TWI524596B - Antenna device and communication device - Google Patents
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Description
本發明係關於一種藉由在與發射磁場之發射器之間產生之電磁感應成為可通訊狀態之天線裝置及組裝有該天線裝置之通訊裝置。
本申請係以2009年7月28日在日本申請之日本發明專利申請特願2009-175751號為基礎主張優先權,參照該等申請並將其內容援引至本申請。
近年來,藉由電磁感應收發訊號之非接觸通訊技術已確立,利用為交通系統車票或電子貨幣之傾向逐漸增加。又,此種非接觸通訊功能亦有裝載於行動電話之傾向,因而期待今後之蓬勃發展。不僅以電磁感應進行之近接通訊,在物流可相隔數m之距離讀寫之IC標籤亦已產品化。又,此種非接觸通訊技術不僅能以非接觸方式進行通訊,亦可同時進行電力傳送,因此亦可構裝於本身不具備電池等電源之IC卡。
適用此種非接觸通訊之通訊系統中,為了在讀寫器與非接觸資料載體之間進行非接觸之通訊與電力傳送,在環狀天線連接共振用電容器,使以環狀天線與共振用電容器之常數LC決定之共振頻率與系統之規定頻率一致,以使進行讀寫器與非接觸資料載體之穩定通訊之通訊距離成為最大。
然而,環狀天線與共振用電容器之LC之常數具有複數個變動要因,不一定會成為假設值。例如,在非接觸資料載體為了實現低成本,以銅箔圖案製作環狀天線,因圖案寬度之偏差等導致L之值變化。又,同樣地,為了實現低成本,共振用電容器亦以天線基板之銅箔作為電極、以基板之樹脂作為電介質而構成,因銅箔之寬度、長度、間隔導致電容值變化。再者,最終而言,為了使用為IC卡,藉由保護膜層壓天線基板之上下,但由於該保護膜之影響使電容器之電容改變,因此預測層壓後之頻率偏移,作為預估調整,藉由銅箔圖案之裁切調整電極面積以調整共振用電容器之電容值。
由於上述各種要因導致共振頻率偏差,通訊成為不穩定,且通訊距離縮短。針對上述問題,專利文獻1建議一種方法,係在具有接收從讀寫器輸出之磁通之天線線圈與以高效率使該磁通之變化轉換成電壓之共振電路之天線模組,為了獲得通訊之穩定性,藉由調整可變電容器之電容調整共振頻率。
專利文獻1:日本特開2009-111483號公報
如上述,專利文獻1記載之天線中,可藉由調整可變電容器之電容調整共振頻率。然而,可變電容器具有電容與溫度變化對應而變化之溫度特性。因此,在組裝有可變電容器之共振電路,具有即使正確地調整共振頻率,共振頻率亦會因溫度變化而變化之問題。
本發明係有鑑於上述問題而構成,其目的在於提供一種即使溫度產生變化亦可將共振頻率維持成大致一定,藉此能穩定地進行通訊之天線裝置及組裝有該天線裝置之通訊裝置。
作為用以解決上述問題之手段,本發明之天線裝置,具備:共振電路,具有接收從發射器以既定振盪頻率發射之磁場之天線線圈及與天線線圈電氣連接之電容器,與發射器感應耦合成為可進行通訊;以及磁性片,係形成於與天線線圈重疊之位置,使天線線圈之電感變化;電容器具有電容因溫度變化而變化之溫度特性;磁性片係由以與電容器隨著使用溫度範圍之溫度變化之電容變化相反之特性使天線線圈之電感變化、在使用溫度範圍使共振電路之共振頻率與振盪頻率大致一致之溫度特性之磁性材料構成。
又,本發明之通訊裝置,具備:共振電路,具有接收從發射器以既定振盪頻率發射之磁場之天線線圈及與天線線圈電氣連接之電容器,與發射器感應耦合成為可進行通訊;磁性片,係形成於與天線線圈重疊之位置,使天線線圈之電感變化;以及通訊處理部,係藉由流過共振電路之電流驅動,在與發射器之間進行通訊;電容器具有電容因溫度變化而變化之溫度特性;磁性片係由以與電容器隨著使用溫度範圍之溫度變化之電容變化相反之特性使天線線圈之電感變化、在使用溫度範圍使共振電路之共振頻率與振盪頻率大致一致之溫度特性之磁性材料構成。
本發明,係將具有以與電容器隨著使用溫度範圍之溫度變化之電容變化相反之特性使天線線圈之電感變化、在使用溫度範圍使共振電路之共振頻率與振盪頻率大致一致之溫度特性之磁性片重疊於天線線圈而形成。如此,本發明係藉由與磁性片之溫度特性對應之天線線圈之電感變化抵銷與溫度變化對應之電容器之電容變化產生之共振頻率之變化,藉此,即使溫度在預先設定之使用溫度範圍產生變化亦可將共振頻率維持成大致一定,能穩定地進行通訊。
以下,參照圖式詳細說明用以實施本發明之形態。此外,本發明並不限於以下實施形態,理所當然,在不脫離本發明之要旨範圍內,可進行各種變更。
(整體構成)
適用本發明之天線模組,係利用在與發射電磁波之發射器間所產生之電磁感應而成為可通訊狀態之天線裝置,其係組裝於例如圖1所示之RFID(Radio Frequency Identification,射頻識別)用之無線通訊系統100而使用。
無線通訊系統100,係由適用本發明之天線模組1、及進行對天線模組1之存取之讀寫器2所構成。
讀寫器2,具備:天線2a,作為用以對天線模組1發射磁場之發射器,具體而言,朝天線模組1發射磁場;及控制基板2b,係與經由天線2a而感應耦合之天線模組1進行通訊。
即,讀寫器2,配設有與天線2a電氣連接之控制基板2b。在該控制基板2b,構裝有由1個或複數個積體電路晶片等電子零件所構成之控制電路。該控制電路,根據從天線模組1接收之資料,執行各種處理。例如,控制電路,在將資料寫入天線模組1時,將資料編碼,根據編碼後之資料,進行既定頻率(例如13.56MHz)之載波之調變,然後將調變後之調變訊號放大,以放大後之調變訊號驅動天線2a。又,控制電路,在從天線模組1讀出資料時,將以天線2a接收之資料之調變訊號放大,將放大後之資料之調變訊號解調,然後將解調後之資料解碼。又,控制電路,係使用一般之讀寫器所使用之編碼方式及調變方式,例如,使用曼徹斯特(Manchester)編碼方式或ASK(Amplitude Shift Keying,振幅移位鍵控)調變方式。
組裝於電子機器之筐體3內部之天線模組1,具備:天線電路11,構裝有能在與感應耦合之讀寫器2間進行通訊之天線線圈11a;磁性片12,為將磁場導入天線線圈11a而形成於與天線線圈11a重疊之位置;及通訊處理部13,係藉由流過天線電路11之電流驅動,在與讀寫器2之間進行通訊。
天線電路11,係相當於本發明之共振電路之電路,具備天線線圈11a及與天線線圈11a電氣連接之電容器11b。
天線電路11,在以天線線圈11a接收到從讀寫器2發射之磁場後,則與讀寫器2藉由感應耦合而形成磁耦合,接收調變後之電磁波,然後將接收訊號供應至通訊處理部13。
磁性片12,為將從讀寫器2發射之磁場導入天線線圈11a而形成於與天線線圈11a重疊之位置,相較於沒有該磁性片12之情形,變化成天線線圈11a之電感增加。具體而言,磁性片12設成如下構造,為抑制設於可攜式電子機器之筐體3內部之金屬零件使從讀寫器2發射之磁場散射或產生渦電流,因而將其貼合於磁場釋放方向之相反側。
通訊處理部13,係藉由流過電氣連接之天線電路11之電流驅動,在與讀寫器2間進行通訊。具體而言,通訊處理部13,將接收到之調變訊號解調,將解調後之資料解碼,然後將解碼後之資料寫入至後述記憶體133。又,通訊處理部13,將待傳送至讀寫器2之資料從記憶體133讀出,將已讀出之資料編碼,根據編碼後之資料將載波調變,經由利用感應耦合而形成磁耦合之天線電路11,將調變後之電波傳送至讀寫器2。
參照圖2說明以上構成之無線通訊系統100中,天線模組1之天線電路11之具體電路構成。
如上述,天線電路11具備天線線圈11a與電容器11b。
天線線圈11a係例如形成為矩形,依據由讀寫器2之天線2a放射之磁通之中、與天線線圈11a交鏈之磁通之變化產生反電動勢。
電容器11b,係可藉由從通訊處理部13輸出之控制電壓調整電容之電容器,例如,被稱為Varicap之可變電容二極體或由耐壓特性優異之強介電材料構成之可變電容之電容器。
天線電路11中,天線線圈11a與電容器11b電氣連接,構成共振電路,藉由使電容器11b之電容為可變,調整包含天線線圈11a與電容器11b之共振電路之共振頻率。
通訊處理部13係藉由具備調變/解調電路131、CPU 132、記憶體133之微電腦構成。
調變/解調電路131進行產生使從天線電路11送出至讀寫器2之資料重疊於載波之調變波之調變處理。又,調變/解調電路131進行從讀寫器2所輸出之調變波取出資料之解調處理。
CPU 132讀出儲存於記憶體133之控制電壓資訊,將控制電壓V施加至電容器11b調整電容器11b之電容,以修正起因於製造時之元件之誤差或偏差之共振頻率之偏差。
在記憶體133,考慮天線電路11之共振頻率與讀寫器2使磁場振盪之振盪頻率之偏差,儲存有以天線電路11之共振頻率與讀寫器2之振盪頻率一致之方式控制電容器11b之電容之控制電壓資訊。
在與具有上述構成之天線模組1進行通訊之讀寫器2,天線2a具備天線線圈21與電容器22,控制基板2b具備調變/解調電路23、CPU 24、及記憶體25。
天線線圈21係例如形成為矩形,藉由與天線模組1側之天線線圈11a磁耦合,收發指令或寫入資料等各種資料,再者,供應在天線模組1使用之電力。
電容器22與天線線圈21連接構成共振電路。調變/解調電路23進行產生使從讀寫器2送出至天線模組1之資料重疊於載波之調變波之調變處理。又,調變/解調電路23進行從天線模組1所送出之調變波取出資料之解調處理。
CPU 24控制調變/解調電路23,以將從記憶體25讀出之資料送出至天線模組1,又,進行將以調變/解調電路23解調之資料寫入記憶體25之處理。
以上述方式,天線模組1之天線電路11,藉由通訊處理部13所控制之控制電壓調節天線電路11之電容器11b之電容,以使天線電路11之共振頻率與讀寫器2之振盪頻率一致,可實現穩定之通訊。
(溫度補償)
天線電路11,即使假設將相同控制電壓施加至電容器11b,由於電容器11b之電容因溫度變化而變化,因此共振頻率隨著溫度變化產生誤差。
圖3係顯示以常溫(20℃)之電容為基準值、溫度變化導致之電容器之電容變化的圖。
可變電容二極體,如圖3之線X所示,電容隨著溫度上昇單調遞增。因此,在將可變電容二極體使用為共振用電容器之共振電路,共振頻率隨著溫度上昇變低。
又,由材料1之強電介質構成之可變電容器,如圖3之線A所示,在20℃以下電容隨著溫度上昇增加,在20℃以上電容隨著溫度上昇減少。因此,在組裝有由材料1之強電介質構成之可變電容器之共振電路,共振頻率相對溫度變化變化成以20℃為最大值「上凸」。
又,由材料2之強電介質構成之可變電容器,如圖3之線B所示,電容隨著溫度上昇單調遞減。因此,在組裝有由材料2之強電介質構成之可變電容器之共振電路,共振頻率隨著溫度上昇變高。
由於藉由天線線圈之電感之變化抵銷與溫度變化對應之電容器之電容變化導致之共振頻率之變化,因此天線模組1利用天線線圈之電感與磁性片之溫度特性對應變化之特性。
此處,可藉由具有如圖4之線A所示之溫度特性之天線線圈A之電感之變化抵銷由材料1之強電介質構成之可變電容器之電容變化導致之共振頻率之變化。
又,可藉由具有如圖4之線B所示之溫度特性之天線線圈B之電感之變化抵銷由材料2之強電介質構成之可變電容器之電容變化導致之共振頻率之變化。
如上述,可抵銷共振頻率之偏差係因共振頻率f由天線線圈之電感L與電容器之電容C藉由下式導出。
f=1/(2π√(LC))
由於天線線圈本身係由導線構成,因此不易實現圖4所示之溫度特性,但本申請發明人著眼於形成為重疊於天線線圈之磁性片之溫度特性導致之天線線圈之電感變化之特性,而發現可實現圖4所示之溫度特性。
具體而言,適用為磁性片之磁性材料之肥粒鐵,若成為居里溫度以上則磁性消失,但在居里溫度以下,可藉由調整各磁性材料之特性、其含有率,調節相對溫度之磁性。
圖5係顯示使溫度變化時之與天線線圈之電感L對應之磁性片之複相對磁導率之實部μ’之變化的圖。
例如,上述天線線圈A之溫度特性,可藉由將由具有圖5之線A所示之磁特性之肥粒鐵A構成之磁性片貼合於天線線圈A來實現。
又,上述天線線圈B之溫度特性,可藉由將由具有圖5之線B所示之磁特性之肥粒鐵B構成之磁性片貼合於天線線圈B來實現。
如此,本實施形態之天線電路11,藉由與磁性片12之溫度特性對應之天線線圈11a之電感之變化抵銷與溫度變化對應之電容器11b之電容變化導致之共振頻率之變化。
僅調節磁性片12之溫度特性,不易在任何溫度帶皆藉由天線線圈11a之電感之變化抵銷電容器11b之電容變化導致之共振頻率之變化。是以,必需預先設定天線模組1能與讀寫器2通訊之保障使用之使用溫度範圍,並將磁性片12之溫度特性設計成在此使用溫度範圍即使溫度變化亦能將共振頻率維持成大致一定。
以上述方式,本實施形態之天線電路11,利用天線線圈11a之電感與磁性片12之溫度特性對應而變化,在預先設定之使用溫度範圍即使溫度變化亦能將共振頻率維持成大致一定,可穩定地進行通訊。
此外,本實施形態之天線電路11,只要能藉由與磁性片之溫度特性對應之天線線圈之電感之變化抵銷與溫度變化對應之電容器之電容變化導致之共振頻率之變化,則使用任何溫度特性者皆可。
亦即,若使電容器之電容與溫度上昇對應單調遞增,則使用電感單調遞減之天線線圈抵銷此電容變化導致之共振頻率之變化即可。又,若電容器之電容與溫度上昇對應以「上凸」變化,則使用電感以「下凸」變化之天線線圈抵銷此電容變化導致之共振頻率之變化即可。
如上述,本實施形態之天線電路11,電容器之電容及天線線圈之電感與溫度變化對應具有彼此相反之特性即可,但從易於實現將共振頻率維持成大致一定之設計之觀點觀之,尤其是以如接下來之具體例所示,使用與溫度變化對應單調變化者為佳。
首先,設電容器11b具有電容因在使用溫度範圍之溫度變化而單調變化之溫度特性。
相對於具有上述溫度特性之電容器11b,設磁性片12為具有使天線線圈11a之電感以滿足下述式之條件之方式變化之溫度特性之材料。
L1/L2≒C2/C1
此處,L1、L2分別為在使用溫度範圍之上限值及下限值之天線線圈11a之電感。又,C1、C2分別為在使用溫度範圍之上限值及下限值之電容器11b之電容。
以上述方式,天線電路11,藉由使電容器11b之電容與天線線圈11a之電感在預先設定之使用溫度範圍分別以相反特性及相同之變化率單調變化,能易於將共振頻率維持成大致一定。
又,即使電容器11b之電容與天線線圈11a之電感在使用溫度範圍分別以相反特性單調變化,以不同之變化率變化之情形,亦不易藉由天線線圈11a之電感之變化抵銷電容器11b之電容變化導致之共振頻率之變化。
此種情形,藉由調節天線線圈11a與磁性片12之間隔距離,調整天線線圈11a之電感之變化率,可藉由天線線圈11a之電感之變化抵銷電容器11b之電容變化導致之共振頻率之變化。
圖6係顯示由天線線圈11a與磁性片12構成之積層體之構造的圖。
如圖6所示,天線線圈11a係構裝於例如由聚醯亞胺、液晶聚合物、鐵氟龍等具有可撓性之可撓性印刷基板等構成之印刷基板14。印刷基板14係透過ADH等接著層15貼合有磁性片12。藉由上述積層構造,天線線圈11a與磁性片12之間隔距離可藉由接著層15之膜厚調整。亦即,印刷基板14之膜厚a與接著層15之膜厚b之合計值成為天線線圈11a與磁性片12之間隔距離。
此處,若天線線圈11a與磁性片12之間隔距離變大,有天線線圈11a之電感單調遞減之傾向。是以,若天線線圈11a之電感之變化率相對於溫度變化導致之電容器11b之電容之變化率較大,則藉由調節天線線圈11a與磁性片12之間隔距離使其變長,能在使用溫度範圍分別以相反特性及相同之變化率單調變化,能易於將共振頻率維持成大致一定。
此外,作為印刷基板14,除了上述可撓性印刷基板以外,例如,使用環氧樹脂等具有可塑性之硬性基板亦可,但從可相對抑制介電常數之觀點觀之,以使用可撓性印刷基板較佳。
由以上構成構成之天線模組1,將具有天線線圈11a之電感以與在使用溫度範圍之電容器11b之電容之變化相反特性變化、使在使用溫度範圍之共振電路之共振頻率與振盪頻率大致一致之溫度特性之磁性片12形成為重疊於天線線圈11a。如此,天線模組1,藉由與磁性片12之溫度特性對應之天線線圈11a之電感之變化抵銷與溫度變化對應之電容器11b之電容變化導致之共振頻率之變化,在預先設定之使用溫度範圍即使溫度變化亦能將共振頻率維持成大致一定,可穩定地進行通訊。
作為組裝於行動電話等之天線模組之具體例,使用如圖7所示之外形為42.4[mm]×25.6[mm],寬度為0.3[mm]之導線以0.2[mm]之空間寬度、以匝數4捲繞之天線來說明。上述天線線圈之電感為2[μH],以13.56MHz產生共振所需之電容器之電容為約69[μF]。在上述天線模組,在使用溫度範圍電容器之電容變化10%之情形,若不施加任何溫度補償,則頻率偏差達到約700[kHz]而無法實現正常之通訊。
相對於此,本實施形態之天線模組1,可將磁性片12之溫度特性設計成抑制在通常通訊不產生問題程度之頻率偏差,例如換算成在使用溫度範圍電容器之電容變化為1%程度之頻率偏差即約70[kHz]。
此外,如上述之溫度補償,雖亦可藉由溫度感測器檢測共振電路之環境溫度,依據檢測結果控制施加至電容器之控制電壓,但本實施形態之天線模組1,即使不使用上述溫度感測器亦可進行溫度補償,因此從抑制成本或裝置規模之觀點觀之較有利。
(實施例1)
以下,使用在實際之天線電路所使用之電路元件,說明上述本實施形態之天線模組之通訊特性。
具體而言,在下述實施例,使在20℃附近之天線電路之共振頻率與讀寫器之振盪頻率即13.56[MHz]一致,評量在使用溫度範圍即0℃~60℃之共振頻率之偏差。
首先,將具有如圖8所示之溫度特性之積層陶瓷電容器做為天線電路之共振用電容器使用。此積層陶瓷電容器,如圖8所示,為所謂可變電容器之一種,在-55℃~85℃之溫度範圍,變化量dc/c具有±5%之偏差。
此外,如圖8所示,可變電容器在-55℃~85℃之溫度範圍電容以成「上凸」之方式變化,但在使用溫度範圍即0℃~60℃電容單調遞減。因此,從易於實現上述相反特性之觀點觀之,作為用於天線電路之天線線圈,如圖9所示,使用具有在使用溫度範圍即0℃~60℃電感值單調遞減之溫度特性者。
圖9之線A係未積層磁性片之天線線圈之電感之溫度特性。
又,圖9之線B係積層有金屬系磁性片之天線線圈之電感之溫度特性。作為金屬系磁性片,使用FeSiCr系之磁性片。
又,圖9之線C係積層有具有設計成將共振頻率維持成大致一定之溫度特性之肥粒鐵製磁性片之天線線圈之電感之溫度特性。作為肥粒鐵製磁性片,使用NiZn系之磁性片。
如圖9所示,在天線線圈單體及積層有金屬系磁性片之天線線圈,溫度變化導致之電感之變化較小。相對於此,積層有肥粒鐵製磁性片之天線線圈,在預先設定之使用溫度範圍即0℃~60℃之範圍內,電感以偏差約3.3%變化。
接著,藉由計算求出將具有圖8所示之溫度特性之電容器與具有圖9所示之溫度特性之各天線線圈加以組合之天線電路之共振頻率之溫度特性。
圖10係顯示具有各天線線圈之天線電路之共振頻率之溫度特性的圖。
圖10之線A係具有未積層磁性片之天線線圈之天線電路之共振頻率之溫度特性。又,圖10之線B係具有積層有金屬系磁性片之天線線圈之天線電路之共振頻率之溫度特性。又,圖10之線C係積層有設計成將共振頻率維持成大致一定之肥粒鐵製磁性片之天線線圈之電感之溫度特性。
如圖10所示,與線A、B對應之天線電路,共振頻率從超過30℃附近急速變高。此外,由於電容器之溫度特性隨著溫度上昇往電容變小之方向變化,因此與線A、B對應之天線電路之共振頻率,係設計成在使用溫度範圍之下限值即0℃較與線C對應之天線電路之共振頻率小。
相對於此,與圖10之線C對應之天線電路,為了使共振頻率在使用溫度範圍之下限值即0℃接近13.65[MHz]而使共振頻率在約20℃與13.56[MHz]一致,其結果共振頻率以30℃為下限值峰值變低,但其梯度相較於其他天線電路之共振頻率變平緩。其結果,與線C對應之天線電路,在使用溫度範圍即0℃~60℃之範圍,可將共振頻率之偏差抑制在約0.1[MHz]。
圖11係以百分比顯示在使用溫度範圍即0℃至60℃之範圍內,與圖10之各線A、B、C對應之天線電路之共振頻率之偏差。從此圖11觀察亦可明確得知,與線C對應之天線電路,在使用溫度範圍能使共振頻率之偏差為±10%程度,相較於其他天線電路能將共振頻率維持成大致一定。
從此實施例觀察亦可明確得知,本實施形態之天線模組,藉由天線線圈之電感之變化抵銷與溫度變化對應之電容器之電容變化導致之共振頻率之變化,即使在預先設定之使用溫度範圍溫度變化亦能將共振頻率維持成大致一定,可穩定地進行通訊。
1...天線模組
2...讀寫器
2a...天線
2b...控制基板
3...筐體
11...天線電路
11a...天線線圈
11b...電容器
12...磁性片
13...通訊處理部
14...印刷基板
15...接著層
21...天線線圈
22...電容器
23...調變/解調電路
24...CPU
25...記憶體
100...無線通訊系統
131...調變/解調電路
132...CPU
133...記憶體
圖1係顯示無線通訊系統之整體構成的圖。
圖2係顯示無線通訊系統之電路構成的圖。
圖3係顯示以常溫(20℃)之電容為基準值、溫度變化導致之電容器之電容變化的圖。
圖4係用以說明與溫度變化對應之天線線圈之電感變化的圖。
圖5係顯示使溫度變化時之與天線線圈之電感L對應之磁性片之複相對磁導率之實部μ’之變化的圖。
圖6係顯示由天線線圈11a與磁性片12構成之積層體之構造的圖。
圖7係用以說明組裝於行動電話等之天線模組之天線線圈之具體尺寸的圖。
圖8係顯示積層陶瓷電容器之溫度特性的圖。
圖9係顯示用於天線電路之天線線圈之電感之溫度特性的圖。
圖10係顯示天線電路之共振頻率之溫度特性的圖。
圖11係顯示在使用溫度範圍即0℃至60℃之範圍內,與圖10之各線A、B、C對應之天線電路之頻率偏差的圖。
1...天線模組
2...讀寫器
2a...天線
2b...控制基板
3...筐體
11...天線電路
11a...天線線圈
11b...電容器
12...磁性片
13...通訊處理部
100...無線通訊系統
Claims (5)
- 一種天線裝置,具備:共振電路,具有接收從發射器以既定振盪頻率發射之磁場之天線線圈及與該天線線圈電氣連接之使用強電介質材料之可變電容器,與該發射器感應耦合成為可進行通訊;以及磁性片,係形成於與該天線線圈重疊之位置,使該天線線圈之電感變化;該可變電容器具有電容因溫度變化而變化之溫度特性;該磁性片係由以與該可變電容器隨著該使用溫度範圍之溫度變化之電容變化相反之特性使該天線線圈之電感變化、在該使用溫度範圍使該共振電路之共振頻率與該振盪頻率大致一致之溫度特性之磁性材料構成。
- 如申請專利範圍第1項之天線裝置,其中,該可變電容器具有電容隨著該使用溫度範圍之溫度變化而單調變化之溫度特性;該磁性片係由以滿足下述式之條件之方式使該天線線圈之電感變化之溫度特性之磁性材料構成;L1/L2≒C2/C1其中,L1、L2分別為在該使用溫度範圍之上限值及下限值之該天線線圈之電感,C1、C2分別為在該使用溫度範圍之上限值及下限值之該電容器之電容。
- 如申請專利範圍第2項之天線裝置,其中,該可變電容器係由電容隨著溫度上昇而單調遞減之強介電材料構成;該磁性片係由使該天線線圈之電感隨著該使用溫度範圍之溫度上昇而單調遞增、在該使用溫度範圍使該共振電路之共振頻率與該振盪頻率大致一致之溫度特性之磁性材料構成。
- 如申請專利範圍第1至3項中任一項之天線裝置,其中,該磁性片係由複數種磁性材料構成之肥粒鐵,具有藉由調整各磁性材料之含有率,在該使用溫度範圍使該共振電路之共振頻率與該振盪頻率大致一致之溫度特性。
- 一種通訊裝置,具備:共振電路,具有接收從發射器以既定振盪頻率發射之磁場之天線線圈及與該天線線圈電氣連接之由強電介質材料構成之可變電容器,與該發射器感應耦合成為可進行通訊;磁性片,係形成於與該天線線圈重疊之位置,使該天線線圈之電感變化;以及通訊處理部,係藉由流過該共振電路之電流驅動,在與該發射器之間進行通訊;該可變電容器具有電容因溫度變化而變化之溫度特性;該磁性片係由以與該可變電容器隨著該使用溫度範圍之溫度變化之電容變化相反之特性使該天線線圈之電感變 化、在該使用溫度範圍使該共振電路之共振頻率與該振盪頻率大致一致之溫度特性之磁性材料構成。
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