TWI464141B - 磺醯基光酸產生劑及含該光酸產生劑之光阻 - Google Patents

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Description

磺醯基光酸產生劑及含該光酸產生劑之光阻
本發明係關於新穎之磺醯基亞胺化物及甲基化物(sulfonyl imide and methide)光酸產生劑化合物(PAG)以及包含該PAG化合物之光阻組成物。
光阻(後文中亦有稱為阻劑之情形)為用於將影像轉移至基板之光敏膜。他們形成負影像或正影像。將光阻塗佈於基板上後，該塗層係通過圖案化光罩曝光於活化能量源如紫外光，以在該光阻塗層中形成潛像。該光罩具有對活化輻射透明且可透射之區域，且該等區域定義出欲轉移至下方(underlying)基板之影像。
已知之光阻可提供具有足以用於多數現存商業應用之解析度及尺寸的特徵。然而對於多種其他應用而言，仍對可提供低於微米尺寸之高解析度影像的新穎光阻存在需要。
業經作出多種嘗試以改變光阻組成物之組成，以改善功能特性的效能。此外，業經報導多種用於光阻組成物中之光活性化合物。參見美國專利第6,911,297號及第7,235,343號。
於一態樣中，吾人等現在提供新穎光酸產生劑化合物(PAG)，其係包含雙(磺醯基)亞胺化物(bis(sulfonyl)imide)陰離子成分。
於另一態樣中，吾人等提供新穎光酸產生劑化合物(PAG)，其係包含參(磺醯基)甲基化物(tri(sulfonyl)methide)陰離子成分。
本發明之較佳之光酸產生劑化合物係包含鎓成分，較佳地，其中，(磺醯基)亞胺化物或(磺醯基)甲基化物係與鎓陽離子(如硫鎓或碘鎓陽離子)錯合。
本發明之較佳光酸產生劑化合物亦包含一種或多種環狀基如視需要經取代之脂環族基、視需要經取代之碳環系基或視需要經取代之雜芳族基。此等大體積之基較佳係存在於光酸產生劑化合物之(磺醯基)亞胺化物或(磺醯基)甲基化物成分上。
較佳之光酸產生劑化合物亦包含氟取代，包括其中該(磺醯基)亞胺化物或(磺醯基)甲基化物係經一個或多個氟原子取代。
較佳地，本發明之PAG係用於正作用或負作用化學增幅型光阻中，亦即，負作用阻劑組成物，其進行光酸促進之交聯反應以使得該阻劑塗層之經曝光區域於顯影劑中的溶解度小於未經曝光之區域；以及正作用阻劑組成物，其進行光酸促進之一種或多種組成物成分之酸不穩定基的去保護反應，以使得該阻劑塗層之經曝光之區域於水性顯影劑中的溶解度大於未經曝光之區域。含有共價連結至該酯之羧基氧之第三級非環烷基碳或第三級脂環族碳的酯基通常係本發明之光阻中所採用之樹脂之較佳光酸不穩定基。縮醛基亦係適當之光酸不穩定基。
本發明之光阻的較佳成像波長係包括低於300奈米(nm)之波長，如248 nm，以及低於200 nm之波長，如193 nm及EUV。
本發明之特佳光阻係含有成像有效量之一種或多種本文所揭示之PAG以及選自下述群組之樹脂：
1)　含有能提供特別適用於在248 nm成像之化學增幅型正阻劑的酸不穩定基之酚系樹脂(phenolic resin)。特佳之此類樹脂係包括：i)含有乙烯基酚及丙烯酸烷基酯之聚合單元的聚合物，其中該經聚合之丙烯酸烷基酯單元能於光酸之存在下進行去封阻反應(deblocking reaction)。能進行光酸誘導之去封阻反應的例示性丙烯酸烷基酯係包括諸如丙烯酸第三丁酯、甲基丙烯酸第三丁酯、丙烯酸甲基金剛烷基酯、甲基丙烯酸甲基金剛烷基酯、以及其他能進行光酸誘導反應之丙烯酸非環狀烷基酯及丙烯酸脂環族酯，如藉由引用併入本文之美國專利案第6,042,997號及第5,492,793號中所揭示之聚合物；ii)含有下述聚合單元之聚合物：乙烯基酚、不含羥基或羧基之環取代基之視需要經取代之乙烯基苯基(如苯乙烯)、以及丙烯酸烷基酯(如上揭聚合物i)所揭示之該等去封阻基)，如藉由引用併入本文之美國專利案第6,042,997號所揭示之聚合物；以及iii)含有下述重複單元之聚合物：包含將與光酸反應之縮醛或縮酮部分的重複單元、以及視需要之芳族重複單元如苯基或酚系基；
2)　能提供特別適用於在低於200 nm之波長如193 nm成像之化學增幅型正阻劑的實質上或完全不含苯基或其他芳族基之樹脂。特佳之此類樹脂係包括：i)含有非芳族環狀烯烴(內環雙鍵)(如視需要經取代之降莰烯)之聚合單元的聚合物，如藉由引用併入本文之美國專利案第5,843,624號中所揭示之聚合物；ii)含有丙烯酸烷基酯單元(如丙烯酸第三丁酯、甲基丙烯酸第三丁酯、丙烯酸甲基金剛烷基酯、甲基丙烯酸甲基金剛烷基酯、以及其他丙烯酸非環狀烷基酯及丙烯酸脂環族酯)的聚合物；此等聚合物已經於美國專利案第6,057,083號中揭示之。
本發明之阻劑亦可包含不同種類PAG的混合物，典型係2種或3種不同PAG之混合物，更典型由總計2種不同PAG所組成的混合物。
本發明亦提供形成本發明光阻之浮雕影像的方法，包括形成低於0.25微米維度或更低，如低於0.2微米維度或低於0.1微米尺寸之高解析度圖案化光阻影像(如具有本質上豎直之側壁的經影像化之線)的方法。
本發明進一步提供包含基板之製造件，該基板如其上塗佈有本發明之光阻及浮雕影像之微電子晶圓或平板顯示器基板。本發明之其他態樣係揭露如下。
本發明之特佳光酸產生劑包括下式I之磺醯基甲基化物化合物：
其中，W與Y係個別獨立為氫、氟、視需要經取代之氟烷基(較佳具有1個至約20個碳原子)；視需要經取代之氟烷氧基(較佳具有1個至約20個碳原子)；視需要經取代之氟碳環系芳基(較佳具有5個至約20個碳原子)；其中，W'與Y'係個別獨立為氫、氟、視需要經取代之氟烷基(較佳具有1個至約20個碳原子)；視需要經取代之氟烷氧基(較佳具有1個至約20個碳原子)；視需要經取代之氟碳環系芳基(較佳具有5個至約20個碳原子)；其中，W"與Y"係個別獨立為氫、氟、視需要經取代之氟烷基(較佳具有1個至約20個碳原子)；視需要經取代之氟烷氧基(較佳具有1個至約20個碳原子)；視需要經取代之氟碳環系芳基(較佳具有5個至約20個碳原子)；n、n'及n"係個別相同或不同，且個別為正整數，較佳為1至15，更佳1至6，更佳地，n、n'及/或n"係獨立為1、2或3；U、U'及U"係個別相同或不同，且個別為連接基如化學鍵、視需要經取代之伸烷基(如(-CH2 -)n ，其中，n為1至約20，且每一個亞甲基可經一個或兩個非氫原子取代，該非氫原子如鹵素、氰基、C1-20 烷基、C1-20 烷氧基、碳環系芳基等，且碳鏈可具有一個或多個插置之雜原子(N、O、S))；R、R'及R"係個別相同或不同，且個別為視需要經取代之碳脂環族基(非芳族環，其中，全部之環成員為碳)、視需要經取代之雜脂環族基(非芳族環，其中，除了碳環成員之外，一個或多個環成員為雜原子(N、O、S))、視需要經取代之碳環系芳基(芳族環，其中，全部之環成員為碳)或具有3個至20個、30個或40個碳原子以及視需要之0個、1個或多個環雜原子(N、O、S)的雜芳族基(芳族環，其中，除了碳環成員之外，一個或多個環成員為雜原子(N、O、S))，其中，R、R'及R"可個別獨立為單環或具有一個或多個經連結環(包括稠合環)；以及X+ 為相對離子，較佳有機相對離子，特別是鎓化合物如硫鎓或碘鎓化合物。
於上式I中，較佳W與Y之至少一者或兩者為氟或氟烷基，尤其是全氟烷基如-CF3 ；及/或較佳W'與Y'之至少一者或兩者為氟或氟烷基，尤其是全氟烷基如-CF3 ；及/或較佳W"與Y"之至少一者或兩者為氟或氟烷基，尤其是全氟烷基如-CF3 。
對於某些較佳之光酸產生劑，於式I中，-C(WY)n )-U-R與-C(W'Y')n' )-U'-R'及-C(W"Y")n" )-U"-R"之每一個係相同者。
對於某些其他較佳之光酸產生劑，於式I中，-C(WY)n )-U-R與-C(W'Y')n' )-U'-R'及-C(W"Y")n" )-U"-R"之不超過兩者係相同者。
對於再其他較佳之光酸產生劑，於式I中，-C(WY)n )-U-R與-C(W'Y')n' )-U'-R'及-C(W"Y")n" )-U"-R"之每一個係不同者。
對於某些其他較佳之光酸產生劑，於式II中，-C(WY)n )-U-R與-C(W'Y')n' )-U'-R'係不同者。
此外，本發明之特佳之光酸產生劑包括下式II之磺醯基甲基化物化合物：
其中，W與Y係個別獨立為氫、氟、視需要經取代之氟烷基(較佳具有1個至約20個碳原子)；視需要經取代之氟烷氧基(較佳具有1個至約20個碳原子)；視需要經取代之氟碳環系芳基(較佳具有5個至約20個碳原子)；其中，W'與Y'係個別獨立為氫、氟、視需要經取代之氟烷基(較佳具有1個至約20個碳原子)；視需要經取代之氟烷氧基(較佳具有1個至約20個碳原子)；視需要經取代之氟碳環系芳基(較佳具有5個至約20個碳原子)；n與n'係個別相同或不同，且個別為正整數，較佳1至15，更佳1至6，更佳地，n及/或n'係獨立為1、2或3；U與U'係個別相同或不同，且個別為連接基如化學鍵、視需要經取代之伸烷基(如(-CH2 -)n ，其中，n為1至約20，且每一個亞甲基可藉由一個或兩個非氫原子取代，該非氫原子如鹵素、氰基、C1-20 烷基、C1-20 烷氧基、碳環系芳基等，且碳鏈可具有一個或多個插置之雜原子(N、O、S))；R與R'係個別相同或不同，且個別為視需要經取代之碳脂環族基(非芳族環，其中，全部之環成員為碳)、視需要經取代之雜脂環族基(非芳族環，其中，除了碳環成員之外，一個或多個環成員為雜原子(N、O、S))、視需要經取代之碳環系芳基(芳族環，其中，全部之環成員為碳)或具有3個至20個、30個或40個碳原子以及視需要之0個、1個或多個環雜原子(N、O、S)的視需要經取代之雜芳族基(芳族環，其中，除了碳環成員之外，一個或多個環成員為雜原子(N、O、S))，其中，R與R'可個別獨立為單環或具有一個或多個經連結環(包括稠合環)；以及X+ 為相對離子，較佳有機相對離子，特別是鎓化合物如硫鎓或碘鎓化合物。
於上式II中，較佳W與Y之至少一者或兩者為氟或氟烷基，尤其是全氟烷基如-CF3 ；及/或較佳W'與Y'之至少一者或兩者為氟或氟烷基，尤其是全氟烷基如-CF3 。
對於某些較佳之光酸產生劑，於式II中，-C(WY)n )-U-R與-C(W'Y')n' )-U'-R'係相同者。
對於再其他較佳之光酸產生劑，於式II中，-C(WY)n )-U-R與-C(W'Y')n' )-U'-R'係不同者。
於上式I及II中，fR、R'與R"可係環狀基。有廣泛多種基將為適當者，包括非芳族基及芳族基，如視需要經取代之金剛烷基、視需要經取代之降莰基、視需要經取代之苯基、視需要經取代之萘基、視需要經取代之具有雜原子(N、O或S)環成員之環狀結構如內酯、等。於某些具體實施態樣中，較佳係包含多個環之基，如其中2個、3個、4個、5個或更多環係經連結者包括經稠合者，以及飽和籠狀結構。
於上式I及II中，適當之X+ 陽離子可為多種具有包括下述者之較佳之基的化合物：
其中，R1 至R5 係個別獨立表示C1-16視需要經取代之烷基、或經取代或未經取代之碳環系芳基如苯基、萘基等，或R1 、R2 及R3 之任意兩者或多者可鍵合在一起以形成具有硫環之環(如具有該硫原子之5員、6員或7員環)。該碳環系芳基之較佳實例係包括C6-14 單環芳基或C6-14 縮合環芳基。該芳基上之取代基的較佳實例係包括烷基、鹵烷基、環烷基、芳基、烷氧基、硝基、羧基、烷氧基羰基、羥基、巰基及鹵素原子。
本發明之PAG之甚至更佳的陽離子成分係包括下述式IIa、IIb、IIc或IId之任一者的化合物：
其中，於彼等式中，P1 、P2 、P3 、P4 、P5 、P6 及P7 係個別獨立表示氫或1個至5個非氫取代基，如羥基、鹵基、氰基、視需要經取代之具有1個至12個碳原子之烷基、或視需要經取代之具有1個至12個碳原子之烷氧基。
本發明之具體較佳之PAG係包括下列者：
其中，於彼等式中，P1 、P2 、P3 、P4 、P5 、P6 及P7 係個別獨立表示氫或1個至5個非氫取代基，如羥基、鹵基、氰基、視需要經取代之具有1個至12個碳原子之烷基、或視需要經取代之具有1個至12個碳原子之烷氧基。應理解，藉由宣稱P取代基(如P1 )係表示超過一個之非氫取代基，係意指表面超過一個非氫取代基係存在於特定之苯基環上。
本發明之另外之具體較佳之PAG係包括下列者：
如本文上揭所述者，本發明之PAG之各種取代基可視需要經取代。經取代之部份係適當地於一個或多個可用位置經諸如下列基取代：鹵素如F、Cl及/或I；硝基；氰基；磺酸基；烷基，包括C1-16 烷基，且C1-8 烷基係較佳者；鹵烷基，如氟烷基(如三氟甲基)及全鹵烷基如全氟C1-4 烷基；烷氧基，包括具有一個或多個氧鏈結(linkage)之C1-16 烷氧基，且C1-8 烷氧基係較佳者；烯基，包括C2-12 烯基，且C2-8 烯基係較佳者；烯基，包括C2-12 烯基，且C2-8 炔基係較佳者；芳基，如苯基或萘基；以及經取代之芳基，如經鹵基、烷氧基、烯基、炔基及/或烷基取代之芳基，該等取代基較佳係具有上揭相應基之碳原子數目者。較佳之經取代之芳基係包括經取代之苯基、經取代之蒽基及經取代之萘基。
如本文所使用者，除了另經修飾者之外，術語烷基、烯基及炔基係指代環狀基及非環狀基兩者，儘管環狀基將當然包含至少三個碳環成員。本發明之化合物的烯基及炔基係具有一個或多個不飽和鏈結，典型1個至約3或4個不飽和鏈結。又，如本文所使用者，術語烯基及炔基係指代環狀基及非環狀基兩者，儘管直鏈或分支鏈非環狀基係通常更佳者。本發明之PAG化合物的烷氧基係具有一個或多個氧鏈結，典型1個至約5或6個氧鏈結。本發明之PAG的烷硫基係具有一個或多個硫醚鏈結，典型1個至約5或6個硫醚鏈結。本發明之PAG化合物的烷基亞磺醯基係具有一個或多個亞磺醯基(SO)鏈結，典型1個至約5或6個亞磺醯基鏈結。本發明之PAG化合物的烷基磺醯基係具有一個或多個磺醯基(SO2 )鏈結，典型1個至約5或6個磺醯基鏈結。本發明之PAG化合物的較佳烷基胺基係包括彼等具有一個或多個一級、二級及/或三級胺基之基，較佳1個至約3或4個胺基。適當之烷醯基係具有一個或多個羰基，典型1個至約4或5個羰基。烷氧基、烷硫基、烷基亞磺醯基、烷基磺醯基、烷醯基及其他基可適當地為直鏈或分支鏈。如本文所使用者，碳環系芳基係指代具有1個至3個分開或稠合之環以及6個至約18個碳環成員的非雜芳族基，且可包括，例如苯基、萘基、聯苯基、蒽基、菲基等。苯基及萘基往往為較佳者。適當之雜芳族基或雜芳基將具有1個至3個環，每一環中具有3個至8個環成員，以及1個至約3個雜原子(N、O或S)。具體適當之雜芳族基或雜芳基係包括，例如香豆素基、喹啉基、吡啶基、吡基、嘧啶基、呋喃基、吡咯基、噻吩基、噻唑基、唑基、咪唑基、吲哚基、苯并呋喃基及苯并噻唑基。
本發明之光酸產生劑化合物可如下述反應式所通常說明者容易地製備。
特別地，下述反應式1例示性說明較佳之與三苯基硫鎓(TPS)陽離子錯合之雙(磺醯基)亞胺化物之合成。
下述反應式2例示性說明另一較佳之與三苯基硫鎓(TPS)陽離子錯合之雙(磺醯基)亞胺化物之合成。
下述反應式3例示性說明較佳之與三苯基硫鎓(TPS)陽離子錯合之參(磺醯基)甲基化物之合成。
如上所述，本發明之PAG可適用於作為光阻組成物中之輻射敏感性成分，該光阻組成物包括正作用及負作用化學增幅型阻劑組成物兩者。
如上所述，本發明之光阻典型係包含樹脂黏合劑及上揭之本發明之光活性成分。較佳地，該樹脂黏合劑係具有官能基，該等官能基能使得該阻劑組成物以鹼性水性顯影劑顯影。舉例而言，較佳係包含極性官能基如羥基或羧酸根(carboxylate)的樹脂黏合劑。較佳地，該樹脂黏合劑係以足以改變該阻劑使用鹼性水溶液顯影之可顯影性的量用於阻劑組成物中。
較佳地，本發明之光酸產生劑化合物係用於化學增幅型正作用阻劑中。業經揭示大量之此等阻劑組成物，如於美國專利第4,968,581號；第4,883,740號；第4,810,613號及第4,491,628號中以及加拿大專利申請案第2,001,384中揭露者，上述專利全部藉由引用具之作出及使用化學增幅型正作用阻劑之教示而併入本文。根據本發明，彼等先前技藝之阻劑組成物係藉由替代使用本發明之光活性成分作為輻射敏感成分，而予以修飾。
本發明之PAG也較佳地與含有一個或多個光酸不穩定基且實質上、本質上或完全不含苯基或其他芳族基的聚合物合用。此等光阻組成物特別有用於以低於200 nm之輻射，如193 nm之輻射成像。
舉例而言，較佳之聚合物係含有低於約5莫耳%之芳族基，更佳低於約1或2莫耳%之芳族基，更佳低於約0.1、0.02、0.04及0.08莫耳%之芳族基，再更佳低於約0.01莫耳%之芳族基。特佳之聚合物係完全不含芳族基。芳族基可高度吸收低於200 nm之輻射，並因此對於在此等短波長輻射下成像之光阻中的用途係非所欲者。
實質上或完全不含芳族基且可與本發明之PAG共同配製以提供用於在低於200 nm成像之光阻的適當聚合物，係於希普列(Shipley)公司之歐洲申請案第EP930542A1號中揭露者。
實質上或完全不含芳族基之適當聚合物係適當地含有丙烯酸酯單元，如光酸不穩定丙烯酸酯單元，其可藉由丙烯酸甲基金剛烷基酯、甲基丙烯酸甲基金剛烷基酯、丙烯酸乙基葑基酯、甲基丙烯酸乙基葑基酯等之聚合反應所提供；稠合之非芳族脂環族基，例如可藉由降莰烯化合物或其他具有內環碳-碳雙鍵之脂環族化合物的聚合反應所提供；酸酐，例如可藉由馬來酸酐之聚合反應所提供；等。
本發明之較佳之負作用組成物係包含在暴露於酸後即固化、交聯或硬化之材料的混合物，以及本發明之光活性成分。
特佳之負作用組成物係包含樹脂黏合劑如酚系樹脂，交聯劑成分以及本發明之光活性成分。此等組成物及其用途業已於Thackeray等人之歐洲專利申請案第0164248號及第0232972號以及美國專利案第5,128,232號中揭露。用作該樹脂黏合劑成分之較佳酚系樹脂係包括酚醛樹脂(novolak)及聚(乙烯基酚)，如彼等上揭者。較佳之交聯劑係包括胺系材料，包括三聚氰胺、乙炔脲(glycoluril)、苯胍(benzoguanamine)系材料及脲系材料。三聚氰胺-甲醛樹脂通常為最佳者。此等交聯劑為市售可得者，例如：美國氰胺公司(American Cyanamid)販售之商品名為Cymel 300、Cymel 301及Cymel 303之三聚氰胺樹脂。美國氰胺公司販售之商品名為Cymel 1170、Cymel 1171、Cymel 1172之乙炔脲樹脂；以商品名Beetle 60、Beetle 65及Beetle 80販售之脲系樹脂；以及以商品名Cymel 1123及Cymel 1125販售之苯胍樹脂。
本發明之光阻亦可含有其他材料。舉例而言，其他視需要之添加劑包括光化染料及對比染料、抗條紋劑(anti-striation agent)、塑化劑、加速劑及敏化劑等。除了填料及染料可以相對大濃度(例如，為阻劑乾燥成分之總重量的5至30重量%)存在外，此等視需要之添加劑典型將以較小濃度存在於光阻組成物中。
本發明之阻劑之較佳之視需要添加劑係添加鹼(added base)。特別是氫氧化四丁基銨(TBAH)，其可提升經顯影之阻劑浮雕影像的解析度。該添加鹼係適當地以相對小量使用，例如，相對於該PAG，約1至10重量%，更典型1至約5重量%。其他較佳之鹼性添加劑係包括磺酸銨鹽，如對甲苯磺酸哌啶鎓及對甲苯磺酸二環己基銨；烷基胺類如三丙胺及十二烷基胺；芳基胺類如二苯基胺、三苯基胺、胺基酚、2-(4-胺基苯基)-2-(4-羥基苯基)丙烷；等。
本發明之阻劑的樹脂黏合劑成分典型係以足以使得用例如鹼性水溶液將經曝光之該阻劑塗層顯影的量使用。更特定言之，樹脂黏合劑將適宜地包含該阻劑總固體之50至約90重量%。該光活性成分應以足以於該阻劑之塗層中產生像(latent image)之量存在。更具體而言，該光活性成分將適宜地以阻劑之總固體的約1至40重量%的量存在。典型地，對於化學增幅型阻劑而言，較少量之該光活性成分將係適宜者。
除了使用本發明之PAG替代此等光阻之配方中的先前之光活性化合物之外，本發明之光阻通常係藉由下列已知方法製備。舉例而言，本發明之阻劑可藉由將光阻之成分溶解於適宜溶劑中而製備為塗佈組成物，該溶劑為諸如二醇醚如2-甲氧基***(二甘二甲醚)、乙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚；乳酸酯如乳酸乙酯或乳酸甲酯，其中乳酸乙酯為較佳者；丙酸酯，尤其是丙酸甲酯及丙酸乙酯；賽路蘇酯(Cellosolve ester)如乙酸甲賽路蘇酯；芳族烴如甲苯或二甲苯；或酮如甲基乙基酮、環己酮及2-庚酮。該光阻之固體含量典型係於該光阻組成物之總重量的5至35重量%間變化。此等溶劑之摻合物亦為適宜者。
可根據已知過程使用本發明之光阻。儘管本發明之光阻可作為乾燥膜施加，他們較佳係作為液體塗佈組成物施加於基板上，藉由加熱乾燥以移除溶劑，較佳直至該塗層無黏性，透過光罩曝光於活化輻射，視需要進行曝光後烘烤以產生或提升該阻劑塗層之經曝光區域與未經曝光區域之間的溶解度差異，隨後，較佳以水性鹼性顯影劑顯影以形成浮雕影像。其上施加本發明之阻劑並經適當處理的基板可為用於涉及光阻之製程中的任何基板，如微電子晶圓。舉例而言，該基板可係矽、二氧化矽或鋁-氧化鋁微電子晶圓。也可使用砷化鎵、陶瓷、石英或銅基板。亦可適當地採用液晶顯示器及其他平板顯示器用之基板，如玻璃基板、塗覆氧化銦錫之基板等。藉由任何標準手段如旋塗、浸塗或輥塗將液體塗佈阻劑組成物施加至基板上。曝光能量應足以有效地活化該輻射敏感性系統之光活性成分，以於該阻劑塗層中產生經圖案化之影像。適當之曝光能量典型係約1至300毫焦耳(mJ)/平方公分(cm2 )。如上所述，較佳之曝光波長係包括低於200 nm者，如193 nm。適當之曝光後烘烤溫度係約50℃或更高，更具體為約50℃至140℃。對於酸硬化負作用阻劑，若必要，可於約100℃至150℃之溫度進行幾分鐘或更長時間之顯影後烘烤，以進一步固化於顯影後所形成之浮雕影像。顯影及任何顯影後固化之後，隨後可選擇性地處理藉由顯影而裸露之基板表面，舉例而言，根據該技藝中已知之過程化學地刻蝕或鍍覆不覆蓋光阻之基板區域。適當之刻蝕劑係包括氫氟酸溶液及電漿氣體刻蝕劑如氧電漿刻蝕劑。
下述非限制性實施例係例示性說明本發明。本文中述及之全部文獻係藉由引用以其整體併入本文。
實施例1：磺醯基亞胺化物光酸產生劑(化合物1c)之合成
如下述反應式中顯示為化合物1c以及如下述反應式中與下述實驗中所詳述者製備之三苯基硫鎓雙(磺醯基)亞胺化物光酸產生劑。於下述實驗中，各種化合物編號係參照緊隨反應式中彼等結構下方者。
實驗
第1部份：化合物2之合成
將2,2-二氟-2-甲氧羰基甲烷磺醯氟(192份)溶解於無水THF(576份)中，於冰浴中冷卻。將氨鼓泡進入該溶液，直至該反應混合物變為鹼性。滴加鹽酸(6M)，直至pH為1。移除溶劑，得到化合物2。
第2部份：化合物3之合成
將化合物2(189份)溶解於NaOMe/MeOH溶液中。將該混合物加熱至回流18小時，於冰浴中冷卻。化合物3不經純化即用於下一步驟中。
第3部份：化合物4之合成
以六甲基二矽烷基亞胺(hexamethyldisilazine)(161份)及2,2-二氟-2-甲氧羰基甲烷磺醯氟(192份)依序處理來自上述之混合物，以得到化合物4，化合物4不經純化即用於下一步驟中。
第4部份：化合物5之合成
將氫氧化鈉(120份)加入上述混合物中。將所得混合物加熱回流10小時，於冰浴中冷卻。滴加鹽酸(6M)，直至pH為1。移除溶劑，得到化合物5。
第5部份：化合物6之合成
將溶於甲苯中之化合物5(355份)、1-金剛烷基甲醇(166份)、pTSA(3.6份)的混合物加熱回流18小時，冷卻至室溫。過濾該混合物。以乙腈萃取該固體三次。將合併之乙腈溶液濃縮至小體積，滴加MTBE。過濾該混合物，並乾燥該固體以給出化合物6。
實施例2：甲基化磺醯基光酸產生劑之合成
如下述反應式所顯示者以及如下述實驗中所詳述者製備於該反應式中顯示為化合物IIa之參(磺醯基)甲基化物光酸產生劑。於下述實驗中，各種化合物編號係參照緊隨本段之反應式中的彼等結構。
實驗
第1部份：化合物8之合成
將溶於甲苯中之化合物7(512份)、1-金剛烷基甲醇(166份)、pTSA(3.6份)的混合物加熱至回流18小時，冷卻至室溫。過濾該混合物。以乙腈萃取該固體三次。將合併之乙腈溶液濃縮至小體積，滴加MTBE。過濾該混合物，並乾燥該固體以得到化合物8。
第2部份：化合物Ic之合成
將化合物6(957份)及溴化三苯基硫鎓(343份)溶解於二氯甲烷與水之混合溶劑中。於室溫攪拌該混合物24小時。水性處理給出光酸產生劑化合物IIa。
實施例3：光阻製備及微影處理
藉由混合下述成分製備本發明之光阻，其量係以基於該阻劑組成物之總重的重量百分率表示之：
阻劑成分　量(wt.%)
樹脂黏合劑　15
光酸產生劑　4
鹼性添加劑　0.17
乳酸乙酯　餘量
該樹脂黏合劑係三元聚合物(甲基丙烯酸2-甲基-2-金剛烷基酯/甲基丙烯酸β-羥基-γ-丁內酯/甲基丙烯酸氰基降莰基酯)。該光酸產生劑係上述實施例1中之光酸產生劑化合物(實施例1中之化合物6)。該鹼性添加劑為N-烷基己內醯胺。彼等樹脂、PAG及鹼性添加劑成分係混合於該乳酸乙酯溶劑中。
將所配製之阻劑組成物旋塗於HMDS蒸汽打底(vapor primed)之4吋矽晶圓上，通過真空熱板於90℃軟烘烤60秒。透過光罩將該阻劑塗層於193 nm曝光，隨後，於110℃對經曝光之塗層進行曝光後烘烤。隨後，以0.26N氫氧化四甲基銨水溶液處理經塗佈之晶圓，以將影像化之阻劑層顯影。
實施例4：光阻製備及微影處理
藉由混合下述成分製備本發明之光阻，其量係以基於該阻劑組成物之總重的重量百分率表示之：
阻劑成分　量(wt.%)
樹脂黏合劑　13
光酸產生劑　3
鹼性添加劑　0.15
乳酸乙酯　餘量
該樹脂黏合劑係三元聚合物(甲基丙烯酸2-甲基-2-金剛烷基酯/甲基丙烯酸β-羥基-γ-丁內酯/甲基丙烯酸氰基降莰基酯)。該光酸產生劑係上述實施例1中之光酸產生劑化合物(實施例IIc中之化合物6)。該鹼性添加劑為N-烷基己內醯胺。彼等樹脂、PAG及鹼性添加劑成分係混合於該乳酸乙酯溶劑中。
將所配製之阻劑組成物旋塗於HMDS蒸汽打底之4吋矽晶圓上，通過真空熱板於90℃軟烘烤60秒。透過光罩將該阻劑塗層於193 nm曝光，隨後，於110℃對經曝光之塗層進行曝光後烘烤。隨後，以0.26N氫氧化四甲基銨水溶液處理經塗佈之晶圓，以將影像化之阻劑層顯影。

Claims (8)

  1. 一種下式I之光酸產生劑化合物： 其中，W與Y係個別獨立為氫、氟、視需要經取代之氟烷基；視需要經取代之氟烷氧基；或視需要經取代之氟碳環系芳基；W'與Y'係個別獨立與W及Y之定義相同；W"與Y"係個別獨立與W及Y之定義相同；n、n'及n"係個別相同或不同，且個別為1至15的正整數；U、U'及U"係個別相同或不同，且個別為選自由化學鍵及視需要經取代之伸烷基所組成之群組的連接基；R、R'及R"係個別相同或不同，且個別為視需要經取代之碳脂環族基、視需要經取代之雜脂環族基、視需要經取代之碳環系芳基或視需要經取代之雜芳族基；以及X+ 係相對離子。
  2. 一種下式II之光酸產生劑化合物： 其中，W與Y係個別獨立為氫、氟、視需要經取代之氟烷基、視需要經取代之氟烷氧基、或視需要經取代 之氟碳環芳基；W'與Y'係個別獨立與W及Y之定義相同；n與n'係個別相同或不同，且個別為1至15的正整數；U與U'係個別相同或不同，且個別為選自由化學鍵及視需要經取代之伸烷基所組成之群組的連接基；R與R'係個別相同或不同，且個別為視需要經取代之碳脂環族基、視需要經取代之雜脂環族基、視需要經取代之碳環系芳基或視需要經取代之雜芳族基；以及X+ 係相對離子。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之光酸產生劑，其中，X+ 係硫鎓或碘鎓化合物。
  4. 如申請專利範圍第1或2項所述之光酸產生劑，其中，X+ 係下式之任一者： 其中，R1 至R5 係個別獨立表示C1-30 視需要經取代之烷基、或經取代或未經取代之碳環系芳基；或R1 、R2 及R3 之任兩者或多者可鍵合在一起以形成具有硫環之環。
  5. 如申請專利範圍第1或2項所述之光酸產生劑化合物，其中，X+ 係下列基之任一者： 其中，於彼等式中，P1 、P2 、P3 、P4 、P5 、P6 及P7 係個別獨立表示氫、或1個至5個非氫取代基，以及其中，該非氫取代基係個別獨立選自下列所組成之群組：羥基、鹵基、氰基、視需要經取代之C1-12 烷基及視需要經取代之C1-12 烷氧基。
  6. 如申請專利範圍第1或2項所述之光酸產生劑，其係選自： 其中，於彼等式中，P1 、P2 、P3 、P4 、P5 、P6 及P7 係個別獨立表示氫、或1個至5個非氫取代基，以及其中，該非氫取代基係個別獨立選自下列所組成之群組：羥基、鹵基、氰基、視需要經取代之C1-12 烷基及視需要經取代之C1-12 烷氧基。
  7. 一種光阻組成物，係包含如申請專利範圍第1至6項中任一項所述之光酸產生劑化合物。
  8. 一種形成光阻浮雕影像之方法，係包含：a)將如申請專利範圍第7項所述之光阻組成物之塗層施加至基板上；以及b)將該光阻塗層曝光於圖案化活化輻射，並將經曝光之光阻層顯影，以提供浮雕影像。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102180822B (zh) * 2009-12-14 2014-08-13 罗门哈斯电子材料有限公司 磺酰光酸产生剂和包含该磺酰光酸产生剂的光刻胶
PE20160655A1 (es) * 2013-07-11 2016-07-08 Evestra Inc Profarmacos de formacion de compuestos
JP6183199B2 (ja) * 2013-12-13 2017-08-23 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法及び化合物
KR20150086050A (ko) * 2014-01-17 2015-07-27 동우 화인켐 주식회사 신규의 설포닐이미드 염화합물, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 광산 발생제 및 감광성 수지 조성물
CN104478772A (zh) * 2014-11-19 2015-04-01 同济大学 一类具有单、双光子活性含双支化硫鎓盐光生酸剂的制备方法及其应用
TWI636326B (zh) * 2015-05-15 2018-09-21 南韓商羅門哈斯電子材料韓國公司 光鹼產生劑及包括其的光致抗蝕劑組成物
TWI656111B (zh) * 2015-12-31 2019-04-11 Rohm And Haas Electronic Materials Llc 光酸產生劑
TWI662364B (zh) 2015-12-31 2019-06-11 Rohm And Haas Electronic Materials Llc 光致抗蝕劑組合物、包含光致抗蝕劑組合物的經塗佈基板及形成電子裝置的方法
US10892520B2 (en) * 2017-01-20 2021-01-12 Massachusetts Institute Of Technology Sulfonimide salts for battery applications
MX2020003470A (es) 2017-10-19 2020-10-01 Evestra Inc Anticonceptivos de profarmacos de progestina de accion mas prolongada.
JP7181096B2 (ja) * 2018-01-12 2022-11-30 住友化学株式会社 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6922849B2 (ja) 2018-05-25 2021-08-18 信越化学工業株式会社 単量体、ポリマー、ネガ型レジスト組成物、フォトマスクブランク、及びレジストパターン形成方法
JP7099250B2 (ja) * 2018-10-25 2022-07-12 信越化学工業株式会社 オニウム塩、ネガ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030235775A1 (en) * 2002-06-13 2003-12-25 Munirathna Padmanaban Photoresist composition for deep ultraviolet lithography comprising a mixture of photoactive compounds
JP2008039811A (ja) * 2006-08-01 2008-02-21 Shin Etsu Chem Co Ltd レジスト下層膜材料並びにそれを用いたレジスト下層膜基板およびパターン形成方法
US20080220371A1 (en) * 2007-03-09 2008-09-11 Fujifilm Corporation Photosensitive composition, compound used for photosensitive composition and pattern-forming method using photosensitive composition

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4491628A (en) 1982-08-23 1985-01-01 International Business Machines Corporation Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone
DE3584316D1 (de) 1984-06-01 1991-11-14 Rohm & Haas Lichtempfindliche beschichtungszusammensetzung, aus diesem hergestellte thermisch stabile beschichtungen und verfahren zur herstellung von thermisch stabilen polymerbildern.
CA1307695C (en) 1986-01-13 1992-09-22 Wayne Edmund Feely Photosensitive compounds and thermally stable and aqueous developablenegative images
US4968581A (en) 1986-02-24 1990-11-06 Hoechst Celanese Corporation High resolution photoresist of imide containing polymers
US4810613A (en) 1987-05-22 1989-03-07 Hoechst Celanese Corporation Blocked monomer and polymers therefrom for use as photoresists
DE3721741A1 (de) 1987-07-01 1989-01-12 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch fuer lichtempfindliche beschichtungsmaterialien
DE68926019T2 (de) 1988-10-28 1996-10-02 Ibm Positiv arbeitende hochempfindliche Photolack-Zusammensetzung
US5128232A (en) 1989-05-22 1992-07-07 Shiply Company Inc. Photoresist composition with copolymer binder having a major proportion of phenolic units and a minor proportion of non-aromatic cyclic alcoholic units
EP0605089B1 (en) 1992-11-03 1999-01-07 International Business Machines Corporation Photoresist composition
US5843624A (en) 1996-03-08 1998-12-01 Lucent Technologies Inc. Energy-sensitive resist material and a process for device fabrication using an energy-sensitive resist material
US5861231A (en) 1996-06-11 1999-01-19 Shipley Company, L.L.C. Copolymers and photoresist compositions comprising copolymer resin binder component
US6057083A (en) 1997-11-04 2000-05-02 Shipley Company, L.L.C. Polymers and photoresist compositions
US6165674A (en) 1998-01-15 2000-12-26 Shipley Company, L.L.C. Polymers and photoresist compositions for short wavelength imaging
JP4799776B2 (ja) * 2000-08-22 2011-10-26 富士フイルム株式会社 電解質組成物及びそれを用いた電気化学電池
WO2004002955A2 (en) 2002-06-26 2004-01-08 Arch Specialty Chemicals, Inc. Photosensitive compositions
JP2004334060A (ja) 2003-05-12 2004-11-25 Shin Etsu Chem Co Ltd 化学増幅型レジスト用光酸発生剤及びそれを含有するレジスト材料並びにパターン形成方法
US7960087B2 (en) 2005-03-11 2011-06-14 Fujifilm Corporation Positive photosensitive composition and pattern-forming method using the same
JP4667278B2 (ja) * 2005-03-11 2011-04-06 富士フイルム株式会社 ポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法
TWI332122B (en) * 2005-04-06 2010-10-21 Shinetsu Chemical Co Novel sulfonate salts and derivatives, photoacid generators, resist compositions and patterning process
JP2007041200A (ja) * 2005-08-02 2007-02-15 Fujifilm Corp ポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4881686B2 (ja) * 2005-12-09 2012-02-22 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4511454B2 (ja) 2005-12-16 2010-07-28 オリンパスメディカルシステムズ株式会社 内視鏡用信号処理装置
TWI477909B (zh) * 2006-01-24 2015-03-21 Fujifilm Corp 正型感光性組成物及使用它之圖案形成方法
JP5124806B2 (ja) * 2006-06-27 2013-01-23 信越化学工業株式会社 光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
JP4911456B2 (ja) * 2006-11-21 2012-04-04 富士フイルム株式会社 ポジ型感光性組成物、該ポジ型感光性組成物に用いられる高分子化合物、該高分子化合物の製造方法及びポジ型感光性組成物を用いたパターン形成方法
US7618764B2 (en) 2006-11-22 2009-11-17 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Positive resist compositions and patterning process
DE102008006913A1 (de) * 2007-01-25 2008-08-07 Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon Photosäuregenerator, Photoresistzusammensetzung mit selbigem und Musterbildungsverfahren mit selbiger
EP1975714A1 (en) * 2007-03-28 2008-10-01 FUJIFILM Corporation Positive resist composition and pattern forming method
JP4621754B2 (ja) * 2007-03-28 2011-01-26 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物およびパターン形成方法
US7498116B2 (en) * 2007-03-30 2009-03-03 Fujifilm Corporation Resist composition and pattern formation method using the same
US8163461B2 (en) 2008-04-09 2012-04-24 Cornell Research Foundation, Inc. Photoacid generator compounds and compositions
JP5358211B2 (ja) 2008-04-25 2013-12-04 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP5645459B2 (ja) * 2009-07-10 2014-12-24 富士フイルム株式会社 感活性光線性または感放射線性樹脂組成物およびこれを用いたパターン形成方法
JP5244740B2 (ja) 2009-08-26 2013-07-24 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法
JP5629440B2 (ja) * 2009-08-31 2014-11-19 富士フイルム株式会社 感活性光線性または感放射線性樹脂組成物およびこれを用いたパターン形成方法
CN102180822B (zh) * 2009-12-14 2014-08-13 罗门哈斯电子材料有限公司 磺酰光酸产生剂和包含该磺酰光酸产生剂的光刻胶

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030235775A1 (en) * 2002-06-13 2003-12-25 Munirathna Padmanaban Photoresist composition for deep ultraviolet lithography comprising a mixture of photoactive compounds
JP2008039811A (ja) * 2006-08-01 2008-02-21 Shin Etsu Chem Co Ltd レジスト下層膜材料並びにそれを用いたレジスト下層膜基板およびパターン形成方法
US20080220371A1 (en) * 2007-03-09 2008-09-11 Fujifilm Corporation Photosensitive composition, compound used for photosensitive composition and pattern-forming method using photosensitive composition

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