TWI529453B - 雙顯示模式液晶顯示器 - Google Patents

Description

雙顯示模式液晶顯示器

本發明有關於一種液晶顯示器，且特別是指一種雙顯示模式液晶顯示器。

隨著顯示技術的發展，液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display，LCD)已廣泛地被應用於各類電子產品，例如筆記型電腦、平板電腦、行動電話以及數位照相機等。

習知半反射半穿透液晶顯示器中的各個畫素通常會被劃分成穿透式子畫素區以及反射式子畫素區。於穿透式子畫素區中，背光模組產生的光線會經由配置穿透式子畫素區的液晶偏轉方式來調節光相位差以控制穿透的光量。而於反射式子畫素區，由外部入射並經由反射式子畫素區反射的外界環境光線，則會藉由配置反射式子畫素區的液晶偏轉方式來調節光相位差，以控制反射的光量。

典型半反射半穿透液晶顯示器雖可同時改善反射型顯示器於環境照明不足時亮度過低以及穿透型顯示器於室外日光照射下影像淡化的缺點，降低背光源的電源耗用量。然而由於穿透式子畫素區與反射式子畫素區均採用相同的液晶顯示模式，例如皆為扭轉型(Twisted Nematic)液晶配向結構或者是皆為垂直排列型(Vertically Aligned)液晶配向結構，故穿透式子畫素區與反射式子畫素區中一般會具有相同液晶排列方式與同一配向結構(alignment structure)。但上述液晶配向結構在穿透式子畫素區，其液晶顯示模式都受限，如視角不佳，進而無法達到全視角、廣視角的效果。

具體來說，一般半反射半穿透液晶顯示器較好的液晶配向模式為反射式電控雙折射模式(Reflective Electrically Controlled Birefringence，RTN)或是所謂的扭轉型液晶配向結構。而習知扭轉型液晶配向結構於傾斜方向會有漏光現象，故於正面及傾斜方向觀視時會依觀視角度不同而產生明暗及對比度變化，因此具有較差視角的缺點。而一般製做反射式子畫素區時，為顯示效果好通常會將反射式子畫素區做成常白狀態(normally white)，並會加設光學補償膜來增強黑狀態的效果，增加黑狀態的視角。因此，於半反射半穿透液晶顯示器，會於穿透式子畫素區與反射式子畫素區同時於加設光學補償模。然而所述光學補償模一般僅能輔助於正面方向，於傾斜角度另會有漏光，致使穿透式子畫素區的黑狀態不夠黑， 據此，半反射半穿透液晶顯示器於操作於穿透模式顯示模式下，無法呈現廣視角顯示效果，甚至會比傳統穿透式液晶顯示器的顯示對比效果更差，降低穿透式的視角，進而無法達到全視角、廣視角的效果。

因此，本發明之目的，即在提供一種在穿透模式下具有廣視角效果的雙顯示模式液晶顯示器。

為達上述目的，本發明實施例提供一種雙顯示模式液晶顯示器，所述雙顯示模式液晶顯示器包括主動矩陣基板、上基板、液晶顯示層以及複數個以矩陣方式形成在該主動矩陣基板與該上基板之間的畫素。所述上基板設置於主動矩陣基板的上方，而所述液晶顯示層夾設於主動矩陣 基板與上基板之間。每一畫素至少具有第一區域與第二區域。所述第一區域至少具有一穿透式子畫素區，而所述第二區域至少具有一反射式子畫素區。穿透式子畫素區具有一第一顯示模式，並反射式子畫素區具有一第二顯示模式。第一顯示模式是穿透式垂直排列配向模式(Vertically Aligned)、多域分割排列模式(Multi-Domain Aligned)、橫向電場模式(In Plane Switching)、邊際電場切換模式(Fringe Field Switching)或表面增強電場模式(Surface Enhanced Fringe Field)。所述第二顯示模式是反射式扭轉排列模式(Reflective Twisted Nematic)、反射式電控雙折射模式(Reflective Electrically Controlled Birefringence)、混合扭轉排列模式(Mixed mode Twisted Nematic)、反射式光學補償模式(Reflective Optical Compensation)或反射式垂直配向排列模式(Reflective Vertically Aligned)。

在本發明其中一個實施例中，上述第一顯示模式是橫向電場模式、邊際電場切換模式或表面增強電場模式時，所述上基板的下表面另分散佈設複數條分別延伸穿越相對應列的該等畫素的共電極，且該些共電極不位在第一區域之該上基板的下表面，而僅位在第二區域之上基板的下表面。

在本發明其中一個實施例中，上述第一顯示模式是橫向電場模式、邊際電場切換模式或表面增強電場模式時，各該畫素在主動矩陣基板上具有位在穿透式子畫素區的第一次電極，且在透明基板上表面上與第一次電極相錯開地位置設有第一共電極。各該畫素另具有位在反射式子畫素 區的第二次電極，且位於反射式子畫素區之上基板的下表面設有第二共電極。所述第一共電極與該第二共電極電耦接，其中第一次電極與該第二次電極形成一畫素電極。所述第一共電極與該部分畫素電極之間是以一絕緣層相阻隔。所述第一共電極呈梳狀或柵狀、環繞狀或彎曲狀，並包含位於該部分畫素電極一側的一電極線以及複數由該電極線朝該部分畫素電極中心區域延伸的彎曲電極線。

在本發明其中一個實施例中，上述第一液晶顯示層是水平排列的正型液晶或負型液晶或是垂直排列的負型液晶，且上述第二液晶顯示層是水平排列的正型液晶或負型液晶或是垂直排列的負型液晶。

在本發明其中一個實施例中，上述每一該畫素中該第一區域至少具有第一伽瑪穿透率灰階-電壓轉換曲線。上述第二區域至少具有第二伽瑪反射率灰階-電壓轉換曲線。

在本發明其中一個實施例中，上述第一伽瑪穿透率灰階-電壓轉換曲線與第二伽瑪反射率-灰階-電壓轉換曲線為反向的曲線。

在本發明其中一個實施例中，上述第一顯示模式之驅動電路與上述第二顯示模式之驅動電路更包含點反轉(Dot inversion)、線反轉(line inversion)驅動或圖框反轉(frame inversion)驅動。

綜上所述，本發明實施例提供一種雙顯示模式液晶顯示器，此雙顯示模式液晶顯示器藉由在每一畫素的穿透式子畫素區佈設廣視角的液晶配向結構，使得雙顯示模式液晶顯示器操作在穿透模式時，能增加可視角度進而達到廣 視角的功效和目的。

為使能更進一步瞭解本發明之特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明之詳細說明與附圖，但是此等說明與所附圖式僅係用來說明本發明，而非對本發明的權利範圍作任何的限制。

〔雙顯示模式液晶顯示器之實施例〕

請同時參見圖1及圖2，圖1繪示本發明實施例提供之雙顯示模式液晶顯示器的畫素側面剖視示意圖。圖2本發明實施例提供之雙顯示模式液晶顯示器的局部畫素之細部電路示意圖。於此實施例中，雙顯示模式液晶顯示器包括一主動矩陣基板100、一相間隔地設置於主動矩陣基板100上方的上基板200、一夾設於主動矩陣基板100與上基板200之間的液晶顯示層300，以及複數個以矩陣方式形成在主動矩陣基板100與上基板200之間的畫素。

圖2僅以四個畫素P₁₁、P₁₂、P₂₁、P₂₂為例，每一個畫素至少具有一第一區域與一第二區域。所述第一區域至少具有一穿透式子畫素區TA。所述第二區域至少具有一反射式子畫素區RA。也就是說，畫素P₁₁、P₁₂、P₂₁、P₂₂分別具有第一區域與第二區域，其中第一區域內設有至少一穿透式子畫素區TA，而第二區域內設有至少一反射式子畫素區RA。所述穿透式子畫素區TA具有一第一顯示模式，使得分佈在穿透式子畫素區TA中的液晶分子具有一產生具廣視角效果的第一配向結構。反射式子畫素區RA具有一第二顯示模式，使得分佈在反射式子畫素區RA中的 液晶分子具有一第二配向結構。

進一步地說，第一顯示模式於此實施例中可以是穿透式垂直排列配向模式(Transmissive Vertically Aligned，簡稱TVA)、多域分割垂直配向模式(Multi-domain Vertical Alignment，簡稱MVA)、橫向電場模式(In-Plane Switching，簡稱IPS)、增強邊際電場切換模式(Fringe Field Switching,簡稱FFS)以及表面增強電場模式(Surface Enhanced Fringe Field)的其中之一。

第二顯示模式可以是反射式扭轉向列模式(Reflective Twist Nematic，簡稱RTN)、反射式電控雙折射模式(Reflective Electrically Controlled Birefringence，簡稱R-ECB)、混合扭轉向列模式(Mixed Mode Twisted Nematic，簡稱MTN)、反射式光學補償模式(Reflective Optical Compensative，簡稱ROC)或反射式垂直配向排列模式(Reflective Vertical Alignment，簡稱RVA)其中之一。上述第一顯示模式與第二顯示模式中的液晶分子排列方式，例如液晶分子的傾斜角度，可依據實際視角設計需求、顯示操作方式、實際製作需求來配置，本實施例並不限制。

在此實施例中，第一顯示模式是以多域分割垂直排列配向模式為例，因此，雙顯示模式液晶顯示器的第一顯示模式包含兩個分別設於主動矩陣基板100的上表面與上基板200的下表面，且對應於穿透式子畫素區TA的第一配向膜結構11、12，以使夾設於第一配向膜結構11、12之間的液晶分子沿第一配向方向上有序排列形成具有第一配向結構的第一液晶顯示層LC1。

而所述第二顯示模式則可採用反射式扭轉向列模式、反射式電控雙折射模式、混合扭轉向列模式、反射式光學補償模式或反射式垂直配向排列模式。雙顯示模式液晶顯示器的第二顯示模式的結構主要包含兩個分別設於主動矩陣基板100的上表面與上基板200的下表面，且對應於反射式子畫素區RA的第二配向膜結構21、22，以使夾設於其間的液晶分子沿第二配向方向上有序排列形成具有第二配向結構的第二液晶顯示層LC2。

值得注意的是，上述第一配向膜結構11、12以及該第二配向膜結構21、22可以是凸塊結構或凹槽(slit)，其中凸塊結構的材料可包括聚乙烯醇、聚亞醯胺、聚醯胺、聚脲、尼龍、二氧化矽或卵磷脂。上述第一配向膜結構11、12以及該第二配向膜結構21、22的材料可為同一材料或是類似結構的材料或是高分子聚合物，上述第一配向膜結構11、12以及該第二配向膜結構21、22的材料亦可為不同材料，但本實施例並不限制。此外，上述第一配向與第二配向可以是同一配向或夾一特定角度配向方向，上述第一配向與第二配向也可以是不同配向。於實務上，上述第一配向與第二配向的實際配向是依據液晶實際排列方式來配置，故本實施例並不限制。

第一液晶顯示層LC1是水平排列正型液晶(即△ε>0)，且如圖1所示，垂直配向模式的配向技術是利用形成在上基板200側(及/或主動矩陣基板100側)的凸出物13(及/或凹槽)，使液晶靜止時並非呈傳統的直立式排列，而是偏向某一個角度傾斜。從而，當施加電壓時，可讓液晶分 子快速地改變成水平排列，以大幅度縮短顯示時間，並且藉由凸出物13(及/或凹槽)改變液晶分子配向，讓視野角度更為寬廣。

而第二液晶顯示層LC2也是水平排列正型液晶(即△ε>0)，但施加電壓後液晶會站直並扭轉，其中液晶扭轉角度範圍可為30度至90度之間。此外，第一液晶顯示層LC1可以是水平排列的負型液晶(即△ε<0)或是垂直排列的負型液晶。而第二液晶顯示層LC2可以是垂直排列的負型液晶或是水平排列的或負型液晶。

配合圖2所示，主動矩陣基板100另包含一透明基板101、多條平行且間隔地佈設在透明基板101上表面的掃描線S1、S2或S3以及多條平行且間隔地佈設在透明基板101上表面，並與該等掃描線S1、S2、S3交錯的資料線D1、D2或D3。各該畫素(即畫素P₁₁、P₁₂、P₂₁或P₂₂)包含形成在透明基板101的上表面的一個畫素電極102和一個主動矩陣T。所述畫素電極102在穿透式子畫素區TA的部分係被一狹縫14分隔成兩個次電極1021、1022，且次電極1021及次電極1022的表面分別佈設有上述第一配向膜結構12。而畫素電極102在反射式子畫素區RA的部分表面還設有一反射單元103(例如鋁層)，且上述第二配向膜結構22實際上是佈設在反射單元103的表面。

如圖2所示，各主動矩陣T是由電晶體，例如薄膜電晶體開關、雙閘極薄膜電晶體或輕摻雜汲極薄膜電晶體等來實現。主動矩陣T的閘極G分別與對應的掃描線S1、S2或S3電耦接。主動矩陣(如電晶體)T的源極S分別與對應 的資料線D1、D2或D3電耦接，以接受來自資料線D1、D2或D3的資料訊號。主動矩陣(如電晶體)T的汲極D與畫素電極102電耦接。

在上基板200的下表面與第一配向膜結構11及第二配向膜結構21之間(圖1未示)，還分散佈設複數條分別延伸穿越相對應列的該等畫素的共電極Vcom，使得畫素電極102、穿透式子畫素區TA之第一液晶顯示層LC1及共電極Vcom共同形成一第一液晶電容C_LC1。畫素電極102、反射式子畫素區RA之第二液晶顯示層LC2及共電極Vcom共同形成第二液晶電容C_LC2。反射單元103(例如鋁層)是與主動矩陣(電晶體)T的汲極D電耦接。值得一提的是，所述次電極1021、1022與共電極Vcom為銦錫氧化物(indium tin oxide，ITO)、銦鋅氧化物(indium zinc oxide，IZO)、金屬或合金。

此外，如圖2所示，各該畫素(即畫素P₁₁、P₁₂、P₂₁或P₂₂)還包含一個形成在透明基板101上表面的儲存電容C_ST，各該儲存電容C_ST的一端與對應的共電極Vcom電耦接，儲存電容C_ST的另一端與對應的主動矩陣T的汲極D電耦接。

藉此，如圖1所示，當本實施例之雙顯示模式液晶顯示器工作在反射模式(例如工作在亮處)時，外部環境光源30射入畫素之反射式子畫素區RA，此時，與主動矩陣T之源極S連接的資料線D1輸入資料訊號以對第二液晶電容C_LC2與儲存電容C_ST充電，使控制反射式子畫素區RA之第二液晶顯示層LC2中的液晶分子適當偏轉，進而調節由 外部進入反射式子畫素區RA及經由反射式子畫素區RA之反射單元103反射回去的外部環境光源30，從而將代表資料訊號的影像顯示出來。

當雙顯示模式液晶顯示器工作在穿透模式(例如工作在暗處)時，雙顯示模式液晶顯示器之背光模組(未繪示)所產生的背光源40會經由畫素之穿透式子畫素區TA穿出，此時，藉由與主動矩陣T之源極S連接的資料線D1輸入的資料訊號對第一液晶電容C_LC1與儲存電容C_ST充電，使控制穿透式子畫素區TA之第一液晶顯示層LC1中的液晶分子適當偏轉，以調節穿出穿透式子畫素區TA之背光源40，而將代表資料訊號的影像顯示出來。換言之，背光模組具有根據環境光源調光以及根據第一顯示模式與該第二顯示模式工作切換狀態來調整背光源40或開啟/關閉功能之背光驅動架構。

附帶一提的是，第一顯示模式與第二顯示模式之驅動方法可包含一點反轉(Dot inversion)驅動、一線反轉(line inversion)驅動或一圖框反轉(frame inversion)驅動。此外，第一顯示模式與第二顯示模式可具有不同的驅動方式。值得注意的是，第一顯示模式與第二顯示模式可分別具有不同之更新頻率，甚至可使第一顯示模式與第二顯示模式分別具有兩個或兩個以上之更新頻率。

舉例來說，於一具體驅動方式，第一顯示模式可使用點反轉方式來驅動，而第二顯示模式可使用線反轉或圖框反轉來驅動。具體地說，以第二顯示模式使用線反轉驅動方式為例，可透過資料線(例如D1、D2、D3)傳送資料訊號 至畫素P₁₁、P₁₂、P₂₁、P₂₂使任一畫素例如畫素P₁₁中的第一液晶電容C_LC1充電的極性與其四周其他畫素P₁₂、P₂₁、P₂₂的第一液晶電容C_LC1充電的極性互為相反。同時，透過資料線(例如D1、D2、D3)傳送資料訊號至畫素P₁₁、P₁₂、P₂₁、P₂₂使在任一相鄰水平掃描線上例如畫素P₁₁、P₁₂中的第二液晶電容C_LC2所被充電的電壓極性與畫素P₂₁、P₂₂中的第二液晶電容C_LC2所被充電的電壓極性互為相反。

值得注意的是，習知一般使第一顯示模式具較佳顯示效果的驅動方式為點反轉驅動方式，然點反轉驅動方式的耗電量較大。因此，於本實施例中，對應第一顯示模式較佳的驅動方式為點反轉，而對應二顯示模式較佳的驅動方式為線反轉或圖框反轉，以節省第二顯示模式驅動顯式的電力。此外，第一顯示模式與第二顯示模式的驅動方式可依據使用所述雙顯示模式液晶顯示器之電子裝置的電力或是使用環境的光源強弱來配置，本實施例並不限制。

另由於上述點反轉、線反轉或圖框反轉驅動方均為習知液晶顯示驅動技術，本發明領域具有通常知識者應知上述之點反轉、線反轉或圖框反轉的實際運用方式，故在此不在贅述。

另外，由於穿透式子畫素區TA是採用多域分割垂直排列廣視角配向結構，因此當雙顯示模式液晶顯示器工作在穿透模式時，會使可視角度增加，讓雙顯示模式液晶顯示器視野角度更為寬廣。

〔雙顯示模式液晶顯示器之另一實施例〕

再請參見圖3至圖4所示，是本發明另一實施例提供之雙顯示模式液晶顯示器的畫素側面之剖視示意圖。圖3至圖4所示所述之雙顯示模式液晶顯示器與圖1所述之雙顯示模式液晶顯示器的共同點是共電極與畫素電極皆設在主動矩陣基板100上。

圖3至圖4所示所述之雙顯示模式液晶顯示器與圖1所述之雙顯示模式液晶顯示器的不同處在於，本實施例中各該畫素之穿透式子畫素區TA的第一顯示模式是採用橫向電場模式(IPS)、增強橫向電場模式(Advanced In-Plane Switching，簡稱AIPS)、超級橫向電場模式(Super In-Plane Switching，簡稱SIPS)或增強邊際電場切換模式(Advanced Fringe Field Switching，簡稱AFFS)其中一種。

如圖3所示，當第一顯示模式是橫向電場模式、邊際電場切換模式或表面增強電場模式時，主動矩陣基板100上方的上基板200的下表面另分散佈設複數條分別延伸穿越相對應列的該等畫素的共電極，該些共電極並不位在第一區域內穿透式子畫素區TA之上基板200的下表面，而僅位在第二區域內反射式子畫素區RA之上基板200的下表面。

本實施例是以雙顯示模式液晶顯示器的第一顯示模式使用邊際電場切換模式為例來做說明，如圖4所示，各該畫素具有一個位於第一區域內穿透式子畫素區TA的第一次電極105，以及位於第二區域內反射式子畫素區RA的第二次電極106，兩者構成畫素電極102。

進一步地說，穿透式子畫素區TA之第一次電極105 的上方設有一第一共電極Vcom1，且第一共電極Vcom1與其下方之第一次電極105以一絕緣層104相阻隔，且第一共電極Vcom1包含位於第一次電極105一側的電極線31，以及複數由電極線31朝第一次電極105中心區域延伸的彎折電極線32。所述第一共電極105可以呈梳狀或柵狀、環繞狀或彎曲狀，依實際設計需求來配置，本實施例並不限制。

第一顯示模式具有由該液晶顯示層、該主動矩陣基板之該第一共電極以及該畫素電極的彎曲電場形成之一第一液晶電容；該第二顯示模式具有由該液晶顯示層、該上基板之該第二共電極、該主動矩陣基板之該畫素電極的電場形成之一第二液晶電容。

由於邊際電場切換模式是習知廣視角技術，於此不再詳述。如圖3所示，對應於每一畫素的反射式子畫素區RA之上基板200的下表面則設有一第二共電極Vcom2，且第一共電極Vcom1與第二共電極Vcom2電耦接而共電位。

主動矩陣基板100包含透明基板101，多條平行且間隔地佈設在透明基板101上表面的掃描線S1以及多條平行且間隔地佈設在透明基板101上表面，並與該等掃描線S1交錯的資料線D1、D2。各該畫素包含形成在透明基板101的上表面的一個畫素電極102、第一主動矩陣T1和第二主動矩陣T2。所述第一主動矩陣T1和第二主動矩陣T2可分別是由電晶體，例如薄膜電晶體開關、雙閘極薄膜電晶體或輕摻雜汲極薄膜電晶體來實現。

如圖4所述，各該畫素中位於反射式子畫素區RA內的 第一主動矩陣T1的源極S電耦接資料線D1，第一主動矩陣T1的閘極G電耦接對應的掃描線，例如掃描線S1，而第一主動矩陣T1的汲極D電耦接畫素電極102。各該畫素中位於穿透式子畫素區TA內的第二主動矩陣T2的源極S電耦接資料線D2，第二主動矩陣T2的閘極G電耦接對應的掃描線，例如掃描線S1，而第二主動矩陣T2的汲極D與畫素電極102電耦接。

值得一提的是，穿透式子畫素區TA的第一顯示模式與的反射式子畫素區RA的第二顯示模式如前述可分別具有不同之更新頻率。因此，於本實施例中，穿透式子畫素區TA的第一顯示模式使用20赫茲的更新頻率，而反射式子畫素區RA的第二顯示模式使用5赫茲的更新頻率。

圖3的雙顯示模式液晶顯示器架構與其他電路架構類似於圖1之雙顯示模式液晶顯示器且本發明技術領域具有通常知識者應可上述說明推知圖3的雙顯示模式液晶顯示器的運作方式，故在此不再贅述。

〔雙顯示模式液晶顯示器之另一實施例〕

接著請參見圖5，圖5繪示本發明另一實施例提供之雙顯示模式液晶顯示器的畫素側面之剖視示意圖，另外，如圖5所示，雙顯示模式液晶顯示器之各該畫素的穿透式子畫素區TA的第一顯示模式是採用橫向電場模式配向模式(IPS)結構例，其與圖3之雙顯示模式液晶顯示器的第一顯示模式使用的邊際電場切換模式不同的之處在於，位於穿透式子畫素區TA中的第一次電極105’與第一共電極Vcom1’是上下交錯且相錯開地設置在透明基板101的上表 面，且兩者之間以絕緣層104’相阻隔。第一次電極105’與主動矩陣T(未繪示於圖5)的源極電耦接，而第一共電極Vcom1’則因與設於反射式子畫素區RA之上基板200的下表面之第二共電極Vcom2電耦接而共電位。

圖5的雙顯示模式液晶顯示器架構與其他電路架構類似於圖1之雙顯示模式液晶顯示器且本發明技術領域具有通常知識者應可上述說明推知圖5的雙顯示模式液晶顯示器的運作方式，故在此不再贅述。

〔雙顯示模式液晶顯示器之另一實施例〕

此外，請參見圖6，圖6繪示本發明另一實施例提供之雙顯示模式液晶顯示器的每一畫素的細部電路示意圖。

於此實施例是圖6中的每一畫素(例如畫素P₁₁)的穿透式子畫素區TA及反射式子畫素區RA可以被各別控制。也就是說，每一行畫素分配有兩條資料線D1、D2，並每一列畫素分配有一條掃描線S1。各該畫素包含對應設於穿透式子畫素區TA的一個第一儲存電容C_ST1與一個第一主動矩陣T1，以及對應設於反射式子畫素區RA的一個第二儲存電容C_ST2與一個第二主動矩陣T2。各畫素(例如畫素P₁₁)中的該第一儲存電容C_ST1的一端與對應的第一共電極Vcom1電耦接，而各畫素(例如畫素P₁₁)中的第二儲存電容CST2的一端與對應的第二共電極Vcom2電耦接。各畫素(例如畫素P₁₁)中的第一主動矩陣T1的閘極G與相對應的掃描線S1電耦接，其源極S與該二條資料線其中之一，如資料線D1電耦接，其汲極D與相對應的第一儲存電容C_ST1的另一端以及相對應的第一次電極105電耦接，進而由第 一次電極105、第一液晶顯示層LC1及第一共電極Vcom1形成第一液晶電容C_LC1。各畫素(例如畫素P₁₁)中的第二主動矩陣T2的閘極G與相對應的掃描線S1電耦接，其源極S與該二條資料線其中另一即資料線D2電耦接，其汲極D與相對應的第二儲存電容C_ST2的另一端以及相對應的第二次電極106電耦接，進而由第二次電極106、第二液晶顯示層LC2及第二共電極Vcom2形成第二液晶電容C_LC2。

藉此，當雙顯示模式顯示器工作在穿透模式時，掃描線S1將同時驅動同一列各畫素(例如畫素P11)的第一主動矩陣T1及第一主動矩陣T2，但只有資料線D1送出資料訊號給第一主動矩陣T1，以對第一液晶電容C_LC1與第一儲存電容C_ST1充電，以控制穿透式子畫素區TA之第一液晶顯示層LC1中的液晶分子適當偏轉，進而調節穿出穿透式子畫素區TA之背光源40，使代表資料訊號的影像顯示出來。此外，由於穿透式子畫素區TA是採用邊際電場切換模式廣視角配向結構，因此可增加雙顯示模式液晶顯示器的可視角度。雖然於此實施例中，穿透式子畫素區TA是採用邊際電場切換模式廣視角配向結構，但於實務上，穿透式子畫素區TA亦可配置增強橫向電場模式、超級橫向電場模式或增強邊際電場切換模式(Fringe Field Switching)，本實施例並不限制。

而當雙顯示模式液晶顯示器工作在反射模式時，掃描線S1同時驅動同一列之畫素(例如畫素P₁₁)的第一主動矩陣T1及第二主動矩陣T2，但只有資料線D2送出資料訊號給第二主動矩陣T2，以對第二液晶電容C_LC2與第二儲存 電容C_ST2充電，以控制反射式子畫素區RA之第二液晶顯示層LC2中的液晶分子適當偏轉，使調節進入反射式子畫素區RA。同時，由反射式子畫素區RA之反射單元103反射回去之外部環境光源30，使代表資料訊號的影像顯示出來。

再者，當雙顯示模式液晶顯示器工作在一穿透暨反射模式時，掃描線S1同時驅動同一列之各該畫素(例如畫素P11)的第一主動矩陣T1及第二主動矩陣T2，使第一主動矩陣T1及該第二主動矩陣T2同時收到相對應的資料線D1、D2送出的資料訊號，以使第一主動矩陣T1對第一液晶電容C_LC1及第一儲存電容C_ST1充電，使第二主動矩陣T2對第二液晶電容C_LC2及第二儲存電容C_ST2充電。

值得一提的是，單一畫素採用兩個主動矩陣T1、T2來分別控制穿透式子畫素區TA及反射式子畫素區RA的優點可以降低漏電流以及功率消耗。另外，上述之第二主動矩陣可至少包含兩個或兩個以上的薄膜電晶體開關、雙閘極薄膜電晶體或輕摻雜汲極薄膜電晶體。

〔雙顯示模式液晶顯示器之實施例〕

再參見圖7，圖7繪示本發明又一實施例提供之雙顯示模式液晶顯示器的每一畫素的細部電路示意圖。圖7之雙顯示模式液晶顯示器的畫素電路與圖6之雙顯示模式液晶顯示器的畫素電路不同的之處在於，本實施例中每一行畫素僅分配有一條資料線D1，而每一列畫素分配有兩條掃描線S1、S2。各該畫素(例如畫素P₁₁)的第一主動矩陣T1的閘極G與該二掃描線其中之一，如掃描線S1(即第一掃描線) 電耦接，其源極S與相對應的資料線D1電耦接，其汲極D與相對應的第一儲存電容C_ST1的另一端以及相對應的第一次電極105電耦接。各該畫素(例如畫素P₁₁)的第二主動矩陣T2的閘極G與該二掃描線其中另一條掃描線S2(即第二掃描線)電耦接，其源極S與相對應的資料線D1電耦接，其汲極D與相對應的第二儲存電容C_ST2的另一端以及相對應的第二次電極106電耦接。

藉此，當雙顯示模式液晶顯示器工作在穿透模式時，資料線D1會同時送資料訊號至同一行畫素的第一主動矩陣T1及第二主動矩陣T2，但只有同一列畫素的第一主動矩陣T1會被掃描線S1(即第一掃描線)驅動(導通)，以使資料訊號輸入第一主動矩陣T1，並對第一儲存電容C_ST1與第一液晶電容C_LC1充電。從而可控制穿透式子畫素區TA之第一液晶顯示層LC1中的液晶分子適當偏轉，以調節穿出穿透式子畫素區TA之背光源(未繪示)，使代表資料訊號之影像顯示出來，且由於穿透式子畫素區TA是採用邊際電場切換模式廣視角配向結構，因此會使雙顯示模式液晶顯示器的可視角度增加。雖然於此實施例中，穿透式子畫素區TA是採用邊際電場切換模式廣視角配向結構，但於實務上，穿透式子畫素區TA亦可配置增強橫向電場模式、超級橫向電場模式或增強邊際電場切換模式，本實施例並不限制。

接著，當雙顯示模式液晶顯示器工作在反射模式時，資料線D1會同時送資料訊號至同一行畫素的第一主動矩陣T1及第二主動矩陣T2，但只有同一列畫素之第二主動 矩陣T2會被掃描線S2(即第二掃描線)驅動(導通)，使資料訊號輸入第二主動矩陣T2，使第二主動矩陣T2對第二儲存電容C_ST2與第二液晶電容C_LC2充電，以控制反射式子畫素區RA之第二液晶顯示層LC2中的液晶分子適當偏轉。從而可調節進入反射式子畫素區RA並由反射式子畫素區RA之反射單元103反射回去之外部環境光源(未繪示)，使將代表資料訊號之影像顯示出來。

再者，當雙顯示模式液晶顯示器工作在一穿透暨反射模式時，同一行畫素的第一主動矩陣T1及該第二主動矩陣T2會同時收到相對應的資料線D1送出的一資料訊號，且同一列畫素的第一主動矩陣T1會被相對應掃描線S1(即第一掃描線)驅動(導通)，而同一列畫素的第二主動矩陣T2會被相對應掃描線S2(即第二掃描線)驅動(導通)。從而，使第一主動矩陣T1與第二主動矩陣T2分別對第一儲存電容C_ST1與第一液晶電容C_LC1以及第二儲存電容C_ST2與第二液晶電容C_LC2充電。

值得一提的是，上述之第二主動矩陣可至少包含兩個或兩個以上的薄膜電晶體開關、雙閘極薄膜電晶體或輕摻雜汲極薄膜電晶體。

〔雙顯示模式液晶顯示器之實施例〕

再參見圖8，圖8繪示本發明再一實施例提供之雙顯示模式液晶顯示器的每一畫素的細部電路示意圖。圖8之雙顯示模式液晶顯示器與圖7之雙顯示模式液晶顯示器的不同之處在於，每一畫素還包含一第三主動矩陣T3，其閘極G與該二掃描線中的掃描線S2電耦接，其源極S與相對應 的第一儲存電容C_ST1另一端電耦接，其汲極D與相對應的第二主動矩陣T2之源極S電耦接。

藉此，當雙顯示模式液晶顯示器工作在反射模式時，掃描線S2(即第二掃描線)會同時驅動導通同一列畫素的第二主動矩陣T2及第三主動矩陣T3，使第一儲存電容C_ST1與第二儲存電容C_ST2相互並聯，進而增加反射式子畫素區RA的儲存電容量。當反射式子畫素區RA的儲存電容量增加時，即可儲存很多電荷，進而於操作上可使用較低的更新頻率，從而可以節省反射式子畫素區RA運作時所需電力。據此，可透過調整反射式子畫素區RA的儲存電容量，還可使第一顯示模式與第二顯示模式分別具有更新頻率低於20赫茲(Hertz)。

值得一提的是，第一液晶電容C_LC1與第一儲存電容C_ST1以及第二液晶電容C_LC2與第二儲存電容C_ST2相關，其公式如下：

其中C _lc1表示該第一液晶電容的電容值；C _st1表示該第一儲存電容的電容值；C _lc2表示該第二液晶電容的電容值；C _st2表示該第二儲存電容的電容值。從而，可透過配置主動矩陣的數量，串聯或並聯第一儲存電容C_ST1與第二儲存電容C_ST2配置反射式子畫素區RA的儲存電容量。

此外，由於穿透式子畫素區TA的第一顯示模式採用前述實施例所述之多域分割排列模式、橫向電場模式、增強橫向電場模式、超級橫向電場模式或增強邊際電場切換模 式等，其在不加電壓時為全黑，亦即為常黑狀態(normally black)，並隨電壓增加而漸亮，而反射式子畫素區RA的第二顯示模式採用前述實施例所述之反射式扭轉排列模式、反射式電控雙折射模式、混合扭轉排列模式或反射式光學補償模式等，其在不加電壓時為全亮，亦即為常白狀態(normally white)，並隨電壓增加而漸暗。

因此，穿透式子畫素區TA的第一顯示模式與反射式子畫素區RA的第二顯示模式所產生的伽瑪曲線為反向變化。換言之，依據不同的液晶排列模式可分別使第一顯示模式具有第一伽瑪穿透率-灰階-電壓轉換曲線或對應穿透率-灰階-電壓轉換的第一對照表，而第二顯示模式具有第二伽瑪反射率-灰階-電壓轉換曲線或對應反射率-灰階-電壓轉換的第二對照表。所述第一伽瑪穿透率-灰階-電壓轉換曲線與第二伽瑪反射率-灰階-電壓轉換曲線為反向的曲線。本技術領域具有同常識者應可由上述說明推知第一顯示模式之第一伽瑪-灰階-電壓-穿透率轉換曲線與第二顯示模式之第二伽瑪-灰階-電壓-穿透率轉換曲線的實際配置方式，故在此不在贅述。

〔實施例的可能功效〕

綜上所述，本發明實施例提供一種雙顯示模式液晶顯示器，此雙顯示模式液晶顯示器可藉由在每一畫素的分別設置穿透式子畫素區與反射式子畫素區，並於穿透式子畫素區內佈設具廣視角的液晶配向結構，使得雙顯示模式液晶顯示器操作在穿透模式時，能增加可視角度進而達到廣視角的功效和目的。

以上所述僅為本發明之實施例，其並非用以侷限本發明之專利範圍。

100‧‧‧主動矩陣基板

101‧‧‧透明基板

102‧‧‧畫素電極

1021、1022‧‧‧次電極

103‧‧‧反射單元

104、104’‧‧‧絕緣層

105、105’‧‧‧第一次電極

106‧‧‧第二次電極

200‧‧‧上基板

300‧‧‧液晶顯示層

11、12‧‧‧第一配向膜結構

13‧‧‧凸出物

14‧‧‧狹縫

21、22‧‧‧第二配向膜結構

30‧‧‧外部環境光源

31‧‧‧電極線

32‧‧‧彎折電極線

40‧‧‧背光源

LC1‧‧‧第一液晶顯示層

LC2‧‧‧第二液晶顯示層

C_LC1‧‧‧第一液晶電容

C_LC2‧‧‧第二液晶電容

C_ST‧‧‧儲存電容

C_ST1‧‧‧第一儲存電容

C_ST2‧‧‧第二儲存電容

P₁₁、P₁₂、P₂₁、P₂₂‧‧‧畫素

T‧‧‧主動矩陣

T1‧‧‧第一主動矩陣

T2‧‧‧第二主動矩陣

T3‧‧‧第三主動矩陣

D‧‧‧主動矩陣的汲極

S‧‧‧主動矩陣的源極

G‧‧‧主動矩陣的閘極

TA‧‧‧穿透式子畫素區

RA‧‧‧反射式子畫素區

Vcom‧‧‧共電極

Vcom1、Vcom1’‧‧‧第一共電極

Vcom2‧‧‧第二共電極

X、Y、Z‧‧‧軸向

S1、S2、S3‧‧‧掃描線

D1、D2、D3‧‧‧資料線

圖1是本發明一實施例提供之雙顯示模式液晶顯示器的畫素側面之剖視示意圖，其中顯示穿透式子畫素區是採用多域分割垂直排列(Vertically Aligned)配向結構，其中顯示反射式子畫素區是採用反射式垂直配向排列模式(Reflective Vertically Aligned)，或是所謂的反式扭轉型排列(Inversed Twisted Nematic)配向結構；圖2是本發明一實施例提供之雙顯示模式液晶顯示器的局部畫素之細部電路示意圖；圖3是本發明另一實施例提供之雙顯示模式液晶顯示器的畫素側面之剖視示意圖，其中顯示穿透式子畫素區是採用增強邊際電場切換(Fringe-Field Effect)配向結構，且穿透式子畫素區的第一共電極是設在主動矩陣基板上表面，而反射式子畫素區的第二共電極是設在上基板下表面；圖4是本發明一實施例提供之畫素的構造示意圖，其中顯示單一畫素分配有兩條資料線，用以各別控制分別設於穿透式子畫素區與反射式子畫素區的主動矩陣，且穿透式子畫素區的第一共電極與反射式子畫素區的第二共電極設在不同的面上；圖5是本發明另一實施例提供之雙顯示模式液晶顯示器的畫素側面之剖視示意圖，其中顯示穿透式子畫素區是採用橫向電場(In-Plane Switching，IPS)配向結構，且位於穿透式子畫素區TA中的部分畫素電極與第一共電極是上 下交錯且相錯開地設在主動矩陣基板上表面，而位於反射式子畫素區的第二共電極是設在上基板下表面；圖6是本發明另一實施例提供之雙顯示模式液晶顯示器的每一畫素的細部電路示意圖，其中顯示每一畫素由兩條資料線分別控制穿透式子畫素區與反射式子畫素區的主動矩陣，且穿透式子畫素區與反射式子畫素區各別設有一儲存電容；圖7是本發明又一實施例提供之雙顯示模式液晶顯示器的每一畫素的細部電路示意圖，其中顯示每一畫素由兩條掃描線分別控制穿透式子畫素區與反射式子畫素區的主動矩陣，且穿透式子畫素區與反射式子畫素區各別設有一儲存電容；及圖8是本發明再一實施例提供之雙顯示模式液晶顯示器的每一畫素的細部電路示意圖，其中顯示每一畫素由兩條掃描線分別控制穿透式子畫素區與反射式子畫素區的第一主動矩陣及二主動矩陣，且穿透式子畫素區與反射式子畫素區各別設有一儲存電容，且畫素中還具有一第三主動矩陣，它會被控制第二主動矩陣的掃描線控制，而與第二主動矩陣同時導通，使得兩儲存電容並聯。

100‧‧‧主動矩陣基板

101‧‧‧透明基板

102‧‧‧畫素電極

1021、1022‧‧‧次電極

103‧‧‧反射單元

104‧‧‧絕緣層

200‧‧‧上基板

300‧‧‧液晶顯示層

11、12‧‧‧第一配向膜結構

13‧‧‧凸出物

14‧‧‧狹縫

21、22‧‧‧第二配向膜結構

30‧‧‧外部環境光源

40‧‧‧背光源

LC1‧‧‧第一液晶顯示層

LC2‧‧‧第二液晶顯示層

TA‧‧‧穿透式子畫素區

RA‧‧‧反射式子畫素區

Vcom‧‧‧共電極

X、Y、Z‧‧‧軸向

Claims (20)

1. 一種雙顯示模式液晶顯示器，包括：一主動矩陣基板；一上基板，設置於該主動矩陣基板的上方；一液晶顯示層，夾設於該主動矩陣基板與該上基板之間；及複數個以矩陣方式形成在該主動矩陣基板與該上基板之間的畫素，每一該畫素至少具有一第一區域與一第二區域；該第一區域至少具有一穿透式子畫素區，該第二區域至少具有一反射式子畫素區，且該穿透式子畫素區具有一第一顯示模式、該反射式子畫素區具有一第二顯示模式，其中該第一顯示模式是穿透式垂直排列配向模式(Transmissive Vertically Aligned)、多域分割排列模式(Multi-Domain Aligned)、橫向電場模式(In Plane Switching)、邊際電場切換模式(Fringe Field Switching)或表面增強電場模式(Surface Enhanced Fringe Field)；該第二顯示模式是反射式扭轉排列模式(Reflective Twisted Nematic)、反射式電控雙折射模式(Reflective Electrically Controlled Birefringence)、混合扭轉排列模式(Mixed mode Twisted Nematic)、反射式光學補償模式(Reflective Optical Compensation)或反射式垂直配向排列模式(Reflective Vertically Aligned)；其中，該第一顯示模式是橫向電場模式、邊際電場切換模式或 表面增強電場模式時，各該畫素在該主動矩陣基板上具有位在該穿透式子畫素區的一第一次電極，且在該主動矩陣基板的一透明基板上表面上與該第一次電極相錯開地位置設有一第一共電極，各該畫素另具有位在該反射式子畫素區的一第二次電極，且位於該反射式子畫素區之上基板的下表面設有一第二共電極，且該第一共電極與該第二共電極電耦接，其中該第一次電極與該第二次電極形成一畫素電極，其中該第一共電極與該部分畫素電極之間是以一絕緣層相阻隔；該第一共電極呈梳狀或柵狀、環繞狀或彎曲狀，並包含位於該部分畫素電極一側的一電極線以及複數由該電極線朝該部分畫素電極中心區域延伸的彎曲電極線；其中，該主動矩陣基板具有多條掃描線以及多條與該等掃描線交錯的資料線，其中每一行畫素分配有至少兩條資料線，而每一列畫素分配有至少一條掃描線，各該畫素包含對應設於其穿透式子畫素區的一第一儲存電容及一第一主動矩陣以及對應設於其反射式子畫素區的一第二儲存電容及一第二主動矩陣；各該第一儲存電容的一端與對應的該第一共電極電耦接，各該第二儲存電容的一端與對應的該第二共電極電耦接；各該第一主動矩陣電耦接該掃描線，其中一條資料線與該第一儲存電容；各該第二主動矩陣電耦接該掃描線另一條資料線與該第 二儲存電容。
2. 如申請專利範圍第1項所述的雙顯示模式液晶顯示器，其中該第一顯示模式是穿透式垂直排列配向模式、多域分割排列模式、橫向電場模式、邊際電場切換模式或表面增強電場模式，該第一顯示模式包含兩個分別設於該主動矩陣基板的上表面與該上基板的下表面，且對應於該穿透式子畫素區的一第一配向膜結構，以使夾設於其間的液晶分子形成一第一液晶顯示層；該第二顯示模式是反射式扭轉排列、反射式電控雙折射、混合扭轉排列、反射式光學補償或反射式垂直配向，該第二顯示模式主要包含兩個分別設於該主動矩陣基板的上表面與該上基板的下表面，且對應於該反射式子畫素區的一第二配向膜結構，以使夾設於其間的液晶分子形成一第二液晶顯示層。
3. 如申請專利範圍第2項所述的雙顯示模式液晶顯示器，其中該第一液晶顯示層是水平排列的正型液晶或負型液晶或是垂直排列的負型液晶，且該第二液晶顯示層是水平排列的正型液晶或負型液晶或是垂直排列的負型液晶。
4. 如申請專利範圍第2項所述的雙顯示模式液晶顯示器，其中該第一配向膜結構以及該第二配向膜結構為同一材料或是類似結構的材料或是高分子聚合物。
5. 如申請專利範圍第2項所述的雙顯示模式液晶顯示器，其 中該第一配向結構具有一第一配向方向，使該第一配向結構上之液晶分子沿該第一配向方向上有序排列，而該第二配向結構具有一第二配向方向，使該第二配向結構上之液晶分子沿該第二配向方向上有序排列，其中該第一配向方向與該第二配向方向是同一配向方向或夾一特定角度配向方向或垂直配向方向。
6. 如申請專利範圍第1項所述的雙顯示模式液晶顯示器，其中該第一顯示模式是橫向電場模式、邊際電場切換模式或表面增強電場模式時，該上基板的下表面另分散佈設複數條分別延伸穿越相對應列的該等畫素的共電極，該些共電極不位在該第一區域之該上基板的下表面，而僅位在該第二區域之該上基板的下表面。
7. 如申請專利範圍第1項所述的雙顯示模式液晶顯示器，其中該第一顯示模式具有由該液晶顯示層、該主動矩陣基板之該第一共電極以及該畫素電極的彎曲電場形成之一第一液晶電容；該第二顯示模式具有由該液晶顯示層、該上基板之該第二共電極、該主動矩陣基板之該畫素電極的電場形成之一第二液晶電容，且每一該畫素中的該第一區域至少具有一第一儲存電容，並該第二區域至少具有一第二儲存電容，其中該第一液晶電容及該第一儲存電容與該第二液晶電容及該第二儲存電容相關，其公式如下： 其中C _lc1表示該第一液晶電容的電容值；C _st1表示該第一儲存電容的電容值；Cl _c2表示該第二液晶電容的電容值；C _st2表示該第二儲存電容的電容值。
8. 如申請專利範圍第7項所述的雙顯示模式液晶顯示器，其中每一該畫素中該第一區域至少具有一第一伽瑪穿透率-灰階-電壓轉換曲線或一第一對照表；該第二區域至少具有一第二伽瑪反射率-灰階-電壓轉換曲線或一第二對照表。
9. 如申請專利範圍第8項所述的雙顯示模式液晶顯示器，其中且該第一伽瑪穿透率-灰階-電壓轉換曲線與該第二伽瑪反射率-灰階-電壓轉換曲線為反向的曲線。
10. 如申請專利範圍第1項所述的雙顯示模式液晶顯示器，其中當該雙顯示模式液晶顯示器工作在一穿透模式時，同一列各該畫素的該第一主動矩陣及該第二主動矩陣被相對應的該掃描線同時驅動，該第一主動矩陣收到其相對應的該資料線送出的一資料訊號，並對該第一儲存電容充電；當該雙顯示模式液晶顯示器工作在一反射模式時，同一列之畫素的第一主動矩陣及第二主動矩陣被相對應的該掃描線同時驅動，該第二主動矩陣收到相對應的該資料線送出的該資料訊號，並對該第二儲存 電容；當該雙顯示模式液晶顯示器工作在一穿透暨反射模式時，同一列之各該畫素的該第一主動矩陣及該第二主動矩陣被相對應的該掃描線同時驅動，該第一主動矩陣及該第二主動矩陣收到相對應的該資料線送出的該資料訊號，該第一主動矩陣及該第二主動矩陣分別對該第一儲存電容及該第二儲存電容充電。
11. 如申請專利範圍第7項所述的雙顯示模式液晶顯示器，其中該主動矩陣基板具有多條掃描線以及多條與該等掃描線交錯的資料線，其中每一行畫素分配有至少一條資料線，每一列畫素分配有至少兩條掃描線，且各該畫素包含對應設於其穿透式子畫素區的一第一主動矩陣以及對應設於其反射式子畫素區的一第二主動矩陣，其中各該畫素的該第一主動矩陣電耦接其中一條掃描線、該資料線與該第一儲存電容；各該第二主動矩陣電耦接另一條掃描線、該資料線與該第二儲存電容。
12. 如申請專利範圍第11項所述的雙顯示模式液晶顯示器，其中當該雙顯示模式液晶顯示器工作在一穿透模式時，同一行之各該畫素的該第一主動矩陣及該第二主動矩陣同時收到該資料線送出的一資料訊號，同一列之各該畫素的該第一主動矩陣被該些掃描線中的一第一掃描線驅動開啟，使該資料訊號輸入該第一主動矩陣，並對該第一儲存電容充電；當該雙顯示模式 液晶顯示器工作在一反射模式時，同一行之各該畫素的該第一主動矩陣及該第二主動矩陣同時收到該資料線送出的該資料訊號，同一列之各該畫素之該第二主動矩陣被該些掃描線中的一第二掃描線驅動開啟，使該資料訊號輸入該第二主動矩陣，以對該第二儲存電容充電；當該雙顯示模式液晶顯示器工作在一穿透暨反射模式時，同一行之各該畫素的該第一主動矩陣及該第二主動矩陣同時收到該資料線送出的一資料訊號，同一列之各該畫素的該第一主動矩陣及該第二主動矩陣分別被該些掃描線中的一第一掃描線與一第二掃描線驅動開啟。
13. 如申請專利範圍第1、10至12項中的任一項所述的雙顯示模式液晶顯示器，其中該第二主動矩陣是至少包含兩個或兩個以上的薄膜電晶體開關、雙閘極薄膜電晶體或輕摻雜汲極薄膜電晶體。
14. 如申請專利範圍第11項所述的雙顯示模式液晶顯示器，其中每一該畫素還包含一第三主動矩陣，電偶接該二掃描線其中之一、該第一儲存電容與該第二主動矩陣，且該雙顯示模式液晶顯示器工作在一反射模式時，同一列之各該畫素的該第二主動矩陣及該第三主動矩陣被相對應的該些掃描線中的一第二掃描線同時驅動，使該第一儲存電容與該第二儲存電容並聯，增加該反射式子畫素區的儲存電容量。
15. 如申請專利範圍第1項、第7項、第10至12以及第14項任一項所述的雙顯示模式液晶顯示器，其中該畫素電極、該第一次電極、該第二次電極、該第一共電極及該第二共電極為ITO、IZO、金屬或合金。
16. 如申請專利範圍第1項所述的雙顯示模式液晶顯示器，其中該雙顯示模式液晶顯示器具有一背光模組，其中該背光模組為一具有根據環境光源調光以及根據該第一顯示模式及/或該第二顯示模式工作切換狀態來調光或開啟/關閉功能之背光驅動架構。
17. 如申請專利範圍第1項所述的雙顯示模式液晶顯示器，其中該第一顯示模式及該第二顯示模式之驅動方法更包含一點反轉(Dot inversion)驅動、一線反轉(line inversion)驅動或一圖框反轉(frame inversion)驅動。
18. 如申請專利範圍第17項所述的雙顯示模式液晶顯示器，其中該第一顯示模式與/或該第二顯示模式具有不同之更新頻率。
19. 如申請專利範圍第17項所述的雙顯示模式液晶顯示器，其中該第一顯示模式與/或該第二顯示模式具有兩個或兩個以上之更新頻率。
20. 如申請專利範圍第17項所述的雙顯示模式液晶顯示器， 其中該第一顯示模式與/或該第二顯示模式具有一更新頻率低於20赫茲(Hz)。