TWI482193B - Electron microscopy and electronic wire detectors - Google Patents

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TWI482193B TW102126278A TW102126278A TWI482193B TW I482193 B TWI482193 B TW I482193B TW 102126278 A TW102126278 A TW 102126278A TW 102126278 A TW102126278 A TW 102126278A TW I482193 B TWI482193 B TW I482193B
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Yoichi Ose
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Description

電子顯微鏡及電子線檢測器
本發明是有關電子顯微鏡及使用在該電子顯微鏡的電子線檢測器。
在將使收束的一次電子線照射於試料時，以該一次電子線來平面地掃描試料表面的觀察對象領域，檢測出從一次電子線的照射位置放出的訊號電子，將該檢測訊號與一次電子線的掃描位置同步映射顯示，藉此生成掃描後的觀察對象領域的二次元畫像而顯示之掃描電子顯微鏡廣為人所知。
從試料表面放出的訊號電子是依其能量大致區分成二次電子及反射電子。反射電子是指射入電子在試料內重複彈性散亂及非彈性散亂之後，再度從試料表面放出的電子。因此，反射電子是與射入電子同程度的能量持發生量的峰值。另一方面，二次電子是指反射電子引起非彈性散亂時產生的低能量電子之中，從試料表面放出者。因此，二次電子是以數eV程度的能量持發生量的峰值。一般是將未滿50eV的能量的訊號電子稱為二次電子，與 反射電子區別。
可是，在掃描電子顯微鏡中，根據二次電子 之試料的觀察像(二次電子像)及根據反射電子之試料的觀察像(反射電子像)是分別含不同的資訊為人所知。亦即，二次電子像是強調試料表面的凹凸或電位的資訊之觀察像，相對的，反射電子像是強度試料的組成或結晶方位的資訊之觀察像。這是因為在二次電子的情況，能量小，所以其發生量容易受試料表面的形狀或表面電位的影響，相對的，反射電子的情況，其發生量是依存於試料的平均原子號碼。並且，同一組成的試料，在試料表面的結晶方位部分不同時或含結晶缺陷等時所被觀察的穿遂效應對比(channeling contrast)也來自反射電子為人所知。
在掃描電子顯微鏡，不僅試料表面的凹凸， 還被要求更鮮明地捕捉顯示如此的試料的組成之對比或穿遂效應對比。亦即，在掃描電子顯微鏡中，被要求高感度、高速且簡便地取得根據反射電子的試料的觀察像之方法。
一般，為了從上部照射一次電子線至試料， 檢測出反射電子，需要電子線檢測器配置在試料的正上部。此情況，以往，基於縮小電子線檢測器的必要性，作為如此的電子線檢測器是例如使用像專利文獻1所揭示那樣由單結晶所構成的閃爍器。
又，若所欲取得顯示試料的組成之對比或穿遂效應對比更鮮明的反射電子像，則例如需要由二次電子 來儘可能分離檢測出反射電子，藉此謀求畫像的低雜訊化。在專利文獻2-4是揭示有根據能量或軌道的不同來分離反射電子及二次電子之方法。
〔先行技術文獻〕 〔專利文獻〕
[專利文獻1]日本特開昭61-164179號公報
[專利文獻2]日本特開平11-273608號公報
[專利文獻3]日本特開昭59-197881號公報
[專利文獻4]日本特開2000-299078號公報
然而，由單結晶構成的閃爍器是有難加工，無形狀成形的自由度，高價等的問題。並且，只根據能量或軌道的不同來分離反射電子與二次電子，是所被檢測出的反射電子的收量會降低，在檢測感度或反應速度有問題。
有鑑於以上那樣的以往技術的問題點，本發明的目的是在於提供一種可使反射電子檢測的感度及反應速度提升之電子線檢測器、及適用該電子線檢測器的電子顯微鏡。
本發明之電子顯微鏡的特徵係具備：板狀的閃爍器，其係藉由電子線的射入來發出螢光；及光導，其係具有比前述閃爍器的折射率更小的折射率，將在前述閃爍器發光的螢光予以導光；前述閃爍器係接合前述光導的端面在外側藉由凸狀的曲面所形成，經由前述凸狀的曲面來接合於前述光導。
而且，前述閃爍器的特徵係以組成式為(Ln1-x Cex )3 M5 O12 (Ln是表示由Y、Gd、La及Lu所選擇的至少一個的元素，M是表示由Al及Ga所選擇的至少一個的元素)的Y-Al-O系陶瓷燒結體所形成。
若根據本發明，則可使被使用在電子顯微鏡的電子線檢測器的反射電子檢測的感度及反應速度提升。
1‧‧‧一次電子線
2‧‧‧掃描透鏡
3‧‧‧對物透鏡
4‧‧‧試料室
5‧‧‧試料
6‧‧‧反射電子
7，7a，7b，7c，7d，7e，7e’，7f‧‧‧閃爍器
8，8’‧‧‧光導
9‧‧‧光電變換元件
10‧‧‧放大電路
12‧‧‧電子線檢測器
14‧‧‧顯示裝置
71‧‧‧電子通過孔
75‧‧‧電子射入面
100‧‧‧電子顯微鏡
圖1是表示本發明的實施形態的電子顯微鏡的要部構成例。
圖2是表示Y-Al-O系陶瓷燒結體的螢光的發光強度及光透過率的Ce組成比依存特性圖表的例圖。
圖3是表示在本實施形態的電子顯微鏡使用的閃爍器及光導的形狀的例圖，()是上面圖的例，()是側面 圖的例。
圖4是表示本發明的實施形態的第1變形例的閃爍器的形狀的例圖，()是上面圖的例，()是側面圖的例。
圖5是表示本發明的實施形態的第2變形例的閃爍器的形狀的例圖，()是上面圖的例，()是側面圖的例。
圖6是表示本發明的實施形態的第3變形例的閃爍器的形狀的例圖，()是上面圖的例，()是側面圖的例。
圖7是表示本發明的實施形態的第4變形例的閃爍器的形狀的例圖，()是上面圖的例，()是側面圖的例。
圖8是表示本發明的實施形態的第5變形例的閃爍器的形狀的例圖，()是上面圖的例，()是側面圖的例。
圖9是表示在本發明的實施形態的第6變形例的閃爍器的電子射入面所形成的光反射用的金屬膜的形狀的例圖。
圖10是模式性地表示從折射率大的物質內往折射率小的物質(包含真空)發出光時，在平坦的境界面及在外側凸狀的境界面全反射的方式不同的圖。
以下，參照圖面來詳細說明有關本發明的實施形態。
圖1是表示本發明的實施形態的電子顯微鏡100的要部構成的例圖。如圖1所示般，本發明的實施形態的電子顯微鏡100的要部構成是包含：掃描透鏡2、對物透鏡3、試料室4、閃爍器7、光導8、光電變換元件9、放大電路10、顯示裝置14等。
而且，在試料室4內設有保持試料5之未圖示的試料台、及使該試料台移動來決定試料5的觀察對象領域之未圖示的試料台移動機構等，在觀察時，試料5是被配置於試料室4內的對物透鏡3的正下部。並且，此時，閃爍器7是被配置在對物透鏡3與試料5之間。
在以上那樣構成的電子顯微鏡100中，從未圖示的電子槍射出的一次電子線1為了掃描試料5的觀察對象領域，而藉由掃描透鏡2來偏向，在對物透鏡3對焦，而照射至試料5的表面。此時，在閃爍器7的中央部的一次電子線1所通過的附近的位置設有電子通過孔71，一次電子線1是通過此電子通過孔71，照射至試料5的表面。
一旦一次電子線1被照射至試料5，則從試料5的表面放出反射電子6或未圖示的二次電子等，反射電子6是從下面側往閃爍器7射入。另外，在本說明書中，以下，將閃爍器7的下面稱為電子射入面75。
在此，對物透鏡3是例如半浸沒式透鏡 (semi-in-lens)型。此情況，未圖示的二次電子是藉由對物透鏡3的強磁場來沿著一次電子線1的光軸而捲起，由往上通過電子通過孔71，再被引入對物透鏡3之中，因此往閃爍器7的射入量是些微。
一旦反射電子6射入閃爍器7，則螢光體的閃爍器7會發出螢光。閃爍器7發出的螢光是藉由光導8來導光，輸入至由光電倍增管或半導體的受光元件等所構成的光電變換元件9，藉由光電變換元件9來變換成電氣訊號。對應於如此被變換成電氣訊號的反射電子的量之訊號(反射電子檢測訊號)是在放大電路10被放大，傳送至顯示裝置14。
另外，在本說明書中，將由閃爍器7、光導8、光電變換元件9及放大電路10所構成的部分稱為電子線檢測器12(但，亦可不將放大電路10含於電子線檢測器12)。
而且，在本實施形態中，使用以Ce作為活化劑的Y-Al-O系陶瓷燒結體作為閃爍器7的材料。所謂以Ce作為活化劑的Y-Al-O系陶瓷燒結體是意指將組成式為(Ln1-x Cex )3 M5 O12 的物質燒結取得的陶瓷燒結體。在此，Ln是表示Y、Gd、La及Lu的其中至少一個的元素，M是表示Al及Ga的其中至少一個的元素。並且，在本實施形態中，Ce的組成比x是0.002≦x≦0.025的範圍者，有關其根據是另外參照圖面來說明。
以上那樣的Y-Al-O系陶瓷燒結體是可藉由混 合原料的氧化物粉體，壓縮成適當的形狀，以適當的溫度例如攝氏1400度~1600度的溫度來保持一定的時間等之方法製作。並且，原料亦可使用藉由溶液沈降所取得的極微粒子等。
另外，作為閃爍器7的材料，以往一般所被 使用的單結晶材料是以來自融液的拉起等的方法所製作，因此製作費工，高價，且大小或形狀受限。亦即，以根據拉起的結晶成長所製作的單結晶材料是成為圓筒狀的形狀，且若所欲擴大其直徑，則會更產生裝置成本增大的問題。所以，在單結晶材料時，閃爍器7的形狀是一般不得不形成周圍為圓的圓板狀。然而，圓板狀的閃爍器7時，發光後的螢光會發出於全方向，因此光量的損失大，產生無法擴大往光導8的射入量之問題。
當然，單結晶材料也可製作方形的閃爍器7。 然而，該情況，由不那麼大的圓板來切出方形的板，周邊部會被捨去，因此材料損失大，材料的費用增加。
相對於此，使用Y-Al-O系陶瓷燒結體的閃爍 器7是只要將材料的粉體壓縮成適當的形狀而燒結即可，因此可比較便宜地製作。並且，作為陶瓷的形狀是大致依壓縮粉體時的形狀而定，所以在設計閃爍器7的大小或形狀上，可取得大的自由度。因此，藉由對於閃爍器7的形狀下工夫，可降低閃爍器7之光量的損失，使往光導8的射入光量增大。
又，由於Y-Al-O系陶瓷燒結體是多結晶，基 本上是具有各種的結晶方位之微結晶的集合體，所以燒結體全體不會有結晶異方性的特徵出現的情形。因此，與全體具有同一結晶方位的單結晶材料不同，不用考慮結晶方位，製作成本也可降低。
圖2是表示Y-Al-O系陶瓷燒結體的螢光的發 光強度及光透過率的Ce組成比依存特性圖表的例圖。在圖2中，圖表的橫軸是表示Ce組成比x，左的縱軸是表示螢光發光強度，右的縱軸是表示光透過率，且粗實線的曲線是表示螢光的發光強度的測定值，粗點線的曲線是表示光透過率。
在此，發光強度的測定值是在對Y-Al-O系陶 瓷燒結體的薄板(20mm四方，厚度2mm)照射以10kV加速後的電子線時取得者。在圖2中，其測定值是以將以往一般使用的單結晶閃爍器的發光強度設為100時的相對值來表示。
另外，如此的發光強度對於Ce組成比x的依存特性，並非限於以10kV加速後的電子線，有關具有各種能量的電子線也顯示大致同樣的傾向。
並且，光透過率的測定值是對Y-Al-O系陶瓷燒結體的薄板(20mm四方，厚度2mm)以波長為500~650nm的範圍的光來特別射入550nm前後的光時取得者。另外，使用在本實施形態的Y-Al-O系陶瓷燒結體是藉由電子線的照射來發出波長為500~650nm的範圍的螢光。
以上，若根據圖2的圖表，則可知Y-Al-O系 陶瓷燒結體是在Ce的組成比x為0.002~0.025的範圍中，顯示高於以往的單結晶閃爍器的發光強度。
並且，光透過率是當Ce組成比x為0.02以 下時，大概顯示80%以上的值，若Ce組成比x超過0.02，則其值是低於80%，但儘管如此，Ce組成比x為0.025以下的範圍是顯示比60%大的值。因此，Y-Al-O系陶瓷燒結體的光透過性是可謂在Ce的組成比x為0.025以下的範圍良好。
另外，圖2的圖表之發光強度及光透過率的 資料是在Y-Al-O系陶瓷燒結體為組成式(Y1-x Cex )3 Al5 O12 的物質時取得者，但組成式為(Ln1-x Cex )3 M5 O12 ，該Ln為Y、Gd、La及Lu的其中至少一個的元素，且M為Al及Ga的其中至少一個的元素時，大概可取得同樣的資料。
於是，在本實施形態中，如前述般，使用組 成式為(Ln1-x Cex )3 M5 O12 的Y-Al-O系陶瓷燒結體(Ln為Y、Gd、La及Lu的其中至少一個的元素，且M為Al及Ga的其中至少一個的元素)，Ce的組成比x為0.002≦x≦0.025的範圍者，作為閃爍器7的材料。
並且，光導8的材料是使用丙烯酸樹脂、聚碳酸酯樹脂、板玻璃、石英玻璃等、透明度高的材料。又，亦可使用像光纖那樣可曲線的導光體。並且，閃爍器7與光導8之間是亦可為間隙，或使介在透明樹脂、光學結合劑、匹配油(Matching oil)等的接合材料而接合。
如以上般，在本實施形態所使用的閃爍器7 是螢光的發光強度大，且光透過性也良好，因此包含閃爍器7及光導8而成的電子線檢測器12可取得高感度、反應速度快等的性能。
圖3是表示在本實施形態的電子顯微鏡100 使用的閃爍器7及光導8的形狀的例圖，()是上面圖的例，()是側面圖的例。但，在圖3()、()中，光導8的形狀是只顯示連接於閃爍器7的附近的形狀。
另外，在圖3()中，基於方便起見，將光 導8的長度方向設為X軸，將光導8的寬度方向設為Y軸。並且，在圖3()中，基於方便起見，將光導8的長度方向設為X軸，將光導8及閃爍器7的厚度方向設為Z軸。另外，此情形在圖4以下的圖面也同樣。
如圖3()、()所示般，閃爍器7是除了 在其中央部形成有用以使一次電子線1等通過的電子通過孔71以外，還具有其次那樣的形狀的特徵。
首先、第1特徵是閃爍器7的端部的端面之中，與光導8接合的端面72在外側是形成凸狀的曲面。此時，閃爍器7與光導8是亦可持間隙(亦即空氣或真空的層)接合，或在其間隙填入透明樹脂、光學結合劑、匹配油等的接合材料而接合。
又，第2特徵是閃爍器7之與光導8接合的端部相反側的端部的端面是大致平行於Z軸，且以和X軸分別成角度α1 及角度α2 的2個端面73，74所形成。另 外，角度α1 及角度α2 是可為同值或異值。但，α1 +α2 <180度。
又，第3特徵是與閃爍器7的電子射入面75(閃爍器7的下面)對向之閃爍器7的上面76對於電子射入面75成傾斜角β而傾斜。此情況，閃爍器7的厚度是越接近與光導8對向的端面72越大(厚)，越遠離端面72越小(薄)。
而且，在具有以上那樣的形狀的特徵之閃爍器7的表面之中，接合於光導8的端面72以外的表面是形成有作為光反射膜作用的金屬膜。此情況，此金屬膜的材料是哪種的金屬皆可，只要反射光，其反射率大者即可，但一般是使用Al。另外，Al膜等的金屬膜是可利用真空蒸鍍等來形成。
之所以將閃爍器7形成具有以上那樣的特徵之形狀，且在接合於光導8的端面72以外的表面形成Al膜等的金屬膜，皆是意圖使在閃爍器7之中產生的螢光儘可能多往光導8射入。以下，依序說明閃爍器7的形狀或金屬膜的作用及效果。
被形成於閃爍器7的表面之Al膜等的金屬膜是作為光反射膜作用，防止在閃爍器7之中產生的螢光往外部散逸。亦即，Al膜等的金屬膜是具有抑制在閃爍器7之中產生的螢光的光量的損失之效果。並且，使形成於閃爍器7的表面之金屬膜導通至電子顯微鏡100的框體等，藉此防止閃爍器7的充電(Charge Up)，使根據射入閃 爍器7的反射電子6之檢測訊號的S/N(Signal to Noise Ratio)提升等的效果也可期待。
在此，在閃爍器7的表面形成的金屬膜之 中，形成於電子射入面75(閃爍器7的下面)之金屬膜的膜厚是必須為不妨礙反射電子6的射入之膜厚。亦即，該金屬膜的膜厚是被要求使光充分地反射，且容許反射電子6的射入之程度的厚度。而且，其膜厚是被要求遮蔽具有50eV以下的能量的二次電子之厚度。
當金屬膜為Al膜時，符合以上那樣的條件之 金屬膜的膜厚是100nm以下，最好是50nm程度。本實施形態是在閃爍器7的電子射入面75形成以膜厚50nm為目標的Al膜。
並且，形成於閃爍器7的表面的金屬膜之 中，被形成在電子射入面75以外的表面的金屬膜是無須考慮反射電子6的射入。因此，其膜厚是厚較佳。光的反射率較能提升，降低在閃爍器7之中產生的螢光往外部的散逸量。
另外，當金屬膜為Al膜時，其膜厚是100nm 以上為理想。就本實施形態而言，在閃爍器7的表面之中，除了接合於光導8的端面72及電子射入面75形成以膜厚200nm為目標的Al膜。
其次，一旦反射電子6從電子射入面75側射 入至以上那樣構成的閃爍器7，則會在閃爍器7之中產生螢光。在閃爍器7之中產生的螢光是直接或在閃爍器7的 表面所形成的金屬膜多重反射，而到達接觸於光導8的端面72。
如前述般，在本實施形態中，閃爍器7的上 面76對於電子射入面75傾斜成傾斜角β(第3特徵)，並且，與閃爍器7接合於光導8的端部相反側的端部的端面73及端面74對於X軸是分別傾斜成角度α1 及角度α2 (第2特徵)。因此，在閃爍器7之中產生的螢光是在接合於光導8的端面72側的方向容易被反射，因此可藉由平均少的次數的多重反射來到達端面72。
多重反射的次數少是意味螢光到達光導8側 的端面72為止的所要距離變短，該部分，往螢光的端面72的到達時間會被縮短，且螢光的衰減量也被低減。其結果，使用此閃爍器7的電子線檢測器12的反應速度會變快，感度會提升。
另外，若依據本發明的發明者們的各種檢 討，則可知當閃爍器7端部的端面73及端面74與X軸所成的角度α1 及角度α2 為30度≦α1 ，α2 <90度時，可將螢光有效地往端面72導光。並且，同樣，可知當閃爍器7的上面76與電子射入面75所成的傾斜角β為0度<β≦60度時，可將螢光有效地往端面72導光。
如以上般，在閃爍器7之中產生的螢光是一 旦到達未形成有金屬膜的端面72，則出閃爍器7，往光導8射入。此時，需要儘可能多量的螢光往光導8射入。為了該目的，本實施形態是使閃爍器7的端面72在外側以 凸狀的曲面形成。這是與以閃爍器7的材料之Ce作為活化劑的Y-Al-O系陶瓷燒結體的折射率大有關。
例如，以Ce作為活化劑的Y-Al-O系陶瓷燒 結體的折射率為1.8程度。另一方面，作為光導8的材料使用的一般性的透明樹脂或玻璃等的折射率是1.4~1.6程度，且一般性的光學結合劑或接著用的樹脂等折射率是1.6以下。並且，空氣或真空的折射率是大致1。
因此，在閃爍器7內發光的螢光是從折射率 大的物質射入至折射率小的物質之中。此情況，若在閃爍器7內發光的螢光形成某角度以上的角度來從閃爍器7出去的話，則會發生所謂全反射的現象，無法往閃爍器7之外出去。
附帶說明，當光從折射率1.8的物質(閃爍器 7)往空氣中或真空中(折射率大致1.0)出去時，全反射的臨界角是約34度。因此，在閃爍器7之中產生的螢光是在對於閃爍器7之與空氣或真空的境界面(端面72)以入射角比34度程度更大的角度來射入時，產生全反射，無法往閃爍器7之外出去。另外，當光從折射率1.8的閃爍器7出去至折射率1.6的接著用的樹脂等時，其全反射的臨界角是約63度。
亦即，閃爍器7的折射率是比光導8的折射 率更大，因此接合閃爍器7與光導8時，在其境界面產生全反射，往光導8之入射光的光量產生損失。於是，本實施形態是使閃爍器7的端面72在外側以凸狀的曲面形 成，藉此使不易產生境界面的全反射，降低境界面的光量的損失。以下，說明有關使閃爍器7的端面72在外側以凸狀的曲面形成，藉此不易產生境界面的全反射的理由。
圖10是模式性地表示從折射率大的物質內往 折射率小的物質(包含真空)發出光時，在平坦的境界面及在外側凸狀的境界面全反射的方式不同的圖。在圖10中，下部領域的物質(閃爍器7)是折射率大，上部領域的物質是折射率小，下部領域與上部領域是分成平坦的(平面狀的)境界面M1，或由下部領域側來看在外側凸狀的曲面的境界面M2。
首先，說明有關在平坦的境界面M1的全反 射。從折射率大的下部領域(閃爍器7)內的某點P發出的光線之中，當從點P到境界面M1上的點Q的光線的入射角θ1為全反射的臨界角時，該光線是不會往折射率小的上部領域發出。在此，所謂入射角θ1是光線PQ與通過點Q和境界面M1垂直的直線V1所成的角。
另一方面，當上部領域與下部領域的境界為 在外側凸狀的曲面的境界面M2時，從點P到相當於境界面M1的面上的點Q的光線是在點R與境界面M2交叉。 此時，光線PR之對境界面M2的入射角θ2是對於在點R的境界面M2的接平面H2垂直通過點R的直線V2，光線PR所成的角。在此，若比較θ1及θ2，則可知θ2是只比θ1更小境界面M1與接平面H所成的角δθ的部分。亦即，θ2=θ1-δθ。
這是意味從某點P發出的光線，即使在境界 為平坦的境界面M1時是全反射那樣的光線，也會在境界為外側凸狀的曲面的境界面M2時是全不反射。亦即，閃爍器7之接合於光導8的端面72的形狀為在外側凸狀的曲面時，閃爍器7內的螢光要比平坦面的形狀時更多往閃爍器7之外發出。亦即，從閃爍器7之中發出來的光量會變多。
在發明者們的解析中，當閃爍器7的折射率 為1.8且外側具有空氣或真空的間隙時，若使端面72的彎曲率形成5%以上，則可知產生全反射的情況非常小。 因此，端面72的彎曲率是形成5%以上為理想，若將端面72的彎曲率形成5%以上，則可使來自閃爍器7的螢光的取出量增加。
在此，所謂曲面S(圖示省略)的彎曲率c是 意指將從曲面S上的點P(圖示省略)沿著曲面S而僅離開距離d的曲面S上的其他的點設為點Q(圖示省略)，將在點P接觸於曲面S的平面設為接平面H時，當點Q與接平面H的距離為△d時。以c=△d/d所求取的數值。
另外，在圖3()中，閃爍器7的端面72以 外的端部的端面(連接端面73、端面74，端面72及端面73的端面78、及連接端面72及端面74的端面79)是被描繪成直線(平面)狀，但若彎曲率未滿5%，則亦可在外側為凸狀或在內側為凹狀的曲面。但，即使在該等的端面形成有反射用的金屬膜，若考慮全反射的容易度，該等 的端面還是在內側為凹狀的曲面較理想。
並且，在本實施形態中，如圖3()所示般，在光導8的端部接合閃爍器7的端面72的端部的寬度(Y方向)是比閃爍器7的端面72部分的寬度更大。並且，如圖3()所示般，在光導8的端部接合閃爍器7的端面72的端部的厚度(Z方向)是比閃爍器7的端面72部分的厚度更大。
藉由如此使接受螢光側的光導8的端部的端面的大小比發出螢光側的閃爍器7的端面72的大小更大，可使從閃爍器7的端面72射出的螢光儘可能多往光導8射入。亦即，可減少閃爍器7與光導8的連接部之光量的損失。
並且，如圖3()所示般，若閃爍器7的端面72在外側為凸狀的曲面，則與端面72對向的光導8的端部的端面亦可為平坦面，或沿著端面72凹陷於內側的面。而且，該等兩者的端面之間亦可為保持間隙，或填入透明樹脂、光學結合劑、匹配油等的接合材料。另外，當被填入接合材料時，若使該接合材料的折射率形成與光導8的折射率相同，則在接合材料與光導8的境界之全反射等的問題不會發生，因此光量的損失的問題也不會發生。
並且，在圖3()中，閃爍器7是在中央部形成有電子通過孔71，但電子通過孔71不是必須。亦可去掉電子通過孔71，在電子顯微鏡100中，將閃爍器7設在不與一次電子線1的光軸交叉的一旁的位置。
如以上說明般，在本實施形態中，閃爍器7 是成為可使在其中產生的螢光之中儘可能多的螢光射入至光導8的構造，因此射入至光導8的光量會增大。亦即，可使含閃爍器7構成的電子線檢測器12的電子檢測的感度提升。
將以上說明的本實施形態的作用及效果的要點整理成以下所示般。
首先，在本實施形態中，閃爍器7的材料是使用(Y1-x Cex )3 Al5 O12 等以Ce作為活化劑的Y-Al-O系陶瓷燒結體，更將該Ce的組成比x設為0.002≦x≦0.025，藉此可使發光強度增大，可取得良好的光透過(參照圖2)。其結果，在閃爍器7產生更多的光量的螢光，且可將更多的光量導至光導8，因此可使構成包含閃爍器7的電子線檢測器12的電子檢測的感度提升。
並且，使用Y-Al-O系陶瓷燒結體的閃爍器7是藉由將粉體的材料壓緊而燒結來成形，因此其成形成本價格便宜，成形的形狀的自由度大。因此，在設計閃爍器7的形狀上的自由度會增加。於是，本實施形態是將閃爍器7的形狀形成其次那樣的形狀。
使閃爍器7的上面76對於電子射入面75傾斜成傾斜角β，且使與閃爍器7和光導8連接的端部相反側的端部的端面73，74分別對於X軸傾斜角度α1 ，α2 (參照圖3)。而且，在閃爍器7的上面76，下面(電子射入面75)，及端面72以外的端面73，74，78，79形 成Al膜等的光反射膜。
在如此構成的閃爍器7之中產生的螢光是在 被接合於光導8的端面72的方向容易被反射，因此可藉由平均少的次數的多重反射來到達端面72。其結果，在閃爍器7之中產生的螢光到達與光導8對向的端面72為止的距離及時間會被縮短，在閃爍器7之中的螢光的衰減量會低減。因此，含閃爍器7構成的電子線檢測器12的反應速度會變快，感度會提升。
並且，藉由使閃爍器7之與光導8接合的端 面72在外側形成凸狀的曲面(參照圖3())，在閃爍器7之中產生的螢光在端面72全反射的量會減少，因此可使經由端面72來取出至光導8側的螢光的量增加。因此，可使含閃爍器7構成的電子線檢測器12的電子檢測的感度提升。
如以上般，若根據本實施形態，則可使在電 子顯微鏡100所使用的電子線檢測器12的反射電子檢測的感度及反應速度提升，且可降低其製作成本。
若根據以上說明的實施形態，則藉由使用Y- Al-O系陶瓷燒結體作為閃爍器7的材料，閃爍器7的形狀的自由度會增加。因此，閃爍器7的形狀可更設計各種形狀。以下，說明有關閃爍器7的形狀之可能的變形例。
另外，在以下的變形例中，任一情況皆是使 用組成式為(Ln1-x Cex )3 M5 O12 的Y-Al-O系陶瓷燒結體作為閃爍器7的材料。在此，Ln是表示Y、Gd、La及Lu的 其中至少一個的元素，M是表示Al及Ga的其中至少一個的元素，Ce的組成比x是0.002≦x≦0.025。
(第1變形例)
圖4是表示本發明的實施形態的第1變形例的閃爍器7a的形狀的例圖，()是上面圖的例，()是側面圖的例。如圖4()，()所示般，閃爍器7a的形狀是除一部分外，與圖3所示的閃爍器的形狀幾乎相同。以下，只說明有關形狀不同的部分。
在此第1變形例中，閃爍器7a的上面76對於電子射入面75不是傾斜，而是彼此平行。並且，接合於光導8的端部之閃爍器7a的端部的端面72a在外側不是凸狀的曲面，而是平坦的面。亦即，端面72a及與端面72a對向接觸的光導8的端部的端面是與X軸垂直的平面。
並且，作為光反射膜形成的金屬膜是與前述實施形態的情況同樣形成。而且，在閃爍器7a的端面72a與光導8之間是設有間隙，或使介在透明樹脂、光學結合劑、匹配油等的接合材料來接合。
利用以上那樣的閃爍器7a來製作的電子線檢測器12及電子顯微鏡100是可取得反射電子的檢測感度高，反應快的良好特性。這無非是根據更具有前述的實施形態的閃爍器7的特徵之中，閃爍器7a是以Ce作為活化劑的Y-Al-O系陶瓷燒結體所形成的特徵、及與閃爍器7a 和光導8連接的端部相反側的端部的端面為大致平行於Z軸，且以和X軸所成角度α1 ，α2 的2個端面73，74來形成的特徵之效果無他。
因此，在此第1變形例，雖有程度的差，但可取得與前述的實施形態同樣的效果。
(第2變形例)
圖5是表示本發明的實施形態的第2變形例的閃爍器7b的形狀的例圖，()是上面圖的例，()是側面圖的例。如圖5()、()所示般，閃爍器7b的上面形狀是正方形或長方形狀，接觸於光導8的端部之閃爍器7b的端部的端面72b、及與閃爍器7b的端面72b相反側的端部的端面77是彼此平行，與X軸垂直的平面。
並且，作為光反射膜形成的金屬膜是與前述 實施形態的情況同樣形成。而且，閃爍器7b的端面72b與光導8之間是設有間隙，或使透明樹脂、光學結合劑、匹配油等的接合材料介在而接合。
利用以上那樣的閃爍器7b來製作的電子線檢 測器12及電子顯微鏡100是可取得反射電子的檢測感度高，反應快的良好特性。這無非是根據在第2變形例中，閃爍器7b的端部的端面77是具有將在閃爍器7b之中產生的螢光反射至光導8側的端面72b之作用，且閃爍器7b是以Ce作為活化劑的Y-Al-O系陶瓷燒結體所形成的效果無他。
因此，在此第2變形例，雖有程度的差，但可取得與前述的實施形態同樣的效果。
(第3變形例)
圖6是表示本發明的實施形態的第3變形例的閃爍器7c的形狀的例圖，()是上面圖的例，()是側面圖的例。如圖6()、()所示般，閃爍器7c的上面形狀是梯形狀的四邊形，接觸於光導8的端部之閃爍器7c的端部的端面72c及與閃爍器7c的端面72c相反側的端部的端面77是彼此平行，為與X軸垂直的平面。並且，分別連接閃爍器7c的端面72c及端面77的端面78及端面79是對於X軸傾斜，閃爍器7c的Y方向的寬度是在端面72c側大，在端面77側小。亦即，端面78與端面79的離間距離是隨著離開端面72c而變小。並且，閃爍器7c的上面76是對於電子射入面75傾斜，閃爍器7c的Z方向的厚度是在端面72c側厚，在端面77側薄。
並且，作為光反射膜形成的金屬膜是與前述實施形態的情況同樣形成。而且，閃爍器7c的端面72c與光導8之間是設有間隙，或使透明樹脂、光學結合劑、匹配油等的接合材料介在而接合。
利用以上那樣的閃爍器7c來製作的電子線檢測器12及電子顯微鏡100是可取得反射電子的檢測感度高，反應快的良好特性。這無非是根據在第3變形例中，閃爍器7c的端部的電子射入面75、上面76、端面77、 端面78及端面79是具有將閃爍器7c之中產生的螢光以少的次數的多重反射來導光至光導8側的端面72c之作用，且閃爍器7c是以Ce作為活化劑的Y-Al-O系陶瓷燒結體所形成的效果無他。
因此，在此第3變形例，雖有程度的差，但可取得與前述的實施形態同樣的效果。
(第4變形例)
圖7是表示本發明的實施形態的第4變形例的閃爍器7d的形狀的例圖，()是上面圖的例，()是側面圖的例。如圖7()、()所示般，閃爍器7d的形狀是形成折衷第1變形例的閃爍器7a的形狀及第2變形例的閃爍器7b的形狀之形狀。亦即，與閃爍器7d的端面72d相反側的端部的端面是藉由端面73、端面74及端面77的3個端面所構成。
在此，端面77是形成與端面72d大致平行， 且端面73及端面74是分別與X軸形成角度α1 ，α2 (圖示省略)。另外，有關角度α1 ，α2 是與前述實施形態(參照圖3)的情況同樣為30度≦α1 ，α2 <90度。
並且，作為光反射膜形成的金屬膜是與前述 實施形態的情況同樣形成。而且，閃爍器7d的端面72d與光導8之間是設有間隙，或使透明樹脂、光學結合劑、匹配油等的接合材料介在而接合。
利用以上那樣的閃爍器7d來製作的電子線檢 測器12及電子顯微鏡100是可取得反射電子的檢測感度高、反應快的良好特性。這無非是根據在第4變形例中，閃爍器7d的端部的端面73、端面74及端面77是具有將在閃爍器7d之中產生的螢光反射至光導8側的端面72d之作用，且閃爍器7d是以Ce作為活化劑的Y-Al-O系陶瓷燒結體所形成的效果無他。
因此，在此第4變形例，雖有程度的差，但可取得與前述的實施形態同樣的效果。
另外，在此變形例中，端面77是與端面72d大致平行形成，但並非一定要平行。但，端面77與端面73及端面74所分別成的角皆為未滿180度。這是意味端面73、端面77及端面74在外側為凸狀的多面體的一部分。
(第5變形例)
圖8是本發明的實施形態的第5變形例的閃爍器7e，7e’的形狀的例圖，()是上面圖的例，()是側面圖的例。如圖8()，()所示般，第5變形例的閃爍器7e，7e’的形狀是第1變形例的閃爍器7a分割成上下(Y方向)2個的形狀。然後，被分割的2個閃爍器7e，7e’是分別連接至相異的光導8，8’。
另外，在此變形例中，閃爍器7e，7e’分別與光導8，8’接觸的端部的端面72e，72e’在外側不是凸狀的面，而是平坦的面，但亦可在外側為凸狀的面。
並且，除了作為光反射膜形成的金屬膜是與 前述實施形態的情況同樣形成以外，還在被分割的閃爍器7e，7e’的境界的端面也形成有光反射用的金屬膜。並且，閃爍器7e，7e’的端面72e，72e’與光導8，8’之間是分別設有間隙，或使透明樹脂、光學結合劑、匹配油等的接合材料介在而接合。
利用以上那樣的閃爍器7e，7e’來製作的電子 線檢測器12及電子顯微鏡100是可取得反射電子的檢測感度高，反應快的良好特性。這無非是根據在第5變形例的各閃爍器7e，7e’中，對X軸傾斜的端面73，74、對電子射入面75，75’成傾斜角β而傾斜的上面76，76’是具有將在閃爍器7e，7e’之中產生的螢光反射至光導8，8’側的端面72e，72e’之作用，且閃爍器7e，7e’是以Ce作為活化劑的Y-Al-O系陶瓷燒結體所形成的效果無他。
因此，在此第5變形例，雖有程度的差，但 可取得與前述的實施形態同樣的效果。
而且，在本變形例中，2個的閃爍器7e，7e’ 是經由各不同的光導8，8’來連接至各不同的光電變換元件9(參照圖1)。這是意味本變形例的電子顯微鏡100具備彼此獨立的2個電子線檢測器12。因此，在該電子顯微鏡100可取得2種類的觀察畫像。例如，在使試料5傾斜來觀察時等是按照試料5的表面的凹凸的情況，而於反射電子6的放出情況產生偏倚，因此藉由此2種類的觀察畫像，可觀察根據該偏倚的不同之觀察畫像的不同。
另外，本變形例是將閃爍器7予以2分割， 但並非限於2分割，亦可分割成4分割或6分割等3分割以上。並且，在將閃爍器7分割成複數個時，分別被分割的閃爍器7，7’是亦可不是具有彼此對稱性的形狀。
(第6變形例)
圖9是表示在本發明的實施形態的第6變形例的閃爍器7f的電子射入面75所形成的光反射用的金屬膜的形狀的例圖。另外，閃爍器7f其本身的形狀是與前述實施形態的閃爍器7相同。因此，在閃爍器7f的大致中央是形成有電子通過孔71。
本變形例是在與電子射入面75上的電子通過 孔71同心圓的圓內的領域75a形成不妨礙反射電子6的射入之厚度的金屬膜，在該同心圓的外側的領域75b是形成遮蔽反射電子6的射入之厚度的金屬膜。並且，除了閃爍器7f的電子射入面75及接觸於光導8的端部的端面72以外的其他面是形成遮蔽反射電子6的射入之厚度的金屬膜。
另外，當金屬膜為Al膜時，不妨礙反射電子 6的射入之膜厚是100nm以下，較理想是50nm程度的膜厚，遮蔽反射電子6的射入之膜厚是超過100nm的膜厚，較理想是200nm程度的膜厚。
因此，在本變形例中，反射電子6之往閃爍器7f的射入是被限定於電子射入面75的領域75a的部 分，所以反射電子6的檢測的各向同性會被確保。一般，在來自試料5的反射電子的放出有偏倚時，若未能各向同性地捕捉其放出量，則無法正確地檢測出所被放出的反射電子的量。因此，在前述的實施形態或其變形例中，由於閃爍器7的電子射入面75的形狀無旋轉對稱性，所以產生無法正確地檢測出所被放出的反射電子的量之問題，但在本變形例的閃爍器7f是不會發生該問題。亦即，本變形例是除了可取得與前述實施形態同樣的效果以外，還可取得反射電子6的各向同性的檢測可能的效果。
另外，本發明並非限於以上說明的實施形態 及其變形例，更包含各種的變形例。例如，前述的實施形態是為了容易理解說明本發明，而詳細說明者，並非限於一定具備說明的所有構成者。並且，可將某實施形態或變形例的構成的一部分以其他的實施形態或變形例的構成的一部分來置換，且亦可對某實施形態的構成加上其他的實施形態的構成的一部分或全部。
7‧‧‧閃爍器
8‧‧‧光導
71‧‧‧電子通過孔
72、73、74、78、79‧‧‧端面
75‧‧‧電子射入面
76‧‧‧上面

Claims (14)

  1. 一種電子顯微鏡，其特徵係具備：板狀的閃爍器，其係藉由電子線的射入來發出螢光；及光導，其係具有比前述閃爍器的折射率更小的折射率，將在前述閃爍器發光的螢光予以導光；前述閃爍器係接合前述光導的端面藉由往外側凸狀的曲面所形成，經由前述凸狀的曲面來接合於前述光導之是平坦面的端面。
  2. 如申請專利範圍第1項之電子顯微鏡，其中，前述閃爍器與前述光導係經由具有比前述閃爍器的折射率更小的折射率之物質層來接合。
  3. 如申請專利範圍第1項之電子顯微鏡，其中，前述閃爍器的端面之中，接合前述光導的端面以外的端面為平面或往前述閃爍器的內側凹狀的曲面。
  4. 如申請專利範圍第1項之電子顯微鏡，其中，前述閃爍器的端面之中，分別連接至接合前述光導的端面且彼此對向之2個的端面的離間距離係隨著遠離接合前述光導的端面而變小。
  5. 如申請專利範圍第1項之電子顯微鏡，其中，分別連接至接合前述光導的前述閃爍器的端面且彼此對向的前述閃爍器的上面及下面的離間距離係隨著遠離接合前述光導的端面而變小。
  6. 如申請專利範圍第1項之電子顯微鏡，其中，前 述閃爍器的端面之中，位於與接合前述光導的端面相反側的端面係彼此成180度以下的角度而連接的複數的平面或往前述閃爍器的內側凹狀的曲面所構成。
  7. 如申請專利範圍第1項之電子顯微鏡，其中，在前述閃爍器的上面及下面的表面形成有光反射膜，形成於前述上面的光反射膜的膜厚係比形成於成為電子線的射入面的前述下面的光反射膜的膜厚更厚。
  8. 如申請專利範圍第1項之電子顯微鏡，其中，前述閃爍器係被分割成複數部分，在該被分割的前述閃爍器的各部分連接各獨立的光導。
  9. 如申請專利範圍第1項之電子顯微鏡，其中，前述閃爍器係以組成式為(Ln1-x Cex )3 M5 O12 (Ln係表示由Y、Gd、La及Lu所選擇的至少一個的元素，M係表示由Al及Ga所選擇的至少一個的元素)的Y-Al-O系陶瓷燒結體所形成。
  10. 如申請專利範圍第9項之電子顯微鏡，其中，前述Y-Al-O系陶瓷燒結體的Ce的組成比x為0.002≦x≦0.025。
  11. 一種電子線檢測器，其特徵係具備：板狀的閃爍器，其係藉由電子線的射入來發出螢光；及光導，其係具有比前述閃爍器的折射率更小的折射率，將在前述閃爍器發光的螢光予以導光；前述閃爍器係前述光導側的端部藉由往外側凸狀的曲 面所形成，經由前述凸狀的曲面來接合於前述光導之是平坦面的端面。
  12. 一種電子顯微鏡，其特徵係具備：板狀的閃爍器，其係藉由電子線的射入來發出螢光；及光導，其係具有比前述閃爍器的折射率更小的折射率，將在前述閃爍器發光的螢光予以導光；前述閃爍器係接合前述光導的端面藉由往外側凸狀的曲面所形成，經由前述凸狀的曲面來接合於前述光導，前述閃爍器與前述光導係經由具有比前述閃爍器的折射率更小的折射率之物質層來接合。
  13. 一種電子顯微鏡，其特徵係具備：板狀的閃爍器，其係藉由電子線的射入來發出螢光；及光導，其係具有比前述閃爍器的折射率更小的折射率，將在前述閃爍器發光的螢光予以導光；前述閃爍器係接合前述光導的端面藉由往外側凸狀的曲面所形成，經由前述凸狀的曲面來接合於前述光導，在前述閃爍器的上面及下面的表面形成有光反射膜，形成於前述上面的光反射膜的膜厚係比形成於成為電子線的射入面的前述下面的光反射膜的膜厚更厚。
  14. 一種電子顯微鏡，其特徵係具備：板狀的閃爍器，其係藉由電子線的射入來發出螢光；及 光導，其係具有比前述閃爍器的折射率更小的折射率，將在前述閃爍器發光的螢光予以導光；前述閃爍器係接合前述光導的端面藉由往外側凸狀的曲面所形成，經由前述凸狀的曲面來接合於前述光導，前述閃爍器係被分割成複數部分，在該被分割的前述閃爍器的各部分連接各獨立的光導。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6919014B2 (ja) * 2016-03-31 2021-08-11 株式会社日立ハイテク 荷電粒子線装置
JP6739207B2 (ja) 2016-03-31 2020-08-12 株式会社日立ハイテク 荷電粒子線装置
JP6741858B2 (ja) 2017-03-24 2020-08-19 株式会社日立ハイテク 荷電粒子線装置
US11239048B2 (en) * 2020-03-09 2022-02-01 Kla Corporation Arrayed column detector
US20230290606A1 (en) * 2020-07-07 2023-09-14 Hitachi High-Tech Corporation Charged Particle Beam Device
FR3144432A1 (fr) * 2022-12-22 2024-06-28 Centre National De La Recherche Scientifique Dispositif d’émission de lumière avec une extraction améliorée

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06188294A (ja) * 1992-05-27 1994-07-08 Kla Instr Corp 荷電粒子ビームを用いた自動基板検査の装置及び方法
JPH11273608A (ja) * 1998-03-23 1999-10-08 Hitachi Ltd 走査電子顕微鏡
JP2000003142A (ja) * 1998-02-04 2000-01-07 Shimadzu Corp 電子線によるフラットパネルディスプレイのピクセル検査方法及び検査装置
WO2002045153A1 (en) * 2000-12-01 2002-06-06 Ebara Corporation Inspection method and apparatus using electron beam, and device production method using it
JP2003031173A (ja) * 2001-07-11 2003-01-31 Ebara Corp 荷電粒子ビーム制御装置及びそれを用いた荷電粒子ビーム光学装置、ならびに荷電粒子ビーム欠陥検査装置
TW201130010A (en) * 2003-05-09 2011-09-01 Ebara Corp Electron beam apparatus, inspection apparatus using electron beam and method for determining exposure conditions
JP2012180399A (ja) * 2011-02-28 2012-09-20 Furukawa Co Ltd シンチレータ用ガーネット型結晶、及び、これを用いる放射線検出器

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5418269A (en) * 1977-07-11 1979-02-10 Jeol Ltd Electron beam detector
EP0113746B1 (en) * 1982-07-16 1988-01-07 Lintech Instruments Limited An elektrode system of a retarding-field spectrometer for a voltage measuring electron beam apparatus
JPS59197881A (ja) 1983-04-25 1984-11-09 Jeol Ltd エネルギ−選択機能を有する反射電子検出装置
DE3500903A1 (de) 1985-01-12 1986-07-17 Fa. Carl Zeiss, 7920 Heidenheim Detektor fuer rueckstreuelektronen
JPH0619459B2 (ja) 1988-10-28 1994-03-16 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器
JPH07122220A (ja) * 1993-10-21 1995-05-12 Hitachi Ltd 電子顕微鏡装置
US5635720A (en) * 1995-10-03 1997-06-03 Gatan, Inc. Resolution-enhancement device for an optically-coupled image sensor for an electron microscope
US6642520B2 (en) 1999-04-13 2003-11-04 Kabushiki Kaisha Topcon Scanning electron microscope
JP2000299078A (ja) 1999-04-13 2000-10-24 Topcon Corp 走査型電子顕微鏡
JP5211178B2 (ja) * 2008-08-20 2013-06-12 株式会社アドバンテスト 電子検出装置及び走査型電子顕微鏡
JP5352262B2 (ja) * 2009-02-06 2013-11-27 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
JP5769934B2 (ja) * 2010-06-29 2015-08-26 株式会社堀場製作所 放射線検出器
JP5818542B2 (ja) * 2010-07-29 2015-11-18 浜松ホトニクス株式会社 イオン検出装置
US8895935B2 (en) * 2012-03-12 2014-11-25 Hermes Microvision, Inc. High efficiency secondary and back scattered electron detector
US8829451B2 (en) * 2012-06-13 2014-09-09 Hermes Microvision, Inc. High efficiency scintillator detector for charged particle detection

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06188294A (ja) * 1992-05-27 1994-07-08 Kla Instr Corp 荷電粒子ビームを用いた自動基板検査の装置及び方法
JP2000003142A (ja) * 1998-02-04 2000-01-07 Shimadzu Corp 電子線によるフラットパネルディスプレイのピクセル検査方法及び検査装置
JPH11273608A (ja) * 1998-03-23 1999-10-08 Hitachi Ltd 走査電子顕微鏡
WO2002045153A1 (en) * 2000-12-01 2002-06-06 Ebara Corporation Inspection method and apparatus using electron beam, and device production method using it
JP2003031173A (ja) * 2001-07-11 2003-01-31 Ebara Corp 荷電粒子ビーム制御装置及びそれを用いた荷電粒子ビーム光学装置、ならびに荷電粒子ビーム欠陥検査装置
TW201130010A (en) * 2003-05-09 2011-09-01 Ebara Corp Electron beam apparatus, inspection apparatus using electron beam and method for determining exposure conditions
JP2012180399A (ja) * 2011-02-28 2012-09-20 Furukawa Co Ltd シンチレータ用ガーネット型結晶、及び、これを用いる放射線検出器

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