TWI490308B - 有機電激發光元件及高分子發光體組成物 - Google Patents

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Description

有機電激發光元件及高分子發光體組成物
本發明係有關有機電激發光元件(以下亦有稱為有機EL元件的情形)、該有機EL元件所使用之高分子發光體組成物以及發光裝置。
有機EL元件係具備由陽極及陰極所構成之一對電極與設置於該電極間之發光層的發光元件。在有機EL元件之電極間施加電壓時，不僅由陽極注入電洞，同時由陰極注入電子，在發光層中，藉由該等電洞與電子的結合而發光。
有機EL元件係使用有機物作為發光層中所含的發光體。由於高分子發光體(高分子量之發光材料)較易溶解於溶媒，因此可使用塗佈法作為形成發光層之方法。塗佈法係可形成大面積之發光層的成膜方法，並且步驟簡易，因而符合元件的大面積化以及步驟簡易化的要求。因此，在近年來有各種高分子發光體之提案(例如：Advanced Materials Vol. 12 1737-1750(2000))。
對於有機EL元件，期待著因驅動而使亮度經時地降低之程度減少，換言之，期待使元件壽命延長。然而，使用高分子發光體之有機EL元件之壽命至今仍為不足，而要求更加提高元件的壽命。
本發明之目的係提供一種元件壽命長的有機EL元件、以及該有機EL元件中所使用之高分子發光體組成物。
本發明係提供以下之有機EL元件以及高分子發光體組成物。
[1]一種有機電激發光元件，係具備由陽極及陰極所構成之一對電極、與設置於該電極間之發光層者，該發光層含有：具有選自無取代或經取代之茀二基(fluorine-diyl)及無取代或經取代之苯并茀二基(benzofluorene-diyl)所成組群之1種以上的二基(diyl)作為重複單元之高分子發光體、與富勒烯(fullerene)及/或富勒烯衍生物。
[2]如[1]所述之有機電激發光元件，其中，富勒烯衍生物為甲橋富勒烯(methanofullerene)衍生物、苯基丁酸甲酯衍生物、噻吩基丁酸甲酯衍生物、普拉托(Prato)衍生物、賓格(Bingel)衍生物、二唑啉(diazoline)衍生物、氮雜類富勒烯(azafulleroid)衍生物、酮內醯胺(ketolactam)衍生物、或狄耳士-阿德爾(Diels-Alder)衍生物。
[3]如[1]或[2]所述之有機電激發光元件，其中，無取代或經取代之茀二基係式(1)所示之基，
(式(1)中，R1 、R2 、R3 、R4 、R5 、R6 、R7 以及R8 各自獨立表示氫原子、烷基、烷氧基、芳基或1價之芳香族雜環基，該等基中所含的氫原子可經氟原子取代)。
[4]如[1]至[3]中任一項所述之有機電激發光元件，其中，無取代或經取代之苯并茀二基係下述式(2)所示之基，
(式(2)中，R9 、R10 、R11 、R12 、R13 、R14 、R15 、R16 、R17 以及R18 各自獨立表示氫原子、烷基、烷氧基、芳基或1價之芳香族雜環基，該等基中所含的氫原子可經氟原子取代)。
[5]如[1]至[4]中任一項所述之有機電激發光元件，其中，高分子發光體為共軛系高分子。
[6]如[1]至[5]中任一項所述之有機電激發光元件，其中，以上述高分子發光體作為100重量份時，發光層中之富勒烯及/或富勒烯衍生物的含量為0.001至5重量份。
[7]如[1]至[5]中任一項所述之有機電激發光元件，其中，以上述高分子發光體作為100重量份時，發光層中之富勒烯及/或富勒烯衍生物的含量為0.01至1重量份。
[8]一種發光裝置，係具備如[1]至[7]中任一項所述之有機電激發光元件者。
[9]一種高分子發光體組成物，係含有：具有選自無取代或經取代之茀二基及無取代或經取代之苯并茀二基所成組群之1種以上的二基作為重複單元之高分子發光體、與富勒烯及/或富勒烯衍生物。
[10]如[9]所述之高分子發光體組成物，其中，富勒烯衍生物為甲橋富勒烯衍生物、苯基丁酸甲酯衍生物、噻吩基丁酸甲酯衍生物、普拉托衍生物、賓格衍生物、二唑啉衍生物、氮雜類富勒烯衍生物、酮內醯胺衍生物、或狄耳士-阿德爾衍生物。
[11]如[9]或[10]所述之高分子發光體組成物，其中，無取代或經取代之茀二基係式(1)所示之基，
(式(1)中，R1 、R2 、R3 、R4 、R5 、R6 、R7 以及R8 各自獨立表示氫原子、烷基、烷氧基、芳基或1價之芳香族雜環基，該等基中所含的氫原子可經氟原子取代)。
[12]如[9]至[11]中任一項所述之高分子發光體組成物，其中，無取代或經取代之苯并茀二基係下述式(2)所示之基，
(式(2)中，R9 、R10 、R11 、R12 、R13 、R14 、R15 、R16 、R17 以及R18 各自獨立表示氫原子、烷基、烷氧基、芳基或1價之芳香族雜環基，該等基中所含的氫原子可經氟原子取代)。
[13]如[9]至[12]中任一項所述之高分子發光體組成物，其中，高分子發光體為共軛系高分子。
[14]如[9]至[13]中任一項所述之高分子發光體組成物，其中，以上述高分子發光體作為100重量份時，富勒烯及/或富勒烯衍生物的含量為0.001至5重量份。
[15]如[9]至[13]中任一者所述之高分子發光體組成物，其中，以上述高分子發光體作為100重量份時，富勒烯及/或富勒烯衍生物的含量為0.01至1重量份。
本發明之有機EL元件具備由陽極及陰極所構成之一對電極、與設置於該電極間之發光層。
該發光層含有：具有選自無取代或經取代之茀二基、及無取代或經取代之苯并茀二基所成組群之1種以上的二基作為重複單元之高分子發光體；與富勒烯及/或富勒烯衍生物。富勒烯及/或富勒烯衍生物可各含有2種以上。發光層中所含之富勒烯可列舉如：C60 、C70 、奈米碳管(carbon nanotube)。富勒烯衍生物之例可列舉如：甲橋富勒烯衍生物、PCBM(phenyl-C61-butyric acid methyl ester)衍生物(苯基丁酸甲酯衍生物)、ThCBM(thienyl-C61-butyric acid methyl ester)衍生物(噻吩基丁酸甲酯衍生物)、普拉托衍生物、賓格衍生物、二唑啉衍生物、氮雜類富勒烯衍生物、酮內醯胺衍生物、及狄耳士-阿德爾衍生物等(例如參照日本特表2009-542725)。
甲橋富勒烯衍生物：
此處，A表示富勒烯骨架(以C60 富勒烯骨架、C70 富勒烯骨架為佳)；-C(X)(Y)-基係介由甲橋橋鍵而與富勒烯骨架鍵結。X及Y表示碳原子數6至60之芳基、碳原子數1至20之烷基、或其它化學基(例如：碳原子數3至20之烷氧羰基烷基)。n表示1或2。
具體例可列舉如：X為無取代之芳基，Y為丁酸甲酯的化合物(PCBM)等。
PCBM衍生物：
此處，n表示1至20之整數。
ThCBM衍生物：
此處，Cn表示富勒烯骨架(以C60 富勒烯骨架、C70 富勒烯骨架為佳)。
普拉托衍生物：
此處，A為與-C(R4 R5 )-N(R3 )-C(R1 R2 )-鍵結之富勒烯骨架(以C60 富勒烯骨架、C70 富勒烯骨架為佳)；R1 為可經取代之碳原子數6至60之芳基或碳原子數7至60之芳烷基；R2 、R3 、R4 以及R5 各自獨立為可經取代之碳原子數1至20之烷基、可經取代之碳原子數3至60之環烷基、可經取代之碳原子數1至20之雜烷基、可經取代之碳原子數2至60之雜環烷基、可經取代之碳原子數1至20之烯基、可經取代之碳原子數7至60之芳烷基；n為1至40。
其中，以下述式為佳。
此處，Cn表示富勒烯骨架(以C60 富勒烯骨架、C70 富勒烯骨架為佳)。
賓格衍生物
此處，Cn表示富勒烯骨架(以C60 富勒烯骨架、C70 富勒烯骨架為佳)；z為1至40；X為碳原子數1至20之酯、腈、硝基、氰基、碳原子數1至20之酮、碳原子數2至20之二烷基磷酸酯、(經取代之)吡啶、C-≡-C-R(別名乙炔)等拉電子基(EWG：electron withdrawing group)；R為Si-(R)3、或三取代矽烷基(相同或相異)；Y為H、碳原子數6至60之芳基、碳原子數6至60之經取代之芳基、碳原子數1至20之烷基、碳原子數1至20之經取代之烷基。
氮雜類富勒烯衍生物：
此處，Cn表示富勒烯骨架(以C60 富勒烯骨架、C70 富勒烯骨架為佳)；x為1至40；R為碳原子數1至20之烷基、碳原子數1至20之經取代之烷基、碳原子數6至60之芳基、碳原子數6至60之經取代之芳基、SO2 -R’。R’為碳原子數1至20之烷基、碳原子數之芳基、碳原子數6至60之經取代之芳基。
二唑啉衍生物：
此處，Cn表示富勒烯骨架(以C60 富勒烯骨架、C70 富勒烯骨架為佳)；R及R’各自獨立為碳原子數6至60之芳基；x為1至40。
酮內醯胺衍生物：
此處，R為烷基或取代烷基；n為1至40。
狄耳士-阿德爾衍生物：
此處，X為1至40；Cn表示富勒烯骨架(以C60 富勒烯骨架、C70 富勒烯骨架為佳)；R1 為H、碳原子數1至20之烷基、碳原子數1至20之烷氧基、碳原子數6至60之芳基、碳原子數1至20之經取代之烷基、碳原子數6至60之經取代之芳基、碳原子數6至60之雜芳基、或碳原子數6至60之經取代之雜芳基；R2 為H、碳原子數1至20之烷基、碳原子數1至20之烷氧基、碳原子數6至60之芳基、碳原子數1至20之經取代之烷基、碳原子數6至60之經取代之芳基、碳原子數6至60之雜芳基、或碳原子數6至60之經取代之雜芳基；X為O、碳原子數1至20之烷基、碳原子數1至20之經取代之烷基、碳原子數6至60之芳基、碳原子數6至60之經取代之芳基、碳原子數5至60之雜芳基、或碳原子數5至60之經取代之雜芳基；Y表示碳原子數6至60之芳基、碳原子數6至60之經取代之芳基、碳原子數5至60之雜芳基、或碳原子數5至60之經取代之雜芳基、伸乙烯基(vinylene)、或碳原子數2至20之經取代之伸乙烯基。
此處，X為1至40；Cn表示富勒烯骨架(以C60 富勒烯骨架、C70 富勒烯骨架為佳)；R1 為H、碳原子數1至20之烷基、碳原子數1至20之烷氧基、碳原子數6至60之芳基、碳原子數1至20之經取代之烷基、碳原子數6至60之經取代之芳基、碳原子數5至60之雜芳基、或碳原子數5至60之經取代之雜芳基；R2 為H、碳原子數1至20之烷基、碳原子數1至20之烷氧基、碳原子數6至60之芳基、碳原子數1至20之經取代之烷基、碳原子數6至60之經取代之芳基、碳原子數5至60之雜芳基、或碳原子數5至60之經取代之雜芳基；Y表示碳原子數6至60之芳基、碳原子數6至60之經取代之芳基、碳原子數5至60之雜芳基、或碳原子數5至60之經取代之雜芳基、伸乙烯基、或碳原子數2至20之經取代之伸乙烯基。
具體上可列舉如下列示者。
其次，對本發明中使用之高分子發光體進行說明。本發明中使用之高分子發光體具有選自無取代或經取代之茀二基、及無取代或經取代之苯并茀二基所成組群之1種以上的二基作為重複單元。
無取代或經取代之茀二基的重複單元係如下述式(1)所示。
(式(1)中，R1 、R2 、R3 、R4 、R5 、R6 、R7 以及R8 各自獨立表示氫原子、烷基、烷氧基、芳基或1價之芳香族雜環基，該等基中所含的氫原子可經氟原子取代。)
無取代或經取代之苯并茀二基的重複單元係如下述式(2)所示。
(式(2)中，R9 、R10 、R11 、R12 、R13 、R14 、R15 、R16 、R17 以及R18 各自獨立表示氫原子、烷基、烷氧基、芳基或1價之芳香族雜環基，該等基中所含的氫原子可經氟原子取代。)
式(1)、(2)中，R1 至R18 所示之烷基可為直鏈狀或分支狀，亦可為環烷基。烷基之碳原子數一般為1至20左右。
烷基之例可列舉如：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第三丁基、第二丁基、3-甲基丁基、正戊基、正己基、2-乙基己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基、3,7-二甲基辛基、正十二烷基(n-lauryl)等。烷基中之氫原子可經氟原子取代。經氟原子取代之烷基，可列舉例如：三氟甲基、五氟乙基、全氟丁基、全氟己基、全氟辛基等。
式(1)、(2)中，R1 至R18 所示之烷氧基可為直鏈狀或分支狀，亦可為環烷氧基。烷氧基之碳原子數一般為1至20左右。烷氧基之例可列舉如：甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、第二丁氧基、第三丁氧基、正戊氧基、正己氧基、環己氧基、正庚氧基、正辛氧基、2-乙基己氧基、正壬氧基、正癸氧基、3,7-二甲基辛氧基、正十二烷氧基(n-lauryloxy)等。烷氧基中之氫原子可經氟原子取代。經氟原子取代之烷氧基，可列舉例如：三氟甲氧基、五氟乙氧基、全氟丁氧基、全氟己基、全氟辛基等。
式(1)、(2)中，R1 至R18 所示之芳基係從芳香族烴去除1個氫原子後而得之原子團。芳基亦包含：具有縮合環者、由2個以上獨立之苯環或縮合環直接或介由伸乙烯基等基進行鍵結者。芳基之碳原子數一般為6至60左右，以6至48為佳。芳基可具有取代基。取代基可列舉如：碳原子數1至20之直鏈狀、分支狀的烷基或碳原子數1至20之環烷基；在構造中含有碳原子數1至20之直鏈狀、分支狀的烷基或碳原子數1至20之環烷基的烷氧基；下述式(3)所示之基；下述式(4)所示之基。芳基之例可列舉如：苯基、C1 至C12 烷氧基苯基(C1 至C12 表示碳原子數1至12者，以下亦同)、C1 至C12 烷基苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、五氟苯基等，以C1 至C12 烷氧基苯基、C1 至C12 烷基苯基為佳。C1 至C12 烷氧基苯基在具體上可列舉如：甲氧基苯基、乙氧基苯基、正丙氧基苯基、異丙氧基苯基、正丁氧基苯基、異丁氧基苯基、第二丁氧基苯基、第三丁氧基苯基、正戊氧基苯基、正己氧基苯基、環己氧基苯基、正庚氧基苯基、正辛氧基苯基、2-乙基己氧基苯基、正壬氧基苯基、正癸氧基苯基、3,7-二甲基辛氧基苯基、正十二烷氧基苯基等。C1 至C12 烷基苯基在具體上可列舉如：甲基苯基、乙基苯基、二甲基苯基、正丙基苯基、1,3,5-三甲基苯基(mesityl)、甲基乙基苯基、異丙基苯基、正丁基苯基、異丁基苯基、第二丁基苯基、第三丁基苯基、正戊基苯基、異戊基苯基、己基苯基、正庚基苯基、正辛基苯基、正壬基苯基、正癸基苯基、正十二烷基苯基等。芳基中之氫原子可經氟原子取代。
(式(3)中，g表示1至6之整數；h表示0至5之整數。)
[式中，Ar2 及Ar3 各自獨立表示伸芳基(arylene)、或是由2個以上相同或相異之伸芳基以單鍵鍵結而成之2價基。Ar4 、Ar5 、Ar6 及Ar7 各自獨立表示芳基或1價之芳香族雜環基。從Ar3 、Ar6 及Ar7 所示之基中選出的基，係可與跟該基鍵結在同一個氮原子上的從Ar2 、Ar3 、Ar4 、Ar5 、Ar6 及Ar7 所示基中選出之基，互相以單鍵或以-O-、-S-、-C(=O)-、-C(=O)-O-、-N(R19 )-、-C(=O)-N(R19 )-或-C(R19 )(R19 )-鍵結而形成5至7員環。R19 表示氫原子、烷基、芳基或1價之芳香族雜環基。Ar2 、Ar3 、Ar4 、Ar5 、Ar6 、Ar7 及R19 所示之基各自可經烷基、烷氧基、烷硫基、經取代之羰基、經取代之羧基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、1價之芳香族雜環基、氟原子或氰基所取代。K及kk各自獨立地為0至3之整數，惟K及kk之至少一方為1至3之整數。Ar2 、Ar3 、Ar4 、Ar5 、Ar6 、Ar7 及R19 中有複數個存在者可為相同或相異。]
式(1)、(2)、(4)中之1價的芳香族雜環基，其碳原子數一般為3至60左右，以3至20為佳。碳原子數中不含取代基之碳原子數。1價之芳香族雜環基可列舉如：2-二唑基、2-噻二唑基、2-噻唑基、2-唑基、2-噻吩基、2-吡咯基、2-呋喃基、2-吡啶基、3-吡啶基、4-吡啶基、2-吡基、2-嘧啶基、2-三基、3-嗒基、喹啉基、異喹啉基、2-咔唑基、3-咔唑基、2-啡基(2-phenoxazinyl)、3-啡基、2-啡噻基(2-phenothiazinyl)、3-啡噻基等。
R1 至R19 所示之芳基可具有取代基，從EL發光之色純度的觀點，特別是從提升藍色之色純度的觀點來看，芳基係以具有式(4)所示之取代基者為佳。
芳基具有式(4)所示之取代基時，該芳基可與從式(4)中之Ar2 、Ar3 、Ar4 、Ar5 所示之基選出的基互相以單鍵或以-O-、-S-、-C(=O)-、-C(=O)-O-、-N(R19 )-、一C(=O)-N(R19 )-或-C(R19 )(R19 )-鍵結而形成5至7員環。
具有式(4)所示之取代基的芳基之例可列舉如：以下之式所示者；以及該等經選自烷基、烷氧基、烷硫基、經取代之羰基、經取代之羧基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、1價之芳香族雜環基、氟原子以及氰基所成組群之基所取代者。
(式中，自芳香環伸出之結合鍵係直接表示結合鍵、或表示介由伸芳基之結合鍵。)
從對有機溶媒之溶解性的觀點來看，式(1)、(2)中之R1 、R2 、R9 以及R10 係以烷基、烷氧基或芳基為佳，以烷基或芳基為更佳。
式(1)所示之二基可列舉例如以下之二基。
式(2)所示之二基可列舉例如下述之二基。
本發明所使用之高分子發光體可為均聚物(homopolymer)或共聚物。
本發明所使用之高分子發光體的數量平均分子量，從膜形成能力、對溶劑的溶解性之觀點來看，以聚苯乙烯換算係103 至108 左右為佳，以聚苯乙烯換算係103 至106 左右更佳。發明所使用之高分子發光體的重量平均分子量，以聚苯乙烯換算係103 至108 左右為佳，以聚苯乙烯換算係103 至106 左右更佳。
本發明之高分子發光體中的無取代或經取代之茀二基以及無取代或經取代之苯并茀二基的總量，相對於該高分子發光體所具有之總重複單元的量，一般為10mol%以上，以20mol%以上為佳。
本發明所使用之高分子發光體可為共軛系高分子，亦可為非共軛系高分子，以屬於共軛系高分子者為佳。
共軛系高分子係意指：(1)由雙鍵與單鍵交互排列之構造而實質地構成的高分子、(2)由雙鍵與單鍵介由氮原子排列之構造而實質地構成的高分子、(3)由雙鍵與單鍵交互排列之構造以及由雙鍵與單鍵介由氮原子排列之構造而實質地構成的高分子等，本說明書中，具體上係指至少具有選自無取代或經取代之茀二基及無取代或經取代之苯并茀二基所成組群中之1種以上的二基作為重複單元，並且該重複單元彼此直接或介由連結基鍵結而成的高分子。共軛系高分子除了具有選自無取代或經取代之茀二基及無取代或經取代之苯并茀二基所成組群中之1種以上之外，亦可具有選自二苯并呋喃二基(dibenzofuran-diyl)、無取代或經取代之二苯并噻吩二基、無取代或經取代之咔唑二基、無取代或經取代之噻吩二基、無取代或經取代之呋喃二基、無取代或經取代之吡咯二基、無取代或經取代之苯并噻二唑二基、無取代或經取代之伸苯基伸乙烯基二基、無取代或經取代之伸噻吩基伸乙烯基二基、以及無取代或經取代之三苯基胺二基(triphenylamine-diyl)、啡二基(phenoxazine-diyl)、啡噻二基(phenothiazine-diyl)所成組群中之一種或2種以上作為重複單元，並且，亦可為除了上述無取代或經取代之茀二基及無取代或經取代之苯并茀二基以外，由該等重複單元彼此直接或介由連結基鍵結而成的高分子。
在共軛系高分子中，上述重複單元彼此係介由連結基而鍵結時，該連結基之例可列舉如：伸苯基、伸聯苯基(biphenylene)、萘二基、蒽二基等。
共軛系高分子之數量平均分子量，從膜形成能力、對溶劑的溶解性之觀點來看，以聚苯乙烯換算係103 至108 左右為佳，以聚苯乙烯換算係103 至106 左右更佳。上述共軛系高分子之重量平均分子量，以聚苯乙烯換算係103 至1×108 為佳，以聚苯乙烯換算係1×103 至1×106 更佳。
關於構成共軛系高分子之無取代或經取代之茀二基與無取代或經取代之苯并茀二基的總分子量在共軛系高分子中之比例，如共軛系高分子之分子量為1時，一般為0.3以上，以0.5以上為佳。
共軛系高分子係在合成具有適於所使用之聚合反應的官能基之單體後，可因應必要而溶解於有機溶媒中，例如可藉由使用鹼或適當的觸媒、配位基之習知的芳基偶合(aryl coupling)等之聚合方法進行聚合而合成。
經由芳基偶合而進行之聚合方法並無特別限定。可列舉如下方法：將具有硼酸基或硼酸酯基作為適於上述聚合反應之官能基的單體，與具有溴原子、碘原子、氯原子等鹵原子或三氟甲磺酸酯基、對甲苯磺酸酯基等磺酸酯基作為官能基之單體，在碳酸鈉、碳酸鉀、碳酸銫、磷酸三鉀、氟化鉀等無機鹼，氟化四丁基銨、氯化四丁基銨、溴化四丁基銨、氫氧化四丁基銨等有機鹼之存在下，使用由[肆(三苯基膦)]鈀、[參(二亞苄基丙酮)]二鈀、乙酸鈀、雙(三苯基膦)二氯化鈀、雙(環辛二烯)鎳等Pd或Ni錯合物，與因應必要之三苯基膦、三(2-甲基苯基)膦、三(2-甲氧基苯基)膦、二苯基膦基丙烷、三(環己基)膦、三(第三丁基)膦等配位基所構成之觸媒的經由Suzuki偶合反應而進行聚合之方法；將具有鹵原子或三氟甲磺酸酯基等磺酸酯基之單體彼此，使用由雙(環辛二烯)鎳等鎳0價錯合物與聯吡啶(bipyridine)等配位基所構成的觸媒、或是使用由[雙(二苯基膦基)乙烷]二氯化鎳、[雙(二苯基膦基)丙烷]二氯化鎳等Ni錯合物與因應必要之三苯基膦、二苯基膦基丙烷、三(環己基)膦、三(第三丁基)膦等配位基所構成之觸媒與鋅、鎂等還原劑，並因應必要在脫水條件下使其反應之經由Yamamoto偶合反應而進行聚合之方法；將具有鹵化鎂基之化合物與具有鹵原子之化合物，使用[雙(二苯基膦基)乙烷]二氯化鎳、[雙(二苯基膦基)丙烷]二氯化鎳等Ni觸媒，在脫水條件下使其反應之以芳基偶合反應而聚合的經由Kumada-Tamao偶合反應而進行聚合之方法；將氫原子作為官能基並經FeCl3 等氧化劑聚合的方法；以及以電化學之方式進行氧化聚合的方法等。
反應溶媒係考量所使用之聚合反應、單體及聚合物之溶解性等而選擇。具體係例示如：四氫呋喃、甲苯、1,4-二烷、二甲氧基乙烷、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、該等2種以上之混合溶媒等的有機溶媒、或該等與水之二相系。
Suzuki偶合反應中，係以四氫呋喃、甲苯、1,4-二烷、二甲氧基乙烷、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、該等2種以上之混合溶媒等的有機溶媒、或該等與水之二相系為佳。反應溶媒一般為了抑制副反應而以經進行脫氧處理者為佳。
Yamamoto偶合反應中，係以四氫呋喃、甲苯、1,4-二烷、二甲氧基乙烷、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、該等2種以上之混合溶媒等的有機溶媒為佳。反應溶媒一般為了抑制副反應而以經進行脫氧處理者為佳。
即使在上述芳基偶合反應之中，從反應性之觀點來看，亦以Suzuki偶合反應、Yamamoto偶合反應為佳，以Suzuki偶合反應與使用鎳0價錯合物之Yamamoto偶合反應更佳。關於經由Suzuki偶合而進行之聚合，更詳細而言，可參考例如：Journal of Polymer Science：Part A：Polymer Chemistry,Vol. 39,1533-1556(2001)所記載之習知方法。關於經由Yamamoto偶合而進行之聚合，可參考例如：Macromolecules 1992,25,1214-1223所記載之習知方法。
該等反應中之反應溫度，只要是反應溶液仍保持液狀之溫度範圍，則無特別限定，惟其下限，從反應性之觀點來看，係以-100℃為佳，以-20℃更佳，以0℃為特佳；而其上限，從上述共軛系高分子及上述式(1)或式(2)所示化合物之安定性的觀點來看，係以200℃為佳，以150℃更佳，以120℃為特佳。
上述共軛系高分子之取出可依據習知方法而進行。例如：在甲醇等低級醇中添加反應溶液，藉由將所析出之沉澱進行過濾、乾燥，即可得到上述共軛系高分子。所得共軛系高分子為低純度時，可用再結晶、經索式萃取器(Soxhlet extractor)之連續萃取、管柱層析等一般方法進行精製。
本發明之高分子發光體組成物，除了含有上述高分子發光體與富勒烯及/或富勒烯衍生物之外，亦可再含有溶媒或分散媒。亦即，本發明之高分子發光體組成物，亦可為將上述高分子發光體與富勒烯及/或富勒烯衍生物溶解於溶媒中或分散於分散媒中而成之液體狀組成物。
上述溶媒可從習知溶媒中適當地選用可均勻地溶解或分散上述高分子發光體及富勒烯及/或富勒烯衍生物之安定溶媒。如此之溶媒可列舉如：醇類(甲醇、乙醇、異丙醇等)、酮類(丙酮、甲基乙基酮等)、有機氯類(氯仿、1,2-二氯乙烷等)、芳香族烴類(苯、甲苯、二甲苯等)、脂肪族烴類(正己烷、環己烷等)、醯胺類(二甲基甲醯胺等)、亞碸類(二甲基亞碸等)等。該等溶媒可單獨使用，亦可將二種以上併用。
發光層中的富勒烯及/或富勒烯衍生物之含量係在將上述高分子發光體作為100重量份時，一般為0.001至10重量份，以0.001至5重量份為佳，以0.01至1重量份更佳，尤以0.05至1重量份為特佳。
當本發明之高分子發光體組成物含有溶媒時，相對於上述高分子發光體與富勒烯及/或富勒烯衍生物之總量100重量份，高分子發光體組成物中之溶媒量一般為1000至100000重量份左右。
本發明之高分子發光體組成物中，在無損及電荷輸送性、電荷注入性之範圍內，除了上述高分子發光體、富勒烯及/或富勒烯衍生物，亦可含有其它之成分。有機EL元件中，高分子發光體與富勒烯及/或富勒烯衍生物之總量，相對於發光層100重量份，一般為30重量份以上，以50重量份以上為佳，以70重量份以上更佳。
本發明之有機EL元件係如前述，具備一對電極與設於該電極間之發光層，而該發光層含有：具有選自無取代或經取代之茀二基及無取代或經取代之苯并茀二基所成組群之1種以上的二基作為重複單元之高分子發光體、與富勒烯及/或富勒烯衍生物。
有機EL元件中，在電極間除了發光層之外，亦可具備所預定之層，並且，亦可具備2層以上之發光層。
本實施型態之有機EL元件係具有陽極、陰極、在陽極與陰極間所配置之發光層作為必要的構成要件，且亦可在陽極與發光層之間、及/或發光層與陰極之間具有與發光層相異之其它層。在陽極與陰極之間，不僅限於一層的發光層，可配置複數之發光層。
設置在陰極與發光層之間的層可列舉如：電子注入層、電子輸送層、電洞阻擋層等。在陰極與發光層之間設有電子注入層與電子輸送層雙方之層時，陰極所相接之層稱為電子注入層，而去除該電子注入層之層則稱為電子輸送層。
電子注入層係具有改善來自陰極之電子的注入效率之機能。電子輸送層係具有改善來自陰極側之表面所相接之層的電子注入之機能。電洞阻擋層係具有阻擋電洞輸送之機能。另外，當電子注入層及/或電子輸送層具有阻擋電洞輸送之機能時，該等之層可兼作為電洞阻擋層。
關於電洞阻擋層具有阻擋電洞輸送之機能一事，例如可藉由製作僅有霍爾電流(Hall current)流動之元件並以其電流值的減少而確認阻擋效果。
設置在陽極與發光層之間的層可列舉如：電洞注入層、電洞輸送層、電子阻擋層等。在陽極與發光層之間設有電洞注入層與電洞輸送層雙方之層時，陽極所相接之層稱為電洞注入層，而去除該電洞注入層之層則稱為電洞輸送層。
電洞注入層係具有改善來自陽極之電洞的注入效率之機能。電洞輸送層係具有改善來自陽極側之表面所相接之層的電洞注入之機能。電子阻擋層係具有阻擋電子輸送之機能。另外，當電洞注入層及/或電洞輸送層具有阻擋電子輸送之機能時，該等之層可兼作為電子阻擋層。
關於電子阻擋層具有阻擋電子輸送之機能一事，例如可藉由製作僅有電子電流流動之元件並以其電流值的減少而確認阻擋效果。
電子注入層以及電洞注入層有總稱為電荷注入層的情形，電子輸送層以及電洞輸送層有總稱為電荷輸送層的情形。
以下係呈示本實施型態之有機EL元件所採用之層構造之一例。
a)陽極/發光層/陰極
b)陽極/電洞注入層/發光層/陰極
c)陽極/電洞注入層/發光層/電子注入層/陰極
d)陽極/電洞注入層/發光層/電子輸送層/陰極
e)陽極/電洞注入層/發光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
f)陽極/電洞輸送層/發光層/陰極
g)陽極/電洞輸送層/發光層/電子注入層/陰極
h)陽極/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/陰極
i)陽極/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
j)陽極/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/陰極
k)陽極/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/電子注入層/陰極
l)陽極/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/陰極
m)陽極/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
n)陽極/發光層/電子注入層/陰極
o)陽極/發光層/電子輸送層/陰極
p)陽極/發光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(此處，記號「/」表示夾著記號「/」之各層係相接而層積，以下亦同。)
本實施型態之有機EL元件可具有2層以上的發光層。在上述a)至p)之層構造之任一者中，以經陽極與陰極所夾持之積層體作為「構造單元A」時，具有2層發光層之有機EL元件的構造可列舉如下述q)所示之層構造。又，有2個(構造單元A)之層構造可互同或互異。
q)陽極/(構造單元A)/電荷產生層/(構造單元A)/陰極
以「(構造單元A)/電荷產生層」作為「構造單元B」時，具有3層以上發光層之有機EL元件的構造可列舉如下述r)所示之層構造。
r)陽極/(構造單元B)x/(構造單元A)/陰極
又，記號「x」表示2以上之整數，(構造單元B)x表示構造單元B經x段層積之積層體。有複數個(構造單元B)之層構造可互同或互異。
有機EL元件通常可藉由將構成上述有機EL元件之各層依序以預定的方法層積在支撐基板上而製得，例如可在上述a)至r)的構造中，由右側至左側、或由左側至右側依序將各層層積在支撐基板上而製得。
＜陽極＞
當為從發光層所發射之光通過陽極而射出至元件外部的構造之有機EL元件時，陽極係使用呈現透光性之電極。呈現透光性之電極可使用金屬氧化物、金屬硫化物以及金屬等之薄膜，以導電度以及透光率高者為適用。具體上係使用由氧化銦、氧化鋅、氧化錫、ITO、氧化銦鋅(Indium Zinc Oxide：簡稱IZO)、金、鉑、銀以及銅等所構成之薄膜，該等之中，亦以由ITO、IZO、或氧化錫所構成之薄膜為適用。陽極之製作方法可列舉如：真空蒸鍍法、濺鍍法、離子蒸鍍法(ion plating)、鍍覆法等。陽極可使用聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物等之有機透明導電膜。
陽極之膜厚係考量所要求之特性以及步驟的難易度等而適當地設定，例如為10nm至10μm，以20nm至1μm為佳，以50nm至500nm更佳。
＜陰極＞
陰極之材料係以功函數小、容易對發光層注入電子且導電度高之材料為佳。在從陽極側取出光之構造的有機EL元件中，為了使發光層所發射之光因陰極而反射至陽極側，陰極之材料係以可見光反射率高的材料為佳。陰極可使用例如：鹼金屬、鹼土金屬、過渡金屬以及週期表第13族金屬等。陰極之材料可使用例如：鋰、鈉、鉀、銣、銫、鈹、鎂、鈣、鍶、鋇、鋁、鈧、釩、鋅、釔、銦、鈰、釤、銪、鋱、鐿等金屬；上述金屬中之2種以上的合金；上述金屬中之1種以上與金、銀、鉑、銅、錳、鈦、鈷、鎳、鎢、錫中之1種以上的合金；或是石墨或石墨層間化合物等。合金之例可列舉如：鎂-銀合金、鎂-銦合金、鎂-鋁合金、銦-銀合金、鋰-鋁合金、鋰-鎂合金、鋰-銦合金、鈣-鋁合金等。陰極可使用由導電性金屬氧化物以及導電性有機物等所構成之透明導電性電極。具體而言，導電性金屬氧化物可列舉如：氧化銦、氧化鋅、氧化錫、ITO以及IZO，導電性有機物可列舉如：聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物等。另外，陰極可由層積2層以上之積層體所構成。又，電子注入層亦有作為陰極使用的情形。
陰極之膜厚係考量所要求之特性以及步驟的難易度等而適當地設定，例如為10nm至10μm，以20nm至1μm為佳，以50nm至500nm更佳。
陰極之製作方法可列舉如：真空蒸鍍法、濺鍍法、或將金屬薄膜進行熱壓接合之層壓法等。
＜發光層＞
發光層宜藉由塗佈法而形成。塗佈法係因可簡化製程之特點、生產性優異之特點而為佳。塗佈法可列舉如：澆鑄法(casting method)、旋轉塗佈法、棒塗法、刮刀塗佈法、輥塗法、凹版印刷、網版印刷、噴墨法等。使用上述塗佈法而形成發光層時，首先調製含有上述高分子發光體與富勒烯及/或富勒烯衍生物與溶媒之溶液型態的組成物作為塗佈液，將該塗佈液依上述所預定之塗佈法而塗佈在所期望之層或電極上，再將此進行乾燥，藉此而形成所期待之膜厚的發光層。
＜其它之層＞
電洞注入層、電洞輸送層、電子注入層以及電子輸送層等之材料並無特別限制，可依塗佈法、真空蒸鍍法、濺鍍法以及層壓法等預定之成膜方法形成。
以上所說明之有機EL元件可適用在曲面狀或平面狀之照明裝置，例如作為掃描器之光源使用的面狀光源、以及顯示裝置等的發光裝置。
具備有機EL元件之顯示裝置可列舉如：節段(segment)顯示裝置、點矩陣(dot matrix)顯示裝置等。點矩陣顯示裝置係有主動矩陣顯示裝置以及被動矩陣顯示裝置等。有機EL元件在主動矩陣顯示裝置、被動矩陣顯示裝置中，可作為構成各像素之發光元件使用。有機EL元件在節段顯示裝置中，可作為構成各節段之發光元件或背光(backlight)使用，在液晶顯示裝置中，可作為背光使用。
[實施例]
以下，為了更詳加說明本發明而呈示實施例，惟本發明並不受該等所限定。
－分子量之測定方法－
實施例中，數量平均分子量(Mn)以及重量平均分子量(Mw)係經由凝膠滲透層析儀(gel permeation chromatography,GPC)換算聚苯乙烯而求得者。具體上，係經由GPC(東曹公司製造；商品名稱：HLC-8220GPC)，使用3支TSKgel SuperHM-H(東曹公司製造)串聯之管柱，將作為展開溶劑之四氫呋喃以0.5ml/分鐘之流速流動，在40℃下測定。檢測器係使用示差折射率檢測器。
＜合成例1＞(高分子化合物1之合成)
在500ml之四口燒瓶中，量取氯化三辛基甲基銨(Triscaprylylmethylammoniumchloride；商品名稱：Aliquat336)1.72g、下述式所示之化合物A 6.2171g、
下述式所示之化合物B 0.5085g、
下述式所示之化合物C 6.2225g、
以及下述式所示之化合物D 0.5487g，
，並以氮氣置換。加入甲苯100ml，再添加雙(三苯基膦)二氯化鈀(II)7.6mg、碳酸鈉水溶液24ml，在回流下攪拌3小時後，添加苯基硼酸0.40g，攪拌一整夜。添加N,N-二乙二硫胺甲酸鈉(sodium N,N-diethyldithiocarbamate)水溶液，再於回流下攪拌3小時。將所得反應液進行分液，將有機相以乙酸水溶液及水清洗後，將其滴入甲醇中而產生沉澱。將所得沉澱經過濾、減壓乾燥後，溶解於甲苯中，通過矽膠(silica gel)-氧化鋁(alumina)管柱後，以甲苯清洗。將所得甲苯溶液滴入甲醇中而產生沉澱。將所得沉澱經過濾、減壓乾燥後，溶解於甲苯中，滴入甲醇中而產生沉澱。將所得沉澱過濾、減壓乾燥後，得到7.72g之高分子化合物1(共軛系高分子)。高分子化合物1之聚苯乙烯換算之數量平均分子量Mn為1.2×105 ，聚苯乙烯換算之重量平均分子量Mw為2.9×105 。
＜合成例2＞(高分子化合物2之合成)
在5L之可分離式燒瓶(separable flask)中，量取氯化三辛基甲基銨(Triscaprylylmethylammoniumchloride；商品名稱：Aliquat336)40.18g、下述式所示之化合物A 234.06g、
下述式所示之化合物E 172.06g、
以及下述式所示之化合物F 28.5528g，
，並以氮氣置換。加入經氬氣冒泡之甲苯2620g，一邊攪拌一邊再冒泡30分鐘。添加乙酸鈀99.1mg、參(鄰甲苯基)膦937.0mg，以158g甲苯沖洗，加熱至95℃。於其中滴入17.5重量%碳酸鈉水溶液855g後，將浴溫升至110℃，攪拌9.5小時後，將苯基硼酸5.39g溶解在甲苯96ml中而添加，攪拌14小時。再加入200ml之甲苯，將所得反應液進行分液，並將有機相經添加3重量%乙酸水溶液850ml 2次，再添加850ml之水與N,N-二乙二硫胺甲酸鈉19.89g，攪拌4小時。分液後，通過矽膠-氧化鋁管柱，以甲苯清洗。將所得甲苯溶液滴入甲醇50L中而產生沉澱。將所得沉澱以甲醇清洗。減壓乾燥後，使其溶解於11L之甲苯中，並將所得甲苯溶液滴入甲醇50L中而產生沉澱。將所得沉澱過濾、減壓乾燥後，得到278.39g之高分子化合物2。高分子化合物2之聚苯乙烯換算之數量平均分子量Mn為7.7×104 ，聚苯乙烯換算之重量平均分子量Mw為3.8×105 。
上述化合物A至F可依例如WO2005/52027所記載之方法進行合成。
對於下述單體化合物M1、M3以及下述所示合成例3之高分子化合物P9，可依日本特開2009-149850號公報所記載之方法進行合成。
＜合成例3＞(高分子化合物P9之合成)
將2,7-雙(1,3,2-二氧雜硼烷-2-基)-9,9-二辛基茀(2,7-bis(1,3,2-dioxaborolan-2-yl)-9,9-dioctylfluor ene(1.0675g；2.012mmol)、2,7-二溴-9,9-二辛基茀(0.8873g；1.618mmol)、化合物M1(0.3782g、0.263mmol)、化合物M3(0.1622g；0.101mmol)、N-(4-正丁基苯基)-3,7-二溴啡(化合物D)(0.0191g；0.040mmol)以及氯化三辛基甲基胺(Aldrich公司製造；商品名稱：Aliquat 336)(0.26g；0.65mmol)在氬氣環境下，使其溶解於甲苯(20ml)中。將氬氣在溶液中冒泡後，升溫至80℃後，添加雙(三苯基膦)二氯化鈀(2.8mg；4.0μmol)以及17.5重量%碳酸鈉水溶液(5.5m1；9.1mmol)，在回流下反應7小時。一經冷卻後，添加苯基硼酸(0.02g；0.2mmol)以及雙(三苯基膦)二氯化鈀(1.4mg；2.0μmol)，再於回流下反應2小時。添加甲苯(20ml)並稀釋後，除去水層，添加9重量%之N,N-二乙二硫胺甲酸鈉水溶液(12ml)，在90℃下攪拌2小時後，將有機層依序以離子交換水(26ml)清洗2次、以3重量%乙酸水溶液(26ml)清洗2次、以離子交換水(26ml)清洗2次，接著，滴入甲醇(300ml)中，攪拌30分鐘後，濾取所析出之聚合物，並以甲醇(60ml)清洗，再進行減壓乾燥而得到粗聚合物。
將此粗聚合物溶解於甲苯(80ml)中，於充填有氧化鋁(14g)、矽膠(31g)之管柱中通液，再將甲苯(50ml)通液。將所得溶液滴入甲醇(300ml)中，攪拌30分鐘後，濾取所析出之聚合物，並以甲醇(60ml)清洗，再進行減壓乾燥而得到屬於聚合物之高分子化合物P9(1.38g；收率72%)。高分子化合物P9之聚苯乙烯換算之數量平均分子量Mn為1.2×105 ，聚苯乙烯換算之重量平均分子量Mw為3.3×105 ，玻璃轉換溫度為109℃，薄膜之螢光波峰波長為446nm以及462nm。
推測高分子化合物P9係饋入原料中以下述比例(莫耳比)含有下述重複單元者。
＜塗佈溶液A1之製作＞
將高分子化合物1以1.0重量%之濃度溶解於二甲苯中，然後，將該溶液以孔徑0.2μm之鐵氟龍(Teflon；註冊商標)濾器過濾，製成塗佈溶液A1。
＜塗佈溶液B之製作＞
將高分子化合物2以0.5重量%之濃度溶解於二甲苯中，然後，將該溶液以孔徑0.2μm之鐵氟龍(註冊商標)濾器過濾，製成塗佈溶液B。
＜塗佈溶液A2之製作＞
將高分子化合物1以1.0重量%之濃度溶解於二甲苯中，再使作為富勒烯衍生物之[6,6]-苯基C61 -丁酸甲酯(PCBM)(American Dye Source公司製造之ADS61BFB)溶解(高分子化合物1：PCBM=100：0.2(重量比))，然後，將該溶液以孔徑0.2μm之鐵氟龍(註冊商標)濾器過濾，製成塗佈溶液A2。
＜塗佈溶液A3之製作＞
將高分子化合物1以1.0重量%之濃度溶解於二甲苯中，再使作為富勒烯衍生物之[6,6]-苯基C61 -丁酸甲酯(PCBM)(American Dye Source公司製造之ADS61BFB)溶解(高分子化合物1：PCBM=100：0.1(重量比))，然後，將該溶液以孔徑0.2μm之鐵氟龍(註冊商標)濾器過濾，製成塗佈溶液A3。
＜塗佈溶液A4之製作＞
將高分子化合物1以1.0重量%之濃度溶解於二甲苯中，再使作為富勒烯衍生物之[6,6]-苯基C61 -丁酸甲酯(PCBM)(American Dye Source公司製造之ADS61BFB)溶解(高分子化合物1：PCBM=100：0.01(重量比))，然後，將該溶液以孔徑0.2μm之鐵氟龍(註冊商標)濾器過濾，製成塗佈溶液A4。
＜塗佈溶液A5之製作＞
將高分子化合物P9以1.0重量%之濃度溶解於二甲苯中，然後，將該溶液以孔徑0.2μm之鐵氟龍(註冊商標)濾器過濾，製成塗佈溶液A5。
＜塗佈溶液A6之製作＞
將高分子化合物P9以1.0重量%之濃度溶解於二甲苯中，再使作為富勒烯衍生物之[6,6]-苯基C61 -丁酸甲酯(PCBM)(American Dye Source公司製造之ADS61BFB)溶解(高分子化合物P9：PCBM=100：0.1(重量比))，然後，將該溶液以孔徑0.2μm之鐵氟龍(註冊商標)濾器過濾，製成塗佈溶液A6。
(有機EL元件之製作、評估) ＜實施例1＞
在依濺鍍法於表面形成作為陽極之ITO膜(膜厚：150nm)的玻璃基板上，將電洞注入層形成用溶液(Plextronics公司製造；商品名稱：HIL764)進行旋轉塗佈，再將此在大氣中於熱盤上以170℃乾燥15分鐘，藉此而形成電洞注入層(膜厚：50nm)。接著，於電洞注入層上將塗佈溶液B進行旋轉塗佈，在手套箱中，於氮氣環境下以180℃進行60分鐘之烘烤，藉此而形成電洞輸送層(膜厚：20nm)。進一步於電洞輸送層上將上述塗佈溶液A2進行旋轉塗佈而形成發光層。在發光層之形成中，調整該膜厚成為80nm。
然後，於氮氣環境下以130℃之熱盤進行10分鐘之烘烤，再將NaF以4nm之厚度進行蒸鍍，接著，將Al以100nm之厚度進行蒸鍍而形成陰極。
蒸鍍時之真空度係在1×10-4 Pa至9×10-3 Pa之範圍。元件之形狀為2mm×2mm之正四方形。將所得元件以初期亮度5000cd/m2 進行定電流驅動，而進行壽命試驗。測定初期亮度降低至4000cd/m2 (初期亮度之80%)為止的時間(將此稱為LT80)。測定亮度為100cd/m2 時之EL的發光色度，亦即測定在色度座標(C.I.E. 1931)上的座標值。將測定結果示於表1。
＜實施例2＞
除了使用塗佈溶液A3取代塗佈溶液A2之外，以與實施例1相同之方法製作有機EL元件，測定有機EL元件之LT80與色度。將測定結果示於表1。
＜實施例3＞
除了使用塗佈溶液A4取代塗佈溶液A2之外，以與實施例1相同之方法製作有機EL元件，測定有機EL元件之LT80與色度。將測定結果示於表1。
＜實施例4＞
除了使用塗佈溶液A6取代塗佈溶液A2之外，以與實施例1相同之方法製作有機EL元件，測定有機EL元件之LT80與色度。將測定結果示於表1。
＜比較例1＞
除了使用塗佈溶液A1取代塗佈溶液A2之外，以與實施例1相同之方法製作有機EL元件，測定有機EL元件之LT80與色度。將測定結果示於表1。
＜比較例2＞
除了使用塗佈溶液A5取代塗佈溶液A2之外，以與實施例1相同之方法製作有機EL元件，測定有機EL元件之LT80與色度。將測定結果示於表1。
由表1可知，相較於具備僅由高分子發光體所構成之發光層的有機EL元件，具備含有高分子發光體(高分子化合物1)與富勒烯及/或富勒烯衍生物之發光層的有機EL元件，係即使初期亮度相同，其LT80壽命亦顯著地提高。因而認定具備含有本發明之高分子發光體組成物的發光層之有機EL元件的元件壽命優異。藉由形成含有具有式(4)所示之取代基的高分子發光體之發光層，可得到色純度高之藍色發光的有機EL元件。
[產業上之可利用性]
如依本發明即可實現元件壽命提高之有機EL元件。

Claims (13)

  1. 一種有機電激發光元件，係具備由陽極及陰極所構成之一對電極、與設置於該電極間之發光層者，該發光層含有：具有選自無取代或經取代之茀二基及無取代或經取代之苯并茀二基所成組群之1種以上的二基作為重複單元之高分子發光體、與富勒烯及/或富勒烯衍生物；以上述高分子發光體作為100重量份時，發光層中之富勒烯及/或富勒烯衍生物的含量為0.001至5重量份。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機電激發光元件，其中，富勒烯衍生物為甲橋富勒烯(methanofullerene)衍生物、苯基丁酸甲酯衍生物、噻吩基丁酸甲酯衍生物、普拉托(Prato)衍生物、賓格(Bingel)衍生物、二唑啉(diazoline)衍生物、氮雜類富勒烯(azafulleroid)衍生物、酮內醯胺(ketolactam)衍生物、或狄耳士-阿德爾(Diels-Alder)衍生物。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之有機電激發光元件，其中，無取代或經取代之茀二基係式(1)所示之基： (式(1)中，R1 、R2 、R3 、R4 、R5 、R6 、R7 以及R8 各自獨立表示氫原子、烷基、烷氧基、芳基或1價之芳香族雜環基，該等基中所含的氫原子可經氟原子取代)。
  4. 如申請專利範圍第1或2項所述之有機電激發光元件，其中，無取代或經取代之苯并第二基係下述式(2)所示之基： (式(2)中，R9 、R10 、R11 、R12 、R13 、R14 、R15 、R16 、R17 以及R18 各自獨立表示氫原子、烷基、烷氧基、芳基或1價之芳香族雜環基，該等基中所含的氫原子可經氟原子取代)。
  5. 如申請專利範圍第1或2項所述之有機電激發光元件，其中，高分子發光體為共軛系高分子。
  6. 如申請專利範圍第1或2項所述之有機電激發光元件， 其中，以上述高分子發光體作為100重量份時，發光層中之富勒烯及/或富勒烯衍生物的含量為0.01至1重量份。
  7. 一種發光裝置，係具備如申請專利範圍第1至6項中任一項所述之有機電激發光元件者。
  8. 一種高分子發光體組成物，係含有：具有選自無取代或經取代之茀二基及無取代或經取代之苯并茀二基所成組群之1種以上的二基作為重複單元之高分子發光體、與富勒烯及/或富勒烯衍生物；以上述高分子發光體作為100重量份時，富勒烯及/或富勒烯衍生物的含量為0.001至5重量份。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之高分子發光體組成物，其中，富勒烯衍生物為甲橋富勒烯衍生物、苯基丁酸甲酯衍生物、噻吩基丁酸甲酯衍生物、普拉托衍生物、賓格衍生物、二唑啉衍生物、氮雜類富勒烯衍生物、酮內醯胺衍生物、或狄耳士-阿德爾衍生物。
  10. 如申請專利範圍第8或9項所述之高分子發光體組成物，其中，無取代或經取代之第二基係式(1)所示之基： (式(1)中，R1 、R2 、R3 、R4 、R5 、R6 、R7 以及R8 各自獨立表示氫原子、烷基、烷氧基、芳基或1價之芳香族雜環基，該等基中所含的氫原子可經氟原子取代)。
  11. 如申請專利範圍第8或9項所述之高分子發光體組成物，其中，無取代或經取代之苯并茀二基係下述式(2)所示之基： (式(2)中，R9 、R10 、R11 、R12 、R13 、R14 、R15 、R16 、R17 以及R18 各自獨立表示氫原子、烷基、烷氧基、芳基或1價之芳香族雜環基，該等基中所含的氫原子可經氟原子取代)。
  12. 如申請專利範圍第8或9項所述之高分子發光體組成物，其中，高分子發光體為共軛系高分子。
  13. 如申請專利範圍第8或9項所述之高分子發光體組成物，其中，以上述高分子發光體作為100重量份時，富勒烯及/或富勒烯衍生物的含量為0.01至1重量份。
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