TWI492792B - Substrate manufacturing method and substrate manufacturing apparatus - Google Patents
Substrate manufacturing method and substrate manufacturing apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- TWI492792B TWI492792B TW102126455A TW102126455A TWI492792B TW I492792 B TWI492792 B TW I492792B TW 102126455 A TW102126455 A TW 102126455A TW 102126455 A TW102126455 A TW 102126455A TW I492792 B TWI492792 B TW I492792B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- substrate
- deformation
- film
- compressed
- pixel
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
- H05K3/285—Permanent coating compositions
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0266—Marks, test patterns or identification means
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or adjusting assemblages of electric components
- H05K13/0015—Orientation; Alignment; Positioning
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3452—Solder masks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Compression, Expansion, Code Conversion, And Decoders (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Image Processing (AREA)
Description
本發明係有關一種平面形狀被定義之薄膜形成在基板上之基板製造方法及基板製造裝置。
已知有如下技術,即從噴嘴頭吐出包含薄膜材料之液滴來在基板的表面形成薄膜(例如專利文獻1)。
以上薄膜形成技術中,例如在基板上使用有印刷基板,薄膜材料使用焊罩。印刷基板包含基材及配線,在規定的位置上焊接有電子零件等。焊罩露出對電子零件等進行焊接之導體部份,覆蓋不需要焊接之部份。與將焊罩塗佈於整個面之後,使用光刻技術形成開口之方法相比能夠降低製造成本。
專利文獻1:日本特開2004-104104號公報
因在基板製造階段中進行之熱處理等而在印刷基板上發生變形。根據在基板上所發生之變形,對在其表面上形成之薄膜的圖案進行修正為較佳。一般來說,焊罩的圖案由蓋伯格式(Gerber format)的圖像資料獲得。從噴嘴頭吐出薄膜材料液滴形成薄膜時,由對薄膜的圖案進行定義之蓋伯格式的圖像資料生成光柵格式的圖像資料。噴嘴頭的控制根據該光柵格式的圖像資料進行。
在將基板搬入到薄膜形成裝置之後且薄膜形成之前,檢測出基板上的定位標記,從而進行基板的對位。由複數個定位標記位置計算基板的變形量。根據計算出之變形,校正蓋伯格式的圖像資料或光柵格式的圖像資料。
作為一例,對邊長為500mm的正方形的區域內的圖案進行定義之2400dpi圖像資料大約由22.3億個像素構成。光柵格式的圖像資料為2維連續資料,因此改變1個像素的值時,產生改變其他幾乎所有的像素的影響。即使對1像素分配1位元的資料時,圖像資料的尺寸亦成為約266MB。因此,進行圖像資料校正處理時需要很長時間。因進行圖像資料的校正處理而導致薄膜形成裝置所佔用之時間延長。
在將基板搬入到薄膜形成裝置之前,測定基板的變形量,進行圖像資料的校正,從而能夠縮短因圖像資料的校正處理而薄膜形成裝置所佔用之時間。然而,該方法中,除了裝備於薄膜形成裝置之定位標記的檢測裝置之外,還
需要設置用於測定變形量的另一定位標記檢測裝置。因此,導致裝置整體的成本上升。
本發明的目的在於提供一種能夠抑制因圖像資料的校正處理而裝置所佔用之時間延長及成本增加之同時,考慮到基板的變形來形成薄膜之基板製造方法及基板製造裝置。
根據本發明的一觀點提供一種基板製造方法,具有:準備壓縮資料之製程,該壓縮資料係把對將要形成在基板上之薄膜的形狀進行定義之光柵格式的圖像資料予以壓縮而成;測定前述基板的在平面方向(in-plane direction)上之變形量之製程;根據測定出的前述變形量,藉由對前述壓縮資料以壓縮過的格式狀態實施像素的***或去除處理來生成變形修正資料之製程;及根據前述變形修正資料在前述基板上形成薄膜之製程。
根據本發明的另一觀點提供一種基板製造裝置,具有:載物台,用以保持基板;噴嘴單元,設置有複數個朝向保持在前述載物台上之基板吐出薄膜材料液滴之噴嘴孔;
移動機構,使前述載物台及前述噴嘴單元中的其中一方相對於另一方移動;位置檢測裝置,對在保持於前述載物台之基板上形成之標記的位置進行檢測;及控制裝置,控制前述移動機構及前述噴嘴單元;前述控制裝置進行如下控制:記憶對將要形成在前述基板上之薄膜的形狀進行定義之光柵格式的圖像資料予以壓縮而成之壓縮資料,根據以前述位置檢測裝置所檢測出之前述標記的位置,計算前述基板的平面方向的變形量,根據計算出的前述變形量,藉由對前述壓縮資料以壓縮過的格式狀態實施像素的***或去除處理來生成變形修正資料,根據前述變形修正資料,藉由對前述移動機構及前述噴嘴單元進行控制,來在前述基板上形成薄膜。
藉由對定義薄膜圖案之壓縮資料以壓縮格式狀態實施像素的***或去除處理,從而能夠縮短處理時間。
20‧‧‧平板
21‧‧‧移動機構
22‧‧‧載物台
24‧‧‧支撐構件
27‧‧‧基板
28‧‧‧拍攝裝置
29‧‧‧定位標記
30‧‧‧噴嘴單元
31‧‧‧噴嘴單元支撐機構
32‧‧‧印刷電路板
33‧‧‧薄膜
34‧‧‧噴嘴頭
35‧‧‧噴嘴夾具
36‧‧‧固化用光源
37‧‧‧噴嘴孔
38‧‧‧噴嘴面
39‧‧‧開口
40、41‧‧‧校正單位區域
42‧‧‧光柵格式的圖像資料
43‧‧‧像素
43a‧‧‧被***之像素
43v‧‧‧去除像素之區域
43L‧‧‧像素行左端的像素
45‧‧‧x方向壓縮資料
46‧‧‧y方向壓縮資料
50‧‧‧以未實施變形修正處理之x方向壓縮資料定義之圖案
的外形
51‧‧‧已發生變形之基板的外形
52‧‧‧重新建立校正單位區域之圖案的外形
53‧‧‧以x方向變形修正資料定義之圖案的外形
54‧‧‧***“W”像素之區域
55‧‧‧路徑區域
56‧‧‧以y方向壓縮資料定義之圖案的外形
57‧‧‧重新建立校正單位區域之圖案的外形
58‧‧‧***“W”像素之區域
59‧‧‧已變形之校正單位區域的外形
60、61‧‧‧區域
70‧‧‧控制裝置
71‧‧‧輸入裝置
72‧‧‧輸出裝置
80‧‧‧姿勢調整機構
第1圖係根據實施例1之基板製造裝置的示意圖。
第2圖係噴嘴單元的立體圖。
第3圖中,第3圖A係未發生變形之基板及噴嘴單元
的平面圖,第3圖B係表示在1個印刷電路板上形成之薄膜圖案的一例之平面圖。
第4圖係已發生變形之基板的平面圖。
第5圖係根據實施例1之基板製造方法的流程圖。
第6圖中,第6圖A係表示光柵格式的圖像資料的局部的一例之線圖。第6圖B係表示將光柵格式的圖像資料沿x方向壓縮而成之x方向壓縮資料的格式之圖表。
第7圖中,第7圖A係簡化表示以未實施變形修正處理之x方向壓縮資料定義之圖案的外形、及已發生變形之基板的外形之線圖,第7圖B係一同簡化表示假定y方向上未發生變形而僅在與x方向平行之1維方向上發生變形時的基板的外形、及以未實施變形修正處理之x方向壓縮資料定義之圖案的外形之線圖。
第8圖中,第8圖A係表示1個校正單位區域內的像素及已發生變形之校正單位區域的外形之線圖,第8圖B係表示像素的***及去除之後的像素分佈和已發生變形之校正單位區域的外形之線圖。
第9圖中,第9圖A及第9圖B係表示1個像素行的局部定位標記的圖像資料和壓縮資料之圖表。
第10圖係表示1個像素行的局部定位標記的圖像資料和壓縮資料之圖表。
第11圖中,第11圖A係表示以對x方向上的變形進行修正之後的x方向壓縮資料定義之校正單位區域的各個外形之線圖,第11圖B係表示以在校正單位區域的像素
行中相同像素行連結之方式重新建立複數個校正單位區域之圖案的外形之線圖。
第12圖中,第12圖A係表示以x方向變形修正資料定義之圖案的外形及已發生變形之基板的外形之線圖,第12圖B係表示按路徑區域使用x方向變形校正資料定義之圖案的外形沿y方向延伸之後的圖案的外形之線圖。
第13圖中,第13圖A及第13圖B係表示在實施例1的變形例1中採用之x方向壓縮資料的格式之圖表。
第14圖中,第14圖A及第14圖B係表示以根據實施例1之方法追加像素之前和之後的像素的配置之線圖,第14圖C及第14圖D係表示以根據實施例1的變形例2之方法追加像素之前和之後的像素的配置之線圖。
第15圖中,第15圖A係將以x方向變形修正資料定義之圖案的外形與發生變形之基板的外形一同示出之線圖,第15圖B係一同表示假定為在基板上未產生x方向的變形而僅在與y方向平行之1維方向上已發生變形時的基板的外形、及以x方向變形修正資料定義之圖案的外形之線圖。
第16圖係表示y方向壓縮資料的一例之圖表。
第17圖係表示以藉由對y方向壓縮資料進行像素的***及去除處理來得到之xy方向變形修正資料定義之圖案的外形之線圖。
第18圖係根據實施例3之基板製造裝置的載物台及噴嘴單元的平面圖。
第1圖中示出根據實施例1之基板製造裝置的示意圖。在平板20上藉由移動機構21支撐有載物台22。在載物台22的上面(保持面)保持有印刷基板等基板27。將與載物台22的保持面平行之方向設為x方向及y方向且將保持面的法線方向設為z方向之xyz直角坐標系進行定義。移動機構21使載物台22沿x方向及y方向移動。
在平板20的上方藉由支撐構件24支撐噴嘴單元30及拍攝裝置28。噴嘴單元30經由噴嘴單元支撐機構31可升降地支撐在支撐構件24上。噴嘴單元30及拍攝裝置28與保持在載物台22上的基板27相向。拍攝裝置28對形成於基板27的表面上之配線圖案、定位標記、形成於基板27上之薄膜圖案等進行拍攝。拍攝而得到之圖像資料輸入到控制裝置70。噴嘴單元30從複數個噴嘴孔朝向基板27吐出光固化性(例如紫外線固化性)的薄膜材料液滴(例如焊罩等的液滴)。所吐出之薄膜材料附著於基板27的表面。
控制裝置70對移動機構21、噴嘴單元30、及拍攝裝置28進行控制。在控制裝置70中記憶有對將要形成在基板27上之薄膜圖案的形狀進行定義之光柵格式的圖像資料或將其壓縮之圖像資料(壓縮資料)等。操作員藉由輸入裝置71對控制裝置70輸入各種指令(command)和控
制所需之數值資料。控制裝置70從輸出裝置72對操作員輸出各種資訊。
第2圖中示出噴嘴單元30(第1圖)的立體圖。在噴嘴夾具35上沿y方向排列安裝有複數個例如4個噴嘴頭34。複數個噴嘴孔37在每個噴嘴頭34的與載物台22(第1圖)相向之噴嘴面38上開口。複數個噴嘴孔37沿x方向排列成2列。4個噴嘴頭34的複數個噴嘴孔37配置於在x方向上的不同之位置,整體來看在x方向上等間隔分佈。
在噴嘴頭34之間及兩端噴嘴頭34的外側分別安裝有固化用光源36。固化用光源36對基板27(第1圖)照射固化用光例如紫外線光。
第3圖A中,示出未發生變形的基板27及噴嘴單元30的平面圖。在1個基板27上配置有複數個印刷電路板32。基板27為所謂拼板。第3圖A中8個印刷電路板32配置成4行2列的行列狀。在基板27上形成有複數個定位標記29。第3圖A中示出在基板27的四角、4邊的各個大致中央、及基板27的大致中心配置有定位標記29之例子。
在噴嘴單元30上設置有複數個噴嘴孔37。複數個噴嘴孔37在x方向上以等間隔分佈。第3圖A中簡化表示成噴嘴孔37排列成一列,但實際上如第2圖所示,噴嘴孔37構成為複數個列。
第3圖B中示出在1個印刷電路板32上形成之薄膜
33的圖案的一例。在第3圖B的劃有陰影線的區域形成有焊罩的薄膜33。在薄膜33中分佈有複數個開口39。開口39與安裝有電子零件之部位和形成有通孔之部位等對應配置。
接著,對薄膜的形成方法進行說明。使基板27沿y方向移動之同時,根據對將要形成之薄膜的平面形狀進行定義之圖像資料,從噴嘴孔37吐出薄膜材料液滴。將該動作稱作“掃描”。從噴嘴孔37吐出之薄膜材料液滴彈著到基板27上。從固化用光源36(第2圖)對彈著到基板27上之薄膜材料照射固化用光。藉此,至少薄膜材料的表層部進行固化。在1次掃描中,在x方向上分佈有噴嘴孔37之範圍內,能夠形成薄膜33。改變基板27與噴嘴單元30在x方向上的相對位置而進行複數次掃描,從而能夠在基板27表面的幾乎整個區域形成薄膜33。
第4圖中示出已發生變形之基板27的平面圖。根據基板27的變形,複數個定位標記29的相對位置發生變化。藉由檢測定位標記29的位置,能夠計算基板27在x方向及y方向的變形量。例如在x方向及y方向上,變形量能夠在2個定位標記29之間近似線形變化。在基板27的整個區域內均勻變形時,亦可將定位標記29僅配置在基板27的四角。藉由增加定位標記29的個數,能夠檢測出複雜的變形。
基板27的表面被劃分成複數個校正單位區域40。第4圖中示出校正單位區域40配置成4行4列的行列狀之
例子。根據基板27的變形,按校正單位區域40進行圖像資料的校正。
第5圖中示出根據實施例1之基板製造方法的流程圖。步驟SA1中壓縮對將要形成之薄膜的平面形狀進行定義之光柵格式的圖像資料來準備壓縮資料。該壓縮資料例如藉由控制裝置70(第1圖)的上位處理裝置生成。所生成之壓縮資料輸入到控制裝置70。
第6圖A中示出光柵格式的圖像資料42的局部的一例。光柵格式的圖像資料42由沿x方向及y方向排列之複數個像素43構成。在各像素43中分配有“W”及“B”的值中的一個。“B”及“W”分別表示使薄膜材料液滴彈著之像素、及未彈著之像素。第6圖A中示出形成有大致圓形的開口39之區域附近。
第6圖B中示出將第6圖A所示之光柵格式的圖像資料42沿x方向壓縮而成之x方向壓縮資料45。光柵格式的圖像資料42的由在x方向上連續之像素構成之資料列被壓縮,並以複數個要素標記。各要素包括對像素43的值“W”和“B”進行區分之識別符號、及表示分配識別符號的值之像素連續之次數之數值。
步驟SA2(第5圖)中,使將要形成薄膜之基板27保持在載物台22上(第1圖)。步驟SA3中,由拍攝裝置28(第1圖)對基板27的定位標記29(第4圖)進行拍攝。被拍攝之圖像資料輸入到控制裝置70。步驟SA4(第5圖)中,控制裝置70藉由對定位標記29的圖像資
料進行分析來計算定位標記位置29的位置。拍攝裝置28起到作為對定位標記29的位置進行檢測之位置檢測裝置的作用。
步驟SA5中,根據已計算之定位標記29的位置計算基板27的x方向及y方向的變形量。步驟SA6中,對x方向壓縮資料45(第6圖B)進行***像素或去除像素之處理,從而生成變形修正資料。參閱第7圖A~第11圖B,對步驟SA6的處理進行說明。
第7圖A中以線圖簡化表示以未實施變形修正處理之x方向壓縮資料45(第6圖B)定義之圖案的外形50、及已發生變形之基板27的外形51。第7圖A中,誇張表示變形。變形修正前的圖案的外形50例如以具有與x方向及y方向平行之邊之長方形表示。基板27的外形51沿x方向及y方向變形。變形修正前的圖案的外形50的內部區分成複數個校正單位區域40。校正單位區域40配置成由例如從第1行到第4行的4行及A列~D列的4列構成之行列狀。對列的識別碼A~D、及行號進行排列而特定1個校正單位區域40。例如,將B列的第3行的校正單位區域40標記成“B3”。
如第7圖B所示,假定為在y方向上未發生變形而僅在與x方向平行之1維方向上發生變形。已發生變形之基板的外形51由與x方向平行之2個緣部及對該緣部的端部彼此進行連接之沿y方向延伸之緣部構成。與x方向平行之緣部與變形修正前的圖案的外形50的與x方向平行
之緣部重合。各校正單位區域40的外形59亦包括與x方向平行之2個緣部。
第8圖A中示出1個校正單位區域40內的像素43及已發生變形之校正單位區域40的外形59。在1個校正單位區域40中,沿x方向排列之像素43的數量為N個。已發生變形之校正單位區域40的外形59以具有與x方向平行之上底和下底的梯形表示。
由外形59的上底的位置上之x方向的變形量及下底的位置上的x方向的變形量計算像素43的每一行的x方向的變形量。作為一例,在上底與下底之間,變形量在y方向上近似線形變化。第8圖A中作為一例示出了上底被壓縮成相當於(N-2)個量的像素之長度,下底延伸成相當於(N+3)個量的像素之長度之例子。
按由沿x方向排列之像素43構成之像素行進行像素的***或去除,以使接近已發生變形之外形59的尺寸。具體而言,將校正單位區域40沿高度方向進行n等分。在此,“n”與在像素的個數加1之值相等,其中前述像素的個數相當於上底長度與下底的長度的差量。第8圖A所示之例子中n=6。按已n等分之區域確定像素的***個數或去除個數。在最下方的區域內,按像素行***有3個像素。在最上方的區域內,按像素行去除2個像素。
第8圖B中示出像素的***及去除之後的像素分佈和已發生變形之校正單位區域40的外形59。***有像素43a並去除區域43v的像素。關於每個像素行,像素的插
入部位及去除部位在x方向上均等分散。***有像素43a之像素行沿x方向延伸,去除像素之像素行沿x方向縮小。藉此,像素所分佈之區域的外形與已發生變形之校正單位區域40的外形59接近。
參閱第9圖A,對在像素行上***像素之處理進行說明。第9圖A中,示出1個像素行的局部定位標記的圖像資料和壓縮資料。5個“B”像素、4個“W”像素、7個“B”像素、及6個“W”像素沿x方向依次連結。該像素行的壓縮資料標記為“B5W4B7W6”。
對在從左第13個像素43與第14個像素43之間***像素43a之情況進行說明。***像素43a之位置的兩側的像素43的值均為“B”,因此所***之像素43a的值亦設為“B”。從左第13個及第14個的像素43包含於以壓縮資料“B7”表示之連續之7個像素43。在壓縮資料中,僅將要素“B7”校正為“B8”來及進行像素的***。
如第9圖B所示,當***像素43a之位置(從左第16個像素43與第17個像素43之間)的兩側的像素43的其中一方的值為“B”,另一個的值為“W”時,所***之像素43a的值可設為“B”及“W”中的任一個。此時,藉由將壓縮資料的要素“B7”修正為“B8”或將要素“W6”修正為“W7”來進行像素43a的追加。
參閱第10圖,對從像素行去除像素的處理進行說明。第10圖中示出1個像素行的局部定位標記的圖像資料和壓縮資料。對去除從左第13個像素43之例子進行說
明。從左第13個像素為在壓縮資料中以“B7”表示之連續之7個“B”像素中的1個。為了去除從左第13個像素43,將壓縮資料的要素“B7”校正為“B6”即可。
如上述,無需展開x方向壓縮資料45(第6圖B),就能夠以壓縮格式狀態按簡便的順序進行像素的***及去除處理。
第11圖A中示出以對x方向上的變形進行校正之後的x方向壓縮資料45(第9圖A、第9圖B、第10圖)定義之校正單位區域40的各個外形。若固定像素行的左端的像素43的位置,則校正單位區域40的外形成為左側邊與y軸平行之梯形。
如第11圖B所示,重新建立複數個校正單位區域40,以使校正單位區域40的像素行中,相同的像素行連續。重新建立時,使最左側(A列)的校正單位區域40的左端的像素43L的位置與第7圖B所示之已發生變形之基板27的外形51的左側邊一致。藉由重新建立以在x方向進行變形的校正之壓縮資料定義之校正單位區域40來得到之圖案的外形52,包括與x方向平行之2個邊和將該2個邊的端部彼此沿y方向連接之一緣部。一般來說,重新建立之圖案的外形52沿y方向延伸之一對緣部各自不與y軸平行,並且亦不是1條直線。
對內含有已重新建立之圖案的外形52的長方形進行定義。該長方形的一對邊與已重新建立之圖案的外形52的與x方向平行之緣部重合。該長方形的內部區域內,在
比已重新建立之圖案的外形52更靠近外側的區域54***“W”像素。為了在區域54內“W”***像素,在重新建立之後的壓縮資料(對外形52進行定義之壓縮資料)中,在各像素行的左端和右端追加要素“Bi”(i為自然數)即可。將***“W”像素之圖像資料稱為“x方向變形修正資料”。以x方向變形修正資料定義之圖案的外形53為長方形。
步驟SA7(第5圖)中,根據y方向的變形量確定來自噴嘴孔37(第2圖)的薄膜材料液滴的吐出時機(吐出頻率)、或者基板27(第1圖)朝向y方向(掃描方向)的移動速度。參閱第12圖A及第12圖B,對步驟SA7的處理進行說明。
第12圖A中,示出以x方向變形修正資料定義之圖案的外形53及已發生變形之基板的外形51。在以x方向變形修正資料定義之圖案的外形53的內部表示像素43。以x方向修正資料定義之像素43的x方向的間距與y方向的間距相等。
將以x方向修正資料定義之圖案的外形53的內部劃分成在x方向上的複數個路徑區域55。每個路徑區域55在x方向的尺寸被設定為能夠以噴嘴單元30的1次掃描使薄膜材料附著之區域的x方向的寬度以下。
如第12圖B所示,按路徑區域55,使以x方向變形修正資料定義之圖案的外形53沿y方向伸縮,從而將路徑區域55的y方向的尺寸設為比已發生變形之基板的外
形51的所對應之區域的y方向的尺寸大。若使路徑區域55沿y方向伸縮,則在路徑區域55內的像素43的在y方向上的間距發生變化。在y方向上的像素43的間距與將噴嘴單元30沿y方向進行掃描時的掃描速度、或者從噴嘴孔37吐出薄膜材料液滴之頻率(時機)對應。在每個路徑區域55中,能夠由伸縮後的y方向的像素的間距確定來自噴嘴孔37的薄膜材料液滴之吐出時機及朝向基板27(第1圖)的y方向(掃描方向)的移動速度。固定吐出時機及移動速度中的其中一方,亦可設為調整吐出時機及移動速度中未固定之一方。
步驟SA8(第5圖)中,根據在步驟SA6中生成之x方向變形修正資料,在步驟SA7中確定之吐出時機或基板27(第1圖)朝向y方向移動之速度的條件下,進行薄膜的形成。
參閱第13圖A及第13圖B,對如下順序進行說明,即在根據實施例1的變形例1之基板製造方法中所適用之x方向壓縮資料45的形式及對x方向壓縮資料45進行***像素或去除像素之處理之順序。如第6圖B所示,藉由在實施例1中所採用之x方向壓縮資料45中藉由“W”或“B”的識別符號和取該識別符號的值之像素沿x方向連續之次數來構成1個要素。
第13圖A中示出在實施例1之變形例1中採用之x
方向壓縮資料45的格式。按沿x方向排列之像素列,對像素列從左端依次附加序列號#1、#2、#3、……。在實施例1的變形例1中,x方向壓縮資料45的各要素包括“W”或“B”的識別符號及像素的序列號。像素43的序列號表示取識別符號的值之連續之像素的左端及右端的像素43。例如“B1-5”係指分配在從序列號#1到#5的5個像素的值為“B”。
第13圖B中示出在序列號#13的像素43與序列號#14的像素43之間***像素43a之處理。壓縮資料的要素“B10-16”中包括序列號#13及#14的像素43。***像素43a時,將“B10-16”改寫成“B10-17”即可。此時,由於比序列號#14更靠右側的像素43的序列號依次減小,因此在x方向壓縮資料45中,包含於各要素之序列號亦依次減小。例如,要素“W17-22”改寫成“W18-23”。去除像素43時,包含大於被去除之像素43的序列號之序列號之要素中,將各序列號依次加大即可。
實施例1及其變形例1中的任一個,均著眼於在x方向排列之像素的43中設定有相同值之連續之像素43來進行像素資料的壓縮。在被壓縮之圖像資料(壓縮資料)中,定義有相同值的像素連續的個數或相同值的像素連續之部份的左端和右端的位置。
在實施例1及變形例1中,根據基板27(第4圖)的x方向的變形量來校正對薄膜的平面形狀進行定義之壓縮資料。另外,根據基板27(第4圖)的y方向的變形
量來確定薄膜材料液滴的吐出時機或基板27的移動速度。其結果,基板27在x方向及y方向上變形時,亦能夠使所形成之薄膜的平面形狀與變形後的基板27的導電圖案整合。藉此,在根據實施例1及其變形例1之基板製造方法中,能夠緩和基板變形的影響。
另外,實施例1及其變形例1中,如第9圖A、第9圖B、第10圖所示,為了緩和基板27(第4圖)的在x方向上的變形的影響,無需展開由x方向上連續之像素構成之資料列被壓縮之壓縮資料,在被壓縮之狀態下進行像素的***及去除處理。為了緩和在y方向上的變形的影響,無需對壓縮資料進行像素的***及去除處理。因此,與對蓋伯格式的圖像資料或被壓縮之前的光柵格式的圖像資料進行像素的***及去除處理時相比,能夠縮短用於緩和變形的影響的處理時間。
參閱第14圖A~第14圖D,對實施例1的變形例2進行說明。在實施例1中,如第8圖B所示,按1個校正單位區域40內的像素行使已***之像素43a沿x方向均等分散。
如第14圖A所示,關於在將要形成之薄膜中含有正方形的開口39進行研究。假定為將校正單位區域40(第8圖A)沿y方向進行n等分時的邊界線通過開口39的內部,並且比邊界線靠上方的區域60在x方向的變形量與
靠下方的區域61在x方向的變形量相比小。將***像素之位置沿x方向均等分配時,例如第14圖A的箭頭的位置被選定為***部位。在靠上方的區域60中,***像素之部位與開口39重合,在靠下方的區域61中,***像素之部位從開口39偏離。
第14圖B中示出以***像素之後的x方向壓縮資料定義之像素的配置。在靠上方的區域60中,開口39在x方向上的尺寸增大,在靠下方的區域61中,開口39在x方向的尺寸無變化。因此,作為正方形的開口39的平面形狀從正方形走樣。另外,成為變形量相對較大的區域61中,不使開口39變形,而在變形量相對較小的區域60中,將開口39沿x方向延伸之結果。
如第14圖C所示,在根據實施例1的變形例2的方法中,***像素之部位與開口39重合時,將像素所***之部位偏離至開口39的緣部。
第14圖D中示出以根據實施例1的變形例2之方法***像素之後的x方向壓縮資料定義之像素的配置。靠上方的區域60及靠下方的區域61中的任一個中,開口39在x方向的尺寸均不會發生變化。因此,能夠防止開口39的形狀走樣。
參閱第15圖A~第17圖,對根據實施例2之基板製造方法進行說明。以下,對與實施例1的不同點進行說
明,關於相同的結構省略說明。從第5圖所示之步驟SA1到步驟SA6的製程在實施例1與實施例2中共同使用。
第15圖A中一同表示將以在步驟SA6(第5圖)中生成之x方向變形修正資料定義之圖案的外形53與已發生變形之基板的外形51。外形53與以根據第11圖B所示之實施例1的方法中得到之x方向變形修正資料定義之圖案的外形53相同。
如第15圖B所示,假定為在基板27(第4圖)中未發生x方向的變形,僅在與y方向平行之1維方向上發生變形。已發生變形之基板的外形51沿y方向延伸之緣部成為與y軸平行之直線。在x方向變形修正資料中,如第9圖A、第9圖B、第10圖所示,由沿x方向連續之像素構成之資料列被壓縮。將該x方向變形修正資料轉換成相對於由沿y方向連續之像素構成之資料列被壓縮之y方向壓縮資料。
第16圖中示出由沿y方向連續之像素43構成之資料列及被壓縮之y方向壓縮資料46的一例。y方向壓縮資料46的各要素包括對像素43的值“W”與“B”進行區別之識別符號及表示識別符號的值被分配之像素43沿y方向連續之次數之數值。
如第15圖B所示,以y方向壓縮資料46(第16圖)定義之圖案的外形56與以x方向變形修正資料定義之圖案的外形53相同。將以y方向壓縮資料46定義之圖案的外形56內的區域重新區分成複數個校正單位區域
41。
如第17圖所示,按校正單位區域41,根據y方向的變形量對y方向壓縮資料46(第16圖B)進行像素的***及去除處理。該處理與像素相對於對實施例1的第8圖A及第8圖B所示之x方向壓縮資料45的***及去除處理相同。如實施例1的第11圖A及第11圖B所示,重新建立進行像素的***及去除的校正單位區域41。沿重新建立校正單位區域41之圖案的外形57沿x方向延伸之緣部無法成為相對於x軸平行之1條直線。
在重新建立之圖案的外形57沿x方向延伸之緣部的外側的區域58***“W”像素。對重新建立之圖案的外形57與區域58進行合成之區域的外形成為長方形。藉由在區域58***“W”像素得到xy方向變形修正資料。
根據xy方向變形修正資料,在已發生變形之基板27(第4圖)上形成薄膜。實施例2中,在y方向上進行與x方向相同的變形校正處理。在實施例2中,亦能夠與實施例1相同地縮短為緩和基板27(第4圖)的變形的影響所需之處理時間。
第18圖中示出根據實施例3之基板製造裝置的載物台22及噴嘴單元30的平面圖。以下對與實施例1的不同點進行說明,關於相同的結構省略說明。根據實施例3之基板製造裝置具有對噴嘴單元30的姿勢進行調整,以使
噴嘴孔37的排列方向改變之姿勢調整機構80。若將噴嘴孔37的排列方向相對於x方向傾斜,則噴嘴孔37的間距的x方向成份產生變化。在載物台22的上方保持有基板27。
控制裝置70根據基板27在x方向上的變形量,使噴嘴單元30的姿勢改變成噴嘴孔37的排列方向相對於x方向傾斜。藉由該姿勢變化,噴嘴孔37的間距的x成份根據變形量改變。其結果,能夠緩和基板27在x方向上的變形的影響。
根據以上實施例對本發明進行了說明,但本發明並不限定於此,例如本領域技術人員顯然可知能夠例如進行各種改變、改良、組合等。
Claims (8)
- 一種基板製造方法,具有:準備壓縮資料之製程,該壓縮資料係把對將要形成在基板上之薄膜的形狀進行定義之光柵格式的圖像資料予以壓縮而成;測定前述基板的在平面方向(in-plane direction)上之變形量之製程;根據測定出的前述變形量,藉由對前述壓縮資料以壓縮過的格式狀態實施像素的***或去除處理來生成變形修正資料之製程;及根據前述變形修正資料,在前述基板上形成薄膜之製程。
- 如請求項1之基板製造方法,其中,形成前述薄膜之製程包括:使具有複數個噴嘴孔之噴嘴單元,以前述噴嘴孔沿第1方向排列之姿勢,相向於前述基板之製程;及一邊使前述基板及前述噴嘴單元中的其中一方相對於另一方沿著與前述第1方向交叉之第2方向移動,一邊使薄膜材料液滴斷續吐出而形成前述薄膜之製程;前述壓縮資料,係有關於前述第1方向先被壓縮;在生成前述變形修正資料之製程中,根據前述基板的在前述第1方向上之變形量,對前述壓縮資料,實施像素的***或去除處理。
- 如請求項2之基板製造方法,其中, 還具有如下製程:根據前述基板的在前述第2方向上之變形量,決定使前述噴嘴單元及前述基板中的其中一方相對於另一方沿前述第2方向移動之移動速度、及來自前述噴嘴孔的薄膜材料液滴的吐出時機中的至少一方;在形成前述薄膜之製程中,以在決定前述移動速度及前述吐出時機中的至少一方之製程中所決定出的移動速度或吐出時機來形成前述薄膜。
- 如請求項2或3之基板製造方法,其中,在測定前述變形量之製程之後且形成前述薄膜之製程之前,包含有:根據在前述第1方向上之變形量,以前述噴嘴孔的排列方向相對於第1方向傾斜之方式使前述噴嘴單元的姿勢改變之製程。
- 一種基板製造裝置,具有:載物台,用以保持基板;噴嘴單元,設置有複數個朝向保持在前述載物台上之基板吐出薄膜材料液滴之噴嘴孔;移動機構,使前述載物台及前述噴嘴單元中的其中一方相對於另一方移動;位置檢測裝置,對在保持於前述載物台之基板上形成之標記的位置進行檢測;及控制裝置,控制前述移動機構及前述噴嘴單元;前述控制裝置進行如下控制:記憶對將要形成在前述基板上之薄膜的形狀進行定義之光柵格式的圖像資料予以壓縮而成之壓縮資料, 根據以前述位置檢測裝置所檢測出之前述標記的位置,計算前述基板的平面方向的變形量,根據計算出的前述變形量,藉由對前述壓縮資料以壓縮過的格式狀態實施像素的***或去除處理來生成變形修正資料,根據前述變形修正資料,藉由對前述移動機構及前述噴嘴單元進行控制,來在前述基板上形成薄膜。
- 如請求項5之基板製造裝置,其中,前述噴嘴孔沿第1方向排列;前述壓縮資料在前述第1方向上被壓縮;前述控制裝置進行如下控制:根據前述基板之在前述第1方向上的變形量,藉由對前述壓縮資料實施像素的***或去除處理來生成前述變形修正資料,一邊使前述基板及前述噴嘴單元中的其中一方相對於另一方沿著與前述第1方向交叉之第2方向移動,一邊使薄膜材料液滴從前述噴嘴孔斷續吐出而形成前述薄膜。
- 如請求項6所述之基板製造裝置,其中,前述控制裝置還進行如下控制:根據前述基板的在前述第2方向上之變形量,決定使前述噴嘴單元及前述基板中的其中一方相對於另一方沿前述第2方向移動之移動速度、及來自前述噴嘴孔的薄膜材料液滴的吐出時機中的至少一方,藉由以決定之移動速度或吐出時機來對前述移動機構 或前述噴嘴單元進行控制,來形成前述薄膜。
- 如請求項6或7之基板製造裝置,其中,還具有姿勢調整機構,係調整前述噴嘴單元的姿勢使得前述噴嘴孔之排列方向發生變化;前述控制裝置,係根據前述基板之在前述第1方向上的變形量,以前述噴嘴孔的排列方向相對於前述第1方向傾斜之方式使前述噴嘴單元的姿勢發生變化。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012241784A JP6053459B2 (ja) | 2012-11-01 | 2012-11-01 | 基板製造方法及び基板製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201417903A TW201417903A (zh) | 2014-05-16 |
TWI492792B true TWI492792B (zh) | 2015-07-21 |
Family
ID=50699156
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW102126455A TWI492792B (zh) | 2012-11-01 | 2013-07-24 | Substrate manufacturing method and substrate manufacturing apparatus |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6053459B2 (zh) |
KR (1) | KR101436755B1 (zh) |
CN (1) | CN103801489B (zh) |
TW (1) | TWI492792B (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105499069B (zh) * | 2014-10-10 | 2019-03-08 | 住友重机械工业株式会社 | 膜形成装置及膜形成方法 |
JP6862041B2 (ja) * | 2016-08-10 | 2021-04-21 | 住友重機械工業株式会社 | 膜形成方法及び膜形成装置 |
US10933589B2 (en) * | 2016-12-13 | 2021-03-02 | Fuji Corporation | Data conversion device and lamination shaping system |
JP6968505B2 (ja) * | 2018-05-17 | 2021-11-17 | 住友重機械工業株式会社 | インク塗布装置及びインク塗布方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050136346A1 (en) * | 2003-12-23 | 2005-06-23 | Asml Netherlands B.V. | Optimized correction of wafer thermal deformations in a lithographic process |
WO2011104172A1 (en) * | 2010-02-25 | 2011-09-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWM415406U (en) * | 2011-05-25 | 2011-11-01 | Yee Chang Prec Machinery Co Ltd | Facilitate for Substrate Alignment Holes Measurement Substrate deformation of the measuring device |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05151350A (ja) * | 1991-11-27 | 1993-06-18 | Nippon Steel Corp | 画像データの位置歪み補正方法 |
US5517234A (en) * | 1993-10-26 | 1996-05-14 | Gerber Systems Corporation | Automatic optical inspection system having a weighted transition database |
CN1224881A (zh) * | 1997-12-18 | 1999-08-04 | 莱克斯马克国际公司 | 用于打印机图像变形的***和方法 |
US20020007122A1 (en) * | 1999-12-15 | 2002-01-17 | Howard Kaufman | Methods of diagnosing disease |
JP3544543B2 (ja) * | 2003-08-04 | 2004-07-21 | 株式会社リコー | 液状樹脂噴射装置及び樹脂構造物 |
US8289274B2 (en) * | 2004-01-13 | 2012-10-16 | Sliwa John W | Microdroplet-based 3-D volumetric displays utilizing emitted and moving droplet projection screens |
GB0426126D0 (en) * | 2004-11-29 | 2004-12-29 | Plastic Logic Ltd | Distortion compensation for multiple head printing |
JP5736114B2 (ja) * | 2009-02-27 | 2015-06-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の駆動方法、電子機器の駆動方法 |
JP5246945B2 (ja) | 2009-03-05 | 2013-07-24 | 武蔵エンジニアリング株式会社 | 液体材料の塗布方法および塗布装置 |
JP5336301B2 (ja) * | 2009-08-24 | 2013-11-06 | 大日本スクリーン製造株式会社 | パターン描画方法、パターン描画装置および描画データ生成方法 |
KR20120047628A (ko) * | 2010-11-04 | 2012-05-14 | 삼성전기주식회사 | 레지스트 잉크 인쇄 장치 |
-
2012
- 2012-11-01 JP JP2012241784A patent/JP6053459B2/ja active Active
-
2013
- 2013-07-24 TW TW102126455A patent/TWI492792B/zh active
- 2013-08-08 CN CN201310344687.6A patent/CN103801489B/zh active Active
- 2013-09-26 KR KR1020130114311A patent/KR101436755B1/ko active Search and Examination
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050136346A1 (en) * | 2003-12-23 | 2005-06-23 | Asml Netherlands B.V. | Optimized correction of wafer thermal deformations in a lithographic process |
CN1645255A (zh) * | 2003-12-23 | 2005-07-27 | Asml荷兰有限公司 | 光刻过程中晶片热形变的优化校正 |
WO2011104172A1 (en) * | 2010-02-25 | 2011-09-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWM415406U (en) * | 2011-05-25 | 2011-11-01 | Yee Chang Prec Machinery Co Ltd | Facilitate for Substrate Alignment Holes Measurement Substrate deformation of the measuring device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103801489B (zh) | 2015-09-30 |
KR101436755B1 (ko) | 2014-09-01 |
JP6053459B2 (ja) | 2016-12-27 |
KR20140055978A (ko) | 2014-05-09 |
TW201417903A (zh) | 2014-05-16 |
JP2014093349A (ja) | 2014-05-19 |
CN103801489A (zh) | 2014-05-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6863980B2 (ja) | 高解像度電子パターニングのためのスティッチレス直接イメージング | |
TWI492792B (zh) | Substrate manufacturing method and substrate manufacturing apparatus | |
TWI704016B (zh) | 油墨塗佈裝置及油墨塗佈方法 | |
TWI593468B (zh) | Thin film forming apparatus and thin film forming method | |
JP2010122526A (ja) | マスクレス露光方法 | |
JP2004141758A (ja) | 液滴吐出装置のドット位置補正方法、アライメントマスク、液滴吐出方法、電気光学装置およびその製造方法、並びに電子機器 | |
JP2013071455A (ja) | 印刷回路基板及びその製造方法 | |
US10933589B2 (en) | Data conversion device and lamination shaping system | |
JP2020115517A (ja) | パターン形成装置、パターン形成方法および吐出データ生成方法 | |
JP2007094033A (ja) | 描画データ取得方法および装置並びに描画方法および装置 | |
JP6085433B2 (ja) | 描画装置、露光描画装置、プログラム及び描画方法 | |
JP5975785B2 (ja) | 描画装置、露光描画装置、プログラム及び描画方法 | |
KR20110007033A (ko) | 묘화 장치, 기록 매체 및 묘화 방법 | |
JP2003260783A (ja) | 半田ペースト印刷方法および半田ペースト印刷用マスク | |
JP2005302833A (ja) | バックアップピン認識方法、同認識装置、同認識装置を備えたスクリーン印刷装置および表面実装機 | |
TWI786859B (zh) | 畸變校正處理裝置、繪圖方法及程式 | |
JP7461240B2 (ja) | 位置検出装置、描画システムおよび位置検出方法 | |
JP4829701B2 (ja) | 部品実装機のカメラスケーリング取得方法 | |
JP2013120108A (ja) | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 | |
JP2008009084A (ja) | カラーフィルタの描画方法 |