TWI546986B - 發光元件、發光元件陣列以及發光元件的製造方法 - Google Patents

Description

發光元件、發光元件陣列以及發光元件的製造方法

本發明是有關於一種發光元件、發光元件陣列以及發光元件的製造方法，且特別是有關於一種可提高發光效率以及發光區的亮度均勻性的發光元件、發光元件陣列以及發光元件的製造方法。

隨著半導體科技的進步，現今的發光二極體已具備了高亮度的輸出，再加上發光二極體具有諸如壽命長、體積小、高抗震性、低熱產生及低功率消耗等優點，因此已被廣泛應用於家用及各種設備中的指示器或光源。近年來，發光二極體已朝高功率發展，因此其應用領域已擴展至道路照明、大型戶外看板、交通號誌燈及相關領域。如今，發光二極體已成為兼具省電及環保功能的主要照明光源以及常用的顯示元件。

然而，就現有以發光二極體作為光源的發光元件的結構 而言，較不易將發光二極體發出之光線收斂集中。因此，如何提高發光元件之發光效率以及發光區的亮度均勻性，已成為亟待解決的課題。

本發明提供一種發光元件、發光元件陣列以及發光元件的製造方法，有助於提高發光效率以及發光區的亮度均勻性。

本發明提出一種發光元件，其包括透光基板、第一電極、第二電極、發光二極體晶片、反射杯(reflector)以及透光封裝材。第一電極配置於透光基板上。發光二極體晶片接觸第一電極與第二電極。反射杯配置於透光基板上並罩覆發光二極體晶片與第一電極。透光封裝材填充於透光基板、反射杯與發光二極體晶片的側壁之間。

本發明提出一種發光元件陣列，其包括透光基板、多個第一電極、多個第二電極、多個發光二極體晶片、多個反射杯以及多個透光封裝材。這些第一電極配置於透光基板上。各個發光二極體晶片接觸一個第一電極與一個第二電極。這些反射杯配置於透光基板上並罩覆一個發光二極體晶片與一個第一電極。透光封裝材填充於基板、一個反射杯與一個發光二極體晶片的側壁之間。

本發明提出一種發光元件的製造方法，其包括以下步驟。首先，在透光基板上形成第一電極。接著，在第一電極上配 置發光二極體晶片。接著，在透光基板上填充透光封裝材並環繞發光二極體晶片的側壁。之後，第二電極與一反射杯形成於發光二極體晶片上，其中第二電極接觸發光二極體晶片，反射杯並罩覆發光二極體晶片、透光封裝材與第一電極。

本發明另提出一種發光元件，其包括透光基板、第一電極、第二電極、發光二極體晶片以及波長轉換層。第一電極配置於透光基板上。發光二極體晶片配置於第一電極與第二電極之間並電性連接兩者。波長轉換層配置於第一電極與發光二極體晶片之間並電性連接兩者，或配置於第二電極與發光二極體晶片之間並電性連接兩者。

本發明另提出一種發光元件陣列，其包括透光基板、多個第一電極、多個第二電極、多個發光二極體晶片以及多的波長轉換層。這些第一電極配置於透光基板上。這些發光二極體晶片分別配置於一個第一電極與一個第二電極之間並電性連接兩者。波長轉換層配置於一個第一電極與一個發光二極體晶片之間並電性連接兩者，或配置於一個第二電極與一個發光二極體晶片之間並電性連接兩者。

基於上述，本發明的發光元件利用反射杯的設計，可以讓發光二極體晶片所發出之光線集中從透光基板射出，從而提高其發光效率。並且，電性連接於第一電極與發光二極體晶片之間的波長轉換層，或電性連接於第二電極與發光二極體晶片之間的波長轉換層，可將發光二極體晶片所發出之光線轉換為面光源， 進而提升發光區的亮度均勻性。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

100A~100I‧‧‧發光元件

110‧‧‧透光基板

120、120a‧‧‧第一電極

130、130a‧‧‧發光二極體晶片

140‧‧‧透光封裝材

150、150a、150b、150c‧‧‧第二電極

160、160a、160b‧‧‧反射杯

170、170a‧‧‧遮光圖案

180、180a‧‧‧絕緣圖案

190、190a、190b‧‧‧波長轉換層

191a‧‧‧螢光粉

192a‧‧‧導電膜

200‧‧‧發光元件陣列

201‧‧‧發光元件

201a‧‧‧發光二極體晶片

201b‧‧‧第一電極

201c‧‧‧第二電極

210‧‧‧透光基板

211‧‧‧掃瞄線

212‧‧‧資料線

213‧‧‧主動元件

214‧‧‧共同配線

圖1A至圖1D是本發明一實施例的發光元件的製造方法的剖面流程示意圖。

圖2A至圖2D分別是圖1A至圖1D的俯視示意圖。

圖3A是本發明另一實施例的發光元件的剖面示意圖。

圖3B是圖3A的發光元件的俯視示意圖。

圖4A是本發明另一實施例的發光元件的剖面示意圖。

圖4B是圖4A的發光元件的俯視示意圖。

圖5A是本發明另一實施例的發光元件的剖面示意圖。

圖5B是圖5A的發光元件的俯視示意圖。

圖6A是本發明另一實施例的發光元件的剖面示意圖。

圖6B是圖6A的發光元件的俯視示意圖。

圖7A是本發明另一實施例的發光元件的剖面示意圖。

圖7B是圖7A的波長轉換層的微觀示意圖。

圖8是本發明另一實施例的發光元件的剖面示意圖。

圖9是本發明另一實施例的發光元件的剖面示意圖。

圖10是本發明另一實施例的發光元件的剖面示意圖。

圖11是本發明一實施例的發光元件陣列的線路示意圖。

圖1A至圖1D是本發明一實施例的發光元件的製造方法的剖面流程示意圖。圖2A至圖2D分別是圖1A至圖1D的俯視示意圖。如圖1A所示，首先於在透光基板110上形成第一電極120，透光基板110的材質可為玻璃、石英、有機聚合物、或是可撓性材料，以提高發光元件的機械強度並提供良好的光線穿透性，而第一電極120的材質例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物或鋁鋅氧化物等透明導電材質或金屬。如圖2A所示，第一電極120大致上形成於透光基板110的中央區域。

接著，如圖1B所示，在第一電極120上配置發光二極體晶片130，其中發光二極體晶片130例如是透過微元件移轉法(micro-device transfer method)以微機械裝置挾持並且裝設於透光基板110上，而發光二極體晶片130例如是透過焊接方式將其陽極接合於第一電極120上，但本發明不以此為限，且彼此電性連接，如圖2B所示。通常而言，第一電極120例如是與驅動線路(圖未示)相連接，藉此驅動訊號可透過驅動線路(圖未示)而傳送至發光二極體晶片130，以驅動發光二極體晶片130。就其製程而言，驅動線路(圖未示)與第一電極120例如是同時形成於透光基板110上，或依序形成於透光基板110上，其中驅動線路(圖未示)與第一電極120可由相同或不同的透明或不透明導電 材質所構成，對此本發明皆不加以限制。

完成上述製程後，如圖1C所示，在透光基板110上填充透光封裝材140，透光封裝材料140例如是環氧樹脂，可藉由熱固化的方式將其固定於透光基板110上。此外，透光封裝材料140可防止水氣入侵至發光二極體晶片130，以維持其性能與使用壽命。進一步而言，透光封裝材140環繞發光二極體晶片130的側壁，以提供發光二極體晶片130發出之光線的折射或散射所用。此外，透光封裝材140暴露出發光二極體晶片130的電極(如圖2C所示)，以於後續製程中作為與其他電極接合所用。

最後，如圖1D所示，形成第二電極150與反射杯160於發光二極體晶片130上，其中第二電極150與反射杯160是由圖案化同一金屬層而形成的，也就是說，第二電極150為反射杯160的一部份。第二電極150與反射杯160例如是由銀或鋁等高反射之金屬導電材所構成。其中，第二電極150接觸發光二極體晶片130而相互電性連接。至此，發光元件100A的製造已大致完成。

如圖1D與圖2D所示，反射杯160罩覆了發光二極體晶片130、透光封裝材140與第一電極120，而透光封裝材140填充於透光基板110、反射杯160與發光二極體晶片130的側壁之間。發光二極體晶片130發出之光線若非通過透光基板110而直接射出，也會藉由反射杯160的反射後再經由透光基板110傳遞至外界。換言之，發光元件100A所發出的光線中背向透光基板110的部分，仍可藉由反射杯160而反射至外界，藉此提高發光效率。

雖然本發明以上述實施例的發光元件100A的製造方法及其結構配置為範例做介紹，但非用以限制本發明，亦可視其需求而調整其製造流程及其結構配置。圖3A是本發明另一實施例的發光元件的剖面示意圖。圖3B是圖3A的發光元件的俯視示意圖。如圖3A以及圖3B所示，相較於發光元件100A的製造流程與結構配置而言，在本實施例的發光元件100B中，是在形成第一電極120之前，更在透光基板110上形成遮光圖案170。發光二極體晶片130被遮光圖案170環繞，且反射杯160的外緣例如是位於遮光圖案170上。

詳細而言，遮光圖案170可經由圖案化製程形成透光基板110上，其例如是如是由高反射材所構成，也因此，發光元件100B可同時藉由反射杯160與遮光圖案170將發光二極體晶片130發出之光線反射至外界，藉此提高發光效率。在本實施例中，遮光圖案170是以封閉的環狀圖案作為舉例說明，然而在其他未繪示的實施例中，遮光圖案170亦可為非封閉的環狀圖案，其於透光基板110上的正投影例如是呈現U型或L型等圖案，本發明對此不加以限制。

圖4A是本發明另一實施例的發光元件的剖面示意圖。圖4B是圖4A的發光元件的俯視示意圖。如圖4A以及圖4B所示，相較於發光元件100B的製造流程與結構配置而言，在本實施例的發光元件100C中，在形成遮光圖案170之後，更形成絕緣圖案180覆蓋遮光圖案170，其中絕緣圖案180可藉由薄膜沉積法(thin film deposition)形成於遮光圖案170上，其材質例如是二氧化矽或氮化矽。絕緣圖案180的材質也可以是常用於製作黑色矩陣的黑色樹脂。遮光圖案170例如是如是由銀或鋁等高反射之金屬導電材所構成。

不同於上述實施例的是，發光元件100C的驅動線路可以是遮光圖案170，而第一電極120電性連接至遮光圖案170，藉此驅動訊號可透過驅動線路(遮光圖案170)而傳送至發光二極體晶片130，以驅動發光二極體晶片130。具體而言，絕緣圖案180暴露出部份的遮光圖案170，而第一電極120進一步延伸至遮光圖案170未被絕緣圖案180覆蓋的部份以與其電性連接。另一方面，反射杯160的外緣位於遮光圖案170中方的絕緣圖案180上，藉此遮光圖案170可與反射杯160電性絕緣。如此配置下，亦可達到相同於上述實施例的技術功效。

圖5A是本發明另一實施例的發光元件的剖面示意圖。圖5B是圖5A的發光元件的俯視示意圖。如圖5A以及圖5B所示，相較於發光元件100C的製造流程與結構配置而言，在本實施例的發光元件100D中，是在形成第二電極150之後與形成反射杯160之前，更配置波長轉換層190於透光封裝材140與第二電極150上，而反射杯160配置於波長轉換層190上。也就是說，在本實施例中，第二電極150與反射杯160並非圖案化同一金屬層所形成，其中第二電極150的材質例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物或鋁鋅氧化物等透明導電材質或金屬。此外，波長轉換層190內例 如散佈螢光粉，可藉由塗佈的方式形成於透光封裝材140與第二電極150上。

具體而言，發光二極體晶片130發出之光線若非通過透光基板110而直接射出，則會進一步照射至波長轉換層190上，而波長轉換層190不僅可作為光散射所用，亦可在受到前述光線的激發後發出其他的光線(例如可見光)。換言之，本實施例的發光元件100D可採用發出不可見光的發光二極體晶片130，而不可見光由波長轉換層190轉換為可見光，這些可見光若非通過透光基板110而直接射出，亦會藉由反射杯而反射至外界，藉此提高發光效率。另外，在其他可能的實施例中，波長轉換層190也可以配置於透光封裝材140與透光基板110之間，也就是透光基板110的表面。或者，也可以直接在透光封裝材140內散佈波長轉換材例如螢光粉。

圖6A是本發明另一實施例的發光元件的剖面示意圖。圖6B是圖6A的發光元件的俯視示意圖。如圖6A以及圖6B所示，相較於發光元件100D的製造流程與結構配置而言，在本實施例的發光元件100E中，是在形成第二電極150與反射杯160之前，更配置波長轉換層190於透光封裝材140上，而反射杯160配置於波長轉換層190上。也就是說，在本實施例中，第二電極150與反射杯160例如是圖案化同一金屬層所形成。

更進一步而言，本實施例的波長轉換層190可具有導電功能，因此波長轉換層190內除了例如散佈有螢光粉之外亦散佈 有導電材。換言之，不同於發光元件100D的是，發光元件100E的第二電極150並不與發光二極體晶片130直接接觸，而是透過配置於透光封裝材140與反射杯160之間的波長轉換層190相互電性連接。另一方面，由於波長轉換層190可具有導電功能，因此本實施例的第二電極120的配置方式例如是相同於發光元件100A，如此為之，可避免第二電極120接觸到波長轉換層190而發生短路的情形。

圖7A是本發明另一實施例的發光元件的剖面示意圖。如圖7A所示，相較於發光元件100C的結構配置而言，在本實施例的發光元件100F中，第二電極150a可以成條狀或是類樹枝狀不完全罩覆發光二極體晶片130a與第一電極120a，或是罩覆發光二極體晶片130a與第一電極120a，其中第二電極150a的外緣位於遮光圖案170a上方的絕緣圖案180a上。具體而言，第二電極150a例如是銀或鋁等高反射之金屬導電材經由圖案化製程而形成的，因此，發光二極體晶片130a發出之光線若非通過透光基板110而直接射出，也會藉由第二電極150a的反射後再經由透光基板110傳遞至外界，藉此提高發光效率。雖然圖中繪示兩個發光二極體晶片130a，但在其他未繪示的實施例中，亦可設置一個或多於兩個的發光二極體晶片，本發明對此不加以限制。

另一方面，第一電極120a的兩端分別電性連接於遮光圖案170a，其中第一電極120a的兩端皆由絕緣圖案180a所覆蓋，也就是說，絕緣圖案180a可將第一電極120a與第二電極150a分 隔開來，以避免發生短路的情形。在本實施例中，發光元件100F更包括波長轉換層190a，其中波長轉換層190a配置於第一電極120a與發光二極體晶片130a之間並電性連接兩者。由於遮光圖案170a與絕緣圖案180a例如是封閉的環狀圖案，其所環繞的區域大致上定義出發光元件100F的發光區，而波長轉換層190a例如是全面性地鋪設於前述發光區上，因此發光二極體晶片130a所發出的光線在經由透光基板110傳遞至外界之前會先通過波長轉換層190a。具體而言，波長轉換層190a不僅可作為光散射所用，以將前述光線轉換為面光源，從而提升發光區的亮度均勻性，亦可在受到前述光線的激發後發出其他不同波長的光線。舉例而言，本實施例的發光元件100F可採用發出單一光源(例如紫外光、藍光)的發光二極體晶片130a，而前述單一光源可藉由波長轉換層190a激發為紅光、綠光或藍光，以達成全彩顯示且避免漏光的情形產生。

圖7B是圖7A的波長轉換層的微觀示意圖。如圖7B所示，進一步而言，波長轉換層190a可包括螢光粉191a以及包裹螢光粉191a的導電膜192a，其中導電膜192a的材質例如是金屬氧化物透明導電薄膜，之後由導電膜192a包覆的螢光粉會摻入膠材內，以利於圖案化製程的進行。通常而言，可透過溶膠凝膠法(sol-gel method)將螢光粉191a包覆於導電膜192a，以下是以含鋁摻雜之氧化鋅(Zno：Al)的導電膜192a的製程作為舉例說明。

首先，在燒瓶中加入醋酸鋅與硝煙鋁等前驅物以及溶劑 例如是異丙醇(IPA)。接者，將上述燒瓶內的前驅物與溶劑加熱到適當溫度後加入螢光粉191a並於均勻混合後濾乾，此時螢光粉191a的表面即會形成凝膠(gel)。之後，針對表面形成有凝膠的螢光粉191a進行煆燒製程(calcination)，通過高溫煆燒後的凝膠即可形成含鋁摻雜之氧化鋅的導電膜192a。一般而言，前述膠材例如是可被燒除的黏著劑(binder)，主要是由乙基纖維素(ethyl cellulose)或聚乙烯醇(PVA)所構成，前述黏著劑可與粒子均勻混合以利於後續製程使用，並且前述黏著劑不必然於製程中被燒除，可依實際需求將其保留。另一方面，波長轉換層190a亦可包括多個擴散粒子(圖未示)，這些擴散粒子散佈於波長轉換層190a內，因此當前述光線通過波長轉換層190a時，可藉由擴散粒子來提高光散射率。

圖8是本發明另一實施例的發光元件的剖面示意圖。如圖8所示，相較於發光元件100F的結構配置而言，在本實施例的發光元件100G中，第二電極150與反射杯160a是由圖案化同一金屬層而形成的，也就是說，第二電極150b例如是反射杯160a的一部分。此時，第二電極150b的外緣並未位於遮光圖案170a上方的絕緣圖案180a上，且第二電極150b例如是塊狀電極，但本發明不限於此。在其他未繪示的實施例中，第二電極150b亦可以是同時與兩個發光二極體晶片130a電性連接的條狀電極，或者是同時與兩個發光二極體晶片130a電性連接的類樹枝狀的電極結構。

圖9是本發明另一實施例的發光元件的剖面示意圖。如圖9所示，相較於發光元件100G的結構配置而言，在本實施例的發光元件100H中，其第二電極150c設置於反射杯160b的內面(亦即面向透光基板的表面)，也就是說，第二電極150c與反射杯160b並非圖案化同一金屬層所形成，其中第二電極150c的材質例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物或鋁鋅氧化物等透明導電材質。此時，第二電極150c的外緣並未位於遮光圖案170a上方的絕緣圖案180a上，且第二電極150c例如是個別與兩個發光二極體晶片130a電性連接的塊狀電極，但本發明不限於此。在其他未繪示的實施例中，第二電極150c亦可以是同時與兩個發光二極體晶片130a電性連接的條狀電極，或者是同時與兩個發光二極體晶片130c電性連接的類樹枝狀的電極結構。

圖10是本發明另一實施例的發光元件的剖面示意圖。如圖10所示，相較於發光元件100F的結構配置而言，在本實施例的發光元件100I中，其更包括配置於第二電極150a與發光二極體晶片130a之間並電性連接兩者的波長轉換層190b，其中波長轉換層190b大致與波長轉換層190a相同。因此，發光二極體晶片130a發出之光線若非通過透光基板110而直接射出，則會進一步照射至波長轉換層190b上，而波長轉換層190b不僅可作為光散射所用，亦可在受到前述光線的激發後發出其他不同波長的光線，並經由第二電極150a反射至透光基板110。由於波長轉換層190a與波長轉換層190b個別設置於發光二極體晶片130a的相對兩側， 且波長轉換層190a例如是全面性地鋪設於前述發光區上，波長轉換層190b例如是全面性地鋪設於第二電極150a的內面(亦即面向透光基板110的表面)，因此發光二極體晶片130a所發出的光線的轉換效率與光散射率可獲得顯著的提升，從而提高發光元件100I的發光效率以及發光區的亮度均勻性。基於此，圖8的發光元件100G與圖9的發光元件100H亦可參照上述說明，分別於反射杯160a與160b的內面全面性地鋪設波長轉換層190b，而第二電極150b與150c個別藉由波長轉換層190b電性連接於發光二極體晶片130a，以達到上述的技術功效。

圖11是本發明一實施例的發光元件陣列的線路示意圖。如圖11所示，在本實施例中，發光元件陣列200包括了多個陣列排列的發光元件201，而發光元件201可以是前述多個可能實施例的發光元件100A至100I的其中之一，發光元件201的發光二極體晶片201a(例如是前述多個可能實施例中的發光二極體晶片130或130a)可用以發出紅光、綠光、藍光、不可見光或其他光線，或者是發出單一光源(例如紫外光)並藉由波長轉換層激發為紅光、綠光或藍光，以達成全彩顯示且避免漏光的情形產生，本發明對此不加以限制。

具體而言，發光元件陣列200更包括配置於透光基板210上的多個掃瞄線211、多個資料線212、多個主動元件213以及至少一共同配線214，這些掃瞄線211與資料線212垂直交錯排列於透光基板210上。各個主動元件213例如是薄膜電晶體(TFT)， 分別電性連接其中一條掃瞄線211與其中一條資料線212。另一方面，每個主動元件213電性連接其中一個第一電極201b，其中第一電極201b可以是前述多個可能實施例中的第一電極120。共同配線214平行於掃瞄線211且位於任兩相鄰的掃瞄線211之間，其電性連接這些第二電極201c，而第二電極201c可以是前述多個可能實施例中的第二電極150。

詳細而言，主動元件213的閘極連接至掃瞄線211，汲極連接至資料線212，而源極則連接至與發光二極體晶片201a接觸的第一電極201b。在同一條掃瞄線211上，每個主動元件213的閘極相互連接，因此當其中一條掃瞄線211施加足夠大的正電壓時，此掃瞄線211上的每個主動元件213的源極與汲極皆會被導通。此時，資料線212上所搭載的訊號會經由第一電極201b寫入發光元件201。由於每條資料線212可提供不同的電壓至第一電極201b，而共同配線214則提供相同的電壓至第二電極201c，因此各個第一電極201b與對應的各個第二電極201c之間可產生不同電壓差，以控制發光二極體晶片201a發出不同亮度的光線(例如是不同亮度的紅光、綠光或藍光)。

簡言之，由於構成此發光元件陣列200的發光元件201可以是前述多個可能實施例的發光元件100A至100I的其中一，因此發光元件陣列200整體發光效率以及發光區的亮度均勻性可獲得顯著的提升。

綜上所述，本發明發光元件利用反射杯的設計，可以讓 發光二極體所發出之光線集中從透光基板射出，從而提高其發光效率。此外，在形成反射杯而使其罩覆於發光二極體晶片之前，可進一步於第一電極與發光二極體晶片之間或第二電極與發光二極體晶片之間配置波長轉換層。波長轉換層不僅可作為光散射所用，以將發光二極體晶片所發出之光線轉換為面光源，進而提升發光區的亮度均勻性，亦可在受到發光二極體晶片所發出之光線的激發後發出其他不同波長的光線。換言之，本發明的發光元件亦可採用發出單一光源的發光二極體並藉由波長轉換層激發為紅光、綠光或藍光，以達成全彩顯示且避免漏光的情形產生，而這些不同色光若非通過透光基板而直接射出，亦會藉由反射杯而反射至外界，藉此提高發光效率。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100A‧‧‧發光元件

110‧‧‧透光基板

120‧‧‧第一電極

130‧‧‧發光二極體晶片

140‧‧‧透光封裝材

150‧‧‧第二電極

160‧‧‧反射杯

Claims (28)

1. 一種發光元件，包括：一透光基板；一第一電極，配置於該透光基板上；一第二電極；一發光二極體晶片，接觸該第一電極與該第二電極；一反射杯，配置於該透光基板上並罩覆該發光二極體晶片與該第一電極；以及一透光封裝材，填充於該透光基板、該反射杯與該發光二極體晶片的側壁之間。
2. 如申請專利範圍第1項所述的發光元件，其中該第二電極為該反射杯的一部份。
3. 如申請專利範圍第2項所述的發光元件，更包括一波長轉換層，配置於該透光封裝材與該反射杯之間。
4. 如申請專利範圍第1項所述的發光元件，更包括一遮光圖案，配置於該透光基板上，其中該發光二極體晶片被該遮光圖案環繞。
5. 如申請專利範圍第4項所述的發光元件，更包括一絕緣圖案，其中該遮光圖案的材質為金屬，該第一電極電性連接至該遮光圖案，該絕緣圖案覆蓋該遮光圖案，且該反射杯的外緣位於該遮光圖案上方的該絕緣圖案上。
6. 如申請專利範圍第5項所述的發光元件，其中該遮光圖案 與該絕緣圖案為封閉環狀。
7. 如申請專利範圍第1項所述的發光元件，更包括一波長轉換層，配置於該透光封裝材與該反射杯之間，且該波長轉換層隔絕該反射杯與該第二電極。
8. 如申請專利範圍第1項所述的發光元件，更包括一波長轉換材，散佈於該透光封裝材內。
9. 如申請專利範圍第1項所述的發光元件，更包括一波長轉換層，配置於該第一電極與該發光二極體晶片之間並電性連接兩者。
10. 一種發光元件陣列，包括：一透光基板；多個第一電極，陣列配置於該透光基板上；多個第二電極；多個發光二極體晶片，其中各該發光二極體晶片接觸一個該些第一電極與一個該些第二電極；多個反射杯，配置於該透光基板上，其中各該反射杯罩覆一個該些發光二極體晶片與一個該些第一電極；以及多個透光封裝材，其中各該透光封裝材填充於該基板、一個該些反射杯與一個該些發光二極體晶片的側壁之間。
11. 如申請專利範圍第10項所述的發光元件陣列，更包括：多個掃瞄線，配置於該透光基板上；多個資料線，配置於該透光基板上； 多個主動元件，配置於該透光基板上，其中各該主動元件電性連接一條該些掃瞄線與一條該些資料線，且各該主動元件電性連接一個該些第一電極；以及至少一共同配線，配置於該透光基板上，並電性連接該些第二電極。
12. 如申請專利範圍第10項所述的發光元件陣列，其中各該發光二極體晶片用以發出紅光、綠光或藍光。
13. 如申請專利範圍第10項所述的發光元件陣列，更包括多個波長轉換層，分別配置於一個該些第一電極與對應的一個該些發光二極體晶片之間並電性連接兩者。
14. 如申請專利範圍第10項所述的發光元件陣列，更包括多個波長轉換層，分別配置於一個該些第二電極與對應的一個該些發光二極體晶片之間並電性連接兩者。
15. 如申請專利範圍第10項所述的發光元件陣列，更包括多個波長轉換層，配置於一個該些透光封裝材與對應的一個該些反射杯之間，且該波長轉換層隔絕一個該些反射杯與一個該些第二電極。
16. 如申請專利範圍第10項所述的發光元件陣列，其中該些發光二極體晶片用以發出單一光源，並且藉由波長轉換層激發為紅光、綠光或藍光。
17. 一種發光元件，包括：一透光基板； 一第一電極，配置於該透光基板上；一第二電極；一發光二極體晶片，配置於該第一電極與該第二電極之間並電性連接兩者；以及一波長轉換層，配置於該第一電極與該發光二極體晶片之間並電性連接兩者，或配置於該第二電極與該發光二極體晶片之間並電性連接兩者。
18. 如申請專利範圍第17項所述的發光元件，更包括一透光封裝材，填充於該透光基板、該第二電極與該發光二極體晶片的側壁之間，其中該第二電極罩覆該發光二極體晶片與該第一電極。
19. 如申請專利範圍第17項所述的發光元件，更包括一遮光圖案，配置於該透光基板上，其中該發光二極體晶片被該遮光圖案環繞。
20. 如申請專利範圍第19項所述的發光元件，更包括一絕緣圖案，其中該遮光圖案的材質為金屬，該第一電極電性連接至該遮光圖案，該絕緣圖案覆蓋該遮光圖案。
21. 如申請專利範圍第20項所述的發光元件，其中該第二電極的外緣位於該遮光圖案上方的該絕緣圖案上。
22. 如申請專利範圍第20項所述的發光元件，其中該遮光圖案與該絕緣圖案為封閉環狀。
23. 如申請專利範圍第17項所述的發光元件，其中該波長轉換層包括螢光粉以及包裹螢光粉的導電膜。
24. 如申請專利範圍第23項所述的發光元件，其中該波長轉換層更包括多個擴散粒子。
25. 一種發光元件陣列，包括：一透光基板；多個第一電極，陣列配置於該透光基板上；多個第二電極；多個發光二極體晶片，分別配置於一個該些第一電極與一個該些第二電極之間並電性連接兩者；以及多個波長轉換層，分別配置於一個該些第一電極與一個該些發光二極體晶片之間並電性連接兩者，或配置於一個該些第二電極與一個該些發光二極體晶片之間並電性連接兩者。
26. 如申請專利範圍第25項所述的發光元件陣列，更包括：多個掃瞄線，配置於該透光基板上；多個資料線，配置於該透光基板上；多個主動元件，配置於該透光基板上，其中各該主動元件電性連接一條該些掃瞄線與一條該些資料線，且各該主動元件電性連接一個該些第一電極；以及至少一共同配線，配置於該透光基板上，並電性連接該些第二電極。
27. 如申請專利範圍第25項所述的發光元件陣列，其中各該發光二極體晶片用以發出紅光、綠光或藍光。
28. 如申請專利範圍第25項所述的發光元件陣列，其中該些發光二極體晶片用以發出單一光源，並且藉由波長轉換層激發為紅光、綠光或藍光。