TWI541810B - 資料寫入方法、記憶體控制電路單元與記憶體儲存裝置 - Google Patents
資料寫入方法、記憶體控制電路單元與記憶體儲存裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI541810B TWI541810B TW103119007A TW103119007A TWI541810B TW I541810 B TWI541810 B TW I541810B TW 103119007 A TW103119007 A TW 103119007A TW 103119007 A TW103119007 A TW 103119007A TW I541810 B TWI541810 B TW I541810B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- memory cell
- memory
- write voltage
- pulse time
- voltage pulse
- Prior art date
Links
Landscapes
- Read Only Memory (AREA)
Description
本發明是有關於一種用於可複寫式非揮發性記憶體模組的資料寫入方法及使用此方法的記憶體控制電路單元與記憶體儲存裝置。
數位相機、手機與MP3在這幾年來的成長十分迅速,使得消費者對儲存媒體的需求也急速增加。由於可複寫式非揮發性記憶體(rewritable non-volatile memory)具有資料非揮發性、省電、體積小、無機械結構、讀寫速度快等特性,最適於可攜式電子產品,例如筆記型電腦。固態硬碟就是一種以快閃記憶體作為儲存媒體的儲存裝置。因此,近年快閃記憶體產業成為電子產業中相當熱門的一環。
圖1是根據習知技術所繪示之快閃記憶體元件的示意圖。
請參照圖1,快閃記憶體元件1包含用於儲存電子的電荷捕捉層(charge traping layer)2、用於施加偏壓的控制閘極(Control
Gate)3、穿遂氧化層(Tunnel Oxide)4與多晶矽間介電層(Interpoly Dielectric)5。當欲寫入資料至快閃記憶體元件1時,可藉由將電子注入電荷補捉層2以改變快閃記憶體元件1的臨界電壓,由此定義快閃記憶體元件1的數位高低態,而實現儲存資料的功能。在此,注入電子至電荷補捉層2的過程稱為程式化。反之,當欲將所儲存之資料移除時,藉由將所注入之電子從電荷補捉層2中移除,則可使快閃記憶體元件1回復為未被程式化前的狀態。
在寫入與抹除過程中,快閃記憶體元件1會隨著電子的多次的注入與移除而造成磨損,導致電子寫入速度增加並造成臨界電壓分佈變寬。因此,在快閃記憶體元件1被程式化後無法被正確地識別其儲存狀態,而產生錯誤位元。特別是,在快閃記憶體元件1處於高溫下,快閃記憶體元件1的資料保存力會下降,並且由此會發生更多的錯誤位元。
本發明提供一種資料寫入方法、記憶體控制電路單元與記憶體儲存裝置,其能夠有效地防止過度程式化並減少錯誤位元的發生。
本發明範例實施例提出一種資料寫入方法,用於將資料寫入至記憶體儲存裝置的可複寫式非揮發性記憶體模組的記憶胞中。此資料寫入方法包括:偵測記憶體儲存裝置的運作溫度;並且判斷記憶體儲存裝置的運作溫度是否大於預先定義溫度。此資
料寫入方法更包括,倘若記憶體儲存裝置的運作溫度大於預先定義溫度時,調整對應此可複寫式非揮發性記憶體模組的至少一預先定義運作參數以產生對應此可複寫式非揮發性記憶體模組的至少一個已調整運作參數並且根據此至少一個已調整運作參數寫入資料至此記憶胞中。
在本發明之一範例實施例中,上述整對應可複寫式非揮發性記憶體模組的至少一預先定義運作參數以產生對應可複寫式非揮發性記憶體模組的至少一個已調整運作參數並且根據此至少一個已調整運作參數寫入資料至記憶胞中的步驟包括:記錄此記憶胞的磨損程度值;根據此記憶胞的磨損程度值,調整對應此記憶胞的初始寫入電壓、寫入電壓脈衝時間與補償值的至少其中之一;以及使用對應此記憶胞的初始寫入電壓、寫入電壓脈衝時間與補償值來程式化所述記憶胞,以將資料寫入至此記憶胞。
在本發明之一範例實施例中,上述根據記憶胞的磨損程度值調整對應記憶胞的初始寫入電壓、寫入電壓脈衝時間與補償值的至少其中之一的步驟包括:隨著記憶胞的磨損程度值增加,降低對應記憶胞的初始寫入電壓。
在本發明之一範例實施例中,上述根據記憶胞的磨損程度值調整對應記憶胞的初始寫入電壓、寫入電壓脈衝時間與補償值的至少其中之一的步驟包括:隨著記憶胞的磨損程度值增加,減少對應此記憶胞的寫入電壓脈衝時間。
在本發明之一範例實施例中,上述使用對應記憶胞的初
始寫入電壓、寫入電壓脈衝時間與補償值來程式化記憶胞,以將資料寫入至此記憶胞的步驟包括:使用上述初始寫入電壓、所減少的寫入電壓脈衝時間與上述補償值來進行此記憶胞的至少一個重複程式化;以及使用上述初始寫入電壓、上述寫入電壓脈衝時間與上述補償值來進行該記憶胞的其他重複程式化。
在本發明之一範例實施例中,上述記憶胞的磨損程度值是依據此記憶胞的抹除次數、寫入次數、錯誤位元數、錯誤位元比例及讀取次數的至少其中之一來決定。
在本發明之一範例實施例中,上述根據此記憶胞的磨損程度值調整對應此記憶胞的初始寫入電壓、寫入電壓脈衝時間與補償值的至少其中之一的步驟包括:隨著記憶胞的磨損程度值增加,減少對應此記憶胞的補償值。
在本發明之一範例實施例中,上述使用對應記憶胞的初始寫入電壓、寫入電壓脈衝時間與補償值來程式化記憶胞,以將資料寫入至此記憶胞的步驟包括:使用上述初始寫入電壓、所減少的寫入電壓脈衝時間與所減少的補償值來進行該記憶胞的至少一個重複程式化;以及使用所述初始寫入電壓、所述寫入電壓脈衝時間與所述補償值來進行該記憶胞的其他重複程式化。
本發明一範例實施例提出一種記憶體控制電路單元,用於將資料寫入至可複寫式非揮發性記憶體模組的記憶胞。本記憶體控制電路單元包括主機介面、記憶體介面、記憶體管理電路與溫度感測器。主機介面用以耦接至主機系統。記憶體介面用以耦
接至可複寫式非揮發性記憶體模組。記憶體管理電路耦接至主機介面與記憶體介面。溫度感測器用以偵測記憶體儲存裝置的運作溫度。記憶體管理電路用以判斷記憶體儲存裝置的運作溫度是否大於預先定義溫度。倘若記憶體儲存裝置的運作溫度大於預先定義溫度時,記憶體管理電路更用以調整對應此可複寫式非揮發性記憶體模組的至少一預先定義運作參數以產生對應此可複寫式非揮發性記憶體模組的至少一個已調整運作參數並且根據此至少一個已調整運作參數下達指令序列給可複寫式非揮發性記憶體模組以寫入資料至此記憶胞中。
在本發明之一範例實施例中,在上述調整對應可複寫式非揮發性記憶體模組的至少一預先定義運作參數以產生對應可複寫式非揮發性記憶體模組的至少一個已調整運作參數並且根據此至少一個已調整運作參數下達指令序列給可複寫式非揮發性記憶體模組以寫入資料至此記憶胞中的運作中,上述記憶體管理電路記錄此記憶胞的磨損程度值,根據此記憶胞的磨損程度值調整對應此記憶胞的初始寫入電壓、寫入電壓脈衝時間與補償值的至少其中之一,並且使用對應此記憶胞的初始寫入電壓、寫入電壓脈衝時間與補償值來程式化此記憶胞,以將資料寫入至記憶胞。
在本發明之一範例實施例中,在上述根據記憶胞的磨損程度值調整對應記憶胞的初始寫入電壓、寫入電壓脈衝時間與補償值的至少其中之一的運作中,記憶體管理電路用以隨著所述記憶胞的磨損程度值增加,降低對應記憶胞的初始寫入電壓。
在本發明之一範例實施例中,在上述根據記憶胞的磨損程度值調整對應此記憶胞的初始寫入電壓、寫入電壓脈衝時間與補償值的至少其中之一的運作中,記憶體管理電路用以隨著記憶胞的磨損程度值增加,減少對應此記憶胞的寫入電壓脈衝時間。
在本發明之一範例實施例中,在所述使用對應所述記憶胞的初始寫入電壓、寫入電壓脈衝時間與補償值來程式化記憶胞,以將資料寫入至此記憶胞的運作中,所述記憶體管理電路使用上述初始寫入電壓、所減少的寫入電壓脈衝時間與上述補償值來進行記憶胞的至少一個重複程式化,並且使用上述初始寫入電壓、上述寫入電壓脈衝時間與上述補償值來進行記憶胞的其他重複程式化。
在本發明之一範例實施例中,在上述根據記憶胞的磨損程度值調整對應記憶胞的初始寫入電壓、寫入電壓脈衝時間與補償值的至少其中之一的運作中,記憶體管理電路用以隨著記憶胞的磨損程度值增加,減少對應記憶胞的補償值。
在本發明之一範例實施例中,在所述使用對應所述記憶胞的初始寫入電壓、寫入電壓脈衝時間與補償值來程式化記憶胞,以將資料寫入至此記憶胞的運作中,記憶體管理電路使用上述初始寫入電壓、上述寫入電壓脈衝時間與所減少的補償值來進行此記憶胞的至少一個重複程式化,並且使用上述初始寫入電壓、上述寫入電壓脈衝時間與上述補償值來進行記憶胞的其他重複程式化。
本發明一範例實施例提出一種記憶體儲存裝置,其包括連接介面單元、可複寫式非揮發性記憶體模組與記憶體控制電路單元。連接介面單元用以耦接至主機系統。記憶體控制電路單元耦接至連接介面單元與可複寫式非揮發性記憶體模組。記憶體控制電路單元用以偵測記憶體儲存裝置的運作溫度,並且判斷記憶體儲存裝置的運作溫度是否大於預先定義溫度。倘若記憶體儲存裝置的運作溫度大於預先定義溫度時,記憶體控制電路單元更用以調整對應此可複寫式非揮發性記憶體模組的至少一預先定義運作參數以產生對應可複寫式非揮發性記憶體模組的至少一個已調整運作參數並且根據此至少一個已調整運作參數下達指令序列給可複寫式非揮發性記憶體模組以寫入資料至記憶胞中。
在本發明之一範例實施例中,在上述調整對應可複寫式非揮發性記憶體模組的至少一預先定義運作參數以產生對應此可複寫式非揮發性記憶體模組的至少一個已調整運作參數並且根據此至少一個已調整運作參數下達指令序列給可複寫式非揮發性記憶體模組以寫入資料至該記憶胞中的運作中,記憶體控制電路單元記錄記憶胞的磨損程度值,根據記憶胞的磨損程度值調整對應記憶胞的初始寫入電壓、寫入電壓脈衝時間與補償值的至少其中之一,並且藉由使用對應記憶胞的初始寫入電壓、寫入電壓脈衝時間與補償值來程式化記憶胞,以將資料寫入至記憶胞。
在本發明之一範例實施例中,在上述根據記憶胞的磨損程度值調整對應記憶胞的初始寫入電壓、寫入電壓脈衝時間與補
償值的至少其中之一的運作中,記憶體控制電路單元用以隨著記憶胞的磨損程度值增加,降低對應記憶胞的初始寫入電壓。
在本發明之一範例實施例中,在上述根據記憶胞的磨損程度值調整對應記憶胞的初始寫入電壓、寫入電壓脈衝時間與補償值的至少其中之一的運作中,記憶體控制電路單元用以隨著記憶胞的磨損程度值增加,減少對應記憶胞的寫入電壓脈衝時間。
在本發明之一範例實施例中,在使用對應所述記憶胞的初始寫入電壓、寫入電壓脈衝時間與補償值來程式化記憶胞,以將資料寫入至記憶胞的運作中,記憶體控制電路單元使用上述初始寫入電壓、所減少的寫入電壓脈衝時間與上述補償值來進行記憶胞的至少一個重複程式化,並且使用上述初始寫入電壓、上述寫入電壓脈衝時間與上述補償值來進行該記憶胞的其他重複程式化。
在本發明之一範例實施例中,在上述根據記憶胞的磨損程度值調整對應記憶胞的初始寫入電壓、寫入電壓脈衝時間與補償值的至少其中之一的運作中,記憶體控制電路單元用以隨著記憶胞的磨損程度值增加,減少對應記憶胞的補償值。
在本發明之一範例實施例中,在使用對應所述記憶胞的初始寫入電壓、寫入電壓脈衝時間與補償值來程式化記憶胞,以將資料寫入至記憶胞的運作中,記憶體控制電路單元使用上述初始寫入電壓、上述寫入電壓脈衝時間與所減少的補償值來進行記憶胞的至少一個重複程式化,並且使用上述初始寫入電壓、上述
寫入電壓脈衝時間與上述補償值來進行記憶胞的其他重複程式化。
基於上述,本發明範例實施例的資料寫入方法、記憶體控制電路單元與記憶體儲存裝置能夠根據記憶胞的磨損,調整注入至記憶胞的電子,由此正確地將資料寫入至記憶胞中。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,並配合所附圖式作詳細說明如下。
1‧‧‧快閃記憶體元件
2‧‧‧電荷補捉層
3‧‧‧控制閘極
4‧‧‧穿遂氧化層
5‧‧‧多晶矽間介電層
S1001、S1003、S1005、S1007‧‧‧資料寫入方法的步驟
1000‧‧‧主機系統
1100‧‧‧電腦
1102‧‧‧微處理器
1104‧‧‧隨機存取記憶體
1106‧‧‧輸入/輸出裝置
1108‧‧‧系統匯流排
1110‧‧‧資料傳輸介面
1202‧‧‧滑鼠
1204‧‧‧鍵盤
1206‧‧‧顯示器
1208‧‧‧印表機
1212‧‧‧隨身碟
1214‧‧‧記憶卡
1216‧‧‧固態硬碟
1310‧‧‧數位相機
1312‧‧‧SD卡
1314‧‧‧MMC卡
1316‧‧‧記憶棒
1318‧‧‧CF卡
1320‧‧‧嵌入式儲存裝置
100‧‧‧記憶體儲存裝置
102‧‧‧連接介面單元
104‧‧‧記憶體控制電路單元
106‧‧‧可複寫式非揮發性記憶體模組
2202‧‧‧記憶胞陣列
2204‧‧‧字元線控制電路
2206‧‧‧位元線控制電路
2208‧‧‧行解碼器
2210‧‧‧資料輸入/輸出緩衝器
2212‧‧‧控制電路
VA‧‧‧第一門檻電壓
VB‧‧‧第二門檻電壓
VC‧‧‧第三門檻電壓
VD‧‧‧第四門檻電壓
VE‧‧‧第五門檻電壓
VF‧‧‧第六門檻電壓
VG‧‧‧第七門檻電壓
202‧‧‧記憶體管理電路
204‧‧‧主機介面
206‧‧‧記憶體介面
208‧‧‧溫度感測器
252‧‧‧緩衝記憶體
254‧‧‧電源管理電路
256‧‧‧錯誤檢查與校正電路
S1201、S1203、S1205、S1207、S1209、S1211‧‧‧資料寫入方法的步驟
S1301、S1303、S1305、S1307、S1309‧‧‧調整初始寫入電壓的步驟
S1701、S1703、S1705、S1707、S1709、S1711‧‧‧資料寫入方法的步驟
S1801、S1803、S1805、S1807、S1809‧‧‧調整寫入電壓脈衝
時間的步驟
S1901、S1903、S1905、S1907、S1909、S1911‧‧‧資料寫入方法的步驟
S2101、S2103、S2105、S2107、S2109、S2111‧‧‧資料寫入方法的步驟
S2201、S2203、S2205、S2207、S2209‧‧‧調整補償值的步驟
圖1是根據習知技術所繪示之快閃記憶體元件的示意圖。
圖2是根據本發明範例實施例所繪示之資料寫入方法的流程圖。
圖3是根據第一範例實施例所繪示的主機系統與記憶體儲存裝置。
圖4是根據一範例實施例所繪示的電腦、輸入/輸出裝置與記憶體儲存裝置的示意圖。
圖5是根據一範例實施例所繪示的主機系統與記憶體儲存裝置的示意圖。
圖6是繪示根據第一範例實施例所繪示之記憶體儲存裝置的概要方塊圖。
圖7是根據第一範例實施例所繪示的可複寫式非揮發性記憶
體模組的概要方塊圖。
圖8是根據第一範例實施例所繪示儲存於記憶胞陣列中的寫入資料所對應的閘極電壓的統計分配圖。
圖9是根據第一範例實施例所繪示之程式化記憶胞的示意圖。
圖10是根據第一範例實施例所繪示的驗證記憶胞之儲存狀態的示意圖。
圖11是根據另一範例實施例所繪示的驗證記憶胞之儲存狀態的示意圖。
圖12是根據第一範例實施例所繪示之記憶體控制電路單元的概要方塊圖。
圖13是根據本發明第一範例實施例所繪示之資料寫入方法的流程圖。
圖14是根據第一範例實施例所繪示之調整對應記憶胞之初始寫入電壓的流程圖。
圖15-圖17是根據第二範例實施例所繪示之程式化記憶胞的示意圖。
圖18是根據另一範例實施例所繪示之程式化記憶胞的示意圖。
圖19是根據本發明第二範例實施例所繪示之資料寫入方法的流程圖。
圖20是根據第二範例實施例所繪示之調整對應記憶胞之寫
入電壓脈衝時間的流程圖。
圖21是根據本發明第三範例實施例所繪示之資料寫入方法的流程圖。
圖22是根據第四範例實施例所繪示之程式化記憶胞的示意圖。
圖23是根據另一範例實施例所繪示之程式化記憶胞的示意圖。
圖24是根據本發明第四範例實施例所繪示之資料寫入方法的流程圖。
圖25是根據第四範例實施例所繪示之調整對應記憶胞之補償值的流程圖。
為了正確地寫入資料至可複寫式非揮發性記憶體模組並且降低記憶體儲存裝置的溫度,如圖2所示,在一範例實施例中,記憶體儲存裝置的溫度會被偵測(S1001);記憶體儲存裝置的溫度是否大於預先定義溫度會被判斷(S1003);倘若記憶體儲存裝置的溫度大於預先定義溫度時,對應可複寫式非揮發性記憶體模組的至少一個預先定義操作參數會被調整以產生對應可複寫式非揮發性記憶體模組的至少一個已調整操作參數並且資料會根據此至少一個已調整操作參數被寫入至記憶胞中(S1005);並且倘若記憶體儲存裝置的溫度非大於預先定義溫度時,資料會根據此至少一個
預先定義操作參數被寫入至記憶胞中(S1007)。例如,此預先定義溫度會被設定為40oC、45oC、50oC、55oC、60oC、65oC、70oC等。必須了解的是,本發明不限於此,預先定義溫度可根據可複寫式非揮發性記憶體模組的類型來設定。為了能夠使本發明能夠更清楚地被理解,以下將以數個範例實施例來作詳細說明。
[第一範例實施例]
一般而言,記憶體儲存裝置(亦稱,記憶體儲存系統)包括可複寫式非揮發性記憶體模組與控制器(亦稱,控制電路)。通常記憶體儲存裝置是與主機系統一起使用,以使主機系統可將資料寫入至記憶體儲存裝置或從記憶體儲存裝置中讀取資料。
圖3是根據第一範例實施例所繪示的主機系統與記憶體儲存裝置。
請參照圖3,主機系統1000一般包括電腦1100與輸入/輸出(input/output,I/O)裝置1106。電腦1100包括微處理器1102、隨機存取記憶體(random access memory,RAM)1104、系統匯流排1108與資料傳輸介面1110。輸入/輸出裝置1106包括如圖4的滑鼠1202、鍵盤1204、顯示器1206與印表機1208。必須瞭解的是,圖4所示的裝置非限制輸入/輸出裝置1106,輸入/輸出裝置1106可更包括其他裝置。
在本發明實施例中,記憶體儲存裝置100是透過資料傳輸介面1110與主機系統1000的其他元件耦接。藉由微處理器1102、隨機存取記憶體1104與輸入/輸出裝置1106的運作可將資
料寫入至記憶體儲存裝置100或從記憶體儲存裝置100中讀取資料。例如,記憶體儲存裝置100可以是如圖4所示的隨身碟1212、記憶卡1214或固態硬碟(Solid State Drive,SSD)1216等的可複寫式非揮發性記憶體儲存裝置。
一般而言,主機系統1000為可實質地與記憶體儲存裝置100配合以儲存資料的任意系統。雖然在本範例實施例中,主機系統1000是以電腦系統來作說明,然而,在本發明另一範例實施例中主機系統1000可以是數位相機、攝影機、通信裝置、音訊播放器或視訊播放器等系統。例如,在主機系統為數位相機(攝影機)1310時,可複寫式非揮發性記憶體儲存裝置則為其所使用的SD卡1312、MMC卡1314、記憶棒(memory stick)1316、CF卡1318或嵌入式儲存裝置1320(如圖5所示)。嵌入式儲存裝置1320包括嵌入式多媒體卡(Embedded MMC,eMMC)。值得一提的是,嵌入式多媒體卡是直接耦接於主機系統的基板上。
圖6是繪示根據第一範例實施例所繪示之記憶體儲存裝置的概要方塊圖。
請參照圖6,記憶體儲存裝置100包括連接介面單元102、記憶體控制電路單元104與可複寫式非揮發性記憶體模組106。
在本範例實施例中,連接介面單元102是相容於通用序列匯流排(Universal Serial Bus,USB)標準。然而,必須瞭解的是,本發明不限於此,連接介面單元102亦可以是符合並列先進附件
(Parallel Advanced Technology Attachment,PATA)標準、電氣和電子工程師協會(Institute of Electrical and Electronic Engineers,IEEE)1394標準、高速周邊零件連接介面(Peripheral Component Interconnect Express,PCI Express)標準、安全數位(Secure Digital,SD)介面標準、序列先進附件(Serial Advanced Technology Attachment,SATA)標準、超高速一代(Ultra High Speed-I,UHS-I)介面標準、超高速二代(Ultra High Speed-II,UHS-II)介面標準、記憶棒(Memory Stick,MS)介面標準、多媒體儲存卡(Multi Media Card,MMC)介面標準、崁入式多媒體儲存卡(Embedded Multimedia Card,eMMC)介面標準、通用快閃記憶體(Universal Flash Storage,UFS)介面標準、小型快閃(Compact Flash,CF)介面標準、整合式驅動電子介面(Integrated Device Electronics,IDE)標準或其他適合的標準。
記憶體控制電路單元104用以執行以硬體型式或韌體型式實作的多個邏輯閘或控制指令,並且根據主機系統1000的指令在可複寫式非揮發性記憶體模組106中進行資料的寫入、讀取與抹除等運作。
可複寫式非揮發性記憶體模組106是耦接至記憶體控制電路單元104,並且用以儲存主機系統1000所寫入之資料。在本範例實施例中,可複寫式非揮發性記憶體模組106為多階記憶胞(Multi Level Cell,MLC)NAND型快閃記憶體模組(即,一個記憶胞中可儲存2個位元資料的快閃記憶體模組)。然而,本發明不限於
此,可複寫式非揮發性記憶體模組106亦可是單階記憶胞(Single Level Cell,SLC)NAND型快閃記憶體模組(即,一個記憶胞中可儲存1個位元資料的快閃記憶體模組)、複數階記憶胞(Trinary Level Cell,TLC)NAND型快閃記憶體模組(即,一個記憶胞中可儲存3個位元資料的快閃記憶體模組)、其他快閃記憶體模組或其他具有相同特性的記憶體模組。
圖7是根據第一範例實施例所繪示的可複寫式非揮發性記憶體模組的概要方塊圖。
請參照圖7,可複寫式非揮發性記憶體模組106包括記憶胞陣列2202、字元線控制電路2204、位元線控制電路2206、行解碼器(column decoder)2208、資料輸入/輸出緩衝器2210與控制電路2212。
記憶胞陣列2202包括用以儲存資料的多個記憶胞(如圖1所示)、連接此些記憶胞的多條位元線(圖未示)、多條字元線與共用源極線(圖未示)。記憶胞是以陣列方式配置在位元線與字元線的交叉點上。當從記憶體控制電路單元130接收到寫入指令或讀取資料時,控制電路2212會控制字元線控制電路2204、位元線控制電路2206、行解碼器2208、資料輸入/輸出緩衝器2210來寫入資料至記憶體陣列202或從記憶體陣列202中讀取資料,其中字元線控制電路2204用以控制施予至字元線的字元線電壓,位元線控制電路2206用以控制位元線,行解碼器2208依據指令中的解碼列位址以選擇對應的位元線,並且資料輸入/輸出緩衝器2210用以
暫存資料。
在本範例實施例中,可複寫式非揮發性記憶體模組106為MLC NAND型快閃記憶體模組,其使用多種閘極電壓來代表多位元(bits)的資料。具體來說,記憶胞陣列2202的每一記憶胞具有多個儲存狀態,並且此些儲存狀態是以多個門檻電壓來區分。
圖8是根據第一範例實施例所繪示儲存於記憶胞陣列中的寫入資料所對應的閘極電壓的統計分配圖。
請參照圖8,以MLC NAND型快閃記憶體為例,每一記憶胞中的閘極電壓可依據第一門檻電壓VA、第二門檻電壓VB與第三門檻電壓VC而區分為4種儲存狀態,並且此些儲存狀態分別地代表"11"、"10"、"00"與"01"。換言之,每一個儲存狀態包括最低有效位元(Least Significant Bit,LSB)以及最高有效位元(Most Significant Bit,MSB)。在本範例實施例中,儲存狀態(即,"11"、"10"、"00"與"01")中從左側算起之第1個位元的值為LSB,而從左側算起之第2個位元的值為MSB。因此,在第一範例實施例中,每一記憶胞可儲存2個位元資料。必須瞭解的是,圖8所繪示的閘極電壓及其儲存狀態的對應僅為一個範例。在本發明另一範例實施例中,閘極電壓與儲存狀態的對應亦可是隨著閘極電壓越大而以"11"、"10"、"01"與"00"排列。或者,閘極電壓所對應之儲存狀態亦可為對實際儲存值進行映射或反相後之值,此外,在另一範例時實例中,亦可定義從左側算起之第1個位元的值為MSB,而從左側算起之第2個位元的值為LSB。
在本範例實施例中,每一記憶胞可儲存2個位元資料,因此同一條字元線上的記憶胞會構成2個實體頁面(即,下實體頁面與上實體頁面)的儲存空間。也就是說,每一記憶胞的LSB是對應下實體頁面,並且每一記憶胞的MSB是對應上實體頁面。此外,在記憶胞陣列2202中數個實體頁面會構成一個實體區塊,並且實體區塊為執行抹除運作的最小單位。亦即,每一實體區塊含有最小數目之一併被抹除之記憶胞。
記憶胞陣列2202之記憶胞的資料寫入(或稱為程式化)是利用施予一特定端點之電壓,例如是控制閘極電壓來改變閘極中之一電荷補捉層的電子量,因而改變了記憶胞的閘極電壓,以呈現不同的儲存狀態。例如,當下頁面資料為1且上頁面資料為1時,控制電路2212會控制字元線控制電路2204不改變記憶胞中的閘極電壓,而將記憶胞的儲存狀態保持為"11"。當下頁面資料為1且上頁面資料為0時,字元線控制電路2204會在控制電路2212的控制下改變記憶胞中的閘極電壓,而將記憶胞的儲存狀態改變為"10"。當下頁面資料為0且上頁面資料為0時,字元線控制電路2204會在控制電路2212的控制下改變記憶胞中的閘極電壓,而將記憶胞的儲存狀態改變為"00"。並且,當下頁面資料為0且上頁面資料為1時,字元線控制電路2204會在控制電路2212的控制下改變記憶胞中的閘極電壓,而將記憶胞的儲存狀態改變為"01"。
圖9是根據第一範例實施例所繪示之程式化記憶胞的示意圖。
請參照圖9,在本範例時實施例中,記憶胞的程式化是透過脈衝寫入/驗證臨界電壓方法來完成。具體來說,欲將資料寫入至記憶胞時,記憶體控制電路單元102會設定初始寫入電壓以及寫入電壓脈衝時間,並且指示可複寫式非揮發性記憶體模組106的控制電路2212使用所設定的初始寫入電壓以及寫入電壓脈衝時間來程式化記憶胞,以進行資料的寫入。之後,記憶體控制電路單元102會使用驗證電壓來對記憶胞進行驗證,以判斷記憶胞是否已處於正確的儲存狀態。倘若記憶胞未被程式化至正確的儲存狀態時,記憶體控制電路單元102指示控制電路2212以目前施予的寫入電壓加上一預設補償值作為新的寫入電壓(亦稱為重複寫入電壓)並且依據新的寫入電壓與寫入電壓脈衝時間再次來程式化記憶胞。反之,倘若記憶胞以被程式化至正確的儲存狀態時,則表示資料已被正確地寫入至記憶胞。例如,初始寫入電壓會被設定為16伏特(Voltage,V),寫入電壓脈衝時間會被設定為18微秒(microseconds,μs)並且預設補償值被設定為0.6V,但本發明不限於此。在另一範例實施例中,預設補償值亦可漸增或漸減。
圖10是根據第一範例實施例所繪示的驗證記憶胞之儲存狀態的示意圖。
請參照圖10,記憶胞陣列2202之記憶胞的資料讀取是使用門檻電壓來區分記憶胞的閘極電壓。在讀取下頁資料的運作中,字元線控制電路2204會施予第二門檻電壓VB至記憶胞並且藉由記憶胞的控制閘(control gate)是否導通和對應的運算式(1)
來判斷下頁資料的值:LSB=(VB)Lower_pre1 (1)
其中(VB)Lower_pre1表示透過施予第二門檻電壓VB而獲得的第1下頁驗證值。
例如,當第二門檻電壓VB小於記憶胞的閘極電壓時,記憶胞的控制閘(control gate)不會導通並輸出值'0'的第1下頁驗證值,由此LSB會被識別為0。例如,當第二門檻電壓VB大於記憶胞的閘極電壓時,記憶胞的控制閘會導通並輸出值'1'的第1下頁驗證值,由此此LSB會被識別為1。也就是說,用以呈現LSB為1的閘極電壓與用以呈現LSB為0的閘極電壓可透過第二門檻電壓VB而被區分。
在讀取上頁資料的運作中,字元線控制電路2204會分別地施予第三門檻電壓VC與第一門檻電壓VA至記憶胞並且藉由記憶胞的控制閘是否導通和對應的運算式(2)來判斷上頁資料的值:MSB=((VA)Upper_pre2)xor(~(VC)Upper_pre1) (2)
其中(VC)Upper_pre1表示透過施予第三門檻電壓VC而獲得的第1上頁驗證值,並且(VA)Upper_pre2表示透過施予第一門檻電壓VA而獲得的第2上頁驗證值,其中符號”~”代表反相。此外,在本範例實施例中,當第三門檻電壓VC小於記憶胞的閘極電壓時,記憶胞的控制閘不會導通並輸出值'0'的第1上頁驗證值((VC)Upper_pre1),當第一門檻電壓VA小於記憶胞的閘極電壓時,記憶胞的控制閘不會導通並輸出值'0'的第2上頁驗證值
((VA)Upper_pre2)。
因此,在本範例實施例中,依照運算式(2),當第三門檻電壓VC與第一門檻電壓VA皆小於記憶胞的閘極電壓時,在施予第三門檻電壓VC下記憶胞的控制閘不會導通並輸出值'0'的第1上頁驗證值並且在施予第一門檻電壓VA下記憶胞的控制閘不會導通並輸出值'0'的第2上頁驗證值。此時,MSB會被識別為1。
例如,當第三門檻電壓VC大於記憶胞的閘極電壓且第一門檻電壓VA小於記憶胞的閘極電壓小於記憶胞的閘極電壓時,在施予第三門檻電壓VC下記憶胞的控制閘會導通並輸出值'1'的第1上頁驗證值,並且在施予第一門檻電壓VA下記憶胞的控制閘不會導通並輸出值'0'的第2上頁驗證值。此時,MSB會被識別為0。
例如,當第三門檻電壓VC與第一門檻電壓VA皆大於記憶胞的閘極電壓時,在施予第三門檻電壓VC下,記憶胞的控制閘會導通並輸出值'1'的第1上頁驗證值,並且在施予第一門檻電壓VA下記憶胞的控制閘會導通並輸出值'1'的第2上頁驗證值。此時,MSB會被識別為1。
必須瞭解的是,儘管本發明是以MLC NAND型快閃記憶體來作說明。然而,本發明不限於此,其他多層記憶胞NAND型快閃記憶體亦可依據上述原理進行資料的讀取。
例如,以TLC NAND型快閃記憶體為例(如圖11所示),每一個儲存狀態包括左側算起之第1個位元的最低有效位元LSB、從左側算起之第2個位元的中間有效位元(Center Significant
Bit,CSB)以及從左側算起之第3個位元的最高有效位元MSB,其中LSB對應下頁面,CSB對應中頁面,MSB對應上頁面。在此範例中,每一記憶胞中的閘極電壓可依據第一門檻電壓VA、第二門檻電壓VB、第三門檻電壓VC、第四門檻電壓VD、第五門檻電壓VE、第六門檻電壓VF與第七門檻電壓VG而區分為8種儲存狀態(即,"111"、"110"、"100"、"101"、"001"、"000"、"010"與"011")。再例如,以SLC NAND型快閃記憶體為例(未繪示),每一個儲存狀態僅能儲存一個位元資料,因此,每一記憶胞中的閘極電壓可依據一個門檻電壓來識別記憶胞的儲存狀態(即,"1"、"0")。
圖12是根據第一範例實施例所繪示之記憶體控制電路單元的概要方塊圖。必須瞭解的是,圖12所示之記憶體控制電路單元的結構僅為一範例,本發明不以此為限。
請參照圖12,記憶體控制電路單元104包括記憶體管理電路202、主機介面204、記憶體介面206與溫度感測器208。
記憶體管理電路202用以控制記憶體控制電路單元104的整體運作。具體來說,記憶體管理電路202具有多個控制指令,並且在記憶體儲存裝置100運作時,此些控制指令會被執行以下達指令序列給可複寫式非揮發性記憶體模組106來進行資料的寫入、讀取與抹除等運作。
在本範例實施例中,記憶體管理電路202的控制指令是以韌體型式來實作。例如,記憶體管理電路202具有微處理器單元(未繪示)與唯讀記憶體(未繪示),並且此些控制指令是被燒錄至
此唯讀記憶體中。當記憶體儲存裝置100運作時,此些控制指令會由微處理器單元來執行以進行資料的寫入、讀取與抹除等運作。
在本發明另一範例實施例中,記憶體管理電路202的控制指令亦可以程式碼型式儲存於可複寫式非揮發性記憶體模組106的特定區域(例如,記憶體模組中專用於存放系統資料的系統區)中。此外,記憶體管理電路202具有微處理器單元(未繪示)、唯讀記憶體(未繪示)及隨機存取記憶體(未繪示)。特別是,此唯讀記憶體具有驅動碼,並且當記憶體控制電路單元104被致能時,微處理器單元會先執行此驅動碼段來將儲存於可複寫式非揮發性記憶體模組106中之控制指令載入至記憶體管理電路202的隨機存取記憶體中。之後,微處理器單元會運轉此些控制指令以進行資料的寫入、讀取與抹除等運作。
此外,在本發明另一範例實施例中,記憶體管理電路202的控制指令亦可以一硬體型式來實作。例如,記憶體管理電路202包括微控制器、記憶胞管理電路、記憶體寫入電路、記憶體讀取電路、記憶體抹除電路與資料處理電路。記憶胞管理電路、記憶體寫入電路、記憶體讀取電路、記憶體抹除電路與資料處理電路是耦接至微控制器。其中,記憶胞管理電路用以管理可複寫式非揮發性記憶體模組106的實體抹除單元;記憶體寫入電路用以對可複寫式非揮發性記憶體模組106下達寫入指令以將資料寫入至可複寫式非揮發性記憶體模組106中;記憶體讀取電路用以對可複寫式非揮發性記憶體模組106下達讀取指令以從可複寫式非揮
發性記憶體模組106中讀取資料;記憶體抹除電路用以對可複寫式非揮發性記憶體模組106下達抹除指令以將資料從可複寫式非揮發性記憶體模組106中抹除;而資料處理電路用以處理欲寫入至可複寫式非揮發性記憶體模組106的資料以及從可複寫式非揮發性記憶體模組106中讀取的資料。
主機介面204是耦接至記憶體管理電路202並且用以接收與識別主機系統1000所傳送的指令與資料。也就是說,主機系統1000所傳送的指令與資料會透過主機介面204來傳送至記憶體管理電路202。在本範例實施例中,主機介面204是相容於USB標準。然而,必須瞭解的是本發明不限於此,主機介面204亦可以是相容於PATA標準、IEEE 1394標準、PCI Express標準、SD標準、SATA標準、UHS-I介面標準、UHS-II介面標準、MS標準、MMC標準、eMMC介面標準、UFS介面標準、CF標準、IDE標準或其他適合的資料傳輸標準。
記憶體介面206是耦接至記憶體管理電路202並且用以存取可複寫式非揮發性記憶體模組106。也就是說,欲寫入至可複寫式非揮發性記憶體模組106的資料會經由記憶體介面206轉換為可複寫式非揮發性記憶體模組106所能接受的格式。
溫度感測器208是耦接至感測記憶體管理電路202並且用以偵測記憶體存裝置100的運作溫度。
在本發明一範例實施例中,記憶體控制電路單元104還包括緩衝記憶體252、電源管理電路254以及錯誤檢查與校正電路
256。
緩衝記憶體252是耦接至記憶體管理電路202並且用以暫存來自於主機系統1000的資料與指令或來自於可複寫式非揮發性記憶體模組106的資料。
電源管理電路254是耦接至記憶體管理電路202並且用以控制記憶體儲存裝置100的電源。
錯誤檢查與校正電路256是耦接至記憶體管理電路202並且用以執行錯誤檢查與校正程序以確保資料的正確性。在本範例實施例中,當記憶體管理電路202從主機系統1000中接收到寫入指令時,錯誤檢查與校正電路256會為對應此寫入指令的資料產生對應的錯誤檢查與校正碼(Error Checking and Correcting Code,ECC Code),並且記憶體管理電路202會將對應此寫入指令的資料與對應的錯誤檢查與校正碼寫入至可複寫式非揮發性記憶體模組106中。之後,當記憶體管理電路202從可複寫式非揮發性記憶體模組106中讀取資料時會同時讀取此資料對應的錯誤檢查與校正碼,並且錯誤檢查與校正電路256會依據此錯誤檢查與校正碼對所讀取的資料執行錯誤檢查與校正程序。具體來說,錯誤檢查與校正電路256會被設計能夠校正一數目的錯誤位元(以下稱為最大可校正錯誤位元數)。例如,最大可校正錯誤位元數為24。倘若發生在所讀取之資料的錯誤位元的數目非大於24個時,錯誤檢查與校正電路256就能夠依據錯誤校正碼將錯誤位元校正回正確的值。反之,錯誤檢查與校正電路256就會回報錯誤校正失敗且記
憶體管理電路202會將指示資料已遺失的訊息傳送給主機系統1000。
在本範例實施例中,記憶體控制電路單元104(或記憶體管理電路202)會記錄可複寫式非揮發性記憶體模組106中記憶胞的磨損程度值。例如,對於可複寫式非揮發性記憶體模組106的抹除是以實體區塊為單位來進行,因此,例如,記憶體控制電路單元104(或記憶體管理電路202)會記錄可複寫式非揮發性記憶體模組106中每個實體區塊的抹除次數,由此監控每個記憶胞的磨損程度。然而,必須瞭解的是,除了以抹除次數來作為磨損程度值之外,在本發明另一範例實施例中,記憶胞的寫入次數、錯誤位元數、錯誤位元比例或讀取次數,或依據上述部份或全部之參數組合而成亦可被作為衡量記憶胞的磨損程度。
特別是,在本範例實施例中,記憶體控制電路單元104(或記憶體管理電路202)判斷記憶體儲存裝置100的運作溫度是否大於預先定義溫度,並且倘若記憶體儲存裝置100的運作溫度大於預先定義溫度時,記憶體控制電路單元104(或記憶體管理電路202)會藉由根據每個記憶胞的穿遂氧化層的磨損程度來調整程式化時所使用的初始寫入電壓,以調整對應可複寫式非揮發性記憶體模組106的至少一個預先定義運作參數以產生對應可複寫式非揮發性記憶體模組106的已調整運作參數,由此避免過度寫入而產生錯誤位元。具體來說,倘若記憶體儲存裝置100的運作溫度大於預先定義溫度時,記憶體控制電路單元104(或記憶體管理電路202)
會隨著記憶胞的磨損程度值增加,而降低對應此記憶胞的初始寫入電壓。
例如,當欲對一個記憶胞進行程式化並且記憶體儲存裝置100的運作溫度大於預先定義溫度時,記憶體控制電路單元104(或記憶體管理電路202)會判斷此記憶胞的磨損程度值是否小於第一門檻值。倘若此記憶胞的磨損程度值是否小於此第一門檻值時,記憶體控制電路單元104(或記憶體管理電路202)會使用第一寫入電壓作為初始寫入電壓。倘若此記憶胞的磨損程度值非小於第一門檻值時,記憶體控制電路單元104(或記憶體管理電路202)會判斷此記憶胞的磨損程度值是否小於第二門檻值。並且,倘若此記憶胞的磨損程度值小於第二門檻值時,記憶體控制電路單元104(或記憶體管理電路202)會使用第二寫入電壓作為初始寫入電壓。倘若此記憶胞的磨損程度值非小於第二門檻值時,記憶體控制電路單元104(或記憶體管理電路202)會使用第三寫入電壓作為初始寫入電壓。在此,第二門檻值是大於第一門檻值,第一寫入電壓大於第二寫入電壓且第二寫入電壓大於第三寫入電壓。例如,第一門檻值為500;第二門檻值為1000;第一寫入電壓為16V;第二寫入電壓為14V,並且第三寫入電壓為12V。也就是說,如表1所示,在本範例實施例中,記憶體控制電路單元104(或記憶體管理電路202)使用脈衝寫入/驗證臨界電壓方法來程式化記憶胞時,所使用的寫入電壓(即,初始寫入電壓(Vpro_0)、第一重複寫入電壓(Vpro_1)、第二重複寫入電壓(Vpro_2)…)會根據記憶胞的
磨損程度值(WD)而有所不同。
必須瞭解的是,儘管在上述範例中,是以兩個門檻值(第一門檻值與第二門檻值)來區分記憶胞的磨損程度並且以第一寫入電壓、第二寫入電壓與第三寫入電壓來設定對應不同磨損程度之記憶胞的初始寫入電壓,但本發明不限於此。在本發明範例另一範例實施例中,記憶胞的磨損程度可被分為更多個等級,並且每個記憶胞的寫入電壓可根據下述公式來計算:Vpgm(i,n)=IVpgm-i×A+(n)×C
其中i表示記憶胞的磨損程度,n為重複寫入次數,IVpgm預設初始寫入電壓,C為預設補償值且A為預設調整值。在此,Vpgm(0,0)表示在記憶胞的磨損為最小程度(例如,WD<500)時的初始寫入電壓,Vpgm(0,1)表示在記憶胞的磨損為最小程度(例如,WD<500)時的第一重複寫入電壓,以此類推。在另一範例實施例中,預設補償值可因磨損程度的不同而進行相對應的改變,其中,此改變可是線性或非線性的增加或減少。在另一範例實施例中,預設調整值可因重複寫入次數的變化而進行相對應的改變,其中,此改變可是線性或非線性的減少或增加。
圖13是根據本發明第一範例實施例所繪示之資料寫入方
法的流程圖。
請參照圖13,在步驟S1201中,記憶胞的磨損程度值會被記錄。
在步驟S1203中,記憶體儲存裝置100的運作溫度會被偵測,並且在步驟S1205中,記憶體儲存裝置100的運作溫度是否大於預先定義溫度會被判斷。
倘若記憶體儲存裝置100的運作溫度大於預先定義溫度時,在步驟S1207中,對應記憶胞的初始寫入電壓會根據記憶胞的磨損程度值被調整。
之後,在步驟S1209中,對應記憶胞的已調整初始寫入電壓與寫入電壓脈衝時間會被用來程式化記憶胞,以將資料寫入至記憶胞中。
倘若記憶體儲存裝置100的運作溫度非大於預先定義溫度時,在步驟S1211中,對應記憶胞的預設初始寫入電壓與寫入電壓脈衝時間會被用來程式化記憶胞,以將資料寫入至記憶胞中。
圖14是根據第一範例實施例所繪示之調整對應記憶胞之初始寫入電壓的流程圖。
請參照圖14,在步驟S1301中此記憶胞的磨損程度值是否小於第一門檻值會被判斷。
倘若此記憶胞的磨損程度值小於第一門檻值,在步驟S1303中,第一寫入電壓會被用作為初始寫入電壓。
倘若此記憶胞的磨損程度值非小於第一門檻值時,則在
步驟S1305中,記憶胞的磨損程度值是否小於第二門檻值會被判斷。
倘若此記憶胞的磨損程度值小於第二門檻值時,在步驟S1307中,第二寫入電壓會被用作為初始寫入電壓。
倘若記憶胞的磨損程度值非小於第二門檻值時,在步驟S1309中第三寫入電壓會被用作為初始寫入電壓。
[第二範例實施例]
第二範例實施例的記憶體儲存裝置的結構與第一範例實施例的記憶體儲存裝置是類似,其不同之處在於第二範例實施例的記憶體控制電路單元(或記憶體管理電路)會藉由根據每個記憶胞的磨損程度來調整程式化時所使用的寫入電壓脈衝時間,以調整對應可複寫式非揮發性記憶體模組106的至少一個預先定義運作參數以產生對應可複寫式非揮發性記憶體模組106的已調整運作參數,由此避免過度寫入而產生錯誤位元。以下將使用第一範例實施例的元件標號來說明第二範例實施例與第一範例實施例的差異之處。
一般來說,記憶體控制電路單元104(或記憶體管理電路202)會將一預設時間(亦稱為預設寫入電壓脈衝時間,例如,16微秒)作為快閃記憶體儲存模組106之記憶胞的寫入電壓脈衝時間。並且,在進行記憶胞程式化時,記憶體控制電路單元104(或記憶體管理電路202)會使用此寫入電壓脈衝時間來配合初始寫入電壓將電子注入至記憶胞中。在本範例實施例中,記憶體控制電路單
元104(或記憶體管理電路202)會判斷記憶體儲存裝置100的運作溫度是否大於預先定義溫度,並且倘若記憶體儲存裝置100的運作溫度大於預先定義溫度時,記憶體控制電路單元104(或記憶體管理電路202)會隨著記憶胞的磨損程度值增加,而減少對應此記憶胞的寫入電壓脈衝時間。
圖15-17是根據第二範例實施例所繪示之程式化記憶胞的示意圖。
請參照圖15-17,例如,當欲對一個記憶胞進行程式化時,記憶體控制電路單元104(或記憶體管理電路202)會判斷此記憶胞的磨損程度值是否小於第一門檻值。倘若此記憶胞的磨損程度值是否小於此第一門檻值時,記憶體控制電路單元104(或記憶體管理電路202)會使用第一時間作為寫入電壓脈衝時間(如圖15所示)。倘若此記憶胞的磨損程度值非小於第一門檻值時,記憶體控制電路單元104(或記憶體管理電路202)會判斷此記憶胞的磨損程度值小於第二門檻值。並且,倘若此記憶胞的磨損程度值小於第二門檻值時,記憶體控制電路單元104(或記憶體管理電路202)會使用第二時間作為寫入電壓脈衝時間(如圖16所示)。倘若此記憶胞的磨損程度值非小於第二門檻值時,記憶體控制電路單元104(或記憶體管理電路202)會使用第三時間作為寫入電壓脈衝時間(如圖17所示)。例如,第一時間為18微秒,第二時間為14.4微秒且第三時間為11.7微秒。也就是說,如表1所示,在本範例實施例中,記憶體控制電路單元104(或記憶體管理電路202)使用
脈衝寫入/驗證臨界電壓方法來程式化記憶胞時,所使用的寫入電壓脈衝時間會根據記憶胞的磨損程度值(WD)而有所不同。
在另一範例實施例中,初始的寫入電壓脈衝時間可因磨損程度的不同而進行相對應的改變,其中,此改變可是線性或非線性的增加或減少。在另一範例實施例中,寫入電壓脈衝時間之預設調整值可因重複寫入次數的變化而進行相對應的改變,其中,此改變可是線性或非線性的減少或增加。
例如,已調整寫入電壓脈衝時間根據記憶胞的磨損程度依據預設寫入電壓脈衝時間來決定時,在使用脈衝寫入/驗證臨界電壓方法來程式化記憶胞期間,已調整寫入電壓脈衝時間會被用於第一次重複程式化與第二次重複程式化,並且預設寫入電壓脈衝時間會被於第三次重複程式化、第四次重複程式化…等。也就是說,在使用脈衝寫入/驗證臨界電壓方法來程式化記憶胞期間,已調整寫入電壓脈衝時間會被用於一部份的重複程式化,而預設寫入電壓脈衝時間會被用於另一部份的重複程式化(如圖18所示)。
此外,值得一提的是,在本範例實施例中,在透過驗證電壓確認記憶胞未被程式化至正確的儲存狀態時,記憶體控制電
路單元102指示控制電路2212以目前施予的寫入電壓加上預設補償值作為新的寫入電壓(亦稱為重複寫入電壓)並且依據新的寫入電壓與相同的寫入電壓脈衝時間再次來程式化記憶胞。然而,本發明不限於此,在本發明另一範例實施例中,寫入電壓脈衝時間亦可隨著重複程式化的次數增加而增加。
圖19是根據本發明第二範例實施例所繪示之資料寫入方法的流程圖。
請參照圖19,在步驟S1701中,記憶胞的磨損程度值會被記錄。
在步驟S1703中,記憶體儲存裝置100的運作溫度會被偵測,並且在步驟S1705中,記憶體儲存裝置100的運作溫度是否大於預先定義溫度會被判斷。
倘若記憶體儲存裝置100的運作溫度大於預先定義溫度,在步驟S1707中,對應記憶胞的寫入電壓脈衝時間會根據記憶胞的磨損程度值被調整。
在步驟S1709中,對應記憶胞的初始寫入電壓與已調整的寫入電壓脈衝時間會被用來程式化記憶胞,以將資料寫入至記憶胞中。
倘若記憶體儲存裝置100的運作溫度非大於預先定義溫度時,在步驟S1711中,對應記憶胞的初始寫入電壓與預設寫入電壓脈衝時間會被用來程式化記憶胞,以將資料寫入至記憶胞中。
圖20是根據第二範例實施例所繪示之調整對應記憶胞之
寫入電壓脈衝時間的流程圖。
請參照圖20,在步驟S1801中此記憶胞的磨損程度值是否小於第一門檻值會被判斷。
倘若此記憶胞的磨損程度值小於第一門檻值,在步驟S1803中,第一時間會被用作為寫入電壓脈衝時間。
倘若此記憶胞的磨損程度值非小於第一門檻值時,則在步驟S1805中,記憶胞的磨損程度值是否小於第二門檻值會被判斷。
倘若此記憶胞的磨損程度值小於第二門檻值時,在步驟S1807中,第二時間會被用作為寫入電壓脈衝時間。
倘若記憶胞的磨損程度值非小於第二門檻值時,在步驟S1809中第三時間會被用作為寫入電壓脈衝時間。
[第三範例實施例]
當判斷記憶體儲存裝置100的運作溫度大於預先定義溫度時,藉由根據每個記憶胞的磨損程度來調整程式化時所使用的初始寫入電壓來減少注入記憶胞的電子量以及根據每個記憶胞的磨損程度來調整程式化時所使用的寫入電壓脈衝時間來減少注入記憶胞的電子量分別地描述於第一範例實施例與第二範例實施例中。然而,在本發明另一範例實施例中,記憶體控制電路單元(或記憶體管理電路)亦可根據每個記憶胞的磨損程度來同時調整程式化時所使用的初始寫入電壓與寫入電壓脈衝時間,由此避免過度寫入而產生錯誤位元。例如,當記憶胞的磨損程度值非小於第
一門檻值且小於第二門檻值時,初始寫入電壓調整為原始初始寫入電壓的90%並且寫入電壓脈衝時間會被調整為原寫入電壓脈衝時間的90%;當記憶胞的磨損程度值非小於第二門檻值且小於第三門檻值時,初始寫入電壓調整為原始初始寫入電壓的85%並且寫入電壓脈衝時間會被調整為原寫入電壓脈衝時間的80%;以及當記憶胞的磨損程度值非小於第三門檻值時,初始寫入電壓調整為原始初始寫入電壓的80%並且寫入電壓脈衝時間會被調整為原寫入電壓脈衝時間的70%。
圖21是根據本發明第三範例實施例所繪示之資料寫入方法的流程圖。
請參照圖21,在步驟S1901中,記憶胞的磨損程度值會被記錄。
在步驟S1903中,記憶體儲存裝置100的運作溫度會被偵測,並且在步驟S1905中,記憶體儲存裝置100的運作溫度是否大於預先定義溫度會被判斷。
倘若記憶體儲存裝置100的運作溫度大於預先定義溫度,在步驟S1907中,對應記憶胞的初始寫入電壓與寫入電壓脈衝時間會根據記憶胞的磨損程度值被調整。
在步驟S1909中,對應記憶胞的已調整初始寫入電壓與已調整寫入電壓脈衝時間會被用來程式化記憶胞,以將資料寫入至記憶胞中。
倘若記憶體儲存裝置100的運作溫度非大於預先定義溫
度,在步驟S1911中,對應記憶胞的預設初始寫入電壓與預設寫入電壓脈衝時間會被用來程式化記憶胞,以將資料寫入至記憶胞中。
[第四範例實施例]
第四範例實施例的記憶體儲存裝置的結構與第一範例實施例的記憶體儲存裝置是類似,其不同之處在於第四範例實施例的記憶體控制電路單元(或記憶體管理電路)會藉由根據每個記憶胞的磨損程度來調整程式化時所使用的預設補償值,以調整對應可複寫式非揮發性記憶體模組106的至少一個預先定義運作參數以產生對應可複寫式非揮發性記憶體模組106的已調整運作參數,由此避免過度寫入而產生錯誤位元。以下將使用第一範例實施例的元件標號來說明第四範例實施例與第一範例實施例的差異之處。
在第四範例實施例中,記憶體控制電路單元104(或記憶體管理電路202)判斷記憶體儲存裝置100的運作溫度是否大於預先定義溫度,並且倘若記憶體儲存裝置100的運作溫度大於預先定義溫度時,記憶體控制電路單元104(或記憶體管理電路202)會藉由根據每個記憶胞的穿遂氧化層的磨損程度來調整程式化時所使用的預設補償值,以調整對應可複寫式非揮發性記憶體模組106的至少一個預先定義運作參數以產生對應可複寫式非揮發性記憶體模組106的已調整運作參數,由此避免過度寫入而產生錯誤位元。具體來說,倘若記憶體儲存裝置100的運作溫度大於預先定
義溫度時,記憶體控制電路單元104(或記憶體管理電路202)會隨著記憶胞的磨損程度值增加,而降低對應此記憶胞的預設補償值(即,已降低補償值△V’)。
例如,當欲對一個記憶胞進行程式化並且記憶體儲存裝置100的運作溫度大於預先定義溫度時,記憶體控制電路單元104(或記憶體管理電路202)會判斷此記憶胞的磨損程度值是否小於第一門檻值。倘若此記憶胞的磨損程度值是否小於此第一門檻值時,記憶體控制電路單元104(或記憶體管理電路202)會使用第一補償值作為預設補償值。倘若此記憶胞的磨損程度值非小於第一門檻值時,記憶體控制電路單元104(或記憶體管理電路202)會判斷此記憶胞的磨損程度值是否小於第二門檻值。並且,倘若此記憶胞的磨損程度值小於第二門檻值時,記憶體控制電路單元104(或記憶體管理電路202)會使用第二補償值作為預設補償值。倘若此記憶胞的磨損程度值非小於第二門檻值時,記憶體控制電路單元104(或記憶體管理電路202)會使用第三補償值作為預設補償值。在此,第二門檻值是大於第一門檻值,第一補償值大於第二補償值且第二補償值大於第三補償值。例如,第一門檻值為500;第二門檻值為1000;第一補償值為0.06V;第二補償值為0.05V,並且第三補償值為0.04V。也就是說,如表3所示,在本範例實施例中,記憶體控制電路單元104(或記憶體管理電路202)使用脈衝寫入/驗證臨界電壓方法來程式化記憶胞時,所使用的寫入電壓(即,初始寫入電壓(Vpro_0)、第一重複寫入電壓(Vpro_1)、
第二重複寫入電壓(Vpro_2)…)會根據記憶胞的磨損程度值(WD)而有所不同。
必須瞭解的是,儘管在上述範例中,是以兩個門檻值(第一門檻值與第二門檻值)來區分記憶胞的磨損程度並且以第一補償值、第二補償值與第三補償值來設定對應不同磨損程度之記憶胞的預設補償值,但本發明不限於此。在本發明範例另一範例實施例中,記憶胞的磨損程度可被分為更多個等級,並且每個記憶胞的寫入電壓可根據下述公式來計算:Vpgm(i,n)=IVpgm+n×(C-i×A)
其中i表示記憶胞的磨損程度,n為重複寫入次數,IVpgm預設初始寫入電壓,C為預設補償值且A為預設調整值。在此,Vpgm(0,0)表示在記憶胞的磨損為最小程度(例如,WD<500)時的初始寫入電壓,Vpgm(0,1)表示在記憶胞的磨損為最小程度(例如,WD<500)時的第一重複寫入電壓,以此類推。在另一範例實施例中,預設調整值可因磨損程度的不同而進行相對應的改變,其中,此改變可是線性或非線性的增加或減少。
必須了的是,儘管在第四範例實施例中,在根據記憶胞的磨損程度對應地決定後,預設補償值是固定的,然而,本發明
不限於此。在另一範例實施例中,在使用脈衝寫入/驗證臨界電壓方法來程式化記憶胞期間,對應記憶胞的預設補償值可已被改變。例如,倘若已調整補償值根據記憶胞的磨損程度依據預設補償值而被決定時,在使用脈衝寫入/驗證臨界電壓方法來程式化記憶胞期間,已調整補償值會被用來計算第一重複寫入電壓與第二重複寫入電壓,並且預設補償值會被用來計算第三重複寫入電壓、第四重複寫入電壓…等。也就是說,在使用脈衝寫入/驗證臨界電壓方法來程式化記憶胞期間,一部份的寫入電壓是根據已調整補償值(已降低補償值△V’)來計算,另一部份的寫入電壓是根據預設補償值△V來計算(如圖23所示)。
圖24是根據本發明第四範例實施例所繪示之資料寫入方法的流程圖。
請參照圖24,在步驟S2101中,記憶胞的磨損程度值會被記錄。
在步驟S2103中,記憶體儲存裝置100的運作溫度會被偵測,並且在步驟S2105中,記憶體儲存裝置100的運作溫度是否大於預先定義溫度會被判斷。
倘若記憶體儲存裝置100的運作溫度大於預先定義溫度時,在步驟S2107中,對應記憶胞的預設補償值會根據記憶胞的磨損程度值被調整。
之後,在步驟S2109中,對應記憶胞的預設初始寫入電壓、預設寫入電壓脈衝時間與已調整補償值會被用來程式化記憶
胞,以將資料寫入至記憶胞中。
倘若記憶體儲存裝置100的運作溫度非大於預先定義溫度時,在步驟S2111中,對應記憶胞的預設初始寫入電壓、預設寫入電壓脈衝時間與預設補償值會被用來程式化記憶胞,以將資料寫入至記憶胞中。
圖25是根據第四範例實施例所繪示之調整對應記憶胞之補償值的流程圖。
請參照圖25,在步驟S2201中此記憶胞的磨損程度值是否小於第一門檻值會被判斷。
倘若此記憶胞的磨損程度值小於第一門檻值,在步驟S2203中,第一補償值會被用作為預設補償值。
倘若此記憶胞的磨損程度值非小於第一門檻值時,則在步驟S2205中,記憶胞的磨損程度值是否小於第二門檻值會被判斷。
倘若此記憶胞的磨損程度值小於第二門檻值時,在步驟S2207中,第二補償值會被用作為預設補償值。
倘若記憶胞的磨損程度值非小於第二門檻值時,在步驟S2209中第三補償值會被用作為預設補償值。
綜上所述,在本發明範例實施例的資料寫入方法、記憶體控制電路單元與記憶體儲存裝置中,倘若記憶體儲存裝置的運作溫度大於預先定義溫度,對應可複寫式非揮發性記憶體模組的至少一個預先定義運作參數會根據記憶胞的磨損程度來被調整。
基此,每次程式化所注入至記憶胞的電子會根據記憶胞的磨損狀態而被調整,由此可有效地防止過度寫入並減少錯誤位元的發生。
雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可作些許之更動與潤飾,故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
S1001、S1003、S1005、S1007‧‧‧資料寫入方法的步驟
Claims (18)
- 一種資料寫入方法,用於將資料寫入至一記憶體儲存裝置的一可複寫式非揮發性記憶體模組的一記憶胞中,該資料寫入方法包括:偵測該記憶體儲存裝置的一運作溫度;判斷該記憶體儲存裝置的該運作溫度是否大於一預先定義溫度;以及倘若該記憶體儲存裝置的該運作溫度大於該預先定義溫度時,調整對應該可複寫式非揮發性記憶體模組的至少一預先定義運作參數以產生對應該可複寫式非揮發性記憶體模組的至少一個已調整運作參數並且根據該至少一個已調整運作參數寫入該資料至該記憶胞中,其中,調整對應該可複寫式非揮發性記憶體模組的該至少一預先定義運作參數以產生對應該可複寫式非揮發性記憶體模組的該至少一個已調整運作參數並且根據該至少一個已調整運作參數寫入該資料至該記憶胞中的步驟包括:記錄所述記憶胞的磨損程度值;根據所述記憶胞的磨損程度值,調整對應所述記憶胞的一初始寫入電壓、一寫入電壓脈衝時間與一補償值的至少其中之一;以及使用對應所述記憶胞的所述初始寫入電壓、所述寫入電壓脈衝時間與所述補償值來程式化所述記憶胞,以將所述資料寫入至 所述記憶胞,其中上述根據所述記憶胞的磨損程度值調整對應所述記憶胞的所述初始寫入電壓、所述寫入電壓脈衝時間與所述補償值的至少其中之一的步驟包括:隨著所述記憶胞的磨損程度值增加,減少對應所述記憶胞的所述補償值。
- 如申請專利範圍第1項所述之資料寫入方法,其中上述根據所述記憶胞的磨損程度值調整對應所述記憶胞的所述初始寫入電壓、所述寫入電壓脈衝時間與所述補償值的至少其中之一的步驟包括:隨著所述記憶胞的磨損程度值增加,降低對應所述記憶胞的所述初始寫入電壓。
- 如申請專利範圍第1項所述之資料寫入方法,其中上述根據所述記憶胞的磨損程度值調整對應所述記憶胞的所述初始寫入電壓、所述寫入電壓脈衝時間與所述補償值的至少其中之一的步驟包括:隨著所述記憶胞的磨損程度值增加,減少對應所述記憶胞的所述寫入電壓脈衝時間。
- 如申請專利範圍第3項所述之資料寫入方法,其中所述使用對應所述記憶胞的所述初始寫入電壓、所述寫入電壓脈衝時間與所述補償值來程式化所述記憶胞,以將所述資料寫入至所述記憶胞的步驟包括: 使用所述初始寫入電壓、所減少的寫入電壓脈衝時間與所述補償值來進行該記憶胞的至少一個重複程式化;以及使用所述初始寫入電壓、所述寫入電壓脈衝時間與所述補償值來進行該記憶胞的其他重複程式化。
- 如申請專利範圍第1項所述之資料寫入方法,其中所述記憶胞的磨損程度值是依據所述記憶胞的一抹除次數、一寫入次數、一錯誤位元數、一錯誤位元比例及一讀取次數的至少其中之一來決定。
- 如申請專利範圍第1項所述之資料寫入方法,其中所述使用對應所述記憶胞的所述初始寫入電壓、所述寫入電壓脈衝時間與所述補償值來程式化所述記憶胞,以將所述資料寫入至所述記憶胞的步驟包括:使用所述初始寫入電壓、所述寫入電壓脈衝時間與所減少的補償值來進行該記憶胞的至少一個重複程式化;以及使用所述初始寫入電壓、所述寫入電壓脈衝時間與所述補償值來進行該記憶胞的其他重複程式化。
- 一種記憶體控制電路單元,用於將資料寫入至一記憶體儲存裝置的一可複寫式非揮發性記憶體模組的一記憶胞中,該記憶體控制電路單元包括:一主機介面,用以耦接至一主機系統;一記憶體介面,用以耦接至所述可複寫式非揮發性記憶體模組; 一記憶體管理電路,耦接至所述主機介面與所述記憶體介面;以及一溫度感測器,耦接至該記憶體管理電路並且用以偵測該記憶體儲存裝置的一運作溫度,其中所述記憶體管理電路用以判斷該記憶體儲存裝置的該運作溫度是否大於一預先定義溫度,倘若該記憶體儲存裝置的該運作溫度大於該預先定義溫度時,所述記憶體管理電路更用以調整對應該可複寫式非揮發性記憶體模組的至少一預先定義運作參數以產生對應該可複寫式非揮發性記憶體模組的至少一個已調整運作參數並且根據該至少一個已調整運作參數下達一指令序列給該可複寫式非揮發性記憶體模組以寫入該資料至該記憶胞中,其中在上述調整對應該可複寫式非揮發性記憶體模組的該至少一預先定義運作參數以產生對應該可複寫式非揮發性記憶體模組的該至少一個已調整運作參數並且根據該至少一個已調整運作參數下達該指令序列給該可複寫式非揮發性記憶體模組以寫入該資料至該記憶胞中的運作中,所述記憶體管理電路記錄所述記憶胞的磨損程度值,根據所述記憶胞的磨損程度值調整對應所述記憶胞的一初始寫入電壓、一寫入電壓脈衝時間與一補償值的至少其中之一,並且使用對應所述記憶胞的所述初始寫入電壓、所述寫入電壓脈衝時間與所述補償值來程式化所述記憶胞,以將所述資料寫入至所述記憶胞, 其中在上述根據所述記憶胞的磨損程度值調整對應所述記憶胞的所述初始寫入電壓、所述寫入電壓脈衝時間與所述補償值的至少其中之一的運作中,所述記憶體管理電路用以隨著所述記憶胞的磨損程度值增加,減少對應所述記憶胞的所述補償值。
- 如申請專利範圍第7項所述之記憶體控制電路單元,其中在上述根據所述記憶胞的磨損程度值調整對應所述記憶胞的所述初始寫入電壓、所述寫入電壓脈衝時間與所述補償值的至少其中之一的運作中,所述記憶體管理電路用以隨著所述記憶胞的磨損程度值增加,降低對應所述記憶胞的所述初始寫入電壓。
- 如申請專利範圍第7項所述之記憶體控制電路單元,其中在上述根據所述記憶胞的磨損程度值調整對應所述記憶胞的所述初始寫入電壓、所述寫入電壓脈衝時間與所述補償值的至少其中之一的運作中,所述記憶體管理電路用以隨著所述記憶胞的磨損程度值增加,減少對應所述記憶胞的所述寫入電壓脈衝時間。
- 如申請專利範圍第9項所述之記憶體控制電路單元,其中在所述使用對應所述記憶胞的所述初始寫入電壓、所述寫入電壓脈衝時間與所述補償值來程式化所述記憶胞,以將所述資料寫入至所述記憶胞的運作中,所述記憶體管理電路使用所述初始寫入電壓、所減少的寫入電壓脈衝時間與所述補償值來進行該記憶胞的至少一個重複程式化,並且使用所述初始寫入電壓、所述寫入電壓脈衝時間與所述補償值來進行該記憶胞的其他重複程式化。
- 如申請專利範圍第7項所述之記憶體控制電路單元,其中所述記憶胞的磨損程度值是依據所述記憶胞的一抹除次數、一寫入次數、一錯誤位元數、一錯誤位元比例及一讀取次數的至少其中之一來決定。
- 如申請專利範圍第7項所述之記憶體控制電路單元,其中在所述使用對應所述記憶胞的所述初始寫入電壓、所述寫入電壓脈衝時間與所述補償值來程式化所述記憶胞,以將所述資料寫入至所述記憶胞的運作中,所述記憶體管理電路使用所述初始寫入電壓、所述寫入電壓脈衝時間與所減少的補償值來進行該記憶胞的至少一個重複程式化,並且使用所述初始寫入電壓、所述寫入電壓脈衝時間與所述補償值來進行該記憶胞的其他重複程式化。
- 一種記憶體儲存裝置,包括:一連接介面單元,用以耦接至一主機系統;一可複寫式非揮發性記憶體模組;以及一記憶體控制電路單元,耦接至所述連接介面單元與所述可複寫式非揮發性記憶體模組,其中所述記憶體控制電路單元用以偵測該記憶體儲存裝置的一運作溫度,其中所述記憶體控制電路單元更用以判斷該記憶體儲存裝置的該運作溫度是否大於一預先定義溫度,其中倘若該記憶體儲存裝置的該運作溫度大於該預先定義溫 度時,所述記憶體控制電路單元更用以調整對應該可複寫式非揮發性記憶體模組的至少一預先定義運作參數以產生對應該可複寫式非揮發性記憶體模組的至少一個已調整運作參數並且根據該至少一個已調整運作參數下達一指令序列給該可複寫式非揮發性記憶體模組以寫入該資料至該記憶胞中,其中在上述調整對應該可複寫式非揮發性記憶體模組的該至少一預先定義運作參數以產生對應該可複寫式非揮發性記憶體模組的該至少一個已調整運作參數並且根據該至少一個已調整運作參數下達該指令序列給該可複寫式非揮發性記憶體模組以寫入該資料至該記憶胞中的運作中,所述記憶體控制電路單元記錄所述記憶胞的磨損程度值,根據所述記憶胞的磨損程度值調整對應所述記憶胞的一初始寫入電壓、一寫入電壓脈衝時間與一補償值的至少其中之一,並且藉由使用對應所述記憶胞的所述初始寫入電壓、所述寫入電壓脈衝時間與所述補償值來程式化所述記憶胞,以將所述資料寫入至所述記憶胞,其中在上述根據所述記憶胞的磨損程度值調整對應所述記憶胞的所述初始寫入電壓、所述寫入電壓脈衝時間與所述補償值的至少其中之一的運作中,所述記憶體控制電路單元用以隨著所述記憶胞的磨損程度值增加,減少對應所述記憶胞的所述補償值。
- 如申請專利範圍第13項所述之記憶體儲存裝置,其中在上述根據所述記憶胞的磨損程度值調整對應所述記憶胞的所述初始寫入電壓、所述寫入電壓脈衝時間與所述補償值的至少其中之 一的運作中,所述記憶體控制電路單元用以隨著所述記憶胞的磨損程度值增加,降低對應所述記憶胞的所述初始寫入電壓。
- 如申請專利範圍第13項所述之記憶體儲存裝置,其中在上述根據所述記憶胞的磨損程度值調整對應所述記憶胞的所述初始寫入電壓、所述寫入電壓脈衝時間與所述補償值的至少其中之一的運作中,所述記憶體控制電路單元用以隨著所述記憶胞的磨損程度值增加,減少對應所述記憶胞的所述寫入電壓脈衝時間。
- 如申請專利範圍第15項所述之記憶體儲存裝置,其中在所述使用對應所述記憶胞的所述初始寫入電壓、所述寫入電壓脈衝時間與所述補償值來程式化所述記憶胞,以將所述資料寫入至所述記憶胞的運作中,所述記憶體控制電路單元使用所述初始寫入電壓、所減少的寫入電壓脈衝時間與所述補償值來進行該記憶胞的至少一個重複程式化,並且使用所述初始寫入電壓、所述寫入電壓脈衝時間與所述補償值來進行該記憶胞的其他重複程式化。
- 如申請專利範圍第13項所述之記憶體儲存裝置,其中所述記憶胞的磨損程度值是依據所述記憶胞的一抹除次數、一寫入次數、一錯誤位元數、一錯誤位元比例及一讀取次數的至少其中之一來決定。
- 如申請專利範圍第13項所述之記憶體儲存裝置,其中在所述使用對應所述記憶胞的所述初始寫入電壓、所述寫入電壓脈衝時間與所述補償值來程式化所述記憶胞,以將所述資料寫入至 所述記憶胞的運作中,所述記憶體控制電路單元使用所述初始寫入電壓、所述寫入電壓脈衝時間與所減少的補償值來進行該記憶胞的至少一個重複程式化,並且使用所述初始寫入電壓、所述寫入電壓脈衝時間與所述補償值來進行該記憶胞的其他重複程式化。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14/257,010 US9286986B2 (en) | 2012-08-13 | 2014-04-21 | Data writing method, and memory control circuit unit and memory storage apparatus using the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201541459A TW201541459A (zh) | 2015-11-01 |
TWI541810B true TWI541810B (zh) | 2016-07-11 |
Family
ID=54413516
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW103119007A TWI541810B (zh) | 2014-04-21 | 2014-05-30 | 資料寫入方法、記憶體控制電路單元與記憶體儲存裝置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN105023609A (zh) |
TW (1) | TWI541810B (zh) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10043577B2 (en) * | 2016-03-08 | 2018-08-07 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor memory device |
CN107204205B (zh) * | 2016-03-16 | 2020-05-26 | 群联电子股份有限公司 | 存储器管理方法、存储器控制电路单元与存储器存储装置 |
CN106128507A (zh) * | 2016-06-27 | 2016-11-16 | 联想(北京)有限公司 | 信息处理方法及存储设备 |
US9977627B1 (en) * | 2016-11-09 | 2018-05-22 | Macronix International Co., Ltd. | Memory device and memory controlling method |
US10360947B2 (en) * | 2017-08-31 | 2019-07-23 | Micron Technology, Inc. | NAND cell encoding to improve data integrity |
CN110297596A (zh) * | 2018-03-21 | 2019-10-01 | 北京忆恒创源科技有限公司 | 具有宽工作温度范围的存储设备 |
TWI705333B (zh) * | 2018-03-29 | 2020-09-21 | 大陸商合肥沛睿微電子股份有限公司 | 控制電路及控制方法 |
TWI680373B (zh) * | 2018-03-29 | 2019-12-21 | 大陸商合肥沛睿微電子股份有限公司 | 固態硬碟及其運作方法 |
US10446237B1 (en) | 2018-06-29 | 2019-10-15 | Micron Technology, Inc. | Temperature sensitive NAND programming |
CN112309490B (zh) * | 2019-07-26 | 2024-07-19 | 第一检测有限公司 | 内存测试方法 |
CN112035060B (zh) * | 2020-08-17 | 2024-04-26 | 合肥康芯威存储技术有限公司 | 一种存储介质的错误检测方法、***及存储*** |
CN114121073B (zh) | 2020-08-27 | 2023-09-12 | 长鑫存储技术有限公司 | 存储器的调节方法、调节***以及半导体器件 |
CN114121058B (zh) | 2020-08-27 | 2023-08-29 | 长鑫存储技术有限公司 | 存储器的调节方法、调节***以及半导体器件 |
CN114121096B (zh) * | 2020-08-27 | 2024-03-26 | 长鑫存储技术有限公司 | 存储器的调节方法、调节***以及半导体器件 |
CN114121072B (zh) | 2020-08-27 | 2023-12-12 | 长鑫存储技术有限公司 | 存储器的调节方法、调节***以及半导体器件 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7495966B2 (en) * | 2006-05-01 | 2009-02-24 | Micron Technology, Inc. | Memory voltage cycle adjustment |
KR101938659B1 (ko) * | 2012-02-29 | 2019-01-15 | 삼성전자주식회사 | 불 휘발성 메모리 장치 및 그것을 포함한 메모리 시스템 |
US8873316B2 (en) * | 2012-07-25 | 2014-10-28 | Freescale Semiconductor, Inc. | Methods and systems for adjusting NVM cell bias conditions based upon operating temperature to reduce performance degradation |
US8902667B2 (en) * | 2012-07-25 | 2014-12-02 | Freescale Semiconductor, Inc. | Methods and systems for adjusting NVM cell bias conditions for program/erase operations to reduce performance degradation |
TWI479489B (zh) * | 2012-08-13 | 2015-04-01 | Phison Electronics Corp | 資料寫入方法、記憶體控制器與記憶體儲存裝置 |
-
2014
- 2014-05-30 TW TW103119007A patent/TWI541810B/zh active
- 2014-07-07 CN CN201410319812.2A patent/CN105023609A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201541459A (zh) | 2015-11-01 |
CN105023609A (zh) | 2015-11-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI541810B (zh) | 資料寫入方法、記憶體控制電路單元與記憶體儲存裝置 | |
TWI479489B (zh) | 資料寫入方法、記憶體控制器與記憶體儲存裝置 | |
TWI489469B (zh) | 資料讀取方法、控制電路、記憶體模組與記憶體儲存裝置 | |
TWI521513B (zh) | 讀取電壓設定方法、控制電路與記憶體儲存裝置 | |
US9286986B2 (en) | Data writing method, and memory control circuit unit and memory storage apparatus using the same | |
CN108766495B (zh) | 数据写入方法、存储器控制器与存储器存储装置 | |
TWI498911B (zh) | 記憶體管理方法、記憶體控制器與記憶體儲存裝置 | |
TWI515734B (zh) | 資料儲存方法、記憶體控制電路單元以及記憶體儲存裝置 | |
US8364888B2 (en) | Erase-suspend system and method | |
US9129698B2 (en) | Solid state storage device and sensing voltage setting method thereof | |
US20120155186A1 (en) | Semiconductor memory device and method of operating the same | |
TWI545572B (zh) | 記憶胞程式化方法、記憶體控制電路單元與記憶體儲存裝置 | |
US8611150B2 (en) | Flash memory device including flag cells and method of programming the same | |
TWI512462B (zh) | 記憶體管理方法、記憶體控制電路單元及記憶體儲存裝置 | |
TWI501245B (zh) | 資料讀取方法、控制電路、記憶體模組與記憶體儲存裝置 | |
US20150106667A1 (en) | Solid state storage device and controlling method thereof | |
CN104679441B (zh) | 时间估测方法、存储器存储装置、存储器控制电路单元 | |
TWI521525B (zh) | 時間估測方法、記憶體儲存裝置、記憶體控制電路單元 | |
CN105761754B (zh) | 存储单元编程方法、存储器控制电路单元与存储装置 | |
TW201407617A (zh) | 資料讀取方法、記憶體控制器與記憶體儲存裝置 |