TWI470261B - Radiation detector and manufacturing method thereof - Google Patents

Description

放射線檢測器及其製造方法

本發明係關於檢測放射線之放射線檢測器及其製造方法。

作為新一代之X射線診斷用檢測器，開發有使用主動矩陣之平面形之X射線檢測器。藉由檢測照射至該X射線檢測器之X射線，使X射線攝影像、或即時性之X射線圖像作為數位訊號輸出。在該X射線檢測器中，藉由閃爍體層將X射線轉換成可視光，即螢光，且藉由以非晶矽(a-Si)光電二極體或CCD(Charge Coupled Device電荷耦合裝置)等之光電轉換元件，將該螢光轉換成訊號電荷以取得圖像。

作為閃爍體層之材料，一般使用碘化銫(CsI)：鈉(Na)、碘化銫(CsI)：鉈(Tl)、碘化鈉(NaI)、或二氧硫化二釓(Gd₂ O₂ S)等。閃爍體層可藉由利用切割等形成溝槽，或以蒸鍍法堆積形成柱狀構造，使解像度特性提升。作為閃爍體之材料係具有如上所述之各種，且藉由用途或所需之特性來區別使用。

為提高螢光於閃爍體層之上表面之利用效率且改善感應度特性，有形成反射膜之情形。即，令閃爍體層發光之螢光中朝向光電轉換元件之相反側之螢光以反射膜反射，從而增大到達光電轉換元件側之螢光。

反射膜係以將銀合金或鋁等螢光反射率較高之金屬層成膜於閃爍體層上之方法、或塗布包含TiO₂ 等之光散射性物 質與粘合樹脂之光散射反射性之反射膜之方法等來形成。此外，未形成於閃爍體膜上，但將具有鋁等金屬表面之反射板密接於閃爍體層來反射閃爍光之方式亦被實用化。

用以自外部環境氣體中保護閃爍體層或反射層(或反射板等)，且抑制因為濕度等致使特性劣化之防濕構造係在檢測器作為實用性製品上重要之構成要件。尤其，在對濕度導致劣化性較大之材料，即以CsI：Tl膜或CsI：Na膜作為閃爍體層之情形下，需要具有高防濕性能。作為防濕構造係有例如將鋁箔等之防濕層與基板之周邊部接著密封來保持防濕性能之構造，或將鋁箔或薄板等之防濕層與基板介隔周圍之環狀構造物而接著密封之構造等。

[先行技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2009-128023號公報

[專利文獻2]日本特開平5-242841號公報

使用帽狀金屬箔或薄板作為防濕體，且將帽緣部與陣列基板表面接著密封之方法係眾所周知。陣列基板係於玻璃基板上形成TFT或光電二極體之像素者。該等防濕體與基板之接著係使用紫外線硬化型或熱硬化型之樹脂接著劑。塗布接著劑、壓接、硬化時產生接著層薄膜化、收窄化，無法確保形成於基板之金屬配線與金屬性防濕體之間之絕緣接著層有足夠之厚度，從而存在電性短路之危險。

此外，存在有在減壓環境氣體下進行將防濕體接著於基板，藉由使防濕體內部成減壓狀態，保持飛機運輸等之減壓環境下之機械性強度之方法。該情形，防濕體係受外部大氣壓按壓基板側，具有使基板之金屬配線與防濕體接近之傾向。在防濕體過度接近基板之情形下，電性短路之危險係增加，且因防濕體之變形致使接著層受到負載，從而亦使接著層具有剝離之危險。

因此，本發明所欲解決之課題係在於提供一種放射線檢測器，其係可提升防濕體與陣列基板間之接著層之健全性。

為解決上述課題，實施形態之放射線檢測器具備：陣列基板，其係設有排列有將螢光轉換成電性訊號之光電轉換元件之光電轉換元件層；閃爍體膜，其係以覆蓋上述光電轉換元件層之方式設置於上述陣列基板之表面，且將放射線轉換成螢光；防濕體，其具備與上述陣列基板對向且包圍上述閃爍體膜之緣部，並覆蓋上述閃爍體膜；及接著層，其係使上述緣部與上述陣列基板接著，且其內緣遍及全周位於比上述緣部更內側。

又，實施形態之放射線檢測器之製造方法具備：形成閃爍體層之步驟，該閃爍體層係在設有排列有將螢光轉換成電性訊號之光電轉換元件之光電轉換元件層之基板之表面，以覆蓋上述光電轉換元件層之方式形成將放射線轉換成螢光之上述閃爍體層；塗布步驟，其係於周圍形成有帶 狀之緣部之防濕體之上述緣部、及較上述防濕體之上述緣部更內側，至少塗布2層接著劑；接著步驟，其係在上述塗布步驟之後，將上述緣部之塗布有上述接著劑之面在減壓環境氣體下按壓至較上述基板之上述閃爍體膜更外側之部分；及硬化步驟，其係使上述接著劑硬化。

以下參照圖示對一實施形態之放射線檢測器加以說明。另，相同或類似之構成係附以同一符號並省略重複說明。

圖6係一實施形態之放射線檢測裝置之模式化立體圖。

本實施形態之放射線檢測器11係檢測放射線像即X射線圖像之X射線平面感應器，例如用於一般醫療用途等。放射線檢測裝置10係具有：該放射線檢測器11、支持板31、電路基板30、及可撓性基板32。放射線檢測器11係具有陣列基板12與閃爍體膜13。放射線檢測器11係檢測入射之X射線且轉換成螢光，並將該螢光轉換成電性訊號。放射線檢測裝置10係驅動放射線檢測器11，且將自放射線檢測器11輸出之電性訊號作為圖像資訊輸出。放射線檢測裝置10輸出之圖像資訊係顯示於外部之顯示裝置等。

陣列基板12係具有玻璃基板16。於玻璃基板16之表面係正方格子狀地排列有複數個細微之像素20。各像素20係具有薄膜電晶體22及光電二極體21。又，於玻璃基板16之表面，與像素20所排列之正方格子之列數相同數量之控制線18係延伸於各像素20之間。再者，於玻璃基板16之表面，與像素20所排列之正方格子之行數相同數量之資料線19係 延伸於各像素20之間。閃爍體膜13係形成於陣列基板12之像素20排列之區域之表面。

閃爍體膜13係設置於陣列基板12之表面，當X射線入射，則產生可視光區域之螢光。產生之螢光係到達陣列基板12之表面。

閃爍體膜13係將例如碘化銫(CsI)：鉈(Tl)、或碘化鈉(NaI)：鉈(Tl)等以真空蒸鍍法形成柱狀構造者。CsI：Tl之柱狀構造結晶之柱(支柱)之粗細在最表面例如為8~12 μm左右。或亦可將二氧硫化二釓(Gd₂ O₂ S)螢光體粒子與粘合材料混合，塗布於陣列基板12上焙燒及硬化，並藉由切割機切割等而形成溝槽部，形成四角柱狀，從而形成閃爍體膜13。於該等之柱間封入有大氣或防氧化用之氮氣(N₂ )等之惰性氣體，或亦可成真空狀態。

陣列基板12接收由閃爍體膜13產生之螢光，並產生電性訊號。其結果，藉由入射之X射線而在閃爍體膜13上產生之可視光像被轉換成以電性訊號表現之圖像資訊。

放射線檢測器11係以形成有閃爍體膜13之面之相反側之面與支持板31接觸之方式，由支持板31支持。電路基板30係相對於支持板31之放射線檢測器11而配置於相反側。放射線檢測器11與電路基板30之間以可撓性基板32電性連接。

圖7係本實施形態之放射線檢測器之電路圖。

各光電二極體21係介以開關元件即薄膜電晶體22，連接於控制線18及資料線19。又，於各光電二極體21並聯連接 有蓄積電容器27。另，由於亦存在光電二極體21之電容兼用作蓄積電容器27之情形，故蓄積電容器27係並非必須者。

光電二極體21及與其並聯連接之蓄積電容器27係連接於薄膜電晶體22之汲極電極25。薄膜電晶體22之閘電極23係連接於控制線18。薄膜電晶體22之源電極24係連接於資料線19。

位於排列之相同列之像素20之薄膜電晶體22之閘電極23係連接於相同之控制線18。位於排列之相同行之像素20之薄膜電晶體22之源電極24係連接於相同之資料線19。

相同列之像素20中之薄膜電晶體22之閘電極23係連接於相同之控制線18。相同行之像素20中之薄膜電晶體22之源電極24係連接於相同資料線19。

各薄膜電晶體22係負責轉換功能，其係蓄積及放出因螢光入射向光電二極體21而產生之電荷。薄膜電晶體22之至少一部分係由作為具有結晶性之半導體材料即非晶質半導體之非晶矽(a-Si)、或多結晶半導體即多晶矽(P-Si)等之半導體材料構成。

另，圖6及圖7中，雖然像素僅記述有5列5行或4列4行，但實際上形成有更多對應解析度、攝像面積所需要之像素。

圖8係本實施形態之放射線檢測裝置之方塊圖。

放射線裝置10係具有：放射線檢測器11、閘極驅動器39、列選擇電路35、積分放大器33、A/D轉換器34、並聯/ 串聯轉換器38、及圖像合成電路36。閘極驅動器39係連接於放射線檢測器11之各控制線18。閘極驅動器39係控制各薄膜電晶體22之動作狀態，即開啟及關閉。積分放大器33係連接於放射線檢測器11之各資料線19。

列選擇電路35係連接於閘極驅動器39。並聯/串聯轉換器38係連接於積分放大器33。A/D轉換器34係連接於並聯/串聯轉換器38。A/D轉換器34係連接於圖像合成電路36。

積分放大器33係例如設置於連接放射線檢測器11與電路基板30之可撓性基板32上。其他元件係例如設置於電路基板30上。

閘極驅動器39係接收來自選擇電路35之訊號，且按序轉換控制線18之電壓。列選擇電路35係將用以選擇掃描X射線圖像之特定列之訊號傳送向閘極驅動器39。積分放大器33係將自放射線檢測面板21通過資料線19輸出之極微小之電荷訊號增幅並輸出。

圖9係本實施形態之放射線檢測器之局部擴大剖視圖。

於陣列基板12之表面形成有絕緣性保護膜28，其覆蓋光電二極體21及薄膜電晶體22等之檢測元件，與控制線18及資料線19等之金屬配線。閃爍體膜13係於保護膜28之表面，以覆蓋像素20排列之區域之方式而形成。

於閃爍體膜13之表面設置有反射膜14。反射膜14係令在閃爍體膜13產生之螢光中之遠離陣列基板12者反射向陣列基板12側。藉此，增大到達光電二極體21之螢光光量。

反射膜14係以使銀合金或鋁等螢光反射率較高之金屬成 膜於閃爍體膜上之方法形成。或，將具有鋁等金屬表面之反射板密接於閃爍體膜13者，又或塗布包含TiO₂ 等之光散射性物質與粘合樹脂之擴散反射性之反射膜14來形成亦可。另，反射膜14係藉由放射線檢測器11謀求之解析度、亮度等特性而設，並非必須者。

放射線檢測器11以覆蓋閃爍體膜13及反射膜14之方式設置有防濕體15。

圖10係本實施形態之放射線檢測器之上表面圖。圖11係本實施形態之放射線檢測器之側視圖。

防濕體15係形成為中央部***之帽狀。防濕體15之周邊部分係成平坦帶狀之緣部50。緣部50係形成為包圍陣列基板12之表面之閃爍膜13所形成之區域之外側之帶狀。緣部50之內側形成有頂板部51。頂板部51係較閃爍體膜13稍大之平板狀之部分。緣部50與頂板部51之間形成有斜面部52。

緣部50係與陣列基板12對向。緣部50與陣列基板12之間係成接著狀態。形成於陣列基板12上之閃爍膜13及反射膜14係被防濕體15之頂板部51及斜面部52覆蓋。防濕體15係自外界空氣或濕度中保護閃爍體膜13及反射膜14。

防濕體15係例如以厚度0.1 mm之鋁合金箔形成。防濕體15係以AlN30-O材料等之鋁合金箔或鋁箔形成。緣部50之寬度例如為5 mm。

於陣列基板12設置有露出控制線18及資料線19之各者之端部之端子群26。端子群26係沿陣列基板12之邊排列。連 接控制線18之端子群26與連接資料線19之端子群26係沿不同邊排列。該等之端子群26係介以可撓性基板32與電路基板電性連接。

圖1係本實施形態之防濕體之緣部附近之擴大剖視圖。圖2係本實施形態之防濕體之緣部附近之擴大俯視圖。

防濕體15之緣部50與陣列基板12之間係介隔有接著層40。接著層40係沿緣部50，設置成包圍陣列基板12之表面之閃爍體膜13所形成之區域之外側之帶狀。接著層40之內緣，即陣列基板12之表面之閃爍體膜13所形成之區域之附近側之內緣43係遍及全周皆位於比緣部50之內緣53更內側。接著層40係以加熱硬化型或紫外線硬化型之環氧樹脂系之接著劑形成。

接著，對本實施形態之放射線檢測器之製造方法加以說明。

首先，於玻璃基板16之表面形成光電轉換部17、控制線18及訊號線19等(參照圖6)，並取得陣列基板12。接著，於該陣列基板12上，按序形成閃爍體膜13及反射膜14。又，藉由將鋁合金箔等壓制成型成帽狀以製造防濕體15。

其次，將令如此取得之閃爍體膜13及反射膜14一體化之陣列基板12與防濕體15接著。

圖3係顯示向本實施形態之防濕體塗布接著劑之方法之俯視圖。圖4係顯示向本實施形態之防濕體塗布接著劑之方法之局部擴大俯視圖。圖5係顯示向本實施形態之防濕體塗布接著劑之方法之局部擴大剖視圖。

在防濕體15向陣列基板12之接著中，首先，在防濕體15之緣部50與陣列基板12對向之面上，使用塗布機塗布紫外線硬化型之接著劑41、42。至少在緣部50遍及全周塗布2層接著劑41、42。該等係包含：接著劑41，其係至少塗布於緣部50之大致中央；及接著劑42，其以毗連於緣內緣之方式塗布。

接著，將塗布接著劑41、42之防濕體15在減壓環境氣體下按壓至陣列基板12，並壓接兩者。該壓接時之環境氣體係例如為0.1氣壓左右之減壓環境氣體。又，為確保接著層40之厚度之均一化及向接著劑41、42之緣部50之內側之突出，壓接時之接著劑41、42宜係黏度某程度較高者。因此，接著劑41、42向防濕體15之塗布前或塗布後，於壓接前使接著劑硬化至某程度亦可。

如此，藉由製造放射線檢測器11，接著層40之內緣43係可位於比緣部50之內緣53更內側。

如此，藉由形成防濕構造而完成放射線檢測器11。於該放射線檢測器11之控制線18、資料線19之各端子部26，利用TAB連接使配線相連，且連接於放大器以後之電路，進而組合入框體而完成放射線檢測裝置。

要使對防濕體15之緣部50塗布接著劑之塗布量及緣部50之寬方向上之塗布位置遍及緣部50之周方向全體完全均一有其困難。此外，藉由塗布量及塗布位置之不均一性以及防濕體15與陣列基板12之傾斜等，在壓接防濕體15與陣列基板12時，存在接著劑之壓扁之狀態不均一之情形。再 者，在接著劑尚未完全硬化之狀態下自減壓環境氣體開放至大氣壓之情形，亦存在藉由外部之大氣壓使接著劑朝靠近內側即閃爍體膜13之方向上移動之可能性。

藉由如此之接著劑之塗布量、塗布位置、壓扁之不均一性、或由壓力差造成接著劑之移動、甚至該等之組合，存在有接著陣列基板12與防濕體15之接著劑之寬度或厚度變得不均一之情形。若此種寬度或厚度之不均一性變得顯著，則存在緣部50與陣列基板12之接著部之周方向上一部分之接著力降低，或耐濕性能劣化之可能性。再者，若接著層40之厚度變薄，則存在陣列基板12之表面之保護膜28與防濕體15接觸之可能性。

又，因陣列基板12、閃爍體膜13及反射體14、與防濕體15之間之空間54係減壓環境氣體，故防濕體15藉由大氣壓被按壓至陣列基板12側，且於防濕體15作用有密接於陣列基板12及閃爍體膜13之方向之力。若藉由該力等，緣部50之內緣53之彎曲加工部按壓至陣列基板12側且變形，則於接著層40產生拉伸應力。存在有藉由該拉伸應力破壞接著層40之可能性。

若藉由接著劑壓扁之不均一性，未硬化之接著劑因大氣壓而流動，或起因於大氣壓等之力對接著層造成破壞，則存在未介隔絕緣性之接著層40而使防濕體15與陣列基板12直接接觸之可能性。

圖12係顯示陣列基板之表面之保護膜與防濕體接觸之狀態之例之剖視圖。

若防濕體15與陣列基板12直接接觸，則存在保護膜28被破壞，使形成於陣列基板12之金屬配線29與防濕體15直接接觸，造成陣列基板12上之配線短路之可能性。在將形成有閃爍體膜13之陣列基板12與防濕體15之緣部50，介隔紫外線硬化型等之接著劑，例如於減壓環境氣體下接著密封之防濕構造中，於防濕體15之緣部50與陣列基板12之間，確實地形成絕緣性接著劑，且為緩解應力而抑制AL帽自身之變形，在機械性、電性上使其穩定變得重要。

本實施形態中，接著防濕體15與陣列基板12之接著層40係使接著層40之內緣43位於比防濕體15之緣部50之內緣53更內側之方式擴展。因此，突出於比接著層40之緣部50之內緣53更內側之硬化部分，抑制防濕體15接近陣列基板12。

再者，藉由此種突出且硬化之接著劑來填充防濕體15之緣部50之內緣53附近之斜面部52與陣列基板12之間的空隙。其結果，在比緣部50之內緣53更內側處，接著層40係形成有厚度較緣部50及陣列基板12之間更厚之部分。該接著層40之更厚部分係成沿斜面部52***之形狀。因此，可固定防濕體15之緣部50附近之彎曲加工部，且抑制由外部大氣壓等造成之防濕體15之變形。其結果，可降低於接著層40產生之拉伸應力。由於如此抑制接著層40所產生之應力，故可降低接著層40剝離之可能性。

又，藉由使接著層40之內緣43毗連於閃爍體膜13，在閃爍體膜13之外邊與防濕體15之緣部50之間，陣列基板12之 表面係被接著層40覆蓋，防濕體15與陣列基板12接觸之可能性變得極小。尤其，若接著層40之內緣43遍及全周皆毗連於閃爍體膜13，則由於閃爍體膜13之外邊與防濕體15之緣部之間之陣列基板12之表面完全被接著層40覆蓋，故效果佳。

如此，本實施形態中，由於接著層40之機械強度增加，故成高可靠性之防濕構造。此外，尤其在使用鋁等金屬作為防濕體15之情形下，可抑制防濕體15與陣列基板12上之配線間之電性短路之可能性。其結果，可提升放射線檢測器11之製造時及其後之使用中之健全性。

又，如本實施形態之製造方法，藉由以在緣部50之中央部與緣部50之內緣53進行至少2層塗布之多層塗布法，向防濕體15之緣部50塗布接著劑，可改善接著劑彼此之連結。再者，可以更高精度控制防濕體15之緣部50之外側及內側之接著劑之突出量。

若將多層塗布接著劑之防濕體15與令閃爍體膜13及反射膜14一體化之陣列基板12，在減壓環境氣體下接著並密封，則塗布於緣部50之中央部之接著劑41係被緣部50按壓而擴展，且形成厚度均一之接著層40，塗布於緣部50之內緣53之接著劑42係擴展於緣部50之中央方向且連接於塗布於中央部之接著劑，並突出至緣部50之內側。

又，藉由使用此種塗布2層接著劑41、42之方法，即使在接著劑未硬化之狀態下開放大氣之情形，亦可抑制因接著劑流動所造成之接著劑薄膜化。在塗布1層接著劑之方 法中，為在壓接時令接著劑充分擴散，確保接著層之寬度，必需先將接著劑之黏度縮小至某個程度。

但，在本實施形態之塗布多層接著劑之方法中，因可在壓接前擴展接著劑之形成面積，故即使高黏度之接著劑亦可形成良好之接著層40。接著劑之黏度高者流動性降低，故可抑制外部大氣壓造成之接著劑流動。接著劑之黏度係可藉由調整材料自身之樹脂黏度來提高。或在紫外線硬化型接著劑之情形，可藉由增加壓接前之紫外線照射量，使之高黏度化。

在単將接著劑塗布1層於防濕體15之緣部50之情形、與塗布2層之情形，觀察以同等壓接力壓接時之接著層40之厚度。其結果，在塗布1層之情形，相對於接著層之厚度之平均值為50 μm，觀察到存在有最薄部之厚度為15 μm左右的部分。另一方面，在以本實施形態之方式塗布2層接著劑之情形，接著層40之厚度之差異較小，最薄部之膜厚亦確保在50 μm以上。如此可知本實施形態中，於接著層40難以產生較薄部分，且在緣部50遍及全周皆可形成具足夠厚度之接著層40。

如上所述，利用藉由接著劑之多層塗布達成接著層40突出於防濕體內側之構成，可使機械性強度增加，確保基板金屬配線之絕緣性，而可提供一種具有高防濕性能與可靠性之放射線檢測器。

如此，利用藉由接著劑之多層塗布達成接著劑突出於AL帽內側之構成，可使機械性強度增加，確保基板金屬 配線之絕緣性，而可提供一種具有高防濕性能與可靠性之放射線檢測器。

此外，並非僅有使用鋁或鋁合金作為防濕體15之材料之情形，使用其他金屬材料之情形亦相同。但由於在鋁或鋁合金之箔之情形下，作為金屬材料之X射線吸收係數特別小，故在可抑制防濕體15內之X射線吸收損耗之點上優勢較大，且在加工成帽狀之情形亦有優秀之加工性。

防濕體15向陣列基板12之接著係在減壓環境氣體下進行，在原以設想飛機運輸之減壓環境下，對於可形成機械性強度優秀之防濕構造之點亦有效。即使在大氣壓下進行防濕體15向陣列基板12接著之情形，為確保足夠之接著層厚度與接著層寬度，使用如本實施形態之塗布2層之方法亦為有效。

接著劑41、42不塗布於防濕體15，取而代之塗布於陣列基板12側亦可。即使使用此種方法，藉由在對應防濕體15之緣部50之中央部與緣部50之內緣53之部位進行多層塗布，亦可取得與將接著劑41、42塗布於防濕體15之情形相同之效果。但，於陣列基板12側塗布接著劑之情形係因受防濕體15與陣列基板12貼合之位置偏離之影響較大，故向防濕體15側塗布接著劑之方法在製程穩定化之點上更為優秀。

雖然對本發明之一實施形態加以說明，但該實施形態係僅作為一例而加以提示者，並非意欲限定發明之範圍。該新穎之實施形態係可以其他多種形態來實施，在未脫離發 明主旨之範圍內，亦可進行各種省略、置換、及變更。該實施形態或其變形係包含於發明之範圍或主旨內，且涵蓋於與專利申請之範圍均等之範圍內。

10‧‧‧放射線檢測裝置

11‧‧‧放射線檢測器

12‧‧‧陣列基板

13‧‧‧閃爍體膜

14‧‧‧反射膜

15‧‧‧防濕體

16‧‧‧玻璃基板

17‧‧‧光電轉換部

18‧‧‧控制線

19‧‧‧資料線

20‧‧‧像素

21‧‧‧光電二極體

22‧‧‧薄膜電晶體

23‧‧‧閘電極

24‧‧‧源電極

25‧‧‧汲電極

26‧‧‧端子群

27‧‧‧蓄積電容器

28‧‧‧保護膜

29‧‧‧金屬配線

30‧‧‧電路基板

31‧‧‧支持板

32‧‧‧可撓性基板

33‧‧‧積分放大器

34‧‧‧A/D轉換器

35‧‧‧列選擇電路

36‧‧‧圖像合成電路

38‧‧‧並聯/串聯轉換器

39‧‧‧閘極驅動器

40‧‧‧接著層

41‧‧‧接著劑

42‧‧‧接著劑

43‧‧‧內緣

50‧‧‧緣部

51‧‧‧頂板部

52‧‧‧斜面部

53‧‧‧內緣

54‧‧‧空間

圖1係一實施形態之防濕體之緣部附近之擴大剖視圖。

圖2係一實施形態之防濕體之緣部附近之擴大俯視圖。

圖3係顯示向一實施形態之防濕體塗布接著劑之方法之俯視圖。

圖4係顯示向一實施形態之防濕體塗布接著劑之方法之局部擴大俯視圖。

圖5係顯示向一實施形態之防濕體塗布接著劑之方法之局部擴大剖視圖。

圖6係一實施形態之放射線檢測裝置之模式化立體圖。

圖7係一實施形態之放射線檢測器之電路圖。

圖8係一實施形態之放射線檢測裝置之方塊圖。

圖9係一實施形態之放射線檢測器之局部擴大剖視圖。

圖10係一實施形態之放射線檢測器之上表面圖。

圖11係一實施形態之放射線檢測器之側視圖。

圖12係顯示陣列基板之表面之保護膜與防濕體接觸之狀態之例之剖視圖。

11‧‧‧放射線檢測器

13‧‧‧閃爍體膜

14‧‧‧反射膜

15‧‧‧防濕體

16‧‧‧玻璃基板

28‧‧‧保護膜

29‧‧‧金屬配線

40‧‧‧接著層

43‧‧‧內緣

50‧‧‧緣部

51‧‧‧頂板部

52‧‧‧斜面部

53‧‧‧內緣

54‧‧‧空間

Claims (6)

1. 一種放射線檢測器，其特徵在於包含：陣列基板，其係設有排列有將螢光轉換成電性訊號之光電轉換元件之光電轉換元件層；閃爍體膜，其係以覆蓋上述光電轉換元件層之方式設置於上述陣列基板之表面，且將放射線轉換成螢光；防濕體，其具備與上述陣列基板對向且包圍上述閃爍體膜之緣部，並覆蓋上述閃爍體膜；及接著層，其係使上述緣部與上述陣列基板接著，且其內緣遍及全周位於比上述緣部更內側。
2. 如請求項1之放射線檢測器，其中比上述接著層之上述緣部更內側之部分係比上述緣部與上述陣列基板之間之部分更厚。
3. 如請求項1或2之放射線檢測器，其中上述防濕體係以金屬形成。
4. 如請求項1或2之放射線檢測器，其中上述接著層係紫外線硬化型之絕緣性樹脂接著劑及熱硬化型之絕緣性樹脂接著劑之任一者。
5. 如請求項3之放射線檢測器，其中上述接著層係紫外線硬化型之絕緣性樹脂接著劑及熱硬化型之絕緣性樹脂接著劑之任一者。
6. 一種放射線檢測器之製造方法，其特徵在於包含：形成閃爍體層之步驟，該閃爍體層係在設有排列有將螢光轉換成電性訊號之光電轉換元件之光電轉換元件層 之基板之表面，以覆蓋上述光電轉換元件層之方式形成將放射線轉換成螢光之上述閃爍體層；塗布步驟，其係於周圍形成有帶狀之緣部之防濕體之上述緣部、及較上述防濕體之上述緣部更內側，至少塗布2層接著劑；接著步驟，其係在上述塗布步驟之後，將上述緣部之塗布有上述接著劑之面在減壓環境氣體下按壓至較上述基板之上述閃爍體膜更外側之部分；及硬化步驟，其係使上述接著劑硬化。