TWI522995B - 顯示裝置及驅動顯示裝置之方法 - Google Patents
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- TWI522995B TWI522995B TW100105255A TW100105255A TWI522995B TW I522995 B TWI522995 B TW I522995B TW 100105255 A TW100105255 A TW 100105255A TW 100105255 A TW100105255 A TW 100105255A TW I522995 B TWI522995 B TW I522995B
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 35
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 62
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 46
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 33
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 31
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 29
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 9
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 35
- 230000006870 function Effects 0.000 description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 25
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 18
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 16
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 11
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 6
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 4
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 4
- 241001270131 Agaricus moelleri Species 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 2
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 239000000986 disperse dye Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- -1 poly(ethylamine) Polymers 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 208000037265 diseases, disorders, signs and symptoms Diseases 0.000 description 1
- 230000004064 dysfunction Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000008447 perception Effects 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 230000035807 sensation Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/10—Photometry, e.g. photographic exposure meter by comparison with reference light or electric value provisionally void
- G01J1/16—Photometry, e.g. photographic exposure meter by comparison with reference light or electric value provisionally void using electric radiation detectors
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- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
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- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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Description
本發明之實施例有關顯示裝置,其中各自具有光感測器之像素係以矩陣而配置,且有關該顯示裝置之驅動方法。進一步地,本發明之實施例有關包含該顯示裝置的電子裝置。
近年來,設置有用以偵測光之感測元件(亦稱為“光感測器”)的顯示裝置已引起注意。具有光感測器於顯示區中而可偵測出將被偵測之物體(例如,筆及手指)在顯示區上的觸控之顯示裝置亦稱為觸控面板、觸控螢幕、及其類似物(在下文中,將簡稱為“觸控面板”)。在顯示區中所設置之該光感測器使該顯示區能加倍成為輸入區;例如,具有影像載入功能的半導體裝置已揭示於專利文獻1之中。
[參考文件]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本公開專利申請案第2001-292276號
在具有光感測器之該顯示裝置中,外部光很容易影響到成像準確性。當考慮人的生活環境時,陰暗的室內光亮度與陽光下之戶外光亮度會相差大約10000倍或更多。在此寬範圍的光亮度之內,很難以使光感測器均一地辨識出對比;因此,當使用具有該光感測器的顯示裝置做為觸控面板時,錯誤的辨識會發生。
此外,在其中使用具有該光感測器的顯示裝置做為影像感測器的情況中,依據藉由光感測器所偵測出之光的光亮度而調整該光感測器的靈敏度,以致使成像執行於寬廣的動態範圍之內係必要的。當光感測器並未具有足夠的靈敏度時,則清楚的成像會由於曝光不足或過度曝光而無法執行。
因此,在本文中所揭示之本發明的一實施例將解決上述該等問題的至少一者。
本發明之一實施例有關顯示裝置,該顯示裝置包含具有能偵測出紅外線之光感測器的像素,以及具有能偵測出可見光之光感測器的像素,其中外部光強度係藉由偵測紅外線來加以決定,而選擇使用於成像的光感測器,且自動設定該等光感測器的靈敏度。
在此說明書中所揭示之本發明的一實施例係一種顯示裝置,其包含:顯示元件部,係形成於顯示區的像素中;第一光感測器部,係形成於該像素中,而與該顯示元件部一起設置;以及第二光感測器部,係形成於不具有該第一光感測器部的另一像素中,而與另一顯示元件部一起設置,其中該第一光感測器部係設置有第一光二極體,用以偵測可見光,且其中該第二光感測器部係設置有第二光二極體,用以偵測紅外線。
針對第一光二極體,可使用包含矽半導體的PIN型或PN型光二極體。具體而言,其中使用具有光吸收特徵於可見光的波長區中之非晶矽半導體於i型半導體層的PIN型光二極體係較佳的。
針對第二光二極體,可使用包含矽半導體的PIN型或PN型光二極體。具體而言,其中使用可易於形成為薄膜晶體矽且具有光吸收特徵於紅外線的波長區中之微晶矽半導體於i型半導體層的PIN型光二極體係較佳的。此時,當設置可透射紅外線且吸收可見光的濾光片於光二極體的光接收表面時,可僅偵測出紅外線。
在此說明書中所揭示之本發明的另一實施例係一種驅動顯示裝置之方法,該顯示裝置包含:顯示元件部,係形成於顯示區的像素中;第一光感測器部,係形成於該像素中,而與該顯示元件部一起設置;以及第二光感測器部,係形成於不具有該第一光感測器部的另一像素中,而與另一顯示元件部一起設置。驅動該顯示裝置之該方法包含:外部光進入該顯示區;藉由該第二光感測器部而偵測出包含於該外部光之中的紅外線;依據藉由該第二光感測器部所偵測出的紅外線數量而選擇該第一光感測器部或該第二光感測器部,做為使用於成像之單元(裝置);當使用該第一光感測器部時,使用可見光以執行成像;且當使用該第二光感測器部時,使用紅外線以執行成像的步驟。
在此說明書中所揭示之本發明的又一實施例係一種驅動顯示裝置之方法,該顯示裝置包含:顯示元件部,係形成於顯示區的像素中;第一光感測器部,係形成於該像素中,而與該顯示元件部一起設置;以及第二光感測器部,係形成於不具有該第一光感測器部的另一像素中,而與另一顯示元件部一起設置。驅動該顯示裝置之該方法包含:藉由當接收光時由該第二光感測器部所偵測出之紅外線的強度,而改變該第一光感測器部之光接收靈敏度;轉換藉由該第一光感測器部所偵測出之光的強度成為信號;藉由該等信號而形成條帶圖,其中水平軸表示灰度;自暗側中之該等灰度而計數該條帶圖的灰度;設定到達計數之灰度,而該計數係設定於臨限值之前;於該臨限值的邊界執行影像的二元化,以獲得亮部及暗部;且使用該暗部之像素的位址而決定物體的位置於該顯示區之中的步驟。
在此說明書中所揭示之本發明的再一實施例係一種驅動顯示裝置之方法,該顯示裝置包含:顯示元件部,係形成於顯示區的像素中;第一光感測器部,係形成於該像素中,而與該顯示元件部一起設置;以及第二光感測器部,係形成於不具有該第一光感測器部的另一像素中,而與另一顯示元件部一起設置。驅動該顯示裝置之該方法包含:外部光進入該顯示區;藉由該第二光感測器部而偵測出包含於該外部光之中的紅外線;依據藉由該第二光感測器部所偵測出的紅外線數量而選擇該第一光感測器部或該第二光感測器部,做為使用於成像之單元(裝置);當使用該第一光感測器部時,使用可見光以執行成像;當使用該第二光感測器部時,使用紅外線以執行成像;轉換藉由該第一光感測器部所偵測出之光或藉由該第二光感測器部所偵測出之光的強度成為信號;藉由該等信號而形成條帶圖,其中水平軸表示灰度;自暗側中之該等灰度而計數該條帶圖的灰度;設定到達計數之灰度,而該計數係設定於臨限值之前;執行該臨限值的邊界之影像的二元化,以獲得亮部及暗部;且使用該暗部之影像的位址而決定將被偵測之物體的位置於該顯示區之中的步驟。
依據本發明之一實施例,可提供具有能防止由於外部光的效應之錯誤辨識的觸控面板功能,以及能在寬廣動態範圍內執行成像的功能之顯示裝置。
在下文中,將參照附圖來詳細敘述本發明的實施例。惟,本發明並未受限於以下的說明,且由熟習於本項技藝之該等人士所易於瞭解的是,在此所揭示之模式和細節可以以各式各樣的方式來加以修正,而不會背離本發明的精神及範疇。因此,本發明不應被解讀為受限於下文該等實施例的說明。在用以描繪該等實施例的圖式中,相同的部分或具有相似功能的部分係藉由相同的參考符號而予以表示,且該等部分的說明不再重複。
在此實施例中,將參照圖式來敘述依據本發明一實施例之顯示裝置。第1圖描繪其構造之實例。
顯示裝置100包含像素電路101,顯示元件控制電路102,及光感測器控制電路103。像素電路101包含複數個像素104,該等像素104係以列及行之矩陣而配置。例如,每一個像素104包含顯示元件部105以及第一光感測器部106a或第二光感測器部106b。
第一光感測器部106a係設置要獲得影像,以及第二光感測器部106b係主要設置要偵測出外部光的強度。注意的是,在某些情況中,成像係透過第二光感測器部106b而執行。
無需一定要針對所有的像素而提供該等感測器部,且該等感測器部可依據目的而形成。此外,如第1圖中所描繪之以許多第一光感測器部106a而佔有的像素電路101僅係實例,且可透過許多第二光感測器部106b而予以佔有。
第1圖中所描繪之顯示元件控制電路102係用以控制顯示元件部105的電路,且包含:顯示元件驅動器電路107,其透過源極信號線(諸如,視頻資料信號線)而輸入信號至顯示元件部105;以及顯示元件驅動器電路108,其透過閘極信號線(掃描線)而輸入信號至顯示元件部105。
例如,顯示元件驅動器電路108具有選擇包含於特定例中之該等像素的每一者之中的顯示元件部之功能。顯示元件驅動器電路107具有供應既定電位至包含於該列中之該等所選擇像素的每一者之中的顯示元件部之功能。注意的是,在其中高電位係來自顯示元件驅動器電路108而施加至閘極信號線的顯示元件部之中,電晶體會導通且被供應以來自顯示元件驅動器電路107而施加至源極信號線的電位。
光感測器控制電路103係用以控制第一光感測器部106a及第二光感測器部106b的電路,且包含光感測器讀取電路109及光感測器驅動器電路110,而該光感測器讀取電路109係連接至光感測器輸出信號線(在下文中,將稱為輸出信號線)、光感測器參考信號線(在下文中,將稱為參考信號線)、及其類似物,以及該光感測器驅動器電路110係連接至光二極體重設信號線(在下文中,將稱為重設信號線)、用於線選擇之閘極信號線(在下文中,將稱為選擇信號線)、及其類似物。
光感測器驅動器電路110具有執行重設操作、累積操作、及選擇操作(將於稍後描述),於特定列中之該等像素的每一者之中所包含的第一光感測器部106a及第二光感測器部106b之上的功能。進一步地,光感測器讀取電路109具有提取包含於該列中之該等所選擇像素的每一者之中的該等光感測器部之輸出信號的功能。注意的是,光感測器讀取電路109可具有其中光感測器部之類比信號的輸出係藉由OP放大器而被提取至外部成為類比信號的系統,或其中該輸出係藉由A/D轉換器而被轉換成為數位信號且然後,被提取至外部的系統。
注意的是,第一光感測器部106a及第二光感測器部106b的輸出信號可藉由以上述該等電路來共同地驅動該等光感測器部,而予以讀取。當該等光感測器部的位址係已知時,則可在讀取時改變用於該等信號之處理。
將參照第2圖來敘述像素104的電路圖。像素104包含顯示元件部105及第一光感測器部106a,而該顯示元件部105包含電晶體201、儲存電容器202、及液晶元件203,以及該第一光感測器部106a包含第一光二極體204a、電晶體205、及電晶體206。
注意的是,此處係說明包含第一光二極體204a的第一光感測器部106a;然而,包含第二光二極體204b的第二光感測器部106b可具有同樣的構造。
在顯示元件部105的電晶體201中,其閘極係電性連接至閘極信號線207,其源極及汲極的其中一者係電性連接至源極信號線210,以及其源極及汲極的另一者係電性連接至儲存電容器202的電極之一及液晶元件203的電極之一。儲存電容器202的電極之另一者及液晶元件203的電極之另一者係各自保持於恆定的電位。液晶元件203係包含液晶層的元件,而該液晶層係介於一對電極之間。
電晶體201具有控制電荷注入至/或放電自儲存電容器202的功能。例如,當施加高電位至閘極信號線207時,源極信號線210的電位會被施加至儲存電容器202及液晶元件203。儲存電容器202具有保持對應於所施加至液晶元件203的電壓之電荷的功能。
影像顯示係以此方式而實現,亦即,通過液晶元件203之光的對比(灰度)係藉由使用其中偏極化方向係由於施加電壓至液晶元件203而改變之現象所作成。在透射式液晶顯示裝置的情況中,係使用背光以供通過液晶元件203之光的光源之用。
做為電晶體201,可使用非晶矽、微晶矽、多晶矽之半導體層;然而,較佳地,係使用氧化物半導體。在包含氧化物半導體的電晶體中,可顯示出具有極低之截止狀態電流的特徵;因此,可增進電荷之保持功能。
雖然在此所敘述之顯示元件部105包含液晶元件,但該顯示元件部105可包含諸如發光元件之其他的元件。發光元件係其中光亮度藉由電流或電壓所控制的元件。具體而言,可給定發光二極體(LED)、有機發光二極體(OLED)、及其類似物。
在第一光感測器部106a的第一光二極體204a中,其陽極係電性連接至重設信號線208,且其陰極係透過閘極信號線213而電性連接至電晶體205的閘極。在電晶體205中,其源極及汲極的其中一者係電性連接至參考信號線212,且其源極及汲極的另一者係電性連接至電晶體206的源極及汲極的其中一者。在電晶體206中,其閘極係電性連接至選擇信號線209,且其源極及汲極的另一者係電性連接至輸出信號線211。
用於第一光感測器部106a之第一光二極體204a及第二光感測器部106b之第二光二極體204b,可使用包含矽半導體之PIN型或PN型光二極體。
針對其中可執行成像操作而提供顯示裝置有觸控面板功能或影像感測器功能的第一光二極體204a,其中具有光吸收特徵於可見光的波長範圍中之光二極體係較佳的。在此,用於該光二極體,係使用其中利用非晶矽於i型半導體層的PIN型光二極體。
針對其中主要執行外部光偵測(將於稍後描述)的第二光二極體204b,其中可易於形成且具有光吸收特徵於紅外線的波長範圍中之光二極體係較佳的。在此,用於該光二極體,係使用其中利用微晶矽於i型半導體層的PIN型光二極體。此時,當設置可透射紅外線且可吸收可見光的濾光片於光二極體的光接收表面之上時,則僅可偵測出紅外線。
電晶體205具有放大藉由第一光二極體204a所產生之電信號的功能;因此,高遷移率特徵係必要的。進一步地,為了要防止不必要的電位被輸出至輸出信號211,較佳的是,電晶體205具有低的截止狀態電流之特徵。因此,雖然亦可使用包含矽半導體的電晶體做為電晶體205,但使用包含具有極低的截止狀態電流之特徵的氧化物半導體之電晶體則係更佳的。
電晶體206係選擇電晶體,用以輸出藉由電晶體205所放大的信號至輸出信號線211。為了要防止不必要的電位被輸出至輸出信號線211,較佳的是,電晶體206亦具有低的截止狀態電流之特徵。因此,如在電晶體205之上述情況中似地,較佳地形成包含氧化物半導體的電晶體。
例如,用於該氧化物半導體膜,可使用藉由InMO3(ZnO)m(m>0)之化學式所表示的薄膜。此處,M表示選自Ga、Al、Mn、及Co之一或更多個金屬元素。例如,M可為Ga、Ga及Al、Ga及Mn、Ga及Co、或其類似物。
其次,將敘述包含於光感測器讀取電路109中的預充電電路。在第2圖中,用於一行像素的預充電電路300包含電晶體301、儲存電容器302、及預充電信號線303。在此,p通道電晶體係使用做為電晶體301。注意的是,可將OP放大器或A/D轉換器電路連接至預充電電路300之隨後的級。
在預充電電路300中,於像素中之光感測器部的操作之前,輸出信號線211的電位係設定於參考電位。在第2圖的組態中,預充電信號線303係設定於“L(低)”,以致使電晶體301導通,而輸出信號線211的電位可藉以設定在參考電位(在此,高電位)。儲存電容器302係設置用於輸出信號線211,使得輸出信號線211的電位穩定。注意的是,若輸出信號線211具有大的寄生電容時,則不設置儲存電容器302係可接受的。注意的是,可將該參考電位設定於低電位。在該情況中,預充電信號線303係設定於“H(高)”而伴隨著n通道電晶體成為電晶體301之使用,可藉以將輸出信號線211的電位設定於低電位。
接著,將參照第3圖中之時序圖來敘述設置用於此實施例中的顯示裝置之該等光感測器部的讀取操作。在第3圖中,重設信號線208的電位(RST)、選擇信號線209的電位(SEL)、閘極信號線213的電位(GT)、輸出信號線211的電位(OUT)、及預充電信號線303的電位(PCG)係自頂部而順序地顯示。注意的是,在光感測器部的讀取操作上之以下說明中,可將第一光二極體204a敘述成為第二光二極體204b。
在時間A,重設信號線208的電位(RST)係設定於“H”,以致使第一光二極體204a順向偏壓且閘極信號線213的電位(GT)變成重設電位。此重設電位係比重設信號線208之電位(RST)的“H”電位低第一光二極體204a的順向電壓(Vf)。此重設電位係保持於藉由閘極信號線213的寄生電容及電晶體205之閘極部的電容所形成的信號電荷累積部之中。此步驟係重設操作的開始。
進一步地,預充電信號線303的電位(PCG)係設定於“L”,以致使輸出信號線211的電位(OUT)被預充電至“H”,且此可在電晶體205導通之前的任何時間執行,而不受限於時間A。
在時間B,重設信號線208的電位(RST)係設定於“L”,以致使第一光二極體204a的電流依據光亮度而以反方向流動,此將自重設電位來降低閘極信號線213的電位(GT)。此步驟係累積操作的開始。因而,在電晶體205的源極與汲極之間所流動的電流會變化。
接著,設定預充電信號線303(PCG)的電位於“H”,且完成輸出信號線211(OUT)的預充電。
在時間C,當選擇信號線209(SEL)的電位係設定於“H”時,則電晶體206導通,且其中電位係設定於例如接地電位的參考信號線212及輸出信號線211係透過電晶體205及電晶體206而彼此互相電性連接。此步驟係選擇操作的開始。在此,輸出信號線211(OUT)之電位減少的速率係根據電晶體205之源極與汲極間的電流而定。也就是說,輸出信號線211之電位減少的速率係依據第一光二極體204a被照射之光量而變化。注意的是,參考信號線212的電位並未受限於接地電位,且適當的電位可被供應至該處。
在時間D,當選擇信號線209(SEL)的電位係設定於“L”時,則電晶體206關閉,以致輸出信號線211(OUT)的電位係保持於恆定值。此步驟係累積操作及選擇操作的終點。在此,輸出信號線211的電位(OUT)係根據累積操作期間所照射第一光二極體204a的光量而改變之者。因此,在累積操作期間所照射第一光二極體204a的光量可藉由偵測出輸出信號線211的電位(OUT)而獲得。
重設操作、累積操作、及選擇操作係順序地,每一列像素矩陣地重複,而可藉以使其中觸控顯示面板或靠近顯示面板之將被偵測的物體成像。
上述之操作系列係在其中第一光二極體204a的陰極連接至電晶體205之閘極的情況中之實例。產生輸出信號之此操作亦可以以其中第一光二極體204a的陽極連接至電晶體205之閘極的情況而執行。
依據上述之操作系列,閘極信號線213的電位(GT)係初始化為“H”,且係藉由照射第一光二極體204a的光所產生之電流而以反方向來予以放電,以及輸出信號係透過電晶體205而決定。
另一方面,在其中第一光二極體204a係相對於第2圖中所描繪之第一光二極體204a而反向連接的情況中,閘極信號線213的電位(GT)係初始化為“L”,且係藉由照射第一光二極體204a的光所產生之電流而以反方向來予以充電,以及輸出信號而透過電晶體205而決定。
在具有光感測器的顯示裝置中,於某些情況中,成像的準確性會在具有強烈外部光的環境下劣化。當考慮人的生活環境時,陰暗的室內光亮度與陽光下之戶外光亮度會相差大約10000倍或更多。
因此,當使用於影像感測器之具有光感測器的顯示裝置之第一光感測器部106a的靈敏度係固定為用於例如戶外使用之高的光亮度之使用時,則具有光感測器之該顯示裝置可使用於戶外成像而無問題,但會造成當在室內使用時的曝光不足。另一方面,當第一光感測器部106a的靈敏度係固定為用於低的光亮度之使用時,則具有其中過度曝光會在高的光亮度下被造成的問題。此外,當具有光感測器的顯示裝置係在高的光亮度或低的光亮度之下被使用於觸控面板時,則第一光感測器部106a將無法充分地辨識光亮度的改變;因而,錯誤的辨識會在輸入操作時發生。為了要解決上述問題,本發明之一實施例具有其中光感測器部的靈敏度可自動切換的結構。
依據本發明一實施例之顯示裝置藉由偵測出包含於外部光之中的紅外線而辨識外部光的光亮度,且包含第二光感測器部106b,該第二光感測器部106b扮演決定用於成像所使用之第一光感測器部106a的靈敏度之角色。因此,不管外部光的光亮度如何,顯示裝置可一直穩定地操作。
雖然大量的紅外線係包含於陽光中,但少許的紅外線係包含於來自使用做為用以產生可見光的單元(裝置)之日光燈或發光二極體所發射出的光之中。也就是說,其中設置顯示裝置的環境是否係室內或戶外,可易於藉由第二光感測器部106b所偵測出的紅外線數量而予以決定。因而,當顯示裝置係設置有依據光亮度而改變第一光感測器部106a之靈敏度的功能時,則可解決上述問題。
將參照流程圖來敘述上述之特定操作。第4圖係流程圖,用以說明其中顯示裝置作用成為影像感測器或觸控面板的情況之操作的一部分。
首先,顯示裝置的顯示區係以外部光而予以照射。此時,第二光感測器部106b偵測出包含於該照射之外部光中的紅外線,且顯示裝置決定所偵測出的紅外線數量是否大於或小於指定值。在此,於其中顯示裝置係假定為正常使用的室內環境下,例如,在白熾燈或其類似物之包含紅外線的照射光之情況中,紅外線數量的指定值係大於所偵測出的紅外線數量。
當所偵測出之紅外線數量係大於指定值時,則顯示裝置決定外部環境為戶外,且將使用於成像之第一光感測器部106a設定於低靈敏度模式。另一方面,當所偵測出之紅外線數量係小於該指定值時,則顯示裝置決定外部環境為室內,且將第一光感測器部106a設定於高靈敏度模式。
然後,起動成像。
在此,係透過上述說明而敘述如何在光感測器的操作上設定靈敏度之實例。在上述低靈敏度模式,可抑制已自光而轉換之信號的飽和度。
例如,假定重設電位被供應至閘極信號線213,則光二極體之大量逆向電流會由於具有光亮度A之光的照射而流動,閘極信號線213的電位在累積操作時間之期間變成恆定,且電位a被取得。在此情勢中,閘極信號線213的電位會變成恆定,亦即,電位a,即使當執行具有高於光亮度A之光亮度B的光照射時亦然。因此,獲得與光亮度A相似的結果。換言之,在此情勢中,無法決定光亮度A及光亮度B。
具有縮短累積操作時間之方法,做為藉由光感測器而決定光亮度A及光亮度B的實例。藉由縮短該時間,直至閘極信號線213的電位變成恆定為止,電位並不會變化,且該電位會變成對應於光亮度A及光亮度B的電位;因而,可決定光亮度A及光亮度B。
光亮度A及光亮度B亦可藉由其中使重設電流變化,且使閘極信號線213的電位在累積操作時間之內不為恆定的方法,而加以決定。不用多說地,重設電位及累積操作時間二者均可予以變化。
另一方面,在高靈敏度模式中,應防止已自光而轉換之信號與雜訊混合。累積操作時間及重設電位可與低靈敏度模式之該等者相反。
因此,光感測器的靈敏度可藉由改變光感測器的讀取情形而予以設定。
進一步地,依據本發明一實施例之顯示裝置可以以與第4圖中的流程圖之方式不同的方式而操作。注意的是,雖然此操作亦可使用於影像感測器,但較佳的是,操作應主要地使用於觸控面板,因為在操作中係使用紅外線於成像。
此操作需根據以下背景。形成於第一光感測器部106a中之包含非晶矽的第一光二極體204a之特徵顯示自低的光亮度至高的光亮度之幾乎線性的輸出。然而,在其中光亮度太高的情況中,例如在直接陽光的情況中,斜率會因相對於輸出電流之直接電阻的效應而變小;因而,在某些情況中,輸出變成非線性。
另一方面,亦在其中第一光感測器部106a的輸出顯示非線性的光亮度區之中,對紅外線具有適當靈敏度之第二光感測器部106b的輸出可顯示線性。換言之,在其中光亮度係極高的環境下,第二光感測器部106b取代第一光感測器部106a而作用為成像,而可藉以防止會在其中使用顯示裝置於觸控面板之情況中發生的錯誤辨識。
將參照第5圖中的流程圖來敘述上述之操作。
首先,顯示裝置的顯示區係以外部光而予以照射。此時,第二光感測器部偵測出包含於該照射之外部光中的紅外線,且顯示裝置決定所偵測出的紅外線數量是否大於或小於指定值A。在此於其中顯示裝置係假定為正常使用的室內環境下,例如,在白熾燈或其類似物之包含紅外線的照射光之情況中,紅外線數量的指定值A係大於所偵測出的紅外線數量。
當所偵測出之紅外線數量係小於指定值A時,則顯示裝置決定外部環境為室內,且將使用於成像之第一光感測器部106a設定於高靈敏度模式。接著的步驟則與第4圖中之流程圖的該等步驟相同。
另一方面,當所偵測出之紅外線數量係大於指定值A時,則顯示裝置進一步決定所偵測出之紅外線數量是否大於或小於指定值B。此指定值B係設定為其中當使用於第一光感測器部106a之第一光二極體204a的輸出開始顯示非線性時之光亮度。
當所偵測出之紅外線數量係小於指定值B時,則顯示裝置決定外部環境為戶外,且將第一光感測器部106a設定於低靈敏度模式。接著的步驟則與第4圖中之流程圖的該等步驟相同。
進一步地,當紅外線數量係大於指定值B的數量時,則成像係使用第二光感測器部106b而在顯示裝置中起動。
在此方式中,第5圖中之流程圖中所描繪的操作係與第4圖中之流程圖中所描繪的操作大大地不同,其中成像係使用紅外線而執行。
接著,將敘述使用於用以偵測紅外線之第二光感測器部106b的第二光二極體204b。注意的是,在此說明書之中,紅外線意指其中波長係在大約0.7微米至1.2微米之範圍中的光。
第6圖顯示使用非晶矽或微晶矽於i型半導體層之PIN型光二極體的光譜靈敏度特徵(量子效率)及一般紅外線透射濾光片的透射比。
第6圖顯示的是,使用非晶矽的PIN型光二極體具有幾乎在可見光的範圍中之靈敏度,而使用微晶矽的PIN型光二極體則亦具有在紅外線的波長區中之靈敏度。
藉由相乘使用微晶矽之PIN型光二極體的量子效率與紅外線透射濾光片的透射比所獲得之曲線顯示對光二極體之紅外線的靈敏度。注意的是,並未考慮其中未透射穿過紅外線透射濾光片之光的損失。因此,所發現的是,使用微晶矽的第二光二極體204b可與紅外線透射濾光片結合而偵測出紅外線。
如上述地,可提供具有能防止由於外部光之效應的錯誤辨識之觸控面板功能,以及能執行成像於寬廣的動態範圍內之影像感測器功能的顯示裝置。
此實施例可與其他實施例或實例之任一者適當結合而實施。
在此實施例中,將敘述用以處理來自顯示裝置上所安裝之光感測器所輸出的信號,且使該顯示裝置作用成為觸控面板的方法。
為使安裝光感測器於上之顯示裝置辨識關於手指、筆、或其類似物在顯示裝置的表面上之接觸,要將藉由以手指、筆、或其類似物來遮蔽外部光而造成的陰影成像係必要的。
陰影係以以下方式而成像,且在顯示區中的位置亦以下述方式而辨識。首先,顯示區中之目標位置與手指或筆接觸,成像操作係執行於整個顯示區域其一部分之上,且藉以獲得第7A圖之影像。接著,如第7B圖中所描繪地,執行以二灰度來顯示陰影色調的處理,以及執行二元化(白色及黑色)之決定。然後,提取陰影(黑色)的位置做為接觸位置。上述處理可使用軟體及CPU或使用專用的硬體而執行。
接著,將敘述上述之二元化決定方法。藉由手指或筆所造成的陰影具有根據外部光之強度的不同色調。在若干情況中,該等陰影不僅包含指尖或筆尖接觸的陰影,而且包含手掌、筆之主體、或其類似物的陰影。因此,要在執行上述之二元化決定中決定使用的臨限值係重要的。在此,臨限值意指用以區別對比之邊界。
將參照第8圖中之流程圖來詳細說明此實施例中之用以設定臨限值的方法和二元化決定方法。
首先,獲得影像信號。在此,將獲得第7A圖中所描繪之影像的信號做為實例。其次,灰度條帶圖係藉由所獲得之影像信號而形成。第7A圖之影像可大部地劃分成為有指尖、筆尖、或其類似物之暗影的區域401,具有手指、筆之主體、或其類似物之淡影的區域403,以及其中並未造成陰影的區域405。
當條帶圖係透過例如256個灰度而由第7A圖之影像所形成時,則可獲得如第9A圖中所示之條帶圖。在此,形成此條帶圖之分佈411、分佈413、及分佈415分別對應於第7A圖中之區域401、區域403、及區域405。
在該等區域之中,第7A圖中之區域401係其中意圖偵測的位置,且具有更暗陰影之區域可加以提取,以便進一步增進準確度。
因為第7A圖中之區域401對應於第9A圖中之分佈411,所以區域401可藉由自分佈411中所包含之灰度來選擇臨限值而予以提取。為了要以更高的準確度來提取區域401,如第9B圖中所示地,灰度係自陰影(暗側)的暗側中之該等灰度而計數,直至偵測出某一位準以上的計數為止,以致使到達該數目之灰度或在最大值附近的灰度可被設定為臨限值。
在此,當未偵測出某一位準以上的計數或該最大值時,則可獲得隨後的影像且以同樣的步驟來執行條帶圖之最大值的偵測操作。
在此方式中,可執行灰度的二元化以獲得分佈421及分佈422,在該等分佈處的顯示係分別比第9B圖中所示之臨限值處的顯示更暗及更亮。此二元化之狀態係顯示為如第7B圖中所描繪之影像,且具有更暗陰影於第7A圖中之區域401中的區域431可予以提取。
當顯示裝置係設置於具有強烈外部光的環境之下時,光會通過指尖或筆尖下方;因此,陰影會相對淡地成像。在此情況中,整個條帶圖會偏移至淡區;因此,臨限值可考慮偏移量,而藉由自暗側中之該等灰度來計數灰度以決定(請參閱第10圖)。在此情況中,可執行該等灰度的二元化以獲得分佈441及分佈442,在該等分佈處的顯示係分別比臨限值處的顯示更暗及更亮。
手掌,筆之主體,或其類似物之陰影係比與顯示裝置接觸之部分的陰影成像得更淡。因此,當灰度係自條帶圖的暗側中之該等灰度而計數時,對應於指尖或筆尖之陰影將被最先計數。因此,即使在將被偵測之相同物體的陰影中,可優先偵測出所需之部分的陰影。換言之,自暗側中之該等灰度而計數條帶圖的灰度係極為有效的。
諸如指尖、筆尖、或其類似物之將被偵測之物體的準確位置可自其中陰影係以此方式而偵測出之像素的位址來予以決定;因此,顯示裝置可辨識此系列之操作為輸入操作。也就是說,可提供做為觸控面板之操作至顯示裝置。
此實施例可與其他實施例或實例之任一者適當地結合而實施。
在此實施例中,將敘述其係此說明書中所揭示的顯示裝置之實例的液晶顯示裝置。
第11圖描繪液晶顯示裝置之橫剖面視圖的實例。在此實施例中之液晶顯示裝置中,光二極體1002、電晶體1003a、電晶體1003b、電晶體1003c、儲存電容器1004、及液晶元件1005係設置於具有絕緣表面的基板1001上。注意的是,光感測器及顯示元件係分別部分地顯示於第11圖中央處之短虛線的左側及右側,且該等構造係等效於實施例1中所敘述之像素104的組態(請參閱第2圖)。
雖然描繪頂部閘極之構造做為電晶體1003a、電晶體1003b、及電晶體1003c之每一者的構造之典型實例,但構造並未受限於此,且可應用諸如自行對齊之構造或底部閘極之構造的另一構造。
佈線1030係連接至設置用於光感測器之電晶體1003a的閘極電極,且係電性連接至光二極體1002的陰極。此佈線1030對應於第2圖中所描繪的閘極信號線213。注意的是,可將佈線1030形成於絕緣膜1033上,以取代形成於保護絕緣膜1031上。
電晶體1003a之源極電極及汲極電極的其中一者係連接至電晶體1003b之源極電極及汲極電極的其中一者,且電晶體1003a之源極電極及汲極電極的另一者係連接至參考信號線(未描繪)。此外,電晶體1003b之源極電極及汲極電極的另一者係連接至輸出信號線(未描繪)。
光二極體1002具有堆疊層之類型的PIN接面,其包含:p型半導體層1041,包含給予p型導電性之雜質;i型半導體層1042,具有本徵半導體之特徵;以及n型半導體層1043,包含給予n型導電性之雜質。
做為典型實例,可給定其中使用非晶矽於i型半導體層1042的光二極體。雖然亦可在此情況中使用非晶矽於p型半導體層1041及n型半導體層1043,但使用具有高的導電率之微晶矽係較佳的。其中使用非晶矽於i型半導體層1042之光二極體具有在可見光區的光敏性,且可防止由於紅外線之動作失調。
注意的是,其中使用非晶矽於i型半導體層1042之光二極體對應於實施例1中所敘述之用以偵測出可見光的第一光二極體。為了要形成用以偵測出紅外線之第二光二極體,可使用晶體矽於該i型半導體層1042。在實施例1中,係敘述其中使用微晶矽做為該晶體矽的實例。
在此,其係光二極體之陽極的p型半導體層1041係電性連接至信號佈線1035,以及其係光二極體之陰極的n型半導體層1043係如上述地電性連接至電晶體1003a的汲極電極。注意的是,信號佈線1035對應於第2圖中所描繪之重設信號線208。
注意的是,雖然並未描繪,但可將透光導電層設置於p型半導體層1041的光入射面上。此外,可將導電層設置於與n型半導體層1043之絕緣膜1033的介面側。例如,可使佈線1030延伸出,以覆蓋n型半導體層1043。當設置此導電層時,則可降低由於p型半導體層1041或n型半導體層1043之電阻所導致之電荷的損失。
注意的是,雖然其中光二極體1002係PIN二極體的情況被描繪於此實施例中,但光二極體1002可為PN二極體。在此情況中,較佳地,使用高品質的晶體矽以供p型半導體層及n型半導體層之用。
光二極體可具有如第12圖中所描繪之水平接面的構造。在PIN水平接面光二極體中,p型半導體層1141、i型半導體層1142、及n型半導體層1143可如下地設置:形成i型半導體層,以及將給予p型導電性的雜質及給予n型導電性的雜質添加至該i型半導體層的一部分之內。
電晶體1003c係設置於顯示元件中,以驅動液晶元件。該電晶體1003c之源極電極及汲極電極的其中一者係電性連接至像素電極1007,且雖未描繪,但其之源極電極及汲極電極的另一者係電性連接至信號佈線。
儲存電容器1004可在形成電晶體1003a,電晶體1003b,及電晶體1003c的步驟之中形成。儲存電容器1004的電容器佈線及電容器電極係形成電晶體之閘極電極及用以形成其之源極及汲極電極的個別步驟之中形成,且儲存電容器1004之容量的絕緣膜係在形成電晶體之閘極絕緣膜的步驟之中形成。儲存電容器1004係電性連接至電晶體1003c之源極電極及汲極電極的其中一者,而與液晶元件1005平行。
液晶元件1005包含像素電極1007,液晶1008,及相對電極1009。像素電極1007係形成於平坦化絕緣膜1032上,且係電性連接至電晶體1003c及儲存電容器1004。進一步地,相對電極1009係設置用於相對基板1013,且液晶1008係設置於像素電極1007與相對電極1009之間。
在像素電極1007與相對電極1009之間的胞格間隙可藉由使用間隔物1016而控制。雖然該胞格間隙係使用由光微影術所選擇性地形成且具有第11圖中之柱形形狀的間隔物1016而形成,但選擇性地該胞格間隙可藉由分散於像素電極1007與相對電極1009之間的球狀間隔物而控制。在第11圖中之間隔物1016的位置係實例,且間隔物的位置可由業者適當地決定。
進一步地,在基板1001與相對基板1013之間的液晶1008係由密封材料所包圍。該液晶1008可藉由滴注法(液滴法)或浸漬法(抽液法)而予以注入。
像素電極1007可使用透光導電材料而形成,例如銦錫氧化物(ITO)、包含氧化矽之銦錫氧化物、有機銦、有機錫、包含氧化鋅之氧化銦鋅(IZO)、包含鎵之氧化鋅、包含氧化鎢之氧化銦、包含氧化鎢之氧化銦鋅、包含氧化鈦之氧化銦、包含氧化鈦之氧化銦錫、或其類似物。
此外,因為透明液晶元件1005係給定為此實施例中之實例,所以如在像素電極1007的情況中似地,相對電極1009亦使用上述透光導電材料而形成。
配向膜1011係設置於像素電極1007與液晶1008之間,以及配向膜1012係設置於相對電極1009與液晶1008間。配向膜1011及配向膜1012可使用諸如聚醯乙胺或聚乙烯醇之有機樹脂而形成。諸如摩擦之配向處理係執行於該等配向膜的表面上,以使以一定方向來配向液晶分子。摩擦可藉由滾動纏繞有尼龍或其類似物之布的滾筒,且同時施加壓力於配向膜之上而執行,使得配向膜的表面係以一定方向而摩擦。藉由使用諸如氧化矽之無機材料,各自具有配向性質的配向膜1011及配向膜1012可無需執行配向處理地藉由蒸鍍法而直接形成。
進一步地,能透射具有特定波長之光的濾色片1014係設置用於相對基板1013,以便與液晶元件1005重疊。該濾色片1014可被選擇性地形成如下:將其中色散染料之諸如丙烯酸基樹脂的有機樹脂施加於相對基板1013上,且使接受光微影術。選擇性地,該濾色片1014可被選擇性地形成如下:將其中色散染料之聚醯乙胺基樹脂施加於相對基板1013上,且使接受蝕刻。進一步選擇性地,濾色片1014可藉由諸如噴墨法之液滴排放法而被選擇性地形成。該濾色片1014無需一定要被設置。
進一步地,能遮蔽光之遮蔽膜1015係設置用於相對基板1013,以便與光二極體1002重疊。該遮蔽膜1015可防止通過相對基板1013之背光的光直接照射在光二極體1002之上。此外,該遮蔽膜1015可防止由於像素中的液晶1008配向之無序所造成的錯向被觀察到。該遮蔽膜1015可使用包含諸如碳黑或低氧化物鈦之黑色顏料的有機樹脂而形成。選擇性地,該遮蔽膜1015可使用鉻之膜而形成。
進一步地,偏光板1017係設置於基板1001之側,而該側與其中設置像素電極1007於上之側相反;且偏光板1018係設置於相對基板1013之側,而與該側設置相對電極1009於上之側相反。
液晶元件可為TN(扭轉向列)型,VA(垂直配向)型,OCB(光學補償雙折射)型,IPS(平面開關)型,或其類似者。雖然其中液晶1008係設置於像素電極1007與相對電極1009之間的液晶元件1005係描述於此實施例中做為實例,但依據本發明一實施例之顯示裝置並未受限於此結構。例如,亦可使用諸如IPS液晶元件之其中一對電極係設置於基板1001側的液晶元件。
將由光二極體1002所偵測之外部光以箭頭1025所示的方向進入基板1001,而到達光二極體1002。例如,當將被偵測之物體1021存在時,則將被偵測之該物體1021會阻擋外部光,以致可阻止外部光入射至光二極體1002之內。該液晶顯示裝置可藉由偵測出因而所進入至光二極體之光及其陰影,而作用成為觸控面板。
進一步地,將被偵測之物體可與基板1001緊密接觸,且通過將被偵測之該物體的外部光可由光二極體所偵測出,以致使該液晶顯示裝置可作用成為接觸型影像感測器。
此實施例可與其他實施例或實例之任一者適當地結合而實施。
在此實施例中,將敘述其係依據本發明一實施例之顯示裝置的實例之液晶顯示裝置,其係與實施例3不同。
除了下文所作成的說明外,可參考實施例3。例如,電晶體、光二極體、液晶元件、或其類似物可使用與實施例3中之該等者相同的材料而形成。
第13圖係與實施例3不同之顯示裝置的橫剖面視圖之實例。與其中光從製造光感測器於上的基板側進入之實施例3不一樣地,在此實施例中之光係從相對基板側,亦即,穿過液晶層而進入光感測器。
因此,形成開口於設置用於與光二極體1002重疊的相對基板1013之遮蔽膜1015的區域中係必要的。如圖式中所描繪地,可將濾色片1014設置於該開口中。設置有具備彩色R(紅色)、G(綠色)、及B(藍色)之濾色片的複數個光感測器可設置於像素中而形成彩色感測器,以致可提供彩色影像感測器功能。
此外,為了要形成實施例1中所述之用以偵測紅外線的光感測器,除了使用對紅外線具有靈敏度之晶體矽或其類似物的半導體層之外,設置紅外線透射濾光片於其中形成上述濾色片的位置處係有效的。注意的是,為簡化起見,可使用紅色(R)濾色片。
雖然在實施例3中之光係自光二極體1002的p型半導體層1041側而進入,但在具有與實施例3之結構相似的結構之此實施例中之光係自n型半導體層1043側而進入。何以使光自p型半導體層側而進入的理由在於可有效地取出擴散長度短之電洞,亦即,可自光二極體取出大量的電流,且光可自n型半導體層側進入,只要滿足設計之電流值即可。
在此實施例中,p型半導體層1041及n型半導體層1043可在光二極體1002中彼此互相掉換,以致使光可易於自p型半導體層側而進入。注意的是,在該情況中,操作方向係與實施例3中所述之操作方法不同,因為閘極電極係在p型半導體層(陽極)側連接至電晶體1003a。可參考實施例1以供各自操作方法之用。
如第14圖中所描繪地,光二極體1002可形成於電晶體1003a及電晶體1003b之上,且與該等電晶體重疊。不用多說地,光二極體1002可與該等電晶體的其中一者重疊。在此情況中,電晶體1003a的閘極電極可易於連接至光二極體1002的n型半導體層1043,且光可自p型半導體層1041側進入。進一步地,光二極體可形成為具有大的面積,而藉以增進光接收靈敏度。
雖未描繪,但可在第13圖及第14圖的任一者中,將透光導電層設置於光二極體1002的光入射側。導電層可設置於與光二極體1002的光入射側相反之側。透過所設置之此導電層,可降低由於p型半導體層1041或n型半導體層1043之電阻所造成之電荷的損失。
在此實施例中,遮蔽膜2015係設置於與光二極體1002的光接收側相反之側。該遮蔽膜2015可防止通過基板1001之背光的光直接照射光二極體1002且進入顯示面板,以致可執行高準確度之成像。遮蔽膜2015可使用包含諸如碳黑或低氧化物鈦之黑色顏料的有機樹脂而形成。選擇性地,該遮蔽膜2015可使用鉻之膜而形成。
將由光二極體1002所偵測之外部光以箭頭2025所示的方向進入相對基板1013,而到達光二極體1002。例如,當將被偵測之物體1021存在時,則將被偵測之該物體1021會阻擋外部光,以致可阻止外部光入射至光二極體1002之內。該液晶顯示裝置可藉由偵測出因而所進入至光二極體之光的強度,而作用成為觸控面板。
進一步地,將被偵測之物體可與相對基板1013緊密接觸,且通過將被偵測之該物體的外部光可由光二極體所偵測出,以致使該液晶顯示裝置可作用成為接觸型影像感測器。
此實施例可與其他實施例或實例之任一者適當地結合而實施。
在此實施例中,將敘述使用包含光感測器的顯示面板之書寫板(諸如,黑板及白板)的實例。
例如,包含光感測器的顯示面板係設置於第15圖中之顯示面板9696的位置處。
顯示面板9696具有光感測器及顯示元件。
在此,可以以馬克筆或其類似物而在顯示面板9696的表面上自由地書寫。
注意的是,若文字係以不具有定影劑之馬克筆或其類似物而書寫時,則可易於拭除該等文字。
此外,為了要使馬克筆的墨水可被易於去除,較佳地,顯示面板9696的表面應適當地平滑。
例如,當使用玻璃基板或其類似物於顯示面板9696的表面時,該顯示面板9696的表面具有足夠的平滑度。
選擇性地,可將透明合成樹脂片或其類似物附著至顯示面板9696的表面。
例如,較佳地,可使用丙烯酸樹脂做為該合成樹脂。在此情況中,合成樹脂之薄片的表面係較佳地平滑。
此外,因為顯示面板9696包含顯示元件,所以該顯示面板9696可顯示特定的影像,且同時,可以以馬克筆而寫下文字或其類似物於顯示面板9696的表面上。
進一步地,顯示面板9696包含光感測器,以致可讀取以馬克筆所書寫之文字,且若顯示面板9696連接至印表機或其類似物時,則可印刷出該等文字。
進一步地,因為顯示面板9696包含光感測器及顯示元件,所以藉由寫入本文、繪製圖形、或其類似者於具有影像顯示之顯示面板9696的表面上,可將藉由該光感測器所讀取之馬克筆的痕跡及該影像予以合成且顯示於該顯示面板9696之上。
注意的是,透過電阻式觸控感器、電容式觸控感測器、或其類似物之感測可僅在與透過馬克筆或其類似物之書寫的相同時間執行。
相反地,透過光感測器之感測則係佔優勢的,其中感測可在以馬克筆或其類似物來書寫某物之後的任何時間執行,即使在時間過去時亦然。
此實施例可與其他實施例或實例之任一者適當地結合而實施。
在此實例中,將敘述面板及光源的位置。第16圖係描繪依據本發明一實施例之顯示面板的構造之透視圖的實例。第16圖中所描繪之顯示面板包含:面板1601,其中包含液晶元件、光二極體、薄膜電晶體、或其類似物之像素係形成於一對基板之間;第一漫射體板1602;稜鏡片1603;第二漫射體板1604;光導板1605;反射器板1606;背光1608,包含複數個光源1607;及電路板1609。
面板1601,第一漫射體板1602,稜鏡片1603;第二漫射體板1604,光導板1605,及反射器板1606係順序地堆疊。光源1607係設置於光導板1605的末端部分。來自光源1607而漫射至光導板1605的光係藉助於第一漫射體板1602,稜鏡片1603,及第二漫射體板1604而自面板1601上之相對基板側被均勻地傳送。
雖然第一漫射體板1602及第二漫射體板1604係使用於此實例中,但漫射體板的數目並未受限於此。漫射體板的數目可為一,或可為三或更多。該漫射體板可設置於光導板1605與面板1601之間。因此,漫射體板可僅設置在比稜鏡片1603更靠近面板1601之側,或可僅設置在比稜鏡片1603更靠近光導板1605之側。
進一步地,描繪於第16圖中之稜鏡片1603的橫剖面之形狀並非僅係細齒狀,且該形狀可為其中來自光導板1605的光可透過其而聚集到面板1601側的形狀。
電路板1609係設置有用以產生或處理所輸入至面板1601之各式各樣信號的電路、用以處理由面板1601所輸出的各式各樣信號的電路、或其類似電路。在第16圖中,電路板1609及面板1601係經由撓性印刷電路(FPC)1611而彼此互相連接。注意的是,上述電路可藉由晶片在玻璃上(COG)方法而連接至面板1601,或上述電路的一部分可藉由晶片在膜上(COF)方法而連接至FPC 1611。
第16圖描繪其中電路板1609設置有用以控制光源1607之驅動的控制電路之實例,且該控制電路及光源1607係經由FPC1610而彼此互相連接。惟,控制電路可形成於面板1601之上,且在該情況中,面板1601及光源1607係製成為經由FPC或其類似物而彼此互相連接。
注意的是,雖然第16圖描繪其中光源1607係設置於面板1601的邊緣之邊緣光型光源,但依據本發明一實施例之顯示面板可為其中光源1607係直接設置於面板1601下面之直接下方型顯示面板。
例如,當其係將被偵測之物體的手指1612自上方側而靠近面板1601時,來自背光1608之通過面板1601的光之一部分會從手指1612反射回,且再進入面板1601。其係將被偵測之物體的手指1612之彩色影像資料可藉由順序地點亮對應於各個彩色之光源1607,且獲得每個彩色的影像資料,而獲得。進一步地,其係將被偵測之物體的手指1612之位置可自影像資料而辨識出,且顯示影像之資料可與該位置結合而提供成為觸控面板的功能。
此實例可與其他實施例或實例之任一者適當地結合而實施。
依據本發明一實施例之顯示裝置的特徵在於以高解析度而獲得影像資料。因此,使用依據本發明一實施例之顯示裝置的電子裝置可由於添加該顯示裝置做為組件,而具有更高的功能。
例如,依據本發明一實施例之顯示裝置可包含於顯示裝置、膝上型電腦、或設置有記錄媒體之影像再生裝置(典型地,可再生諸如DVD(數位多功能碟片)之記錄媒體的內容且具有用以顯示再生之影像的顯示器之裝置)中。除了上述實例之外,可給定行動電話、可攜帶式遊戲機、可攜帶式資訊終端機、電子書閱讀器、諸如攝影機及數位相機之攝像機、眼鏡型顯示器(頭戴式顯示器)、導肮系統、聲頻再生裝置(例如,汽車音響組件及數位聲頻播放器)、複印機、傳真機、印表機、多功能印表機、自動櫃員機(ATM)、販賣機、或其類似物做為包含依據本發明一實施例之顯示裝置的電子裝置。該等電子裝置的特定實例係描繪於第17A至17C圖之中。
第17A圖描繪顯示裝置,該顯示裝置包含外殼5001、顯示部5002、支撐座5003、或其類似物。依據本發明一實施例之顯示裝置可使用於顯示部5002。使用依據本發明一實施例之顯示裝置於該顯示部5002可提供能以高解析度而獲得影像資料,且能裝備有更高功能之應用的顯示裝置。注意的是,該顯示裝置包含用於個人電腦、電視(TV)接收機、廣告顯示器、及其類似物之所有資訊顯示裝置。
第17B圖描繪可攜帶式資訊終端機,該可攜帶式資訊終端機包含外殼5101、顯示部5102、開關5103、操作鍵5104、紅外線埠5105、或其類似物。依據本發明一實施例之顯示裝置可使用於顯示部5102。使用依據本發明一實施例之顯示裝置於該部5102可提供以高解析度而獲得影像資料,且能裝備有更高功能之應用的可攜帶式資訊終端機。
第17C圖描繪可攜帶式遊戲機,該可攜帶式遊戲機包含外殼5301、外殼5302、顯示部5303、顯示部5304、微音器5305、揚聲器5306、操作鍵5307、尖筆5308、或其類似物。依據本發明一實施例之顯示裝置可使用於顯示部5303或顯示部5304。使用依據本發明一實施例之顯示裝置於該顯示部5303或該顯示部5304可提供能以高解析度而獲得影像資料,且能裝備有更高功能之應用的可攜帶式遊戲機。注意的是,雖然第17C圖中所描繪之可攜帶式遊戲機包含顯示部5303及顯示部5304之二顯示部,但包含於可攜帶式遊戲機之中的顯示部之數目並未受限於此。
此實例可與其他實施例或實例之任一者適當地結合而實施。
此申請案係根據2010年2月19日在日本專利局所申請之日本專利申請案序號2010-034731,該申請案的全部內容係結合本文以供參考。
100...顯示裝置
101...像素電路
102...顯示元件控制電路
103...光感測器控制電路
104...像素
105...顯示元件部
106a...第一光感測器部
106b...第二光感測器部
107,108...顯示元件驅動器電路
109...光感測器讀取電路
110...光感測器驅動電路
201,205,206,301,1003a~1003c...電晶體
202,302,1004...儲存電容器
203,1005...液晶元件
204a...第一光二極體
204b...第二光二極體
207,213...閘極信號線
208...重設信號線
209...選擇信號線
210...源極信號線
211...輸出信號線
212...參考信號線
300...預充電電路
303...預充電信號線
401,403,405,431...區域
411,413,415,421,441,442...分佈
1001...基板
1002...光二極體
1007...像素電極
1008...液晶
1009...相對電極
1011,1012...配向膜
1013...相對基板
1014...濾色片
1015,2015...遮蔽膜
1016...間隔物
1017,1018...偏光板
1021,1612...將被偵測之物體
1025...外部光
1030...佈線
1031...保護絕緣膜
1032...平坦化絕緣膜
1033...絕緣膜
1035...信號佈線
1041,1141...p型半導體層
1042,1142...i型半導體層
1043,1143...n型半導體層
1601...面板
1602,1604...漫射體板
1603...稜鏡片
1605...光導板
1606...反射器
1607...光源
1608...背光
1609...電路板
1610,1611...撓性印刷電路(FPC)
5001,5101,5301,5302...外殼
5002,5102,5303,5304...顯示部
5003...支撐座
5103...開關
5104,5307...操作鍵
5105...紅外線埠
5305...微音器
5306...揚聲器
5308...尖筆
9696...顯示面板
第1圖描繪其中顯示區係設置有顯示元件及光感測器二者之顯示裝置的構造;
第2圖係電路圖,具有其中顯示區係設置有顯示元件及光感測器二者之顯示裝置的組態;
第3圖係光感測器之操作的時序圖;
第4圖係光感測器之操作的流程圖;
第5圖係光感測器之操作的流程圖;
第6圖係圖形,顯示光二極體的光譜靈敏度和紅外線透射濾光片的透射比;
第7A及7B圖描繪藉由光感測器所獲得的影像;
第8圖係流程圖,描繪二元化處理;
第9A及9B圖係條帶圖,描繪二元化處理;
第10圖係條帶圖,描繪二元化處理;
第11圖係顯示裝置的橫剖面視圖,其中顯示區係設置有顯示元件及光感測器二者;
第12圖係顯示裝置的橫剖面視圖,其中顯示區係設置有顯示元件及光感測器二者;
第13圖係顯示裝置的橫剖面視圖,其中顯示區係設置有顯示元件及光感測器二者;
第14圖係顯示裝置的橫剖面視圖,其中顯示區係設置有顯示元件及光感測器二者;
第15圖描繪使用依據本發明一實施例之顯示裝置的電子裝置之實例;
第16圖描繪依據本發明一實施例之顯示裝置的構造;以及
第17A至17C圖各自描繪使用依據本發明一實施例之顯示裝置的電子裝置之實例。
100...顯示裝置
101...像素電路
102...顯示元件控制電路
103...光感測器控制電路
104...像素
105...顯示元件部
106a...第一光感測器部
106b...第二光感測器部
107,108...顯示元件驅動器電路
109...光感測器讀取電路
110...光感測器驅動電路
Claims (15)
- 一種顯示裝置,包含:顯示區,包含第一像素與第二像素,其中該第一像素包含第一顯示元件部與第一光感測器部,其中該第二像素包含第二顯示元件部與第二光感測器部,其中該第一光感測器部包含用以偵測可見光的第一光二極體與被電連接至該第一光二極體的第一電晶體,其中該第二光感測器部包含用以偵測紅外線的第二光二極體與被電連接至該第二光二極體的第二電晶體,以及其中該第一光感測器部係組態以獲得一物體之影像,該物體係觸控或接近該顯示區。
- 一種顯示裝置,包含:顯示區,包含第一像素及第二像素,其中該第一像素包含第一顯示元件部及第一光感測器部,其中該第二像素包含第二顯示元件部及第二光感測器部,其中該第一光感測器部包含第一光二極體,用以偵測可見光,以及被電連接至該第一光二極體的第一電晶體,其中該第二光感測器部包含第二光二極體,用以偵測紅外線,以及被電連接至該第二光二極體的第二電晶體,其中該第一光感測器部係組態以獲得一物體之影像, 該物體係觸控或接近該顯示區,以及其中該第一光感測器部之靈敏度係依據藉由該第二光感測器部所偵測出的紅外線量而改變。
- 如申請專利範圍第1或2項之顯示裝置,其中該第一光二極體係PIN型光二極體,其中使用非晶矽於i型半導體層。
- 如申請專利範圍第1或2項之顯示裝置,其中該第二光二極體係PIN型光二極體,其中使用晶體矽於i型半導體層。
- 如申請專利範圍第1或2項之顯示裝置,其中該第二光感測器部更包含有濾光片,而透射紅外線且吸收可見光。
- 如申請專利範圍第1項或2項之顯示裝置,更包含被電連接至該顯示區的驅動電路。
- 如申請專利範圍第1項或2項之顯示裝置,其中該第一顯示元件部與該第二顯示元件部之各者包含液晶元件。
- 如申請專利範圍第1項或2項之顯示裝置,其中該第一顯示元件部與該第二顯示元件部之各者包含電晶體,以及其中該電晶體的通道形成區包含氧化物半導體。
- 如申請專利範圍第1項或2項之顯示裝置,其中該第一電晶體與該第二電晶體之各者的通道形成區包含氧化物半導體。
- 一種電子裝置,具有如申請專利範圍第1或2項之 顯示裝置。
- 一種驅動顯示裝置之方法,該顯示裝置包含:顯示區,包含第一像素與第二像素,該第一像素包含第一顯示元件部與第一光感測器部,且該第二像素包含第二顯示元件部與第二光感測器部,驅動該顯示裝置之該方法包含:在該顯示區上接收外部光;藉由該第二光感測器部而偵測出包含於該外部光之中的紅外線;依據藉由該第二光感測器部所偵測出的紅外線量而改變該第一光感測器部之光接收靈敏度;且使用該第一光感測器部中之可見光以執行成像。
- 一種驅動顯示裝置之方法,包含:在顯示區上接收外部光,該顯示區包含第一像素及第二像素;藉由該第二像素之第二光感測器部而偵測出包括於該外部光之中的紅外線;依據藉由該第二光感測器部所偵測出的紅外線量,而改變該第一像素之第一光感測器部的光接收靈敏度;且使用該第一光感測器部中之可見光以執行成像。
- 一種驅動顯示裝置之方法,該顯示裝置包含:顯示區,包含第一像素與第二像素,該第一像素包含第一顯示元件部與第一光感測器部,且該第二像素包含第二顯示元件部與第二光感測器部, 驅動該顯示裝置之該方法包含:在該顯示區上接收外部光;藉由該第二光感測器部而偵測出包含於該外部光之中的紅外線;依據藉由該第二光感測器部所偵測出的紅外線量而選擇該第一光感測器部或該第二光感測器部做為使用於成像之單元;當使用該第一光感測器部時,使用可見光以執行成像;且當使用該第二光感測器部時,使用紅外線以執行成像。
- 一種驅動顯示裝置之方法,該顯示裝置包含:顯示區,包含第一像素與第二像素,該第一像素包含第一顯示元件部與第一光感測器部,且該第二像素包含第二顯示元件部與第二光感測器部,驅動該顯示裝置之該方法包含:藉由當接收光時由該第二光感測器部所偵測出之紅外線的強度,而改變該第一光感測器部之光接收靈敏度;轉換藉由該第一光感測器部所偵測出之光的強度成為信號;以該等信號形成條帶圖(histogram),其中水平軸表示灰度;自暗側中之該等灰度而計數該條帶圖的灰度; 設定到達計數之灰度,而該計數係設定於臨限值之前;於該臨限值的邊界執行影像的二元化,以獲得亮部及暗部;且使用該暗部之像素的位址而於該顯示區之中決定將被偵測之物體的位置。
- 一種驅動顯示裝置之方法,該顯示裝置包含:顯示區,包含第一像素與第二像素,該第一像素包含第一顯示元件部與第一光感測器部,且該第二像素包含第二顯示元件部與第二光感測器部,驅動該顯示裝置之該方法包含:在該顯示區上接收外部光;藉由該第二光感測器部而偵測出包含於該外部光之中的紅外線;依據藉由該第二光感測器部所偵測出的紅外線量而選擇該第一光感測器部或該第二光感測器部做為使用於成像之單元;當使用該第一光感測器部時,使用可見光以執行成像;當使用該第二光感測器部時,使用紅外線以執行成像;轉換藉由該第一光感測器部或該第二光感測器部所偵測出之光的強度成為信號,以該等信號形成條帶圖,其中水平軸表示灰度; 自暗側中之該等灰度而計數該條帶圖的灰度;設定到達計數之灰度,而該計數係設定於臨限值之前;於該臨限值的邊界執行影像的二元化,以獲得亮部及暗部;且使用該暗部之影像的位址而於該顯示區之中決定將被偵測之物體的位置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010034731 | 2010-02-19 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201142802A TW201142802A (en) | 2011-12-01 |
TWI522995B true TWI522995B (zh) | 2016-02-21 |
Family
ID=44476116
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW100105255A TWI522995B (zh) | 2010-02-19 | 2011-02-17 | 顯示裝置及驅動顯示裝置之方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8928644B2 (zh) |
JP (2) | JP5745718B2 (zh) |
KR (1) | KR101773984B1 (zh) |
CN (2) | CN102812421B (zh) |
TW (1) | TWI522995B (zh) |
WO (1) | WO2011102501A1 (zh) |
Families Citing this family (91)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9229233B2 (en) | 2014-02-11 | 2016-01-05 | Osterhout Group, Inc. | Micro Doppler presentations in head worn computing |
US9965681B2 (en) | 2008-12-16 | 2018-05-08 | Osterhout Group, Inc. | Eye imaging in head worn computing |
US9952664B2 (en) | 2014-01-21 | 2018-04-24 | Osterhout Group, Inc. | Eye imaging in head worn computing |
US9366867B2 (en) | 2014-07-08 | 2016-06-14 | Osterhout Group, Inc. | Optical systems for see-through displays |
US9298007B2 (en) | 2014-01-21 | 2016-03-29 | Osterhout Group, Inc. | Eye imaging in head worn computing |
JP5100670B2 (ja) | 2009-01-21 | 2012-12-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | タッチパネル、電子機器 |
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KR101754382B1 (ko) | 2010-03-11 | 2017-07-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR20130086537A (ko) * | 2010-06-16 | 2013-08-02 | 파나소닉 주식회사 | 부품 실장 방법 및 부품 실장기 |
JP5823740B2 (ja) | 2010-06-16 | 2015-11-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 入出力装置 |
KR101821694B1 (ko) * | 2011-04-25 | 2018-01-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
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CN107340509B (zh) * | 2012-03-09 | 2020-04-14 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置的驱动方法 |
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US9939934B2 (en) | 2014-01-17 | 2018-04-10 | Osterhout Group, Inc. | External user interface for head worn computing |
US10191279B2 (en) | 2014-03-17 | 2019-01-29 | Osterhout Group, Inc. | Eye imaging in head worn computing |
US10684687B2 (en) | 2014-12-03 | 2020-06-16 | Mentor Acquisition One, Llc | See-through computer display systems |
US20160019715A1 (en) | 2014-07-15 | 2016-01-21 | Osterhout Group, Inc. | Content presentation in head worn computing |
US9810906B2 (en) | 2014-06-17 | 2017-11-07 | Osterhout Group, Inc. | External user interface for head worn computing |
US10649220B2 (en) | 2014-06-09 | 2020-05-12 | Mentor Acquisition One, Llc | Content presentation in head worn computing |
US11103122B2 (en) | 2014-07-15 | 2021-08-31 | Mentor Acquisition One, Llc | Content presentation in head worn computing |
US9829707B2 (en) | 2014-08-12 | 2017-11-28 | Osterhout Group, Inc. | Measuring content brightness in head worn computing |
US10254856B2 (en) | 2014-01-17 | 2019-04-09 | Osterhout Group, Inc. | External user interface for head worn computing |
US9299194B2 (en) | 2014-02-14 | 2016-03-29 | Osterhout Group, Inc. | Secure sharing in head worn computing |
US9366868B2 (en) | 2014-09-26 | 2016-06-14 | Osterhout Group, Inc. | See-through computer display systems |
US9841599B2 (en) | 2014-06-05 | 2017-12-12 | Osterhout Group, Inc. | Optical configurations for head-worn see-through displays |
US9746686B2 (en) | 2014-05-19 | 2017-08-29 | Osterhout Group, Inc. | Content position calibration in head worn computing |
US9594246B2 (en) | 2014-01-21 | 2017-03-14 | Osterhout Group, Inc. | See-through computer display systems |
US11892644B2 (en) | 2014-01-21 | 2024-02-06 | Mentor Acquisition One, Llc | See-through computer display systems |
US9836122B2 (en) | 2014-01-21 | 2017-12-05 | Osterhout Group, Inc. | Eye glint imaging in see-through computer display systems |
US9766463B2 (en) | 2014-01-21 | 2017-09-19 | Osterhout Group, Inc. | See-through computer display systems |
US11737666B2 (en) | 2014-01-21 | 2023-08-29 | Mentor Acquisition One, Llc | Eye imaging in head worn computing |
US9532714B2 (en) | 2014-01-21 | 2017-01-03 | Osterhout Group, Inc. | Eye imaging in head worn computing |
US9651784B2 (en) | 2014-01-21 | 2017-05-16 | Osterhout Group, Inc. | See-through computer display systems |
US9494800B2 (en) | 2014-01-21 | 2016-11-15 | Osterhout Group, Inc. | See-through computer display systems |
US9811152B2 (en) | 2014-01-21 | 2017-11-07 | Osterhout Group, Inc. | Eye imaging in head worn computing |
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-
2011
- 2011-02-15 WO PCT/JP2011/053613 patent/WO2011102501A1/en active Application Filing
- 2011-02-15 US US13/027,583 patent/US8928644B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-02-15 CN CN201180010222.6A patent/CN102812421B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-02-15 CN CN201610230420.8A patent/CN105786268B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-02-15 KR KR1020127023981A patent/KR101773984B1/ko active IP Right Grant
- 2011-02-17 TW TW100105255A patent/TWI522995B/zh active
- 2011-02-17 JP JP2011031492A patent/JP5745718B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-12-22 US US14/579,167 patent/US9484381B2/en active Active
-
2015
- 2015-05-05 JP JP2015094505A patent/JP6029710B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5745718B2 (ja) | 2015-07-08 |
KR101773984B1 (ko) | 2017-09-01 |
TW201142802A (en) | 2011-12-01 |
JP2011192266A (ja) | 2011-09-29 |
CN105786268A (zh) | 2016-07-20 |
WO2011102501A1 (en) | 2011-08-25 |
CN102812421B (zh) | 2016-05-18 |
US9484381B2 (en) | 2016-11-01 |
US20110205209A1 (en) | 2011-08-25 |
KR20130009967A (ko) | 2013-01-24 |
CN102812421A (zh) | 2012-12-05 |
US20150102207A1 (en) | 2015-04-16 |
JP6029710B2 (ja) | 2016-11-24 |
CN105786268B (zh) | 2019-03-12 |
JP2015158947A (ja) | 2015-09-03 |
US8928644B2 (en) | 2015-01-06 |
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