TWI537932B

TWI537932B - 電源電路、閘極驅動電路及顯示模組

Info

Publication number: TWI537932B
Application number: TW104126041A
Authority: TW
Inventors: 廖敏男
Original assignee: 矽創電子股份有限公司
Priority date: 2015-04-01
Filing date: 2015-08-11
Publication date: 2016-06-11
Also published as: CN106057138A; US20160294279A1; US9837891B2; CN106057138B; TW201636989A

Description

電源電路、閘極驅動電路及顯示模組

本發明係指一種電源電路、閘極驅動電路及顯示模組，尤指一種透過逐階轉換電源電壓，減少使用高耐壓元件的電源電路、閘極驅動電路及顯示模組。

請參考第1圖，第1圖為先前技術一薄膜電晶體（Thin Film Transistor，TFT）液晶顯示器10的示意圖。液晶顯示器10包含有一液晶顯示面板（LCD Panel）100、一源極驅動器102、一閘極驅動器104以及一邏輯控制電路116。液晶顯示面板100係由兩基板（Substrate）構成，而於兩基板間填充有液晶材料（LCD layer）。一基板上設置有複數條資料線（Data Line）108、複數條垂直於資料線108的掃描線（Scan Line，或稱閘線，Gate Line）110以及複數個薄膜電晶體112，而於另一基板上設置有一共用電極（Common Electrode）用來經由電壓產生器106提供一共用訊號Vcom。薄膜電晶體112係以矩陣的方式分佈於液晶顯示面板100上，每一資料線108對應於液晶顯示面板100上之一行（Column），而掃描線110對應於液晶顯示面板100上之一列（Row），且每一薄膜電晶體112係對應於一畫素（Pixel）。此外，液晶顯示面板100之兩基板所構成的電路特性可視為一等效電容114。

源極驅動器102及閘極驅動器104會依據欲顯示之影像資料分別對不同的資料線108及掃描線110產生輸入訊號，以控制薄膜電晶體112的導通及等效電容114兩端之跨壓，進一步地改變液晶分子的排列以及相對應的光線穿透量，使得影像資料得以正確地顯示在液晶顯示面板100上。邏輯控制電路116用來協調源極驅動器102及閘極驅動器104之操作，例如校正資料線108上源極驅動訊號及掃描線110上掃描訊號的時序，使得薄膜電晶體112能在正確的時間被開啟（掃描訊號），並接收到正確的影像資料（源極驅動訊號）。

按製程需求，液晶顯示器10之驅動電路組成主要分為低耐壓元件、中耐壓元件及高耐壓元件。低耐壓元件的耐壓範圍在1.5～1.8伏特，主要用來實現驅動電路中的邏輯控制電路116。中耐壓元件的耐壓範圍在5～6伏特，主要用來實現驅動電路中的影像資料驅動，亦即源極驅動器102。高耐壓元件的耐壓範圍在25～30伏特，主要用來實現驅動電路中的閘極驅動器104。在這三類元件中，高耐壓元件所需的電路佈局（layout）面積最大，製造過程中所需的光罩（mask）數目及層構（layer）數目均最多，製造時間最長，製造成本也最高。

另外，高耐壓元件需要由高壓電源電路，例如電荷泵（charge pump）提供高壓電流來驅動。舉例來說，請參考第2圖，第2圖為先前技術一高壓電源電路20之示意圖。高壓電源電路20包含有一兩倍壓電荷泵201及三倍壓電荷泵202、203。兩倍壓電荷泵201將2.5伏特之一電源電壓VDDO轉換為一5伏特的輸出電壓V1及一0伏特之輸出電壓V2。三倍壓電荷泵202將輸出電壓V1、V2轉換為一15伏特的輸出電壓V3及一0伏特之輸出電壓V4。三倍壓電荷泵203將輸出電壓V1、V2轉換為一5伏特的輸出電壓V5及一-10伏特之輸出電壓V6。由於三倍壓電荷泵202、203中的電壓範圍達15伏特，需使用高耐壓元件來實現，更不利於製造時間與製造成本的降低。

因此，如何透過減少高耐壓元件的使用，降低液晶顯示驅動電路的製造成本，已成為業界的主要課題之一。

因此，本發明之主要目的即在於提供一種電源電路及相關的閘極驅動電路及顯示模組。

本發明揭露一種電源電路，包含有一第一電荷泵，用來轉換一電源電壓為一第一高電壓及一第一低電壓，其中該第一高電壓係該電源電壓加上一第一電壓變異值，該第一低電壓係該電源電壓減去一第四電壓變異值，且該第一高電壓減去該第一低電壓之差小於一中壓元件耐壓門檻；一第二電荷泵，電性耦接於該第一電荷泵，用來提升該第一高電壓為一第二高電壓，其中該第二高電壓係該第一高電壓加上一第二電壓變異值；以及一第三電荷泵，電性耦接於該第一電荷泵，用來降低該第一低電壓為一第二低電壓，其中該第二低電壓係該第二低電壓減去一第三電壓變異值；其中，該第二電壓變異值及該第三電壓變異值小於該中壓元件耐壓門檻。

本發明另揭露一種閘極驅動電路，用來提供一掃描訊號至一液晶顯示面板，該閘極驅動電路包含有一P型電晶體，包含有一閘極，用來接收一控制訊號；一源極，用來接收一正電源電壓；以及一汲極，電性耦接於該液晶顯示面板，用來輸出該掃描訊號；一N型電晶體，包含有一閘極，用來接收該控制訊號；一源極，用來接收一負電源電壓；以及一汲極，電性耦接於該P型電晶體之該汲極；以及一電源電路，包含有一第一電荷泵，用來轉換一電源電壓為一第一高電壓及一第一低電壓，其中該第一高電壓係該電源電壓加上一第一電壓變異值，該第一低電壓係該電源電壓減去一第四電壓變異值，且該第一高電壓減去該第一低電壓之差小於一中壓元件耐壓門檻；一第二電荷泵，電性耦接於該第一電荷泵及該P型電晶體之該源極，用來提升一第一高電壓為一第二高電壓，其中該第二高電壓係該第一高電壓加上一第二電壓變異值；以及一第三電荷泵，電性耦接於該第一電荷泵及該N型電晶體之該源極，用來降低一第一低電壓為一第二低電壓，其中該第二低電壓係該第一低電壓減去一第三電壓變異值；其中，該第二電壓變異值及該第三電壓變異值小於該中壓元件耐壓門檻。

本發明另揭露一種顯示模組，包含有一液晶顯示面板；以及一閘極驅動電路，包含有一P型電晶體，包含有一閘極，用來接收一控制訊號；一源極，用來接收一正電源電壓；以及一汲極，電性耦接於該液晶顯示面板，用來輸出一掃描訊號至該液晶顯示面板；一N型電晶體，包含有一閘極，用來接收該控制訊號；一源極，用來接收一負電源電壓；以及一汲極，電性耦接於該P型電晶體之該汲極；以及一電源電路，包含有一第一電荷泵，用來轉換一電源電壓為一第一高電壓及一第一低電壓，其中該第一高電壓係該電源電壓加上一第一電壓變異值，該第一低電壓係該電源電壓減去一第四電壓變異值，且該第一高電壓減去該第一低電壓之差小於一中壓元件耐壓門檻；一第二電荷泵，電性耦接於該第一電荷泵及該P型電晶體之該源極，用來提升一第一高電壓為一第二高電壓，其中該第二高電壓係該第一高電壓加上一第二電壓變異值；以及一第三電荷泵，電性耦接於該第一電荷泵及該N型電晶體之該源極，用來降低一第一低電壓為一第二低電壓，其中該第二低電壓係該第一低電壓減去一第三電壓變異值；其中，該第二電壓變異值及該第三電壓變異值小於該中壓元件耐壓門檻。

根據上述實施例，本發明透過逐階轉換電源電壓的位準，減少使用高耐壓的電晶體，以達到降低製造時間及製造成本的目的。

請參考第3圖，第3圖為本發明實施例一電源電路30之示意圖。電源電路30包含有一第一電荷泵（charge pump）310、第二電荷泵320_1、320_2及第三電荷泵330_1、330_2。第一電荷泵310用來轉換一電源電壓VDD為一第一高電壓VH1及一第一低電壓VL1。第一高電壓VH1為電源電壓VDD加上一第一電壓變異值△V1，第一低電壓VL1為電源電壓VDD減去一第四電壓變異值△V4，亦即VH1=VDD+△V1，VL1=VDD-△V4。第一高電壓VH1減去第一低電壓VL1之差須小於一中壓元件耐壓門檻Vr，例如Vr=6伏特但不限於此，亦即VH1-VL1=△V1+△V4＜6 volts。第二電荷泵320_1用來轉換第一高電壓VH1為一第二高電壓VH2，第二電荷泵320_2用來轉換第二高電壓VH2為一第三高電壓VH3。第二高電壓VH2為第一高電壓VH1加上一第二電壓變異值△V2，第三高電壓VH3為第二高電壓VH2加上第二電壓變異值△V2，亦即VH2=VH1+△V2，VH3=VH2+△V2。第三電荷泵330_1用來轉換第一低電壓VL1為一第二低電壓VL2，第三電荷泵330_2用來轉換第二低電壓VL2為一第三低電壓VL3。第二低電壓VL2為第一低電壓VL1減去一第三電壓變異值△V3，第三低電壓VL3為第二低電壓VL2減去第三電壓變異值△V3，亦即VL2=VL1-△V3，VL3=VL2-△V3。須注意的是，第二電壓變異值△V2及第三電壓變異值△V3小於中壓元件耐壓門檻Vr。

簡單來說，透過中壓元件耐壓門檻Vr的限制，第一電荷泵310、第二電荷泵320_1、320_2及第三電荷泵330_1、330_2中電晶體各端點間的電壓差都被限制在小於6伏特。如此一來，相較於先前技術之高壓電源電路20，電源電路30可僅由中、低耐壓電晶體元件組成，而不需要使用高耐壓元件，能達到降低製造時間與製造成本的目的。從另一方面來說，電源電路30採用較多階段的電路架構，逐階轉換電源電壓的位準，而非一次大幅度轉換電源電壓的位準，因此不需要使用到高耐壓的電晶體。

詳細來說，請參考第4圖，第4圖為第一電荷泵310及第二電荷泵320_1、320_2之示意圖。第一電荷泵310包含有N型電晶體401、405、P型電晶體402～404、406～408、電容409～411。第二電荷泵320_1包含有N型電晶體412、416、P型電晶體413~415、417~419、電容420~422。第二電荷泵320_2包含有N型電晶體423、427、P型電晶體424~426、428~430、電容431~433。第一電荷泵310及第二電荷泵320_1、320_2中的電晶體係由控制訊號KA、KB、XA、XB、XA1、XB1、XA2、XB2控制。請繼續參考第5、6圖，第5圖為本發明一實施例，其繪示第二電荷泵320_1中N型電晶體412及P型電晶體413~415的剖面圖。第6圖為第5圖之N型電晶體412及P型電晶體413~415之電壓變化時序圖。在第6圖中，控制訊號KA、XB、XA1、XB1與N型電晶體412及P型電晶體413~415之基極電壓之差不超過6伏特，N型電晶體412及P型電晶體413~415可以中耐壓元件實現。與第6圖之實施例相似，第4圖中其他電晶體各端點間的電壓差也不超過6伏特，可以中耐壓元件實現，在此不贅述。

在第一電荷泵310及第二電荷泵320_1、320_2之操作，以第二電荷泵320_1為例，控制訊號KA、KB、XA、XB、XA1、XB1分別輸入至N型電晶體、P型電晶體的閘極。電容420一端電性耦接於P型電晶體413的汲極及N型電晶體412的汲極，另一端電性耦接於P型電晶體414的源極及P型電晶體415的汲極。電容421一端電性耦接於P型電晶體417的汲極及N型電晶體416的汲極，另一端電性耦接於P型電晶體418的源極及P型電晶體419的汲極。電容422一端電性耦接N型電晶體412、416的源極，另一端電性耦接於P型電晶體415、419的源極。因此，當控制訊號KA、XB、XB1為邏輯「1」且控制訊號KB、XA、XA1為邏輯「0」時，N型電晶體412、P型電晶體414、417、419導通，N型電晶體416、P型電晶體413、415、418截止，電容420儲電及電容421輸出儲存的電荷。相反地，當控制訊號KA、XB、XB1為邏輯「0」且控制訊號KB、XA、XA1為邏輯「1」時，N型電晶體412、P型電晶體414、417、419截止，N型電晶體416、P型電晶體413、415、418導通，電容421儲電及電容420輸出儲存的電荷。同理，第一電荷泵310、第二電荷泵320_2之操作亦大同小異。在此情形下，透過設計控制訊號KA、KB、XA、XB、XA1、XB1與N型電晶體412、416及P型電晶體413~415、417~419之基極電壓之差不超過6伏特，N型電晶體412、416及P型電晶體413~415、417~419可以中耐壓元件實現。

另外，請參考第7圖，第7圖為第一電荷泵310及第三電荷泵330_1、330_2之示意圖。第三電荷泵330_1包含有N型電晶體701~703、705~707、P型電晶體704、708、電容709~711。第三電荷泵330_2包含有N型電晶體712~714、716~718、P型電晶體715、719、電容720~722。第一電荷泵310及第三電荷泵330_1、330_2中的電晶體係由控制訊號KA、KB、XA、XB、KAn、KBn、KAo、KBo、XAn、XBn控制。請繼續參考第8、9圖，第8圖為本發明一實施例，其繪示第三電荷泵330_1中N型電晶體701~703及P型電晶體704的剖面圖。第9圖為第8圖之N型電晶體701~703及P型電晶體704之電壓變化時序圖。在第9圖中，控制訊號KAn、KBn、KA、XB與N型電晶體701~703及P型電晶體704之基極電壓之差不超過6伏特，N型電晶體701~703及P型電晶體704可以中耐壓元件實現。與第9圖之實施例相似，第7圖中其他電晶體各端點間的電壓差也不超過6伏特，可以中耐壓元件實現，在此不贅述。

需注意的是，第3圖所示之三階段電路架構、二倍壓電荷泵僅為說明本發明的精神，本領域具通常知識者可根據實際需求做出調整而不限於此。舉例來說，請參考第10圖，第10圖為本發明實施例一電源電路80之示意圖。電源電路80係由電源電路30所衍生，故相同元件以相同符號表示。電源電路80與電源電路30的差異在於一三倍壓的第一電荷泵810及一1.67伏特的電源電壓VDD2。第一電荷泵810用來轉換電源電壓VDD2為5伏特的第一高電壓VH1及0伏特的第一低電壓VL1。

詳細來說，請參考第11圖，第11圖為第一電荷泵810之示意圖。第一電荷泵810包含有N型電晶體801、806、P型電晶體802～805、807及電容808～810。電晶體801～807由控制訊號KA、KB、XA、XB控制。由第11圖可知，即使第一電荷泵810是三倍壓的電荷泵，透過限制第一高電壓VH1減去第一低電壓VL1之差小於中壓元件耐壓門檻Vr=6伏特，第一電荷泵810中所有電晶體的端點電壓差都小於6伏特，可以中耐壓元件實現。

換言之，對於第一電荷泵310、810而言，只要第一高電壓VH1減去第一低電壓VL1之差小於6伏特，第一電荷泵310、810可不需要使用到高耐壓的電晶體，而與二倍壓或三倍壓的電路架構無關。相似地，對於第二電荷泵320_1、320_2、第三電荷泵330_1、330_2而言，只要第二電壓變異值△V2及第三電壓變異值△V3小於6伏特，第二電荷泵320_1、320_2、第三電荷泵330_1、330_2可不需要使用到高耐壓的電晶體。

在應用上，電源電路30、80可應用在薄膜電晶體（Thin Film Transistor，TFT）液晶顯示器的閘極驅動電路。舉例來說，請參考第12圖，第12圖為本發明實施例一閘極驅動電路90的示意圖。閘極驅動電路90用來根據一閘極控制訊號Gctrl，產生一掃描訊號SCAN至一液晶顯示面板（例如第1圖之液晶顯示面板100），用來控制液晶顯示面板上一列畫素接收影像資料的時序。閘極驅動電路90包含有一位準轉換電路900、一P型電晶體910、一N型電晶體920及電源電路30。位準轉換電路900用來將0伏特或1.8伏特的閘極控制訊號Gctrl轉換為15伏特或-10伏特之一控制訊號VG。P型電晶體910結合N型電晶體920具有反相器的功能，用來根據控制訊號VG，輸出電源電路30提供的第三高電壓VH3或第三低電壓VL3，作為掃描訊號SCAN。由於電源電路30不需使用高耐壓電晶體，閘極驅動電路90整體的製造成本與製造時間都能獲得降低。

綜上所述，為了減少使用高耐壓的電晶體，本發明揭露一種多階段架構的電源電路，每個階段使用的電荷泵都嚴格限制其壓差範圍，並透過逐階段轉換電壓的方式，可避免使用高耐壓的電晶體，來達到降低製造時間與製造成本的目的。以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。

10‧‧‧液晶顯示器
100‧‧‧液晶顯示面板
102‧‧‧源極驅動器
104‧‧‧閘極驅動器
106‧‧‧電壓產生器
108‧‧‧資料線
110‧‧‧掃描線
112‧‧‧薄膜電晶體
114‧‧‧等效電容
116‧‧‧邏輯控制電路
20‧‧‧高壓電源電路
201‧‧‧兩倍壓電荷泵
202、203‧‧‧三倍壓電荷泵
V1、V2、V3、V4、V5、V6‧‧‧輸出電壓
30、80‧‧‧電源電路
310、810‧‧‧第一電荷泵
320_1、320_2‧‧‧第二電荷泵
330_1、330_2‧‧‧第三電荷泵
VDD、VDDO、VDD2‧‧‧電源電壓
VH1‧‧‧第一高電壓
VL1‧‧‧第一低電壓
VH2‧‧‧第二高電壓
VL2‧‧‧第二低電壓
VH3‧‧‧第三高電壓
VL3‧‧‧第三低電壓
401、405、412、416、423、427、701～703、705～707、712～714、716～718、801、806、920‧‧‧N型電晶體
402～404、406～408、413～415、417～419、424～426、428～430、704、708、715、719、802～805、807、910‧‧‧P型電晶體
409～411、420～422、431～433、709～711、720～722、808～810‧‧‧電容
Vl2、Vl3、Vh2、Vh3‧‧‧電壓
KA、KB、XA、XB、XA1、XB1、XA2、XB2、KAn、KBn、KAo、KBo、VG‧‧‧控制訊號
N、P、PWEL1～PWEL4、NWEL1～NWEL4‧‧‧摻雜區
90‧‧‧閘極驅動電路
900‧‧‧位準轉換電路
Gctrl‧‧‧閘極控制訊號
SCAN‧‧‧掃描訊號

第1圖為先前技術一薄膜電晶體液晶顯示器的示意圖。第2圖為先前技術一高壓電源電路之示意圖。第3圖為本發明實施例一電源電路之示意圖。第4圖為第3圖之電源電路中一第一電荷泵及二第二電荷泵之示意圖。第5圖為第4圖之第二電荷泵中N型電晶體及P型電晶體的剖面圖。第6圖為第5圖之N型電晶體及P型電晶體之電壓變化時序圖。第7圖為第3圖之電源電路中一第一電荷泵及二第三電荷泵之示意圖。第8圖為第7圖之第三電荷泵中N型電晶體及P型電晶體的剖面圖。第9圖為第8圖之N型電晶體及P型電晶體之電壓變化時序圖。第10圖為本發明實施例一電源電路之示意圖。第11圖為第10圖之電源電路中一第一電荷泵之示意圖。第12圖為本發明實施例一閘極驅動電路的示意圖。

30‧‧‧電源電路

310‧‧‧第一電荷泵

320_1、320_2‧‧‧第二電荷泵

330_1、330_2‧‧‧第三電荷泵

VDD‧‧‧電源電壓

VH1‧‧‧第一高電壓

VL1‧‧‧第一低電壓

VH2‧‧‧第二高電壓

VL2‧‧‧第二低電壓

VH3‧‧‧第三高電壓

VL3‧‧‧第三低電壓

Claims

一種電源電路，包含有：一第一電荷泵，用來轉換一電源電壓為一第一高電壓及一第一低電壓，其中該第一高電壓係該電源電壓加上一第一電壓變異值，該第一低電壓係該電源電壓減去一第四電壓變異值，且該第一高電壓減去該第一低電壓之差小於一中壓元件耐壓門檻；一第二電荷泵，電性耦接於該第一電荷泵，用來提升該第一高電壓為一第二高電壓，其中該第二高電壓係該第一高電壓加上一第二電壓變異值；以及一第三電荷泵，電性耦接於該第一電荷泵，用來降低該第一低電壓為一第二低電壓，其中該第二低電壓係該第二低電壓減去一第三電壓變異值；其中，該第二電壓變異值及該第三電壓變異值小於該中壓元件耐壓門檻。
如請求項1所述之電源電路，其中該中壓元件耐壓門檻為6伏特。
如請求項1所述之電源電路，其中該第一電荷泵包含有：一輸入端，用來接收該電源電壓；一第一輸出端，用來輸出該第一高電壓；一第二輸出端，用來輸出該第一低電壓；一第一N型電晶體，包含有：一源極，電性耦接於該第二輸出端；一閘極，用來接收一第一控制訊號；以及一汲極；一第一P型電晶體，包含有：一源極，電性耦接於該輸入端；一閘極，用來接收一第二控制訊號；以及一汲極，電性耦接於該第一N型電晶體之該汲極；一第二P型電晶體，包含有：一源極；一閘極，用來接收一第三控制訊號；以及一汲極，電性耦接於該輸入端；一第三P型電晶體，包含有：一源極，電性耦接於該第一輸出端；一閘極，用來接收該第二控制訊號；以及一汲極，電性耦接於該第二P型電晶體之該源極；一第二N型電晶體，包含有：一源極，電性耦接於該第二輸出端；一閘極，用來接收一第四控制訊號；以及一汲極；一第四P型電晶體，包含有：一源極，電性耦接於該輸入端；一閘極，用來接收該第三控制訊號；以及一汲極，電性耦接於該第二N型電晶體之該汲極；一第五P型電晶體，包含有：一源極；一閘極，用來接收該第二控制訊號；以及一汲極，電性耦接於該輸入端；一第六P型電晶體，包含有：一源極，電性耦接於該第一輸出端；一閘極，用來接收該第三控制訊號；以及一汲極，電性耦接於該第五P型電晶體之該源極；一第一電容，包含有：一第一端，電性耦接於該第一P型電晶體之該汲極；以及一第二端，電性耦接於該第二P型電晶體之該源極；一第二電容，包含有：一第一端，電性耦接於該第四P型電晶體之該汲極；以及一第二端，電性耦接於該第五P型電晶體之該源極；以及一第三電容，電性耦接於該第一輸出端及該第二輸出端之間。
如請求項1所述之電源電路，其中該第二電荷泵包含有：一輸入端，用來接收該第一高電壓；一輸出端，用來輸出該第二高電壓；一第一N型電晶體，包含有：一源極；一閘極，用來接收一第一控制訊號；以及一汲極；一第一P型電晶體，包含有：一源極，電性耦接於該輸入端；一閘極，用來接收一第二控制訊號；以及一汲極，電性耦接於該第一N型電晶體之該汲極；一第二P型電晶體，包含有：一源極；一閘極，用來接收一第三控制訊號；以及一汲極，電性耦接於該輸入端；一第三P型電晶體，包含有：一源極，電性耦接於該輸出端；一閘極，用來接收一第四控制訊號；以及一汲極，電性耦接於該第二P型電晶體之該源極；一第二N型電晶體，包含有：一源極，電性耦接於該第一N型電晶體之該源極；一閘極，用來接收一第五控制訊號；以及一汲極；一第四P型電晶體，包含有：一源極，電性耦接於該輸入端；一閘極，用來接收一第六控制訊號；以及一汲極，電性耦接於該第二N型電晶體之該汲極；一第五P型電晶體，包含有：一源極；一閘極，用來接收該第四控制訊號；以及一汲極，電性耦接於該輸入端；一第六P型電晶體，包含有：一源極，電性耦接於該輸出端；一閘極，用來接收該第三控制訊號；以及一汲極，電性耦接於該第五P型電晶體之該源極；一第一電容，包含有：一第一端，電性耦接於該第一P型電晶體之該汲極；以及一第二端，電性耦接於該第二P型電晶體之該源極；一第二電容，包含有：一第一端，電性耦接於該第四P型電晶體之該汲極；以及一第二端，電性耦接於該第五P型電晶體之該源極；以及一第三電容，電性耦接於該輸出端及該第二N型電晶體之該源極之間。
如請求項1所述之電源電路，其中該第三電荷泵包含有：一輸入端，用來接收該第一低電壓；一輸出端，用來輸出該第二低電壓；一第一N型電晶體，包含有：一源極，電性耦接於該輸出端；一閘極，用來接收一第一控制訊號；以及一汲極；一第二N型電晶體，包含有：一源極，電性耦接於該第一N型電晶體之該汲極；一閘極，用來接收一第二控制訊號；以及一汲極，電性耦接於該輸入端；一第三N型電晶體，包含有：一源極，電性耦接於該輸入端；一閘極，用來接收一第三控制訊號；以及一汲極；一第一P型電晶體，包含有：一源極；一閘極，用來接收一第四控制訊號；以及一汲極，電性耦接於該第三N型電晶體之該汲極；一第四N型電晶體，包含有：一源極，電性耦接於該輸出端；一閘極，用來接收該第二控制訊號；以及一汲極；一第五N型電晶體，包含有：一源極，電性耦接於該第四N型電晶體之該汲極；一閘極，用來接收該第一控制訊號；以及一汲極，電性耦接於該輸入端；一第六N型電晶體，包含有：一源極，電性耦接於該輸入端；一閘極，用來接收一第五控制訊號；以及一汲極；一第二P型電晶體，包含有：一源極，電性耦接於該第一P型電晶體之該源極；一閘極，用來接收一第六控制訊號；以及一汲極，電性耦接於該第六N型電晶體之該汲極；一第一電容，包含有：一第一端，電性耦接於該第二N型電晶體之該源極；以及一第二端，電性耦接於該第三N型電晶體之該汲極；一第二電容，包含有：一第一端，電性耦接於該第五N型電晶體之該源極；以及一第二端，電性耦接於該第六N型電晶體之該汲極；以及一第三電容，電性耦接於該輸出端及該第二P電晶體之該源極之間。
如請求項1所述之電源電路，其中該第一電荷泵包含有：一輸入端，用來接收該電源電壓；一第一輸出端，用來輸出該第一高電壓；一第二輸出端，用來輸出該第一低電壓；一第一N型電晶體，包含有：一源極，電性耦接於該第二輸出端；一閘極，用來接收一第一控制訊號；以及一汲極；一第一P型電晶體，包含有：一源極，電性耦接於該輸入端；一閘極，用來接收一第二控制訊號；以及一汲極，電性耦接於該第一N型電晶體之該汲極；一第二P型電晶體，包含有：一源極；一閘極，用來接收一第三控制訊號；以及一汲極，電性耦接於該輸入端；一第三P型電晶體，包含有：一源極；一閘極，用來接收該第二控制訊號；以及一汲極，電性耦接於該第二P型電晶體之該源極；一第四P型電晶體，包含有：一源極，電性耦接於該第一輸出端；一閘極，用來接收該第三控制訊號；以及一汲極，電性耦接於該第三P型電晶體之該源極；一第二N型電晶體，包含有：一源極，電性耦接於該第二輸出端；一閘極，用來接收一第四控制訊號；以及一汲極；一第五P型電晶體，包含有：一源極，電性耦接於該輸入端；一閘極，用來接收該第三控制訊號；以及一汲極，電性耦接於該第二N型電晶體之該汲極；一第一電容，包含有：一第一端，電性耦接於該第一P型電晶體之該汲極；以及一第二端，電性耦接於該第二P型電晶體之該源極；一第二電容，包含有：一第一端，電性耦接於該第五P型電晶體之該汲極；以及一第二端，電性耦接於該第三P型電晶體之該源極；以及一第三電容，電性耦接於該第一輸出端及該第二輸出端之間。
一種閘極驅動電路，用來提供一掃描訊號至一液晶顯示面板，該閘極驅動電路包含有：一P型電晶體，包含有：一閘極，用來接收一控制訊號；一源極，用來接收一正電源電壓；以及一汲極，電性耦接於該液晶顯示面板，用來輸出該掃描訊號；一N型電晶體，包含有：一閘極，用來接收該控制訊號；一源極，用來接收一負電源電壓；以及一汲極，電性耦接於該P型電晶體之該汲極；以及一電源電路，包含有：一第一電荷泵，用來轉換一電源電壓為一第一高電壓及一第一低電壓，其中該第一高電壓係該電源電壓加上一第一電壓變異值，該第一低電壓係該電源電壓減去一第四電壓變異值，且該第一高電壓減去該第一低電壓之差小於一中壓元件耐壓門檻；一第二電荷泵，電性耦接於該第一電荷泵及該P型電晶體之該源極，用來提升一第一高電壓為一第二高電壓，其中該第二高電壓係該第一高電壓加上一第二電壓變異值；以及一第三電荷泵，電性耦接於該第一電荷泵及該N型電晶體之該源極，用來降低一第一低電壓為一第二低電壓，其中該第二低電壓係該第一低電壓減去一第三電壓變異值；其中，該第二電壓變異值及該第三電壓變異值小於該中壓元件耐壓門檻。
如請求項7所述之閘極驅動電路，另包含有一位準轉換電路，電性耦接於該P型電晶體及該N型電晶體之該閘極，用來轉換一閘極控制訊號之電壓位準，以產生該控制訊號。
如請求項7所述之閘極驅動電路，其中該中壓元件耐壓門檻為6伏特。
一種顯示模組，包含有：一液晶顯示面板；以及一閘極驅動電路，包含有：一P型電晶體，包含有：一閘極，用來接收一控制訊號；一源極，用來接收一正電源電壓；以及一汲極，電性耦接於該液晶顯示面板，用來輸出一掃描訊號至該液晶顯示面板；一N型電晶體，包含有：一閘極，用來接收該控制訊號；一源極，用來接收一負電源電壓；以及一汲極，電性耦接於該P型電晶體之該汲極；以及一電源電路，包含有：一第一電荷泵，用來轉換一電源電壓為一第一高電壓及一第一低電壓，其中該第一高電壓係該電源電壓加上一第一電壓變異值，該第一低電壓係該電源電壓減去一第四電壓變異值，且該第一高電壓減去該第一低電壓之差小於一中壓元件耐壓門檻；一第二電荷泵，電性耦接於該第一電荷泵及該P型電晶體之該源極，用來提升一第一高電壓為一第二高電壓，其中該第二高電壓係該第一高電壓加上一第二電壓變異值；以及一第三電荷泵，電性耦接於該第一電荷泵及該N型電晶體之該源極，用來降低一第一低電壓為一第二低電壓，其中該第二低電壓係該第一低電壓減去一第三電壓變異值；其中，該第二電壓變異值及該第三電壓變異值小於該中壓元件耐壓門檻。
如請求項10所述之顯示模組，其中該中壓元件耐壓門檻為6伏特。