TWI490600B - 具有最小化遮光板之液晶顯示裝置 - Google Patents

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Description

具有最小化遮光板之液晶顯示裝置
本發明係關於一種液晶顯示裝置，其中一遮光板透過在一外邊緣區域將之間***有一絕緣層之電路線進行重疊而被最小化。
通常，一液晶顯示(LCD)裝置透過使用一電場調節具有介電各向異性之液晶之光透射率而顯示一影像。為此，LCD裝置包含畫素區域以一矩陣形式設置在其上之一液晶面板，以及用於驅動液晶面板之一驅動電路。
液晶面板透過附著一第一基板和一第二基板以及在兩者之間形成一液晶層而形成。複數個閘線和複數個資料線係垂直交叉設置以定義位於第一基板上之畫素區域。畫素電極係形成在每個畫素區域中，以及一薄膜電晶體(TFT)係形成在閘線和資料線之每個之每個交叉中。TFT依照每個閘線之一掃描訊號而被打開，以施加每個資料線之一資料訊號至每個畫素電極以驅動液晶層。
並且，位於不包含畫素區域之一部份中之用於阻擋光透射之黑色矩陣，以及形成在各個畫素區域中以執行真實色彩之一彩色濾光層係設置在第二基板上。
驅動電路包含用於驅動複數個閘線之一閘驅動器、用於驅動複數個資料線之一資料驅動器、用於提供用於控制閘驅動器和資料驅動 器之控制訊號、資料訊號以及諸如此類之一定時控制器。
閘驅動器包含用於依次輸出掃描訊號至各自閘線之一移位暫存器。移位暫存器包含互相從屬連接之複數個階。複數個階依次輸出掃描脈衝以依次掃描液晶面板之閘線。
詳細地，在複數個階中之一第一階接收來自定時控制器之一起始訊號作為一觸發訊號，不包含第一階之其他剩餘階接收來自前一個階之一輸出訊號作為一觸發訊號。另外，複數個階之每個接收每個具有一相互連續相位差之複數個時鐘脈衝中之至少一個時鐘脈衝。因此，第一階至最後階依次輸出掃描脈衝。
在習知技術中，包含移位暫存器之一閘驅動器積體電路(IC)被使用為閘驅動器，閘驅動器IC透過使用一帶載封裝(TCP)製程或諸如此類係連接至一液晶面板之一閘線墊。
但是，近來，一資料驅動器積體電路已經被使用作為資料驅動器，但是在閘驅動器之情況下，用於形成一移位暫存器於一液晶顯示面板上之一板內閘極(GIP)技術被使用以降低材料費用和製程之數量，並縮短一製程時間。
具有一GIP結構之習知技術LCD裝置將被描述。
第1圖係為具有一GIP結構之習知技術LCD裝置之一平面圖，以及第2圖係為第1圖中之一區域「A」之一放大平面圖。
如第1圖所示，在具有一GIP結構之習知技術LCD裝置中，一第一基板1和一第二基板2在兩者之間之一預定空間透過一密封劑10而附著。這裡，第一基板1係形成以比第二基板更大，並且具有其中一資料 驅動器或諸如此類安裝在其中之一非顯示區域，一顯示區域係形成在第一基板1和第二基板2之密封劑10之內側。
附著的第一基板1和第二基板2之顯示區域被劃分為一主動區域A/A和一虛擬區域D。一閘線、一資料線、一畫素電極、以及一TFT係形成在第一基板1之主動區域A/A中，以及一黑色矩陣層和一彩色濾光層係形成在第二基板2之主動區域A/A中。
GIP閘驅動器3、一GIP虛擬閘驅動器4、一地線11、用於應用從定時控制器輸出之諸如一時鐘訊號、一使能訊號、一起始訊號、一共用電壓以及諸如此類之各種訊號至GIP閘驅動器3和GIP虛擬閘驅動器4之控制訊號線12、配置為一移位元暫存器之一GIP電路13、以及一共用線14係形成在第一基板1之虛擬區域D中。黑色矩陣(未示出)係形成在第二基板2之虛擬區域D中，以為了阻擋至此區域之光透射。
但是，具有上述結構之LCD裝置具有以下問題。
最近，研究最小化包含一虛擬區域之一遮光板之一尺寸已經連續進行，以為了降低一顯示裝置之一尺寸，並在維持螢幕之相同尺寸之同時，獲得一顯示裝置之一好的外觀。
但是，如第2圖所示，既然地線11、控制訊號線12、移位GIP電路13、共用線14、以及諸如此類係設置在具有一GIP結構之習知技術LCD裝置之虛擬區域D中，虛擬區域D之一寬度d1應該被維持以具有一定尺寸或更大尺寸。因此，限制減小虛擬區域D之面積，造成限制減小一遮光板，因此，不可能製造具有一小遮光板之一LCD裝置。
本發明之一方面係提供一種透過設置一虛擬區域之線進而將之間***有一絕緣層之部分線重疊而具有一最小化遮光板之液晶顯示(LCD)裝置。
依照本發明之一方面，提供一液晶顯示(LCD)裝置，包含：一閘驅動器被安裝在其上之一虛擬區域、包含複數個畫素區域並執行一實際影像之一主動區域；以及設置在虛擬區域上之一第一線和一第二線，其中第一線係形成在一基板上，以及第二線係形成在一絕緣層上，進而之間***有絕緣層之第一線和第二線之一部份重疊。
第一線可以包含一移位暫存器，第二線可以為一地線、一控制訊號線、以及一共用線之至少一個，以及絕緣層可以包含一閘絕緣層和一鈍化層。
依照本發明之一實施例，控制電路線、地線、共用線之部份係形成有在一GIP電路區域中之GIP電路之一上側，且上述各線之間***有絕緣層，由此其中一線所形成之一區域相對於習知技術LCD裝置減少，因此，虛擬區域之一寬度可以被降低，因此，具有一最小化遮光板之一LCD裝置可以被製造。
本發明之上述以及其他目的、特徵、方面和優勢當結合附圖時，從本發明之下列詳細描述將變得更加顯而易見的。
1‧‧‧第一基板
10‧‧‧密封劑
11‧‧‧地線
101‧‧‧第一基板
102‧‧‧第二基板
103‧‧‧GIP閘驅動器
104‧‧‧GIP虛擬閘驅動器
110‧‧‧密封劑
111‧‧‧地線
111a‧‧‧第一地線
111b‧‧‧第二地線
112‧‧‧控制訊號線
113‧‧‧GIP電路
113a‧‧‧閘極
113b‧‧‧半導體層
113c‧‧‧源極
113d‧‧‧汲極
114‧‧‧共用線
114a‧‧‧第一共用線
114b‧‧‧第二共用線
119a‧‧‧第一接觸孔
119b‧‧‧第二接觸孔
119c‧‧‧第三接觸孔
12‧‧‧控制訊號線
13‧‧‧GIP電路
14‧‧‧共用線
142‧‧‧閘絕緣層
144‧‧‧鈍化層
146‧‧‧彩色濾光層
15‧‧‧共用線
151‧‧‧閘極
152‧‧‧半導體層
153‧‧‧源極
154‧‧‧汲極
156‧‧‧共用電極
158‧‧‧畫素電極
2‧‧‧第二基板
3‧‧‧GIP閘驅動器
4‧‧‧GIP虛擬閘驅動器
A‧‧‧區域
A/A‧‧‧主動區域
B‧‧‧區域
D‧‧‧虛擬區域
d1‧‧‧寬度
d2‧‧‧寬度
第1圖為一習知技術LCD裝置之一結構之一平面圖。
第2圖為第1圖中之一部份「A」之一放大平面圖。
第3圖為依照本發明之一實施例之一液晶顯示裝置之一結構之一平面圖。
第4A圖為第3圖中之一部份「B」之一局部放大平面圖。
第4B圖為第3圖中之一部份「B」之一截面示意圖。
第5圖為特別闡述依照本發明之一第一實施例之一LCD裝置之一結構之一剖視圖。
第6圖為特別闡述依照本發明之一第二實施例之一LCD裝置之一結構之一剖視圖。
第7A圖至第7D圖為依照本發明之一實施例之用於製造一LCD裝置之一方法之視圖。
在下文中，係描述了依照本發明之一實施例之一液晶顯示裝置。
第3圖係為依照本發明之一實施例之具有一板內閘極(GIP)結構之一液晶顯示裝置之一平面圖。
如第3圖所示，依照本發明之一實施例之具有一GIP結構之LCD裝置透過使用一密封劑110附著由諸如玻璃或塑膠之一透明材料所製成之一第一基板101和一第二基板102而形成。這裡，第一基板101係形成以大於第二基板102，以包含一資料驅動器或諸如此類安裝在其上之一非顯示區域，以及一顯示區域係形成在透過密封劑110所附著之第一基板101和第二基板102之內部。
並且，附著的第一基板10和第二基板102之顯示區域被劃 分為一主動區域A/A和一虛擬區域D。
主動區域A/A係為一影像被實際執行在其上之一區域。儘管未示出，主動區域A/A包含：透過設置在第一基板101上之複數個閘線和資料線所定義之複數個畫素區域、形成在各個畫素區域中並且一旦接收施加其上之一訊號則驅動以施加一影像訊號至一影像區域之作為切換元件之TFT、形成在畫素區域中並且依照TFT之一操作一旦接收影像訊號則驅動一液晶層之液晶分子以控制透過液晶層所傳輸之光線之透射率以因此執行一影像之一畫素電極和一共用電極、形成在第二基板102上以阻擋光線傳輸至除了其中一影像被執行之一區域外之一區域之一黑色矩陣、以及包含紅色(R)彩色濾光片、綠色(G)彩色濾光片、以及黑色(B)彩色濾光片以執行實際色彩之一彩色濾光片。
一GIP閘驅動器103、一GIP虛擬閘驅動器104、一地線111、用於應用從定時控制器輸出之諸如一時鐘訊號、一使能訊號、一起始訊號、一共用電壓以及諸如此類之各種訊號至GIP閘驅動器103和GIP虛擬閘驅動器104之控制訊號線112、配置為一移位暫存器之一GIP電路113、以及一共用線114係形成在第一基板101之虛擬區域D中。黑色矩陣(未示出)係形成在第二基板102之虛擬區域D中，以為了阻擋至此區域之光透射。
控制訊號線112包含一時鐘訊號線、一使能訊號線、一起始訊號線以及諸如此類。
第4A圖和第4B圖係為第3圖中之一區域「B」之局部放大圖，其中第4A圖係為虛擬區域D中之線之一設置之一平面圖，第4B圖係為一層結構之一橫截面示意圖。
如第4A圖所示，一共用線114、一GIP電路113、一控制訊號線112、以及一地線111係從主動區域A/A之一邊界至虛擬區域D中之第一基板101之一端部依次設置。這裡，顯示了一特定數量之共用線114和控制訊號線112係形成，但是這是為了描述的目的，本發明之線不限於一特定數量。實質上，線之一數量可以透過一製造的液晶面板之一尺寸、畫素之一數量、安裝在液晶面板上之GIP閘驅動器之一數量以及諸如此類而決定。
如第4A圖和第4B圖所示，GIP電路113係設置在第一基板101上，以及地線111和共用線114係設置在GIP電路113之兩側。控制訊號線112係設置在GIP電路113上。這裡，控制訊號線112係形成以完全重疊GIP電路113，並且地線111和共用線114係形成，進而其部份係形成在第一基板101上，其他部份係形成在GIP電路113上以與GIP電路113重疊。這裡，僅僅控制訊號線之一部份可以與GIP電路113重疊。
以這種方式，控制訊號線112係形成在GIP電路113上，以及地線111和共用線114之部份係形成在GIP電路113上，虛擬區域之一寬度可以相對於習知技術LCD裝置而被減小。
至於第2圖中所闡述之習知技術LCD裝置之結構，以及依照第4A圖所闡述之本發明之一實施例之LCD裝置之結構，在習知技術中，地線111、GIP電路113、控制訊號112以及共用線114係設置在具有a1、a2、a3和a4之寬度之第一基板101上。相比較，在本發明之一實施例中，地線111、GIP電路113、以及共用線114係設置在具有a1’、a2’和a4’之寬度之第一基板101上。
既然控制訊號線112係形成在GIP電路113上，控制訊號線112不佔據第一基板101之任何區域。並且，既然地線111之一部份與GIP電路113重疊，則a1’係小於a1(a1’<a1)，既然共用線114之一部份與GIP電路重疊，則a4’係小於a4(a4’<a4)。這裡，整個區域之地線111之50%至100%與GIP電路113重疊，整個區域之共用線114之50%至100%與GIP電路113重疊。因此，在本發明之一實施例中，虛擬區域之寬度d2相比習知技術可以減少a3+(a1-a1')+(a4-a4')(即d1>d2)。
本發明之一實施例將參考附圖而詳細描述。
第5圖係示出依照本發明之一第一實施例之一LCD裝置之一結構，其中僅虛擬區域被闡述。
如第5圖所示，第一基板101之虛擬區域D包含一地線區域、一GIP電路區域、以及一共用線區域。一第一地線111a、形成一GIP電路之用於一移位暫存器之一TFT之一閘極113a、以及一第一共用線114a係形成在第一基板101之地線區域、GIP電路區域以及共用線區域中。
第一地線111a、用於一移位暫存器之TFT之閘極113a、以及第一共用線114a可以透過不同製程而由不同金屬形成，但是較佳地，第一地線111a、閘極113a、以及第一共用線114a透過相同製程而由相同金屬形成。這裡，第一地線111a、用於一移位暫存器之TFT之閘極113a、以及第一共用線114a可以分別形成為由諸如鋁(Al)或Al合金之具有良好導電性之一金屬所製成之一單層。並且，第一地線111a、用於一移位暫存器之TFT之閘極113a、以及第一共用線114a可以形成為諸如AlNd/Mo之複數個層。
由諸如SiOx或SiNx之一無機絕緣材料所製成之一閘絕緣層142係形成在具有第一地線111a、用於一移位暫存器之TFT之閘極113a、以及第一共用線114a形成在其上之第一基板101上。
一半導體層113b係形成在GIP電路區域中之閘絕緣層142上。半導體層113b可以主要由非晶矽(a-Si)所製成，但是一晶體矽或一氧化物半導體也可以被使用。
一源極113c和一汲極113d係形成在半導體層113b上，完成用於一移位暫存器之一TFT。這裡，源極113c和汲極113d可以由諸如鋁(Al)、Al合金、鉬(Mo)或諸如此類之具有良好導電性之一金屬所製成。儘管未示出，各種線以及用於一移位暫存器之TFT可以形成在GIP電路區域中。
一鈍化層144係形成在具有用於一移位暫存器之TFT形成在其上之第一基板101上。鈍化層144可以由諸如光亞克力之一有機材料所製成，或者可以由諸如SiOx或SiNx之一無機材料所製成。並且，鈍化層144可以形成為包含一無機鈍化層和一有機鈍化層之一雙層。
一第一接觸孔119a、一第二接觸孔119b、以及一第三接觸孔119c係形成在GIP電路區域和共用線區域中。這裡，第二接觸孔119b係僅形成在鈍化層144中以允許用於一移位暫存器之TFT經由此暴露。第一接觸孔119a和第三接觸孔119c係形成在閘絕緣層142和鈍化層144中以允許第一地線111a和第一共用線114a分別經由此暴露。
一第二地線111b係形成在位於鈍化層144之上之地線區域中，一控制電路線112係形成在GIP電路區域中，以及一第二共用線114b 係形成在共用線區域中。第二地線111b透過第一接觸孔119a係電連接至第一地線111a，控制電路線112透過第二接觸孔119b係電連接至用於一移位暫存器，即一GIP電路之TFT之汲極113d，以及第二共用線114b透過第三接觸孔119c係電連接至第一共用線119a。
這裡，第二地線111b之一部份和第二共用線114b之一部份延伸至GIP電路區域。因此，既然第二地線111b之部份和第二共用線114b之部份，以及控制電路線112係形成在GIP電路區域中，GIP電路(即移位暫存器)與控制電路線112以及具有***在兩者之間之絕緣層(閘絕緣層)142和/或鈍化層144之第二地線111b和第二共用線114b之部份重疊。
以這種方式，在本發明之第一實施例中，既然控制電路線112和第二地線111b和第二共用線114之部份係形成在GIP電路區域中之具有***在兩者之間之絕緣層之GIP電路之一上側中，則虛擬區域之寬度可以相對於習知技術LCD裝置降低。
這裡，在附圖中闡述，不僅第二地線111b和第二共用線114b之部份與GIP電路重疊，而且控制電路線112可以形成以與GIP電路重疊，以及第二地線111b和第二共用線114b不與GIP電路重疊，或者第二地線111b和第二共用線114b之僅一個之一部份可以與GIP電路重疊。
換言之，本發明之一實施例包含任意結構，其中之間***有絕緣層之GIP電路之控制電路線112以及第二地線111b和第二共用線114之整體或部份重疊。
第6圖係為依照本發明之一第二實施例之一LCD裝置之一結構之一視圖。
如第6圖所示，虛擬區域D包含一地線區域、一GIP電路區域、以及一共用線區域。第一地線111a和第一共用線114a係形成在第一基板101之地線區域和共用線區域中。並且，包含用於由閘極113a、半導體層113b、源極113c和汲極113d所組成之用於一移位暫存器之一TFT之一GIP電路係形成在GIP電路區域中。
這裡，閘絕緣層142係形成在第一地線111a、第一共用線114a、以及用於一移位暫存器之TFT之閘極113a上。
由一無機層、一有機層、或一無機層/一有機層所形成之鈍化層144係形成在具有用於一移位暫存器之TFT形成在其上之第一基板101上。
一彩色濾光層146係形成在鈍化層144上。換言之，具有上述結構之LCD裝置係為在TFT(薄膜電晶體上之彩色濾光片，COT)結構上具有一彩色濾光片之一LCD裝置，其中彩色濾光層146係形成在第一基板101上。在此結構中，相比其中彩色濾光層形成在第二基板(即上基板)上之第4圖所闡述之LCD裝置之結構，彩色濾光層146係形成在第一基板上。
在具有COT結構之LCD裝置中，R彩色濾光片、G彩色濾光片和B彩色濾光片係直接形成在對應畫素上，不需要考慮由於當彩色濾光層形成在第二基板或一附著邊緣上所產生之第一基板和第二基板之不對準之一缺陷。
儘管未示出，彩色濾光層146可以為在一R彩色濾光層、一G彩色濾光層、一B彩色濾光層中之一個顏色之一單獨層，或可以透過 堆疊R彩色濾光層、G彩色濾光層以及B彩色濾光層而形成為一三層，或者可以形成為包含兩種不同顏色之一雙層。
第一接觸孔119a、第二接觸孔119b、以及第三接觸孔119c係形成在GIP電路區域和共用線區域中。這裡，第二接觸孔119b僅形成在鈍化層144和彩色濾光層146中，以允許用於一移位暫存器之TFT經由此暴露。第一接觸孔119a和第三接觸孔119c係形成在閘絕緣層142、鈍化層144和彩色濾光層中，以允許第一地線111a和第一共用線114a分別經由此暴露。
一第二地線111b係形成在位於彩色濾光層146上之地線區域中，一控制電路線112係形成在GIP電路區域中，以及一第二共用線114b係形成在共用線區域中。第二地線111b透過第一接觸孔119a係電連接至第一地線111a，控制電路線112透過第二接觸孔119b係電連接至用於一移位暫存器，即一GIP電路之TFT之汲極113d，以及第二共用線114b透過第三接觸孔119c係電連接至第一共用線119a。
儘管未示出，由一無機絕緣材料或一有機絕緣材料所製成之一緩衝層可以形成在彩色濾光層146上。當第二地線111b和第二共用線114b形成時，緩衝層用以利用彩色濾光層146提高介面特性，以這種結構，第一接觸孔119a、第二接觸孔119b以及第三接觸孔119c係形成在緩衝層上。
儘管未示出，一黑色矩陣可以形成在第二基板之虛擬區域中，以阻擋至此之一光透射，因此避免光線被透射以降低畫面質量。
在下文中，一種用於製造具有上述結構之LCD裝置之方法將被描述。這裡，一種用於製造具有第5圖中所闡述之結構之LCD裝置之 方法被描述，但是具有第6圖中所闡述之結構之LCD裝置也可以透過相同方法而被製造。
並且，在下文中，一種用於製造具有一特定畫素結構之LCD 裝置之方法被描述，但是本發明不僅限於特定畫素結構。本發明可以應用於諸如一面內切換(IPS)式LCD裝置、一扭曲向列(TN)式LCD裝置、一垂直配向(VA)式LCD裝置以及諸如此類之各種模式之LCD裝置。並且，在下列描述中，各種電極和絕緣層具有一特定結構，但是本發明不限於此。只要一虛擬區域之一線以一重疊方式而形成，本發明可以被應用於具有任何結構之LCD裝置。
第7A圖至第7D圖係為依照本發明之一實施例之用於製造 一LCD裝置之一方法之視圖。
首先，如第7A圖所示，鋁釹(AlNd)和鉬(Mo)透過一 濺射方法係接連堆放在由塑膠透明玻璃所製成並且包含虛擬區域D和主動區域A/A之第一基板101上，隨後透過光刻而蝕刻以第一地線111a、形成用於一GIP電路之一移位暫存器之閘極113a，以及虛擬區域D中之第二共用線112和主動區域A/A中之用於一畫素之切換之一TFT之閘極151。接下來，諸如SiOx或SiNx之一無機絕緣材料透過化學氣相沉積(CVD)而堆放在第一基板之整體上，以形成閘絕緣層142。
隨後，如第7B圖所示，諸如一非晶矽之一非晶半導體材料 係堆放在第一基板101上，並且被蝕刻以形成位於用於一移位暫存器之閘極113a之上之閘絕緣層142上之用於一移位暫存器之半導體層113b，以及位於用於切換之TFT之閘極151之上之閘絕緣層142上之用於切換之TFT 之半導體層152。
在下文中，諸如鉬(Mo)或諸如此類之一金屬透過一濺射 方法被堆放，並且透過光刻而被蝕刻，以分別形成用於一移位暫存器之源極113c和汲極113d，以及在半導體層113b和152上用於切換之一TFT之源極153和汲極154，以形成包含虛擬區域中之一移位暫存器和主動區域A/A之每個畫素區域中之用於切換之一TFT之一GIP電路線。
隨後，諸如光亞克力之一有機材料或者諸如SiOx或SiNx 之一無機材料係堆放在具有TFT形成在其上之第一基板101上，以形成鈍化層114。這裡，形成為一雙層之鈍化層144可以透過接連堆放一無機材料和一有機材料而形成。
在下文中，如第7C圖所闡述，鈍化層之一部份被蝕刻以形 成第一接觸孔119a、第二接觸孔119b以及第三接觸孔119c於虛擬區域D中，以允許第一地線111a、用於一移位暫存器之汲極113d、以及第一共用線114經由此暴露，以及形成第四接觸孔119d於主動區域A/A中，以允許用於切換之TFT之汲極154暴露。
隨後，如第7D圖所闡述，諸如氧化銦錫(ITO)之一透明 導電材料係堆放在鈍化層144上，並且被蝕刻以形成至少一對共用電極156和畫素電極158於主動區域A/A中。這裡，共用電極156和畫素電極158具有一預定寬度之類似帶形狀，並且被互相平行設置。畫素電極158透過第四接觸孔119d係電連接至用於切換之TFT之汲極154，以及一影像訊號透過用於切換之TFT從外部被施加。
隨後，鉬(Mo)、鋁(Al)以及鉬(Mo)係接連堆放在鈍 化層144上，並且被蝕刻以形成第二地線111b、控制訊號線112以及第二共用線114b於虛擬區域D中。第二地線111b透過第一接觸孔119a係電連接至第一地線111b，控制訊號線112透過第二接觸孔119b係連接至GIP電路(即用於一移位暫存器之汲極113d)，以及第二共用線114b透過第三接觸孔係電聯接至第一共用線114a。
這裡，第二地線111b、控制訊號線112、以及第二共用線 114b可以透過相同製程而形成有相同金屬層(例如Mo/Al/Mo)，或者透過不同製程可以形成有不同金屬。
儘管未清楚示出，形成在鈍化層144上之第二地線111b之 一部份可以與GIP電路重疊或者可以不重疊。並且，第二共用線114b之一部份也可以與GIP電路重疊或者可以不重疊。
在下文中，儘管未示出，在彩色濾光層和黑色矩陣係形成 在第二基板上之後，第一基板和第二基板可以透過一密封劑附著，以及一液晶層係形成在第一基板和第二基板之間，因此完成一LCD裝置。
如上所述，在本發明之一實施例中，透過將形成在虛擬區 域中之部份線與之間***有一絕緣層之一不同線重疊，虛擬區域之面積可以被最小化，因此，LCD裝置之一遮光板區域可以被最小化，因此降低LCD裝置之一尺寸，並且獲得一好的外觀。
同時，具有一特定結構之LCD裝置已經被描述，但是僅用 於描述目的，本發明不限於此。
本發明可以被應用於具有任何結構之LCD裝置，只要虛擬 區域中之間***有一絕緣層之至少各種線之部份重疊以降低虛擬區域之一 面積。
由於本發明在沒有脫離本發明之特徵之情況下，可以體現 為若干形式，也應該瞭解上面描述實施例不被上面描述之任何細節所限定，除另有規定外，寧可應該被較寬解釋在所申附請求項所限定之其範圍內，因此所有落入請求項之邊界和界限內之修改和潤飾，或者這樣的邊界和界限之等同替代因此意指被所申附請求項所包含。
101‧‧‧第一基板
102‧‧‧第二基板
103‧‧‧GIP閘驅動器
104‧‧‧GIP虛擬閘驅動器
110‧‧‧密封劑
A/A‧‧‧主動區域
B‧‧‧區域
D‧‧‧虛擬區域
d2‧‧‧寬度

Claims (21)

  1. 一種液晶顯示裝置，包含：一第一基板，係包含具有複數個畫素區域之一主動區域以顯示一影像和形成在該主動區域之一外側之一虛擬區域；以及位於該虛擬區域中之一板內閘極(GIP)電路，連接至該板內閘極電路之一控制訊號線，一地線以及一共用線，其中，該GIP電路與之間***有一絕緣層之該控制訊號線、該地線、以及該共用線之至少一部份重疊。
  2. 根據申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中該控制訊號線包含一時鐘訊號線、一使能訊號線、以及一起始訊號線。
  3. 根據申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中該控制訊號線係完全與該GIP電路重疊。
  4. 根據申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，更包含：複數個閘線和資料線，係形成在該主動區域以定義複數個畫素區域；一薄膜電晶體，用於在每個畫素區域中切換；以及一鈍化層，位於形成有該薄膜電晶體(TFT)之該第一基板上。
  5. 根據申請專利範圍第4項之液晶顯示裝置，其中該鈍化層係由光亞克力製成。
  6. 根據申請專利範圍第4項之液晶顯示裝置，其中該鈍化層係由一無機絕緣材料製成。
  7. 根據申請專利範圍第4項之液晶顯示裝置，其中該鈍化層包含：一無機鈍化層；以及一有機鈍化層，係形成在該無機鈍化層上。
  8. 根據申請專利範圍第4項之液晶顯示裝置，其中用於切換之該TFT包含：一閘極，係形成在該第一基板上；一閘絕緣層，係形成在該第一基板上，並且覆蓋該閘極；一半導體層，係形成在該閘絕緣層上；以及一源極和一汲極，係形成在該半導體層上。
  9. 根據申請專利範圍第8項之液晶顯示裝置，其中該地線包含：一第一地線，係形成在該第一基板上；以及一第二地線，係形成在該鈍化層上，並且透過形成在該鈍化層上之一第一接觸孔電連接至該第一地線。
  10. 根據申請專利範圍第8項之液晶顯示裝置，其中該共用線包含：一第一共用線，係形成在該第一基板上；以及一第二共用線，係形成在該鈍化層上，並且透過形成在該鈍化層上之一第二接觸孔係電連接至該第一共用線。
  11. 根據申請專利範圍第8項之液晶顯示裝置，其中該控制訊號線係形成在該鈍化層上，並且透過形成在該鈍化層上之一第三接觸孔電連接至該GIP電路。
  12. 根據申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中該GIP電路包含一移位暫存器。
  13. 根據申請專利範圍第4項之液晶顯示裝置，更包含：一彩色濾光層，係形成在該鈍化層上。
  14. 根據申請專利範圍第13項之液晶顯示裝置，其中該控制訊號線、該第二地線、以及該第二共用線係形成在該彩色濾光層上。
  15. 根據申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，更包含：一第二基板，係附著於該第一基板；一黑色矩陣，係形成在該第二基板上；以及一液晶層，係形成在該第一基板和該第二基板兩者之間。
  16. 一種液晶顯示裝置，係包含：一虛擬區域，一閘驅動器係安裝在該虛擬區域上；一主動區域，係包含複數個畫素區域，並且執行一實際影像；以及一板內閘極(GIP)電路與複數條線路，係設置在該虛擬區域上，其中至少一條線路連接至該板內閘極電路，其中，該板內閘極電路係形成在一基板上，該些線路係形成在一絕緣層上，進而之間***有該絕緣層之該板內閘極電路和該至少一條線路之一部份重疊。
  17. 根據申請專利範圍第16項之液晶顯示裝置，其中該板內閘極電路包含一移位暫存器。
  18. 根據申請專利範圍第16項之液晶顯示裝置，其中該些線路係為一地線、一控制訊號線以及一共用線之至少一個。
  19. 根據申請專利範圍第16項之液晶顯示裝置，其中該控制訊號線包含一時鐘訊號線、一使能訊號線以及一起始訊號線。
  20. 根據申請專利範圍第16項之液晶顯示裝置，其中該絕緣層包含一閘絕緣層和一鈍化層。
  21. 根據申請專利範圍第20項之液晶顯示裝置，其中該鈍化層係為一無機鈍化層、一有機鈍化層、或一無機鈍化層/有機鈍化層。
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