TWI539514B - 基板處理裝置 - Google Patents

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TWI539514B
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太田喬
橋詰彰夫
日野出大輝
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斯克林集團公司
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Description

基板處理裝置
本發明係關於基板處理裝置。成為處理對象的基板係包括有例如：半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、FED(Field Emission Display，場發射顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等。
在半導體裝置、液晶顯示裝置等的製造步驟中，視需要施行對已形成有矽氮化膜與矽氧化膜的基板表面，供應作為蝕刻液之高溫磷酸水溶液，而選擇性去除矽氮化膜的磷酸蝕刻處理。
在對複數片基板統括性施行處理的批次式基板處理裝置中，使複數片基板以一定時間浸漬於已儲存高溫磷酸水溶液的處理槽中。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2007-258405號公報
批次式基板處理裝置為能執行均勻的蝕刻處理，必需將 基板在處理槽所儲存的磷酸水溶液中浸漬一定時間以上。所以，不管統括式對複數片基板施行處理的情況、或處理一片基板的情況，均需要相同的處理時間。
另一方面，單片式基板處理裝置係可依短時間對一片基板施行均勻處理。
矽氮化膜的蝕刻速率(每單位時間的除去量)係當對基板所供應的磷酸水溶液溫度在沸點附近時呈最高。然而，單片式基板處理裝置即便將磷酸水溶液的溫度在槽內調節至沸點附近，但因為直到供應至基板為止前便會出現磷酸水溶液的溫度下降，因而導致矽氮化膜的蝕刻速率降低。所以，蝕刻所需要的時間拉長，會有產能降低的可能性，故期待蝕刻速率提升。
再者，磷酸蝕刻不僅要求提高矽氮化膜的蝕刻速率，亦要求提高矽氮化膜的選擇比(矽氮化膜除去量/矽氧化膜除去量)。
緣是，本發明目的在於提供：可提高氮化膜之蝕刻速率，同時能提高氮化膜之選擇比的基板處理裝置。
本發明所提供的基板處理裝置，係包括有：儲存槽、基板保持手段、及加熱手段；而，該儲存槽係用以儲存磷酸水溶液；該基板保持手段係在使基板浸漬於上述儲存槽內之磷酸水溶液的狀態下，將該基板保持水平姿勢；該加熱手段係具有與由上述基板保持手段所保持之基板呈對向的發熱部，且利用來自上述發熱部的熱輻射或熱傳導加熱該基板。
根據此項構造，在儲存槽內的磷酸水溶液中浸漬基板。對呈浸漬狀態的基板利用熱傳導賦予來自發熱部的熱，同時利用熱輻 射賦予熱。另一方面，浸漬有基板的磷酸水溶液利用來自發熱部的熱而維持於沸點。
此處，當基板被加熱至磷酸水溶液的沸點以上時，在基板表面與磷酸水溶液相鄰接的邊界處，出現局部性極高溫，且可實現整體的磷酸濃度維持較低狀態，能使此狀態的磷酸水溶液作用於基板表面的氮化膜。藉此，能大幅提高蝕刻速率，同時可維持較高的氮化膜選擇比。
再者，藉由將基板保持在水平姿勢的情況下，使該基板浸漬於儲存槽內的磷酸水溶液中，便可依較少液量的磷酸水溶液實現基板浸漬。又，因為基板呈水平姿勢，因而可抑制磷酸水溶液發生對流等情況，藉此便可均勻地保持磷酸水溶液溫度與磷酸濃度。
上述基板處理裝置較佳包括有：水供應手段及濃度控制手段；而，該水供應手段係對上述儲存槽所儲存的磷酸水溶液供應水；該濃度控制手段係藉由控制從上述水供應手段的水供應/停止供應，而控制儲存於上述儲存槽之磷酸水溶液的濃度。
藉由發熱部對磷酸水溶液的加熱，磷酸水溶液維持沸騰狀態。若磷酸水溶液呈沸騰狀態，因磷酸水溶液中所含水的蒸發，會使磷酸水溶液的磷酸濃度逐漸變濃。結果，因磷酸水溶液的沸點上升，磷酸水溶液的液溫會更加上升，會有導致磷酸水溶液的磷酸濃度更加提高之可能性。
根據上述構造，藉由為維持沸騰狀態的磷酸水溶液供應水，便可抑制磷酸水溶液的磷酸濃度上升。即，藉由控制磷酸水溶液的水供應/停止供應，而可控制磷酸水溶液的濃度。藉此，可將經適度濃度控制的磷酸水溶液供應至基板，故可維持更高的氮化膜選擇比。
上述水供應手段亦可包括設有吐出水液滴之多數吐出口的多孔噴嘴。因為從多數吐出口分別吐出水液滴，因而可對儲存槽所儲存的磷酸水溶液呈大致均勻地供應水。結果，可將磷酸水溶液的磷酸濃度保持均勻。藉此，可將氮化膜的選擇比在基板全域上保持均等。
再者，上述水供應手段亦可含有朝上述儲存部噴射出噴霧狀水的噴霧噴嘴。藉由噴射出噴霧狀的水，便可對儲存槽所儲存的磷酸水溶液供應更細膩的水液滴。水與磷酸水溶液因為該等的比重、黏度等不同，因而會有比較不易混合的傾向。然而，因為若液滴的大小越細膩便越容易混合，因而藉由將細膩液滴狀態的水供應至磷酸水溶液，便可使水與磷酸水溶液順暢地混合。
本發明一實施形態中，上述加熱手段係從下方側加熱由上述基板保持手段所保持的基板。
此情況，上述儲存槽亦可構成具有底面，並由上述儲存槽的上述底面構成上述發熱部。因為儲存槽的底面係屬於發熱部，因而可對在儲存槽內的磷酸水溶液中所浸漬之基板，依簡單構造從發熱部利用熱輻射或熱傳導賦予熱。
本發明另一實施形態中，上述加熱手段係從上方側加熱由上述基板保持手段所保持的基板。上述加熱手段亦可具有紅外線燈，而上述紅外線燈係與由上述基板保持手段所保持的基板表面呈對向配置，並朝該表面照射紅外線。
上述基板保持手段係設有依對上述儲存槽呈非接觸狀態支撐基板的基板支撐部；且上述基板處理裝置亦可更進一步包括有使由上述基板支撐部所支撐的基板旋轉之基板旋轉手段。
根據此項構造，可對基板施行旋轉處理(例如旋轉乾燥)。
本發明的前述、或其他目的、特徵及效果，參照所附圖式，利用下述實施形態的說明便可清楚明瞭。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧處理室
3‧‧‧旋轉夾具
4‧‧‧儲存槽
5‧‧‧磷酸水溶液噴嘴
8‧‧‧杯體
11‧‧‧旋轉軸
12‧‧‧旋轉基座
13‧‧‧夾持構件
14‧‧‧旋轉馬達
16‧‧‧磷酸供應管
17‧‧‧磷酸閥
24‧‧‧貫穿孔
25‧‧‧支撐桿
27‧‧‧升降機構
28‧‧‧加熱器
29‧‧‧底面
30‧‧‧水噴嘴
31‧‧‧第2水供應管
32‧‧‧第2水閥
33‧‧‧鉛直杆
34‧‧‧夾持銷
37‧‧‧環狀溝
38‧‧‧外周壁(紅外線燈)
40‧‧‧控制部
41‧‧‧儲存溝
42‧‧‧支撐臂
43‧‧‧夾持銷驅動機構
50‧‧‧多道噴嘴
51‧‧‧噴嘴配管
52‧‧‧吐出口
53‧‧‧第1水供應管
54‧‧‧第1水閥
61‧‧‧水供應路
62‧‧‧下吐出口
63‧‧‧水下供應管
64‧‧‧水下閥
101‧‧‧基板處理裝置
102‧‧‧噴霧噴嘴
103‧‧‧第3水供應管
104‧‧‧第3水閥
201‧‧‧基板處理裝置
203‧‧‧加熱器頭
204‧‧‧儲存槽
205‧‧‧支架
206‧‧‧加熱器升降機構
208‧‧‧加熱器
209‧‧‧下面
301‧‧‧基板處理裝置
303‧‧‧紅外線加熱器
304‧‧‧紅外線燈
304A‧‧‧紅外線照射面
306‧‧‧加熱器搖擺機構
401‧‧‧基板處理裝置
402‧‧‧基板保持台
403‧‧‧升降銷
403A‧‧‧升降銷
404‧‧‧儲存槽
405‧‧‧儲存溝
406‧‧‧加熱器
408‧‧‧外周壁
409‧‧‧底面
409A‧‧‧底面部
410‧‧‧支撐構件
411‧‧‧升降銷升降機構
412‧‧‧貫通孔
420‧‧‧密封部
421‧‧‧推拔面
A1‧‧‧旋轉軸線
W‧‧‧晶圓
W1‧‧‧間隔
圖1係本發明第1實施形態的基板處理裝置構造之示意剖視圖。
圖2係圖1所示基板處理裝置的電氣式構造方塊圖。
圖3係利用圖1所示基板處理裝置所執行的磷酸蝕刻處理之處理例說明步驟圖。
圖4A及4B係圖3的處理例說明示意圖。
圖4C及4D係圖4B後續步驟的說明示意圖。
圖4E及4F係圖4D後續步驟的說明示意圖。
圖5係從儲存槽底面進行的晶圓加熱之圖。
圖6係磷酸水溶液的磷酸濃度、與磷酸水溶液的沸點間之關係圖表。
圖7係磷酸水溶液的磷酸濃度及磷酸水溶液溫度、與矽氮化膜的蝕刻速率間之關係圖表。
圖8係本發明第2實施形態的基板處理裝置之構造示意圖。
圖9係本發明第3實施形態的基板處理裝置之構造示意圖。
圖10係本發明第4實施形態的基板處理裝置之構造示意圖。
圖11係本發明第5實施形態的基板處理裝置之構造示意圖。
圖1係表示本發明第1實施形態的基板處理裝置1之構造示意剖視圖。
該基板處理裝置1係供用以對基板一例的圓形半導體晶圓W(以下簡稱「晶圓W」)的裝置形成區域側之表面，施行矽氧化膜(氧化膜)及矽氮化膜(氮化膜)之蝕刻處理用的單片型裝置。該蝕刻處理係從晶圓W的表面選擇性蝕刻氮化膜的處理，蝕刻液係使用磷酸水溶液。
如圖1所示，基板處理裝置1係具備有：儲存槽(加熱手段)4與旋轉夾具3。該儲存槽4係在由隔間壁(未圖示)所劃分的處理室2內以儲存磷酸水溶液。該旋轉夾具3係在儲存槽4內浸漬磷酸水溶液的狀態，水平保持晶圓W並使之旋轉。儲存槽4係有埋設加熱器28，儲存槽4的底面29具有作為用以加熱晶圓W的發熱部之機能。又，基板處理裝置1係具備有：磷酸水溶液噴嘴5、多道噴嘴(多孔噴嘴)50、水噴嘴30、及杯體8。該磷酸水溶液噴嘴5係用以對由旋轉夾具3所保持之晶圓W的表面(上面)吐出磷酸水溶液。該多道噴嘴50係用以在由旋轉夾具3所保持之晶圓W的表面滴下水液滴。該水噴嘴30係用以對由旋轉夾具3所保持之晶圓W的表面上吐出水。該杯體8係用以收容旋轉夾具3。
旋轉夾具3係採用例如夾持式者。旋轉夾具3係具備有：朝鉛直延伸的筒狀旋轉軸11、在旋轉軸11的上端呈水平姿勢安裝的圓板狀旋轉基座12、在旋轉基座12上依例如等間隔配置的複數個(至少3個。例如6個)夾持構件(基板支撐部)13、以及連結於旋轉軸11的旋轉馬達(基板旋轉手段)14。
各夾持構件13係在側面觀呈L形的支撐臂42之前端，朝下配設用以夾持晶圓W周緣部用之夾持銷34而構成。
複數夾持銷34結合著夾持銷驅動機構43。夾持銷驅動 機構43係形成能將複數夾持銷34引導至抵接晶圓W端面並能夾持晶圓W的夾持位置、以及較該夾持位置更靠晶圓W的徑向外邊的開放位置狀態。旋轉夾具3係藉由使各夾持銷34接觸於晶圓W的周端面並夾持，藉此使晶圓W由旋轉夾具3牢固地保持。在晶圓W被複數個夾持構件13保持的狀態下，藉由旋轉馬達14的旋轉驅動力輸入至旋轉軸11，使晶圓W圍繞著通過晶圓W中心的鉛直旋轉軸線A1進行旋轉。旋轉夾具3係可使晶圓W依最大2500rpm的旋轉速度進行旋轉。
磷酸水溶液噴嘴5係例如依連續流狀態吐出磷酸水溶液的直線型噴嘴，在旋轉夾具3的上方且吐出口朝向晶圓W旋轉中心附近呈固定配置。磷酸水溶液噴嘴5連接著從磷酸水溶液供應源供應接近沸點(例如約140℃)之磷酸水溶液的磷酸供應管16。在磷酸供應管16中介設有用以開閉磷酸供應管16的磷酸閥17。若磷酸閥17被開啟，則從磷酸供應管16朝磷酸水溶液噴嘴5供應磷酸水溶液，又，若磷酸閥17被關閉，則停止從磷酸供應管16朝磷酸水溶液噴嘴5的磷酸水溶液供應。
多道噴嘴50係呈直線狀延伸的噴嘴，在旋轉夾具3的上方保持水平姿勢。多道噴嘴50係沿由旋轉夾具3所保持之晶圓W的半徑方向延伸，且通過該晶圓W的旋轉軸線A1上。多道噴嘴50係具有前端被封閉的圓筒狀噴嘴配管51。多道噴嘴50的前端被封閉。
在噴嘴配管51的周面下端緣，呈一排或複數排排列形成用以滴下水液滴的多數吐出口52。各吐出口52係由在噴嘴配管51的管壁上開設的小孔構成，各吐出口52係與噴嘴配管51的內部空間相連通。該等複數吐出口52具有大致相同的大小，並依大致等密度配置。
在噴嘴配管51的基端連接著供應來自水供應源之水的第1水供應管53。噴嘴配管51的內部係與第1水供應管53的內部相連通。在第1水供應管53中介設用以關閉第1水供應管53的第1水閥54。若第1水閥54被開啟，則從第1水供應管53朝多道噴嘴50供應水，再從各吐出口52朝下方吐出水。因為各吐出口係由小孔形成，因而從各吐出口52形成液滴後再滴下。此時，從各吐出口52的水吐出流量係呈均勻。從各吐出口52滴下的水下降注入至旋轉夾具3的儲存槽4中。
水噴嘴30係例如依連續流狀態吐出清洗用DIW的直線型噴嘴，在旋轉夾具3的上方、且吐出口朝向晶圓W旋轉中心附近呈固定配置。水噴嘴30連接著供應來自水供應源之水的第2水供應管31。在第2水供應管31的途中部，介設有用以切換從水噴嘴30的水供應/停止供應之第2水閥32。
杯體8係供經對晶圓W處理使用後的磷酸水溶液與水施行處理使用，形成有底圓筒容器狀。
儲存槽4係形成例如略圓筒有底容器狀，使用陶瓷、碳化矽(SiC)形成。儲存槽4係在旋轉基座12的上面、與由旋轉夾具3所保持晶圓W的下面之間呈水平姿勢配置。儲存槽4係具備有：水平平坦的圓形底面(發熱部)29、與從底面29周緣部朝鉛直上方立起的外周壁38。利用儲存槽4的底面29與外周壁38的內周面，劃分出用以在底面29上方滯留液體的淺溝渠儲存溝41，以形成可將液體滯留於底面29上方的狀態。儲存溝41的溝深度(在儲存溝41中滯留的液體厚度)係在2mm~11mm範圍內設定為例如約7mm。在儲存槽4的底面29內部埋設有電阻式加熱器28。
經由插通下述貫穿孔24等的供電線(未圖示)而執行對加熱器28的供電。儲存槽4並非可旋轉的構造，所以不需要為對加熱器28供電用的旋轉電氣接點。故，相較於使儲存槽4旋轉的情況，對儲存槽4的供電量不會受限制。藉此，可將晶圓W加熱至所需高溫。
在加熱器28呈開啟狀態下，藉由對加熱器28的供電，該加熱器28便會發熱，而使儲存槽4全體呈發熱狀態，底面29全域發熱。加熱器28呈開啟狀態下底面29每單位面積發熱量係底面29全域呈均勻設定。
支撐桿25係沿旋轉軸線A1朝鉛直方向(旋轉基座12的厚度方向)，插通於朝上下方向貫通旋轉基座12及旋轉軸11的貫穿孔24中，且其上端固定於儲存槽4。支撐桿25在貫穿孔24中並未接觸到旋轉基座12或旋轉軸11。支撐桿25的下端(另一端)係固定於旋轉夾具3下方的周邊構件，藉此使支撐桿25保持姿勢。依此，因為儲存槽4並非由旋轉夾具3支撐，因而即便晶圓W旋轉中，儲存槽4仍不會旋轉而呈靜止(非旋轉狀態)。
支撐桿25係呈中空軸，在內部形成用以使DIW(去離子水)等水流通的水供應路61。水供應路61係連通於在儲存槽4的底面29開設的下吐出口62。下吐出口62係與由旋轉夾具3所保持之晶圓W的下面中心呈對向。
水供應路61連接有從水供應源供應水的水下供應管63。在水下供應管63中介設用以開閉該水下供應管63用的水下閥64。若水下閥64被開啟，則從水下供應管63經由水供應路61朝下吐出口62供應水。藉此從下吐出口62吐出水。
支撐桿25接合於為使儲存槽4升降用的升降機構27。 儲存槽4係在利用升降機構27維持水平姿勢的狀態下進行升降。升降機構27係由例如滾珠螺桿、馬達等構成。藉由驅動升降機構27，儲存槽4便在其下面接近旋轉基座12上面的下位置(遠離晶圓W的遠離位置。參照圖4A等)、與儲存槽4上面依微小間隔W1隔開對向配置於晶圓W下面的上位置(接近晶圓W的接近位置。參照圖4D等)之間進行升降。依此，藉由便可變更儲存槽4與晶圓W間之間隔。
在儲存槽4底面29的周緣部，形成有當儲存槽4位於如下述之上位置時，用以收容夾持構件13之夾持銷34的環狀溝37。環狀溝37係依在旋轉夾具3(旋轉基座12)旋轉中能收容夾持構件13之夾持銷34的方式，形成以旋轉軸線A1為中心的圓環狀。環狀溝37的溝深度係設定為當儲存槽4位於如下述上位置時，不會使夾持銷34與環狀溝37底壁相干擾程度的深度。又，環狀溝37的溝寬係設定為較寬於夾持銷34的外徑。又，圖1中，環狀溝37與外周壁38係設計呈內外相鄰接狀態。即，環狀溝37的外周面與外周壁38的內周面呈連續狀態，並構成鉛直面。
在儲存槽4位於上位置、且儲存溝41中充滿液體的狀態下，便利用儲存溝41中所滯留的液體，依表面朝上狀態浸漬由夾持構件13所夾持之晶圓W。即，儲存溝41中所滯留液體的液面係位於較晶圓W表面更靠上方，結果利用儲存溝41中所滯留液體覆蓋晶圓W表面全域。
圖2所示係基板處理裝置1的電氣式構造方塊圖。
基板處理裝置1係具備有含微電腦構成的控制部(溫度控制手段)40。控制部40係藉由切換朝加熱器28的通電/切斷，而控制加熱器28的開啟/關閉。又，控制部40係控制旋轉馬達14、夾持銷驅 動機構43、升降機構27等的動作。又，控制部40係控制磷酸閥17、第1水閥54、第2水閥32等的開閉動作。
圖3所示係相關利用基板處理裝置1所執行的磷酸蝕刻處理的處理例說明步驟圖。圖4A~圖4F所示係相關該處理例的說明示意圖。
以下參照圖1~圖4F，對磷酸蝕刻處理的處理例進行說明。
如圖4A所示，在晶圓W搬入之前，控制部40先將加熱器28呈開啟(驅動狀態)。在加熱器28呈開啟狀態下，底面29處於發熱狀態。又，控制部40開啟磷酸閥17，從磷酸水溶液噴嘴5吐出接近沸點的高溫磷酸水溶液，並將該磷酸水溶液滯留於位於下位置的儲存槽4之儲存溝41中。若磷酸水溶液充滿儲存溝41，控制部40便關閉磷酸閥17。利用呈發熱狀態的底面29，磷酸水溶液便被加熱，使磷酸水溶液升溫至沸點(例如約140℃)，然後維持沸騰狀態。藉由維持加熱狀態，磷酸水溶液中所含的水便蒸發，使磷酸水溶液的磷酸濃度逐漸變濃。
接著，如圖4B所示，控制部40係開啟第1水閥54，從多道噴嘴50的各吐出口52滴下水的液滴。從各吐出口52滴下的液滴會供應給儲存槽4內的磷酸水溶液。因為從多數吐出口52分別吐出水的液滴，因而對儲存槽4中所儲存的磷酸水溶液便呈大致均勻供應水。藉由朝呈沸騰狀態的磷酸水溶液供應水，便抑制儲存槽4內的磷酸水溶液之磷酸濃度上升。朝磷酸水溶液的水供應係在晶圓W搬入之前便實施。
控制部40係藉由開閉第1水閥54來切換從多道噴嘴50 的供應/停止供應，以調節朝儲存槽4內的磷酸水溶液所供應之水量。因為磷酸水溶液的磷酸濃度調整係利用水供應，因而從多道噴嘴50所供應的磷酸水溶液流量只要小流量便足夠。藉由此種水供應，儲存槽4內的磷酸水溶液之磷酸濃度與溫度，分別被穩定控制呈預定的磷酸濃度(其中一例係81%)及溫度(其中一例係約140℃)。
在儲存槽4內的磷酸水溶液之溫度及磷酸濃度，分別被控制於所需溫度及濃度的狀態下，控制搬送機器人(未圖示)，將未處理晶圓W搬入至處理室2內。在未處理晶圓W的表面形成有矽氮化膜及矽氧化膜。所搬入的晶圓W被配置於與儲存槽4之底面29呈對向的既定交接位置，控制部40驅動夾持銷驅動機構43，將複數夾持銷34從開放位置導引至夾持位置。藉此，如圖4C所示，被搬入的晶圓W便依表面朝上的狀態由旋轉夾具3保持。另外，在晶圓W位於交接位置的狀態時，晶圓W下面與底面29間之間隔係設為例如50mm左右。
若由旋轉夾具3保持晶圓W，則如圖4D所示，控制部40控制升降機構27，使儲存槽4上升至上位置。在儲存槽4位於上位置的狀態下，晶圓W浸漬於儲存槽4的磷酸水溶液中。此時，儲存槽4的磷酸水溶液液面位於較晶圓W的表面更靠上方，結果利用磷酸水溶液覆著晶圓W表面全域。藉由晶圓W浸漬於磷酸水溶液中，而對晶圓W表面施行磷酸蝕刻處理(步驟S1)。磷酸蝕刻處理係執行至經過預定的蝕刻時間。
在儲存槽4位於上位置的狀態時，晶圓W下面與儲存槽4底面29間之間隔W1係設定為例如3mm左右。在此狀態下，磷酸水溶液的液面位於晶圓W上方約3mm處。另外，晶圓W的厚度係 例如0.775mm。另外，間隔W1係在0.3~3mm範圍內適當設定。
因為晶圓W的下面與儲存槽4的底面29呈接近，因而由旋轉夾具3保持的晶圓W便從儲存槽4的底面29利用熱輻射被加熱。在儲存槽4位於上位置的狀態時，因為底面29與晶圓W下面呈平行，因而從儲存槽4對晶圓W所賦予的每單位面積熱量，係在晶圓W全域呈大致均勻。
再者，如圖4E所示，在磷酸蝕刻步驟中，適當地朝儲存槽4的磷酸水溶液供應水。控制部40開啟第1水閥54，從多道噴嘴50的各吐出口52滴下水的液滴。因為從多數吐出口52分別吐出水的液滴，因而對儲存槽4中所儲存的磷酸水溶液呈大致均勻地供應水。藉此，儲存槽4內的磷酸水溶液之磷酸濃度及溫度便分別被穩定控制於預定的磷酸濃度(其中一例係81%)及溫度(其中一例係約140℃)。
再者，磷酸蝕刻步驟中，控制部40係控制旋轉馬達14，使晶圓W依預定的低速度(例如10~300rpm範圍)旋轉。藉由晶圓W的旋轉，在儲存溝41中滯留的磷酸水溶液便被攪拌。藉此，使磷酸水溶液的磷酸濃度及溫度呈均勻分佈。
圖5所示係利用儲存槽4之底面29進行的晶圓W加熱之圖。
如前述，儲存槽4的底面29與晶圓W的下面大致全面呈對向。又，儲存槽4的底面29、與晶圓W的下面間之間隔W1係在例如0.3~3mm範圍內設定為例如3mm左右。所以，晶圓W便利用熱傳導被賦予來自儲存槽4底面29的熱，且利用熱輻射被賦予熱。藉此，判斷晶圓W會升溫至160℃左右。
圖6所示係磷酸水溶液的磷酸濃度(H3PO4 concentration)、與磷酸水溶液沸點(沸騰點，Boiling Point)間之關係圖。圖6中的曲線係表示飽和濃度曲線，較該曲線更靠下方的區域係屬於磷酸水溶液可存在的區域(H3PO4 existence region)。
如圖6所示，隨磷酸水溶液的磷酸濃度提高，磷酸水溶液的沸點亦會提高。例如具有81%濃度的磷酸水溶液，沸點係約140℃。通常81%濃度的磷酸水溶液在液相時並不會升溫至140℃以上。
另一方面，具有160℃溫度的磷酸水溶液最大濃度係約86%。所以，具有160℃溫度的磷酸水溶液在通常狀態下並不會發生濃度未滿約86%的情形。
圖7所示係磷酸水溶液的磷酸濃度、及磷酸水溶液溫度與矽氮化膜蝕刻速率間之關係圖表。圖7中，就使用具150℃、160℃及170℃溫度的磷酸水溶液，對矽氮化膜施行蝕刻時的蝕刻速率，係依實線圖示。又，圖7中，磷酸水溶液的沸點係依虛線圖示。
如圖7所示，若磷酸濃度呈一定，在磷酸水溶液溫度170℃時的蝕刻速率呈最高，在磷酸水溶液溫度160℃時的蝕刻速率為第二高。所以，若磷酸濃度呈一定，磷酸水溶液的溫度越高，則蝕刻速率越高。
另一方面，磷酸水溶液溫度為150℃時，蝕刻速率係隨磷酸濃度增加而減少。相關磷酸水溶液溫度為160℃及170℃時亦相同。所以，若磷酸水溶液的溫度呈一定，則磷酸濃度越低，蝕刻速率越高。又，雖未圖示，相關磷酸水溶液溫度為140℃時亦相同。
合併參照圖5~圖7，針對磷酸蝕刻步驟的儲存槽4內之磷酸水溶液狀態進行說明。在儲存槽4中儲存經濃度調節為81%的磷酸水溶液。該磷酸水溶液的沸點約140℃。儲存槽4中所儲存的磷酸水 溶液係利用儲存槽4的底面29被加熱，並維持於沸點的約140℃狀態。
利用由儲存槽4的底面29所進行加熱，晶圓W升溫至約160℃。此狀態下，在與晶圓W表面間之邊界部分處的磷酸水溶液，會形成越接近晶圓W表面則溫度越高的溫度梯度。結果，在晶圓W表面與磷酸水溶液相接觸的邊界實現例如約160℃的高溫狀態。
換言之，在晶圓W表面與磷酸水溶液相接觸的邊界，可實現局部性呈極高溫、且磷酸濃度維持較低的狀態。具體而言，在該邊界處，可實現溫度約160℃且濃度約81%之尋常不會存在的高溫低濃度狀態(此狀態下的矽氮化膜蝕刻速率及矽氮化膜選擇比一例，係如「實施例」的圖7中所示)。因為該狀態的磷酸水溶液會作用於晶圓W表面的矽氮化膜，因而能大幅提高矽氮化膜的蝕刻速率，同時可將矽氮化膜的選擇比維持較高狀態。
但是，從晶圓W開始浸漬於磷酸水溶液起，若經過預定蝕刻時間，則如圖4F所示，控制部40係控制升降機構27，使儲存槽4下降至下位置。藉此，結束由儲存槽4的底面29所進行的晶圓W加熱。
其次，控制部40係控制旋轉馬達14，使晶圓W的旋轉速度提升至既定的清洗處理速度(300~1500rpm範圍，例如1000rpm)，且開啟第2水閥32，從水噴嘴30的吐出口朝晶圓W的旋轉中心附近供應DIW(步驟S2：清洗步驟)。朝晶圓W表面供應的DIW承受因晶圓W旋轉所產生的離心力，在晶圓W表面上朝晶圓W周緣流動。藉此，晶圓W表面所附著的磷酸水溶液是利用DIW沖洗。
再者，與該清洗步驟並行，執行利用水洗淨儲存槽4內壁面(底面29、環狀溝37壁面及外周壁38內周面)的儲存槽洗淨。該 儲存槽洗淨係由控制部40開啟水下閥64，而從下吐出口62吐出水。從下吐出口62吐出的水會滯留於儲存槽4的儲存溝41。從下吐出口62的水吐出係在溢出儲存溝41之後仍持續進行。藉此，在儲存槽4內壁面上所附著的磷酸水溶液是利用DIW沖洗。
若DIW的供應持續經過既定清洗時間，則關閉第2水閥32，停止DIW朝晶圓W表面的供應。又，在停止DIW供應之同時，亦關閉水下閥64，而停止朝儲存槽41的水供應。
然後，控制部40驅動旋轉馬達14，使晶圓W的旋轉速度提高至既定的高旋轉速度(例如1500~2500rpm)，執行甩乾晶圓W上所附著DIW而乾燥的旋轉乾燥(步驟S3)。利用步驟S3的旋轉乾燥，晶圓W上所附著的DIW便被除去。
若旋轉乾燥執行經過預定的旋轉乾燥時間，則控制部40會驅動旋轉馬達14，並停止旋轉夾具3的旋轉。藉此，結束對1片晶圓W的光阻除去處理。然後，控制部40驅動夾持銷驅動機構43，將複數夾持銷34從夾持位置導引至開放位置，再將處理完畢的晶圓W交接至搬送機器人。利用搬送機器人將晶圓W從處理室2中搬出。
依上述，根據本實施形態，藉由儲存槽4的底面29對晶圓W施行加熱，使晶圓W升溫至約160℃。在此狀態下，於與晶圓W表面間之邊界部分的磷酸水溶液，形成越接近晶圓W表面，則溫度越高的溫度梯度。結果，在與晶圓W表面間之邊界部分的磷酸水溶液，可實現極高溫、且磷酸濃度維持較低的狀態(維持溫度約160℃且濃度約81%的高溫且磷酸濃度較低的狀態)。因為此狀態的磷酸水溶液會作用於晶圓W表面的矽氮化膜，因而可大幅提高矽氮化膜的蝕刻速率，同時可使矽氮化膜的選擇比維持較高狀態。
圖8所示係本發明第2實施形態的基板處理裝置101之構造示意圖。圖8中，對應於第1實施形態所示各部位的部分，賦予與圖1~圖7的情況為相同元件符號，並省略說明。
基板處理裝置101係就與第1實施形態的基板處理裝置1間之不同處在於：作為用以供應水的水供應手段係取代多道噴嘴50，改為呈噴霧狀吐出(噴霧)水液滴的噴霧噴嘴102。噴霧噴嘴102連接有供應來自水供應源之水的第3水供應管103。在第3水供應管103中介設有用以關閉第3水供應管103的第3水閥104。若第3水閥104被開啟，則從第3水供應管103朝噴霧噴嘴102供應水，再從噴霧噴嘴102朝下方呈噴霧狀吐出(噴霧)水的液滴。從噴霧噴嘴102吐出的水液滴係較細膩(較細小)於前述第1實施形態從多道噴嘴吐出的水液滴。
根據第2實施形態，因為從噴霧噴嘴102呈噴霧狀吐出水的液滴，因而可對儲存槽4中所儲存的磷酸水溶液呈大致均勻地供應水，結果可使磷酸水溶液的磷酸濃度保持呈均勻。
再者，從噴霧噴嘴102朝磷酸水溶液供應更細膩的水液滴。因為水與磷酸水溶液係該等的比重、黏度等不同，因而會有比較不易混合的傾向。然而，因為液滴的大小越細膩便越容易混合，因而藉由將細膩液滴狀態的水供應至磷酸水溶液，而可使水與磷酸水溶液順暢地混合。
另外，圖8表示當噴霧噴嘴102僅設置1個的情況，但亦從左右方向各自不同位置處的複數噴霧噴嘴呈噴霧狀吐出水。
圖9所示本發明第3實施形態的基板處理裝置201之構造示意圖。圖9中，對應於第1實施形態所示各部位的部分，賦予與圖1~圖7的情況為相同元件符號，並省略說明。
基板處理裝置201係就與第1實施形態的基板處理裝置1間之不同處在於：儲存槽係採用非加熱型儲存槽204。又，在旋轉夾具3的上方設有為加熱晶圓W表面用之加熱器頭203之處，亦不同於基板處理裝置1。
儲存槽204係使用例如陶瓷、SiC、耐熱樹脂等形成。儲存槽204的構造係除了未埋設加熱器28(參照圖1)而未發揮作為加熱手段機能此點之外，其餘均與圖1所示儲存槽4為共同構造。即，儲存槽204係呈水平姿勢配置，並維持該水平姿勢狀態下進行升降。利用升降機構(參照圖1)27的驅動，使儲存槽204在其下面接近於旋轉基座12上面的下位置、與儲存槽204底面29在晶圓W下面依微小間隔W1隔開而呈對向配置的上位置之間進行升降。藉此，可變更儲存槽204與晶圓W間的間隔。
利用儲存槽204的底面29與外周壁38的內周面，在底面29的上方劃分出用以滯留液體的儲存溝41。在儲存槽204位於上位置的狀態、且儲存溝41充滿液體的狀態時，則利用儲存溝41中所滯留的液體浸漬表面朝上的晶圓W。即，利用儲存溝41中所滯留的液體覆蓋著晶圓W表面全域。又，即便晶圓W旋轉中，儲存溝41仍不會旋轉而呈靜止(非旋轉狀態)。
加熱器頭203係形成具有晶圓W同等直徑的圓板狀，使用例如陶瓷等形成。加熱器頭203係利用支架205從上方依水平姿勢保持。在加熱器頭203的內部埋設電阻式加熱器208。加熱器頭203係設有由水平平坦面構成的下面(發熱部)209。加熱器頭203的下面209係橫跨由旋轉夾具3所保持晶圓W的表面全域呈相對向配置。在加熱器208呈開啟狀態時，利用朝加熱器208的供電而使該加熱器208發 熱，下面209全域便發熱。下面209的全域中，加熱器28呈開啟狀態時的下面209每單位面積發熱量係設定呈均勻。
支架205接合有用以使加熱器頭203升降的加熱器升降機構206。加熱器升降機構206係電氣式連接於控制部40(參照圖2)。
利用此種基板處理裝置201所執行的磷酸蝕刻處理，係與第1實施形態同樣(參照圖4A)，在儲存槽204的儲存溝41中滯留磷酸水溶液。然後，未處理晶圓W被搬入至處理室2內，晶圓W在旋轉夾具3(的夾持構件13)上保持呈表面朝上狀態。
若由旋轉夾具3保持晶圓W，則控制部40控制升降機構27(參照圖1)，使儲存槽204上升至上位置。在儲存槽204位於上位置的狀態時，晶圓W會浸漬於儲存槽204的磷酸水溶液中。此時，儲存槽204的磷酸水溶液液面位於較晶圓W表面更靠上方，結果利用磷酸水溶液覆蓋著晶圓W表面全域。藉由晶圓W浸漬於磷酸水溶液中，而對晶圓W表面施行磷酸蝕刻處理(相當於圖3的步驟S1)。
再者，控制部40係控制加熱器升降機構206，使加熱器頭203下降至加熱器頭203下面209接近晶圓W表面(上面)的接近位置。在加熱器頭203位於接近位置的狀態時，晶圓W表面(上面)與加熱器頭203下面209間之間隔係設定為例如約2mm左右。當加熱器頭203係使用對磷酸水溶液具耐藥性材質來形成時，可將加熱器頭203的下部浸漬於儲存槽204的磷酸水溶液中，且可在此狀態下加熱晶圓W。
因為晶圓W表面(上面)與加熱器頭203下面209的間隔係2mm左右，因而由旋轉夾具3保持的晶圓W被會從加熱器頭203 的下面209利用熱輻射進行加熱。因為加熱器頭203下面209與晶圓W表面呈平行，因而從加熱器頭203朝晶圓W所賦予的每單位面積熱量係橫跨晶圓W全域呈大致均勻。藉由利用加熱器頭203施行加熱，晶圓W的溫度會升溫至較磷酸水溶液液溫略高溫(預測約160℃)，並維持該溫度。在此狀態下，在與晶圓W表面的邊界部分之磷酸水溶液，會形成越接近晶圓W表面則溫度越高的溫度梯度。然後，若經過預定的蝕刻時間，則控制加熱器升降機構206，使加熱器頭203從接近位置朝上方大幅退縮，藉此便停止利用加熱器頭203進行的晶圓W加熱。
然後，與第1實施形態的情況同樣，執行清洗處理(相當於圖3的步驟S2)及旋轉乾燥(相當於圖3的步驟S3)。
根據第3實施形態，針對浸漬於儲存槽204的磷酸水溶液中之晶圓W，使用在其上方呈接近配置的加熱器頭203進行加熱。所以，可在未採取於儲存槽204中內建加熱器等的複雜構造情況下，對晶圓W施行良好地加熱。
圖10所示係本發明第4實施形態的基板處理裝置301之構造示意圖。圖10中，對應於第3實施形態所示各部位的部分，賦予與圖1~圖7及圖9的情況為相同元件符號，並省略說明。
基板處理裝置301係就與第3實施形態的基板處理裝置201不同處在於：用以加熱晶圓W表面的加熱器係取代加熱器頭203，改為設置紅外線加熱器(加熱手段)303。
紅外線加熱器303係形成較晶圓W更小徑(例如晶圓W直徑的1/5~1/10左右)且俯視呈圓形狀，相對於由旋轉夾具3保持的晶圓W表面在上方呈對向配置。紅外線加熱器303係內建有下面設有紅外線照射面(發熱部)304A的紅外線燈304。晶圓W表面略全域呈對向 的紅外線照射面304A係與晶圓W表面呈對向。紅外線燈38係由絲狀纖維收容於石英配管內而構成。紅外線燈38可採用鹵素燈、碳製加熱器等所代表的短/中/長波長紅外線加熱器。
支架205結合有用以使紅外線加熱器303圍繞著在晶圓W面外所設置之既定鉛直搖擺軸線進行搖擺的加熱器搖擺機構306。藉由控制加熱器搖擺機構306，紅外線加熱器303可在晶圓W表面的旋轉中心(旋轉軸線A1上)、與周緣部之間，依描繪與晶圓W旋轉方向呈交叉的圓弧狀軌跡進行移動。
磷酸蝕刻處理(相當於圖3的步驟S1)時，控制加熱器升降機構206，使紅外線加熱器303的紅外線照射面304A下降至接近晶圓W表面(上面)的接近位置。在紅外線加熱器303位於接近位置的狀態時，晶圓W表面(上面)與紅外線加熱器303的紅外線照射面304A之間隔，係設定為例如10mm左右。此實施形態中，位於接近位置的紅外線加熱器303之紅外線照射面304A並未接觸到儲存槽204的磷酸水溶液。
因為晶圓W表面與紅外線照射面304A呈相接近，因而由旋轉夾具3保持的晶圓W，係從紅外線加熱器303的紅外線照射面304A利用熱輻射進行加熱。藉由紅外線加熱器303進行加熱，晶圓W的溫度會升溫至較磷酸水溶液液溫略高溫(預測約160℃)，並維持該溫度狀態。在此狀態下，在與晶圓W表面的邊界部分之磷酸水溶液，會形成越接近晶圓W表面則溫度越高的溫度梯度。然後，若經過預定的蝕刻時間，則控制加熱器升降機構206，使紅外線加熱器303從接近位置朝上方大幅退縮，藉此停止利用紅外線加熱器303進行的晶圓W加熱。
另外，利用紅外線加熱器303進行紅外線照射時，使紅外線加熱器303在晶圓W的旋轉中心上方與晶圓W周緣部上方之間進行掃描，或者使紅外線加熱器303靜止配置於除晶圓W旋轉中心外的位置上方。因為晶圓W會圍繞旋轉軸線A1進行旋轉，因而利用從紅外線加熱器303的紅外線照射，便可加熱晶圓W略全域。
根據第4實施形態，針對在儲存槽204的磷酸水溶液中浸漬的晶圓W，使用在上方呈接近配置的紅外線加熱器303施行加熱。所以，可在未採取於儲存槽204中內建加熱器等的複雜構造情況下，對晶圓W施行良好地加熱。
再者，因為將能提供較大熱量的紅外線加熱器303設計為加熱手段，因而可在加熱手段採用簡便構造的情況下加熱晶圓W。
另外，第4實施形態中，紅外線加熱器303的直徑亦可形成與晶圓W為同等直徑。此情況，依紅外線加熱器303的下面橫跨晶圓W表面全域呈相對向狀態設置紅外線加熱器303。
圖11所示係本發明第5實施形態的基板處理裝置401之構造示意圖。圖11中，對應於第1實施形態所示各部位的部分，賦予與圖1~圖7的情況為相同元件符號，並省略說明。
基板處理裝置401係具備有用以保持晶圓W之基板保持手段的基板保持台402。基板保持台402係取代第1實施形態的旋轉夾具3使用。
基板保持台402係具備用以滯留磷酸水溶液的儲存槽404(加熱手段)。儲存槽404係形成例如略圓筒的有底容器狀，使用陶瓷、碳化矽(SiC)等形成。儲存槽404係具備有：具水平平坦之圓形底面409的底面部409A、與從底面409周緣部朝鉛直上方立起的外周壁 408。利用儲存槽404的底面409與外周壁408的內周面，劃分出用以在底面29上方滯留液體的儲存溝405，形成可在底面409上方滯留液體的狀態，儲存溝405的溝深度(在儲存溝41中滯留的液體厚度)係在2mm~11mm範圍內設定為例如約7mm。在儲存槽404的底面部409A埋設有電阻式加熱器406。
在加熱器406呈開啟狀態時，利用朝加熱器406供電而使該加熱器406發熱，儲存槽404全體便呈發熱狀態。藉此，底面409全域會發熱。底面409的全域中，加熱器406呈開啟狀態時的底面409每單位面積發熱量係呈均勻設定。
基板處理裝置401係關聯於儲存槽404，設有使晶圓W相對於儲存槽404進行升降的複數支(例如3支)升降銷403。複數支升降銷403係插通於朝上下貫通儲存槽404底面部409A形成的貫通孔412中，設計成可相對於該儲存槽404的底面409進行升降。又，各升降銷403係由共通的支撐構件410支撐。支撐構件410接合有包含汽缸的升降銷升降機構411。升降銷升降機構411係在複數支升降銷403的前端朝基板保持台402上方突出的位置、與複數支升降銷403的前端退縮於基板保持台402下方的位置之間，使複數支升降銷403一體性進行升降。
由基板處理裝置401執行的磷酸蝕刻處理，首先控制升降銷升降機構411，使複數支升降銷403的前端突出於基板保持台402的上方。然後，搬入未處理晶圓W，並將該晶圓W載置於複數支升降銷403的前端上。此時，控制升降銷升降機構411，使複數支升降銷403下降，將晶圓W從複數支升降銷403取放至基板保持台402。藉此，在儲存槽404的底面409上，晶圓W呈表面朝上方的狀態載置。 在此狀態下，晶圓W的下面接觸到儲存槽404的底面409。又，在此狀態下，各貫通孔412被晶圓W堵塞。
接著，在儲存槽404的儲存溝405中滯留磷酸水溶液。因為貫通孔412被晶圓W堵塞，因而不會從儲存溝405溢出磷酸水溶液。然後，晶圓W浸漬於儲存槽404的磷酸水溶液中。此時，儲存槽404的磷酸水溶液液面位於較晶圓W表面更靠上方，結果晶圓W的表面全域被磷酸水溶液所覆蓋。藉由晶圓W浸漬於磷酸水溶液中，便對晶圓W的表面施行磷酸蝕刻處理(相當於圖3的步驟S1)。
所以，由基板保持台402保持的晶圓W會利用來自儲存槽404的熱傳導被加熱。藉由利用儲存槽404進行加熱，晶圓W的溫度會升溫至約200℃並維持。在此狀態下，在與晶圓W表面的邊界部分之磷酸水溶液，會形成越接近晶圓W表面則溫度越高的溫度梯度。
根據第5實施形態，藉由利用儲存槽404底面409的熱傳導而進行晶圓W的加熱，晶圓W會升溫至約200℃。在此狀態下，在與晶圓W表面的邊界部分之磷酸水溶液，會形成越接近晶圓W表面則溫度越高的溫度梯度。結果，在與晶圓W表面間之邊界部分的磷酸水溶液，可實現極高溫、且磷酸濃度維持較低的狀態。因為此狀態的磷酸水溶液會作用於晶圓W表面的矽氮化膜，因而可大幅提高矽氮化膜的蝕刻速率，同時可使矽氮化膜的選擇比維持較高狀態。
另外，第5實施形態中，如圖11中虛線所示，亦可取代各升降銷403，改為採用設有用以密封貫通孔412之密封部420的升降銷403A。密封部420係設置於升降銷403A的前端部(上端部)，形成越朝上方越擴徑的圓錐梯形狀。此情況，在貫通孔412的開口端部設有由越朝上方越擴徑的圓錐面構成之推拔面421。
在升降銷403A退縮於晶圓W下方的退縮位置狀態時，升降銷403A的密封部420被收容於貫通孔412的開口端部。在此狀態下，密封部420的外周面會接觸到推拔面421，而密封部420則將貫通孔412予以密封(堵塞)。因為利用升降銷403A的密封部420將貫通孔412予以密封，因而可更確實防止磷酸水溶液從儲存溝405漏出。
以上，針對本發明的5個實施形態進行說明，惟本發明亦可依其他形態實施。
例如可組合第2實施形態與第5實施形態。即，第2實施形態中，亦可取代多道噴嘴50(參照圖1)，改為採用呈噴霧狀吐出(噴霧)水液滴的噴霧噴嘴102。
另外，第2實施形態中，圖8雖圖示噴霧噴嘴102係設置1個的情況，但亦可從左右方向不同位置的複數噴霧噴嘴，呈噴霧狀吐出水。
再者，第1、第2及第5實施形態中，雖就使用多道噴嘴50或噴霧噴嘴102，朝儲存槽4、404的磷酸水溶液供應水之情況為例進行說明，惟亦可使用清洗用水噴嘴30，朝儲存槽4、404內的磷酸水溶液供應水(DIW)。
再者，第1、第2及第5實施形態中，雖就對儲存槽4、404內的磷酸水溶液所供應之水以DIW為例進行說明，惟，作為供應至磷酸水溶液的水亦可採用碳酸水、電解離子水、臭氧水、還原水(氫水)、磁化水等。
再者，第1、第2及第5實施形態中，針對使儲存槽4、404具有加熱器機能的情況進行說明，惟亦可構成為儲存槽4、404與加熱器呈分離狀態。此情況，例如亦可構成為從儲存槽4、404的下方 利用加熱器進行加熱。
再者，第3實施形態中，亦可將加熱器頭203形成較晶圓W直徑充分小的小徑，將開啟狀態的加熱器頭203配置成與晶圓W表面呈對向，並構成使該加熱器頭203沿晶圓W表面進行移動。
再者，第4實施形態中，亦可將紅外線加熱器303形成較晶圓W直徑充分小的小徑，將開啟狀態的紅外線加熱器303配置成與晶圓W表面呈對向，並構成使該紅外線加熱器303沿晶圓W表面進行移動。
雖針對本發明實施形態進行詳細說明，惟該等僅不過為能瞭解本發明技術內容而使用的具體例而已，本發明不應解釋為僅限定於該等具體例，本發明的範圍僅受所附申請專利範圍限定。
本申請案係對應於2012年11月5日對日本特許廳所提出的特願2012-243596號，該申請案的所有揭示均爰引並融入本案中。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧處理室
3‧‧‧旋轉夾具
4‧‧‧儲存槽
5‧‧‧磷酸水溶液噴嘴
8‧‧‧杯體
11‧‧‧旋轉軸
12‧‧‧旋轉基座
13‧‧‧夾持構件
14‧‧‧旋轉馬達
16‧‧‧磷酸供應管
17‧‧‧磷酸閥
24‧‧‧貫穿孔
25‧‧‧支撐桿
27‧‧‧升降機構
28‧‧‧加熱器
29‧‧‧底面
30‧‧‧水噴嘴
31‧‧‧第2水供應管
32‧‧‧第2水閥
34‧‧‧夾持銷
37‧‧‧環狀溝
38‧‧‧外周壁
41‧‧‧儲存溝
42‧‧‧支撐臂
43‧‧‧夾持銷驅動機構
50‧‧‧多道噴嘴
51‧‧‧噴嘴配管
52‧‧‧吐出口
53‧‧‧第1水供應管
54‧‧‧第1水閥
61‧‧‧水供應路
62‧‧‧下吐出口
63‧‧‧水下供應管
64‧‧‧水下閥
A1‧‧‧旋轉軸線
W‧‧‧晶圓

Claims (9)

  1. 一種基板處理裝置，係包括有：儲存槽，用以儲存磷酸水溶液；基板保持手段，係在使基板浸漬於上述儲存槽內之磷酸水溶液的狀態下，將該基板保持水平姿勢；以及加熱手段，具有與由上述基板保持手段所保持之基板呈對向的發熱部，一方面利用來自該發熱部的熱使被儲存在上述儲存槽之上述磷酸水溶液維持在沸點，一方面利用來自上述發熱部的熱輻射及熱傳導加熱該基板，直至被儲存在上述儲存槽之上述磷酸水溶液以上的溫度為止。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，包括有：水供應手段，係對上述儲存槽所儲存的磷酸水溶液供應水；以及濃度控制手段，藉由控制從上述水供應手段的水供應/停止供應，而控制儲存於上述儲存槽之磷酸水溶液的濃度。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，上述水供應手段係包括設有用以吐出水液滴之多數吐出口的多孔噴嘴。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，上述水供應手段係含有朝上述儲存部噴射出噴霧狀水的噴霧噴嘴。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，上述加熱手段係從下方側加熱由上述基板保持手段所保持的基板。
  6. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中，上述儲存槽係具有底面；上述儲存槽的上述底面構成上述發熱部。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，上述加熱手段 係從上方側加熱由上述基板保持手段所保持的基板。
  8. 如申請專利範圍第7項之基板處理裝置，其中，上述加熱手段係具有紅外線燈；上述紅外線燈係與由上述基板保持手段所保持的基板表面呈對向配置，並朝該表面照射紅外線。
  9. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，上述基板保持手段係設有依對上述儲存槽呈非接觸狀態支撐著基板的基板支撐部；更進一步包括有使由上述基板支撐部所支撐的基板旋轉之基板旋轉手段。
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