TWI462787B

TWI462787B - Rolled copper foil

Info

Publication number: TWI462787B
Application number: TW101132232A
Authority: TW
Inventors: Kaichiro Nakamuro; Yoshihiro Chiba; Mitsuhiro Ookubo; Daisuke Samejima; Kazuki Kammuri; Kazutaka AOSHIMA
Original assignee: Jx Nippon Mining & Metals Corp
Priority date: 2011-09-27
Filing date: 2012-09-05
Publication date: 2014-12-01
Also published as: JP5758254B2; JP2013071139A; CN103826765B; CN103826765A; WO2013047053A1; KR101586594B1; KR20140061453A; TW201315549A

Description

壓延銅箔

本發明係關於一種可較佳地使用於要求彎曲性之FPC之壓延銅箔。

用於彎曲用FPC(可撓性印刷電路基板)之銅箔要求高彎曲性。用以對銅箔賦予彎曲性之方法，眾所周知有提高銅箔壓延面之(200)面之結晶方位的取向度技術(專利文獻1)、使貫通銅箔板厚方向之晶粒比例增多之技術(專利文獻2)、將銅箔之相當於油坑(oil pit)深度之表面粗糙度Ry(最大高度)降低至2.0μm以下之技術(專利文獻3)。

通常之FPC製造步驟係如以下所示。首先，將銅箔與樹脂膜接合。接合方法有藉由對塗佈於銅箔上之清漆施加熱處理而使其醯亞胺化之方法、或使附有接著劑之樹脂膜與銅箔疊合而進行積層之方法。藉由該等步驟而接合之附有樹脂膜之銅箔稱作CCL(覆銅積層板)。藉由該CCL製造步驟中之熱處理，而使銅箔再結晶。

然而，於使用銅箔製造FPC時，若為了提高與被覆膜之密合性而蝕刻銅箔表面，則於表面產生直徑數10μm左右之凹陷(碟型下陷)，特別是容易產生高彎曲銅箔。認為其原因在於，為了賦予高彎曲性，以再結晶退火後立方體組織擴展之方式控制銅箔之結晶方位。即，認為其係因為：即便進行了上述之控制，所有的結晶方位也不會一致，於均勻之組織中局部地存在結晶方位不同的晶粒。此時，因為被蝕刻之結晶面其蝕刻速度不同，該晶粒於局部被蝕刻地較周圍較深，而產生凹陷。該凹陷成為使電路之蝕刻性下降、於檢查外觀時判定為不良並使良率下降的原因。

又，根據蝕刻液，而有立方體組織與隨機組織相比其蝕刻速度變快之情形及蝕刻速度變慢之情形。因此，當再結晶退火後之立方體組織過度擴展，若此立方體組織之蝕刻速度變慢，則生產性降低，或電路形成時於電路間殘存銅而使蝕刻性劣化。另一方面，若此立方體組織之蝕刻速度變快，則變得容易被蝕刻至電路部，蝕刻性勢必劣化。

減少上述凹陷之方法，報告有如下之技術(專利文獻4)：於壓延前或壓延後，對銅箔表面進行機械研磨以賦予成為加工變質層之應變後，進行再結晶。若根據該技術，藉由加工變質層而於再結晶後使不均勻之晶粒成簇於表面，使得結晶方位不同之晶粒不會單獨地存在。

[專利文獻1]日本專利第3009383號公報

[專利文獻2]日本特開2006-117977號公報

[專利文獻3]日本特開2001-058203號公報

[專利文獻4]日本特開2009-280855號公報

然而，於專利文獻4記載之技術之情形時，存在因不均勻之晶粒較多，銅箔表面之結晶未取向於(100)面，故彎曲性降低之問題。

另一方面，明白了：雖然為確保銅箔於製造時與輥之密合性，或者使銅箔製品之操作變得容易，而進行將最終冷壓延時之輥粗糙度增大從而使銅箔表面變得粗糙之處理，但若使銅箔表面變得粗糙，則銅箔表面之結晶之取向度降低，導致彎曲性變差或者容易產生碟型下陷。

即，本發明係為解決上述問題而完成者，其目的在於提供一種使銅箔表面適度地變得粗糙而提高操作性，進一步彎曲性優異，並且表面蝕刻特性良好之壓延銅箔。

本發明人等經過各種研討，結果發現：於最終冷壓延之最終道次之前，不使銅箔之表面變得粗糙，而於最終冷壓延之最終道次中，使銅箔之表面變得粗糙，藉此，可使最終之銅箔表面變得粗糙，並使剪切變形帶變少，且可維持彎曲性，碟型下陷亦較少，且蝕刻液所導致的蝕刻速度差異變小，因此成為蝕刻性優異銅箔。

為達成上述之目的，本發明之壓延銅箔於壓延平行方向測得之表面之根據JIS-Z8741的60度光澤度G60_RD 為100以上300以下，於200℃加熱30分鐘而調質為再結晶組織之狀態下，由壓延面之X射線繞射求得之200繞射強度(I)相對於由微粉末銅之X射線繞射求得之200繞射強度(I₀ )為20≦I/I₀ ≦40，在銅箔表面於壓延平行方向長度為175μm，且於壓延直角方向分別相隔50μm以上之3條直線上，相當於油坑最大深度之各直線之厚度方向的最大高度與最小高度之差的平均值d與上述銅箔之厚度t之比率d/t為0.1以下，於壓延平行方向測得之表面之60度光澤度G60_RD 與於壓延直角方向測得之表面之根據JIS-Z8741的60度光澤度G60_TD 之比率G60_RD /G60_TD 未達0.8。

上述200℃×30分鐘熱處理後之銅箔表面於電解研磨後利用EBSD進行觀察時，較佳為壓延面之結晶方位與[100]方位之角度差在15度以上之晶粒的面積率為30~70%。

將鑄塊於熱壓延後，反覆進行冷壓延與退火，最後進行最終冷壓延而製造，於該最終冷壓延步驟中，較佳為於最終道次之前1道次的階段，於壓延平行方向測得之表面之60度光澤度G60_RD 超過300。

根據本發明，可獲得使銅箔表面適度地變得粗糙而提高操作性，彎曲性優異，且表面蝕刻特性良好之壓延銅箔。

以下，對本發明之實施形態之壓延銅箔進行說明。再者，於本發明中所謂%只要未特別限定則表示質量%。

首先，對本發明之技術思想進行說明。若使最終冷壓延中之輥粗糙度變大，使銅箔表面變得粗糙，則雖然銅箔之操作性提高，但變得易產生碟型下陷，蝕刻性降低。可認為其原因在於，藉由最終冷壓延中粗糙之輥，而於銅箔之厚度方向產生剪切變形帶，進而持續進行壓延，剪切變形帶擴長。

另一方面，為獲得銅箔之彎曲性而提高光澤度(表面粗糙度)之方法自先前已為眾所周知。可認為此方法在於藉由利用粗糙度低之輥進行最終冷壓延，而使剪切變形帶不易於銅箔之厚度方向產生。然而，若提高銅箔之光澤度(使表面粗糙度變小)，則銅箔之操作性降低。

相對於此，本發明人發現可藉由於最終冷壓延之最終道次之前不使銅箔之表面變得粗糙(例如，利用粗糙度低之輥進行壓延)，且於最終冷壓延之最終道次使銅箔之表面變得粗糙(例如，利用粗糙之輥進行壓延)，而使最終之銅箔之表面變得粗糙，並且減少剪切變形帶，且使彎曲性提高，表面蝕刻特性變得良好。

即，先前係認為銅箔之取向性單純依存於銅箔表面之粗糙度，但實際可知材料內部之剪切變形帶之規模會對蝕刻性及取向度(及碟型下陷)產生影響。而且，於最終冷壓延中，若於最終道次以前之道次中可充分地抑制剪切帶之擴展，則即便於最終道次中將銅箔表面精加工成較為粗糙，亦可獲得使蝕刻性良好之取向度。

然而，上述剪切帶之擴展度無法僅由先前一直使用之光澤度值明確地得知。即，可認為若使最終銅箔之表面變得粗糙，並減少剪切變形帶，則油坑較淺且具有某種程度之寬度，進而油坑之產生頻率變少(參照圖1(a))，其係難以於與油坑方向垂直之壓延平行方向RD之光澤度中表現。另一方面，若自壓延直角方向TD觀察，則油坑具有某程度之寬度，故而，相較於平行方向，易得知油坑之形狀或頻率之變化。

參照圖1而對上述油坑與光澤度之關係進行說明。

首先，圖1(a)係表示本發明例之油坑與光澤度之關係之圖，若沿著壓延平行方向RD測定光澤度G_RD ，則於油坑中反射光之方向產生改變而未被檢測出，光澤度降低。另一方面，於沿著壓延直角方向TD測定光澤度G_TD 之情形時，由於油坑延著TD延伸，因此於油坑中即便反射光之方向朝橫向(RD方向)偏移仍可被檢測出，光澤度提高。亦即，與G_RD 相比，G_TD 相對地提高，若測定後述之60度光澤度，則滿足G60_RD /G60_TD <0.8之關係。

接著，圖1(b)係表示銅箔表面粗糙之情形的先前例之油坑與光澤度之關係之圖，銅箔表面變得過度粗糙，油坑之深度與長度(產生頻率)增加，即便延著壓延平行方向RD及壓延直角方向TD之任一方向來測定光澤度，於油坑中亦因反射光之方向產生改變而未能被檢測出，光澤度降低。於此情形時，與G_RD 相比，G_TD 相對地變低，若測定後述之60度光澤度，則滿足G60_RD /G60_TD >1之關係。

另一方面，圖1(c)係表示銅箔表面平滑之情形的先前例之油坑與光澤度之關係之圖，由於銅箔表面變得過於平滑，油坑變得過淺，故即便沿著壓延平行方向RD測定光澤度G_RD ，於油坑中亦因反射光之方向變得不易改變，光澤度提高。即，與G_TD 相比，G_RD 相對地變高，故若測定後述之60度光澤度，則G60_RD /G60_TD 之關係接近1(即，RD與TD之異向性變小)。然而，如銅箔表面粗糙之情形的先前例圖1(b)所示，由於銅箔表面並不粗糙，故而成為G60_RD /G60_TD <1。

接著，對本發明之壓延銅箔之規定及組成進行說明。

(1)光澤度G60_RD

使於壓延平行方向RD測得之表面之60°光澤度G60_RD 為100以上300以下。若G60_RD 超過300，則銅箔表面變得過於平滑而銅箔之製造時之與輥之密合性降低，或者銅箔製品之操作具有難度。另一方面，若G60_RD 成為未達100，則銅箔表面變得過於粗糙，於材料內部，剪切變形帶擴展而變得易產生碟型下陷，蝕刻性下降。

(2)G60_RD /G60_TD

如上所述，藉由於最終冷壓延之最終道次之前，不使銅箔之表面變得粗糙，且於最終冷壓延之最終道次中使銅箔之表面變得粗糙，而使最終銅箔之表面變粗，並且減少剪切變形帶，且維持彎曲性，碟型下陷減少。而且，藉由本發明人等之實驗(後述之實施例)而獲悉如此之剪切變形帶較少之表面成為G60_RD /G60_TD <0.8。因此，將於壓延平行方向測得之表面之60°光澤度G60_RD 與於壓延直角方向測得之表面之60°光澤度G60_TD 之比率G60_RD /G60_TD 規定為未達0.8。再者，採用比率係為了抵消整體之光澤度之影響。

若成為G60_RD /G60_TD ≧0.8，則如上述之圖1(b)所述，銅箔表面變得過於平滑，導致銅箔之製造時之與輥的密合性降低，或者銅箔製品之操作有困難。又，若如上述之圖1(c)所述，若成為G60_RD /G60_TD >1，則銅箔表面變得過於粗糙，導致剪切變形帶擴展，使彎曲性降低，或者變得易產生碟型下陷。

再者，達到G60_RD /G60_TD <0.8之方法係於上述之最終冷壓延中，於最終道次以前之道次抑制剪切帶之擴展，即於最終冷壓延之最終道次以前之道次中，使用粗糙度(表面粗糙度Ra例如為0.05μm以下)較小之輥進行壓延即可。另一方面，於最終冷壓延之最終道次中，使用粗糙度(表面粗糙度Ra例如為0.06μm以上)較大之輥進行壓延，使最終獲得之銅箔表面變得粗糙即可。

此處，於最終冷壓延中，若使在最終道次之前1道次之階段於壓延平行方向測得之表面之光澤度G60_RD 超過300，則最終冷壓延之最終道次以前之道次中，銅箔表面變得相對平滑，剪切變形帶變得不易被導入，故而較佳。

(3)d/t

若銅箔之厚度t變薄，則即便相同之表面粗糙度，銅箔厚度中所占之表面凹凸之比例變大，故存在上述之G60_RD /G60_TD 之銅箔表面之評價無法充分進行之情形。因此，於本發明中，可藉由規定d/t≦0.1，而不依靠銅箔之厚度來進行銅箔表面之評價。

此處，d係如圖2所示在銅箔表面於壓延平行方向RD長度為175μm，且於壓延直角方向TD分別相隔50μm以上之3條直線L₁ ~L₃ 上，相當於油坑之最大深度之各直線L₁ ~L₃ 之厚度方向之最大高度H_M 與最小高度Hs之差di之平均值。具體而言，利用接觸式粗糙度，測定L₁ ~L₃ 上之厚度方向之分佈，求得最大高度H_M 與最小高度Hs，且將各直線L₁ ~L₃ 之di加以平均即可。

銅箔(或銅合金箔)之厚度並不無特別限制，例如可較佳地使用5~50μm者。

(4)I/I₀

為了對本發明之銅箔賦予高彎曲性，於以200℃加熱30分鐘調質為再結晶組織之狀態下，由壓延面之X射線繞射求得之200繞射強度(I)，規定為相對於由微粉末銅之X射線繞射求得之200繞射強度(I₀ )為20≦I/I₀ ≦40。藉此，(200)面之取向度成為適當的值，可得到彎曲性及蝕刻性之平衡優異的銅箔。於此情形時，因為具有(200)面之結晶方位的再結晶織構不會過度擴展，故(200)面以外之方位的組織某程度地分散，因該組織被局部地蝕刻所導致之碟型下陷亦變小。又，為了對本發明之銅箔賦予更高的彎曲性，於以200℃加熱30分鐘調質為再結晶組織之狀態下，較佳為設為25≦I/I₀ ≦40。

若為I/I₀ <20，則(200)面之取向度減少，彎曲性下降。若為40<I/I₀ ，則雖然具有(200)面之結晶方位的組織增加而彎曲性變得良好，但(200)面之再結晶織構過度擴展，其結果導致(200)面以外之方位的組織於部分集中生成而使該組織被較激烈蝕刻，從而變得易產生碟型下陷，蝕刻性變差。又，亦會因為於(200)面與該面以外之方位其蝕刻速度有較大地不同而導致蝕刻性下降。

上述200℃ 30分鐘之退火係模仿CCL製造步驟中賦予銅箔之溫度歷程。

再者，若使銅箔中含有合計30~300wtppm之選自Ag、Sn、In、Au、Pd及Mg之群中之1種或2種以上，則因為易於管理為20≦I/I₀ ≦40故而較理想。

作為管理為20≦I/I₀ ≦40之方法，例如可：重複進行冷壓延及退火，於最終退火中使平均結晶粒徑成為10~20μm，之後於對製品之板厚進行壓延時，將總加工度設為90~96%，於最終冷壓延之最終道次以前的道次抑制剪切帶之擴展。於此情形時，於最終冷壓延之最終道次以前之道次中可使用粗糙度相對較小之輥(表面粗糙度Ra例如為0.05μm以下)而進行壓延。

(5)EBSD之方位差

如上所述，碟型下陷係：於「因使銅箔與樹脂膜進行接合時之熱處理，而導致於已再結晶之均勻的組織中結晶方位不同之晶粒單獨地存在之比例較多」之情形時，在進行蝕刻時此單獨晶粒與周圍相比被蝕刻地較深而產生之凹陷。因此，作為上述熱處理，係以「模仿CCL製造步驟中賦予銅箔之溫度歷程」之熱處理條件(於200℃、30分鐘)來加熱銅箔而調質為再結晶組織。而且，該狀態之結晶方位，於電解研磨後利用EBSD觀察銅箔表面時，較佳為壓延面之結晶方位與[100]方位之角度差為15度以上之晶粒之面積率為30~70%。

若於以EBSD進行觀察之情形時上述面積率為30~70%，則可得到彎曲性及蝕刻性皆優異之銅箔。若上述面積率未達30%，則有蝕刻性惡化之情形，若超過70%，則有彎曲性下降之情形。再者，於利用EBSD進行觀察之情形時為使上述面積率成為30~70%，較理想為可如上述般於最終冷壓延中使用下述輥來進行壓延，該輥係：在最終道次以前之道次中抑制剪切帶之擴展，即，於最終冷壓延之最終道次以前之道次中粗糙度(表面粗糙度Ra例如為0.05μm以下)相對較小之輥。又，若使銅箔中含有合計30~300wtppm之選自Ag、Sn、In、Au、Pd及Mg之群中之1種或2種以上，則因為易於將上述面積率管理為30~70%故而較理想。

再者，對於已經歷熱歷程而成為CCL之銅箔，亦可以200℃加熱30分鐘。因經熱處理直至再結晶一次為止之銅箔之組織，即便進一步加熱亦幾乎不會變化，故於以EBSD之觀察時，並不區分接受熱歷程之銅箔與未接受熱歷程之銅箔，均以200℃加熱30分鐘。

(6)組成

銅箔，可使用純度99.9wt%以上之精銅(tough pitch copper)、無氧銅、電氣銅，進而，較理想為含有合計30~300wtppm之選自Ag、Sn、In、Au、Pd及Mg之群中之1種或2種以上。無氧銅係規格設為JIS-H3510(合金編號C1011)及JIS-H3100(合金編號C1020)，且精銅係規格設為JIS-H3100(合金編號C1100)。

接著，對本發明之壓延銅箔之製造方法之一例進行說明。首先，將由銅及必要之合金元素甚至是不可避免之雜質構成之鑄塊熱壓延後，反覆進行冷壓延與退火，最後於最終冷壓延精加工成特定厚度。

此處，如上所述，藉由於最終冷壓延之最終道次之前，不使銅箔之表面變得較粗糙，且於最終冷壓延之最終道次中使銅箔之表面變得較粗糙，而使最終之銅箔之表面變得粗糙，並且使剪切變形帶變少，使彎曲性提高，碟型下陷減少。而且，如此之剪切變形帶少的表面成為G60_RD /G60_TD <0.8。

因此，於最終冷壓延之最終道次之前，以使銅箔之表面不變得粗糙之方式，使用粗糙度(表面粗糙度Ra例如為0.05μm以下)相對較小之輥進行壓延，或者將最終冷壓延中之1道次加工度變大進行壓延即可。另一方面，於最終冷壓延之最終道次中，使用粗糙度(表面粗糙度Ra例如為0.06μm以上)相對較大之輥進行壓延，或者使用黏度較高之壓延油進行壓延，使最終所得之銅箔表面變得粗糙。

再者，為使最終之銅箔之表面變得粗糙，並且使剪切變形帶變少，而必需於最終冷壓延之最終2道次、或最終道次中，使用上述之較粗糙輥，或者使用黏度較高之壓延油進行壓延，但就便於調整之方面而言，較佳為調整最終道次中之壓延條件。另一方面，若自最終冷壓延之最終3道次之前將輥之粗糙度變得粗糙，則剪切變形帶擴展。

再者，以使利用最終冷壓延之前之退火所得之再結晶粒之平均粒徑成為10~20μm之方式，調整退火條件即可。又，將最終冷壓延中之壓延加工度設為92~99%即可。

[實施例]

於電氣銅添加表1所記載之元素，分別於大氣中(實施例1~3、5)及還原環境中(N₂ 及CO之混合氣體)(實施例4、6、7~14)鑄造鑄錠。再者，比較例1~5係於氬環境中鑄造鑄錠。於大氣中鑄造而成者含有氧150~ 300ppm，於還原環境中鑄造而成者含有與無氧銅(C1020)同程度之氧。將製成之鑄錠於800℃以上進行熱壓延直至厚度達到10mm，對表面之氧化皮進行平面切削後，重複進行冷壓延與退火之後，於分別形成為0.24mm(實施例1~12)、0.12mm(實施例13)、0.36mm(實施例14)、1.2mm(比較例1~5)之厚度後進行退火，從而平均結晶粒徑成為13μm。進一步，於最終冷壓延中精加工成厚度0.012mm(實施例1~12、比較例1~5)、0.006mm(實施例13)、0.018mm(實施例14)。再者，實施例1~14之最終冷壓延的加工度成為95%，比較例1~5之最終冷壓延的加工度成為99%。

再者，最終冷壓延係以5~15道次進行，且如表1所示，改變直至最終道次前之輥之表面粗糙度、及最終道次之輥之表面粗糙度而進行壓延。自最終壓延之第1道次直至最終道次前之輥之表面粗糙度全部相同。

對以此方式獲得之各銅箔試樣，進行各特性之評價。

(1)光澤度

分別沿著壓延平行方向RD、及壓延直角方向TD，依據JIS-Z8741，測定銅箔表面之光澤度G60_RD 、G60_TD 。

(2)立方體集合組織

將試樣於200℃加熱30分鐘後，求出由壓延面之X射線繞射求得之200繞射強度之積分值(I)。將該值除以藉由預先測得之微粉末銅(325mesh，於氫氣流中在300℃加熱1小時後使用)之X射線繞射所求得200繞射強度之積分值 (I₀ )，算出I/I₀ 值。

(3)油坑之最大深度(平均值d)

使用接觸式粗糙度計(小阪研究所製造SE-3400)，如圖2所示，分別求得在銅箔表面於壓延平行方向RD長度175μm，且於壓延直角方向TD分別求得相隔50μm以上之3根直線L₁ ~L₃ 上之最大高度H_M 與最小高度H_S 之差di。將各直線L₁ ~L₃ 之di加以平均作為d。再者，設為d(mm)/t(mm)。

(4)EBSD之方位差

對於(2)中於200℃加熱30分鐘後之試樣表面進行電解研磨後利用EBSD(電子背散射繞射裝置，日本電子股份有限公司JXA8500F、加速電壓20kV、電流2e-8A、測定範圍1000μm×1000μm、階寬5μm)觀察。利用影像分析求得自[100]方位之角度差為15度以上之晶粒之面積率。進而，以目視計量試樣表面1mm見方之觀察範圍內結晶粒徑超過20μm者之個數。

(5)蝕刻性

蝕刻性係以如下所示方式進行評價。首先，對試樣表面，使用蝕刻液(分別為ADEKATEC CL-8(ADEKA股份有限公司製造)與DP-200(荏原優吉萊特製造)液)於常溫進行2分鐘蝕刻，將利用光學顯微鏡拍攝蝕刻後之1mm見方之觀察範圍之表面所得之影像明暗二值化，從而算出明暗比例。具有[100]方位之組織由於成為與銅箔表面平行之面故會觀察到較亮，於其他方位由於在表面生成較細的凹凸故產生亂反射，而會觀察到較暗。

繼而，將上述亮部與暗部之中比例未達50%者視為面積率較少者之組織。由於面積率較小者的組織被面積率較多者的組織所包圍而存在，因此面積率較小者的組織近似於多角形，並計算此多角形之外接圓的最小直徑超過50μm的部位之個數。無論使用ADEKATEC CL-8或DP-200任一液體於觀察範圍內該部位皆為10個以下，且將「於最終冷壓延後以200℃加熱30分鐘之加熱前的蝕刻量，與於最終冷壓延後以200℃加熱30分鐘之加熱後的蝕刻量之差在±10%以內」者設為蝕刻性良好(○)，將上述個數比10個多或上述蝕刻量之差為超過±10%者設為蝕刻性不良(×)。

此處，蝕刻量係以(蝕刻前之銅箔重量-蝕刻後之銅箔重量)來算出，若上述蝕刻量之差在±10%以內，無論最終冷壓延後有無再結晶，蝕刻量均難以變化，認定其蝕刻性優異。

再者，於銅箔表面之中，比起混合存在明亮面與暗面，明亮面或暗面之任一者變得較多者有蝕刻性變得良好之傾向。

(6)表面之傷痕

對各試樣之表面進行目測觀察，將於壓延方向具有10mm以上之長度之傷痕以5部位/m² 以上存在之情形設為×。

(7)彎曲性

將試樣於200℃加熱30分鐘使其再結晶後，於聚醯亞胺膜(商品名：Kapton(註冊商標)EN)之一面(與銅箔接合之面)塗布熱塑性PI接著劑2μm後進行乾燥，而形成27μm厚之樹脂層。將此樹脂層之接著劑面積層於銅箔而進行真空熱壓接，製作覆銅積層體。藉由圖3所示之彎曲試驗裝置，進行覆銅積層體之彎曲疲勞壽命之測定。該裝置為於振盪驅動體4結合有振動傳遞構件3之構造而成，被試驗銅箔1係於箭線表示之螺釘2之部分與3之前端部之共計4處固定於裝置。若將振動部3進行上下驅動，則銅箔1之中間部以特定之曲率半徑r彎曲為迴管狀。本試驗係求出以下之條件下反覆彎曲時直至斷裂為止之次數。

再者，試驗條件為以下所述：試驗片寬度：12.7mm，試驗片長度：200mm，試驗片採取方向：以試驗片之長度方向成為與壓延方向平行之方式採取，曲率半徑r：2.5mm，振動衝程：25mm，振動速度：1500次/分鐘。再者，於彎曲疲勞壽命為50萬次以上之情形時，判斷為具有優異之彎曲性。若彎曲疲勞壽命為50萬次以上，則即便於摺疊式行動電話之摺疊可動部等之嚴格彎曲時亦具有耐受性良好之彎曲性。

所得結果示於表1。

由表1可知，於G60_RD 為100以上300以下、20≦I/I₀ ≦40，且d/t為0.1以下，G60_RD /G60_TD 未達0.8之各發明例之情形時，蝕刻性優異，進而銅箔表面無傷痕，彎曲性亦良好。

另一方面，於最終冷壓延中，直至最終道次之前之輥之表面粗糙度，及最終道次之輥之表面粗糙度均為Ra=0.05μm以下之比較例1之情形時，銅箔表面之G60_RD 超過300，銅箔表面劃有傷痕，操作性變差。

於最終冷壓延中，使直至最終道次之前之輥之表面粗糙度變粗為Ra=0.06μm以上，且使最終道次之輥之表面粗糙度為Ra=0.05μm以下之比較例2之情形時，成為I/I₀ >40，碟型下陷之個數增加，蝕刻性下降，又，銅箔表面之G60_RD 超過300，銅箔表面劃有傷痕，操作性變差。

於最終冷壓延中，使直至最終道次之前之輥之表面粗糙度、及最終道次之輥之表面粗糙度均變粗達到Ra=0.06μm以上之比較例3、4、5之情形時，成為I/I₀ >40，碟型下陷之個數增加，蝕刻性下降。

再者，於比較例3、4之情形時，由於使最終冷壓延之所有道次之輥表面粗糙度變粗，故於材料內部剪切變形帶擴展，銅箔表面之結晶之取向度下降，成為I/I₀ >40。

另一方面，於比較例5之情形時，由於使直至最終道次之前之輥之粗糙度比比較例3、4平滑，故光澤度亦成為高於比較例3、4之值，但剪切帶之抑制依然不充分，成為I/I₀ >40，碟型下陷之個數增加，蝕刻性下降。再者，可認為於使直至最終道次之前之輥粗糙度成為0.07μm之狀態下，為了抑制剪切帶，而存在使通板速度下降等之方法，但於此情形時光澤度超過300，故表面傷痕判定為×。

1‧‧‧銅箔

2‧‧‧螺釘

3‧‧‧振動傳遞構件

4‧‧‧振盪驅動體

RD‧‧‧壓延平行方向

TD‧‧‧壓延直角方向

G_RD 、G_TD 、G60_RD 、G60_TD ‧‧‧光澤度

L₁ ~L₃ ‧‧‧直線

H_M ‧‧‧最大高度

H_S ‧‧‧最小高度

di‧‧‧最大高度與最小高度之差

r‧‧‧曲率半徑

圖1係表示油坑與光澤度之關係之圖。

圖2係表示相當於油坑最大深度之平均值d之測定法之圖。

圖3係表示藉由彎曲試驗裝置來進行彎曲疲勞壽命之測定之方法之圖。

RD‧‧‧壓延平行方向

TD‧‧‧壓延直角方向

G_TD ‧‧‧光澤度

G_RD ‧‧‧光澤度

Claims

一種壓延銅箔，於壓延平行方向測得之表面之根據JIS-Z8741的60度光澤度G60_RD 為100以上300以下，於200℃加熱30分鐘而調質為再結晶組織之狀態下，由壓延面之X射線繞射求得之200繞射強度(I)相對於由微粉末銅之X射線繞射求得之200繞射強度(I₀ )為20≦I/I₀ ≦40，在銅箔表面於壓延平行方向長度為175μm，且於壓延直角方向分別相隔50μm以上之3條直線上，相當於油坑最大深度之各直線之厚度方向的最大高度與最小高度之差的平均值d與該銅箔之厚度t之比率d/t為0.1以下，於壓延平行方向測得之表面之60度光澤度G60_RD 與於壓延直角方向測得之表面之根據JIS-Z8741的60度光澤度G60_TD 之比率G60_RD /G60_TD 未達0.8。
如申請專利範圍第1項之壓延銅箔，其中，該200℃×30分鐘熱處理後之銅箔表面於電解研磨後利用EBSD進行觀察時，壓延面之結晶方位與[100]方位之角度差在15度以上之晶粒的面積率為30~70%。
如申請專利範圍第1或2項之壓延銅箔，其中，將鑄塊於熱壓延後，反覆進行冷壓延與退火，最後進行最終冷壓延而製造，於該最終冷壓延步驟中，於最終道次之前1道次的階段，於壓延平行方向測得之表面的60度光澤度G60_RD 超過300。
如申請專利範圍第1或2項之壓延銅箔，其含有合計 30~300wtppm之選自Ag、Sn、In、Au、Pd及Mg之群中1種或2種以上的元素。
如申請專利範圍第3項之壓延銅箔，其含有合計30~300wtppm之選自Ag、Sn、In、Au、Pd及Mg之群中1種或2種以上的元素。