TWI485596B - 觸控結構及其製造方法 - Google Patents

Description

觸控結構及其製造方法

本發明為一種觸控結構，提供一種具有降低觸控結構與液晶顯示裝置的厚度、增進觸控靈敏度、減少製造成本與提升模組製作良率之觸控結構及其製造方法。

在現今各式消費性電子產品的市場中，個人數位助理(PDA)、行動電話(mobile Phone)、筆記型電腦(notebook)及平板電腦(tablet PC)等可攜式電子產品皆已廣泛的使用觸控式結構(touch panel)作為其資料溝通的界面工具。此外，由於目前電子產品的設計皆以輕、薄、短、小為方向，因此在產品上無足夠空間容納如鍵盤、滑鼠等傳統輸入裝置，尤其在講求人性化設計的平板電腦需求的帶動下，觸控式結構已經一躍成為關鍵的零組件之一。而且觸控式結構除了符合可作多層次選單設計要求外，亦能同時擁有鍵盤、滑鼠等的功能及手寫輸入等人性化的操作方式，尤其將輸入與輸出整合在同一介面(螢幕)的特質，更是其他傳統輸入裝置所不及之處。現今更發展出一種觸控顯示裝置，為顯示裝置上設置一觸控結構，以讓觸控結構依據顯示裝置之顯示畫面提供可觸控區域，供使用者依據畫面顯示之觸控物件進行觸控操作。

傳統的投射電容式觸控面板的結構設計，通常採用G/F/F結 構(強化玻璃/薄膜/薄膜)，將上下部電極設置在2層基材之上，其上再設置強化玻璃保護基板(Cover Lens)，此種多層堆疊結構將導致觸控面板整體厚度的增加，並造成光學效果變差、影響觸控顯示裝置外觀的缺點。

鑑於先前技術所存在的問題，本發明提供了一種觸控結構及其製造方法，具有裝置薄型化、優越的觸控靈敏度、低製造成本與高模組製作良率等優點。

為達成上述之目的，本發明之一種觸控結構，其包含：第一偏光板具有下部電極，以及保護基板具有上部電極，保護基板設置於第一偏光板之上，上部電極與下部電極交錯設置。

為達成上述之目的，本發明之一種觸控結構，其中下部電極設置於第一偏光板之下表面。

為達成上述之目的，本發明之一種觸控結構，其中下部電極設置於第一偏光板之上表面。

為達成上述之目的，本發明之一種觸控結構，其中上部電極具有複數上感測跡線和複數上端子線路，其中複數上感測跡線和複數上端子線路相互連接。下部電極具有複數下感測跡線和複數下端子線路，其中複數下感測跡線和複數下端子線路相互連接。複數上感測跡線和複數下感測跡線交錯設置，複數上端子線路和複數下端子線路供連接至一控制晶片。

為達成上述之目的，本發明之一種觸控結構，更包括：顯示單元設置於第一偏光板之下，以及第二偏光板設置於顯示單元之下。

為達成上述之目的，本發明之一種觸控結構之製造 方法，其包含：提供第一偏光板，形成下部電極於第一偏光板。提供保護基板，形成上部電極於保護基板之下表面，以及黏貼第一偏光板和保護基板，且下部電極和上部電極交錯設置。

為達成上述之目的，本發明之一種觸控結構之製造方法，其包含：捲對捲提供第一偏光板，形成下部電極於第一偏光板，捲對捲提供保護基板，形成上部電極於該保護基板之下表面，以及黏貼第一偏光板和保護基板，使下部電極和上部電極交錯設置。

為達成上述之目的，本發明之一種觸控結構之製造方法，其中形成下部電極之方法包括：依序形成透明導電層和金屬層於第一偏光板。圖案化透明導電層和金屬層，形成具有金屬層於透明導電層上之複數下感測跡線和複數下端子線路，移除複數下感測跡線上之金屬層。

為達成上述之目的，本發明之一種觸控結構之製造方法，其中形成下部電極之方法包括：形成透明導電層於第一偏光板。圖案化透明導電層，形成複數下感測跡線和複數下端子線路，印刷金屬層於複數下端子線路之上。

為達成上述之目的，本發明之一種觸控結構之製造方法，更包括裁切第一偏光板和保護基板。

為達成上述之目的，本發明之一種觸控結構之製造方法，更包括：提供顯示單元，設置顯示單元於第一偏光板之下，以及提供第二偏光板，設置第二偏光板於顯示單元之下。

100,200,300,400‧‧‧保護基板

110,210,310,410‧‧‧第一偏光板

120,220,320,420‧‧‧第二偏光板

130,230,330,430‧‧‧上部電極

131,231,331,431‧‧‧複數上感測跡線

132,232,332,432‧‧‧複數上端子線路

140,240,340,440‧‧‧下部電極

141,241,341,441‧‧‧複數下感測跡線

142,242,341,441‧‧‧複數下端子線路

150,250,350,450‧‧‧顯示單元

160,260,360,460‧‧‧硬塗層

170,370‧‧‧黏著層

101,201,301,401‧‧‧金屬層

102,202,302,402‧‧‧透明導電層

第1a圖至第1b圖所示為本發明之一實施例之觸控結構之結構示意圖。

第2a圖至第2g圖所示為本發明之一實施例之觸控結構之製造方法示意圖。

第3a圖至第3b圖所示為本發明之一實施例之觸控結構之結構示意圖。

第4a圖至第4g圖所示為本發明之一實施例之觸控結構之製造方法示意圖。

請參閱第1a圖至第1b圖所示為本發明之一實施例之觸控結構之結構示意圖。首先，本發明之觸控結構包括：第一偏光板110之下表面具有下部電極140，其中第一偏光板110之主要結構例如可為PET保護膜、PSA感壓性黏著劑、TAC三醋酸纖維素、PVA聚乙烯醇與PET離型膜等，然並不以此為限。以及保護基板100之下表面具有上部電極130，其中保護基板100之材質例如可為聚酯類聚合物、聚碸類聚合物、玻璃、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯或聚醯亞胺，然並不以此為限。保護基板100之上表面更具有硬塗層160，其中硬塗層160之材質例如可為SiO2或樹脂聚合物，然並不以此為限。硬塗層160具有可抗刮性，可以保護觸控面板。保護基板100設置於第一偏光板110之上，藉由黏著層170使保護基板100和第一偏光板110相互黏貼，黏著層170之材質例如可為光學膠或水膠，然並不以此為限。接著使上部電極130與下部電極140交錯設置形成觸控結構，其中上部電極130具有複數上感測跡線131和複數上端子132線路相互連接，下部電極140具有複數下感測跡線141和複數下端子線路142相互連接，複數上端子線路132和複數下端子線路142供連接至一控制晶片(圖未示)。其中複數上感測跡線131可為沿第一方向陣列排 列，複數下感測跡線141可為沿第二方向陣列排列，然並不因此設限。再來，更包括具有顯示單元150設置於第一偏光板110之下，以及第二偏光板120設置於顯示單元150之下。其中顯示單元150例如可為液晶顯示器(liquid crystal display,LCD)、有機發光二極體顯示器(organic light emitting diode display,OLED display)、電泳顯示器(electrophoretic display,EPD)、等離子顯示器(Plasma Display Panel)或電子紙顯示器(E-paper Display)等，然並不以此為限。另外，於第二偏光板120之下更包括具有背光模組(無圖示)，背光模組可以提供顯示光源。

請參閱第2a圖至第2g圖所示為本發明之一實施例之觸控結構之製造方法示意圖。首先，提供第一偏光板210，於第一偏光板210之下表面依序形成透明導電層202和金屬層201，其中透明導電層202例如可為金屬氧化物、奈米銀線或奈米導電金屬，金屬氧化物例如可為氧化銦錫(indium tin oxide,ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide,IZO)、氧化鎘錫(cadmium tin oxide,CTO)、氧化鋁鋅(aluminum zinc oxide,AZO)、氧化銦鋅錫(indium tin zinc oxide,ITZO)、氧化鋅(zinc oxide)、氧化鎘(cadmium oxide)、氧化鉿(hafnium oxide,HfO)、氧化銦鎵鋅(indium gallium zinc oxide,InGaZnO)、氧化銦鎵鋅鎂(indium gallium zinc magnesium oxide,InGaZnMgO)、氧化銦鎵鎂(indium gallium magnesium oxide,InGaMgO)或氧化銦鎵鋁(indium gallium aluminum oxide,InGaAlO)等)。金屬層201例如可為至少一層導電金屬層，或者多層導電金屬層。其材質可為銅合金、鋁合金、金、銀、鋁、銅、鉬等導電金屬或導電合金。多層導電金屬層之結構，例如可為鉬層/鋁層/鉬層之堆疊結構，或者可為選自銅合金、鋁合金、金、銀、鋁、銅、鉬等導電金屬或導電合金之一種或多種材質而堆疊之多層導 電金屬層結構。形成透明導電層202和金屬層201之方法例如可採濺鍍、蒸鍍、真空離子鍍、電鍍、物理氣相沉積(PVD)、化學氣相沉積(CVD)等等手段。再來進行第一道黃光製程將透明導電層202和金屬層201圖案化，其中第一道黃光製程包括形成圖案化光阻層(圖未示)於金屬層201之上，光阻層之材質可為液態光阻或乾膜光阻。然後進行蝕刻金屬層201和透明導電層202，以及去除圖案化光阻層，形成具有金屬層201於其上之複數下感測跡線241和複數下端子線路242，接著進行第二道黃光製程，移除複數下感測跡線241下之金屬層201。其中複數下感測跡線241和複數下端子線路242相互連接形成下部電極240，複數下端子線路242供連接至一控制晶片(圖未示)。

接著提供保護基板200，於保護基板200之下表面依序形成透明導電層202和金屬層201，其中透明導電層202例如可為金屬氧化物、奈米銀線或奈米導電金屬，金屬氧化物例如可為氧化銦錫(indium tin oxide,ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide,IZO)、氧化鎘錫(cadmium tin oxide,CTO)、氧化鋁鋅(aluminum zinc oxide,AZO)、氧化銦鋅錫(indium tin zinc oxide,ITZO)、氧化鋅(zinc oxide)、氧化鎘(cadmium oxide)、氧化鉿(hafnium oxide,HfO)、氧化銦鎵鋅(indium gallium zinc oxide,InGaZnO)、氧化銦鎵鋅鎂(indium gallium zinc magnesium oxide,InGaZnMgO)、氧化銦鎵鎂(indium gallium magnesium oxide,InGaMgO)或氧化銦鎵鋁(indium gallium aluminum oxide,InGaAlO)等)。金屬層201例如可為至少一層導電金屬層，或者多層導電金屬層。其材質可為銅合金、鋁合金、金、銀、鋁、銅、鉬等導電金屬或導電合金。多層導電金屬層之結構，例如可為鉬層/鋁層/鉬層之堆疊結構，或者可為選自銅合金、鋁合金、金、銀、鋁、銅、鉬等導電金屬或導電合金之 一種或多種材質而堆疊之多層導電金屬層結構。其中形成透明導電層202和金屬層201之方法例如可採濺鍍、蒸鍍、真空離子鍍、電鍍、物理氣相沉積(PVD)、化學氣相沉積(CVD)等等手段。再來進行第一道黃光製程將透明導電層202和金屬層201圖案化，其中第一道黃光製程包括形成圖案化光阻層(圖未示)於金屬層201之上，光阻層之材質可為液態光阻或乾膜光阻。然後進行蝕刻金屬層201和透明導電層202，以及去除圖案化光阻層，形成具有金屬層201於其上之複數上感測跡線231和複數上端子線路232，接著進行第二道黃光製程，移除複數上感測跡線231下之金屬層201。其中複數上感測跡線231和複數上端子線路232相互連接形成上部電極230，複數上端子線路232供連接至一控制晶片(圖未示)。繼之，藉由黏著層(無圖示)將具有上部電極230之保護基板200黏貼於具有下部電極240之第一偏光板210之上，使上部電極230與下部電極240交錯設置形成一觸控結構設置，其中觸控結構設置於顯示單元250之上，以及提供第二偏光板220設置於顯示單元250之下。

於上述之實施例中(無圖示)，更可包括利用刀膜裁切或雷射切割方式，裁切已相互黏著之第一偏光板和保護基板形成複數個片狀感測基材，再黏貼片狀感測基材於顯示單元之上，以及提供第二偏光板設置於顯示單元之下。另外，於第二偏光板之下更包括具有背光模組(無圖示)，背光模組可以提供顯示光源。

於另一實施例中(無圖示)，如上所述之觸控結構之製造方法，其中形成下部電極之方法，亦可於第一偏光板之下表面先形成透明導電層，先進行圖案化透明導電層，形成複數下感測跡線，接著印刷複數下端子線路。

請參閱第3a圖至第3b圖所示為本發明之一實施例 之觸控結構之結構示意圖。首先，本發明之觸控結構包括：第一偏光板310之上表面具有下部電極340，其中第一偏光板310之主要結構例如可為PET保護膜、PSA感壓性黏著劑、TAC三醋酸纖維素、PVA聚乙烯醇與PET離型膜等，然並不以此為限。以及保護基板300之下表面具有上部電極330，其中保護基板300之材質例如可為聚酯類聚合物、聚碸類聚合物、玻璃、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯或聚醯亞胺，然並不以此為限。保護基板300設置於第一偏光板310之上，藉由黏著層370使保護基板300和第一偏光板310相互黏貼，黏著層370之材質例如可為光學膠或水膠，然並不以此為限。保護基板300之上表面更具有硬塗層360，其中硬塗層360之材質例如可為SiO2或樹脂聚合物，然並不以此為限。硬塗層360具有可抗刮性，可以保護觸控面板。使上部電極330與下部電極340交錯設置形成觸控結構，其中上部電極330具有複數上感測跡線331和複數上端子332線路相互連接，下部電極340具有複數下感測跡線341和複數下端子線路342相互連接，複數上端子線路332和複數下端子線路342供連接至一控制晶片(圖未示)。再來，更包括具有顯示單元350設置於第一偏光板310之下，以及第二偏光板320設置於顯示單元350之下。其中顯示單元350例如可為液晶顯示器(liquid crystal display,LCD)、有機發光二極體顯示器(organic light emitting diode display,OLED display)、電泳顯示器(electrophoretic display,EPD)、等離子顯示器(Plasma Display Panel)或電子紙顯示器(E-paper Display)等，然並不以此為限。另外，於第二偏光板320之下更包括具有背光模組(無圖示)，背光模組可以提供顯示光源。

請參閱第4a圖至第4g圖所示為本發明之一實施例之觸控結構之製造方法示意圖。首先，提供第一偏光板410，於第 一偏光板410之上表面依序形成透明導電層402和金屬層401，其中透明導電層402例如可為金屬氧化物、奈米銀線或奈米導電金屬，金屬氧化物例如可為氧化銦錫(indium tin oxide,ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide,IZO)、氧化鎘錫(cadmium tin oxide,CTO)、氧化鋁鋅(aluminum zinc oxide,AZO)、氧化銦鋅錫(indium tin zinc oxide,ITZO)、氧化鋅(zinc oxide)、氧化鎘(cadmium oxide)、氧化鉿(hafnium oxide,HfO)、氧化銦鎵鋅(indium gallium zinc oxide,InGaZnO)、氧化銦鎵鋅鎂(indium gallium zinc magnesium oxide,InGaZnMgO)、氧化銦鎵鎂(indium gallium magnesium oxide,InGaMgO)或氧化銦鎵鋁(indium gallium aluminum oxide,InGaAlO)等)。金屬層401例如可為至少一層導電金屬層，或者多層導電金屬層。其材質可為銅合金、鋁合金、金、銀、鋁、銅、鉬等導電金屬或導電合金。多層導電金屬層之結構，例如可為鉬層/鋁層/鉬層之堆疊結構，或者可為選自銅合金、鋁合金、金、銀、鋁、銅、鉬等導電金屬或導電合金之一種或多種材質而堆疊之多層導電金屬層結構。形成透明導電層402和金屬層401之方法例如可採濺鍍、蒸鍍、真空離子鍍、電鍍、物理氣相沉積(PVD)、化學氣相沉積(CVD)等等手段。再來進行第一道黃光製程將透明導電層402和金屬層401圖案化，其中第一道黃光製程包括形成圖案化光阻層(圖未示)於金屬層401之上，光阻層之材質可為液態光阻或乾膜光阻。然後進行蝕刻步驟，蝕刻去除未受光阻層保護之透明導電層402和金屬層401，以及去除圖案化光阻層，形成具有金屬層401於其上之複數下感測跡線441和複數下端子線路442，接著進行第二道黃光製程，移除複數下感測跡線441上之金屬層401。其中複數下感測跡線441和複數下端子線路442相互連接形成下部電極440，複數下端子線路442供連接至一控制晶片(圖未示)。

接著，提供保護基板400，於保護基板400之下表面依序形成透明導電層402和金屬層401，其中透明導電層402例如可為金屬氧化物、奈米銀線或奈米導電金屬，金屬氧化物例如可為氧化銦錫(indium tin oxide,ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide,IZO)、氧化鎘錫(cadmium tin oxide,CTO)、氧化鋁鋅(aluminum zinc oxide,AZO)、氧化銦鋅錫(indium tin zinc oxide,ITZO)、氧化鋅(zinc oxide)、氧化鎘(cadmium oxide)、氧化鉿(hafnium oxide,HfO)、氧化銦鎵鋅(indium gallium zinc oxide,InGaZnO)、氧化銦鎵鋅鎂(indium gallium zinc magnesium oxide,InGaZnMgO)、氧化銦鎵鎂(indium gallium magnesium oxide,InGaMgO)或氧化銦鎵鋁(indium gallium aluminum oxide,InGaAlO)等)。金屬層401例如可為至少一層導電金屬層，或者多層導電金屬層。其材質可為銅合金、鋁合金、金、銀、鋁、銅、鉬等導電金屬或導電合金。多層導電金屬層之結構，例如可為鉬層/鋁層/鉬層之堆疊結構，或者可為選自銅合金、鋁合金、金、銀、鋁、銅、鉬等導電金屬或導電合金之一種或多種材質而堆疊之多層導電金屬層結構。形成透明導電層402和金屬層401之方法例如可採濺鍍、蒸鍍、真空離子鍍、電鍍、物理氣相沉積(PVD)、化學氣相沉積(CVD)等等手段。再來進行第一道黃光製程將透明導電層402和金屬層401圖案化，其中第一道黃光製程包括形成圖案化光阻層(圖未示)於金屬層401之上，光阻層之材質可為液態光阻或乾膜光阻。然後進行蝕刻步驟，蝕刻去除未受光阻層保護之透明導電層402和金屬層401，以及去除圖案化光阻層，形成具有金屬層401於其上之複數上感測跡線431和複數上端子線路432，接著進行第二道黃光製程，移除複數上感測跡線431下之金屬層401。其中複數上感測跡線441和複數上端子線路442相互連接形成上部電極440，複數下端子線路442 供連接至一控制晶片(圖未示)。繼之，藉由黏著層將具有上部電極430之保護基板400黏貼於具有下部電極440之第一偏光板410之上，使上部電極430與下部電極440交錯設置形成一觸控結構。再來，更可包括裁切已相互黏著之第一偏光板410和保護基板400，將第一偏光板410和保護基板400設置於顯示單元450之上，以及提供第二偏光板420設置於顯示單元450之下。另外，於第二偏光板420之下更包括具有背光模組(無圖示)，背光模組可以提供顯示光源。

於另一實施例中(無圖示)，如上所述之觸控結構之製造方法，其中形成下部電極之方法，亦可於第一偏光板之上表面先形成透明導電層，先進行第一道黃光製程圖案化透明導電層，形成複數下感測跡線，接著印刷複數下端子線路。

於再一實施例中(無圖示)，形成下部電極之方法為捲對捲(Roll to Roll)提供具有可撓性之第一偏光板捲料，於第一偏光板捲料之上表面或下表面依序形成透明導電層和金屬層，其中形成透明導電層和金屬層之方法例如可採捲對捲濺鍍、捲對捲蒸鍍、捲對捲真空離子鍍、捲對捲電鍍、捲對捲物理氣相沉積(PVD)、捲對捲化學氣相沉積(CVD)等等手段。再來進行捲對捲第一道黃光製程，圖案化第一偏光板捲料之透明導電層和金屬層，形成具有金屬層於其上之複數下感測跡線和複數下端子線路。接著進行捲對捲第二道黃光製程，移除位於複數下感測跡線上之金屬層形成下部電極。繼之，參考如前述形成下部電極之方法，形成上部電極之方法為捲對捲提供具有可撓性之保護基板捲料，於保護基板捲料之下表面依序形成透明導電層和金屬層，其中形成透明導電層和金屬層之方法例如可採捲對捲濺鍍、捲對捲蒸鍍、捲對捲真空離子鍍、捲對捲電鍍、捲對捲物理氣相沉積(PVD)、捲對捲化學 氣相沉積(CVD)等等手段。再來進行捲對捲第一道黃光製程，圖案化保護基板捲料之透明導電層和金屬層，形成具有金屬層於其上之複數上感測跡線和複數上端子線路，接著進行捲對捲第二道黃光製程，移除複數上感測跡線上之金屬層形成上部電極。接著捲對捲提供黏著層，捲對捲黏貼上部電極捲料和下部電極捲料，使上部電極與下部電極交錯設置形成觸控結構捲料。接著再以捲對捲刀模裁切或雷射切割等方式形成片狀觸控感測基材。其中上部電極具有複數上感測跡線和複數上端子線路相互連接，下部電極具有複數下感測跡線和複數下端子線路相互連接，複數上端子線路和複數下端子線路供連接至一控制晶片。運用捲對捲製程進行全自動化生產，所以具有簡化製程工序、提高產能、降低人力作業及提升產品的良率等特徵。

於一實施例中，形成片狀觸控感測基材之方法，亦可將保護基板捲料和第一偏光板捲料藉由上述之捲對捲黃光製程形成上部電極和下部電極後，先利用捲對捲刀模裁切或雷射切割等方式裁切保護基板捲料和第一偏光板捲料形成片狀的上部電極和下部電極，再提供黏著層於上部電極和下部電極之間，利用對位壓合機進行對位貼合。

本發明具有裝置薄型化、優越的觸控靈敏度、低製造成本與製作良率高等優點。雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧保護基板

110‧‧‧第一偏光板

120‧‧‧第二偏光板

131‧‧‧複數上感測跡線

132‧‧‧複數上端子線路

141‧‧‧複數下感測跡線

142‧‧‧複數下端子線路

150‧‧‧顯示單元

160‧‧‧硬塗層

170‧‧‧黏著層

Claims (11)

1. 一種觸控結構，其包含：一第一偏光板，具有一下部電極；以及一保護基板，具有一上部電極，該保護基板設置於該第一偏光板之上，該上部電極與該下部電極交錯設置。
2. 如申請專利範圍第1項所述之觸控結構，其中該下部電極設置於該第一偏光板之下表面。
3. 如申請專利範圍第1項所述之觸控結構，其中該下部電極設置於該第一偏光板之上表面。
4. 如申請專利範圍第1項所述之觸控結構，其中該上部電極具有複數上感測跡線和複數上端子線路，其中該些上感測跡線和該些上端子線路相互連接；該下部電極具有複數下感測跡線和複數下端子線路，其中該些下感測跡線和該些下端子線路相互連接；該些上感測跡線和該些下感測跡線交錯設置，該些上端子線路和該些下端子線路供連接至一控制晶片。
5. 如申請專利範圍第1項所述之觸控結構，更包括：一顯示單元，設置於該第一偏光板之下；以及一第二偏光板，設置於該顯示單元之下。
6. 一種觸控結構之製造方法，其包含：提供一第一偏光板，形成一下部電極於該第一偏光板；提供一保護基板，形成一上部電極於該保護基板之下表面；以及黏貼該第一偏光板和該保護基板，且該下部電極和該上部電極交錯設置。
7. 一種觸控結構之製造方法，其包含：捲對捲提供一第一偏光板，形成一下部電極於該第一偏光板；捲對捲提供一保護基板，形成一上部電極於該保護基板之下表面；以及 黏貼該第一偏光板和該保護基板，使該下部電極和該上部電極交錯設置。
8. 如申請專利範圍第6項或第7項所述之觸控結構之製造方法，其中形成該下部電極之方法包括：依序形成一透明導電層和一金屬層於該第一偏光板；圖案化該透明導電層和該金屬層，形成具有該金屬層於該透明導電層上之複數下感測跡線和複數下端子線路；移除該些下感測跡線上之該金屬層。
9. 如申請專利範圍第6項或第7項所述之觸控結構之製造方法，其中形成該下部電極之方法包括：形成一透明導電層於該第一偏光板；圖案化該透明導電層，形成複數下感測跡線和複數下端子線路；印刷一金屬層於該些下端子線路之上。
10. 如申請專利範圍第6項或第7項所述之觸控結構之製造方法，更包括裁切該第一偏光板和該保護基板。
11. 如申請專利範圍第10項所述之觸控結構之製造方法，更包括：提供一顯示單元，設置該顯示單元於該第一偏光板之下；以及提供一第二偏光板，設置該第二偏光板於該顯示單元之下。