TWI500451B - 無對流效應之流動式反應器及流動式合成方法 - Google Patents

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Description

無對流效應之流動式反應器及流動式合成方法
本發明係有關一種流動式反應器及利用高能量束照射的流動式合成方法。
傳統光化學反應(photochemical reaction)中，由於照射能量(如紫外線)的穿透性或強度不足而導致所需反應時間較長(數分鐘至數小時以上)，因而需要以批次(batch)方式進行反應。然而批次式反應在每次反應後都需要將產物取出才能進行下一次的反應，造成時間、人力、成本等的增加。另外，批次式反應也較為昂貴且難達到高產能。比起批次式反應，流動式反應可省去每次取出產物的步驟，並且較為經濟、適合大量生產、也可提供更高產能。然而，如上所述，傳統的光化學反應所需時間太長因而無法適用流動式反應。再者，傳統的光化學反應也可能發生反應不均勻，而不利於材料性質(如，粒子尺寸大小)的控制。
有鑑於此，本發明係利用無對流效應及高能量束結合流動式反應以克服習知技術只能進行批次反應且可能發生反應不均勻的缺點。
本發明係提供一種無對流效應之流動式反應器，包 括：一反應器本體，包括：一反應腔體，用以容置一流體，其中該反應腔體；一入口，與該反應腔體連通且用以輸入一反應物流體；一出口，與該反應腔體連通且用以輸出一產物流體；及一能量束來源裝置，用以提供一能量束照射該反應腔體內之該反應物流體。
本發明亦提供一種無對流效應之流動式合成方法，包括：提供上述之流動式反應器；經由該入口輸入一反應物流體至該反應腔體中；及以一能量束透過該能量束穿透材料照射該反應腔體中的反應物流體，以形成一產物流體，其中該產物流體經由該出口輸出。
本發明更提供一種無對流效應之流動式合成方法，包括：提供一能量束；提供一流動的流體前趨物；及照射該能量束於該流動的流體前趨物以進行合成。
為了讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖示，作詳細說明如下：
1‧‧‧管線
2、12‧‧‧能量束來源裝置
11‧‧‧反應器本體
13‧‧‧反應腔體
14、51‧‧‧入口
15、52‧‧‧出口
16‧‧‧反應物裝載空間
50‧‧‧鋁金屬反應本體
55‧‧‧凹槽
60‧‧‧鋁金屬蓋板
65‧‧‧窗口
70‧‧‧聚醯亞胺薄膜
80‧‧‧同步輻射X光源
100、1000、2000‧‧‧流動式反應器
E‧‧‧能量束
I‧‧‧光子束被吸收後之強度
I0 ‧‧‧光子束初始入射強度
L‧‧‧反應物流體
tm ‧‧‧平均滯留時間
μ‧‧‧線性衰退係數
‧‧‧體積流率
VR ‧‧‧反應系統之體積
z‧‧‧介質厚度
第1圖顯示根據本發明一實施例之無對流效應之流動式的合成方法。
第2圖顯示應用根據第1圖實施例所示之無對流效應之流動式的合成方法，並在不同能量之光子束照射下所得反應物流體厚度及光子束穿透率之關係圖。
第3圖顯示根據本發明一實施例的流動式反應器。
第4圖顯示根據本發明另一實施例的流動式反應器。
第5圖顯示根據實施例1之流動式反應器。
第6圖顯示不同的裸金奈米粒子溶液經由UV-可見光光譜儀所量測而得的吸收光譜圖。
本揭露提供一種無對流效應之流動式的合成方法，如第1圖所示，其中提供一能量束E及一流動的反應物流體L，及利用能量束E照射流動的反應物流體L達到合成，且反應物流體L在合成後形成一產物流體。
本揭露所使用之能量束E可包括高能且高輻射通量(即，高輻射劑量率)的γ射線、X光或電子束等。在一些實施例中，能量束可為同步輻射X光。能量束E具有高穿透率，能穿透所照射反應物流體之單位體積(穿透率至少大於0%)，藉以達成無對流效應。在此，「無對流效應」可被定義為當具有足夠穿透性之能量束(例如高能X光或γ射線)照射反應物流體的一單位體積時，該單位體積內之所有反應物流體有效且均勻地在近乎同一時間內進行反應。若能量束之穿透度不足，反應物流體在通過能量束E照射後有部分區域仍未參與反應的進行(參見第1圖中反應系統之體積VR 下游(朝X軸方向)的體積)，因此需藉由對流的方式(例如熱對流或反應物種的擴散)才可能達到反應的全面進行，如此一來所導致反應的時間差，進而造成反應的不均勻甚至無法達成完全反應。反應物流體之穿透率主要和能量束的能量大小、反應體積的穿透厚 度以及反應物質的種類有關。
當使用高能光子(例如本揭露所使用的高能且高輻射通量的X光或γ射線)照射一介質(例如反應物流體)時，絕大部分的能量在透過產生次級電子或其他方式被吸收，而吸收的程度主要取決於原子組成，與分子結構幾乎無關。因此，一光子束進入介質後其強度會隨著穿透深度的增加而衰減，且該光子束在一特定介質厚度之強度可表示為：I=I0 ．e-μ z 其中，I為光子束被吸收後之強度，I0 為光子束初始入射強度，μ為介質的線性衰退係數，z為介質厚度。
第2圖顯示根據第1圖所示實施例之無對流式之流動式的合成方法，以不同能量之高能光子束照射反應物流體所得反應物流體厚度及高能光子束穿透率之關係圖。在此反應物流體為液態水，高能光子束為X光。在相同的穿透率下，X光可穿透液態水的厚度隨時X光能量的增加而增加。在本揭露中，使用不同能量之能量束照射反應物流體時，可根據各能量束對於反應物流體的穿透率來設計反應物流體的最大厚度。在此，當高能光子束照射面積大於反應物流體的反應單位之截面積時，設計反應物流體的最大厚度被定義在高能光子束5%的穿透率(transmission)下，此時反應之Z軸(參見第1圖)的對流效應幾乎可以被忽略。隨著穿透率的增加或光子束能量的提高，則反應物流體的最大厚度亦可增加。
此外，可依照反應物流體之流速決定在光子束照射反應物流體的體積下，整體反應物流體受到光子束照射的平均時 間。光子束照射後或反應後之全部反應物流體在光子束照射之反應系統中的平均滯留時間tm 可表示為：
其中，VR 為反應系統之體積，為體積流率。假設光 子束為連續式照射，則tm 亦等於光子束照射後或反應後之全部反應物流體的平均光子束照射時間，其與光子束劑量率以及產生特定量之產物物種所需的總能量有關。意即在固定反應物流體之光子束照射體積和生成固定量的特定產物下，當光子束之劑量率越高，所需的照射時間越短。倘若平均光子束照射時間不足，則反應未能達到完全，此時反應之Z軸(參見第1圖)的對流效應亦會存在。為避免這樣對流效應的產生，在此定義tm 需大於1/10秒。
在能量束照射流動的反應物流體時，其照射距離並無特殊限制且可依需求調整。再者，可依需求間歇性地或連續性地照射能量束。在應用高能且高通量X光的一些實施例中，X光劑量率可約大於1012 光子/平方毫米/秒，或者，X光劑量率可約大於3 mJ/cm2 sec。本發明實施例中所使用之高能且高通量的γ射線、X光或電子束，前者比起一般用來進行光化學反應的能量來源，例如紫外光、可見光、或紅外光等，其波長和所提供的光子數與能量皆有顯著的差異。與一般光化學反應不同的是，因所提供的能量束具有足夠的能量強度，反應物流體可即時(例如1秒以內)完成反應。反應物流體在能量束照射下可產生氧化、還原、或自由基(radical)反應的發生。視所進行的反應種類而定，反應物流體中可 包含一種以上的反應物。在應用高能且高通量電子束的一些實施例中，電子束的能量範圍可約為0.1-500 MeV，且其劑量率可大於1×104 Gy．s-1 。
本發明實施例所提供的合成方法可用來進行各類合成反應，其中可藉由例如調整反應物流體之流速及/或流量、能量束強度、能量束照射時間、合成溫度等達成合成條件最佳化。舉例來說，可透過控制反應物流體的流速控制所合成之產物流體的特定物理和化學性質，例如形狀、大小、電性、磁性、光學特性、分子量、或上述任意組合。在一些實施例中，反應物流體可包括奈米粒子的前趨物溶液、高分子溶液、高分子聚合之單體溶液、或上述任意組合。在這些實施例中，奈米粒子可包括奈米金粒子、奈米銀粒子、奈米銅粒子、奈米鉑粒子、奈米鈀粒子、奈米氧化鐵粒子、奈米量子點、奈米高分子粒子、或上述任意組合，且可藉由控制反應物流速及/或流量等參數條件來控制奈米粒子的粒徑、形狀、大小、電性、磁性、光學特性、分子量、或上述任意組合。
本發明所提供之流動式的合成方法可搭配各種裝置或設備。
在一些實施例中，可使用例如滴管、噴嘴、噴霧器或上述任意組合以提供流動的反應物流體，並以能量束照射所提供的反應物流體以進行合成。因此在這些實施例中，亦可使反應物流體懸掛或懸浮於空中進行合成，而反應的氣氛可為真空、大氣、或者其他氣體。舉例來說，可使用滴管提供一流動的反應物流體，並以能量束照射從滴管滴出的反應物流體以進行合成。或 者，可以一噴嘴噴灑前趨物液體，並以能量束照射所噴灑的反應物流體以進行合成。然而，在這些實施例中，也可更包括反應物預備槽、管線、閥、流量控制器、計時器、溫度監控裝置、冷卻裝置、樣品收集器、或上述任意組合。閥可為手動閥或自動閥，並且具有開關的功能以控制流動的反應物流體的通過及不通過。流量控制器可控制反應物流體的流速及/或流量。溫度監控器可監控進行合成時反應物流體本身或者週遭環境的溫度。冷卻系統可在合成時溫度過高時進行冷卻，且可配合溫度監控器使用。冷卻裝置包括一風扇、散熱鰭、散熱器、散熱片、噴霧器、氣體或液體冷卻系統、或上述任意組合。
在一些實施例中，本發明所提供之流動式的合成方法可在一裝置或設備之中進行，例如管線、流動式反應器、或噴霧器等，且不限於此。在這些實施例中，也可更包括反應物預備槽、閥、流量控制器、計時器、溫度監控裝置、冷卻裝置、樣品收集器、或上述任意組合等。將在以下敘述各類根據本發明實施例的流動式反應器以及應用這些流動式反應器的合成方法。
第3圖顯示根據本發明一實施例的流動式反應器1000。在本實施例中，流動式反應器1000包括一管線1及一能量束來源裝置2。能量束來源裝置2可提供一能量束E。如前述，能量束包括高能且高通量之γ射線、X光、電子束，在此不再重複相關敘述。在應用流動式反應器1000進行合成時，使反應物流體L通過管線1，並藉由能量束來源裝置2所發出的能量束E照射有反應物流體流經的管線1來進行反應。為使能量束E能成功穿透所照射管線1的部分以到達其中的反應物流體，所照射管線1的部分需為對於 能量束E具有高穿透性(或低吸收性)的能量束穿透性材料。在一些實施例中，能量束穿透性材料可包括聚醯亞胺(polyimide)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate,PMMA)、或上述任意組合。在其他實施例中，能量束穿透性材料可使用含有氫、鈹、碳、氮、氧、鋁、或上述任意組合之元素的材料。管線的材料可由單一材料、多層材料、或複合材料所組成。在一些實施例中，管線可全部為能量束穿透性材料組成。在其他實施例中，僅所照射管線的部分為能量束材料組成，而其餘部分可包括一能量耐受性材料，而能量耐受性材料可包括氧化鋇、鋁、金、銀、銅、鐵、鉑、上述任意組合、或上述任意組合之合金。
第4圖顯示根據本發明另一實施例的流動式反應器2000。流動式反應器2000可為任意形狀，可依圖中顯示的方位或者其他任意方位操作流動式反應器2000。流動式反應器2000包括一反應器本體11及一能量束來源裝置12。反應器本體11包括反應腔體13、一與反應腔體13連接以輸入反應物流體的入口14、及一與反應腔體13連接以輸出產物流體的出口15，其中反應腔體可容置流體，在此流體可指從入口14輸入至反應腔體13的反應物流體、反應過程中產生的中間產物流體、以及反應完成後產生的產物流體。再者，反應腔體可藉由具有一與入口14、出口15連通的反應物裝載空間16以容置流體。雖然在第4圖中反應物裝載空間16為立方體，然而其可為任意形狀。可連接一例如管狀物至入口14及/或出口15，以利於輸入反應物。反應腔體13、入口14、及出口15的形狀並不被限定且可為符合所需的任意形狀。反應腔體13可為例如圓柱狀(或管狀)、長方體、正方體、多邊體、不規則狀等。 入口14及出口15可為例如圓形、矩形、正方形、多邊形(例如五邊形、六邊形、八邊形等)、不規則形等。可依實際需要設置入口14及出口15於反應腔體13的任何位置。入口14的數目可為一個或更多，視反應所需的反應物數目而定，且可經由每個入口14輸入一個或更多個反應物。另外，每個入口14可選擇性地包括一閥(未顯示)，其中可以自動或手動方式控制閥的開或關。另外，流動式反應器2000可更包括一個或以上的流量控制系統以控制各反應物流體的流入速度及/或產物流體的流出速度，因此可以相同或不同速率將反應物流體從一個或以上的入口輸入至反應腔體中，以達成反應條件最佳化。
再者，可使用一能量束穿透性材料於反應腔體13，其中反應腔體13可被能量束穿透性材料所覆蓋，或者，反應腔體13可部分或者全部為能量束穿透性材料組成。能量束穿透性材料的形式可為薄膜。此種能量束穿透性材料對於能量束具有高穿透性(或低吸收性)。在一些實施例中，能量束穿透性材料可包括聚醯亞胺(polyimide)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate,PMMA)、或上述任意組合。在其他實施例中，能量束穿透性材料可使用含有氫、鈹、碳、氮、氧、鋁、或上述任意組合之元素的材料。若反應腔體13具有一種以上的材料，且材料其中之一為上述的能量束穿透性材料，則其餘材料可為一能量耐受性材料，而能量耐受性材料可包括氧化鋇、鋁、金、銀、銅、鐵、鉑、或上述任意組合。
操作流動式反應器2000時，將一反應物流體通過反應器本體11以進行反應，其中先經由入口14將反應物流體輸入反應 腔體13，並以能量束來源裝置12所提供的能量束照射通過反應腔體13中的流體以進行合成而產生產物流體，而產物流體經由出口15輸出。在其他實施例中，產物流體也可經由多個出口輸出。
能量束來源裝置12提供一能量束E照射反應腔體使其所容置的流體進行反應，其中能量束E可包括高能且高通量之γ射線、X光、電子束等，其特性已在先前敘述，在此不再重複敘述。
在本發明實施例中，藉由利用高能量束結合流動式反應，克服了習知技術只能進行批次反應的缺點，其中因所提供的能量束具有足夠的能量強度，反應物流體可即時(例如1秒以內)完成反應。比起批次式反應，流動式反應可省去每次取出產物的步驟，並且較為經濟、適合大量生產、也可提供更高產能。
【實施例1】
第5圖顯示根據實施例1之流動式反應器100。流動式反應器100大抵分為四部分，其包括一鋁金屬反應本體50、鋁金屬蓋板60、位於鋁金屬反應本體50與鋁金屬蓋板60之間的聚醯亞胺薄膜70(即，能量束穿透材料)、及一同步輻射X光源80。鋁金屬反應本體50(第一構件)包括入口51、出口52、及與入口51及出口52連通的凹槽55(作為反應物裝載空間)。鋁金屬蓋板60(第二構件)具有一窗口65對應凹槽55，而聚醯亞胺薄膜70則是夾於凹槽55及窗口65之間。聚醯亞胺薄膜70的尺寸不小於窗口65以完全覆蓋及密封窗口65。
同步輻射X光源80位於距離具有窗口65之鋁金屬蓋板60約20 cm的地方。同步輻射X光源80的劑量率約為2×104 Gy．s-1 ，所照射的面積約為12 mm×8 mm。
在進行合成時，反應物流體經由入口51輸入凹槽55，且以同步輻射X光源所提供的同步輻射X光透過聚醯亞胺薄膜70照射凹槽55中的反應物流體以進行合成，形成產物流體，其中產物流體經由出口52輸出。
在實施例1中，由於當同步輻射X光源80照射面積小於反應單位之截面積時，未照射的部分會藉由對流的方式(例如熱對流或反應物種的擴散)進行反應以造成反應的時間差，進而造成反應的不均勻甚至無法達成完全反應。因此將流動式反應器100的窗口65面積設計為小於同步輻射X光源80之截面積，使對流效應的發生僅受到反應單位之厚度與流體流速的影響。
再者，請參照第6圖，其顯示不同的裸金奈米粒子溶液經由UV-可見光光譜儀所量測而得的吸收光譜圖，其中不同的裸金奈米粒子溶液係分別在批次式反應以及流動式反應(體積流率分別為1.4、2.8、5.6和11.2 mL/min)下利用同步輻射X光源合成而得。由第6圖可知金奈米粒子所特有的表面電漿共振吸收波峰位置的改變。例如，當體積流率從1.4 mL/min提高至11.2 mL/min，則吸收波峰位置從514nm紅移至529nm。此表示出裸金奈米粒子的尺寸有顯著變大的趨勢。亦即，在流動式反應器中可利用體積流率的改變來控制奈米粒子之粒子尺寸大小。
雖然本發明已以數個較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作任意之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
11‧‧‧反應器本體
12‧‧‧能量束來源裝置
13‧‧‧反應腔體
14‧‧‧入口
15‧‧‧出口
16‧‧‧反應物裝載空間
2000‧‧‧流動式反應器
E‧‧‧能量束

Claims (39)

  1. 一種無對流效應之流動式反應器，包括：一反應器本體，包括：一反應腔體，用以容置一流體；一入口，與該反應腔體連通且用以輸入一反應物流體；一出口，與該反應腔體連通且用以輸出一產物流體；及一能量束來源裝置，用以提供一能量束照射該反應腔體內之該反應物流體。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之無對流效應之流動式反應器，其中該反應器本體為管狀。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之無對流效應之流動式反應器，其中該反應器本體係包括一能量束穿透性材料，使該能量束透過該能量束穿透性材料照射該反應腔體內之該反應物流體。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之無對流效應之流動式反應器，該能量束穿透性材料包括一含有氫、鈹、碳、氮、氧、鋁、或上述任意組合之元素的材料。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之無對流效應之流動式反應器，其中該反應器本體包括一能量束耐受性材料，且具有一反應物裝載空間定義該反應腔體。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之無對流效應之流動式反應器，其中該反應器本體包括： 一第一構件，具有該反應物裝載空間；及一第二構件，具有一窗口對應於該反應物裝載空間，其中一能量束穿透性材料設置於該第一、第二構件之間。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之無對流效應之流動式反應器，其中該能量束耐受性材料包括氧化鋇、鋁、金、銀、銅、鐵、鉑、或上述任意組合。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之無對流效應之流動式反應器，其中該能量束穿透性材料包括一含有氫、鈹、碳、氮、氧、鋁、或上述任意組合之元素的材料。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之無對流效應之流動式反應器，其中該能量束包括高能且高通量的γ射線、X光或電子束。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之無對流效應之流動式反應器，其中該高能且高通量的γ 射線和X光的劑量率大於1012 光子/平方毫米/秒。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之無對流效應之流動式反應器，其中該高能且高通量的γ射線和X光的劑量率大於3mJ/cm2 sec。
  12. 如申請專利範圍第9項所述之無對流效應之流動式反應器，其中該電子束的能量範圍為0.1-500MeV。
  13. 如申請專利範圍第9項所述之無對流效應之流動式反應器，其中該電子束的劑量率大於1×104 Gy．s-1 。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之無對流效應之流動式反應器，更包括一冷卻裝置，以冷卻該反應器本體的溫度。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之無對流效應之流動式反應器，其中該冷卻裝置包括一風扇、散熱鰭、散熱器、散熱片、噴霧器、液體或氣體冷卻系統或上述任意組合。
  16. 一種無對流效應之流動式合成方法，包括：提供一如申請專利範圍第1項所述之流動式反應器；經由該入口輸入一反應物流體至該反應腔體中；及以一能量束透過一能量束穿透性材料照射該反應腔體中的反應物流體，以形成一產物流體，其中該產物流體經由該出口輸出。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之無對流效應之流動式合成方法，其中係連續地照射該能量束。
  18. 如申請專利範圍第16項所述之無對流效應之流動式合成方法，其中係間歇性地照射該能量束。
  19. 如申請專利範圍第16項所述之無對流效應之流動式合成方法，其中該反應物流體包括奈米粒子的前趨物溶液、高分子溶液、高分子聚合之單體溶液、或上述任意組合。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之無對流效應之流動式合成方法，其中該奈米粒子包括奈米金粒子、奈米銀粒子、奈米銅粒子、奈米鉑粒子、奈米鈀粒子、奈米氧化鐵粒子、奈米量子點、奈米高分子粒子、或上述任意組合。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之無對流效應之流動式合成方法，其中藉由控制該反應物流體的流速控制該奈米粒子之形狀、大小、電性、磁性、光學特性、分子量、 或上述任意組合。
  22. 如申請專利範圍第16項所述之無對流效應之流動式合成方法，其中藉由控制該反應物流體的流速控制該產物流體的形狀、大小、電性、磁性、光學特性、分子量、或上述任意組合。
  23. 如申請專利範圍第16項所述之無對流效應之流動式合成方法，其中該反應物流體之流速為1-2000mL．hr-1 。
  24. 如申請專利範圍第16項所述之無對流效應之流動式合成方法，其中該能量束包括高能且高通量的γ射線、X光或電子束。
  25. 如申請專利範圍第24項所述之無對流效應之流動式合成方法，其中該高能且高通量的γ 射線或X光的劑量率大於1012 光子/平方毫米/秒。
  26. 如申請專利範圍第24項所述之無對流效應之流動式合成方法，其中該高能且高通量的X光的劑量率大於3mJ/cm2 sec。
  27. 如申請專利範圍第24項所述之無對流效應之流動式合成方法，其中該電子束的能量範圍為0.1-500MeV。
  28. 如申請專利範圍第24項所述之無對流效應之流動式合成方法，其中該電子束的劑量率大於1×104 Gy．s-1 。
  29. 一種無對流效應之流動式合成方法，包括：提供一能量束；提供一流動的前趨物流體；及照射該能量束於該流動的前趨物流體以進行合成，形 成一產物流體。
  30. 如申請專利範圍第29項所述之無對流效應之流動式合成方法，其中該能量束包括高能且高通量的γ射線、X光或電子束。
  31. 如申請專利範圍第30項所述之無對流效應之流動式合成方法，其中該高能且高通量的γ射線或X光的劑量率大於1014 光子/平方毫米/秒。
  32. 如申請專利範圍第30項所述之無對流效應之流動式合成方法，其中該高能且高通量的γ射線或X光的劑量率大於3mJ/cm2 sec。
  33. 如申請專利範圍第29項所述之無對流效應之流動式合成方法，其中係連續地照射該能量束。
  34. 如申請專利範圍第29項所述之無對流效應之流動式合成方法，其中係間歇性地照射該能量束。
  35. 如申請專利範圍第29項所述之無對流效應之流動式合成方法，其中該流動的前趨物流體包括奈米粒子的前趨物溶液、高分子溶液、高分子聚合之單體溶液、或上述任意組合。
  36. 如申請專利範圍第35項所述之無對流效應之流動式合成方法，其中該奈米粒子包括奈米金粒子、奈米銀粒子、奈米銅粒子、奈米鉑粒子、奈米鈀粒子、奈米氧化鐵粒子、奈米量子點、奈米高分子粒子、或上述任意組合。
  37. 如申請專利範圍第36項所述之無對流效應之流動式合成方法，其中藉由控制該流動的前趨物流體的流速控制 該奈米粒子之形狀、大小、電性、磁性、光學特性、分子量、或上述任意組合。
  38. 如申請專利範圍第29項所述之無對流效應之流動式合成方法，其中藉由控制該流動的前趨物流體的流速控制該產物流體的形狀、大小、電性、磁性、光學特性、分子量、或上述任意組合。
  39. 如申請專利範圍第29項所述之無對流效應之流動式合成方法，其中該流動的前趨物流體之流速約為1-2000mL．hr-1 。
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