TWI545790B - 光電變換裝置 - Google Patents

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TWI545790B
TWI545790B TW103112461A TW103112461A TWI545790B TW I545790 B TWI545790 B TW I545790B TW 103112461 A TW103112461 A TW 103112461A TW 103112461 A TW103112461 A TW 103112461A TW I545790 B TWI545790 B TW I545790B
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森岡孝之
松浦努
時岡秀忠
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三菱電機股份有限公司
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    • H02S40/00—Components or accessories in combination with PV modules, not provided for in groups H02S10/00 - H02S30/00
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Description

光電變換裝置
本發明係關於光電變換裝置。
光電變換裝置由於環境負荷、運轉成本小而受矚目作為次世代之發電方法。尤其，異質接面(heterojunction)型光電變換裝置有藉由非晶矽膜使作為結晶性基板之結晶矽(silicon)基板鈍化(passivation)之構成，藉由該高鈍化特性與陡峭的pn接合界面可獲得高輸出特性。
然而，使用單晶矽晶圓(silicon wafer)之光電變換裝置中之晶圓(wafer)之外周圍區域係有少數載子(carrier)的再結合速度高且發電特性降低之問題。尤其，異質接面型光電變換中，由於少數載子的擴散長度有長至1mm以上之情形，故於從光入射之受光面之端部起寬度為數mm之區域中，發電特性顯著降低。
為了解決該課題，例如專利文獻1揭示在異質接面型光電變換裝置之受光面之外周圍區域設置遮光部，以提升光電變換電池(cell)之輸出特性之方法。遮光部係將例如以銀粒子與環氧(epoxy)樹脂為基質(base)之導電性糊(paste)、以樹脂材料與SiO2或Al2O3為基質之絕緣性 材料，以從單晶矽晶圓之外周端部起數mm之寬度設置者。藉此可謀求光電變換裝置之開路電壓、曲線因子之增加。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第4097549號公報
然而，如上述專利文獻1在周圍部設置遮光部之方法，由於遮光部將入射至外周圍區域之光散射至外部或吸收，故有無法有效利用朝向外周圍區域之入射光之問題。
本發明係有鑑於上述而成者，本發明之目的係獲得可謀求有效利用朝向外周圍區域之入射光，且提升光電變換效率之光電變換裝置。
為了解決上述課題且達成目的，本發明係具備：使用具有光入射之受光面之結晶性基板之光電變換電池、與設置於受光面之外周圍區域上之具有從基板端部起0.25mm至5mm之寬度之光反射體，其中，光反射體形成相對於受光面成為斜面，使入射光反射且入射至光電變換電池受光面之斜面部。
依據本發明，發揮可謀求有效地利用朝向周圍部之入射光，且提升光電變換裝置之光電變換效率之效果。
1、101、201‧‧‧光電變換裝置
2、102、202‧‧‧光反射體
2a、10a、102a、207a、207b‧‧‧斜面部
2b‧‧‧包圍部
2c‧‧‧背面
3‧‧‧光電變換電池
3a‧‧‧中央區域
3b‧‧‧外周圍區域
3c‧‧‧受光面
4、204‧‧‧空洞部
5‧‧‧集電電極
6‧‧‧模組密封材
7‧‧‧標籤線
10‧‧‧光反射體
11‧‧‧貫通電極
107‧‧‧蓋玻璃
207‧‧‧蓋玻璃(光反射體)
301‧‧‧單晶矽基板
302a、302b‧‧‧i型非晶矽層
303a‧‧‧p型非晶矽層
303b‧‧‧n型非晶矽層
304a、304b‧‧‧透光性電極
305‧‧‧集電電極
第1圖係表示本發明之實施形態1之光電變換裝置之示意構成之剖面圖。
第2圖係光電變換裝置之外觀透視圖。
第3圖係光電變換裝置之製造步驟之流程圖(flow chart)。
第4圖係本實施形態1之變形例1之光電變換裝置之透視圖。
第5圖係本實施形態1之變形例2之光電變換裝置之剖面圖。
第6圖係本發明之實施形態2之光電變換裝置之剖面圖。
第7圖係本發明之實施形態3之光電變換裝置之透視圖。
第8圖係光電變換裝置之剖面圖。
第9圖係表示實施例所用之光電變換電池之構造之剖面圖。
第10圖係表示將光電變換裝置之光電變換特性之測定結果作為實施例1之圖。
第11圖係表示將光電變換裝置之光電變換特性之測 定結果作為實施例2之圖。
第12圖係實施形態4之光電變換裝置之由垂直之上方所見之圖。
第13圖係實施形態4之光電變換裝置之剖面圖。
第14圖係表示作為比較例1所示之光電變換裝置之光電變換特性之測定結果之圖。
第15圖係實施例1與比較例1中之改變寬度W時之能量變換效率值之比較結果。
以下，依據圖式詳細說明本發明之實施形態之光電變換裝置。
再者，本發明不受該實施形態限定。又，以下所示之圖式中，為了容易理解，係有各構件之比例尺與實際有差異之情形。各圖式間亦有同樣情形。
實施形態1.
第1圖係表示本發明之實施形態1之光電變換裝置1之示意構成之剖面圖。
光電變換裝置1在設有光反射體2之光電變換電池3之受光面3c側係以模組(module)密封材6密封。
光電變換電池3係異質接面型之光電變換電池，且藉由於受光面3c入射光來發電。異質接面型之光電變換電池係有藉由非晶矽膜鈍化作為結晶性基板之結晶矽基板之構成。模組密封材6，例如為乙烯乙酸乙烯酯(EVA：Ethylene Vinyl Acetate)。
光電變換電池3可依發電特性差異而分成平面視野之外周部分之外周圍區域3b、與外周圍區域3b所包圍之中央區域3a。光電變換電池3之外周圍區域3b的少數載子之再結合速度高且發電特性容易降低。
尤其，如本實施形態之異質接面型光電變換電池中，少數載子之擴散長度有長至1mm以上之情形，光入射之受光面3c之從端部周圍起寬度數mm之區域可能成為發電特性顯著降低之外周圍區域3b。
光反射體2係包括透明樹脂之框構造。光反射體2可設置於光電變換電池3之外周圍區域3b上。光反射體2係以向遠離受光面3c之方向凸起之方式呈現連結有2個壁面之楔型形狀之剖面形狀。
2個壁面中之一壁面係相對於受光面3c成為斜面，使入射光反射之斜面部2a。斜面部2a係朝向使入射光會入射到受光面3c之方向側之斜面。光反射體2之楔型形狀的內側係空洞部4。空洞部4係呈直角三角形之剖面形狀。
光反射體2之2個壁面之另一壁面係以與光電變換電池3之外周面呈略平行之角度架設之包圍部2b。又，包圍部2b係以包圍光電變換電池3之外周部之方式設置。藉此，於包圍部2b之內側嵌入光電變換電池3。因此，若將光電變換電池3嵌入光反射體2，由於光反射體2之定位係已決定，故可謀求對光電變換電池3之光反射體2之定位作業容易化。
構成光反射體2之透明樹脂係使用具有與模組密封材6(EVA，折射率約1.5等)為相同程度或在其之上之折射率(直到1.8左右)且透明度高之材料。就使用材料之例而言，可舉例如聚矽氧(silicone)樹脂、聚丙烯(polypropylene)、聚甲基丙烯酸(polymethacrylic acid)甲酯(methyl)樹脂、聚乙烯(polyethylene resin)、聚醯胺(polyamide)樹脂、氯乙烯(vinyl)、耐綸(nylon)、聚碳酸酯(polycarbonate)、聚苯乙烯(polystyrene)、聚酯(polyester)樹脂、鈉鈣玻璃(soda-lime glass)、石英、光學玻璃(glass)等材料。又，光反射體2亦可為於空洞部2填充透明氟(fluorine)樹脂(折射率1.35)，且利用SCHOTT公司製之高折射率玻璃LaSF9(折射率1.9)、LaSF35(折射率2.0)等高折射率玻璃作為光反射體2之材料，藉由材料之折射率差來使用該界面將光全反射。為了抑制光電變換裝置1之厚度，構成光反射體2之樹脂之厚度在保持其機械強度下以盡可能薄為宜。
光反射體2係以斜面部2a來反射入射光。具體而言，空洞部4內之空氣與構成光反射體2之透明樹脂間之界面(背面2c)中，藉由折射率差來反射入射光。使用折射率1.5之EVA作為密封材時，斜面部2a之仰角若大於42°，則垂直入射至光電變換裝置1之光於斜面部2a會全反射。藉此，可獲得比使用鍍覆銀、鋁(aluminum)等之鏡子作為光反射體時高之反射率。又，反射率之經時劣化亦可抑制到比使用鏡子時小。欲將入射光全反射，密封材宜使用折射率1.4以上之材料。惟，反射面施有鍍覆、蒸 鍍等反射膜處理時，則不在此限。
藉此，可將原本入射至外周圍區域3b之入射光，如第1圖中之箭頭所示，藉由光反射體2之斜面部2a反射，使其入射至發電特性高之中央區域3a。因此，使入射至光電變換裝置1之光選擇性入射至中央區域3a，可謀求光電變換裝置1之高輸出化。
再者，為了提高光學反射率而可於斜面部2a之背面(朝向受光面3c側之面)2c施以銀鍍覆(coat)、或蒸鍍誘電體多層膜等表面處理，或者藉由貼附膜狀鏡(film mirror)以形成反射膜，以謀求增加以相對於光電變換裝置1之垂直方向為傾斜之方式入射之光之光學反射率。又，亦可填充銀糊、鋁糊(aluminum paste)等導電性材料於空洞部4。可利用填充有導電性材料之空洞部4部分作為匯流排(bus bar)。
再者，光反射體2之寬度宜為比光電變換電池3之少數載子之擴散長度長。例如，在異質接面型光電變換電池中，宜為其少數載子之擴散長度之1mm至2mm左右。此時之光電變換電池3，單晶矽基板之不純物濃度係1×1019cm3以下，且具有朝向光電變換電池3之入射光在1sun時之少數載子壽命成為1msec左右之鈍化膜。
又，空洞部4之外端部宜位於與光電變換電池3之受光面3c之外周端部重疊之位置或比該位置外側。再者，本實施形態中，列舉並說明空洞部4之外端部與光電變換電池3之受光面3c之外周端部重疊之例。
又，欲使相對於受光面3c為垂直入射之光於斜面部2a反射而入射至中央區域3a，斜面部2a之仰角宜為大於45°。惟，使用重疊光學折射率相異之構件之光折射使入射光入射至中央區域3a時則不在此限。
為了防止異質接面光電變換裝置中端部之電氣短路，從端部起至少寬度1mm之區域必須係未形成透明導電膜。然而，若透明導電膜之非製膜區域為寬時，則無法將光激發之少數載子取出至電極而使短路電流降低。
因此，一般而言，外周圍區域3b中之透明導電膜製膜區域之定位係要求高精確度。另一方面，本實施形態中，藉由設置光反射體2，光電變換電池3之外周圍區域3b成為非發電區域。因此，外周圍區域3b中之透明導電膜定位所要求之精確度變低。藉此，可謀求提升光電變換裝置1之生產性。
第2圖係光電變換裝置1之外觀透視圖。再者，第2圖中，為了方便而省略表示模組密封材6。如第2圖所示，複數個光電變換電池3可藉由導電性標籤線(tab line)7(引導線)來電性連結。標籤線7係與形成於光電變換電池3之集電電極5連接。
此時，設置於受光面3c上之光反射體2中，為了防止與標籤線7之干涉而形成窪坑8。藉由該窪坑8可簡易地固定光反射體2的位置，故在以模組密封材6等積層(laminate)時，光反射體2之位置不易偏移。
在積層前藉由環氧系硬化性樹脂填補窪坑8與光電變 換電池3之間形成的縫隙時，可防止模組密封材6侵入空洞部4。
第3圖係光電變換裝置1之製造步驟之流程圖。首先，製成光電變換電池3(步驟(step)S1)，然後，將標籤線7附加標籤(tab)於光電變換電池3，連結光電變換電池3(製作串連(string))(步驟S2)。
然後，將丙烯酸系(acrylic)等材料使用模具而樹脂成型以製造光反射體2(步驟S3)。然後，將光反射體2設置於光電變換電池3上(步驟S4)，將模組密封材6與蓋玻璃(cover glass)(未標於圖式)重疊積層(步驟S5)。再者，步驟S1至步驟S2之光電變換電池3連結之步驟與步驟S3之製造光反射體2之步驟之順序可相反亦可同時進行。
第4圖係本實施形態1之變形例1之光電變換裝置1之透視圖。如第4圖所示，亦可以與光反射體2重疊之方式設置標籤線7，使標籤線7通過空洞部4之內部。朝向中央區域3a之入射光不會由標籤線7而遮蔽，故遮光所致之光學損失受到抑制，可降低配線電阻所致之焦耳(joule)損失。藉此進一步提升光電變換裝置1之曲線因子。
第5圖係本實施形態1之變形例2之光電變換裝置1之剖面圖。變形例2之光電變換裝置1係於光電變換電池3之中央部設置貫穿孔以將受光面集電極誘導至背面之金屬貫穿(metal wrap through)型光電變換電池。金屬 貫穿型之光電變換電池3中，複數個貫穿孔係設置於中央區域3a。該貫穿孔係填充貫通電極11。
藉由該貫通電極11，係可將標籤線7設置於背面以增加開口面積，並增加變換效率。在該貫通電極11上，以將之遮蔽之形式設置具有斜面部10a之光反射體10。藉由該光反射體10之斜面部10a，如第5圖中之箭頭所示，可將入射至貫通電極11上之光反射且入射至光電變換電池3。
原本，由於可使對於入射至貫通電極11且發電之情形幾乎無貢獻之入射光入射至光電變換電池3之受光面3c，故可謀取光電變換輸出之提升。再者，光反射體2與光反射體10宜形成為一體。
實施形態2.
第6圖係本發明之實施形態2之光電變換裝置101之剖面圖。再者，與上述實施形態相同之構成係附上相同符號且省略詳細說明。光電變換裝置101中，為了抑制其高度，故採取光反射體102具有複數個斜面部102a之剖面構造。光反射體102於內部具有空洞。
又，該光電變換裝置101係採取複數個光電變換電池3鄰接之構造。光反射體102之寬度係設為2mm，並且設置於光電變換電池3之外周圍區域3b上。蓋玻璃107係構成光電變換裝置101之最外面，並且設置於模組密封材6之上。
入射至光反射體102之入射光係如第6圖中 之箭頭所示，藉由斜面部102a使其一部分反射至模組上方向，然後藉由空氣與蓋玻璃107之界面反射，並入射至鄰接之光電變換電池3之中央區域3a而貢獻發電。又，入射至光反射體102之入射光之一部分係藉由斜面部102a反射而直接入射至光電變換電池3之中央區域3a。
藉此，可選擇性利用發電特性高之光電變換電池3之中央區域3a，獲得高輸出之光電變換裝置101。
再者，該構造可設置於光電變換電池3之標籤線(未標於圖式)上。此時，可將因標籤線所遮蔽之入射光再入射至光電變換電池3而提升發電特性。實施形態2之光電變換裝置101之製造方法除了在光反射體102之剖面形狀係以具有複數個斜面部102a之形狀而形成以外，其餘係與實施形態1相同。
實施形態3.
第7圖係本發明之實施形態3之光電變換裝置201之透視圖。第8圖係光電變換裝置201之剖面圖。再者，與上述實施形態相同之構成係附上相同符號且省略詳細說明。
光電變換裝置201係於模組內具備複數個光電變換電池3，於該光電變換電池3之間設置不存在光電變換電池3之區域(非設置區域)。光電變換裝置201具有包圍模組之外周部之光反射體2、於模組內光電變換電池3之間之光電變換電池3跨越非設置區域所設置之光反射體202。光反射體202亦跨越非設置區域與外周圍區域3b之 間。
光反射體202在其內部鄰接之光電變換電池3之間具有對稱的斜面構造之斜面部202a，其內側具有空洞部204。光反射體202之斜面部202a之相對於受光面3c之角度宜為45°以上。
光反射體202之製造方法係與實施形態1相同，材料係使用與模組密封材6之折射率相近之透明樹脂這點亦相同。一般，光電變換裝置201內有光電變換電池3之非設置區域時，入射至光電變換電池3之非設置區域之光係藉由光電變換裝置201之背面薄片(back sheet)之漫反射而再入射至光電變換電池3。
然而，該光之再入射率係25%左右，此係為損失光電變換裝置之短路電流主要原因。另一方面，本實施形態3中，藉由將光反射體202設置於非設置區域上，可使原本入射至非設置區域之入射光反射，如第8圖中之箭頭所示，入射至光電變換電池3之中央區域3a。因此，可獲得更高之模組輸出。
尤其，將多層誘電體膜施用於斜面部202a時，藉由將朝向非設置區域入射之光之99%以上反射而可直接入射至光電變換電池3之中央區域3a。因此，可大幅降低短路電流之損失，且可獲得更高之模組輸出。
實施形態3之光電變換裝置201之製造方法，除了光反射體202之形狀係以跨越光電變換電池3之形式形成為一體以外，其餘與實施形態1相同。光反射體 202，為了易於形成，可採取將分割之框構造組合之形式，亦可一起形成。又，可將光反射體2與光反射體202形成為一體，亦可形成為分離體。
實施形態4.
第12圖係本發明之實施形態4之光電變換裝置201之由垂直之上方所見之圖。第13圖係光電變換裝置201之剖面圖。再者，與上述實施形態相同之構成係附上相同符號且省略詳細說明。
光電變換裝置201在模組內具備複數個光電變換電池3。於該光電變換電池3之間設置不存在光電變換電池3之區域(非設置區域)。光電變換裝置201係跨越複數個光電變換電池3且於上部具有蓋玻璃(光反射體)207。蓋玻璃207係於受光面側具備斜面部207a，於光電變換電池3側具備斜面部207b。斜面部207a與斜面部207b係以相對於電池受光面呈對稱之角度配置。
例如，蓋玻璃207之光學折射率為1.5時，蓋玻璃207之斜面部207a相對於受光面3c之角度θ 1與斜面部207b相對於受光面3c之角度θ 2宜為32°以上。此時，入射至光電變換裝置201之光藉由斜面部207a與空氣之境界面而折射。藉由該折射，入射至斜面部207b時之入射角變大，於斜面部207b中全反射且入射至光電變換電池201。
蓋玻璃207之製造方法係將玻璃板研磨加工所製成。蓋玻璃207之狹窄之部分由於強度弱，故如第12圖之中心部分之連結各個光電變換電池3之四角落之中心 的部分可將狹窄部分以樹脂製柱支撐來提高機械強度。又，將斜面部207b施以光學多層膜或Ag鍍覆等之後，可使用EVA等將光電變換電池201與蓋玻璃207之間密封。
一般，於光電變換裝置201內有光電變換電池3之非設置區域時，入射至光電變換電池3之非設置區域之光係藉由光電變換裝置201之背面薄片之漫反射而再入射至光電變換電池3。本實施形態中，與實施形態3同樣使入射至非設置區域之光有效地貢獻發電，可獲得更高之模組輸出。
由斜面部207a與斜面部207b所形成之區域剖面可看作將光學稜鏡(prism)橫向連接者。一般，入射至光學稜鏡之光在入射時折射且反射內部，於第12圖中容易朝向水平方向。藉由該原理，由斜方向入射至光電變換裝置201之光最終亦朝向光電變換電池3，故將光電變換裝置201於屋外以固定角度設置時，經過1天之總發電量會增加。
尤其，將多層誘電體膜施用於斜面部207b時，藉由反射99%以上朝向非設置區域入射之光，可入射至光電變換電池3之中央區域3a(亦參照第1圖等)。又，光由斜向入射至光電變換裝置201時，可降低穿透斜面部207b之光。因此，可大幅降低短路電流損失，且可獲得更高之模組輸出。
實施形態4之光電變換裝置201之製造方法係將蓋玻璃207直接設置於光電變換電池3上。蓋玻璃207 可於與光電變換電池3之間夾住EVA等密封材、環氧系樹脂等而固定。除此以外之步驟係與實施形態1相同。蓋玻璃207，為了易於形成，可將丙烯酸系等透明樹脂製板樹脂成形且製作以代替之。
以下，作為實施例說明依據上述實施形態所製造之光電變換裝置之光電變換特性之測定結果。首先，說明實施例所用之光電變換電池。第9圖係表示實施例所用之光電變換電池之構造之剖面圖。單晶矽基板301之尺寸為長度100mm、寬度100mm、高度150μm。
單晶矽基板301之一面係使用化學氣相沈積(CVD)法以i型非晶矽層302a、p型非晶矽層303a之順序形成。單晶矽基板301之另一面係使用化學氣相沈積法以i型非晶矽層302b、n型非晶矽層303b之順序形成。
分別在p型非晶矽層303a、n型非晶矽層303b之上藉由濺鍍法或蒸鍍法等形成透光性電極。透光性電極304a、304b之膜厚宜為藉干涉效果在太陽光光譜(spectrum)之波峰(peak)波長中反射率會降低之膜厚。使用氧化銦(In2O3：Indium Oxide)作為透光性電極材料。
在p型非晶矽層303a、n型非晶矽層303b之上形成透光性電極304a、04b後，於其上以網版(screen)印刷法形成由金屬糊構成之集電電極305。集電電極305之寬度設為70μm、層厚設為40μm。藉由實施以上步驟而獲得本實施例所用之光電變換電池。
第10圖係表示光電變換裝置之光電變換特 性之測定結果作為實施例1之圖。實施例1中，依據實施形態1製作光電變換裝置1。再者，光反射體2之背面係藉由濺鍍(sputtering)製膜厚度300nm之銀薄膜。此時，製成設置於外周圍區域3b之光反射體2之寬度W相異之複數個光電變換電池3，測定光電變換特性(短路電流密度、開路電壓、曲線因子及最大能量(energy)變換效率)(亦參照第1圖)。再者，第10圖中，寬度W為「0.0」時係未設置光反射體2之情形。然後，將設置光反射體2時之光電變換特性以將未設置光反射體2時之光電變換特性設為「1.000」之比率來表示。
設置薄板代替光反射體2而製作光電變換裝置作為比較例1。具體而言，將實施例1中設置光反射體2之處，亦即光電變換電池3之外周圍區域3b以與光反射體2相同寬度W之薄板遮光。薄板係使用黑色聚乙烯製之厚度100μm之薄板。比較例1中，除了設置薄板這點以外，以與實施形態1相同之構造製作光電變換裝置。
第14圖係表示作為比較例1所示之光電變換裝置之光電變換特性之測定結果之圖。此時，藉由將外周圍區域3b遮光，外周圍區域所生成之少數載子之再結合損失減少，故曲線因子增加，但由於遮光所致之短路電流之減少大，故隨著使遮蔽寬度W越大，輸出單調遞減。
第15圖係實施例1與比較例1中之改變寬度W時之能量變換效率值之比較結果。如第10圖、第15圖所示，由於藉由將光反射體2設置於外周圍區域3b，曲 線因子提升的同時短路電流值亦增加，因此最大能量變換效率提升。此係由於使入射至發電特性低之外周圍區域3b之光選擇性入射至發電特性高之中央區域3a，而使外周圍區域3b之影響小。
在W=由0.25mm改變至5.0mm時，開路電壓係增加。認為此係未在再結合速度高且開路電壓低之外周圍區域3b發電之效果所致。曲線因子係藉由設置光反射體2而大幅提升。又，認為在寬度直到W=2.5mm為止，最大能量變換效率係單調遞增，例如即使在W=0.1mm之情形，可獲得對應其寬度之輸出提升。
一般而言，對光電變換電池施加正電壓時，由於少數載子流入再結合速度高之外周圍區域而失去活性，故曲線因子降低。另一方面，認為由於設置光反射體時外周圍區域產生少數載子，該等失去活性所致之輸出損失，亦即不會引起曲線因子降低。
在W=5.0mm時短路電流減少。此係因光反射體之反射率為95%左右，其餘的5%係減少作為反射損失。如同上述，就寬度W與光電變換特性之關係而言，寬度W宜為1mm至3mm左右，但5mm左右之寬度亦可獲得某種程度的效果。
第11圖係表示將光電變換裝置之光電變換特性之測定結果作為實施例2之圖。實施例2中，依據實施形態2製作光電變換裝置。為了提高反射率而於光反射體102之斜面部102a之背面側施以銀鍍覆(亦參照第6圖)。 光反射體102之斜面構造之周期設為1mm，斜面角度相對於受光面3c設為15°。第11圖中，將實施例1之W=0mm者表示作為比較例1。
藉由將外周圍區域3b作為反射面，短路電流密度、開路電壓、曲線因子係提升。
此係與實施例1相同之效果所致。
(產業上之可利用性)
如同上述，本發明之光電變換裝置係有用於具有異質接面型光電變換電池之光電變換裝置。
1‧‧‧光電變換裝置
2‧‧‧光反射體
2a‧‧‧斜面部
2b‧‧‧包圍部
2c‧‧‧背面
3‧‧‧光電變換電池
3a‧‧‧中央區域
3b‧‧‧外周圍區域
3c‧‧‧受光面
4‧‧‧空洞部
6‧‧‧模組密封材

Claims (10)

  1. 一種光電變換裝置，其具備：使用具有光入射之受光面之結晶性基板之光電變換電池、以及設置於前述受光面之具有光電變換特性之電池端部上，且具有從基板端部起0.25mm至5mm之寬度之包圍前述光電變換電池之框構造之光反射體，其中，前述光反射體形成有相對於前述受光面成為斜面，使入射光反射且入射至前述光電變換電池之受光面之斜面部。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之光電變換裝置，其中，前述光反射體係呈現向遠離前述受光面之方向凸起，且前述斜面部構成一側之壁面之楔型形狀之剖面形狀。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之光電變換裝置，其中，呈現前述楔型形狀之前述光反射體之另一側之壁面係以包圍前述光電變換電池之外周部之方式設置。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之光電變換裝置，其中，前述光反射體之內側成為空洞部。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之光電變換裝置，其中，前述光反射體之內側填充有導電性材料。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之光電變換裝置，其進一步具備與形成於前述光電變換電池之集電電極在前述光反射體之內部連接之標籤線。
  7. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之光電變換裝置， 其中，前述斜面部中，於朝向前述受光面側之面形成反射光之反射膜。
  8. 如申請專利範圍第2項所述之光電變換裝置，其中，前述光反射體具有複數個前述斜面部。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之光電變換裝置，其中，複數個前述光電變換電池係隔著間隔而排列，前述光反射體係跨越前述光電變換電池等而設置。
  10. 一種光電變換裝置，其具備：使用具有光入射之受光面之結晶性基板之光電變換電池、與覆蓋前述光電變換電池之受光面側之蓋玻璃，其中，前述蓋玻璃中，在前述光電變換電池之受光面之具有光電變換特性之電池端部上形成有溝，前述溝係為相對於前述受光面成為斜面，使入射光反射且入射至前述光電變換電池之受光面之斜面部。
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