TWI546851B - 利用晶圓接合技術之光調變器 - Google Patents

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Description

利用晶圓接合技術之光調變器 發明領域
本發明之實施例大體係關於電子裝置之領域，較特定地，關於一種用於利用晶圓接合技術的一光調變器之方法及裝置。
 發明背景
隨著網際網路及其他資料網路攜帶更多的資料量，基於光學的技術日益增長地被利用於資料發送。其中用於此等技術中的元件是光調變器，它們是調變光束的電子裝置。
特別地，一裝置，諸如一嵌在一矽波導器中的金氧半導體(MOS)電容器結構可被用以產生高速光相位調變。一矽光調變器是基於矽折射率的調變。
在習知光調變器中，多晶矽(polycrystalline)(通常稱為多晶矽(polysilicon)、多晶矽(poly-Si)，或多晶矽(poly))被用於製造一裝置，該多晶矽提供在該裝置中被調變的載光波導介質。多晶矽由多個矽晶體組成，且可透過某些處理，諸如以某一所需溫度熱解矽烷而被沉積於一半導體晶圓上。
然而，在一光調變器中使用多晶矽導致經過多晶矽波導器的高光損耗。光損耗因此限制材料在光調變裝置上的效用，特別是欲以高速操作的裝置中光損耗變得更大。另外，使用多晶矽可導致製造用於高速通信及互連應用的裝置的難度，包括在一裝置中接合其他組件的難度。
依據本發明之一實施例，係特地提出一種方法，其包含有下列步驟：蝕刻一絕緣體覆矽(SOI)晶圓，以在該SOI晶圓之一第一表面上製造一矽波導結構的一第一部份；準備一第二晶圓，該第二晶圓包括一晶體矽層，該第二晶圓包括一晶體矽第一表面；將該第二晶圓之該第一表面以一薄氧化物使用一晶圓接合技術接合至該SOI晶圓的該第一表面；其中該矽波導結構之一第二部份被蝕刻於該晶體矽層中。
圖式簡單說明
本發明之實施例藉由範例而無限制作用地被描繪於所附圖式中，其中相同參考數字指代相似元件。
第1圖是繪示一光調變器之製造的一實施例之流程圖；第2圖是製造一光調變器結構的一實施例之一第一組程序的圖解；第3圖是在晶圓接合之後製造一光調變器結構的一實施例之一第二組程序的圖解；第4圖是以晶圓接合的一光調變器結構的一實施例之圖解；第5圖是一MOS電容器光調變器裝置的一實施例之圖解；及第6圖是針對光調變器之某些實施例的相位效率特徵之圖解。
 較佳實施例之詳細說明
本發明之實施例大體針對一利用晶圓接合技術的光調變器。
如本文所使用：「光調變器」意指一調變一光束強度的裝置。光調變器包括半導體裝置，包括利用MOS(金氧半導體)技術之裝置。
在一些實施例中，一製造一光調變器的程序包括使用晶體矽用於波導成型。在一些實施例中，一程序包括使用晶圓接合及晶圓轉移技術將一晶圓的一晶體矽層晶圓接合至另一晶圓。在一些實施例中，一光調變器裝置設備包括使用一晶圓接合技術被接合至一第二晶圓的一晶體矽晶圓或絕緣體覆矽(SOI)晶圓。在一些實施例中，一裝置包括一MOS電容器光調變器，其具有藉由一氧化層被接合至一絕緣體覆矽(SOI)組件的矽層的一晶體矽層。
一矽光調變器利用經由自由載子電漿色散效應而產生的矽折射率調變。例如，透過電子的注入及耗盡，以及矽光波導器中的孔，一自由載子密度改變導致經過波導器的光相位調變。為了實現矽中光調變所需的自由載子密度，已提出的可能裝置組配包括正偏PIN二極體(在一p-型半導體區與一n-型半導體區之間具有一近乎本質純矽區)、反偏PN接合，及金氧半導體(MOS)電容器。在一些實施例中，一光模組裝置利用MOS電容器技術。一正偏PIN二極體提供高相位調變效率，但是裝置速度通常在此技術中被限制。雖然反偏PN接合及MOS電容器裝置都可提供高速操作能力(在一些實施中，提供每秒40吉比特操作)，MOS電容器移相器與反偏PN接合相比具有一高得多的相位效率，藉此提供對於一光調變器裝置的優勢。
然而，在習知製造及利用一MOS電容器結構中的一主要限制是一被沉積於一閘氧化物(絕緣體)頂部上的多晶矽層的一般性使用。在一些實施例中，在一光模組結構中的多晶矽層可以一晶體矽層替換。該多晶矽層與晶體矽相比具有一高得多的光損耗。在一些實施例中，一晶圓接合技術被用以將一晶體矽晶圓或SOI晶圓接合至另一晶圓，藉此允許以一晶體矽層替換多晶矽層。在一些實施例中，MOS電容器的一閘氧化物也在晶圓接合程序期間被形成。在一些實施例中，在閘氧化物兩側的矽層之摻雜量可比習知者更精確地控制，這可有助於實現所需調變器性能。
在一習知程序或裝置中，一基於矽調變器的MOS電容器使用一沉積於一閘氧化層頂部上的多晶矽層被製造。在一習知程序或裝置中，一主要挑戰是由摻雜多晶矽層的高光損耗造成，對於未摻雜多晶矽而言，其可在每公分10分貝的數量級上。光損耗對於摻雜多晶矽而言甚至更大。另外，多晶矽具有一相對較低的摻雜劑活化率。因此，多晶矽需要一高得多的摻雜量以獲得與晶體矽相同的活化摻雜劑濃度。對更高速度的操作而言，諸如超過每秒25吉比特的操作，多晶矽的使用可能是困難的或不可行的，因為此等速度所要求的更高摻雜量導致一額外的光損耗不能被光調變器接受。
另外，在裝置中使用多晶矽可產生其他困難。例如，有關於多晶矽與其他矽光子組件，諸如混合矽雷射，用於整合光子晶片的關鍵組件之一的整合之問題。一混合矽雷射是使用矽及III-V族半導體材料製成的半導體雷射。III-V族半導體材料是利用一III族材料(元素週期表III族中的一元素)與一V族材料(包括元素週期表V族中的一元素)之一混合物的半導體，III-V族半導體材料包括諸如磷化銦及砷化鎵的材料。將一III-V族混合物半導體接合在多晶矽上是困難的，且可能產生可靠性的疑慮。
在一些實施例中，一矽調變器包含晶體矽作為一波導器的介質。晶體矽(單晶矽或磊晶(EPI)矽)由矽的一單晶組成。晶體矽與多晶矽相比在透過該材料的傳輸中提供顯著較低的光損耗，該損耗大體少於多晶矽提供的光損耗之十分之一。
然而，為了在一光調變器中利用晶體矽，需要一程序將晶體矽成功地接合至其他組件材料。在一些實施例中，晶體矽以一薄氧化物，使用晶圓接合及晶圓轉移技術被接合至一絕緣體覆矽(SOI)晶圓上的一矽表面，以製造一光調變器結構。例如，電漿輔助晶圓接合是兩個晶圓在以一對於半導體製造而言相對較低的溫度(在300攝氏度範圍內的一溫度)被壓合在一起之前被暴露於一氧電漿持續一定時間，以將二晶圓接合在一起。電漿輔助晶圓接合被利用於製造某些組件中，諸如製造一混合矽雷射。在一些實施例中，一晶體矽晶圓或具有晶體矽層的第二SOI晶圓使用一氧電漿輔助晶圓接合技術被接合至SOI晶圓，以製造一光調變器結構。
在一些實施例中，透過使用晶圓接合及晶圓轉移技術，一將使用在基於一MOS電容器的一習知矽光調變器中的多晶矽層可由晶體矽替換。在製造一矽光調變器中晶體矽的使用可被利用來顯著減少光透過該材料傳輸的光損耗且增加操作的速度。在一些實施例中，透過在製造一裝置中使用晶圓轉移技術，某些裝置製造困難可被避免或減少，包括，例如摻雜活化、矽層厚度變化及其他問題。在一些實施例中，使用晶圓接合技術製造一光調變器可允許在接合前個別地控制矽層之摻雜量。以此一方式，摻雜濃度及分佈可比習知矽調變器裝置更精確地被控制。
第1圖是繪示製造一光調變器之實施例的一流程圖。在一些實施例中，一絕緣體覆矽(SOI)晶圓被製造用於光調變器102。一矽波導結構之一第一部份被製造在SOI晶圓104中。在一些實施例中，製造矽波導結構的第一部份被完成，包括使用微影圖案化(Litho)及反應性離子蝕刻(RIE)技術，該製造包括蝕刻一SOI晶圓頂部矽層中的通道。在一些實施例中，矽波導結構之第一部份的製造包括以絕緣體材料填充此一蝕刻的通道，且在一些實施例中，蝕刻的通道不被填充且空氣作為一絕緣體。
在一些實施例中，一晶體矽晶圓被製造用於光調變器106，且一氫植入層被注入晶體矽晶圓之頂部108。在一些實施例中，一第二SOI晶圓被製造用於光調變器。在一些實施例中，如果一晶體矽晶圓被製造，那麼該晶體矽晶圓被從頂部向下翻轉以供接合110。SOI晶圓與晶體矽晶圓或第二SOI晶圓以一薄氧化物使用一晶圓接合技術被接合以形成一組合結構112，該晶圓接合技術例如包括上述之晶圓接合技術。在一些實施例中，兩個晶圓之間的氧化物接合層可在數奈米厚範圍內，且用作MOS電容器的閘氧化物。
在一些實施例中，如果一晶體矽晶圓被用於組合結構，則在接合程序完成之後，組合結構的晶體矽晶圓在植入層被***，以在組合結構之一表面形成一晶體矽層114。該***可使用Smart CutTM技術，一種將精細晶體材料層轉移至一機械支架上的程序被完成。該***之結果是在接合氧化物層之一表面上的一薄層單晶矽。如果一第二SOI晶圓被接合，該薄層單晶矽是第二SOI晶圓之一層。在一些程序中，該晶體矽層可接近200nm厚。在一些實施例中，該晶體矽層被薄化以產生一較薄的晶體矽層116。在一些實施例中，晶體矽層使用一習知薄化技術，諸如舉例而言，化學-機械研磨(CMP)或藉由氧化及蝕刻而被薄化。在一些實施例中，矽波導結構的一第二部份被製造在晶體矽層上，藉此完成矽波導結構118。在一些實施例中，製造矽波導結構的第二部份使用標準Litho及RIE技術被完成，該製造包括蝕刻一部份的晶體矽層。
第2圖是製造一光調變器結構之一實施例的一第一組程序之圖解。在一些實施例中，一絕緣體覆矽晶圓205被形成，如圖所示，包括一***兩層矽206與208之間的絕緣體207層。SOI晶圓205可使用各種技術被製造。如圖所示，絕緣體207是形成於SOI晶圓中的一BOX(埋氧)層。在一些實施例中，一矽波導器的一第一部份被製造在SOI晶圓上。如上所述，製造矽波導器的第一部份可使用標準Litho及RIE技術被完成。在此圖解中，一通道212被形成於SOI晶圓210上，其在一些實施例中進而被填充絕緣體材料，例如使用化學機械處理(CMP)在SOI晶圓215上施加及形成層間介質(ILD)217為之。在一些實施例中，通道212被蝕刻但未以絕緣體材料填充，而以空氣作為絕緣體。
在一些實施例中，一晶體矽晶圓220被準備，一氫植入層227經由晶圓225頂部被注入。在一些實施例中，一第二SOI晶圓被準備。在一些實施例中，晶體矽晶圓可進而被翻轉230(之後，氫植入層較接近表面的晶圓側成為底表面)。在一些實施例中，SOI晶圓與晶體矽晶圓或第二SOI晶圓以一薄氧化物使用一晶圓接合技術被接合，以形成一組合結構235，晶圓接合技術包括例如上述之晶圓接合技術。在此圖解中，在接合程序中形成於二晶圓之間的氧化物接合層240可在4-6奈米厚範圍內，且用作MOS電容器之閘氧化物。
第3圖是在晶圓接合後製造一光調變器結構之實施例的一第二組程序的圖解。在此圖解中，組合結構305(諸如在第2圖中繪示成元件235)藉由晶圓接合被形成。在一些實施例中，如果一晶體矽晶圓被準備，組合結構310進而在組合結構的晶體矽晶圓之植入層312中被***，以形成一晶體矽層317。***之結果是在接合氧化物層318之一表面上的一薄層單晶矽317。在一些程序中，晶體矽層可接近200nm厚。在一些實施例中，如果一第二SOI晶圓被接合，該薄層單晶矽是第二SOI晶圓的一層。在一些實施例中，晶體矽層可經歷一薄化程序322，以進一步薄化組合結構320上的晶體矽層323。在一些實施例中，晶體矽層323使用化學-機械研磨或藉由氧化及蝕刻被薄化。
在一些實施例中，矽波導器的一第二部份被製造或先前已製作在晶體矽層或第二SOI晶圓中，藉此完成光調變器結構325中的矽波導結構327。在一些實施例中，矽波導結構之第二部份的製造使用標準Litho及RIE技術被完成。
第4圖是具有晶圓接合的一光調變器結構之一實施例的圖解。在此圖解中，一光調變器結構400的一實施例包括一絕緣體覆矽部份，包括一第一矽層405、一絕緣體層410，及一第二矽層415，一在第二矽層上的通道以絕緣體材料440填充以形成一波導器435的一第一部份。
在一些實施例中，光調變器結構400進一步包括由將一晶體矽層425接合至第二矽層415而產生的一氧化物層430。在一些實施例中，該氧化物層是第二矽層415與晶體矽層425之間的一晶圓接合層，諸如此等層之間的一氧電漿接合。在一些實施例中，晶體矽層425包括一蝕刻部份以完成波導器435。
第5圖是基於晶圓接合及層轉移技術的一MOS電容器光調變器裝置之實施例的圖解。在此圖解中，一MOS電容器光調變器裝置500包括在一矽基材570與一矽層575之間的一BOX絕緣體層565，矽層575包括一n-型矽半導體區560，一高摻雜n++區(具有濃縮n-型雜質)，及虛擬矽區545及560。虛擬矽區與MOS電容器調變器中的p-及n-摻雜區電隔離。該等虛擬矽區用作與金屬接點使用有關的摻矽層的機械支架。在一些實施例中，該裝置可進一步包括蝕刻且填充在矽層575之諸段之間的絕緣體區567。在一些實施例中，絕緣體區567是空氣，矽層575被蝕刻但未以絕緣體材料填充。空氣的使用可有助於層轉移及晶圓接合，因為在接合程序之前不需要晶圓平坦化。該裝置進一步包括一包含，例如一p-型矽半導體區535及一高摻雜p-++區530的晶體矽層580，其藉由一氧化層540，諸如利用一晶圓接合技術被形成於晶體矽層580與矽層575之間的一氧化層被接合至矽層575。然而，該技藝中具有通常知識者將瞭解所示極性被提供用於解釋目的，且摻雜劑及對應電壓之極性可被反向。在一些實施例中，氧化層540形成裝置500的MOS電容器結構之閘氧化物。矽層575及晶體矽層580包括形成光調變器之一波導器585的通道。在一些實施例中，第5圖中提供的p-型及n-型摻雜區可被交換。
在一些實施例中，MOS電容器光調變器裝置500進一步包含一層間介質(ILD)氧化區505，一第一插頭520被形成至該氧化區505中，以將一第一銅元件510(用於施加一信號電壓，在此圖解中V>0)與p++區530耦接，p++區530進而與p-Si區535耦接。裝置500進一步包含一第二插頭525，以將一第二銅接點515(用於施加一接地電位勢)與n++區555耦接，n++區555進而與n-Si區550耦接。MOs電容因此被形成於p-Si區535與n++區555之間。
第6圖是光調變器某些實施例之相位效率特性之圖解。在此圖解中，用於各種波導器尺寸的一MOS電容器相位調變器之一模型化相位效率被繪示。在一些實施例中，MOS電容器相位調變器包括一使用晶圓接合技術被接合至一SOI組件的晶體矽組件。
在第6圖中，表示效率(以伏特-公分量測)之VπLπ性質相對波導器寬度(以微米量測)的關係針對各種波導器高度被繪示。如圖所示，波導器高度是0.52μm(610)、0.32μm(620)，及0.22μm(630)。如圖所示，對於具有0.22微米高度的一小波導器而言，一~0.2V-cm的VπLπ性質可被實現。然而，一反偏PN接合的VπLπ典型地大一數量級，提供更低的效率。
在上文中，為了說明之目的，許多特定細節被闡述，以提供本發明之一完全的理解。然而，對於該技藝中具有通常知識者而言，本發明可不需一些此等特定細節即可被實施將是明顯的。在其他實例中，習知結構及裝置被繪示成方塊圖形式。可能存在所示組件之間的中間結構。本文所述及所示組件可具有未繪示或描述的附加輸入或輸出。
本發明之各種實施例可包括各種程序。此等程序可藉由硬體組件被執行，或可被實施成電腦程式或機器-可執行指令，它們可被用以導致一以該等指令被程式化的一通用目的或專用目的處理器或邏輯電路，以執行該等程序。可供選擇地，該等程序可藉由一硬體與軟體的組合被執行。
本發明各種實施例之部份可被提供成一電腦程式產品，其可包括一其上具有儲存之電腦程式指令的電腦可讀媒體，該等指令可被用以規劃一電腦(或其他電子裝置)，以依據本發明之實施例執行一程序。該機器可讀媒體可包括但不限制於軟式磁片、光碟、唯讀光碟記憶體(CD-ROM)，及磁光碟、唯讀記憶體(ROM)、隨機存取記憶體(RAM)、可抹除可規劃唯讀記憶體(EPROM)、磁或光卡、快閃記憶體、或其他類型適於儲存電子指令的媒體/機器可讀媒體。另外，本發明也可作為一電腦程式產品被下載，其中該程式可從一遠程電腦轉移至一請求電腦。
許多方法以它們最基本的形式被描述，但是程序可被加入任一方法或從任一方法中被刪除，且資訊可被加入任一上述訊息或從中被去掉，而不違背本發明之基本範圍。對該技藝中具有通常知識者而言，許多進一步的修改及順應調整可被作出將是明顯的。特定實施例並非被提供以限制本發明而是說明本發明。本發明實施例之範圍並非由上述提供的特定範例、而是由下文申請專利範圍所決定。
如果說一元件「A」被耦接至或與元件及「B」耦接，那麼元件A可被直接或透過，例如元件C被耦接至元件B。當說明書或申請專利範圍陳述一組件、特徵、結構、程序，或特性A「導致」一組件、特徵、結構、程序，或特性B，那麼意指「A」至少是「B」的一部份起因，但是也可能存在有助於導致「B」的至少一其他組件、特徵、結構、程序或特性。如果本說明書指示一組件、特徵、結構、程序或特性「可能(may)」、「可(might)」，或「可以(could)」被包括，那麼該特定組件、特徵、結構、程序或特性並非需要被包括。如果本說明書或申請專利範圍提到「一(a)」或「一個(an)」元件，此非意指僅有一個所述元件。
一實施例是本發明的一實施或範例。在本說明書中參考「一(an)實施例」、「一個(one)實施例」、「一些實施例」，或「其他實施例」意指與該等實施例相關的一特定特徵、結構或特性被包括在至少一些實施例中，但非必然包括在所有實施例中。「一(an)實施例」、「一個(one)實施例」或「一些實施例」在不同處出現時並非都指相同實施例。應瞭解在前文描述的本發明示範性實施例中，基於簡化揭露及幫助理解一或一以上之不同發明層面的目的，各不同特徵有時集結在一單一實施例、圖示，或其描述中。然而，此揭露方法不被解釋成反映請求之發明需要多於各請求項中明確列舉特徵之特徵的意思。反之，如下列申請專利範圍項反映的，發明層面在於比上文揭露實施例所有特徵為少的特徵。因此，諸請求項被明確併入此說明書中，每一請求項本身為本發明之一獨立實施例。
102~118、230．．．程序
205、210．．．絕緣體覆矽(SOI)晶圓
206、208、575．．．矽層
207．．．絕緣體
212．．．通道
217．．．層間介質(ILD)
220．．．晶體矽晶圓
225．．．晶圓
227．．．氫植入層
235、305、310、320．．．組合結構
240、318．．．氧化物接合層
312．．．植入層
317、425、580．．．晶體矽層
323．．．薄化晶體矽層
325、400．．．光調變器結構
327．．．矽波導結構
405．．．第一矽層
410．．．絕緣體層
415．．．第二矽層
435、585、WG．．．波導器
440．．．絕緣體材料
500．．．金氧半導體(MOS)電容器光調變器裝置
505．．．ILD氧化層
510．．．銅元件
515．．．第二銅接點
520．．．第一插頭
525．．．第二插頭
530．．．p++區
535．．．p-Si區
540．．．氧化層
545．．．虛擬矽區
550．．．n-Si區
555．．．n++區
560．．．n-型矽半導體區
565．．．埋氧(BOX)絕緣體層
567．．．絕緣體區
570．．．矽基材
610~630．．．不同波導器高度之VπLπ性質
CMP．．．化學-機械研磨
第1圖是繪示一光調變器之製造的一實施例之流程圖；
第2圖是製造一光調變器結構的一實施例之一第一組程序的圖解；
第3圖是在晶圓接合之後製造一光調變器結構的一實施例之一第二組程序的圖解；
第4圖是以晶圓接合的一光調變器結構的一實施例之圖解；
第5圖是一MOS電容器光調變器裝置的一實施例之圖解；及
第6圖是針對光調變器之某些實施例的相位效率特徵之圖解。
102~118．．．程序

Claims (24)

  1. 一種製造一光調變器結構的方法，包含下列步驟：蝕刻一絕緣體覆矽(SOI)晶圓，以在該SOI晶圓之一第一表面上製造一矽波導結構的一第一部份以及一絕緣體區，其中該絕緣體區是空氣且未以絕緣體材料填充；準備一第二晶圓，該第二晶圓包括一晶體矽層並且具有一第一表面；將該第二晶圓之該第一表面以一薄氧化物使用一晶圓接合技術接合至該SOI晶圓的該第一表面，該薄氧化物形成一氧化接合層；其中該矽波導結構之一第二部份被蝕刻於該晶體矽層中。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第二晶圓是一晶體矽晶圓。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之方法，其中該晶體矽晶圓包括一植入層，且進一步包含在該植入層***該矽晶圓，其中***該晶體矽晶圓的步驟造成在該氧化接合層之上的一晶體矽層。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之方法，其中該晶體矽晶圓之該植入層是一氫植入層。
  5. 如申請專利範圍第3項所述之方法，其中***該晶體矽晶圓的步驟包括利用Smart CutTM技術***。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第二晶圓是 一第二SOI晶圓。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該晶圓接合技術是一氧電漿輔助技術。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中於該SOI晶圓上蝕刻該波導結構之該第一部份的步驟包括微影製程及反應性離子蝕刻。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中形成該矽波導結構之該第二部份的步驟包括薄化該晶體矽層。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中薄化該晶體矽層的步驟包括一化學機械研磨或一氧化與蝕刻製程中的一或一者以上。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中蝕刻該波導結構之該第二部份的步驟包括微影製程及反應性離子蝕刻。
  12. 一種光調變器結構，包含：一絕緣體覆矽(SOI)晶圓，具有蝕刻至一第一表面中的一波導結構的一第一部份以及一絕緣體區，其中該絕緣體區是空氣且未以絕緣體材料填充；及一第二晶圓，具有一晶體矽層的一第一表面，該第二晶圓之該第一表面以一薄氧化物使用一晶圓接合技術接合至該SOI晶圓之該第一表面，該薄氧化物形成一氧化接合層，該波導結構之一第二部份被蝕刻至該晶體矽層中。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之光調變器結構，其中該藉 由一薄氧化物之接合包括藉由一晶圓接合程序接合。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之光調變器結構，其中該設備是一MOS(金氧半導體)電容器相位調變器之一部份。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之光調變器結構，其中該氧化接合層包含該MOS電容器之閘極氧化物。
  16. 如申請專利範圍第13項所述之光調變器結構，其中該晶圓接合技術是一氧電漿輔助技術。
  17. 如申請專利範圍第13項所述之光調變器結構，其中該第二晶圓是一晶體矽晶圓。
  18. 如申請專利範圍第13項所述之光調變器結構，其中該第二晶圓是一第二SOI晶圓。
  19. 一種金氧半導體(MOS)電容器光調變器，包含：一光調變器結構，包含：一絕緣體覆矽(SOI)晶圓，其具有一第一表面並且包括一第一矽層，該第一矽層包括蝕刻至一第一表面中的一波導結構的一第一部份以及一絕緣體區，該波導結構之該第一部份包含一第一極性的一第一摻雜區，其中該絕緣體區是空氧且未以絕緣體材料填充，及一晶體矽層，具有一第一表面，該晶體矽層之該第一表面藉由一薄氧化物使用一晶圓接合技術接合至該SOI晶圓之該第一表面，該晶體矽層形成該波導結構的一第二部份，該波導結構之該第二部份包含一第二極性的一第二摻雜區，該氧化物接合 層係插置於該第一摻雜區與該第二摻雜區之間；及用以對該第一摻雜區提供一第一電壓的一第一接點、及用以對該第二摻雜區提供一第二電壓的一第二接點。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之MOS電容器光調變器，其中該晶體矽層由一晶體矽晶圓形成。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之MOS電容器光調變器，其中該晶體矽層包括一第二表面，當該晶體矽晶圓在被注入至該晶體矽晶圓的一植入層被***時，該第二表面即形成。
  22. 如申請專利範圍第19項所述之MOS電容器光調變器，其中該晶體矽層由一第二SOI晶圓形成。
  23. 如申請專利範圍第19項所述之MOS電容器光調變器，進一步包含與該第一接點耦接的一第一插頭段及與該第二接點耦接的一第二插頭段。
  24. 如申請專利範圍第23項所述之MOS電容器光調變器，進一步包含：具有該第一極性的一第一高摻雜區，該第一高摻雜區與該第一摻雜區及該第一接點耦接；及具有該第二極性的一第二高摻雜區，該第二高摻雜區與該第二摻雜區及該第二接點耦接。
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