TWI505397B - Chamber and processing device - Google Patents

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TWI505397B
TWI505397B TW098119214A TW98119214A TWI505397B TW I505397 B TWI505397 B TW I505397B TW 098119214 A TW098119214 A TW 098119214A TW 98119214 A TW98119214 A TW 98119214A TW I505397 B TWI505397 B TW I505397B
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Masato Minami
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Tokyo Electron Ltd
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    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers

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Description

腔室及處理裝置
本發明係關於對平面顯示器用基板(以下,稱為FPD用基板)等之大型被處理體執行處理之處理腔室(處理室)等之腔室及處理裝置。
就以在FPD生產工場中所使用之裝置而言,所知的有在真空或減壓環境下對FPD用基板施予各種處理之處理裝置,例如利用電漿對屬於被處理體之FPD用基板施予蝕刻等之處理的電漿處理裝置。
電漿處理裝置係例如專利文獻1所記載般,具備有對被處理體施予電漿處理之處理腔室(處理室)、具有搬運被處理體之搬運機構的搬運腔室(搬運室),和裝載鎖定腔室(裝載鎖定室)等之各種腔室。在處理腔室內,配設有互相對向之上部電極,和兼作載置被處理體之載置台的下部電極。對上部電極和下部電極之間施加高頻,使上部電極和下部電極之間之處理空間產生電漿。
然而,被處理體尤其係FPD用基板日漸朝向大型化,現在於實際之FPD製造中使用大概2000mm~2400mm方形大小之基板。FPD用基板之尺寸今後也朝向大型化,最終成為大約3000mm方形,或超過此。FPD用基板之大型化因可以增加自一片基板所取得之FPD面板數,故有謀求降低成本之優點。
並且,於專利文獻2記載著即使在設置腔室之後,亦可以依據使用者之要求簡易變更腔室之形狀或大小的腔室。
[專利文獻1]日本特開2007-67218號公報
[專利文獻2]日本特開2004-335743號公報
FPD用基板之大型化導致對FPD用基板執行處理之處理腔室等之腔室本身之大型化,隨此處理裝置全體也大型化。通常FPD用基板之處理裝置係將處理裝置分成每個腔室,從處理裝置製造工場運送至FPD生產工場。但是,因當腔室本身變大時,腔室本身最終超過運送尺寸之界限,故要將處理裝置從其製造工場運送至FPD生產工場則有困難。
本發明之目的係提供即使超過運送尺寸之界限亦可以運送之腔室,及使用該腔室之處理裝置。
為了解決上述課題,本發明之第1態樣所涉及之腔室,具備開放至少一個之側面的長方體狀之本體,和裝卸自如地被安裝在上述本體之被開放之側面的側板。
本發明之第2態樣所涉及之腔室,具備開放至少一個之側面的長方體之本體,和被安裝在上述本體之被開放之側面,持有與上述本體之開口形狀一致之開口的間隔物,和裝卸自如地被安裝在上述間隔物之側板。
本發明之第3態樣所涉及之處理裝置係對被處理體施予處理的處理室,使用上述第1或第2態樣所涉及之腔室。
若藉由本發明時,則可以提供即使超過運送尺寸之界限亦可以運送之腔室,及使用該腔室之處理裝置。
以下參照圖面說明本發明之實施型態。在整個參照圖面全部,針對相同部份賦予相同參照符號。
(第1實施型態)
第1圖A為表示使本發明之第1實施型態所涉及之腔室適應於處理腔室之一例的斜視圖,第1圖B為第1圖A所示之處理腔室之分解斜視圖。
如第1圖A及第1圖B所示般,處理腔室1a具備開放至少一個之側面的長方體狀之本體2,和裝卸自如地被安裝在該本體2之被開放之側面的側板3a、3b。
本體2為例如鋁製。在本例中,4個側面2a至2d中,側面2a成為用於搬入搬出被處理體在本例中為FPD用基板之搬入搬出口(閘閥開口)4之第1側壁5。並且,在本例中,開放鄰接於側面2a之兩個側面2b、2c,相對於側面2a之一個側面2d成為第2側壁6。本體2之上部成為安裝有電極等之開口7的天板8,下部成為形成有將配線等插通於載置台等之開口或排氣口(在第1圖A及第1圖B中無圖式)的底板10。即是,處理腔室1a係由藉由第1側壁5、第2側壁6、天板8及底板10所構成之角筒形狀之本體2、和阻塞該角筒之被開放的兩端部的側板3a、3b而構成。
側板3a、3b在本例中,經密封構件11例如O型環等,使用能夠裝卸之固定構件12,例如螺栓等裝卸自如地安裝在側面2b、2c。
本體2之寬度w、高度h、深度I,在本例中,雖然各被限於運送尺寸之界限以內,但是在本體2安裝側板3之狀態下,沿著側板安裝方向之寬度w1,超過運送尺寸之界限。
如此之大小之處理腔室1a如以往般,於藉由溶接接合鋁製之板材,執行機械加工製作成箱型形狀之時,則不可以運送。
但是,第1實施型態所涉及之處理腔室1a被分割成本體2和側板3a、3b。本體2之各邊長度限定在運送尺寸之界限以內,並將本體2及側板3a、3b運送至生產工場例如FPD生產工場,在生產工場中,將側板3a、3b安裝於本體2。依此,即使為不可能運送之大小的處理腔室1a,亦可設置在生產工場。
如此一來,若藉由第一實施形態,則可以提供即使超過運送尺寸之界限亦可以運送之處理腔室。
第2圖A為概略性表示第1圖A所示之處理腔室的剖面圖。並且,第2圖A所示之剖面相當於沿著第1圖A之2A-2A線的剖面。
第2圖A所示之處理腔室1a係以電容耦合型平行平板電漿蝕刻處理腔室而被構成。在此,就以FPD而言例示有液晶顯示器(LCD)、電激發光(Electro Luminescence:EL)顯示器,電漿顯示面板(PDP)等。
在處理腔室1a之底板10上,設置有被處理體,例如用以載置FPD用基板G之載置台21。載置台21係經絕緣構件22被支撐在處理腔室1a之底板10。載置台21經被形成在底板10之開口9連接有用以供給高頻電力之供電線23,在該供電線23連接有整合器24及高頻電源25。自高頻電源25供給例如13.56MHz之高頻電力至載置台21。依此,載置台21係當作下部電極而發揮功能。
在載置台21之天板8之開口7上,安裝有上部電極基座26,在該上部電極基座26支撐著當作上部電極而發揮功能之噴淋頭27。在噴淋頭27經氣體供給管28a連接有氣體供給源29。在噴淋頭27之與載置台21之對向之面形成有吐出處理氣體之無圖式的多數吐出孔。電漿處理,例如電漿蝕刻用之處理氣體係自處理氣體供給源29經無圖式之吐出孔而被供給至處理腔室1a之內部。噴淋頭27係與當作下部電極而發揮功能之載置台21一起構成一對平行平板電極。再者,開口7之尺寸也大於載置台21之尺寸。載置台21例如可以藉由開口7而被放入處理腔室1a之內部。
側板3a、3b係裝卸自如地被安裝在本體2之側面2b、2c。在本例中,側板3a、3b經鉸鏈30開關自如地被安裝在本體2。
在處理腔室1a中,例如被處理體為具有矩形之平面形狀的FPD用基板G。再者,矩形之FPD用基板G為大約3000m方形或超過此之大型基板。如此大型之FPD用基板G之最短邊之長度大約3000mm例如2800mm以上。處理如此大型之FPD用基板G之處理腔室1a之例如側板3a、3b之安裝方向之寬度w1已經超過運送尺寸之界限。
但是,在本例中,腔室1a之側板3a、3b裝卸自如地連接於被限定在運送尺寸之界限以內之本體2。因此,可以在分割本體2和側板3a、3b之狀態,從製造處理腔室1a之製造工場運送至生產FPD之生產工場。被輸送之本體2和側板3a、3b係藉由在生產工場內安裝,即使持有超過運送尺寸之界限之腔室1a的處理腔室1a,亦可以設置在生產工場。
並且,在本例中,本體2和側板3a、3b裝卸自如地連接。在本例中,尤其經鉸鏈30開關自如地被安裝。
若藉由如此之處理腔室1a時,例如第2圖B所示般,側板3a、3b之全體開關,可以使腔室1a之內部全體性露出於外界。若藉由側板3a、3b全體性開關之腔室1a時,例如比起原本僅經由在腔室1a部分性打開之開口7、9而執行腔室1a之內部之維修的裝置,可以取得容易執行腔室1a之內部之維修的優點。
(第2實施型態)
第3圖A為表示使本發明之第2實施型態所涉及之腔室適應於處理腔室之一例的斜視圖,第3圖B為第3圖A所示之腔室之分解斜視圖。
如第3圖A及第3圖B所示般,第2實施型態所涉及之腔室1b與第1實施型態所涉及之腔室1a不同的係在本體2之被開放的側面2b、2c,和在側板3a、3b之間,又具備間隔物31a、31b。其他與腔室1a幾乎相同。
間隔物31a、31b被安裝於本體2之被開放之側面2b、2c,在本例中,持有與本體2之側面2b、2c之開口形狀一致之開口32。
第4圖A為表示使用第3圖A所示之腔室之基板處理裝置之一例。並且,第4圖A所示之剖面相當於沿著第3圖A之4A-4A線的剖面。
第4圖A所示之處理腔室1b係與第2圖A所示之處理腔室1a相同,以電容耦合型平行平板電漿蝕刻處理腔室而被構成。
處理腔室1b與處理腔室1a不同的係在腔室1b之本體2的被開放之側面2b、2c,和側板3a、3b之間又具備間隔物31a、31b,和FPD用基板G之尺寸大於處理腔室1a。其他與腔室1a幾乎相同。
第5圖A至第5圖C為藉由本發明之實施型態所涉及之處理腔室1a及1b所產生之優點之一例的水平剖面圖。
第5圖A為持有藉由溶接接合板材,且執行機械加工以一體型製作成箱型形狀之處理腔室1c的比較例。於FPD用基板G0之尺寸小時,即使處理腔室1c為一體型,處理腔室1c之大小也限定在運送尺寸之界限以內。
第5圖B為持有第1實施型態所涉及之處理腔室1a之實施例。當FPD用基板G1之尺寸變大,以一體型製作處理腔室1a時,則在超過運送尺寸之界限之時,如第5圖B所示般,分割本體2和側板3a、3b,將本體2限定在運送尺寸之界限以內。依此,雖然如上述般,即使為超過運送尺寸之界限的處理腔室1a,亦可以運送。
第5圖C為持有第2實施型態所涉及之處理腔室1b之實施例。FPD用基板G2之尺寸變得更大之時,使間隔物31a、31b介於側面2b、2c,和側板3a、3b之間,延伸本體2和側板3a、3b之間的距離。依此,即使尺寸大之FPD用基板G2,亦可以執行處理,並且可以取得亦能夠運送之處理腔室1b。
再者,FPD用基板G之大小,即使為同一規格,每FPD製造廠商也有微小的尺寸差。在如此之情形下,若藉由第2實施型態所涉及之處理腔室1b時,藉由利用間隔物31a、31b,可以微調整處理腔室1b之大小。藉由微調整處理腔室1b之大小,例如也可以取得即使尺寸差異不同之FPD基板G亦可以使自玻璃基板G之邊緣到側板3a、3b為止之距離成為一定,對於具有尺寸差異之FPD基板G亦能夠執行均勻處理之處理腔室1b的優點。
並且,腔室1a、1b例如如第2圖B、第4圖B所示般,開關側板3a、3b之全體。
若藉由如此之腔室1a、1b時,例如第6圖A及第6圖B所示般,具有側板3和底板10成為一體之本體2,比起天板8a當作上蓋開關之腔室1c,取得容易存取至下部電極21,並且容易進行維修之優點。
(第3實施型態)
第7圖為表示使本發明之第3實施型態所涉及之腔室適應於處理腔室之一例的分解斜視圖,第8圖為表示本發明第3實施型態所涉及之腔室之其他例的分解斜視圖。
如第7圖及第8圖所示般,第3實施型態所涉及之處理腔室1d、1e為將天板8又設為分割型。天板8在本例中成為箱型形狀,經密封構件11,例如O型環等,裝卸自如地當作上蓋被安裝在在本體2之上面。第7圖所示之處理腔室1d係對第1實施型態所涉及之處理腔室1a,又將天板8設為分割型,第8圖所示之處理腔室1e係對第2實施型態所涉及之處理腔室1b,又將天板8設為分割型。
如此一來,不僅將側板3a、3b設為分割型,即使又將天板8分割,作為上蓋裝卸自如地安裝在本體2亦可。
若藉由第3實施型態時,比起第1、第2實施型態,可以取得即使於處理腔室之高度方向之大小超過運送尺寸之界限之時亦可以對應之優點。
再者,藉由天板8為裝卸自如,比起僅有側板3a、3b裝卸自如之第1、第2實施型態,具有更容易執行維修之優點。
並且,雖無特別圖式,但是不僅天板8,即使將第1圖B或第3圖B所示之底板10又予以分割亦可,分割即使在天板8及底板10皆僅針對平板部分亦可。
(第4實施型態)
第9圖A為表示使本發明之第4實施型態所涉及之腔室適應於處理腔室之一例的水平剖面圖,第9圖B為表示第9圖A所示之9B-9B線所示之剖面圖,第9圖C為第9圖A所示之9C-9C線所示之剖面圖。
如第9圖A至第9圖C所示般,第4實施型態所涉及之處理腔室1f係將肋部33安裝在側板3a、3b,使側板3a、3b之壁厚t1比第1至第3實施型態更薄。肋部33可以當作側板3a、3b之補強材而發揮功能。因此,在本例中,例如可以使側板3a、3b之壁厚t1比本體2之側壁5、6之壁厚t2、t3薄。
若藉由第4實施型態所涉及之處理腔室1f,因可以薄化側板3a、3b之壁厚t1,故可以取得如減輕處理腔室1f所需之材料,例如鋁之使用量,並且可以下降處理腔室1f所涉及之成本之優點。
當然,即使壁厚t1為薄之側板3a、3b,亦可以裝卸自如,在本例中係經鉸鏈30而開關自如地安裝在本體2。因此,也可以與第1至第3實施型態一樣取得良好之維修性。
第10圖A為表示使本發明之第4實施型態所涉及之處理腔室之其他例的水平剖面圖,第10圖B為表示第10圖A所示之10B-10B線所示之剖面圖,第10圖C為第10圖A所示之10C-10C線所示之剖面圖。
如第10圖A至第10圖C所示般,安裝有肋部33之側板3a、3b亦可以適用於具有間隔物31a、31b之處理腔室1g。此時,可以降低因處理腔室1g所涉及之成本。並且,具有肋部33之側板3a、3b例如因亦可以經鉸鏈30開關自如地安裝在間隔物31a、31b,故可以維持良好之維修性。
以上,雖然藉由幾個實施型態說明本發明,但是本發明並不限定於上述實施型態,可作各種變形。
例如,在上述實施形態中,雖然針對FPD用基板之處理腔室表示本發明,但是即使適用於搬運腔室或裝載鎖定腔室等之各種腔室亦可,還有亦可適用於對其他各種基板執行處理之處理裝置的腔室。
再者,在上述實施型態中,雖然將側板3a、3b設為一片板狀構件,但是即使例如第11圖A及第11圖B所示般,設為在側板3a、3b朝向腔室1h之內部持有凹陷34之箱形構件亦可。
再者,在上述實施型態中,雖然使側板3a、3b朝向底板10側開關,但是即使如第12圖所示般,朝向天板8側開關亦可。於使側板3a、3b朝向天板8側開關之時,則有例如在維修等打開側板3a、3b之時,操作者容易接近腔室1i之優點。
再者,在上述實施型態中,雖然經鉸鏈30開關自如地將側板3a、3b安裝在本體2之側面2b、2c,但是即使如第13圖所示般,將側板3a、3b之全體以可以自本體2之側面2b、2c拆下之狀態,安裝在側面2b、2c亦可。即使在如此之腔室1j,因拆下側板3a、3b,故有於維修之時,操作者容易接近腔室1j之優點。
再者,在上述實施型態中,雖然將側板3a、3b裝卸自如地分別安裝在兩個側面,但是即使側板裝卸自如地安裝在至少一個側面即可。
再者,在上述實施型態中,雖然舉例對兩個側面設為分割構造之例,但是即使為對所有之面設為分割構造亦可。
並且,上述實施型態,及第11圖至第13圖所示之變形例,亦可任意組合而加以實施。
1a至1g...腔室
2...本體
2a至2d...側面
3a、3b...側板
12...固定構件
30...鉸鏈
31...間隔物
32...開口
33...肋部
34...凹陷
G...FPD用基板(被處理體)
w...寬度
h...高度
I...深度
第1圖A為表示使該發明之第1實施型態所涉及之腔室之一例的斜視圖,第1圖B為第1圖A所示之腔室之分解斜視圖。
第2圖A為概略性表示使用第1圖A所示之腔室的處理腔室之剖面圖,第2圖B為表示打開側板之狀態的剖面圖。
第3圖A為表示使該發明之第2實施型態所涉及之腔室之一例的斜視圖,第3圖B為第3圖A所示之腔室之分解斜視圖。
第4圖A為概略性表示使用第3圖A所示之腔室的處理腔室之剖面圖,第4圖B為表示打開側板之狀態的剖面圖。
第5圖A至第5圖C為表示該發明之實施型態所涉及之腔室所產生之優點之一例的水平剖面圖。
第6圖A為表示比較例所涉及之處理腔室之剖面圖,第6圖B為表示打開上蓋之狀態的剖面圖。
第7圖為表示該發明之第3實施型態所涉及之腔室之一例的分解斜視圖。
第8圖為表示該發明之第3實施型態所涉及之腔室之其他例的分解斜視圖。
第9圖A為表示該發明之第4實施型態所涉及之處理腔室之一例的水平剖面圖,第9圖B為表示第9圖A所示之9B-9B線所示之剖面圖,第9圖C為第9圖A所示之9C-9C線所示之剖面圖。
第10圖A為表示該發明之第4實施型態所涉及之處理腔室之其他例的水平剖面圖,第10圖B為表示第10圖A所示之10B-10B線所示之剖面圖,第10圖C為第10圖A所示之10C-10C線所示之剖面圖。
第11圖A為概略性表示該發明之實施型態之第1變形例所涉及之處理腔室之剖面圖,第11圖B為表示打開側板之狀態的剖面圖。
第12圖為概略性表示該發明之實施型態之第2變形例所涉及之處理腔室之剖面圖。
第13圖為概略性表示該發明之實施型態之第3變形例所涉及之處理腔室之剖面圖。
1a...處理腔室
2...本體
2a至2d...側面
3a、3b...側板
4...搬入搬出口
5...第1側壁
6...第2側壁
7...開口
8...天板
10...底板
11...密封構件
12...固定構件
w...寬度
h...高度
w1...寬度

Claims (10)

  1. 一種腔室,其特徵為:具備開放至少一個側面的長方體狀之本體;和藉由能夠裝卸之固定構件,使能夠安裝卸下並且開關自如地被安裝在上述本體之被開放之側面的側板。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之腔室,其中,上述本體具有角筒形狀,且該角筒之端部對應於上述側面。
  3. 如申請專利範圍第1項所記載之腔室,其中,上述本體具有開關自如之上蓋。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中之任一項所記載之腔室,其中,上述側板為朝向上述本體內部持有凹陷的箱形構件。
  5. 如申請專利範圍第1至3項中之任一項所記載之腔室,其中,上述本體之被開放的側面和上述側板之間存在持有與上述本體之開口形狀一致之開口的間隔物。
  6. 如申請專利範圍第1至3項中之任一項所記載之腔室,其中,上述側板經鉸鏈開關自如地被安裝在上述本體。
  7. 如申請專利範圍第1至3項中之任一項所記載之腔室,其中,在上述側板安裝肋部,上述側板之壁厚較上述本體之側壁的壁厚薄。
  8. 如申請專利範圍第1至3項中之任一項所記載之腔室,其中,上述本體之寬度、高度、深度各被限制在運輸尺寸之界限以內,安裝有上述側板之本體之沿著側板安裝方向之寬度超過運輸尺寸之界限。
  9. 如申請專利範圍第1至3項中之任一項所記載之腔室,其中,被處理體之平面形狀為矩形,上述矩形之最短邊之長度為2800mm以上。
  10. 一種處理裝置,其特徵為:對被處理體執行處理之處理室,使用上述申請專利範圍第1至9項中之任一項所記載之腔室。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101338629B1 (ko) * 2009-01-14 2013-12-06 가부시키가이샤 아루박 플라스마 cvd 장치
CN102007575A (zh) * 2009-02-06 2011-04-06 株式会社爱发科 工作腔及其制作方法
US11049740B1 (en) 2019-12-05 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Reconfigurable mainframe with replaceable interface plate

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09209150A (ja) * 1996-02-06 1997-08-12 Tokyo Electron Ltd 真空チャンバ及びその製造方法
JP2007073542A (ja) * 2005-09-02 2007-03-22 Tokyo Electron Ltd 真空チャンバおよび真空処理装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0521581A (ja) * 1991-07-15 1993-01-29 Tokyo Electron Ltd 真空処理装置
JPH09129697A (ja) * 1995-10-27 1997-05-16 Sony Corp 物品処理装置
JP2001073138A (ja) * 1999-09-07 2001-03-21 Shimadzu Corp 基板処理装置
CN2445640Y (zh) * 2000-10-11 2001-09-05 陈安军 能自由调节宽窄的家具
KR100595418B1 (ko) * 2004-07-27 2006-07-03 (주)아이씨디 알루미늄 플라즈마 챔버 및 그 제조 방법
KR100544896B1 (ko) * 2004-07-27 2006-01-24 (주)아이씨디 일체형 실링부재를 구비한 알루미늄 플라즈마 챔버
JP4587784B2 (ja) * 2004-11-12 2010-11-24 株式会社アルバック 真空チャンバ
JP4903013B2 (ja) * 2006-05-17 2012-03-21 東京エレクトロン株式会社 減圧容器、減圧処理装置および減圧容器の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09209150A (ja) * 1996-02-06 1997-08-12 Tokyo Electron Ltd 真空チャンバ及びその製造方法
JP2007073542A (ja) * 2005-09-02 2007-03-22 Tokyo Electron Ltd 真空チャンバおよび真空処理装置

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