TWI545003B - 在聚合物結構上產生印記(imprint)之方法 - Google Patents
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Description
技術領域
本發明通常係與一種用於製備一聚合結構之壓印微影術的方法,以及一種用於製備一用於壓印聚合物之經壓印基材模具的方法有關。
發明背景
雖然例如X光與選擇性光束微影術之微影術方法,已經被證實可以被用來製造經圖案化的結構,但是具有高解析度之電子束圖案的連續曝光作用係為昂貴而耗時的。在高密度微影術曝光圖案被形成的時候,電子束曝光系統之高成本與該相對較低之產量,已經對將電子束微影術運用於製造過程中形成阻礙,特別是用來作為一直接描繪微電路之製造工具。此外,電子束微影術方法係被侷限於對電子束敏感之有機和無機材料。光學微影術已經是一種具有高產量製程之優秀的圖案化技術。然而,解析較小影像特徵的能力,係由該可見光波長之光學繞射限制所控制,因此僅能產生非常有限的結果。此外,此等方法對於產生低於150nm之限制的圖案而言並不經濟,並且也被侷限於須使用對光敏感之有機聚合物。
奈米壓印微影術(NIL)包括有奈米尺度結構之製造,並且通常係被用於製造先進的半導體積體電路期間。在一已知的奈米壓印微影術(NIL)製程中,一薄層的壓印光阻(熱塑性聚合物)係被旋轉塗覆於一樣本基材上。一具有預先界定之表面圖案的硬質模具會與基材接觸,並在一特定壓力以及一高於該聚合物的玻璃轉化溫度的溫度下,壓擠至該聚合物塗層內以允許在該模具上之該圖案,可以被壓擠至該融化的聚合物薄膜內。在被加以冷卻之後,該模具係自該樣本分離,而該圖案光阻則被留在該基材上。一例如反應性離子蝕刻技術(RIE)之圖案移除製程,係藉著將基材上的殘留物移除而用來將在該光阻中之該圖案轉移至該底層基材。
該等模具必需是機械、化學與熱穩定的,以抵抗在奈米壓印微影技術中所使用之壓力和溫度。然而,在傳統的奈米壓印微影術中所使用的硬質模具,通常會導致來自於其等之物理性質的一些問題,因此減低了其等在NIL方法之效率。舉例來說,如果較高的壓力並未被均勻地施加的話,該硬質模具的堅硬特性通常會造成模具損壞。
基於改良NIL技術的產量之目的,一些方法已經而被加以運用。這些技術包括有使用數個配送噴嘴、將脫模溫度最佳化,以及選擇聚合光阻之分子量。
增進NIL技術之高產量的另一種方法包括有藉著增加該模具尺寸,而水平地增加該圖案區域。然而,在到達尺寸限制的時候,其通常會導致不均勻之壓力分佈狀況。較小尺寸的模具係被用於一步進與重複的微影技術中以增加產量,並覆蓋一較大的晶圓基材。然而,如果可以增加該產量的話將會是較佳的。
目前需要有一種在一聚合物結構上製造一印記之改良方法,以克服或至少改善上述之一或更多缺點。
目前需要提供一種製造能夠對至少二個聚合物進行壓印之經壓印的基材模具之方法。
發明摘要
依據本發明之一第一態樣,其提供一種在一聚合物結構上製造一印記的方法,其包含有以下步驟:
a)提供一經壓印的基材模具,其係在一第一側邊上具有一經界定的壓印表面圖案,並且在一對應於該第一側邊的第二側邊上具有一經界定的壓印表面圖案;
b)將一聚合物結構相對於該經壓印基材模具的該第一側邊來加以壓擠,以在其上形成一印記;並且
c)將另一聚合物結構相對於該經壓印基材模具的該第二側邊來加以壓擠,以在其上形成一印記。
有利地,在該等壓擠步驟同時進行時,在同時進行該等壓擠步驟一段部份的該壓擠時間時,運用一兩側經過壓印之基材模具,將可以增加經壓印的聚合物之產量達兩倍。因此,其可以同時生產至少二個所形成之聚合物印記。
有利地,在此所揭示之方法可以避免對於額外的設備或製程之需求,因為其僅需要一兩側經過壓印的基材模具,而可能可以100%改良產量。
在一具體例中,其提供一種在一聚合物結構上製造一係為奈米尺寸或微米尺寸之印記的方法,其包含有以下步驟:
a)提供一係為奈米尺寸或微米尺寸之經壓印基材模,其在一第一側邊上具有一經界定的壓印表面圖案,並且在一對應於該第一側邊的一第二側邊上具有一經界定的壓印表面圖案;
b)將一聚合物結構相對於係為奈米尺寸或微米尺寸之經壓印的基材模具之該第一側邊來加以壓擠,以在其上形成一係為奈米尺寸或微米尺寸的印記;並且
c)將另一聚合物結構相對於該係為奈米尺寸或微米尺寸之經壓印的基材模具之該第二側邊來加以壓擠,以在其上形成一係為奈米尺寸或微米尺寸的印記。
依據本發明之一第二態樣,其提供一種製造一兩側經過壓印之基材模具的方法,其包含有以下步驟:
a)將一具有一經界定壓印表面圖案之模具,相對於一基材的一第一側邊來加以壓擠,以在該基材上形成一具有第一側邊的壓印模具;並且
b)將另一具有一經界定壓印表面圖案之模具,相對於該基材的對應於該第一側邊之一第二側邊來加以壓擠,以在該基材上形成一具有第二側邊的壓印模具,而因此形成該兩側經壓印之基材模具。
在一具體例中,其提供一種製造一兩側經過奈米尺寸或微米尺寸的壓印作用之基材模具的方法,其包含有以下步驟:
a)將一具有一係為奈米尺寸或微米尺寸的經界定壓印表面圖案之模具,相對於一基材的一第一側邊來加以壓擠,以在該基材上形成一具有第一側邊的係為奈米尺寸或微米尺寸之壓印模具;並且
b)將另一具有一係為奈米尺寸或微米尺寸之經界定壓印表面圖案的模具,相對於該基材之對應於該第一側邊的一第二側邊來加以壓擠,以在該基材上形成一具有第二側邊的係為奈米尺寸或微米尺寸之壓印模具,而因此形成該兩側具有係為奈米尺寸或微米尺寸之經壓印基材模具。
依據本發明之一第三態樣,其提供一種製造一經壓印的聚合物結構的方法,其包含有以下步驟:
a)將一具有一經界定壓印表面圖案之模具,相對於一基材的一第一側邊來加以壓擠,以在該基材上形成一具有第一側邊的壓印模具;
b)將另一具有一經界定壓印表面圖案之模具,相對於該基材的對應於該第一側邊之一第二側邊來加以壓擠,以在該基材上形成一具有第二側邊的壓印模具,而因此形成該兩側經壓印之基材模具;
c)將一聚合物結構相對於該兩側經壓印基材模具的該第一側邊來加以壓擠,以在其上形成一印記;並且
d)將另一聚合物結構相對於該兩側經壓印基材模具的該第二側邊來加以壓擠,以在其上形成一印記。
在一具體例中,其提供一種製造一係為奈米尺寸或微米尺寸的經壓印聚合物之方法,其包含有以下步驟:
a)將一具有一經界定之係為奈米尺寸或微米尺寸的壓印表面圖案之模具,相對於一基材的一第一側邊來加以壓擠,以在該基材上形成一具有第一側邊的係為奈米尺寸或微米尺寸之壓印模具;
b)將另一具有一經界定之係為奈米尺寸或微米尺寸的壓印表面圖案之模具,相對於該基材的對應於該第一側邊之一第二側邊來加以壓擠,以在該基材上形成一具有第二側邊的係為奈米尺寸或微米尺寸之壓印模具,而因此形成該兩側經壓印之基材模具;
c)將一聚合物結構相對於該兩側係為奈米尺寸或微米尺寸之經壓印基材模具的該第一側邊來加以壓擠,以在其上形成一係為奈米尺寸或微米尺寸的印記;並且
d)將另一聚合物結構相對於該兩側係為奈米尺寸或微米尺寸之經壓印基材模具的該第二側邊來加以壓擠,以在其上形成一係為奈米尺寸或微米尺寸之印記。
依據本發明的一第四態樣,其提供一種經壓印的聚合物結構,該經壓印的聚合物結構係以包含有以下步驟的方法來製造:
a)提供一經壓印的基材模具,其係在一第一側邊上具有一經界定的壓印表面圖案,並且在一對應於該第一側邊的第二側邊上具有一經界定的壓印表面圖案;
b)將一聚合物結構相對於該經壓印基材模具的該第一側邊來加以壓擠,以在其上形成一印記;並且
c)將另一聚合物結構相對於該經壓印基材模具的第二側邊來加以壓擠,以在其上形成一印記。
在一具體例中,其提供一種在上述的方法中所製造之係為奈米尺寸或微米尺寸的壓印聚合物結構。
依據本發明的一第五態樣,其提供一種經壓印的聚合物結構,該經壓印的聚合物結構係以包含有以下步驟的方法來製造:
a)將一具有一經界定壓印表面圖案之模具,相對於一基材的一第一側邊來加以壓擠,以在該基材上形成一具有第一側邊的壓印模具;
b)將另一具有一經界定壓印表面圖案之模具,相對於該基材的對應於該第一側邊之一第二側邊來加以壓擠,以在該基材上形成一具有第二側邊的壓印模具,而因此形成該兩側經壓印之基材模具;
c)將一聚合物結構相對於該兩側經壓印基材模具的該第一側邊來加以壓擠,以在其上形成一印記;並且
d)將另一聚合物結構相對於該兩側經壓印基材模具的該第二側邊來加以壓擠,以在其上形成一印記。
在一具體例中,其提供一種在上述的方法中所製造之係為奈米尺寸或微米尺寸的壓印聚合物結構。
依據本發明的一第六態樣,其提供一種兩側經壓印的基材模具,該經壓印的基材模具係以包含有以下步驟的方法來製造:
a)將一具有一經界定的壓印表面圖案之模具,相對於一基材的一第一側邊來加以壓擠,以在該基材上形成一具有第一側邊的壓印模具;並且
b)將另一具有一經界定的壓印表面圖案之模具,相對於該基材的對應於該第一側邊之一第二側邊來加以壓擠,以在該基材上形成一具有第二側邊的壓印模具,而因此形成該兩側經壓印之基材模具。
在一具體例中,其提供一種以上述所界定的方法所製造之兩側具有係為奈米尺寸或微米尺寸的壓印基材模具。
依據本發明的一第七態樣,其提供一種將一兩側具有經壓印的基材模具,用來壓印至少二個聚合物結構之用途。
在一具體例中,其提供一種將一兩側具有係為奈米尺寸或微米尺寸之經壓印的基材模具,用來壓印至少二個係為奈米尺寸或微米尺寸的聚合物結構之用途。
定義
在此所使用之下列字詞與術語應該具有以下涵義:
"奈米尺寸"這個術語係指一種具有落在係為大約1nm至低於大約1微米的奈米尺寸之範圍中的厚度尺寸之結構。
"微米尺寸"這個術語係指一種具有落在係為大約1微米至大約10微米的微米尺寸之範圍中的厚度尺寸之結構。
在此所揭示之"模具"這個術語,通常係指一種用於將一特定物件或產物加以產生形狀或製造之模具結構或是一主模具。典型的模具係包括有但並未侷限於矽、金屬、陶瓷、聚合物以及其等之組合。
在此一發明說明書的內文中,"壓擠"這個術語,可以代表將一物體相對於另一物體而擠壓,或反之亦然,或者兩個物體係彼此同時接近以導入一擠壓力量。舉例來說,"將A相對於B而進行壓擠"這個術語,將不僅包含以物體A來對物體B進行擠壓,也不僅包含以物體B來對物體A進行擠壓,以及將物體A與物體B彼此相對進行擠壓。
如在此所使用的"聚合物"這個術語,代表一具有衍生自相同的單體成分之二或更多單元的分子,所以該"聚合物"係將衍生自不同的單體成分的分子結合,以形成共聚物、三元共聚物、多成分聚合物、接枝-共聚物、區段-共聚物以及其等之類似物。
"鹵化聚合物"這個術語係指一種在該聚合物的重複單體單元中,係具有例如氟或氯之至少一鹵素的聚合物。
"氟化聚合物"這個術語係指一種具有作為一鹵素之氟的鹵化聚合物,但是其可以包括有其他的鹵素。這個術語涵蓋了衍生自每一個單體均係至少部份地以氟原子來取代,或是以氟原子與氯、溴或碘原子中之至少一者的組合來取代之烯烴單體的同聚物或共聚物。
在此所使用之"基材"這個術語,通常係指任何被用來作為模板之支持結構,以形成二或更多個聚合物印記。典型的基材係包括有但不侷限於聚四氟乙烯(PTFE)、乙烯四氟乙烯(ETFE)、過氟化烷基(PFA)、六氟丙烯、氯三氟乙烯、溴三氟乙烯以及其等之組合。
如在此所使用的"表面圖案"這個術語,通常係指在此所揭露的任何結構之外部周邊表面。
"旋轉塗覆"這個術語或是其之文法上的變化,通常係指一種其中一聚合物溶液係被分散於一表面(例如,一個模具)上,而該表面係快速地旋轉以離心地迫使該溶液散開並在該製程中形成一去溶劑化聚合物的薄層。
"實質上"這個術語並未排除"完全地"。舉例來說,在該壓擠步驟(c)與(d)係被"實質上同時"形成的時候,該壓擠步驟可以是實質上同時的,以藉此在一單一步驟中之相同時期間產生聚合結構。在有需要時,"實質上"這個術語可以自本發明之定義中省略。
除非有另外指明,"包含有"與"包括有"這個術語以及其等之文法上的變化,係代表"開放性"或"封閉性"語法,以使得其等包括有所描述的元件也包括有未被描述之額外的元件。
如在此所使用的,在該等配方的成分之濃度的內容中,"大約"這個術語係典型地代表所描述的數值+/-5%,更典型地為所描述的數值+/-4%,更典型地為所描述的數值+/-3%,更典型地為所描述的數值+/-2%,又更典型地為所描述的數值+/-1%,且又更典型地為所描述的數值+/-0.5%。
在本揭示內容各處中,特定具體例可能以一定範圍之形式來加以揭示。應該要了解的是,所描述之形式範圍僅係基於便利和簡單的考量,而不應該被解釋為對所揭示之範圍係為不具任何彈性之限制。因此,該範圍的描述應該被視為已經明確地揭示在該範圍裡面之所有可能的子範圍與個別的數值。舉例來說,例如1至6之範圍描述應該被視為已經明確地揭露例如1至3、1至4、1至5、2至4、2至6、3至6等等之子範圍,以及例如1、2、3、4、5和6之落在該範圍裡面之個別的數值。此一原則不管範圍多寬都適用。
具體例之詳細揭示內容
現在將揭示一種在一聚合物上製造一印記之方法的典型且非侷限性具體例。在一具體例中,其提供一種製造一係為奈米尺寸或微米尺寸的經壓印聚合物結構之方法,其包含有以下步驟:
a)將一具有一經界定之係為奈米尺寸或微米尺寸的壓印表面圖案之模具,相對於一基材的一第一側邊來加以壓擠,以在該基材上形成一具有第一側邊的係為奈米尺寸或微米尺寸之壓印模具;
b)將另一具有一經界定之係為奈米尺寸或微米尺寸的壓印表面圖案之模具,相對於該基材的對應於該第一側邊之一第二側邊來加以壓擠,以在該基材上形成一具有係為第二側邊的奈米尺寸或微米尺寸之壓印模具,而因此形成該係為奈米尺寸或微米尺寸的兩側經壓印之基材模具;
c)將一聚合物結構相對於該兩側為奈米尺寸或微米尺寸之經壓印基材模具的該第一側邊來加以壓擠,以在其上形成一係為奈米尺寸或微米尺寸的印記;並且
d)將另一聚合物結構相對於該兩側為奈米尺寸或微米尺寸之經壓印基材模具的該第二側邊來加以壓擠,以在其上形成一係為奈米尺寸或微米尺寸之印記,
其中該等壓擠步驟(c)與(d)係實質上同時地形成,而藉此在一單一步驟中的同一時段期間產生兩個聚合結構。
在一具體例中,該方法在壓擠步驟d)之後可以進一步包含有將該等所形成的聚合物印記,同時地自該壓印基材模具加以分離。
在一具體例中,該壓擠步驟(a)與該擠壓步驟(b)可以同時地進行。
在一具體例中,該方法在壓擠步驟(b)之後,可以更進一步包含有將該兩側經壓印之基材模具自該模具加以分離的步驟。
該兩側經壓印的基材模具可以被用於之後的壓印作用,並且可以改良該聚合結構之生產產量。在一具體例中,該兩側經壓印的基材模具,可以被用於之後的壓印作用超過一次以上。
在一具體例中,在此所揭露之基材可以由鹵化聚合物所構組成。在另一具體例中,該鹵化聚合物可以包含有一氟化聚合物。典型的氟聚合物可以包括有聚四氟乙烯(PTFE)、乙烯四氟乙烯(ETFE)、過氟化烷基(PFA)、氟化乙烯-丙烯共聚物(FEP)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、聚氯三氟乙烯(PCTFE)、六氟丙烯、氯三氟乙烯與溴三氟乙烯。
在一特定具體例中,該氟化聚合物可以包含有乙烯四氟乙烯(ETFE)。有利地,該氟化聚合物可以是機械上可配合變形的、熱穩定的,並且對化學藥品具有高度抵抗性的。明確地說,ETFE聚合物在較低的壓力(也就是大約1MPa至大約3MPa)下係具有延展性的,以使得其可配合該模具的該形狀。在該氟化模具在較低的壓力下加以使用的時候,可以有效地減少磨損與撕裂的狀況。因此,該基材係高度地可進行壓印的,並且可以讓各種不同的可壓印基材易於以高精確度來加以製造。有利地,具有相對較低的結晶度之氟化聚合物,係因為其等易於進行模製而係為較佳地。舉例來說,由於PTFE之較高的結晶度,ETFE比起PTFE係相對地易於進行加工。
有利地,在該基材表面上由於其之低表面能,其可能不需要塗覆抗膠黏層來使得基材易於自該聚合物印記脫離。因此,該兩側經壓印基材由於其在較低壓力下之可延展性,以及在印記區域上散佈該所施加的壓力之能力,而可以適用於之後的聚合物結構之壓印作用,並藉此來配合該模具之形狀。
在一具體例中,在此所揭露的基材之厚度可以落在選自於由大約0.25公釐至大約1公釐;大約0.35公釐至大約1公釐;大約0.5公釐至大約1公釐;大約0.8公釐至大約1公釐;大約0.25公釐至大約0.8公釐;大約0.25公釐至大約0.6公釐;大約0.25公釐至大約0.45公釐;以及大約0.25公釐至大約0.5公釐所組成之群組的範圍內。因此,在一特殊具體例中,該基材的厚度可以落在大約0.25公釐至大約0.5公釐的範圍內。
在一具體例中,該兩側基材之印記係包含有數個通道之形成。每個通道之形成作用係被界定於一對自該基材之基礎延伸的凸起之間,每個凸起都具有沿著一縱向軸而延伸的長度尺寸、與該縱向軸垂直之一高度尺寸以及一寬度尺寸。該等數個凸起之該寬度尺寸可以落在大約250nm至大約3000nm或是大約400nm至大約2000nm的範圍內。在一特定的具體例中,該等通道的寬度係為大約250nm至大約2000nm。
在一具體例中,在此所揭示的該壓印聚合物結構之寬度可以落在大約250nm至大約3000nm或是大約400nm至大約2000nm的範圍內。在一特定的具體例中,該等通道之寬度係為大約250nm至大約2000nm。
在一具體例中,該第一模具的該經界定壓印表面圖案,可以與該第二模具的該經界定壓印表面圖案係為相同或不同的。因此在一特定具體例中,該第一模具的該經界定壓印表面圖案,可以與該第二模具的該經界定壓印表面圖案不同。有利地,運用與該第二模具的該經界定壓印表面圖案不同之該第一模具的該經界定壓印表面圖案,可以允許在一兩側基材模具之可以被壓印成在該第一側邊上之具有一經界定的壓印表面圖案,係與在該相對側邊上之該經界定的壓印表面圖案不同。
因此,在此所揭示之該兩側經壓印的基材模具,可以在一單一壓印製程中允許壓印至少二種不同類型的聚合物結構。
在一具體例中,在此所揭露的聚合物可以包含有一熱塑性的聚合物。典型的熱塑性聚合物包括有但不限於,選自於由丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(ABS)、壓克力、賽璐珞、乙烯醋酸乙烯酯(EVA)、乙烯-乙烯醇(EVAL)、氟塑料、液晶聚合物(LCP)、聚縮醛(POM或乙縮醛)、聚丙烯腈(PAN或丙烯腈)、聚醯胺醯亞胺(PAI)、聚芳醚酮(PAEK或酮類)、聚丁二烯(PBD)、聚己酸內酯(PCL)、聚氯三氟乙烯(PCTFE)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚對苯二甲酸甲二醇環己烯酯(PCT)、聚羥基烷酸鹽類(PHAs)、聚酮(PK)、聚酯、聚乙烯(PE)、聚醚醚酮(PEEK)、聚醚醯亞胺(PEI)、聚醚碸(PES)、氯化聚乙烯(PEC)、聚乳酸(PLA)、聚甲基戊烯(PMP)、聚苯醚(PPO)、聚苯硫(PPS)、聚鄰苯二甲醯胺(PPA)、聚碸(PSU)、聚偏二氯乙烯(PVDC)、高反射材料(SPECTRALON)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、聚乙酸乙烯酯(PVAc)、雙向拉伸聚丙烯(BOPP)、聚苯乙烯(PS)、聚丙烯、高-密度聚乙烯(HDPE)、聚(醯胺)、聚丙烯酯、聚(丁烯)、聚(戊二烯)、聚氯乙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁烯酯、聚碸、聚醯亞胺、纖維素、乙酸纖維素、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-丁烯-丙烯三元共聚物、聚噁唑啉、聚氧化乙烯、聚氧化丙烯、聚乙烯吡咯酮,以及其等之組合所構成的群組之聚合物;一選自於由聚二甲矽氧烷(PDMS)、聚(異戊二烯)、聚(丁二烯),以及其等之組合所構成的群組之彈性體、聚合物摻合物和共聚物。在一特定具體例中,該聚合物可以包含有聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。
在一具體例中,在此揭露的模具可以由對該聚合物係具有化學惰性並且可以進行表面處理之任何適當材料所構成。典型的模具可以選自於由矽、金屬、陶瓷、聚合物以及其等之組合所構成的群組之材料所構成。因此在一特定的具體例中,該模具可以包含有矽。
在一具體例中,該製程包含有將該聚合物旋轉塗覆於一晶圓上的步驟。在另一具體例中,該晶圓可以包含有矽。
在一具體例中,在該兩側經壓印的基材之該經界定的表面圖案之區域,係落在選自於大約1cm x 1cm至大約1.5cm x 1.5cm的範圍內。在一特定的具體例中,在該兩側經壓印的基材之該經界定的表面圖案之區域係為大約1cm x 1cm。有利地,在該兩側經壓印基材的該表面上可以得到一均勻的印記。
在一具體例中,其提供一種在一聚合物結構土製造一個印記的方法,其中在該壓擠步驟c)和d)期間之該溫度條件高於聚合物結構的玻璃轉化溫度(Tg)。在一具體例中,其提供一種在一聚合物結構上製造一印記的方法,其中在該壓擠步驟c)和d)期間之該溫度條件,係選自於由大約50℃至大約200℃;大約100℃至大約200℃;大約50℃至大約200℃;大約50℃至大約150℃;以及大約50℃到大約100℃所組成的群組之範圍內。因此,在一特定具體例中,在該壓擠步驟c)和d)期間之該溫度條件係為大約120℃至大約180℃。在又另一具體例中,在該壓擠步驟c)和d)期間之溫度條件係為大約140℃至大約150℃。在一具體例中,其提供一種在一聚合物結構上製造一印記的方法,其中在該壓擠步驟c)和d)期間之該壓力條件,可以落在選自於由大約0.25MPa至大約3MPa;大約0.5MPa至大約3MPa;大約0.5MPa至大約3MPa;大約0.25MPa至大約2.5MPa;大約0.25MPa至大約2MPa;以及大約0.25MPa至大約1.5MPa所組成的群組之範圍內。在一特定具體例中,在該壓擠步驟c)和d)期間之壓力條件係為大約1MPa至大約3MPa。有利地,該兩側經壓印基材模具可以在低壓力下被用來壓印該聚合物結構,因為其在低壓力下係具有高度地配適性。
在一具體例中,其提供一種在一聚合物結構上製造一印記的方法,其中在該壓擠步驟c)和d)期間之該時間條件,可以落在選自於由大約1分鐘至大約20分鐘;大約1分鐘至大約15分鐘;大約1分鐘至大約10分鐘;大約2分鐘至大約10分鐘;以及大約2分鐘到大約5分鐘所組成的群組之範圍內。在一特定具體例中,在該壓擠步驟c)和d)期間之壓力條件係為大約2分鐘到大約6分鐘。
用於壓擠步驟c)和d)中之該兩側經壓印的基材模具可以被用於之後的聚合物結構之壓印作用。在一具體例中,該兩側經壓印的基材模具,可以被用於之後的壓印作用。舉例來說,為了增加該該兩側經壓印的基材模具之可再利用性,該壓擠步驟c)和d)可以在大約170℃和大約1MPa或更少的較低之溫度和壓力下進行操作。此外,為了於該壓擠步驟c)和d)期間維持該兩側經壓印的基材模具之完整性,在該操作溫度增加至高於100℃的時候,該壓力可以被減低至1MPa或更低。
在一具體例中,其提供一種製造一兩側經壓印之基材的方法,其中在該壓擠步驟(a)與(b)期間之該溫度條件,可以落在選自於由大約150℃至大約300℃;大約200℃至大約300℃;以及大約150℃至大約250℃所組成的群組之範圍內。在一特定具體例中,在該壓擠步驟(a)與(b)期間之溫度條件係為大約200℃至大約220℃。
在一具體例中,其提供一種製造一兩側經壓印基材的方法,其中在該壓擠步驟(a)與(b)期間之該壓力條件,可以落在選自於由大約1MPa至大約10MPa;以及1MPa至大約5MPa的所組成的群組之範圍內。在一特定具體例中,在該壓擠步驟(a)與(b)期間之壓力條件係為大約3MPa大約6MPa。
在一具體例中,其提供一種製造一兩側經壓印的基材之方法,其中在壓擠步驟(a)和(d)期間的該時間條件,可以落在選自於由大約10分鐘至大約30分;大約10分鐘至大約25分鐘;大約10分鐘至大約20分鐘;以及大約10分鐘至大約15分鐘所組成的群組之範圍內。在一特定具體例中,在該壓擠步驟c)和d)期間之該時間條件係為大約10分鐘到大約30分鐘。
在一具體例中,製造在一聚合物結構上之一印記的方法,可以進一步包含有在將該所形成的聚合物印記,自該經壓印之基材分離的步驟之前,允許將該等所形成之二或更多的聚合物印記,冷卻至一經壓印基材之脫離溫度範圍的步驟。該經壓印基材的脫離溫度,可以落在選自於由大約25℃至大約80℃;大約25℃至大約75℃;大約25℃至大約60℃;大約25℃至大約45℃;大約30℃至大約80℃;大約45℃至大約80℃;大約65℃至大約80℃;以及大約70℃到大約80℃所組成的群組之範圍內。在一特定具體例中,該基材的脫離溫度可以是大約為80℃。有利地,較低的脫離溫度允許該經壓印聚合物結構自該經壓印基材脫離。
在一具體例中,製造一兩側經壓印之基材的方法,可以進一步包含有在將該經壓印之基材自該模具分離的步驟之前,允許將該經壓印基材冷卻至一模具脫離溫度範圍的步驟。該模具脫離溫度可以落在選自於由大約25℃至大約70℃;大約25℃至大約65℃;大約25℃至大約55℃;大約25℃至大約40℃;大約30℃至大約70℃;大約45℃至大約70℃;大約55℃至大約70℃;以及大約60℃對大約70℃所組成的群組之範圍內。在一特定具體例中,該模具的脫離溫度可以是大約為25℃。在又另一具體例中,該模具的脫離溫度可以是大約為70℃。
圖式簡要說明
該等隨附的圖式例示說明所揭示的具體例,並且係被用來解釋該所揭示的具體例之原理。然而,應該要了解的是該等圖式僅係基於例示說明之目而設計,而且不應被定義為對本發明之限制。
第1圖概要地例示說明一種依據一所揭示之具體例之所揭示的形成一兩側模具,接著將其係用來同時地壓印二聚合物結構之製程。
第2圖顯示使用所揭示的方法來製造之一兩側ETFE模具的SEM影像。第2(a)圖顯示在大小為600下之在該模具的兩側上,具有一經界定的表面圖案之該兩側ETFE模具的SEM影像。第2(b)圖顯示在大小為3,500下之在該兩側ETFE模具的一側之SEM中央部分影像。第2(c)圖顯示在大小為1,800下,該兩側ETFE模具之另一側的SEM影像。
第3圖顯示使用所揭示的方法來製造之經壓印聚合物結構(PMMA)的SEM影像。第3(a)圖顯示在大小為2,000下的由該兩側ETFE模具之一側,來製造的一經壓印聚合物結構之頂視SEM影像。第3(b)圖顯示在大小為2,200下的由該兩側ETFE模具之該第二側來製造的另一經壓印聚合物結構(PMMA)之頂視SEM影像。
第4圖顯示使用所揭示的方法所製造之經壓印聚合物結構(PMMA)的SEM影像。第4(a)圖顯示在大小為2,500下的以該兩側ETFE模具之一側來製造的一第一經壓印聚合物結構之傾斜視角SEM影像。第4(b)圖顯示在大小為2,500下的以該兩側ETFE模具之另一側來製造的一第二經壓印聚合物結構(PMMA)之傾斜視角SEM影像。
第5圖顯示使用所揭示的方法來製造之兩側ETFE模具的SEM影像。第5(a)圖顯示在大小為43下所展現之二個不同表面的該兩側ETFE模具之SEM影像。第5(b)圖顯示在大小為5,000下之該兩側ETFE模具的一側之SEM影像。第5(c)圖顯示在大小為5,000下之該兩側ETFE模具的另一側之SEM影像。
第6圖顯示使用所揭示的方法來製造之經壓印的聚合物結構(PMMA)之SEM影像。第6(a)圖顯示在大小為5,000下由該兩側ETFE模具的一側所製造之經壓印聚合物結構的頂視SEM影像。第6(a)圖顯示在大小為5,000下由該兩側ETFE模具的該第二側所製造之另一經壓印聚合物結構的頂視SEM影像。
典型具體例之詳細揭示內容
參照第1圖,其揭露一種用於同時地壓印二聚合物結構之所揭示的製程10的概要說明。在步驟(A)中,第一Si模具A係具有由沿著該Si模具A的該長度而延伸之凸起(12A、12B、12C)所構成之一經壓印表面圖案,其係直接地對齊於一ETFE薄片之第一側邊的上方。一第二Si模具A'係具有由沿著該Si模具A'的該長度而延伸之凸起(12A'、12B'、12C')所構成之一經壓印表面圖案,其係直接地對齊於該基材相對於該第一側邊的一第二側邊下方。
在第1圖的步驟(B)中,Si模具A與Si模具A'係在210℃的溫度與3MPa下,分別地朝向該ETFE薄片之第一與第二側邊施壓20分鐘,以形成一ETFE模具。該ETFE模具係在該第一側邊上,界定有由凸起(14A、14B、14C、14D)所構成之一表面圖案,而在相對於該第一側邊的該第二側邊上,界定有由凸起(14A'、14B'、14C'、14D')所構成之一表面圖案。
在第1圖的步驟(C)中,在將該ETFE模具自該Si模具A與該Si模具A'脫離之前,該ETFE模具係被冷卻至係為70℃之溫度。
參照第1圖的步驟(D)。該聚合物A與聚合物A'係分別被旋轉塗覆於Si晶圓B與Si晶圓B'之上。該ETFE模具係被設置於聚合物A與聚合物A'之間。聚合物A係直接地對齊於具有由凸起(14A、14B、14C、14D)所構成之一表面圖案的ETFE模具之該第一側邊上方,而聚合物A'則係直接地對齊於具有由凸起(14A'、14B'、14C'、14D')所構成之一表面圖案的ETFE模具之相對於該第一側邊的該第二側邊下方。
在第1圖的步驟(E)中,聚合物A與聚合物A'係在150℃的溫度與3MPa下,分別地朝向該ETFE模具之該第一與第二側邊施壓5分鐘,以在聚合物A上形成一具有由凸起(16A、16B、16C、16D、16E)所構成之一表面圖案的印記,並在聚合物A'上形成一具有由凸起(16A'、16B'、16C'、16D'、16E')所構成之一表面圖案的印記。
參照第1圖的步驟(F),在將聚合物A和聚合物A'自該ETFE模具脫離之前,該聚合物A與聚合物A'係被冷卻至係為70℃的溫度。
具體例
本發明之非限制性具體例將藉著參考特定的具體例來進一步更詳細地加以描述,其在任何方面都不應該被解釋為本發明之範圍的限制。
具體例1
兩側ETFE模具的複製
下列實驗的製程均與如上所述之參照第1圖的製程10相同。具有兩側之乙烯(四氟乙烯)(ETFE)模具係依據下面所揭示之製程來加以複製。
用於該模具複製模製程之主板係以人矽所製成。該所複製的模具之材料係為商業上可取得之ETFE薄片(可以自英國倫敦的Vector Foiltec公司取得之Texlon)。該ETFE薄片之厚度係為0.25公釐。該模具複製製程係以奈米壓印機器(Obducat Sweden)來實施。該ETFE薄片係被切割成比該矽模具之尺寸略大的矩形塊體,在一維持於丙酮中之超音波浴內來進行清理,以異丙醇來進行沖洗並以氮氣來加以乾燥。該ETFE薄片係被夾合於二個矽主板之間。該模具複製壓印製程係在210℃的溫度以及30巴(3Mpa)的壓力下進行20分鐘。在那之後,其係在該壓力被釋放之前被冷卻而降低至70℃。該複製品然後小心地加以脫模而形成矽模具。該ETFE模具的兩個表面之經圖案化區域係為1cm x 1cm。
參照第2圖,其顯示一在該ETFE模具的兩側上都具有由數個通道形式所構成之一經界定的表面圖案之兩側ETFE模具,每個通道均係被界定於一對由該基材的基部所延伸的凸起之間。每個凸起都具有沿著一縱軸來延伸的長度尺寸、與該縱軸垂直之高度尺寸與寬度尺寸。
在該ETFE模具的兩側邊上之該等凸起的該等通道之寬度係為2μm。第2(c)圖也顯示該經壓印表面圖案係沿著該ETFE模具的該邊緣來良好地界定。
參照第5(a)圖,其顯示一具有二個不同表面之ETFE薄片。第5(b)和(c)圖顯示在該ETFE模具之兩側上之該經界定的壓印表面圖案。在該ETFE模具的兩側上之該等通道的該等寬度係為250nm。
因此,第2和5圖兩者都顯示該ETFE薄片係為機械上可配合變形的以及熱穩定的,因為ETFE可以使用在此所揭示的方法來壓印不同圖案尺寸。
因此,運用該ETFE薄片可以允許其壓印不同類型的聚合物結構。
具體例2
PMMA壓印作業
裸矽晶圓係以丙酮然後以異丙醇(IPA)進行超音波處理,然後以氧氣電漿來進一步清理而增進該表面的親水性。用於該電漿清潔作用的概要條件,係為在250m Torr的壓力、係為100之射頻能量以及10sccm的氧氣流速下進行10分鐘。來自Micro Resist Technology公司的PMMA(MW=35k)樹脂係被旋轉塗覆於該裸矽基材上。在該旋轉塗覆製程完成時,該基材係在加熱板上於140℃下加以烘烤2分鐘。該ETFE軟質模具然後係被***於二個具有PMMA塗層的基材之間。該壓印製程係在150℃下以30巴(3MPa)的壓力進行五分鐘。該樣本係在70℃的溫度下進行脫模。
由具體例1所得到之該兩側經壓印ETFE模具,係被夾合於二個具有PMMA塗層的基材之間,以形成如第3、、4和6圖所顯示的二個PMMA經壓印結構。參照第3和4圖,二個PMMA壓印結構係由該具有2μm通道寬度之兩側ETFE模具的不同側邊來產生。
該壓擠步驟的結果,該PMMA經壓印結構的該經壓印表面圖案之該圖案,係對應於該兩側經壓印ETFE模具的該壓印圖案。因此該PMMA壓印結構將具有係為2μm的通道寬度。在第3和4圖中之該PMMA壓印結構,顯示以高精確度來製造的經過良好地界定之結構。
參照第6圖,二個PMMA壓印結構係由自具體例1所得到之該250nm的兩側ETFE模具之不同側邊來形成。因此,該PMMA經壓印結構之該經壓印表面圖案的該通道寬度係為250nm。
因此,第3和6圖顯示至少二個PMMA壓印結構可以使用一兩側經壓印ETFE模具而同時地生產。
應用方式
該所揭示之製程提供一種用於在聚合物結構上製造一印記的方法,以及一種用於製造一可以用來壓印聚合物之兩側經壓印的基材模具。
有利地,當該壓擠步驟的係同時地進行的時候,使用兩側經壓印基材模具,將可以增加該聚合物的產量兩倍。在使用在此所揭露之方法來壓印聚合物結構的時候,其將會顯著地減少所耗費的成本。
有利地,在此所揭露之方法可以避免對於額外的設備或製程序之需求,因為其僅需要一兩側經壓印的基材模具來改良產量。
在該模具之一側邊上的該經界定壓印表面圖案,係可以與該第二模具者不同。這允許其壓印出一種兩側基材模具,其在該第一側邊上具有一與該相對側邊上之該經界定的壓印表面圖案不同之經界定的壓印表面圖案。
有利地,在此所揭示之兩側經壓印的基材模具,可以允許在一壓印製程中,壓印至少二個不同類型之聚合物結構。
有利地,在此所揭露之該經壓印基材之該用途,可以用於之後的類似或不同聚合物結構之壓印作用中。使用該經壓印的基材模具係優於使用硬質模具,因為其可以在該壓印區域上延展與分散該所施加的壓力。此外,在此所揭露的經壓印基材模具係機械上可配合變形的、熱穩定的並且可以抵抗在壓印製程期間之壓力和溫度。
由於在此所揭示之經壓印基材模具之低表面能,其將不需例如塗覆抗黏附層之額外的表面處理作用,以使得基材易於自該形成的壓印聚合物結構脫離。
顯然可知的是,在閱讀過前述的揭示內容之後,未背離本發明的精神和範圍之本發明的各種不同之其他改良與修改,對於習於此藝者而言將是顯而易見的,而在隨附的申請專利範圍內將指出所有的此等改良與修改方式。
12A,12B,12C...凸起
12A',12B',12C'...凸起
14A,14B,14C,14D...凸起
14A',14B',14C',14D'...凸起
16A,16B,16C,16D,16E...凸起
16A',16B',16C',16D',16E'...凸起
第1圖概要地例示說明一種依據一所揭示之具體例之所揭示的形成一兩側模具,接著將其係用來同時地壓印二聚合物結構之製程。
第2圖顯示使用所揭示的方法來製造之一兩側ETFE模具的SEM影像。第2(a)圖顯示在大小為600下之在該模具的兩側上,具有一經界定的表面圖案之該兩側ETFE模具的SEM影像。第2(b)圖顯示在大小為3,500下之在該兩側ETFE模具的一側之SEM中央部分影像。第2(c)圖顯示在大小為1,800下,該兩側ETFE模具之另一側的SEM影像。
第3圖顯示使用所揭示的方法來製造之經壓印聚合物結構(PMMA)的SEM影像。第3(a)圖顯示在大小為2,000下的由該兩側ETFE模具之一側,來製造的一經壓印聚合物結構之頂視SEM影像。第3(b)圖顯示在大小為2,200下的由該兩側ETFE模具之該第二側來製造的另一經壓印聚合物結構(PMMA)之頂視SEM影像。
第4圖顯示使用所揭示的方法所製造之經壓印聚合物結構(PMMA)的SEM影像。第4(a)圖顯示在大小為2,500下的以該兩側ETFE模具之一側來製造的一第一經壓印聚合物結構之傾斜視角SEM影像。第4(b)圖顯示在大小為2,500下的以該兩側ETFE模具之另一側來製造的一第二經壓印聚合物結構(PMMA)之傾斜視角SEM影像。
第5圖顯示使用所揭示的方法來製造之兩側ETFE模具的SEM影像。第5(a)圖顯示在大小為43下所展現之二個不同表面的該兩側ETFE模具之SEM影像。第5(b)圖顯示在大小為5,000下之該兩側ETFE模具的一側之SEM影像。第5(c)圖顯示在大小為5,000下之該兩側ETFE模具的另一側之SEM影像。
第6圖顯示使用所揭示的方法來製造之經壓印的聚合物結構(PMMA)之SEM影像。第6(a)圖顯示在大小為5,000下由該兩側ETFE模具的一側所製造之經壓印聚合物結構的頂視SEM影像。第6(a)圖顯示在大小為5,000下由該兩側ETFE模具的該第二側所製造之另一經壓印聚合物結構的頂視SEM影像。
12A,12B,12C...凸起
12A',12B',12C'...凸起
14A,14B,14C,14D...凸起
14A',14B',14C',14D'...凸起
16A,16B,16C,16D,16E...凸起
16A',16B',16C',16D',16E'...凸起
Claims (32)
- 一種在一聚合物結構上製造一印記的方法,其包含有以下步驟:a)提供一兩側經壓印的鹵化聚合物基材模具,其係在一第一側邊上具有一經界定的奈米尺寸或微米尺寸範圍內的壓印表面圖案,並且在一對應於該第一側邊的第二側邊上具有一經界定的奈米尺寸或微米尺寸範圍內的壓印表面圖案;b)將一聚合物結構相對於該經壓印的鹵化聚合物基材模具之該第一側邊來加以壓擠,以在其上形成一奈米尺寸或微米尺寸印記;並且c)將另一聚合物結構相對於該經壓印的鹵化聚合物基材模具之該第二側邊來加以壓擠,以在其上形成一奈米尺寸或微米尺寸印記,其中該壓擠步驟b)或c)中至少一者是在範圍落於1.5MPa至3MPa的壓力下進行,及其中至少兩個已形成的聚合物印記被同時地製造在該聚合物結構上。
- 如申請專利範圍第1項的方法,其中該壓擠步驟(b)該壓擠步驟(c)係同時地進行。
- 如申請專利範圍第1項的方法,其中該鹵化聚合物係為一氟化聚合物。
- 如申請專利範圍第3項的方法,其中該氟化聚合物係選自於由聚四氟乙烯(PTFE)、乙烯四氟乙烯(ETFE)、過氟 化烷基(PFA)、氟化乙烯-丙烯共聚物(FEP)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、聚氯三氟乙烯(PCTFE)、六氟丙烯、氯三氟乙烯與溴三氟乙烯,以及其等之組合所構成的群組。
- 如申請專利範圍第4項的方法,其中該氟化聚合物係為乙烯四氟乙烯(ETFE)。
- 如申請專利範圍第1項的方法,其中在該經壓印的鹵化聚合物基材模具的該第一側邊上之該經界定的壓印表面圖案,與在該經壓印的鹵化聚合物基材模具之對應於該第一側邊的該第二側邊上之該經界定的壓印表面圖案係為相同的。
- 如申請專利範圍第1項的方法,其中在該經壓印的鹵化聚合物基材模具的該第一側邊上之該經界定的壓印表面圖案,與在該經壓印的鹵化聚合物基材模具之對應於該第一側邊的該第二側邊上之該經界定的壓印表面圖案是不同的。
- 如申請專利範圍第1項的方法,其中該聚合物結構係由熱塑性聚合物所構成。
- 如申請專利範圍第8項的方法,其中該熱塑性聚合物係選自於由聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、聚乙酸乙烯酯(PVAc)、雙向拉伸聚丙烯(BOPP)、聚苯乙烯(PS)、聚丙烯、聚乙烯(PE)、高-密度聚乙烯(HDPE)、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚(醯胺)、聚丙烯酯、聚(丁烯)、聚(戊二烯)、聚氯乙烯、聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁烯酯、聚碸、聚醯亞胺、 纖維素、乙酸纖維素、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-丁烯-丙烯三元共聚物、聚噁唑啉、聚氧化乙烯、聚氧化丙烯、聚乙烯吡咯酮,以及其等之組合所構成的群組之聚合物;一選自於由聚二甲矽氧烷(PDMS)、聚(異戊二烯)、聚(丁二烯),以及其等之組合所構成的群組之彈性體、聚合物摻合物和共聚物。
- 如申請專利範圍第9項的方法,其中該熱塑性聚合物係包含有聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。
- 如申請專利範圍第1項的方法,其中該等壓擠步驟(b)與(c)係在範圍落於120℃至180℃的溫度下;於範圍落於1.5MPa至3MPa的壓力下;以及範圍落於2分鐘至10分鐘的時間內進行。
- 一種製造一經壓印的聚合物結構的方法,其包含有以下步驟:a)將一具有一經界定的奈米尺寸或微米尺寸範圍內的壓印表面圖案之第一模具,相對於一鹵化聚合物基材的一第一側邊來加以壓擠,以在該鹵化聚合物基材上形成一具有第一側邊的奈米尺寸或微米尺寸的印記;b)將另一具有一經界定的奈米尺寸或微米尺寸範圍內的壓印表面圖案之第二模具,相對於該鹵化聚合物基材的對應於該第一側邊之一第二側邊來加以壓擠,以在該鹵化聚合物基材上形成一具有第二側邊的奈米尺寸或微米尺寸的印記,而因此形成該兩側經壓印之鹵化聚合物基材模具; c)將一聚合物結構相對於該兩側經壓印的鹵化聚合物基材模具之該第一側邊來加以壓擠,以在其上形成一奈米尺寸或微米尺寸印記;並且d)將另一聚合物結構相對於該兩側經壓印的基材模具之該第二側邊來加以壓擠,以在其上形成一奈米尺寸或微米尺寸印記,其中該壓擠步驟c)或d)中至少一者是在範圍落於1.5MPa至3MPa的壓力下進行;及其中至少兩個已形成的聚合物印記被同時地製造在該聚合物結構上。
- 如申請專利範圍第12項的方法,其中該壓擠步驟(a)與該壓擠步驟(b)係同時地進行。
- 如申請專利範圍第12項的方法,其中該壓擠步驟(c)與該壓擠步驟(d)係同時地進行。
- 如申請專利範圍第12項的方法,其中該鹵化聚合物係為一氟化聚合物。
- 如申請專利範圍第15項的方法,其中該氟化聚合物係選自於由聚四氟乙烯(PTFE)、乙烯四氟乙烯(ETFE)、過氟化烷基(PFA)、氟化乙烯-丙烯共聚物(FEP)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、聚氯三氟乙烯(PCTFE)、六氟丙烯、氯三氟乙烯與溴三氟乙烯以及其等之組合所構成的群組。
- 如申請專利範圍第16項的方法,其中該氟化聚合物係為乙烯四氟乙烯(ETFE)。
- 如申請專利範圍第12項的方法,其中該第一模具之該 經界定的壓印表面圖案,係與在該第二模具之該經界定的壓印表面圖案為相同的。
- 如申請專利範圍第12項的方法,其中該第一模具之該經界定的壓印表面圖案,係與在該第二模具之該經界定的壓印表面圖案是不同的。
- 如申請專利範圍第12項的方法,其中該兩側經壓印的鹵化聚合物基材模具的該第一側邊上之該經界定的壓印表面圖案,與在該兩側經壓印的鹵化聚合物基材模具之對應於該第一側邊的該第二側邊上之該經界定的壓印表面圖案係為相同的。
- 如申請專利範圍第12項的方法,其中該兩側經壓印的鹵化聚合物基材模具的該第一側邊上之該經界定的壓印表面圖案,與在該兩側經壓印的鹵化聚合物基材模具之對應於該第一側邊的該第二側邊上之該經界定的壓印表面圖案是不同的。
- 如申請專利範圍第12項的方法,其中該聚合物結構係由熱塑性聚合物所構成。
- 如申請專利範圍第22項的方法,其中該熱塑性聚合物係選自於由聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、聚乙酸乙烯酯(PVAc)、雙向拉伸聚丙烯(BOPP)、聚苯乙烯(PS)、聚丙烯、聚乙烯(PE)、高-密度聚乙烯(HDPE)、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚(醯胺)、聚丙烯酯、聚(丁烯)、聚(戊二烯)、聚氯乙烯、聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁烯酯、聚碸、 聚醯亞胺、纖維素、乙酸纖維素、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-丁烯-丙烯三元共聚物、聚噁唑啉、聚氧化乙烯、聚氧化丙烯、聚乙烯吡咯酮,以及其等之組合所構成的群組之聚合物;一選自於由聚二甲矽氧烷(PDMS)、聚(異戊二烯)、聚(丁二烯),以及其等之組合所構成的群組之彈性體、聚合物摻合物和共聚物。
- 如申請專利範圍第23項的方法,其中該熱塑性聚合物係包含有聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。
- 如申請專利範圍第12項方法,其中該第一和第二模具係選自於由矽、金屬、陶瓷、聚合物以及其等之組合所構成的群組。
- 如申請專利範圍第25項的方法,其中該第一和第二模具係包含有矽。
- 如申請專利範圍第12項的方法,其中該等壓擠步驟(a)與(b)係在範圍落於200℃至220℃的溫度下;於範圍落於3MPa至6MPa的壓力下;以及範圍落於10分鐘至30分鐘的時間內進行。
- 如申請專利範圍第12項的方法,其中該等壓擠步驟(c)與(d)係在範圍落於120℃至180℃的溫度下;於範圍落於1.5MPa至3MPa的壓力下;以及範圍落於2分鐘至10分鐘的時間內進行。
- 一種其上具有奈米尺寸或微米尺寸之印記的經壓印聚合物結構,該經壓印的聚合物結構係以包含有以下步驟的方法來製造: a)提供一兩側經壓印的鹵化聚合物基材模具,其係在一第一側邊上具有一經界定的奈米尺寸或微米尺寸範圍內的壓印表面圖案,並且在一對應於該第一側邊的一第二側邊上具有一經界定的奈米尺寸或微米尺寸範圍內的壓印表面圖案;b)將一聚合物結構相對於該經壓印鹵化聚合物基材模具的該第一側邊來加以壓擠,以在其上形成一奈米尺寸或微米尺寸印記;並且c)將另一聚合物結構相對於該經壓印鹵化聚合物基材模具的第二側邊來加以壓擠,以在其上形成一奈米尺寸或微米尺寸印記其中該壓擠步驟b)或c)中至少一者是在範圍落於1.5MPa至3MPa的壓力下進行;及其中至少兩個已形成的聚合物印記被同時地製造在該聚合物結構上。
- 一種其上具有奈米尺寸或微米尺寸之印記的經壓印聚合物結構,其係以如申請專利範圍第1項的方法來製造。
- 一種其上具有奈米尺寸或微米尺寸之印記的經壓印聚合物結構,其係以如申請專利範圍第12項的方法來製造。
- 一種其上具有奈米尺寸或微米尺寸印記的兩側壓印鹵化聚合物基材模具之用途,其係用來壓印至少二個聚合物結構,其中該壓印是在範圍落於1.5MPa至3MPa的壓力下進行,及其中至少兩個已形成的聚合物印記被 同時地製造在該聚合物結構上。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/SG2008/000254 WO2009154571A1 (en) | 2008-07-17 | 2008-07-17 | A method of making an imprint on a polymer structure |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201016441A TW201016441A (en) | 2010-05-01 |
TWI545003B true TWI545003B (zh) | 2016-08-11 |
Family
ID=41434308
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW098124240A TWI545003B (zh) | 2008-07-17 | 2009-07-17 | 在聚合物結構上產生印記(imprint)之方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110236639A1 (zh) |
JP (1) | JP5638523B2 (zh) |
KR (1) | KR101502933B1 (zh) |
TW (1) | TWI545003B (zh) |
WO (1) | WO2009154571A1 (zh) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2955520B1 (fr) * | 2010-01-28 | 2012-08-31 | Commissariat Energie Atomique | Moule pour la lithographie par nano-impression et procedes de realisation |
JP2012109487A (ja) * | 2010-11-19 | 2012-06-07 | Hitachi High-Technologies Corp | 両面インプリント装置 |
TWI466819B (zh) * | 2011-04-27 | 2015-01-01 | Nat Univ Tsing Hua | 利用奈米壓印技術在聚合物壓電性材料上形成高深寬比的奈米柱的方法 |
US9149958B2 (en) * | 2011-11-14 | 2015-10-06 | Massachusetts Institute Of Technology | Stamp for microcontact printing |
US9278857B2 (en) | 2012-01-31 | 2016-03-08 | Seagate Technology Inc. | Method of surface tension control to reduce trapped gas bubbles |
US20140205702A1 (en) * | 2013-01-24 | 2014-07-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Template, manufacturing method of the template, and position measuring method in the template |
US20140209567A1 (en) * | 2013-01-29 | 2014-07-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Template, manufacturing method of the template, and strain measuring method in the template |
KR20140141815A (ko) * | 2013-05-31 | 2014-12-11 | 삼성전자주식회사 | 전자기기용 케이스 및 이의 표면 처리방법 |
DE102015118991A1 (de) * | 2015-11-05 | 2017-05-11 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Verfahren zur Behandlung von Millimeter- und/oder Mikrometer- und/oder Nanometerstrukturen an einer Oberfläche eines Substrats |
CN108973492B (zh) * | 2018-08-27 | 2020-05-22 | 衡阳市雅典娜石英石有限公司 | 一种压印石英石皮纹板的装置和制备方法 |
WO2020112740A1 (en) * | 2018-11-29 | 2020-06-04 | Sharklet Technologies, Inc. | Soluble templates and methods of manufacture thereof |
CN111525032A (zh) * | 2020-04-06 | 2020-08-11 | 杭州纤纳光电科技有限公司 | 一种二维网状背接触式钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
CN112248314B (zh) * | 2020-10-30 | 2024-04-05 | 滤微科技(上海)有限公司 | 用于压印纳米孔薄膜的装置和方法 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57174252A (en) * | 1981-04-21 | 1982-10-26 | Toppan Printing Co Ltd | Manufacture of incorporating plate |
JPH04195742A (ja) * | 1990-11-26 | 1992-07-15 | Nec Corp | 光ディスク用基板製造方法 |
US6309580B1 (en) * | 1995-11-15 | 2001-10-30 | Regents Of The University Of Minnesota | Release surfaces, particularly for use in nanoimprint lithography |
US20040137734A1 (en) * | 1995-11-15 | 2004-07-15 | Princeton University | Compositions and processes for nanoimprinting |
JPH10199360A (ja) * | 1997-01-08 | 1998-07-31 | Fujikura Ltd | メンブレンスイッチ用電極シートのエンボス成形方法及び装置 |
US7717696B2 (en) * | 2000-07-18 | 2010-05-18 | Nanonex Corp. | Apparatus for double-sided imprint lithography |
US20030071016A1 (en) * | 2001-10-11 | 2003-04-17 | Wu-Sheng Shih | Patterned structure reproduction using nonsticking mold |
KR100526053B1 (ko) * | 2002-11-15 | 2005-11-03 | 주식회사 미뉴타텍 | 비결정성 불소 수지를 이용한 주형 및 그 제조 방법 |
EP1533657B1 (en) * | 2003-11-21 | 2011-03-09 | Obducat AB | Multilayer nano imprint lithography |
US7588710B2 (en) * | 2004-05-04 | 2009-09-15 | Minuta Technology Co., Ltd. | Mold made of amorphous fluorine resin and fabrication method thereof |
KR20070084250A (ko) * | 2004-11-30 | 2007-08-24 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 몰드 및 전사 미세 패턴을 갖는 기재의 제조 방법 |
US7363854B2 (en) * | 2004-12-16 | 2008-04-29 | Asml Holding N.V. | System and method for patterning both sides of a substrate utilizing imprint lithography |
JP2006256078A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Ricoh Co Ltd | プレス成形装置、このプレス成形装置を用いたプレス成形方法およびこのプレス成形装置により形成された樹脂成形品 |
CN101198903B (zh) * | 2005-06-10 | 2011-09-07 | 奥贝达克特公司 | 利用中间印模的图案复制 |
KR101169426B1 (ko) * | 2005-10-20 | 2012-07-27 | 에이전시 포 사이언스, 테크놀로지 앤드 리서치 | 나노임프린트 리소그래피에 의한 계층형 나노패턴 형성방법 |
US7670530B2 (en) * | 2006-01-20 | 2010-03-02 | Molecular Imprints, Inc. | Patterning substrates employing multiple chucks |
JP2007176037A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Toshiba Mach Co Ltd | 転写装置および転写方法 |
JP2007220797A (ja) * | 2006-02-15 | 2007-08-30 | Nec Corp | ナノインプリントリソグラフィ方法 |
US20070257396A1 (en) * | 2006-05-05 | 2007-11-08 | Jian Wang | Device and method of forming nanoimprinted structures |
US8377361B2 (en) * | 2006-11-28 | 2013-02-19 | Wei Zhang | Imprint lithography with improved substrate/mold separation |
US8025829B2 (en) * | 2006-11-28 | 2011-09-27 | Nanonex Corporation | Die imprint by double side force-balanced press for step-and-repeat imprint lithography |
JP5387814B2 (ja) * | 2007-08-30 | 2014-01-15 | 学校法人東京理科大学 | 3次元モールドの製造方法 |
JP5101343B2 (ja) * | 2008-03-03 | 2012-12-19 | 株式会社ダイセル | 微細構造物の製造方法 |
JP5293169B2 (ja) * | 2008-03-12 | 2013-09-18 | 株式会社リコー | インプリント方法 |
JP5107105B2 (ja) * | 2008-03-12 | 2012-12-26 | 株式会社リコー | インプリント方法 |
-
2008
- 2008-07-17 JP JP2011518684A patent/JP5638523B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-07-17 WO PCT/SG2008/000254 patent/WO2009154571A1/en active Application Filing
- 2008-07-17 US US13/054,697 patent/US20110236639A1/en not_active Abandoned
- 2008-07-17 KR KR1020117003331A patent/KR101502933B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2009
- 2009-07-17 TW TW098124240A patent/TWI545003B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110236639A1 (en) | 2011-09-29 |
KR20110040921A (ko) | 2011-04-20 |
JP2011526553A (ja) | 2011-10-13 |
WO2009154571A1 (en) | 2009-12-23 |
JP5638523B2 (ja) | 2014-12-10 |
WO2009154571A8 (en) | 2011-02-24 |
TW201016441A (en) | 2010-05-01 |
KR101502933B1 (ko) | 2015-03-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |