TWI467920B - 高壓偏移偵測電路 - Google Patents

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TWI467920B
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Pei Kai Tseng
Chien Fu Tang
Isaac Y Chen
Jyun Che Ho
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Description

高壓偏移偵測電路
本發明係有關一種高壓橋式驅動器電路,特別是關於一種用於高壓橋式驅動器電路的高壓偏移偵測電路。
高壓半橋和全橋驅動器電路使用於多種應用,例如馬達、安定器、雙電感單電容轉換器及冷陰極管等,其需要將某些邏輯信號從低壓轉為高壓,以控制高壓元件。例如在圖1的半橋驅動器電路中,控制信號Hin及Lin係分別用來切換串聯在高壓端VIN及低壓端GND之間的高位側開關M1及低位側開關M2,但直流供應電壓VIN是很高的電壓,可能高達600伏特(V)以上,而產生控制信號Hin及Lin的是使用低壓電源VCC(例如5V或12V)的邏輯電路,所以需要將控制信號Hin從低壓準位平移到高壓準位。更具體而言,藉由低位側電路10、位準平移電路12及高位側電路14的運作,從控制信號Hin產生控制信號S4給高壓驅動器20,以產生控制信號UG控制開關M1。控制信號Lin則直接給低壓驅動器22,以產生控制信號LG控制開關M2。在高位側開關M1打開(on)而低位側開關M2關閉(off)期間,浮接節點24的電壓VS等於直流供應電壓VIN,相反的,在高位側開關M1關閉而低位側開關M2打開期間,浮接節點24的電壓VS等於接地電壓GND。假設電壓VS=600V而電壓GND=0V,則在開關M1及M2切換時,其上的跨壓可能高達600V,而開關M1及M2的導通阻值通常為mΩ等級,因此在開關M1及M2切換時可能產生kA等級的大電流,因而損毀開關M1或M2。這種開關M1及M2出現高跨壓的情況稱為硬切換(hard switching)。
為了避免硬切換,使用高壓偏移偵測電路16偵測浮接節點24的電壓VS,產生零電壓切換(Zero Voltage Switching;ZVS)信號S5,供控制信號產生器18判斷是否發生硬切換,若發生硬切換,則觸發信號S6給低位側電路10以調整開關M1及M2的失效時間(dead time)。此外,信號S6也可以用來調整電感L1及電容C1的共振頻率或關閉驅動器電路。然而,在習知技術中,例如美國專利號7,049,767,高壓偏移偵測電路只能在高位側開關關閉期間偵測電壓VS。
本發明的目的之一,在於提出一種高壓偏移偵測電路,以偵測高壓橋式驅動器電路的浮接節點的電壓。
本發明的目的之一,在於提出一種高壓偏移偵測電路,在高位側開關打開期間偵測高壓橋式驅動器電路的浮接節點的電壓。
根據本發明,一種用於高壓橋式驅動器電路的高壓偏移偵測電路包括高壓元件及零電壓切換產生器。該高壓橋式驅動器電路包含浮接節點、高壓端及低壓端供連接高位側開關在該高壓端及浮接節點之間,以及低位側開關在該低壓端及浮接節點之間,靴帶電容連接在高位側電源及浮接節點之間,高壓驅動器提供第一控制信號控制該高位側開關,以及低壓驅動器提供第二控制信號控制該低位側關關。該高壓元件具有輸入端、輸出端、控制端以及寄生電容在該輸入端及輸出端之間。該輸入端接收一個與該浮接節點的電壓相關的電壓,該控制端接收電壓以使該高壓元件在關閉狀態。該零電壓切換產生器在該高位側開關打開或該低位側開關關閉時偵測該輸出端的電壓以觸發零電壓切換信號。
根據本發明,一種用於高壓橋式驅動器電路的高壓偏移偵測電路包括電容及零電壓切換產生器。該高壓橋式驅動器電路包含浮接節點、高壓端及低壓端供連接高位側開關在該高壓端及浮接節點之間,以及低位側開關在該低壓端及浮接節點之間,靴帶電容連接在高位側電源及浮接節點之間,高壓驅動器提供第一控制信號控制該高位側開關,以及低壓驅動器提供第二控制信號控制該低位側關關。該電容的第一端接收一個與該浮接節點的電壓相關的電壓,該零電壓切換產生器在該高位側開關打開或該低位側開關關閉時偵測該電容的第二端的電壓以觸發零電壓切換信號。
根據本發明,一種用於高壓橋式驅動器電路的高壓偏移偵測電路包括高壓元件及零電壓切換產生器。該高壓橋式驅動器電路包含浮接節點、高壓端及低壓端供連接高位側開關在該高壓端及浮接節點之間,以及低位側開關在該低壓端及浮接節點之間,靴帶電容連接在高位側電源及浮接節點之間,高壓驅動器提供第一控制信號控制該高位側開關,以及低壓驅動器提供第二控制信號控制該低位側關關。該高壓元件具有輸入端、輸出端及控制端。該控制端接收電壓以使該高壓元件在打開狀態,該輸入端接收一個與該浮接節點的電壓相關的電壓,該零電壓切換產生器在該高位側開關打開或該低位側開關關閉時偵測該輸出端的電壓以觸發零電壓切換信號。
根據本發明,一種用於高壓橋式驅動器電路的高壓偏移偵測電路包括高壓元件、控制器及零電壓切換產生器。該高壓橋式驅動器電路包含浮接節點、高壓端及低壓端供連接高位側開關在該高壓端及浮接節點之間,以及低位側開關在該低壓端及浮接節點之間,靴帶電容連接在高位側電源及浮接節點之間,高壓驅動器提供第一控制信號控制該高位側開關,以及低壓驅動器提供第二控制信號控制該低位側關關。該高壓元件具有輸入端、輸出端及控制端。該輸入端接收一個與該浮接節點的電壓相關的電壓,該零電壓切換產生器在該高位側開關打開或該低位側開關關閉時偵測該輸出端的電壓以觸發零電壓切換信號。該控制器連接該控制端,在該零電壓切換產生器偵測該輸出端的電壓時,選擇性關閉該高壓元件。
根據本發明,一種用於高壓橋式驅動器電路的高壓偏移偵測電路包括高壓元件及零電壓切換產生器。該高壓橋式驅動器電路包含浮接節點、高壓端及低壓端供連接高位側開關在該高壓端及浮接節點之間,以及低位側開關在該低壓端及浮接節點之間,靴帶電容連接在高位側電源及浮接節點之間,高壓驅動器提供第一控制信號控制該高位側開關,低壓驅動器提供第二控制信號控制該低位側關關,以及位準平移電路平移低壓邏輯信號的位準以產生該第一控制信號。該高壓元件具有輸入端、輸出端及控制端,該輸入端及控制端連接該位準平移電路。該輸入端接收一個與該浮接節點的電壓相關的電壓,該零電壓切換產生器在該高位側開關打開或該低位側開關關閉時偵測該輸出端的電壓以觸發零電壓切換信號。
圖2係本發明的第一實施例,高壓偏移偵測電路16包括NMOS電晶體M3、可程式化負載元件30及ZVS產生器32。NMOS電晶體M3為高壓元件,其控制端G接地,故NMOS電晶體M3一直維持在關閉(off)狀態。NMOS電晶體M3的輸入端D連接浮接節點24以偵測電壓VS。當輸入端D的電壓VS變化時,在NMOS電晶體M3的輸入端D及輸出端S之間的寄生電容C2會導致輸出端S的電壓Vdet跟著變化,因此電壓Vdet可以用來判斷浮接節點24的電壓VS的狀態,不論高壓側開關M1為打開或關閉,NMOS電晶體M3皆可偵測電壓VS。從圖1可知,靴帶電容CB連接在高位側電源VB及浮接節點24之間,因此當浮接節點24的電壓VS瞬間變化時,電壓VB將跟著變化,因此NMOS電晶體M3也可以藉偵測高位側電源VB來判斷電壓VS,在此半橋驅動器電路中,靴帶電容CB所連接的高位側電源VB提供高位側電壓,當VS=0時,電源VCC透過二極體D1對靴帶電容CB充電,使電容CB二端的跨壓達到VCC-VD1。在其他實施例中,除了電壓VS及VB之外,也可以藉偵測其他端點的電壓來產生電壓Vdet,只要該端點的電壓與電壓VS相關即可。ZVS產生器32偵測電壓Vdet以產生ZVS信號S5,半橋驅動器電路根據ZVS信號S5判斷是否發生硬切換。可程式化負載元件30連接NMOS電晶體M3的輸出端S,其包括電流源34連接在NMOS電晶體M3的輸出端S及接地端GND之間,以及開關SW與電流源34並聯,藉控制開關SW可以改變可程式化負載元件30的負載值。當開關SW被信號S2打開時,輸出端S的電荷將被釋放到接地端GND。
參照圖1及圖2,在高位側開關M1關閉而低位側開關M2打開期間,電感L1的電感電流IL經浮接節點24及低位側開關M2流向接地端GND,接著當低位側開關M2關閉時,如圖3的時間t1所示,電感電流IL仍持續流向浮接節點24,因而推升電壓VS,同時寄生電容C2將電壓VS的變化量耦合到NMOS電晶體M3的輸出端S,因此電壓Vdet也跟著上升,當電壓Vdet達到預設的臨界值Vref1時,ZVS產生器32觸發ZVS信號S5。如圖3的時間t2所示,若在高位側開關M1打開前觸發ZVS信號S5,代表非硬切換狀態。相反的,若在高位側開關M1打開後觸發ZVS信號S5,如圖3的時間t3所示,表示半橋驅動器電路發生硬切換。同理,在高位側開關M1由打開狀態變為關閉狀態時,電壓VS及Vdet開始下降,在電壓Vdet低於另一預設的臨界值Vref2時,觸發ZVS信號S5。若在低位側開關M2打開前觸發ZVS信號S5,代表非硬切換狀態。相反的,若在低位側開關M2打開後觸發ZVS信號S5,表示半橋驅動器電路發生硬切換。
圖4係圖2中的ZVS產生器32的第一實施例,其包括比較器36比較電壓Vdet及臨界值Vref1,其中臨界值Vref1等於提供給低壓驅動器22的電源電壓VCC減去預設電壓VP1,Vref1=VCC-VP1,因此此實施例中的臨界值Vref1與電源電壓VCC有關。在電壓Vdet上升到大於臨界值Vref1時,比較器36觸發ZVS信號S5。圖5係ZVS產生器32的第二實施例,其包括比較器36及邏輯電路38。比較器36比較電壓Vdet及臨界值Vref2,其中臨界值Vref2等於電源電壓VCC減去預設電壓VP2,Vref2=VCC-VP2,因此臨界值Vref2與電源電壓VCC有關。在電壓Vdet下降到低於臨界值Vref2時,比較器36觸發比較信號Sc,邏輯電路38包括及閘40根據比較信號Sc及控制信號UG的反相信號UG’產生ZVS信號S5。在其他實施例中,也可以用控制信號LG來取代反相信號UG’。圖6係ZVS產生器32的第三實施例,其與圖5的電路同樣包括比較器36及邏輯電路38,但是邏輯電路38包括D型正反器根據比較信號Sc及反相信號UG’產生ZVS信號S5。
將圖2中的可程式化負載元件30以偏壓電路44取代,成為圖7的實施例。偏壓電路44包括電壓源V1、V2及V3以及電流源I1串聯在電源輸入端VCC及接地端GND之間,除了對輸出端S提供偏壓以外,還可以提供與電源電壓VCC相關的臨界值Vref1或Vref2給ZVS產生器32。
將圖7中的偏壓電路44改為多個串聯的電阻R1、R2及R3,成為圖8的實施例。電阻R1、R2及R3分壓電源電壓VCC產生偏壓給輸出端S以及產生與電源電壓VCC相關的臨界值Vref1或Vref2給ZVS產生器32。
圖9係本發明的第四實施例,高壓偏移偵測電路16包括電容Cr具有第一端46偵測電壓VS或VB,可程式化負載元件30或偏壓電路44連接電容Cr的第二端48,以及ZVS產生器32偵測電容Cr的第二端的電壓Vdet以觸發ZVS信號S5。當電壓VS或VB瞬間變化時,電容Cr的第二端的電壓Vdet將隨著變化,因此可從電壓Vdet判斷浮接節點24的電壓VS。
將圖9中的電容Cr以NMOS電晶體M3取代,成為圖10的實施例。NMOS電晶體M3的輸入端D接收電壓VS或VB,可程式化負載元件30或偏壓電路44連接NMOS電晶體M3的輸出端S,ZVS產生器32偵測NMOS電晶體的輸出端S的電壓Vdet以觸發ZVS信號S5。圖11顯示圖10中電壓Vdet的波形,NMOS電晶體M3的閘極G接受電源電壓VCC,因而使NMOS電晶體M3一直維持打開狀態,因此在圖1中的高位側開關M1關閉而低位側開關M2打開時,NMOS電晶體M3的輸出端S的電壓Vdet為VCC-VTHNM3 ,其中VTHNM3 係NMOS電晶體M3的臨界電壓,在低位側開關M2關閉而高位側開關M1未打開期間,電壓VS或VB上升,因而使電壓Vdet跟著上升,若在電壓Vdet達到臨界值Vref1時,高位側開關M1未打開,表示非硬切換狀態,如圖11A所示。若在電壓Vdet在高位側開關M1打開後才到臨界值Vref1,表示發生硬切換,如圖11B所示。
圖12係本發明的第六實施例,在高壓偏移偵測電路16中,NMOS電晶體M3的輸入端D接收電壓VS或VB,可程式化負載元件30或偏壓電路44連接NMOS電晶體M3的輸出端S,ZVS產生器32在NMOS電晶體M3關閉時偵測NMOS電晶體的輸出端S的電壓Vdet以決定ZVS信號S5,控制器50提供控制信號Soff給NMOS電晶體M3的控制端G以選擇性的關閉NMOS電晶體M3。如前所述,當NMOS電晶體M3關閉時,寄生電容C2將使電壓Vdet隨輸入端D的電壓VS或VB變化,因此可從電壓Vdet判斷浮接節點24的電壓VS。
圖13係本發明的第七實施例,高壓偏移偵測電路16中的NMOS電晶體M3的輸入端D連接位準平移電路12中的NMOS電晶體M4的汲極VB1,NMOS電晶體M3的控制端G連接NMOS電晶體M4的閘極,可程式化負載元件30或偏壓電路44連接NMOS電晶體M3的輸出端S,ZVS產生器32在NMOS電晶體M3關閉時偵測NMOS電晶體的輸出端S的電壓Vdet以決定ZVS信號S5。在NMOS電晶體M3及M4被低位側電路10的信號S1_reset關閉的期間,NMOS電晶體M4的汲極電壓VB1與電壓VB相關,因此電壓VS的瞬間變化會導致電壓VB1也跟著變化,而NMOS電晶體M3的寄生電容C2使電壓Vdet隨輸入端D的電壓VB1變化,從電壓Vdet可判斷浮接節點24的電壓VS。NMOS電晶體M3可以利用NMOS電晶體M4的結構中的一部分來實現,以減少積體電路的面積。位準平移電路12的操作及原理係習知技術,不再贅述。在其他實施例中,NMOS電晶體M3的輸入端D及控制端G也可以改為分別連接位準平移電路12中NMOS電晶體M5的汲極及閘極,且在此情況下,NMOS電晶體M3也可以利用NMOS電晶體M5的結構中的一部分來實現。
上述實施例係以半橋驅動器電路來解說本發明,但本領域的技術人員當知全橋驅動器電路也可以用相同的方式來實施本發明。
10...低位側電路
12...位準平移電路
14...高位側電路
16...高壓偏移偵測電路
18...控制信號產生器
20...高壓驅動器
22...低壓驅動器
24...浮接節點
30...可程式化負載元件
32...ZVS產生器
34...電流源
36...比較器
38...邏輯電路
40...及閘
42...D型正反器
44...偏壓電路
46...電容Cr的第一端
48...電容Cr的第二端
50...控制器
圖1係半橋驅動器電路;
圖2係本發明的第一實施例;
圖3係圖1的半橋驅動器電路使用圖2的高壓偏移偵測電路的時序圖;
圖4係圖2中的ZVS產生器的第一實施例;
圖5係圖2中的ZVS產生器的第二實施例;
圖6係圖2中的ZVS產生器的第三實施例;
圖7係本發明的第二實施例;
圖8係本發明的第三實施例;
圖9係本發明的第四實施例;
圖10係本發明的第五實施例;
圖11顯示圖10中電壓Vdet的波形
圖12係本發明的第六實施例;以及
圖13係本發明的第七實施例。
16...高壓偏移偵測電路
30...可程式化負載元件
32...ZVS產生器
34...電流源

Claims (42)

  1. 一種高壓偏移偵測電路,用以偵測高壓橋式驅動器電路的浮接節點的電壓,該高壓橋式驅動器電路包含高壓端及低壓端供連接高位側開關在該高壓端及浮接節點之間,以及低位側開關在該低壓端及浮接節點之間,靴帶電容連接在高位側電源及浮接節點之間,高壓驅動器提供第一控制信號控制該高位側開關,以及低壓驅動器提供第二控制信號控制該低位側關關,該高壓偏移偵測電路包括:高壓元件,具有輸入端、輸出端及控制端,該輸入端接收一個與該浮接節點的電壓相關的第一電壓,該輸出端有第二電壓,該控制端接收第三電壓以使該高壓元件在關閉狀態,該輸入端及輸出端之間有寄生電容使得該第二電壓隨該第一電壓變化;以及零電壓切換產生器,連接該高壓元件的輸出端,當該高位側開關打開或該低位側開關關閉時偵測該第二電壓,並根據該第二電壓及一與該低壓驅動器的電源電壓有關的臨界值觸發零電壓切換信號;其中,該高壓元件的輸入端連接該浮接節點、該高位側電源或其上電壓與該浮接節點的電壓相關的端點。
  2. 如請求項1之高壓偏移偵測電路,其中該零電壓切換產生器包括比較器連接該高壓元件的輸出端,比較該第二電壓與該臨界值以觸發該零電壓切換信號。
  3. 如請求項1之高壓偏移偵測電路,其中該零電壓切換產生器包括:比較器,連接該高壓元件的輸出端,比較該第二電壓與該臨界值以產生比較信號;以及邏輯電路,連接該比較器,根據該比較信號以及該第一控制信號或第二控制信號決定該零電壓切換信號。
  4. 如請求項1之高壓偏移偵測電路,更包括可程式化負載元件連接該高壓元件的輸出端。
  5. 如請求項4之高壓偏移偵測電路,其中該可程式化負載元件包括:電流源,連接該高壓元件的輸出端;以及開關,與該電流源並聯。
  6. 如請求項1之高壓偏移偵測電路,更包括偏壓電路連接該高壓元件的輸出端,提供偏壓給該高壓元件的輸出端。
  7. 如請求項6之高壓偏移偵測電路,其中該偏壓電路包括多個串聯的電壓源以決定該偏壓。
  8. 如請求項6之高壓偏移偵測電路,其中該偏壓電路包括多個串聯的電阻分壓該低壓驅動器的電源電壓以決定該偏壓。
  9. 一種高壓偏移偵測電路,用以偵測高壓橋式驅動器電路的浮接節點的電壓,該高壓橋式驅動器電路包含高壓端及低壓端供連接高位側開關在該高壓端及浮接節點之間,以及低位側開關在該低壓端及浮接節點之間,靴帶電容連接在高位側電源及浮接節點之間,高壓驅動器提供第一控制信號控制該高位側開關,以及低壓驅動器提供第二控制信號控制該低位側關關,該高壓偏移偵測電路包括:電容,具有第一端及第二端,該第一端接收一個與該浮接節點的電壓相關的第一電壓,該第二端有第二電壓;以及零電壓切換產生器,連接該電容的第二端,當該高位側開關打開或該低位側開關關閉時偵測該第二電壓,並根據該第二電壓及一與該低壓驅動器的電源電壓有關的臨界值觸發零電壓切換信號;其中,該電容的第一端連接該浮接節點、該高位側電源或其上電壓與該浮接節點的電壓相關的端點。
  10. 如請求項9之高壓偏移偵測電路,其中該零電壓切換產生器包括比較器連接該電容的第二端,比較該第二電壓與該臨界值以觸發該零電壓切換信號。
  11. 如請求項9之高壓偏移偵測電路,其中該零電壓切換產生器包括:比較器,連接該電容的第二端,比較該第二電壓與該臨界值以產生比較信號;以及邏輯電路,連接該比較器,根據該比較信號以及該第一控制信號或第二控制信號決定該零電壓切換信號。
  12. 如請求項9之高壓偏移偵測電路,更包括可程式化負載元件連接該電容的第二端。
  13. 如請求項12之高壓偏移偵測電路,其中該可程式化負載元件包括:電流源,連接該電容的第二端;以及開關,與該電流源並聯。
  14. 如請求項9之高壓偏移偵測電路,更包括偏壓電路連接該電容的第二端,提供偏壓給該電容的第二端。
  15. 如請求項14之高壓偏移偵測電路,其中該偏壓電路包括多個串聯的電壓源以決定該偏壓。
  16. 如請求項14之高壓偏移偵測電路,其中該偏壓電路包括多個串聯的電阻分壓該低壓驅動器的電源電壓以決定該偏壓。
  17. 一種高壓偏移偵測電路,用以偵測高壓橋式驅動器電路的浮接節點的電壓,該高壓橋式驅動器電路包含高壓端及低壓端供連接高位側開關在該高壓端及浮接節點之間,以及低位側開關在該低壓端及浮接節點之間,靴帶電容連接在高位側電源及浮接節點之間,高壓驅動器提供第一控制信號控制該高位側開關,以及低壓驅動器提供第二控制信號控制該低位側關關,該高壓偏移偵測電路包括:高壓元件,具有輸入端、輸出端及控制端,該輸入端接收一個與該浮接節點的電壓相關的第一電壓,該輸出端有第二電壓,該控制端接收第三電壓以使該高壓元件在打開狀態;以及零電壓切換產生器,連接該高壓元件的輸出端,當該高位側開關打開或該低位側開關關閉時偵測該第二電壓,並根據該第二電壓及一與該低壓驅動器的電源電壓有關的臨界值觸發零電壓切換信號;其中,該高壓元件的輸入端連接該浮接節點、該高位側電源或其上電壓與該浮接節點的電壓相關的端點。
  18. 如請求項17之高壓偏移偵測電路,其中該零電壓切換產生器包括比較器連接該高壓元件的輸出端,比較該第二電壓與該臨界值以觸發該零電壓切換信號。
  19. 如請求項17之高壓偏移偵測電路,其中該零電壓切換產生器包括:比較器,連接該高壓元件的輸出端,比較該第二電壓與該臨界值以產生比較信號;以及邏輯電路,連接該比較器,根據該比較信號以及該第一控制信號或第二控制信號決定該零電壓切換信號。
  20. 如請求項17之高壓偏移偵測電路,更包括可程式化負載元件連接該高壓元件的輸出端。
  21. 如請求項20之高壓偏移偵測電路,其中該可程式化負載元件包括:電流源,連接該高壓元件的輸出端;以及開關,與該電流源並聯。
  22. 如請求項17之高壓偏移偵測電路,更包括偏壓電路連接該高壓元件的輸出端,提供偏壓給該高壓元件的輸出端。
  23. 如請求項22之高壓偏移偵測電路,其中該偏壓電路包括多個串聯的電壓源以決定該偏壓。
  24. 如請求項22之高壓偏移偵測電路,其中該偏壓電路包括多個串聯的電阻分壓該低壓驅動器的電源電壓以決定該偏壓。
  25. 一種高壓偏移偵測電路,用以偵測高壓橋式驅動器電路的浮接節點的電壓,該高壓橋式驅動器電路包含高壓端及低壓端供連接高位側開關在該高壓端及浮接節點之間,以及低位側開關在該低壓端及浮接節點之間,靴帶電容連接在高位側電源及浮接節點之間,高壓驅動器提供第一控制信號控制該高位側開關,以及低壓驅動器提供第二控制信號控制該低位側關關,該高壓偏移偵測電路包括:高壓元件,具有輸入端、輸出端及控制端,該輸入端接收一個與該浮接節點的電壓相關的第一電壓,該輸出端有第二電壓,該輸入端及輸出端之間有寄生電容;零電壓切換產生器,連接該高壓元件的輸出端,當該高位側開關打開或該低位側開關關閉時偵測該第二電壓,並根據該第二電壓及一與該低壓驅動器的電源電壓有關的臨界值觸發零電壓切換信號;以及控制器,連接該高壓元件的控制端,當該零電壓切換產生器偵測該第二電壓時,提供第三控制信號以選擇性關閉該高壓元件;其中,該高壓元件的輸入端連接該浮接節點、該高位側電源或其上電壓與該浮接節點的電壓相關的端點。
  26. 如請求項25之高壓偏移偵測電路,其中該零電壓切換產生器包括比較器連接該高壓元件的輸出端,比較該第二電壓與該臨界值以觸發該零電壓切換信號。
  27. 如請求項25之高壓偏移偵測電路,其中該零電壓切換產生器包括:比較器,連接該高壓元件的輸出端,比較該第二電壓與該臨界值以產生比較信號;以及邏輯電路,連接該比較器,根據該比較信號以及該第一控制信號或第二控制信號決定該零電壓切換信號。
  28. 如請求項25之高壓偏移偵測電路,更包括可程式化負載元件連接該高壓元件的輸出端。
  29. 如請求項28之高壓偏移偵測電路,其中該可程式化負載元件包括:電流源,連接該高壓元件的輸出端;以及開關,與該電流源並聯。
  30. 如請求項25之高壓偏移偵測電路,更包括偏壓電路連接該高壓元件的輸出端,提供偏壓給該高壓元件的輸出端。
  31. 如請求項30之高壓偏移偵測電路,其中該偏壓電路包括多個串聯的電壓源以決定該偏壓。
  32. 如請求項30之高壓偏移偵測電路,其中該偏壓電路包括多個串聯的電阻分壓該低壓驅動器的電源電壓以決定該偏壓。
  33. 一種高壓偏移偵測電路,用以偵測高壓橋式驅動器電路的浮接節點的電壓,該高壓橋式驅動器電路包含高壓端及低壓端供連接高位側開關在該高壓端及浮接節點之間,以及低位側開關在該低壓端及浮接節點之間,靴帶電容連接在高位側電源及浮接節點之間,高壓驅動器提供第一控制信號控制該高位側開關,低壓驅動器提供第二控制信號控制該低位側關關,以及位準平移電路平移低壓邏輯信號的位準以產生該第一控制信號,該高壓偏移偵測電路包括:高壓元件,具有輸入端、輸出端及控制端,該輸入端接收一個與該浮接節點的電壓相關的第一電壓,該輸出端有第二電壓,該輸入端及輸出端之間有寄生電容;以及零電壓切換產生器,連接該高壓元件的輸出端,當該高位側開關打開或該低位側開關關閉時偵測該第二電壓,並根據該第二電壓及一與該低壓驅動器的電源電壓有關的臨界值觸發零電壓切換信號;其中,該高壓元件的輸入端及控制端連接該位準平移電路。
  34. 如請求項33之高壓偏移偵測電路,其中該高壓元件的輸入端連接該位準平移電路的輸入電晶體的輸出端。
  35. 如請求項33之高壓偏移偵測電路,其中該高壓元件的控制端連接該位準平移電路的輸入電晶體的控制端。
  36. 如請求項33之高壓偏移偵測電路,其中該零電壓切換產生器包括比較器連接該高壓元件的輸出端,比較該第二電壓與該臨界值以觸發該零電壓切換信號。
  37. 如請求項33之高壓偏移偵測電路,其中該零電壓切換產生器包括:比較器,連接該高壓元件的輸出端,比較該第二電壓與該臨界值以產生比較信號;以及邏輯電路,連接該比較器,根據該比較信號以及該第一控制信號或第二控制信號決定該零電壓切換信號。
  38. 如請求項33之高壓偏移偵測電路,更包括可程式化負載元件連接該高壓元件的輸出端。
  39. 如請求項38之高壓偏移偵測電路,其中該可程式化負載元件包括:電流源,連接該高壓元件的輸出端;以及開關,與該電流源並聯。
  40. 如請求項33之高壓偏移偵測電路,更包括偏壓電路連接該高壓元件的輸出端,提供偏壓給該高壓元件的輸出端。
  41. 如請求項40之高壓偏移偵測電路,其中該偏壓電路包括多個串聯的電壓源以決定該偏壓。
  42. 如請求項40之高壓偏移偵測電路,其中該偏壓電路包括多個串聯的電阻分壓該低壓驅動器的電源電壓以決定該偏壓。
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