另一個例示性實施例的LED色變換基板之說明。
第3圖係為繪示根據本發明的此實施例之LED色變換基板之俯視平面圖，而第4圖係為沿著第3圖中的線B-B截取的剖視圖。
如第3圖及第4圖中所繪示，根據此實施例的LED色變換基板200被配置，使得複數個結構體130係設置在第一玻璃基板110與面對第 一玻璃基板110的第二玻璃基板120之間。此實施例不同於前實施例僅在於結構體130的數量及所得的QD140數量。因此，將省略此實施例的組件之詳細說明，因為其係相同於前實施例的組件。
具有這種結構的色變換基板200可為適用於複數個LED的基板，LED被用作大型顯示器的背光源或廣域照明設備的光源，或者可為設為劃分成單元(cell)的大塊基板，其中每一個單元係基於結構體130中的單一個或由結構體130中的單一個所定義，並應用至相同數量的LED中對應的一個。
類似根據前實施例的LED色變換基板100，根據此實施例的LED色變換基板200包含彼此面對的第一玻璃基板110及第二玻璃基板120；設置在第一玻璃基板110及第二玻璃基板120之間的複數個結構體130，結構體130的CTE介於30*10-7/℃至80*10-7/℃；分別容納於結構體130之開口中的複數個QD 140；以及設置在第一玻璃基板110與結構體130之間及結構體130與第二玻璃基板120之間的密封料150。當進行雷射密封時，密封料150作為將第一玻璃基板110與結構體130彼此接合及將結構體130與第二玻璃基板120彼此接合的介質。以這種方式，提供了對QD140的氣密封，從而自外部環境完全保護QD。特別是，結構體130形成為白色，以反射從QD側向發出的光，使得反射的光向前直射，從而提高LED的發光效率。
將在下面參照第5圖至第10圖而呈現根據本發明的例示性實施例之製造LED色變換基板的方法之說明。
參照第5圖，根據此實施例的製造LED色變換基板的方法包含結構體形成步驟S1、密封料形成步驟S2、QD輸入步驟S3及雷射密封步驟S4。在根據此實施例的製造LED色變換基板的方法之下列描述中，LED色變換基板將被繪示為適用於顯示器的背光源或廣域照明設備的光源之LED色變換基板。
首先，如第6圖中所繪示，結構體形成步驟S1形成具有開口的結構體130，具有其CTE介於30*10-7/℃至80*10-7/℃。結構體形成步驟S1包含從陶瓷材料或玻璃材料的粉末形成顆粒(granule)，且隨後藉由成形並燒結顆粒而形成具有開口的結構體130，結構體130係為長方形框架的形狀。例如，結構體形成步驟S1可藉由成形並燒結由白色堇青石、氧化鋁及矽鋅礦中的一個所形成的粉末而形成結構體130，或者可藉由成形並燒結添加白色顏料至其中的玻璃粉末而形成結構體130。
之後，如第7圖中所繪示，密封料形成步驟S2在結構體130的頂面及底面上形成密封料150。在密封料形成步驟S2中，由糊狀的低熔點玻璃料所形成的密封料150係施加在結構體130的頂面及底面上，並隨後進行燒結。在本文中，密封料150係由低熔點玻璃料形成，密封料150的軟化點係低於藉由密封料150的方式而接合至結構體130的第一玻璃基板110及第二玻璃基板120的軟化點。例如，密封料形成步驟S2可使用V2O5-P2O5類玻璃料或Bi2O3-B2O3-ZnO類玻璃料作為密封料150。此外，在密封料形成步驟S2，由MnO2-Fe2O3類材料形成的黑色顏料可添加至密封料150，以進一步提高密封料150的IR範圍中的雷射光吸收。
此外，如第8圖中所繪示，作為替代方法，密封料形成步驟S2可在鄰接結構體130的每個第一玻璃基板110及第二玻璃基板120中的一個表面上形成密封料150。具體地說，密封料形成步驟S2包含在每個第一玻璃基板110及第二玻璃基板120中的一個表面上以對應於結構體130的接觸面之形狀施加低熔點玻璃料的糊料，並隨後將糊料暫時燒結。在本文中，施加糊料的操作係藉由印刷而進行。
此後，如第9圖中所繪示，QD輸入步驟S3輸入QD至結構體130的每個開口中。具體而言，在其上設置有密封料150的複數個結構體130係設置在第一玻璃基板110上或複數個結構體130係設置在其上設置有密封料150的第一玻璃基板110頂面上之後，使複數個結構體130鄰接密封料150，將由藍色二極體所發出的一部分光波長轉換成黃光的QD140係輸入複數個結構體130的每個開口中。
最後，如第10圖中所繪示，雷射密封步驟S4藉由照射雷射光束至密封料150上而以密封料150的方式將第一玻璃基板110及結構體130彼此密封，並將第二玻璃基板120及結構體130彼此密封。在雷射密封步驟S4中，當密封料150形成在結構體130的頂面及底面上時，雷射光束可在第二玻璃基板120係設置在其中容納有QD140的複數個結構體130上之後照射在密封料150上，使得第二玻璃基板120面對第一玻璃基板110。或者，當密封料150形成在第一玻璃基板110及第二玻璃基板120上時，雷射光束可在其中形成有密封料150於底面上的第二玻璃基板120係設置在複數個結構體130上之後照射至密封料150上，使得密封料150鄰接複數個結構體130的頂面。
當雷射密封步驟S4如上述完成時，根據本發明的另一個實施例之LED色變換基板200被製造。當LED色變換基板200係藉由根據本發明的實施例之製造方法製造時，相較於先前技術，省略了旨在保護QD的先前技術之多層塗膜製程，從而降低了製造成本。此外，省略了需要用於容納QD的先前技術之蝕刻塗膜製程，由此解除了基板厚度上的限制。特別是，由於結構體130係由粉末壓實而製造，結構體130可以較低成本大量生產。
由根據本發明的實施例之製造方法而製造的色變換基板200係適用於顯示器的背光源或廣域照明設備的光源。此外，色變換基板200可劃分成複數個單元，每個單元被用作LED色變換基板(參見第1圖中的100)。為了這個目的，可另外進行將藉由根據本發明實施例的製造LED色變換基板之方法所產生的色變換基板200切成單元的製程，每個單元係由對應的結構體130定義。如上所述，根據本發明的實施例，可以藉由製造要被劃分成複數個單元的大塊色變換基板200，並隨後將大塊色變換基板200切成複數個單元，而促成大量生產適用於個別LED的色變換基板(第1圖中的100)。
本發明的特定例示性實施例之以上描述已相對於圖式而呈現。其並非旨在窮舉或限制本發明為揭露的精確形式，且鑑於上述教示，顯然許多修改及變化對於所屬技術領域中具有通常知識者而言為可能的。
因此意味著，本發明的範疇並不限於上述實施例，而是由所附於此的申請專利範圍及其等效物所定義。
100‧‧‧色變換基板
120‧‧‧第二玻璃基板
130‧‧‧結構體
140‧‧‧量子點
150‧‧‧密封料

Claims (14)

  1. 一種發光二極體的色變換基板，其包含：一第一玻璃基板，係設置在該發光二極體上；一第二玻璃基板，係面對該第一玻璃基板；一結構體，係設置在該第一玻璃基板與該第二玻璃基板之間，該結構體具有一開口，並包含介於30*10-7/℃至80*10-7/℃的熱膨脹係數的材料；一量子點，係容納於該結構體的該開口中；以及一密封料，係設置在該第一玻璃基板與該結構體的一底面之間及該第二玻璃基板與該結構體的一頂面之間。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之色變換基板，其中該結構體係為白色。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之色變換基板，其中該結構體包含選自由堇青石、氧化鋁及矽鋅礦組成的群組中的一個。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之色變換基板，其中該結構體包含含有一白色顏料的一玻璃材料。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之色變換基板，其中該密封料包含一玻璃料，該玻璃料的軟化點係低於該第一玻璃基板及該第二玻璃基板的軟化點。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之色變換基板，其中該密封料包含一黑色顏料。
  7. 一種製造發光二極體的色變換基板之方法，其包含： 形成具有一開口的一結構體，該結構體的熱膨脹係數介於30*10-7/℃至80*10-7/℃；在該結構體的一頂面及一底面上形成一密封料；將具有該密封料的該結構體設置在一第一玻璃基板上，並隨後輸入一量子點至該結構體的該開口；以及藉由將一第二玻璃基板設置在其中容納有該量子點的該結構體上使得該第二玻璃基板面對該第一玻璃基板，並隨後將一雷射光束照射在該密封料上，而將該第一玻璃基板與該結構體彼此雷射密封，並將該第二玻璃基板與該結構體彼此雷射密封。
  8. 一種製造發光二極體的色變換基板之方法，其包含：形成具有一開口的一結構體，該結構體的熱膨脹係數介於30*10-7/℃至80*10-7/℃；以對應於要接觸一密封料的該結構體之一接觸面之形狀的形狀，而在一第一玻璃基板的一頂面及一第二玻璃基板的一底面上形成該密封料；在形成有該密封料的該第一玻璃基板之該頂面上設置該結構體，使得該結構體與該密封料接觸，並隨後輸入一量子點至該結構體的該開口；以及藉由在其中容納有該量子點的該結構體上設置該第二玻璃基板，使得該第二玻璃基板面對該第一玻璃基板且在該第二玻璃基板的該底面上的該密封料與該結構體接觸，並隨後將一雷射光束照射在該密封料上，而將該第一玻璃基板與該結構體彼此雷射密封，並將該第二玻璃基板與該結構體彼此雷射密封。
  9. 如申請專利範圍第7項或第8項所述之方法，其中形成該結構體包含將含有一陶瓷材料或一玻璃材料的一粉末材料成形並燒結。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該粉末材料包含選自由堇青石、氧化鋁及矽鋅礦組成的群組中的一個。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該粉末材料包含含有一白色顏料的一玻璃粉末材料。
  12. 如申請專利範圍第7項或第8項所述之方法，其中在形成該密封料的步驟中，一玻璃料被用作為該密封料，該玻璃料的軟化點係低於該第一玻璃基板及該第二玻璃基板的軟化點。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中形成該密封料包含添加一黑色顏料至該密封料。
  14. 如申請專利範圍第7項或第8項所述之方法，其中形成該結構體包含形成複數個該結構體，該方法進一步包含：在該複數個結構體藉由進行形成該密封料之步驟、輸入該量子點之步驟及雷射密封之步驟而設置在彼此面對的該第一玻璃基板與該第二玻璃基板之間之後，對於該複數個結構體中的每一個，將該第一玻璃基板及該第二玻璃基板切成單元，其中每一個該單元係由該複數個結構體中對應的一個所定義。
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