TWI485360B - 用於量測直通矽晶穿孔的設備及方法 - Google Patents

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Description

用於量測直通矽晶穿孔的設備及方法
本發明與用於量測直通矽晶穿孔(TSV)的設備及方法有關，而更特別的係與使用一數位可變光圈，透過一干涉計量測直通矽晶穿孔或其他類似穿孔孔洞的設備及方法有關。
對於一高整合半導體電路而言，透過曝光方式已經達到精細的線寬度。然而，可實現的線寬度卻受限於折射限制。
為了克服此問題，已經提出使用極紫外光或其他類似光線的方法，其具有短於可見光的波長，以降低折射限制，也提出使用三維(3D)半導體封裝處理的方法，其中許多完全處理的晶圓晶片係經垂直堆疊以增加整合度，也提出了許多方法。
在許多晶圓晶片係經垂直堆疊的三維半導體封裝處理中，多數個別晶圓層的電路必須經電氣連接，以形成在許多堆疊晶圓晶片之間一電氣訊號的傳輸與接收。對於該等晶 圓層之間的電氣連接而言，稱為「直通矽晶穿孔」(此後，稱為穿孔孔洞)的窄長孔洞係形成於一矽晶圓中，並利用一傳導材料填充，以藉此連接該等晶圓層的該等電路。一般而言，可藉由深蝕刻或其他類似方式達成一直通矽晶穿孔(TSV)處理。
同時，該等穿孔孔洞必須在一晶圓上形成為具有相同深度與直徑。如果，在直徑或深度不同，當在研磨之後將該晶圓晶片堆疊在另一晶圓晶片時，某些電路可能無法電氣連接，藉此造成一種有缺陷的產品。因此，在該三維半導體封裝處理中，一重要的程序為檢查在該晶圓中形成之穿孔孔洞是否具有一預定的深度與直徑。
做為一種量測該直通矽晶穿孔以檢查該直通矽晶穿孔(也就是該穿孔孔洞)形成狀態的方法，有使用一干涉計的方法、有切割形成有該直通矽晶穿孔之該晶圓的一部分，並利用一掃描式電子顯微鏡(SEM)檢查該晶圓的方法，以及其他方法。
在這些方法之中，於使用干涉計的方法中，最典型的干涉計為一白光干涉計(WLI)，其中來自一光源的光被***為兩光線，因此該兩光線於彼此垂直的方向中移動，並接著組合在一起，藉此根據在兩光線之間的光學路徑差異形成多數干涉條紋。
然而，使用該干涉計之傳統方法具有的問題為如果朝向該直通矽晶穿孔所放射的光所穿過的透鏡為一廣角透鏡時，進入該直通矽晶穿孔之光線的入射角度將大於該直通矽 晶穿孔的直徑，而因此實質上進入該直通矽晶穿孔的光量為小，因此使其非常難以或實際是無法用於量測該直通矽晶穿孔。
雖然可以置換該光源以增加抵達該直通矽晶穿孔底部的光強度，但必須沿著形成該直通矽晶穿孔的方向，於多數規則的距離處，量測朝向該直通矽晶穿孔所放射之光線的焦點。因此，需要許多時間量測該直通矽晶穿孔，而所形成的資料量過大而造成該整體系統的負擔。
據此，目前已經提出對於量測該直通矽晶穿孔之設備的某些對策，以改善量測該直通矽晶穿孔的精確性，但其發展對於迫切的需求而言仍不足夠。
本發明之一態樣係提供用於量測直通矽晶穿孔(TSV)之設備與方法，其中可精確量測該直通矽晶穿孔(也就是該穿孔孔洞)的形成狀態。
實際上，本發明之一態樣係提供用於量測直通矽晶穿孔之設備與方法，其中使用一數位可變光圈以精確量測該直通矽晶穿孔的形成狀態。
同樣的，本發明之一態樣係提供用於量測直通矽晶穿孔之設備與方法，其能夠具有一簡化的結構，並能進行更有效與更精確的量測。
此外，本發明之一態樣係提供用於量測直通矽晶穿孔之設備與方法，其能夠在於量測該直通矽晶穿孔時具有改進的方便性，並縮短量測進行的時間。
根據本發明一具體實施例，用於量測形成於一量測物件中之一直通矽晶穿孔的設備包含：一光源、一數位可變光圈、一分光器與一偵測器，該數位可變光圈係提供於從該光源所放射之光的路徑上，並根據該直通矽晶穿孔的深寬比調整利用來自該光源所放射之光所照明的區域；該分光器將通過穿過該數位可變光圈的光分離成為多數光線，其分別在相互垂直的一第一方向與一第二方向中移動，並藉由將從佈置於該第一方向中該量測物件所反射的第一反射光與從佈置於該第二方向中之一鏡體所反射的第二反射光進行組合的方式，輸出該組合光；而該偵測器根據從該分光器所引導之該組合光量測該直通矽晶穿孔，該數位可變光圈則作為一種孔徑，其孔徑尺寸可根據該直通矽晶穿孔的深寬比而選擇性改變，而無需進行實體移動。
在量測該直通矽晶穿孔之設備中，該數位可變光圈可利用一液晶顯示器(LCD)提供。
用於量測該直通矽晶穿孔之設備可以進一步包含一光量控制器，該光量控制器係提供於由該分光器所***並進入該鏡體之光的路徑上，並選擇性調整進入該鏡體的光量。
在量測該直通矽晶穿孔之設備中，該光量控制器可根據該直通矽晶穿孔的深寬比，調整進入該鏡體的光量，其中可利用下述方程式[1]計算從該量測物件所反射之該第一反射光方程式[1]
該光量控制器將進入該鏡體的光量控制為具有大於該第一反射光之光量的0.5至2倍。
在量測該直通矽晶穿孔之設備中，該光量控制器可利用一液晶顯示器(LCD)提供。
用於量測該直通矽晶穿孔之設備可以進一步包含一光學系統，該光學系統係提供於介於該數位可變光圈與該分光器之間，以及該分框器與一偵測器之間的至少一位置中。
根據本發明之一具體實施例，一量測形成於一量測物件中之一直通矽晶穿孔的方法，該方法包括：從一光源放射光；使用一數位可變光圈，以根據該直通矽晶穿孔的深寬比調整利用來自該光源所放射之光所照明的區域；將通過穿過該數位可變光圈的光分離成為多數光線，其分別在相互垂直的一第一方向與一第二方向中移動，並藉由將從佈置於該第一方向中該量測物件所反射的第一反射光與從佈置於該第二方向中之一鏡體所反射的第二反射光進行組合的方式，輸出該組合光；以及根據該組合光量測該直通矽晶穿孔，該數位可變光圈則作為一種孔徑，其孔徑尺寸可根據該直通矽晶穿孔的深寬比而選擇性改變，而無需進行實體移動。
10‧‧‧光源
20‧‧‧數位可變光圈
22‧‧‧光傳輸區域
30‧‧‧輔助分光器
40‧‧‧第一光學系統
50‧‧‧分光器
60‧‧‧光量控制器
70‧‧‧鏡體
80‧‧‧第二光學系統80
90‧‧‧偵測器
100‧‧‧量測物件
110‧‧‧直通矽晶穿孔
本發明上述及/或其他態樣將可從該等示例具體實施例下述敘述，連結該等伴隨圖式的方式，變的明確而更能立即被理解，其中： 第1圖為根據本發明一具體實施例之一圖式，顯示用於量測直通矽晶穿孔(TSV)的設備；第2圖為根據本發明一具體實施例之一圖式，用於說明在用於量測該直通矽晶穿孔的設備中之一第一反射光(也就是試樣光)以及一第二反射光(參考光)；第3圖為根據本發明一具體實施例之一圖式，用於說明在用於量測該直通矽晶穿孔的設備中之一數位可變光圈；第4圖為根據本發明一具體實施例之一圖式，用於說明在用於量測該直通矽晶穿孔的設備中之一光量控制器；第5圖為根據本發明一具體實施例之一圖式，用於說明在用於量測該直通矽晶穿孔的設備中，計算從一量測物件反射之該第一反射光的方法；第6圖與第7圖為根據本發明一具體實施例之圖式，用於說明在用於量測該直通矽晶穿孔的設備中的干涉情形；以及第8圖為根據本發明一具體實施例之圖式，用於說明透過用於量測該直通矽晶穿孔的設備，量測該直通矽晶穿孔之一實例。
此後，將參考該等伴隨圖式敘述本發明之多數具體實施例，但本發明並不限制於此。在此敘述中，為了清楚的目的公眾所習知之功能或配置的細節則被省略。
第1圖為根據本發明一具體實施例之一圖式，顯示 用於量測直通矽晶穿孔(TSV)的設備；第2圖為根據本發明一具體實施例之一圖式，用於說明在用於量測該直通矽晶穿孔的設備中之一第一反射光(也就是試樣光)以及一第二反射光(參考光)；第3圖為根據本發明一具體實施例之一圖式，用於說明在用於量測該直通矽晶穿孔的設備中之一數位可變光圈；第4圖為根據本發明一具體實施例之一圖式，用於說明在用於量測該直通矽晶穿孔的設備中之一光量控制器；第5圖為根據本發明一具體實施例之一圖式，用於說明在用於量測該直通矽晶穿孔的設備中，計算從一量測物件反射之該第一反射光的方法；第6圖與第7圖為根據本發明一具體實施例之圖式，用於說明在用於量測該直通矽晶穿孔的設備中的干涉情形；而第8圖為根據本發明一具體實施例之圖式，用於說明透過用於量測該直通矽晶穿孔的設備，量測該直通矽晶穿孔之一實例。
參考第1圖，根據本發明一具體實施例用於量測該直通矽晶穿孔110的設備，可用於量測具有複數個量測物件100(例如，晶片)係為垂直堆疊的三維半導體封裝處理中，該直通矽晶穿孔110或類似穿孔孔洞是否根據需要而精確形成於該量測物件100之中，因此能電氣連接至該等量測物件100，而該設備包含一光源10、一數位可變光圈20、一分光器50與一偵測器90。
該光源10可以根據需要與設計運用各種光源10。例如，可以使用放射白光的發光二極體(LED)作為該光源10。視需要也可使用鹵素燈泡或其他類似形式的白光光源作 為該光源10。
該數位可變光圈20係提供於從該光源10所放射之光的路徑上，並調整利用來自該光源10所放射之光所照明的區域。利用通過該數位可變光圈20之光所照明的區域可以根據該直通矽晶穿孔110的深寬比而改變。
在此，可根據該直通矽晶穿孔110的深寬比而改變利用通過該數位可變光圈20之光所照明的區域，係可以利用通過根據該直通矽晶穿孔110的深寬比而調整之該數位可變光圈20的光的範圍(也就是，光圈尺寸)所察知。同樣的，在本發明此具體實施例中，該直通矽晶穿孔110的深寬比意指該直通矽晶穿孔110的深度對於該直通矽晶穿孔110之直徑的比例。根據該直通矽晶穿孔110的深寬比，可以計算進入該直通矽晶穿孔110之光線的入射角度。
該數位可變光圈20可以具有各種結構，其中可在不進行實體移動下變化一光圈數值(也就是尺寸)。例如，該數位可變光圈20可以使用一液晶顯示器(LCD)提供，並根據該直通矽晶穿孔110的深寬比啟動在尺寸(直徑)中具有變化的光傳輸區域22(相應於該光圈尺寸)。
因此，使用該液晶顯示器之該數位可變光圈20可以做為由啟動該光傳輸區域的方式獲得的光圈，該光傳輸區域的尺寸則由一電子訊號所變化，而無需根據一馬達或其他類似機制進行實體移動。參考第3圖，該數位可變光圈20可根據該直通矽晶穿孔110的深寬比變化而具有像是f/1.4、f/2、f/2.8、f/4等等的不同光圈數值(也就是，該光傳輸區域的直 徑)。
同樣的，該數位可變光圈20可經變化以具有一非標準光圈數值以及該等前述的標準光圈數值。例如，該數位可變光圈20可經變化以具有像是f/1.6、f/2.1、f/4.4等等的非標準光圈數值。在現有的機械式光圈中，該光圈只能經變化為具備現有的光圈數值，而因此難以執行精確的控制，也難以具有各種深寬比相應的最佳光圈數值。另一方面，根據本發明一具體實施例，該數位可變光圈20係經變化而甚至具有該等非標準光圈數值，藉此具有與該等不同深寬比相應的最佳光圈數值。
此外，在本發明此具體實施例中，該光圈的形狀(也就是，該光傳輸區域的形狀)為圓形，但不限制於此。替代的，該光傳輸區域可以具有一多邊形形狀，像是四邊形或其他的幾何形狀。
作為參考，從該光源10所放射的光可通過在該液晶顯示器中所啟動的光傳輸區域，但在除了該光傳輸區域22以外的液晶顯示器其他阻擋範圍中受到阻擋。在此，該受啟動的光傳輸區域22可意指為白光可直接通過的範圍，而非代表該液晶顯示器中的任何色彩，而該阻擋區域可意指為光線受阻檔的範圍，像是在該液晶顯示器中顯示為黑色的範圍，因此光並無法通過其中。
參考第2圖，提供一分光器50，以將通過穿過該數位可變光圈20的入射光***並輸出成為兩光線，其於彼此垂直的一第一方向與一第二方向中移動。此外，從佈置於該第 一方向中一量測物件100所反射之第一反射光，與從佈置於該第二方向中一鏡體70所反射之第二反射光係經組合並輸出為組合光。
作為參考，根據本發明一具體實施例，於該數位可變光圈20與該分光器50之間提供一輔助分光器30，並將敘述利用朝向該量測物件100之方向中的該輔助分光器30改變通過穿過該數位可變光圈20的光的範例。
該量測物件100係佈置於該第一方向中，而該鏡體70則佈置於該第二方向中。由該分光器50所***的輸出光可進入該量測物件100及該鏡體70，並接著再次朝向該分光器50反射。例如，根據本發明一具體實施例，該量測物件100係放置於該第一方向中，而該鏡體70則放置於該第二方向中，但並不限制於此。替代的，該鏡體可放置於該第一方向中，而該量測物件則放置於該第二方向中。
同樣的，可在該數位可變光圈20與該分光器50之間以及該分光器50與一偵測器90(於稍候敘述)之間至少一位置處提供一光學系統。此外，該光學系統的數值光圈(NA)可根據該數位可變光圈20的尺寸(也就是，該光傳輸區域)適當調整。以下將敘述在該數位可變光圈20與該分光器50之間提供一第一光學系統40及在該分光器50與該偵測器90(於稍候敘述)之間提供一第二光學系統80的實例。
該第一光學系統40與該第二光學系統80可利用組合多數一般光學元件的方式所配置，像是用於將入射光聚焦於一特定位置上的透鏡。然而，本發明並不受該光學系統的 結構與特徵所限制。
同樣的，可以在光通過穿過該數位可變光圈20的路徑上提供一準直透鏡、一濾光器或各種類似光學元件，以維持及改變通過穿過該該數位可變光圈20之光的特徵。然而，本發明並不受該光學系統的與特徵所限制。
該偵測器90係經提供以根據來自該分光器50所引導的組合光量測該直通矽晶穿孔110。可以使用典型的電荷耦合元件(CCD)相機作為該偵測器90，而根據需要與設計也可以使用其他的偵測裝置。
該偵測器90接收來自該鏡體70與該量測物件100所反射，並由該分光器50所組合的組合光，因此可以形成一干涉訊號。從該偵測器90取得之該干涉訊號可由一預定的分析器進行分析，因此可根據該干涉訊號量測該直通矽晶穿孔110。
同樣的，根據本發明一具體實施例用於量測該直通矽晶穿孔110的設備可以進一步包含一光量控制器60，該光量控制器60則提供於由該分光器50所***並進入該鏡體70之入射光的路徑上，並選擇性控制進入該鏡體70的光量。
為了根據從該量測物件100所反射之該第一反射光(也就是，試樣光)以及從該鏡體70所反射之該第二反射光(也就是，參考光)而建立一理想的干涉訊號，必須將該第一反射光與該第二反射光維持為具有彼此近似程度的光量。該光量控制器60將該第一反射光與該第二反射光維持為具有彼此近似程度的光量，藉此使其能夠產生一適宜的干涉訊號。
也就是說，參考第6圖，從該量測物件所反射之該第一反射光(也就是，試樣光)相較於該第二反射光(也就是，該參考光)而言具有較低的反射度。因此，該第一反射光的光量明顯小於該第二反射光的光量。如果該第一反射光的光量顯著小於該第二反射光的光量時(也就是，該第一反射光小於該第二反射光)，便難以辨別在該第一反射光與該第二反射光之間的建設性干涉及相消性干涉訊號。
另一方面，如第7圖所示，如果該第一反射光(也就是，試樣光)的光量係保持為具有與該第二反射光(也就是，該參考光)光量的相似程度，便可以明確辨別在該第一反射光與該第二反射光之間的建設性干涉及相消性干涉訊號。
因此，該光量控制器60將該第一反射光與該第二反射光維持為具有彼此近似程度的光量，藉此產生一適宜的干涉訊號。較佳的是，該光量控制器60可以根據該直通矽晶穿孔110的前述深寬比，調整進入該鏡體70的光量。
也就是說，可根據該直通矽晶穿孔110的深寬比改變前述光傳輸區域22的直徑(也就是，光圈數值)。因為該第一反射光的光量係與該光傳輸區域22的直徑尺寸呈比例變化，因此較佳的是該光量控制器60可以根據該直通矽晶穿孔110的深寬比，控制進入該鏡體70的光量。參考第4圖，該光量控制器60可以根據該直通矽晶穿孔110的深寬比，以一預定比例(例如，100：80、100：60及100：40)減少進入該鏡體70(也就是，由該分光器所***並進入該鏡體的光)的光 量。
如以上敘述，該光量控制器60根據該直通矽晶穿孔110的深寬比調整進入該鏡體70的光量，其中可由下述方程式[1]計算從該量測物件100所反射之該第一反射光
此外，該光量控制器60可將進入該鏡體70的光量控制為具有大於如以上計算該第一反射光之光量的0.5至2倍。
作為參考，通過該第一物件透鏡(第一光學系統)所傳輸的光量、該試樣(也就是，該量測物件)的反射率以及進入該物件透鏡(也就是，該第一光學系統)之光量可由第5圖所示之表示式計算。
在本發明此具體實施例中，只有在從該分光器輸出的光通過穿過該光量控制器時，減少該光量，但並不限制於此。替代的是，首先可以在從該分光器輸出的光通過穿過該光量控制器時控制該光量，並接著當光從該鏡體反射並再次通過穿過該光量控制器時進行輔助控制。
該光量控制器60可以運用各種光量調整器，只要該等光量調整器能夠控制進入該鏡體70的光量。該光量控制器60的種類與特徵並不限制於此具體實施例中。例如，可透過一液晶顯示器(LCD)提供該光量調整器60。在此情況中，使用液晶顯示器之該光量調整器60可以藉由調整對該液晶顯 示器施加之電壓的方式，或關閉某些像素的方式，控制通過穿過該光量調整器60的光量。視需要也可以使用其他方法控制通過穿過該液晶顯示器的光量。替代的，可以函數濾波器(例如，常態(ND)分配濾波器)或具有減少光量之能力的類似方法，以構築該光量調整器60，並可以使用多數其他光學元件以以構築該光量調整器60。
同時，根據本發明一具體實施例，量測該直通矽晶穿孔110，也就是量測形成於該量測物件100中之該直通矽晶穿孔110的方法可以包含下述步驟，從該光源10放射光；使用一數位可變光圈20，根據該直通矽晶穿孔110的深寬比調整利用來自該光源10所放射之光所照明的區域；將通過穿過該數位可變光圈20的光分離成為兩光線，其分別在相互垂直的一第一方向與一第二方向中移動，並藉由將從佈置於該第一方向中該量測物件100所反射的第一反射光與從佈置於該第二方向中之該鏡體70所反射的第二反射光進行組合的方式，輸出該組合光；以及根據該組合光量測該直通矽晶穿孔110。在此，該數位可變光圈20可作為一種孔徑，其孔徑尺寸可根據該直通矽晶穿孔110的深寬比而選擇性改變，而無需進行實體移動。
首先，如果該光源10放射光，該數位可變光圈20根據該直通矽晶穿孔110的深寬比調整利用來自該光源10所放射之光所照明的區域。如以上敘述，該數位可變光圈20實作該孔徑的功能，因此該孔徑尺寸便根據該直通矽晶穿孔110的深寬比變化，而無需進行實體移動。
接著，利用該分光器50將通過穿過該數位可變光圈20的光***為兩光線，其在相互垂直之該第一方向與該第二方向中移動，並於該分光器50中將從佈置於該第一方向中該量測物件100所反射的第一反射光與從佈置於該第二方向中之該鏡體70所反射的第二反射光進行再次組合，並輸出為該組合光。
接著，該偵測器90根據從該分光器50所輸出之該組合光量測該直通矽晶穿孔110。
同時，根據一示例具體實施例，可以連續量測該量測物件100之表面與該直通矽晶穿孔110。
參考第8圖，當量測該量測物件100之該表面參考高度時，可將該數位可變光圈20設定於一第一設定條件S1，而當量測該直通矽晶穿孔110時，可將該數位可變光圈20設定於一第二設定條件S2。例如，在該第一設定條件S1下，可將該數位可變光圈20的完整區域設定為該光傳輸區域22，而不具備任何阻擋區域。另一方面，在該第二設定條件S2下，可以根據一特定直通矽晶穿孔110的深寬比於該數位可變光圈20中設定該光傳輸區域22的尺寸。
此外，在將該入射光聚焦於該直通矽晶穿孔110底部上(也就是，該首次掃瞄該直通矽晶穿孔110時)，以量測該直通矽晶穿孔110之前，可預先設定該數位可變光圈20為具有與該直通矽晶穿孔110相應之一孔徑特徵(也就是，該光傳輸區域22的尺寸)，其因此能夠連續量測該直通矽晶穿孔110，而無需用於改變該數位可變光圈20設定的任何分離 的準備時間。如果該直通矽晶穿孔110具有100微米的深度，而進入該直通矽晶穿孔110內部之入射光的焦距到達大約20微米~60微米的深度時，可以預先設定該數位可變光圈20為具有相應於該該直通矽晶穿孔110深寬比之一孔徑特徵。
根據本發明一具體實施例，用於量測直通矽晶穿孔之一設備與方法可以精確量測該直通矽晶穿孔(也就是，該穿孔孔洞)的形成狀態。
實際上，根據本發明一具體實施例，使用一數位可變光圈，藉此更快且更精確的量測該直通矽晶穿孔的形成狀態。
同樣的，根據本發明一具體實施例，有足夠的光線可以到達該直通矽晶穿孔的內部底部，而其因此可能避免因為該直通矽晶穿孔內側光量不足所引起的無法量測情況，並能執行更有效率且精確的量測。
此外，根據本發明一具體實施例，使用該數位可變光圈，因此可以根據需求自由調整該孔徑尺寸，而不受到該孔徑尺寸限制。
同樣的，根據本發明一具體實施例，使用該數位可變光圈取代運用一馬達或其他類似機制的類比光圈，因此可以簡化該結構，並可以更快且更容易的調整該孔徑的尺寸。
此外，根據本發明一具體實施例，不需要根據該直通矽晶穿孔的深寬比對該光圈進行實體改變，藉此具有一改良的量測方便性以及縮短量測需要的時間。
雖然已經顯示及敘述本發明一些示例具體實施例， 但該領域技術人員將可理解在不背離本發明支援則與精神下可以在這些具體實施例中進行多種改變，本發明之構想則定義於該等附加申請專利範圍與其等價物之中。
10‧‧‧光源
20‧‧‧數位可變光圈
30‧‧‧輔助分光器
40‧‧‧第一光學系統
50‧‧‧分光器
60‧‧‧光量控制器
70‧‧‧鏡體
80‧‧‧第二光學系統
90‧‧‧偵測器
100‧‧‧量測物件

Claims (10)

  1. 一種量測形成於一量測物件中之一直通矽晶穿孔(TSV)的設備，該設備包括：一光源；一數位可變光圈，該數位可變光圈係提供於從該光源所放射之光的一路徑上，並根據該直通矽晶穿孔的一深寬比調整利用來自該光源所放射之光所照明的一區域；一分光器，該分光器將通過穿過該數位可變光圈的光分離成為多數光線，其分別在相互垂直的一第一方向與一第二方向中移動，並藉由將從佈置於該第一方向中該量測物件所反射的第一反射光與從佈置於該第二方向中之一鏡體所反射的第二反射光進行組合的方式，輸出該組合光；以及一偵測器，該偵測器根據從該分光器所引導之該組合光量測該直通矽晶穿孔，該數位可變光圈則作為一種孔徑，其孔徑尺寸可根據該直通矽晶穿孔的深寬比而選擇性改變，而無需進行實體移動。
  2. 如請求項1所述之設備，其中該數位可變光圈係利用一液晶顯示器(LCD)提供。
  3. 如請求項1所述之設備，進一步包括一光量控制器，該光量控制器係提供於由該分光器所***並進入該鏡體之光的一路徑上，並選擇性調整進入該鏡體的光量。
  4. 如請求項3所述之設備，其中該光量控制器根據該直通矽晶穿孔(TSV)的深寬比，調整進入該鏡體的光量，其中，可利用下述方程式[1]計算從該量測物件所反射之該第一反射光 該光量控制器將進入該鏡體的光量控制為具有大於該第一反射光之光量的0.5至2倍。
  5. 如請求項3所述之設備，其中該光量控制器係利用一液晶顯示器(LCD)提供。
  6. 如請求項1所述之設備，進一步包括一光學系統，該光學系統係提供於介於該數位可變光圈與該分光器之間，以及該分光器與一偵測器之間的至少一位置中。
  7. 一量測形成於一量測物件中之一直通矽晶穿孔(TSV)的方法，該方法包括：從一光源放射光；使用一數位可變光圈，以根據該直通矽晶穿孔的一深寬比調整利用來自該光源所放射之光所照明的區域；將通過穿過該數位可變光圈的光分離成為多數光線，其分別在相互垂直的一第一方向與一第二方向中移動，並藉由 將從佈置於該第一方向中該量測物件所反射的第一反射光與從佈置於該第二方向中之一鏡體所反射的第二反射光進行組合的方式，輸出該組合光；以及根據該組合光量測該直通矽晶穿孔，該數位可變光圈則作為一種孔徑，其孔徑尺寸可根據該直通矽晶穿孔的一深寬比而選擇性改變，而無需進行實體移動。
  8. 如請求項7所述之方法，進一步包括使用一光量控制器，以調整進入該鏡體的光量。
  9. 如請求項8所述之方法，其中該光量控制器根據該直通矽晶穿孔(TSV)的深寬比，調整進入該鏡體的光量，其中，可利用下述方程式[1]計算從該量測物件所反射之該第一反射光 該光量控制器將進入該鏡體的光量控制為具有大於該第一反射光之光量的0.5至2倍。
  10. 如請求項8所述之方法，其中該數位可變光圈與該光量控制器之至少之一係利用一液晶顯示器(LCD)提供。
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