TWI481859B - 檢測方法 - Google Patents

檢測方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI481859B
TWI481859B TW100141422A TW100141422A TWI481859B TW I481859 B TWI481859 B TW I481859B TW 100141422 A TW100141422 A TW 100141422A TW 100141422 A TW100141422 A TW 100141422A TW I481859 B TWI481859 B TW I481859B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
measurement
area
topographical
target
adjacent
Prior art date
Application number
TW100141422A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201233995A (en
Inventor
Bong Ha Hwang
Original Assignee
Koh Young Tech Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Koh Young Tech Inc filed Critical Koh Young Tech Inc
Publication of TW201233995A publication Critical patent/TW201233995A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI481859B publication Critical patent/TWI481859B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/24—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or adjusting assemblages of electric components
    • H05K13/08—Monitoring manufacture of assemblages
    • H05K13/081—Integration of optical monitoring devices in assembly lines; Processes using optical monitoring devices specially adapted for controlling devices or machines in assembly lines
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/16—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring the deformation in a solid, e.g. optical strain gauge
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
    • G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
    • G06T7/0004—Industrial image inspection
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F17/00—Digital computing or data processing equipment or methods, specially adapted for specific functions
    • G06F17/40—Data acquisition and logging
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
    • G06T2207/30108—Industrial image inspection
    • G06T2207/30141—Printed circuit board [PCB]
    • G—PHYSICS
    • G16—INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGY [ICT] SPECIALLY ADAPTED FOR SPECIFIC APPLICATION FIELDS
    • G16Z—INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGY [ICT] SPECIALLY ADAPTED FOR SPECIFIC APPLICATION FIELDS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G16Z99/00—Subject matter not provided for in other main groups of this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Operations Research (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Image Analysis (AREA)

Description

檢測方法 參考相關申請案
本申請案係對於2010年11月15日提中的韓國專利申請案No. 2010-113093主張優先權及權利，該案如本文所界定對於各種目的被整體合併於本文中以供參考。
發明領域
本發明的示範性實施例係有關一檢測方法。更特別來說，本發明的示範性實施例係有關一使用一形狀測量裝備之用於一測量目標的檢測方法。
 背景討論
一般而言，一電子裝置中採用至少一個印刷電路板(PCB)，並在該PCB上安裝諸如一電路圖案、一連接墊部份、一被電性連接至連接墊部份之驅動器晶片等各不同的電路元件。
一形狀測量裝備通常係用來檢查各不同電路元件在印刷電路板上形成或組構之狀況是良好還是不良。
一習見的形狀測量裝備中，係設定一預定檢測區域以檢測電路元件在該檢測區域中形成狀況是良好還是不良。一用於設定一檢測區域的習見方法中，僅簡單地將一其中理論性設有電路元件之區域設定成一檢測區域。
當檢測區域被設定於一正確區位時，一所想要的電路元件係良好地進行一測量。然而，一諸如PCB等測量目標中，可能產生一基底板的諸如彎曲(warpage)、歪曲(contortion)等扭曲(distortion)。因此，一用於設定一檢測區域之習見方法中，檢測區域未被正確設定於一所想要的區位，且一對應於在一影像擷取部份的一攝影機中所獲取的一影像之區位係略為不同於一其中實際存在一電路元件之區位。
因此，一檢測區域係需被設定以補償測量目標的扭曲。
 發明概要
本發明的示範性實施例係提供一檢測裝備，其能夠設定一其中使一板的扭曲受到補償之檢測區域，且藉由獲取參考資料與測量資料之間的一轉換關係以正確地設定一檢測區域，即便沒有形狀資訊或形狀資訊不足以建立一形貌體物體於一板上的一目標測量區域中亦然。
本發明的額外特徵構造將在下文描述中建立，並部份將從該描述得知，或可經由實行本發明而知悉。
本發明的一示範性實施例係揭露一檢測方法。該檢測方法係包括在一板上設定複數個測量區域，在測量區域之中獲取與一用於檢測一測量目標的目標測量區域相鄰之至少一相鄰測量區域的參考資料及測量資料，從該相鄰測量區域提取至少一形貌體物體，藉由將對應於該形貌體物體的參考資料與測量資料彼此比較以獲取一扭曲程度，及補償該扭曲程度以設定目標測量區域中的一檢測區域。
提取相鄰測量區域中的至少一形貌體物體係可包括建立形貌體物體的一參考類型及一參考數字，及若從目標測量區域所提取之形貌體物體的數字小於參考數字，從相鄰測量區域提取對應於參考類型之形貌體物體。相鄰測量區域可為多數個。從相鄰測量區域提取對應於參考類型的形貌體物體之前，從相鄰測量區域提取至少一形貌體物體係進一步包括在複數個相鄰測量區域之中選擇用於提取形貌體物體之相鄰測量區域。
一示範性實施例中，從相鄰測量區域提取至少一形貌體物體之前，檢測方法係進一步包括建立用於各測量區域之形貌體物體，對於各測量區域檢查經建立形貌體物體的數字是否小於一參考數字，及對於其中經建立形貌體物體的數字小於參考數字之測量區域選擇用於提取形貌體物體之相鄰測量區域。
一示範性實施例中，形貌體物體係可從一其中在獲取目標測量區域的測量資料之前獲取測量資料之特定相鄰測量區域被提取。
一示範性實施例中，從相鄰測量區域提取至少一形貌體物體係可包括建立形貌體物體的一參考類型及一參考數字，藉由一預定區域放大目標測量區域，提取對應於經放大區域中的參考類型之形貌體物體，及若經提取形貌體物體的數字小於參考數字，重覆藉由一預定區域放大目標測量區域之步驟，及提取對應於經放大區域中的參考類型之形貌體物體之步驟。可藉由提取對應於經放大區域與至少一經選擇相鄰測量區域之間的一交會區域中的參考類型之形貌體物體，藉以進行藉由一預定區域放大目標測量區域。藉由一預定區域放大目標測量區域之前，從相鄰測量區域提取至少一形貌體物體係可進一步包括提取對應於目標測量區域中的參考類型之形貌體物體，且若從目標測量區域所提取之形貌體物體的數字小於參考數字，可進行藉由一預定區域放大目標測量區域。
一示範性實施例中，經提取的形貌體物體可為多數個。隨著形貌體物體與目標測量區域之間的一距離變近，可給予形貌體物體一較大加權數值，且可藉由將對應於以加權數值為基礎所選擇的形貌體物體之參考資料與測量資料彼此比較以獲取扭曲程度。可從目標測量區域的一邊界線、目標測量區域的一中央點及測量目標的一中央點中之至少一者來測量該距離。
一示範性實施例中，經提取的形貌體物體可為多數個。可隨著對應於形貌體物體之參考資料與測量資料之間的一形狀差異變小，而對於形貌體物體給予一較大分數，且可藉由將對應於以該分數為基礎所選擇的形貌體物體之參考資料與測量資料彼此比較以獲取扭曲程度。
一示範性實施例中，經提取的形貌體物體可為多數個。可隨著形貌體物體與目標測量區域之間的一距離變近，而對於形貌體物體給予一較大加權數值。可隨著對應於形貌體物體之參考資料與測量資料之間的一形狀差異變小，而對於形貌體物體給予一較大分數。可藉由將對應於以加權數值及分數中的至少一者為基礎所選擇之形貌體物體的參考資料與測量資料彼此比較以獲取扭曲程度。
一示範性實施例中，相鄰測量區域可為多數個，且經提取的形貌體物體可為多數個。可對於複數個相鄰測量區域平均地提取形貌體物體。
本發明的另一示範性實施例係揭露一檢測方法。該檢測方法係包括在一板上設定複數個測量區域，在測量區域之中獲取與一用於檢測一測量目標的目標測量區域相鄰之至少一相鄰測量區域的參考資料及測量資料，從相鄰測量區域提取至少一具有一區塊單元之形貌體區塊，藉由將對應於形貌體區塊的參考資料及測量資料彼此比較以獲取一扭曲程度，及補償該扭曲程度以設定目標測量區域中的一檢測區域。
一示範性實施例中，經提取的形貌體區塊可為多數個。扭曲程度可以參考資料與測量資料之間的一量化轉換公式被獲取。可利用藉由將對應於複數個形貌體物體之參考資料與測量資料彼此比較而被獲取之一區位改變、一斜率改變、一尺寸改變及一轉變程度中的至少一者，藉以決定量化轉換公式。
根據本發明，若沒有用以在一板上於目標測量區域中建立一形貌體物體之形狀資訊或少有形狀資訊，在一相鄰測量區域中額外地建立一形貌體物體以藉此較正確地獲取參考資料與測量資料之間的一轉換關係，並藉由利用該轉換關係補償測量資料的扭曲以設定一檢測區域。
此外，若藉由作為一形貌體物體的一區塊單元建立一包括一特定形狀之形貌體區塊，由於有時可能發生可選擇作為一形貌體物體的形狀資訊不足之情形，可如上述使用一相鄰測量區域中的一形貌體物體以獲取足夠數目的形貌體物體。
此外，若對於一目標測量區域及一相鄰測量區域中的形貌體物體建立加權數值，可獲取一較為正確的轉換關係。此外，若對於複數個相鄰測量區域平均地建立形貌體物體，可獲取一較正確的轉換關係。
此外，可防止一誤差，該誤差可能由於一檢測區域的改變而發生，其係根據一板的彎曲或歪曲由一墊及一組件的區位改變所導致，並可更為正確地設定一檢測區域。
此外，可以如上述般被設定的一檢測區域為基礎來進行一諸如一組件中的一失效檢測等工作，可正確地判斷板是良好還是不良。
此外，可利用如上述被設定的測量資料，正確地測量存在於一測量區域中之一測量目標的資訊。
此外，參考資料與測量資料之間的歪曲係受到補償，並因此可從參考資料較正確地預測存在於測量資料中之一墊、一組件、一圖案、一絲網(silk)等的區域。
請瞭解上文一般描述及下文詳細描述皆為示範及說明性質並預定提供如申請專利範圍所界定的本發明之進一步說明。
圖式簡單說明
被包括以供進一步瞭解本發明且被併入構成此說明書一部份之附圖係顯示本發明的實施例，且連同該描述用來說明本發明的原理。
第1圖是顯示根據本發明的一示範性實施例之一檢測方法的流程圖；第2圖是顯示第1圖所示的檢測方法之平面圖；第3圖是顯示第1圖所示的檢測方法中之參考資料的平面圖；第4圖是顯示第1圖所示的檢測方法中之測量資料的平面圖；第5圖是顯示第1圖所示的檢測方法中之一用於提取一形貌體物體的方法之一示範性實施例的流程圖；第6圖是顯示第1圖中之一提取一形貌體物體的方法之示意平面圖；第7圖是顯示第1圖中之一用於提取一形貌體物體的方法之另一示範性實施例的示意平面圖。
 圖示實施例的詳細描述
下文參照附圖更完整地描述本發明，其中顯示本發明的範例實施例。然而，本發明可以許多不同形式實施並不應視為限於本文提出的範例實施例。而是，提供這些範例實施例以使此揭示徹底且完整，且將本發明的範圍完整傳達予熟習該技術者。圖中為求清楚，可誇大層及區的尺寸及相對尺寸。
將瞭解當一元件或層稱為“位於~上”、“連接至”或“耦合至”另一元件或層時，其可直接地位於另一元件或層上、連接至或耦合至另一元件或層，或者可出現有中介元件或層。反之，當一元件稱為“直接地位於~上”、“直接地連接至”或“直接地耦合至”另一元件或層時，則未出現中介元件或層。類似的代號係指各圖中類似的元件。本文所用的“及/或”用語係包括相關列舉項目的一或多者之任何及全部組合。
將瞭解雖然第一、第二、第三等用語可在本文用來描述不同元件、組件、區、層及/或段，這些元件、組件、區、層及/或段不應受限於這些用語。這些用語只用來分辨一元件、組件、區、層或段以及另一區、層或段。因此，下文討論的第一元件、組件、區、層或段係可稱為第二元件、組件、區、層或段，而不脫離本發明的教導。
諸如“之下”、“下方”、“下”、“上方”、“上”及類似物等空間性相對用語為了易於描述可在本文用來描述一元件或形貌體相對於另一(多)個元件或形貌體之關係，如圖所示。將瞭解空間性相對用語係除了圖中所描繪定向之外亦預定涵蓋裝置在使用或操作中的不同定向。譬如，若裝置在圖中被翻轉，描述成位於其他元件或形貌體“下方”或“之下”的元件則將被定向位於其他元件或形貌體的“上方”。因此，範例用語“下方”可涵蓋上方及下方的一定向。裝置可另行被定向(旋轉90度或處於其他定向)且本文所用的空間性相對描述語依此作詮釋，
本文用語只用來描述特定的範例實施例，且無意限制本發明。除非前後文另外明述，本文所用的單數形式“一”、及“該”係預定亦包括複數形式。將進一步瞭解：“包含(comprises)”及/或“包含(comprising)”用語在此說明書使用時係指定所陳述的特徵構造、整數、步驟、操作、元件及/或組件之出現，但未排除一或多個其他特徵構造、整數、步驟、操作、元件、組件及/或其群組之出現或添加。
本發明的範例實施例係在本文參照身為本發明之理想化範例實施例(及中間結構)的示意圖之橫剖圖示作描述。因此，可預期具有譬如因為製造技術及/或公差所致之相對於圖示形狀的變異。因此，本發明的範例實施例不應被視為限於本文所示的區之特定形狀，而是亦包括譬如因為製造所致之形狀的偏差。譬如，一顯示成矩形的經植入區一般將具有圓滑形或曲線形形貌體，及/或在其邊緣之植入濃度的梯度，而非從經植入至非植入區的二元改變。同樣地，一由植入所形成的埋設區係可在埋設區與經由其發生植入的表面之間的區中導致部分植入。因此，圖中所顯示的區係為示意性質且其形狀無意顯示一裝置的一區之實際形狀且無意限制本發明的範圍。
除非另外定義，本文的所有用語(包括技術及科學用語)係與一般熟習本發明所隸屬技術者常瞭解者具有相同的意義。將進一步瞭解：除非另外明述，用語、諸如常用字典所定義者係應被詮釋為具有與其在相干技藝脈絡中的意義一致之意義，且將不以理想化或過度正式意義作詮釋。
下文中，將參照附圖詳細地描述本發明的示範性實施例。
第1圖是顯示根據本發明的一示範性實施例之一檢測方法的流程圖。第2圖是顯示第1圖所示的檢測方法之平面圖。
參照第1及2圖，為了根據本發明的一示範性實施例設定一其中使扭曲受到補償之檢測區域，首先在步驟S110中於板100上設定複數個測量區域。
測量區域係表明一預定區域，其被設定於板100上藉以檢測板100是不良還是良好，並可譬如利用裝設在一諸如三維形狀測量裝備等檢測裝備中之一攝影機的一“視場(field of view)”為基礎予以界定。
然後，在步驟S120中選擇對應於檢測一測量目標所想要的一區域之一目標測量區域作為一檢測區域。
因此隨著目標測量區域被選擇，存在有與目標測量區域相鄰之一相鄰測量區域。相鄰測量區域係根據測量區域的一形狀及一區位而可變。若測量區域具有一矩形形狀，存在至少三個相鄰測量區域，且可能存在八個相鄰測量區域。第2圖中，目標測量區域TG位居板100中間，並顯示一範例以示範分別與目標測量區域TG的上側、下側、左側、右側、左上側、左下側、右上側及右下側相鄰之八個相鄰測量區域AD-U、AD-D、AD-L、AD-R、AD-UL、AD-DL、AD-UR及AD-DR的區位。分別與目標測量區域TG的左上側、左下側、右上側及右下側相鄰之四個相鄰測量區域AD-UL、AD-DL、AD-UR及AD-DR不可被視為相鄰測量區域。
其後，在步驟S130中獲取與目標測量區域TG相鄰之相鄰測量區域AD-U、AD-D、AD-L、AD-R、AD-UL、AD-DL、AD-UR及AD-DR的參考資料與測量資料。
第3圖是顯示第1圖所示的檢測方法中之參考資料的平面圖。
參照第3圖，參考資料RI譬如可對應於板100的一理論性平面圖。
一示範性實施例中，可從其中記錄有板的形狀之CAD資訊或戈柏(gerber)資訊獲得參考資料RI。CAD資訊或戈柏(gerber)資訊係可包括板的設計資訊，並通常包括一墊10、一電路圖案30、一孔圖案40等之組態資訊。
另一示範性實施例，可從一學習模式中所獲得的學習資訊獲取參考資料RI。可利用例如諸如在一資料庫中搜尋板資訊、若板資訊不位於資料庫中則學習一裸板、及學習裸板以產生板資訊之後將板資訊儲存於資料庫中等製程，藉以實現學習模式。亦即，在學習模式中，係學習一PCB的一裸板且獲取PCB的設計參考資訊，並可經由學習模式獲得學習資訊藉以獲取參考資料RI。
第4圖是顯示第1圖所示的檢測方法之中的測量資料的平面圖。
參照第4圖，測量資料PI可譬如為對於一PCB的一真實經擷取影像。譬如，一安裝在板100上之組件20、一終端22、一形成於組件20之極性指示24、電路圖案30、孔42等係可被顯示於測量資料PI中。
測量資料PI如第4圖所示具有與第3圖所示的參考資料RI相同之影像，差異在於諸如組件20等額外元件。然而，由於板100的彎曲、歪曲等，測量資料PI相較於參考資料RI受到扭曲。
一示範性實施例中，可利用檢測裝備的照射段將光提供至目標測量區域TG上、並利用一裝設於檢測裝備中的攝影機來擷取由所提供的光所反射之一影像，藉以獲取測量資料PI。或者，可利用檢測裝備的一格柵圖案投射段將格柵圖案光投射至目標測量區域TG上、並擷取經投射的格柵圖案光所反射之一影像，藉以獲取測量資料PI。
參照第1至4圖，隨後，在步驟S140中從目標測量區域TG及相鄰測量區域AD-U、AD-D、AD-L、AD-R、AD-UL、AD-DL、AD-UR及AD-DR提取至少一形貌體物體。
形貌體物體係用來作為一比較參考，以獲取參考資料RI與測量資料PI之間的一轉換關係。亦即，利用一據以由於板100的扭曲而在參考資料RI與測量資料PI之間改變形貌體物體的程度來界定轉換關係。
形貌體物體係可包括一具有一特定形狀的物體，其位居參考資料RI及測量資料PI中的一預定座標。譬如，形貌體物體係可包括形成於板100上之一孔圖案、一彎折電路圖案的一角落部分等，並可以一孔圖案的一中央點之一座標及一彎折電路圖案的一角落點之一角落點的一座標為基礎將參考資料RI與測量資料PI彼此比較藉以獲得一將在稍後描述的轉換關係。
或者，如第3及4圖所示，形貌體物體可藉由一區塊單元被界定成一形貌體區塊。若將形貌體物體界定成一形貌體區塊，由於參考資料RI及測量資料PI可以形貌體區塊中所包括的不同形狀為基礎彼此比較，參考資料RI及測量資料PI係可精確地彼此比較。
由於形貌體物體用來作為一比較參考以獲取參考資料RI與測量資料PI之間的一轉換關係，係欲在參考資料RI及測量資料PI中精確地建立形貌體物體。這就是為什麼當參考資料RI及測量資料PI中未精確地建立形貌體物體時在對應於形貌體物體的參考資料RI及測量資料PI彼此比較中可能導致一誤差之原因。因此，可建立形貌體物體藉以消除錯誤識別的機率。
對於上述精確建立，可能發生目標測量區域TG中不存在或很少存在可被選擇作為形貌體物體之物體的情形。因此，為了確保充足的形貌體物體，可從與目標測量區域TG相鄰之相鄰測量區域AD-U、AD-D、AD-L、AD-R、AD-UL、AD-DL、AD-UR及AD-DR提取形貌體物體。
在提前對於複數個測量區域建立形貌體物體之後，可在本步驟中提取部分的經建立形貌體物體。或者，形貌體物體可在本步驟中被同時地建立於及提取自目標測量區域TG及相鄰測量區域AD-U、AD-D、AD-L、AD-R、AD-UL、AD-DL、AD-UR及AD-DR。
可以參考資料RI為基礎、且亦以測量資料PI為基礎建 立形貌體物體。
一示範性實施例中，當步驟S140中從目標測量區域TG及相鄰測量區域AD-U、AD-D、AD-L、AD-R、AD-UL、AD-DL、AD-UR及AD-DR提取至少一形貌體物體時，可從相鄰測量區域AD-U、AD-D、AD-L、AD-R、AD-UL、AD-DL、AD-UR及AD-DR選擇用於提取形貌體物體之一或多個相鄰測量區域。
另一示範性實施例中，在步驟S140中提取形貌體物體之前、提前建立對於各測量區域的形貌體物體之後，檢查對於各測量區域之經建立形貌體物體的數字是否小於一參考數字。隨後，若存在一其中使形貌體物體的數字小於參考數字之測量區域，可提前對於此一測量區域選擇一用於提取形貌體物體之相鄰測量區域。
第5圖是顯示第1圖所示的檢測方法中之一提取一形貌體物體的方法之一示範性實施例的流程圖。第6圖是顯示第1圖中之一提取一形貌體物體的方法之示意平面圖。
參照第5及6圖，首先，在步驟S142中建立可供使用形貌體物體之一參考類型及其一參考數字。
譬如，參考類型可被建立成在一形貌體區塊中實質地平行於彼此之兩彎折圖案，諸如第3及4圖所示的一第一形貌體物體FT1，且參考數字可被建立成與能夠根據一扭曲程度界定一轉換關係的數字呈現對應之三、四等。
然後，在步驟S143中，從目標測量區域TG提取對應於參考類型之形貌體物體。
其後，步驟S144中，從目標測量區域TG所提取之形貌體物體的數字係與參考數字作比較。
若從目標測量區域TG所提取之形貌體物體的數字小於參考數字，步驟S145中，目標測量區域TG藉由一預定區域被放大，且否則，由於已經獲得形貌體物體的所想要數字，提取形貌體物體之步驟係終止。
譬如，若參考數字是四，且如第6圖所示只存在一第一形貌體物體FT1作為目標測量區域TG中的形貌體物體，由於從目標測量區域TG所提取之形貌體物體的數字是一而其小於參考數字四，目標測量區域TG係藉由一預定區域被放大。
放大方法可譬如包括對於目標測量區域TG的各邊界線之一比例性放大。或者，目標測量區域TG可被放大使得相距目標測量區域TG的邊界線之距離為相等。
然後，步驟S146中，對應於參考類型之形貌體物體係從對應於相鄰測量區域AD-U、AD-D、AD-L、AD-R、AD-UL、AD-DL、AD-UR及AD-DR之放大區域被提取。
譬如，如第6圖所示，由於對應於參考類型之一第二形貌體物體FT2存在於一第一放大區域EA1中，係提取第二形貌體物體FT2作為形貌體物體。
其後，步驟S147中，經提取的形貌體物體之數字及參考數字係彼此比較。
若經提取的形貌體物體之數字小於參考數字，則重覆步驟S145中藉由一預定區域放大目標測量區域之步驟及下個步驟，否則由於已經獲得形貌體物體的所想要數字，提取形貌體物體之步驟係終止。
譬如，若參考數字是四，且如第6圖所示存在一第一形貌體物體FT1及一第二形貌體物體FT2作為目標測量區域TG及第一放大區域EA1中的形貌體物體，由於從目標測量區域TG及第一放大區域EA1所提取之形貌體物體的數字是二而其小於參考數字四，步驟S145中，目標測量區域TG係藉由一預定區域被放大，形貌體物體係被額外地提取。
若形貌體物體的數字超過參考數字，可從該提取排除對應於過多數字之形貌體物體。在此例中，形貌體物體可在參考數字的範圍內被平均地提取。
譬如，若一第三形貌體物體FT3、一第四形貌體物體FT4及一第五形貌體物體FT5可被提取成為來自對應於相鄰測量區域AD-U、AD-D、AD-L、AD-R、AD-UL、AD-DL、AD-UR及AD-DR的一第二放大區域EA2之對應於參考類型的形貌體物體，由於形貌體物體的數字是五而其超過參考數字四，可從形貌體物體的提取排除第三形貌體物體FT3、第四形貌體物體FT4及第五形貌體物體FT5中的任一者。由於第四形貌體物體FT4屬於與第二形貌體物體FT2相同的區域-相鄰測量區域AD-L，可從形貌體物體的提取排除第四形貌體物體FT4藉以平均地提取形貌體物體。因此，對應於參考數字四之形貌體物體係為第一形貌體物體FT1、第二形貌體物體FT2、第三形貌體物體FT3、及第五形貌體物體FT5。
可從其中已完成測量之相鄰測量區域提取形貌體物體，藉以使用先前獲取的測量資料。
第7圖是顯示第1圖中之一提取一形貌體物體的方法之另一示範性實施例的示意平面圖。
參照第7圖，形貌體物體係可從一其中在獲取目標測量區域TG的測量資料之前獲取測量資料之特定相鄰測量區域被提取。
譬如，如第7圖所示，當以沿著一箭頭方向的一次序獲取測量區域的測量資料時，形貌體物體係可從其中在測量目標測量區域TG的測量資料之前量測測量資料之特定相鄰測量區域AD-UR、AD-U、AD-UL及AD-L被提取。
由於用以設定一檢測區域之存在於位居目標測量區域TG外側的相鄰測量區域AD-U、AD-D、AD-L、AD-R、AD-UL、AD-DL、AD-UR及AD-DR中之形貌體物體係用來獲取一扭曲程度-其將於稍後描述，並且遠離於目標測量區域TG之形貌體物體的距離係彼此不同，可對於形貌體物體給予根據一規律規則的加權數值。
一示範性實施例中，可隨著形貌體物體與目標測量區域TG之間的一距離變近，而對於形貌體物體給予一較大加權數值。
譬如，最大的加權數值係給予存在於目標測量區域TG中之形貌體物體，且若是存在於相鄰測量區域AD-U、AD-D、AD-L、AD-R、AD-UL、AD-DL、AD-UR及AD-DR中的形貌體物體，則可隨著形貌體物體與目標測量區域TG之間的一距離變近而對於形貌體物體給予一較大加權數值。
譬如，最大的加權數值係給予存在於目標測量區域TG中的第一形貌體物體FT1，次大的加權數值係給予第二形貌體物體FT2，且最小的加權數值給予第三形貌體物體FT3及第五形貌體物體FT5。此外，若是第二形貌體物體FT2、第三形貌體物體FT3及第五形貌體物體FT5，則可與從目標測量區域TG的一距離成比例地給予加權數值。可從目標測量區域TG的一邊界線、或目標測量區域TG的一中央點CTR中之至少一者來量測距離。此外，可從目標測量區域TG中所形成之測量目標的一中央點來量測距離。
若從目標測量區域TG的中央點CTR或測量目標的中央點來量測距離，可根據從目標測量區域TG的中央點CTR或測量目標的中央點之距離將加權數值給予存在於目標測量區域TG中之第一形貌體物體FT1。
此外，若從目標測量區域TG的中央點CTR或測量目標的中央點來量測距離，當目標測量區域TG的形狀被成比例放大時，該距離可表明一放大比例。譬如，若從目標測量區域TG的中央點CTR來量測距離，如第6圖所示，從中央點CTR至第二形貌體物體FT2的一第一距離D1係比從中央點CTR到第四形貌體物體FT4之一第二距離D2更長。然而，如同當目標測量區域TG的形狀被成比例放大時之放大比例，由於第二形貌體物體FT2的第一放大比例D1/D3小於第四形貌體物體FT4的第二放大比例D2/D4，第二形貌體物體FT2被認為比起第四形貌體物體FT4者具有更短的一距離。
可以加權數值為基礎獲取將於稍後描述之參考資料RI與測量資料PI之間的一扭曲程度。
獨立於加權數值或連同加權數值，根據一規律規則的分數係可被給予形貌體物體。
譬如，隨著對應於形貌體物體的參考資料與測量資料之間的一形狀差異變小，一較大分數係被給予形貌體物體，並提取具有一較大分數的形貌體物體以獲取扭曲程度。
再度參照第1及2圖，其後，步驟S150中藉由將對應於形貌體物體之參考資料RI與測量資料PI彼此比較，藉以獲取一扭曲程度。
扭曲程度可被表示成參考資料RI與測量資料PI之間的一轉換關係，且該轉換關係可包括參考資料RI與測量資料PI之間的一量化轉換公式。
相較於對應於理論性參考資訊之參考資料RI，測量資料PI係由於板的彎曲、歪曲等而受到扭曲。轉換公式係對應於一將參考資料RI及測量資料PI轉換成彼此藉以表示一扭曲程度、亦即該扭曲程度之公式。可利用將對應於形貌體物體的參考資料RI與測量資料PI彼此比較所獲取之一區位改變、一斜率改變、一尺寸改變及一轉換程度中的至少一者，藉以決定量化轉換公式。
譬如，可利用式1獲取轉換公式。
式1
PCAD f(tm)=P真實
式1中，PCAD 是CAD資訊或戈柏(gerber)資訊中之一目標的一座標，亦即參考資料RI中的一座標，f(tm)係對應於作為一轉換矩陣或一轉移矩陣之轉換公式，且P真實 是由一攝影機所獲取之測量資料PI中的目標之一座標。當求出參考資料RI中的理論性座標PCAD 及測量資料PI中的真實座標P真實 ，則可得知轉換矩陣。
譬如，轉換矩陣可包括根據一仿射轉換或一視角轉換之一座標轉換矩陣，其中點對點關係被表示成一n維空間中的第一階形式。為了界定座標轉換矩陣，可妥當地建立形貌體物體的數字，譬如若是仿射轉換則大於或等於三，且若是視角轉換則係大於或等於四。
然後，步驟S160中，扭曲程度係受到補償，以設定目標測量區域中的一檢測區域。
譬如，可藉由利用轉換關係所獲取之測量目標中的一扭曲程度之轉換數值來轉換測量資料PI、或藉由將一關於轉換關係的等式施加至參考資料RI以供轉換，藉以設定用於檢測測量區域中的測量目標之檢測區域。
由於可利用轉換關係並比較測量資料PI與參考資料RI來補償存在於測量資料PI中的扭曲，經設定的檢測區域中之形狀係可能較類似於板的一真實形狀。檢測區域係可對於目標測量區域TG的整體區域被設定，且可只對於一欲檢測的預定區域被設定。
譬如，在選擇一欲檢測的預定區域、且利用轉換關係在測量資料PI中設定一檢測區域之後，可在檢測區域中檢測諸如組件的一連接狀態等各種不同狀態。檢測中，可使用測量資料PI，其係在一對於目標測量區域TG獲取測量資料PI之步驟中被先行獲取(步驟130)。
如上述，若沒有用以在一板上於目標測量區域中建立一形貌體物體之形狀資訊或少有形狀資訊，一形貌體物體係被額外地建立在一相鄰測量區域中以藉此更正確地獲取參考資料與測量資料之間的一轉換關係，並藉由轉換關係來補償測量資料的扭曲以設定一檢測區域。
此外，若是藉由一區塊單元作為一形貌體物體建立一包括一特定形狀之形貌體區塊，由於有時可能發生可被選擇作為一形貌體物體之形狀資訊不足之情形，可如上述使用一相鄰測量區域中的一形貌體物體，以獲取充足數目的形貌體物體。
此外，若對於一目標測量區域及一相鄰測量區域中的形貌體物體建立加權數值，可獲取一較為正確的轉換關係。此外，若對於複數個相鄰測量區域平均地建立形貌體物體，可獲取一較為正確的轉換關係。
熟習該技術者將瞭解：本發明中可作出不同修改及變異，而不脫離本發明的精神或範圍。因此，本發明預定涵蓋本發明的修改及變異，限制條件在於其位於申請專利範圍與其均等物的範圍內。
10．．．墊
20．．．組件
22．．．終端
24．．．極性指示
30．．．電路圖案
40．．．孔圖案
42．．．孔
100．．．板
AD-U,AD-D,AD-L,AD-R,AD-UL,AD-DL,AD-UR,AD-DR．．．相鄰測量區域
CTR．．．目標測量區域TG的中央點
D1．．．從中央點CTR至第二形貌體物體FT2之第一距離
D2‧‧‧從中央點CTR到第四形貌體物體FT4之第二距離
EA1‧‧‧第一放大區域
EA2‧‧‧第二放大區域
f(tm)‧‧‧轉換公式
FT1‧‧‧第一形貌體物體
FT2‧‧‧第二形貌體物體
FT3‧‧‧第三形貌體物體
FT4‧‧‧第四形貌體物體
FT5‧‧‧第五形貌體物體
PCAD ‧‧‧參考資料RI中的座標
P真實 ‧‧‧測量資料PI中的目標之座標
RI‧‧‧參考資料
S110,S120,S130,S140,S150,S160‧‧‧步驟
S142,S143,S144,S145,S146,S147‧‧‧步驟
TG‧‧‧目標測量區域
第1圖是顯示根據本發明的一示範性實施例之一檢測方法的流程圖；
第2圖是顯示第1圖所示的檢測方法之平面圖；
第3圖是顯示第1圖所示的檢測方法中之參考資料的平面圖；
第4圖是顯示第1圖所示的檢測方法中之測量資料的平面圖；
第5圖是顯示第1圖所示的檢測方法中之一用於提取一形貌體物體的方法之一示範性實施例的流程圖；
第6圖是顯示第1圖中之一提取一形貌體物體的方法之示意平面圖；
第7圖是顯示第1圖中之一用於提取一形貌體物體的方法之另一示範性實施例的示意平面圖。
S110,S120,S130,S140,S150,S160．．．步驟

Claims (15)

  1. 一種檢測方法，包含下列步驟：在一板上設定複數個測量區域；在該等測量區域之中，獲取與用於檢測一測量目標的一目標測量區域相鄰之至少一相鄰測量區域的參考資料及測量資料；從該相鄰測量區域提取至少一形貌體物體；藉由將對應於該形貌體物體的參考資料及測量資料彼此比較，以獲取一扭曲程度；及補償該扭曲程度，以設定該目標測量區域中的一檢測區域。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中從該相鄰測量區域中提取至少一形貌體物體之步驟係包含：建立該形貌體物體的一參考類型及一參考數字；及若從該目標測量區域所提取之該形貌體物體的數字小於該參考數字，從該相鄰測量區域提取對應於該參考類型之該形貌體物體。
  3. 如申請專利範圍第2項之檢測方法，其中該相鄰測量區域係為多數個，且在從該相鄰測量區域提取對應於該參考類型的該形貌體物體之前，從該相鄰測量區域提取至少一形貌體物體之步驟係進一步包含在該等複數個相鄰測量區域之中選擇用於提取該形貌體物體之該相鄰測量區域。
  4. 如申請專利範圍第1項之檢測方法，在從該相鄰測量區 域提取至少一形貌體物體之前，進一步包含：建立對於各測量區域之該形貌體物體；對於各測量區域檢查經建立形貌體物體的數字是否小於一參考數字；及對於其中經建立形貌體物體的數字小於該參考數字之該測量區域，選擇用於提取該形貌體物體之該相鄰測量區域。
  5. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該形貌體物體係提取自一特定相鄰測量區域，其中該測量資料係在獲取該目標測量區域的測量資料之前獲取。
  6. 如申請專利範圍第1項之檢測方法，其中從該相鄰測量區域提取至少一形貌體物體之步驟係包含：建立該形貌體物體的一參考類型及一參考數字；藉由一預定區域放大該目標測量區域；提取對應於經放大區域中的該參考類型之該形貌體物體；及若經提取形貌體物體的數字小於該參考數字，重覆藉由一預定區域放大該目標測量區域之步驟，及提取對應於經放大區域中的該參考類型之該形貌體物體之步驟。
  7. 如申請專利範圍第6項之檢測方法，其中藉由一預定區域放大該目標測量區域之步驟，係藉由提取對應於經放大區域與至少一經選擇相鄰測量區域之間的一交會區域中的該參考類型之該形貌體物體來進行。
  8. 如申請專利範圍第6項之檢測方法，其中在藉由一預定區域放大該目標測量區域之前，進一步包含提取對應於該目標測量區域中的該參考類型之該形貌體物體，及若從該目標測量區域所提取之該形貌體物體的數字小於該參考數字，藉由一預定區域進行放大該目標測量區域。
  9. 如申請專利範圍第1項之檢測方法，其中經提取形貌體物體係為多數個，及其中隨著該形貌體物體與目標測量區域之間的一距離變近，給予該形貌體物體一較大加權數值，且藉由將對應於以該加權數值為基礎所選擇的該形貌體物體之該參考資料與該測量資料彼此比較，藉以獲取該扭曲程度。
  10. 如申請專利範圍第9項之檢測方法，其中從該目標測量區域的一邊界線、該目標測量區域的一中央點及該測量目標的一中央點中之至少一者來測量該距離。
  11. 如申請專利範圍第1項之檢測方法，其中經提取形貌體物體係為多數個，及其中隨著對應於該形貌體物體之該參考資料與該測量資料之間的一形狀差異變小，而對於該形貌體物體給予一較大分數，且藉由將對應於以該分數為基礎所選擇的該形貌體物體之該參考資料與該測量資料彼此比較，藉以獲取該扭曲程度。
  12. 如申請專利範圍第1項之檢測方法，其中經提取形貌體 物體係為多數個，及其中隨著該形貌體物體與該目標測量區域之間的一距離變近，而對於該形貌體物體給予一較大加權數值，隨著對應於該形貌體物體之該參考資料與該測量資料之間的一形狀差異變小，而對於該形貌體物體給予一較大分數，且藉由將對應於以該加權數值及該分數中的至少一者為基礎所選擇之該形貌體物體的該參考資料與該測量資料彼此比較，藉以獲取該扭曲程度。
  13. 如申請專利範圍第1項之檢測方法，其中該相鄰測量區域係為多數個，且經提取形貌體物體係為多數個，及其中對於該等複數個相鄰測量區域平均地提取該等形貌體物體。
  14. 一種檢測方法，包含：在一板上設定複數個測量區域；在該等測量區域之中獲取與用於檢測一測量目標的一目標測量區域相鄰之至少一相鄰測量區域的參考資料及測量資料；從該相鄰測量區域提取具有一區塊單元之至少一形貌體區塊；藉由將對應於該形貌體區塊的參考資料及測量資料彼此比較，藉以獲取一扭曲程度；及補償該扭曲程度以設定該目標測量區域中的一檢測區域。
  15. 如申請專利範圍第14項之檢測方法，其中經提取的形貌 體區塊係為多數個，該扭曲程度係以該參考資料與該測量資料之間的一量化轉換公式來獲取，及該量化轉換公式係藉由利用將對應於該等複數個形貌體物體之該參考資料與該測量資料彼此比較而獲取之一區位改變、一斜率改變、一尺寸改變及一轉變程度中的至少一者來決定。
TW100141422A 2010-11-15 2011-11-14 檢測方法 TWI481859B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100113093A KR101231597B1 (ko) 2010-11-15 2010-11-15 검사방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201233995A TW201233995A (en) 2012-08-16
TWI481859B true TWI481859B (zh) 2015-04-21

Family

ID=45999104

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100141422A TWI481859B (zh) 2010-11-15 2011-11-14 檢測方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8949060B2 (zh)
JP (1) JP5307876B2 (zh)
KR (1) KR101231597B1 (zh)
CN (1) CN102466645B (zh)
DE (1) DE102011086195B4 (zh)
TW (1) TWI481859B (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101231597B1 (ko) * 2010-11-15 2013-02-08 주식회사 고영테크놀러지 검사방법
KR101444258B1 (ko) * 2013-09-12 2014-10-30 주식회사 고영테크놀러지 기판 검사 시의 보상 매트릭스의 유효성 판단 방법
KR101474859B1 (ko) 2013-09-12 2014-12-30 주식회사 고영테크놀러지 기판 검사를 위한 기준 데이터 생성방법
KR101444259B1 (ko) * 2013-09-12 2014-10-30 주식회사 고영테크놀러지 기판 검사 시의 보상 매트릭스 생성방법
KR101510143B1 (ko) 2013-11-06 2015-04-08 주식회사 고영테크놀러지 기판 검사 시의 측정영역 보상 방법
TWI526671B (zh) * 2015-01-20 2016-03-21 德律科技股份有限公司 板彎量測裝置和其板彎量測方法
KR101893823B1 (ko) * 2016-10-04 2018-08-31 주식회사 고영테크놀러지 기판 검사장치 및 이를 이용한 기판의 왜곡 보상 방법
JP2020046326A (ja) * 2018-09-20 2020-03-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 三次元形状計測装置、三次元形状計測方法
CN109506892A (zh) * 2018-09-30 2019-03-22 惠科股份有限公司 一种显示面板的检测方法和检测装置
CN109581195B (zh) * 2018-12-19 2021-07-02 广东小天才科技有限公司 一种pcba的检测方法及装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0903878B1 (en) * 1997-09-19 2002-07-31 Nortel Networks Limited Distortion penalty measurement technique in optical systems based on signal level adjustment
EP1723719A1 (en) * 2004-03-12 2006-11-22 Nokia Corporation Pre-distortion method, measurement arrangement, pre-distorter structure, transmitter, receiver and connecting device
CN101169525A (zh) * 2006-11-09 2008-04-30 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 测量液晶器件扭曲角和光延迟的装置和方法
TW200900654A (en) * 2007-02-26 2009-01-01 Corning Inc Distortion measurement imaging system

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3340400A (en) * 1964-06-11 1967-09-05 Api Instr Company Dual channel flaw detector having phase comparison feedback for automatic balancing
US3391599A (en) * 1964-06-29 1968-07-09 Ibm Detection of tape defects by means of multiple beam interference
US3388631A (en) * 1966-02-21 1968-06-18 Textron Inc Optical inspection system
US4056716A (en) * 1976-06-30 1977-11-01 International Business Machines Corporation Defect inspection of objects such as electronic circuits
JP3269816B2 (ja) * 1991-05-07 2002-04-02 芝浦メカトロニクス株式会社 部品実装装置
US5506793A (en) * 1994-01-14 1996-04-09 Gerber Systems Corporation Method and apparatus for distortion compensation in an automatic optical inspection system
JP2999679B2 (ja) * 1994-11-30 2000-01-17 大日本スクリーン製造株式会社 パターン欠陥検査装置
CN1137387C (zh) 2000-03-14 2004-02-04 武原庆 测试印刷线路板上电子元器件异常的方法
JP4707249B2 (ja) * 2001-03-28 2011-06-22 Ｊｕｋｉ株式会社 部品位置検出方法及び装置
CN1318839C (zh) 2002-11-28 2007-05-30 威光机械工程股份有限公司 印刷电路板上瑕疵组件的自动光学检测方法
JP2004257732A (ja) * 2003-02-24 2004-09-16 Toto Ltd 穴測定装置
JP2006038582A (ja) 2004-07-26 2006-02-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 画像の領域分割による欠陥の検出
CN100533132C (zh) 2004-09-06 2009-08-26 欧姆龙株式会社 基板检查方法及基板检查装置
KR20080002044A (ko) * 2006-06-30 2008-01-04 삼성전자주식회사 검사 영역 설정 방법
FR2925981B1 (fr) 2007-12-27 2010-02-19 Saint Gobain Substrat porteur d'une electrode, dispositif electroluminescent organique l'incorporant.
JP4478808B2 (ja) * 2008-05-15 2010-06-09 株式会社アバールデータ 形状検査装置および形状検査プログラム
KR101251372B1 (ko) * 2008-10-13 2013-04-05 주식회사 고영테크놀러지 3차원형상 측정방법
JP2010237210A (ja) * 2009-03-30 2010-10-21 Koh Young Technology Inc 検査方法
KR101237497B1 (ko) * 2009-03-30 2013-02-26 주식회사 고영테크놀러지 검사영역의 설정방법
US9091725B2 (en) * 2009-07-03 2015-07-28 Koh Young Technology Inc. Board inspection apparatus and method
KR101231597B1 (ko) * 2010-11-15 2013-02-08 주식회사 고영테크놀러지 검사방법
KR101595547B1 (ko) * 2010-11-20 2016-02-18 주식회사 고영테크놀러지 검사방법
KR101692277B1 (ko) * 2010-11-23 2017-01-04 주식회사 고영테크놀러지 검사방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0903878B1 (en) * 1997-09-19 2002-07-31 Nortel Networks Limited Distortion penalty measurement technique in optical systems based on signal level adjustment
EP1723719A1 (en) * 2004-03-12 2006-11-22 Nokia Corporation Pre-distortion method, measurement arrangement, pre-distorter structure, transmitter, receiver and connecting device
CN101169525A (zh) * 2006-11-09 2008-04-30 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 测量液晶器件扭曲角和光延迟的装置和方法
TW200900654A (en) * 2007-02-26 2009-01-01 Corning Inc Distortion measurement imaging system

Also Published As

Publication number Publication date
US20120123719A1 (en) 2012-05-17
JP2012108131A (ja) 2012-06-07
KR20120051806A (ko) 2012-05-23
US8949060B2 (en) 2015-02-03
DE102011086195B4 (de) 2014-06-26
CN102466645B (zh) 2014-09-10
TW201233995A (en) 2012-08-16
CN102466645A (zh) 2012-05-23
KR101231597B1 (ko) 2013-02-08
JP5307876B2 (ja) 2013-10-02
DE102011086195A1 (de) 2012-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI481859B (zh) 檢測方法
TWI448700B (zh) 用於板體之檢測方法
US10977829B2 (en) Depth camera calibration device and method thereof
TWI440847B (zh) 檢測方法
TWI551857B (zh) 檢驗方法
WO2021138990A1 (zh) 一种棋盘格亚像素级角点自适应检测的方法
KR100554639B1 (ko) 패턴검사방법과 장치 및 패턴정렬방법
US9047532B2 (en) System, method and computer program product for evaluating an actual structural element of an electrical circuit
TW201113500A (en) Method for inspecting measurement object
TWI468675B (zh) 建立終端的梢端區位之方法
CN109920003B (zh) 相机标定检测方法、装置以及设备
TWI303540B (zh)
CN113450292A (zh) 一种pcba零部件高精度视觉定位方法
CN112270719A (zh) 相机标定方法、装置及***
CN109804731B (zh) 基板检查装置及利用其的基板检查方法
CN109804730B (zh) 基板检查装置及利用其的基板歪曲补偿方法
US9892500B2 (en) Method for grouping region of interest of mask pattern and measuring critical dimension of mask pattern using the same
CN117109561A (zh) 融合激光定位的远距二维码地图创建及定位方法、***
WO2009107365A1 (ja) 複眼測距装置の検査方法及び検査装置並びにそれに用いるチャート
KR101799840B1 (ko) 검사방법
KR101657949B1 (ko) 검사방법
US20040175029A1 (en) Ball grid array modeling for inspecting surface mounted devices
JP2004192506A (ja) パターンマッチング装置、パターンマッチング方法およびプログラム
JP2010243242A (ja) 欠陥検出方法および欠陥検出装置
Hou et al. Automatic calibration method based on traditional camera calibration approach