TWI508347B - 光電元件的製造方法 - Google Patents

Description

光電元件的製造方法

本發明是有關於一種光電元件的製造方法。

一般而言，光電元件(例如液晶顯示器等)是用摩擦配向的技術形成配向層。在摩擦配向技術中，需先將配向液塗佈於光電元件的基板上，然後再固化配向液，以形成準配向層。之後，再利用絨布摩擦準配向層，而形成配向層。然而，由於光電元件的基板表面不一定是平坦的，因此絨布摩擦配置於基板表面的準配向層易造成配向層的不良，進而使光電元件中光學異方向性材料(例如液晶等)的配向狀況不理想。由於摩擦配向技術的缺點，有人開發出了光配向技術，雖然光配向技術可解決摩擦配向技術的問題，但光配向技術所使用的配向液價格昂貴，而使得利用光配向技術製造的光電元件成本過高。

有鑑於此，本發明提供一種光電元件的製造方法，其所製造的光電元件成本低且品質佳。

本發明的一實施例的光電元件製造方法包括下列步驟。提供二基板以及包括光學異方向性材料、成膜材料、配向材料以及光起始劑的混合物。在基板之間填入混合物。令成膜材料以及配向材料於基板上分別形成成膜層以及配向層。配向層以及成膜層位於光學異方向性材料與基板之間。成膜層位於配向層與基板之間。

在本發明的一實施例中，上述的二基板包括相對的第一基板與第二基板。令配向材料於二基板上形成配向層的方法包括下列步驟。提供第一偏極光以及第二偏極光，其中第一偏極光沿著由第一基板向第二基板的方向傳遞，第二偏極光沿著由第二基板向第一基板的方向傳遞。令第一偏極光與第二偏極光同時照射配向材料。

在本發明的一實施例中，上述的令配向材料於基板上形成配向層的方法包括下列步驟。提供偏極光。令光學異方向性材料在偏極光傳遞方向上的相延遲量實質上為零。於光學異方向性材料在偏極光傳遞方向上的相延遲量實質上為零時，令偏極光照射配向材料。

在本發明的一實施例中，上述的令光學異方向性材料在偏極光傳遞方向上的相延遲量實質上為零的方法包括下列步驟。對光學異方向性材料的多個光學異方向性分子施加電壓以使每一光學異方向性分子的光軸與偏極光的傳遞方向實質上平行，或加熱光學異方向性材料以使光學異方向性材料的溫度大於或等於光 學異方向性材料的澄清點。

在本發明的一實施例中，上述的成膜材料為自組裝型高分子材料。令成膜材料於基板上形成成膜層的方法包括：令成膜材料自然地與基板鍵結。

在本發明的一實施例中，上述的令成膜材料於基板上形成成膜層的方法包括：加熱成膜材料，或令光束照射成膜材料。

在本發明的一實施例中，上述的令成膜材料以及配向材料於基板上分別形成成膜層以及配向層的方法包括：提供偏極光；以及令偏極光同時照射成膜材料以及配向材料，其中在偏極光照射下，成膜材料的聚合反應速率實質上大於配向材料的聚合反應速率。

在本發明的一實施例中，上述的成膜材料的吸收波長範圍與配向膜材料的吸收波長範圍不同。令成膜材料以及配向材料於基板上分別形成成膜層以及配向層的方法包括下列步驟。提供偏極光以及光束，其中偏極光的波長分佈範圍與光束的波長分佈範圍不同。令光束照射成膜材料，以使成膜材料吸收光束而形成成膜層。令偏極光照射配向材料，以使配向材料吸收偏極光而形成配向膜層。

在本發明的一實施例中，上述的成膜材料表示為下列化學式(1)，，其中X為矽或鋅，R₁ 為鹵基、氨基、丙烯酸酯基或氧烷基團，而氧烷基團可為直鏈型或支鏈型，R₂ 包括氫、烷基、鹵素以及氰基，m大於或等於1，a及b大於或等於0。成膜材料在混合物中的重量百分比濃度大於0%且小於或等於15%。

在本發明的一實施例中，上述的配向材料表示為下列化學式(2)，，其中R₃ 包括烷基、鹵素以及腈基，Y表示為下列化學式(3)，，其中Z為丙烯酸酯基、腈基或甲基，n大於或等於1。配向材料在混合物中的重量百分比濃度大於或等於0.1%且小於或等於15%。

本發明的另一實施例的光電元件製造方法包括下列步驟。提供相對的第一基板與第二基板以及混合物。混合物包括光學異方向性材料以及配向材料。在第一基板與第二基板之間填入混合物。提供第一偏極光以及第二偏極光，其中第一偏極光沿著 由第一基板向第二基板的方向傳遞，第二偏極光沿著由第二基板向第一基板的方向傳遞。令第一偏極光與第二偏極光同時照射混合物，以使配向材料在第一基板以及第二基板上形成配向層。

在本發明的一實施例中，上述的混合物更包括成膜材料。成膜材料為自組裝型高分子材料。光電元件的製造方法更包括：令自組裝型高分子材料自然地與第一基板以及第二基板鍵結而在第一基板以及第二基板上形成成膜層，其中配向層以及成膜層位於光學異方向性材料與第一基板以及第二基板之間，而成膜層位於配向層與第一基板以及第二基板之間。

在本發明的一實施例中，上述的光電元件的製造方法更包括：加熱成膜材料，以使成膜材料在第一基板以及第二基板上形成成膜層。

在本發明的一實施例中，上述的混合物更包括成膜材料。第一偏極光與第二偏極光同時照射配向材料以及成膜材料，以使成膜材料在第一基板以及第二基板上形成成膜層，其中在第一偏極光及第二偏極光照射下，成膜材料的聚合反應速率實質上大於配向材料的聚合反應速率。

在本發明的一實施例中，上述的成膜材料的吸收波長範圍與配向膜材料的吸收波長範圍不同，而光電元件的製造方法更包括下列步驟。提供光束，其中光束的波長分佈範圍與第一偏極光的波長分佈範圍以及第二偏極光的波長分佈範圍不同。令光束照射成膜材料，以使成膜材料吸收光束而形成成膜層。

本發明的又一實施例的光電元件的製造方法，包括下列步驟。提供二基板以及混合物。混合物包括光學異方向性材料以及配向材料。在基板之間填入混合物。提供偏極光。令光學異方向性材料在偏極光傳遞方向上的相延遲量實質上為零。於光學異方向性材料在偏極光傳遞方向上的相延遲量實質上為零時，令偏極光照射配向材料，以使配向材料在基板上形成配向層。

在本發明的一實施例中，上述的令光學異方向性材料在偏極光傳遞方向上的相延遲量實質上為零的方法包括：對光學異方向性材料的多個光學異方向性分子施加電壓以使每一光學異方向性分子的光軸與偏極光的傳遞方向實質上平行，或加熱光學異方向性材料以使光學異方向性材料的溫度大於或等於光學異方向性材料的澄清點。

在本發明的一實施例中，上述的混合物更包括成膜材料。成膜材料為自組裝型高分子材料。光電元件的製造方法更包括：令自組裝型高分子材料自然地與基板鍵結而在基板上形成成膜層。

在本發明的一實施例中，上述的光電元件製造方法更包括：加熱成膜材料以使成膜材料在基板上形成成膜層。

在本發明的一實施例中，上述的偏極光同時照射配向材料以及成膜材料，以使成膜材料在基板上形成成膜層，其中在偏極光照射下，成膜材料的聚合反應速率實質上大於配向材料的聚合反應速率。

在本發明的一實施例中，上述的成膜材料的吸收波長範圍與配向膜材料的吸收波長範圍不同。光電元件的製造方法更包括下列步驟。提供光束，其中偏極光的波長分佈範圍與光束的波長分佈範圍不同。令光束照射成膜材料，以使成膜材料吸收光束而形成成膜層。

基於上述，在本發明一實施例的光電元件的製造方法中，利用包括光學異方向性材料及配向材料的混合物來形成配向層，而不需使用傳統配向液來形成配向層。因此，相較於習知的摩擦配向技術，本發明一實施例的光電元件的製造方法可省去塗佈配向液及摩擦配向的步驟，而避免因摩擦配向所造成的不良，進而提高光電元件的良率。此外，由於本發明一實施例的光電元件的製造方法不需使用習知的配向液，因此相較於習知的摩擦配向技術及光配向，以本發明一實施例的光電元件的製造方法所製造的光電元件更具有低成本的競爭優勢。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

100‧‧‧光電元件

110‧‧‧混合物

112‧‧‧光學異方向性材料

112a‧‧‧光學異方向性分子

114‧‧‧配向材料

116‧‧‧成膜材料

120、130‧‧‧基板

122、132‧‧‧基底

124、134‧‧‧膜層

140‧‧‧成膜層

150‧‧‧配向層

200‧‧‧加熱板

A‧‧‧光軸

1、L3‧‧‧光束

L1、L2、L4‧‧‧偏極光

V‧‧‧電壓源

圖1A至圖1F為本發明一實施例的光電元件製造方法的流程示意圖。

圖2示出本發明另一實施例形成成膜層的方法。

圖3示出本發明又一實施例形成成膜層的方法。

圖4示出本發明另一實施例形成配向層的方法。

圖5示出本發明又一實施例形成配向層的方法。

圖6A至圖6B示出本發明另一實施例的形成成膜層及配向層的方法。

圖7A至圖7B示出本發明又一實施例的形成成膜層及配向層的方法。

圖1A至圖1F為本發明一實施例的光電元件製造方法的流程示意圖。請參照圖1A及圖1B，首先，提供混合物110(繪於圖1A)以及二基板120、130(繪於圖1B)。混合物110包括光學異方向性材料112以及配向材料114。在本實施例中，混合物110可選擇性地包括成膜材料116。混合物110更可包括光起始劑(未繪示)。光學異方向性材料112包括多個光學異方向性分子112a。在本實施例中，光學異方向性材料112例如為液晶材料，而光學異方向性分子112a例如為液晶分子。然而，本發明不限於此，在其他實施例中，光學異方向性材料112亦可為其他種具有光學異方向性(anisotropic)的材料。

在本實施例中，基板120包括基底122以及配置於基底122上的膜層124，而基板130包括基底132以及配置於基底132上的膜層134。進一步而言，若欲製造的光電元件為彩色顯示器，基底122上的膜層124例如為畫素陣列層，而基底132上的膜層 134例如為彩色濾光層。然而，本發明不限於此，基板120、130的樣態可視欲製造的光電元件種類而定。舉例而言，若欲製造的光電元件為用於觀賞立體顯示器的眼鏡，基底122、132可為透光基底，而膜層124、134可為透光導電膜(例如銦錫氧化物膜)。

請參照圖1B，接著，在二基板120、130之間填入混合物110。舉例而言，在本實施例中，可用真空注入法將混合物110填入二基板120、130之間。然而，本發明不限於此，在其他實施例中，亦可採用滴下式填入(One drop Fill，ODF)法或其他適當方法將混合物110填入二基板120、130之間。

請參照圖1C及圖1D，接著，在本實施例中，可選擇性地令成膜材料116於基板120、130上形成成膜層140。成膜材料116可為自組裝(self alignment)型高分子材料，而成膜材料116可自然地與基板120、130鍵結而在基板120、130上形成成膜層140。詳言之，自組裝型高分子材料的側鏈基可與基板120、130的膜層124、134表面的氫氧基反應，而與膜層124、134產生鍵結，進而在膜層124、134表面上形成成膜層140。成膜材料116可表示為下列化學式(1)，，其中X可為矽(Si)、鋅(Zn)等，R₁ 可為鹵基、氨基、丙烯酸酯基或氧烷基團(氧烷 基團可為直鏈型或支鏈型)等，R₂ 可包括氫、烷基、鹵素以及氰基，m大於或等於1，而a及b大於或等於0。成膜材料116在混合物110中的重量百分比(percent by weight)濃度可大於0%且小於或等於15%。但本發明不以此為限，成膜材料116的化學結構及成膜材料116在混合物110中的重量百分比濃度皆可視實際製程的需求調整之。

值得注意的是，配向分子114可透過成膜層140在基板120、130上形成更穩固的配向層。需說明的是，在其他實例中，若配向分子114可直接地在基板120、130上形成穩固的配向層，則混合物110中可省略成膜材料116(即成膜材料116在混合物110中的重量百分比濃度可等於0%)，而光電元件製造方法流程中亦可省略形成成膜層140的步驟。

形成成膜層140的方法不限於上述，在其他實施例中，亦可採用其他適當的方法形成成膜層140，以下配合圖示舉例說明之。圖2示出本發明另一實施例形成成膜層的方法。請參照圖2，在此實施例中，成膜材料116可為熱固型高分子材料。令成膜材料116於基板120、130上形成成膜層140的方法可為：加熱成膜材料116，而形成成膜層140(繪於圖1D)。具體而言，可將基板120、130以及已填入基板120、130之間的混合物110一起置於加熱板200上。此時，如圖2所示，熱固型高分子材料會受熱而與基板120、130反應，並開始沉積在基板120、130表面。在加熱一段適當的時間後，如圖1D所示，熱固型高分子材料便可形成成 膜層140。在此實施例中，加熱成膜材料116的溫度及時間可視成膜材料116的特性而定。舉例而言，加熱成膜材料116的溫度可介於40℃~500℃。此外，加熱成膜材料116的時間更可考量基板120、130間的距離。

圖3示出本發明又一實施例形成成膜層的方法。請參照圖3，在此實施例中，成膜材料116可為光固型高分子材料。令成膜材料116於基板120、130上形成成膜層140的方法可為：令光束1照射成膜材料116，而形成成膜層140(繪於圖1D)。在此實施例中，光束1可為線性偏極光，但本發明不限於此，在其他實施例中，光束1可為非偏極光。在此實施例中，光束1可沿著基板120向基板130的方向傳遞，並先穿過基板120後再照射至成膜材料116。換言之，光束1可穿過基板120而照射至成膜材料116。光束1的波長分布範圍在穿過基板120後變化不大，而使成膜材料116可接收具有適當波長分布的光束1，進而使成膜層140的成膜品質良好。光束1的波長、光束1的照射強度及光束1的照射時間可視光固型高分子材料的特性而定。光束1的波長、光束1的照射強度及光束1的照射時間更可考量基板120、130間的吸收光譜以及基板120、130間的距離而定。舉例而言，光束1的波長可在200奈米(nm)至400奈米(nm)，而光束1的照射強度可大於或等於5毫焦耳每平方公分(mj/cm² )。

請參照圖1E及圖1F，接著，令配向材料114於基板120、130上形成配向層150(繪於圖1F)。在本實施例中，配向材料114 可為光固型高分子材料。配向材料114可表示為下列化學式(2)，，其中R₃ 包括烷基、鹵素以及腈基，Y表示可為下列化學式(3)，，其中Z包括丙烯酸酯基、腈基或甲基，n大於或等於1。配向材料114在混合物110中的重量百分比濃度可大於或等於0.1%且小於或等於15%。但本發明不以此為限，配向材料114的化學結構及配向材料114在混合物110中的重量百分比濃度皆可視實際製程的需求調整之。

在本實施例中，令配向材料114於基板120、130上形成配向層150的方法可包括下列步驟。如圖1E所示，首先，提供偏極光L1以及偏極光L2，其中偏極光L1沿著由基板120向基板130的方向傳遞，而偏極光L2沿著由基板130向基板120的方向傳遞。接著，令偏極光L1與偏極光L2同時照射配向材料114，以於基板120、130上形成配向層150(繪於圖1F)。如圖1F所示，配向層150形成後，光學異方向性材料112，便可依所設定的配向方向一致地排列，進而完成本實施例的光電元件100。在光電元件100中，配向層150以及成膜層140位於光學異方向性材料112與基板120、130之間，而成膜層140位於配向層150與基板120、130之間。值得一提的是，在本實施例中，由於偏極光L1、L2是分別從基板120、130所在二側同時照射配向材料114，因此靠近 基板120、130表面的配向材料114皆可受到均勻的偏極光L1、L2照射，而使配向層150的成膜品質良好。

在本實施例中，偏極光L1、L2可為線性偏極光。線性偏極光的偏極方向可視欲形成的配向方向而定。線性偏極光的偏極方向可與所形成的配向方向平行或垂直。舉例而言，若所欲製造的光電元件為扭轉向列(twisted nematic，TN)型液晶顯示器，則偏極光L1、L2的偏極方向可實質上互相垂直。若所欲製造的光電元件為電控雙折射(electrically controlled birefringence，ECB)型、橫向電場驅動(In-Plane Switching，IPS)型或邊緣電場驅動(fringe field switching，FFS)型液晶顯示器，則偏極光L1、L2的偏極方向可實質上互相平行。此外，偏極光L1、L2的波長、偏極光L1、L2的照射強度及偏極光L1、L2的照射時間可視配向材料114的特性而定。偏極光L1、L2的波長、偏極光L1、L2的照射強度及偏極光L1、L2的照射時間更可考量基板120、130間的吸收光譜及基板120、130間的距離。舉例而言，偏極光L1、L2的波長可在200奈米(nm)至400奈米(nm)，而偏極光L1、L2的照射強度可大於或等於5毫焦耳每平方公分(mj/cm² )。

形成配向層150的方法不限於上述，在其他實施例中，亦可採用其他適當的方法形成品質良好的配向層150。舉例而言，在其他實施例中，可提供偏極光，並令光學異方向性材料在所述偏極光傳遞方向上的相延遲量(retardation)實質上為零。並且，於光學異方向性材料在所述偏極光傳遞方向上的相延遲量實質上 為零時，令此偏極光照射配向材料，以形成配向層。以下配合圖示具體說明之。

圖4示出本發明另一實施例形成配向層的方法。請參照圖4，在此實施例中，形成配向層的方法包括下列步驟。提供偏極光L1，偏極光L1可為線性偏極光。令光學異方向性材料112在所述偏極光L1傳遞方向上的相延遲量(retardation)實質上為零。具體而言，可對光學異方向性材料112的多個光學異方向性分子112a施加電壓以使每一光學異方向性分子112a的光軸A與偏極光L1的傳遞方向實質上平行。然後，在每一光學異方向性分子112a的光軸A與偏極光L1的傳遞方向實質上平行時，令偏極光L1照射配向材料114，以形成配向層150(繪於圖1F)。如圖1F所示，在配向層150形成後，移除電壓源V，光學異方向性材料112便可順著設定的配向方向排列。

值得一提的是，在圖4中，由於偏極光L1照射配向材料114時每一光學異方向性分子112a的光軸A與偏極光L1的傳遞方向是實質上平行，因此偏極光L1的偏振方向不易受到光學異方向性材料112的影響，而使所有配向材料114皆可感受到同一偏振方向的偏極光L1。這樣一來，配向材料114便可在基板120、130上形成品質良好的配向層150，進而使光學異方向性材料112的配向狀況良好。

圖5示出本發明又一實施例形成配向層的方法。請參照圖5，在此實施例中，形成配向層的方法包括下列步驟。提供偏極 光L1。令光學異方向性材料112在所述偏極光L1傳遞方向上的相延遲量實質上為零。詳言之，可加熱光學異方向性材料112以使光學異方向性材料112的溫度大於或等於光學異方向性材料112的澄清點。光學異方向性材料112的溫度大於或等於光學異方向性材料112的澄清點時，光學異方向性材料112轉變為光學等方向性(isotropic)材料。然後，在光學異方向性材料112轉變為光學等方向性材料時，令偏極光L1照射配向材料114，以形成配向層150(繪於圖1F)。如圖1F所示，在配向層150形成後，可令光學異方向性材料112的溫度低於光學異方向性材料112的澄清點，此時，光學異方向性材料112便可順著設定的配向方向排列。

在圖5中，由於偏極光L1照射配向材料114時，光學異方向性材料112已轉變為光學等方向性材料，因此偏極光L1的偏振方向不易受到光學異方向性材料112的影響，而使所有配向材料114皆可感受到同一偏振方向的偏極光L1。這樣一來，配向材料114便可在基板120、130上形成品質良好的配向層150，進而使光學異方向性材料112的配向狀況良好。

在本實施例中，以成膜材料116是自組裝型高分子材料而配向材料114是光固型材料為例說明，在其他實施例中，成膜材料116及配向材料114亦可皆為光固型材料。以下配合圖示詳細說明當成膜材料116及配向材料114皆為光固型材料時，成膜層140及配向層150的形成方式。圖6A至圖6B示出本發明另一實施例的形成成膜層及配向層的方法。請參照圖6A及圖6B，提 供偏極光L1，並令偏極光L1同時照射成膜材料116以及配向材料114，以形成成膜層140及配向層150。偏極光L1可為線性偏極光。值得注意的是，在此實施例中，在偏極光L1照射下，成膜材料的聚合反應速率實質上可大於配向材料114的聚合反應速率，以使成膜材料116在配向層150完全形成前先形成成膜層140，而使配向材料114可透過成膜層140在基板120、130上形成穩固的配向層150。此外，在此實施例中，於照射成膜材料116以及配向材料114時，亦可同時應用與圖1E、圖4、圖5對應的減少光學異方向性材料112對偏極光L1影響的方法，以使成膜層140及配向層150的成膜品質更佳。相關的說明請參照與圖1E、圖4、圖5對應的段落，於此便不再重述。

圖7A至圖7B示出本發明又一實施例的形成成膜層及配向層的方法。當成膜材料116及配向材料114皆為光固型材料且成膜材料116及配向材料114的吸收波長範圍不同時，如圖7A所示，可先以具有成膜材料116(圖7A未繪示)吸收波長範圍的光束L3(光束L3可以是非偏極光或偏極光)照射成膜材料116，以使成膜材料116形成成膜層140。然後，如圖7B所示，再以具有配向材料114(繪於圖7A)吸收波長範圍的偏極光L4(例如線偏極光)照射配向材料114，以使配向材料114形成配向層150。在此實施例中，在照射配向材料114時，亦可同時應用與圖1E、圖4、圖5對應的減少光學異方向性材料112對偏極光L1影響的方法，以使成膜層140及配向層150的成膜品質更佳。相關的說明 請參照與圖1E、圖4、圖5對應的段落，於此亦不再重述。

綜上所述，在本發明一實施例的光電元件的製造方法中，利用包括光學異方向性材料及配向材料的混合物來形成配向層，而不需使用傳統配向液來形成配向層。因此，相較於習知的摩擦配向技術，本發明一實施例的光電元件的製造方法可省去塗佈配向液及摩擦配向的步驟，而避免因摩擦配向所造成的不良，進而提高光電元件的良率。此外，由於本發明一實施例的光電元件的製造方法不需使用習知的配向液，因此相較於習知的摩擦配向技術及光配向，以本發明一實施例的光電元件的製造方法所製造的光電元件更具有低成本的競爭優勢。

此外，在本發明另一實施例的光電元件的製造方法中，偏極光是分別從二基板所在二側同時照射配向材料，因此靠近二基板表面的配向材料皆可受到均勻的偏極光照射，而使配向層的品質良好。

再者，在本發明一實施例的光電元件的製造方法中，在以偏極光照射配向材料時，同時使令光學異方向性材料在此偏極光傳遞方向上的相延遲量實質上為零。如此一來，此偏極光的偏振方向便不易受到光學異方向性材料的影響，而使所有配向材料皆可感受到同一偏振方向的偏極光，進而使配向材料所形成的配向層具有良好的配向能力。

110‧‧‧混合物

112‧‧‧光學異方向性材料

114‧‧‧配向材料

120、130‧‧‧基板

122、132‧‧‧基底

124、134‧‧‧膜層

140‧‧‧成膜層

L1、L2‧‧‧偏極光

Claims (18)

1. 一種光電元件的製造方法，包括：提供二基板以及一混合物，該混合物包括一光學異方向性材料、一成膜材料、一配向材料以及一光起始劑；在該些基板之間填入該混合物；以及令該成膜材料以及該配向材料於該些基板上分別形成一成膜層以及一配向層，其中該配向層以及該成膜層位於該光學異方向性材料與該些基板之間，而該成膜層位於該配向層與該些基板之間，其中令該配向材料於該些基板上形成該配向層的方法包括：提供一偏極光；令該光學異方向性材料在該偏極光傳遞方向上的相延遲量實質上為零；以及於該光學異方向性材料在該偏極光傳遞方向上的相延遲量實質上為零時，令該偏極光照射該配向材料。
2. 如申請專利範圍第1項所述的光電元件的製造方法，其中該些基板包括相對的一第一基板與一第二基板，而令該配向材料於該些基板上形成該配向層的方法包括：提供一第一偏極光以及一第二偏極光，其中該第一偏極光沿著由該第一基板向該第二基板的方向傳遞，該第二偏極光沿著由該第二基板向該第一基板的方向傳遞；以及令該第一偏極光與該第二偏極光同時照射該配向材料。
3. 如申請專利範圍第1項所述的光電元件的製造方法，其中令該光學異方向性材料在該偏極光傳遞方向上的相延遲量實質上為零的方法包括：對該光學異方向性材料的多個光學異方向性分子施加電壓以使每一該光學異方向性分子的光軸與該偏極光的傳遞方向實質上 平行，或加熱該光學異方向性材料以使該光學異方向性材料的溫度大於或等於該光學異方向性材料的澄清點。
4. 如申請專利範圍第1項所述的光電元件的製造方法，其中該成膜材料為一自組裝型高分子材料，而令該成膜材料於該些基板上形成該成膜層的方法包括：令該成膜材料自然地與該些基板鍵結。
5. 如申請專利範圍第1項所述的光電元件的製造方法，其中令該成膜材料於該些基板上形成該成膜層的方法包括：加熱該成膜材料，或令一光束照射該成膜材料。
6. 如申請專利範圍第1項所述的光電元件的製造方法，其中令該成膜材料以及該配向材料於該些基板上分別形成該成膜層以及該配向層的方法包括：提供一偏極光；以及令該偏極光同時照射該成膜材料以及該配向材料，其中在該偏極光照射下，該成膜材料的聚合反應速率實質上大於該配向材料的聚合反應速率。
7. 如申請專利範圍第1項所述的光電元件的製造方法，其中該成膜材料的吸收波長範圍與該配向膜材料的吸收波長範圍不同，而令該成膜材料以及該配向材料於該些基板上分別形成該成膜層以及該配向層的方法包括：提供一偏極光以及一光束，其中該偏極光的波長分佈範圍與該光束的波長分佈範圍不同；令該光束照射該成膜材料，以使該成膜材料吸收該光束而形成該成膜層；以及令該偏極光照射該配向材料，以使該配向材料吸收該偏極光而形成該配向膜層。
8. 一種光電元件的製造方法，包括：提供相對的一第一基板與一第二基板以及一混合物，該混合物包括一光學異方向性材料以及一配向材料；在該第一基板與該第二基板之間填入該混合物；提供一第一偏極光以及一第二偏極光，其中該第一偏極光沿著由該第一基板向該第二基板的方向傳遞，該第二偏極光沿著由該第二基板向該第一基板的方向傳遞；令該第一偏極光與該第二偏極光同時照射該混合物，以使該配向材料在該第一基板以及該第二基板上形成一配向層。
9. 如申請專利範圍第8項所述的光電元件的製造方法，其中該混合物更包括一成膜材料，該成膜材料為一自組裝型高分子材料，而該光電元件的製造方法更包括：令該自組裝型高分子材料自然地與該第一基板以及該第二基板鍵結而在該第一基板以及該第二基板上形成一成膜層，其中該配向層以及該成膜層位於該光學異方向性材料與該第一基板以及該第二基板之間，而該成膜層位於該配向層與該第一基板以及該第二基板之間。
10. 如申請專利範圍第8項所述的光電元件的製造方法，其中該混合物更包括一成膜材料，而該光電元件的製造方法更包括：加熱該成膜材料，以使該成膜材料在該第一基板以及該第二基板上形成一成膜層，其中該配向層以及該成膜層位於該光學異方向性材料與該第一基板以及該第二基板之間，而該成膜層位於該配向層與該第一基板以及該第二基板之間。
11. 如申請專利範圍第8項所述的光電元件的製造方法，其中該混合物更包括一成膜材料，該第一偏極光與該第二偏極光同時照射該配向材料以及該成膜材料，以使該成膜材料在該第一基 板以及該第二基板上形成一成膜層，其中在該第一偏極光及該第二偏極光照射下，該成膜材料的聚合反應速率實質上大於該配向材料的聚合反應速率，該配向層以及該成膜層位於該光學異方向性材料與該第一基板以及該第二基板之間，而該成膜層位於該配向層與該第一基板以及該第二基板之間。
12. 如申請專利範圍第8項所述的光電元件的製造方法，其中該混合物更包括一成膜材料，該成膜材料的吸收波長範圍與該配向膜材料的吸收波長範圍不同，而該光電元件的製造方法更包括：提供一光束，其中該光束的波長分佈範圍與該第一偏極光的波長分佈範圍以及該第二偏極光的波長分佈範圍不同；以及令該光束照射該成膜材料，以使該成膜材料吸收該光束而形成該成膜層，其中該配向層以及該成膜層位於該光學異方向性材料與該第一基板以及該第二基板之間，而該成膜層位於該配向層與該第一基板以及該第二基板之間。
13. 一種光電元件的製造方法，包括：提供二基板以及一混合物，該混合物包括一光學異方向性材料以及一配向材料；在該些基板之間填入該混合物；提供一偏極光；令該光學異方向性材料在該偏極光傳遞方向上的相延遲量實質上為零；以及於該光學異方向性材料在該偏極光傳遞方向上的相延遲量實質上為零時，令該偏極光照射該配向材料，以使該配向材料在該些基板上形成一配向層。
14. 如申請專利範圍第13項所述的光電元件的製造方法，其 中令該光學異方向性材料在該偏極光傳遞方向上的相延遲量實質上為零的方法包括：對該光學異方向性材料的多個光學異方向性分子施加電壓以使每一該光學異方向性分子的光軸與該偏極光的傳遞方向實質上平行，或加熱該光學異方向性材料以使該光學異方向性材料的溫度大於或等於該光學異方向性材料的澄清點。
15. 如申請專利範圍第13項所述的光電元件的製造方法，其中該混合物更包括一成膜材料，該成膜材料為一自組裝型高分子材料，而該光電元件的製造方法更包括：令該自組裝型高分子材料自然地與該些基板鍵結而在該些基板上形成一成膜層，其中該配向層以及該成膜層位於該光學異方向性材料與該些基板之間，而該成膜層位於該配向層與該些基板之間。
16. 如申請專利範圍第13項所述的光電元件的製造方法，其中該混合物更包括一成膜材料，而該光電元件的製造方法更包括：加熱該成膜材料以使該成膜材料在該些基板上形成一成膜層，其中該配向層以及該成膜層位於該光學異方向性材料與該些基板之間，而該成膜層位於該配向層與該些基板之間。
17. 如申請專利範圍第13項所述的光電元件的製造方法，其中該混合物更包括一成膜材料，該偏極光同時照射該配向材料以及該成膜材料，以使該成膜材料在該些基板上形成一成膜層，其中在該偏極光照射下，該成膜材料的聚合反應速率實質上大於該配向材料的聚合反應速率，該配向層以及該成膜層位於該光學異方向性材料與該些基板之間，而該成膜層位於該配向層與該些基板之間。
18. 如申請專利範圍第13項所述的光電元件的製造方法，其 中該混合物更包括一成膜材料，該成膜材料的吸收波長範圍與該配向膜材料的吸收波長範圍不同，而該光電元件的製造方法更包括：提供一光束，其中該偏極光的波長分佈範圍與該光束的波長分佈範圍不同；以及令該光束照射該成膜材料，以使該成膜材料吸收該光束而形成該成膜層，該成膜材料吸收該光束而形成一成膜層，其中該配向層以及該成膜層位於該光學異方向性材料與該些基板之間，而該成膜層位於該配向層與該些基板之間。