TWI525171B - 晶圓加工體、晶圓加工用構件、晶圓加工用暫時性接著材及薄型晶圓之製造方法 - Google Patents

晶圓加工體、晶圓加工用構件、晶圓加工用暫時性接著材及薄型晶圓之製造方法 Download PDF

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Description

晶圓加工體、晶圓加工用構件、晶圓加工用暫時性接著材及薄型晶圓之製造方法
本發明係關於能夠有效地得到薄型晶圓之晶圓加工體、晶圓加工用構件、晶圓加工用暫時性接著材及薄型晶圓之製造方法。
3次元之半導體安裝係為了實現更進一步的高密度、大容量化而逐漸成為必須。所謂3次元安裝技術，係將1個半導體晶片予以薄型化，進一步藉由矽貫穿電極(TSV；through silicon via)來將其一邊進行導線接合一邊層合成多層的半導體製作技術。為了要實現此，係需要有：將形成有半導體電路的基板藉由非電路形成面(亦稱為「背面」)研削而薄型化，進一步對背面進行包含TSV之電極形成的步驟。以往，於矽基板之背面研削步驟中，係於研削面的相反側貼附保護膠帶，以防止研削時之晶圓破損。但，該膠帶係於基材使用有機樹脂薄膜，雖具有柔軟性，但相反地，強度或耐熱性並不充分，故並不適於進行TSV形成步驟或在背面之配線層形成步驟。
因此，提案有：透過接著層來將半導體基板接合於矽、玻璃等之支撐體，藉此而能於背面研削、TSV或背面電極形成之步驟中充分承受的系統。此時重要的是在將基板接合於支撐體之際的接著層。此係需要能將基板無空隙地接合於支撐體，且能承受其後步驟之充分的耐久性，進 一步需要能在最後將薄型晶圓簡便地從支撐體剝離者。如此一來，由於會在最後進行剝離，故於本說明書中，係將該接著層稱為暫時性接著層。
至今，就習知之暫時性接著層與其之剝離方法而言，係提案有：藉由對含有光吸收性物質之接著材照射高強度的光線，將接著材層進行分解而將接著材層從支撐體剝離的技術(專利文獻1：日本特開2004-64040號公報)，以及於接著材使用熱熔融性之烴系化合物，並在加熱熔融狀態下進行接合/剝離的技術(專利文獻2：日本特開2006-328104號公報)。前者的技術係存在著：需要雷射等之高價位的裝置，再者，必須於支撐體使用讓雷射光透過的玻璃基板之類的特定之基板，且每1片基板之處理時間會變長等的問題。此外，後者的技術係由於僅以加熱來進行控制而較為簡便，但相反地，由於在超過200℃的高溫下之熱穩定性並不充分，因此適用範圍狹窄。再者，此等之暫時性接著層，係亦不適於高段差基板之均一的膜厚形成，和對支撐體之完全接著。
此外，提案有：於暫時性接著材層使用聚矽氧黏著劑的技術(專利文獻3：美國專利第7541264號公報)。此係使用加成硬化型之聚矽氧黏著劑來將基板接合於支撐體，於剝離之際係將聚矽氧樹脂浸漬於進行溶解或分解之類的藥劑中，而將基板從支撐體分離者。因此，於剝離需要非常長的時間，而難以適用於實際的製造製程中。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2004-64040號公報
[專利文獻2]日本特開2006-328104號公報
[專利文獻3]美國專利第7541264號公報
本發明之目的為提供一種暫時接著為容易，且亦能形成高段差基板之均一的膜厚，對於TSV形成、晶圓背面配線步驟之步驟適合性高，進而，剝離亦容易，且可提高生產性的晶圓加工體、晶圓加工用構件、晶圓加工用暫時性接著材、及使用其之薄型晶圓之製造方法。
本發明者們係為了達成上述目的而進行銳意檢討的結果發現：將由(A)之由高聚合度有機聚矽氧烷所構成之熱塑性暫時性接著層、和(B)之由以改質矽氧烷聚合物為主成分之層所構成之熱硬化性暫時性接著層、進一步，(A’)之由高聚合度有機聚矽氧烷所構成之熱塑性暫時性接著層的3層系所構成的暫時性接著材層，使用於晶圓與支撐體之接合，藉以使用此暫時性接著材層而簡單地 製造具有貫穿電極結構、或凸緣連接結構的薄型晶圓之方法。
亦即，本發明係提供下述之晶圓加工體、晶圓加工用構件、晶圓加工用暫時性接著材及薄型晶圓之製造方法。
(1)一種晶圓加工體，其係於支撐體上形成有暫時性接著材層，且於暫時性接著材層上，層合有於表面具有電路面且應將其背面進行加工的晶圓而成之晶圓加工體，上述暫時性接著材層係具備有：具有第一暫時性接著層、第二暫時性接著層以及第三暫時性接著層之3層結構的複合暫時性接著層單元；該第一暫時性接著層，係由能剝離地接著於上述晶圓的表面之熱塑性有機聚矽氧烷聚合物層(A)所構成；該第二暫時性接著層，係由層合於該第一暫時性接著層之熱硬化性改質矽氧烷聚合物層(B)所構成；該第三暫時性接著層，係由層合於該第二暫時性接著層且能剝離地接著於支撐體之熱塑性有機聚矽氧烷聚合物層(A’)所構成。
(2)如(1)所記載之晶圓加工體，其中第一及第三聚合物層(A)及(A’)係為含有：99.000~99.999莫耳%之以R11R12SiO2/2所表示之矽氧烷單元(D單元)、1.000~0.001莫耳%之以R13R14R15SiO1/2所表示之矽氧烷單元(M單元)、以及0.000~0.500莫耳%之以R16SiO3/2所表示之矽氧烷單元(T單元)(其中，R11、R12、R13、R14、R15、R16係各自表示非取代或取代之1價烴基)，且重量平均分子量為200,000~1,000,000，進而分子量 740以下之低分子量成分為0.5質量%以下之非反應性有機聚矽氧烷層。
(3)如(1)或(2)所記載之晶圓加工體，其中聚合物層(B)係為下述組成物之硬化物層，該組成物係相對於熱硬化性改質矽氧烷聚合物100質量份而含有0.1~50質量份之由經藉由甲醛或甲醛-醇而改質的胺縮合物、三聚氰胺樹脂、脲樹脂、平均1分子中具有2個以上之羥甲基或烷氧基羥甲基之酚化合物、以及平均1分子中具有2個以上之環氧基之環氧化合物中所選出之任1種以上作為交聯劑的組成物；該熱硬化性改質矽氧烷聚合物，係由具有以下述一般式(1)所表示之重複單元的重量平均分子量為3,000~500,000之含矽伸苯基(siphenylene)之高分子化合物、或具有以下述一般式(2)所表示之重複單元的重量平均分子量為3,000~500,000之含環氧基之聚矽氧高分子化合物所構成： [式中，R1~R4係表示可相同或相異之碳原子數1~8的1價烴基；此外，m為1~100之整數，A為正數，B為0或正數；X係以下述一般式(3)所表示之2價之有機基； (式中，Z為由 中任一者所選出之2價之有機基，n為0或1；此外，R5、R6係各自為碳原子數1~4之烷基或烷氧基，且彼此可為相同或相異；k為0、1、2中任一者)]。 [式中，R1~R4係表示可相同或相異之碳原子數1~8的1價烴基；此外，m為1~100之整數，a、b、c、d為0或正數，惟，c及d不能同時為0，且0<(c+d)/(a+b+c+d)≦1.0；進而，X為以下述一般式(3)所表示之2價之有機基，Y為以下述一般式(4)所表示之2價之有機基； (式中，Z為由 中任一者所選出之2價之有機基，n為0或1；此外，R5、R6係各自為碳原子數1~4之烷基或烷氧基，且彼此可為相同或相異；k為0、1、2中任一者) (式中，V為由 中任一者所選出之2價之有機基，p為0或1；此外，R7、R8係各自為碳原子數1~4之烷基或烷氧基，且彼此可為相同或相異；h為0、1、2中任一者)]。
(4)一種晶圓加工用構件，其係於支撐體上形成有暫時性接著材層，且於暫時性接著材層上，暫時接著有於表面具有電路面且應將其背面進行加工的晶圓之晶圓加工用構件，上述暫時接著材係具備有：第三暫時性接著層、第二暫時性接著層以及第一暫時性接著層；該第三暫時性接著層，係由能剝離地接著於上述支撐體之熱塑性有機聚矽氧烷聚合物層(A’)所構成；該第二暫時性接著層，係 由層合於該接著層上之熱硬化性改質矽氧烷聚合物層(B)所構成；進而該第一暫時性接著層，係由層合於該第二暫時性接著層上，且能剝離地接著於上述晶圓的表面之熱塑性有機聚矽氧烷聚合物層(A)所構成。
(5)如(4)所記載之晶圓加工用構件，其中第一及第三聚合物層(A)及(A’)係為含有：99.000~99.999莫耳%之以R11R12SiO2/2所表示之矽氧烷單元(D單元)、1.000~0.001莫耳%之以R13R14R15SiO1/2所表示之矽氧烷單元(M單元)、以及0.000~0.500莫耳%之以R16SiO3/2所表示之矽氧烷單元(T單元)(其中，R11、R12、R13、R14、R15、R16係各自表示非取代或取代之1價烴基)，且重量平均分子量為200,000~1,000,000，進而分子量740以下之低分子量成分為0.5質量%以下之非反應性有機聚矽氧烷層。
(6)如(4)或(5)所記載之晶圓加工用構件，其中聚合物層(B)係為下述組成物之硬化物層，該組成物係相對於熱硬化性改質矽氧烷聚合物100質量份而含有0.1~50質量份之由經藉由甲醛或甲醛-醇而改質的胺縮合物、三聚氰胺樹脂、脲樹脂、平均1分子中具有2個以上之羥甲基或烷氧基羥甲基之酚化合物、以及平均1分子中具有2個以上之環氧基之環氧化合物中所選出之任1種以上作為交聯劑的組成物；該熱硬化性改質矽氧烷聚合物，係由具有以下述一般式(1)所表示之重複單元的重量平均分子量為3,000~500,000之含矽伸苯基之高分子化合 物、或具有以下述一般式(2)所表示之重複單元的重量平均分子量為3,000~500,000之含環氧基之聚矽氧高分子化合物所構成： [式中，R1~R4係表示可相同或相異之碳原子數1~8的1價烴基；此外，m為1~100之整數，A為正數，B為0或正數；X係以下述一般式(3)所表示之2價之有機基； (式中，Z為由 中任一者所選出之2價之有機基，n為0或1；此外，R5、R6係各自為碳原子數1~4之烷基或烷氧基，且彼此可為相同或相異；k為0、1、2中任一者)] [式中，R1~R4係表示可相同或相異之碳原子數1~8的1價烴基；此外，m為1~100之整數，a、b、c、d為0或正數，惟，c及d不能同時為0，且0<(c+d)/(a+b+c+d)≦1.0；進而，X為以下述一般式(3)所表示之2價之有機基，Y為以下述一般式(4)所表示之2價之有機基； (式中，Z為由 中任一者所選出之2價之有機基，n為0或1；此外，R5、R6係各自為碳原子數1~4之烷基或烷氧基，且彼此可為相同或相異；k為0、1、2中任一者) (式中，V為由 中任一者所選出之2價之有機基，p為0或1；此外，R7、R8係各自為碳原子數1~4之烷基或烷氧基，且彼此可為相同或相異；h為0、1、2中任一者)]。
(7)一種晶圓加工用暫時性接著材，其係用以將於表面具有電路面且應將其背面進行加工的晶圓暫時接著於支撐體，該晶圓加工用暫時性接著材係具有：第一暫時性接著層、第二暫時性接著層以及第三暫時性接著層，該第一暫時性接著層，係由接著於上述晶圓的表面且能剝離的熱塑性有機聚矽氧烷聚合物層(A)所構成；該第二暫時性接著層，係由層合於該第一暫時性接著層之熱硬化性改質矽氧烷聚合物層(B)所構成；該第三暫時性接著層，係由層合於該第二暫時性接著層，接著於支撐體且能剝離之熱塑性有機聚矽氧烷聚合物(A’)所構成。
(8)如(7)所記載之晶圓加工用暫時性接著材，其中聚合物層(A)及(A’)係為含有：99.000~99.999莫耳%之以R11R12SiO2/2所表示之矽氧烷單元(D單元)、1.000~0.001莫耳%之以R13R14R15SiO1/2所表示之矽氧烷單元(M單元)、以及0.000~0.500莫耳%之以R16SiO3/2所表示之矽氧烷單元(T單元)(其中，R11、R12、R13、R14、R15、R16係各自表示非取代或取代之1價烴基)，且重量平均分子量為200,000~1,000,000，進而分子量 740以下之低分子量成分為0.5質量%以下之非反應性有機聚矽氧烷層。
(9)如(7)或(8)所記載之晶圓加工用暫時性接著材，其中聚合物層(B)係為下述組成物之硬化物層，該組成物係相對於熱硬化性改質矽氧烷聚合物100質量份而含有0.1~50質量份之由經藉由甲醛或甲醛-醇而改質的胺縮合物、三聚氰胺樹脂、脲樹脂、平均1分子中具有2個以上之羥甲基或烷氧基羥甲基之酚化合物、以及平均1分子中具有2個以上之環氧基之環氧化合物中所選出之任1種以上作為交聯劑的組成物；該熱硬化性改質矽氧烷聚合物，係由具有以下述一般式(1)所表示之重複單元的重量平均分子量為3,000~500,000之含矽伸苯基之高分子化合物、或具有以下述一般式(2)所表示之重複單元的重量平均分子量為3,000~500,000之含環氧基之聚矽氧高分子化合物所構成： [式中，R1~R4係表示可相同或相異之碳原子數1~8的1價烴基；此外，m為1~100之整數，A為正數，B為0或正數；X係以下述一般式(3)所表示之2價之有機基； (式中，Z為由 中任一者所選出之2價之有機基，n為0或1；此外，R5、R6係各自為碳原子數1~4之烷基或烷氧基，且彼此可為相同或相異；k為0、1、2中任一者)] [式中，R1~R4係表示可相同或相異之碳原子數1~8的1價烴基；此外，m為1~100之整數，a、b、c、d為0或正數，惟，c及d不能同時為0，且0<(c+d)/(a+b+c+d)≦1.0；進而，X為以下述一般式(3)所表示之2價之有機基，Y為以下述一般式(4)所表示之2價之有機基； (式中，Z為由 中任一者所選出之2價之有機基，n為0或1；此外，R5、R6係各自為碳原子數1~4之烷基或烷氧基，且彼此可為相同或相異；k為0、1、2中任一者) (式中，V為由 中任一者所選出之2價之有機基，p為0或1；此外，R7、R8係各自為碳原子數1~4之烷基或烷氧基，且彼此可為相同或相異；h為0、1、2中任一者)]。
(10)一種薄型晶圓之製造方法，其特徵為包含：(a)透過具有由(1)至(3)中任一項所記載之聚合物層(A)、(B)、(A’)所構成之3層結構的複合暫時性接著層，來將具有表面為電路形成面及背面為電路非形成面之晶圓的前述電路形成面能剝離地接合於支撐體的步驟、(b)將經與支撐體接合的晶圓之電路非形成面進行 研削或研磨的步驟、(c)對晶圓之電路非形成面施行加工的步驟、(d)將施行加工後的晶圓從支撐體剝離的步驟、以及依據需要而進行(e)將殘留在經剝離之晶圓的電路形成面之暫時性接著材層進行去除的步驟。
(11)一種薄型晶圓之製造方法，其特徵為包含：(a)於具有表面為電路形成面及背面為電路非形成面之晶圓的前述電路形成面形成如(1)至(3)中任一項所記載之聚合物層(A)，並且於支撐體上依序形成如(1)至(3)中任一項所記載之聚合物層(A’)及(B)，且將前述聚合物層(A)與聚合物層(B)進行接合的步驟、(b)將經與支撐體接合的晶圓之電路非形成面進行研削或研磨的步驟、(c)對晶圓之電路非形成面施行加工的步驟、(d)將施行加工後的晶圓從支撐體剝離的步驟、以及依據需要而進行(e)將殘留在經剝離之晶圓的電路形成面之暫時性接著材層進行去除的步驟。
(12)一種薄型晶圓之製造方法，其特徵為，於自透過由(1)至(3)中任一項所記載之聚合物層(A)、 (B)、(A’)的組合所構成之接著層來將具有表面為電路形成面及背面為電路非形成面之晶圓的前述電路形成面接合於支撐體而成的層合體，將施行加工後的晶圓從支撐體剝離的步驟(d)中，包含：(d-1)將切割膠帶接著於施行加工後的晶圓之晶圓面的步驟、(d-2)將切割膠帶面真空吸附於吸附面的步驟、(d-3)在吸附面的溫度為10~100℃的溫度範圍下，利用剝離法(peel off)將支撐體從加工晶圓剝離的步驟、以及(d-4)將殘留在經剝離之晶圓的電路形成面之暫時性接著材層進行去除的步驟。
本發明之暫時性接著材層，係由於耐熱性高，因此可適用於廣泛的半導體成膜製程中，即使對於具有段差的晶圓，也可形成膜厚均一性高的接著材層，且由於該膜厚均一性而能夠容易地得到50μm以下之均勻的薄型晶圓，進而，由於可於薄型晶圓製作後，在室溫下容易地將晶圓從支撐體剝離，因此具有能將容易破裂的薄型晶圓容易地進行處理之效果。
[實施發明之最佳形態]
本發明之晶圓加工體係如第1圖所示，具備：應進行 加工的晶圓1、於晶圓1之加工時支撐晶圓1的支撐體2、以及介於此等晶圓1與支撐體2之間的暫時性接著材層3，此暫時性接著材層3係具有：熱塑性有機聚矽氧烷聚合物層(A)(第一暫時性接著層)與熱硬化性改質矽氧烷聚合物層(B)(第二暫時性接著層)，進而熱塑性有機聚矽氧烷聚合物(A’)之3層結構單元，且將第一暫時性接著層能剝離地接著於在表面具有電路面且應將其背面進行加工的晶圓之表面，並將第三暫時性接著層能剝離地接著於支撐體者。
此外，本發明之晶圓加工用構件係具有：上述支撐體2、層合於其上之熱塑性有機聚矽氧烷聚合物(A’)、熱硬化性改質矽氧烷聚合物層(B)、進一步層合於其上之熱塑性有機聚矽氧烷聚合物層(A)者，且本發明之晶圓加工用暫時性接著材，係由上述層(A)、(B)及(A’)之層合體所構成者。
以下，更詳細地說明本發明。
<暫時性接著材層> -第一暫時性接著層(A)及第三暫時性接著層(A’)/熱塑性有機聚矽氧烷聚合物層-
各暫時性接著層(A)及(A’)係含有：99.000~99.999莫耳%，較佳為99.500~99.999莫耳%之以R11R12SiO2/2所表示之矽氧烷單元(D單元)、1.000~0.001莫耳%，較佳為0.500~0.001莫耳%之以 R13R14R15SiO1/2所表示之矽氧烷單元(M單元)、以及0.000~0.500莫耳%，較佳為0.000~0.100莫耳%之以R16SiO3/2所表示之矽氧烷單元(T單元)，且重量平均分子量為200,000~1,000,000，進而分子量740以下之低分子量成分為0.5質量%以下之非反應性有機聚矽氧烷之層，且(A)及(A’)係可為相同或相異。
於上述中，有機取代基R11、R12、R13、R14、R15及R16係為非取代或取代之碳原子數1~10之1價烴基，具體而言，係甲基、乙基、n-丙基、異丙基、n-丁基、t-丁基、n-戊基、環戊基、n-己基等之烷基、環己基等之環烷基、苯基、甲苯基等之芳基等的烴基、此等之氫原子的一部分或全部為被鹵原子所取代之基，較佳為甲基及苯基。
該有機聚矽氧烷之分子量，係依照利用GPC(凝膠滲透層析法)，並藉由聚苯乙烯標準物質所製作出的檢量線而得到的重量平均分子量(於本說明書中，「重量平均分子量」乃此意)之值，重量平均分子量為200,000以上，更佳為350,000以下，且為1,000,000以下，更佳為800,000以下，進而，分子量740以下之低分子量成分的含量為0.5質量%以下，更佳為0.1質量%以下。
於該有機聚矽氧烷中，重量平均分子量低於200,000時，會有無法承受用以將晶圓薄型化之研削步驟的情況。另一方面，於重量平均分子量超過1,000,000時，會有在步驟結束後之洗淨步驟中無法洗淨的情況。
另一方面，對於貫穿電極形成中之熱處理或形成於晶 圓背面的凸塊電極之熱處理，若分子量為740以下之低分子量成分係含有超過0.5質量%，則無法得到充分的耐熱性。
進而，D單元係構成樹脂中之99.000~99.999莫耳%，於未達99.000莫耳%時，無法承受用以晶圓薄型化的研削步驟，若超過99.999莫耳%，則會有在步驟結束之後無法進行與晶圓之剝離的情況。
M單元，係除了用來將以D單元為主成分的樹脂末端的活性基封止之外，還被使用來調整其分子量。
此熱塑性有機聚矽氧烷層，係預先作成薄膜，並使用輥式層疊機等來將該薄膜貼合於晶圓而使用，或將其溶液藉由旋轉塗佈、輥式塗佈等之方法來形成於晶圓上而使用皆可。於藉由旋轉塗佈等之方法而將該(A)層形成於晶圓上的情況，或者是將(A’)層形成於支撐體或B層上的情況中，雖以將樹脂作為溶液而進行塗佈者為佳，但於此情況中，適合使用戊烷、己烷、環己烷、癸烷、異十二烷、檸檬烯等之烴系溶劑。此外，於該熱塑性有機聚矽氧烷聚合物溶液中，係可為了提昇耐熱性而添加眾所周知的抗氧化材料。此外，該(A)層或(A’)層，係分別以膜厚0.1~10μm之間形成而被使用。較0.1μm更薄時，會有無法覆蓋裝置晶圓之段差，或無作為薄膜之耐久性的情況，另一方面，若較10μm更厚，則會產生無法承受形成薄型晶圓時之研削步驟的情況。另外，為了更加提高耐熱性，亦可於該熱塑性矽氧烷中，相對於非反應性有機聚矽 氧烷100質量份添加50質量份以下之二氧化矽等的填料。
-第二暫時性接著層(B)/熱硬化性改質矽氧烷聚合物層-
將以一般式(1)或者是(2)中任一者所表示之熱硬化性改質矽氧烷聚合物為主成分之熱硬化性組成物的硬化物之層，作為暫時性接著層(B)來使用。
一般式(1)之聚合物：
具有以下述一般式(1)所表示之重複單元的重量平均分子量為3,000~500,000之含矽伸苯基之高分子化合物。
[式中，R1~R4係表示可相同或相異之碳原子數1~8的烷基、芳基等之1價烴基；此外，m為1~100之整數，A為正數，B為0或正數；X係以下述一般式(3)所表示之2價之有機基； (式中，Z為由 中任一者所選出之2價之有機基，n為0或1；此外，R5、R6係各自為碳原子數1~4之烷基或烷氧基，且彼此可為相同或相異；k為0、1、2中任一者)]。
此時，就R1~R4之具體例而言，係可列舉：甲基、乙基、苯基等，m係較佳為3~60，更佳為8~40之整數。此外，B/A係0~20，特別是0.5~5。
一般式(2)之聚合物：
具有以下述一般式(2)所表示之重複單元的重量平均分子量為3,000~500,000之含環氧基之聚矽氧高分子化合物。
[式中，R1~R4係表示可相同或相異之碳原子數1~8的烷基、芳基等之1價烴基；此外，m為1~100之整數，a、b、c、d為0或正數，惟，c及d不能同時為0，且0<(c+d)/(a+b+c+d)≦1.0，較佳為；0.1≦(c+d)/(a+b+c+d)≦0.8。進而，X為以下述一般式(3)所表示 之2價之有機基，Y為以下述一般式(4)所表示之2價之有機基； (式中，Z為由 中任一者所選出之2價之有機基，n為0或1；此外，R5、R6係各自為碳原子數1~4之烷基或烷氧基，且彼此可為相同或相異；k為0、1、2中任一者) (式中，V為由 中任一者所選出之2價之有機基，p為0或1；此外，R7、R8係各自為碳原子數1~4之烷基或烷氧基，且彼此可為相同或相異；h為0、1、2中任一者)]。
此時，R1~R4、m之具體例係與上述相同。
以此等式(1)或者是(2)之熱硬化性改質矽氧烷聚合物為主成分的熱硬化性組成物，係為了使其熱硬化而含有由經藉由甲醛或甲醛-醇而改質的胺縮合物、三聚氰胺樹脂、脲樹脂、平均1分子中具有2個以上之羥甲基或烷氧基羥甲基之酚化合物、以及平均1分子中具有2個以上之環氧基之環氧化合物中所選出之任1種以上的交聯劑。
特別是可含有2官能、3官能、4官能以上之多官能交聯劑、尤其是環氧樹脂，例如，日本化藥(股)製之EOCN-1020、EOCN-102S、XD-1000、NC-2000-L、EPPN-201、GAN、NC6000或如下述式般之交聯劑。
相對於上述熱硬化性改質矽氧烷聚合物100質量份，交聯劑之調配量係0.1~50質量份，較佳為0.1~30質量份，更佳為1~20質量份，亦可混合2種或3種以上加以調配。
此外，於此組成物中，係能相對於上述熱硬化性改質矽氧烷聚合物100質量份而含有10質量份以下之如酸酐之類的硬化觸媒者。
另一方面，此組成物係可藉由薄膜而形成於在晶圓上所形成的(A)層或者是在支撐體上所形成的(A’)層中 任一者之上。此外，亦可將此組成物溶解於溶劑中並加以塗佈，具體而言，係藉由旋轉塗佈、輥式塗佈、模具塗佈等的方法而形成於(A)層上，或者是(A’)層上。於該情況中，係可列舉例如：作為溶劑之環己酮、環戊酮、甲基-2-n-戊基酮等之酮類；3-甲氧基丁醇、3-甲基-3-甲氧基丁醇、1-甲氧基-2-丙醇、1-乙氧基-2-丙醇等之醇類；丙二醇單甲基醚、乙二醇單甲基醚、丙二醇單乙基醚、乙二醇單乙基醚、丙二醇二甲基醚、二乙二醇二甲基醚等之醚類；丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單***乙酸酯、乳酸乙酯、丙酮酸乙酯、乙酸丁酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、乙酸tert-丁酯、丙酸tert-丁酯、丙二醇單-tert-丁基醚乙酸酯、γ-丁內酯等之酯類，可將此等中之1種單獨使用或將2種以上合併使用。
另外，為了更加提高耐熱性，亦可於組成物中，相對於熱硬化性改質矽氧烷聚合物100質量份而添加50質量份以下之眾所周知的抗氧化劑、二氧化矽等之填料。
暫時性接著層(B)係以在硬化時之膜厚為10~200μm，較佳為20~120μm下進行成膜者較佳。於膜厚為未達10μm時，並無法充分承受晶圓薄型化之研削步驟，於超過200μm時，係在TSV形成步驟等之熱處理步驟中產生樹脂變形，而產生在實際使用中無法承受的情況。
<薄型晶圓之製造方法>
本發明之薄型晶圓之製造方法，其特徵為使用由前述 (A)、(B)、(A’)之3層所構成的暫時性接著材層或其單元者作為具有半導體電路等之晶圓和支撐體之間的接著層。藉由本發明之製造方法所得到的薄型晶圓之厚度，典型而言係為5~300μm，更典型而言係為10~100μm。
本發明之薄型晶圓之製造方法係具有：(a)~(e)之步驟。
[步驟(a)]
步驟(a)係透過由上述(A)、(B)、(A’)之3層所構成之暫時性接著材層，來將具有表面為電路形成面及背面為電路非形成面的晶圓之電路形成面與支撐體進行接合的步驟。具有電路形成面及電路非形成面之晶圓，係其中一面為電路形成面，而另一面為電路非形成面之晶圓。一般而言，可適用本發明之晶圓為半導體晶圓。就該半導體晶圓之例而言，不僅是矽晶圓，也可列舉：鍺晶圓、鎵-砷晶圓、鎵-磷晶圓、鎵-砷-鋁晶圓等。該晶圓之厚度雖無特別限制，但典型而言係600~800μm，更典型而言係625~775μm。
就支撐體而言，雖可使用矽晶圓或玻璃、石英晶圓等之基板，但並無限制。於本發明中，係不需要透過支撐體來對暫時性接著材層照射放射能量線，故支撐體無須具有光線穿透性。
暫時性接著層(A)、(B)、(A’)係可各自為薄 膜，並形成於晶圓或支撐體者，或者是，可將各自的溶液藉由旋轉塗佈等之方法來形成於晶圓或支撐體者。此時，因應於旋轉塗佈後，該溶劑之揮發條件，而在80~180℃之溫度下，事先進行預烘烤後，以供使用。進而，(A)、(B)、(A’)亦可事先使其薄膜彼此貼合之後，將(A)設於晶圓側、(A’)設於支撐體側而供接合者。
形成有(A)層、(B)層、(A’)層的晶圓及支撐體係透過(A)、(B)及(A’)層，而形成經接合而成的基板。此時，在較佳為40~230℃，更佳為40~200℃之溫度區域中，在該溫度下且減壓下，將該基板均勻地壓著，藉此而形成將晶圓與支撐體作了接合的晶圓加工體(層合體基板)。
就使晶圓貼合的裝置而言，係可列舉：市售之晶圓接合裝置，例如：EVG公司之EVG520IS、850TB；SUSS公司之XBC300等。
[步驟(b)]
步驟(b)係將與支撐體接合後的晶圓之電路非形成面進行研削的步驟，亦即，將在步驟(a)中使其貼合而得到的晶圓加工體之晶圓背面側進行研削，而將該晶圓之厚度削薄的步驟。對晶圓背面之研削加工的方式並無特別限制，可採用周知的研削方式。研削係以一邊於晶圓與磨石(金鋼石等)澆水冷卻一邊進行者為佳。就將晶圓背面 進行研削加工的裝置而言，係可列舉例如：(股)DISCO製DAG-810(商品名)等。
[步驟(c)]
步驟(c)係將電路非形成面加以研削而成之晶圓加工體，亦即，藉由背面研削而於經薄型化的晶圓加工體之電路非形成面施行加工的步驟。於此步驟中係包含於晶圓級(Wafer level)中所使用的各種製程。例如可列舉：電極形成、金屬配線形成、保護膜形成等。更具體而言，可列舉：用以形成電極等之金屬濺鍍、將金屬濺鍍層予以蝕刻之濕蝕刻、由用以作為金屬配線形成之遮罩的光阻之塗佈、曝光及顯像所致之圖型的形成、光阻之剝離、乾蝕刻、金屬鍍敷之形成、用以形成TSV之矽蝕刻、矽表面之氧化膜形成等之以往周知的製程。
[步驟(d)]
步驟(d)係將在步驟(c)中施以加工後的晶圓從晶圓加工體剝離的步驟，亦即，於經薄型化的晶圓施以各種的加工之後，於進行切割之前從晶圓加工體剝離的步驟。就剝離方法而言，可列舉：主要是藉由將晶圓與支撐體一邊進行加熱(較佳為200~250℃)，一邊使其沿著水平方向朝相反方向滑動而將兩者分離的方法、將晶圓加工體之晶圓或支撐體其中一方水平固定，將另一方從水平方向以特定角度抬起的方法、以及將保護薄膜貼附於經研削的晶 圓之研削面，並利用剝離方式來將晶圓與保護薄膜從晶圓加工體予以剝離的方法等。
於本發明中，雖可適用於此等所有之剝離方法，但以將晶圓加工體之晶圓或支撐體的其中一方水平固定，將另一方從水平方向以特定角度抬起的方法、以及將保護薄膜貼附於經研削的晶圓之研削面，並利用剝離方式來將晶圓與保護薄膜予以剝離的方法等較為適合。此等之剝離方法一般係於室溫下實施。
[步驟(e)]
步驟(e)係於在經剝離的晶圓之電路形成面局部殘留暫時性接著層(A)的情況下，將其進行去除的步驟。於藉由步驟(d)而從支撐體剝離後的晶圓之電路形成面，會有局部殘留暫時性接著層(A)的情況，此(A)之去除係可藉由例如將晶圓洗淨來進行。
於步驟(e)中，只要是如將暫時性接著材層中之(A)層，即熱塑性有機聚矽氧烷溶解般的洗淨液皆可使用，具體而言，係可列舉：戊烷、己烷、環己烷、癸烷、異十二烷、檸檬烯等。此等之溶劑係可1種單獨，或將2種以上組合使用皆可。此外，於難以去除的情況下，係亦可於上述溶劑中添加鹼類、酸類。就鹼類之例而言，係可使用乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、三乙胺、氨等之胺類、四甲基銨氫氧化物等之銨鹽類。就酸類而言，係可使用乙酸、草酸、苯磺酸、十二烷基苯磺酸等之有機酸。添 加量係以洗淨液中濃度計為0.01~10質量%，較佳為0.1~5質量%。此外，為了使殘留物的去除性提昇，亦可添加現有之界面活性劑。就洗淨方法而言，係可為使用上述液而進行利用盛液法之洗淨的方法、利用噴灑噴霧法之洗淨方法、浸漬於洗淨液槽之方法。溫度係適合以10~80℃，較佳為15~65℃，且若有需要亦可在此等溶解液中將(A)層溶解之後，最後進行水洗或者是由醇所進行之水洗，並經乾燥處理，而得到薄型晶圓。
於此情況中，特別是以於自透過上述聚合物層(A)、(B)、(A’)的組合所構成之接著層來將具有表面為電路形成面及背面為電路非形成面之晶圓的前述電路形成面接合於支撐體而成的層合體，將施行加工後的晶圓從支撐體剝離的步驟(d)中，藉由：(d-1)將切割膠帶接著於施行加工後的晶圓之晶圓面的步驟、(d-2)將切割膠帶面真空吸附於吸附面的步驟、(d-3)在吸附面的溫度為10~100℃之溫度範圍下，利用剝離法(peel off)將支撐體從加工晶圓剝離的步驟、以及(d-4)將殘留在經剝離之晶圓的電路形成面之暫時性接著材層進行去除的步驟來進行者為佳。
[實施例]
以下，雖將實施例和比較例作展示，而具體說明本發明，但本發明並不受限於下述之實施例。
[樹脂合成例1]
將1,000g(3.38莫耳)之八甲基環四矽氧烷及0.24g(0.0015莫耳)之六甲基二矽氧烷裝入四口燒瓶中，並將溫度保持在110℃。接著，於其中添加4g之10質量%四丁基鏻氫氧化矽酸酯，耗費4小時進行聚合，之後，在160℃下2小時，進行後處理，而得到二甲基聚矽氧烷。
將此二甲基聚矽氧烷利用29Si-NMR法來調查D單元與M單元之比例時，鑑定出：D單元為99.978%、M單元為0.022%，且聚合度約為9,000之下述結構的二甲基聚矽氧烷。
將500g之此二甲基聚矽氧烷溶解於500g之己烷，之後，將其投入2L之丙酮中，並將所析出之樹脂予以回收，然後，在真空下將己烷等去除，而得到分子量740以下之低分子量成分為0.05質量%，重量平均分子量為700,000之二甲基聚矽氧烷聚合物。將20g之此聚合物溶解於80g之異十二烷中，利用0.2μm之薄膜過濾器進行過濾，而得到二甲基聚矽氧烷聚合物之異十二烷溶液(A-1)。
[樹脂合成例2]
將1,000g(3.38莫耳)之八甲基環四矽氧烷及0.93g(0.003莫耳)之參(三甲基矽氧)甲矽烷裝入四口燒瓶中，並將溫度保持在110℃。接著，於其中添加4g之10質量%四丁基鏻氫氧化矽酸酯，耗費4小時進行聚合，之後，在160℃下2小時，進行後處理，而得到二甲基聚矽氧烷。
將此二甲基聚矽氧烷利用29Si-NMR法來調查D單元、M單元、T單元之各自的比例時，鑑定出：D單元為99.911%、M單元為0.067%、T單元為0.022%，且為下述結構的分支狀之二甲基聚矽氧烷。
將500g之此分支狀二甲基聚矽氧烷溶解於500g之己烷，之後，將其投入2L之丙酮中，將所析出之樹脂予以回收，然後，在真空下將己烷等去除，而得到分子量740以下之低分子量成分為0.07質量%，且重量平均分子量為400,000之二甲基聚矽氧烷聚合物。將20g之此聚合物溶解於80g之異十二烷中，並利用0.2μm之薄膜過濾器進行過濾，而得到二甲基聚矽氧烷聚合物之異十二烷溶液(A-2)。
[樹脂合成例3]
將43.1g之9,9’-雙(3-丙烯基-4-羥苯基)茀(M-1)、29.5g之以平均結構式(M-3)所表示的有機氫矽氧烷、135g之甲苯、0.04g之氯鉑酸，裝入具備有攪拌機、溫度計、氮置換裝置及迴流冷卻器的燒瓶內，昇溫至80℃。然後，耗費1小時將17.5g之1,4-雙(二甲基矽烷基)苯(M-5)滴入燒瓶內。此時，燒瓶內溫度係上昇至85℃。於滴下結束後，進一步在80℃下經過2小時熟成之後，在將甲苯餾除的同時，添加80g之環己酮，而得到將樹脂固體成分濃度50質量%之環己酮作為溶劑的樹脂溶液。若藉由GPC來測量此溶液之樹脂份的分子量，則為在聚苯乙烯換算下重量平均分子量為45,000。此外，於一般式(1)中，A=0.9、B=0.1。進而，於50g之此樹脂溶液中，添加5g之六甲氧基羥甲基三聚氰胺((股)SANWA CHEMICAL CO.,LTD製，NIKALAC MW-390)、0.2g之雙(t-丁基磺醯基)重氮甲烷(和光純藥工業(股)製、BSDM)，利用0.2μm之薄膜過濾器進行過濾，而得到樹脂溶液(B-1)。
[樹脂合成例4]
將396.9g之化合物(M-1)、45.0g之化合物(M-2)於1,875g之甲苯中溶解後，將1,269g之化合物(M-3)、6.1g之化合物(M-4)添加於具備有攪拌機、溫度計、氮置換裝置及迴流冷卻器的5L燒瓶內，加溫至60 ℃。然後，投入2.2g之碳支撐式鉑觸媒(5質量%)，並在確認內部反應溫度昇溫至65~67℃之後，進一步，在以3小時加溫至90℃之後，再度冷卻至60℃，投入2.2g之碳支撐式鉑觸媒(5質量%)，並耗費1小時將107.3g之化合物(M-5)滴入燒瓶內。此時，燒瓶內溫度係上昇至78℃。於滴下結束後，進一步，在90℃下經過3小時熟成，接著冷卻至室溫之後，添加1,700g之甲基異丁基酮(MIBK)，並利用過濾器來將本反應溶液進行加壓過濾，藉以排除鉑觸媒。進而，於所得到之高分子化合物溶液中添加760g之純水，進行攪拌、靜置分液，將下層之水層去除。重複此分液水洗操作6次，而排除高分子化合物溶液中之微量酸成分。在將此樹脂溶液中之溶劑進行減壓餾去的同時，添加950g之環戊酮，而得到將固體成分濃度60質量%之環戊酮作為溶劑的樹脂溶液。若藉由GPC來測量此樹脂溶液中之樹脂的分子量，則為在聚苯乙烯換算下重量平均分子量為62,000，且於式(2)中之(c+d)/(a+b+c+d)為0.10。進一步於該樹脂溶液100g中添加15g之甲酚酚醛清漆之環氧基體(日本化藥(股)製、EOCN1020-55)、0.2g之四氫苯二甲酸酐(新日本理化(股)製、RIKACID HH-A)，利用0.2μm之薄膜過濾器進行過濾，而得到樹脂溶液(B-2)。於式(2)中，以依據原料之莫耳比計算，a=0.49、b=0.41、c=0.05、d=0.05。
[樹脂薄膜製作例1]
使用刮刀來將在樹脂合成例1所作成的樹脂溶液(A-1)塗佈於厚度38μm之PET(聚對苯二甲酸乙二酯)薄片上，然後，利用100℃之乾燥機進行30分鐘加熱，而於PET薄片上形成具有5μm之熱塑性聚有機矽氧烷層的薄膜。進一步，使用刮刀來將在樹脂合成例4製作出的樹脂溶液(B-2)塗佈於此聚有機矽氧烷層上，然後，利用90℃之乾燥機進行30分鐘加熱，2層貼合於PET薄片上，而得到形成有厚度70μm之樹脂層的薄膜(B-3)。
[實施例1~3及比較例1、2] 實施例1：
於在表面全面形成有高度10μm、直徑40μm的銅桿之200mm矽晶圓(厚度：725μm)，利用旋轉塗佈法來將(A-1)層以表1所示的膜厚，成膜於晶圓凸緣形成面。
另一方面，將直徑200mm(厚度：500μm)之玻璃板作為支撐體，首先，利用旋轉塗佈法來將(A-1)層塗佈於此支撐體上，進一步，利用旋轉塗佈法來將(B-1)層形成於此(A-1)層之上的方法，藉此而形成聚有機矽氧烷層(A’)層與熱硬化性改質矽氧烷層(B)層之2層。此時，於任何情況中，皆能在塗佈樹脂後，在加熱板上以120℃進行加熱處理2分鐘。
在表1中所示的條件下，以樹脂面分別相合的方式來使具有此樹脂層的矽晶圓及玻璃板，在真空貼合裝置內進行貼合，而製作出層合體(壓著條件)。
另外，在此，為了以目視判別基板接著後之異常而使用了玻璃板作為支撐體，但亦可使用晶圓等之不讓光透過的基板。
其後，進行下述試驗。將結果展示於表1中。
實施例2：
於實施例1中，除了使用(A-2)作為(A)層，(B-2)作為B層，而作成表1所記載的厚度以外，其他與實 施例1進行相同的處理，製作出層合體。
實施例3：
由B層與A’層所構成的薄膜(B-3)係使用真空層疊機(Takatori製、TEAM-100)，在晶圓階段溫度100℃、100Pa之真空下，以使聚有機矽氧烷層相接於玻璃支撐體地進行層疊，然後放置10秒鐘之後，予以大氣開放，而將表1之膜厚的薄膜予以成型。
接著，與實施例1相同地於A層進行層合，製作出層合體。
比較例1：
除不形成B層以外，其他與實施例1進行相同的處理，製作出層合體。
比較例2：
除於實施例1之晶圓上，直接形成有(B)層以外，其他與實施例1進行相同的處理，製作出層合體。
-接著性試驗-
200mm之晶圓接合，係使用EVG公司之晶圓接合裝置EVG520IS來進行。在接合溫度為表1中所記載之值、接合時之腔內壓力為10-3mbar以下，荷重為5kN下實施。接合後，暫時在180℃下使用烘箱1小時來將基板加 熱，在實施了B層之硬化之後，利用以下的方法來確認冷卻至室溫之後的界面之接著狀態，而判定出其優劣。
首先，以目視確認在界面之氣泡(空隙)等的異常之有無，視可看見氣泡的情況為不良。此外，利用TTV(Total Thickness Variation)測量裝置(Frontier Semiconductor公司製FSM 413EC-MOT-300)來測量層合晶圓中之樹脂總厚度，並判定出其分布相對於中心膜厚於5%以內的情況視為良好，超過5%的情況視為不良。
-背面研削耐性試驗-
利用研磨機(DISCO製，DAG810)，使用金鋼石磨石來進行矽晶圓之背面研削。進行研磨直至最終基板厚度50μm為止，之後，利用光學顯微鏡(100倍)來檢查有無龜裂、剝離等之異常。將無異常發生的情況評價為良好並以「○」表示，而將有異常發生的情況評價為不良並以「×」作表示。
-耐熱性試驗-
將經矽晶圓背面研削之後的層合體，放入氮環境下之250℃烘箱中2小時，之後，檢查在270℃之加熱板上加熱10分鐘之後有無外觀異常。在270℃下發生了異常的情況中，進一步在300℃下進行10分鐘的追加加熱，針對其耐熱性而加以評估。將各步驟為合格的溫度記載為250℃、270℃、300℃。此外，將270℃之步驟合格後者判定為良 好。
-剝離性試驗-
基板之剝離性，使用切割框架來將切割膠帶貼附於薄型化至50μm後之晶圓側，並將此切割膠帶面予以真空吸著，藉此而設置於吸著板。然後，在室溫下，利用小鑷子來將玻璃的1處夾起，藉以將玻璃基板剝離。將可不弄破50μm之晶圓而剝離的情況評估為良好，將有破裂等之異常發生的情況評估為不良。
-洗淨去除性試驗-
將透過上述剝離試驗結束後之切割膠帶而安裝於切割框架的200mm晶圓(通過耐熱性試驗條件者)，以接著層為上來設置於旋轉塗佈機，以異十二烷作為洗淨溶劑進行3分鐘噴霧，之後，一邊使晶圓旋轉一邊將異丙醇(IPA)以噴霧的方式進行水洗。然後，以目視觀察外觀而確認有無殘留的接著材樹脂。將未確認有樹脂之殘存者評估為合格。於此情況的基準，在3分鐘後仍殘留殘渣的情況中，進一步追加2分鐘洗淨，進行相同地觀察。將能以5分鐘以內洗淨的情況判斷為良好。
1‧‧‧晶圓
2‧‧‧支撐體
3‧‧‧暫時性接著材層
(A)‧‧‧熱塑性有機聚矽氧烷聚合物層(第一暫時性接著層)
(B)‧‧‧熱硬化性改質矽氧烷聚合物層(第二暫時性 接著層)
(A’)‧‧‧熱塑性有機聚矽氧烷聚合物層(第三暫時性接著層)
[第1圖]係展示本發明之晶圓加工體的一例之剖面圖。
1‧‧‧晶圓
2‧‧‧支撐體
3‧‧‧暫時性接著材層
(A)‧‧‧熱塑性有機聚矽氧烷聚合物層(第一暫時性接著層)
(B)‧‧‧熱硬化性改質矽氧烷聚合物層(第二暫時性接著層)
(A’)‧‧‧熱塑性有機聚矽氧烷聚合物層(第三暫時性接著層)

Claims (12)

  1. 一種晶圓加工體，其係於支撐體上形成有暫時性接著材層，且於暫時性接著材層上，層合有於表面具有電路面且應將其背面進行加工的晶圓而成之晶圓加工體，其特徵為上述暫時性接著材層係具備有：具有第一暫時性接著層、第二暫時性接著層以及第三暫時性接著層之3層結構的複合暫時性接著層單元；該第一暫時性接著層，係由能剝離地接著於上述晶圓的表面之熱塑性有機聚矽氧烷聚合物層(A)所構成；該第二暫時性接著層，係由層合於該第一暫時性接著層之熱硬化性改質矽氧烷聚合物層(B)所構成；該第三暫時性接著層，係由層合於該第二暫時性接著層且能剝離地接著於支撐體之熱塑性有機聚矽氧烷聚合物層(A’)所構成。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之晶圓加工體，其中第一及第三聚合物層(A)及(A’)係為含有：99.000~99.999莫耳%之以R11R12SiO2/2所表示之矽氧烷單元(D單元)、1.000~0.001莫耳%之以R13R14R15SiO1/2所表示之矽氧烷單元(M單元)、以及0.000~0.500莫耳%之以R16SiO3/2所表示之矽氧烷單元(T單元)(其中，R11、R12、R13、R14、R15、R16係各自表示非取代或取代之1價烴基)，且重量平均分子量為200,000~1,000,000，進而分子量740以下之低分子量成分為0.5質量%以下之非反應性有機聚矽氧烷層。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所記載之晶圓加工體，其中聚合物層(B)係為下述組成物之硬化物層，該組成物係相對於熱硬化性改質矽氧烷聚合物100質量份而含有0.1~50質量份之由經藉由甲醛或甲醛-醇而改質的胺縮合物、三聚氰胺樹脂、脲樹脂、平均1分子中具有2個以上之羥甲基或烷氧基羥甲基之酚化合物、以及平均1分子中具有2個以上之環氧基之環氧化合物中所選出之任1種以上作為交聯劑的組成物；該熱硬化性改質矽氧烷聚合物，係由具有以下述一般式(1)所表示之重複單元的重量平均分子量為3,000~500,000之含矽伸苯基之高分子化合物、或具有以下述一般式(2)所表示之重複單元的重量平均分子量為3,000~500,000之含環氧基之聚矽氧高分子化合物所構成： [式中，R1~R4係表示可相同或相異之碳原子數1~8的1價烴基；此外，m為1~100之整數，A為正數，B為0或正數；X係以下述一般式(3)所表示之2價之有機基； (式中，Z為由 中任一者所選出之2價之有機基，n為0或1；此外，R5、R6係各自為碳原子數1~4之烷基或烷氧基，且彼此可為相同或相異；k為0、1、2中任一者)] [式中，R1~R4係表示可相同或相異之碳原子數1~8的1價烴基；此外，m為1~100之整數，a、b、c、d為0或正數，惟，c及d不能同時為0，且0<(c+d)/(a+b+c+d)≦1.0；進而，X為以下述一般式(3)所表示之2價之有機基，Y為以下述一般式(4)所表示之2價之有機基； (式中，Z為由 中任一者所選出之2價之有機基，n為0或1；此外，R5、R6係各自為碳原子數1~4之烷基或烷氧基，且彼此可為相同或相異；k為0、1、2中任一者) (式中，V為由 中任一者所選出之2價之有機基，p為0或1；此外，R7、R8係各自為碳原子數1~4之烷基或烷氧基，且彼此可為相同或相異；h為0、1、2中任一者)]。
  4. 一種晶圓加工用構件，其係於支撐體上形成有暫時性接著材層，且於暫時性接著材層上，暫時接著有於表面具有電路面且應將其背面進行加工的晶圓之晶圓加工用構件，其特徵為上述暫時接著材係具備有：第三暫時性接著層、第二暫時性接著層以及第一暫時性接著層；該第三暫時性接著層，係由能剝離地接著於上述支撐體之熱塑性有機聚矽氧 烷聚合物層(A’)所構成；該第二暫時性接著層，係由層合於該接著層上之熱硬化性改質矽氧烷聚合物層(B)所構成；進而該第一暫時性接著層，係由層合於該第二暫時性接著層上，且能剝離地接著於上述晶圓的表面之熱塑性有機聚矽氧烷聚合物層(A)所構成。
  5. 如申請專利範圍第4項所記載之晶圓加工用構件，其中第一及第三聚合物層(A)及(A’)係為含有：99.000~99.999莫耳%之以R11R12SiO2/2所表示之矽氧烷單元(D單元)、1.000~0.001莫耳%之以R13R14R15SiO1/2所表示之矽氧烷單元(M單元)、以及0.000~0.500莫耳%之以R16SiO3/2所表示之矽氧烷單元(T單元)(其中，R11、R12、R13、R14、R15、R16係各自表示非取代或取代之1價烴基)，且重量平均分子量為200,000~1,000,000，進而分子量740以下之低分子量成分為0.5質量%以下之非反應性有機聚矽氧烷層。
  6. 如申請專利範圍第4項或第5項所記載之晶圓加工用構件，其中聚合物層(B)係為下述組成物之硬化物層，該組成物係相對於熱硬化性改質矽氧烷聚合物100質量份而含有0.1~50質量份之由經藉由甲醛或甲醛-醇而改質的胺縮合物、三聚氰胺樹脂、脲樹脂、平均1分子中具有2個以上之羥甲基或烷氧基羥甲基之酚化合物、以及平均1分子中具有2個以上之環氧基之環氧化合物中所選出之任1種以上作為交聯劑的組成物；該熱硬化性改質矽氧烷聚合物，係由具有以下述一般式(1)所表示之重複單 元的重量平均分子量為3,000~500,000之含矽伸苯基之高分子化合物、或具有以下述一般式(2)所表示之重複單元的重量平均分子量為3,000~500,000之含環氧基之聚矽氧高分子化合物所構成： [式中，R1~R4係表示可相同或相異之碳原子數1~8的1價烴基；此外，m為1~100之整數，A為正數，B為0或正數；X係以下述一般式(3)所表示之2價之有機基； (式中，Z為由 中任一者所選出之2價之有機基，n為0或1；此外，R5、R6係各自為碳原子數1~4之烷基或烷氧基，且彼此可為相同或相異；k為0、1、2中任一者)] [式中，R1~R4係表示可相同或相異之碳原子數1~8的1價烴基；此外，m為1~100之整數，a、b、c、d為0或正數，惟，c及d不能同時為0，且0<(c+d)/(a+b+c+d)≦1.0；進而，X為以下述一般式(3)所表示之2價之有機基，Y為以下述一般式(4)所表示之2價之有機基； (式中，Z為由 中任一者所選出之2價之有機基，n為0或1；此外，R5、R6係各自為碳原子數1~4之烷基或烷氧基，且彼此可為相同或相異；k為0、1、2中任一者) (式中，V為由 中任一者所選出之2價之有機基，p為0或1；此外，R7、R8係各自為碳原子數1~4之烷基或烷氧基，且彼此可為相同或相異；h為0、1、2中任一者)]。
  7. 一種晶圓加工用暫時性接著材，其係用以將於表面具有電路面且應將其背面進行加工的晶圓暫時接著於支撐體，該晶圓加工用暫時性接著材係具有：第一暫時性接著層、第二暫時性接著層以及第三暫時性接著層，該第一暫時性接著層，係由接著於上述晶圓的表面且能剝離的熱塑性有機聚矽氧烷聚合物層(A)所構成；該第二暫時性接著層，係由層合於該第一暫時性接著層之熱硬化性改質矽氧烷聚合物層(B)所構成；該第三暫時性接著層，係由層合於該第二暫時性接著層，接著於支撐體且能剝離之熱塑性有機聚矽氧烷聚合物(A’)所構成。
  8. 如申請專利範圍第7項所記載之晶圓加工用暫時性接著材，其中聚合物層(A)及(A’)係為含有：99.000~99.999莫耳%之以R11R12SiO2/2所表示之矽氧烷單元(D 單元)、1.000~0.001莫耳%之以R13R14R15SiO1/2所表示之矽氧烷單元(M單元)、以及0.000~0.500莫耳%之以R16SiO3/2所表示之矽氧烷單元(T單元)(其中，R11、R12、R13、R14、R15、R16係各自表示非取代或取代之1價烴基)，且重量平均分子量為200,000~1,000,000，進而分子量740以下之低分子量成分為0.5質量%以下之非反應性有機聚矽氧烷層。
  9. 如申請專利範圍第7項或第8項所記載之晶圓加工用暫時性接著材，其中聚合物層(B)係為下述組成物之硬化物層，該組成物係相對於熱硬化性改質矽氧烷聚合物100質量份而含有0.1~50質量份之由經藉由甲醛或甲醛-醇而改質的胺縮合物、三聚氰胺樹脂、脲樹脂、平均1分子中具有2個以上之羥甲基或烷氧基羥甲基之酚化合物、以及平均1分子中具有2個以上之環氧基之環氧化合物中所選出之任1種以上作為交聯劑的組成物；該熱硬化性改質矽氧烷聚合物，係由具有以下述一般式(1)所表示之重複單元的重量平均分子量為3,000~500,000之含矽伸苯基之高分子化合物、或具有以下述一般式(2)所表示之重複單元的重量平均分子量為3,000~500,000之含環氧基之聚矽氧高分子化合物所構成： [式中，R1~R4係表示可相同或相異之碳原子數1~8的1 價烴基；此外，m為1~100之整數，A為正數，B為0或正數；X係以下述一般式(3)所表示之2價之有機基； (式中，Z為由 中任一者所選出之2價之有機基，n為0或1；此外，R5、R6係各自為碳原子數1~4之烷基或烷氧基，且彼此可為相同或相異；k為0、1、2中任一者)] [式中，R1~R4係表示可相同或相異之碳原子數1~8的1價烴基；此外，m為1~100之整數，a、b、c、d為0或正數，惟，c及d不能同時為0，且0<(c+d)/(a+b+c+d)≦1.0；進而，X為以下述一般式(3)所表示之2價之有機基，Y為以下述一般式(4)所表示之2價之有機基； (式中，Z為由 中任一者所選出之2價之有機基，n為0或1；此外，R5、R6係各自為碳原子數1~4之烷基或烷氧基，且彼此可為相同或相異；k為0、1、2中任一者) (式中，V為由 中任一者所選出之2價之有機基，p為0或1；此外，R7、R8係各自為碳原子數1~4之烷基或烷氧基，且彼此可為相同或相異；h為0、1、2中任一者)]。
  10. 一種薄型晶圓之製造方法，其特徵為包含：(a)透過具有由申請專利範圍第1項至第3項中任 一項所記載之聚合物層(A)、(B)、(A’)所構成之3層結構的複合暫時性接著層，來將具有表面為電路形成面及背面為電路非形成面之晶圓的前述電路形成面能剝離地接合於支撐體的步驟、(b)將經與支撐體接合的晶圓之電路非形成面進行研削或研磨的步驟、(c)對晶圓之電路非形成面施行加工的步驟、(d)將施行加工後的晶圓從支撐體剝離的步驟、以及依據需要而進行(e)將殘留在經剝離之晶圓的電路形成面之暫時性接著材層進行去除的步驟。
  11. 一種薄型晶圓之製造方法，其特徵為包含：(a)於具有表面為電路形成面及背面為電路非形成面之晶圓的前述電路形成面形成如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所記載之聚合物層(A)，並且於支撐體上依序形成如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所記載之聚合物層(A’)及(B)，且將前述聚合物層(A)與聚合物層(B)進行接合的步驟、(b)將經與支撐體接合的晶圓之電路非形成面進行研削或研磨的步驟、(c)對晶圓之電路非形成面施行加工的步驟、(d)將施行加工後的晶圓從支撐體剝離的步驟、以及 依據需要而進行(e)將殘留在經剝離之晶圓的電路形成面之暫時性接著材層進行去除的步驟。
  12. 一種薄型晶圓之製造方法，其特徵為，自透過由申請專利範圍第1項至第3項中任一項所記載之聚合物層(A)、(B)、(A’)的組合所構成之接著層來將具有表面為電路形成面及背面為電路非形成面之晶圓的前述電路形成面接合於支撐體而成的層合體，將施行加工後的晶圓從支撐體剝離的步驟(d)中，包含：(d-1)將切割膠帶接著於施行加工後的晶圓之晶圓面的步驟、(d-2)將切割膠帶面真空吸附於吸附面的步驟、(d-3)在吸附面的溫度為10~100℃的溫度範圍下，利用剝離法(peel off)將支撐體從加工晶圓剝離的步驟、以及(d-4)將殘留在經剝離之晶圓的電路形成面之暫時性接著材層進行去除的步驟。
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Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8999817B2 (en) * 2012-02-28 2015-04-07 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Wafer process body, wafer processing member, wafer processing temporary adhesive material, and method for manufacturing thin wafer
JP5983519B2 (ja) * 2012-04-24 2016-08-31 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP5975528B2 (ja) * 2012-10-11 2016-08-23 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP5975918B2 (ja) * 2013-03-27 2016-08-23 富士フイルム株式会社 半導体装置製造用仮接合用積層体、および、半導体装置の製造方法
US20160225613A1 (en) * 2013-09-25 2016-08-04 Shibaura Mechatronics Corporation Substrate treatment device, peeling method for laminated substrate, and method for removing adhesive
US9315696B2 (en) * 2013-10-31 2016-04-19 Dow Global Technologies Llc Ephemeral bonding
JP6256478B2 (ja) 2013-11-26 2018-01-10 Jsr株式会社 積層体、基材の処理方法、仮固定用組成物および半導体装置
US10106713B2 (en) 2014-01-29 2018-10-23 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Wafer processing laminate, temporary adhesive material for wafer processing, and method for manufacturing thin wafer
JP6023737B2 (ja) 2014-03-18 2016-11-09 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP6583639B2 (ja) * 2014-06-10 2019-10-02 日産化学株式会社 仮接着剤を用いた積層体
JP6156443B2 (ja) 2014-08-13 2017-07-05 Jsr株式会社 積層体および基材の処理方法
JP6404787B2 (ja) * 2014-09-26 2018-10-17 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP6225894B2 (ja) * 2014-12-24 2017-11-08 信越化学工業株式会社 ウエハの仮接着方法及び薄型ウエハの製造方法
SG11201704977WA (en) * 2015-01-14 2017-07-28 Ev Group E Thallner Gmbh Method and device for detaching a substrate from a substrate stack
WO2016180456A1 (en) * 2015-05-08 2016-11-17 Imec Vzw Method for manufacturing device substrate and semiconductor device
JP6443241B2 (ja) * 2015-06-30 2018-12-26 信越化学工業株式会社 ウエハ加工用仮接着材、ウエハ加工体、及び薄型ウエハの製造方法
JP6502824B2 (ja) * 2015-10-19 2019-04-17 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP6463664B2 (ja) * 2015-11-27 2019-02-06 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体及びウエハ加工方法
US10074626B2 (en) 2016-06-06 2018-09-11 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Wafer laminate and making method
JP6791086B2 (ja) 2016-10-11 2020-11-25 信越化学工業株式会社 ウエハ積層体、その製造方法、及びウエハ積層用接着剤組成物
JP6874584B2 (ja) * 2017-08-09 2021-05-19 信越化学工業株式会社 感光性樹脂組成物、感光性樹脂皮膜、感光性ドライフィルム、積層体、及びパターン形成方法
JP6866802B2 (ja) 2017-08-09 2021-04-28 信越化学工業株式会社 シリコーン骨格含有高分子化合物、感光性樹脂組成物、感光性樹脂皮膜、感光性ドライフィルム、積層体、及びパターン形成方法
JP6870657B2 (ja) 2018-05-17 2021-05-12 信越化学工業株式会社 感光性樹脂組成物、感光性ドライフィルム、及びパターン形成方法
JP7035915B2 (ja) * 2018-09-03 2022-03-15 信越化学工業株式会社 薄型ウエハの製造方法
US11548985B2 (en) 2018-11-28 2023-01-10 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Siloxane polymer containing isocyanuric acid and polyether skeletons, photosensitive resin composition, pattern forming process, and fabrication of opto-semiconductor device
JP7056541B2 (ja) 2018-12-19 2022-04-19 信越化学工業株式会社 感光性樹脂組成物、感光性ドライフィルム及びパターン形成方法
KR20230087509A (ko) * 2020-10-16 2023-06-16 브레우어 사이언스, 인코포레이션 웨이퍼-수준 패키징 적용을 위한 광자 디본딩
CN115939017A (zh) * 2023-03-02 2023-04-07 广东海拓创新技术有限公司 一种半导体临时键合设备

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2805741B2 (ja) * 1992-12-04 1998-09-30 宇部興産株式会社 耐熱性接着剤組成物
TW334469B (en) * 1995-08-04 1998-06-21 Doconitele Silicon Kk Curable organosiloxane compositions and semiconductor devices
US6325885B1 (en) * 1997-08-11 2001-12-04 Vicki L. Harrison Temporary pressure-sensitive adhesive
US6512037B1 (en) * 2001-06-06 2003-01-28 Dow Corning Corporation Silicone composition and cured silicone product
JP4565804B2 (ja) 2002-06-03 2010-10-20 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 被研削基材を含む積層体、その製造方法並びに積層体を用いた極薄基材の製造方法及びそのための装置
US7534498B2 (en) 2002-06-03 2009-05-19 3M Innovative Properties Company Laminate body, method, and apparatus for manufacturing ultrathin substrate using the laminate body
JP4170839B2 (ja) 2003-07-11 2008-10-22 日東電工株式会社 積層シート
JP4381860B2 (ja) * 2004-03-24 2009-12-09 日東電工株式会社 補強半導体ウエハに固定された補強板の分離方法およびその装置
EP1854136A1 (en) 2005-03-01 2007-11-14 Dow Corning Corporation Temporary wafer bonding method for semiconductor processing
JP2006328104A (ja) 2005-05-23 2006-12-07 Jsr Corp 接着剤組成物
JP5027460B2 (ja) * 2006-07-28 2012-09-19 東京応化工業株式会社 ウエハの接着方法、薄板化方法、及び剥離方法
DE102006048216A1 (de) * 2006-10-11 2008-04-17 Wacker Chemie Ag Laminate mit thermoplastischen Polysiloxan-Harnstoff-Copolymeren
JP4336999B2 (ja) * 2007-01-31 2009-09-30 信越化学工業株式会社 シルフェニレン骨格含有高分子化合物及び光硬化性樹脂組成物並びにパターン形成方法及び基板回路保護用皮膜
KR100844383B1 (ko) 2007-03-13 2008-07-07 도레이새한 주식회사 반도체 칩 적층용 접착 필름
KR100963675B1 (ko) 2008-03-14 2010-06-15 제일모직주식회사 반도체 패키징용 복합기능 테이프 및 이를 이용한 반도체소자의 제조방법
JP5413340B2 (ja) * 2009-09-30 2014-02-12 信越化学工業株式会社 エポキシ基含有高分子化合物、これを用いた光硬化性樹脂組成物、パターン形成方法及び電気・電子部品保護用皮膜
US9263314B2 (en) 2010-08-06 2016-02-16 Brewer Science Inc. Multiple bonding layers for thin-wafer handling
JP5348147B2 (ja) * 2011-01-11 2013-11-20 信越化学工業株式会社 仮接着材組成物、及び薄型ウエハの製造方法

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