TWI548641B - 用於製備含有氧化銦之層的烷醇側氧基銦（ｉｎｄｉｕｍ ｏｘｏ ａｌｋｏｘｉｄｅ） - Google Patents

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Description

用於製備含有氧化銦之層的烷醇側氧基銦(indium oxo alkoxide)
本發明關於用於製備含有氧化銦之層的烷醇側氧基銦，其製備方法及其用途，尤其用於生產作為塗作為塗料組成物之成分及用於生產電子組件的含有氧化銦之層。
由於氧化銦(氧化銦(III)，In2O3)具有介於3.6與3.75 eV之間的大能帶隙(以氣相沉積層所測量)[H. S. Kim,P. D. Byrne,A. Facchetti,T. J. Marks;J. Am. Chem. Soc. 2008,130,12580-12581]而使其為有前景的半導體。數百奈米厚度的薄膜可另外在550奈米下的可見光譜範圍內具有大於90%之高透明度。在極高度有序之單晶氧化銦晶體中，另外有可能測量至高達160平方公分/Vs之電荷載子遷移率。
氧化銦常與氧化錫(IV)(SnO2)一起被特別用作為半導電性混合氧化物ITO。由於ITO層比較高的導電性與在可見光譜範圍內的透明度同時存在而使其一項應用係於液晶顯示器(LCD)領域中，尤其用作為〝透明電極〞。該等經常摻雜之金屬氧化物層在工業上特別藉由在高真空下的高成本蒸氣沉積方法生產。
含有氧化銦之層及其製備(尤其為ITO層和純氧化銦層及其製備)因此對半導體及顯示器工業極其重要。
經討論可能用於合成含有氧化銦之層的反應物及前驅物包括許多化合物種類。實例包括銦鹽。例如，Marks等人敘述使用由InCl3及溶解在甲氧基乙醇中的鹼性單乙醇胺(MEA)所組成之前驅物溶液所製備之成分。在旋轉塗佈溶液之後，對應之氧化銦層係藉由在400℃下的熱處理而獲得。[H. S. Kim,P. D. Byrne,A. Facchetti,T. J. Marks;J. Am. Chem. Soc. 2008,130,12580-12581及補充資訊]。
別處經討論可能用於氧化銦合成法的反應物或前驅物為烷醇銦。烷醇銦為由至少一個銦原子、至少一個式-OR(R=有機基團，尤其R=烷基)之烷醇基和隨意的一或多個有機基團-R’(例如，R’=烷基、羧基、α-羥基羧酸酯基團)、一或多個鹵素基團及/或一或多個-OH或-OR”基團(其中R”=有機基團，尤其R”=烷基)所組成之化合物。
先前技藝敘述與可能用於形成氧化銦無關的各種烷醇銦及烷醇側氧基銦。與已提及之烷醇銦比較，烷醇側氧基銦亦具有至少一個與銦原子直接結合或橋聯至少兩個銦原子的另外氧基團(側氧基)。
Mehrotra等人敘述從氯化銦(III)(InCl3)與Na-OR製備三烷醇銦In(OR)3，其中R為甲基、乙基、異丙基、正丁基、第二丁基、第三丁基及戊基。[S. Chatterjee,S. R. Bindal,R. C. Mehrotra;J. Indian Chem. Soc. 1976,53,867]。
Carmalt等人之評論文章(Coordination Chemistry Reviews 250(2006),682-709)敘述各種鎵(III)及銦(III)烷醇化物和芳基氧化物，其中某些亦可利用烷醇基而以橋聯存在。另外提出式In5(μ-O)(OiPr)13之以側氧基為中心的簇集，更尤其為[In5(μ5-O)(μ3-OiPr)4(μ2-OiPr)4(OiPr)5]，其為側氧基烷醇化物且不可能從[In(OiPr)3]製備。
N. Turova等人之評論文章Russian Chemical Reviews 73(11),1041-1064(2004)摘要了金屬側氧基烷醇化物之合成法、性質及結構，金屬側氧基烷醇化物在該文中被視為經由溶膠-凝膠技術製備氧化物材料的前驅物。除了許多其他的化合物之外，還敘述了[Sn3O(OiBu)10(iBuOH)2]、已提及之化合物[In5O(OiPr)13]及[Sn6O4(OR)4](R=Me，Pri)之合成法及結構。
N. Turova等人之文章Journal of Sol-Gel Science and Technology,2,17-23(1994)提出對於烷醇化物的研究結果，烷醇化物在該文中被視為發展烷醇化物及以烷醇化物為底質之粉末的溶膠-凝膠法之科學基礎。在該上下文中，亦有據稱為〝異丙醇銦〞的討論，發現其為具有中心氧原子及5個周圍金屬原子的式M5(μ-O)(OiPr)13之側氧基烷醇化物，其亦敘述於Carmalt等人之文章中。
Bradley等人於J. Chem. Soc.,Chem. Commun.,1988,1258-1259中敘述此化合物之合成法及其晶體結構。這些作者的進一步研究引導出此化合物的形成不可歸因於中間形成之In(OiPr)3水解的結果(Bradley等人之Polyhedron Vol. 9,No. 5,pp. 719-726,1990)。Suh等人之J. Am. Chem. Soc. 2000,122,9396-9404另外發現此化合物不可藉由熱途徑而從In(OiPr)3製備。而且，Bradley(Bradley 等人之Polyhedron Vol. 9,No. 5,pp. 719-726,1990)發現不可使此化合物昇華。
金屬氧化物層原則上可經由各種方法生產。
一種生產金屬氧化物層的方式係以濺鍍技術為基礎。然而，該等技術具有必須在高真空下進行的缺點。另一缺點在於以此方式所生產之膜具有許多氧瑕疵，使其不可能確立層的受控制且可重現之化學計量，從而導致所生產之層的不良性質。
原則上用於生產金屬氧化物層的另一方式係以化學氣相沉積法為基礎。例如，有可能經由氣相沉積法從氧化銦前驅物(諸如烷醇銦或烷醇側氧基銦)生產含有氧化銦之層。例如，US 6,958,300 B2教示使用至少一種通式M1 q(O)x(OR1)y之金屬有機氧化物前驅物(烷醇化物或側氧基烷醇化物)(q=1-2；x=0-4，y=1-8，M1=金屬，例如Ga、In或Zn，R1=有機基團；當x=0時為烷醇化物，當x≧1時為側氧基烷醇化物)以氣相沉積法(例如，CVD或ALD)生產半導體或金屬氧化物層。然而，所有的氣相沉積法均具有以下缺點：此等方法：i)在熱反應狀態的情況中需要使用非常高的溫度，或ii)在以電磁輻射形式導入前驅物分解所必要之能量的情況中需要高能量密度。在此兩種情況中，只有可能以非常高度複雜的設備導入以受控制且均勻的方式分解前驅物所必要之能量。
金屬氧化物層因此最好利用液相法生產，亦即利用在轉化成金屬氧化物之前包含至少一個以下的方法步驟之方法：將欲塗佈之基材以金屬氧化物的至少一種前驅物之液體溶液塗佈，隨意地接著乾燥及轉化。應暸解金屬氧化物前驅物意謂可熱分解或以電磁輻射分解之化合物，以此可使化合物在氧或其他氧化物質的存在或不存在下形成含有金屬氧化物之層。金屬氧化物前驅物的重要實例為例如金屬烷醇化物。原則上，層可i)藉由溶膠-凝膠法生產，其中所使用之金屬烷醇化物先在水的存在水下以水解及接著縮合而轉化成凝膠，且接著轉化成金屬氧化物，或ii)從非水性溶液生產。
從烷醇銦以液相生產含有氧化銦之層亦構成先前技藝的一部分。
從烷醇銦經由在大量的水存在下的溶膠-凝膠法生產含有氧化銦之層構成先前技藝的一部分。WO 2008/083310 A1敘述在基材上生產無機層或有機/無機混合層之方法，其中將金屬烷醇化物(例如，通式R1M-(OR2)y-x中之一者)或其預聚合物施加於基材，且接著將所得金屬烷醇化物層在水的存在下及與其反應而硬化。可使用的金屬烷醇化物可包括銦、鎵、錫或鋅之烷醇化物。然而，使用溶膠-凝膠法的缺點在於水解-縮合反應係藉由添加水而自動開始，而在開始之後卻難以控制。當水解-縮合法實際上係在施加於基材之前開始時，則所獲得的凝膠於此時由於其上升的黏度而常常不適合於獲得細微氧化物層之方法。相反地，當水解-縮合法只在施加於基材之後藉由供應呈液體形式或成為蒸氣之水開始時，則所得混合不足且不均勻的凝膠時常引導出對應之不均勻層，其具有不利的性質。
JP 2007-042689 A敘述可含有烷醇銦之金屬烷醇化物溶液，且亦敘述使用該等金屬烷醇化物溶液生產半導體組件之方法。金屬烷醇化物膜係經熱處理且轉化成氧化物層；然而，該等系統也未供給足夠均勻的膜。然而，純氧化銦層不可以其中所述之方法生產。
在本申請案優先權日尚未公開之DE 10 2009 009 338敘述烷醇銦在從無水溶液生產含有氧化銦之層中的用途。雖然所得層比利用溶膠-凝膠法所生產之層更均勻，但是使用無水系統的烷醇銦仍有使含有烷醇銦之調配物成為含有氧化銦之層的轉化作用未給予所得層足夠好的電性能之缺點。
在本申請案優先權日同樣尚未公開之DE 10 2009 028 801敘述用於從非水性溶液生產比較改進的含有氧化銦之層的液相法，其中將含有i)至少一種通式MxOy(OR)z[O(R’O)cH]aXb[R”OH]d之烷醇側氧基銦(其中M=In，x=3-25，y=1-10，z=3-50，a=0-25，b=0-20，c=0-1，d=0-25，R、R’、R”=有機基團，X=F、Cl、Br、I)及ii)至少一種溶劑的無水組成物施加於基材，隨意地乾燥及轉化成含有氧化銦之層。
在本申請案優先權日尚未公開之DE 10 2009 054 997另外敘述一種從溶液生產含有氧化銦之層的方法，其中將含有至少一種通式InX(OR)2之鹵烷醇銦(其中R=烷基及/或烷氧基烷基，及X=F、Cl、Br或I)及至少一種溶劑或分散介質的無水組成物施加於基材，將施加於基材之組成物以波長≦360奈米之電磁輻射照射，隨意地乾燥及接著以熱轉化成含有氧化銦之層。
不過希望生產甚至更好的含有氧化銦之層。因此，本發明之目的係提供可用於生產具有甚至更好的電性能(尤其甚至更好的場效遷移率μFET)的含有氧化銦之層(尤其為氧化銦層)的物質。亦希望能提供可以更簡單的方式加工之物質。
此目的於本發明之文件中係藉由本發明的通式In6O2X6(OR)6(R’CH(O)COOR”)2(HOR)X(HNR”’2)y之鹵化烷醇側氧基銦而達成，其中X=F、Cl、Br及/或I，R=C1-C15-烷基、C1-C15-烯基、C1-C15-炔基、C1-C15-烷氧基烷基、C6-C15-芳基-及/或C7-C15-烷氧基芳基，R’=C1-C15-烷基、C1-C15-烯基、C1-C15-炔基、C1-C15-烷氧基烷基、C6-C15-芳基-及/或C7-C15-烷氧基芳基，R”=C1-C15-烷基、C1-C15-烯基、C1-C15-炔基、C1-C15-烷氧基烷基、C6-C15-芳基-及/或C7-C15-烷氧基芳基，R”’=C1-C15-烷基、C1-C15-烯基、C1-C15-炔基、C1-C15-烷氧基烷基、C6-C15-芳基-及/或C7-C15-烷氧基芳基，x=0至10及y=0至10。驚訝的是另外有可能以該等物質在空氣下生產特別高品質的含有氧化銦之層。本發明化合物為鹵化烷醇側氧基銦，除了已提及的側氧基及烷醇基以外，其另外以α-羥基酯為基礎之配位體及隨意地以醇及/或二級胺配位。
迄今未於文獻中敘述的該等化合物In6O2X6(OR)6(R’CH(O)COOR”)2(HOR)X(HNR”’2)y可經由以下的反應而製得：鹵烷醇銦(III)加成物或鹵烷醇側氧基銦(III)加成物，較佳為通式InX(OR)2(HNR”’2)y之鹵二烷醇銦(III)(其中X=F、Cl、Br、I，和R=C1-C15-烷基、C1-C15-烯基、C1-C15-炔基、C1-C15-烷氧基烷基、C6-C15-芳基-及/或C7-C15-烷氧基芳基，R”’=C1-C15-烷基、C1-C15-烯基、C1-C15-炔基、C1-C15-烷氧基烷基、C6-C15-芳基-及/或C7-C15-烷氧基芳基，及y=0-10)(其係藉由包含三鹵化銦InX3(其中X=F、Cl、Br及/或I)及至少一種通式ROH之醇(其中R=C1-C15-烷基、C1-C15-烯基、C1-C15-炔基、C1-C15-烷氧基烷基、C6-C15-芳基-及/或C7-C15-烷氧基芳基)之組成物與至少一種通式R”’2NH之二級胺(其中R”’=C1-C15-烷基、C1-C15-烯基、C1-C15-炔基、C1-C15-烷氧基烷基、C6-C15-芳基-及/或C7-C15-烷氧基芳基)的反應而製得，亦參考DE 10 2009 054 998(其在本申請案優先權日尚未公開))與適當的α-羥基酯在較佳的醇系溶液中之反應。
較佳的烷醇側氧基銦為對應之氯化物，亦即其中X=Cl之對應化合物。該等化合物引導出的對應之含有氧化銦之層特別好的電性質且可以特別簡單的方式製得。
同樣優先選擇為其中R=-CH3、-CH2CH3、-CH2CH2CH3、-CH(CH3)2、-CH2CH2CH2CH3、-CH2CH(CH3)2、-CH(CH3)(CH2CH3)或-C(CH3)3的對應之烷醇側氧基銦，且其可以特別簡單的方式製得及加工。
另外優先選擇為其中R=-CH2CH2-OCH3、-CH2CH2-OCH2CH3、-CH2CH2-OCH2CH2CH3、-CH2CH2-OCH(CH3)2、-CH2CH2-OCH2CH2CH2CH3、-CH2CH2-OCH2CH(CH3)2、-CH2CH2-OCH(CH3)(CH2CH3)或-CH2CH2-OC(CH3)3的對應之烷醇側氧基銦，且其可以特別簡單的方式製得及加工。
較佳的R’基為R’=-CH3、-CH2CH3、-CH2CH2CH3、-CH(CH3)2、-CH2CH2CH2CH3、-CH2CH(CH3)2、-CH(CH3)(CH2CH3)或-C(CH3)3。對應之化合物亦可以特別簡單的方式製得且引導出特別好的層。
較佳的R”基為R”=-CH3、-CH2CH3、-CH2CH2CH3、-CH(CH3)2、-CH2CH2CH2CH3、-CH2CH(CH3)2、-CH(CH3)(CH2CH3)或-C(CH3)3。對應之化合物同樣以特別簡單的方式製得且引導出特別好的層。
另外，較佳的R”’基=-CH3、-CH2CH3、-CH2CH2CH3、-CH(CH3)2、-CH2CH2CH2CH3、-CH2CH(CH3)2、-CH(CH3)(CH2CH3)或-C(CH3)3。對應之化合物同樣以特別簡單的方式製得且引導出特別好的層。
因為本發明之烷醇側氧基銦屬於經配位之化合物類別，所以有可能以配位體交換或改變反應條件而代替非共價鍵結之配位體(胺及醇)。因此，特別優先選擇為其中x=0至5及y=0至5之烷醇側氧基銦。最特別優先選擇為其中x=1至3及y=1至3之烷醇側氧基銦。對應之化合物同樣以特別簡單的方式製得且引導出特別好的層。
特別佳的本發明之烷醇側氧基銦為通式In6O2Cl6(OCH2CH3)6(CH3CH(O)COOCH2CH3)2(HN(CH3)2)2之烷醇側氧基銦，其可具有圖1中所示之結構式且其可另外與配位於晶體中的高達10個乙醇及/或胺分子一起存在。
本發明進一步提供一種用於製備本發明之烷醇側氧基銦的方法，其中將式InX3(其中X=F、Cl、Br及/或I)之銦(III)鹽先在醇ROH的存在下(其中R=C1-C15-烷基、C1-C15-烯基、C1-C15-炔基、C1-C15-烷氧基烷基、C6-C15-芳基-及/或C7-C15-烷氧基芳基)及在通式HNR”’2之二級胺的存在下(其中R”’=C1-C15-烷基、C1-C15-烯基、C1-C15-炔基、C1-C15-烷氧基烷基、C6-C15-芳基-及/或C7-C15-烷氧基芳基)轉化，得到鹵烷醇銦(III)加成物或鹵烷醇側氧基銦(III)加成物，接著將其與至少一種α-羥基酯R’CH(OH)COOR”(其中R’=C1-C15-烷基、C1-C15-烯基、C1-C15-炔基、C1-C15-烷氧基烷基、C6-C15-芳基-及/或C7-C15-烷氧基芳基，及R”=C1-C15-烷基、C1-C15-烯基、C1-C15-炔基、C1-C15-烷氧基烷基、C6-C15-芳基-及/或C7-C15-烷氧基芳基)反應(較佳於醇系溶液中)。
在根據本發明之方法中，所使用之胺(NHR”’2)對銦(III)鹽的莫耳比較佳為＞2.5：1，尤其為4至10：1。所使用之醇(ROH)同時為溶劑。所使用之醇(ROH)對所使用之銦(III)鹽的莫耳比較佳為＞2.5：1，更佳為10至100：1。
就方法而言較佳的銦(III)鹽為對應之氯化物。從對應之氯化物開始有可能達到引導出具有特別好的電性質之含有氧化銦之層且可另外以特別簡單的方式製得之化合物。
同樣優先選擇為其中R=-CH3、-CH2CH3、-CH2CH2CH3、-CH(CH3)2、-CH2CH2CH2CH3、-CH2CH(CH3)2、-CH(CH3)(CH2CH3)或-C(CH3)3的對應之醇，且其可以特別簡單的方式製得及加工。
另外優先選擇為其中R=-CH2CH2-OCH3、-CH2CH2-OCH2CH3、-CH2CH2-OCH2CH2CH3、-CH2CH2-OCH(CH3)2、-CH2CH2-OCH2CH2CH2CH3、-CH2CH2-OCH2CH(CH3)2、-CH2CH2-OCH(CH3)(CH2CH3)或-CH2CH2-OC(CH3)3的對應之烷氧基，且其可以特別簡單的方式製得及加工。
另外，較佳的胺基R”’=-CH3、-CH2CH3、-CH2CH2CH3、-CH(CH3)2、-CH2CH2CH2CH3、-CH2CH(CH3)2、-CH(CH3)(CH2CH3)或-C(CH3)3。對應之化合物同樣以特別簡單的方式製得且引導出特別好的層。
從銦(III)鹽所形成之中間物較佳為通式InX(OR)2(HNR”’2)y之鹵二烷醇銦(III)，其中X=F、Cl、Br或I，R=C1-C15-烷基、C1-C15-烯基、C1-C15-炔基、C1-C15-烷氧基烷基、C6-C15-芳基-及/或C7-C15-烷氧基芳基，R”’=C1-C15-烷基、C1-C15-烯基、C1-C15-炔基、C1-C15-烷氧基烷基、C6-C15-芳基-及/或C7-C15-烷氧基芳基，及y=0至10，接著將其與至少一種α-羥基酯R’CH(OH)COOR”(其中R’=C1-C15-烷基、C1-C15-烯基、C1-C15-炔基、C1-C15-烷氧基烷基、C6-C15-芳基-及/或C7-C15-烷氧基芳基，及R”=C1-C15-烷基、C1-C15-烯基、C1-C15-炔基、C1-C15-烷氧基烷基、C6-C15-芳基-及/或C7-C15-烷氧基芳基)反應(較佳於醇系溶液中)。
在根據本發明之方法中，所使用之α-羥基酯R’CH(OH)COOR”對銦(III)鹽之莫耳比較佳為＞0.33：1，尤其為0.34至5：1。
當根據本發明之方法係以選自InCl(OCH3)2(HNMe2)2、InCl(OCH2CH3)2(HNMe2)2、InCl(OCH2CH2CH3)2(HNMe2)2、InCl(OCH(CH3)2)2(HNMe2)2、InCl(OCH2CH2CH2CH3)2(HNMe2)2、InCl(OCH(CH3)(CH2CH3))2(HNMe2)2及InCl(OC(CH3)3)2(HNMe2)2之化合物群組的鹵烷醇銦(III)加成物進行時，則在所述之方法中得到特別好的產率。對應較佳的方法產物為In6O2Cl6(OR)6(R’CH(O)COOR”)2(HOR)X(HNMe2)y類型，其中R=-OCH3、-OCH2CH3、-OCH2CH2CH3、-OCH(CH3)2、-OCH2CH2CH2CH3、-OCH(CH3)(CH2CH3)或-OC(CH3)3。
較佳的α-羥基酯基R’為R’=-CH3、-CH2CH3、-CH2CH2CH3、-CH(CH3)2、-CH2CH2CH2CH3、-CH2CH(CH3)2、-CH(CH3)(CH2CH3)或-C(CH3)3。對應之化合物亦以特別簡單的方式製得且引導出特別好的層。
較佳的R”基為R”=-CH3、-CH2CH3、-CH2CH2CH3、-CH(CH3)2、-CH2CH2CH2CH3、-CH2CH(CH3)2、-CH(CH3)(CH2CH3)或-C(CH3)3。對應之化合物同樣以特別簡單的方式製得且引導出特別好的層。
另外，當所使用之α-羥基酯係選自由乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸正丙酯及乳酸丁酯所組成之群組時，則得到特別好的產率及適合於特別高價值的半導體層之前驅物。所形成之產物含有對應之乳酸烷酯作為配位體。
反應更佳地在非質子性或醇系溶液中進行。然而，在較佳的醇系溶液使用之情況中，應選擇醇以達成均勻的產物，使得醇對應於所使用之鹵二烷醇銦(III)之烷醇基OR。最特別優先選擇在選自由HOCH3、HOCH2CH3、HOCH2CH2CH3、HOCH(CH3)2、HOCH2CH2CH2CH3、HOCH(CH3)(CH2CH3)、HOCH2CH(CH3)2或HOC(CH3)3所組成之群組的醇中進行反應。
根據本發明之方法有可能以特別有效的方式製備通式In6O2X6(μ2-OR)6(μ2-R’CH(O)COOR”)2(HOR)X(HNR”’2)y之烷醇側氧基銦，其為該理由而言較佳的烷醇側氧基銦，及最特別佳的式In6O2Cl6(μ2-OCH2CH3)6(μ2-CH3CH(O)COOCH2CH3)2(HOC2H5)2(HN(CH3)2)2之烷醇側氧基銦。此化合物可如所附加之實例中所述方式製備。
本發明進一步提供本發明之烷醇側氧基銦用於生產含有氧化銦之層的用途及用於生產含有氧化銦之層的對應方法。本發明之烷醇側氧基銦原則上適合於經由噴濺法、經由氣相沉積法、溶膠-凝膠法及從水性和非水性溶液沉積來生產層。
應瞭解根據本發明之方法的方法產物(含有氧化銦之層)意謂含有金屬-或半金屬之層，其包含基本上呈氧化物形式存在的銦原子或離子。含有氧化銦之層亦可隨意地包含來自不完全轉化或未完全移除的所形成之副產物的碳、氮、鹵素或烷醇化物成分。含有氧化銦之層可為純氧化銦層，亦即忽略任何碳、氮、烷醇化物或鹵素的成分基本上可由呈氧化物形式存在的銦原子或離子所組成，或包含部份本身可呈元素、氧化物或另一形式存在的另外元素。為了獲得純氧化銦層，除了本發明之至少一種烷醇側氧基銦以外，應該只有含有銦之前驅物用於根據本發明之方法中，較佳為只以烷醇側氧基銦及烷醇銦。相反地，為了獲得包含除了含有銦之前驅物以外的其他金屬之層，亦有可能使用呈0氧化態之金屬的前驅物(以製備含有呈不帶電形式的另外金屬之層)或金屬氧化物前驅物(例如，其他金屬烷醇化物或金屬側氧基烷醇化物)。
當本發明之烷醇側氧基銦被用作為唯一的金屬氧化物前驅物時，則根據本發明之本發明方法特別適合於生產氧化銦層。當唯一的金屬氧化物前驅物對應於式In6O2Cl6(OCH2CH3)6(CH3CH(O)COOCH2CH3)2(HOC2H5)2(HN(CH3)2)時，則得到最特別好的層。
用於生產層的烷醇側氧基銦較佳地用於水性或非水性塗料組成物中。至少一種烷醇側氧基銦係以組成物總質量為基準計較佳地以0.1至15重量%，更佳為1至10重量%，最佳為2至5重量%之比例存在於該等組成物中。
組成物較佳地可進一步含有至少一種溶劑，亦即組成物可含有一種溶劑或不同溶劑之混合物。可優先選用於根據本發明之方法的調配物中之溶劑為非質子性及弱質子性溶劑，亦即那些選自非質子性的非極性溶劑群組，亦即烷類、經取代之烷類、烯類、炔類、不具有或具有脂族或芳族取代基之芳族化合物、鹵化烴類、四甲基矽烷；非質子性的極性溶劑群組，亦即醚類、芳族醚類、經取代之醚類、酯類或酸酐類、酮類、三級胺類、硝基甲烷、DMF(二甲基甲醯胺)、DMSO(二甲亞碸)或碳酸丙二酯(propylene carbonate)；及弱質子性溶劑，亦即醇類、一級和二級胺類和甲醯胺。特別優先選用的溶劑為醇類，且亦為甲苯、二甲苯、苯甲醚、1,3,5-三甲苯、正己烷、正庚烷、參(3,6-二氧庚基)胺(TDA)、2-胺甲基四氫呋喃、苯***、4-甲基苯甲醚、3-甲基苯甲醚、苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯、乳酸乙酯、乙酸丁酯、N-甲基-2-吡咯啶酮(NMP)、四氫萘及二***。最特別佳的溶劑為甲醇、乙醇、異丙醇、四氫米康醇、第三丁醇、正丁醇、乳酸乙酯、乙酸丁酯和甲苯，及其混合物。
為了達成特別好的印刷性，在根據本發明之方法中所使用的組成物較佳地具有1 mPa‧s至10 Pa‧s之黏度，尤其為1 mPa‧s至100 mPa‧s，其係根據DIN 53019第1至2部分測定且在20℃下測量。對應黏度可藉由添加聚合物、纖維素衍生物或SiO2(其可以例如Aerosil商標名稱獲得)而確立，且尤其利用PMMA、聚乙烯醇、胺基甲酸酯增稠劑或聚丙烯酸酯增稠劑。
在根據本發明之方法中使用的基材較佳為由玻璃、矽、二氧化矽、金屬氧化物或過渡金屬氧化物、金屬或聚合物材料(尤其為PI或PET)所組成之基材。
含有氧化銦之層較佳地利用塗佈法生產，該塗佈法係選自印刷法(尤其為快乾/凹版印刷、噴墨印刷、套版印刷、數位套版印刷和網版印刷)、噴霧法、旋轉式塗佈法(〝旋轉塗佈〞)、浸塗法(〝浸漬塗佈〞)及選自彎液面塗佈(meniscus coating)、狹縫塗佈、狹縫模具式塗佈和淋幕式塗佈之方法。塗佈法係以印刷法最佳。
在塗佈之後及轉化之前，可將經塗佈之基材另外乾燥。就此目的的對應措施及條件為那些熟諳本技術者所知。
轉化成含有氧化銦之層可藉由熱途徑及/或藉由以電磁(尤其為光化)輻射照射來完成。優先選擇以利用溫度大於150℃之熱途徑來轉化。然而，當使用250℃至360℃之溫度來轉化時，可達成特別好的結果。
典型地使用數秒至高達數小時之轉化時間。
熱轉化可另外藉由在熱處理之前、期間或之後射入UV、IR或VIS輻射或以空氣或氧處理經塗佈之基材而促進。
根據本發明之方法所獲得的層品質可另外藉由經組合之熱與氣體處理(以H2或O2)、電漿處理(Ar、N2、O2或H2電漿)、雷射處理(以UV、VIS或IR範圍內之波長)或臭氧處理而進一步改進，該處理係在轉化步驟之後。
本發明進一步提供利用本發明之烷醇側氧基銦可生產的含有氧化銦之層。從本發明之烷醇側氧基銦可生產且為純氧化銦層的含有氧化銦之層具有特別好的性質。
由於用於從液相生產含有氧化銦之層的本發明之烷醇側氧基銦好的適用性，使本發明進一步提供本發明之烷醇側氧基銦用於製備液體塗料組成物的用途。應暸解液體塗料組成物意謂那些在SATP條件下(〝標準周圍溫度及壓力〞；T=25℃及p=1013 hPa)及在施加於待塗佈之基材時呈液體形式的組成物。
本發明之烷醇側氧基銦另外有利地適合於電子組件之生產，尤其電晶體(尤其為薄層電晶體)、顯示器、RFID標籤、電路、二極體、感應器或太陽能電池之生產。
下列的實例意欲詳細例證而非限制本發明之主題。
操作實例：
1a)供使用的鹵烷醇銦(III)或鹵烷醇側氧基銦(III)(中間物)之合成法
在已不含殘餘水份的500毫升玻璃圓底燒瓶中，將5.0公克氯化銦(III)(InCl3，22.5毫莫耳)在保護性氣體氛圍下以攪拌溶解在250毫升無水甲醇中，其留下＜10重量%(以起始重量為基準計)之InCl3殘餘物。利用質量流動控制器控制計量添加之二甲胺鹼(相當於111毫莫耳之5.0公克)且其係於5小時期間內添加。接著將溶液完全蒸發，且將剩餘固體以250毫升無水甲醇溶解，在N2保護性氣體下過濾，以無水甲醇重複清洗且在室溫下及減壓下(＜10毫巴)經12小時乾燥。產物的產率＞80莫耳%。
1b)In6(O)2(μ2-OC2H5)6(μ2-CH3CH(O)COOC2H5)2(Cl)6(HOC2H5)2(HN(CH3)2)2之合成法
在已不含殘餘水份的250毫升玻璃圓底燒瓶中，將根據1a)所獲得的5.0公克產物在保護性氣體氛圍下溶解在100毫升乙醇中。將所形成的略混濁之溶液過濾且添加5毫升乳酸乙酯。在室溫下攪拌1小時之後，添加用於形成晶體的5毫升乙酸丁酯。在2天之後，將所形成的晶體分離及分析。產物為In6(O)2(μ2-OC2H5)6(μ2-CH3CH(O)COOC2H5)2(Cl)6(HOC2H5)2(HN(CH3)2)2，其具有圖1中所示之晶體結構。
1c)氧化銦層之生產
具有約15毫米之邊緣長度及具有約200奈米之氧化矽塗層厚度和ITO/金之指狀結構的經摻雜之矽基材係藉由旋轉塗佈(2000 rpm)以100微升在乙醇中的含有1b)中所形成之產物的5重量%之溶液塗佈。在塗佈操作之後，將經塗佈之基材在空氣下以260℃或350℃之溫度熱處理1小時。
本發明之塗層顯示(參考表1)至高達2平方公分/Vs之電荷載子遷移率(在閘極-源極電壓30 V，源極-汲極電壓30 V，通道寬度0.2公分及通道長度20微米下)。
圖1.In6O2Cl6(μ2-OCH2CH3)6(μ2-CH3CH(O)COOCH2CH3)2(HOC2H5)2(HN(CH3)2)2之晶體結構。

Claims (11)

  1. 一種通式In6O2X6(OR)6(R’CH(O)COOR”)2(HOR)x(HNR”’2)y之鹵化烷醇側氧基銦(indium oxo alkoxide)，其中- X=F、Cl、Br及/或I，- R-C1-C15-烷基、C1-C15-烯基、C1-C15-炔基、C1-C15-烷氧基烷基、C6-C15-芳基-及/或C7-C15-烷氧基芳基，- R’=C1-C15-烷基、C1-C15-烯基、C1-C15-炔基、C1-C15-烷氧基烷基、C6-C15-芳基-及/或C7-C15-烷氧基芳基，- R”=C1-C15-烷基、C1-C15-烯基、C1-C15-炔基、C1-C15-烷氧基烷基、C6-C15-芳基-及/或C7-C15-烷氧基芳基，- R”’=C1-C15-烷基、C1-C15-烯基、C1-C15-炔基、C1-C15-烷氧基烷基、C6-C15-芳基-及/或C7-C15-烷氧基芳基，- x=0至10及- y=0至10。
  2. 根據申請專利範圍第1項之烷醇側氧基銦，其中該烷醇側氧基銦對應於式In6O2Cl6(OCH2CH3)6(CH3CH(O)COOCH2CH3)2(HN(CH3)2)2。
  3. 一種製備根據申請專利範圍第1項之烷醇側氧基銦的方法，其特徵在於 -將式InX3(其中X=F、Cl、Br及/或I)之銦(III)鹽轉化，該轉化係-先在醇ROH的存在下，其中R=C1-C15-烷基、C1-C15-烯基、C1-C15-炔基、C1-C15-烷氧基烷基、C6-C15-芳基-及/或C7-C15-烷氧基芳基，-及在通式HNR”’2之二級胺的存在下，其中R”’=C1-C15-烷基、C1-C15-烯基、C1-C15-炔基、C1-C15-烷氧基烷基、C6-C15-芳基-及/或C7-C15-烷氧基芳基，-得到鹵烷醇銦(III)加成物或鹵烷醇側氧基銦(III)加成物，接著-將其與至少一種α-羥基酯R’CH(OH)COOR”反應，-其中R’=C1-C15-烷基、C1-C15-烯基、C1-C15-炔基、C1-C15-烷氧基烷基、C6-C15-芳基-及/或C7-C15-烷氧基芳基，-及R”=C1-C15-烷基、C1-C15-烯基、C1-C15-炔基、C1-C15-烷氧基烷基、C6-C15-芳基-及/或C7-C15-烷氧基芳基。
  4. 根據申請專利範圍第3項之烷醇側氧基銦製備方法，其中形成為中間物的該鹵烷醇銦(III)加成物對應於通式InX(OR)2(HNR”’2)y，其中- X=F、Cl、Br或I，- R=C1-C15-烷基、C1-C15-烯基、C1-C15-炔基、C1-C15-烷氧基烷基、C6-C15-芳基-及/或C7-C15-烷氧基芳 基，- R”’=C1-C15-烷基、C1-C15-烯基、C1-C15-炔基、C1-C15-烷氧基烷基、C6-C15-芳基-及/或C7-C15-烷氧基芳基，及- y=0至10。
  5. 根據申請專利範圍第4項之烷醇側氧基銦製備方法，其中該鹵烷醇銦(III)加成物係選自由InCl(OCH3)2(HNMe2)2、InCl(OCH2CH3)2(HNMe2)2、InCl(OCH2CH2CH3)2(HNMe2)2、InCl(OCH(CH3)2)2(HNMe2)2、InCl(OCH2CH2CH2CH3)2(HNMe2)2、InCl(OCH(CH3)(CH2CH3))2(HNMe2)2及InCl(OC(CH3)3)2(HNMe2)2所組成之化合物群組。
  6. 根據申請專利範圍第3至5項中任一項之烷醇側氧基銦製備方法，其中所使用之該α-羥基酯係選自由乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸正丙酯及乳酸丁酯所組成之群組。
  7. 根據申請專利範圍第3至5項中任一項之方法，其中該方法係在醇系溶液中進行，且該醇選自由HOCH3、HOCH2CH3、HOCH2CH2CH3、HOCH(CH3)2、HOCH2CH2CH2CH3、HOCH(CH3)(CH2CH3)及HOC(CH3)3所組成之群組。
  8. 一種根據申請專利範圍第1或2項之烷醇側氧基銦的用途，其係用於生產含氧化銦之塗料。
  9. 一種根據申請專利範圍第1及2項中任一項之烷醇 側氧基銦的用途，其係用於生產液體塗料組成物。
  10. 一種根據申請專利範圍第1及2項中任一項之烷醇側氧基銦的用途，其係用於生產電子組件。
  11. 根據申請專利範圍第10項之烷醇側氧基銦的用途，其係用於生產電晶體、顯示器、RFID標籤、電路、二極體、感應器或太陽能電池。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007018431A1 (de) * 2007-04-19 2008-10-30 Evonik Degussa Gmbh Pyrogenes Zinkoxid enthaltender Verbund von Schichten und diesen Verbund aufweisender Feldeffekttransistor
DE102008058040A1 (de) * 2008-11-18 2010-05-27 Evonik Degussa Gmbh Formulierungen enthaltend ein Gemisch von ZnO-Cubanen und sie einsetzendes Verfahren zur Herstellung halbleitender ZnO-Schichten
DE102009028802B3 (de) 2009-08-21 2011-03-24 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung Metalloxid-haltiger Schichten, nach dem Verfahren herstellbare Metalloxid-haltige Schicht und deren Verwendung
DE102010031592A1 (de) 2010-07-21 2012-01-26 Evonik Degussa Gmbh Indiumoxoalkoxide für die Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten
DE102010031895A1 (de) 2010-07-21 2012-01-26 Evonik Degussa Gmbh Indiumoxoalkoxide für die Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten
DE102010043668B4 (de) 2010-11-10 2012-06-21 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung von Indiumoxid-haltigen Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-haltige Schichten und ihre Verwendung
DE102011084145A1 (de) 2011-10-07 2013-04-11 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung von hochperformanten und elektrisch stabilen, halbleitenden Metalloxidschichten, nach dem Verfahren hergestellte Schichten und deren Verwendung
DE102012209918A1 (de) * 2012-06-13 2013-12-19 Evonik Industries Ag Verfahren zur Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten
DE102013212019A1 (de) * 2013-06-25 2015-01-08 Evonik Industries Ag Formulierungen zur Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung
DE102013212018A1 (de) * 2013-06-25 2015-01-08 Evonik Industries Ag Metalloxid-Prekursoren, sie enthaltende Beschichtungszusammensetzungen, und ihre Verwendung
DE102013212017A1 (de) * 2013-06-25 2015-01-08 Evonik Industries Ag Verfahren zur Herstellung von Indiumalkoxid-Verbindungen, die nach dem Verfahren herstellbaren Indiumalkoxid-Verbindungen und ihre Verwendung
DE102014202718A1 (de) 2014-02-14 2015-08-20 Evonik Degussa Gmbh Beschichtungszusammensetzung, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung
RU2649147C1 (ru) * 2017-06-20 2018-03-30 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кубанский государственный университет" (ФГБОУ ВО "КубГУ") Трис(n,n-диэтилкарбамат) индия, способ его получения и получение пленок оксида индия на его основе

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040043630A1 (en) * 2002-08-28 2004-03-04 Micron Technology, Inc. Systems and methods for forming metal oxides using metal organo-amines and metal organo-oxides
JP2007042689A (ja) * 2005-07-29 2007-02-15 Fujifilm Holdings Corp 金属アルコキシド溶液、それを用いた半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS577017A (en) * 1980-06-13 1982-01-14 Nippon Soda Co Transparent conductive film forming composition
JPS5891030A (ja) * 1981-11-24 1983-05-30 Sumitomo Chem Co Ltd 無機質焼成体製造用組成物
US4391743A (en) * 1981-11-30 1983-07-05 Nippon Soda Company Limited Composition for depositing metallic oxide film coatings
RU2181389C2 (ru) * 1999-06-29 2002-04-20 Омский научно-исследовательский институт приборостроения Способ получения прозрачной электропроводящей пленки на основе оксидов индия и олова
JP2004231495A (ja) * 2003-01-31 2004-08-19 Nippon Shokubai Co Ltd 金属酸化物膜の製造方法
JP2005272737A (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Japan Science & Technology Agency 金属酸化物薄膜前駆体の製造方法及びその利用
JP2006045083A (ja) * 2004-08-02 2006-02-16 Asahi Denka Kogyo Kk 薄膜形成用原料、薄膜の製造方法及び金属化合物
US8227040B2 (en) 2006-12-29 2012-07-24 3M Innovative Properties Company Method of curing metal alkoxide-containing films
DE102009009337A1 (de) 2009-02-17 2010-08-19 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung halbleitender Indiumoxid-Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-Schichten und deren Verwendung
DE102009009338A1 (de) 2009-02-17 2010-08-26 Evonik Degussa Gmbh Indiumalkoxid-haltige Zusammensetzungen, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung
DE102009028801B3 (de) 2009-08-21 2011-04-14 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten, nach dem Verfahren herstellbare Indiumoxid-haltige Schicht und deren Verwendung
DE102009028802B3 (de) 2009-08-21 2011-03-24 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung Metalloxid-haltiger Schichten, nach dem Verfahren herstellbare Metalloxid-haltige Schicht und deren Verwendung
DE102009054998A1 (de) 2009-12-18 2011-06-22 Evonik Degussa GmbH, 45128 Verfahren zur Herstellung von Indiumchlordialkoxiden
DE102009054997B3 (de) 2009-12-18 2011-06-01 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung von Indiumoxid-haltigen Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-haltige Schichten und ihre Verwendung
DE102010031592A1 (de) 2010-07-21 2012-01-26 Evonik Degussa Gmbh Indiumoxoalkoxide für die Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten
DE102010031895A1 (de) * 2010-07-21 2012-01-26 Evonik Degussa Gmbh Indiumoxoalkoxide für die Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten
DE102010043668B4 (de) 2010-11-10 2012-06-21 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung von Indiumoxid-haltigen Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-haltige Schichten und ihre Verwendung

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040043630A1 (en) * 2002-08-28 2004-03-04 Micron Technology, Inc. Systems and methods for forming metal oxides using metal organo-amines and metal organo-oxides
JP2007042689A (ja) * 2005-07-29 2007-02-15 Fujifilm Holdings Corp 金属アルコキシド溶液、それを用いた半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス

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