TWI475282B - 液晶顯示裝置和其製造方法 - Google Patents

液晶顯示裝置和其製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI475282B
TWI475282B TW098122801A TW98122801A TWI475282B TW I475282 B TWI475282 B TW I475282B TW 098122801 A TW098122801 A TW 098122801A TW 98122801 A TW98122801 A TW 98122801A TW I475282 B TWI475282 B TW I475282B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
liquid crystal
display device
crystal display
structural body
Prior art date
Application number
TW098122801A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201007265A (en
Inventor
Yoshiaki Oikawa
Shingo Eguchi
Mitsuo Mashiyama
Masatoshi Kataniwa
Hironobu Shoji
Masataka Nakada
Original Assignee
Semiconductor Energy Lab
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Lab filed Critical Semiconductor Energy Lab
Publication of TW201007265A publication Critical patent/TW201007265A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI475282B publication Critical patent/TWI475282B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133305—Flexible substrates, e.g. plastics, organic film
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/50—Protective arrangements
    • G02F2201/503—Arrangements improving the resistance to shock
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2202/00—Materials and properties
    • G02F2202/22—Antistatic materials or arrangements

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

液晶顯示裝置和其製造方法
本發明係關於一種具有撓性的液晶顯示裝置以及其製造方法。
近年來，藉由利用形成在具有絕緣表面的基板上的半導體薄膜(厚度大約為幾十nm至幾百nm)來構成薄膜電晶體的技術引人注目。薄膜電晶體廣泛地應用於電子裝置如IC或電光裝置，尤其是作為顯示裝置的開關元件，正在積極地對薄膜電晶體進行研究開發。
目前廣泛採用了玻璃基板和石英基板作為這種顯示裝置的基板，但玻璃基板和石英基板有重量大和容易破碎的缺點。另外，玻璃基板和石英基板難以實現大型化，從而不適合進行大量生產。因此，已在嘗試使用具有撓性的基板、典型地使用具有撓性的塑膠膜製造顯示裝置。
於是，已提出了一種技術，其中將形成在玻璃基板上的包括薄膜電晶體的元件形成層從基板剝離開，然後將它轉移在例如塑膠膜等其他基材上。
此外，在專利文獻1和專利文獻2中提出了剝離及轉移技術。專利文獻1公開了採用濕蝕刻去除用作剝離層的氧化矽層來進行剝離的技術。另外，在專利文獻2中公開了採用乾蝕刻去除用作剝離層的矽層來進行剝離的技術。
此外，在專利文獻3中提出了剝離及轉移技術。在專利文獻3中公開了如下技術：當在基板上形成金屬層(Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Ru、Rh、Pd、Os、Ir)並在其上層疊形成氧化物層時，在金屬層和氧化物層的介面中形成該金屬層的金屬氧化物層，並在之後的製程中利用該金屬氧化物層來進行剝離。
[專利文獻1]日本專利申請公開第平8-288522號公報
[專利文獻2]日本專利申請公開第平8-250745號公報
[專利文獻3]日本專利申請公開第2003-174153號公報
然而，由於具有撓性的液晶顯示裝置的基板具有撓性，所以由於來自外部的局部推壓所產生的壓力、以及使液晶顯示裝置彎曲所產生的局部線狀的壓力的施加，在具有半導體元件的元件形成層中容易產生裂縫。另外，有起因於此的液晶顯示裝置的工作不良、顯示不均勻等的問題。此外，有由於元件形成層和具有撓性的基板的密接性低，而使具有撓性的基板容易從元件形成層剝離，因此引起成品率降低的問題。
鑒於上述問題，本發明提供具有撓性並且即使受到來自外部的壓力也不容易損壞的可靠性高的液晶顯示裝置。另外，還提供以高成品率製造具有撓性並且即使受到來自外部的壓力也不容易損壞的可靠性高的液晶顯示裝置的方法。
一種液晶顯示裝置，包括：中間夾著液晶對置配置的第一結構體及第二結構體；使第一結構體及第二結構體固定，並且密封液晶的密封材料，其中，第一結構體及第二結構體在纖維體中浸滲有有機樹脂並且在所述密封材料的外側接觸而固定。
此外，一種液晶顯示裝置，包括：中間夾著液晶對置配置的第一結構體及第二結構體；接觸於第一結構體的第一衝擊緩和層；接觸於第二結構體的第二衝擊緩和層；使第一結構體及第二結構體固定，並且密封液晶的密封材料，其中，第一結構體及第二結構體在纖維體中浸滲有有機樹脂並且在所述密封材料的外側接觸而固定。
作為包括於第一結構體及第二結構體的有機樹脂，可以舉出熱塑性樹脂或熱固性樹脂。此外，由於包括於第一結構體及第二結構體的有機樹脂直接接觸而固定，因此可以提高第一結構體及第二結構體的密接性以及成品率。
作為包括於第一結構體及第二結構體的纖維體，可以舉出使用有機化合物或無機化合物的高強度纖維的織布或無紡布。作為高強度纖維，具體為拉伸彈性模量高的纖維，或者是楊氏模量高的纖維。由此，藉由使用高強度纖維作為纖維體，即使液晶顯示裝置受到局部壓力，或液晶顯示裝置受到因彎曲而產生的線狀壓力，該壓力也分散到纖維體的整體。
此外，在第一結構體或/及第二結構體的表面上可以形成導電層。另外在第一結構體及第二結構體上分別形成有導電層的情況下，各個導電層電連接並且成為等電位。
藉由使在第一結構體或/及第二結構體的表面上形成有的導電層的厚度為透過光的厚度，可以減少因局部性電荷的帶電導致的液晶顯示裝置的損壞，而不降低圖像的品質。
此外，較佳的、第一結構體及第二結構體的厚度彼此相等。另外，較佳的、第一衝擊緩和層及第二衝擊緩和層的厚度彼此相等。再者，較佳的、第一結構體及第一衝擊緩和層的厚度的總和、第二結構體及第二衝擊緩和層的厚度的總和厚於元件形成層及液晶層的厚度的總和。其結果，由於將元件形成層及液晶層配置在液晶顯示裝置的截面中的中央部分，因此可以減少因彎曲引起的壓力。
在具有撓性的液晶顯示裝置中，即使受到來自外部的壓力也不容易損壞，所以可以提高液晶顯示裝置的可靠性。另外，可以高成品率地製造即使受到來自外部的壓力也不容易損壞的可靠性高的液晶顯示裝置。
下面，將參照附圖說明本發明的實施例模式。但是，本發明可以藉由多種不同的方式來實施，所屬技術領域的普通技術人員可以很容易地理解一個事實就是其方式和詳細內容在不脫離本發明的宗旨及其範圍下可以被變換為各種各樣的形式。因此，本發明不應該被解釋為僅限定在本實施例模式所記載的內容中。另外，在用於說明實施例模式所有附圖中，使用相同符號來表示相同部分或具有相同功能的部分，而省略其重複說明。
實施例模式1
在本實施例模式中，將使用圖1A和1B對具有撓性並且不容易因來自外部的壓力或彎曲引起損壞，可靠性高的液晶顯示裝置進行說明。
本實施例模式所示的液晶顯示裝置包括：液晶層136；隔著液晶層136對置設置的第一結構體132及第二結構體138；密封液晶層136的密封材料134；包括像素電極、半導體元件、電容元件、佈線等的元件形成層124。此外，第一結構體132及第二結構體138的特徵如虛線160所示那樣在於在密封材料134的外側接觸而固定(參照圖1A)。此外，雖然在圖1A中，使示出第一結構體132及第二結構體138接觸並密接的區域的虛線160位於液晶顯示裝置的大概中央部分，但是如圖1B的虛線162所示那樣也可以偏於第一結構體132及第二結構體138中的一方。
第一結構體132、第二結構體138分別在纖維體132a、138a中浸滲有有機樹脂132b、138b，第一及第二結構體132、138也稱為預浸料。預浸料具體地說是：在使纖維體中浸滲用有機溶劑稀釋矩陣樹脂而成的清漆之後，藉由進行乾燥使有機溶劑揮發來使矩陣樹脂半固化而成的。第一結構體132及第二結構體138的厚度為10μm以上且100μm以下，較佳的為10μm以上且60μm以下。藉由採用這種厚度的結構體，可以製造薄型且可彎曲的液晶顯示裝置。
作為有機樹脂132b、138b，可以使用環氧樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、雙馬來醯亞胺三嗪樹脂或氰酸酯樹脂等熱固性樹脂。此外，可以使用聚苯醚樹脂、聚醚醯亞胺樹脂或含氟樹脂等熱塑性樹脂。藉由使用上述有機樹脂，可以藉由熱處理將纖維體固定到元件形成層或密封材料上。另外，有機樹脂132b、138b的玻璃轉移溫度越高，越不容易發生因受局部壓力引起的損壞，因而是較佳的。
高導熱性填料可以分散在有機樹脂132b、138b中或纖維體132a、138a的線束中。作為高導熱性填料，有氮化鋁、氮化硼、氮化矽、氧化鋁等。此外，作為高導熱性填料，有銀、銅等的金屬粒子。由於在有機樹脂或線束中包含高導熱性填料，而容易將在液晶顯示裝置中產生的熱釋放到外部，所以可以減少液晶顯示裝置的蓄熱，並且可以降低液晶顯示裝置的損壞。
纖維體132a、138a是使用有機化合物或無機化合物的高強度纖維而成的織布或無紡布，使纖維體132a、138a的一部分重疊而設置。作為高強度纖維，具體為拉伸彈性模量高的纖維，或者是楊氏模量高的纖維。作為高強度纖維的典型例子，可以舉出聚乙烯醇纖維、聚酯纖維、聚醯胺纖維、聚乙烯纖維、芳族聚醯胺纖維、聚對苯撐苯並雙噁唑纖維、玻璃纖維、或碳素纖維。作為玻璃纖維，可以採用使用了E玻璃、S玻璃、D玻璃、Q玻璃等的玻璃纖維。另外，纖維體132a、138a也可以由一種上述高強度纖維來形成。此外，纖維體132a、138a還可以由多種上述高強度纖維來形成。
另外，纖維體132a、138a還可以由織布或無紡布構成，所述織布是將纖維(單股線)把(以下稱為線束)用於經線及緯線編織而成的，所述無紡布是多種纖維的線束任意或在一個方向上堆積而成的。當採用織布時，可以適當地使用平紋組織、斜紋組織、緞紋組織等。
線束的截面形狀可以是圓形或橢圓形。作為線束，還可以使用藉由高壓水流、以液體為介質的高頻振盪、連續超聲波振動、以及利用滾筒的壓緊等經過開纖加工的線束。經過開纖加工的線束的寬度增加並且可以減少在厚度方向上的單股線數目，而線束的截面成為橢圓形或平板狀。另外，藉由使用弱撚紗線作為線束，容易使線束變平，而線束的截面形狀成為橢圓形或平板狀。像這樣，藉由使用其截面是橢圓形或平板狀的線束，可以減薄纖維體132a、138a的厚度。由此，可以減薄第一結構體132及第二結構體138的厚度，而可以製造薄型液晶顯示裝置。
纖維體132a、138a是編織其之間有一定距離的經線及其之間有一定距離的緯線而成的。這種纖維體具有經線及緯線不存在的區域。當使用這種纖維體時，有機樹脂在纖維體中浸滲的比例提高，而可以提高纖維體及元件層的密接性。
另外，還可以對線束進行表面處理，以便提高有機樹脂向線束內部滲透的比例。例如有用於使線束表面啟動的電暈放電處理、電漿放電處理等。另外，還有使用了矽氧烷偶合劑、鈦酸鹽偶合劑的表面處理。
圖29A和29B及圖30示出當設置在纖維體中浸滲有有機樹脂的結構體時的一例。此外，圖29A示出實際製造的樣品的截面SEM圖像(1000倍)，圖29B示出圖29A的示意圖。另外，圖30示出使用光學顯微鏡觀察實際製造的樣品的截面的圖像(20倍)。
圖29A和29B示出夾著電晶體50地設置在纖維體71a中浸滲有有機樹脂71b的第一結構體51以及在纖維體72a中浸滲有有機樹脂72b的第二結構體52的情況。雖然在圖29A和29B的截面圖中作為纖維體71a、纖維體72b只示出經線和緯線中的一方，但是根據觀察的截面方向，存在有與經線和緯線中的一方交叉的另一方的纖維體。
在圖30的截面中示出由纖維線束構成的經線及緯線交叉而設置。
如上所述那樣，可以獲得如下結構體：藉由將纖維體以經線和緯線彼此交叉的方式編織為布狀，並將有機樹脂浸滲於其中，使纖維體抑制布狀的面方向上的伸縮，並且在垂直方向上具有撓性。
在此，由於第一結構體132及第二結構體138較佳的為透明，因此纖維體132a、138a和有機樹脂132b、138b較佳的採用對可見光具有高透過率，並其折射率彼此大概相等，並不具有雙折射的材料。
此外，第一結構體132的厚度d1是與元件形成層124及液晶層136重疊的第一結構體132的區域中的厚度。此外，第二結構體138的厚度d2也是與元件形成層124及液晶層136重疊的第二結構體138的區域中的厚度。
本實施例模式所示的液晶顯示裝置包括在纖維體中浸滲有有機樹脂的第一結構體132及第二結構體138，並且在密封材料134的外側第一結構體132及第二結構體138直接接觸並密接。這是因為包括在第一結構體132及第二結構體138的有機樹脂彼此熔接後固定的緣故，從而密接性高，因此可以減少因液晶顯示裝置中的第一結構體及第二結構體的剝離、水分等從外部進入等導致的液晶顯示裝置的不良。此外，由於在第一結構體132及第二結構體138中包括纖維體，因此可以將來自外部的壓力或彎曲的壓力分散到液晶顯示裝置的整體，而可以減少液晶顯示裝置的不良。
在元件形成層124中形成用於控制包含於液晶層136中的液晶的取向的像素電極、半導體元件、電容元件、佈線等元件。注意，可以在元件形成層124中只形成像素部。另外，也可以形成像素部及用於將包括於像素部的液晶元件驅動的驅動電路。此外，可以將用於從設置在液晶顯示裝置的外部的資訊振盪器接受顯示資訊的天線及收發電路設置在元件形成層124中。藉由採用這種結構，在資訊振盪器和液晶顯示裝置之間可以無線的方式收發顯示資訊，並且使用第一結構體及第二結構體完全密封液晶顯示裝置的周邊部。
此外，在元件形成層124及液晶層136中包括液晶元件。液晶元件是由一對電極及液晶構成並且藉由利用液晶的光學調制作用控制光的透過或非透過的元件。藉由利用一對像素電極之間產生的電壓使液晶材料取向，來控制光的透過或非透過。
作為液晶材料，使用溶致液晶、熱致液晶、低分子液晶、高分子液晶、盤型液晶、鐵電液晶、反鐵電液晶等。此外，根據條件上述液晶材料呈現出向列相、膽甾相、膽甾藍相、近晶相、近晶藍相、立方相、近晶D相、對掌向列相、均質相等。膽甾藍相及近晶藍相呈現於螺旋間距為500nm以下的具有較短的膽甾相或近晶相的液晶材料。液晶材料的取向具有雙重扭曲(double twist)結構。由於具有光學波長以下的秩序，因此液晶材料為透明且因施加電壓而使取向秩序變化並產生光學調制作用。藍相由於在光學上為均質，沒有視角依賴性，並不需要取向膜，因此可以提高顯示圖像的品質以及減少成本。
在製造透過型液晶顯示裝置的情況下，作為像素電極可以使用將氧化錫混合到氧化銦的氧化銦錫(ITO)、將氧化矽混合到氧化銦錫(ITO)的氧化銦錫矽(ITSO)、將氧化鋅混合到氧化銦的氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、或氧化錫(SnO2 )等。在製造反射型液晶顯示裝置的情況下，作為像素電極可以使用具有反射性的金屬(例如，以鋁或銀主要成分的材料層，或這些的疊層等)。在製造半透過型液晶顯示裝置的情況下，作為像素電極，可以在反射區域中使用具有反射性的金屬，而在透過區域中使用具有透光性的材料。
此外，根據液晶顯示裝置的顯示模式，對置的像素電極可以形成在元件形成層124或/及第二結構體中。例如，在作為液晶的驅動方式採用TN(Twisted Nematic；扭曲向列)模式、賓主模式、PDLC(Polymer Dispersed Liquid Crystal；聚合物分散液晶)模式、FLC(Ferroelectric Liquid Crystal；鐵電液晶)模式、AFLC(Anti Ferroelectric Liquid Crystal；反鐵電液晶)模式、MVA(Multi-domain Vertical Alignment；多象限垂直配向)模式、PVA(Patterned Vertical Alignment；垂直取向構型)模式、OCB(Optical Compensated Birefringenc；光學補償彎曲)模式等的情況下，在元件形成層124中形成像素電極，在第二結構體中形成對置電極，而形成對應的像素電極即可。此外，在採用IPS(In-Plane Switching；平面內切換)模式的情況下，在元件形成層124中形成像素電極及共同電極，而形成對應的像素電極即可。
注意，可以使用各種各樣的液晶材料及其驅動方式而不侷限於上述液晶顯示裝置的驅動方法及液晶材料。
將包括於元件形成層124的半導體元件用作控制施加於像素電極的電壓的開關元件。作為半導體元件的代表例子，有薄膜電晶體、二極體、MIM(Metal-Insulator-Metal；金屬-絕緣體-金屬)、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems；微電子機械系統)等。作為薄膜電晶體有如下薄膜電晶體：將結晶半導體、微晶半導體、非晶半導體用作通道形成區域的薄膜電晶體；將有機半導體用作通道形成區域的有機半導體薄膜電晶體；將氧化物半導體用作通道形成區域的薄膜電晶體等。
作為密封材料134，可以使用包含可見光固化性、紫外線固化性、或熱固化性的樹脂的材料。例如，可以使用雙酚A型液體樹脂、雙酚A型固體樹脂、含溴環氧樹脂、雙酚F型樹脂、雙酚AD型樹脂、酚醛樹脂、甲酚型樹脂、酚醛清漆型樹脂、環狀脂肪族環氧樹脂、Epi-Bis型環氧樹脂、縮水甘油酯樹脂、縮水甘油胺類樹脂、雜環環氧樹脂、改性環氧樹脂等環氧樹脂。此外，藉由對密封材料134散佈填料，可以將第一結構體132及第二結構體138之間的間隔保持為恆定。
為了將液晶層136的間隔保持為恆定，可以在液晶層136中設置隔離物。作為隔離物，有柱狀隔離物和球狀隔離物。此外，柱狀隔離物也稱為光微影隔離物、支柱隔離物、扇貝隔離物、豎筒隔離物。
此外，雖然在圖1A和1B中未圖示，但在第一結構體或/及第二結構體的表面上設置有偏振膜。藉由設置偏振膜，可以提高對比度。此外，在液晶顯示裝置是反射型的液晶顯示裝置的情況下，在第一結構體或第二結構體中設置偏振膜即可。此外，當在第一結構體或/及第二結構體中設置偏振膜時，藉由使偏振軸平行於或垂直於第一結構體或/及第二結構體的纖維體的軸，可以減少漏光。此外，在此纖維體的軸是指與纖維體的長軸平行的方向。
再者，除了偏振膜以外，還可以適當地設置濾色片、相位差膜、抗反射膜、廣視角膜等。
在此，以下示出本實施例模式所示的液晶顯示裝置的效果。
當對使用現有的具有撓性的基板的液晶顯示裝置施加局部壓力時，具有撓性的基板及元件形成層都會延伸，而在施加壓力的部分產生曲率半徑小的彎曲。其結果，在包括於元件形成層的半導體元件、佈線等中產生裂縫，而使液晶顯示裝置受到損壞。
然而，在本實施例模式所示的液晶顯示裝置中設置由包含有機樹脂的纖維體構成的結構體。纖維體使用高強度纖維來形成，高強度纖維的拉伸彈性模量高或楊氏模量高。由此，即使施加點壓、線壓等局部壓力，高強度纖維也不會延伸，而是受到的壓力被分散到纖維體的整體，液晶顯示裝置的整體彎曲。其結果，即使受到局部壓力，液晶顯示裝置中所產生的彎曲也會成為曲率半徑大的彎曲，所以包括於元件形成層的半導體元件、佈線等不產生裂縫，而能夠減少液晶顯示裝置的損壞。
本實施例模式所示的液晶顯示裝置具有在纖維體中浸滲有有機樹脂的第一結構體及第二結構體，並且在密封材料的外側第一結構體及第二結構體直接接觸並密接。由此，第一結構體及第二結構體的密接性高，因此不但可以減少液晶顯示裝置的剝離和不良等及提高可靠性，而且可以將來自外部的壓力或彎曲的壓力分散到液晶顯示裝置的整體，而可以減少液晶顯示裝置的不良。
實施例模式2
本實施例模式的目的在於提供即使施加面壓、線壓也不容易受到損壞的液晶顯示裝置，以下示出詳細內容。
本實施例模式所示的液晶顯示裝置具有：液晶層136；隔著液晶層136對置設置的第一結構體132及第二結構體138；密封液晶層136的密封材料134；包括像素電極、半導體元件、電容元件、佈線等的元件形成層124，在第一結構體132外側具有第一衝擊緩和層151，並且在第二結構體外側具有第二衝擊緩和層153。
第一衝擊緩和層151及第二衝擊緩和層153具有使施加於液晶層136和元件形成層124的來自外部的壓力擴散而減少的效果。再者，可以減少因面壓或線壓等的面積較廣的壓力而引起的液晶顯示裝置的損壞，而防止特性不良。
較佳的第一衝擊緩和層151及第二衝擊緩和層153的彈性模量低於並且斷裂強度高於第一結構體及第二結構體138。
作為第一衝擊緩和層151及第二衝擊緩和層153，較佳的使用彈性模量低且斷裂強度高的材料。例如作為第一衝擊緩和層151及第二衝擊緩和層153可以使用彈性模量為5GPa以上且12GPa以下，並具有斷裂係數為300MPa以上的橡膠彈性的層。
第一衝擊緩和層151及第二衝擊緩和層153較佳的由高強度材料形成。作為高強度材料的代表例子，可以舉出聚乙烯醇類樹脂、聚酯類樹脂、聚醯胺類樹脂、聚乙烯類樹脂、芳族聚醯胺樹脂、聚對苯撐苯並二噁唑樹脂、玻璃樹脂等。
更具體而言，作為第一衝擊緩和層151及第二衝擊緩和層153，可以使用芳族聚醯胺樹脂、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)樹脂、聚醚碸(PES)樹脂、聚苯硫醚(PPS)樹脂、聚醯亞胺(PI)樹脂、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)樹脂等。在本實施例模式中，作為第二衝擊緩和層153使用芳族聚醯胺樹脂膜(彈性率10GPa、斷裂強度480MPa)。
如本實施例模式那樣，藉由對於元件形成層124及液晶層136，對稱地設置一對包括纖維體的結構體及一對衝擊緩和層，可以使施加於液晶顯示裝置的壓力更均勻地擴散，因此可以進一步防止因彎曲和翹曲而引起的元件形成層124及液晶層136的損壞。這是因為藉由分別由同樣的材料及同樣的厚度製造一對包括纖維體的結構體和一對衝擊緩和層，將元件形成層124及液晶層136配置在液晶顯示裝置的中央部分，而使其耐彎曲壓力的能力變強。再者，第一結構體132及第一衝擊緩和層151的厚度的總和以及第二結構體138及第二衝擊緩和層153的厚度的總和分別厚於元件形成層124及液晶層136的厚度的總和，所以第一結構體132、第一衝擊緩和層151、第二結構體138以及第二衝擊緩和層153緩和彎曲的壓力，因此不容易使元件形成層124及液晶層136受到損壞。
此外，雖然在圖2中示出在液晶顯示裝置的外側設置一對衝擊緩和層的方式，但是也可以在液晶顯示裝置的一側，即在結構體的外側設置衝擊緩和層，在另一側，即在衝擊緩和層的外側設置結構體。在此情況下，成為結構體和衝擊緩和層直接接觸而固定的方式。
實施例模式3
本實施例模式的目的在於提供減少了因靜電等的電壓力引起的損壞，且具有高可靠性的液晶顯示裝置，以下示出詳細說明。
本實施例模式的特徵在於在液晶顯示裝置的最外表面上形成導電層。
將導電層170形成在第一結構體132或第二結構體138的外側(在此，設置在元件形成層124一側的第一結構體132)的表面上。此外，在如實施例模式2所示那樣在第一結構體132或第二結構體138的外側分別設置衝擊緩和層的情況下，在衝擊緩和層外側的表面上形成導電層。
導電層170由於擴散因靜電放電施加於液晶顯示裝置的靜電，或者防止電荷的局部性存在(局部化)(使其不產生局部性的電位差)，因此可以防止液晶顯示裝置的靜電損壞。
此外，本實施例模式示出第一結構體132及第二結構體138的外側分別形成有導電層170a、170b的方式(參照圖3B)。此外，在圖3B中，導電層170a、170b不電連接。
此外，在第一結構體132的表面上及第二結構體138的表面上分別形成有導電層的情況下，可以使這些導電層彼此電連接，並且為相同的電位。電連接既可以在液晶顯示裝置的側面的一部分進行，又可以在貫穿液晶顯示裝置的內部的電極層進行。此外，液晶顯示裝置中的側面是指將相同元件形成層切斷(截斷)成各個元件形成層時所產生的切斷面(截斷面)。既可以是以導電層覆蓋上述切斷面的整體的方式，又可以是以導電層覆蓋上述切斷面的一部分的方式。以下示出具體的方式。
以下示出導電層170覆蓋液晶顯示裝置的周圍全部(上面、下面、側面)而形成的方式(參照圖4A)。
此外，示出導電層170形成在液晶顯示裝置的上面、下面以及至少一個側面的方式(參照圖4B)。
此外，示出利用貫穿液晶顯示裝置內部的電極層172a，將形成在第一結構體132表面上的導電層170a與形成在第二結構體138表面上的導電層170b連接的方式(參照圖5A)。
此外，示出利用貫穿液晶顯示裝置內部的電極層172a、172b，將形成在第一結構體132表面上的導電層170a與形成在第二結構體138表面上的導電層170b電連接的方式(參照圖5B)。
形成電極層172a、172b的貫穿孔既可以藉由針或錐子等物理處理來加工，又可以藉由蝕刻等化學處理來加工。此外，還可以透過雷射光束來加工。
在圖4A和4B及圖5A和5B中，由於在元件形成層124的上面及下面設置有電連接著的導電層，所以在廣的範圍保護元件形成層124免受來自外部的靜電的影響。因此，可以在因靜電產生的電流流過液晶顯示裝置中，而使液晶顯示裝置被損壞之前，使該電流流過電連接著的相同的電位的形成在上表面上的導電層及形成在下表面上的導電層，因此可以獲得更高的靜電損壞防止效果。
導電層170、170a、170b只要具有導電性即可。由此，作為導電層170、170a、170b可以使用金屬、金屬氮化物、或由金屬氧化物形成的層以及這些的疊層。代表性地，使用選自鈦、鉬、鎢、鋁、銅、銀、金、鎳、鉑、鈀、銥、銠、鉭、鎘、鋅、鐵、矽、鍺、鋯、鋇中的元素、或者以上述元件為主要成分的合金材料、化合物材料、氮化物材料、氧化物材料形成導電層170、170a、170b即可。
作為氮化物材料可以使用氮化鉭、氮化鈦等。作為氧化物材料，可以使用銦錫氧化物(ITO)、含有氧化矽的銦錫氧化物(ITSO)、有機銦、有機錫、氧化鋅等。此外，也可以使用含有氧化鋅(ZnO)的銦鋅氧化物(IZO(indium zinc oxide))、摻雜了鎵(Ga)的氧化鋅(ZnO)、氧化錫(SnO2 )、含有氧化鎢的銦氧化物、含有氧化鎢的銦鋅氧化物、含有氧化鈦的銦氧化物、含有氧化鈦的銦錫氧化物等。
此外，作為導電層170、170a、170b，可以使用對半導體添加雜質元素等而賦予導電性的半導體層等。例如，可以使用摻雜了磷等的雜質元素的多晶矽層等。
再者，作為導電層170、170a、170b，也可以使用導電高分子(也稱為導電聚合物)。作為導電高分子，可以使用所謂的π電子共軛導電高分子。例如，可以舉出聚苯胺及/或其衍生物、聚吡咯及/或其衍生物、聚噻吩及/或其衍生物、它們中的兩種以上的共聚物等。
在液晶顯示裝置為透過性及半透過性的情況下，導電層170、170a、170b由具有透光性和導電性的材料或膜厚度厚地形成。在由金屬、金屬氮化物、或金屬氧化物形成導電層170、170a、170b的情況下，藉由使其膜厚度較薄，可以賦予透光性。
此外，在液晶顯示裝置為反射性的情況下，設置在顯示面一側的導電層170、170a、170b較佳的具有透光性以及導電性。另一方面，形成在液晶顯示裝置的顯示面以外的導電層只要具有導電性即可，其也可以具有遮光性。
此外，可以在導電層上層疊保護層。例如，作為導電層可以形成鈦層，並在鈦層上層疊氧化鈦層作為保護層。藉由保護層，即使在導電層設置在液晶顯示裝置的表面上的情況下，保護層也成為最外表面，而可以防止導電層的退化。
藉由覆蓋液晶顯示裝置的導電層，防止因液晶顯示裝置的靜電放電引起的靜電損壞(電路的誤動作及半導體元件的損壞)。此外，藉由密封液晶顯示裝置的一對結構體，可以提供實現了薄型化及小型化並具有耐性的高可靠性的液晶顯示裝置。另外，可以防止在製程中因外部壓力或靜電放電引起的形狀及特性的不良，並高成品率地製造液晶顯示裝置。
實施例模式4
本實施例模式的目的在於提供高成品率地製造實施例模式1所示的液晶顯示裝置的方法。
在基板100的一表面上形成剝離層102，接著形成絕緣層104(參照圖6A)。可以連續形成剝離層102、絕緣層104。藉由連續形成，由於不暴露於大氣因此可以防止雜質的混入。
作為基板100，可以使用玻璃基板、石英基板、金屬基板或不銹鋼基板等。例如，藉由使用一邊長為1米以上的矩形的玻璃基板，可以顯著提高生產率。
此外，在本製程中，雖然示出將剝離層102設置在基板100的整個表面上的情況，但是可以根據需要，在基板100的整個表面上設置剝離層102之後選擇性地去除該剝離層102，只在所需的區域中設置剝離層。此外，雖然接觸於基板100地設置剝離層102，但是可以根據需要，接觸於基板100地形成氧化矽層、氧氮化矽層、氮化矽層、氮氧化矽層等的絕緣層，並接觸於該絕緣層地形成剝離層102。
作為剝離層102，藉由濺射法、電漿CVD法、塗敷法、印刷法等，以單層或疊層結構形成30nm至200nm厚的由選自鎢(W)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鈮(Nb)、鎳(Ni)、鈷(Co)、鋯(Zr)、鋅(Zn)、釕(Ru)、銠(Rh)、鈀(Pd)、鋨(Os)、銥(Ir)及矽(Si)中的元素；含有該元素作為其主要成分的合金材料；或者含有該元素作為其主要成分的化合物材料的層。包括矽的層的結晶結構可以是非晶、微晶及多晶中的任一種。另外，在此，塗敷法是指將溶液噴射在被處理物上來沉積的方法，它包括例如旋塗法和液滴噴射法。另外，液滴噴射法是藉由從微小的孔中噴射包含微粒的組分的液滴，來形成具有預定形狀的圖形的方法。
在剝離層102具有單層結構的情況下，較佳的形成包含鎢、或鎢和鉬的混合物的層。或者形成包含如下物質的層：鎢的氧化物、鎢的氧氮化物、或鎢和鉬的混合物的氧化物、鎢和鉬的混合物的氧氮化物。另外，鎢和鉬的混合物例如相當於鎢和鉬的合金。
在剝離層102具有疊層結構的情況下，較佳的形成金屬層作為第一層，並且形成金屬氧化物層作為第二層。典型地，作為第一層的金屬層形成包含鎢、或鎢和鉬的混合物的層，並且作為第二層形成包含如下物質的層：鎢的氧化物、鎢和鉬的混合物的氧化物、鎢的氮化物、鎢和鉬的混合物的氮化物、鎢的氧氮化物、鎢和鉬的混合物的氧氮化物、鎢的氮氧化物、或鎢和鉬的混合物的氮氧化物。
在作為剝離層102形成第一層是金屬層且第二層是金屬氧化物層的疊層結構時，可以利用如下現象：藉由作為金屬層形成包含鎢的層並且在其上層形成由氧化物形成的絕緣層，在包含鎢的層和絕緣層的介面自然形成包含鎢的氧化物的層作為金屬氧化物層。再者，還可以對金屬層的表面進行熱氧化處理、氧電漿處理、利用臭氧水等氧化能力高的溶液的處理等來形成金屬氧化物層。
設置用作緩衝層的絕緣層104的目的是：在之後進行的剝離製程中使在與剝離層102的介面中容易進行剝離，或者在之後的剝離製程中防止半導體元件或佈線破裂或損壞。例如，絕緣層104藉由濺射法、電漿CVD法、塗敷法、印刷法等使用無機化合物以單層或多層形成。作為無機化合物的典型例子，有氧化矽、氮化矽、氧氮化矽、氮氧化矽等。另外，藉由將氮化矽、氮氧化矽、氧氮化矽等用於絕緣層104，可以防止水分或如氧氣等氣體從外部進入之後形成的元件層中。用作緩衝層的絕緣層的厚度較佳的為10nm以上且1000nm以下，更較佳的為100nm以上且700nm以下。
接著，在絕緣層104上形成薄膜電晶體106(參照圖6B)。薄膜電晶體106至少由具有源區、汲區及通道形成區域的半導體層108、閘極絕緣層110、閘極電極112構成。
半導體層108是由厚度為10nm以上且100nm以下，較佳的為20nm以上且70nm以下的非單晶半導體形成的層，作為非單晶半導體層有結晶半導體層、非晶半導體層、微晶半導體層等。另外，作為半導體，有矽、鍺、矽鍺化合物等。尤其是，較佳的應用透過雷射光束的照射、使用了快速熱退火(RTA)或退火爐的熱處理晶化而得的結晶半導體、或者組合這些方法晶化而得的結晶半導體。在加熱處理中，可以應用使用了具有促進矽半導體的晶化的作用的如鎳等的金屬元素的晶化法。
閘極絕緣層110由厚度為5nm以上且200nm以下，較佳的為10nm以上且100nm以下的氧化矽及氧氮化矽等的無機絕緣物形成。
可以由金屬或添加有一種導電型的雜質物的多晶半導體形成閘極電極112。在採用金屬的情況下，可以使用鎢(W)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鋁(Al)等。另外，可以使用使金屬氮化的金屬氮化物。或者，也可以採用層疊由該金屬氮化物構成的第一層和由所述金屬構成的第二層的結構。此時，藉由將金屬氮化物用於第一層，可以將其用作金屬阻擋。換言之，可以防止第二層的金屬擴散到閘極絕緣層中或其下層的半導體層中。另外，在採用疊層結構的情況下，也可以具有第一層的端部比第二層的端部外側突出的形狀。
組合半導體層108、閘極絕緣層110和閘極電極112等構成的薄膜電晶體106可以應用各種結構，諸如單汲極電極結構、LDD(低濃度汲極電極)結構、閘極重疊汲極電極結構等。在此示出使用接觸於閘極電極112的側面的絕緣層(也稱為“側壁”)而設置有低濃度雜質區域的LDD結構的薄膜電晶體。再者，可以應用施加有等價上相同電位的閘極電壓的電晶體串聯連接的多閘極結構；以及閘極電極夾著半導體層上下的雙閘極結構等形成的薄膜電晶體等。
另外，作為薄膜電晶體，可以使用將金屬氧化物或有機半導體材料用於半導體層的薄膜電晶體。作為金屬氧化物的典型例子，有氧化鋅、鋅鎵銦的氧化物等。
接著，形成電連接於薄膜電晶體106的源區及汲區的佈線118，並形成電連接於該佈線118的像素電極122a、共同電極122b(參照圖6C)。
在此，覆蓋薄膜電晶體106地形成絕緣層114、116，並在絕緣層116上形成能夠用作源極電極、汲極電極的佈線118。然後，在佈線118上形成絕緣層120，並在該絕緣層120上形成像素電極、共同電極。
將絕緣層114、116用作層間絕緣層。藉由CVD法、濺射法、SOG法、液滴噴射法、絲網印刷法等由無機材料如矽的氧化物和矽的氮化物等；有機材料如聚醯亞胺、聚醯胺、苯並環丁烯、丙烯酸、環氧等；或矽氧烷材料等形成單層或疊層的絕緣層114、116。在此，可以形成氮氧化矽層作為第一層的絕緣層114，並且形成氧氮化矽層作為第二層的絕緣層116。
較佳的組合如鋁(Al)那樣的低電阻材料和使用了鈦(Ti)或鉬(Mo)等高熔點金屬材料的阻擋金屬來形成佈線118，例如鈦(Ti)和鋁(Al)的疊層結構、鉬(Mo)和鋁(Al)的疊層結構等。
藉由CVD法、濺射法、SOG法、液滴噴射法、絲網印刷法等由無機材料如矽的氧化物和矽的氮化物等；有機材料如聚醯亞胺、聚醯胺、苯並環丁烯、丙烯酸、環氧等；或矽氧烷材料等形成單層或疊層的絕緣層120。在此，作為絕緣層120，藉由絲網印刷法設置環氧。
作為像素電極122a、共同電極122b，在製造透過型液晶顯示裝置的情況下，可以使用將氧化錫混合到氧化銦的氧化銦錫(ITO)、將氧化矽混合到氧化銦錫(ITO)的氧化銦錫矽(ITSO)、將氧化鋅混合到氧化銦的氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、或氧化錫(SnO2 )等的具有透光性的材料。在製造反射型液晶顯示裝置的情況下，作為像素電極122a、共同電極122b可以使用具有反射性的金屬(例如，以鋁或銀主要成分的材料層，或這些的疊層等)。在製造半透過型液晶顯示裝置的情況下，可以在反射區域中使用具有反射性的金屬作為像素電極，而在透過區域中使用具有透光性的材料。
在此，作為液晶顯示裝置，為了形成IPS模式的液晶顯示裝置，在絕緣層120上形成成對的像素電極122a、共同電極122b。此外，在製造垂直電場驅動方式的液晶顯示裝置的情況下，在絕緣層120上形成像素電極122a，並在第二結構體上形成共同電極122b。
接著，藉由蝕刻等去除設置在基板100的端部的絕緣層。在此，至少去除絕緣層114、116、120，並露出絕緣層104。另外，在從一個基板形成多個液晶顯示裝置的情況下，在形成面板的各個區域的端部中對絕緣層進行蝕刻，以將構成各個面板的元件分別分離。
接著，在絕緣層120上形成隔離物121。接著，為了容易對液晶材料進行取向，在像素電極122a、共同電極122b、絕緣層120、絕緣層104上形成取向膜123(參照圖6D)。
在本實施例模式中，作為隔離物121，示出柱狀間隔物。作為柱狀間隔物的製造方法，藉由旋轉塗敷法將感光性丙烯等的有機絕緣材料塗布到基板的整個表面上，並且對此進行一系列的光微影處理，這樣留在基板上的感光性有機絕緣材料起到間隔物的作用。藉由採用該方法，可以使用露光時的掩模圖形進行要設置隔離物的地方的露光。因此，藉由在液晶不被驅動的部分設置該柱狀隔離物，除了能維持第一結構體及第二結構體之間的間隙以外，還可以防止液晶的漏光。或者，隔離物121可以藉由噴墨法將包含有機絕緣材料的組成物噴出並進行焙燒來形成。
注意，在此，雖然在絕緣層120上形成隔離物121，但是也可以在未圖示的第二結構體上形成隔離物121。
在將熔解聚醯亞胺等的溶液塗敷到基板上而進行焙燒之後，進行摩擦處理來形成取向膜123。或者，藉由利用UV光的照射或離子束的照射將能夠進行順反異構化的聚合物塗敷到基板上之後，藉由利用UV光的照射或離子束的照射進行聚合物的順反異構化來形成取向膜。或者，藉由斜向蒸鍍在基板上蒸鍍氧化矽，來形成取向膜。
此外，藉由半導體層108的晶化製程、包含於半導體層108的源區及汲區的活性化製程、絕緣層114、116、120的形成製程、取向膜123的形成製程中的加熱處理，使剝離層102的一部分脆弱，來可以容易進行之後的剝離製程。
接著，為了將包括薄膜電晶體106等的元件形成層124從基板100容易剝離，較佳的在將元件形成層124從基板100剝離之前照射雷射光束，而形成凹部。在此，藉由對在端部中露出了的絕緣層104及取向膜123照射雷射光束，形成凹部128(參照圖6E)。
接著，如圖7A所示，在元件形成層124上貼合設置黏合膜130。黏合膜130應用利用光或熱能夠剝離的薄片。
藉由貼合黏合膜130，不但容易進行剝離，而且降低在剝離前後施加到元件形成層124的應力，而可以抑制薄膜電晶體106的損壞。
接著，藉由利用凹部128，在剝離層102及用作緩和層的絕緣層104的介面，將元件形成層124從基板100剝離(參照圖7B)。作為剝離方法，例如使用施加機械性力量(例如，用人的手或夾握工具剝下的處理，或者使滾筒轉動而進行分離的處理)來進行即可。
此外，也可以將液體滴落到凹部128中，使液體浸透到剝離層102及絕緣層104的介面，來從剝離層102剝離元件形成層124。另外，可以將NF3 、BrF3 、ClF3 等氟化氣體引入凹部128中，利用氟化氣體蝕刻去除剝離層，而從具有絕緣表面的基板剝離元件形成層124。
在本實施例模式中，雖然採用了在與絕緣層104接觸一側形成金屬氧化層作為剝離層102，藉由物理方法剝離元件形成層124的方法，但是不侷限於此。可以採用如下方法：使用具有透光性的基板作為基板100，並使用含氫的非晶矽層作為剝離層102，將雷射光束從基板100照射到剝離層102，使包含在非晶矽層的氫汽化，而在基板100和剝離層102之間進行剝離。
此外，可以使用藉由機械磨削來去除基板100的方法，或者藉由使用溶液如HF等溶解基板100來去除基板的方法。在此情況下，也可以不使用剝離層102。
接著，在剝離了的元件形成層124的剝離面(進行剝離而露出了的絕緣層104表面)上，設置在纖維體132a中浸滲有有機樹脂132b的第一結構體132(參照圖7C)。這種結構體也稱為預浸料。
預浸料是在使纖維體中浸滲用有機溶劑稀釋矩陣樹脂而成的清漆之後，藉由進行乾燥使有機溶劑揮發來使矩陣樹脂半固化或固化而成的。結構體的厚度較佳的為10μm以上且100μm以下，更佳的為10μm以上且30μm以下。藉由使用具有這樣的厚度的結構體，可以製造薄型且可彎曲的液晶顯示裝置。
此外，作為有機樹脂132b，可以使用熱固性樹脂，諸如環氧樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、雙馬來醯亞胺三嗪樹脂、或氰酸鹽樹脂。或者可以使用熱可塑性樹脂，諸如聚苯氧基樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、或氟樹脂。藉由使用上述有機樹脂，可以將纖維體藉由熱處理固定在元件形成層124上。另外，有機樹脂132b的玻璃化轉變溫度越高，越不容易受到局部施加壓力的損壞，所以是較佳的。
也可以將高導熱性填料分散在有機樹脂132b中或纖維體132a的線束中。作為高導熱性填料，可以舉出氮化鋁、氮化硼、氮化矽、釩土等。此外，作為高導熱性填料，還有銀、銅等的金屬顆粒等。藉由使有機樹脂或線束中含有高導熱性填料，液晶顯示裝置中產生的熱可以被輕易地釋放到外面。因此，可以抑制液晶顯示裝置中的蓄熱，而可以減少液晶顯示裝置的損壞。
纖維體132a是使用有機化合物或無機化合物的高強度纖維的紡織物或無紡織物，並且佈置為部分重疊。高強度纖維具體地說是具有高拉伸彈性模量或高楊氏模量的纖維。作為高強度纖維的典型例子，可以舉出聚乙烯醇類纖維、聚酯類纖維、聚醯胺類纖維、聚乙烯類纖維、芳族聚酸胺類纖維、聚對苯撐苯並二噁唑纖維、玻璃纖維、或碳纖維。作為玻璃纖維，可以舉出使用E玻璃、S玻璃、D玻璃、Q玻璃等的玻璃纖維。另外，纖維體132a可以由上述高強度纖維中的一種或多種形成。
此外，纖維體132a還可以由織布或無紡布構成，所述織布是將纖維(單股線)把(以下稱為線束)用於經線及緯線編織而成的，所述無紡布是多種纖維的線束任意或在一個方向上堆積而成的。當採用織布時，可以適當地使用平紋組織、斜紋組織、緞紋組織等。
線束可以具有圓形或橢圓形的截面。作為線束，還可以使用藉由高壓水流、以液體為介質的高頻振動、連續超聲振動、以及利用滾筒的壓緊等經過開纖加工的線束。經過開纖加工的線束的寬度變寬，並且可以減少厚度方向上的單股線數目，而線束的截面成為橢圓形或平板狀。此外，藉由使用弱撚紗線作為線束，容易將線束扁平化，而線束的截面成為橢圓形或平板狀。像這樣，藉由使用其截面是橢圓形或平板狀的線束，可以減薄纖維體132a的厚度。因此，可以將結構體的厚度減薄，從而可以製造薄型的液晶顯示裝置。
接著，加熱並壓合第一結構體，使第一結構體的有機樹脂可塑化或固化。另外，在有機樹脂是可塑性有機樹脂的情況下，藉由此後冷卻至室溫來使可塑化了的有機樹脂固化。
藉由加熱及壓合，有機樹脂132b均勻地擴展在元件形成層124表面上並固化。可以在大氣壓下或減壓下進行壓合第一結構體132的製程。藉由上述步驟，可以將第一結構體132固定於元件形成層124。
接著，在取向膜123上形成密封材料134(參照圖8A)。藉由使用絲網印刷法、噴墨裝置或分配器裝置在取向膜123或第二結構體上塗敷密封材料134。作為密封材料134，典型地可以使用可見光固化樹脂、包含紫外線固化性、或熱固化性樹脂的材料。例如，可以使用雙酚A型液體樹脂、雙酚A型固體樹脂、含溴環氧樹脂、雙酚F型樹脂、雙酚AD型樹脂、酚醛樹脂、甲酚型樹脂、酚醛清漆型樹脂、環狀脂肪族環氧樹脂、Epi-Bis型環氧樹脂、縮水甘油酯樹脂、縮水甘油胺類樹脂、雜環環氧樹脂、改性環氧樹脂等環氧樹脂。此外，還可以包含填充物(直徑為1μm至24μm)。
接著，向密封材料134的內側噴出液晶材料。然後，在減壓氣氛下將第二結構體137貼合，照射UV光而使密封材料134固化，來使第二結構體137固定(參照圖8B)。此外，藉由該固定製程，形成由第一結構體132、第二結構體137、密封材料134圍繞的液晶層136。
與第一結構體132相同，第二結構體137為在纖維體137a中浸滲有有機樹脂137b。此外，在圖8B中，第二結構體137是在使纖維體浸滲用有機溶劑稀釋矩陣樹脂而成的清漆之後，藉由進行乾燥使有機溶劑揮發來使矩陣樹脂半固化而成的，在之後的加熱製程中固化。
接著，加熱並壓合第一結構體132及第二結構體137，並在形成有機樹脂被固化的第二結構體138的同時，當第二結構體138的有機樹脂固化時，使第一結構體132與第二結構體138固定(參照圖9)。藉由上述步驟，製造密接性高的液晶顯示裝置。
注意，雖然在本實施例模式中，在圖7B中，在元件形成層124表面設置黏合膜130之後，沿著剝離層102進行剝離，但是可以不經過該製程，而使用以下製程。在圖6A至6E之後，在元件形成層124中形成密封材料134，在密封材料134的內側塗敷液晶材料，使用密封材料134使元件形成層124及第二結構體固定來形成液晶層136。接著，從剝離層102剝離元件形成層124、液晶層136及第二結構體137。接著，可以在將第一結構體132固定到元件形成層124的同時，將第一結構體132及第二結構體137固定。
藉由上述步驟，可以製造具有撓性，並且因來自外部的壓力引起的損壞較少，高可靠性的液晶顯示裝置。
實施例模式5
在本實施例模式中，將參照附圖說明與上述實施例模式不同的液晶顯示裝置的製造方法。
首先，在基板100的一表面上形成剝離層102，接著在形成絕緣層104之後，在絕緣層104上形成像素電極150a、共同電極150b(參照圖10A)。在此，較佳的絕緣層104為疊層結構，由氮化矽層形成絕緣層的最上層。
在製造透過型液晶顯示裝置的情況下，作為像素電極150a、共同電極150b，可以使用將氧化錫混合到氧化銦的氧化銦錫(ITO)、將氧化矽混合到氧化銦錫(ITO)的氧化銦錫矽(ITSO)、將氧化鋅混合到氧化銦的氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、或氧化錫(SnO2 )等。在製造反射型液晶顯示裝置的情況下，作為像素電極150a、共同電極150b，可以使用具有反射性的金屬(例如，以鋁或銀為主要成分的材料層，或這些的疊層等)。在製造半透過型液晶顯示裝置的情況下，可以在反射區域中使用具有反射性的金屬作為像素電極，而在透過區域中使用具有透光性的材料。
在此，作為液晶顯示裝置，為了形成IPS模式的液晶顯示裝置，在絕緣層104上形成成對的像素電極150a、共同電極150b。此外，在製造垂直電場驅動方式的液晶顯示裝置的情況下，在絕緣層104a上形成像素電極150a，並在第二結構體上形成共同電極150b。
接著，在像素電極150a、共同電極150b上形成絕緣層152，並在該絕緣層152上形成薄膜電晶體106。此外，在薄膜電晶體106上形成絕緣層114、116，在絕緣層116上形成能夠用作源極電極、汲極電極的佈線118(參照圖10B)。
薄膜電晶體106可以應用各種結構，諸如單汲極電極結構、LDD(低濃度汲極電極)結構、閘極重疊汲極電極結構等。在此，示出單汲極電極結構的薄膜電晶體。
此外，佈線118與像素電極150a電連接。在此，透過導電層154佈線118與像素電極150a電連接。可以在形成薄膜電晶體106的閘極電極112的同時(在同一製程中)形成導電層154。
接著，藉由蝕刻等去除設置在基板100的端部的絕緣層之後，覆蓋佈線118地形成絕緣層156(參照圖10C)。在此，去除絕緣層152等，以便至少露出絕緣層104。另外，在從一個基板形成多個液晶顯示裝置的情況下，在形成面板的各個區域的端部中對絕緣層進行蝕刻，以將構成各個面板的元件分別分離。
此外，在此，較佳的由氮化矽形成絕緣層156。其結果，由於可以利用絕緣層104及絕緣層156密封元件形成層124，所以可以減少來自外部的水分等侵入到元件形成層124。其結果，可以減少元件形成層124的退化。
接著，為了將包括薄膜電晶體106等的元件形成層124從基板100容易剝離，較佳的在將元件形成層124從基板100剝離之前照射雷射光束，而形成凹部。在此，在端部中對絕緣層156、104照射雷射光束，來形成凹部128(參照圖10D)。
接著，至少覆蓋凹部128地設置分離膜158(參照圖11A)。作為分離膜158的一個例子，有在PET上形成有矽樹脂層的薄膜。
接著，在絕緣層156表面上設置在纖維體中浸滲有有機樹脂的第一結構體。接著，加熱並壓合第一結構體，使第一結構體的有機樹脂可塑化或固化。藉由加熱及壓合，由於有機樹脂132b均勻地擴展在元件形成層124表面上並固化，所以可以將第一結構體132固定於元件形成層124(參照圖11B)。
藉由將第一結構體132貼合於絕緣層156，不但容易進行剝離，而且可以降低在剝離前後施加到元件形成層124的應力，而可以抑制薄膜電晶體106的損壞。
此外，在貼合第一結構體132之前，藉由設置分離膜158，可以抑制因有機樹脂132b侵入到凹部128並接觸於剝離層102而引起的剝離不良。
接著，藉由利用凹部128，在剝離層102及用作緩和層的絕緣層104的介面，將元件形成層124從基板100剝離(參照圖11C)。此外，較佳的在進行剝離之後去除分離膜158。
接著，與實施例模式4同樣，在絕緣層104上形成隔離物121。接著，在隔離物121、絕緣層104表面上形成取向膜123。接著，在取向膜123上形成密封材料134(參照圖12A)。
接著，與實施例模式4相同，向密封材料134的內側噴出液晶。然後，在密封材料134上設置第二結構體。接著，在減壓氣氛下貼合第二結構體137，照射UV光使密封材料134固化，來使第二結構體137固定(參照圖12B)。此外，藉由該固定製程，形成由第一結構體132、第二結構體137、密封材料134圍繞的液晶層136。
接著，加熱並壓合第一結構體132及第二結構體137，並在形成有機樹脂被固化的第二結構體138的同時，當第二結構體138的有機樹脂固化時，使第一結構體132與第二結構體138固定，而製造密接性高的液晶顯示裝置(參照圖13)。
藉由上述步驟，與實施例模式4相比，可以較少的製程製造具有撓性，並且因來自外部的壓力引起的損壞較少，高可靠性的液晶顯示裝置。
實施例模式6
在本實施例模式中，以下示出具有以相對低溫(低於500℃)的製程製造的薄膜電晶體(使用非晶半導體層或微晶半導體層等的薄膜電晶體、使用有機半導體層的薄膜電晶體、使用氧化物半導體的薄膜電晶體等)的液晶顯示裝置的像素部的製造方法。
在基板100的一表面上形成剝離層302，接著形成絕緣層104(參照圖14A)。可以連續形成剝離層302、絕緣層104。藉由連續形成，由於不暴露於大氣而可以防止雜質的混入。
此外，在本製程中，雖然示出將剝離層302設置在基板100的整個表面上的情況，但是可以根據需要，在基板100的整個表面上設置剝離層302之後選擇性地去除該剝離層302，只在所需的區域中設置剝離層。此外，雖然接觸於基板100地形成剝離層302，但是可以根據需要，接觸於基板100地形成氧化矽層、氧氮化矽層、氮化矽層、氮氧化矽層等的絕緣層，並接觸於該絕緣層地形成剝離層302。
作為剝離層302，藉由濺射法、電漿CVD法、塗敷法、印刷法等，以單層或疊層結構形成30nm至200nm厚的鉬(Mo)；以鉬為主要成分的合金材料；或者以元素為主要成分的化合物材料的層。
在剝離層302具有單層結構的情況下，較佳的形成包含鉬或具有鉬的混合物的層。或者形成包含如下物質的層：鉬的氧化物、鉬的氧氮化物、或具有鉬的混合物的氧化物、具有鉬的混合物的氧氮化物。另外，具有鉬的混合物典型地是指以鉬為主要成分的合金材料，或以元素為主要成分的化合物材料，作為一個例子可以舉出鎢和鉬的合金，但是不侷限於此，也可以將鉬作為主要成分而包含。
在剝離層302具有疊層結構的情況下，較佳的形成金屬層作為第一層，並且形成金屬氧化物層作為第二層。典型地，作為第一層的金屬層形成包含鉬或具有鉬的混合物的層，並且作為第二層形成包含如下物質的層：鉬的氧化物、鉬的氮化物、鉬的氧氮化物、鉬的氮氧化物、具有鉬的混合物的氧化物、具有鉬的混合物的氮化物、具有鉬的混合物的氧氮化物、具有鉬的混合物的氮氧化物。
在作為剝離層302形成第一層是金屬層且第二層是金屬氧化物層的疊層結構時，可以利用如下現象：藉由作為金屬層形成包含鉬的層並且在其上層形成由氧化物形成的絕緣層，在包含鉬的層和絕緣層的介面自然形成包含鉬的氧化物的層作為金屬氧化物層。再者，還可以對金屬層的表面進行熱氧化處理、氧電漿處理、利用臭氧水等氧化能力高的溶液的處理等來形成金屬氧化物層。
接著，在絕緣層104上形成薄膜電晶體304(參照圖14B)。在本實施例模式中，作為薄膜電晶體，示出由非晶半導體、微晶半導體、有機半導體或氧化半導體形成通道形成區的反交錯型薄膜電晶體。
至少由閘極電極306、閘極絕緣層308、半導體層310構成薄膜電晶體304。此外，可以在半導體層310上形成用作源區、汲區的雜質半導體層312。另外，形成接觸於雜質半導體層312的佈線314。
除了可以使用在實施例模式4中示出的用於閘極電極112的金屬以外，還可以使用鉻、銅、釹、鈧等的金屬材料或以這些為主要成分的合金材料以單層或疊層來形成閘極電極306。此外，還可以使用以摻雜有磷等雜質元素的多晶矽為代表的半導體層或AgPdCu合金。另外，還可以使用由銦、鎵、鋁、鋅、錫等構成的導電性的氧化物或複合氧化物。例如，可以是使用氧化銦錫(ITO)形成的透明的閘極電極。
在絕緣層104上，藉由使用濺射法或真空蒸鍍法由上述材料形成導電層，在該導電層上藉由使用光蝕刻法或噴墨法等形成掩模，並使用該掩模蝕刻導電層來形成閘極電極306。
此外，也可以利用噴墨法將銀、金或銅等導電奈米膏噴射在基板上，進行焙燒來形成閘極電極306。另外，為了提高閘極電極306與絕緣層104的密接性，可以在絕緣層104和閘極電極306之間設置上述金屬材料的氮化物層。在此，在絕緣層104上形成導電層，藉由使用光掩模形成的抗蝕劑掩模進行蝕刻，來形成閘極電極306。
此外，閘極電極306的側面較佳的形成為錐形。由於在閘極電極306上在之後的製程中形成半導體層及佈線，將閘極電極306的側面形成為錐形可以防止高度差的部分的佈線斷開。在將閘極電極306的側面形成為錐形時，可以一邊使抗蝕劑掩模後退一邊進行蝕刻。例如，可以藉由對蝕刻氣體包含氧氣體，一邊使抗蝕劑掩模後退一邊進行蝕刻。
此外，可以藉由形成閘極電極306的製程同時也形成閘極佈線(掃描線)。另外，掃描線是指選擇像素的佈線，電容佈線是指連接於像素的儲存電容器的一方的電極的佈線。但是，不侷限於此，可以分別設置閘極佈線及電容佈線的一方或雙方與閘極電極306。
閘極絕緣層308可以藉由利用CVD法、濺射法或脈衝雷射沉積法(PLD法)等，使用氧化矽、氮化矽、氧氮化矽、氮氧化矽、氧化鉿、氧化鉿鋁、氧氮化鉿矽或氧化釔以單層或疊層來形成。另外，藉由使用高頻(1GHz以上)的微波電漿CVD裝置形成閘極絕緣層308，由於可以提高閘極電極與汲極電極及源極電極之間的耐壓，因此可以獲得可靠性高的薄膜電晶體。
半導體層310為10nm以上且200nm以下的厚度，較佳的為20nm以上且150nm以下的厚度的非單晶半導體形成的層，作為非單晶半導體層有非晶半導體層、微晶半導體層等。此外，作為半導體，有矽、鍺、矽鍺化合物等。本實施例模式的特徵在於不進行雷射光束的照射、熱處理等，並在低於500℃的低溫度下，在閘極絕緣層308上直接形成半導體層310。作為剝離層302，至少使用包含鉬的層，這樣即使在低於500℃的低溫度下形成薄膜電晶體，也可以容易進行剝離過程。
此外，作為半導體層310，可以採用在接觸於閘極絕緣層一側，層疊微晶半導體及非晶半導體的結構。此外，作為半導體層310，可以形成具有氮或NH基，且在非晶結構中包括倒錐形的晶體粒及/或粒徑為1nm以上且10nm以下，較佳的為1nm以上且5nm以下的微小結晶粒的非單晶半導體。
此外，作為半導體層310，可以將賦予n型的導電性的磷等的賦予一種導電型的雜質元素添加到非晶半導體或微晶半導體。另外，作為半導體層310，可以將鈦、鋯、鉿、釩、鈮、鉭、鉻、鉬、鎢、鈷、鎳、鉑等與矽起反應而形成矽化物的金屬元素添加到非晶半導體或微晶半導體。由於藉由添加賦予一種導電型的雜質元素、與矽起反應而形成矽化物的金屬元素等，可以提高半導體層的載流子遷移率，所以可以提高以該半導體層為通道形成區域的薄膜電晶體的電場效應遷移率。
此外，可以使用金屬氧化物或有機半導體材料來形成半導體層310。作為金屬氧化物，典型地有氧化鋅、鋅鎵銦的氧化物等。
可以形成接觸於半導體層310，並用作源區及汲區的雜質半導體層312。使用添加有賦予一種導電型的雜質元素的半導體層來形成雜質半導體層312即可。在形成n通道型的薄膜電晶體的情況下，使用磷作為賦予一種導電型的雜質元素即可，典型地使用包含磷的非晶矽或微晶矽來形成。此外，在形成p通道型的薄膜電晶體的情況下，使用硼作為賦予一種導電型的雜質元素，典型地使用包含硼的非晶矽或微晶矽來形成。
藉由將賦予一種導電型的雜質元素的濃度，在此將磷或硼的濃度設定為1×1019 cm-3 至1×1021 cm-3 ，可以實現與佈線314的歐姆接觸，並用作源區及汲區。
以10nm以上且100nm以下的厚度，較佳的以30nm以上且50nm以下的厚度形成用作源區及汲區的雜質半導體層312。藉由使雜質半導體層312的厚度較薄，可以提高產率。
可以與實施例模式4所示的佈線118同樣地形成佈線314。此外，例如可以適當地使用實施例模式4所示的用於形成像素電極122a的列舉的透光性的材料。
與實施例模式4及實施例模式5所說明的薄膜電晶體同樣，將本實施例模式的薄膜電晶體可以應用於以液晶顯示裝置為代表的顯示裝置的像素中的開關電晶體。為此，形成覆蓋薄膜電晶體的絕緣層316、絕緣層318(參照圖14C)。
接著，以到達由佈線314構成的源極電極及汲極電極的方式形成開口部323。此外，當形成該開口部323時，使用蝕刻等去除設置在基板100的端部的絕緣層316、絕緣層318。在此，較佳的至少去除絕緣層318，以露出絕緣層316。注意，在從一個基板形成多個液晶顯示裝置的情況下，較佳的在形成液晶顯示裝置的各個區域的端部中至少對絕緣層318進行蝕刻，以將構成各個液晶顯示裝置的元件分別分離。
接著，以透過該開口部323實現電連接的方式，在絕緣層316、絕緣層318上設置像素電極322a、共同電極322b。藉由上述步驟，可以製造圖14D所示的顯示裝置的像素中的開關用薄膜電晶體。
此外，絕緣層316可以與閘極絕緣層308同樣地形成。再者，絕緣層316較佳的由細緻的氮化矽形成，以防止飄浮在大氣中的有機物、金屬以及水蒸氣等有可能成為污染源的雜質的侵入。絕緣層318可以與實施例模式4所示的絕緣層116同樣地形成。此外，像素電極322a、共同電極322b可以與實施例模式4所示的像素電極122a、共同電極122b同樣地形成。
接著，為了將包括薄膜電晶體304等的元件形成層324從基板100容易剝離，較佳的在將元件形成層324從基板100剝離之前照射雷射光束，而形成凹部327。在此，藉由對在端部中露出的絕緣層316、閘極絕緣層308、絕緣層104照射雷射光束326，來形成凹部327(參照圖14E)。
接著，如圖15A所示，將黏結薄片328貼合於元件形成層324。黏結薄片328應用利用光或熱能夠剝離的薄片。
藉由貼合黏結薄片328，不但容易進行沿著剝離層302的剝離，而且可以降低在剝離前後施加到元件形成層324的應力，而可以抑制薄膜電晶體304的損壞。
接著，藉由利用凹部327，在剝離層302及用作緩和層的絕緣層104的介面，將元件形成層324從基板100剝離(參照圖15B)。作為剝離方法，例如使用施加機械性力量(例如，用人的手或夾握工具剝下的處理，或者使滾筒轉動而進行分離的處理)來進行即可。
此外，也可以將液體滴落到凹部327中，使液體浸透到剝離層302及絕緣層104的介面，來從剝離層302剝離元件形成層324。另外，將NF3 、BrF3 、ClF3 等氟化氣體引入凹部327中，利用氟化氣體蝕刻去除剝離層，而從具有絕緣表面的基板剝離元件形成層324。
在本實施例模式中，雖然採用在與絕緣層104接觸一側形成金屬氧化層作為剝離層302，並藉由物理方法剝離元件形成層324的方法，但是不侷限於此。可以採用如下方法：使用具有透光性的基板作為基板100，並使用含氫的非晶矽層作為剝離層302，將雷射光束從基板100照射到剝離層302，使包含在非晶矽層的氫汽化，並在基板100和剝離層302之間進行剝離。
此外，可以使用藉由機械磨削來去除基板100的方法，或者藉由使用溶液如HF等溶解基板100來去除基板的方法。在此情況下，可以不使用剝離層302。
接著，在剝離了的元件形成層324的剝離面上(藉由進行剝離而露出了的絕緣層104表面)設置在纖維體中浸滲有有機樹脂的結構體，然後將其加熱並壓合，以使結構體的有機樹脂可塑化或固化，而在元件形成層324上設置在纖維體132a中浸滲有有機樹脂132b的第一結構體132(參照圖15C)。可以在大氣壓下或減壓下進行在纖維體中浸滲有有機樹脂的機構體的固定。此外，當在纖維體中浸滲有有機樹脂的結構體的有機樹脂為可塑性有機樹脂時，在加熱並壓合在纖維體中浸滲有有機樹脂的結構體之後，藉由冷卻至室溫來包含固化了的有機樹脂132b。
接著，從第一結構體132剝離黏結薄片328(參照圖16A)。
接著，在絕緣層320上與實施例模式4同樣地形成隔離物121。接著，在隔離物121、像素電極322a以及共同電極322b的表面形成取向膜123。接著，在取向膜123上形成密封材料134(參照圖16B)。
接著，與實施例模式4同樣，向密封材料134的內側噴出液晶材料。然後，在減壓氣氛下貼合第二結構體137，並照射UV光而使密封材料134固化，來使第二結構體137固定(參照圖17A)。此外，藉由該固定製程，形成由第一結構體132、第二結構體137、密封材料134圍繞的液晶層136(參照圖17B)。
接著，加熱並壓合第一結構體132及第二結構體137，並在形成有機樹脂被固化的第二結構體138的同時，當第二結構體138的有機樹脂固化時，將第一結構體132固定於第二結構體138，而製造密接性高的液晶顯示裝置。
此外，雖然在本實施例模式中，作為元件形成層324的形成方法，使用了實施例模式4，但是可以使用實施例模式5代替實施例模式4。
在本實施例模式中，由於作為剝離層使用至少包含鉬的層，所以可以將包括不能直接在預浸料上形成並且以低於500℃的低溫製程形成的薄膜電晶體的元件形成層容易地從剝離層剝離，藉由將該元件形成層固定到預浸料上來形成元件基板。此外，可以使用該元件基板來製造液晶顯示裝置。
實施例模式7
本實施例模式的目的在於提供以較少的製程製造液晶顯示裝置的方法。具體而言，以下示出具有使用了氧化物半導體的薄膜電晶體的顯示裝置的像素部的製造方法。
將在纖維體132a中浸滲有有機樹脂132b的第一結構體132用作基板。此外，第一結構體132的在纖維體132a中浸滲有的有機樹脂為固化或半固化了的有機樹脂。
可以在在作為基板的第一結構體132上形成閘極電極402之前，在第一結構體132和閘極電極402之間設置用作底層的絕緣層400。該絕緣層400防止雜質如水分及鹼金屬等從第一結構體132擴散到TFT元件及顯示裝置而引起形成在元件形成層中的半導體元件的可靠性等的退化，將其作為阻擋層適當地設置即可。
作為絕緣層400，使用諸如氧化矽、氮化矽、氧氮化矽、氮氧化矽等的絕緣材料形成。例如，在絕緣層400為雙層結構的情況下，形成氮氧化矽層作為第一層的絕緣層，並形成氧氮化矽層作為第二層的絕緣層即可。此外，也可以形成氮化矽層作為第一層的絕緣層，並形成氧化矽層作為第二層的絕緣層。
接著，在第一結構體132上形成閘極電極402，並在閘極電極402上形成閘極絕緣層404(參照圖18A)。閘極電極402、閘極絕緣層404分別適當地使用實施例模式6所示的閘極電極306、閘極絕緣層308來形成。
接著，藉由利用使用光掩模形成的抗蝕劑掩模，在閘極絕緣層404中形成接觸孔以露出閘極電極402的連接焊盤。此外，與此同時如圖18B的凹部406那樣利用乾蝕刻去除液晶顯示裝置的週邊部分。另外，在具有用作底層的絕緣層400的情況下，與閘極絕緣層404一起對絕緣層400進行乾蝕刻來形成凹部406。藉由去除週邊部分的絕緣層及用作底層的絕緣層400，在之後的製程中，可以使預浸料彼此熱熔接。雖然作為乾蝕刻利用了CHF3 的混合氣體，但是不侷限於此。
半導體層408使用氧化物半導體層來形成。作為氧化物半導體層，可以使用選自銦、鎵、鋁、鋅以及錫中的元素的複合氧化物。例如，可以舉出氧化鋅(ZnO)、包含氧化鋅的氧化銦鋅(IZO)、由氧化銦、氧化鎵、氧化鋅構成的氧化物(IGZO)。由於氧化物半導體是可以藉由利用濺射法、脈衝鐳射沉積法(PLD法)等低於預浸料的耐熱溫度的溫度實現膜的堆積，所以可以在耐熱溫度低的預浸料上直接形成。
半導體層408可以藉由反應性濺射法或脈衝雷射沉積法(PLD法)來形成。可以使半導體層的厚度為10nm以上且200nm以下，較佳的為20nm以上且150nm以下。此外，若增加膜中的氧缺陷，則提高載流子密度而使薄膜電晶體的特性受到損壞，因此需要控制成膜氣氛的氧濃度。
在採用由氧化銦、氧化鎵、氧化鋅構成的氧化物的情況下，金屬元素的組成比的自由度高，在廣範圍的混合比下起半導體的作用。可以舉出如下材料作為一個例子：包含10重量%的氧化鋅的氧化銦(IZO)；將由氧化銦、氧化鎵、氧化鋅構成的氧化物分別以等摩爾混合的材料(IGZO)。
在此，作為半導體層408的形成方法的一個例子，說明使用IGZO的方法。將氧化銦(In2 O3 )、氧化鎵(Ga2 O3 )、氧化鋅(ZnO)分別以等摩爾混合，並使用燒結了的直徑為8英寸的靶子，以500W的輸出進行DC(Direct Current；直流)濺射來形成半導體層。在將處理室的壓力設定為0.4Pa，氣體組成比設定為Ar/O2 為10/5sccm的條件下形成100nm厚的半導體層。較佳的將成膜時的氧分壓設定為高於氧化銦錫(ITO)等的透明導電層的成膜條件，以抑制氧缺陷。
在半導體層的成膜之後，藉由利用使用光掩模形成的抗蝕劑掩模，並使用稀鹽酸或有機酸，例如檸檬酸進行蝕刻，來形成半導體層408(參照圖18C)。接著，使用有機溶劑剝離光抗蝕劑。
接著，在半導體層408上形成佈線412、414。佈線412、414可以使用與實施例模式6所示的佈線314同樣的材料形成。
至少在半導體層408上形成抗蝕劑掩模之後，藉由使用濺射法或真空蒸鍍法在抗蝕劑掩模、半導體層408以及閘極絕緣層404上形成導電層，剝離抗蝕劑，並使用剝離法(lift off methods)如圖18D那樣，以露出半導體層408的一部分的方式形成佈線412、414。
藉由上述步驟，可以製造藉由使用氧化物半導體來形成半導體層的薄膜電晶體。本實施例模式的薄膜電晶體與實施例模式4所說明的薄膜電晶體同樣，可以應用於以液晶顯示裝置為代表的顯示裝置的像素中的開關用薄膜電晶體。
接著，形成具有開口部420、422的絕緣層418。絕緣層418可以與實施例模式6所示的絕緣層316同樣地形成。當在基板的整個表面上形成絕緣層時，可以使用光微影法形成抗蝕劑掩模，並使用該掩模蝕刻絕緣層來形成開口部420、422。或者，也可以使用印刷法或液滴噴射法形成具有開口部420、422的絕緣層418。
接著，以透過該開口部420實現電連接的方式，在絕緣層418上設置像素電極424a、共同電極424b。藉由上述步驟，可以製造圖19A所示的液晶顯示裝置的像素中的開關用薄膜電晶體。
此外，像素電極424a、共同電極424b可以適當地使用實施例模式6所示的像素電極322a、共同電極322b。
藉由上述步驟，可以在預浸料上形成薄膜電晶體。在本實施例模式中，由於不使用剝離製程，可以直接在預浸料上形成薄膜電晶體，因此可以減少具有撓性的元件基板的製程。
接著，與實施例模式4同樣，在絕緣層418上形成隔離物121。接著，在隔離物121、絕緣層418的表面形成取向膜123。接著，在取向膜123上形成密封材料134(參照圖19B)。
接著，與實施例模式4同樣，向密封材料134的內側噴出液晶材料。然後，在減壓氣氛下貼合第二結構體137，並照射UV光使密封材料134固化，來使第二結構體137固定(參照圖20A)。此外，藉由該固定製程，形成由第一結構體132、第二結構體137、密封材料134圍繞的液晶層136。
接著，加熱並壓合第一結構體132及第二結構體137，並在形成有機樹脂被固化的第二結構體138的同時，當第二結構體138的有機樹脂固化時，使第一結構體132與第二結構體138固定，而製造密接性高的液晶顯示裝置(參照圖20B)。
在本實施例模式中，由於可以在預浸料上形成薄膜電晶體，因此可以減少具有撓性的元件基板的製程。此外，可以使用該元件基板來製造液晶顯示裝置。
實施例模式8
在本實施例模式中，以下示出實施例模式2所示的液晶顯示裝置的製造方法。在本實施例模式中，雖然使用實施例模式4進行說明，但是可以適當地應用其他實施例模式。
與實施例模式4同樣，經過直到圖6A至圖7B的製程。在絕緣層104上設置第一結構體131及第一衝擊緩和層151(參照圖21A)。在此，第一結構體131是在使纖維體浸滲用有機溶劑稀釋矩陣樹脂而成的清漆之後，藉由進行乾燥使有機溶劑揮發來使矩陣樹脂半固化而成的，其在之後的加熱製程中固化(參照圖21B)。
接著，加熱並壓合第一結構體131，並使包含於第一結構體中的有機樹脂131b固化或可塑化，來將第一結構體132及第一衝擊緩和層151固定於絕緣層104。
接著，在剝離黏合膜130之後，如實施例模式4的圖8A所示，形成密封材料134。接著，向密封材料134的內側噴出液晶。然後，在密封材料134上設置第二結構體137，並在第二結構體137上設置第二衝擊緩和層153。接著，在減壓氣氛下貼合第二結構體137，並照射UV光使密封材料134固化，來使第二結構體137固定。此外，藉由該固定製程，形成由第一結構體132、第二結構體137、密封材料134圍繞的液晶層136(參照圖22)。
接著，與實施例模式4同樣，加熱並壓合第一結構體132及第二結構體137，並在形成有機樹脂被固化的第二結構體138的同時，當第二結構體138的有機樹脂固化時，使第一結構體132與第二結構體138固定，如圖2所示，製造密接性高且因面壓和線壓引起的損壞少的液晶顯示裝置。
實施例模式9
在本實施例模式中，以下示出第一結構體及第二結構體的密接性更高的液晶顯示裝置的製造方法。在本實施例模式中，雖然使用實施例模式5進行說明，但是可以適當地應用其他實施例模式。
與實施例模式5同樣，經過直到圖10A至圖10C的製程，如圖23A所示，將第一結構體132固定於絕緣層156。
接著，為了將元件形成層124從基板100容易剝離，較佳的在將元件形成層124從基板100剝離之前照射雷射光束171，而形成凹部172。在此，對第一結構體132、絕緣層156、絕緣層104照射雷射光束，來形成凹部172(參照圖23B)。
接著，與實施例模式4同樣，藉由利用凹部172，在剝離層102及用作緩和層的絕緣層104的介面，將元件形成層124從基板100剝離(參照圖24A)。
接著，與實施例模式5同樣，在絕緣層104上形成隔離物121。接著，在隔離物121、絕緣層104表面上形成取向膜123(參照圖24B)。
接著，在從取向膜123到第一結構體132的中途形成凹部176。在此，照射UV雷射光束174而形成凹部176。接著，在取向膜123上形成密封材料134(參照圖25A)。
接著，與實施例模式4同樣，向密封材料134的內側噴出液晶。然後，在密封材料134上設置第二結構體。接著，在減壓氣氛下貼合第二結構體137，並照射UV光使密封材料134固化，來使第二結構體137固定。此外，藉由該固定製程，形成由第一結構體132、第二結構體137、密封材料134圍繞的液晶層136。
接著，加熱並壓合第一結構體132及第二結構體137，並在形成有機樹脂被固化的第二結構體138的同時，當第二結構體138的有機樹脂固化時，使第一結構體132與第二結構體138固定，製造密接性高的液晶顯示裝置(參照圖25B)。此外，由於當該加熱壓合時，第二結構體的有機樹脂在填充到凹部176中之後固化，因此提高第一結構體132及第二結構體138的密接性。
藉由上述步驟，可以製造具有撓性，並且因來自外部的壓力引起的破壞少，可靠性高的液晶顯示裝置。此外，由於第二結構體138的有機樹脂進入到第一結構體的凹部中，因此可以進一步提高第一結構體132及第二結構體138的密接性。
實施例模式10
在本實施例模式中，以下示出可靠性高的液晶顯示裝置的製造方法。具體而言，以下說明如實施例模式3所示那樣能夠減少由靜電引起的損壞的液晶顯示裝置。注意，本實施例模式可以與其他實施例模式適當地組合。
在實施例模式3所示的液晶顯示裝置中，在加熱並壓合第一結構體及第二結構體而使其固定之後，在第一結構體或/及第二結構體的表面上藉由使用蒸鍍法、濺射法、電鍍法、無電鍍法、塗敷法、印刷法、浸漬法等，形成導電層。此外，在使用塗敷法、印刷法、浸漬法的情況下，較佳的進行乾燥，並進一步進行焙燒來提高導電層的導電性。
此外，在實施例模式8所示的製程中，在第一衝擊緩和層及第二衝擊緩和層的表面上形成導電層，然後，可以在第一結構體及第二結構體的表面上分別設置該第一衝擊緩和層及第二衝擊緩和層。以下示出該製程。
與實施例模式4同樣，經過直到圖6A至圖7B的製程。接著，在絕緣層104上設置第一結構體131及形成有導電層180的第一衝擊緩和層151(參照圖26A)。在此，第一結構體131是在使纖維體浸滲用有機溶劑稀釋矩陣樹脂而成的清漆之後，藉由進行乾燥使有機溶劑揮發來使矩陣樹脂半固化而成的，其在之後的加熱製程中固化。此外，雖然在第一衝擊緩和層151中，在與第一結構體131相反一側設置導電層180，但是也可以在第一結構體131及第一衝擊緩和層151之間設置導電層180。
在第一衝擊緩和層151表面上藉由使用蒸鍍法、濺射法、電鍍法、無電鍍法、塗敷法、印刷法、浸漬法等來形成導電層。此外，在使用塗敷法、印刷法、浸漬法的情況下，較佳的進行乾燥，並進一步進行焙燒來提高導電層的導電性。
接著，加熱並壓合第一結構體131，使包含於第一結構體中的有機樹脂131b固化或可塑化，而將第一結構體132及第一衝擊緩和層151固定於絕緣層104(參照圖26B)。然後，剝離黏合膜。
接著，如實施例模式4的圖8A所示，形成密封材料134。接著，向密封材料134的內側噴出液晶材料。然後，在密封材料134上設置第二結構體137，並在第二結構體137上設置形成有導電層的第二衝擊緩和層153。接著，在減壓氣氛下貼合第二結構體137，並照射UV光使密封材料134固化，來使第二結構體137固定。此外，藉由該固定製程，形成由第一結構體132、第二結構體137、密封材料134圍繞的液晶層136(參照圖27)。
此外，在將形成在一個基板上的元件形成層及液晶層分割成多個液晶顯示裝置的情況下，作為分割方法，使用鐳射切割法或切斷工具來分割。在此，示出使用雷射切割法的方式。
對第一結構體132、第二結構體137、第一衝擊緩和層151、第二衝擊緩和層153照射雷射光束184，以使第一結構體132、第二結構體137、第一衝擊緩和層151、第二衝擊緩和層153熔化。
關於使用於上述分割製程的雷射光束的波長、強度、雷射尺寸等的條件沒有特別的限制。至少只要是能夠分割液晶顯示裝置的條件即可。作為雷射光束的振盪器，例如可以使用Ar雷射器、Kr雷射器、CO2 雷射器、YAG雷射器、YVO4 雷射器、YLF雷射器、YAlO3 雷射器、GdVO4 雷射器、Y2 O3 雷射器、紅寶石雷射器、變石雷射器、Ti：藍寶石雷射器、氦鎘雷射器等的連續振盪雷射器；Ar雷射器、Kr雷射器、受激準分子(ArF、KrF、XeCl)雷射器、CO2 雷射器、YAG雷射器、YVO4 雷射器、YLF雷射器、YAlO3 雷射器、GdVO4 雷射器、Y2 O3 雷射器、紅寶石雷射器、變石雷射器、Ti：藍寶石雷射器、銅蒸汽雷射器、金蒸汽雷射器等的脈衝振盪雷射器。
此外，藉由利用使用雷射光束的雷射切割法來分割，降低導電層180和導電層182之間的電阻值，以使導電層180、182導通。由此，由於可以將液晶顯示裝置的分割製程與使導電層180、182導通的製程一起進行，因此可以減少製程。
實施例模式11
在本實施例模式中，將使用俯視圖及截面圖說明本發明的液晶顯示裝置。
圖28A是示出使用上述實施例模式所示的製造方法來製造的液晶顯示裝置的俯視圖。此外，圖28B是沿著圖28A的a-b分割的截面圖。圖28A及28B所示的液晶顯示裝置應用上述實施例模式中的任一個所示的方法來製造，具有利用在纖維中浸滲有有機樹脂的第一結構體132及第二結構體138固定的元件部501及端子部502。此外，在此元件部501是指包括元件形成層、液晶層以及密封材料的像素部。另外，設置在端子部502中的佈線504是從成為外部輸入端子的撓性印刷線路板(flexible printed circuit；FPC)505接受視頻信號、時鐘信號、起始信號、重定信號等的佈線。此外，可以採用在圖28A和28B所圖示的FPC505中安裝有印刷線路板(PWB)的結構。在本說明書中的液晶顯示裝置中除了液晶顯示裝置本身以外，還包括其上安裝有FPC或PWB的狀態。
在圖28B中，在與設置在端子部502中的佈線504電連接的位置上形成有貫穿佈線503。對於第一結構體132及第二結構體138使用雷射器、鑽孔機、錐等形成貫穿孔，並且在該貫穿孔中使用絲網印刷法或噴墨法設置導電樹脂，並藉由進行焙燒或軟熔法來可以形成貫穿佈線503。導電樹脂是指將粒徑為幾十微米以下的導電粒子溶解或分解到有機樹脂中的物質。作為導電粒子，例如可以使用包含銅(Cu)、銀(Ag)、鎳(Ni)、金(Au)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、鉭(Ta)、鉬(Mo)和鈦(Ti)中的任何一種的金屬元素的導電膏。此外，包含於導電樹脂的有機樹脂可以使用選自用作金屬粒子的黏結劑、溶劑、分散劑和覆蓋劑的有機樹脂中的一種或多種。典型地說，可以舉出環氧樹脂、酚醛樹脂、矽酮樹脂等的有機樹脂。
此外，可以形成貫穿佈線503，而不在第一結構體132及第二結構體138中形成貫穿孔。例如，在第一結構體132及第二結構體138上的預定的位置上配置導電樹脂，並且藉由第一結構體132及第二結構體138中的有機樹脂和包含於導電樹脂的有機樹脂起反應，溶解結構體的有機樹脂的一部分，將包含於導電樹脂的金屬粒子浸滲到第一結構體132及第二結構體138中，來可以形成貫穿佈線503。
將成為外部輸入端子的FPC505貼合到設置在第一結構體132及第二結構體138中的貫穿佈線503上。從而，藉由包含於貫穿佈線503的導電粒子，設置在端子部502中的佈線504與形成在FPC505上的佈線506電連接。
藉由上述步驟，可以獲得連接有FPC505的液晶顯示裝置。
實施例模式12
雖然在實施例模式1至實施例模式11中示出了具有半導體元件及連接於其的像素電極的液晶元件形成在元件形成層中的主動矩陣型液晶顯示裝置，但是不侷限於此，可以在元件形成層中形成被動矩陣型液晶元件作為液晶顯示裝置。
實施例模式13
可以將上述實施例模式所示的液晶顯示裝置組裝在電子設備的顯示部中。
作為那樣的電子設備，可以舉出影像拍攝裝置如攝像機和數位相機等、頭戴式顯示器(護目鏡型顯示器)、汽車導航、汽車音響、個人電腦、可攜式資訊終端(移動電腦、行動電話或電子書等)等。
此外，將上述實施例模式所示的液晶顯示裝置可以應用於街頭的廣告顯示裝置、顯示鐵路的車站或飛機場等中的資訊的顯示裝置。由於本發明的液晶顯示裝置為薄型且具有撓性，因此可以隨地設置該液晶顯示裝置，藉由例如在牆上等貼合該顯示裝置，可以顯示資訊。此外，由於可以隨時改變顯示內容，因此可以顯示大量的資訊。
100．．．基板
102．．．剝離層
104．．．絕緣層
106．．．薄膜電晶體
108．．．半導體層
110．．．閘極絕緣層
112．．．閘極電極
114．．．絕緣層
116．．．絕緣層
118．．．佈線
120．．．絕緣層
121．．．隔離物
123．．．取向膜
124．．．元件形成層
128．．．凹部
130．．．黏合膜
131．．．結構體
132．．．結構體
134．．．密封材料
136．．．液晶層
137．．．結構體
138．．．結構體
151．．．緩和層
152．．．絕緣層
153．．．緩和層
154．．．導電層
156．．．絕緣層
158．．．分離膜
160．．．虛線
162．．．虛線
170．．．導電層
171．．．雷射光束
172．．．凹部
174．．．UV雷射光束
176．．．凹部
180．．．導電層
182．．．導電層
184．．．雷射光束
302．．．剝離層
304．．．薄膜電晶體
306．．．閘極電極
308．．．閘極絕緣層
310．．．半導體層
312．．．雜質半導體層
314．．．佈線
316．．．絕緣層
318．．．絕緣層
320．．．絕緣層
323．．．開口部
324．．．元件形成層
326．．．雷射光束
327．．．凹部
328．．．黏結薄片
400．．．絕緣層
402．．．閘極電極
404．．．閘極絕緣層
406．．．凹部
408．．．半導體層
412．．．佈線
414．．．佈線
418．．．絕緣層
420．．．開口部
422．．．開口部
501．．．元件部
502．．．端子部
503．．．貫穿佈線
504．．．佈線
505．．．FPC
506．．．佈線
122a．．．像素電極
122b．．．共同電極
131b．．．有機樹脂
132a．．．纖維體
132b．．．有機樹脂
137a．．．纖維體
137b．．．有機樹脂
138a．．．纖維體
138b．．．有機樹脂
150a．．．像素電極
150b．．．共同電極
170a．．．導電層
170b．．．導電層
172a．．．電極層
172b．．．電極層
322a．．．像素電極
322b．．．共同電極
424a．．．像素電極
424b．．．共同電極
在附圖中：圖1A和1B是說明本發明的液晶顯示裝置的截面圖；圖2是說明本發明的液晶顯示裝置的截面圖；圖3A和3B是說明本發明的液晶顯示裝置的截面圖；圖4A和4B是說明本發明的液晶顯示裝置的截面圖；圖5A和5B是說明本發明的液晶顯示裝置的截面圖；圖6A至6E是說明本發明的液晶顯示裝置的製程的截面圖；圖7A至7C是說明本發明的液晶顯示裝置的製程的截面圖；圖8A和8B是說明本發明的液晶顯示裝置的製程的截面圖；圖9是說明本發明的液晶顯示裝置的製程的截面圖；圖10A至10D是說明本發明的液晶顯示裝置的製程的截面圖；圖11A至11C是說明本發明的液晶顯示裝置的製程的截面圖；圖12A和12B是說明本發明的液晶顯示裝置的製程的截面圖；圖13是說明本發明的液晶顯示裝置的製程的截面圖；圖14A至14E是說明本發明的液晶顯示裝置的製程的截面圖；圖15A至15C是說明本發明的液晶顯示裝置的製程的截面圖；圖16A和16B是說明本發明的液晶顯示裝置的製程的截面圖；圖17A和17B是說明本發明的液晶顯示裝置的製程的截面圖；圖18A至18D是說明本發明的液晶顯示裝置的製程的截面圖；圖19A和19B是說明本發明的液晶顯示裝置的製程的截面圖；圖20A和20B是說明本發明的液晶顯示裝置的製程的截面圖；圖21A和21B是說明本發明的液晶顯示裝置的製程的截面圖；圖22是說明本發明的液晶顯示裝置的製程的截面圖；圖23A和23B是說明本發明的液晶顯示裝置的製程的截面圖；圖24A和24B是說明本發明的液晶顯示裝置的製程的截面圖；圖25A和25B是說明本發明的液晶顯示裝置的製程的截面圖；圖26A和26B是說明本發明的液晶顯示裝置的製程的截面圖；圖27是說明本發明的液晶顯示裝置的製程的截面圖；圖28A和28B是說明本發明的液晶顯示裝置的俯視圖及截面圖；圖29A和29B是說明在纖維體中浸滲有有機樹脂的結構體的一例的圖；以及圖30是說明在纖維體中浸滲有有機樹脂的結構體的一例的圖。
124．．．元件形成層
132．．．結構體
132a．．．纖維體
132b．．．有機樹脂
134．．．密封材料
136．．．液晶層
138．．．結構體
138a．．．纖維體
138b．．．有機樹脂
160．．．虛線
d1、d2．．．厚度

Claims (28)

  1. 一種液晶顯示裝置，包含：包括第一纖維體和第一有機樹脂的第一結構體；包括第二纖維體和第二有機樹脂的第二結構體；具有複數個電晶體和在該第一結構體上的絕緣層的元件形成層；夾持在該第一結構體及該第二結構體之間的液晶；以及使該第一結構體及該第二結構體固定，並且密封該液晶的密封材料，其中，該絕緣層在該複數個電晶體和該第一結構體之間，其中，第一區域和第二區域在該密封材料的外側，其中，該第一區域包括該絕緣層，並且該第二區域不包括該絕緣層，其中，該第一結構體及該第二結構體中分別浸滲有該第一有機樹脂和該第二有機樹脂，以及其中，該第一結構體及該第二結構體彼此接觸於該第二區域中。
  2. 如申請專利範圍第1項的液晶顯示裝置，還包含在該第一結構體或該第二結構體的表面上的導電層。
  3. 如申請專利範圍第1項的液晶顯示裝置，還包含在該第一結構體的表面上的第一導電層以及在該第二結構體的表面上的第二導電層。
  4. 如申請專利範圍第1項的液晶顯示裝置，還包含在該第一結構體的表面上的第一導電層以及在該第二結構體的表面上的第二導電層，其中該第一導電層和該第二導電層彼此電連接。
  5. 如申請專利範圍第2項的液晶顯示裝置，其中該導電層的厚度為能透過光的厚度。
  6. 如申請專利範圍第3項的液晶顯示裝置，其中該第一導電層及該第二導電層的厚度為能透過光的厚度。
  7. 如申請專利範圍第4項的液晶顯示裝置，其中該第一導電層及該第二導電層的厚度為能透過光的厚度。
  8. 如申請專利範圍第1項的液晶顯示裝置，其中該第一結構體和第二結構體的厚度彼此相等。
  9. 如申請專利範圍第1項的液晶顯示裝置，還包含控制該液晶的取向的像素電極，該像素電極設置在該第一結構體及該第二結構體之至少一者上，並設置在該第一結構體及該第二結構體中的內側。
  10. 一種液晶顯示裝置，包含：包括第一纖維體和第一有機樹脂的第一結構體；包括第二纖維體和第二有機樹脂的第二結構體；具有複數個電晶體和在該第一結構體上的絕緣層的元件形成層；夾持在該第一結構體及該第二結構體的液晶；以及使該第一結構體及該第二結構體固定，並且密封該液晶的夾持在該第一結構體及該第二結構體之間的密封材 料，其中，該絕緣層在該複數個電晶體和該第一結構體之間，其中，第一區域和第二區域在該密封材料的外側，其中，該第一區域包括該絕緣層，並且該第二區域不包括該絕緣層，其中，該第一結構體及該第二結構體中分別浸滲有該第一有機樹脂和該第二有機樹脂，以及其中，該第一結構體及該第二結構體在該密封材料的外側彼此接觸於該第二區域中。
  11. 如申請專利範圍第10項的液晶顯示裝置，還包含在該第一結構體或該第二結構體的表面上的導電層。
  12. 如申請專利範圍第10項的液晶顯示裝置，還包含在該第一結構體的表面上的第一導電層以及在該第二結構體的表面上的第二導電層。
  13. 如申請專利範圍第10項的液晶顯示裝置，還包含在該第一結構體的表面上的第一導電層以及在該第二結構體的表面上的第二導電層，其中該第一導電層和該第二導電層彼此電連接。
  14. 如申請專利範圍第11項的液晶顯示裝置，其中該導電層的厚度為能透過光的厚度。
  15. 如申請專利範圍第12項的液晶顯示裝置，其中該第一導電層及該第二導電層的厚度為能透過光的厚度。
  16. 如申請專利範圍第13項的液晶顯示裝置，其中該 第一導電層及該第二導電層的厚度為能透過光的厚度。
  17. 如申請專利範圍第10項的液晶顯示裝置，其中該第一結構體和第二結構體的厚度彼此相等。
  18. 如申請專利範圍第10項的液晶顯示裝置，還包含控制該液晶的取向的像素電極，該像素電極設置在該第一結構體及該第二結構體之至少一者上，並設置在該第一結構體及該第二結構體中的內側。
  19. 一種液晶顯示裝置，包含：包括第一纖維體和第一有機樹脂的第一結構體；包括第二纖維體和第二有機樹脂的第二結構體；具有複數個電晶體和在該第一結構體上的絕緣層的元件形成層；夾持在該第一結構體及該第二結構體之間的液晶；接觸於該第一結構體的第一衝擊緩和層；接觸於該第二結構體的第二衝擊緩和層；以及使該第一結構體及該第二結構體固定，並且密封該液晶的夾持在該第一結構體及該第二結構體之間的密封材料，其中，該絕緣層在該複數個電晶體和該第一結構體之間，其中，第一區域和第二區域在該密封材料的外側，其中，該第一區域包括該絕緣層，並且該第二區域不包括該絕緣層，其中，該第一結構體及該第二結構體中分別浸滲有該 第一有機樹脂和該第二有機樹脂，以及其中，該第一結構體及該第二結構體在該密封材料的外側彼此接觸於該第二區域中。
  20. 如申請專利範圍第19項的液晶顯示裝置，還包含在該第一結構體或該第二結構體的表面上的導電層。
  21. 如申請專利範圍第19項的液晶顯示裝置，還包含在該第一結構體的表面上的第一導電層以及在該第二結構體的表面上的第二導電層。
  22. 如申請專利範圍第19項的液晶顯示裝置，還包含在該第一結構體的表面上的第一導電層以及該第二結構體的表面上的第二導電層，其中該第一導電層和該第二導電層彼此電連接。
  23. 如申請專利範圍第20項的液晶顯示裝置，其中該導電層的厚度為能透過光的厚度。
  24. 如申請專利範圍第21項的液晶顯示裝置，其中該第一導電層及該第二導電層的厚度為能透過光的厚度。
  25. 如申請專利範圍第22項的液晶顯示裝置，其中該第一導電層及該第二導電層的厚度為能透過光的厚度。
  26. 如申請專利範圍第19項的液晶顯示裝置，其中該第一結構體和該第二結構體的厚度彼此相等。
  27. 如申請專利範圍第19項的液晶顯示裝置，其中該第一衝擊緩和層和該第二衝擊緩和層的厚度彼此相等。
  28. 如申請專利範圍第19項的液晶顯示裝置，還包含控制該液晶的取向的像素電極，該像素電極設置在該第一 結構體及該第二結構體之至少一者上，並設置在該第一結構體及該第二結構體中的內側。
TW098122801A 2008-07-10 2009-07-06 液晶顯示裝置和其製造方法 TWI475282B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008180804 2008-07-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201007265A TW201007265A (en) 2010-02-16
TWI475282B true TWI475282B (zh) 2015-03-01

Family

ID=41504844

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW098122801A TWI475282B (zh) 2008-07-10 2009-07-06 液晶顯示裝置和其製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8169588B2 (zh)
JP (1) JP5383355B2 (zh)
CN (1) CN101625472B (zh)
TW (1) TWI475282B (zh)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101802137B1 (ko) 2008-07-10 2017-11-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 전자 기기
JP5216716B2 (ja) 2008-08-20 2013-06-19 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
EP2256814B1 (en) 2009-05-29 2019-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Oxide semiconductor device and method for manufacturing the same
KR20170076818A (ko) * 2009-11-13 2017-07-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 스퍼터링 타겟 및 그 제작 방법 및 트랜지스터
KR20170072965A (ko) 2009-11-13 2017-06-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 스퍼터링 타겟 및 그 제조방법, 및 트랜지스터
WO2012017843A1 (en) * 2010-08-06 2012-02-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor integrated circuit
US8797487B2 (en) * 2010-09-10 2014-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, liquid crystal display device, and manufacturing method thereof
JP5784479B2 (ja) * 2010-12-28 2015-09-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8581625B2 (en) 2011-05-19 2013-11-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
US20120314171A1 (en) * 2011-06-08 2012-12-13 Micron Technology, Inc. Display devices having electrolessly plated conductors and methods
US20140242865A1 (en) * 2011-09-28 2014-08-28 Sumitomo Bakelite Company Limited Transparent composite substrate and display element substrate
US10261370B2 (en) 2011-10-05 2019-04-16 Apple Inc. Displays with minimized border regions having an apertured TFT layer for signal conductors
US9286826B2 (en) 2011-10-28 2016-03-15 Apple Inc. Display with vias for concealed printed circuit and component attachment
KR20130071941A (ko) * 2011-12-21 2013-07-01 삼성디스플레이 주식회사 모바일 기기용 윈도우 및 이를 구비하는 모바일 기기
KR101887217B1 (ko) * 2012-01-06 2018-08-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
US20130278845A1 (en) * 2012-04-18 2013-10-24 Kent Displays Incorporated Embedded electrooptical display
US9226347B2 (en) 2012-06-25 2015-12-29 Apple Inc. Displays with vias
US9214507B2 (en) 2012-08-17 2015-12-15 Apple Inc. Narrow border organic light-emitting diode display
US9454025B2 (en) 2012-08-31 2016-09-27 Apple Inc. Displays with reduced driver circuit ledges
TWI490618B (zh) * 2013-01-04 2015-07-01 E Ink Holdings Inc 畫素結構
TWI532162B (zh) * 2013-06-25 2016-05-01 友達光電股份有限公司 可撓式顯示面板及其製造方法
KR102086098B1 (ko) * 2013-07-03 2020-03-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP2015216072A (ja) 2014-05-13 2015-12-03 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ装置及びその製造方法
US10170711B2 (en) 2015-05-05 2019-01-01 Apple Inc. Display with vias to access driver circuitry
JP6726973B2 (ja) * 2016-02-01 2020-07-22 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US10705391B2 (en) * 2017-08-30 2020-07-07 Wafer Llc Multi-state control of liquid crystals
TWI822743B (zh) * 2018-03-28 2023-11-21 日商日東電工股份有限公司 含玻璃薄膜之調光元件
US11217883B2 (en) * 2019-03-28 2022-01-04 Innolux Corporation Electronic device

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005140818A (ja) * 2003-11-04 2005-06-02 Sharp Corp 表示装置およびその製造方法
TW200717585A (en) * 2005-07-20 2007-05-01 Seiko Epson Corp Manufacturing method for electronic substrate, manufacturing method for electro-optical device, and manufacturing method for electronic device

Family Cites Families (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2075166A (en) * 1935-05-02 1937-03-30 Bemis Bro Bag Co Bag
JPS6180225A (ja) * 1984-09-28 1986-04-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置
JPS6270814A (ja) * 1986-09-08 1987-04-01 Hitachi Ltd 液晶素子
KR930003894B1 (ko) 1989-01-25 1993-05-15 아사히가세이고오교가부시끼가이샤 신규한 프리프레그와 복합 성형체, 및 복합 성형체의 제조방법
JPH02204724A (ja) * 1989-02-02 1990-08-14 Seiko Instr Inc 電気光学装置
DE3907757A1 (de) 1989-03-10 1990-09-13 Mtu Muenchen Gmbh Schutzfolie
JPH05190582A (ja) 1992-01-08 1993-07-30 Oki Electric Ind Co Ltd 樹脂封止半導体装置及びその製造方法
JPH0611720A (ja) * 1992-06-24 1994-01-21 Ricoh Co Ltd 液晶セルの製造方法及び液晶セル
TW371285B (en) 1994-09-19 1999-10-01 Amp Akzo Linlam Vof Foiled UD-prepreg and PWB laminate prepared therefrom
JP3364081B2 (ja) 1995-02-16 2003-01-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US5757456A (en) 1995-03-10 1998-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of fabricating involving peeling circuits from one substrate and mounting on other
JP3406727B2 (ja) 1995-03-10 2003-05-12 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US6015724A (en) 1995-11-02 2000-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co. Manufacturing method of a semiconductor device
JPH1092980A (ja) 1996-09-13 1998-04-10 Toshiba Corp 無線カードおよびその製造方法
JP3206725B2 (ja) * 1996-11-20 2001-09-10 株式会社リコー 液晶表示素子
JPH10198778A (ja) 1997-01-14 1998-07-31 Rohm Co Ltd Ｉｃカード
JPH10246882A (ja) * 1997-03-06 1998-09-14 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JP3500908B2 (ja) 1997-04-28 2004-02-23 松下電器産業株式会社 カードリーダ
JPH11317475A (ja) 1998-02-27 1999-11-16 Canon Inc 半導体用封止材樹脂および半導体素子
TW484101B (en) 1998-12-17 2002-04-21 Hitachi Ltd Semiconductor device and its manufacturing method
JP2000231619A (ja) 1999-02-10 2000-08-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 接触型ｉｃカード
US6224965B1 (en) 1999-06-25 2001-05-01 Honeywell International Inc. Microfiber dielectrics which facilitate laser via drilling
JP4423779B2 (ja) 1999-10-13 2010-03-03 味の素株式会社 エポキシ樹脂組成物並びに該組成物を用いた接着フィルム及びプリプレグ、及びこれらを用いた多層プリント配線板及びその製造法
JP4347496B2 (ja) 2000-03-31 2009-10-21 共同印刷株式会社 可逆性感熱記録媒体の製造方法
TW525216B (en) 2000-12-11 2003-03-21 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device, and manufacturing method thereof
SG111923A1 (en) 2000-12-21 2005-06-29 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
JP4027740B2 (ja) 2001-07-16 2007-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8415208B2 (en) 2001-07-16 2013-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device
KR100430001B1 (ko) 2001-12-18 2004-05-03 엘지전자 주식회사 다층기판의 제조방법, 그 다층기판의 패드 형성방법 및 그다층기판을 이용한 반도체 패키지의 제조방법
US7307778B2 (en) * 2002-04-24 2007-12-11 Sipix Imaging, Inc. Compositions and processes for format-flexible, roll-to-roll manufacturing of electrophoretic displays
US7217344B2 (en) * 2002-06-14 2007-05-15 Streaming Sales Llc Transparent conductive film for flat panel displays
WO2004001848A1 (en) 2002-06-19 2003-12-31 Sten Bjorsell Electronics circuit manufacture
US7485489B2 (en) 2002-06-19 2009-02-03 Bjoersell Sten Electronics circuit manufacture
US7132311B2 (en) 2002-07-26 2006-11-07 Intel Corporation Encapsulation of a stack of semiconductor dice
JP4012025B2 (ja) 2002-09-24 2007-11-21 大日本印刷株式会社 微小構造体付きフィルムの製造方法と微小構造体付きフィルム
JP4181060B2 (ja) 2003-02-25 2008-11-12 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP4828088B2 (ja) 2003-06-05 2011-11-30 凸版印刷株式会社 Ｉｃタグ
JP2005084408A (ja) * 2003-09-09 2005-03-31 Minolta Co Ltd 可逆性画像表示媒体及びその製造方法
EP1678551B1 (en) * 2003-10-27 2017-03-01 E Ink Corporation Electro-optic displays
JP4233433B2 (ja) * 2003-11-06 2009-03-04 シャープ株式会社 表示装置の製造方法
JP2005153273A (ja) * 2003-11-25 2005-06-16 Nitto Denko Corp 樹脂シート、液晶セル基板、液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置用基板、エレクトロルミネッセンス表示装置および太陽電池用基板
US7374977B2 (en) 2003-12-17 2008-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Droplet discharge device, and method for forming pattern, and method for manufacturing display device
JP4063225B2 (ja) 2004-01-21 2008-03-19 ソニー株式会社 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法
EP1709688A4 (en) 2004-01-30 2014-12-31 Semiconductor Energy Lab SEMICONDUCTOR COMPONENT
US20050233122A1 (en) 2004-04-19 2005-10-20 Mikio Nishimura Manufacturing method of laminated substrate, and manufacturing apparatus of semiconductor device for module and laminated substrate for use therein
EP1754101A1 (en) * 2004-05-28 2007-02-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. Flexible flat panel displays
KR101020661B1 (ko) 2004-06-02 2011-03-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치
US7591863B2 (en) 2004-07-16 2009-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laminating system, IC sheet, roll of IC sheet, and method for manufacturing IC chip
WO2006022169A1 (en) 2004-08-23 2006-03-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wireless chip and manufacturing method thereof
JP2006259049A (ja) * 2005-03-16 2006-09-28 Seiko Epson Corp 中吊り広告用情報表示装置
US7727859B2 (en) 2005-06-30 2010-06-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Semiconductor device and manufacturing method thereof
US7732330B2 (en) 2005-06-30 2010-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method using an ink-jet method of the same
US7685706B2 (en) 2005-07-08 2010-03-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Method of manufacturing a semiconductor device
US7655566B2 (en) 2005-07-27 2010-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2007059821A (ja) 2005-08-26 2007-03-08 Shinko Electric Ind Co Ltd 配線基板の製造方法
JP4821267B2 (ja) * 2005-10-28 2011-11-24 住友ベークライト株式会社 複合シート、基板および電子デバイス
JP4251185B2 (ja) 2006-01-23 2009-04-08 ソニー株式会社 半導体集積回路カードの製造方法
EP1818860B1 (en) 2006-02-08 2011-03-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. RFID device
JP2007241999A (ja) 2006-02-08 2007-09-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
TWI431726B (zh) 2006-06-01 2014-03-21 Semiconductor Energy Lab 非揮發性半導體記憶體裝置
CN102156901B (zh) 2006-06-26 2013-05-08 株式会社半导体能源研究所 包括半导体器件的纸及具有该纸的物品
EP1970951A3 (en) 2007-03-13 2009-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US7750852B2 (en) 2007-04-13 2010-07-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
EP2001047A1 (en) 2007-06-07 2008-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device
US8698697B2 (en) 2007-06-12 2014-04-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005140818A (ja) * 2003-11-04 2005-06-02 Sharp Corp 表示装置およびその製造方法
TW200717585A (en) * 2005-07-20 2007-05-01 Seiko Epson Corp Manufacturing method for electronic substrate, manufacturing method for electro-optical device, and manufacturing method for electronic device

Also Published As

Publication number Publication date
CN101625472B (zh) 2013-10-16
JP2010039482A (ja) 2010-02-18
CN101625472A (zh) 2010-01-13
US8169588B2 (en) 2012-05-01
JP5383355B2 (ja) 2014-01-08
US20100007829A1 (en) 2010-01-14
TW201007265A (en) 2010-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI475282B (zh) 液晶顯示裝置和其製造方法
JP7048699B2 (ja) 発光装置
JP6078141B2 (ja) 表示装置の作製方法
US9995970B2 (en) Manufacturing method of a liquid crystal device comprising an alignment film formed under reduced pressure
JP7169414B2 (ja) 発光装置の作製方法
US10541388B2 (en) Method for fabricating a display device are capable of substantially minimizing damage and carbonization of a substrate
TWI362644B (en) Liquid crystal display device and manufacturing method therof
US20100026952A1 (en) Display device and method for manufacturing same
TW200300281A (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
TW201106069A (en) Liquid crystal display device
KR20030007208A (ko) 반도체 디바이스와, 박리 방법 및 반도체 디바이스 제조방법
US20120231566A1 (en) Method of fabricating lightweight and thin liquid crystal display device
JP2005215419A (ja) 反射型液晶表示装置及び透過型液晶表示装置
TW202121037A (zh) 附表面保護膜之密封調光元件
KR20180074171A (ko) 플렉서블 기판과 이를 포함하는 플렉서블 표시장치 및 그 제조 방법
KR101147991B1 (ko) 액정표시자치용 어레이 기판과 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees