TWI490838B

TWI490838B - 可調整視角之顯示裝置及其驅動方法

Info

Publication number: TWI490838B
Application number: TW102100476A
Authority: TW
Inventors: Chenfeng Fan; Chaowei Yeh; Chihhsiang Yang; Chienhuang Liao; Wenhao Hsu
Original assignee: Au Optronics Corp
Priority date: 2013-01-07
Filing date: 2013-01-07
Publication date: 2015-07-01
Also published as: CN103365002B; CN103365002A; TW201428721A; US20140191933A1; US8976098B2

Description

可調整視角之顯示裝置及其驅動方法

本發明是有關於一種可調整視角之顯示裝置以及一種可調整視角之顯示裝置的驅動方法。

一般而言，顯示器為了使畫面能提供給多個觀看者，通常具有廣視角的顯示效果，但在某些時候或場合，例如在閱讀機密資訊或輸入密碼時，廣視角的顯示效果卻容易使機密資訊被旁人所窺視而造成機密資訊外洩。因此，為了滿足提供給多個觀看者以及在公眾場合處理機密資訊的兩種不同需求，具有可切換廣視角顯示模式與窄視角顯示模式的可調整視角之顯示器逐漸成為顯示器市場的主流商品之一。

習知顯示器的防窺機制大致上可分為下列數種技術：

一、顯示器(顯示面板)外表面直接加裝防窺片：一般防窺片主要是藉由抑制大視角的亮度，使側視的觀看者無法清楚的讀取所顯示的資訊，達到隱私保護的效果。雖然方法簡單，材料也容易取得，但因為屬於額外加上一片光學膜片，會影響原本正視時顯示器之光學特性及顯示品質，而且也需要手動切換防窺與否，造成使用者在使用上較不方便。

二、背光源控制：利用原本出射光具有高度準直性的背光源，搭配一可電壓控制的擴散片，例如高分子分散液晶膜(PDLC)，藉由關電壓時可電壓控制的擴散片會將準直光擴散，造成在側視時有光源出射，以提供廣視角顯示模式；開電壓時可電壓控制的擴散片不會對原本的準直光造成擴散的作用，以達成窄視角的顯示模式。此方法主要是藉由控制背光的出射角度，來調整側視的亮度，使側視的人無法讀取顯示資訊。在理想上雖可以完美的避免其他人員窺視資訊，且切換方便，但實際應用上因為光路控制不易，無法達成完全的準直光，雖然可以降低背光源在大視角的分布，但卻無法將大視角的亮度完全降至無法辨識，因此在防窺表現上無法得到令人滿意的效果。

三、外加視角控制模組單元：在原本正常顯示的顯示模組(面板)上，再外加另一片視角控制模組(面板)，藉由電壓控制視角控制模組的開關來切換廣視角顯示模式與窄視角顯示模式。此方法在廣視角顯示模式時，不會對原本的影像顯示造成任何干擾或破壞，能保有原本影像的品質。而在窄視角顯示模式下，側視的亮度會被明顯的抑制，而使得側視的人不易判讀影像所顯示的訊息。但因為是由兩片模組所組成，整體重量及厚度皆增加一倍，相對上成本也大幅的提高。

由上述可知，習知顯示器的防窺技術在達到防窺效果的同時往往需要犧牲原有的部分特性，如顯示品質、光學特性、厚度以及重量等，因此習知防窺技術仍具有改善的空間。

本發明係揭露一種可調整視角之顯示裝置，俾能在不增加成本與製程複雜度的前提下，改善顯示裝置在窄視角模式下的暗態漏光，從而提高顯示裝置在窄視角模式下的對比。

此可調整視角之顯示裝置，包含一顯示面板，其由第一基板、第二基板與非自發光顯示介質層所構成。第二基板與第一基板相對，非自發光顯示介質層夾設於第一基板與第二基板之間。顯示面板中定義有畫素陣列，畫素陣列具有至少一第一畫素區與至少一第二畫素區。第一畫素區與第二畫素區各自具有至少一第一次畫素與至少一第二次畫素。顯示裝置還包含第一電極、第二電極以及第三電極。第一電極設置於這些次畫素的第一基板上。第二電極設置於這些次畫素的第一基板上，位於這些次畫素的第一電極與位於這些次畫素的第二電極是分隔設置。第三電極設置於這些次畫素的第二基板上。當顯示裝置處於一窄視角模式時，位於上述這些次畫素的第二電極與第三電極之間的電位差不為零，而且這些次畫素在零灰階下之第一電極與第二電極間的電位差不為零。

根據本發明一實施方式，上述各該次畫素中該第一電極與該第二電極其中一者具有數個狹縫。

根據本發明一實施方式，當該顯示裝置處於該窄視角模式時，位於上述該些畫素區中上述該些次畫素在零灰階下之該第一電極之電位大於該第二電極之電位。

根據本發明一實施方式，該第一電極與該第二電極間的電位差為約0.04 V至約1.04 V。

根據本發明一實施方式，該第一電極與該第二電極間的電位差為約0.18 V至約1.9 V。

根據本發明一實施方式，當該顯示裝置處於該窄視角模式時，位於上述該些畫素區中上述該些次畫素在零灰階下之該第一電極之電位小於該第二電極之電位。

根據本發明一實施方式，該第一電極與該第二電極間的電位差為約-0.04 V至約-1.18 V。

根據本發明一實施方式，該第一電極與該第二電極間的電位差為約-0.18 V至約-2.34V。

根據本發明一實施方式，該第二電極與該第三電極間的電位差為約2V至約10 V。

本發明之另一態樣是提供一種可調整視角之顯示裝置的驅動方法，此方法包含以下步驟。首先，提供上述任一實施方式的顯示裝置。然後，分別提供第一電位、第二電位與第三電位給上述次畫素的第一電極、第二電極與第三電極。當顯示裝置處於一窄視角模式時，位於上述這些次畫素的第二電極與第三電極之間的電位差不為零，而且這些次畫素在零灰階下之第一電極與第二電極間的電位差不為零。

為了使本揭示內容的敘述更加詳盡與完備，下文針對了本發明的實施態樣與具體實施例提出了說明性的描述；但這並非實施或運用本發明具體實施例的唯一形式。以下所揭露的各實施例，在有益的情形下可相互組合或取代，也可在一實施例中附加其他的實施例，而無須進一步的記載或說明。

在以下描述中，將詳細敘述許多特定細節以使讀者能夠充分理解以下的實施例。然而，可在無此等特定細節之情況下實踐本發明之實施例。在其他情況下，為簡化圖式，熟知的結構與裝置僅示意性地繪示於圖中。

第1圖繪示本發明一實施方式之可調整視角之顯示裝置100的俯視示意圖。可調整視角之顯示裝置100包含顯示面板100a。顯示面板100a上定義有畫素陣列100b，畫素陣列100b包含至少一個第一畫素區D1(zone)以及至少一個第二畫素區D2(zone)。在一實施方式中，畫素陣列100b包含多數個第一畫素區D1以及多數個第二畫素區D2。在一實例中，第一畫素區D1和第二畫素區D2交替配置在顯示面板100a上。第一畫素區D1包含至少一個第一次畫素101和至少一個第二次畫素102。類似地，第二畫素區D2也包含至少一個第一次畫素101和至少一個第二次畫素102。

第2A圖繪示第1圖中沿線段2-2’的剖面示意圖。顯示面板100a含第一基板110、第二基板120以及非自發光顯示介質層130。第一基板110與第二基板120相對設置，並且非自發光顯示介質層130夾設於第一基板110與第二基板120之間，而形成顯示面板100a。非自發光顯示介質層130可包含液晶層、電泳層、電濕潤層、或其它合適的材料。本發明非自發光顯示介質層130包含液晶層為較佳實施例。一般而言，顯示面板100a需要一具有數個顏色的彩色濾光層(未標示)，此彩色濾光層可設置於第一基板110或第二基板120上。

顯示裝置100還包含有第一電極111、第二電極112和第三電極123，如第2A圖所示。舉例而言，第一電極111設置在第一基板110上，並且是配置在第一畫素區D1及第二畫素區D2中的第一次畫素101和第二次畫素102內。換言之，第一電極111設置在上述(所有/該些)畫素區D1與畫素區D2中的上述(所有/該些)次畫素101和次畫素102內。第二電極112設置在第一基板110上，並且是配置在第一畫素區D1及第二畫素區D2中的第一次畫素101和第二次畫素102內。換言之，第二電極112設置在上述(所有/該些)畫素區D1與畫素區D2中的上述(所有/該些)次畫素101和次畫素102內。再者，位在上述(所有/該些)畫素區D1、D2中的上述(所有/該些)次畫素101、102的第一電極111與第二電極112是分隔設置。換言之，所有次畫素(101與102)內的第一電極111不會接觸所有次畫素(101與102)內的第二電極112。第三電極123設置第二基板120上，並且是配置在第一畫素區D1及第二畫素區D2中的第一次畫素101和第二次畫素102內，而所有次畫素(101與102)內的第三電極也不會接觸所有次畫素(101與102)內的第一電極111與第二電極112。換言之，第三電極123設置在上述(所有/該些)畫素區D1與畫素區D2中的上述(所有/該些)次畫素101和次畫素102內。因此，第三電極123係藉由非自發光顯示介質層130與第一電極111以及第二電極112 分隔開來，且第三電極123不接觸第一電極111與第二電極112，即非自發光顯示介質層130位於第三電極123與第一電極111以及第二電極112之間。

根據本發明的諸多實施方式，第一電極111與第二電極112的其中一者具有數個狹縫。具體而言，可以是第一電極111具有數個狹縫，或是第二電極112具有數個狹縫，或是第一電極111與第二電極112兩者都具有數個狹縫，較佳地，第一電極111中的每個狹縫會與第二電極112中的每個狹縫錯位排列(或稱為錯排設置)。在一實例中，如第1圖所示，第一次畫素101中的第一電極111具有數個狹縫(未標示)，且狹縫沿方向A1延伸。第二次畫素101中的第一電極111也具有數個狹縫圖案(未標示)，狹縫沿方向A2延伸。其中，方向A1不平行方向A2，即方向A1與方向A2交錯。但從第2A圖中可以得知狹縫位於第一電極111或第二電極112之中。第一電極111和第二電極112可以有許多具體實施方式。第2C圖至第2G圖繪示本發明數個實施方式的第一電極111及/或第二電極112的俯視示意圖。在第2C圖中，第一電極111及/或第二電極112中的狹縫114朝一預定方向延伸。在第2D圖中，數個狹縫114形成在第一電極111及/或第二電極112中，且狹縫114的外觀呈現類似「V」的形狀。在第2E圖中，數個狹縫114形成在第一電極111及/或第二電極112中，這些狹縫114大致上互相平行，且該些狹縫沿著一具有斜率的預定方向延伸。在第2F圖中，數個狹縫114a、114b形成在第一電極111及/或第二電極112中，該些狹縫114a與該些狹縫 114b分別沿著一具有斜率的預定方向延伸，且該些狹縫114a的延伸方向不同於該些狹縫114b的延伸方向以構成一類似「V」的形狀。其中，該些狹縫114a位於一沿著不具有斜率的預定方向延伸的額外狹縫(未標示)之第一側，該些狹縫114b位於該沿著不具有斜率的預定方向延伸的額外狹縫(未標示)之第二側，且第一側與第二側為相對側。在第2G圖中，第一電極111及/或第二電極112輪廓呈現類似「V」的形狀，數個狹縫114a、114b形成在第一電極111及/或第二電極112中，狹縫114a的延伸方向不同於狹縫114b的延伸方向以構成一類似「V」的形狀。在第2H圖中，數個第一電極111及/或數個第二電極112輪廓呈現類似「V」的形狀，且每個第一電極111及/或每個第二電極112會連接至一匯流電極(未標示)。

顯示裝置100具有可調整視角的功能。詳細而言，當第二電極112與第三電極123之間的電位差約為零時，顯示裝置100處於廣視角模式。當第二電極112與第三電極123間的電位差不為零時，顯示裝置100處於窄視角模式。在一實施方式中，第一電極111與第二電極112其中一者為畫素電極，而第一電極111與第二電極112其中另一者為可調整電位的電極，如共用電位、接地電位或遠小於畫素電極的電位。依照上述的實施方式，可有下列的設計方式，舉例而言，第一電極111係為畫素電極，則第二電極112係為可調整電位的電極，例如共用電位，此時，可稱為共用電極，而第三電極123係為預定電位的電極，例如：共用電位，此時，可稱為共用電極；或者是，第一電極111 係為可調整電位的電極，例如共用電位，此時，可稱為共用電極，則第二電極112係為畫素電極，而第三電極123係為預定電位的電極，例如：共用電位，此時，可稱為共用電極；或者是，第一電極111係為畫素電極，第二電極112係為可調整電位的電極，例如遠小於畫素電極的電位，此時，可稱為另一畫素電極；或者是第一電極111係為可調整電位的電極，例如遠小於畫素電極的電位，此時，可稱為另一畫素電極，則第二電極112係為畫素電極。其中，決定第一電極111與第二電極112其中一者何者為畫素電極，係由第一電極111與第二電極112其中一者何者連接用以驅動非自發光顯示介質層的最主要電晶體來決定之。因此，若第一電極111與第二電極112其中一者係為畫素電極，而第一電極111與第二電極112其中另一者係為可調整電位電極，例如：共用電極，則第一電極111與第二電極112其中一個有連接電晶體，另一個電極就沒有連接電晶體；若第一電極111與第二電極112其中一者係為畫素電極，而第一電極111與第二電極112其中另一者係為可調整電位電極，例如：遠小於畫素電極的電位，可稱為另一畫素電極，則第一電極111與第二電極112其中一個連接至最主要的電晶體，而另一電極就連接至非主要的電晶體。從下文的諸多實施方式中可理解，本發明的第一、第二、第三電極並不限於上述型態。當欲使顯示裝置100呈現出廣視角的特性時，可提供實質上相同的電位至第二電極112及第三電極123，例如同樣約為5伏特或0伏特，此時第二電極112與第三電極123之間的電位差約為零，讓顯示裝置100呈現出廣視角的顯示模式。當欲使顯示裝置100呈現出窄視角的顯示模式時，可提供不同的電位至第二電極112及第三電極123，例如第三電極123的電位約為5伏特，第二電極112的電位可約為0伏特或10伏特，讓第二電極112與第三電極123之間因有電位差而形成電場，使顯示裝置100操作於窄視角的顯示模式。在顯示介質層130為液晶分子的實施例中(本發明之顯示介質層130不限於液晶分子)，當顯示裝置100處於廣視角模式，其中的液晶分子的向位(orientation)大致上如第2A圖所示。當顯示裝置100處於窄視角模式，其中的液晶分子的向位(orientation)大致如第2B圖所示。因此，圖2A中廣視角模式的液晶分子130從第一基板110至第二基板120的向位及扭轉狀況完全不同於圖2B中窄視角模式的液晶分子130從第一基板110至第二基板120的向位及扭轉狀況。

根據本發明之實施方式，當顯示裝置100處於窄視角模式時，次畫素的第二電極112與第三電極123之間的電位差不為零，而且在窄視角模式時，次畫素在零灰階(L0)下，第一電極111與第二電極112之間的電位差也不為零。換言之，在窄視角模式下，次畫素在零灰階(L0)時，第一電極111與第二電極112之間存在不為零的電位差。其中，零灰階代表的顯示面板顯示黑畫面時。當顯示裝置100處於廣視角模式時，第二電極112與第三電極123間的電位差約為零，而且在廣視角模式時，次畫素在零灰階(L0)下，第一電極111與第二電極112間的電位差約為零。換言之，廣視角模式時，次畫素在零灰階(L0)下，第一電極111、第二電極112及第三電極123的電位是實質上相同的電位，例如都約為0伏特(voltage，V)、3伏特、或5伏特等。在以下諸多實施方式及實施例中將更詳細敘述。

第一實施方式

第一實施方式之顯示裝置100的俯視圖及剖面圖分別如第1圖及第2A圖所示。在此實施方式中，第一電極111和第二電極112配置在第一基板110上。第一電極111與第二電極112其中一者具有數個狹縫。再者，依照上述所述，第一電極111與第二電極112其中一者係為畫素電極，而第一電極111與第二電極112其中另一者係為可調電位的電極，包含共用電位、接地、或遠小於畫素電極的電位。舉例而言，第一電極111為梳狀電極，並且作為上述每個次畫素的畫素電極。第二電極112為共用電極，係為整面的電極。於其它實施例中，第一電極111與第二電極皆為梳狀電極，且第一電極111與第二電極錯排設置(或稱為錯位排列)。第一電極111和第二電極112上下相間隔，即二者位於不同的水平面上，第一電極111和第二電極112實體上沒有接觸。介電層116夾設於第一電極111與第二電極112之間。也就是說，第一電極111和第二電極112其中一者位於介電層116上表面，第一電極111和第二電極112其中另一者位於介電層下表面。第三電極123配置在第二基板120上，第三電極123可稱為共用電極或對向電極。第三電極123上可選擇性配置且覆蓋有平坦層126。本實施例，以平坦層126配置且覆蓋於第三電極123上為範例。第一電極111是位在第二電極112與第三電極123 之間。再者，本實施例的第三電極123是以整片電極設置於所有的次畫素101及102中。於其它實施例中，第三電極123可分成第一部份(未標示)位於第一次畫素101的第二基板120上以及第二部份(未標示)位於第二次畫素102的第二基板120上，且第一部份與第二部份二者相間隔且實體上也沒有接觸。

在本實施方式中，當顯示裝置100處於窄視角模式時，次畫素在零灰階(L0)下，第一電極111之電位實質上大於第二電極112之電位。根據諸多實施例，第一電極111與第二電極112之間的電位差為約0.04 V至約1.04 V，以下將詳述的此一特徵的技術功效。

一般情況下，顯示裝置100的次畫素欲顯示零灰階(亦即顯示資料的最小灰階)的資訊時，次畫素的畫素電極與共用電極之間的電位差約為0 V。但是，在本實施方式的結構中，當顯示裝置100處於窄視角模式時，如果次畫素在零灰階下第一電極111與第二電極112之間的電位差為零，每個第一電極111的邊緣處發生漏光的現象，造成顯示裝置100的對比明顯下降。更具體的說，如果顯示裝置100在廣視角模式時的對比值約為4100，則在窄視角模式時的對比值下降至約1320。其中，對比值為於正視下的亮度值除以正視下的暗態亮度值，單位：無。第3A圖繪示本發明一比較例在窄視角模式下，當第一電極111與第二電極112之間的電位差為零時，第一電極111邊緣附近的等電位曲線圖。在此比較例中，第三電極123的電位約為5 V，第一電極111與第二電極112的電位約為0 V。因為第三電極123與第二電極112之間的電位差不為零(約5 V)，所以顯示裝置100處於窄視角模式。在第3A圖中可以發現，縱然第一電極111和第二電極112的電位都約為0 V，但是在第一電極111的邊緣處的等電位線是崎嶇不平的(如第3A圖標示的E1及E2的位置)，也就是說在第一電極111的邊緣處的電場分佈並不是垂直於第一基板，並因此導致此處的液晶分子的向位與其他地方的液晶分子的向位不同。其中，圖3A的Y軸是指從最下層電極，例如第二電極112，開始算至第三電極123之厚度數值(單位：微米(μm))。更具體地說，第一電極111的邊緣處的液晶分子呈現轉動偏折的現象，而造成次畫素在零灰階時，第一電極111的邊緣處發生正視漏光現象，從而造成顯示裝置100的對比值下降。第3B圖繪示此比較例之第一電極111的邊緣處的液晶層的穿透率曲線圖。第3B圖的縱座標為歸一化穿透率(亦即，以最大穿透率定義為1，單位：無)，在第3B圖中可以觀察到，在第一電極111邊緣處的液晶層的歸一化穿透率出現最大值約為0.26×10^-2 ，所以造成次畫素的暗態漏光。

第4圖繪示上述比較例在窄視角模式時的電位對正視亮度的曲線圖。第4圖的縱座標為歸一化正視亮度(normalized brightness，單位：無)，橫座標為第一電極111的電位值(第二電極112的電位約為零)。在第4圖中，令人意外地發現，在第一電極111的電位約為0.2 V時，顯示裝置100呈現出最小的亮度。換言之，如果在零灰階時，讓次畫素的第一電極111的電位約為0.2V，則可以改善次畫素在零灰階下的正視漏光現象。

第5A圖繪示本發明一實施例在窄視角模式下，第一電極111邊緣附近的等電位曲線圖。其中，圖5A的Y軸是指從最下層電極，例如第二電極112，開始算至第三電極123之厚度數值(單位：微米(μm))。在此實施例中，第一電極111的電位約為0.2 V，第二電極112的電位約為0 V，第三電極123的電位約為5 V。在第5A圖中可以發現，雖然第一電極111與第二電極112之間存在電位差約為0.2 V，但在第一電極111的邊緣處的等電位線是平坦(如第5A圖標示的E1及E2的位置)。也就是說，在第一電極111的邊緣處的電場分佈是垂直於第一基板。因此，能夠讓上述液晶分子在第一電極111邊緣處轉動偏折的現象獲得明顯改善。第5B圖繪示此實施例之液晶層的穿透率曲線圖。第5B圖的縱座標為歸一化穿透率(亦即，以最大穿透率定義為1，單位：無)，在第5B圖中可以觀察到，在第一電極111的邊緣處液晶層的歸一化穿透率僅有約0.5×10^-5 。換言之，在此實施例中，大幅改善次畫素的暗態正視漏光現象。

第6A圖繪示本發明一實施例在窄視角模式下，第一電極111邊緣附近的等電位曲線圖。在此實施例中，第一電極111的電位約為0.4 V，第二電極112的電位約為0 V，第三電極123的電位約為5 V。在第6A圖中可以發現，當第一電極111與第二電極112之間存在電位差約為0.4 V，第一電極111的邊緣處的等電位線是崎嶇不平的(如第6A圖標示的E1及E2的位置)。也就是說，如果在零灰階時，讓次畫素的第一電極111的電位約為0.4V，次畫素在零灰階下仍然發生漏光現象。第6B圖繪示此實施例之液晶層的穿透率曲線圖。第6B圖的縱座標為歸一化穿透率(亦即，以最大穿透率定義為1，單位：無)，在第6B圖中可以觀察到，在第一電極111的邊緣處液晶層的歸一化穿透率約為0.26×10^-2 。從第3A圖、第3B圖、第5A圖、第5B圖、第6A圖及第6B圖所觀察到的現象與第4圖的結果一致。換言之，在本實施方式中，第一電極111與第二電極112之間的電位差存在一個不為零的最佳值，能夠讓顯示裝置100的次畫素在零灰階下呈現最小的正視亮度(亦即，暗態正視亮度漏光最小)。上述第一電極111與第二電極112之間電位差的最佳值，在下文中稱為「最佳電位差」。其中，第一電極111當作畫素電極，第二電極112當作共用電極為範例。

經觀察，在窄視角模式時，第三電極123與第二電極112之間的電位差(△V_3-2 )會影響「最佳電位差」，△V_3-2 係為第三電極123的電位減第二電極112的電位，單位：伏特(V)。面板100a的次畫素的結構參數也會影響「最佳電位差」。在本實施方式中，窄視角模式時，第二電極112與第三電極123之間的電位差為約2 V至約10 V。

在以下表一中，彙整本實施方式中兩個實施例的最佳電位差(△V^* _1-2 )，△V^* _1-2 係為第一電極111的電位減去第二電極112的電位，單位：伏特(V)。在實施例1中，舉例而言：顯示介質層130為厚度約3微米(μm)的液晶層、平坦層126的厚度約為2微米(μm)，其介電係數約為4.5(單位：無)、第一基板110上的保護層(未繪示)的厚度約為0.6 微米(μm)，其介電係數約為6.65(單位：無)。在實施例2中，舉例而言：顯示介質層130為厚度約4 μm的液晶層、平坦層126的厚度約為5 μm，其介電係數約為2.5、第一基板110上的保護層(未繪示)的厚度約為0.2 μm，其介電係數約為6.65。實施例1及實施例2的配向層(PI)的厚度為約0.04μm至約0.1μm，其介電係數約為6。其中，配向膜係覆蓋於第一基板的第一電極111與第二電極112上與第二基板的第三電極123上。

在實施例1中，當第三電極123與第二電極112之間的電位差(△V_3-2 )約為3 V時，第一電極111與第二電極112間的最佳電位差(△V^* _1-2 )約為0.04 V。當△V_3-2 約為10 V時，第一電極111與第二電極112間的最佳電位差(△ V^* _1-2 )約為0.14V。

在實施例2中，當第三電極123與第二電極112之間的電位差(△V_3-2 )約為3V時，第一電極111與第二電極112間的最佳電位差(△V^* _1-2 )約為0.23V。當△V_3-2 約為10V時，第一電極111與第二電極112間的最佳電位差(△V^* _1-2 )約為1.04V。

第7圖繪示實施例1及實施例2的△V_3-2 和△V^* _1-2 的關係曲線圖。第7圖中曲線A繪示實施例1的結果，曲線B繪示實施例2的結果。明顯地可以發現，最佳電位差(△V^* _1-2 )隨著第三電極123與第二電極112間電位差(V_3-2 )的增加而增加，且大致為線性關係。實施例1和實施例2為兩個較常見的次畫素結構參數設計。當次畫素結構的液晶層的厚度為約3μm至約4μm，平坦層126的厚度為約2μm至約5μm，其介電係數為約2.5至約4.5，第一基板110上的保護層(未繪示)的厚度為約0.2μm至約0.6μm，配向層(PI)的厚度為約0.04μm至約0.1μm，這個次畫素的最佳電位差(△V^* _1-2 )會介於曲線A和曲線B之間。

換言之，在本實施方式中，當△V_3-2 為約3V時，最佳電位差(△V^* _1-2 )為約0.04V至約0.23V。當△V_3-2 為約4V時，最佳電位差(△V^* _1-2 )為約0.05V至約0.34V。當△V_3-2 為約5V時，最佳電位差(△V^* _1-2 )為約0.06V至約0.46V。當△V_3-2 為約6V時，最佳電位差(△V^* _1-2 )為約0.08V至約0.58V。當△V_3-2 為約7V時，最佳電位差(△V^* _1-2 )為約0.1V至約0.7V。當△V_3-2 為約8V時，最佳電位差(△V^* _1-2 )為約0.1V至約0.82V。當△V_3-2 為約9V 時，最佳電位差(△V^* _1-2 )為約0.12 V至約0.92 V。當△V_3-2 為約10 V時，最佳電位差(△V^* _1-2 )為約0.14 V至約1.04 V。

請回到第4圖，當第一電極111的電位大於約0.2 V時，顯示裝置100的亮度隨著第一電極111的電位增加而增加。因此，仍然可以藉由提供一個大於約0.2 V的電位給第一電極111，而讓次畫素顯示出預設的亮度。具體而言，若非自發光顯示介質層130為操作電位約5 V的液晶材料，顯示裝置100在窄視角模式時，次畫素在0灰階(L0)下，第一電極111與第二電極112間的最佳電位差為約0.2 V；次畫素在255灰階(L255)下，第一電極111與第二電極112間的電位差為約5 V。

第二實施方式

第二實施方式之顯示裝置的結構和第一實施方式相似，第二實施方式與第一實施方式不同之處在於，第二實施方式第二基板120上不存在平坦層126(第2A圖參照)，且第一電極111當作畫素電極、第二電極112當作共用電極。在本實施方式中，第一電極111與第二電極112間的電位差為約0.18 V至約1.9 V。

在以下表二中，彙整本實施方式中兩個實施例的最佳電位差(△V^* _1-2 )。實施例3及實施例4的次畫素結構分別和實施例1及實施例2相同，除了實施例3及實施例4的次畫素結構不包含平坦層126。其中，△V_3-2 是指第三電極123的電位減去第二電極112的電位，單位：伏特(V)，且△ V^* _1-2 是指第一電極111的電位減去第二電極112的電位，單位：伏特(V)。

在實施例3中，當第三電極123與第二電極112之間的電位差(△V_3-2 )為約3 V時，第一電極111與第二電極112間的最佳電位差(△V^* _1-2 )為約0.18 V。當△V_3-2 為約10 V時，第一電極111與第二電極112間的最佳電位差(△V^* _1-2 )為約0.69 V。在實施例4中，當第三電極123與第二電極112之間的電位差(△V_3-2 )為約3 V時，第一電極111與第二電極112間的最佳電位差(△V^* _1-2 )為約0.46 V。當△V_3-2 為約10 V時，第一電極111與第二電極112間的最佳電位差(△V^* _1-2 )為約1.90 V。比較表一和表二的實施例可發現，在相同的△V_3-2 的條件下，實施例3及實施例4的最佳電位差(△V^* _1-2 )分別大於實施例1及實施例2的最佳電位差(△V^* _1-2 )。換言之，當次畫素結構不包含平坦層126時，最佳電位差(△V^* _1-2 )會增加。

第8圖繪示實施例3及實施例4的△V_3-2 和△V^* _1-2 的關係曲線圖。第8圖中曲線A繪示實施例3的結果，曲線B繪示實施例4的結果。最佳電位差(△V^* _1-2 )隨著第三電極123與第二電極112間電位差(△V_3-2 )的增加而線性增加。當次畫素結構的液晶層的厚度為約3μm至約4μm，第一基板110上的保護層的厚度為約0.2μm至約0.6μm，配向層(PI)的厚度為約0.04μm至約0.1μm，最佳電位差(△V^* _1-2 )介於曲線A和曲線B之間。

換言之，根據不同的次畫素的結構設計，會有不同的最佳電位差(△V^* _1-2 )。在本實施方式中，當△V_3-2 為約3V時，最佳電位差(△V^* _1-2 )為約0.18-0.46V。當△V_3-2 為約4V時，最佳電位差(△V^* _1-2 )為約0.26V至約0.71V。當△V_3-2 為約5V時，最佳電位差(△V^* _1-2 )為約0.34V至約0.94V。當△V_3-2 為約6V時，最佳電位差(△V^* _1-2 )為約0.42V至約1.15V。當△V_3-2 為約7V時，最佳電位差(△V^* _1-2 )為約0.49V至約1.35V。當△V_3-2 為約8V時，最佳電位差(△V^* _1-2 )為約0.56V至約1.54V。當△V_3-2 為約9V時，最佳電位差(△V^* _1-2 )為約0.62V至約1.73V。當△V_3-2 為約10V時，最佳電位差(△V^* _1-2 )為約0.69V至約1.9V。

第三實施方式

第9圖繪示第三實施方式之可調整視角之顯示裝置200的剖面示意圖。本實施方式的顯示裝置200與第2A圖繪示的顯示裝置100相似，兩者不同之處在於，第一電極111和第二電極112的位置及形狀。顯示裝置200的第一電極111當作畫素電極，且不具有狹縫。第二電極112當作具有狹縫圖案的可調整電位的電極，例如：共用電極。第二電極112配置在第一電極111與第三電極123之間。顯示裝置200的其他元件和特徵與第一實施方式相同。當顯示裝置200處於廣視角模式時，第二電極112與第三電極123間的電位差約為零，而且在廣視角模式時，次畫素在零灰階(L0)下，第一電極111與第二電極112間的電位差約為零。當顯示裝置100處於窄視角模式時，次畫素的第二電極112與第三電極123之間的電位差不為零，而且在窄視角模式時，次畫素在零灰階(L0)下，第一電極111與第二電極112之間的電位差不為零。換言之，在窄視角模式下，次畫素在零灰階時，第一電極111與第二電極112之間存在不為零的電位差。

在本實施方式中，當顯示裝置200處於該窄視角模式時，次畫素在零灰階下之第一電極111之電位實質上小於第二電極112之電位。具體而言，第一電極111與第二電極112間的電位差為約-0.04 V至約-1.18 V。其中△V^* _1-2 係為第一電極111的電位減第二電極112之電位，單位：伏特(V)，而△V_3-2 係為第三電極123的電位減第二電極112之電位，單位：伏特(V)。

在以下表三中，彙整本實施方式中兩個實施例的最佳電位差(△V^* _1-2 )。實施例5的次畫素結構與上述實施例1中所述的相同。實施例6的次畫素結構與上述實施例2中所述的相同。

在實施例5中，當第三電極123與第二電極112之間的電位差(△V_3-2 )為約3 V時，第一電極111與第二電極112間的最佳電位差(△V^* _1-2 )為約-0.04 V。當△V_3-2 為約10 V時，第一電極111與第二電極112間的最佳電位差(△V^* _1-2 )為約-0.14 V。在實施例6中，當第三電極123與第二電極112之間的電位差(△V_3-2 )為約3 V時，第一電極111與第二電極112間的最佳電位差(△V^* _1-2 )為約-0.26 V。當△V_3-2 為約10 V時，第一電極111與第二電極112間的最佳電位差(△V^* _1-2 )為約-1.18 V。

在結構上，雖然本實施方式的顯示裝置200與第一實施方式的顯示裝置100相似，但是第一電極111與第二電極112間的最佳電位差(△V^* _1-2 )卻完全不同。當顯示裝置200處於該窄視角模式時，次畫素在零灰階下之，第一電極111的電位必須小於第二電極112的電位，才能發現最佳電位差(△V^* _1-2 )。當次畫素為零灰階時，讓第一電極111與第二電極112的電位差為最佳電位差(△V^* _1-2 )，使次畫素呈現最小的正視亮度(亦即最小的暗態正視漏光)。

第10圖繪示實施例5及實施例6的△V_3-2 和△V^* _1-2 的關係曲線圖。第10圖中曲線A繪示實施例5的結果，曲線B繪示實施例6的結果。如上所述，根據不同的次畫素的結構設計，會有不同的最佳電位差(△V^* _1-2 )。在本實施方式中，當△V_3-2 為約3 V時，最佳電位差(△V^* _1-2 )為約-0.04 V至約-0.26 V。當△V_3-2 為約4 V時，最佳電位差(△V^* _1-2 )為約-0.05 V至約-0.39 V。當△V_3-2 為約5 V時，最佳電位差(△V^* _1-2 )為約-0.06 V至約-0.52 V。當△V_3-2 為約6 V時，最佳電位差(△V^* _1-2 )為約-0.08 V至約-0.66 V。當△V_3-2 為約7 V時，最佳電位差(△V^* _1-2 )為約-0.10 V至約-0.79 V。當△V_3-2 為約8 V時，最佳電位差(△V^* _1-2 )為約-0.11 V至約-0.92 V。當△V_3-2 為約9 V時，最佳電位差(△V^* _1-2 )為約-0.12 V至約-1.05 V。當△V_3-2 為約10 V時，最佳電位差(△V^* _1-2 )為約-0.14 V至約-1.18 V。

第四實施方式

第四實施方式之顯示裝置的結構和第三實施方式相似，兩者不同之處在於，本實施方式不包含第二基板120上的平坦層126(參照第9圖)。在本實施方式中，第一電極111與第二電極112間的電位差為約-0.18 V至約-2.34V(第一電極111的電位減第二電極112的電位)。其中，第一電極111當作畫素電極，且不具有狹縫。第二電極112當作具有狹縫圖案的可調整電位的電極，例如：共用電極。

在以下表四中，彙整本實施方式中兩個實施例的最佳電位差(△V^* _1-2 )。實施例7及實施例8的次畫素結構分別和實施例5及實施例6相同，除了實施例7及實施例8的次畫素結構不包含平坦層126。其中，△V_3-2 是指第三電極123的電位減去第二電極112的電位，單位：伏特(V)，且△V^* _1-2 是指第一電極111的電位減去第二電極112的電位，單位：伏特(V)。

在實施例7中，當第三電極123與第二電極112之間的電位差(△V_3-2 )為約3 V時，第一電極111與第二電極112間的最佳電位差(△V^* _1-2 )為約-0.18 V。當△V_3-2 為約10 V時，第一電極111與第二電極112間的最佳電位差(△V^* _1-2 )為約-0.72 V。在實施例8中，當第三電極123與第二電極112之間的電位差(△V_3-2 )為約3 V時，第一電極111與第二電極112間的最佳電位差(△V^* _1-2 )為約-0.64 V。當△V_3-2 為約10 V時，第一電極111與第二電極112間的最佳電位差(△V^* _1-2 )為約-2.34 V。

第11圖繪示實施例7及實施例8的△V_3-2 和△V^* _1-2 的關係曲線圖。第11圖中曲線A繪示實施例5的結果，曲線B繪示實施例6的結果。如上所述，根據不同的次畫素的結構設計，會有不同的最佳電位差(△V^* _1-2 )。在本實施方式中，當△V_3-2 為約3 V時，最佳電位差(△V^* _1-2 )為約-0.18 V至約-0.64 V。當△V_3-2 為約4 V時，最佳電位差(△V^* _1-2 )為約-0.28 V至約-0.95 V。當△V_3-2 為約5 V時，最佳電位差(△V^* _1-2 )為約-0.37 V至約-1.22 V。當△V_3-2 為約6 V時，最佳電位差(△V^* _1-2 )為約-0.45 V至約-1.47 V。當△V_3-2 為約7 V時，最佳電位差(△V^* _1-2 )為約-0.52 V至約-1.70 V。當△V_3-2 為約8 V時，最佳電位差(△V^* _1-2 )為約-0.59 V至約-1.92 V。當△V_3-2 為約9 V時，最佳電位差(△V^* _1-2 )為約-0.65 V至約-2.13 V。當△V_3-2 為約10 V時，最佳電位差(△ V^* _1-2 )為約-0.72 V至約-2.34 V。

第五實施方式

第12A圖繪示第五實施方式之可調整視角之顯示裝置300的剖面示意圖。本實施方式的顯示裝置300與第2A圖繪示的顯示裝置100相似，兩者不同之處在於，第一電極111和第二電極112的位置及形狀。顯示裝置300的第一電極111具有狹縫圖案，第二電極112也具有狹縫圖案。第一電極111與第二電極112錯排設置(或稱為錯位排列)。其中，第一電極111與第二電極112皆設置於介電層116的同一表面上，即第一電極111與第二電極112皆設置於同一水平面上。第一電極111與第二電極112其中一者當作畫素電極，第一電極111與第二電極112其中另一者當作可調整電位的電極，例如：共用電位、接地電位、或遠小畫素電極的電位，本發明的實施例，係以第一電極111當作畫素電極，第二電極112當作可調整電位的電極，例如：共用電位，可稱為共用電極為範例。於其它實施例中，第一電極111可調整電位的電極，例如：共用電位，可稱為共用電極，且第二電極112當作畫素電極，而其它的設計方式，請查看第一實施方式。本實施方式之顯示裝置300的其他元件和特徵與第一實施方式相同。在非自發光顯示介質層130係為液晶分子的實施例中(本發明之非自發光顯示介質層130不限於液晶分子)，當顯示裝置300處於廣視角模式，其中的液晶分子的向位(orientation)大致如第12A圖所示。當顯示裝置100處於窄視角模式，其中的液晶分子的向位(orientation)大致如第12B圖所示。因此，圖12A中廣視角模式的液晶分子130從第一基板110至第二基板120的向位及扭轉狀況完全不同於圖12B中窄視角模式的液晶分子130從第一基板110至第二基板120的向位及扭轉狀況。在本實施方式中，第一電極111與第二電極112間的最佳電位差為約0.22 V至約1.2 V。

第13圖繪示本實施方式的△V_3-2 和△V^* _1-2 的關係曲線圖。在本實施方式中，舉例而言：顯示介質層130為厚度約3.6微米(μm)的液晶層、平坦層126的厚度為約3 μm，其介電係數為約3.5(單位：無)、第一基板110上的保護層(未繪示)的厚度為約0.4 μm，其介電係數為約6.65(單位：無)。在本實施方式中，當△V_3-2 為約2 V至約9 V時，△V^* _1-2 為約0.22 V至約1.2 V。

本發明之另一態樣是提供一種可調整視角之顯示裝置的驅動方法，此方法包含以下步驟。

首先，提供上述任一實施方式或實施例的顯示裝置。具體而言，顯示裝置包含一顯示面板100a，其由第一基板110、第二基板120與非自發光顯示介質層130所構成。第二基板120與第一基板110相對，非自發光顯示介質層130夾設於第一基板110與第二基板120之間。顯示面板100a中定義有畫素陣列100b，其中畫素陣列100b具有至少一第一畫素區D1與至少一第二畫素區D2。第一畫素區D1與第二畫素區D2分別具有至少一第一次畫素與至少一第二次畫素。顯示裝置還包含第一電極111、第二電極112以及第三電極123。舉例而言，第一電極111設置在第一基板110上，並且是配置在第一畫素區D1及第二畫素區D2中的第一次畫素101和第二次畫素102內。換言之，第一電極111設置在上述(所有/該些)畫素區D1與畫素區D2中的上述(所有/該些)次畫素101和次畫素102內。第二電極112設置在第一基板110上，並且是配置在第一畫素區D1及第二畫素區D2中的第一次畫素101和第二次畫素102內。換言之，第二電極112設置在上述(所有/該些)畫素區D1與畫素區D2中的上述(所有/該些)次畫素101和次畫素102內。再者，位在上述(所有/該些)畫素區D1、D2中的上述(所有/該些)次畫素101、102的第一電極111與第二電極112是分隔設置。換言之，所有次畫素(101與102)內的第一電極111不會接觸所有次畫素(101與102)內的第二電極112。第三電極123設置第二基板120上，並且是配置在第一畫素區D1及第二畫素區D2中的第一次畫素101和第二次畫素102內，而所有次畫素(101與102)內的第三電極也不會接觸所有次畫素(101與102)內的第一電極111與第二電極112。換言之，第三電極123設置在上述(所有/該些)畫素區D1與畫素區D2中的上述(所有/該些)次畫素101和次畫素102內。因此，第三電極123係藉由非自發光顯示介質層130與第一電極111以及第二電極112分隔開來，且第三電極123不接觸第一電極111與第二電極112，即非自發光顯示介質層130位於第三電極123與第一電極111以及第二電極112之間。其中，第一電極111與第二電極112其中一者當作畫素電極，第一電極111與第二電極112其中另一者當作可調整電位的電極，例如：共用電位、接地電位或遠小於畫素電極的電位，其相關設置方式，請查看上述的實施方式所描述的內容。

然後，分別提供一第一電位、一第二電位與一第三電位於上述次畫素的第一電極111、第二電極112與第三電極123。當顯示裝置100處於一窄視角模式時，位於上述這些次畫素的第二電極112與第三電極123之間的電位差不為零，而且這些次畫素在零灰階下之第一電極111與第二電極112間的電位差不為零。再者，△V_3-2 和△V^* _1-2 的相關描述或曲線，請查看上述各實施例方式所示，再此不再贅述。其中，△V_3-2 係指第三電極123的電位減去第二電極112的電位，△V^* _1-2 係指第一電極111的電位減去第二電極112的電位。

以下提供本發明一實施方式之電性分析模型，以使本發明所屬技術領域中具有通常知識者能更瞭解本發明的技術內容。下文揭露之分析方式、物理原理及計算式，不應以任何方式解釋為本發明之限制。以下以第14圖繪示之顯示裝置400作為電性分析的例子。第14圖繪示之顯示裝置400與顯示裝置100類似，兩者不同之處在於，顯示裝置400還包含配向層113以及配向層128。配向層113覆蓋介電層116以及所有的第一電極111，配向層128覆蓋平坦層126。在以下的電性分析中，以第一電極111當作畫素電極，以第二電極112當作第一基板110上的共用電極，以第三電極123當作第二基板120上的共用電極為範例。

在第14圖中標示路徑C上，亦即路徑C上不存在第一電極111，可以得到以下方程式(1)：△V _Tcom
-Bcom =I ^* ．(Z _OC +Z _{PI
_Top} +Z _LC
* +Z _{PI
_Bottom
*} +Z _PV )；

其中△V _Tcom
-Bcom 表示第三電極123的電位V _Tcom 減第二電極112的電位V _Bcom ，亦即△V _Tcom
-Bcom =V _Tcom -_VBcom ，單位：伏特(V)；I*表示由第三電極123經過路徑C至第二電極112的電流(單位：安培(ampere，A))；Z _OC 表示平坦層126的阻抗(electrical impedance，單位：歐姆(ohmic，Ω))；Z _{PI
_Top} 表示配向層128的阻抗；Z _LC
* 表示在路徑C上顯示介質層130的阻抗；Z _{PI
_Bottom
*} 表示路徑C上配向層113的阻抗；Z _PV 表示介電層116的阻抗。

在第14圖中，位置B1是位在配向層113上。相對於介電層116，位置B2與位置B1是位在相同的高度上。當第14圖中標示位置B1的電位等於第14圖中標示位置B2的電位時，表示位置B1和位置B2在相同的等電位曲線上，此時可讓顯示裝置400呈現最小的正視暗態漏光，因此得到以下方程式(2)：V _{PI
_Bottom} -V _Bcom =V ^* -V _Bcom (2)

其中V _{PI
_Bottom} 表示第14圖中標示位置B1的配向層113的電位，單位：伏特(V)；V _Bcom 表示第二電極112的電位；V ^* 表示第14圖中標示位置B2的電位。

方程式(2)中的(V ^* -V _Bcom )利用以下方程式(3)來表示：V ^* -V _Bcom =I ^* ．(Z _{LC
(V
*-PI
_Bottom
*)} +Z _{PI
_Bottom
*} +Z _PV ) (3)

其中(Z _{LC
(V
*-PI
_Bottom
*)} 表示位置B2至其下的配向層113之間的液晶層的阻抗。

由方程式(1)、方程式(2)及方程式(3)得到以下方程式(4)：

另外，在第14圖中標示路徑D上，得到以下方程式(5)：△V _{Tcom
-PI
_Bottom} ≡V _Tcom -V _{PI
_Bottom} =I ．(Z _OC +Z _{PI
_Top} +Z _LC ) (5)

其中V _Tcom 表示第三電極123的電位；V _{PI
_Bottom} 表示第14圖中標示位置B1的配向層113的電位，其與方程式(2)相同；△V _{Tcom
-PI
_Bottom} 定義為(V _Tcom -V _{PI
_Bottom} )；I 表示由第三電極123經過路徑D至第一電極111的電流；Z _LC 表示在路徑D上顯示介質層130的阻抗。

將方程式(4)的V _{PI
_Bottom} 帶入方程式(5)得到以下方程式(6)：

另外，在第14圖中標示路徑D上，還可以得到以下方程式(7)：△V _Tcom
-px ≡V _Tcom -V _px =I ．(Z _OC +Z _LC +Z _{PI_Top} +Z _{PI_Bottom} ) (7)

其中V _px 表示第一電極111的電位；Z _{PI_Bottom} 表示路徑D上配向層113的阻抗。

由將方程式(6)代入方程式(7)得到以下方程式(8)：

將方程式(8)中各層別的阻抗Z _OC 、Z _LC 、Z _{PI_Top} 、Z _{PI_Bottom} 、Z _{LC
(V
*-PI
_Bottom
*)} 、Z _{PI
_Bottom
*} 、Z _PV 、以及Z _LC
* 以各層別的電容值C(單位：法拉(farad，F))表示，亦即，其中j為虛數單位、ω為頻率(單位：赫茲(hertz，Hz))，而得到以下方程式(9)：

方程式(9)可以改寫成以下方程式(10)：V _px =V _Tcom -△V _Tcom
-Bcom ×a ×b (10)

其中

根據方程式(10)，第一電極111的電位V _px 與△V _Tcom
-Bcom 有關，方程式(10)中參數a 及b 僅和畫素的結構有關。由方程式(10)計算得到的V _px 與前文第一實施方式至第四實施方式中的實施例1至實施例8的實驗結果相符。

本發明上述實施例與實施方式，係以畫素陣列100b包含至少一個第一畫素區D1(zone)以及至少一個第二畫素區D2(zone)為實施方式。於其它實施例中，畫素陣列100b也可僅包含至少一個第一畫素區D1(zone)或至少一個第二畫素區D2(zone)。而畫素區D1或畫素區D2的電極、電位差及狹縫等等的相關描述，可參閱上述，在此不再贅述。

雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧顯示裝置

100a‧‧‧面板

100b‧‧‧畫素陣列

101‧‧‧第一次畫素

102‧‧‧第二次畫素

110‧‧‧第一基板

111‧‧‧第一電極

112‧‧‧第二電極

113‧‧‧配向層

114、114a、114b‧‧‧狹縫

116‧‧‧介電層

120‧‧‧第二基板

123‧‧‧第三電極

126‧‧‧平坦層

128‧‧‧配向層

130‧‧‧顯示介質層

D1‧‧‧第一畫素區

D2‧‧‧第二畫素區

200‧‧‧顯示裝置

300‧‧‧顯示裝置

400‧‧‧顯示裝置

2-2’‧‧‧線段

A1‧‧‧方向

A2‧‧‧方向

C、D‧‧‧路徑

B1、B2‧‧‧位置

E1、E2‧‧‧位置

為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下：第1圖繪示本發明一實施方式之可調整視角之顯示裝置的俯視示意圖。

第2A圖繪示第1圖中沿線段2-2’的剖面示意圖。

第2B圖繪示可調整視角之顯示裝置於窄視角模式下液晶配向的示意圖。

第2C圖至第2H圖繪示本發明數個實施方式的第一電極及/或第二電極的俯視示意圖。

第3A圖繪示本發明一比較例在窄視角模式下，第一電極邊緣附近的等電位曲線圖。

第3B圖繪示本發明一比較例之液晶層的穿透率曲線圖。

第4圖繪示本發明一比較例的電壓對亮度的曲線圖。

第5A圖繪示本發明一實施例在窄視角模式下，第一電極邊緣附近的等電位曲線圖。

第5B圖繪示本發明一實施例之液晶層的穿透率曲線圖。

第6A圖繪示本發明一實施例在窄視角模式下，第一電極邊緣附近的等電位曲線圖。

第6B圖繪示本發明一實施例之液晶層的穿透率曲線圖。

第7圖繪示本發明實施例1及實施例2的△V_3-2 和△V^* _1-2 的關係曲線圖。

第8圖繪示本發明實施例3及實施例4的△V_3-2 和△V^* _1-2 的關係曲線圖。

第9圖繪示本發明另一實施方式之可調整視角之顯示裝置的剖面示意圖。

第10圖繪示本發明實施例5及實施例6的△V_3-2 和△V^* _1-2 的關係曲線圖。

第11圖繪示本發明實施例7及實施例8的△V_3-2 和△V^* _1-2 的關係曲線圖。

第12A及12B圖繪示本發明再一實施方式之可調整視角之顯示裝置的剖面示意圖。

第13圖繪示本發明再一實施方式的△V_3-2 和△V^* _1-2 的關係曲線圖。

第14圖繪示本發明一實施方式之可調整視角之顯示裝置的剖面示意圖。