TWI499783B - 射頻感測器系統與射頻感測方法 - Google Patents

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Description

射頻感測器系統與射頻感測方法
本揭露係關於射頻感測器，特別是一種正交射頻電壓/電流感測器。
本文所提供的背景說明之目的係用於對本揭露之上下文作一般性說明。發明人的某些工作即此背景技術部分中所描述的工作以及說明書中關於某些尚未成為申請日之前的現有技術的內容，無論是以明確或隱含的方式均不被視為相對於本揭露的現有技術。
射頻電流感測器也被稱為探針，產生一個訊號，此訊號代表流經射頻導體的電流的大小。電流探針可與電壓探針組合，以形成射頻電壓/電流(voltage/current；VI)探針，可產生一個第二訊號，此第二訊號表示相對參考電位(reference potential)例如射頻地或遮蔽導體的射頻電壓。
射頻電流與電壓/電流探針被用在射頻控制電路中以提供回饋資訊。回饋資訊可用於控制射頻放大器，射頻放大器提供射頻功率，其中此射頻功率正在被測量。一些應用中，射頻功率用於產生電漿，以用於半導體製造、金屬塗佈或者微機械加工製程。
根據後續提供的詳細描述，本揭露可應用的其他領域 則顯而易見。可以理解的是，詳細描述與特定例子僅僅用於說明，而非限制本揭露之申請專利範圍。
一種射頻感測器系統包含一塊印刷電路板。此印刷電路板包含第一外層、第二外層、第一內層、第二內層以及內周長，此內周長定義穿過印刷電路板之孔徑。印刷電路板還包含第一迴路。第一迴路包含複數個第一感測器墊，透過複數個第一軌跡耦合於複數個第一通孔。複數個第一感測器墊被排列於內周長上。印刷電路板還包含第二迴路。第二迴路包含複數個第二感測器墊，透過複數個第二軌跡耦合複數個第二通孔。複數個第二感測器墊被排列於內周長上。一個核心環被嵌入鄰近複數個第一感測器墊、複數個第一通孔以及複數個第一軌跡的第一內層內。用於載送射頻電流之中央導體延伸穿過孔徑。根據複數個第一與第二感測器墊、複數個第一與第二通孔、複數個第一與第二軌跡以及核心環，第一與第二迴路產生一個電訊號。
其他特徵中，一種射頻感測方法包含定義穿過一塊印刷電路板之一個孔徑。此印刷電路板包含第一外層、第二外層、第一內層、第二內層以及內周長；透過複數個第一軌跡耦合第一迴路至複數個第一通孔。第一迴路包含複數個第一感測器墊。於內周長上排列複數個第一感測器墊。透過複數個第二軌跡耦合第二迴路至複數個第二通孔。第二迴路包含複數個第二感測器墊。於內周長上排列複數個第二感測器墊。於鄰近複數個第一感測器墊、複數個第一通孔以及複數個 第一軌跡之第一內層內嵌入一個核心環。用於載送射頻電流之中央導體延伸穿過孔徑，以及根據複數個第一與第二感測器墊、複數個第一與第二通孔、複數個第一與第二軌跡以及核心環，第一與第二迴路產生一個電訊號。
以上之關於本揭露內容之說明及以下之實施方式之說明係用以示範與解釋本發明之精神與原理，並且提供本發明之專利申請範圍更進一步之解釋。
10‧‧‧電壓/電流探針
12‧‧‧印刷電路板
13‧‧‧安裝孔
14a‧‧‧第一外層
14b‧‧‧第二外層
14‧‧‧接地平面
15‧‧‧第二印刷電路板
16‧‧‧通孔
18‧‧‧孔徑
20‧‧‧導體
22‧‧‧通孔
24‧‧‧通孔
28‧‧‧焊墊
30‧‧‧電流感測器墊
32‧‧‧第一內層
33‧‧‧第三內層
34‧‧‧第二內層
35‧‧‧第四內層
36‧‧‧基板
40‧‧‧六邊形
42‧‧‧核心環
44a、44b‧‧‧軌跡
50‧‧‧變壓器
55‧‧‧電阻器
57‧‧‧次級或輸出側
59‧‧‧中央抽頭
60‧‧‧迴路
100‧‧‧電壓感測器墊
102a、102b‧‧‧圓形導電環
104‧‧‧軌跡
Ve‧‧‧電壓
Cc‧‧‧電容
Im‧‧‧電流
Rm‧‧‧阻抗
VA、VB‧‧‧電容
A、B‧‧‧點
L‧‧‧長度
第1圖，係為根據本揭露之多個實施例之正交射頻電流與電壓感測器之平面圖。
第2圖，係為根據本揭露之多個實施例之正交射頻電流與電壓感測器之電流感測器軌跡之等角視圖(isometric view)。
第3A圖、第3B圖、第3C圖，係為第2圖之電流感測器軌跡之平面圖。
第4圖，係為根據本揭露多個實施例之正交射頻電流與電壓感測器之電流感測器軌跡之平面圖。
第5A圖，係為習知技術之電流感測器之示意圖。
第5B圖、第5C圖以及第6圖，係為本揭露多個實施例之電流感測器之示意圖。
第7圖係為一個電路圖，表示第6圖之電流感測器中點A與B處的電壓相對導體的電壓之間的電容耦合關係。
第8圖，係為根據本揭露多個實施例之電壓電流感測器之示意圖。
第9A圖以及第9B圖，係為根據本揭露多個實施例之電壓電流感測器之圓形導電環之平面圖。
射頻電流感測器也被稱為探針，產生一個訊號，此訊號代表流經射頻導體的電流的大小。電流探針可與電壓探針組合，以形成射頻電壓/電流探針，可產生一個第二訊號，此第二訊號表示相對參考電位例如射頻地或遮蔽導體的射頻電壓。
射頻控制電路中使用射頻電流與電壓/電流探針以提供回饋資訊。回饋資訊可用於控制射頻放大器，射頻放大器提供射頻功率，其中此射頻功率正在被測量。一些應用中，射頻功率用於產生電漿，以用於半導體製造、金屬塗佈或者微機械加工製程。當作業於一定頻率例如低頻或高頻時，由於電壓/電流探針之各種元件內的寄生共振的緣故，電壓/電流探針遭受干擾。此外，感測器對中央導體的低頻耦合則較低。因此，本揭露之原理被排列以提高電壓/電流探針的頻率響應。
請參考『第1圖』，圖中表示一個正交射頻電壓/電流探針10。電壓/電流探針10包含印刷電路板12，印刷電路板12具有至少四個導電層。第一外層14a與第二外層14b彼此並排，並且透過印刷電路板12的絕緣基板保持處於間隔關係。第一外層14a與第二外層14b統稱為接地平面14。若干通孔16彼此電連接接地平面。通孔16可圍繞孔徑18之周邊呈輻射狀隔開。通孔16與印刷電路板12的內層電絕緣，後文將加以描述。接地平面14 與通孔16連接同軸電纜(圖中未表示)之外層，其中同軸電纜載送待測量之射頻電流。同軸電纜的中央導體連接一個導體20，此導體20係軸向且同心地放置於孔徑18內。電壓/電流探針10還包含複數個安裝孔13，以助於耦合電壓/電流探針10到待被控制的射頻功率產生器(圖中未表示)。
複數個第二通孔22與接地平面14電絕緣，並且連接位於印刷電路板12之內層上的電流迴歸軌跡。複數個第三通孔24還與接地平面14以及電壓感測器H場註銷結構之實施部電絕緣。以下更詳細地描述通孔22與24及其在印刷電路板12之內層上的相關軌跡。
印刷電路板12還包含內嵌式核心環42。核心環42係被嵌入印刷電路板12之至少一層中。此外，核心環42被排列於通孔22及24與電流感測器墊30之間。核心環42被排列以增加電壓/電流探針10之磁通量。
核心環42包含一材料，可增加電壓/電流探針10之磁場中媒介的導磁率。例如，磁場中的媒介可由空氣組成，以及核心環42包含的材料具有比空氣更高的導磁率。僅僅舉個例子，核心環42包含鐵磁材料或者次鐵磁材料(ferrimagnetic material)。透過在通孔22及24與電流感測器墊30之間的印刷電路板12中嵌入核心環42，磁場中媒介(即，核心環42的材料)的導磁率增加。隨著磁場中媒介的導磁率增加，相關的磁通量也增加。透過選擇性地調整磁通量，可控制電壓/電流探針10 之動態範圍。為了降低印刷電路板12上的壓力，核心環42的構成材料的熱膨脹係數等於或者小於印刷電路板12的非導電材料。
印刷電路板12還包含軌跡與焊墊28，焊墊28用於裝設電子電路元件，電子電路元件可連接至接地平面14與印刷電路板12之內層之多個軌跡。元件的例子包含：連接器、放大器、變壓器與/或濾波器等，連接器用於提供電源到電子電路與/或從其中獲取電訊號，濾波器用於緩衝與或限定訊號，其中這些訊號表示導體20的射頻電壓與/或電流。
現在請參考『第2圖』、『第3A圖』、『第3B圖』以及『第3C圖』，圖中表示印刷電路板12之各種示意圖。為了清楚，省略接地平面14、通孔16與通孔24。第一內層32包含軌跡44a與44b，形成於絕緣基板36上。第二內層34包含更多軌跡44a與44b，位於在基板36的相對側面上。軌跡44a與44b統稱為軌跡44。軌跡44透過通孔22被圖案化與連接，以形成一對盤繞的電迴路或者繞組(windings)。應該注意到，基板36可包含一或多個未被顯示的額外導體層。例如，額外的導體層可實施一個電壓感測器，以下將加以描述。
第一與第二內層32與34係位於接地平面14其中之一各自的下方且與之絕緣。如下所述，通孔22在第一與第二內層上的相關軌跡44之間延伸且與之連接。相關軌跡44還透過各個電流感測器墊30連接，其中電流感測器墊30係沿孔徑18的牆壁形成。電流感測器墊30可在基板36中的孔徑19之 邊緣被電鍍，並且透過雷射、機械打磨或其他製造技術被切割為形狀。
絕緣體基板36指定電流感測器墊30的長度L。當射頻電流流經導體20時，磁場圍繞導體20旋轉。畢奧-薩瓦 定律(Biot-Savart Law)定義磁場，其中radius 為導體20與電流感測器墊30之間的距離，AC current 為流經導體20的電流，μ 0 為磁性常數，等於4π ×10-7 。磁場與電流感測器墊30交叉。
根據法拉第定律(Faraday's law)，感應電壓為電流感測器墊30的長度L、磁場的改變速率、以及電流感測器墊30、軌跡44及通孔22所形成的迴路的高度的函數。例如透過增加基板的厚度以增加長度L，增加射頻同軸電纜(圖中未表示)與電壓/電流探針10之間的耦合。
隨著L增加，通孔22的直徑也需要增加，從而降低製造印刷電路板12期間鑽機斷裂的風險。增加通孔22的直徑還增加了感測器的尺寸與/或降低了沿孔徑18的周邊安裝的電流感測器墊30或迴路(以下加以描述)之數量。增加通孔22的直徑還導致與導體20的電容耦合的依比例增加，允許導體20產生的電場(「E場」)干擾(contaminate)期望的電流訊號以及降低電壓/電流探針10的動態範圍。各種實施例中，電 流感測器墊30的寬度可被製造為較窄，以適用於緩和E場干擾以及動態範圍問題。邊緣電鍍的電流感測器墊30減少了製造電壓/電流探針10所需要的通孔22的尺寸與數目，可減少電流訊號的E場干擾。電流訊號表示流導體20並且係取自軌跡44的電流。
另一實施例中，電壓/電流探針10的動態範圍係透過增加電流感測器墊30的長度(L)被增加。為了增加電流感測器墊30的長度，如『第2圖』所示，第二印刷電路板15被耦合至印刷電路板12。第二印刷電路板15可透過第二印刷電路板15與印刷電路板12之間的耦合層(圖中未表示)被耦合至印刷電路板12。耦合層係由排列的導電材料組成，以電結合第二印刷電路板15至印刷電路板12。例如，耦合層可由銅組成。某些實施例中，電流感測器墊30從第二印刷電路板15至印刷電路板12串列連接。其他實施例中，電流感測器墊30從第二印刷電路板15及印刷電路板12並列連接。雖然圖中僅僅表示一個第二印刷電路板15被耦合至印刷電路板12，可以理解任意數目的印刷電路板可被耦合至印刷電路板12，例如第三、第四或第五印刷電路板。
另一實施例中，透過將核心環42嵌入第二印刷電路板15與印刷電路板12內，可增加電壓/電流探針10的動態範圍。核心環42係分別嵌於通孔22與24、電流感測器墊30以及第二印刷電路板15與印刷電路板12上的軌跡44之間。排列 核心環42以增加電壓/電流探針10的磁通量。例如，核心環42係由可增加電壓/電流探針10之磁場中媒介之導磁率之材料製造。隨著磁場中媒介之導磁率的增加，相關的磁通量也增加。雖然『第2圖』表示核心環42被嵌入第二印刷電路板15與印刷電路板12兩者之上，可以理解核心環42可被嵌入第二印刷電路板15與印刷電路板12兩者其中之一或者兩者中，或者均未嵌入兩者中。
透過選擇性地調整通孔22與24之直徑、電流感測器墊30以及軌跡44，可進一步增加電壓/電流探針10之動態範圍。例如，核心環42被複數個繞組(windings)環繞。複數個繞組係由通孔22與24構成、電流感測器墊30以及軌跡44。透過選擇性調整繞組的數目與/或選擇性調整通孔22與24、電流感測器墊30以及軌跡44之尺寸，可控制電壓/電流探針10的共振。透過控制電壓/電流探針10的共振，可增加電壓/電流探針10的動態範圍。
『第3A圖』、『第3B圖』以及『第3C圖』中更詳細地表示軌跡44。軌跡44a與44b連接以形成兩個纏繞的線的迴路。『第3A圖』的軌跡44a與44b連接電流感測器墊30至迴路背側通孔22。如『第3C圖』所示，迴路背側通孔22連接感測器的背側至另一軌跡44a或44b以及下一電流感測器墊30。為了便於理解，『第3A圖』、『第3B圖』以及『第3C圖』描繪了兩個迴路作為軌跡44a與44b。虛線為板的背向的軌 跡。『第3A圖』、『第3B圖』以及『第3C圖』的六邊形40為兩個迴路的一個共同接地點，作為射頻路徑接地通孔16其中之一。這個共同接地系統可用於減少接地迴路。
沿孔徑18的內周長電流感測器墊30在空間上均勻地交替，根據導體20的運動，例如根據電壓/電流探針10的組裝/分解或者作業期間電壓/電流探針10的熱變化，電流迴路提供自動糾正的特徵。透過保持導體20到電流感測器墊30的總距離恆定，自動糾正特徵的設計行之有效。例如，如果導體20向右運動，右側的電流感測器墊30相對導體20的距離減少，但是左側的電流感測器墊30相對中央導體20增加了同樣的距離，保持總的距離與電流訊號水平相同。
『第4圖』表示本揭露之多個實施例之印刷電路板12的另一示意圖。為了清楚可省略接地平面與通孔16。第一內層32包含絕緣基板36上形成的軌跡44a與44b。第二內層34包含絕緣基板36之相對側上的更多軌跡44a與44b。軌跡44a與44b統稱為軌跡44。軌跡44透過通孔22被圖案化與連接，以形成一對纏繞的電迴路或繞組。應該意識到，基板36可包含圖中未顯示的一或多個額外的導電層。例如，額外的導電層可實施以下描述的電壓感測器。『第4圖』所示的印刷電路板12中，通孔24電連接電流感測器墊30，以採用以下描述的方式實施電壓感測器(例如，請參考『第8圖』)。
『第5A圖』表示習知技術之電流感測器之示意圖。根 據安培定律，隨著射頻電流進入頁面(page)，圍繞導體20沿順時針方形產生磁場。磁場在拾取迴路(pickup loop)60上感應電流以流經變壓器50。迴路60拾取的任何電場與接地短路。『第5A圖』之電流可用作電流感測器，具有端對端放置的感測器迴路60(串聯)，這樣迴路60之間沒有耦合。
『第5B圖』表示本揭露之多個實施例之電流感測器之示意圖。『第5B圖』之電路中，共同接地用於迴路60。根據安培定律，當射頻電流進入頁面，圍繞導體20的順時針方形產生磁場。磁場將在拾取迴路60上感應電流，以流經變壓器50。迴路60拾取的任何電場將與接地短路。『第5B圖』之電路包含兩個彼此鄰接(或者彼此平行)的迴路，迴路60之間沒有耦合。
『第5C圖』表示本揭露之多個實施例之電流感測器之示意圖。『第5C圖』之電路中，迴路未連接一個共同接地。根據安培定律，當射頻電流進入頁面，圍繞導體20沿順時針方形產生一個磁場。包含電阻器55，與兩個電流拾取迴路60之每一個串聯。電阻器55可用於匹配感測器阻抗與電壓/電流探針10使用的任意伴隨處理單元，導致反射訊號較低、雜訊較低並且傳送到處理單元的感測器訊號功率最大。磁場在拾取迴路60上感應一個電流，以流經變壓器50與電阻器55。迴路60所拾取的電場未與接地短路，如『第5B圖』與『第5C圖』之例子所示。然而，變壓器50上的點A與B處的E場將相同，由於E電場的緣故，導致沒有電流流經變壓器50。因此，在 變壓器50的次級或輸出側57上有效地取消E電場。此外，變壓器50的點A與B將處於相對相同的電位，對應導體20的電位(electrical potential)加上一個額外分量，此分量係由於磁場在迴路60上產生的電流訊號的干擾所導致的。
如『第5B圖』與『第5C圖』所示，透過彼此鄰接放置迴路，兩個電流迴路60將暴露給相同的磁場與電場，結果更好地取消E場以及增加電流感測器的動態範圍。電流感測器拾取線(例如電流感測器墊30)的長度與電壓/電流探針10的頻率響應與耦合有關。較長的電流感測器拾取將提高電壓/電流探針10的訊號耦合與低頻響應，不會降低電壓/電流探針10的擊穿電壓並且沒有其他不利功效。
變壓器50通常包含匝數比(「N」)，與初級與次級繞組(secondary winding)有關。電阻器55補償輸出阻抗的實數部份。透過提供實際傳輸線感測部或者匹配/濾波器電路，可 補償輸出阻抗的虛數部份。多個實施例中，電阻器55的數值係透過以下被定義：其中Z output 係為提供給分析單元的期望輸出阻抗，N係為變壓器的匝數比。
現在請參考『第6圖』，圖中表示本揭露之多個實施例之另一電流感測器之示意圖。『第6圖』之電路中，透 過移除接地並且連接迴路60(例如，端對端)以形成一個連續迴路60，以修正『第5C圖』之電路。例如，藉由六邊形40之位置處的通孔，透過連接軌跡44a與44b(如『第3A圖』、『第3B圖』以及『第3C圖』所示)可完成。此排列中，電路感測器上影響的電場未與接地短路，因此E場電勢將導致電流流經串聯的電阻器55。來自E場的電流將援助一個電流迴路，並且減少另一電流迴路中的電流，導致E場訊號的部份通過變壓器50。此E場干擾可降低電流感測器的動態範圍。透過從射頻接地中移除電流感測器接地，電流感測器接地將不受流經印刷電路板12的射頻電流的影響，電流感測器將僅僅測量導體20的電流。
根據安培定律，當射頻電流進入頁面，圍繞導體20沿順時針方向產生磁場。電阻器55用於匹配此感測器阻抗與電壓/電流探針10採用的任意伴隨處理單元，導致低反射訊號、低雜訊以及最大感測訊號功率被傳送至處理單元。磁場在拾取迴路60上感應一個電流，以流經變壓器50與電阻器55。如上所述，『第5B圖』與『第5C圖』的實例中，迴路60所拾取的電場不會與接地短路。然而，變壓器50上點A與B的E場將相等，由於E場的緣故導致沒有電流流經變壓器50。因此，將有效地取消變壓器50的次級或輸出側57上的E場。此外，變壓器50的點A與B將處於相對相同的電位。
如上所述，由於電容耦合的緣故，點A與B的電位 與導體20中的電位成比例。點A與B的電位可被認為導體20的電位加上一個額外分量，此額外分量係由於磁場在迴路60上產生的電流訊號的干擾導致。
『第7圖』係為電路圖，表示『第6圖』之點A與B處的電壓相對導體20之電壓之間的電容耦合關係的電路。『第7圖』中，Rm係為例如類比數位轉換器或接收器中測量的輸入阻抗；Im表示透過改變圍繞導體20的磁場而產生的電流；Cc表示導體20與電流迴路60之間分佈的耦合電容；以及Ve係為導體20的射頻電壓。
採用『第7圖』之排列，藉由高斯定律定義導體20的射頻電位。使用節點方程以定義點A與B的電壓(分別為VA與VB)以及令：V e =V sin(ωt )；I m =I cos(ωt )；以及s =jω .每一節點的克希荷夫(Kirchhoffs)電流定律方程產生： 如果我們收集同類項： 為VA 與VB 解方程得出： 累加VA 與VB 訊號(Vsum =VA +VB )，利用變壓器50之中央抽頭(或者，透過類比數位變壓器/數位訊號處理(analog-to-digital converter/digital signal processing；ADC/DSP)系統)，得到： 結果是導體20的E場Ve 以及一個衰減項。從VA 中減去VB (Vdiff =VA -VB )，利用變壓器50(次級繞組)或者類比數位變壓器/數位訊號處理系統得到： 結果為流經導體20的電流Im 以及一個衰減項(attenuation term)。根據這些方程，可判定導體20的電壓(Ve )與電流(Im )。
『第8圖』表示本發明多個實施例之電壓/電流感測器之示意圖。根據安培定律，當射頻電流進入頁面，圍繞導體20沿順時針方向產生磁場。磁場在拾取迴路60上感應 一個電流，以流經變壓器50。與『第6圖』所示的電路類似，電壓/電流感測器上影響的電場未與地短路，因此，E場電勢將導致電流流經串聯的電阻器55。來自E場的電流將援助一個電流迴路，同時減少其他電流迴路中的電流，可導致E場訊號的部份通過變壓器50。這種E電場干擾(contamination)可降低電流感測器的動態範圍。
透過從射頻接地中移除電流感測器接地，電流感測器接地將不受流經印刷電路板12的射頻電流的影響，電流感測器將僅僅測量導體20的電流。從變壓器50的次級或輸出側57獲得電訊號，用於表示導體20的電流。採用變壓器50的中央抽頭59以獲得表示導體20的電壓的電訊號。根據這些電訊號，例如根據上述方程判定導體20的電壓與電流。
現在請參考『第9A圖』與『第9B圖』，圖中表示印刷電路板12的多個示意圖。為了清楚省略接地平面14、通孔16以及通孔22。第三內層33包含一個圓形導電環102a，形成於絕緣基板36上。第四內層35包含另一圓形導電環102b，位於基板36的相對側面上。圓形導電環102a與102b統稱為圓形導電環102a、102b。圓形導電環102被圖案化，並且透過通孔24彼此連接。每一圓形導電環102定義一個平面，與導體20的縱軸正交。此外，軌跡104耦合每一圓形導電環102至沿孔徑18之牆壁形成的電壓感測器墊100。
一些實施例中，電壓感測器墊100與上述電流感測 器墊30相同。電壓感測器墊100可被電鍍到基板36中的孔徑18的邊緣，並且透過雷射機械研磨或者其他製造技術被切割為形狀。採用六邊形40作為參考接地，以用於判定導體20的電壓。內層33還包含一個嵌入式的核心環42。核心環42被嵌入圓形導電環102a與102b之間的內層33中。
以上描述本質上僅僅是說明性的，並非意圖限制本揭露及其應用或用途。可採用多種形式實施本揭露之廣義教示。因此，雖然本揭露包含特定的例子，但是因為透過研究圖式、說明書以及以下的申請專利範圍，明顯可看出其他修正，所以不應該限制本揭露之真正保護範圍。為了清楚，圖式中採用相同的參考標號以識別類似元件。本文中使用的A、B以及C至少其一之用於被解釋為意味著一種邏輯(A或者B或者C)，使用非排他性的邏輯或。應該理解一種方法中的一或多個步驟可採用不同的順序(或同時)被執行，不會改變本揭露之原理。
10‧‧‧電壓/電流探針
12‧‧‧印刷電路板
13‧‧‧安裝孔
14a‧‧‧第一外層
14b‧‧‧第二外層
14‧‧‧接地平面
16‧‧‧通孔
18‧‧‧孔徑
20‧‧‧導體
22‧‧‧通孔
24‧‧‧通孔
28‧‧‧焊墊
30‧‧‧電流感測器墊
36‧‧‧基板
42‧‧‧核心環
100‧‧‧電壓感測器墊

Claims (20)

  1. 一種射頻感測器系統，包含：一印刷電路板，包含一第一外層、一第二外層、一第一內層、一第二內層以及一內周長，該內周長定義穿透該印刷電路板之一孔徑；一第一迴路，包含複數個第一感測器墊，透過複數個第一軌跡耦合於複數個第一通孔，該等第一感測器墊被排列於該內周長上；一第二迴路，包含複數個第二感測器墊，透過複數個第二軌跡耦合於複數個第二通孔，該等第二感測器墊被排列於該內周長上；以及一核心環，被嵌入該第一內層內，鄰近該等第一感測器墊、該等第一通孔以及該等第一軌跡，其中用於載送射頻電流之一中央導體延伸通過該孔徑，基於該等第一與第二感測器墊、該等第一與第二通孔、該等第一與第二軌跡以及該核心環，該第一與第二迴路產生一電訊號。
  2. 如請求項1所述的射頻感測器系統，其中該核心環由一媒介組成，該媒介具有比空氣大的導磁率。
  3. 如請求項1所述的射頻感測器系統，其中該核心環由鐵磁材料(ferromagnetic material)組成。
  4. 如請求項1所述的射頻感測器系統，其中該核心環包含一熱膨脹係數，等於該第一與第二外層以及第一與第二內層之膨脹係數。
  5. 如請求項1所述的射頻感測器系統，其中該核心環包含一熱膨脹係數，低於該第一與第二外層以及第一與第二內層之膨脹係數。
  6. 如請求項1所述的射頻感測器系統，其中根據該射頻感測器系統中的一射頻感測器之共振，選擇性地調整該等通孔之複數個特徵至少其一。
  7. 如請求項1所述的射頻感測器系統，更包含一第二印刷電路板，包含一第三外層、一第四外層、一第三內層、一第四內層以及一第二內周長，該第二內周長定義穿透該第二印刷電路板之一第二孔徑；一第三迴路，包含複數個第三感測器墊，透過複數個第三軌跡耦合於複數個第三通孔，該等第三感測器墊被排列於該第二內周長上；以及一第四迴路，包含複數個第四感測器墊，透過複數個第四軌跡耦合於複數個第四通孔，該等第四感測器墊被排列於該第二內周長上。
  8. 如請求項7所述的射頻感測器系統，其中該第四外層被電結合至該第一外層。
  9. 如請求項8所述的射頻感測器系統，其中該等第一感測器墊、該等第二感測器墊、該等第三感測器墊以及該等第四感測器墊係串聯地電連接。
  10. 如請求項8所述的射頻感測器系統，其中該等第一感測電、該等第二感測器墊、該等第三感測器墊以及該等第四感測器墊係並聯地電連接。
  11. 一種射頻感測方法，包含：定義穿過一印刷電路板之一孔徑，其中該印刷電路板包含一第一外層、一第二外層、一第一內層、一第二內層以及一內周長；透過複數個第一軌跡耦合一第一迴路至複數個第一通孔，該第一迴路包含複數個第一感測器墊，於該內周長上排列該等第一感測器墊；透過複數個第二軌跡耦合一第二迴路至複數個第二通孔，該第二迴路包含複數個第二感測器墊，於該內周長上排列該等第二感測器墊；以及於該第一內層內嵌入一核心環，鄰近該等複數個第一感測器墊、該等第一通孔以及該等第一軌跡，其中用於載送射頻電流之一中央導體延伸通過該孔徑，根據該等第一與第二感測器墊、該等第一與第二通孔、該等第一與第二軌跡以及該核心環，該第一與第二迴路產生一電訊號。
  12. 如請求項11所述的射頻感測方法，其中該核心環由一媒介組成，該媒介具有比空氣大的導磁率。
  13. 如請求項11所述的射頻感測方法，其中該核心環由一鐵磁材料組成。
  14. 如請求項11所述的射頻感測方法，其中該核心環包含一熱膨脹係數，等於該第一與第二外層以及第一與第二內層之膨脹係數。
  15. 如請求項11所述的射頻感測方法，其中該核心環包含一熱膨脹係數，低於該第一與第二外層以及第一與第二內層之膨脹係數。
  16. 如請求項11所述的射頻感測方法，其中根據一射頻感測器之共振，選擇性地調整該等通孔之複數個特徵至少其一。
  17. 如請求項11所述的射頻感測方法，其中更包含一第二印刷電路板，包含一第三外層、一第四外層、一第三內層、一第四內層以及一第二內周長，該第二內周長定義穿透該第二印刷電路板之一第二孔徑；透過複數個第三軌跡耦合一第三迴路於複數個第三通孔，該第三迴路包含複數個第三感測器墊，該等第三感測器墊被排列於該第二內周長上；以及透過複數個第四軌跡耦合一第四迴路於複數個第四通孔，該第四迴路包含複數個第四感測器墊，該等第四感測器墊被排列於該第二內周長上。
  18. 如請求項17所述的射頻感測方法，更包含電結合該第四外層至該第一外層。
  19. 如請求項18所述的射頻感測方法，更包含串聯地電連接該等第一感測器墊、該等第二感測器墊、該等第三感測器墊以及該等第四感測器墊。
  20. 如請求項18所述的射頻感測方法，更包含並聯地電連接該等第一感測器墊、該等第二感測器墊、該等第三感測器墊以及該等第四感測器墊。
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