TWI511619B

TWI511619B - Electrode elements for plasma processing, internal components and methods for their manufacture and separation

Info

Publication number: TWI511619B
Application number: TW098122630A
Authority: TW
Original assignee: Advanced Micro Fab Equip Inc
Priority date: 2009-07-03
Filing date: 2009-07-03
Publication date: 2015-12-01
Also published as: TW201103376A

Description

用於等離子體處理的電極元件、內部元件及其製造和分離方法

本發明涉及等離子體處理技術領域，更具體地，涉及用於等離子體處理的內部元件技術領域，特別是指一種用於等離子體處理的電極元件及其他內部元件、以及這些元件的製造和分離方法。

眾所周知，等離子體反應室(plasma chamber)應用於半導體製造工藝中，用以在半導體襯底、基片或晶片上沉積和刻蝕各種物質層。為了在等離子體反應室中產生等離子體，該等離子體反應室內部需要被抽成真空，然後再注入前驅氣體(precursor gas)，並將射頻能量耦合到等離子體反應室內。大體來說，等離子體刻蝕反應室分為兩大類：電感耦合型等離子體反應室(inductive-coupled plasma chambers)和電容耦合型等離子體反應室(capacitive-coupled plasma chambers)。在電感耦合型等離子體反應室中，射頻能量主要是以電感耦合的方式耦合到等離子體中，而在電容耦合型等離子體反應室中，射頻主要通過在射頻放電表面(比如，氣體噴頭(shower head)或陰極(cathode))上通過電容放電耦合到等離子體中。

在等離子體處理中，必須嚴格控制反應室內部的處理溫度，比如，反應氣體溫度或等離子體溫度。這可以部分地通過控制同時作用為氣體噴頭的電極的溫度來實現。通常，電極會被連接在一支撐部件上，業界也有人採用直接將電極與一溫度控制元件連接在一起，該溫度控制元件同時作用為支撐部件。溫度控制元件通常由金屬(如鋁)或其他具有高熱傳導性的材料製成，其內部會設置若干加熱線圈或液體冷卻通道或氣體冷卻通道。為了控制電極的溫度，溫度控制元件與電極通過機械連接方式或其他方式連接在一起。但是，已經發現，在等離子體處理過程中，由於電極和結合有電極的溫度控制元件之間具有不同的熱膨脹/收縮，這會引起電極變形或彎曲，更有甚者，會使電極破裂，從而影響等離子體處理的均一性和加工。

本發明的目的之一在於提供一種用於等離子體處理的電極元件，其克服現有技術存在的問題與不足，解決了現有技術中電極和電極的支撐部件之間由於兩者的熱膨脹係數差而導致電極的彎曲或開裂的問題。

本發明的另一目的是提供一種用於等離子體處理的電極元件的製造方法，該製造方法操作簡單，由此製備的電極元件避免了在等離子體處理過程中電極彎曲或開裂，延長了電極使用壽命，降低了使用成本，提高了等離子體反應室的穩定性，且結合牢固。

本發明的另一目的是提供一種用於等離子體處理的電極元件的分離方法，該分離方法操作簡單，上述電極元件在適當條件下容易分離，從而利於更換部件，降低成本，適合於大規模工業化生產。

本發明的再一目的是提供一種除上述電極元件以外的用於等離子體處理的內部元件、以及這些元件的製造和分離方法。

為了實現上述目的，本發明一方面提供了一種用於等離子體處理的電極元件，其包括：具有第一結合表面的支撐部件；電極，具有與所述第一結合表面配合的第二結合表面；和在所述第一結合表面和所述第二結合表面之間的可熔性含氟聚合物薄膜層，所述可熔性含氟聚合物薄膜層分別黏接所述第一結合表面和所述第二結合表面，並允許所述電極和所述支撐部件之間由於熱膨脹而導致的相對運動。

根據本發明的另一方面，提供了一種上述的用於等離子體處理的電極元件的製造方法，所述的製造方法包括以下步驟：(1)將可熔性含氟聚合物薄膜層置於所述支撐部件的所述第一結合表面和所述電極的所述第二結合表面之間；(2)置於高溫環境中一段時間，使所述可熔性含氟聚合物薄膜層融化從而黏接所述第一結合表面和所述第二結合表面；(3)冷卻後獲得所述用於等離子體處理的電極元件。

根據本發明的又一方面，提供了一種上述的用於等離子體處理的電極元件的分離方法，所述的分離方法包括以下步驟：(1)將所述用於等離子體處理的電極組件置於高溫環境中一段時間，使所述可熔性含氟聚合物薄膜層融化從而將所述電極和所述支撐部件分開； (2)冷卻後獲得分離的所述支撐部件、所述可熔性含氟聚合物薄膜層和所述電極。

根據本發明的再一方面，提供了一種用於等離子體處理室的內部元件，包括：第一處理室部件，其具有第一連接表面；第二處理室部件，其與所述第一處理室部件相連接，並具有與所述第一連接表面相鄰的第二連接表面，所述第一處理室部件與第二處理室部件具有不同的熱膨脹係數；以及位於所述第一連接表面和所述第二連接表面之間的可熔性含氟聚合物薄膜層，所述可熔性含氟聚合物薄膜層分別黏接所述第一連接表面和所述第二連接表面，並允許所述電極和所述支撐部件之間由於熱膨脹而導致的相對運動。

根據本發明的再一方面，提供了一種前述內部元件的製造方法，其特徵在於，所述的製造方法包括以下步驟：(1)將可熔性含氟聚合物薄膜層置於所述第一處理室部件的所述第一結合表面和所述第二處理室部件的所述第二結合表面之間；(2)置於高溫環境中一段時間，使所述可熔性含氟聚合物薄膜層融化從而黏接所述第一結合表面和所述第二結合表面；(3)冷卻後獲得所述用於等離子體處理的內部元件。

根據本發明的再一方面，提供了一種前述內部元件的分離方法，其特徵在於，所述的分離方法包括以下步驟：(1)將所述用於等離子體處理的內部元件置於高溫環境中一段時間，使所述可熔性含氟聚合物薄膜層融化從而將所述第一處理室部件和所述第二處理室部件分開； (2)冷卻後獲得分離的所述第一處理室部件、所述可熔性含氟聚合物薄膜層和所述第二處理室部件。

本發明採用可熔性含氟聚合物薄膜層分別連接電極和支撐部件，利用高溫下可熔性含氟聚合物薄膜層熔融時產生強力黏接，從而將電極和支撐部件牢靠地連接在一起，操作簡便，並且可熔性含氟聚合物薄膜層允許所述電極和所述支撐部件之間由於熱膨脹而導致的相對運動，從而避免電極和支撐部件之間由於兩者的熱膨脹係數差而導致電極的彎曲或開裂的問題，延長了電極使用壽命，降低了使用成本，提高了等離子體反應室的穩定性，且上述黏接過程可逆，當需要更換部件如電極時，可將電極更換下來，換上新的電極，該分離方法操作簡單，部件更換方便，降低了成本，適合於大規模工業化生產。

為更好的理解本發明的內容，下面結合具體實施例作進一步說明。

請參見圖1所示，並結合參閱圖3、圖4，圖1是本發明的電極組件的一具體實施例的主視剖視示意圖，該電極元件100包括支撐部件1、可熔性含氟聚合物薄膜層2和電極3。支撐部件1具有第一結合表面10，電極3具有與所述第一結合表面10配合的第二結合表面30，可熔性聚四氟乙烯薄膜層2在所述第一結合表面10和所述第二結合表面30之間分別黏接所述第一結合表面10和所述第二結合表面30，並允許在等離子體處理過程中所述電極3和所述支撐部件1之間由於熱膨脹而導致的相對運動。

所述電極3同時作用為氣體噴頭。電極可以由不同材料製成，比如由矽材料製成或由SiC材料製成。由矽製成的電極可以由純矽製成或包括一些摻雜材料的矽製成；由SiC製成的電極可以是包括一主體層和一塗覆於該主體層的下表面上的由化學氣相沉積產生的碳化矽塗層，其中，主體層可以選擇由燒結的碳化矽或熱壓的碳化矽製成。當然本發明也適用於由其他合適材料(如：石墨)製成的電極。所述電極3在等離子體反應室內作為RF驅動電極，當然也可以不作為RF驅動電極(接地電極)。所述電極3具有多個氣體噴射穿孔31，較佳地，所述氣體噴射穿孔31包括具有第一直徑的第一部分氣體噴射孔(未圖示)以及具有比所述第一直徑小的第二直徑的第二部分氣體噴射孔(未圖示)，當然也可以是等直徑圓柱形孔，為了解決微塵粒子污染問題，所述氣體噴射孔31是在所述電極3上鑽孔後再對其進行退火而形成的。

所述支撐部件1通過可熔性含氟聚合物薄膜層2可移動地連接到電極3上。支撐部件1一方面可以作為支撐部件使電極3被牢固地連接在一起，同時，也可以在其上設置一些具有溫度控制功能的部件，因而其也作用為溫度控制元件，支撐部件2通常由具有高熱傳導性能的材料(比如，鋁)製成，並且還可以在其上設置電加熱線圈，或在上面設置可以通入不同溫度的液體或氣體通道，在這些通道內通入控溫的流體。所述支撐部件1或溫度控制元件1包括向所述電極3 提供加工氣體的氣體通道11。所述可熔性含氟聚合物薄膜層2包括氣體通道21。

可熔性含氟聚合物薄膜層2是一種可熔融加工的具有熱塑性的含氟樹脂的薄膜，看上去是一種透明和清澈的塑膠薄膜，就像一張典型的高射投影透明正片，其在高於其熔融溫度時會形成流體相(比如經過一定溫度烘烤時會形成可流動的熔融態)，而在低於其熔融溫度時會形成固體相。該含氟聚合物的薄膜包括PFA(過氟烷基化物)、PTFE(聚四氟乙烯)、ETFE(乙烯和四氟乙烯的共聚物)、PEEK(聚醚醚酮)、PCTFE(聚三氟氯乙烯)等等。PFA樹脂相對來說是比較新的可熔融加工的氟塑料。PFA的熔點大約為580F(華氏溫度)，密度為2.13-2.16g/cc(克/立方釐米)。PFA與PTFE可在高達500F下的溫度下使用，它的耐化學品性與PTEF相當。這些可熔性含氟聚合物薄膜在市場上均可很容易地購得，因而容易操作和適於大規模生產。如，市場經銷的PFA樹脂有DUPONT公司的Teflon牌、Daikin公司的Neoflon牌、Ansimont公司的Hthen牌、Hoechst Celanese公司的Hostafl牌等。

所述可熔性含氟聚合物薄膜層2的厚度一般為10μm~90μm。其形成了一導熱的但電氣絕緣的電氣絕緣層，其作用在於熱傳導並且允許電極3(氣體噴頭)和支撐部件1在溫度波動時產生相對移動。

上述用於等離子體處理的電極元件100的製造方法包括以下步驟：(1)將可熔性含氟聚合物薄膜層2置於所述支撐部件1的所述第一結合表面10和所述電極3的所述第二結合表面30之間；(2)置於高溫環境中一段時間，使所述可熔性含氟聚合物薄膜層2融化從而黏接所述第一結合表面10和所述第二結合表面30；(3)冷卻後獲得所述用於等離子體處理的電極元件100。

可熔性含氟聚合物薄膜層2在高溫下融化並產生強大黏附，從而將支撐部件1和電極3“黏”在一起。在上述製造用於等離子體處理的電極元件的過程中，所述的高溫環境的溫度為250-370℃，所述的一段時間是3~30分鐘。

請參閱附件二，附件二是本發明的電極元件的實際製造完成的照片圖。附件中，電極為4，可熔性含氟聚合物薄膜層為5，支撐部件為6。圖中，可熔性含氟聚合物薄膜層5很好地將電極4與支撐部件6連接在一起。

對以上述製造方法製成的直徑大小為300毫米的電極元件進行牽引試驗，在150℃下，對電極組件中的電極連續施加5個小時的大於75公斤的力量後，電極仍牢固地與支撐部件相連接，因此，試驗證明，可熔性含氟聚合物薄膜的黏接強度非常理想。

使用時，將上述電極元件的支撐部件1按照一般方法安裝到等離子體反應室中，然後可以加工半導體襯底、基片或晶片等工藝件。所述氣體噴頭具有兩種作用，一方面可以作為氣體噴頭，向反應室內噴射和輸入反應氣體；另一方面，也作為等離子體反應室的導電的上電極。加工氣體通過支撐部件(溫度控制元件)的中心孔提供。儘管電極3與支撐部件1 之間存在熱膨脹係數差，可熔性含氟聚合物薄膜層2使得當等離子體吸收的RF功率導致電極3加熱升溫時，電極3與支撐部件1可以相對運動從而避免電極彎曲或開裂，延長了電極的使用壽命。

當電極3腐蝕至一定程度需要更換時或支撐部件1損壞需要更換時，在現有技術中就是將焊接在一起的支撐部件和電極丟棄，本發明的電極元件可以在合適條件下分離，因為上述的製造過程可逆，可以逆向分開這兩元件，從而便於更換其中某一元件，達到節省成本的目的。具體包括：(1)將所述用於等離子體處理的電極組件置於高溫環境中一段時間，使所述可熔性含氟聚合物薄膜層2融化從而將所述電極3和所述支撐部件1分開；(2)冷卻後獲得分離的所述支撐部件1、所述可熔性含氟聚合物薄膜層2和所述電極3。

較佳地，所述高溫環境的溫度為250-400℃，所述一段時間是3~30分鐘。

如圖2所示，在本發明的另一具體實施例中，電極元件200包括一環狀的支撐部件1’、可熔性含氟聚合物薄膜層2’和電極3’，支撐部件1’具有第一結合表面10’，電極3’具有與所述第一結合表面10’配合的第二結合表面30’，可熔性含氟聚合物薄膜層2’在所述第一結合表面10’和所述第二結合表面30’之間分別黏接所述第一結合表面10’和所述第二結合表面30’，並允許所述電極3’和所述支撐部件1’之間由於熱膨脹而導致的相對運動。本實施方式中支撐部件1’與圖1中所示不同之處在於：支撐部件1’為一環狀的，沒有與電極3’的第二結合表面30’全部連接在一起。

所述電極3’是氣體噴頭，同時也是電極，它可以選用前述合適材料製成。所述電極3’在等離子體反應室內作為RF驅動電極，當然也可以不作為RF驅動電極。所述氣體噴頭具有多個氣體噴射穿孔31’，較佳地，所述氣體噴射穿孔31’包括具有第一直徑的第一部分氣體噴射孔以及具有比所述第一直徑小的第二直徑的第二部分氣體噴射孔，當然也可以是等直徑圓柱形孔，為了解決微塵粒子問題，所述氣體噴射孔31是在所述氣體噴頭上鑽孔後再對所述氣體噴頭進行退火而形成的。

上述用於等離子體處理的電極元件200的製造方法和分離方法同前述電極元件100的製造方法，此處不再贅敘。

本發明的精神也可以實施於除前述的其他用於等離子體處理室的內部元件，包括：第一處理室部件，其具有第一連接表面；第二處理室部件，其與所述第一處理室部件相連接，並具有與所述第一連接表面相鄰的第二連接表面，所述第一處理室部件與第二處理室部件具有不同的熱膨脹係數；以及位於所述第一連接表面和所述第二連接表面之間的可熔性含氟聚合物薄膜層，所述可熔性含氟聚合物薄膜層分別黏接所述第一連接表面和所述第二連接表面，並允許所述電極和所述支撐部件之間由於熱膨脹而導致的相對運動。這些內部元件可以是如靜電夾盤元件、反應腔室內襯組件、擋環、等離子密封環、處理室內襯支架等。前述的電極元件的製造方法和分離方法同樣可以適用於其他用於等離子體處理室的內部元件。如圖3所示，圖3是本發明的靜電夾盤組件的具體實施例的主視剖視示意圖，其中，靜電夾盤組件300包括放置靜電夾盤的基座302、靜電夾盤306以及連接二者的可熔性含氟聚合物薄膜層304。所述靜電夾盤306內部嵌設有電極308。在等離子體處理過程中，可熔性含氟聚合物薄膜層304很好地將靜電夾盤306與基座302連接在一起，並且允許二者由於熱膨脹而導致的相對運動。再請參閱圖4，圖4是本發明的反應腔室內襯組件的具體實施例的主視剖視示意圖。反應腔室內襯元件400包括反應腔室側壁402、反應腔室內襯406以及連接二者的可熔性含氟聚合物薄膜層404。同樣地，在等離子體處理過程中，可熔性含氟聚合物薄膜層404很好地將反應腔室側壁402與反應腔室內襯406連接在一起，並且允許二者由於熱膨脹而導致的相對運動。以上僅為示例性地說明了一些內部元件的實施方式，本發明所能實施的方式不限於上述舉例。

需要說明的是，上面內容對本發明的兩個具體實施例進行了描述，通過該描述，使得本發明更加清楚，但是上述實施例是示例性的，而不是用於限制本發明範圍的，比如本發明的電極3可以不作為RF驅動電極，其也可以採用其他材料製造的電極，而支撐元件也不局限於溫度控制元件和可移動連接至溫度控制元件的支援件，其包括一切為了加工需要而需要連接至電極的其他部件。

綜上所述，本發明的用於等離子體處理的電極組件避免了電極彎曲或開裂，延長了電極使用壽命，降低了使用成本，提高了等離子體反應室的穩定性，且結合牢固，其製造方法操作簡單，分離方法操作簡單，部件更換方便，降低了成本，適合於大規模工業化生產。

在此說明書中，本發明已參照其特定的實施例作了描述。但是，很顯然仍可以作出各種修改和變換而不背離本發明的精神和範圍。因此，說明書和附圖應被認為是說明性的而非限制性的。

100、200‧‧‧電極元件

1、6、1’‧‧‧支撐部件

2、5、2’、304、404‧‧‧可熔性含氟聚合物薄膜層

3、4、3’、308‧‧‧電極

10、10’‧‧‧第一結合表面

30、30’‧‧‧第二結合表面

31、31’‧‧‧氣體噴射穿孔

11、21‧‧‧氣體通道

300‧‧‧靜電夾盤組件

302‧‧‧基座

306‧‧‧靜電夾盤

400‧‧‧反應腔室內襯元件

402‧‧‧反應腔室側壁

406‧‧‧反應腔室內襯

附件一：本發明的可熔性含氟聚合物薄膜層的照片圖。

附件二：本發明的電極元件的實際製造完成的照片圖。

圖1是本發明的電極組件的一具體實施例的主視剖視示意圖。

圖2是本發明的電極組件的另一具體實施例的主視剖視示意圖。

圖3是本發明的靜電夾盤組件的具體實施例的主視剖視示意圖。

圖4是本發明的反應腔室內襯組件的具體實施例的主視剖視示意圖。

100‧‧‧電極元件

1‧‧‧支撐部件

11‧‧‧氣體通道

10‧‧‧第一結合表面

30‧‧‧第二結合表面

2‧‧‧可熔性含氟聚合物薄膜層

21‧‧‧氣體通道

3‧‧‧電極

31‧‧‧氣體噴射穿孔

Claims

一種用於等離子體處理的電極元件，包括：具有第一結合表面的支撐部件；電極，具有與所述第一結合表面配合的第二結合表面；和在所述第一結合表面和所述第二結合表面之間的可熔性含氟聚合物薄膜層，所述可熔性含氟聚合物薄膜層分別黏接所述第一結合表面和所述第二結合表面，並允許所述電極和所述支撐部件之間由於熱膨脹而導致的相對運動；所述可熔性含氟聚合物薄膜層在溫度為250-400℃高溫環境中經過3~30分鐘會發生熔化，實現所述支撐部件和所述電極的分離。
如申請專利範圍第1項所述之電極元件，其中，所述可熔性含氟聚合物薄膜層包括以下材料中的一種：PFA、PTFE、ETFE、PEEK、PCTFE。
如申請專利範圍第1項所述之電極元件，其中，所述可熔性含氟聚合物薄膜層的厚度為10μm~90μm。
如申請專利範圍第1項所述之電極元件，其中，所述支撐部件同時作用為一溫度控制元件。
如申請專利範圍第1項所述之電極元件，其中，所述電極是氣體噴頭式電極。
如申請專利範圍第1項所述之電極元件，其中，所述電極是RF驅動電極或接地電極。
如申請專利範圍第1項所述之電極元件，其中，所述電極是由矽材料製成的電極或由石墨材料製成的電極或主要由SiC材料製成的電極。
一種用於等離子體處理的電極元件的製造方法，包括以下步驟：(1)將可熔性含氟聚合物薄膜層置於支撐部件的第一結合表面和電極的第二結合表面之間；(2)置於高溫環境中一段時間，使所述可熔性含氟聚合物薄膜層融化從而黏接所述第一結合表面和所述第二結合表面；(3)冷卻後獲得所述用於等離子體處理的電極元件。
如申請專利範圍第8項所述之用於等離子體處理的電極元件的製造方法，其中，所述可熔性含氟聚合物薄膜層包括以下材料中的一種：PFA、PTFE、ETFE、PEEK、PCTFE。
如申請專利範圍第8項所述之用於等離子體處理的電極元件的製造方法，其中，所述的高溫環境的溫度為250-400℃，所述的一段時間是3~30分鐘。
如申請專利範圍第8項所述之用於等離子體處理的電極元件的製造方法，其中，所述可熔性含氟聚合物薄膜層的厚度為10μm~90μm。
如申請專利範圍第8項所述之用於等離子體處理的電極元件的製造方法，其中，所述支撐部件同時作用為一溫度控制元件。
如申請專利範圍第8項所述之用於等離子體處理的電極元件的製造方法，其中，所述電極是氣體噴頭。
如申請專利範圍第8項所述之用於等離子體處理的電極元件的製造方法，其中，所述電極是RF驅動電極或接地電極。
如申請專利範圍第8項所述之用於等離子體處理的電極元件的製造方法，其中，所述電極是由矽材料製成的電極或由石墨材料製成的電極或主要由SiC材料製成的電極。
一種用於等離子體處理的電極元件的分離方法，包括以下步驟：(1)將用於等離子體處理的電極組件置於高溫環境中一段時間，使可熔性含氟聚合物薄膜層融化從而將電極和支撐部件分開；(2)冷卻後獲得分離的所述支撐部件、所述可熔性含氟聚合物薄膜層和所述電極。
如申請專利範圍第16項所述之用於等離子體處理的電極元件的分離方法，其中，所述可熔性含氟聚合物薄膜層包括以下材料中的一種：PFA、PTFE、ETFE、PEEK、PCTFE。
如申請專利範圍第16項所述之用於等離子體處理的電極元件的分離方法，其中，所述高溫環境的溫度為250-400℃，所述一段時間是3~30分鐘。
如申請專利範圍第16項所述之用於等離子體處理的電極元件的分離方法，其中，所述可熔性含氟聚合物薄膜層的厚度為10μm~90μm。
如申請專利範圍第16項所述之用於等離子體處理的電極元件的分離方法，其中，所述支撐部件是溫度控制元件。
如申請專利範圍第16項所述之用於等離子體處理的電極元件的分離方法，其中，所述電極是氣體噴頭式電極。
如申請專利範圍第16項所述之用於等離子體處理的電極元件的分離方法，其中，所述電極是RF驅動電極或接地電極。
如申請專利範圍第16項所述之用於等離子體處理的電極元件的分離方法，其中，所述電極是由矽材料製成的電極或由石墨材料製成的電極或主要由SiC材料製成的電極。
一種用於等離子體處理的內部元件，包括：第一處理室部件，其具有第一連接表面；第二處理室部件，其與所述第一處理室部件相連接，並具有與所述第一連接表面相鄰的第二連接表面，所述第一處理室部件與第二處理室部件具有不同的熱膨脹係數；以及位於所述第一連接表面和所述第二連接表面之間的可熔性含氟聚合物薄膜層，所述可熔性含氟聚合物薄膜層分別黏接所述第一連接表面和所述第二連接表面，並允許所述第一處理室部件和所述第二處理室部件之間由於熱膨脹而導致的相對運動；所述可熔性含氟聚合物薄膜層在溫度為250-400℃高溫環境中經過3~30分鐘會發生熔化，實現所述支撐部件和所述電極的分離。
如申請專利範圍第24項所述之用於等離子體處理的內部元件，其中，所述可熔性含氟聚合物薄膜層包括以下材料中的一種：PFA、PTFE、ETFE、PEEK、PCTFE。
如申請專利範圍第24項所述之用於等離子體處理的內部元件，其中，所述內部元件為選自下述部件之一：電極元件、靜電夾盤元件、反應腔室內襯組件和等離子密封環組件。
一種用於等離子體處理的內部元件的製造方法，包括以下步驟：(1)將可熔性含氟聚合物薄膜層置於第一處理室部件的第一結合表面和第二處理室部件的第二結合表面之間；(2)置於高溫環境中一段時間，使所述可熔性含氟聚合物薄膜層融化從而黏接所述第一結合表面和所述第二結合表面；(3)冷卻後獲得所述用於等離子體處理的內部元件。
如申請專利範圍第27項所述之用於等離子體處理的內部元件的製造方法，其中，所述可熔性含氟聚合物薄膜層包括以下材料中的一種：PFA、PTFE、ETFE、PEEK、PCTFE。
一種用於等離子體處理的內部元件的分離方法，包括以下步驟：(1)將所述用於等離子體處理的內部元件置於高溫環境中一段時間，使可熔性含氟聚合物薄膜層融化從而將第一處理室部件和第二處理室部件分開；(2)冷卻後獲得分離的所述第一處理室部件、所述可熔性含氟聚合物薄膜層和所述第二處理室部件。
如申請專利範圍第29項所述之用於等離子體處理的內部元件的分離方法，其中，所述可熔性含氟聚合物薄膜層包括以下材料中的一種：PFA、PTFE、ETFE、PEEK、PCTFE。